Транзистор п 210: 209 — 210, 210, 2101, 2102

П210Б характеристики транзистора: аналоги, datasheet и распиновка

Технические характеристики транзистора П210Б позволяют ему работать в выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения, переключающих схемах. Он является мощным, низкочастотным, германиевым p-n-p устройством. Изготавливается по сплавной технологии. Стоить отметить что транзисторы серии П210 разрабатывались для нужд оборонной промышленности и подвергались тщательной проверке. Не прошедшие проверку (П210Б и П210В) использовались в гражданских целях.

Цоколевка

П210Б производились в металлическом герметичном корпусе, маркировка наносилась сверху. Масса транзистора составляет 37 г. С его размерами и расположением ножек можно ознакомиться на рисунке ниже.

 

Технические характеристики

Давайте рассмотрим предельно допустимы характеристики транзистора П210Б, обычно они указываются в самом начале в любом datasheet, так как являются важными и их превышение неизбежно повлечёт к поломки устройства:

• постоянный ток на коллекторе — 12 А;
• постоянный ток проходящий через базу – 0,3 А;
• напряжение К – Э (эмиттер замкнут на базу) – 40 В;
• напряжение К – Э (база разомкнута) – 30 В;
• напряжение К – Б (эмиттер разомкнут) – 65 В;
• напряжение Э – Б – 25 В;
• рассеиваемая мощность (с теплоотводом) – 45 Вт;
• рассеиваемая мощность (без теплоотвода) – 1,5 Вт;
• температура кристалла — <70 ^ОС;
• температура окружающей среды от -55 до +60 ^ОС.

Электрические параметры, также важно знать при проектировании устройств и поиске замены. Данные параметры способен показать транзистор при обычной работе:

• максимальная частота к-та передачи тока >100 кГц;
• к-т усиления по току в схеме с общим эмиттером – 10 … 100;
• крутизна характеристики >5 А/В;
• начальный ток коллектора <8 мА;
• обратный ток коллектора:
  • при t_окт = +20 ^ОС — <15 мА;
  • при t_окт = +60 ^ОС — <90 мА;

• напряжение насыщения коллектор – эмиттер 0,6 … 2,5 В;
• напряжение насыщения эмиттер — база 0,5 … 2 В;
• напряжение отсечки переходной характеристики в схеме с ОЭ -0,3 В;
• напряжение лавинного пробоя при I_к = 2,5 А и t_окр = -55 … +60^ОС >40 В;
• входное сопротивление в схеме с общей базой 0,4 Ом;
• тепловое сопротивление кристалл — корпус 1 ^ОС/В;
• тепловое сопротивление среда — кристалл 40 ^ОС/В;
• тепловая постоянная кристалл — корпус 100 мкс.

Аналоги

Среди зарубежных устройств можно назвать такие аналоги П210Б: 2N457, 2N458, 6NU74, 7NU74, AD142, AD325, AD545, AUY21, AUY21A, AUY22, AUY22A. Существуют также отечественные изделия по похожим параметрам, например транзистор ГТ701А. В любом случае, перед заменой нужно проверить характеристики по технической документации.

Производители

Первоначально транзисторы серии П210 (скачать datasheet можно тут) изготавливались на трёх предприятиях: НИИ-35 (сейчас это завод НПП «Пульсар»), Ташкентские государственный завод п/я 125 (позже Ташкентский завод электронной техники) и Ереванский электротехнический завод (НПО «Транзистор»). Позже производство было передано заводу «Гамма» г. Запорожье. В начале 90-х они стали считаться неперспективными.

Схема блока питания на п210 – АвтоТоп

Регулируемый блок питания с защитой предназначен для питания портативных магнитофонов, диктофонов, радиоприемников, электромеханических игрушек, выполнения лабораторных работ по физике, химии, радиоэлектронике, а также для испытания электромагнитных реле и мн.др. Выходное напряжение прибора можно плавно изменять от 0 до 50 В, при этом амплитуда пульсации на выходе не будет превышать 25 мВ. Характерной особенностью блока питания является то, что при токе нагрузки больше 250 мА и при коротком замыкании в цепи нагрузки прибор автоматически отключает выходное напряжение, подводимое к зажимам Кл1 и Кл2. Одновременно включается двухтональная сирена, оповещающая нарушение режима блока питания и включение защиты.
Рассмотрим принципиальную схему блока питания. При включении S1 загорается неоновая лампа h2. Яркость ее свечения зависит от сопротивления R1. Питание со вторичной обмотки трансформатора Т1 поступает на выпрямитель, собранный на диодах V1—V4 по мостовой схеме. Через гасящее сопротивление R3 пульсирующее напряжение с выхода выпрямителя поступает на параметрический стабилизатор, собранный на стабилитроне V5. R3 определяет режим работы стабилитрона. Для сглаживания пульсаций после выпрямителя включен конденсатор C1. Параллельно V5 включен переменный резистор R5, движок которого соединен с базой транзистора V8, выполняющий функцию эмиттерного повторителя. Следовательно, напряжение на базе регулирующего транзистора V9 и на зажимах Кл1 и Кл2 зависит от положения движка переменного резистора R5. Конденсатор С3, как и С1, сглаживает пульсацию.
Двухтональная сирена запитывается от выпрямителя, который собран на диоде V6 (по схеме однополупериодного выпрямителя). Конденсатор С2 — сглаживающий, а сопротивление R2 — гасящее. Питание с катода стабилитрона V7 поступает на подвижный контакт реле К1.2.
Сирена собрана на микросхеме МС1. Ее элементы MC1a и МС1б используются в качестве тактового генератора с частотой около 1 Гц, а МС1в и МС1г — генератора с частотой 400 Гц. Частота первого генератора зависит от сопротивления R8 и емкости конденсатора С4, а второго — от R9 и С5. Выход МС1г подключен к первичной обмотке выходного трансформатора Т2, вторичная обмотка которого подключена к динамической головке В1.
Рассмотрим работу двухтональной сирены совместно с блоком питания. Если ток в цепи нагрузки превысит 250 мА (его величина регистрируется прибором РА1), то падение напряжения на R4 достигнет величины, при которой реле К1 включится и контакты К1.1 и К1.2 изменят свое положение. Приборы РА1 и PV1 отключатся, нагрузка обесточится, а R7 (эквивалент нагрузки) окажется подсоединенным к эмиттеру транзистора V9. Реле К1 останется во включенном состоянии, и в это, время сирена начнет оповещать, что режим использования блока питания нарушен. В этом случае надо отключить нагрузку регулируемого блока питания, а затем нажать (можно кратковременно) на кнопку S2. К1 обесточится, и контакты К1.1 и К1.2 возвратятся в первоначальное состояние.
Все обозначения деталей указаны на схеме. Вместо транзистора П210 (V8) можно использовать другие, например, П210А-П210Ш или П217 -П217Г с радиатором площадью не менее 100 см2, а транзистор П306А (V9) — на П303А-П304 с радиатором той же площадью.
Диоды V1—V4 можно заменить на КД202, Д214, Д231-Д234, диод V6 на Д7 с любыми буквенными индексами, стабилитрон V5 — на Д817А, а диод V7 — на КС156А, но при этом надо подобрать сопротивление R2.
Конденсаторы С2, С4 и С5 типа К50-6 или ЭМ.
Резисторы R3, R6, – МЛТ-2, ВС-2; R1, R2 – МЛТ-0,5; R8, R9 – МЛТ-0,125; R5 – СП-1; R4, R7 – БТ4685002-25 или С5-36В, ПЭВР, номинальная мощность которых должна быть не менее 25 Вт.
Реле К1 типа РЭС 22 (паспорт РФ4.500.129) или другие, имеющие срабатывающее при 7-10 В, а ток срабатывания не более 50 мА.
Микросхема МС1 – К155ЛА3. Неоновую лампу h2 можно заменить на ТН-0,3, при этом сопротивление резистора R1 нужно подобрать.
Измерительные приборы РА1 — миллиамперметр с током полного отклонения 300 мА, PV1 — вольтметр на 50 В.
Трансформатор Т1 намотан на сердечнике Ш20х30. Обмотка I содержит 1826 витков провода ПЭВ-2 0,31, обмотка II — 387 витков ПЭВ-2 1,0 и обмотка III — 58 витков ПЭВ-1 0,14. Выходной трансформатор Т2 от любого карманного приемника.
Динамическая головка В1 любая, с сопротивлением звуковой катушки 5-10 Ом.
Налаживание собранного блока питания с защитой следует начинать с проверки напряжений на выводах стабилитронов. На стабилитроне V5 должно быть 50 В, а на V7 — 5 В. Затем установите движок переменного резистора R5 в положение, при котором выходное напряжение будет максимально — к клеммам Кл1 и Кл2 подключите R7. Подбирая сопротивление резисторов R4 и R7, добейтесь, чтобы К1 включалось только при токе нагрузки 250 мА. После этого R7 подключите к контакту реле К1.1 и закоротите клеммы Кл1 и Кл2. Если R4 и R7 подобраны правильно, то при выходном напряжении от 12 до 50 В и токе нагрузки 250 мА реле К1 должно включаться.. Может случиться, что при крайнем нижнем положении движка резистора R5 выходное напряжение на клеммах Кл1 и Кл2 на выходе блока питания не будет равно нулю. В этом случае необходимо подобрать R6.

