Uf транзистора что это: Универсальный тестер радиокомпонентов.

Содержание

Uf что это за параметр

Странный подход к статье на Хабре — приводить сокращения IC, RC их не расшифровывая, ни слова про источник тока и суть линейника. Желательно бы явно предложить методику классификации по типу драйвера «домашними» средствами она следует из статьи, чётко не сформулирована. Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ЧТО ТАКОЕ ПАРАМЕТР. КАК РЕШАТЬ ЗАДАЧИ С ПАРАМЕТРОМ. Подготовка к ЕГЭ 2016 с Артуром Шарифовым

Универсальный тестер радиокомпонентов


УФ-индекс является важным средством предупреждения населения о необходимости применения солнцезащитных средств.

Заметный рост заболеваемости раком кожи людей со светлой кожей во всем мире в значительной степени связывают с чрезмерным воздействием солнечного УФ-излучения и, что вполне вероятно, с воздействием искусственных источников излучения, например оборудования для загара. Нынешний уровень заболеваемости указывает на то, что индивидуальные привычки людей в отношении пребывания на солнце и есть самый серьезный личный фактор риска неблагоприятных последствий от УФ-излучения.

УФ-индекс является важным средством повышения осведомленности населения о риске чрезмерного пребывания в зоне ультрафиолетового излучения и предупреждает о необходимости применения солнцезащитных средств. Разработка УФ-индекса Всемирной организацией здравоохранения, Программой ООН по окружающей среде и Всемирной метеорологической организацией явилась частью предпринимаемых на международном уровне усилий. Поощряя людей сократить пребывание на солнце, можно уменьшить пагубные последствия для здоровья и в значительной степени сократить затраты на медико-санитарную помощь.

Проект ИНТЕРСАН содействует согласованному использованию УФИ и рекомендует государственным органам взять на вооружение этот инструмент для просвещения населения в рамках национальных программ по укреплению здоровья. ВОЗ призывает такие каналы распространения информации, как СМИ и туриндустрию, сообщать прогнозы в отношении УФИ и содействовать распространению сообщений о необходимости солнцезащитных мер.

Главная страница. Вопросы здравоохранения. Популярные темы Гепатит 10 ведущих причин смерти в мире. В центре внимания. Как тысячи других людей, Узбек и Таажкан теперь вакцинированы.

Центр СМИ. Последние сведения. Данные Глобальной обсерватории здравоохранения. Чрезвычайные ситуации. Информация о ВОЗ. Показать основное содержание страницы.

Меню Ультрафиолетовое излучение Последствия для здоровья Защита от солнца. УФ-индекс — это показатель, характеризующий уровень ультрафиолетового излучения. УФ-индекс принимает значения от нуля и выше. При этом, чем больше значение УФ-индекса, тем выше потенциальная опасность для кожи и глаз человека, и тем меньше время, требуемое для причинения вреда здоровью.

Информация для населения Определение уровней УФ-излучения. You are here: Ультрафиолетовое излучение.


«Транзистор Тестер — М2»

Возвращает список пользователей в виде объекта класса CDBResult. Статический метод. Начиная с версии ядра Значения ключей массива совпадают с перечисленными выше.

Гибридные UV/LED собраны полностью на светодиодах, но с разными спектрами Даже у дешевых светодиодных на это уходит около 30 секунд. . Дополнительные параметры и функции которые облегчают работу? съемный.

Проверка и замена пускового конденсатора

Конденсаторы CBB60 — металлизированные полипропиленовые пленочные конденсаторы постоянной ёмкости в герметизированном цилиндрическом корпусе. Конденсатор CBB60 может применяться как пусковой или рабочий. По основным характеристикам являются аналогами конденсаторов К Видео: Конденсаторы пусковые и рабочие — обзор, популярные серии. Видео: Конденсаторы CBB60 — обзор, характеристики, что внутри. Перед подключением конденсаторов следует удостовериться в отсутствии накопленного заряда. В качестве разрядного сопротивления рекомендуется использовать резистор. Предельный тангенс угла потерь 0, Конденсаторы CBB60 нашли применение при запуске фазосдвигающие конденсаторы и работе асинхронных электродвигателей, компрессоров холодильного оборудования, в кондиционерах, вентиляционных системах, в качестве помехоподавляющих конденсаторов в стиральных и моющих машинах, электробытовой технике, электронасосах, а также в различных машинах и агрегатах промышленного типа.

Конденсаторы CBB60 пусковые, рабочие

Во время ремонта различной бытовой аппаратуры приходилось сталкиваться с неисправностями, связанными с изменением параметров электролитических конденсаторов. Простым мультиметром или стрелочным прибором можно выявить лишь оборванные или замкнутые накоротко конденсаторы. Приставка к мультиметру, которую также собирал, определяет только их ESR. Хотя при хороших знаниях можно собрать похожий прибор самому. При включении на индикаторе отображается информация о состоянии батареи питания и отсутствии радиокомпонента в колодке.

В этой статье: Маркировка больших конденсаторов Интерпретация маркировки конденсаторов 23 Источники.

Технология

Газоразрядная трубка изготавливается из специального кварцевого или увиолевого стекол , имеющих способность пропускать УФ-лучи. Увиолевое стекло является более «прогрессивным» решением, именно оно дает возможность снизить образование озона, который в больших концентрациях может быть вреден для человека. Необходимо подчеркнуть, что специальные стекла являются одним из важнейших компонентов ультрафиолетовых ламп. Например, бактерицидные лампы имеют максимальную эффективность, если излучают ультрафиолет с длиной волны ,7 нм, именно увиолевое стекло позволяет добиться таких параметров. Кварцевая трубка; 2.

Ультрафиолетовая лампа и ее применение.

Купить в Москве рабочие дни или заказать с доставкой по России. Купить в Москве суббота , радиорынок Митино. Прибор «Транзистор Тестер — М2» позволяет быстро оценивать основные параметры электронных компонентов, автоматически распознаёт электронные компоненты: Транзисторы, резисторы, конденсатры, индуктивности, диоды, тиристоры, симисторы, светодиоды, диодные сборки и т. Результаты тестирования выводятся на графический ЖК индикатор с подсветкой. При кратковременном нажатии на кнопку:. Выключатель питания не предусмотрен. Прибор в режиме «сна» потребляет ничтожно малый ток несколько микроампер и постоянно готов к работе. Просто нажмите кнопку, и «Транзистор Тестер — М2» проверит следующий компонент.

Параметр, Описание, С версии. by, ссылка на переменную с полем для сортировки, может принимать значения: id — ID пользователя Для указания выборки всех полей используйте маску: array(«UF_*»). NAV_PARAMS — массив с.

Наверное, большинство девушек хотя бы раз делали перманентный маникюр, в процессе которого используется специальная лампа. Это интересное устройство давно перестало ассоциироваться только с салонами красоты. Сегодня УФ лампа для ногтей — это незаменимый помощник каждой любительницы долговечного нейл-арта, который обязательно должен присутствовать в домашнем арсенале.

Однажды в далекие школьные годы у меня появилась идея заняться авто-реставрацией, благо у отца был в наличии уже практически сгнивший но с отличным мотором АЗЛК Москвич Первым делом конечно же было решено поменять пороги и укрепить раму металлическим швеллером. Самый быстрый способ — естественно сварка, благо у отца и самодельный аппарат на Ш-образных пластинах был. Электроды и я нашел и, в принципе, довольно сносно приварил куски металла. Довольный своей работой заснул, думая о том, что я буду приваривать с утра. А с утра проснулся и понял что «ослеп», а отец поздравил «с первым пойманным зайцем».

Крестьяне продолжали работать на огородах и в полях. Обычно этот день выдавался теплым и солнечным.

Пусковой и рабочий конденсаторы служат для запуска и работы элетродвигателей работающих в однофазной сети В. Ёмкость конденсатора -характеризует энергию,которую способен накопить конденсатор,а также ток который он способен пропустить через себя. Измеряется в Фарадах с множительной приставкой нано, микро и т. Номинальное напряжение конденсатора- напряжение, при котором конденсатор способен надёжно и долговременно работать, сохраняя свои параметры. Известные производители конденсаторов указывают на его корпусе напряжение и соответствующую ему гарантированную наработку в часах,например:.

УФ-индекс является важным средством предупреждения населения о необходимости применения солнцезащитных средств. Заметный рост заболеваемости раком кожи людей со светлой кожей во всем мире в значительной степени связывают с чрезмерным воздействием солнечного УФ-излучения и, что вполне вероятно, с воздействием искусственных источников излучения, например оборудования для загара. Нынешний уровень заболеваемости указывает на то, что индивидуальные привычки людей в отношении пребывания на солнце и есть самый серьезный личный фактор риска неблагоприятных последствий от УФ-излучения. УФ-индекс является важным средством повышения осведомленности населения о риске чрезмерного пребывания в зоне ультрафиолетового излучения и предупреждает о необходимости применения солнцезащитных средств.


ОБЗОР КИТАЙСКОГО ТЕСТЕРА РАДИОДЕТАЛЕЙ

Во время ремонта различной бытовой аппаратуры приходилось сталкиваться с неисправностями, связанными с изменением параметров электролитических конденсаторов. Простым мультиметром или стрелочным прибором можно выявить лишь оборванные или замкнутые накоротко конденсаторы. Приставка к мультиметру, которую также собирал, определяет только их ESR. Поэтому заказал в Китае тестер полупроводников+LC+ESR метр. Хотя при хороших знаниях можно собрать похожий прибор самому.

Порадовали весьма скромные размеры устройства 72*62,5 мм. Высота обуславливается высотой «Кроны» – 17,5 мм. При включении на индикаторе отображается информация о состоянии батареи питания и отсутствии радиокомпонента в колодке. Далее многие фото в высоком разрешении – можете кликнуть на них, чтоб рассмотреть детали получше.

Надо сказать, что прибор весьма требователен к питанию и кушает его не мало. Мой экземпляр при напряжении в районе 7,5 вольт ненадолго уходил в себя и отказывался производить измерения. Заменив крону сразу почувствовал разницу между радиолюбительством до и после)). В дальнейшем планирую избавиться от кроны вовсе. Хочу соорудить узел питания на основе повышающего преобразователя, литиевого аккумулятора и контроллера его зарядки. Экран имеет разрешение 128*64. Устройство позволяет проводить измерение как выводных радиокомпонентов так и SMD, для чего между колодкой для выводных деталей и кнопкой имеется специальная площадка. Построен тестер на основе микроконтроллера Mega 328.

Время тестирования радиокомпонентов в районе 2 секунд, лишь для емкостей большОго номинала – до одной минуты. Собственно прибора была связана со случаями изменения параметров электролитических конденсаторов в результате чего схемы, где они были установлены вели себя неадекватно. В случае установки в колодку тестера электролитического конденсатора прибор одновременно измеряется его емкость и реактивное сопротивление конденсаторов – ESR, а так же Vloss – напряжение утечки (в процентах). Полученные результаты сравниваются с табличными.

Таблица ЭПС конденсаторов

При превышении результатов измерения больше чем на 10% от табличного, электролитический конденсатор отправляю в ведро.

Конденсатор 330*25 вольт

Конденсатор 10 мкф*50 вольт

Конденсатор 33 мкф*50 вольт

Конденсатор 47 мкф*160 вольт. Стоял в «холодной» части блока питания телевизора и грелся. Отправляется в ведро

Конденсатор 220 мкф*35 вольт так же отправляется на помойку

Для неполярных – значение ESR всегда будет более 10 Ом. Диапазон измерения конденсаторов от 25 пф до 100000 мкф с шагом 1 пф.

Конденсатор 0,1 мкф

Конденсатор 3900 из энергосберегающей лампы неожиданно выдал 991 пикофарад. После его замены лампа возобновила работу

Конденсатор 68 нанофарад

Металлобумажный конденсатор МБМ 0,1 мкф совершенно не использовавшийся, но за годы хранения с далеко ушедшими параметрами(((.

Значение Vloss (напряжение утечки сразу после прекращения заряда конденсатора) в несколько процентов свидетельствует о неисправности конденсатора. Для себя определил уровень годности электролитического конденсатора по параметру напряжения утечки в 3%.

Перед тестированием все конденсаторы в обязательном порядке разряжал – в противном случае велика вероятность выхода тестера из строя.

Сопротивления измеряются в диапазоне от 0,5 Ома до 50 МОм с шагом 0,1 Ома. Катушки индуктивности тестируются в диапазоне 0,01 мН – 20Н, с отображением их сопротивления.

Резистор 1,3 кОм

Резистор 200 кОм

Очень полезной функцией является определение типа проводимости транзисторов (NPN – PNP, MOSFET) и цоколевки выводов, что позволяет не искать даташит для определения назначения выводов транзистора. В чем польза функции? Иногда один и тот же транзистор, например MJE13001-13005, от разных производителей встречаются с разным расположением Базы и Эмиттера. У биполярных транзисторов измеряется коэффициент усиления hFE  и напряжение смещения Б-Э Uf. 

КТ805БМ

MJE13001

Вот так тестер определил составной транзистор MJE13003 с шунтирующим диодом во время ремонта энергосберегающей лампы.

 

Пробитый транзистор строчной развертки D2499

Для диодов указывается падение напряжения на p-n переходе в открытом состоянии Uf и его ёмкость C.

Выпрямительный диод 1N4007

Импульсный диод FR102

Для светодиодов тестер показывает ёмкость перехода и минимальное напряжение, при котором светодиод открывается. При этом светодиод начинает мерцать.

Проверка сдвоенных диодов определяет падение напряжения на каждом диоде.

Маломощные тиристоры определяются без значений параметров. 

тиристор MAC97

Вывод и впечатления от прибора

К небольшим минусам прибора должен отнести:

  • проверка стабилитронов с напряжением стабилизации только до 4,5 В;
  • не защищенный шлейф ЖК индикатора (корпус мастерить обязательно).

Несмотря на имеющиеся минусы, плюсов у прибора гораздо больше и не одному радиолюбителю, а так же профессионально занятому в сфере электроники человеку, прибор способен значительно облегчить жизнь. Специально для Элво.ру – Кондратьев Николай, Г. Донецк.

Радио для всех — тестер полупроводниковых приборов. Тестер полупроводниковых элементов Тестер на atmega8 измерение hfe

В этой статье представлено устройство — тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы тестируемых элементов

(имя элемента — индикация на дисплее):
— NPN транзисторы — на дисплее «NPN»
— PNP транзисторы — на дисплее «PNP»
— N-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «N-E-MOS»
— P-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «P-E-MOS»
— N-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «N-D-MOS»
— P-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «P-D-MOS»
— N-канальные JFET — на дисплее «N-JFET»
— P-канальные JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»
— Симисторы — на дисплее «Triak»
— Диоды — на дисплее «Diode»
— Двухкатодные сборки диодов — на дисплее «Double diode CK»
— Двуханодные сборки диодов — на дисплее «Double diode CA»
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 diode series»
— Диоды симметричные — на дисплее «Diode symmetric»
— Резисторы — диапазон от 0,5 К до 500К [K]
— Конденсаторы — диапазон от 0,2nF до 1000uF
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— (1-2-3) — порядок подключенных выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диода — «Символ диода»
— Прямое напряжение – Uf

Напряжение открытия (для MOSFET) — Vt

Емкость затвора (для MOSFET) — C=

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9. Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.

Fuse-биты mega8

Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа «Крона».

Тестирование симистора

Тестирование диода

Тестирование светодиода

Тестирование сдвоенного диода

Тестирование MOSFET

Тестирование транзистора NPN

Я собирал этот тестер используя информацию с разных форумов. Схем существует несколько вариантов (но не столько, сколько прошивок)

В итоге получился компактный, недорогой не требующий точных деталей в схеме, удобный и функциональный приборчик!

Типы тестируемых деталей:
(имя элемента — индикация на дисплее):
— NPN транзисторы — на дисплее «NPN»
— PNP транзисторы — на дисплее «PNP»
— N-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «N-E-MOS»
— P-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «P-E-MOS»
— N -канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «N-D-MOS»
— P -канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «P-D-MOS»
— N-канальные JFET — на дисплее «N-JFET»
— P-канальные JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tиристор»
— Симисторы — на дисплее «ТРИАК»
— Диоды — на дисплее «Диод»
— Двухкатодные сборки диодов — на дисплее «Дв диод CA»
— Двуханодные сборки диодов — на дисплее » Дв диод CС»
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 диода послед.»
— Диоды симметричные — на дисплее «2 диода встречные»
— Резисторы — диапазон от 1 Ом до 10 МОм [Ом,KОм]
— Конденсаторы — диапазон от 0,2nF до 5000uF

Описание дополнительных параметров измерения:
— h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 1000
— (1-2-3) — порядок подключенных выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диода — «Символ диода»
— Прямое напряжение – Uf
— Напряжение открытия (для MOSFET) — Vt
— Емкость затвора (для MOSFET) — C=


Фьюзы для PonyProg

Так-же можно, с помощью PonyProg откорректировать константы измерения C и R на фото отмечены ячейки.

Число в средней ячейке буфера меняем с шагом + или — 1 (зависит в какую сторону нужно вносить правку и на сколько, это может быть и число 10),

после изменения числа в ячейке, программируем МК, затем делаем тест известной детали, сравниваем до и после.

Повторяем при необходимости процедуру.

