характеристики (параметры), datasheet, аналоги, цоколевка
Главная » Транзистор
BC337 – кремниевый биполярный транзистор обратной проводимости со структурой n-p-n. Выпускается по эпитаксиально-планарной технологии в литом пластиковом корпусе TO-92 цилиндрической формы небольших размеров. Его вес не превышает 0,2 г. Лицевая часть корпуса имеет плоский срез. На его поверхность производитель наносит информацию о транзисторе — марка и дата выпуска.
Содержание
- Корпус и цоколевка
- Особенности и применение транзистора
- Характеристики
- Модификации транзистора
- Аналоги и комплементарная пара
- Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора
- Область безопасной работы
Корпус и цоколевка
В нижнем торце располагаются три вывода. Если смотреть на маркировку, назначение выводов слева направо: коллектор, база, эмиттер.
Особенности и применение транзистора
Полупроводниковый прибор имеет неплохие мощностные характеристики. Так максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 45 В, а ток коллектора достигает 0,8А. Элемент с такими параметрами может работать в маломощных типовых ключевых схемах на 24 В для переключения реле, источников света.
В перечне параметров стоит выделить высокий коэффициент усиления по току и приличные частотные характеристики. Их конкретные значения отражены в таблице. Транзисторы с такими параметрами широко применяются в усилителях звуковой частоты, — предусилительных и выходных каскадах.
По совокупности характеристик BC337 является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. Радиокомпонент отличается высокой надежностью и доступностью. Его параметры лежат в диапазоне значений, востребованных в промышленной электротехнике и радиолюбительской практике.
Характеристики
Параметр | Обозначение | Максимальное значение |
---|---|---|
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | VCEO | 45В |
Напряжение пробоя коллектор-база | VCBO | 50В |
Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5В |
Ток коллектора, непрерывный | IC | 0,8А |
Мощность рассеивания (при теплопроводности) | PD | 0,63Вт (5,0мВт/°C) |
Диапазон рабочих температур | Tmin-max | от −55 до 150°C |
Тепловое сопротивление без радиатора | RϴJ | 200°C/Вт |
Тепловое сопротивление с радиатором | RϴJC | 83,3°C/Вт |
Модификации транзистора
Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC337 | 0. 36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
BC337-01 | 0.4 W | 45 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.5 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
BC337-025 | 0.625 W | 45 V | 0.8 A | 160 | 210 MHz | TO-92 | ||||
BC337-040 | 0.625 W | 45 V | 0.8 A | 250 | 210 MHz | TO-92 | ||||
BC337-10 | 0.5 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 24 pf | 1 A | 67 | 50 MHz | TO-92 |
BC337-16 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
BC337-16BK | 0.63 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0. 8 A | 60 | 100 MHz | TO-92 |
BC337-25 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 160 | 60 MHz | TO-92 |
BC337-25BK | 0.63 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0.8 A | 100 | 100 MHz | TO-92 |
BC337-40 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 250 | 60 MHz | TO-92 |
BC337-40BK | 0.63 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0.8 A | 170 | 100 MHz | TO-92 |
BC337A | 0.625 W | 60 V | 5 V | 150 °C | 5 pf | 0.8 A | 100 | 200 MHz | TO-92 | |
BC337A-16 | 0.625 W | 60 V | 60 V | 5 V | 150 °C | 18 pf | 0. 8 A | 160 | 100 MHz | TO-92 |
BC337A-25 | 0.625 W | 60 V | 60 V | 5 V | 150 °C | 18 pf | 0.8 A | 250 | 100 MHz | TO-92 |
BC337AP | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
BC337BP | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 160 | 60 MHz | TO-92 |
BC337BPL | 0.625 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 18 pf | 0.8 A | 250 | 100 MHz | TO-92 |
BC337CP | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 250 | 60 MHz | TO-92 |
BC337M | 0.3 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0. 8 A | 100 | 100 MHz | SOT23 |
BC337P | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
BC337PL | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
SBC337 | 0.625 W | 50 V | 35 V | 5 V | 150 °C | 16 pf | 0.8 A | 100 | 100 MHz | TO-92 |
TBC337 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
TBC337-16 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
TBC337-25 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0. 8 A | 160 | 60 MHz | TO-92 |
Аналоги и комплементарная пара
Для замены транзистора необходимо использовать радиокомпоненты с наиболее близким техническими характеристиками.
Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|
BC337 | 45 | 0,8 | 0,625 | 100 | 210 | ТО-92 |
Отечественное производство | ||||||
КТ504Б | 350 | 1 | 1 | 15 | 20 | КТ-2-7 |
КТ660А | 45 | 0,8 | 0,5 | 110 | 200 | КТ-26 (ТО-92) |
КТ928Б | 60 | 0,8 | 0,5 | 50 | 250 | КТ-2-7 |
КТ3102БМ | 50 | 0,2 | 0,25 | 200 | — | КТ-26 (ТО-92) |
Импорт | ||||||
BC184 | 30 | 0,2 | 0,3 | 240 | 150 | ТО-92 |
BC637 | 60 | 1 | 1 | 40 | 50 | ТО-92 |
2N4401 | 40 | 0,6 | 0,31 | 100 | 250 | ТО-92 |
2N5818 | 40 | 0,75 | 0,5 | 150 | 135 | ТО-92 |
MPSA06 | 80 | 0,5 | 0,625 | 50 | 100 | ТО-92 |
SE6022 | 60 | 1 | 0,22 | 100 | 250 | ТО-106 |
Примечание: характеристики аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Корпуса и цоколевка аналогов
Для комплементарной пары производители предлагают использовать ВС327.
Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора
Кривая отражает обобщенную зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора. Ее анализ позволяет сделать вывод, что транзистор может использоваться для линейного усиления входных сигналов в области малых и средних токов коллектора, где график fh31э представляет прямую линию. В зоне, близкой к предельным токам коллектора, коэффициент усиления стремительно падает.
Область безопасной работы
Пунктирные линии на графике определяют области безопасной работы (ОБР) до возникновения теплового (THERMAL LIMIT) или токового (CURRENT LIMIT) пробоя. Импульсный режим работы допускает работу с большими значениями как тока коллектора, так и напряжения коллектор-эмиттер. На графике хорошо видно, что снижение длительности импульса расширяет границы ОБР. Представленная зависимость имеет большое практическое значение — правильный выбор режимов работы транзистора, способствует его длительной и надежной работе.
Транзистор BC337: характеристики, datasheet и аналоги
NPN транзистор BC337, согласно техническим характеристикам, производится по эпитаксиально-планарной технологии. Он может использоваться в переключающих и усилительных схемах. Его часто используют в выходных каскадах УНЧ небольшой мощности.
Цоколевка
Изготавливается в корпусе из пластика ТО-92. Масса BC337 равна 0,18 г, цоколевка ножек выполнена в таком порядке: слева коллектор, потом база, справа эмиттер. Внешний вид и распиновка показаны на рисунке ниже.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. При их превышении транзистор может выйти из строя. Данные были получены при температуре окружающей среды +25°С:
- разность потенциалов К -Э (база разомкнута) VCEO ≤ 45 В;
- разность потенциалов К — Э (база подключена к эмиттеру) VCES ≤ 50 В;
- разность потенциалов Э -Б VEBO ≤ 5 В;
- ток коллектора IC ≤ 800 мА;
- мощность PC = 625 мВт;
- максимальная температура 150°С;
- диапазон температур TSTG = -55°С … 150°С.
Теперь рассмотрим электрические характеристики. Они также важны, так как определят возможности BC337. Они были измерены при температуре +25°С. Значения всех остальных важных для измерения параметров можно найти в таблице, в колонке «Режимы измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы изм | Обозн. | мин | тип | макс | Ед. изм |
Напряжение К – Б (пробой) | IC = 100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 50 | В | ||
Напряжение К — Э(пробой) | IC = 10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 45 | В | ||
Напряжение Э — Б(пробой) | IE= 10 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | 5 | В | ||
Ток К – Б (направление обратное) | VCВ = 45 В, IЕ = 0 | ICВO | 0,1 | мкА | ||
Ток К – Э (направление обратное) | VCE= 40В, IВ= 0 | ICEХ | 0,2 | мкА | ||
Ток Э –Б (направление обратное) | VEB = 4 В, IC = 0 | IEBO | 0,1 | мкА | ||
Коэффициент усиления | VCE=1 В,IC= 100 мA | hFE (16) hFE (25) hFE (40) | 100 160 250 | 250 400 630 | ||
Напр. насыщения коллектор-эмиттер | IC=500мA, IB=50мA | V CE(sat) | 0,7 | В | ||
Напр. насыщения база-эмиттер | IC=500мA, IB=50мA | V ВE(sat) | 1,2 | В | ||
Граничная частота к-та передачи тока | VCE=5В, IC= 10мA, f=10МГц | fT | 210 | МГц | ||
Выходная коллекторная ёмкость | VCВ= 10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц | Cob | 15 | пФ |
Следует обратить внимание, что транзисторы BC337 производители делят на 3 группы, в зависимости от к-та усиления: -16, -25 и -40. Их значения для каждой категории приведены в таблице выше.