Транзистор П210.

Т ранзисторы П210 – германиевые, мощные низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус металлостеклянный. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Масса – около 37 г. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора с теплоотводом у П210А – 60 Вт, П210Ш, П210Б и П210В – 45Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 65 в, у П210В – 45 в.

Коэффициент передачи тока(паспортное значение) – у П210А – 17, у П210Ш – 21.
у П210Б, П210В – от 10.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора(Iк max) для П210А,П210Б – 12 А, для П210Ш – 9А;

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию, у П210А с напряжением коллектор-база 45в и у П210Ш с напряжением коллектор-база 60в – не более 8 мА, У П210Б, П210В – не более 15 мА
При температуре окружающей среды +70 по Цельсию:
У П210А с напряжением коллектор-база 45в – не более 50 мА.
У П210Ш с напряжением коллектор-база 60в – не более 12 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в у П210Ш, не более – 100 мкА.

Существует масса зарубежных транзисторов, считающимися ВОЗМОЖНЫМИ аналогами П210.
Это такие германиевые приборы как – 2NU74(10), 2N457(7), AUY22(8), 2N456(5).
Цифра в скобке за наименованием – максимально допустимый ток. Как видите, ближе всего к П210 по этому показателю – 2NU74. По напряжению коллектор-эмиттор из предложенного ближе всего AUY22 – 60 вольт.

Если например, необходимо заменить вышедший из строя П210 в зарядном устройстве, где максимальный ток заряда больше 5 А, то например, 2N456 уже для этого – явно не годится, а возможно сойдет AUY22 и особенно – 2NU74.
В общем, в отношении предлагаемых возможных аналогов, приходится вести себя осмотрительно, тщательно проверяя их данные по каталогам(лучше использовать несколько разных источников).

«Плохие» транзисторы.

П210, как и многие другие «советские» полупроводниковые приборы разрабатывался и создавался главным образом для нужд «оборонки». Готовые образцы тщательно проверялись, и при отклонениях(по нагреву, коэффиц. усиления и т. д.) превышающих установленную норму – нещадно отбраковывались. Отбракованные детали не утилизировались а наоборот, использовались – для нужд «народного хозяйства».

Транзисторы «второго сорта»(П210Б и П210В) применялись в выходных каскадах усилитей радиотрансляционных точек, различных стабилизаторах напряжения, устройствах для подзарядки автомобильных аккумуляторов и т. д. Однако, кроме «второго», имелся еще и «третий» сорт.

Такие П210 по сути, хотя и сохраняли работоспособность но имели весьма значительный разброс параметров. Именно они и попадали на прилавки магазинов, а через них – в руки советских радиолюбителей. Бывало, что устройства собранные на таких транзисторах вполне прилично работали. Бывало и наоборот, в общем – все как в лотерее.

С другой стороны, «военные» П210 вели себя совершенно иначе.
Не открою гос. тайны, если скажу что большинство бортовых радиостанций советских танков, БМП, и т. д. в конце восьмидесятых годов 20-го века оставались ламповыми (выходной каскад на ГУ-50). Очень надежные, хотя и несколько громоздкие устройства. Для питания такой радиостанции от бортовых аккумуляторов, необходим специальный блок питания, включающий в себя преобразователь напряжения. За полтора года моей службы, не один из этих блоков (на П210) не вышел из строя.

А служить мне пришлось в военной части «постоянной готовности». Т.е. танки, БМП и БЭТРЫ не простаивали в боксах а активно эксплуатировались. Машины еженедельно учавствовали в учебных стрельбах, часто перемещались по пересеченной местности. Радиоаппаратура постоянно подвергалась воздействию сильной вибрации и толчков, перепадам напряжения в бортовой сети. Должна была ломаться, ведь «совковая» – наверное хреновая?! А вот поди-ж ты.