Прошивка для ATmega8 и ATmega8А, в архиве (английский и русский EEPROM, правильное отображение в кирилице µ и Omega ) Tr-TestNew_11_01_2011.rar

Печатная плата lay, под индикатор 1602В, скачать архив здесь Tester_P-P.rar

По большому счёту, наладки и настройки прибора особой нет, любители конечно могут подстроить показания R и C так вроде это уже подробно расписано и проблем тоже не должно быть.
Вот и на сайте автора, я посмотрел на что нужно обратить внимание при запуске и настройке прибора.
Перевод мой вольный но смысл я думаю полностью одинаков.

Поиск и устранение неисправностей

Если что-то стало показывать на дисплее, проверить следующие параметры:
Правильность подключения к LCD (проверяем по датшиту разводку ЖК индикатора)?
С HD44780 ЖК-совместимый контроллер?
Проверить фьюзы бит ATMega8, правильно (внутренний генератор на 1 МГц)?
Прошит ли ЕЕР. файл, считать в EEPROM контроллера?
Возможно LCD нуждаются в подстройке напряжение контраста. Сопротивление должно быть отрегулировано в любом случае LCD настраивается для получения хорошего контраста (при необходимости использовать потенциометр).
Если собрана плата на компонентах правильной комплектации, и правильный порядок подключения к щупам, показывает что компонент обнаружен, хотя он не подключен или такие данные, такие как коэффициент усиления для различных последовательностей подключения существенно расходятся, смотреть остаток флюса на дорожках, плохой состав флюса или аналогичные компоненты для пайки, нужно пересмотреть и очистить. Между дорожек на изм. щупы не должно оставаться остаточного компонента флюса. Флюс обычно немного проводящий, приведёт к утечке протекающего тока через флюс, и к искажению результата.

Все, вот такие всемирные рекомендации,
ничего нового и ничего особенного,(условие применение номиналов деталей соблюдается в первую очередь) смотреть нужно только ошибки монтажа, а это скажу я вам, не всегда просто, ведь легче найти ошибку у других, чем признать свою ошибку (шутка)……..

Хочу поделится очень полезной для каждого радиолюбителя схемой, найденной на просторах интернета и успешно повторенную. Это действительно очень нужный прибор, имеющий много функций и собранный на основе недорогого микроконтроллера ATmega8. Деталей минимум, поэтому при наличии готового программатора собирается за вечер.

Данный тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и т.д. Будет очень полезен как начинающему радиолюбителю, так и профессионалам.

Особенно незаменим он в тех случаях, когда имеются запасы транзисторов с полустёртой маркировкой, или если не получается найти даташит на какой-нибудь редкий китайский транзистор. Схема на рисунке, кликните для увеличения или скачайте архив:

Типы тестируемых радиоэлементов

Имя элемента Индикация на дисплее :

NPN транзисторы — на дисплее «NPN»
— PNP транзисторы — на дисплее «PNP»
— N-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «N-E-MOS»
— P-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «P-E-MOS»
— N-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «N-D-MOS»
— P-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «P-D-MOS»
— N-канальные JFET — на дисплее «N-JFET»
— P-канальные JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»
— Симисторы — на дисплее «Triak»
— Диоды — на дисплее «Diode»
— Двухкатодные сборки диодов — на дисплее «Double diode CK»
— Двуханодные сборки диодов — на дисплее «Double diode CA»
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 diode series»
— Диоды симметричные — на дисплее «Diode symmetric»
— Резисторы — диапазон от 0,5 К до 500К [K]
— Конденсаторы — диапазон от 0,2nF до 1000uF

Описание дополнительных параметров измерения:

h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— (1-2-3) — порядок подключенных выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диода — «Символ диода»
— Прямое напряжение – Uf
— Напряжение открытия (для MOSFET) — Vt
— Емкость затвора (для MOSFET) — C=

В списке приводится вариант отображения информации для английской прошивки. На момент написания статьи появилась русская прошивка, с которой всё стало гораздо понятнее. Скачать файлы для программирования контроллера ATmega8 можно тут.

Сама конструкция получается довольно компактной — примерно с пачку сигарет. Питание от батареи «крона» на 9В. Потребляемый ток 10-20мА.

Для удобства подключения испытуемых деталей, надо подобрать подходящий универсальный разъём. А лучше несколько — для различных типов радиодеталей.

Кстати, у многих радиолюбителей часто возникают проблемы с проверкой полевых транзисторов, в том числе с изолированным затвором. Имея данное устройство, вы сможете за пару секунд узнать и его цоколёвку, и работоспособность, и ёмкость перехода, и даже наличие встроенного защитного диода.

Планарные smd транзисторы тоже с трудом поддаются расшифровке. А многие радиодетали для поверхностного монтажа иногда не удаётся даже примерно определению — или то диод, или что ещё…

Что касается обычных резисторов, то и тут налицо превосходство нашего тестера над обычными омметрами, входящими в состав цифровых мультиметров DT. Здесь реализовано автоматическое переключение необходимого диапазона измерения.

Это касается и проверки конденсаторов — пикофарады, нанофарады, микрофарады. Просто подключите радиодеталь к гнёздам прибора и нажмите кнопку TEST — на экране сразу отобразится вся основная информация о элементе.

Готовый тестер можно разместить в любом небольшом пластмассовом корпусе. Устройство собрано и успешно испытано.

Но, среди радиодеталей есть и такие, проверить которые рядовым мультиметром сложно, а порой и невозможно. К таким можно отнести полевые транзисторы (как MOSFET , так и J-FET ). Также, обычный мультиметр не всегда имеет функцию замера ёмкости конденсаторов, в том числе и электролитических. И даже если таковая функция имеется, то прибор, как правило, не измеряет ещё один очень важный параметр электролитических конденсаторов — эквивалентное последовательное сопротивление (ЭПС или ESR ).

С недавнего времени стали доступны по цене универсальные измерители R, C, L и ESR. Многие из них обладают возможностью проверки практически всех ходовых радиодеталей.

Давайте узнаем, какими возможностями обладает такой тестер. На фото универсальный тестер R, C, L и ESR — MTester V2.07 (QS2015-T4). Он же LCR T4 Tester. Приобрёл я его на Алиэкспресс . Не удивляйтесь, что прибор без корпуса, с ним он стоит куда дороже. вариант без корпуса, а с корпусом.

Тестер радиодеталей собран на микроконтроллере Atmega328p. Также на печатной плате имеются SMD-транзисторы с маркировкой J6 (биполярный S9014), M6 (S9015), интегральный стабилизатор 78L05, TL431 — прецизионный регулятор напряжения (регулируемый стабилитрон), SMD-диоды 1N4148, кварц на 8,042 МГц. и «рассыпуха» — планарные конденсаторы и резисторы.

Прибор запитывается от батарейки на 9V (типоразмер 6F22). Впрочем, если такой нет под рукой, прибор можно запитать и от стабилизированного блока питания .

На печатной плате тестера установлена ZIF-панель. Рядом указаны цифры 1,2,3,1,1,1,1. Дополнительные клеммы верхнего ряда ZIF-панели (те, которые 1,1,1,1) дублируют клемму под номером 1. Это для того, чтобы было легче устанавливать детали с разнесёнными выводами. Кстати, стоит отметить, что нижний ряд клемм дублирует клеммы 2 и 3. Для 2 отведено 3 дополнительных клеммы, а для 3 уже 4. В этом можно убедиться, осмотрев разводку печатных проводников на другой стороне печатной платы.

Итак, каковы же возможности данного тестера?

Замер ёмкости и параметров электролитического конденсатора.

Также советую заглянуть на страничку, где рассказывается о разновидностях полевых транзисторов и их обозначении на схеме . Это поможет понять, что же вам показывает прибор.

Проверка биполярных транзисторов.

В качестве подопытного «кролика» возьмём наш КТ817Г. Как видим, у биполярных транзисторов измеряется коэффициент усиления hFE (он же h31э ) и напряжение смещения Б-Э (открытия транзистора) Uf . Для кремниевых биполярных транзисторов напряжение смещения находится в пределах 0,6 ~ 0,7 вольт. Для нашего КТ817Г оно составило 0,615 вольт (615mV).

Составные биполярные транзисторы тоже распознаёт. Вот только параметрам на дисплее я бы верить не стал. Ну, действительно. Не может составной транзистор иметь коэффициент усиления hFE = 37. Для КТ973А минимальный hFE должен быть не менее 750.

Как оказалось, структуру для КТ973А (PNP) и КТ972А (NPN) определяет верно. Но вот всё остальное замеряет некорректно.

Стоит учесть, что если хотя бы один из переходов транзистора пробит, то тестер может определить его как диод.

Проверка диодов универсальным тестером.

Образец для испытаний — диод 1N4007.

Для диодов указывается падение напряжения на p-n переходе в открытом состоянии Uf . В техдокументации на диоды указывается как V F — Forward Voltage (иногда V FM ). Замечу, что при разном прямом токе через диод величина этого параметра также меняется.

Для данного диода 1N4007 : V F =677mV (0,677V). Это нормальное значение для низкочастотного выпрямительного диода. А вот у диодов Шоттки это значение ниже, поэтому их и рекомендуют применять в устройствах с низковольтным автономным питанием.

Кроме этого тестер замеряет и ёмкость p-n перехода (C =8pF).

Результат проверки диода КД106А. Как видим, ёмкость перехода у него во много раз больше, чем у диода 1N4007. Аж 184 пикофарады!

Если вместо диода установить светодиод и включить проверку, то во время тестирования он будет задорно помигивать.

Для светодиодов тестер показывает ёмкость перехода и минимальное напряжение, при котором светодиод открывается и начинает излучать. Конкретно для этого красного светодиода оно составило Uf = 1,84V.

Как оказалось, универсальный тестер справляется и с проверкой сдвоенных диодов, которые можно встретить в компьютерных блоках питания, преобразователях напряжения автоусилителей, всевозможных блоках питания.

Проверка сдвоенного диода MBR20100CT .

Тестер показывает падение напряжения на каждом из диодов Uf = 299mV (в даташитах указывается как V F ), а также цоколёвку. Не забываем, что сдвоенные диоды бывают как с общим анодом, так и общим катодом.

Проверка резисторов.

Данный тестер отлично справляется с замером сопротивления резисторов, в том числе переменных и подстроечных. Вот так прибор определяет подстроечный резистор типа 3296 на 1 кОм. На дисплее переменный или подстроечный резистор отображается в виде двух резисторов, что не удивительно.

Также можно проверить постоянные резисторы с сопротивлением вплоть до долей ома. Вот пример. Резистор сопротивлением 0,1 Ома (R10).

Замер индуктивности катушек и дросселей.

На практике не менее востребована функция замера индуктивности у катушек и дросселей . И если на крупногабаритных изделиях наносят маркировку с указанием параметров, то вот на малогабаритных и SMD-индуктивностях такой маркировки нет. Прибор поможет и в этом случае.

На дисплее результат измерения параметров дросселя на 330 мкГ (0,33 миллиГенри).

Кроме индуктивности дросселя (0,3 мГ) тестер определил его сопротивление постоянному току — 1 Ом (1,0Ω).

Маломощные симисторы данный тестер проверяет без проблем. Я, например, проверял им MCR22-8 .

А вот более мощный тиристор BT151-800R в корпусе TO-220 прибор протестировать не смог и отобразил на дисплее надпись «? No, unknown or damaged part» , что в вольном переводе означает «Отсутствует, неизвестная или повреждённая деталь».

Кроме всего прочего, универсальный тестер может замерять напряжение батареек и аккумуляторов.

Я был обрадован ещё и тем, что данным прибором можно проверить оптопары. Правда, проверить такие «составные» детали можно только в несколько этапов, поскольку они состоят минимум из двух изолированных между собой частей.

Покажу на примере. Вот внутреннее устройство оптопары TLP627.

Излучающий диод подключается к выводам 1 и 2. Подключим их к клеммам прибора и посмотрим, что он нам покажет.

Как видим, тестер определил, что к его клеммам подключили диод и отобразил напряжение, при котором он начинает излучать Uf = 1,15V. Далее подключаем к тестеру 3 и 4 выводы оптопары.

На этот раз тестер определил, что к нему подключили обычный диод. В этом нет ничего удивительного. Взгляните на внутреннюю структуру оптопары TLP627 и вы увидите, что к выводам эмиттера и коллектора фототранзистора подключен диод. Он шунтирует выводы транзистора и тестер «видит» только его.

Так мы проверили исправность оптопары TLP627. Похожим образом мне удалось проверить и маломощное твёрдотельное реле типа К293КП17Р.

Теперь расскажу о том, какие детали этим тестером НЕ проверить.

    Мощные тиристоры. При проверке тиристора BT151-800R прибор показал на дисплее биполярный транзистор с нулевыми значениями hFE и Uf. Другой экземпляр тиристора определил как неисправный. Возможно, это действительно так и есть;

    Стабилитроны . Определяет как диод. Основных параметров стабилитрона вы не получите, но можно удостовериться в целостности P-N перехода. Производителем заявлено корректное распознавание стабилитронов с напряжением стабилизации менее 4,5V.
    При ремонте всё-таки рекомендую не полагаться на показания прибора, а заменять стабилитрон новым, так как бывает, что стабилитроны исправны, но напряжение стабилизации «гуляет»;

    Любые микросхемы, такие как интегральные стабилизаторы 78L05, 79L05 и им подобные. Думаю, пояснения излишни;

    Динисторы . Собственно, это понятно, так как динистор открывается только при напряжении в несколько десятков вольт, например, 32V, как у распространённого DB3;

    Ионисторы прибор также не распознаёт. Видимо из-за большого времени заряда;

    Варисторы определяет как конденсаторы;

    Однонаправленные супрессоры определяет как диоды.

Универсальный тестер не останется без дела у любого радиолюбителя, а радиомеханикам сэкономит кучу времени и денег.

Стоит понимать, что при проверке неисправных полупроводниковых элементов, прибор может определить тип элемента некорректно. Так, биполярный транзистор с одним пробитым p-n переходом, он может определить как диод. А вздувшийся электролитический конденсатор с огромной утечкой распознать как два встречно-включенных диода. Такое бывало. Думаю, не надо объяснять, что это свидетельствует о негодности радиодетали.

Но, стоит учесть тот факт, что также имеет место и некорректное определение значений из-за плохого контакта выводов детали в ZIF-панели. Поэтому в некоторых случаях следует повторно установить деталь в панель и провести проверку.

AVR Semiconductor, R, L, C, ESR, FRQ и т.д. 🙂 TESTER на микроконтроллерах ATmega


В этом разделе я представляю Вашему вниманию устройство — тестер полупроводниковых элементов, измеритель ёмкости конденсаторов и сопротивления резисторов, короче говоря, очень полезная штука:) Описание этого измерительного прибора взято из статьи Marcuse Frejeka и Karl-Heinz Kübbelera размещенной на их сайте . Данный прибор был разработан ими ещё в 2009 году и в настоящее время не даёт покоя всем радиолюбителям. Схема претерпела небольших изменений, до настоящего времени авторами и другими программистами было выпущено очень много версий прошивок для микроконтроллеров (МК) серии ATmega8, ATmega48, ATmega168, ATmega328 (цоколёвка всех этих МК одинаковая, поэтому никаких изменений в топологии печатной платы делать не нужно). Я не являюсь специалистом в области радиоэлектроники и не программист, я обыкновенный радиолюбитель-самоучка, поэтому буду преподносить информацию так, как я её воспринимаю. Я тоже сначала думал, что это китайская разработка:) — наборами и готовыми тестерами просто кишат всевозможные китайские интернет-магазины, а оказалось, что всё не совсем так. Кроме того я нашёл чешский клон этого тестера. Мне было интересно и я опробовал варианты тестеров на (МК) серии ATmega8 (два варианта прошивки) и на ATmega328. Данный тестер не меряет конденсаторы ёмкостью менее 25 пФ и индуктивности менее 0,01 мГн (индуктивность и ESR измеряет только тестер на ATmega168 и ATmega328). Но мне, как радиолюбителю, как раз интересны именно «мелкие» ёмкости и индуктивности, поскольку именно их зачастую приходится подбирать. Кроме того, как заявляют авторы, точность измерения индуктивности и ёмкости не высока — так оно и есть:(Кроме того, прибор на ATmega328 может измерять частоту и напряжение, работать в качестве генератора, а также работать в режиме циклических измерений — без необходимости постоянно нажимать кнопку «ТЕСТ». Как я понимаю, этот прибор является золотой серединой между дорогими специализированными промышленными измерительными приборами и дешёвыми китайскими мультиметрами, которыми завалены все рынки, и аналоговыми самоделками. Но, как показывает практика, одного прибора недостаточно. Для меня вполне хватает двух приборов: тестера на ATmega8 для определения полупроводниковых компонентов, измерения сопротивления резисторов и ориентировочной ёмкости конденсаторов, т.к. конденсаторы с большой ёмкостью он меряет не корректно; R/L/C/ESR тестера на PIC16F690, описание которого я выкладывал , для точного измерения ёмкостей разных конденсаторов, катушек индуктивности, ESR (ЭПС) и тангенса диэлектрических потерь диэлектрика электролитических конденсаторов. Конечно, у меня на полке ещё лежат несколько мультиметров для измерения напряжений, токов, прозвонки цепи и т.д., ну куда же без них нам деться:))) — чем больше приборов, тем лучше!

