Транзистор s9013 параметры: S9013 , , datasheet, , ,

Справочная информация о аналогах транзистора 9013

А все дело в том что платка ESP8266 мощная внутри, но слабенькая снаружи. Максимальный ток с пина или на пин: 12 мА (0,012А), рекомендуемый 6мА (0,006А)”
Маловато будет! Выручит нас один из самых распространённых транзисторов 2N2222 (MMBT2222)

Биполярный транзистор S9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9013

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
• Корпус транзистора: SOT23

Транзисторы SS9011(S9011) D,SS9011(S9011) E,

Т ранзисторы SS9011(S9011) — кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры — n-p-n.

Коллективный разум.

Добавлено пользователями:  2n4401 – ближайший аналог

дата записи: 2016-03-23 09:09:13

  c945 – ближайший аналог

дата записи: 2017-02-03 09:21:28

9013 Datasheet (PDF)

0.1. ss9013.pdf Size:40K _fairchild_semi

SS90131W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to SS9012 Excellent hFE linearity.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCB

0.2. ss9013.pdf Size:53K _samsung

SS9013 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLETO-92RADIOS IN CLASSB PUSH-PULL OPERATION. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to SS9012 Excelent hFE linearity.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 40VCollector-Emitter Vo

 0.3. mms9013-l.pdf Size:201K _mcc

MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMMS9013-LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933MMS9013-HFax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating

0.4. s9013h s9013g s9013i.pdf Size:192K _mcc

MCCS9013-GTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth S9013-HMicro Commercial ComponentsCA 91311S9013-IPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and

 0.5. mms9013-h.pdf Size:201K _mcc

MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMMS9013-LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933MMS9013-HFax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating

0.6. mmbt9013.pdf Size:144K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9013 NPN SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION FEATURES *High total Power Dissipation. (625mW) *High Collector Current. (500mA) *Excellent hFE linearity. *Complementary to UTC MMBT9012 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Normal Lead Free Halogen Fre

0.7. 9013.pdf Size:88K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 9013 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION 1 FEATURES * High total power dissipation. (625mW) * High collector current. (500mA) * Excellent hFE linearity. TO-92* Complementary to UTC 9012 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package PackingNormal Lead Fr

0.8. sts9013.pdf Size:197K _auk

STS9013NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application. C Switching application. BFeatures Excellent hFE linearity. E Complementary pair with STS9012 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9013 STS9013 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-B

0.9. s9013t.pdf Size:95K _secos

S9013TNPN Epitaxial Silicon TransistorRoHS Compliant ProductTO-92A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free4.550.2 3.50.2 FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W Tamb=25 C Collector currentCM: 0.5 A I0.43+0.080.07 Collector-base voltage46+0.10. 0.1 V(BR)CBO : 40 V (1.27 Typ.) Operating and storage junction temperature range 1: Emitter+0.2

0.10. s9013.pdf Size:343K _secos

0.11. s9013w.pdf Size:54K _secos

S9013W 0.5A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-323 High Collector Current Excellent HFE Linearity AL33CLASSIFICATION OF hFE Top View C B11 2Product-Rank S9013W-L S9013W-H S9013W-J 2K ERange 120~200 200~350 300~400 DMarking Code J3

0.12. 9013.pdf Size:76K _wingshing

NPN SILICON TRANSISTOR9013TO 92 FEATURES1.EMITTER Power dissipation 2.BASE PCM : 0.625 W Tamb=253.COLLECTOR Collector current ICM : 0.5 A 1 2 3 Collector-base voltage — V(BR)CBO : 45 V ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 unless

0.13. cmbt9013.pdf Size:131K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CMBT 9013PIN CONFIGURATION (NPN)SOT-231 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING: AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 35 VCollector -Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VC

0.14. cd9013.pdf Size:94K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9013TO-92Plastic PackageCBEGeneral Purpose Audio Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Otherwise Specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 30 VVCBOCollector Base Voltage 40 VVEBOEmitter Base

0.15. tp9013nnd03.pdf Size:305K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9013NND03 TRANSISTOR DESCRIPTION C NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm FEATURES High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to TP9012NND03 B E 1. BASE Excellent hFE linearity. C 2. EMITTER C 3. COLLECTOR APPLICATIO