Мне кажется, что вместо пренебрежительного отношения П210 заслуживают скорее, взвешенного подхода. Едва ли кто-то будет пытаться сейчас собрать на них, например – высококлассный УЗЧ. Но такие вещи, как стабилизатор напряжения, зарядное устройство – почему бы и нет?

Простое зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов.

Ниже приведена схема очень простого зарядного устройства с ручным регулированием тока зарядки.

Ток заряда выставляется с помощью переменного резистора, регулирующего сопротивление перехода коллектор-эмиттер транзистора VT1(П210). Коэффициент передачи тока транзистора П210 невысок, поэтому здесь добавлен дополнительный транзистор VT2. Коэффициент усиления полученного составного транзистора уже достаточно высок – поэтому ток протекающий через резистор относительно невелик.

В качестве VT2 можно применить, как германиевые транзисторы П213 – П217, так и кремниевые – КТ814 или КТ816. Для отвода тепла необходимо установить транзисторы на радиатор, площадью не мене 300 кв.см. Переменный резистор с мощностью рассеивания 0,5 ватт. Его номинал подбирается опытным путем и зависит от коэффициентов усиления используемых транзисторов.

Трансформатор мощностью минимум 250 ватт, лучше – 500, с напряжением вторичной обмотки 15 – 17 вольт. В диодном мосте используются любые выпрямительные диоды на максимальный рабочий ток не менее 5 ампер. Ток предохранителя Пр1 – 1 ампер, Пр2 – 5 ампер. Лампы Hl1 и Hl2 – индикаторы. В качестве их можно использовать любую сигнальную арматуру, в т. ч. и светодиодную, на напряжение 24 вольта.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 – германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса – около 2 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 – 2N1413
МП40 – 2N104
МП41 возможный аналог – 2N44A
МП42 возможный аналог – 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12, у МП39Б находится в пределах от 20 до 60.
У транзисторов МП40, МП40А – от 20 до 40.
У транзисторов МП41 – от 30 до 60, МП41А – от 50 до 100.
у транзисторов МП42 – от 20 до 35, МП42А – от 30 до 50, МП42Б – от 45 до 100.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 – 15в.
У транзисторов МП40А – 30в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б – 15в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. – 20мА постоянный, 150мА – пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более – 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц – не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума – у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц – не более 12дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 – 150мВт.
У МП42 – 200мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. – простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе, без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы МП39, МП40,МП41,МП42 можно найти в приемниках «Альпинист 405», «Вэф 12″,»Вэф – транзистор 17», «Геолог»,»Гиала»,»Кварц-401″,»Мрия 301″,»Россия 301″,»Сокол 4″, «Спорт 301», «Юпитет 601», «Юпитер М», в магнитофонах – «Весна 3», «Романтик 3».
П210Б можно добыть из радиотрансляционных усилителей ВТУ -100. П210А и П210Ш – из списанных блоков питания военной радиостанции. Кроме того, иногда П210 можно встретить в промышленных лабораторных стабилизаторах напряжения.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

ИНТЕРНЕТ-ПОРТАЛ БОЛГАРСКОЙ СОШ №1

Ваш IP: 91.146.8.87

Транзистор П210.

Т ранзисторы П210 – германиевые, мощные низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус металлостеклянный. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Масса – около 37 г. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора с теплоотводом у П210А – 60 Вт, П210Ш, П210Б и П210В – 45Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 65 в, у П210В – 45 в.

Коэффициент передачи тока(паспортное значение) – у П210А – 17, у П210Ш – 21.
у П210Б, П210В – от 10.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора(Iк max) для П210А,П210Б – 12 А, для П210Ш – 9А;

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию, у П210А с напряжением коллектор-база 45в и у П210Ш с напряжением коллектор-база 60в – не более 8 мА, У П210Б, П210В – не более 15 мА
При температуре окружающей среды +70 по Цельсию:
У П210А с напряжением коллектор-база 45в – не более 50 мА.
У П210Ш с напряжением коллектор-база 60в – не более 12 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в у П210Ш, не более – 100 мкА.

Существует масса зарубежных транзисторов, считающимися ВОЗМОЖНЫМИ аналогами П210.
Это такие германиевые приборы как – 2NU74(10), 2N457(7), AUY22(8), 2N456(5).
Цифра в скобке за наименованием – максимально допустимый ток. Как видите, ближе всего к П210 по этому показателю – 2NU74. По напряжению коллектор-эмиттор из предложенного ближе всего AUY22 – 60 вольт.

Если например, необходимо заменить вышедший из строя П210 в зарядном устройстве, где максимальный ток заряда больше 5 А, то например, 2N456 уже для этого – явно не годится, а возможно сойдет AUY22 и особенно – 2NU74.
В общем, в отношении предлагаемых возможных аналогов, приходится вести себя осмотрительно, тщательно проверяя их данные по каталогам(лучше использовать несколько разных источников).

«Плохие» транзисторы.

П210, как и многие другие «советские» полупроводниковые приборы разрабатывался и создавался главным образом для нужд «оборонки». Готовые образцы тщательно проверялись, и при отклонениях(по нагреву, коэффиц. усиления и т. д.) превышающих установленную норму – нещадно отбраковывались. Отбракованные детали не утилизировались а наоборот, использовались – для нужд «народного хозяйства».

Транзисторы «второго сорта»(П210Б и П210В) применялись в выходных каскадах усилитей радиотрансляционных точек, различных стабилизаторах напряжения, устройствах для подзарядки автомобильных аккумуляторов и т. д. Однако, кроме «второго», имелся еще и «третий» сорт.

Такие П210 по сути, хотя и сохраняли работоспособность но имели весьма значительный разброс параметров. Именно они и попадали на прилавки магазинов, а через них – в руки советских радиолюбителей. Бывало, что устройства собранные на таких транзисторах вполне прилично работали. Бывало и наоборот, в общем – все как в лотерее.

С другой стороны, «военные» П210 вели себя совершенно иначе.
Не открою гос. тайны, если скажу что большинство бортовых радиостанций советских танков, БМП, и т. д. в конце восьмидесятых годов 20-го века оставались ламповыми (выходной каскад на ГУ-50). Очень надежные, хотя и несколько громоздкие устройства. Для питания такой радиостанции от бортовых аккумуляторов, необходим специальный блок питания, включающий в себя преобразователь напряжения. За полтора года моей службы, не один из этих блоков (на П210) не вышел из строя.