Учитывая вышесказанное, предлагаю вашему вниманию набор для самостоятельной сборки тестера полупроводниковых приборов на МК ATmega8 и прошивки для МК в двух вариантах: вариант №1 и вариант №2 . Для программирования я использую самый дешевый и распространённый программатор USBasp , который можно купить ну просто везде:)… В архивы я упаковал: драйвера под Windows для программатора USBasp, *.hex файл прошивки FLASH, *.eep файл прошивки EEPROM, программу Kazarma для прошивки самого МК, фьюзы для настройки МК и схему принципиальную с указанием необходимых доработок для данной версии прошивки. Разницы в работе прибора при тактировании МК от внешнего кварца или от встроенного RC я не заметил. Различие прошивок в визуальном отображении информации на дисплее (мне нравятся оба варианта). В прошивке №2 увеличена точность измерения ёмкости конденсаторов. Тестер с высокой точностью определяет номера и наименования выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен не только начинающему радиолюбителю. При помощи данного тестера очень удобно выполнять сортировку полупроводниковых элементов по параметрам, например, отобрать транзисторы по коэффициенту усиления. Т.е. это простой, но достаточно эффективный тестер для быстрой проверки, сортировки и распознавания большинства полупроводников — транзисторов, диодов, полевых транзисторов, мосфет, двойных диодов, маломощных тиристоров, динисторов и т.п. Прибор удобен при определении параметров SMD компонентов, для этого в комплекте имеются соответствующие платки из стеклотекстолита с тремя пронумерованными площадками. Позволяет измерять сопротивление резисторов и ёмкость конденсаторов. Всё вышеуказанное возможно для прибора на микроконтроллере ATmega8. На ЖКИ дисплее сразу видим цоколёвку, тип и параметры, а не лезем в Интернет за даташитом, т.е. если у Вас неизвестный SMD элемент с тремя ножками без маркировки, то с помощью данного устройства можно определить, что это такое — транзистор, диодная сборка или др.

Схема для прошивки №1:


Схема для прошивки №2 (добавлен всего один резистор, т.к. автор программно отключил подтягивающие резисторы в МК — больше ничего не менять!):


Особенности прибора:

0. При очень завидном функционале тестер очень прост в сборке и не требует дефицитных деталей.

1. Автоматическое обнаружение NPN и PNP транзисторов, N и P канальных МОП транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров, симисторов, резисторов и конденсаторов.

2. Автоматическое определение и отображение выводов проверяемого компонента.

3. Обнаружение и отображение защитного диода у транзисторов.

4. Определение коэффициента усиления и прямого напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов.

5. Измерение порогового напряжения затвора и ёмкости затвора МОП транзисторов.

6. Измерение прямого напряжения у простых диодов (светодиодов), не у двойных диодов.

7. Измерение сопротивления резисторов — диапазон от 1 Ом до 50 МОм.

8. Измерение ёмкости конденсаторов — диапазон от 25 пФ до 100 мФ.

9. Отображение значений на текстовом ЖК дисплее (2х16 символов).

10. Продолжительность тестирования детали менее 2 секунд (исключение составляют конденсаторы большой ёмкости).

11. Одна кнопка управления и автоматическое отключение питания.

12. Энергопотребление в выключенном состоянии

13. Проблемы при определении мощных тиристоров и симисторов, вследствие того, что ток при измерении 7 мА, что меньше тока удержания тиристора.

14. Проблемы при определении обычных полевых транзисторов, так как для большинства полевых транзисторов сток и исток при измерении мало отличаются или почти не различаются, поэтому они могут быть не распознаны, при тестировании полевых транзисторов возможно неправильное обозначение стока и истока, но, в принципе, тип транзистора показывается правильно в любом случае.

15. Питание устройства может осуществляться от батарейки типа «Крона» напряжением 9В или от сетевого адаптера 9-12В постоянного тока. При работе от батарейки подсветка дисплея не включается. При работе от сетевого адаптера подсветка включена всё время. Сетевой адаптер в комплект не входит, в комплекте есть только штекер для него.

ВИДЕО №1 РАБОТЫ ТЕСТЕРА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОМПОНЕНТОВ

ВИДЕО №2 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (увеличена точность и расширены диапазоны измерения R/C)

ВИДЕО №3 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (в идео от покупателя Андрея из До нецка, заходите к нему на канал и найдёте там много интересной и полезной информации)

Индикация тестируемых элементов на дисплее прибора:

— NPN транзисторы — на дисплее «NPN»

— PNP транзисторы — на дисплее «PNP»

— N-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «N-E-MOS»

— P-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «P-E-MOS»

— N-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «N-D-MOS»

— P-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «P-D-MOS»

— N-канальные JFET — на дисплее «N-JFET»

— P-канальные JFET — на дисплее «P-JFET»

— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»

— Симисторы — на дисплее «Simistor»

— Диоды — на дисплее «Diode»

— Двухкатодные сборки диодов с общим катодом — на дисплее «Double diode CK»

— Двуханодные сборки диодов с общим анодом — на дисплее «Double diode CA»

— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 diode series»

— Диоды симметричные — на дисплее «Diode symmetric»

— Резисторы — «Resistance»

— Конденсаторы — «Capacitor»

Описание дополнительных параметров измерения:

— h31e — коэффициент усиления по току

— (1-2-3) — порядок подключенных выводов элемента и напротив их наименование

— Наличие элементов защиты — диода — «Символ диода»

— Прямое напряжение — Uf mV

— Напряжение открытия (для MOSFET) — Vt mV

— Емкость затвора (для MOSFET) — C nF

Совсем забыл! Если нужна прошивка на другом языке, то Вы можете её найти в соответствующем архиве. Там есть и альтернативные прошивки!

Стоимость печатной платы с маской и маркировкой: 65 грн.

Стоимость полного набора деталей для сборки тестера (включая плату, ЖКИ (синий фон и белые символы), «прошитый» МК ATmega8 с прошивкой №2): 330 грн.

Стоимость собранной платы тестера на ATmega8: 365 грн.

Инструкцию к набору с кратким описанием и перечнем деталей, входящих в комплект набора, можно увидеть

Для заказа просьба обращаться так, как показано на схеме:

В результате получится прибор с описанием которого можно ознакомиться :). В архиве с прошивкой №3 упаковано всё тоже самое, что я и описывал выше, но с небольшой корректировкой! Всё дело в том, что при программировании программа Kazarma «залила» в МК содержимое файлов FLASH и EEPROM без вопросов, а вот фьюзы «заливать» отказалась. Может у меня руки кривые, а может ещё что-нибудь мне помешало. Поэтому я пошёл другим путём. Скачал программу AVRDUDESS (она есть в архиве), с её помощью мне удалось запрограммировать FLASH, EEPROM и фьюзы МК. Скриншот настройки фьюзов лежит в архиве. В инструкции на тестер подробно описано абсолютно всё! Отмечу только то, что в данной версии имеется опция автокалибровки прибора.

Всем удачи, мира, добра, 73!

Тематические материалы:

Обновлено: 17.01.2022

103583

Если заметили ошибку, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter

Тестер Транзисторов Маркуса | Практическая электроника

Типы тестируемых элементов:

название элемента индикация на дисплее/диапазон
NPN транзисторы «NPN»
PNP транзисторы «PNP»
N-канальные-обогащенные MOSFET «N-E-MOS»
P-канальные-обогащенные MOSFET «P-E-MOS»
N-канальные-обедненные MOSFET «N-D-MOS»
P-канальные-обедненные MOSFET «P-D-MOS»
N-канальные JFET «N-JFET»
P-канальные JFET «P-JFET»
Тиристоры «Tyrystor»
Симисторы «Triak»
Диоды «Diode»
Двухкатодные сборки диодов «Double diode CK»
Двуханодные сборки диодов «Double diode CA»
Два последовательно соединенных диода «2 diode series»
Диоды симметричные «Diode symmetric»
Резисторы от 0,5 К до 500К [K]
Конденсаторы от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]

При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— (1-2-3) — порядок подключенных выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диода — «Символ диода»
— Прямое напряжение – Uf [mV]
— Напряжение открытия (для MOSFET) — Vt [mV]
— Емкость затвора (для MOSFET) — C= [nF]

Автор девайса Маркус, но в дальнейшем разработку продолжил Карл Хейнц.

Ну, что можно сказать, транзисторы и диоды определяет, емкости конденсаторов тоже, у электролитов и ESR показывает. О точности измерений пока ничего не могу сказать, времени чтобы поверить показания, пока нету. Тестер оказался не очень удобен в использовании.

Неудобства при использовании:

  1. При каждом измерении нужно сначала приложить деталь к контактным площадка, а потом нажимать кнопку «Тест», причем времени проходит от момента включения до измерения не так мало.
  2. Если тестируемый компонент сгорел с КЗ всех трех ножек, то в этом случае тестер перейдет в режим самотестирования.
  3. Нет подсветки индикатора. Я подозреваю что просто не впаяли самые правые два пина на плате индикатора. Они кстати помечаются как «А» и «К».
  4. Светодиодик индицирующий включение прибора горит очень ярко.
  5. В тестере прошита старая программа, на профильных форумах, есть более свежие, у которых более удобно показывается распиновка компонента по ножкам.
  6. Две клеммы непонятно какие, провод в них не зажмешь. Только штыри.

А вот и сама плата, маркировку Меги соскребли.

И вот не распаянная часть платы. На ней оказалась схема модуля обеспечивающей работу тестера от литиевого аккумулятора.

Собственно название редакции «Booster edition».

Схема тестера транзисторов


Обратите внимание, что распиновка микроконтроллера ATMega дана для корпуса DIP-28! В моем тестере использован TQFP-32. И стандартный разъем программирования на 10 выводов, а не на 6 как на схеме.

№ вывода назначение
1 MOSI
2 +5В
3 не задействован
4 земля
5 RESET
6 земля
7 SCK
8 не задействован
9 MISO
10 не задействован

На фотографии первый контакт разъема — правый нижний.

Как запрограммировать тестера

Я захотел узнать, какая из ATMeg, установлена в моем тестере, поэтому решил припаять разъем для программирования BH-10. Но он туда не влезал из-за подстроечного резистора, поэтому боковая стенка разъема была отпилена ножовкой, а резистор отодвинут чуть выше.
Распиновка разъема полностью совпала с распиновкой программатора AS-4 и я смело подключил программатор и подал питания на тестер. Но вот не задача, программатор не видит процессор из-за того что питание подается на тестер только при нажатие кнопки, все остальное время 5В на процессоре нету. Даже если кнопку постоянно нажимать, программатор все равно не хочет «общаться» с процессором.
Чтобы подать постоянное питание достаточно замкнуть коллектор и эмиттер транзистора T3, тогда питание будет постоянно подаваться на IC3.
После установки перемычки, микроконтроллер стал определятся и читаться.

Прошивку 1.06К взял отсюда:
http://kazus.ru/forums/showpost.php?p=595426&postcount=21
Эта прошивка тоже работает:
http://kazus.ru/forums/showpost.php?p=594182&postcount=1

Самотестирование тестера транзисторов

Чтобы узнать какая версия прошивки в вашем тестере, нужно ввести тестер транзисторов в режим самотестирования, в так называемый selftest.
Итак, замыкаем все три входные клеммы тестера и запускаем тестер на измерение кнопкой «Test button». Устройство проводит всевозможные тесты, и примерно через минуту просит подключить к 1 и 3 клеммам конденсатор с емкостью больше 100нФ. Тесты идут дальше и в конце концов, тестер показывает версию прошивки.
В моем случае версия первоначальной прошивки оказалась 1.02к.

Свежие прошивки и самое активное обсуждение тут:

vrtp.ru/index.php?showtopic=16451

А вот тут продают платы для тестера по 2шт за 7долларов + стоимость доставки:
radiokot.ru/forum/viewtopic.php?f=51&t=84516

PS О своих впечатлениях по поводу тестера я ещё напишу 🙂

Для проверки понадобятся точные резисторы и конденсаторы, либо точный прибор по которым можно будет измерить неточные.

PPS

Тестер транзисторов с графическим индикатором

Случайно на ebay увидел новый тестер «ESR Meter 12864 LCD Transistor Tester Diode Triode Capacitance led MOS/PNP/NPN».
Продается за $33 и уже в корпусе, был порыв заказать на пробу, но остановил китайский язык 🙂

Что обещает продавец:

  • Микроконтроллер ATMega328, прошивка 2013 с кучей функций.
  • Внешний кварцевый резонатор на 8МГц.
  • Подсветка LCD дисплея
  • Потребление 2мА в режиме ожидания (я так понимаю это между измерениями), 20нА в выключенном состоянии.
  • Мега в корпусе DIP, простота обновления прошивки (я так понимаю мега устанавливается в панельку)
  • Питание от 9В батерейки (давно бы сделали от AA или лития)

Якобы новые функции:

  • Автоматическое определение резисторов (и сборок из двух резисторов, а также среднего вывода переменных и подстроечных резисторов), конденсаторов, биполярных транзисторов обоих типов, MOSFET с обоими типами каналов, диодов, диодных сборок, тиристоров малой мощности — как unidirectional, так и bidirectional я предполагаю, что имеются ввиду тиристоры и симисторы.
  • Автоматическое определение распиновки всех компонентов.
  • Определение обратного диода в транзисторах, коэффициент усиления, прямое напряжение база-эмиттер.
  • Измерение входной емкости и порогового напряжения для MOSFET.
  • Графический индикатор 12864 с зеленой подсветкой, язык к сожалению только китайский
  • Размеры прибора 140*90*55MM
  • Управление одной кнопкой, автоматическое выключение (ну вообще-то так и раньше было, но на моде почему-то три кнопки)

Диапазоны измерений:

  • Диапазон сопротивлений: 0,1 Ом — 50 МОм, разрешающая способность при измерение сопротивлений 0,1 Ом
  • Диапазон емкостей: 30 пФ — 100 мФ, шаг 1 пФ
  • Для конденсаторов с емкостью более 2 мкФ, измеряется ESR (эквивалентное последовательное сопротивление), разрешающая способность 0,01 Ом.
  • Измеряется прямое напряжение на диодах и напряжение стабилизации для стабилитронов если оно меньше 4,5 В

А теперь куча фоток с результатами тестирования компонентов:

Светодиодная технология в широкоформатной УФ-печати

В последние годы УФ-технология широкоформатной печати претерпела целый ряд значительных изменений, которые коснулись не только функциональных возможностей принтеров, но и внедрения более экономичных производственных решений и упрощения эксплуатации. Благодаря успешному развитию этого вида печати и стремительному распространению УФ-оборудования в самых разных производственных областях этот метод печати стал самым быстрорастущим направлением широкоформатного печатного производства.

Учитывая множество преимуществ, которые дает УФ-отверждение чернил, дальнейшее распространение УФ-принтеров в разных рыночных сегментах будет, несомненно, продолжаться. Важным фактором в эволюции УФ-оборудования стал постепенный переход от потенциально опасных и энергозатратных ртутных дуговых ламп к экономичным и абсолютно безопасным светодиодам. Произошло то же самое, что в освещении: сначала люминесцентные лампы, а затем и светодиоды пришли на смену лампам накаливания. Эта технология нового поколения уже сегодня оказывает большое влияние на производственный рынок. К цифровой печати стали прибегать даже в тех областях, где раньше этого даже не могли предположить. Светодиодные источники излучения позволили использовать не только самые разнообразные по природе материалы, но и брать в работу тонкие и термочувствительные носители, а также склонные к желтению под действием коротковолнового УФ-излучения металогалогенных ламп.

За последние 20 лет разработчики, работающие в области светодиодов (сокращенно LED — Light-emitting diode), достигли огромных успехов. Миллиарды долларов были потрачены на исследование и улучшение характеристик этих полупроводников с целью получения энергоэффективной и экологичной альтернативы традиционным источникам света. Проведенная титаническая работа специалистов по всему миру привела буквально к взрыву возможностей применения светодиодов, обеспечив при этом значительное повышение их эффективности и существенное снижение цены. В частности, УФ-светодиоды смогли достичь таких результатов в отверждении УФ-чернил, которые позволили практически полностью снять ограничения по использованию этих источников в широкоформатном УФ-оборудовании.

Цифровая УФ-печать прошла период стремительного развития и сегодня заняла практически центральное место в индустрии широкоформатной печати. По мнению отраслевых аналитиков консалтинговой компании IT Strategies (Бостон, США), более 40 % всей широкоформатной печатной продукции сегодня производится на УФ-оборудовании. Такой высокий процент от общего объема цифровой печати обусловлен ростом числа инсталляций УФ-принтеров, который увеличивается на 16 % каждый год.

Цифровая УФ-печать имеет ряд существенных преимуществ, которые обеспечивают ей неуклонный рост на мировом печатном рынке – это универсальность в отношении носителей, повышенная производительность за счет быстрого отверждения чернил, сокращение потребности в ламинировании отпечатков и более низкие эксплуатационные расходы благодаря уменьшенному расходу чернил из расчета на один отпечаток. В дополнение к этому, УФ-печать открыла новые возможности применения этой технологии, в числе которых долговечная печать на керамической плитке, деталях мебели и напольных покрытиях.

Основная особенность УФ-печати – это технология отверждения

Важнейшим фактором для УФ-принтеров является качество отверждения чернил. Даже термин «отверждение» может нести различную смысловую нагрузку для разных принтеров в зависимости от их применения. Например, печатается ли изображение на жестком или гибком носителе, для интерьерного или уличного использования. В таблице представлены некоторые общие ассоциативные связи, которые устанавливаются между ртутными дуговыми лампами и отвержденными чернилами.