0.16. 9013s.pdf Size:1012K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 9013S TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES Complementary to 9012S 1. EMITTER Excellent hFE linearity 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. BASESymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO

0.17. ktc9013sc.pdf Size:350K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9013SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9012SC.DIM MILLIMETERS_+A 2.90 0.123B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX1D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20G 1.90MAXIMUM RATING (Ta=25)J 0.10K 0.00 ~ 0.10CHARACTERISTIC SYMBO

0.18. ktc9013.pdf Size:46K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9013TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9012.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25)F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_HJ 14.00 + 0.50VCBOCol

0.19. ktc9013s.pdf Size:395K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9013STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSExcellent hFE Linearity._A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15Complementary to KTC9012S.C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10MAXIMUM RATING (Ta=25 )L 0.55P

0.20. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors2SC9013Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

0.21. s9013.pdf Size:587K _htsemi

S901 3TRANSISTOR(NPN) SOT-23 FEATURES 1. BASE Complementary to S9012 2. EMITTER Excellent hFE linearity 3. COLLECTOR MARKING: J3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO 40 VCollector-Base Voltage VCEO 25 VCollector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current -Continuous 500 mA PC Collector Power

0.22. s9013w.pdf Size:431K _htsemi

S901 3WTRANSISTOR(NPN)SOT323 FEATURES High Collector Current Excellent HFE Linearity MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 40 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 25 V CEO3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBOIC Collector Current 500 mA P Collector Power Dissipatio

0.23. s9013.pdf Size:240K _gsme

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM9013FEATURESFEATURES FEATURESExcellent HFE Linearity HFE hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V,Ic=400mA.Complementary to GM9012 GM9012 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 )MAXIMUM RATIN

0.24. s9013 sot-23.pdf Size:167K _lge

S9013 SOT-23 Transistor(NPN)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9012 Excellent hFE linearity MARKING: J3 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO 40 VCollector-Base Voltage VCEO 25 VCollector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector

0.25. s9013 to-92.pdf Size:158K _lge

S9013 Transistor(NPN)TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Complementary to S9012 Excellent hFE linearity MAXIMUM RATINGS TA=25 unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO 5 VEmitter-Base Voltage IC Collector Current -Continuous 500 mA Dimensions in inches and (milli

0.26. s9013lt1.pdf Size:125K _wietron

S9013LT13P b Lead(Pb)-Free12SOT-23ValueVCEO20405.0500S9013PLT1=13P S9013QLT1=13Q S9013RLT1=13R S9013SLT1=13S0.12040100100u0.15350.15 u4.01/2 28-Apr-2011WEITRONhttp://www.weitron.com.twS9013LT1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)Characteristics Symbol Max UnitMinON CHARACTERISTICSDC Current Gainh

0.27. 9013plt1 9013qlt1 9013rlt1 9013slt1.pdf Size:276K _willas

FM120-M WILLASTHRU9013xLT1General Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductNPN Silicon Package outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offersFEATURE better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123HWe declare that the material of product complianc

0.28. s9013.pdf Size:407K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9013 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURE Complementary to S9012 1. EMITTER Excellent hFE linearity 2. BASE MAXIMUM RATINGS TA=25 unless otherwise noted 3. COLLECTOR Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emi

0.29. s9013lt1.pdf Size:359K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 S9013LT1 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Complementary to S9012 Excellent hFE linearity MARKING: J3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO 40 VCollector-Base Voltage VCEO 25 VCollector-Emitter

0.30. btc9013a3.pdf Size:319K _cystek

Spec. No. : C203A3 Issued Date : 2014.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.02.24 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC9013A3Description The BTC9013A3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High current , I = 0.6A C Low V , V = 50mV(typ.) at I /I = 100mA/10mA,

0.31. s9013.pdf Size:256K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsFEATURESFEATURESFEATURES zFEATURESTO-92Complementary to S9012 zExcellent hFE linearity1.EMITTERMAXIMUM RATINGSMAXIMUM RATINGSMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)MAXIMUM RATINGS2.BASESymbol Parameter Val

0.32. s9013 sot-23.pdf Size:260K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9013 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9012 Collector current_Ic=0.5A MARKING:J3 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units