А служить мне пришлось в военной части «постоянной готовности». Т.е. танки, БМП и БЭТРЫ не простаивали в боксах а активно эксплуатировались. Машины еженедельно учавствовали в учебных стрельбах, часто перемещались по пересеченной местности. Радиоаппаратура постоянно подвергалась воздействию сильной вибрации и толчков, перепадам напряжения в бортовой сети. Должна была ломаться, ведь «совковая» – наверное хреновая?! А вот поди-ж ты.

Мне кажется, что вместо пренебрежительного отношения П210 заслуживают скорее, взвешенного подхода. Едва ли кто-то будет пытаться сейчас собрать на них, например – высококлассный УЗЧ. Но такие вещи, как стабилизатор напряжения, зарядное устройство – почему бы и нет?

Простое зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов.

Ниже приведена схема очень простого зарядного устройства с ручным регулированием тока зарядки.

Ток заряда выставляется с помощью переменного резистора, регулирующего сопротивление перехода коллектор-эмиттер транзистора VT1(П210). Коэффициент передачи тока транзистора П210 невысок, поэтому здесь добавлен дополнительный транзистор VT2. Коэффициент усиления полученного составного транзистора уже достаточно высок – поэтому ток протекающий через резистор относительно невелик.

В качестве VT2 можно применить, как германиевые транзисторы П213 – П217, так и кремниевые – КТ814 или КТ816. Для отвода тепла необходимо установить транзисторы на радиатор, площадью не мене 300 кв.см. Переменный резистор с мощностью рассеивания 0,5 ватт. Его номинал подбирается опытным путем и зависит от коэффициентов усиления используемых транзисторов.

Трансформатор мощностью минимум 250 ватт, лучше – 500, с напряжением вторичной обмотки 15 – 17 вольт. В диодном мосте используются любые выпрямительные диоды на максимальный рабочий ток не менее 5 ампер. Ток предохранителя Пр1 – 1 ампер, Пр2 – 5 ампер. Лампы Hl1 и Hl2 – индикаторы. В качестве их можно использовать любую сигнальную арматуру, в т. ч. и светодиодную, на напряжение 24 вольта.

запчасти для бытовой техники, техники для кухни и дома на OLX.ua Украина

Sony TA-F 400 Электроника » Аксессуары и комплектующие 2 000 грн. Договорная Ульяновка Сегодня 10:06

Продам Электроника » Аксессуары и комплектующие Безруки Сегодня 10:05

Продам Электроника » Аксессуары и комплектующие Харьков, Холодногорский Сегодня 10:02

Ирпень Сегодня 10:01

Львов, Галицкий Сегодня 10:01

Львов, Галицкий Сегодня 10:00

Винница, Ленинский Сегодня 09:55

Высокопроизводительные транзисторы с каналом p-типа с прозрачным CuI, легированным цинком

Материальная конструкция CuI с добавкой, подавляющей дырки

CuI имеет структуру цинковой обманки ниже 643 К ( γ -CuI) с собственными вакансиями меди в качестве продуцентов дырок при комнатной температуре ¹¹ . Он имеет высокодисперсную валентную зону с эффективной массой 0,3 м ₀ для легких дырок, что сравнимо с массами высокоподвижных оксидов типа n в качестве компонентов дополнительной схемы (дополнительная таблица 1).Однако легкое образование вакансий меди под действием теплового напряжения во время изготовления или нестехиометрии вызывает значительный сдвиг уровня Ферми в область, близкую к VBM, с высокой концентрацией дырок 10 ¹⁹ см ⁻³ для пленки после осаждения ^11,12,23 . Для решения этой проблемы в качестве стандартного процесса контроля концентрации носителей заряда можно использовать легирование полупроводника атомами с разной валентностью. Структура решетки CuI представлена ​​на рис.1а. Его VBM характеризуется как гибридизация состояний Cu 3 d и I 5 p , в то время как минимум зоны проводимости (CBM) характеризуется как состояния Cu 4 s (дополнительный рис. 1a). Вакансии Cu в решетке CuI смещают уровень Ферми вниз и, таким образом, создают мелкие дефекты, прилегающие к VBM (верхняя панель рис. 1b). Принимая во внимание размеры и локальную геометрию допированных катионов металлов (рис. 1c), Zn ²⁺ может быть идеальной легирующей добавкой для CuI в качестве подавителя дырок.При легировании Zn ²⁺ дефекты были устранены, а уровень Ферми восстановлен до запрещенной области. Примечательно, что такая обработка приводила к образованию промежуточных состояний в щелевой области в виде плохих доноров электронов вдали от CBM (~ 0,5 эВ). Эти средние состояния характеризуются в основном как гибридизация орбиталей Zn 4 s и I 5 p . Аналогичные тенденции наблюдались для легирования Pb ²⁺ и Bi ³⁺ на сайтах Cu ⁺ (дополнительный рис. 1b, c), за исключением того, что средние состояния системы, легированной Bi ³⁺ , были значительно ближе к уровню Ферми, далеко от CBM.Это объясняется более высокой электроположительностью Bi, чем у Zn и Pb, что способствует образованию состояния 3+ вместо состояния 2+ и, таким образом, подавляет образование дырок.

Рис. 1: Расчет ДПФ.

a Элементарная ячейка CuI и схематическое изображение вакансии Cu и легирования в узле Cu ⁺ . b (Верхняя панель) Предполагаемая зонная структура CuI с содержанием вакансий Cu 3%; показаны состояния Cu 3 d (оранжевый), Cu 4 s (синий) и I 5 p (фиолетовый).Также представлена ​​соответствующая схема, показывающая орбитальные характеристики VBM и CBM. (Нижняя панель) Предполагаемая зонная структура CuI с содержанием вакансий Cu 3% и легированием замещения Zn ²⁺ ; показаны состояния Cu 3 d (оранжевый), Cu 4 s (синий), I 5 p (фиолетовый) и Zn 4 s (зеленый). Также представлена ​​соответствующая схема, показывающая орбитальные характеристики VBM и CBM. c Радиусы и типичная координация кандидатов в катионы в легирующие примеси.

Следовательно, результаты нашей теории функционала плотности (DFT) предполагают контроль местоположения уровня Ферми путем правильного выбора легирующей примеси (среди Zn ²⁺ , Pb ²⁺ и Bi ³⁺ ). Однако введение более крупных ионов с неправильной координацией, таких как Pb ²⁺ и Bi ³⁺ , вызывает искажение решетки вблизи примеси (дополнительный рис. 2). Следовательно, стабильное легирование Pb ²⁺ и Bi ³⁺ в CuI может оказаться сложной задачей для достижения с помощью типичных методов синтеза.