Аналоги
Аналогами BC337 являются: 2N4401, BC184, BC337, MPSA06. Можно найти также несколько отечественных транзисторов, идентичных по техническим характеристикам рассматриваемому устройству: КТ3102Б, КТ660А, КТ928. В пару к BC337 рекомендуется ставить BC327.
Производители
BC337 (datasheet скачать можно кликнув на название) изготавливают довольно много зарубежных фирм, перечислим самых крупных из них:
- Dc Components;
- Diotec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- KEC(Korea Electronics);
- Micro Commercial Components;
- Motorola;
- NXP Semiconductors;
- ON Semiconductor;
- SEMTECH ELECTRONICS.
В продаже можно встретить продукцию таких компаний: Dc Components, NXP Semiconductors, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Commercial Components, Diotec Semiconductor, Fairchild Semiconductor и ON Semiconductor.
Intel Core 2 Quad Q8300 против Intel Core 2 Duo E8500
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Quad Q8300 и Intel Core 2 Duo E8500 по всем известным характеристикам в категориях: Основные сведения, Производительность, Память, Совместимость, Безопасность и надежность, Передовые технологии, Виртуализация. Сравнительный анализ производительности процессора: PassMark — оценка одного потока, PassMark — оценка ЦП, Geekbench 4 — одноядерный, Geekbench 4 — многоядерный, CompuBench 1.5 Desktop — распознавание лиц (мпиксели/с), CompuBench 1.5 Desktop — моделирование поверхности океана (кадры). /с), CompuBench 1.5 Desktop — T-Rex (кадров/с), CompuBench 1.5 Desktop — композиция видео (кадров/с), CompuBench 1.5 Desktop — майнинг биткойнов (мХэш/с).
Intel Core 2 Quad Q8300
Купить на Amazon
против
Intel Core 2 Duo E8500
Купить на Amazon
Отличия
Причины рассмотреть Intel Core 2 Quad Q8300 больше приложений одновременно: 4 против 2
Причины для выбора Intel Core 2 Duo E8500
- Тактовая частота выше примерно на 33 %: 3,33 ГГц против 2,5 ГГц
- Максимальная температура ядра примерно на 1 % выше: 72,4 °C против 71,4 °C больше кэша L2; больше данных может храниться в кэш-памяти L2 для быстрого доступа позже
- Примерно на 46 % ниже типичное энергопотребление: 65 Вт против 95 Вт
- Приблизительно на 24 % выше производительность в PassMark — оценка для одного потока: 1321 против 1065
- Повышение производительности примерно на 30 % в Geekbench 4 — Одноядерный: 439 против 337
- Повышение производительности примерно на 44 % в CompuBench 1.5 Desktop — Моделирование поверхности океана (кадров/с): 23,046 против 15,964
0 2 | 3,33 ГГц против 2,5 ГГц |
Максимальная температура ядра | 72,4°C против 71,4°C |
Кэш второго уровня | 6144 КБ против 4096 КБ |
Расчетная тепловая мощность (TDP) | 65 Вт против 95 Вт |
PassMark — одинарная метка резьбы | 1321 против 1065 |
Geekbench 4 — одноядерный | 439 против 337 |
CompuBench 1. 5 Desktop — моделирование поверхности океана (кадров/с) | 23,046 против 15,964 |
Сравнение тестов
ЦП 1: Intel Core 2 Quad Q8300
ЦП 2: Intel Core 2 Duo E8500
PassMark — однопоточная метка |
| |||||
PassMark — метка ЦП |
| |||||
Geekbench 4 — одноядерный |
| |||||
Geekbench 4 — многоядерный |
| |||||
CompuBench 1. 5 Desktop — Распознавание лиц (мпиксели/с) |
| |||||
CompuBench 1.5 Desktop — моделирование поверхности океана (кадров/с) |
|
| ||||
CompuBench 1.5 Desktop — T-Rex (кадров/с) |
| |||||
CompuBench 1. 5 Desktop — майнинг биткойнов (мХэш/с) |
|
Имя | Четырехъядерный процессор Intel Core 2 Q8300 | Intel Core 2 Duo E8500 |
---|---|---|
PassMark — метка одинарной резьбы | 1065 | 1321 |
PassMark — метка ЦП | 1858 | 1239 |
Geekbench 4 — одноядерный | 337 | 439 |