Характеристики Влияние свойств отверждения Комментарий
Световой спектр Формирование поверхности, объема и адгезия Согласован с чернилами
Оптическая мощность Достигается необходимый уровень отверждения Порог, определенный в соответствии с чернилами, скоростью печати, уровнем заливки
Излучение/форма луча Достигается баланс между поверхностью, объемом и степенью адгезии Согласованы с чернилами
Стабильность светового потока (со временем) Стабильность отверждения чернил связана с возрастом источника излучения Различный характер поверхности

Чтобы УФ-светодиоды имели успех в области цифровой печати, они должны обеспечивать либо эквивалентное, либо лучшее отверждение чернил для всех возможных применений. 

Технология: дуговые ртутные лампы

Индустрия широкоформатной УФ-печати развивалась на основе ртутных источников УФ-излучения, что было с небольшими изменениями заимствовано из более устоявшихся технологий таких, как трафаретная и флексографическая печать. Дуговые лампы производят свет, возбуждая перегретую плазму, состоящую из ртути и заполняющих газов, которые содержаться в герметичных кварцевых трубках. Возбуждение обеспечивается либо электрическим разрядом (током, проходящим через плазму), либо посредством микроволн. Атомы ртути в плазме поглощают энергию от электрического тока или микроволн, а затем выделяют эту энергию в виде света. Все это происходит при температуре свыше 500 °С, поэтому в процессе вырабатывается значительное избыточное тепло. Свет, который продуцируется дуговой лампой, охватывает спектр от глубокого ультрафиолета до видимого и инфракрасного диапазона. Отверждение чернил происходит под действием лучей только УФ-спектра. Специальные отражатели, которыми оснащается ртутный УФ-модуль отправляют в направлении носителя максимально возможное количество генерируемого света.

Дуговые ртутные лампы могут излучать ультрафиолет широкого спектра, поэтому до последнего времени они принимались за стандартное решение в цифровом печатном оборудовании. Широкий спектр УФ-излучения позволил разработать такие составы чернил, которые являются универсальными и в любых условиях хорошо отверждаются. Это надежная и зрелая технология, однако дуговые лампы, используемые в УФ-принтеров, требуют особых дополнительных приспособлений и имеют некоторые ограничения по применению. Во-первых, эти лампы выделяют много тепла, которое необходимо отводить. Часть этого тепла передается на носитель, что может вызвать проблемы с чувствительными к температуре материалами. Во-вторых, охлаждение ламп требует значительного воздушного потока внутри принтеров, что дополнительно усложняет конструкцию печатного оборудования. Также для поджига ртутных ламп и поддержания их стабильной работы требуется сложная электроника. Дуговые лампы большой мощности, которые используются в принтерах большого формата, генерируют озон – потенциально опасный газ, для устранения которого необходима система промышленной вентиляции. Наконец, с течением времени мощность дуговых ламп заметно падает – в период 500-1000 часов на целых 50 %.    

Технология: светодиоды

Светодиод – это полупроводниковое устройство, которое преобразует электрическую энергию в световую. Светодиоды были разработаны в 1960-х годах, вскоре после изобретения транзистора. Первоначально светодиоды использовались в качестве индикаторов и в осветительных системах низкого энергопотребления. Сейчас же они находят широкое применение в общем освещении, в освещении высокой яркости и в узкоспециализированных областях, таких, например, как воздействие на фотоактивируемые материалы для отверждения чернил.

Светодиоды разрабатывались на основе полупроводниковых материалов, таких же, на основе которых создавались транзисторы и микропроцессоры. Используя свойства полупроводников, можно преобразовать электрический ток в свет и тепло. В современных светодиодах до 20 % входной электрической энергии может быть преобразовано в свет (остальная часть энергии превращается в тепло, которое необходимо нейтрализовать во избежание повреждения светодиода вследствие его перегрева). В отличие от дуговых ртутных ламп, которые излучают свет полного спектра ультрафиолетового и инфракрасного излучения, генерируемый светодиодами свет концентрируется в узкой области УФ-спектра. Именно этот узкий УФ-спектр определяет ключевое преимущество светодиодов – «холодное» свечение. Именно разработка в конце 1990-х годов светодиодов высокой мощности и, в частности, мощных УФ-светодиодов позволила реализовать такое применение этих источников, как УФ-отверждение чернил в широкоформатных принтерах.

Использование LED-технологии в цифровой печати
Особенности Преимущества
Холодное свечение (без ИК-составляющей) Возможность печати на термочувствительных материалах
Длительный срок службы (> 5000 часов) Сокращение эксплуатационных расходов, простота обслуживания
Водяное охлаждение Более простая архитектура принтера
Мгновенное включение/выключение Не требуется время на прогрев и охлаждение; упрощенная механическая часть (отсутствие защитных шторок)
Экологическая безопасность Нет ртути, озона, низкое потребление электроэнергии
Упрощенная электроника Нет высокого напряжения зажигания, меньше стоимость электроники и защиты принтера

Светодиоды обладают многочисленными преимуществами по сравнению с дуговыми ртутными лампами. Прежде всего, это концентрированный спектр генерируемого света. Поскольку оптический спектр ограничен тем, который необходим для процесса отверждения чернил, а именно УФ-диапазоном, эффективность преобразования электрической энергии в световую существенно выше, чем у металлогалогенных источников УФ-излучения. Напомним, что у дуговых ламп только часть излучаемого света находится в области ультрафиолетового спектра, т. е. большая часть световой энергии не принимает участия в процессе отверждения. 

В некоторых случаях, когда это дополнительное (неэффективное) излучение не подвергается фильтрации, оно может вызвать нежелательные вторичные эффекты, такие как избыточный нагрев материала. Более высокая эффективность преобразования электричества в свет у светодиодов означает, что достаточная для отверждения чернил световая энергия может генерироваться при меньшем электрическом входном сигнале, в результате чего тратится меньше электроэнергии. Однако в случае светодиодов энергия все-таки теряется в виде тепла, но более низкая общая тепловая нагрузка на светодиодную систему позволяет создавать более компактные модули без необходимости использования сложной электроники зажигания, как в случае дуговых ртутных ламп.

Еще одно преимущество, которое имеют светодиоды, заключается минимум в пятикратном превышении их срока службы относительно дуговых ламп. Это, соответственно, влечет за собой сокращение стоимости владения этой технологией. Кроме того, светодиоды очень быстро включаются и выключаются (т. е. они мгновенно входят в режим рабочей готовности), что позволяет не использовать в конструкции никаких внутренних или внешних защитных приспособлений. Выходным световым потоком светодиодов можно управлять, меняя электрические сигналы возбуждения, которые обеспечивают электронный контроль интенсивности УФ-излучения. Это дает возможность отказаться от защитных шторок, что еще больше упрощает конструкцию и повышает надежность системы. А благодаря высокой эффективности при небольшом энергопотреблении, а также отсутствию ртути и озона, светодиоды являются более экологичным решением по сравнению с ртутными лампами. 

Несмотря на все несомненные преимущества светодиодов они все-таки имеют некоторые недостатки, которые ограничивают их полномасштабное распространение. Наиболее существенным среди них, как ни странно, является их ключевая особенность – узкий спектр излучения. Как уже отмечалось выше, для достижения высокой степени отверждения обычных УФ-чернил для цифровой печати необходим широкий спектр излучения. Формулы этих чернил разрабатывались в соответствии с более широким спектром излучения ртутных ламп. Ограниченный спектр светодиодов может вызвать с обычными чернилами такого рода проблемы, как недостаточное отверждение, сопровождающееся липкостью поверхности, или плохая адгезия. Даже если достигается полное отверждение, свойства «светодиодного» чернильного слоя могут отличаться от того, который был сформирован с помощью ртутных ламп.

До недавнего времени еще одной проблемой, связанной со светодиодной технологией, была проблема плотности, или оптической мощности излучения, которая фиксировалась на печатном носителе. Чтобы получить хорошо отвержденную (без прилипания и отслоения) поверхность слоя чернил, необходимо в достаточной степени сконцентрировать световую энергию на материале. У дуговых ртутных ламп для этого достаточно энергии. Например, дуговая лампа длиной 15 или 25 см, рассчитанная на потребляемую мощность 600 Вт, благодаря использованию параболических или эллиптических отражателей, может легко продуцировать излучение, превышающее по удельной мощности 10 Вт/см2. Этого более чем достаточно для качественного отверждения чернильного слоя.

Ситуация со светодиодами несколько иная. Мощные УФ-светодиодные системы состоят из массивов отдельных светодиодных полупроводниковых микросхем, называемых «кристаллами». Мощные светодиодные матрицы имеют размеры примерно 1 мм2 и вырабатывают до 0,5 Вт на устройство. В принципе, если была бы возможность плотно упаковать эти отдельные кристаллы подобно плиточной мозаике, можно было бы достичь плотности мощности излучения до 50 Вт/см2, что даже больше, чем можно получить при использовании дуговых ламп. Практические препятствия, связанные с охлаждением светодиодов, подачей электрического тока на каждое устройство и эффективностью извлечения света, генерируемого каждым светодиодом, на первых этапах становления УФ-технологии ограничили излучение примерно до 4 Вт/см2. Этот уровень мощности оказался недостаточным для достижения полноценного отверждения чернил в ста процентах случаев (иногда чернильный слой оставался мягким и липким и не соответствовал требованиям к адгезии).

В последнее время стали доступны светодиодные матрицы с плотностью мощности излучения 8 Вт/см2, и на этапе исследований и разработок находятся модули мощностью 12 и 16 Вт/см2. Хотя эти устройства обещают преодолеть проблему нехватки интенсивности излучения, разработки сопровождаются существенными затратами. Для подобных мощных матриц необходимо использовать системы водяного охлаждения для отвода выработанного ими тепла. Для широкоформатных принтеров это означает дополнительное усложнение конструкции оборудования вследствие добавления еще одной системы управления жидкостью и чиллера.

Многие поставщики УФ-чернил, приняв во внимание все плюсы и минусы светодиодной технологии, стали разрабатывать составы чернил, которые имеют индивидуальный «отклик» на воздействие ультрафиолета. Это является сложной задачей, т. к. необходимо учитывать множество качеств, которым должны соответствовать отвержденные чернила. Речь идет о цветовом охвате, стабильности, стойкости к солнечным лучам, адгезии, поверхностном и объемном отверждении, жесткости/эластичности, а также запахе. Усилия разработчиков увенчались успехом: были созданы чернила, которые для полного отверждения требуют до трех раз меньше энергии воздействия и которые под влиянием УФ-лучей светодиодного спектра отвечают требованиям в отношении свойств поверхности чернильного слоя и уровня его адгезии.

Последней проблемой, которая ограничивала внедрение светодиодных систем в цифровое печатное УФ-оборудование, являлась цена. УФ-светодиоды в целом дороже дуговых ртутных ламп, и их стоимость сильно зависит от количества светодиодных матриц, используемых для производства комплексного модуля. Размер модуля зависит от ширины запечатываемой полосы и скорости печати. Для принтеров с более низкой производительностью требуются меньшие массивы светодиодов. Цена светодиодов также зависит от типа используемых светодиодных кристаллов УФ-спектра. Чернила имеют тенденцию к более эффективному отверждению под действием излучения более глубокой части УФ-спектра, но для этого требуются светодиоды более дорогого типа. Однако в последнее время цена светодиодов заметно снизилась – более чем в 10 раз за последние десять лет.

Большая часть первоначальной стоимости УФ-светодиодных систем может быть компенсирована теми преимуществами, которые они предоставляют как с точки зрения производства принтеров, так и с точки зрения их эксплуатации. Архитектура принтера может быть упрощена, что ведет к сокращению общих системных затрат. На производственных площадках принтеры светодиодного отверждения чернил потребуют меньших повседневных расходов и обеспечат своим владельцам экономию электроэнергии. В связи с длительным сроком службы светодиодов и повышенной надежностью этих полупроводников затраты на обслуживание будут снижены, не говоря о том, что больше не потребуется каждые 500-1000 часов эксплуатации осуществлять замену дорогостоящих ртутных ламп. Холодное излучение светодиодов также открывает перед пользователями дополнительные возможности по использованию материалов, чувствительных к повышенным температурам, тем самым увеличивая их производственный и коммерческий потенциал.

Текущее состояние и путь к широкому внедрению УФ-технологии

Несмотря на ограничения, которые с каждым годом все успешнее преодолеваются, все большее число производителей принтеров успешно внедряют УФ-технологию в свое оборудование.

Для полного перехода в будущем от ртутных дуговых ламп к светодиодам необходимо выполнить три ключевых требования:

  • Достичь эквивалентного ртутным лампам отверждения чернил без всяких оговорок.
  • Придерживаться оптимальной по простоте и стоимости конструкции принтера.
  • Обеспечить экономическую эффективность печати с применением светодиодной УФ-технологии. 

Производители УФ-светодиодов в сотрудничестве с производителями принтеров и чернил успешно продвигаются в решении всех трех поставленных задач. Все более широкое внедрение светодиодов будет, скорее всего, происходить с учетом целевых применений цифрового печатного оборудования и улучшения эксплуатационных качеств доступных УФ-чернил. Сегодня светодиодная технология используется преимущественно в принтерах с не очень высокой производительностью и с узкой полосой печатного прохода. Для этого оборудования в последние годы были максимально оптимизированы параметры мощности, освещенности и стоимости систем отверждения. В течение последующих лет, по мере развития технологии в трех вышеуказанных направлениях, светодиодные УФ-системы будут интегрироваться в более высокопроизводительные печатные устройства. 

Выводы

Рынок цифрового УФ-оборудования продолжает неуклонно расти и по мере развития технологии в нем реализуются все более инновационные решения. Сегодня печатная индустрия готова воспользоваться огромными достижениями в области светодиодных источников УФ-излучения, чтобы обеспечить печатной технике ту надежность и функциональность, которыми эти источники обладают. Внедрение современных светодиодных модулей позволит УФ-принтерам нового поколения гарантировать пользователям максимальную стабильность работы, универсальность в отношении материалов, простоту и безопасность эксплуатации, а также более низкие текущие расходы.

Источник: signindustry.com

Тестер электронных компонентов | Electric-Blogger.ru

2021-10-14 Инструмент  

Сегодня я расскажу о таком устройстве, как  тестер электронных компонентов. Данный девайс предназначен для проверки и измерения параметров диодов, транзисторов, конденсаторов, резисторов, симисторов и т.д. Причем легко можно проверить как выводные, так и SMD компоненты.

Устройство выполнено в пластиковом корпусе, на тыльной стороне расположен отсек для батарейки. На лицевой стороне находятся дисплей, кнопка Test, контактные площадки для проверки SMD компонентов, цанговая панель для выводных компонентов и разъем с подключенными к нему проводами, каждый из которых имеет на конце зажим.

Также на корпусе указаны модель тестера – CT-micro v1.0, все возможные для проверки радиодетали и название сайта, на котором заказывал тестер.

Основные технические характеристики тестера

  • Питание – 9 V
  • Потребляемый ток – 0 – в выключенном состоянии и 13…25 мА в режиме измерения.
  • Автоматическое определение расположения выводов транзисторов, диодов, тиристоров, симисторов.
  • Индикация – 2-х строчный жидкокристаллический дисплей.
  • Автоматическое отключение прибора через 10 сек. после вывода данных на дисплей.

Включение прибора производится нажатием на кнопку Test. После включения на дисплее должно отображаться напряжение питания – “Bat. 9.0V OK”, что означает, что питание в норме. Внизу появится значение основного питания устройства – “VCC=5.00V”. Если это значение значительно отличается от 5V, то это свидетельствует о неисправности тестера.

Затем прибор переходит непосредственно в режим измерения. Если в этот момент к нему ничего не подключено, то на экране появится надпись No, unknown or damaged part ( Не подключено, или подключен неизвестный либо поврежденный компонент).

Для тестирования подключим, например резистор, номиналом 220 Ом. Для этого необходимо вставить его выводы в цанговый разъем. Разъем имеет пять контактов, но два крайних 1-2 и 4-5 объединены между собой. Поэтому они пронумерованы как 1-2-3. Таким образом, можно вставить выводы, например, в 1-2  разъем, или 2-3.

После того, как резистор вставлен, включаем наш тестер. На дисплее в верхней части появится условное изображение резистора и соответствие выводов. В нижней части будет измеренное тестером сопротивление -227.4 Ом. При этом надо учитывать, что тестер имеет относительную погрешность измерений. Так, для резисторов 0.1…10 Ом она составляет не более 5%, для резисторов 10 Ом…10 Мом – не более 2%.

Попробуем теперь протестировать диод, в частности Д220А. Подключим его, так же, как и резистор к цанговому разъему.

Теперь на дисплее в верхней части отображается надпись Diode и соответствие выводов контактам разъема. Внизу тестер показывает падение напряжения на переходе Uf = 706 mV и емкость p-n перехода. Если вместо обычного диода подключить диодную сборку, то тестер также покажет структуру сборки и ее распиновку.

Ну и последний испытуемый – биполярный транзистор с n-p-n структурой КТ315. Но в этот раз придется подключить его к разъему, к которому подключены провода с зажимами, так как выводы транзистора шире, чем у резистора и диода и не вставляются в цанговый разъем.

Транзистор подключили, нажимаем кнопку Test.

На дисплее сверху выводится структура транзистора и расположение выводов – база-коллектор-эмиттер, согласно подключению контактов.

Снизу видим значение коэффициента усиления B=65 и падение напряжения на переходе база-эмиттер 739 mV.