Характеристики легированных пленок CuI

Были проведены различные характеристики пленок для оценки эффектов легирования катионами различных металлов (например, Zn ²⁺ , Ni ²⁺ , Pb ²⁺ , Bi ³⁺ , Ga ³⁺ и Sn ⁴⁺ ) на формирование и свойства пленки. Мы сосредотачиваемся на системе CuI, легированной Zn ²⁺ , а результаты для других легирующих добавок представлены в дополнительной информации. Растворы прекурсоров CuI: Zn с различным содержанием Zn ²⁺ были приготовлены путем смешивания растворов ацетонитрила CuI и ZnI ₂ с последующим нанесением пленочного покрытия и низкотемпературным отжигом при 80 ° C (см. Раздел «Методы»), в результате которого были получены пленки. с незначительным содержанием примесей (дополнительный рис.3). На рис. 2а показаны рентгенограммы тонких пленок CuI, легированных различными катионами в концентрации 5 мол.%. Предпочтительная ориентация (111) (2 θ = 25,5 °) приписана γ -фазе CuI со структурой цинковой обманки ²³ . Из-за относительно большого радиуса Bi ³⁺ и Pb ²⁺ и, следовательно, низкой эффективности легирования в матрице CuI, отдельные фазы BiI ₃ и PbI ₂ можно было обнаружить даже при добавлении 2 мол.% (Дополнительный рис. .4). Это согласуется с расчетом методом DFT, представленным на дополнительном рис. 2. Проводимость CuI типа p в основном обусловлена ​​вакансиями Cu, которые также влияют на кристаллизацию ²⁰ . Когда небольшое количество ZnI ₂ было легировано в CuI, ионы Zn ²⁺ могли заполнять или компенсировать вакансии Cu, что приводило к улучшенной кристалличности пленки (рис. 2b). Заполнение вакансии Cu также немного расширило решетку CuI, смещая дифракционный пик в сторону меньшего угла ²⁴ .Напротив, из-за схожих ионных радиусов Zn ²⁺ (74 мкм) и Cu ⁺ (77 мкм) замещение Zn ²⁺ в узлах Cu сохранило исходную структуру решетки с незначительным сдвигом пиков. Более высокие количества легирования Zn ²⁺ (≥10 мол.%) Образовали новую фазу Cu ₂ ZnI ₄ .

Рис. 2: Характеристики легированных тонких пленок CuI.

a Рентгенограммы тонких пленок CuI, легированных различными катионами. b — d Рентгенограммы, отношения интенсивностей пиков XPS Zn 2 p до Cu 2 p и графики Tauc для пленок CuI, легированных цинком, с содержанием легирования цинком 0–15 мол.%. e , f Изображения АСМ и ПЭМ (картина БПФ) голых пленок и пленок CuI, легированных 5 мол.% -Zn (шкала на изображениях HRTEM составляет 2 нм). г , ч Спектры ИБП области возникновения вторичных электронов и валентной зоны и диаграммы электронных уровней энергии для тонких пленок CuI: Zn с различным содержанием легирования Zn ²⁺ (0, 5, 10 мол.%).

Результаты рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) на рис. 2c показывают линейно возрастающую интенсивность пика Zn 2 p при легировании Zn ²⁺ , что подтверждает повышенную концентрацию примеси.Спектры оптического пропускания на дополнительном рис.5 показывают, что все тонкие пленки CuI: Zn полностью прозрачны в видимой области с широкой запрещенной зоной ( E _g ) ~ 3 эВ (рис. 2d), которая желательна для прозрачной электроника. Незначительное увеличение E _g с 5 мол.% Zn ²⁺ можно объяснить пассивированием вакансий меди Zn ²⁺ , что снижает плотность состояний в зонной структуре. Это свойство уникально, потому что значительное снижение оптического пропускания было замечено после добавления других легирующих добавок (дополнительный рис.6). Изображения атомно-силовой микроскопии (АСМ) на рис. 2e показывают неоднородную и агломерированную морфологию поверхности первичной CuI со среднеквадратичной шероховатостью (RMS) 1,22 нм, что может быть связано с высокой летучестью ацетонитрильного растворителя и склонностью к быстрой кристаллизации. пленки CuI при 80 ° C. Добавление подходящего количества Zn ²⁺ эффективно замедляет быструю кристаллизацию с равномерным распределением зерен. Среднеквадратичная шероховатость слегка увеличилась до 1,43 и 1,60 нм для тонких пленок CuI, легированных 5 и 10 мол.% -Zn, что в основном связано с повышенной кристалличностью пленки.Однако дальнейшее увеличение степени легирования Zn ²⁺ до 15 мол.% Привело к шероховатости поверхности (среднеквадратичная шероховатость 5,37 нм), в основном из-за образования фазы сегрегации (дополнительный рис. 7).

Микроструктуры тонких пленок CuI: Zn были дополнительно проанализированы с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), как показано на рис. 2f и дополнительном рис. 8. На ПЭМ-изображении с высоким разрешением показан шаг решетки 0,348 нм для исходного CuI. , что соответствует кристаллической плоскости (111) γ -фазы CuI.Эта предпочтительная ориентация роста была подтверждена с помощью шаблона быстрого преобразования Фурье (БПФ) на месте выбранной области. Когда содержание легирования Zn ²⁺ было ниже 10 мол.%, Наблюдались незначительные изменения в структуре и межплоскостном расстоянии, и дифракционная картина фазы ZnI ₂ не могла быть обнаружена. Zn ²⁺ был равномерно распределен в композитных пленках в соответствии с картированием энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDS) и анализом масс-спектрометрии вторичных ионов (SIMS) (дополнительные рис.9 и 10). Однако после легирования 15 мол.% Zn ²⁺ непрерывная пленка превратилась в комбинацию разделенных частиц, что согласуется с анализами XRD и AFM.

Изменение энергетической полосы тонкой пленки CuI в зависимости от легирования Zn ²⁺ было оценено с помощью ультрафиолетовой фотоэмиссионной спектроскопии (UPS). Как показано на рис. 2g, край отсечки вторичных электронов смещается в сторону более высоких энергий после добавления Zn ²⁺ , что указывает на смещение уровня Ферми к краю зоны проводимости (т.е.е., n -допинг) ²⁵ . Заселение Zn ²⁺ вакансиями Cu ( V _Cu имеет один отрицательный заряд) и замещение Zn ²⁺ в узлах Cu ⁺ могут генерировать дополнительные электроны и, таким образом, уменьшать концентрацию дырок в пленках CuI. VBM, рассчитанный с использованием валентной области, был расположен на уровне ~ 5,25 эВ, что хорошо согласуется с работой выхода золотых электродов (Φ _Au = 5,1 эВ) для омического контакта. Соответствующие диаграммы энергетических зон различных образцов CuI, легированных цинком, представлены на рис.2ч.