0.33. 9013m.pdf Size:817K _blue-rocket-elect

9013M(3DG9013M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features P ,h , 9012M(BR3CG9012M)C FEHigh PC and hFE, excellent hFE linearity, complementary pair with 9012M(BR3CG9012M). / Applications

0.34. l9013.pdf Size:147K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.NPN Epitaxial Silicon L9013Transistor1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. High total power dissipation. (PT=625mW) High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to L9012 Excellent hFE linearity.TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol

0.35. l9013slt1g.pdf Size:153K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL9013PLT1GFEATUREWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SeriesS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-L9013PLT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. SeriesDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking

0.36. l9013qlt1g.pdf Size:151K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconFEATUREL9013PLT1GWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SeriesS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L9013PLT1G SeriesDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking

0.37. l9013rlt1g.pdf Size:151K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL9013PLT1GFEATUREWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SeriesS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L9013PLT1G SeriesDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Sh

0.38. l9013plt1g.pdf Size:155K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL9013PLT1GFEATUREWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SeriesS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L9013PLT1G SeriesDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking

0.39. h9013.pdf Size:67K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H9013 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector D

0.40. ftc9013s.pdf Size:96K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTC9013STECHNICAL DATAXGeneral Purpose TransistorsNPN SiliconFEATURE3We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2ORDERING INFORMATION1DevicePackageShippingSOT-23FTC9013SX SOT 23 FTC9013SX10000/Tape&ReelSOT-233COLLECTORMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO 20

0.41. kst9013.pdf Size:987K _kexin

SMD Type TransistICsSMD Type orSMD TypeNPN TransistorsKST9013SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A1 2+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector – Base Voltage VCBO 40 VCollector – Emitter Voltage

0.42. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

SMD Type ICSMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9013CSOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A12+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector – Base Voltage VCBO 40 VCollector – Emitter Voltag

0.43. cht9013gp.pdf Size:181K _chenmko

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT9013GPSURFACE MOUNT NPN Silicon TransistorVOLTAGE 25Volts CURRENT 0.5 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Surface mount package. (SOT-23)* Suitable for high packing density.(1)CONSTRUCTION(3)*NPN Silicon Transistor(2)MARKING* HFE(L):J3( ) ( ).055 1.

0.44. dmbt9013.pdf Size:144K _dc_components

DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT9013DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for low frequency amplifier applications.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 33 = Collector .063(1.60) .108(0.65).055(1.40) .089(0.25)1 2Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).045(1.15).034(0.85).091(2.30)Cha

0.45. 3dg9013.pdf Size:222K _foshan

9013(3DG9013) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. 😛 I , h , 9012(3CG9012) C C FEFeatures: High P and I , excellent h linearity, complementary pair with 9012(3CG9012). C C FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

0.46. pt23t9013.pdf Size:125K _prisemi

PT23T9013 Transistor Feature 3 – Collector 1 – Base This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 2 – Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:3mil Structu

0.47. mmbt9013lt1.pdf Size:138K _wej

RoHS MMBT9013LT1NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2331W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE1RADIOS IN CLASSB PUSH-PULL OPERATION21.1.BASE Complement to 90122.EMITTER Collector Current :Ic=500mA2.43.COLLECTOR1.3 High Total Power Dissipation Pc=225mW Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage VCBO 40

0.48. s9013.pdf Size:195K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor S9013DESCRIPTIONExcellent hFE linearityComplement to PNP Type S9012Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 40 VCBOV Collector-Emitter Voltage 25 VCEOV Emitter

A928A-Search —–> KSA928A

Классификация по hFE

Транзисторы серии S9013 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S9013D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 64 до 91, S9013E — в диапазоне от 78 до 112, S9013F — в диапазоне от 96 до 135, S9013G — в диапазоне от 112 до 166, S9013H — в диапазоне от 144 до 202, S9013I — в диапазоне от 190 до 300.

