Ттлш логика: Элементы транзисторных логик: схемы, ТТЛ, ТТЛШ, КМОП

alexxlabРазное

Содержание

Элементы транзисторных логик: схемы, ТТЛ, ТТЛШ, КМОП

Для конкретной серии микросхем характерно использование типового электронного узла — базового логического элемента. Этот элемент является основой построения самых разнообразных цифровых электронных устройств.

Ниже рассмотрим особенности базовых логических элементов различных логик.

Элементы транзисторно-транзисторной логики

Характерной особенностью ТТЛ является использование многоэмиттерных транзисторов. Эти транзисторы сконструированы таким образом, что отдельные эмиттеры не оказывают влияния друг на друга. Каждому эмиттеру соответствует свой p-n-переход. В первом приближении многоэмиттерный транзисторможет моделироваться схемой на диодах (см. пунктир на рис. 3.27).

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Упрощенная схема ТТЛ-элемента приведена на рис. 3.27. При мысленной замене многоэмиттерного транзистора диодами получаем элемент диодно-транзисторной логики «И-НЕ». Из анализа схемы можно сделать вывод, что если на один из входов или на оба входа подать низкий уровень напряжения, то ток базы транзистора Т2 будет равен нулю, и на коллекторе транзистора Т2 будет высокий уровень напряжения.

Если на оба входа подать высокий уровень напряжения, то через базу Т2 транзистора будет протекать большой базовый ток и на коллекторе транзистора Т2 будет низкий уровень напряжения, т. е. данный элемент реализует функцию И-НЕ:

uвых= u1· u2. Базовый элемент ТТЛ содержит многоэмиттерный транзистор, выполняющий логическую операцию И, и сложный инвертор (рис. 3.28).
Если на один или оба входа одновременно подан низкий уровень напряжения, то многоэмиттерный транзистор находится в состоянии насыщения и транзистор Т2 закрыт, а следовательно, закрыт и транзистор Т4, т. е. на выходе будет высокий уровень напряжения.

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если на обоих входах одновременно действует высокий уровень напряжения, то транзистор Т2 открывается и входит в режим насыщения, что приводит к открытию и насыщению транзистора Т4 и запиранию транзистора Т3, т. е. реализуется функция И-НЕ.

Для увеличения быстродействия элементов ТТЛ используются транзисторы с диодами Шоттки (транзисторы Шоттки).

Логические элементы ТТЛШ (на примере серии К555)

В качестве базового элемента серии микросхем К555 использован элемент И-НЕ. На рис. 3.29, а изображена схема этого элемента, а условное графическое обозначение транзистора Шоттки приведено на рис. 3.29, б.
Такой транзистор эквивалентен рассмотренной выше паре из обычного транзистора и диода Шоттки. ТранзисторVT4 — обычный биполярный транзистор.

Если оба входных напряжения uвх1и uвх2 имеют высокий уровень, то диодыVD3 и VD4 закрыты, транзисторы VT1,VT5 открыты и на выходе имеет место напряжение низкого уровня. Если хотя бы на одном входе имеется напряжение низкого уровня, то транзисторы VT1 и VT5 закрыты, а транзисторы VT3 и VT4 открыты, и на входе имеет место напряжение низкого уровня. Полезно отметить, что транзисторы VT3 и VT4 образуют так называемый составной транзистор (схему Дарлингтона).

Микросхемы ТТЛШ

Микросхемы ТТЛШ серии К555 характеризуются следующими параметрами:

  • напряжение питания +5 В;
  • выходное напряжение низкого уровня — не более 0,4 В;
  • выходное напряжение высокого уровня — не менее 2,5 В;
  • помехоустойчивость — не менее 0,3 В;
  • среднее время задержки распространения сигнала — 20 нс;
  • максимальная рабочая частота — 25 МГц.

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Микросхемы ТТЛШ обычно совместимы по логическим уровням, помехоустойчивости и напряжению питания с микросхемами ТТЛ. Время задержки распространения сигнала элементов ТТЛШ в среднем в два раза меньше по сравнению с аналогичными элементами ТТЛ.

Особенности других логик

Основой базового логического элемента ЭСЛ является токовый ключ. Схема токового ключа (рис. 3.30) подобна схеме дифференциального усилителя.
Необходимо обратить внимание на то, что микросхемы ЭСЛ питаются отрицательным напряжением (к примеру, −4,5 В для серии К1500). На базу транзистора VT2 подано отрицательное постоянное опорное напряжение Uоп. Изменение входного напряжения uвх1 приводит к перераспределению постоянного тока iэ0, заданного сопротивлением Rэ между транзисторами, что имеет следствием изменение напряжений на их коллекторах.

Транзисторы не входят в режим насыщения, и это является одной из причин высокого быстродействия элементов ЭСЛ.

Микросхемы серий 100, 500 имеют следующие параметры:

  • напряжение питания −5,2 В;
  • потребляемая мощность — 100 мВт;
  • коэффициент разветвления по выходу — 15;
  • задержка распространения сигнала — 2,9 нс.

В микросхемах n-МОП и p-МОП используются ключи соответственно на МОП-транзисторах с n-каналом и динамической нагрузкой (рассмотрены выше) и на МОП-транзисторах с p-каналом.

В качестве примера рассмотрим элемент логики n-МОП, реализующий функцию ИЛИ-НЕ (рис. 3.31).

Он состоит из нагрузочного транзистора Т3 и двух управляющих транзисторов Т1 и Т2. Если оба транзистора Т1 и Т2 закрыты, то на выходе устанавливается высокий уровень напряжения. Если одно или оба напряжения u1и u2 имеют высокий уровень, то открывается один или оба транзистора Т1 и Т2 и на выходе устанавливается низкий уровень напряжения, т. е. реализуется функция uвых= u1 + u2.

Для исключения потребления мощности логическим элементом в статическом состоянии используются комплементарные МДП — логические элементы (КМДП или КМОП-логика). В микросхемах КМОП используются комплементарные ключи на МОП-транзисторах. Они отличаются высокой помехоустойчивостью. Логика КМОП является очень перспективной. Рассмотренный ранее комплементарный ключ фактически является элементом НЕ (инвертором).

КМОП — логический элемент

Рассмотрим КМОП — логический элемент, реализующий функцию ИЛИ-НЕ (рис. 3.32).