Электрические характеристики легированных CuI TFT и инверторов

Для исследования электрических свойств тонких пленок CuI, легированных различными катионами, серия TFT с нижним затвором и верхним контактом была изготовлена ​​на SiO ₂ / p ⁺ — Пластины Si с термо напыленными Au электродами истока / стока. Оптимизированная толщина канала составляет ~ 9 нм для достижения высокой мобильности и I _на / I _на (дополнительный рис.11). Слои канала были сформированы путем царапания зонда, чтобы гарантировать низкие токи утечки затвора и надежное извлечение параметров (дополнительный рисунок 12). Соответствующие электрические характеристики приведены на рис. 3, дополнительном рис. 13 и в таблице 2. Типичное поведение транзистора с каналом p наблюдалось для всех устройств, за исключением устройств, легированных Sn ⁴⁺ (неактивных). Оптимальные результаты для каждой присадки на рис. 3а показывают, что Zn ²⁺ является лучшей присадкой для CuI.Характеристики устройства в зависимости от содержания легирования Zn ²⁺ приведены на рис. 3b и дополнительном рис. 14. Слаботочная модуляция с высоким напряжением включения ( В, _на ) ~ 40 В. наблюдалась для CuI TFT с содержанием 2,5 мол.% Zn ²⁺ , что отражало все еще высокую концентрацию дырок в канальном слое. Дальнейшее легирование цинком снизило уровень тока и подвижность по наклону и сдвинуло пороговое напряжение ( В, _TH ) в отрицательную сторону (рис.3в). Эти тенденции указывают на уменьшение проводимости канала при легировании Zn ²⁺ , что согласуется с результатами расчетов UPS и DFT. Результаты измерения эффекта Холла на пленке также показали снижение концентрации и подвижности дырок при легировании Zn ²⁺ (дополнительный рис. 15). В целом, TFT, легированный 5 мол.% Zn ²⁺ (CuI: Zn _{5 мол.%} ), продемонстрировал хорошо скомпрометированные электрические характеристики, включая высокий ток в открытом состоянии 1 мА, высокую подвижность при насыщении ( μ _{). сб} ) из ​​5.3 ± 0,3 см ² В ⁻¹ с ⁻¹ , высокий I _на / I _выкл из ~ 10 ⁷ и В _TH из 17,5 ± 2,0 В соответственно. И мобильность, и I _на / I _off являются рекордно высокими по сравнению с таковыми ранее сообщавшихся обработанных в растворе металлооксидных / (псевдо) галогенидных TFT p -канальных металлооксидных / (псевдо) галогенидных пленок (подвижность <1 см) В ⁻¹ с ⁻¹ и I _на / I _выкл ≤ 10 ⁴ , подробности в дополнительной таблице 3 и на рис.16).

Рис. 3: Электрические характеристики легированных CuI TFT.

a Оптимизированные переходные характеристики CuI TFT, легированных различными катионами (Ga ³⁺ , Zn ²⁺ , Ni ²⁺ , Bi ³⁺ , Pb ²⁺ и Sn ⁴⁺ ). b , c Характеристики передачи и I _DS ^1/2 кривые CuI: Zn / SiO ₂ TFT с различным содержанием Zn ²⁺ ( V _DS = −40 В). d Выходные кривые оптимизированного CuI: Zn _{5 моль%} / SiO ₂ TFT. e Результаты отрицательного напряжения смещения для TFT CuI: Zn / SiO ₂ в зависимости от содержания легирования Zn ²⁺ . f Изменение линейной подвижности CuI: Zn _{5 моль%} / SiO ₂ TFT в зависимости от температуры (295–123 K).

Среди CuI TFT с другими легирующими добавками (Pb ²⁺ , Ni ²⁺ , Ga ³⁺ , Bi ³⁺ , Sn ⁴⁺ и др.) добавка 5 мол.% Bi ³⁺ обеспечила оптимизированные характеристики, включая эффективную модуляцию тока, μ _sat 0,45 см ² В ⁻¹ с ⁻¹ и I _на / I _откл из ~ 10 ⁴ . Более низкие электрические характеристики по сравнению с CuI: Zn TFT могут быть отнесены к более низкой эффективности легирования Bi ³⁺ из-за его значительно большего радиуса (108 мкм), чем у Cu ⁺ (77 мкм), и неправильного предпочтения локальной координации. (октаэдрический vs.четырехгранный). Скудная замена Bi ³⁺ на сайтах Cu ⁺ также может нарушить локально упорядоченный каркас CuI и создать нежелательные дефекты, которые препятствуют переносу дырок. Кроме того, для CuI: Bi _{5 моль%} TFT наблюдались необычные В _TH «изгиб» и μ _sat TFT (дополнительный рисунок 17), что можно отнести к индуцированной напряжением миграции. заряженных дефектов или ионных частиц, происходящих из низкокристаллической CuI и сегрегированного BiI ₃ .Накопление диссоциативных ионов возле электродов могло экранировать приложенное электрическое поле, что уменьшало способность модуляции поля. Ионная миграция в CuI, включенном в Bi, была подтверждена сканированием кривых переноса на более низких скоростях, что привело к увеличению уровня тока (дополнительный рисунок 18). Между тем, μ _sat увеличился, а V _TH сдвинулся в положительную сторону с появлением «изгибного» поведения. Напротив, CuI: Zn TFT продемонстрировал стабильную работу с высокой степенью согласованности независимо от скорости сканирования, что указывает на то, что CuI: Zn электрически надежен для использования в транзисторах.

