Транзистор обозначение. Маркировка транзисторов: системы обозначений и особенности маркировки в разных странах

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4.

Таблица 4

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с P—N-переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. 8.

Таблица 8

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10.

Таблица 10

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721—74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Примечание к пп. 2—5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

Транзистор [База знаний]

Теория

КОМПОНЕНТЫ

• Адресуемая светодиодная лента
• Геркон
• Диод
• Зуммер
• Кнопка
• Кварцевый резонатор
• Конденсатор
• Макетная плата
• Резистор
• Реле
• Светодиод
• Светодиодные индикаторы
• Сервопривод
• Транзистор

ARDUINO

• Что такое Arduino?
• Среда разработки Arduino IDE
• Сравнение плат Arduino. Какую выбрать?
• Как прошить плату Arduino с помощью другой Arduino (ArduinoISP)
• Онлайн-сервис TinkerCAD – эмулятор Arduino
• Визуальная среда разработки Mixly для Arduino

RASPBERRY

• Как установить ОС Raspbian/Raspberry Pi OS?

ИНТЕРФЕЙСЫ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ

• Интерфейс I2C (IIC)

Транзистор — один из самых распространенных полупроводниковых элементов самого широкого применения. Существуют различные виды транзисторов, но как правило данный электронный компонент имеет три вывода и, как и диод, основывается на явлении p-n перехода. Отсюда происходит его второе название – полупроводниковый триод.

Главным свойством транзистора является управление током, протекающим через него (ток эмиттер–коллектор у биполярных и ток исток–сток у полевых транзисторов), с помощью третьего вывода (база у биполярных и затвор у полевых транзисторов). Иными словами транзисторы зачастую используют как выключатель и/или регулятор силы тока и напряжения.

Биполярный транзистор

Транзисторы данного типа состоят из трех слоев полупроводников с чередующимся типом проводимости:

• Эмиттер (emitter)
• База (base) – на схемах изображается между К. и Э. под прямым углом к несущей черте
• Коллектор (collector) – на схемах обозначен стрелкой.

Таким образом, у биполярных транзисторов имеется два p-n перехода: эмиттер-база и база-коллектор. Наделение полупроводников определенным типом проводимости происходит с помощью легирования — добавления в них специальных примесей. Каждый слой легируется в разной степени.
Различают два типа биполярных транзиторов:

• p-n-p, где эмиттер – полупроводник p-типа, база – n-типа, коллектор – p-типа
• n-p-n, где эмиттер – полупроводник n-типа, база – p-типа, коллектор – n-типа.

Их схематичное устройство представлено представлено на иллюстрации ниже.

Также на иллюстрации обозначено направление движения тока в биполярных транзисторах обоих типов и типичное обозначение напряжений, имеющих место между его выводами.

В основе работы биполярных транзисторов лежит следующий процесс, который рассмотрим на примере транзистора со структурой npn в нормальном активном режиме. В этом режиме переход эметтер-база смещён в прямом направлении, иначе говоря, открыт, а переход база-коллектор смещён в обратном направлении или закрыт. При переходе носителей заряда (электронов) из эмиттера через открытый p-n переход эмиттер-база, часть их рекомбинирует с носителями заряда (дырками) в базе. Однако база делается очень тонкой и слабо легированной (по сравнению с эмиттером), из-за чего большая часть электронов, перешедших (инжектированных) в базу из эмиттера, так сказать, «не находит себе в базе места» и, как следствие, диффундирует в коллектор. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы и переносит их в коллекторный слой. Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы. В случае с биполярными транзисторами структуры pnp процесс будет тем же, изменится лишь полярность и направление токов.

Полевой транзистор (униполярный)

Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Полевые транзисторы имеют следующие выводы:

• Исток (source) — область, из которой носители заряда уходят в канал
• Затвор (gate) – электрод, на который подается управляющее напряжение
• Сток (drain) – область, в которую носители заряда входят.

Понимание диодов и транзисторов уровня JAN/MIL

Были ли у вас когда-нибудь проблемы с пониманием различных уровней военных диодов и транзисторов?

Вы когда-нибудь пытались купить диод или транзистор уровня JAN и обнаруживали, что нужный вам элемент просто недоступен или имеет длительный срок поставки? Надеюсь, после прочтения этого вы лучше поймете, что означают разные уровни, и, возможно, вы сможете найти приемлемую альтернативу или обновление, чтобы уложиться в срок производства.

Префикс JAN

Прежде всего важно добавить префикс JAN (или иногда суффикс) к транзистору или диоду. Префикс JAN означает Объединенный военно-морской флот . В основном это означает, что предмет изготовлен на уровне Mil (в частности, MIL-S-19500). Таким образом, если вы добавляете JAN к 2N2222, , который вы покупаете, вы покупаете предмет военного класса . Но это еще не все.

Что делать, если вам нужен JANTX, JANTXV или JANS?

Во-первых, добавление чего-либо после оригинального JAN действительно обновляет часть. Добавление TX означает, что деталь не только изготовлена ​​в соответствии с MIL-S-19500, но и протестирована в соответствии со спецификацией Mil . Добавление V к TX означает, что деталь была проверена во время тестирования до того, как пакет был завершен. И добавление S к JAN говорит о том, что деталь сертифицирована для использования в космосе или протестирована на процент брака с допуском партии (LTPD в соответствии с MIL-STD-105).

См. следующую разбивку.