• Эмиттер
• База
• Коллектор

2N2222 – TO 92

Характеристики

Комплементарная пара

Комплементарной парой для S9013 является транзистор S9012 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор S9013 можно заменить на 2SC1008, 2SC1009, BC537, BC538, KSC1008, KSC1009, KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, MPS6532, MPSA42, MPSA43, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, ZTX457

транзистор s9013

S9013 to-92 | Биполярные транзисторы

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить S9013 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с S9013 to-92 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

обзор параметров и опыт применения российскими радиотехниками

Ранее эти транзисторы стоили дороже

Кнопка S1 (без фиксации) нужна для запуска схемы, после срабатывания защиты, или для принудительного использования заряда батареи, при уровне заряда ниже порогового значения.
На скору руку была изготовлена печатная плата (каюсь, опять из гетинакса), впаяны детали. Полевой транзистор можно использовать со старых материнских плат, обычно там несколько штук N канальных Logic Level транзисторов. Транзистор распаян со стороны печатных дорожек.


ссылка на схему в формате lay
Тестирование проводилось при помощи Лабораторного блока питания и лампочки в качестве нагрузки. Результат тестирования Вы можете увидеть ниже на фото:


Напряжение отсечки выставлено на 3В, на фото видно, что еще при 3.1В лампочка горит, а при 3В полевой транзистор закрывается и лампочка обесточивается. Сама схема выполнена таким образом, что после достижения на аккумуляторе порогового напряжения, схема защиты тоже отключается от аккумулятора. Потому пришлось ввести в схему кнопку без фиксации, нажатие на которую открывает транзистор. Так же эту кнопку можно использовать для принудительного использования энергии аккумулятора, даже если напряжение на нем ниже порогового уровня… Эта функция бывает востребована, что бы не в полной в темноте искать зарядное устройство))) В заключение покажу кемпинговый фонарь, куда я встроил эту схему защиты от разряда…

На этом фото (ниже) видно комбинированную схему, зарядного устройства совмещенной с схемой защитного устройства на smd элементах

Вот такой коротенький обзор сегодня… Вопросы скидывайте в комментариях, постараюсь ответить всем.

UPD: Поскольку много вопросов в комментариях, расскажу как работает схема ограничения.
Полевой транзистор можно представить электронным выключателем (по сути он это и есть), при появлении напряжения на его затворе, он открывается и будет открытым, пока напряжение на затворе не исчезнет. В момент кратковременного замыкания кнопки, питание появляется на TL431, и если напряжение выше выставленного порога, то TL открывается и открывает полевой транзистор. В таком положении, все будет находиться, до тех пор пока напряжение упадет ниже порога. Порог выставляется подстроечным резистором. Таким образом обобщим:
1. Если к схеме присоединить литиевый аккумулятор, то ничего не произойдет, не смотря на уровень зарядки аккумулятора.
2. Если нажать кратковременно кнопку, то если напряжение на аккумуляторе выше 3В, то схема сработает, если ниже 3В, то ничего не произойдет.
3. Если поставить на зарядку аккумулятор, не отключая плату защиты, то тоже ничего не произойдет, даже если акб полностью зарядится, пока вы не нажмете кнопку, а дальше 2 варианта рассмотренных в п.2.
4. Варианта отключить схему защиты нет, после открытия полевого транзистора, схема остается во «включенном» состоянии и кушает, пусть небольшой ток, но все же кушает. Помогает только «передергивание» аккумулятора. Ток потребляемый платой защиты можно снизить увеличив номинал резисторов делителя R5-R6.

Теперь почему я собрал эту схему и получил справедливую критику от нашего профессора kirich: в 2013 году не было зарядных устройств с защитой АКБ от глубокого разряда, потому я даже купил у китайцев набор и 10 микросхем DW01 и двойных полевиков (8 ножковая микросхема) стоимостью 6.8 баксов. Подтверждение покупки под спойлером

Покупка

Некоторые плюсы моей схемы:
1. Её можно очень легко перестроить под другое напряжение, отличное от напряжения литиевого аккумулятора
2. Можно всячески менять схему, например вынести TL431 и 2 резистора делителя, перед полевиком, тогда схема начнет работать по другому, автоматически отключатся при пороговом напряжении, и автоматически включатся если напряжение подымется выше порога (при зарядке, к примеру), но при напряжении около порога будет небольшая светомузыка, т.к нет гистерезиса))) Ну может кому то это надо…

UPD2: Вот еще схема, правда тестировалась только в мультисиме, в железе не собиралась.