В случае проверки полевых транзисторов, тестер также покажет структуру и цоколевку транзистора, а снизу будет емкость затвора и напряжение открывания.

Таким же образом проверяются и другие компоненты.

Так, для конденсаторов, тестер покажет измеренное значение емкости, а также, если емкость конденсатора более 2 мкФ, еще и измеренное значение ESR (эквивалентное последовательное сопротивление). Перед проверкой конденсаторов обязательно нужно их разрядить, иначе прибор может выйти из строя.

Для тиристоров, симисторов будет показано расположение выводов.

Для катушек индуктивности – сопротивление постоянному току и значение измеренной индуктивности. Катушки с индуктивностью меньше 10 мкГн, прибор определяет как низкоомные резисторы. Относительная погрешность измерения составляет 10% для катушек 10мкГн…100 мкГн , 15% — для 100 мГн…20 Гн.

Данным прибором не удастся проверить некоторые транзисторы, тиристоры, симисторы большой мощности, которым требуются достаточно большие токи/напряжение для открывания.

В завершении можно отметить, что тестер был куплен уже достаточно давно и за время эксплуатации показал себя с хорошей стороны.  Для себя отметил единственный минус — это автоотключение через 10 сек. На мой взгляд, это маловато.

Техпроцесс в чипах: Померяемся нанометрами?

Snapdragon 865, Apple A13 bionic, новый Ryzen от AMD… Отовсюду нам кричат про 7-нанометровый техпроцесс в смартфонах и ПК! Чем это отличается от знакомых 10 и 14 нанометров? Как влияет на батарейку, производительность, нагрев? А тут еще и Samsung с Google анонсируют процессоры на 5 нм, кто-то уже вообще говорит о 3 нм.

А где вообще Intel? Только что еле-еле переползли на 10 нм?

Мы решили узнать, что измеряют эти нанометры? И так ли важно ими мериться или это просто маркетинг? И реально ли Intel так безбожно устарел?

Прежде чем перейти к процессорам в наших смартфонах и компьютерах, немного основ как устроен процессор?

Знакомьтесь — это транзистор! Ключевой элемент всех процессоров. Фактически транзистор — это переключатель. Ток течет через него — это 1, ток не течет — это 0. Это и позволяет считать в двоичной системе — основа всех процессоров!

Раньше транзисторами были вакуумные лампочки. Условно — горит или не горит: единица или ноль.

Таких лампочек нужно было очень много, чтобы всё как-то работало. Например, компьютер ENIAC 1946 года, который участвовал в создании водородной бомбы насчитывал 17,5 тысяч вакуумных ламп и весил 27 Тонн, занимая 167 квадратных метров. При этом он жрал 150 кВт электричества.

И тут один из ключевых моментов, на который стоит обратить внимание. Еще раз повторю энергопотребление у этих 17,5 тысяч лампочек составляло 150 кВт.

Но в начале 1960-х случилась революция — изобретение и начало производства полевых транзисторов. Как раз у них исходным полупроводником является кремний — отсюда и всем известная силиконовая, кхм, то есть Кремниевая долина!

И тут понеслось! Размеры транзисторов уменьшились настолько, что они стали потреблять существенно меньше электричества и занимать меньше места. И количество транзисторов в вычислительной технике начало увеличиваться с огромной скоростью! А вместе с ним и мощность вычислительных систем!

В первом промышленном процессоре Intel 4004, который был выпущен в 1971 году было 2250 транзисторов.

А сейчас например в A13 Bionic этих транзисторов 8.5 миллиардов — это больше чем людей на планете! Ну пока…

Но на сколько вообще уменьшились современные транзисторы, насколько они маленькие? Простое сравнение легкое для понимания — например, с человеческим волосом!

На его срезе можно разместить почти 1.5 миллиона современных транзисторов сделанных по 7-нанометровому техпроцессу!

То есть у вас на толщине человеческого волосе можно разместить в 4 раза больше транзисторов, чем было в процессоре Intel 4004!

Почему же надо уменьшать? Тут все более-менее очевидно!

Во-первых, чем меньше транзистор — тем меньше он потребляет энергии. Вы уже это поняли на примере ламповых.
А во-вторых — их больше помещается на кристалле, а значит растёт производительность. Двойная выгода!

И тут мы переходим к понятию техпроцесса или Technology Node — что же это такое?

Если максимально упростить, то значением техпроцесса исторически являлась минимальная длина канала транзистора — как видно на картинке — не стоит его путать с размерами транзистора целиком.

То есть, чем меньше размер техпроцесса — тем лучше — это нам и пытаются донести компании, но так ли всё просто?

И тут важно другое: транзисторы бывают разные и они отличаются не только по размеру, но и по своей структуре.

Классические, планарные или плоские, транзисторы перестали использоваться относительно недавно — в 2012 году. Они уступили место трёхмерным транзисторам, где вытянули канал в третье измерение, уменьшив его толщину и тем самым уменьшив сам транзистор. Такая структура называется FinFET — они и используются сейчас.

Данная технология очень помогла уменьшить размер транзисторов и главное — сильно повысила количество транзисторов на единицу площади, что и является одним из ключевых показателей для производительности!

Но означает ли сегодня понятие техпроцесс тоже самое, что и несколько лет назад?

Во всей индустрии прослеживалась очень важная тенденция — каждый следующий техпроцесс был меньше предыдущего на 30%, что помогало удвоить количество транзисторов при сохранение того же энергопотребления — например 130*0.7=90 нм, 90*0.7=65 нм, далее до 45 нм, 32 нм, и так далее.

И это пока соответствует Закону Мура:

Количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца.

Что же стоит за этой игрой чисел?

Мы уже выяснили, что техпроцесс — это размер затвора транзистора, то есть длина канала, который пропускает или не пропускает через себя ток и этот размер ключевой!

Но оказывается это истинно, только если мы говорим о старых 32 нм — там все точно, хоть линейкой измеряй! И этот параметр был закреплен документально!

Но так было до 2009 года, когда из так называемого “Международного плана по развитию полупроводниковой технологии” было исключено понятие техпроцесса и его обозначения!

Простым языком — цифры указанные в тех процессе сегодня — это просто маркетинговый лейбл!

Производители пошли вразнос и начали называть всё подряд 10, 7 и вообще 5 нанометрами, а кто-то уже говорит и о 3 нанометрах! Можно всё это ставить в кавычки, как простое обозначение поколения процессоров!

Вот вам например структура процессора Apple A12, произведенного на заводе TSMC по 7- нанометровому техпроцессу. Обратите внимание на шкалу масштаба в левом нижнем углу.

Если сравнить масштаб и посчитать, то получается, что ширина канала — 8 нанометров, при том, что официально процесс называется 7-нанометровым.

Теперь давайте сравним 10-нанометровый процесс у Intel и 7-нанометровый у TSMC.

Кстати, знайте, что сегодня TSMC это компания, которая производит процессоры для AMD, а также делает Apple A13 и Snapdragon 865 — поэтому считайте, что мы сравниваем сразу все их чипы.

Обратите внимание на размерность. Сразу видно, что те же 10нм у Intel почти такие же как 7 нанометров у TSMC! Так что выходит Intel не так уж отстали от AMD и других производителей — они просто проиграли маркетинговую битву? Тут тоже все не так однозначно!

Внезапно по некоторым параметрам Intel даже выигрывают у TSMC.
Смотрите на 1 квадратный миллиметр 10нм кристалла Intel помещается примерно на 5 процентов больше транзисторов, чем на 7нм у того же Apple, Qualcomm или AMD.

Но при этом у повышенной плотности есть и минусы — увеличенный нагрев!

Значит получается что кристаллы Intel мощнее, но за счет плотности они больше греются. Таким образом, мы получаем тот самый пресловутый троттлинг.

А процессоры производства TSMC — Apple Qualcomm и AMD выигрывают именно за счет более просторного расположения транзисторов примерно тех же размеров.

Как они это делают — это скорее вопрос внутренней архитектуры, а не цифека, которая стоит в названии тех процесса.

Не думайте, что я забыл про архитектуру N7FF+ — да она еще плотнее чем у Intel, но если говорить о чипах серия AMD Zen 2, Applу A13, Snapdragon 865 — все сделаны на основе TSMC 7FF и она проигрывает в плотности Intel.

Единственный процессор, который уже производится по новой технологии N7FF+ с использованием экстремальной УФ-литографии — это Kirin 990 5G. Тут конечно плотность транзисторов сильно возрастает — аж на 15 процентов!

По идее производители просто идут по немного разному пути и если заглянуть в будущее, то становится понятно по какому: вот вам табличка того как все будет — чипы следующего поколения.

Нас интересует строчка про плотность транзисторов на 1 квадратный миллиметр!

По этим данным Intel более чем на 30 процентов обходит и Samsung, и TSMC в плотности транзисторов — и это при том, что тут мы сравниваем уже 7 нм у одного производителя и 5 у другого.

Откуда такой прирост? Как возможно такое повышение плотности — процы просто будут взрываться или работать только с навороченными система охлаждения?

Не совсем так. Все дело в том, что Intel планирует перейти на транзисторы совершенно другой структуры — под названием HNS — Horizontal Nano Sheets — это и позволит сделать скачок!

Но похожие планы есть и у Samsung — они идут немного в другую сторону к структуре Gate-All-Around FET.

Вот как это выглядит в реальности — не так симпатично, но вы только подумайте о том, какие они маленькие!

В итоге мы поняли, что за маркетинговыми названиями 7 нм и 5 нм скрывается битва архитектур, а в будущем мы сможем выяснить чей же путь был верным.

Что можно сказать абсолютно точно — нас ждёт огромный скачок среди всех чипов как мобильных так и десктопных уже в течение ближайших нескольких лет.

На этой ноте не хочется заканчивать тему процессоров, ведь мы изучили немало информации и документов, в том числе разобрались в процессе производства. Например, вы слышали о таком процессе Экстремальная Ультрафиолетовая Литография? Если на пальцах, это какая-то фантастика — капля олова превращается в плазму после попадания лазера: именно так создаются современные процессоры. Но сами установки может создавать только одна компания в мире и все гиганты от нее зависят.

Post Views: 4 545

Электроника Teltec

Электроника Teltec Эй сатт

Транзисторы

На этой странице вы найдете новые и бывшие в употреблении транзисторы, прошедшие испытания.

Сокращения

    hFE Коэффициент применения
    Uf Падение напряжения на диоде транзистора
    При поставке эти значения указаны
     

Транзисторы Дарлингтона

Этот список содержит новые (NOS) и протестированные транзисторы Дарнингтона.

Тип: BDX64A

Маркировка: BDX64A J7627

Описание: Power Transistor Audio

Тип транзистора: PNP

Рассеиваемая мощность: 117 Вт

Материал: Кремний

:

.972V

Доступные поставщики: Philips

Цена: 4,25 €

Силовые транзисторы бывшие в употреблении

Этот список содержит бывшие в употреблении и протестированные силовые транзисторы.

Тип: AD143R

Маркировка: AD143R 5L

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: PNP

Тип энергетики: 30W

Материал: GermS

УФ: 0.104V

Доступные поставщики: SGS ATES

Цена: 1,79 €

Тип: AD149

Маркировка: AD149 6918 D.G.

Описание: Power Transistor Audio

Тип транзистора: PNP

Тип энергетики: 27.5W

Материал: германий

UF: 0,073V

Цена: 0,13 €

Тип: Bdy38

Маркировка: BDY38 J7121

Описание: Audio Power Transistor

Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 115W

Материал: Silicon

УФ: 0,602V

Цена: € 4.25

Тип: OC26

Маркировка: OC26 4DB

Описание : Силовой аудиотранзистор

Тип транзистора: PNP

Мощность рассеивания: 12,5 Вт

Материал: германий

Uf: 0,126 В

Цена: 2 евро.36

Новые силовые транзисторы

Этот список содержит новые (NOS) и проверенные силовые транзисторы.

Тип: 2N1970

Маркировка: 2N1970 GM 417

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: PNP

Power Dissssion: 170W

Материал: Германие

УФ: 0,068V

Доступные поставщики: Delco

Цена: € 5.57

Тип: 2N3055

Маркировка: 2N3055 70004 Маркировка: 2N3055 7

Описание: Аудио Power Transistory

Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 115W

Материал: Silicon

UF: 0,494V

Цена: € 2.36

Тип: 2N3585

Маркировка: 2N3585 RR 431

Описание: Аудио энергетическая транзистор

Транзистор Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 35 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,573V

Доступные поставщики: RCA

Цена: € 4.25

Тип: 2n3792

Маркировка: 2n3792

Маркировка: 2n3792 602

Описание: Audio Power Transistory

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 150 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,513V

Доступные поставщики : Motorola

Цена: 2 евро.74

Тип: 2n5879

Маркировка: 2n5879 mex

Описание: Аудио энергетическая транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип энергетики: 150 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,529V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 8.5

Тип: 2SB772

Маркировка: B772 PM 95

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: PNP

Power Departsion: 12,5 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,613V

Доступные поставщики: NEC

Цена: 1 евро.42

Тип: 40310

Тип: 40310

Маркировка: 40310 CX0 8B

Описание: Audio Power Transistory

Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 29 Вт

Материал: Silicon

УФ: 0,522V

Доступные поставщики: RCA

Цена: 3,12 €

Тип: AD131

Маркировка: AD131 hc Y3

Описание: Силовой транзистор Аудио

Тип транзистора: PNP

Рассеиваемая мощность: 30 Вт

:004

Материал: Германий088V

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 2.74

Тип: AD139

Тип: AD139

Маркировка: E5 AD139 D240

Описание: Силовой транзистор Audio

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 7.5W

Материал: Германий

Уф. .5w

Материал: Германие

УФ: 0.132V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 6.14

Тип: AD148

Маркировка: AD148

Маркировка: AD148

Маркировка: AD148 X1 GG

Описание: Силовой транзистор Audio

Тип транзистора: PNP

Power Deposssion: 13.5W

Материал: Германий

УФ: 0,125 В

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 2.17

Тип: AD162

Маркировка: D5 AD162 D427

Описание: Энергетический транзистор Audio

Тип транзистора: PNP

Мощность рассеивания: 6 Вт

Материал: Германий

Uf: 0.104V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 2.17

Тип: AD162V

Маркировка: AD162V

Маркировка: AD 162V GK-S

Описание: Аудио транзистор

Тип транзистора: PNP

Power Departsion: 6W

Материал: Германий

Уф. Материал: Германий

Uf: 0.104V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 2.70005

Тип: au113

Тип: au113

Маркировка: au113 8737

Описание: Аудио Power Transistory

Тип транзистора: PNP

Удаление электропитания: 5W

Материал: Германия

Доступные производители: G SGS ATES

Цена: 2,74 €

Тип: BD106

Маркировка: BD106 B-061

Описание: Силовой аудиотранзистор

Тип транзистора: NPN

4,5 900

1 Мощность рассеивания Кремний

Uf: 0,617 В

Цена: 3 евро.68

Тип: BD124

Маркировка: BD124 G7314

Описание: Power Transistor Audio

Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 15W

Материал: Silicon

УФ: 0,623 В

Цена: € 1.79

Тип: BD178

Маркировка: BD178 2885

Описание: Силовой аудио транзистор

Тип транзистора: PNP

Рассеиваемая мощность: 30 Вт

Материал: Кремний

5 В

Uf: 0,50 €79

Тип: BD181

Маркировка: 3 BD185

Маркировка: 3 BD181 J7328

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 78 Вт

Материал: Silicon

UF: 0.505V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 4.25

Тип: BD182

Маркировка: BD182

Маркировка: BD182 J7437

Описание: Силовой транзистор Audio

Тип транзистора: NPN

Тип электропитания: 117W

Материал: Silicon

UF: 0.511V

Доступные продавцы: Philips RCA

Цена: € 4.25

Тип: BD291

Маркировка: BD291 01 J923

Описание: Силовой транзистор Audio

Тип транзистора: NPN

Тип электропитания: 60W

Материал: кремние

Уф.

Уф: 0.525V

Цена: € 0,80005

Цена: € 0.85

Тип: BD410

Маркировка: BD410

Маркировка: BD410 y386

Описание: Силовой транзистор Audio

Тип транзистора: NPN

Тип транзистора: 20W

Материал: Silicon

UF: 0.643V

. Доступные продавцы: Ti

Цена: € 0,85

Тип: BDW52C

Маркировка: BDW 52C 170005

Описание: POWER TRANSSISOR AUDIO

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 125W

Материал: Silicon

УФ: 0.531V

Доступные поставщики: CC

Цена: €

Цена: € 4.25

Тип: bdy20

Маркировка: bdy20

Маркировка: bdy20 j7517

Описание: Силовой транзистор Audio

Тип транзистора: NPN

Мотализатор: 115W

Материал: Silicon

Уф. Кремний

Uf: 0,6В

Доступные производители: Toshiba

Цена: €4.25

Тип: BU208

Маркировка: BU208 70005

Маркировка: BU208 7638 Британия

Описание: Высоковольтный транзистор РФ

Тип транзистора: NPN

Глаздовой диспетс: 55 Вт

Материал: Silicon

UF: 0.589V

Доступные поставщики: Ti Telefunken

Цена: € 1.7

Тип: € 1,7

Тип: ESM159

Маркировка: ESM159

Маркировка: ESM159 70005

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: PNP

Тип питания: 90W

Материал: Silicon

УФ: 1.1V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 3.6000

Тип: MJ2955

Маркировка: MJ2955

Маркировка: MJ2955 70004

Маркировка: MJ2955 7840

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 115W

Материал: Silicon

Уф. Кремний

Uf: 0,491В

Доступные производители: Motorola

Цена: €3.68

Тип: MJ15012

Маркировка: MJ15012 8201

Описание: Power Transistory Audio

Тип транзистора: PNP

Тип энергетики: 200W

Материал: Silicon

УФ: 0.541V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 3.68

Тип: Ti3027m

Маркировка: Ti 30 27 м 306 3

Описание: Силовой транзистор Аудио

Описание: Тип транзистора PR PNP

PRP

Материал питания: 106W

Материал: Германий

УФ: 0.202V

Цена: 1,79 €

Новые IGBT-транзисторы

Этот список содержит новые (NOS) и протестированные IGBT-транзисторы.