Абрамян Евгений Павлович

Доцент кафедры электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если входные напряжения имеют низкие уровни (u1и u2меньше порогового напряжения n-МОП-транзистора Uзи.порог.n), то транзисторы Т1 и Т2 закрыты, транзисторы Т3 и Т4 открыты и выходное напряжение имеет высокий уровень.

Если одно или оба входных напряжения u1и u2 имеют высокий уровень, превышающий Uзи.порог.n, то открывается один или оба транзистора Т1 и Т2, а между истоком и затвором одного или обоих транзисторов Т3 и Т4 устанавливается низкое напряжение, что приводит к запиранию одного или обоих транзисторов Т3 и Т4, а следовательно, на выходе устанавливается низкое напряжение.

Таким образом, этот элемент реализует функцию uвых= u1+u2 и потребляет мощность от источника питания лишь в короткие промежутки времени, когда происходит его переключение.

Интегральная инжекционная логика (ИИЛ или И2Л) построена на использовании биполярных транзисторов и применении оригинальных схемотехнических и технологических решений. Для нее характерно очень экономичное использование площади кристалла полупроводника. Элементы И2Л могут быть реализованы только в интегральном исполнении и не имеют аналогов в дискретной схемотехнике. Структура такого элемента и его эквивалентная схема приведены на рис. 3.33, из которого видно, что транзистор T1 (p-n-p) расположен горизонтально, а многоколлекторный транзистор Т2 (n-p n) расположен вертикально. Транзистор T1 выполняет роль инжектора, обеспечивающего поступление дырок из эмиттера транзистора T1 (при подаче на него положительного напряжения через ограничивающий резистор) в базу транзистора Т2.

Васильев Дмитрий Петрович

Профессор электротехники СПбГПУ

Задать вопрос

Если u1 соответствует логическому «0», то инжекционный ток не протекает по базе многоколлекторного транзистора Т2 и токи в цепях коллекторов транзистора Т2 не протекают, т. е. на выходах транзистора Т2 устанавливаются логические «1». При напряжении u1 соответствующем логической «1», инжекционный ток протекает по базе транзистора Т2 и на выходах транзистора Т2 — логические нули.

Рассмотрим реализацию элемента ИЛИ-НЕ на основе элемента, представленного на рис. 3.34 (для упрощения другие коллекторы многоколлекторных транзисторов Т3 и Т4 на рисунке не показаны). Когда на один или оба входа подается логический сигнал «1», то напряжение uвых соответствует логическому нулю. Если на обоих входах логические сигналы «0», то напряжение uвых соответствует логической единице.
Логика на основе полупроводника из арсенида галлия GaAs характеризуется наиболее высоким быстродействием, что является следствием высокой подвижности электронов (в 3…6 раз больше по сравнению с кремнием). Микросхемы на основе GaAs могут работать на частотах порядка 10 ГГц и более.

Транзисторно−транзисторная логика с диодами Шоттки (ТТЛШ)

Для увеличения быстродействия элементов ТТЛ используются транзисторы с диодами Шоттки (транзисторы Шоттки). Скорость переключения транзистора определяется в основном временем рассасывания накопленных зарядов. Для повышения максимальной частоты переключений необходимо предотвратить насыщение транзистора. Благодаря этому накопление заряда исключается.

Один из способов устранения насыщения состоит в том, что параллельно переходу коллектор-база транзистора включается диод Шоттки (рисунок 18.14). В случае открытого транзистора он из-за действия отрицательной обратной связи по напряжению препятствует снижению напряжения между коллектором и эмиттером ниже уровня, равного приблизительно 0,3 В. Эта структура используется в схемах ТТЛ с диодами Шоттки. Благодаря этой структуре, время задержки распространения сигнала уменьшается почти в три раза.

Рис. 18.14. Транзистор с диодом Шоттки и соответствующее схемное обозначение

 

Базовый логический элемент ТТЛШ (на примере серииК555). В качестве базового элемента серии микросхем К555 использован элемент И-НЕ. На рис. 18.15 изображена схема этого элемента.

 

 

 

Рис. 18.15. Схема базового логического элемента ТТЛШ

 

Если оба входных напряжения UВХ1 и UВХ2 имеют высокий уровень, то диоды VD3 и VD4 закрыты, транзисторы VT1, VT5 открыты и на выходе имеет место напряжение низкого уровня. Если хотя бы на одном входе имеется напряжение низкого уровня, то транзисторы VT1, VT5 закрыты, а транзисторы

VT3, VT4 открыты, и на входе имеет место напряжение низкого уровня. Полезно отметить, что транзисторы VT3, VT4 образуют так называемый составной транзистор (схему Дарлингтона).

Микросхемы ТТЛШ серии К555 характеризуются следующими параметрами:

— напряжение питания +5 В;

— выходное напряжение низкого уровня – не более 0,4В;

— выходное напряжение высокого уровня – не менее 2,5В;

— помехоустойчивость – не менее 0,3 В;

— среднее время задержки распространения сигнала – 20 нс;

— максимальная рабочая частота – 25 МГц.

Микросхемы ТТЛШ обычно совместимы по логическим уровням, помехоустойчивости и напряжению питания с микросхемами ТТЛ. Время задержки распространения сигнала элементов ТТЛШ в среднем в два раза меньше по сравнению с аналогичными элементами ТТЛ. К тому же они значительно меньших размеров, что уменьшает емкости их

p—n-переходов. Мощность, потребляемая ими, в 4 – 10 раз меньше.

Транзисторно−транзисторная логика (ТТЛ) | Основы электроакустики

Характерной особенностью ТТЛ являются многоэмиттерные транзисторы. Эти транзисторы сконструированы таким образом, что не оказывают влияния друг на друга. Каждому эмиттеру соответствует свой p-n-переход. В первом приближении многоэмиттерный транзистор может моделироваться схемой на диодах (пунктир на рис. 18.8), в этом случае он работает как схема диодно-транзисторной логики И-НЕ.  

К достоинствам ТТЛ-логики можно отнести: высокое быстродействие (10 нс), надежность, радиационную стойкость.

Недостатками являются: наличие резисторов, большая площадь на кристалле, большая потребляемая мощность, наличие паразитных транзисторов.

Рис. 18.8. Схема ТТЛ-элемента с простым инвертором, выполняющая логическую операцию И-НЕ

Из анализа схемы можно сделать вывод, что если на один из входов или на оба входа подать низкий уровень напряжения, то ток базы транзистора VT2 будет равен нулю, и на коллекторе транзистора VT2 будет высокий уровень напряжения. Если на оба входа подать высокий уровень напряжения, то через базу VT2 транзистора будет протекать большой базовый ток и на коллекторе транзистора VT2 будет низкий уровень напряжения, т. е. данный элемент реализует функцию И-НЕ.