Geekbench 4 — многоядерный | 1061 | 754 |
CompuBench 1. 5 Desktop — Распознавание лиц (мпиксели/с) | 0,538 | 0,344 |
CompuBench 1.5 Desktop — моделирование поверхности океана (кадров/с) | 15,964 | 23.046 |
CompuBench 1.5 Desktop — T-Rex (кадров/с) | 0,135 | 0,086 |
CompuBench 1.5 Desktop — композиция видео (кадров/с) | 1.117 | |
CompuBench 1.5 Desktop — майнинг биткойнов (мХэш/с) | 3,999 | 2,496 |
Сравните характеристики (характеристики)
Четырехъядерный процессор Intel Core 2 Q8300 | Intel Core 2 Duo E8500 | |
---|---|---|
Кодовое имя архитектуры | Йоркфилд | Вольфдейл |
Дата запуска | ноябрь 2008 г. | август 2008 г. |
Место в рейтинге эффективности | 2756 | 2621 |
Цена сейчас | 49,99 $ | 39,99 $ |
Номер процессора | Q8300 | Э8500 |
Серия | Устаревшие процессоры Intel® Core™ | Устаревшие процессоры Intel® Core™ |
Статус | Снято с производства | Снято с производства |
Соотношение цены и качества (0-100) | 17,60 | 16,84 |
Вертикальный сегмент | Рабочий стол | Рабочий стол |
64-битная поддержка | ||
Базовая частота | 2,50 ГГц | 3,16 ГГц |
Скорость шины | 1333 МГц ФСБ | 1333 МГц ФСБ |
Размер матрицы | 164 мм2 | 107 мм2 |
Кэш L1 | 256 КБ | 64 КБ |
Кэш второго уровня | 4096 КБ | 6144 КБ |
Технология производства | 45 нм | 45 нм |
Максимальная температура корпуса (TCase) | 71 °С | 72 °С |
Максимальная внутренняя температура | 71,4°С | 72,4°С |
Максимальная частота | 2,5 ГГц | 3,33 ГГц |
Количество жил | 4 | 2 |
Количество транзисторов | 456 миллионов | 410 миллионов |
Диапазон напряжения VID | 0,8500–1,3625 В | 0,8500–1,3625 В |
Поддерживаемые типы памяти | ДДР1, ДДР2, ДДР3 | ДДР1, ДДР2, ДДР3 |
Доступны варианты с низким содержанием галогенов | ||
Максимальное количество ЦП в конфигурации | 1 | 1 |
Размер упаковки | 37,5 мм x 37,5 мм | 37,5 мм x 37,5 мм |
Поддерживаемые сокеты | LGA775 | LGA775 |
Расчетная тепловая мощность (TDP) | 95 Вт | 65 Вт |
Бит отключения выполнения (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® | ||
Паритет ФСБ | ||
Состояние простоя | ||
Интел 64 | ||
Новые инструкции Intel® AES | ||
Переключение по требованию Intel® | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Тепловой контроль | ||
Технология виртуализации Intel® (VT-x) | ||
Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d) |
Snapdragon 695 против Dimensity 700 — характеристики и тесты
Snapdragon 695 против Dimensity 700 — характеристики и тесты—> —>
против
Мы создали всестороннее сравнение недавно выпущенных Snapdragon 695 против SoC Dimensity 700 от Qualcomm и Mediatek соответственно. Теперь мы взвесили преимущества и недостатки этих 8-ядерных процессоров на основе их тестов Geekbench, Antutu и 3DMark с их техническими характеристиками.
- Обзор
- Отличия
- Контрольные показатели
- Антуту v9
- GeekBench 5
- Технические характеристики
Обзор
Производительность процессора
Тесты одноядерных и многоядерных процессоров
Производительность в играх
Производительность графического процессора в играх и OpenCL/Vulcan
Срок службы батареи
Эффективность использования батареи
Tenzys Tech Score
Общая оценка чипа
Ключ Отличия
Плюсы Qualcomm Snapdragon 695
- Snapdragon 695 имеет 14,29% транзистор меньшего размера, чем Размерность 700 (6 против 7 нм).
- Львиный зев 695 имеет 10,35% лучший результат AnTuTu 9, чем Размерность 700 (371 К против 337 К).
Плюсы Mediatek Dimensity 700
- Dimensity 700 имеет 13,10% более высокая тактовая частота графического процессора, чем Snapdragon 695 (950 против 840 МГц).
- Опора Dimensity 700 0,41% более высокая пропускная способность памяти, чем Snapdragon 695 (17,07 против 17 ГБ/с).
