Транзистор прямой проводимости: устройство, принцип работы и применение

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ).

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

Содержание статьи

Устройство

Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: эмиттера (обозначается «Э», англ. E), базы («Б», англ. B) и коллектора («К», англ. C). В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n (эмиттер — n-полупроводник, база — p-полупроводник, коллектор — n-полупроводник) и p-n-p транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты.

Обозначение биполярных транзисторов на схемах и их структура. Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход, и служит для идентификации n-p-n и p-n-p транзисторов. Наличие окружности символизирует транзистор в индивидуальном корпусе, отсутствие — транзистор в составе микросхемы.

PNP — транзистор прямой проводимости.

NPN — транзистор обратной проводимости.

Определить структура транзистора и проверить его исправность можно при помощи мультиметра.

С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление.

Упрощенная схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора

Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).

Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.

В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий. Полупроводниковые приборы на его основе имеют ряд недостатков, и в настоящее время биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ-усилителей.

Принцип работы

В активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).

В транзисторе типа n-p-n основные носители заряда в эмиттере (электроны) проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками). Однако, из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, бо́льшая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы (электроны) и переносит их в коллекторный слой. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб + Iк).

Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α Iэ), называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α = 0,9—0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α/(1 − α), от 10 до 1000. Таким образом, малый ток базы управляет значительно большим током коллектора.

Режимы работы

Нормальный активный режим

Переход эмиттер-база включен в прямом направлении[2] (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт):

UЭБ>0; UКБ<0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид UЭБ<0; UКБ>0.

Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: UКБ>0; UЭБ<0 (для транзистора n-p-n типа).

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ. нас) и коллектора (IК. нас).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ. нас) — это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог RСИ. отк у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ. нас) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе.

Режим отсечки

В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).

Режим отсечки соответствует условию UЭБ<0,6—0,7 В, или IБ=0[5][6].

Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.

Схемы включения

Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:

• Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх.
• Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх.

Схема включения с общей базой

• Среди всех трёх конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по

  Схема включения с общей базой

  току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Не инвертирует фазу сигнала.

• Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iэ = α [α<1].
• Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх = Uэб/Iэ.

Входное сопротивление (входной импеданс) усилительного каскада с общей базой мало зависит от тока эмиттера, при увеличении тока — снижается и не превышает единиц — сотен Ом для маломощных каскадов, так как входная цепь каскада при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства

• Хорошие температурные и широкий частотный диапазон, так как в этой схеме подавлен эффект Миллера.
• Высокое допустимое коллекторное напряжение.

Недостатки

• Малое усиление по току, равное α, так как α всегда немного менее 1.
• Малое входное сопротивление.

Схема включения с общим эмиттером

• Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iб = Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1].

  Схема включения с общим эмиттером

• Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = Uбэ/Iб.

Достоинства

Большой коэффициент усиления по току.

• Большой коэффициент усиления по напряжению.
• Наибольшее усиление мощности.
• Можно обойтись одним источником питания.
• Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки

Имеет меньшую температурную стабильность. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено эффектом Миллера.

Схема с общим коллектором

• Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iэ/Iб = Iэ/(Iэ-Iк) = 1/(1-α) = β+1 [β>>1].

  Схема включения с общим коллектором

• Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = (Uбэ + Uкэ)/Iб.

Достоинства

• Большое входное сопротивление.
• Малое выходное сопротивление.

Недостатки

• Коэффициент усиления по напряжению немного меньше 1.

Схему с таким включением часто называют «эмиттерным повторителем».

Основные параметры

• Коэффициент передачи по току.
• Входное сопротивление.
• Выходная проводимость.
• Обратный ток коллектор-эмиттер.
• Время включения.
• Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
• Обратный ток коллектора.
• Максимально допустимый ток.
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;
• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
  • r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  • r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  • r_б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

;

;

;

.

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.