Базовый элемент ТТЛ содержит многоэмиттерный транзистор, выполняющий логическую операцию И-НЕ, и сложный инвертор (рис.18.9).

 

 Рис. 18.9. Базовый элемент ТТЛ со сложным инвертором, выполняющий логическую операцию И-НЕ

 

 Если на один или оба входа одновременно подан низкий уровень напряжения, то многоэмиттерный транзистор находится в состоянии насыщения и транзистор VT2закрыт, а, следовательно, закрыти транзистор VT4, т.

е. на выходе будет высокий уровень напряжения. Если на обоих входах одновременно действует высокий уровень напряжения, то транзистор VT2открывается и входит в режим насыщения, что приводит к открытию и насыщению транзистора VT4и запиранию транзистора VT3, т. е. реализуется функция И-НЕ.

Элементы с тремя состояниями и с открытым коллектором. Вентили ТТЛ и КМОП имеют двухтактные выходные схемы: ВЫСОКИЙ или НИЗКИЙ уровень подается на выход через открытый биполярный или МОП-транзистор. Такую схему, которая носит название активной нагрузки, а в ТТЛ называется также столбовым выходом, используют почти все логические элементы. Эта схема обеспечивает низкое выходное сопротивление в обоих состояниях, имеет малое время переключения и обладает более высокой помехоустойчивостью по сравнению с одиночным транзистором, который использует в качестве коллекторной нагрузки пассивный резистор.

В случае КМОП применение активного выхода, помимо всего прочего, позволяет понизить рассеиваемую мощность. Однако существует ряд ситуаций, при которых активный выход, оказывается неудобным.

В качестве примера представим себе вычислительную систему, в которой должны обмениваться данными несколько функциональных блоков. Центральный процессор (ЦП), память, а также различные периферийные устройства должны иметь возможность передавать и принимать 16-разрядные слова, и было бы, мягко говоря, неудобно использовать для соединения каждого устройства с каждым индивидуальный 16-жильный кабель.

Для решения этой проблемы используется так называемая шина (или магистраль) данных (databus), т. е. один 16-жильный кабель, доступный для всех устройств. Такая структура аналогична телефонному каналу коллективного пользования: в каждый момент времени «говорить» («передавать данные») может только одно устройство, а остальные могут только «слушать» («принимать данные»). При использовании шинной системы необходимо иметь соглашение о том, кому разрешено «говорить». В связи с этим употребляются такие термины, как «арбитр шины», «ведущее устройство» и «устройство управления шиной».

Для возбуждения шины нельзя использовать вентили (или другие схемы) с активным выходом, поскольку их нельзя отключить от общих информационных линий (в любой момент времени выходы устройств, подключенные к шине, будут находиться в состоянии ВЫСОКОГО или НИЗКОГО уровня). Для этого случая необходим вентиль, выход которого может находиться в «обрыве», т. е. быть «открытым». Такие устройства выпускаются промышленностью и имеют две разновидности, которые носят названия «элементов с тремя состояниями»и «элементов с открытым коллектором». Начнем с рассмотрения последних, подразумевая, что все сказанное применимо также и к элементам с тремя состояниями.

В выходной схеме вентиля с открытым коллектором отсутствует транзистор, являющийся активной нагрузкой (рис. 18.10).

 

Рис. 18.10. ТТЛ вентиль с открытым коллектором

 

 При использовании таких элементов внешний нагрузочный резистор можно подключить к любому источнику. Величина этого резистора не является критичной: при малых значениях резистора обеспечиваются повышенные быстродействия и помехоустойчивость, однако повышаются рассеиваемая мощность и нагрузочный ток выходного каскада. Для ТТЛ типичные значения лежат в пределах от нескольких сотен до нескольких тысяч Ом. Как мы вскоре покажем, все, что далее будет говориться о вентилях с открытым коллектором, относится также и к вентилям с тремя состояниями.

Иногда возникает необходимость логического объединения выходов очень большого числа элементов. Например, для объединения 20 выходов потребовалось бы использовать логический элемент с 20 входами и вести к нему 20 отдельных проводов. Этого можно избежать, используя логические элементы с открытым коллектором. В качестве выходного каскада они содержат, как показано на рисунке 18.10,

n-р-n-транзистор, эмиттер которого соединен с общей точкой. Выходы таких систем, в отличие от обычно используемых двухтактных выходных каскадов, могут подключаться к одному общему коллекторному резистору параллельно друг другу.

Выходное напряжение имеет высокий уровень только тогда, когда все выходные транзисторы элементов заперты, следовательно, здесь реализуется функция ИЛИ. Так как логическая связь организуется с помощью внешнего монтажа, такое соединение условно называется «монтажное ИЛИ».

Другим применением схем с открытым коллектором является управление внешней нагрузкой, которая должна подключаться к источнику положительного напряжения, превышающего напряжение питания ИМС. Может, частности, потребоваться включить маломощную 12-вольтовую лампочку или сформировать перепад логических уровней напряжения 15 В с помощью резистора, установленного между выходом вентиля и источником +15 В (рис. 18.12).

 

Рисунок 18.11 Реализация функции «монтажное ИЛИ» 

Однако такая схема имеет существенный недостаток: переход в высокоомное (единичное) состояние из-за паразитных емкостей происходит всегда медленнее, чем в низкоомное (нулевое). Поэтому вместо элементов с открытым коллектором лучше использовать элементы с трехстабильным выходом. Они содержат обычный двухтактный выходной каскад, который, однако, может быть переведен в особое высокоомноесостояние (высокоимпедансное состояние или обрыв). Для управления выходным каскадом служит специальный вывод – разрешение выдачи данных.

 

Рис. 18.12. Подключение вентиля с открытым коллектором к источнику 15В

Соответствующая схема ТТЛ представлена на рис. 18.13.

 

 

 Рис. 18.13. Трехстабильный ТТЛ вентиль

 

Если уровень управляющего напряжения UEнизкий, запираются обатранзистора  и . При высоком уровне UE получим обычную логическую связь И-НЕ между входными сигналами  и . Аналогичным образом можно перевести в высокоомное (безразличное) состояние и трехстабильный элемент КМОП.