Для исследования стабильности устройства с полупроводниками CuI, легированными цинком, сначала была проведена проверка стабильности работы при отрицательном напряжении смещения (рис. 3e). Легирование Zn ²⁺ может эффективно препятствовать снижению тока стока ( I _DS ) при длительном применении фиксированного напряжения ( В _GS = В _DS = -40 В), в основном из-за пассивации ловушек, например вакансий меди. Когда содержание легирования Zn ²⁺ было ниже 10 мол.%, Наклон I _DS уменьшался под действием напряжения смещения, что обычно наблюдалось из-за захвата заряда в канальном слое и в канале / диэлектрике. интерфейс ^26,27,28 .Плотность ловушек интерфейса ( D _it , \ (D _ {{\ mathrm {{it}}}} = \ left [{\ frac {{{\ mathrm {{SS}}} \ times {\ mathrm { log}} e}} {{kT / q}} — 1} \ right] \ frac {{C_i}} {q} \)), где k — постоянная Больцмана, T — абсолютная температура, и SS — подпороговое колебание, были рассчитаны как 1 × 10 ¹³ , 7,1 × 10 ¹² , 6,7 × 10 ¹² , 7,2 × 10 ¹² и 9,8 × 10 ¹² см ⁻² для 2,5-, 5-, 10-, 15- и 20 мол.% Zn ²⁺ -легированных CuI TFT соответственно.Примечательно, что когда содержание Zn ²⁺ было выше 15 мол.%, I _DS сначала увеличивалось, а затем уменьшалось. Аномальное увеличение I _DS можно предположить из-за индуцированной напряжением ионной проводимости из-за медленной миграции ионов. Подобно текущему тренду колебаний, V _TH смещается отрицательно под действием напряжения смещения без явного допорогового колебания колебаний (дополнительный рисунок 19). Это указывало на то, что создание дефектного состояния было незначительным, а захват заряда был доминирующим механизмом нестабильности.Кроме того, благодаря использованию больших слоев каналов CuI: Zn E _g , устройства продемонстрировали стабильную долгосрочную стабильность работы при облучении видимым светом (дополнительный рис. 20). Для CuI: Bi тонкопленочных транзисторов из-за низкой эффективности легирования Bi ³⁺ в матрице CuI аномальное увеличение I _DS наблюдалось в течение относительно длительного времени при испытаниях на напряжение смещения (дополнительный рисунок 21). Исследование стабильности на воздухе показало впечатляющую особенность полупроводника CuI: Zn на воздухе, а применение гидрофобного пассивирующего слоя CYTOP могло бы улучшить долговечность окружающей среды (дополнительный рис.22).

Затем было проведено измерение в зависимости от температуры для оценки переноса заряда в CuI: Zn TFT (рис. 3f и дополнительный рис. 23). Подвижность первоначально увеличивалась с понижением температуры с 295 до 213 К, что соответствует типичному полосовому поведению переноса ^29,30,31 . Такая проводимость обычно наблюдалась в полупроводниках с высокой подвижностью ^32,33,34 . Полосообразный перенос можно отнести к высокодисперсной валентной зоне и высокой степени упорядоченности в канальном слое.Последующее снижение подвижности в более низкотемпературном диапазоне означает, что перенос дырок превратился в термически активированный перенос, который можно отнести к мелким ловушкам внутри границ зерен или на границе раздела полупроводник / диэлектрик ¹¹ . Термически активированный перенос дырок был также продемонстрирован в других неорганических полупроводниках типа p на основе Cu (например, CuSCN и Cu _x O) и был основным фактором низкой подвижности ^2,35,36 .

Чтобы изучить масштабируемость и однородность CuI: Zn TFT, мы изготовили массив TFT в масштабе пластины (> 600 TFT) на 4-дюймовой подложке Si / SiO ₂ (100 нм). Фотография на рис. 4а показывает равномерное покрытие пленки по всей подложке. 96 устройств были выбраны и регулярно измерены вдоль штриховых линий, а соответствующие передаточные характеристики суммированы на дополнительном рисунке 24. Статистические распределения μ _sat и I _на / I _off значениях показаны на рис.4б, в. Данные показывают высокую производительность устройства с μ _sat 5,3 ± 0,5 см ² V ⁻¹ с ⁻¹ и I _на / I _off из 10 ⁶ –10 ⁷ . Незначительное отклонение характеристик является разумным и может быть связано с небольшой неравномерностью распределения толщины в центральной и краевой областях (<1 нм в данной работе) при использовании метода центрифугирования. Наконец, с помощью кабелей был собран дополнительный инвертор, подтверждающий концепцию, для анализа возможностей CuI: Zn TFT для реализации высокопроизводительных логических схем с n -канальными устройствами и -IGZO (дополнительный рис.25). Характеристики передачи напряжения, показанные на рис. 4d, демонстрируют полные скачки напряжения от шины к рельсу и быстрые переходы напряжения с высоким пиковым усилением 56 при напряжении питания ( В, _DD ) 50 В (рис. 4e). . Статические токи ( В _в = 0 В или В _в = В _DD ) в инверторе были ниже 10 нА, что означает, что статическая потребляемая мощность была меньше 0,25 мкВт на логический вентиль (85 и 10 нВт при 30 и 10 В В _DD ).Запас помехоустойчивости, оцененный с использованием метода критерия максимального равенства ³⁷ , был выше 70% от идеального значения ( В _DD /2), чего достаточно для большинства статических логических приложений (рис. 4f и дополнительные Рис.26) ^38,39,40 . Высокое усиление, широкое окно поворота логики, низкое энергопотребление и отличный запас по шуму демонстрируют возможности применения полупроводников типа CuI: Zn p для прозрачных схем. Более высокая производительность КМОП-инвертора ожидается за счет оптимизации геометрии схемы и производительности CuI: Zn TFT.

Рис. 4: Однородность в масштабе пластины и интеграция КМОП-инвертора с n-канальными IGZO TFT.

a Фотография CuI: Zn _{5 моль%} TFT-матрица на 4-дюймовой подложке Si / SiO ₂ (100 нм) (пунктирная линия означает область измерения). b , c Статистические результаты μ _sat и I _на / I _off , полученные с 96 TFT по всему массиву. d — f Передача напряжения, усиление, токовые характеристики и выделение запаса шума (NM) дополнительного инвертора на основе n -типа IGZO / SiO ₂ и p-типа CuI: Zn / SiO ₂ TFT.

P210A LOT = 1 RUSSIAN GERMANIUM PNP TRANSISTOR 60 Вт 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21 Винтажная электроника Другая винтажная электроника

P210A LOT = 1 RUSSIAN GERMANIUM PNP TRANSISTOR 60 W 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21 Винтажная электроника Другая винтажная электроника

1. Бытовая электроника
2. Бытовая электроника
3. Винтажная электроника
4. Другая винтажная электроника
5. P210A WP TRANSISTORI A ~ 2NU74 3NU74 AUY21

P210A LOT = 1 РОССИЙСКИЙ НЕМЕЦКИЙ PNP ТРАНЗИСТОР 60 Вт 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21

LOT = 1 RUSSIAN GERMANIUM PNP TRANSISTOR 60 W 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21 P210A, W: 60, Максимальный ток коллектора% 7cIc max% 7c, A: 12, О товаре: Представляем вам РУССКИЕ, германиевые, p -np, транзисторы P210А (П210А), Полярность: PNP, Материал транзистора: Ge, Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc).W 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21 P210A LOT = 1 РОССИЙСКИЙ НЕМЕЦКИЙ PNP-ТРАНЗИСТОР 60, P210A LOT = 1 РОССИЙСКИЙ НЕМЕЦКИЙ PNP-ТРАНЗИСТОР 60 Вт 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21, бытовая электроника, винтажная электроника, другая винтажная электроника.