Добавил в схему защиты выключатель нагрузки. Нефиксируемая кнопка на замыкание последовательно включает и выключает нагрузку. Функция защиты от разряда сохранилась. Схема только в мультисиме, в железе не проверялась.

UPD3: Ну раз пошла такая пьянка, режь последний огурец… Еще схемы… Правда от цен на супервизоры просто охреневаю…

S9013 — Тип корпуса: Биполярный транзистор TO-92 в пластиковом корпусе,

2SK3725-01 : Высокое напряжение. Высокоскоростное переключение Низкое сопротивление во включенном состоянии Отсутствие вторичной обмотки Низкая приводная мощность Защита от лавин Применения Импульсные регуляторы ИБП (источники бесперебойного питания) Преобразователи постоянного тока в постоянный Позиция Напряжение сток-исток Непрерывный ток стока Импульсный ток стока Импульсный ток стока Напряжение затвор-исток Повторяющееся или неповторяющееся Максимум Максимальный сток-источник энергии лавин dV / dt.

FR501 :.18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA

IRFP250N : Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным шестигранным полевым транзистором 200 В в корпусе TO-247AC. Усовершенствованный технологический процесс Динамический dv / dt Рейтинг 175C Рабочая температура Быстрое переключение Полностью лавинообразный рейтинг Простота параллельной работы Требования к простым приводам В полевых транзисторах HEXFET пятого поколения от International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на кремниевой поверхности.Это преимущество в сочетании с быстрым переключением.

MA3D654MA6D54 :. Низкое прямое нарастание напряжения VF Быстрое время восстановления в обратном направлении trr TO-220D (полная упаковка) с высоким диэлектрическим пробивным напряжением> 5,0 кВ Легкость монтажа, вызванная обрезанием V-образного конца вывода Параметр Повторяющееся пиковое обратное напряжение Непериодическое обратное пиковое напряжение импульсное напряжение Средний прямой ток Непериодический пиковый прямой импульсный ток * Температура перехода.

MMSF5P02HD : Минимум продуктов для поверхностного монтажа средней мощности.Эти миниатюрные полевые МОП-транзисторы для поверхностного монтажа обладают сверхнизким RDS (включено) и имеют характеристики на уровне логики. Они способны выдерживать высокую энергию в лавинном и коммутационном режимах, а диод сток-исток имеет очень низкое время обратного восстановления. Устройства MiniMOSt предназначены для использования в низковольтных высокоскоростных коммутационных устройствах, где требуется энергоэффективность.

PRF947 : PRF947; UHF широкополосный транзистор ;; Пакет: SOT323 (UMT3, CMPAK). Малый размер Низкий уровень шума Низкие искажения Высокое усиление Золотая металлизация обеспечивает превосходную надежность.ПРИМЕНЕНИЕ Коммуникационные и измерительные системы. Кремниевый NPN-транзистор в SOT323 корпусе с 3 выводами для поверхностного монтажа. Транзистор в первую очередь предназначен для широкополосных приложений в диапазоне ГГц во входных радиочастотах аналоговых и цифровых сотовых телефонов.

Q62702F1592 : Транзистор R.f Sot343. Кремниевый РЧ-транзистор NPN Для слаботочных приложений Для генераторов до 12 ГГц Коэффициент шума при 1,8 ГГц Непревзойденный Gms на 1,8 ГГц Частота перехода = 25 ГГц Золотая металлизация для высокой надежности SIEGET 25 — Линия Сименс Транзистор с заземленным эмиттером 25 ГГц T — Линия ESD: Электростатический разряд чувствительное устройство, соблюдайте меры предосторожности при обращении! Максимум.

QM75E2Y-2H : Модули. Транзисторный модуль с коммутацией высокой мощности с изоляцией. IC Коллекторный ток. 75A VCEX Напряжение коллектор-эмиттер 1000V hFE Коэффициент усиления постоянного тока. 75 Изолированный тип Желтая карточка, признанная UL E80276 (N) Номер файла E80271 Обозначение VCEX (SUS) VCEX VCBO VEBO IC IC PC IB ICSM Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Коллектор ток Коллектор обеспечить регресс.