 

Транзисторно-транзисторная логика на диодах Шотки — Национальная библиотека им. Н. Э. Баумана

Материал из Национальной библиотеки им. Н. Э. Баумана
Последнее изменение этой страницы: 17:24, 7 января 2015.

В ТТЛШ используются транзисторы Шоттки, в которых барьер Шоттки не позволяет транзистору войти в режим насыщения в результате чего диффузионная ёмкость мала и задержки переключения малы, а быстродействие высокое.

ТТЛШ-логика отличается от ТТЛ наличием диодов Шоттки в цепях база — коллектор, что исключает насыщение транзистора, а также наличием демпфирующих диодов Шоттки на входах (редко на выходах) для подавления импульсных помех, образующихся из-за отражений в длинных линиях связи (длинной считается линия, время распространения сигнала в которой больше длительности его фронта, для самых быстрых ТТЛШ микросхем линия становится длинной начиная с длины в несколько сантиметров).

Диод Шоттки — основан на контакте металла с диэлектриком.

Транзистор Шоттки

Транзисторы Шоттки отличаются от обычных тем, что они не входят в глубокое насыщение, следовательно, в их базах в открытом состоянии накапливается мало носителей заряда, и в результате время их рассасывания меньше обычного.

Эффект Шоттки снижает напряжение открывания кремниевого p–n перехода от обычных 0,5 … 0,7 В до 0,2 … 0,3 В и значительно уменьшает время жизни неосновных носителей в полупроводнике. Эффект Шоттки основан на том, что в p–n переходе или рядом с ним присутствует очень тонкий слой металла, богатый элементами, свободный носителями.

Транзистор Шоттки можно представить как обычный транзистор с диодом Шоттки, включенном между его базой и коллектором.

Рис. 2.1 Транзистор Шоттки.

При открывании транзистора базовый ток нарастает только до значения, лежащего на границе активного режима и области насыщения, а весь избыточный базовый ток отводится через открытый диод Шоттки через коллектор и эмиттер открытого транзистора на землю.

Чем сильнее откроется транзистор, т.е. тем меньше падение напряжения коллектор–эмиттер, тем больший ток отводится через диод Шоттки, минуя базу, на землю. Это приведет к закрыванию транзистора, т.к. уменьшение тока базы закрывает транзистор. Так образуется обратная связь, саморегулирующая режим работы транзистора, удерживая его от глубокого насыщения.

Сами диоды Шоттки имеют очень малые задержки включения и выключения. Накопление заряда в диодах Шоттки не происходит, т. к. протекающий в них ток вызван переносом основных носителей. Когда транзистор заперт потенциал коллектора выше потенциала базы, а значит диод Шоттки смещен в обратном направлении и не влияет на работу транзистора.

Если в процессе отпирания транзистора потенциал коллектора становится ниже потенциала базы, диод Шоттки открывается и на нем устанавливается прямое напряжение Uпр. Поскольку это напряжение меньше 0,5 В, то коллекторный переход практически заперт, а следовательно, не возникает режима насыщения и связанных с ним двойной инжекции и накопления избыточных зарядов. Благодаря этому при запирании транзистора исключается задержка, вызываемая рассеиванием избыточного заряда.

Плюсы ТТЛШ

  • Высокое быстродействие
  • Низкое время переключения (до 25-30 МГц)

Транзисторно-транзисторная логика — Национальная библиотека им. Н. Э. Баумана

Материал из Национальной библиотеки им. Н. Э. Баумана
Последнее изменение этой страницы: 17:23, 7 января 2015.

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL) — разновидность цифровых логических микросхем, построенных на основе биполярных транзисторов и резисторов. Название транзисторно-транзисторный возникло из-за того, что транзисторы используются как для выполнения логических функций (например, И, ИЛИ), так и для усиления выходного сигнала (в отличие от резистивно-транзисторной и диодно-транзисторной логики).

ТТЛ получила широкое распространение в компьютерах, электронных музыкальных инструментах, а также в КИПиА (контрольно-измерительной аппаратуре и автоматике). Благодаря широкому распространению ТТЛ входные и выходные цепи электронного оборудования часто выполняются совместимыми по электрическим характеристикам с ТТЛ. Максимальное напряжение в схемах с ТТЛ может достигать 24В, однако это приводит к большому уровню паразитного сигнала. Достаточно малый уровень паразитного сигнала при сохранении достаточной эффективности достигается при напряжении 5В, поэтому данная цифра и вошла в технический регламент ТТЛ.

Важность ТТЛ заключается в том, что ТТЛ-микросхемы оказались более пригодны для массового производства и при этом превосходили по параметрам ранее выпускавшиеся серии микросхем (резистивно-транзисторная и диодно-транзисторная логика).

ТТЛ с простым инвертором. Схема элемента («НЕ»), представлена на рисунке 1. Логические уровни ТТЛ: лог. 0 – U0 ≤ 0,4 В; лог. 1 – U1 ≥ 2,4 В.

Принцип работы схемы. При наличии на входе схемы, т.е. на эмиттерном переходе VT1 сигнала U0 = UКЭнас эмиттерный переход смещен в прямом направлении и через VT1 протекает значительный базовый ток, достаточный для того, чтобы транзистор находился в режиме насыщения. При этом напряжение коллектор-эмиттер VT1 UКЭнас = 0,2 В. Следовательно, напряжение, приложенное к базе VT2 относительно заземленной точки UБЭ2 < UБЭнас и транзистор VT2 закрыт. Коллекторный ток VT1, равный току базы закрытого транзистора VT2, имеет пренебрежимо малое значение. Напряжение на выходе схемы соответствует лог. 1. При увеличение Uвх до 0,7 В (UБЭнас-UКЭнас) VT2 – откроется. В результате увеличится ток базы VT2, который будет протекать от источника питания через резистор Rб и коллекторный переход VT1, и транзистор VT2 перейдет в режим насыщения. Дальнейшее повышение uвх приведет к запиранию эмиттерного перехода транзистора VT1, и транзистор VT1 перейдет в режим работы, при котором коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный переход – в обратном. Напряжение на выходе схемы Uвых = UКЭнас = U0 (транзистор VT2 в насыщении).

Передаточная характеристика представленной схемы показана на рисунке 2. Входная характеристика и представлена на рисунке 3. При Uвх = 0 …0,7 В входной ток уменьшается по абсолютной величине. Наклон характеристики обусловлен сопротивлением R1. При увеличении Uвх > 0,7 В, транзистор VT1 в активном режиме, что и обуславливает вид входной характеристики.