На данный момент у нас нет в наличии новых и протестированных IGBT-транзисторов.

Бывшие в употреблении сигнальные транзисторы

Этот список содержит бывшие в употреблении и испытанные сигнальные транзисторы.

Тип: 2N1613

Маркировка: 2N1613

Маркировка: 2N1613 949

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора

Тип транзистора

Материал питания: 3W

Материал: Silicon

UF: 0,667V

Доступные поставщики: Fairchild

Цена : €0.85

Тип: 2N2905A

Маркировка: 2N2905A 335

Описание: Линейный сигнал транзистор

Тип транзистора

Тип транзистора

Материал: 3W

Материал: Silicon

UF: 0,631V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: 0,85 €

Тип: AC107

Маркировка: AC 107 M

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Рассеиваемая мощность: 0,08 Вт

Материал: Германий

.154V

Цена: € 1,79

Тип: AC117

Маркировка: AC117

Маркировка: AC 117 70005

Маркировка: AC 117 79

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Главная Расположение: 0.4W

Материал: Германий

UF: 0,031V

Доступные производители: Telefunken

Цена: 1,79 €

Тип: AC121

Маркировка: AC121 cb V4

Описание: Сигнальный транзистор, короткие ножки

Тип транзистора: PNP

Мощность.9W

Материал: Германие

УФ: 0.132V

Доступные поставщики: Siemens

Цена: € 1.79

Тип: AC122

Маркировка: AC122

Маркировка: AC 122 WR

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Мощность власти: 0,06 Вт

Материал: Германий

УФ: 0.147V

Доступные продавцы: Telefunken

Цена: € 1.79

Тип: AC126

Маркировка: AC126

Маркировка: AC126 J7240

Описание: Сигнальный транзистор, короткие ножки

Тип транзистора: PNP

Мощность рассеяния: 0.5W

Материал: Германий

УФ: 0,099V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 1.799

Тип: AC127

Маркировка: AC127

Маркировка: AC127 L7440

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: NPN

Удаление: 0.34W

Материал: Германий

УФ: 0.140V

UF: 0.140V

Доступные поставщики: Philips Siemens

Цена: € 1.79

Тип: AC128

Маркировка: AC128 D

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора : PNP

Мощность рассеивания: 1 Вт

Материал: Германий

Uf: 0,15 В

Доступные производители: Philips

Цена: €1.79

Тип: AC150

Маркировка: AC150

Маркировка: AC150 NG 52

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип транзистора: 0.1W

Материал: 0.152V

UF: 0.152V

Доступные поставщики: Telefunken

Цена: € 1.79

Тип: AC151R

Маркировка: AC151R

Маркировка: AC151RV 70005

Описание: Сигнальный транзистор, короткие ножки

Тип транзистора: PNP

Удаление электропитания: 0,9 Вт

Материал: Германий

УФ: 0.136v

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 1.79

Тип: AC151IV

Тип: AC151IV

Маркировка: AC151IV

Маркировка: AC151 IV V8

Описание: Сигнальный транзистор, короткие ножки

Тип транзистора: PNP

Power Dissassion: 0,9000

Материал : Германий

UF: 0,093V

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 1.79

Цена: € 1.79

Тип: AC175K

Маркировка: AC175K

Маркировка: AC175K

Маркировка: AC175 33

Описание: Сигнальный транзистор, короткие ножки

Тип транзистора: NPN

: 1W

Материал: Германий

Uf: 0.128 В

Доступные поставщики: Telefunken

Цена: 2,08 €

Новые сигнальные транзисторы

Этот список содержит новые (NOS) и протестированные сигнальные транзисторы.

Тип: 2n525

Маркировка: 5 GE 2n525

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора

Тип транзистора

Тип питания: 225 мВт

Материал: Германие

УФ: 0,207V

Доступные поставщики: GE CS

Цена: € 2.74

Тип: 2N2222A

Маркировка: 2N 2222A

Маркировка: 2n 2222A 98805

Описание: Линия Сигнал Транзистор

Тип транзистора: NPN

Тип энергетики: 0,625 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,675V

Доступные производители: ST

Цена: €1.13

Тип: 2N2905A

Маркировка: 2N2905A 335

Описание: Линейный сигнал транзистор

Тип транзистора

Тип транзистора

Тип питания: 3W

Материал: Silicon

UF: 0,636V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 1.89

Тип: 2N2907

Маркировка: 2N2907 609

Описание: Логический транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип транзистора: 0,4WW

Материал: Silicon

UF: 0,646V

Доступные поставщики : Motorola

Цена: 1 евро.42

Тип: 2N2907A

Маркировка: 2N2907A 230

Описание: Логическая транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип транзистора: 0,4 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,641V

Доступные поставщики: Ti

Цена: € 1.89

Тип: 2N3866

Маркировка: 2N3866 CG9936

CG9936

Описание: UHF Transistory

Тип транзистора: NPN

Тип транзистора: 5W

Материал: Silicon

UF: 0,711V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: 2 евро.36

Тип: 2N4033

Маркировка: 2N4033

Маркировка: 2N4033 B7615

Описание: Линия сигнал транзистора

Тип транзистора

Тип транзистора

Материал питания: 4W

Материал: Silicon

UF: 0,598V

Цена: € 1.13

Тип: 2Sb22

Маркировка: 2SB22 80004 Маркировка: 2SB22 8

Описание: Линейный сигнал транзистора Audio

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 0,17 Вт

Материал: Германие

УФ: 0,035 В

Доступные поставщики: Sanyo

Цена: 2 евро.74

Тип: 2SC1845

Маркировка: C1845 FA77E

Описание: Сигнальный транзистор VHF

Тип транзистора: NPN

УДАБРАТЬСЯ СОЗДАНИЯ: 0.5W

Материал: Silicon

UF: 0.649V

Доступные поставщики: NEC

Цена: € 1.13

Тип: 17139

Маркировка: 17139

Маркировка: 17139 N121101

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора: NPN

Материал: SILICON

UF: 0,648V

Доступные поставщики: SGS

Цена: €1.13

Тип: 417801

Маркировка: 417801

Маркировка: 417801

Описание: VHF Tansistor

Тип транзистора: NPN

Материал: Silicon

UF: 0,731

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 0,47

Тип: AC107

Маркировка: AC 107

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Мощность рассеивания: 0,08 Вт

Материал: германий

Uf: 0,167 В

5 Цена: 902,00 €45

Тип: AC117

Маркировка: AC 117 79

Маркировка: AC 117 79

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип транзистора: 0,4 Вт

Материал: Германий

UF: 0.154V

Доступные поставщики: Telefunken

Цена: 2,45 €

Тип: AC121

Маркировка: AC 121 cb

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Рассеиваемая мощность: 0,9 Вт

9004

0 Материал: Германий177V

Доступные поставщики: Siemens

Цена: € 2,45

Тип: AC122

Маркировка: AC122

Маркировка: AC 122 WR

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Силовой бесспосот: 0,06 Вт

Материал: Германия

Уф.5W

Материал: германий

UF: 0,026V

Доступные поставщики: Philips Mullard

Цена: € 2.45

Тип: AC126

Маркировка: AC126

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Ударение: 0.5W

Материал: Германий

УФ: 0.103 В

УФ: 0.103 В

Доступные продавцы: Philips Mullard

Цена: € 2,45

Тип: AC127

Маркировка: C AC 127 BST

Описание: Сигнальный транзистор

транзистор тип: NPN

Мощность бесстрастия: 0.34W

Материал: Германий

УФ: 0.120V

Доступные продавцы: Valvo Philips

Цена: € 2.45

Тип: AC128

Маркировка: AC128

Маркировка: AC128 3YC

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Силовая бессмысленность: 1w

Материал: Германий

УФ: 0.170V

Доступные поставщики: Mullard Philips

Цена: € 2.45

Тип: AC128K

Маркировка: AC128 / 01 3 SH

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Мощность рассеивания: 1 Вт

Материал: Германий

Uf: 0.1V

Доступные продавцы: Philips

Цена: € 2.74

Тип: AC151R

Маркировка: AC151R

Маркировка: AC151RV 70005

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 0,9000

Материал: Германие

Uf: 0,108 В

Доступные производители: Siemens

Цена: 2,45 €

Тип: AC151V

Маркировка: AC151 VI

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

5

49w

Материал: Германие

УФ: 0.137 В

УФ: 0.137 В

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 2.45

Тип: AC152

Маркировка: AC152QA Y6

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Удаление: 0,9 Вт

Материал: Германие

УФ: 0,030 В

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 2.45

Тип: AC153K

Маркировка: AC153K VI SE

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Мощность рассеивания: 1 Вт

Материал: Германий

Uf: 0.123v

Цена: € 2.74

Тип: AC162

Маркировка: AC162

Маркировка: AC162

Маркировка: AC162 C12

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Тип транзистора: 0,9000

Материал: Германие

UF: 0.157V

Доступные продавцы: Siemens

Цена: € 2,45

Тип: AC176K

Маркировка: AC176K

Маркировка: AC176K

Маркировка: AC176K E 1E

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: NPN

Power Deparsion: 1W

Материал: Германие

УФ: 0 .114V

Доступные поставщики: Siemens

Цена: € 2.74

Тип: AC187K

Маркировка: AC187K

Маркировка: AC187K Y1

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: NPN

Power Power: 1W

Материал: Германий

UF : 0.116V

Доступные продавцы: Tungsram Philips

Цена: € 2.74

Тип: AC188

Маркировка: AC188

Маркировка: AC188

Маркировка: AC188

Маркировка: AC188

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Power Departsion: 1W

Материал: Германий

Уф: 0.11V

Доступные продавцы: Philips

Цена: € 2.45

Тип: AC188K

Маркировка: AC188K

Маркировка: AC188K

Маркировка: AC188 / 01 D J7414

Описание: Сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Power Power: 1W

Материал: Германий

УФ: 0.112V

UF: 0.112V

Доступные продавцы: Philips

Цена: €

Тип: € 2.74

Тип: AF121

Маркировка: AF121

Маркировка: AF121 2V4

Описание: Если транзистор

Тип транзистора: PNP

Power Departsion: 100 МВт

Материал : Германий

Uf: 0,392В

Доступные производители: Philips

Цена: €2.27

Тип: af124

Маркировка: AF124

Маркировка: AF124 2RM

Описание: VHF Transistory

Тип транзистора: PNP

СОБРАНИЙ: 65 МВт

Материал: Германие

УФ: 0,284V

Доступные поставщики: Philips

: € 2.74

Тип: af125box

Маркировка: AF 125 10 шт.

Описание: 10 ×

Описание: 10x VHF транзистор, до-72

Тип транзистора: PNP

Тип электропитания: 0,075 Вт

Материал: Германий

УФ: 0.5V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 13.12

Тип: € 13.12

Тип: af178box

Маркировка: AF178Box

Маркировка: AF 178 10 шт.

Описание: 10x VHF Transistory, до-12

Тип транзистора: PNP

Power Dissssion: 0,075 Вт

Материал: германий

UF: 0.5V

Доступные поставщики: Philips

Цена: € 13.12

Тип: € 13.12

Тип: BC107B

Маркировка: BC107B

Маркировка: BC107B 8C

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора: NPN

Power Drassion : 0,75Вт

Материал: Кремний

Uf: 0,671В

Доступные производители: Siemens

Цена: €1.32

Тип: BC108B

Маркировка: BC108B 2Y

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора: NPN

Тип питания: 0,6 Вт

Материал: Silicon

UF: 0,662V

Доступные поставщики: Siemens TFK Ti SGS

Цена: € 1.42

Тип: BC177

Маркировка: BC177

Маркировка: BC177 237

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора: PNP

Тип питания: 0,3 Вт

Материал: Silicon

УФ: 0,657 В

Цена: 1 евро.42

Тип: BC548B

Маркировка: BC548B K7K

Описание: Линейный сигнал Транзистор

Тип транзистора

Тип энергетики: 0,625W

Материал: Silicon

UF: 0,650V

Цена: € 0,28

Тип: BC557B

Маркировка: C557B 3D

Описание: Сигнальный транзистор Audio

Тип транзистора: PNP

Тип энергетики: 0.5W

Материал: Silicon

UF: 0.665V

Доступные поставщики: Motorola

: €0.28

Тип: BCY59VIII

Маркировка: BCY59VIII TE

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора

Тип энергетики: 390 мВт

Материал: Silicon

УФ: 0,681V

Доступные поставщики: TFK

Цена: € 1.13

Тип: BFX34

Маркировка: BFX34 001

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора: NPN

Тип электропитания: 5W

Материал: Silicon

УФ: 0,597V

Доступные поставщики: Fairchild

Цена: 2 евро.74

Тип: N12001

Маркировка: N12001 E5

Описание: Линейный сигнал Транзистор

Тип транзистора: PNP

Материал: Silicon

УФ: 0,705V

Доступные поставщики: Tag

Цена: € 1.42

Тип: N12003

Маркировка: N12003 27436

27436

Описание: Линейный сигнал транзистора

Тип транзистора

Материал: Silicon

УФ: 0,623V

Цена: € 1.42

Тип: N120103

Маркировка: N120103 87209

Описание: Линейный сигнальный транзистор

Тип транзистора: PNP

Материал: Кремний

Uf: 0,632 В

Доступные производители: SGS

Цена: €1.13

Тип: N121102

Маркировка: N121102 223

Описание: Линейный сигнал транзистор

Тип транзистора: NPN

Материал: Silicon

УФ: 0,682V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 1.42

Тип: S31874

Маркировка: S31874

Описание: Линейный сигнальный транзистор

Тип транзистора: NPN

Материал: Кремний

Uf: 0,696В

Доступные поставщики: Fairchild13

Тип: TH00152

Маркировка: TH00152 512

Описание: Сигнальный транзистор Audio

Тип транзистора: PNP

Материал: Silicon

УФ: 0.639V

Доступные поставщики: Motorola

Цена: € 1.13

Новые FET-транзисторы

Этот список содержит новые (NOS) и протестированные FET-транзисторы.

Тип: 2N7000

Маркировка: 2N7000 C9118

Описание: FETlington

Тип транзистора: N-E-MOS

Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт

4 2.5

0 Материал: 0.0f Silicon2V

Доступные поставщики: ST

Цена: 0,28 €

Новые тиристоры

Этот список содержит новые (NOS) и протестированные тиристоры.

Тип: 3N84

Маркировка: 3N84 A138GG

Описание: SignaltyRistor

Тип транзистора: PNPN

Тип транзистора: 0,32W

Материал: Silicon

Напряжение ворот: 0,652V

Цена: € 2.74

Новые тиристоры с винтовым креплением

В этом списке представлены новые (NOS) и испытанные тиристоры с винтовым креплением.

Тип: C15AX570

Маркировка: C15AX570 8026

Описание: Эффекттиристор

Тип транзистора:

Цена: 1,79 €

Тип: Kyl-TO18

Маркировка: Синий

Описание: Радиатор TO-18

Тип транзистора:

Цена: 0,47 €

Тип: Kyl-TO5

Маркировка: Синий 9004 TO-5

Тип транзистора:

Цена: 0 €.94

×

Узнать больше о транзисторах

Teltec i Stockholm HB, Nybodavägen 21, 17761 Järfälla, Швеция, +46-8-331705

Тестер транзисторов Руководство пользователя – kookye.com

Бьямбер Руководство пользователя тестера транзисторов

Руководство пользователя для проверки транзисторов

I Введение

Этот измеритель представляет собой интеллектуальный анализатор полупроводниковых устройств, он может измерять большинство диодов, биполярных транзисторов, полевых МОП-транзисторов и маломощных тиристоров.Он автоматически определяет тип устройств и выводов, измеряет коэффициент усиления по току HFE, порог затвора и емкость перехода полевых транзисторов. Типичное применение — соединение двух транзисторов или идентификация неизвестного SMD-устройства. Тестовые зажимы можно соединять любым способом, вывод контактов можно идентифицировать и отображать на экране в зависимости от номеров тестовых зажимов. Помимо анализатора полупроводниковых устройств, этот измеритель также может работать как измеритель ESR, точность ESR может не конкурировать с профессиональным, но он определенно удовлетворяет потребности большинства приложений.