RP100-RP110 :.18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA

STD83003 : Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN. ВЫВОД ОБРАТНЫХ ВЫВОДОВ В ОТНОШЕНИИ СТАНДАРТНЫХ ПАКЕТОВ IPAK (TO-251) / DPAK (TO-252) СРЕДНЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ НИЗКОЕ РАСПРОСТРАНЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МИНИМАЛЬНОЕ РАСПРОСТРАНЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ НАДЕЖНОЙ РАБОТЫ ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ DP2 СИЛОВОЙ ПАКЕТ В ЛЕНТЕ И БАРАБАНЕ (суффикс «T4») ПРОХОДНОЙ IPAK (TO-251) СИЛОВОЙ ПАКЕТ В ТРУБЕ (суффикс «-1») ПРИМЕНЕНИЯ:

ZXMS6005DG : МОП-транзисторы IntelliFET ZXMS6005DG — это самозащищенный МОП-транзистор нижнего уровня с входом логического уровня. Он объединяет функции логического уровня с защитой от перегрева, перегрузки по току, перенапряжения (активный зажим) и защиты от электростатических разрядов. ZXMS6005DG идеально подходит в качестве переключателя общего назначения с питанием от микроконтроллеров 3,3 В или 5 В в суровых условиях, где стандартные полевые МОП-транзисторы не являются прочными.

ER74240RJT : РЕЗИСТОР, ПРОВОДКА, 3 Вт, 5%, 100 ppm, 240 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ.s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 240 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 100 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 3 Вт (0,0040 л.с.); Стандарты.

SZMMBZ5221BLT3G : ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. Эта серия стабилитронов предлагается в удобном пластиковом корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа.Эти устройства предназначены для регулирования напряжения с минимальными требованиями к пространству. Они хорошо подходят для таких приложений, как сотовые телефоны, портативные портативные устройства и печатные платы высокой плотности. Номинальное значение 225 мВт или диапазон напряжения стабилитрона платы FR-5, корпус 91 В.

TFH85M15R0JE : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 85 Вт, 5%, 50 ppm, 15 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: сквозное отверстие, TO-264, ROHS COMPLIANT; Диапазон сопротивления: 15 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 50 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 85 Вт (0.1139 л.с.); Операционная.

UWR0J101MCL1GB : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 6,3 В, 100 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 100 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 6,3 вольт; Ток утечки: 6,3 мкА; Тип установки: технология поверхностного монтажа; Рабочая Температура:.

VIE150-12S4 : 150 А, 1200 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канал; Количество блоков в ИС: 2.

125MD12AAMA1STD : CAP, AL2O3,125UF, 0% -TOL, 25% + TOL. Применение Диапазон алюминиевых электролитических конденсаторов, специально разработанных для переменного тока. операция, которая помогает запустить двигатель путем подачи тока на вспомогательную обмотку. Конденсатор не подключен постоянно к обмотке двигателя и отключается после запуска, как правило, автоматически. Прерывистый пуск двигателя переменного тока 6.3 мм Двойной.

2N6688-JQR : 25 А, 200 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ, ТО-3, 2 КОНТАКТА.

403CMQ080-G : 200 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 200000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, PRM4, 3 КОНТАКТА; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

ДЕНЬ S9013

Загрузить

ДЕНЬ S9013

 Alibaba.com предлагает большой выбор. Транзисторы от  до 92 s9013  на выбор, чтобы удовлетворить ваши потребности. Транзисторы от  до 92 s9013  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  на 92 транзистора s9013 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и работать очень хорошо. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.Транзисторы 
 –92 s9013  изготовлены из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор с  по 92 s9013  охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Транзисторы –92 s9013  скрывают низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
 
 Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. Транзисторы с  по 92 s9013  для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. Транзисторы с  по 92 s9013  на Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для.  на 92 транзистора s9013  для любого проекта включают рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.
 
 Откройте для себя удивительно доступный. Транзисторы от  до 92 s9013  на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку. 
 

 
 Эти две трубки в настоящее время являются обычно используемыми трубками NPN, с одинаковым расположением штифтов, но с разными параметрами. 9013: bvceo = 25 В, pcm = 625 мВт, icm = 500 мА. 9014: bvceo = 40 В, pcm = 400 мВт, icm = 150 мА. 9013 мощность больше, но значение давления не 9014 высокое.