Чаще всего в схеме ТТЛ используется многоэмиттерный транзистор VT1 (рисунок 4). При этом работа элемента ТТЛ («И-НЕ») аналогична схеме с одноэмиттерным VT1: если хотя бы на одном входе лог. 0, то VT1 в насыщении, то на выходе лог. 1.

Рассмотренная простейшая схема ТТЛ имеет ряд недостатков. При последовательном включении таких элементов, когда к выходу подключается эмиттерные электроды, уменьшается напряжение высокого уровня (лог. 1) и соответственно снижается нагрузочная способность элемента. Кроме того, такая простейшая схема элемента ТТЛ имеет малую помехоустойчивость по отношению к уровню положительной помехи. Для улучшения этих параметров используют схемы ТТЛ со сложным инвертором.

Схема ТТЛ со сложным инвертором (рисунок 5), так же как и схема с простым инвертором и многоэмиттерным транзистором, осуществляет логическую операцию «И-НЕ».

При напряжении хотя бы на одном входе меньше 0,7В (лог.0) транзистор VT1 работает в режиме насыщения, и его напряжение между коллектором и эмиттером близко к нулю. Транзисторы VT2 и VT4 – в режиме отсечки, а транзистор VT3 – в активном на границе с насыщением, следовательно, на выходе напряжение составляет E-UVD — UкэVT3 ~ 3.6 (В). Это соответствует пределам лог.1. При увеличении тока нагрузки схемы выходное напряжение падает прямо пропорционально току из-за падения напряжения на резисторе R4.

При напряжении на всех входах не менее 2,4 В (лог.1) транзистор VT1 работает в активном инверсном режиме. Напряжение на базе транзистора VT2 составляет 1,4 В, транзисторы VT2 и VT4 работают в режиме насыщения, а транзистор VT3 – в режиме отсечки. Напряжение на выходе не превышает 0,4В – UкэнасVT3</sup>. Это соответствует пределам лог.0. При увеличении тока нагрузки схемы выходное напряжение растет в соответствии с выходной характеристикой транзистора VT4.

В схеме появляется несколько элементов выполняющие определенные функции. Диод VD применяется для обеспечения запирания VT3(т.к. Uк2 насыщенного VT2 не может открыть два последовательно соединенных p-n перехода – база-эмиттер VT3 и диода VD) при увеличении Uвх, предохраняя тем самым схему от режима короткого замыкания (КЗ). Но существует еще момент при переходе uвх от 1 к 0, когда VT3 уже вышел из отсечки в активный режим, а VT4 – все еще в насыщении (разряжается накопленная диффузионная емкость транзистора). При этом возможно возникновение режима КЗ. Для ограничения тока КЗ в схему добавлен резистор R4. Резистор R3 обеспечивает обратную связь по току. Через резистор R3 происходит разряд диффузионной емкости транзистора VT4. При этом при увеличении R3 увеличивается быстродействие схемы.

Микросхемы ТТЛ. Общие сведения о микросхемах транзисторно-транзисторной логики.

Общие сведения о микросхемах ТТЛ (TTL)

Интегральные микросхемы ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика) представляют собой микросхемы малой степени интеграции, выполненные на биполярных транзисторах.

К явным недостаткам данной разработки можно отнести небольшое количество логических элементов на кристалл, критичность к напряжению питания и большой ток потребления, который в зависимости от типа микросхемы может колебаться от 10 до 120 mA.

Из-за фиксированного напряжения питания невозможно было использовать микросхемы ТТЛ в комплексе с другими микросхемами, например, с ЭСЛ (эмиттерно-связанной логикой) или МОП структурами. При необходимости нужно было использовать специальные микросхемы ПУ (преобразователи уровня). Кроме того напряжение питания данной серии составляет 5V при допуске 5%, а отечественная промышленность не выпускала элементов питания на такое напряжение, что резко ограничивало применение этой серии в компактной, переносной аппаратуре.

На рисунке изображён один из самых простых логических элементов —  3И – НЕ. Его основу составляет многоэмиттерный транзистор VT1. Уровень логического нуля на выходе появится при наличии высоких логических уровней на всех трёх входах одновременно. Транзистор VT2 при этом играет роль инвертора (элемента НЕ), а многоэмиттерный транзистор VT1 — элемента 3И. Схему И еще называют схемой совпадения.

Несмотря на все недостатки самая популярная серия из ТТЛ, серия К155, активно внедрялась и постоянно пополнялась новыми разработками. Огромной популярностью и по сей день пользуется микросхема К155ЛА3. Её зарубежный аналог — SN7400. На базе этой микросхемы можно собрать много простых электронных устройств, например, маячок на микросхеме. Также микросхему К155ЛА3 частенько используют в качестве простейшего генератора импульсов, как, например, в схеме бегущие огни на светодиодах.

Очень часто можно встретить микросхемы серии К155 с маркировкой КМ155. Буква М указывает на то, что корпус микросхемы выполнен из керамики. В остальном между этими микросхемами отличий нет.

Серия К155 является самой полной серией микросхем ТТЛ. В неё входят около 100 микросхем различного назначения. В эту серию входят как все элементы базовой логики (И, ИЛИ, НЕ, И – НЕ, ИЛИ – НЕ) так и построенные на этих элементах более сложные узлы для выполнения логических операций: триггеры, регистры, счётчики, сумматоры. В серии К155 имеются даже микросхемы ПЗУ (постоянное запоминающее устройство) и ОЗУ (оперативное запоминающее устройство), правда, небольшой ёмкости. Это микросхемы К155РЕ3, 21, 22, 23, 24 и К155РУ1, 2, 5, 7.

Широкое распространение эта серия получила в электронно-вычислительной технике, контрольно-измерительных приборах и средствах автоматики.

Уровень логической единицы в микросхемах данной серии может находиться в интервале напряжений от 2,4 V до напряжения питания (т.е. 5 V). Уровень логического нуля не должен превышать 0,4 V. Длительная практическая работа с этой серией показала, что фактически уровень логической единицы не бывает ниже 3,2 V, а уровень логического нуля не превышает 0,2 V.

Все микросхемы, за исключением некоторых регистров, счётчиков и схем памяти, выпускаются в стандартном корпусе на 14 выводов. На корпусе микросхемы К155ИР1 хорошо видна выемка (иногда бывает точка), это зона ключа, она показывает первый вывод. 7-й вывод это корпус (минус питания). 14-й расположенный напротив первого, это +V пит.