Биполярный СВЧ-транзистор

Биполярные СВЧ-транзисторы (БТ СВЧ) служат для усиления колебаний с частотой свыше 0,3 ГГЦ. Верхняя граница частот БТ СВЧ с выходной мощностью более 1 Вт составляет около 10 ГГц. Большинство мощных БТ СВЧ по структуре относится к n-p-n типу. По методу формирования переходов БТ СВЧ являются эпитакcиально-планарными. Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют многоэмиттерную структуру (гребёнчатую, сетчатую). По мощности БТ СВЧ разделяются на маломощные (рассеиваемая мощность до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт) и мощные (свыше 1,5 Вт). Выпускается большое число узкоспециализированных типов БТ СВЧ.

Биполярный СВЧ-транзистор КТ3109А (PNP)

Технологии изготовления транзисторов

• Эпитаксиально-планарная.
• Диффузионно-сплавная.

Применение транзисторов

• Усилители, каскады усиления
• Генератор сигналов
• Модулятор
• Демодулятор (детектор)
• Инвертор (лог. элемент)
• Микросхемы на транзисторной логике (см. транзисторно-транзисторная логика, диодно-транзисторная логика, резисторно-транзисторная логика)

Какой проводимости транзистор и чем его заменить

Иногда бывает сложно определить какой проводимости транзистор стоит в плате, особенно если нет схемы на аппарат.
Затем встает вопрос — Где у транзистора База, где Коллектор, где Эмиттер?
Расскажу как определяю я, если попадается нечто без схемы.

На картинке кусок схемы автомагнитолы. Вполне реальный случай. Схемы нет, нужно определить одинаковые транзисторы или нет (будем считать что маркировки на них нет)

1. Транзистор N-P-N всегда имеет более положительное напряжение на коллекторе, относительно эмиттера. То есть при измерении напряжения, минусовой щуп прибора подключается к эмиттеру, плюсовой к Коллектору. С прямым транзистором P-N-P всё наоборот, на эмиттере плюс.

Соответственно в данном случае, если у нас на эмиттере обозначение GND, то на эмиттере транзистора минус питания, и транзистор является обратным N-P-N.
Если не на схеме а на реальной плате, то минусовой вывод можно вызвонить омметром относительно корпусных выводов. Они как правило имеют наибольшую площадь. К земле подключены многие теплоотводы и корпуса тюнеров, то есть как правило самые массивные железки звонятся накоротко с минусом питания.

2. Если два транзистора соединены друг с другом одинаковыми выводами, то понятно что они имеют одну полярность. Как в нашем случае на схеме. Не могут два разнополярных транзистора быть соединены Эмиттерами.

3. Базу исправного транзистора можно выяснить прибором, на пределе для проверки диодов. При такой проверке транзистор можно представить как два диода соединенных в Базовой точке.

Если у вас обратный транзистор и стрелочный прибор, то проводить он будет когда на базе минусовой щуп.

При применении цифрового прибора наоборот — проводить будет при плюсовом щупе на базе N-P-N транзистора.

В случае с прямым P-N-P транзистором,  всё наоборот.

4. Если транзистор пробит накоротко, или сгорел до дырки в корпусе — ищите на плате похожий по маркировке, или хотя бы по виду и обмеряйте омметром его.

Кстати, многие путают где у диода катод, а где анод. На схеме, если присмотреться к обозначению диода, можно разглядеть буквы К и А, лежащие на боку. Вот по ним и ориентируйтесь )

Предположим, что проводимость и цоколевку транзистора мы выяснили, теперь неплохо бы знать, чем его заменить. Один из интересующих нас параметров — напряжение Коллектор-Эмиттер. Косвенно можно судить по напряжению находящихся рядом на плате электролитических конденсаторов. Если конденсаторы на 25 вольт, то транзистор больше выдерживать не должен.
Кое что скажет нам о транзисторе его корпус. Чем меньше транзистор, тем как правило на меньший ток он рассчитан. Если у него есть железка в составе корпуса или транзистор довольно габаритный, значит он уже средней мощности, и замену выбирать нужно соответствующую.

Частота определяется примерно по назначению узла в котором стоит транзистор. В развертках телевизоров и в блоках питания стоят транзисторы без особых требований по частоте. Максимальная частота до 100 килогерц. В приемных трактах повыше.