II Спецификация

Рабочая мощность: ДВ 9В

Ток в режиме ожидания: 0,02 мкА

Рабочий ток: 25 мА

Диапазон резисторов: 0,1 Ом–50 МОм

Диапазон конденсаторов: 25 пФ-100000 мкФ

Диапазон индуктивности: 0,01 мГн – 20Гн

Инструкции

  1. На обратной стороне испытательного приспособления есть несколько цифровых кодов, таких как 1, 2 и 3. Вставьте тестируемое устройство в тестовое приспособление и нажмите кнопку, чтобы начать, измеритель определит и отобразит вывод по сравнению с выводом.номера клипов на экране.
  2. Когда тестируемое устройство имеет два контакта, вы можете выбрать другую комбинацию зажимов в качестве тестового контакта, т. е. 1-2, 1-3 или 2-3. Если тестируемое устройство имеет полярность, полярность может быть определена и отображена соответствующим образом.
  3. Если тестируемое устройство имеет три контакта, вы можете выбрать различные комбинации тройных зажимов в качестве тестовых клемм, т. е. 1-2-3, 2-3-1 или 3-2-1.

III Характеристики

  1. Работает с микроконтроллерами ATmega328.
  2. Операция одной клавишей с автоматическим отключением питания.
  3. Ток отключения составляет всего около 20 нА.
  4. Автоматическое обнаружение биполярных транзисторов NPN и PNP, N- и P-канальных MOSFET, JFET, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
  5. Автоматическое определение расположения контактов обнаруженной детали.
  6. Измерение коэффициента усиления тока и порогового напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов.
  7. Транзисторы Дарлингтона
  8. можно идентифицировать по пороговому напряжению и сильному коэффициенту усиления тока.
  9. Обнаружение защитного диода биполярных транзисторов и МОП-транзисторов.
  10. Измерение порогового напряжения затвора и емкости затвора МОП-транзисторов.
  11. Измеряется и отображается до двух резисторов с символами и значениями, содержащими до четырех десятичных цифр в правильном размере. Все символы окружены номерами датчиков тестера (1-3). Таким образом, потенциометр также может быть измерен. Если потенциометр настроен на один из его концов, тестер не сможет различить средний и крайний штифты.
  12. Разрешение измерения резистора теперь до 0,01_, определяются значения до 50M_.
  13. Можно обнаружить и измерить один конденсатор. Он отображается с символом и значением, содержащим до четырех десятичных цифр в правом измерении. Значение может быть от 25 пФ до 100 мФ. Разрешение может быть до 1 пФ.
  14. Для конденсаторов емкостью выше 2 мкФ эквивалентное последовательное сопротивление (ESR) измеряется с разрешением 0,01_ и отображается с двумя значащими десятичными цифрами.
  15. До двух диодов показаны символом или символом в правильном порядке. Кроме того, напряжения потока равны

показано.

  1. Светодиод определяется как диод; напряжение потока намного выше нормального. Светодиоды «два в одном» также распознаются как два диода.
  2. Стабилитроны могут быть обнаружены, если обратное напряжение пробоя ниже 4,5 В. Они показаны как два диода, вы можете идентифицировать эту часть только по напряжениям. Внешние номера щупов, окружающие символы диодов, в этом случае идентичны.Определить настоящий Анод диода можно только по пробойному

(порог) Напряжение около 700мВ!

  1. Достаточно одного измерения, чтобы определить соединения мостового выпрямителя.
  2. Конденсаторы емкостью менее 25 пФ обычно не обнаруживаются, но могут быть измерены вместе с параллельным диодом или параллельным конденсатором емкостью не менее 25 пФ. В этом случае вы должны вычесть значение мощности параллельно подключенной части.
  3. Для резисторов ниже 2100 также будет производиться измерение индуктивности, если в вашей ATmega есть хотя бы 16К флеш памяти.Диапазон будет примерно от 0,01 мГн до более чем 20Гн, но точность не очень хорошая. Результат измерения отображается только при подключении одного компонента.
  4. Тиристоры и симисторы могут быть обнаружены только в том случае, если тестовый ток выше тока удержания. Некоторым тиристорам и симисторам требуется более высокий ток срабатывания затвора, чем может обеспечить этот тестер. Доступный тестовый ток составляет всего около 7 мА!

IV Особое внимание:

  1. Полностью разрядите конденсаторы перед измерением, в противном случае это может повредить измеритель.
  2. Принимая во внимание точность тестирования, заменяйте батареи, когда их заряд низкий.
  3. Регулировка яркости: Продолжайте нажимать кнопку питания и войдите в интерфейс регулировки контрастности.
  4. Примечание. Когда цифра контрастности яркости превышает 50, ничего нельзя прочитать по вертикали, но вы можете наклонить экран, чтобы просмотреть содержимое экрана. Если значение контрастности до максимального числа 63 и нажмите кнопку, чтобы ввести минимальное значение 0, затем нажмите и удерживайте кнопку 20 раз, теперь вы можете прочитать его.
  5. Исправление ошибки: Пожалуйста, подготовьте все необходимое и следуйте следующей процедуре.

Метод калибровки:

1) Выключите счетчик. Используйте 2 провода, чтобы закоротить маленький металлический лист, отмеченный цифрами 1, 2 и 3; не отсоединяйте провода короткого замыкания до шага 3.

2) Нажмите кнопку запуска, чтобы включить счетчик. На экране отобразится режим самопроверки, во второй строке появится ? Отметка. Еще раз быстро нажмите кнопку запуска, и начнется калибровка.

3) Когда на экране отобразится изолирующий датчик T4, отсоедините провода короткого замыкания.

4) Когда на экране появится 1-II-3 >100 нф, подключите к измерителю неполярный конденсатор (>100 нф), процедура калибровки будет продолжаться до завершения.

В Примеры испытаний

1.

Показывает, что к тестовым клеммам не подключено ни одно устройство или неизвестная деталь. Возможно также, что устройство было повреждено.

  1. Проверка симистора

Показывает, что ИУ представляет собой симистор, тестовые клеммы 1, 2 и 3 подключены к управляющему затвору G, аноду А, аноду К.

  1. Проверка диода

Это показывает, что ИУ представляет собой диод, тестовая клемма 1 подключена к катоду, а тестовая клемма 2 подключена к аноду. Прямое напряжение составляет 1,91 мВ. Емкость перехода составляет 4 пФ.

  1. Проверка конденсатора

Это показывает, что ИУ между клеммами 2 и 3 представляет собой конденсатор. Емкость = 991,7 мкФ, ESR = 0,02 Ом, потеря напряжения составляет 1,5%.

  1. Проверка резистора

Это показывает, что тестируемое устройство имеет тип 82.Резистор 57к, между клеммами 1 и 2.

  1. Проверка полевого МОП-транзистора

Это показывает, что тестируемое устройство представляет собой PMOS FET, тестовые клеммы 1, 2 и 3 подключены к контактам S, D и G. Между S и D находится защитный диод, анод диода подключен к D, а катод диода подключен к S. Емкость перехода 673 пФ; пороговое напряжение затвора 3,05В..

StudyTiengAnh.vn | Học Tiếng Anh Online

Тай Чт

99k бао гом cả xem phim cả học ạ

07.03.2019 16:29:24

Тру луи admin Quản trị viên

Phần này chỉ gồm phần trên веб-исследование tienganh b nhé.

07.03.2019 16:31:12

Ан Нгуен

nếu học về 12 thì thì e phải học từ thi hiện tại đơn phải k ạ

07.03.2019 16:28:58

Тру луи admin Quản trị viên

Lớp 12 học kha nhiều thì k chỉ riêng hiện tại đơn b nhé.

07.03.2019 16:31:11

Лай Фан Суан

vip trên web hạn dùng bao lâu vậy

07.03.2019 16:28:54

Тру луи admin Quản trị viên

Дунг Чонг 1 Нам Б Нхе

07.03.2019 16:31:09

Нгок Хо Доан

minh đã nạp vip, vui long check giup minh

2018-11-13 21:29:29

Тру луи Ту Льен Вонг

чо мк hỏi chi phí học với, mk k rõ

13.11.2018 21:29:26

Тру луи Фуонг Нгуен

чо Mình Hỏi Mình đang học được 50% Trong Các Thiì Hiện Tại (Phần Ngữ Pháp), Giờ Mình MUốN HọC Lại Từ đầ Các Hiện Tại Thiì Phải Thực Hiện Thao Tác J ạ

2018-08-26 23:43:53

Тру луи До Тхань

запрет на сотрудничество Муа Сах Тхам Као Хоак Тим стринги олова Тре Манг Co крыса nhieu видео ту HOC делать!

2018-09-30 20:26:27

admin Quản trị viên

Чао бон.Cac bài trong phần ngữ pháp bạn nhấp ở thanh ben phải nó có cho chuyển bài nhé.

2018-08-26 23:59:32

Лай Фан Суан

Mình đã nạp vip, vui long check sớm giup minh

2018-08-26 23:43:41

Тру луи admin Quản trị viên

Электронная почта này VIP rồi bạn nhé

2018-08-26 23:59:34

Лин Фам

chị ơi có dịch vụ cào thẻ điện thoại ko chị

16.08.2018 23:29:50

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон.Hiện chỉ có Hình thức chuyển khoản b nhé. Hình thức thẻ cào hiện đang bảo trì.

2018-08-16 23:31:02

Вонг Ван Ань

e chỉ cần nạp vip 1 lần r sử dụng luon dc 2 webside luon hay sao ad

16.08.2018 23:29:48

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон. Веб-сайт Cac la riêng biệt bạn nhé

2018-08-16 23:31:01

Тонг Нгуен

Em chào anh / chị ạ.
Sáng Nay Em đđ đđg ký vip voo tài khoản của em ở trang web studyphim, vậy nên em muốn hỏi là bao giờ anh chị káả nhận vê việc chuyn khoản vàn vip cho tài khoản của em ạ
em cảm ơn nh ạ

20.07.2018 16:09:01

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон.Tài Khản ở Studyphim bạn gọi đến số 01677867319 để xac nhận nhé.

20.07.2018 16:10:22

Ван Ань Дао

Сан Минь Нэп Вип Руи Ма Тк Вон Хиен Ко Фой Вип

20.07.2018 16:08:51

Тру луи admin Quản trị viên

Mình check thấy tài khoản bạn la VIP rồi nhé. Bạn đăng nhập lại và kiem tra giup minh

20.07.2018 16:10:21

Чиен до

чо е hỏi nếu нэп vip thì minh hk đc tất cả các bài trên web đúng ko ạ ?

05.05.2018 13:09:37

Тру луи admin Quản trị viên

Донг Рой Бан Нхе

05.05.2018 13:10:07

Фат Бо

phần từ vựng директриса trong https://www.Studytienganh.vn/exam/178
bị sai lỗi dẫn đến phần kiem tra từ cung bị sai. Монг ад Чон Соа

05.05.2018 13:09:27

Тру луи admin Quản trị viên

Cảm ơn b đã báo lỗi. Веб-сайт sẽ kiểm tra lại

05.05.2018 13:10:06

Транг Нгуен

e muon dang ky goi vip nhung goi vao so горячая линия k dk a

05.05.2018 13:02:49

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон. Горячая линия Hiện tại số vẫn động binh thường b nhé

05.05.2018 13:09:24

Транг Ла

привет ань / чо
em đã chuyển khoản và nt vào горячая линия rồi ạ.Ань Чо чек гим эм вой ạ

05.05.2018 13:02:44

Тру луи Трунг Хиу

có nạp vip bằng thẻ đt ko ad

05.05.2018 13:02:40

Тру луи Хонг Ли Нгуен

Chao ad, bao giờ thì mới đăng kí được bằng thẻ điện thoại ạ?

05.05.2018 13:02:38

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон. hiện tại thẻ cào điện thoại nhà mạng ngừng cung cấp rồi bạn nhé

05.05.2018 13:09:23

Энни Во

Sao minh khong nghe được phát am vậy ad?

17.04.2018 12:52:13

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон.Bạn nhấp vào biểu tượng loa có thể nghe được nhé. Nếu mạng chậm thì nó sẽ bị delay để load am thanh

17.04.2018 12:53:47

Димп

Cho em hỏi la веб-сайт minh có liên kết với ben studyphim không ạ. em muốn học cả 2 бен nhưng ngặt nỗi con la học sinh nên khong có thẻ ngân повесить nạp cả 2 бен được ạ. em có thể thanh toán cả bên phim với ben nay bằng thẻ cào được không ạ

17-04-2018 12:52:05

Тру луи admin Quản trị viên

Dạ chào bạn.Hình thức thẻ cào nhà mạng hiện tại tạm ngừng cung cấp rồi bạn nhé

17-04-2018 12:53:45

Минь Нгок Ву

чо эм hỏi đăng kí lên vip thì có nhung lợi ich gì vậy ạ?

28.03.2018 12:29:11

Тру луи Во Тхань Нга

ơ cho e hỏi là hôm đầu tiên e nạp thẻ học đấy 99k chưa phai là thành viên vip ạ. 🙁

17-04-2018 12:52:08

admin Quản trị viên

Чао бон. Nếu đăng ký VIP thì được học toàn bộ bai học trên веб-сайт bạn nhé

2018-03-28 12:31:07

Нгуен Дин Хонг

sao em nạp bằng thẻ mobifone mà mãi không nạp được ạ

28-03-2018 12:29:08

Тру луи admin Quản trị viên

Hiện tại kênh thẻ cào đang bảo trì bạn nhé

2018-03-28 12:31:06

Хай Йен Нгуен

Объявление ơi.Ở бен Studyphim mình có đki bằng gmail nhưng gmail đó m quên mật khẩu, vậy vẫn có thể chuyển khoản và nâng cấp đc bt à?

28-03-2018 12:29:04

Тру луи admin Quản trị viên

Dạ. Anh chi phải nâng cấp VIP vào электронная почта nào mà minh có thể đăng nhập được nhé

2018-03-28 12:31:04

Фам Тханг

Đề nghị sửa lỗi chưa tương thích với điện thoại học bị che chữ rất khó chịu. Трен Ipad và может быть chạy ổn.

28.03.2018 11:46:12

Тру луи admin Quản trị viên

Cảm ơn bạn đã góp ý. Веб-сайт sẽ khắc phục ngay

2018-03-28 12:31:03

Хюен Донг

чо е hỏi hiện giờ cac bài học đều ở dạng công khai vậy thành viên VIP nạp thẻ có ưu thế gì hơn ạ?

28.03.2018 11:46:10

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон. Nếu đăng ký VIP sẽ được học toàn bộ dữ liệu trên веб-сайт bạn nhé

28-03-2018 12:31:01

Воспоминания Фам

nên học ở studytienganh trước hay học study phim trước ạ,,,cho e xin lời khuyên với ạ

19.03.2018 16:34:27

Тру луи admin Quản trị viên

Привет бон.Nếu bạn chưa có kiến ​​thức cơ bản nên học ở Studytienganh để update lại kiến ​​thức nền tảng nhé. Sau đó học trên Studyphim sẽ hiệu quả hơn

19.03.2018 16:36:51

Чи Фонг

Mình đã nạp VIP và thấy web rất ổn nhưng thi thoảng vẫn còn vài lỗi nhỏ mong ad chú ý fix lại nhé.

19.03.2018 16:34:25

Тру луи admin Quản trị viên

Cảm ơn bạn đã góp ý. Веб-сайт sẽ cố gắng phát triển trong thời gian tới

19.03.2018 16:36:50

Туонг Нгуен

bao giờ thì mới đăng kí được bằng thẻ điện thoại ạ?

19.03.2018 16:34:22

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон.Hiện tại hệ thống nạp thẻ bảo trì trong vong 1 tuần b nhé

19.03.2018 16:36:49

Тоа Ву

sao e nạp tiền vào tài khoản mà веб-сайт ghi lỗi nạp thẻ ạ

19.03.2018 16:34:14

Тру луи admin Quản trị viên

Чао бон. Hiện tại hệ thống nạp thẻ cào bảo trì trong 1 tuần bạn nhé.

19.03.2018 16:36:47

Во Тхи Хонг Хан 1650103017

Trang web này thật tuyệt. Nó hầu như là đầy đủ nhung thứ cần phải học.Em chỉ mới vừa la thành viên của trang này và chưa lên vip. Cho Em hỏi là có giới hạn thời gian lên vip k? Hay là khi nào e muốn lên Vip cũng đc? Lên Vip 99k Kéo dài trong bao lâu thì hết chương trình khuyến mãi?

06.03.2018 11:04:12

Тру луи admin Quản trị viên

Dạ. Hiện tại vẫn còn chương trình em nhé. Em cứ học thử nếu thấy hiệu quả hẳn đang ký VIP nhé

06.03.2018 11:10:49

Ле Трун Нхо Куан

учеба анх.vn và Studyphim.vn là mua 2 goisvip riêng à ad

06.03.2018 11:04:05

Тру луи admin Quản trị viên

Đúng rồi em nhé.

2018-03-06 11:10:48

Тестер транзисторов (VPL-TT-8840) — VPL Infotech & Consultants

Тестер транзисторов VPL-TT-8840 предназначен для проверки транзисторов, полевых транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и т. д. С тестированием ESR конденсатора.