Вся серия К155 является полным аналогом зарубежной серии SN74. Она была разработана в США ещё в 1965 году, но продолжает выпускаться до сих пор. Такой же долгожительницей является и наша серия К155. Дело в том, что процесс напыления в вакууме на монокристалл кремния структур ТТЛ настолько хорошо отработан и прост, что себестоимость микросхем ТТЛ по сравнению с другими микросхемами фантастически низкая.

И, несмотря на простоту, серия К155 позволила в 70-е годы создать серию электронно-вычислительных машин ЕС ЭВМ или «Ряд-1, Ряд-2» от простой ЕС-1020 до мощной по тем временам машины ЕС-1065 с быстродействием 4 миллиона операций в секунду. Этот монстр был выпущен в 1985 году и благополучно работал в НИИ занятых разработками самых приоритетных направлений, таких как исследование космоса и проектирование новых видов ядерного оружия.

Серия К155 также широко применяется и в цифровых измерительных приборах. При разработке печатных плат для микросхем этой серии следует учитывать возможные броски тока, поэтому на платах микросхемы распространяют линейно с широкими шинами питания. Использование разветвлённых дорожек для подачи питания запрещено. Между шинами питания на каждый корпус ставятся блокировочные конденсаторы ёмкостью 10 – 15 нанофарад.

В процессе научных разработок серия К155 естественно развивалась. Так появилась серия К555, в которой ТТЛ принцип сохранён, но изменена схемотехника. В этой серии в коллекторных переходах транзисторов стоят диоды Шоттки. Поэтому микросхемы серии К555 называют ТТЛШ (ТТЛ и диод Шоттки). Благодаря этому потребляемая мощность снизилась примерно в два раза, а быстродействие заметно увеличилось. За рубежом аналогичная серия называется SN74LS. Вообще, такие разработки как ТТЛШ уже трудно отнести к транзисторного-транзисторной логике, так как в составе микросхем используются диоды, а это уже диодно-транзисторная логика (ДТЛ или англ. DTL).

Главная &raquo Цифровая электроника &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

логических головоломок для детей, студентов и взрослых

Решайте логические задачи и добивайтесь отличных результатов!

Много лет назад Кипр и Китай «экспериментировали» с головоломками и заметили, что дети думают быстрее, а старики живут дольше и обладают ясным умом. Поскольку головоломки требуют от нас использования различных стратегий для их решения, мы повышаем наши навыки. Пазлы развивают навыки решения задач и кратковременную память, работу нейронных связей и сразу двух полушарий головного мозга.

Вы можете подумать, что наш мозг постоянно напрягается, чтобы решить эти головоломки. Однако исследования показывают, что, сосредотачиваясь на решении одной проблемы, ум погружается в своего рода медитацию. Другими словами, отдыхайте! Успешный процесс решения головоломок производит дофамин, который улучшает ваше настроение!

Хотите, чтобы вся семья проводила время с пользой и удовольствием? Решайте головоломки и головоломки, которые создает для вас команда Logiclike!

3 простых головоломки для детей, чтобы начать

Регулярное обучение решению задач по логике помогает ребенку развить критическое мышление. Текст особенно рекомендуются логические задачи, задачи по поиску шаблонов и построения последовательностей для дошкольников и учащихся младших классов.

Чайник дороже чашки.Чашка дешевле стаканов.
Какое блюдо самое дорогое?

Чарли и Олег — братья.
У каждой из них по две сестры.
Сколько детей в их семье?

Тим, Макс и Билл участвовали в гонке и заняли 3 лучших места.
Макс прошел мимо Билла. Тим пришел за Биллом.
Определите место каждого водителя с помощью & plus; подписать.

Вы можете распечатать задание или продолжить обучение онлайн.

логических уровней — учись.sparkfun.com

Добавлено в избранное Любимый 65

Логические уровни TTL

Большинство используемых нами систем используют уровни TTL 3,3 или 5 В. TTL — это аббревиатура от Transistor-Transistor Logic. Он основан на схемах, построенных на биполярных транзисторах для переключения и поддержания логических состояний. Транзисторы в основном представляют собой переключатели с электрическим управлением. Для любого семейства логических схем необходимо знать несколько уровней порогового напряжения. Ниже приведен пример стандартных уровней TTL 5 В:

V OH — Минимальный уровень выходного напряжения, который устройство TTL обеспечивает для сигнала HIGH.

В IH — Минимальный уровень ВХОДНОГО напряжения следует считать ВЫСОКИМ.

В OL — Максимальный уровень выходного напряжения, который устройство обеспечивает для НИЗКОГО сигнала.

В IL — Максимальный уровень входного напряжения все еще считается НИЗКИМ.

Вы заметите, что минимальное выходное ВЫСОКОЕ напряжение (В OH ) равно 2.7 В. В основном это означает, что выходное напряжение устройства, управляющего ВЫСОКИМ, всегда будет не менее 2,7 В. Минимальное входное ВЫСОКОЕ напряжение (V IH ) составляет 2 В, или любое напряжение, которое составляет не менее 2 В, будет считывается как логическая 1 (ВЫСОКАЯ) на устройство TTL.

Вы также заметите, что существует подушка 0,7 В между выходом одного устройства и входом другого. Иногда это называют запасом шума.

Аналогично, максимальное выходное НИЗКОЕ напряжение (В OL ) равно 0.4 В. Это означает, что устройство, пытающееся отправить логический 0, всегда будет ниже 0,4 В. Максимальное входное НИЗКОЕ напряжение (V IL ) составляет 0,8 В. Таким образом, любой входной сигнал, который ниже 0,8 В, все равно будет считается логическим 0 (НИЗКИЙ) при считывании в устройство.

Что произойдет, если у вас напряжение между 0,8 В и 2 В? Что ж, ваше предположение так же хорошо, как и мое. Честно говоря, этот диапазон напряжений не определен и приводит к недопустимому состоянию, часто называемому плавающим. Если выходной контакт на вашем устройстве «плавает» в этом диапазоне, нет уверенности в том, к чему приведет сигнал.Он может произвольно переключаться между HIGH и LOW.

Вот еще один способ взглянуть на допуски ввода / вывода для обычного устройства TTL.

← Предыдущая страница
Активный-низкий и активный-высокий

ttl logic — перевод на немецкий — примеры английский

Эти примеры могут содержать грубые слова на основании вашего поиска.