Контрольные показатели
Тесты производительности в популярных бенчмаркахАнтуту 9
ЦП | 115765 | 98632 |
ГП | 93638 | 71777 |
Память | 60715 | 72555 |
UX | 101282 | 93594 |
Общий балл | 371400 | 336558 |
GeekBench 5
Одноядерный балл
Многоядерный балл
Сжатие изображения | 111,3 Мпикс/с | 101,85 Мпикс/с |
Распознавание лиц | 16,9 изображений/с | 15 изображений/с |
Распознавание речи | 28,8 слов/с | 32,9 слова/с |
Машинное обучение | 26,7 изображений/с | 27,9 изображений/с |
Фотокамера | 15,9 изображений/с | 14,55 изображений/с |
HTML 5 | 2,25 млн узлов/с | 2,1 млн узлов/с |
SQLite | 579,5 млн узлов/с | 543,4 млн узлов/с |
3DMark
9%
SD 6958%
Mediatek 700Оценка: 1204
STABLIS | 99% | 99% |
Графический тест | 7 кадров в секунду | 6 кадров в секунду |
Оценка | 1204 | 1097 |
Технические характеристики
Полный список технических характеристик Qualcomm Snapdragon 695 и Медиатек Дименсити 700Дисплей
Макс. дисплей на устройстве | FHD+ при 120 Гц | FHD+ при 90 Гц |
Максимальное разрешение экрана | 2520 х 1080 | 2520 х 1080 |
Макс. внешний дисплей | — | QHD @ 60 Гц |
HDR | HDR10 | HDR10 |
Глубина цвета | До 10 бит | До 10 бит |
Цветовая гамма | Rec2020 | Rec2020 |
64%
SD 69564%
Mediatek 700Частота
Архитектура | 2x 2,2 ГГц — Kryo 660 Gold (Cortex-A77) 6x 1,7 ГГц — Kryo 660 Silver (Cortex-A55) | 2x 2,2 ГГц — Cortex-A76 6x 2 ГГц — Cortex-A55 |
Сердечники | 8 | 8 |
Базовая частота | 1700 МГц | 2000 МГц |
Частота турбо | 2200 МГц | 2200 МГц |
Набор инструкций | ARMv8. 2-A | ARMv8.2-A |
Кэш L1 | — | — |
Кэш второго уровня | — | — |
Кэш L3 | — | — |
Процесс | 6 | 7 |
Количество транзисторов | — | — |
Расчетная мощность | 6 Вт | 10 Вт |
Графика
Имя графического процессора | Адрено 619 | Мали-G57 MC2 |
Архитектура | Адрено 600 | Вальхалл |
Частота графического процессора | 840 МГц | 950 МГц |
Исполнительные блоки | — | 2 |
Затеняющие блоки | 128 | 32 |
ФЛОПС | 536 гигафлопс | 243 гигафлопс |
Версия Вулкан | 1. 1 | 1.1 |
Версия OpenCL | 2,0 | 2,0 |
Версия DirectX | 12 | 12 |
Память
Тип памяти | LPDDR4X | LPDDR4X |
Частота памяти | 2133 МГц | 2133 МГц |
Автобус | 2x 16 бит | 2 x 16 бит |
Максимальная пропускная способность | 17 Гбит/с | 17,07 Гбит/с |
Максимальный размер | 8 ГБ | 12 ГБ |
Мультимедиа (ISP)
Нейронный процессор (NPU) | Шестигранник 686 | Да |
Тип хранения | eMMC 5.1, УФС 2.2 | УФС 2.2 |
Максимальное разрешение экрана | 2520 х 1080 | 2520 х 1080 |
Максимальное разрешение камеры | 1x 108MP, 2x 16MP | 1x 64MP, 2x 16MP |
Видеосъемка | 1K при 60FPS | 2K при 30FPS |
Воспроизведение видео | 1080p при 60 кадрах в секунду | 2K при 30FPS |
Видеокодеки | Х. 264, Х.265, ВП8, ВП9 | Х.264, Х.265, ВП9 |
Аудиокодеки | AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV | AAC LC, MP3, HE-AACv1, HE-AACv2, FLAC |
Связь
Скорость загрузки
4G (МБ/с)
5G (МБ/с)
Скорость загрузки
4G (МБ/с)
5G (МБ/с)
Модем | Львиный зев X51 | — |
Поддержка 4G | LTE Кат. 18 | LTE Кат. 18 |
Поддержка 5G | Да | Да |
Пиковая скорость загрузки | До 2500 Мбит/с | До 2770 Мбит/с |
Пиковая скорость загрузки | До 1500 Мбит/с | До 500 Мбит/с |
Wi-Fi | 6 | 5 |
Bluetooth | 5,2 | 5.1 |
Навигация | GPS, ГЛОНАСС, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS, NAVIC | GPS, ГЛОНАСС, Beidou, Galileo, QZSS, NAVIC |
Дата объявления | октябрь 2021 г. |