Всегда лучше поставить родной транзистор, или по крайней мере правильную замену, отобранную после изучения двух даташитов. Но не всегда есть схема или даташит. Современная техника делается как правило одноразовая, и производитель не обременяет себя публикацией схем. Часто это делается умышленно. Схемы рассылаются только по сервис центрам, которые в свою очередь хранят их как великую военную тайну. 😉

Если чего не упомянул, или есть вопросы — пишите на Форум: http://vseprosto.net/forum

Что такое прямой конвертер

Что такое прямой конвертер?

Прямой преобразователь — это схема импульсного источника питания, которая передает энергию с первичной обмотки на вторичную, когда переключающий элемент включен, что является противоположностью обратного преобразователя.

Преобразователи прямого и обратного хода — это две широко используемые топологии, используемые для увеличения или уменьшения напряжений постоянного тока или преобразования одного напряжения в несколько выходных напряжений постоянного тока.

Типичный прямой преобразователь состоит из:

• Трансформатор, который является либо повышающим, либо понижающим с одной или несколькими вторичными обмотками.Используемый тип зависит от доступного входного напряжения и желаемого выходного напряжения. Это также обеспечивает изоляцию нагрузки от входного напряжения.
• Транзистор, такой как MOSFET, который действует как переключающее устройство
• Диоды
• Конденсаторы
• Индуктор

Энергия передается непосредственно через трансформатор во время фазы проводимости транзистора. Выходное напряжение определяется входным напряжением, коэффициентом оборота трансформатора и рабочим циклом.

Две наиболее часто используемые топологии — это один коммутатор и два коммутатора прямого преобразования.

Операции с одним переключателем прямого преобразования

Когда транзисторный переключатель Q1 включен, ток течет в первичной обмотке и вызывает вторичный ток через DR и выходной фильтр. Это дает выходное напряжение Vo. Когда транзистор выключен, напряжение на трансформаторе будет иметь тенденцию изменять направление действия и увеличивать напряжение на катоде Diode DTR, пока оно не включится.

Источник изображения

Преимущества одноклавишного преобразователя

• Простая конструкция и эксплуатация
• Низкий ток пульсации конденсатора на входе
• Пониженный ток на вторичных диодах

Недостатки

• Требуется высокий номинал транзистора (вдвое больше входного напряжения)
• Требование к активным демпфирующим цепям для сброса сердечника трансформатора
• выше потери проводимости
• Большой трансформатор

Операции с двумя переключателями прямого преобразования

Энергия передается с первичной обмотки на вторичную обмотку трансформатора, когда два транзистора включены одновременно.Когда транзисторы отключены, ток намагничивания трансформатора возвращается к источнику через диоды D1 и D2, которые теперь смещены в прямом направлении. Диоды проводят до тех пор, пока вся энергия намагничивания в первичной обмотке вместе с энергией, накопленной в индуктивности рассеяния, не будет возвращена во входной источник.

Рис. 1a) Стадия передачи мощности Рис. 1b) Поток мощности от выходной крышки к нагрузке — источник изображения

Для обеспечения сброса трансформатора в течение времени выключения, рабочий цикл менее 50% используется для увеличения времени выключения, чем время включения.В этой операции первичная обмотка трансформатора действует как обмотка сброса.

Преимущества двух преобразователей прямого переключения

• Не требует демпфирующей цепи
• Меньшее напряжение напряжения для MOSFET (такое же, как входное напряжение)
• Простая конструкция и работа в широком диапазоне входных и выходных напряжений
• Возможность обеспечить несколько изолированных выходов
• Низкие потери мощности и шум системы

Недостатки

• Ограниченная частота работы
• Немного дороже, поскольку он использует больше компонентов
• больших компонентов (трансформатор и индуктор)

Преобразователь с одним переключателем используется для выходной мощности до 100 Вт.Преобразователь с двумя переключателями является предпочтительным для большинства применений из-за его надежности и эффективности и широко используется в блоках питания ATX с выходной мощностью от 150 до 750 Вт.