Эти примеры могут содержать разговорные слова, основанные на вашем поиске.

Сигналы GPIO предоставляют аппликатору (внешнему устройству) возможность управлять принтером с помощью логики TTL .

Die GPIO-Signale verleihen dem Applikator (externes Gerät) die Fähigkeit, den Drucker mit TTL-Logik zu steuern.

В T / 16 каждый ЦП состоял из двух плат , логики TTL, и SRAM, и работал примерно на 0.7 MIPS.

Лучшие ЦП Jede и любые системные платы с логикой TTL, и SRAM и памятью с ок. 0,7 MIPS.

Устройство по п.1, дополнительно содержащее средство (40) для вывода напряжения и сигнала TTL логики в соответствии со значением рассчитанной концентрации Fe (II).

Vorrichtung nach Anspruch 1, weiters umfassend ein Mittel (40) zum Aussenden eines Spannungs- und TTL-Logiksignals entsprechend dem Wert der errechneten Eisen (II) -Konzentration.

Этот измеритель полностью способен измерять напряжение и ток как переменного, так и постоянного тока, сопротивление, емкость, индуктивность, температуру, частоту, проверку диодов, транзистор hFE и проверку целостности цепи, измерение уровня TTL LOGIC .

Die Messfunktionen umfassen Strom und Spannung (AC / DC), Widerstand, Kapazität, Induktivität, Temperatur, Frequenz, Diodentest, Transistor (hFE), Durchgangsprüfung и TTL-Logiktest.

Предложите пример

Другие результаты

Точно так же он может управлять различными выходами: TTL-логикой , светодиодами, оптопарами, твердотельными реле или оборудованием, подключенным к RS232, SPI или шине цифрового ввода / вывода.

Ebenso kann er verschiedene Ausgänge steuern : TTL-Logik , светодиоды, Opto-Koppler, Solid-State-Relais или Ausrüstung die auf die RS232, SPI или digital I / O-Bus angeschlossen is.

Небольшой источник питания, простой процессор, последовательный приемник, усилитель и немного TTL-логики для инвертирования выходных сигналов, а также монитор напряжения питания казались достаточными для воплощения идеи в жизнь.

Eine Kleine Spannungsversorgung, Ein einfacher Prozessor, Ein serieller Empfaenger, Ein Verstaerker унд Ein Wenig ТТЛ-Logik цур Invertierung дер Ausgangssignale Сових Ueberwachung дер сделайте Versorgungsspannung erschienen ausreichend мкм умирают Idee umsetzen цу koennen.

Система по п.1 или 2, в которой первая стандартная логика представляет собой TTL .

Pdp8 строился с 1965 по 1990 год в различных реализациях — от дискретных диодных транзисторов , логики до TTL ИС до полупроводников CMOS (6100, 6120).

Die pdp8 wurde от 1965 до 1990 in den unterschiedlichsten Implementationen — von diskreter Dioden Transistor Logik über TTL ICs bis zu CMOS Mikrochips (6100, 6120) — gefertigt.

Схема интерфейса, лежащая между логической схемой , имеющей низкое напряжение питания, и схемой TTL или CMOS- логической схемой

Schnittstellenschaltung zwischen mit niedriger Versorgungsspannung betriebenem Logikschaltkreis und TTL- bzw. CMOS-Schaltkreis

Поддерживает десятки производителей PLD, E (E) PROM, FLASH, MCU и другие десятки тысяч программируемых устройств.Тестируемые TTL и КМОП стандартные логические устройства и память .

Stützt Dutzende Hersteller von PLD, E (e) von PROM, von BLITZ, von MCU und von anderen zehn Tausenden der programmierbaren Geräte. Prüfbar TTL- u. CMOS-Standarddigitalbausteine ​​ und Gedächtnis.

Имеет ту же логику , что и HP 9100, но был построен по технологии TTL .

TTL обозначает транзисторно-транзисторную логику и описывает особый вид шоу-модуляции лазера для лазерных источников.

Компания Monolithic Memories, Inc. (MMI) производила биполярные PROM, программируемые логические устройства и схемы логики (включая серию 7400 TTL ).

Monolithic Memories Inc.(MMI) war ein US-amerikanisches Unternehmen, das bipolare PROMs, Programmable Logic Devices и Standardbausteine ​​ (unter anderem die TTL-Serie 7400) herstellte.

Полупроводниковая память HP 9810 Плоттер, устройство чтения бумажных лент, внешний кассетный привод Имеет ту же логику , что и HP 9100, но был построен по технологии TTL .

HP 9810 Halbleiter-speicher Plotter, Lochstreifenleser, externes Kassettenlaufwerk Hat die gleiche Logik wie HP 9100, Aufbau jedoch mit TTL-Technik .

Схема по п.1, отличающаяся тем, что пороговое напряжение упомянутой первой логической схемы (3; 3,6) адаптировано к входному сигналу уровня TTL .

Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schwellenspannung der ersten Logikschaltung (3; 3, 6) и ein Eingangssignal mit TTL-Pegel angepaßt ist.

Выше модели HP 9810 (такая же логика , как и HP 9100, но использует TTL -IC), используются самые первые светодиодные дисплеи, которые все еще очень маленькие и имеют только три ряда.

Darunter ist das Nachfolgermodell HP 9810 (gleiche Logik wie HP 9100 aber mit TTL-IC’s und den allerersten sehr kleinen 3 spaltigen LED-Anzeigen.

Уровни logic на новых креплениях и ручном контроллере от Skywatcher больше не являются уровнем TTL с 5 вольт, а представляют собой низкий уровень напряжения с 3,3 вольт.

Die Logikpegel sind bei den neuen Montierungen und Handcontroller von Skywatcher nicht mehr TTL Pegel mit 5 Volt sondern Low Voltage Pegel mit 3.3 Вольт.

Пороговый уровень напряжения для высоких сигналов может быть установлен на ± 6 В для различных семейств логики , таких как TTL, , CMOS или ECL, а максимальное входное напряжение может составлять до ± 40 В постоянного тока 15 В переменного тока между пиками.

Die Spannungspegelschwelle für High-Signale lässt sich für die verschiedenen Logikfamilien wie TTL , CMOS or ECL auf ± 6 Volt einstellen and die maximum Eingangsspannung darf до ± 40 В постоянного тока 15 В переменного тока.