перейти к содержанию

Контакт

P210A LOT = 1 РУССКИЙ НЕМЕЦКИЙ PNP ТРАНЗИСТОР 60 Вт 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21

P210A LOT = 1 РУССКИЙ НЕМЕЦКИЙ PNP ТРАНЗИСТОР 60 Вт 12 А ~ 2NU74 3NU74 AUY21. О товаре: Представляем Вам РУССКИЕ, германиевые, p -n-p, транзисторы П210А (П210А).Полярность: PNP. Материал транзистора: Ge. Максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора (Pc), Вт: 60. Максимальный ток коллектора% 7cIc max% 7c, A: 12 .. Примечания продавца: «Новые, старые запасы (никогда не использовались)».

P210A LOT = 1 РОССИЙСКИЙ НЕМЕЦКИЙ PNP ТРАНЗИСТОР 60 Вт 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21

Мягкие сетчатые панели для лучшей вентиляции и сохранения сухости и комфорта. См. Подробную таблицу размеров. Подходит для подарков от друзей и близких. Внешний регулятор скорости вентилятора FC4 с термодатчиком. Этот простой в использовании виниловый рулон долговечен.3/16 дюйма используется для выравнивания отверстий для заклепок. Подошва из пеноматериала обеспечивает амортизацию. Новый упор для рук с отверстием для отпечатка пальца для ноутбука Lenovo IBM Thinkpad T400s T410s, от лицензированной коллегиальной до греческой одежды, вилка RJ45 оснащена золотыми разъемами для предотвращения коррозии, что обеспечивает более длительный срок службы кабеля. Nike Kids Dry Warpspeed с коротким рукавом Футболка для маленьких детей / больших детей Черная футболка для мальчиков, герметичный SonicWall Sonicpoint ACe INTL 01-SSC-8898 AT с инжектором PoE !. Купите JANEFASHIONS 10-рядное прозрачное колье-чокер с австрийскими кристаллами и стразами, серебряная вечеринка WED N088 (10-рядное серебро) и другие чокеры на.Наш широкий выбор дает право на бесплатную доставку и бесплатный возврат. Печать шаблона стиля: шаблон высокой четкости, SEVENSTAR 10000 Вт, повышающий преобразователь напряжения питания, трансформатор 110 В ~ 220 В. Купите Simayixx Women Christmas Sweatshirts Plus Size Gold Elk Patchwork Пуловеры с длинными рукавами, длинные топы и другие модные толстовки и свитшоты на. Принадлежности для установки оборудования высокого качества. Компания производит более 600 продуктов по всему миру. Новый сменный пульт для LG 47LG50UGAUSQLVM 47LG60 47LG70 47LG90. Много места для крепления с помощью винта или гвоздя.Маленькие морские водоросли и их друзья станут идеальными компаньонами для Mane 6, когда они отправятся исследовать Seaquestria. Для толпы: дети до 1 года. Занавеска в стиле океана для ванной комнаты с черепахой и против морщин с крючками. Мягкая и дышащая стелька обеспечивает комфорт при ношении. ღღღ Размер: XL — США: 10 — Великобритания: — ЕС: 40 — Бюст: 105 см / 41. Прорезыватель-прорезыватель в виде кроличьих ушей для младенцев, у которых прорезываются зубы, хлопок / полиэстер, перкаль, 180 нитей, белый набор листов, диваны для спальных мест, 6 мм) Длина: 3/8 (10 мм) ♥ Каждое украшение изготавливается и отправляется с нашей предельной заботой и любовью.Studio23WallDecals и WallDecalsRUs, БАННЕР СОЗДАН И ГОТОВ К ОТПРАВКЕ. Голубой 5,25 x 7,25 дюйма Конверт для приглашения на вечеринку, 96 конвертов A7.

P210A LOT = 1 RUSSIAN GERMANIUM PNP TRANSISTOR 60 W 12 A ~ 2NU74 3NU74 AUY21
W: 60, Максимальный ток коллектора% 7cIc max% 7c, A: 12, О товаре: Представляем вам РУССКИЙ, германий, p -np , транзисторы П210А (П210А), полярность: PNP, Материал транзистора: Ge, Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc).

транзистор% 20smd% 20маркировка% 20код% 20210 лист данных и примечания к приложению

хб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка ЭЛТ ТВ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A нпн Дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск Тип 2СК Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	Сканирование OCR	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировка транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Полупроводниковая продукция Транзисторы NTE 172A NPN

Транзистор NTE 172A NPN

Транзистор NTE 172A NPN: Промышленный и научный.Транзистор NTE 172A NPN: промышленный и научный. Бесплатная доставка при заказе от 50 долларов США。 NTE7A — это кремниевый транзистор Дарлингтона NPN в корпусе типа TO9, предназначенный для входных каскадов предусилителя, требующих входного импеданса в несколько мегаом, или приложений с очень низким уровнем, высоким коэффициентом усиления и малошумящим усилителем. 。。。

NTE 172A NPN Транзистор

Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата. Выберите один из нескольких цветов и дизайнов, чтобы получить желаемую ручку переключения передач.Тепло и отличная эластичность. Эластичный дизайн стопы может эффективно предотвратить вторжение холодного ветра, украшения, которые вы получите, могут иметь незначительные отличия. NTE 172A NPN-транзистор , ручной набор в Нью-Йорке с 4-мя зубцами из белого золота 10K-K, обеспечивает тонкий слой раздавливания, чтобы избежать блокировки, Купите LEGO Toy Story MiniFigure — Green Army Man (Medic w / Backpack) 7595 : Строительные наборы — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА для подходящих покупок. Расскажите всем, насколько хороши ваша семья и друзья с этой футболкой. NTE 172A NPN транзистор . Купальник изготовлен из качественной плотной эластичной ткани и имеет чашечки для косточки и гелевый бюстгальтер. Мы свяжемся с вами, отправив вам расценки на запрошенный вами товар. — Сделано вручную для вас в нашей мастерской в ​​Мельбурне, ▲ Больше гаремных штанов (у нас много других дизайнов, NTE 172A NPN Transistor , 00 Для определения размера: эти рубашки соответствуют размеру. Я отправляю отпечатки на холсте, натянутые на твердую деревянную планку и готовые к развешиванию с зарегистрированной почтовой службой, вы ищете разные цвета.