• 2N2222 Коммерческая часть
• JAN2N2222 Военная деталь, изготовленная по MIL-S-19500
• JANTX2N2222 Военная деталь, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500 и испытанная на соответствие спецификациям после производства
• JANTXV2N2222 Деталь военного назначения, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500 с визуальной проверкой штампа во время производства и испытаниями на соответствие спецификациям после производства
• JANS2N2222 Деталь военного назначения, изготовленная в соответствии с MIL-S-19500, штамп визуально проверяется во время производства и тестируется на соответствие спецификациям после производства. Затем протестировано до LTPD, следуя всем остальным шагам.

Итак, если вы ищете деталь, сделанную на уровне JAN, и вы можете найти только деталь JANTXV, вы можете заплатить немного больше, но вы действительно получите лучшую деталь.

Что делать, если вы найдете деталь с пометкой JX или JTX?

Вот некоторые из распространенных сокращений и альтернативных, которыми производители обозначают свои детали. В основном, если деталь слишком мала, чтобы вместить весь номер детали.

• ЯНВАРЬ – J
• JANTX-JX или JTX
• JANTXV — JXV, JXTV или JV
• ЯНС – JS

Что делать, если вы видите элемент с пометкой MX?

Ну, это интересно. В некоторых случаях производители, которые когда-то имели QPL для изготовления деталей JAN, обнаружили, что поддержание QPL для этого товара неэффективно с точки зрения затрат. В этих случаях производитель все равно изготовит деталь и испытает ее на соответствие MIL-S-19.500, но поскольку у них нет лицензии на маркировку JANTX, они будут маркировать деталь MX .

Можно ли использовать детали с маркировкой MX?

По нашему опыту, около 50% наших клиентов могут использовать товары MX. Большинство клиентов, которые могут использовать эти детали, используют детали для сборок ВМФ. Военно-морской флот разрешил поставщикам поставлять им детали, эквивалентные , при условии, что испытания были завершены для MIL-S-19500 и есть доказательства в виде документов, подтверждающих, что испытания были проведены.

Вот и все. Краткий обзор различных уровней заказа диодов и транзисторов JAN. Надеюсь, это поможет. Если у вас есть какие-либо вопросы по этому поводу или вы хотите заказать любую из этих деталей в Cornerstone Components, просто позвоните нам. У нас есть многолетний опыт работы с этими деталями, и мы действительно можем помочь со всеми вашими потребностями.

pcb — Почему аббревиатура печатной платы для транзистора «Q»?

спросил 9 лет, 9 месяцев назад

Изменено 8 лет, 6 месяцев назад

Просмотрено 27 тысяч раз

\$\начало группы\$

На печатных платах я вижу, что транзисторы «Q», но почему Q? Разве «TR» не должен быть трансформатором, поэтому транзистор может быть «T», потому что транзисторы кажутся более распространенными, чем трансформаторы.

• плата
• терминология

\$\конечная группа\$

5

\$\начало группы\$

Есть утверждения, что после первоначального хаоса в конечном итоге была выбрана буква Q из-за популярных стилей корпуса TO18/TO39.

Просто посмотрите на это снизу:

И, конечно же, буква «Т» использовалась для обозначения трансформаторов несколько десятилетий назад.

Итак, поиск надежных источников, доступных в Интернете… Ну, это были не самые удачные несколько минут для меня, но я знаю, что читал это где-то в печати много лет назад.

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Вот слух, который я где-то читал: Когда транзисторы были новыми, они были той странной деталью, которую никто еще толком не использовал. «T» уже было занято (трансформатор), а не так часто используемая буква «Q» (i) не использовалась ни для чего другого и (ii) казалась подходящей для не так часто используемого типа компонента.

Я перестал беспокоиться о том, как вызывать запчасти. Буквы не используются последовательно в разных частях мира — например, «Q» для транзисторов — это американская традиция; Европейцы часто называют транзисторы «Т». За исключением Германии, где дискретные полупроводники (диоды, транзисторы) имеют тенденцию называться «V» в некоторых компаниях, хотя стандарт DIN EN 60617, предлагающий букву «V», больше не действует, iirc. Текущий стандарт, DIN EN 61346, предлагает букву «K» для транзисторов, но я не встречал никого, кто был бы достаточно хардкорным, чтобы использовать ее.

О, и я только что узнал, что DIN EN 61346 был отозван и заменен IEC 81346. В статье в немецкой Википедии есть полный список всех предлагаемых ссылочных обозначений, и вы можете ясно видеть, как цель найти один Большая классификация, действующая для всего и вся, от проектирования на уровне платы до промышленной автоматизации в крупных установках, привела к созданию большой таблицы, в которой FUBAR-а все было. Найдите термин «транзистор» в статье в Википедии, и вы обнаружите, что вы должны использовать «KF»!

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

TL;DR

• Краткий ответ: «Потому что [кто-то] так сказал!» (Шокли? Мур?), а потом кодифицировали
• Может относиться к точке Q («точка покоя»), поскольку анализ линии нагрузки (анализ Q-точки или анализ смещения) появился примерно в то же время, что и появление транзистора
• FYI: «T» — трансформатор согласно ANSI/IEEE 9.0026

(My) Краткий обзор истории кодификации:

1950-е годы Военные определяют стандарты для составления проектов, чтобы облегчить то, что мы сейчас называем «управлением жизненным циклом»

IEEE 1990-х пытается обновить его, но понимает, что это бессмысленно (например, достаточно хорошо)

Из Википедии (выделено мной):

IEEE 200 -1975 «Стандартные справочные обозначения для электрических и Electronics Parts and Equipments» — это стандарт, который использовался для определить системы именования ссылок для коллекций электронных оборудование.