Высокопороговая логика , сигналы (HTL) с устойчивыми к короткому замыканию транзисторами выходной мощности до 300 мА или линейным драйвером IC или TTL Сигналы , соответствующие RS-422,

TTL-Logik — Englisch Übersetzung — Deutsch Beispiele

Diese Beispiele können unhöflich Wörter auf der Grundlage Ihrer Suchergebnis enthalten.

Diese Beispiele können umgangssprachliche Wörter, die auf der Grundlage Ihrer Suchergebnis enthalten.

Die GPIO-Signale verleihen dem Applikator (externes Gerät) die Fähigkeit, den Drucker mit TTL-Logik zu steuern.

Сигналы GPIO предоставляют аппликатору (внешнему устройству) возможность управлять принтером с помощью логики TTL .

Ebenso kann er verschiedene Ausgänge steuern: TTL-Logik , светодиоды, Opto-Koppler, Solid-State-Relais или Ausrüstung die auf die RS232, SPI or die digital I / O-Bus angeschlossen ist.

Точно так же он может управлять различными выходами: TTL-логикой , светодиодами, оптопарами, твердотельными реле или оборудованием, подключенным к RS232, SPI или шине цифрового ввода / вывода.

Eine Kleine Spannungsversorgung, Ein einfacher Prozessor, Ein serieller Empfaenger, Ein Verstaerker унд Ein Wenig ТТЛ-Logik цур Invertierung дер Ausgangssignale Сових Ueberwachung дер сделайте Versorgungsspannung erschienen ausreichend мкм умирают Idee umsetzen цу koennen.

Небольшой источник питания, простой процессор, последовательный приемник, усилитель и немного TTL-логики для инвертирования выходных сигналов, а также монитор напряжения питания казались достаточными для воплощения идеи в жизнь.

System nach Anspruch 1 or Anspruch 2, bei dem die erste Standardlogik eine TTL-Logik ist.

Система по п.1 или 2, в которой первая стандартная логика — TTL .

Ein Beispiel vorschlagen

Weitere Ergebnisse

Die pdp8 wurde от 1965 до 1990 in den unterschiedlichsten Implementationen — von diskreter Dioden Transistor Logik über TTL ICs bis zu CMOS Mikrochips (6100, 6120) — gefertigt.

Pdp8 строился с 1965 по 1990 год в различных реализациях — от дискретных диодных транзисторов , логики до TTL ИС до полупроводников CMOS (6100, 6120).

Nichtinvertierender Hochgeschwindigkeitsumsetzer zwischen Niedrigpegel und Schottky- TTL-Logik

Все о TTL и лазерном управлении — EnduranceLasers

Быстрая и безопасная оплата. Бесплатная доставка DHL по всему миру. Получите лазер через 3-5 дней.

Довольно часто нам задают вопросы о TTL и PWM.
Как работает TTL, как его следует подключать, какое напряжение необходимо для управления TTL, что делать, если вы хотите контролировать интенсивность лазера, но у вас нет ШИМ на вашей плате и т. Д.?

Здесь мы собираемся выделить ключевые моменты.

1. Лазеры Endurance поддерживают TTL + с регулировкой напряжения в диапазоне 3,5 — 24 В. Это означает, что любое напряжение в этом диапазоне активирует полевой МОП-транзистор и лазер будет работать. Значение напряжения не влияет на мощность лазера — оно влияет только на продолжительность сигнала. Например, TTL активирует лазер при любом напряжении в этом диапазоне, при любом коэффициенте заполнения, без изменения мощности лазера.

Другими словами, если у вас есть выход 3,5 В с коэффициентом заполнения 50%, лазер будет работать с мощностью 50%, и то же самое будет, если у вас выходной контакт 24 В и коэффициент заполнения 50%.

2. Если у вас нет отдельного ШИМ на вашей плате и вы хотите управлять лазером — некоторые платы могут иметь разное напряжение на выходе мощности, например, ваша выходная мощность может быть 0-24 В, в этом случае просто подключите Провод TTL к 12 В вашего FAN0 (иногда FAN1) и используйте имеющуюся выходную мощность для управления лазером.

Большинство выводов вентилятора имеют встроенный ШИМ. И это легко заметить, поскольку вентиляторы могут вращаться с разной скоростью.

3.Если у вас нет выхода PWM, но ваша плата совместима с Arduino Nano, вы можете использовать выходной контакт D11 в качестве PWM для управления TTL.

5. На большинстве станков с ЧПУ выходной сигнал шпинделя или выход скорости шпинделя можно использовать для управления мощностью лазера путем изменения длительности импульса или изменения напряжения на выходном слоте.

В непрерывном режиме есть максимальная частота и вы можете включать и выключать драйвер. Лазерный диод можно модулировать с очень высокой скоростью.Полевые МОП-транзисторы и их драйвер должны иметь верхний предел частоты.

Сейчас мы планируем использовать частоту 6 кГц.

Универсальный лазерный бокс Endurance для вашего диодного лазера. Продолжить >>>


Быстрая и безопасная оплата. Лучшая лазерная коробка для лазерного диода.

Все, что вам нужно знать о сигнале TTL

Измерение напряжения на выходе ШИМ


Живая демонстрация, показывающая изображение сигнала на осциллографе.

Минимальное напряжение для работы лазеров Endurance (на плате Mo1)

Измерение сигнала ШИМ. Правильный гид

Изменение мощности лазера через TTL

Лазер 10 Вт + с лазерным блоком Endurance

Следуйте за нами в социальных сетях
Поделитесь с друзьями

Лазерные насадки и лазерные гравировальные (маркировочные) станки.

Почему наши клиенты покупают лазеры и гравировальные станки у Endurance?

Мы помогаем и даем советы по телефону / электронной почте / в мессенджере Facebook / Telegram / Whatsapp / Viber.

Помогаем установить и настроить лазер. Предлагаем квалифицированную послепродажную поддержку.

Для начала мы отправим все необходимое в одной посылке.

Мы отправляем все единицы в течение 4-24 часов. Экспресс-доставка DHL позволяет получить посылку в течение 3-5 дней.

Все наши лазеры проходят испытания и могут работать до 10 000 часов.

У вас старая модель? Обновите свой отряд, сделав его более мощным.

Лазерная резка и лазерная гравировка для дома и для бизнеса.

Преимущества лазеров Endurance

Многоуровневая система тестирования.
Промышленные компоненты.

Гарантированная продолжительность непрерывной работы ~ 48-72 часа.