ХАРАКТЕРИСТИКИ:
  • Автоматическое обнаружение биполярных транзисторов PNP и NPN, N, P – канальных MOSFET, полевых транзисторов JFET, диодов, двух диодов, тиристоров, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности.
  • Измерение коэффициента усиления по току биполярного транзистора (B) и напряжения включения эмиттерного перехода (Uf). Транзистор Дарлингтона можно идентифицировать по коэффициенту усиления высокого порогового напряжения и высокого тока.
  • Может v обнаруживать биполярные транзисторы и защитный диод MOSFET внутри и отображать их на экране.
  • Пороговое напряжение и измерение емкости затвора MOSFET.
  • Разрешение измерения сопротивления составляет 0,1 Ом, максимальное измеренное значение 50 МОм.
  • Диапазон измерения емкости от 25 пФ до 100 мФ (10 Вт мкФ). Разрешение до 1 пФ, диапазон измерения индуктивности 0,01 мГн-20Гн, в противном случае он будет отображаться как сопротивление, если сопротивление индуктора постоянному току выше 2100 мкГн также отображается как сопротивление.
  • Can v обнаружил большее количество конденсаторов, эквивалентное последовательному сопротивлению (ESR), с разрешением 0,01 Ом. Эта функция очень важна для определения производительности емкости.
  • Два диода могут отображать символы в правильном направлении, а также отображать прямое падение напряжения.
  •  Время каждого теста составляет около двух секунд, только измерения большой емкости и индуктивности займут много времени.
ДИАПАЗОН ИСПЫТАНИЙ ОПИСАНИЕ:
  • Диапазон транзисторов: 2 или менее (включая 2) PN перехода, состоящего из транзисторов, не имеющих другого внутреннего резистивного и емкостного оригинала.
  • Измерение сопротивления 0,5Ом-50МОм
  • Измерение индуктивности 0,01 мГн-20Гн
  • Измерение емкости 25 пФ – 100000 мкФ

 


Примечание: Спецификации могут быть изменены, добавлены или вычтены без предварительного уведомления в результате наших постоянных усилий по улучшению.

Новый транзистор может поддержать эволюцию компьютеров

Февраль 2001 г.

Новый транзистор может поддержать эволюцию компьютеров

WEST LAFAYETTE, Ind. – Инженеры Университета Пердью получили новую информацию, противоречащую самым ужасным предсказаниям о скором прекращении действия закона Мура, общего правила, играющего ключевую роль в развитии и успехе компьютерной индустрии.

Правило гласит, что количество транзисторов на компьютерном чипе удваивается примерно каждые 18 месяцев, что способствует быстрому развитию компьютеров и телекоммуникаций.Удвоение количества устройств, которые могут поместиться на компьютерном чипе, приводит к аналогичному увеличению производительности.

Поскольку это удвоение требует, чтобы схемы становились все меньше и меньше, считается, что ограничения физики вскоре сделают невозможным продолжение в том же темпе или что в конечном итоге дальнейшее сжатие схем станет слишком дорогим, что будет препятствовать дальнейшему прогрессу. Некоторые наблюдатели предсказывают, что закон Мура рухнет примерно через десять лет.

Однако новый инструмент моделирования показал, что инновационный тип транзистора может поддерживать закон Мура в силе до 2025 года или дольше.Это дало бы ученым передышку для разработки совершенно новых технологий для замены интегральных схем, изготовленных из кремния.

Инструмент моделирования был разработан исследовательской группой под руководством Марка Лундстрема и Суприйо Датты, профессоров электротехники и вычислительной техники Университета Пердью. Также в команду входят Деян Йованович, ученый-вычислитель из Motorola Inc., и профессор Джерри Фоссум, эксперт по передовым кремниевым транзисторам из Университета Флориды.

Аспирант Жибин Рен обсудит результаты исследования в среду (13 декабря) во время Международной конференции по электронным устройствам, организованной Институтом инженеров по электротехнике и электронике в Сан-Франциско.

Инструмент моделирования проверил работу экспериментального транзистора, называемого транзистором с двойным затвором, который пропускает вдвое больший электрический ток и может работать более чем в два раза быстрее, чем обычные устройства. Лундстрем продемонстрировал, что транзисторы с двойным затвором, длина которых составляет одну десятую длины лучших обычных транзисторов, могут работать так же хорошо, как современные устройства. Критические компоненты транзисторов, электроды, известные как затворы, имеют длину всего 10 нанометров по сравнению со 100 нанометрами для обычных транзисторов.Чтобы представить эти размеры в перспективе, эритроцит человека имеет диаметр около 7500 нанометров, а один нанометр составляет примерно 10 атомов в ширину.

Исследователи обеспокоены тем, что, поскольку размер транзисторов меньше 100 нанометров, будет сложно поддерживать высокую производительность и качество изготовления.

Основная проблема заключается в том, что обычные кремниевые транзисторы, выключатели, которые делают возможной твердотельную электронику, перестают функционировать при толщине ниже определенной. Это потому, что при таких малых размерах квантовая механика, в которой электроны ведут себя как волны и частицы, начинает оказывать заметное влияние на производительность.По сути, ультратонкий слой изоляционного материала в таких маленьких транзисторах не сможет остановить поток электронов, и транзистор больше не будет функционировать как переключатель.

Однако эту проблему можно решить с помощью транзисторов с двойным затвором, сказал Лундстрем.

Новый инструмент моделирования оценивает характеристики транзистора с помощью сложной методики, ранее использовавшейся Datta для моделирования электропроводности отдельных молекул. Применительно к транзисторам тот же метод предсказывает, что транзистор с двойным затвором может продолжать хорошо работать при длине затвора всего 10 нанометров и, возможно, даже меньше, сказал Лундстрем.

«Это означает, что если бы мы могли научиться производить подобное устройство, мы могли бы распространить закон Мура на 2025 год», — сказал он. Исследователи из Purdue, Калифорнийского университета в Беркли и Исследовательского центра IBM Watson уже продемонстрировали рабочие транзисторы с двойным затвором.

Во время конференции в Сан-Франциско Лундстрем объявит, что инструмент моделирования под названием nanoMOS теперь доступен любому исследователю, который захочет его использовать. Инженеры Purdue сделают этот инструмент доступным через необычную систему под названием Purdue Nanotechnology Simulation Hub, или nanoHub.

Нет необходимости загружать программное обеспечение для моделирования или изучать новые операционные коды, поскольку nanoHub использует платформу сетевых вычислений, которая автоматически позволяет пользователям компьютеров запускать программы с помощью обычных веб-браузеров. Они просто приобретают учетную запись и начинают использовать программное обеспечение.

Исследователи Purdue говорят, что им известны только две другие команды в мире, которые создали аналогичные «полностью квантовые» инструменты моделирования. Но эти инструменты были разработаны в частном секторе и недоступны для исследовательского сообщества в целом.

«Мы хотим ускорить прогресс в области наноэлектроники, сделав этот инструмент доступным для всех», — сказал Лундстрем.

Доступ к nanoHub можно получить по адресу www.nanohub.purdue.edu.

Источники: Марк Лундстрем, (765) 494-3515, [email protected]

Суприё Датта, (765) 494-3511, [email protected]

Писатель: Эмиль Венере, (765) 494-4709, [email protected]

Служба новостей Purdue: (765) 494-2096; [email protected]


РЕЗЮМЕ

Баллистический нанотранзистор: имитационное исследование

Жибин Рен, Рамеш Венугопал,
Суприё Датта и Марк Лундстрем

Purdue University, West Lafayette, IN
Dejan Jovanovic, Motorola/LANL, Los Alamos
Jerry Fossum, University of Florida, Gainesville, FL

Конструктивные и физические аспекты баллистических полевых МОП-транзисторов с двойным затвором (DG) исследуются с использованием полуклассического и квантового моделирования.Мы обнаружили, что туннелирование от истока к стоку увеличивает ток покоя, но уменьшает ток включения для модели транзистора L=10 нм. Мы также показываем, что туннелирование исток-сток устанавливает предел масштабирования менее чем примерно L = 10 нм, но для достижения этого предела необходимы сверхтонкие тела для управления классическими двумерными эффектами короткого канала. Наконец, мы показываем, что для достижения целевых характеристик при низких напряжениях необходимы почти баллистические характеристики, и мы оцениваем подвижность, которая потребуется для этих ультратонких кремниевых пленок.


На страницу новостей и фотографий Purdue

Педаль эффектов Arbiter Fuzz Face — германиевые транзисторы — Legacy Personal Blogs — Personal Blogs

Германиевая педаль Fuzz Face была первой итерацией знаменитой педали Dallas Arbitor Fuzz Face, первоначально выпущенной в 1966 году. думаю, что долговечность этой педали отчасти объясняется ее очень простой конструкцией. Есть четыре резистора, три конденсатора, два потенциометра и два транзистора… вот и все. Оригинальные резисторы были 1/2-ваттные из углеродного сплава с допуском 10%.Входной конденсатор представлял собой электролитический аксиальный провод емкостью 2,2 мкФ. Конденсатор от протирочного наконечника пушистой емкости к земле был электролитическим на 20 мкФ с осевыми выводами. Конденсатор емкостью 0,01 мкФ, подключенный к третьему выступу регулятора громкости, был изготовлен из металлизированного полиэстера. Первоначальные версии Fuzz Face были оснащены германиевыми транзисторами PNP. Использовались как минимум три типа: NKT275, AC128 и SFT363E. Эти три транзистора довольно трудно найти в наши дни. Однако с этими ранними германиевыми педалями была проблема: транзисторы выходили из строя, если температура окружающей среды становилась слишком высокой, однако это не было проблемой для более поздних кремниевых педалей.

 

Несколько месяцев назад, когда я собирал кремниевую педаль Fuzz Face, Джон Клифт прислал мне 2 старых германиевых транзистора. Я полагаю, что эти транзисторы из 60-х годов, и Джон считает, что эти транзисторы были бы хорошо встроены в педаль Fuzz Face. Некоторое время назад я построил педаль Fuzz Face на основе кремниевых транзисторов и сказал, что в будущем я сделаю фузз на основе германия, что ж, кажется, сейчас подходящий момент, чтобы собрать германиевый фузз и попробовать транзисторы, которые мне прислал Джон.Транзисторы — старые транзисторы Sony, один имеет коэффициент усиления около 30, а другой — около 50. Они оба NPN. Единственная информация, которую Джон смог найти о транзисторах в Интернете, гласит, что они германиевые. Похоже, что это правильно — напряжение база-эмиттер с использованием диодного теста измерителя составляет 490 мВ в одном случае и 530 мВ в другом, что ниже, чем у кремниевого устройства.

 

 

В завершение приведем наблюдения Джонса, когда он тестировал германиевые транзисторы на своем телескопе, воспроизведенные из сообщения в блоге Silicon Fuzz Face.

 

Германиевые транзисторы работают нормально. Вот формы волны. Желтая кривая — это вход — это просто синусоида 200 Гц, исходящая от генератора сигналов. Затем я подключаю его через резистор 4k7, чтобы имитировать сопротивление обмотки катушки звукоснимателя перед конденсатором 2,2 мкФ. Синяя трасса — это результат. Я не заморачивался с регулировкой уровня 500k на выходе, так что это уровень на максимуме. Я увеличил размер резистора 330R до 2,2k, потому что уровень сигнала был очень низким.

 

 

 

Вот что делает та же схема с транзисторами 2N3904. [Обратите внимание, что вертикальные масштабы разные.] Это кремний, с разумным fT, хотя усиление среднее (около 220 или что-то в этом роде). Это снова с 330R.

 

 

На этот раз усиления достаточно для точного клипа. Регулятор 1k изменяет наклон краев (что влияет на содержание высоких частот).

 

 

Затем Джон сделал еще одно сообщение, так как он сделал неверное предположение в своих первоначальных сообщениях о выходном конденсаторе…………

 

Я сделал неправильное предположение с приведенными выше сообщениями. Я предполагал, что конденсатор связи на выходе будет передавать сигналы без изменений, управляя потенциометром 500k, но это не так. Постоянная времени настолько мала, что действует как дифференциатор. Итак, приведенные выше трассы показывают сигнал на стыке 330R и 8.Резисторы 2k не представляют выход педали.

 

Я добавил на макетную плату конденсатор 10 нФ и резистор 330 кОм (чтобы имитировать потенциометр и предполагаемое входное сопротивление 1 МОм для всего, что он питает), и вот как выглядит выход с современными транзисторами. Я наложил формы сигналов для обоих крайних значений банка в 1 тыс., чтобы вы могли видеть, что делает корректировка.

 

 

 

Главный недостаток, который я вижу в этой схеме, заключается в том, что она сильно зависит от того, что ее питает и что она приводит в действие.Базовая обратная связь в некоторой степени стирает форму входного сигнала, поэтому звук будет частично зависеть от гитары, на которой он работает, от количества катушек, их разводки и т. д. форма волны также зависит от входного сопротивления того, что приводится в действие.

 

У Джона также было несколько старых кремниевых транзисторов Mullard, которые он также прислал мне. Они могут быть предметом другого блога позже, но пока вперед и вверх…….. Давайте соберем эту педаль и повеселимся.

 

Для этой сборки я буду использовать ту же схему и, возможно, компоновку печатной платы, что и для кремниевой Fuzz Face. Я также подключим его в соответствии с кремнием, так как эти германиевые транзисторы, которые прислал мне Джон, имеют тип NPN, а не PNP, поскольку большинство германиевых транзисторов используются в фузз-педалях. Мне действительно интересно услышать, как это будет звучать после завершения. В зависимости от выводов транзисторов будет зависеть, какую плату я использую, я не хочу слишком сильно скручивать ноги, поэтому буду использовать схему платы, которая подходит для транзисторов.Плата выпуска 1 была создана для ранних германиевых транзисторов Fuzz Faces, плата выпуска 2 была разработана для более поздних кремниевых Fuzz Faces. Вы можете видеть, что база и коллектор поменяны местами на двух платах, поэтому транзисторы, скорее всего, подойдут к одной из этих плат. В любом случае я буду следовать схеме кремниевого транзистора Fuzz Face, так как транзисторы имеют тип NPN, поляризованные конденсаторы будут правильно ориентированы на кремниевой схеме. Если бы транзисторы были PNP, поляризованные конденсаторы пришлось бы перевернуть на плате выпуска 2.

 

      

 

В очередной раз, как и прежде, вытравлю свою плату. Мне было легко травить небольшие платы, но когда вы попадаете в царство плат размером около 3 x 3 дюймов и больше, равномерное распределение тепла по плате становится намного сложнее. Я обычно заканчиваю тем, что некоторые дорожки отсутствуют и т. д., что требует некоторой точной работы Sharpie. Глядя на документы, которые Джон вдумчиво отправил с транзисторами, он советует мне, чтобы выводы были CBE, поэтому я буду использовать плату Issue 1, так как не потребуется скручивание ног.С травлением.

 

Я использую метод переноса тонера, то есть я печатаю лазером обратное изображение на фотобумаге, а затем проглаживаю изображение на печатной плате. После этого я замачиваю печатную плату в кипящей мыльной воде, пока бумага не размягчится, а затем аккуратно снимаю бумагу. После того, как он будет очищен, вы получите плату на 3-м изображении…… Затем в хлорид железа, чтобы вытравить ее. Обычно я использую 50% железа на 50% воды… Не уверен, что это правильно, но мне это подходит. Я знаю людей, травящих 100% железом, но я не уверен, будет ли это слишком сильным или нет.Как только плата закончит травление, я просверлю ее, а затем начну заполнять.

 

   

Тестер транзисторов Измеритель емкости ESR Измерение сопротивления и индуктивности

Тестер транзистора ESR емкостный счетчик сопротивления индукции измерения

Технические характеристики:

Напряжение: DC 9V
Текущий: 20 мА
Размер: 80 x 53 x 20mm
Длина провода: 140 мм
Размер дисплея: 57 x 37mm

Функция Введение:

1.Одна ключевая операция измерения, автоматическое отключение питания с задержкой по времени. Выключите ток всего 20 мА, чтобы поддержать работу батареи.
2. Автоматическое определение биполярного транзистора PNP и NPN, N, P канала JFET, полевого MOSFET транзистора, диода, двойного диода, тиристора, сопротивления, емкости, индуктивности.
Автоматическое определение контакта обнаружения.
3. Измерение коэффициента усиления тока биполярного транзистора (В) и напряжения проводимости эмиттерного перехода (Uf). Транзистор Дарлингтона можно определить по высокому пороговому напряжению и высокому коэффициенту усиления тока.
4. Может обнаруживать биполярный транзистор и МОП-транзистор внутри защитного диода и отображаться на экране.
5. Измерение порогового напряжения MOSFET и значения емкости затвора.
6. Поддержка измерения двух резисторов, потенциометр также может быть измерен.
Если потенциометр настроен на его конец, тестер не может различить середину и оба конца штифта.
7. Разрешение измерения сопротивления составляет 0,1 Ом, максимальное измеренное значение 50 МОм.
8. Диапазон измерения емкости от 25пФ до 100мФ (100 тыс. мкФ). Разрешение до 1 пФ, диапазон измерения индуктивности 0,01MH-20H, в противном случае он будет отображаться как сопротивление, если значение индуктивности постоянного сопротивления выше 2100 Ом.
9. Может обнаруживать эквивалентное последовательное сопротивление конденсатора (ESR) на 2 мкФ с разрешением 0,01 Ом. Эта функция очень важна для обнаружения емкостных характеристик.
Проверка емкости, отображение VLoss на экране — это потеря, затухание значения этого значения тем больше, чем ближе к лому! ESR — это импеданс, чем меньше значение, тем лучше производительность конденсатора!
10.Два диода могут отображать правильное направление символа, показывая положительное падение давления.
11. Светодиод определяется как диод, и прямое падение напряжения выше нормального значения.
Двойной светодиодный извещатель для двойного диода. Детекция при этом будут светить светодиоды.
12. Каждое время тестирования около двух секунд, только большая емкость и измерение индуктивности займет длительное время

в комплект входит:

1 x Tester


Задать вопрос о продукте

Ваш вопрос:

Примечание: HTML не переводится!

ПРЕДСТАВИТЬ .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.