Кт819Ам характеристики – 819 818 (-, …) , (datasheet)

Содержание

КТ819 параметры | Практическая электроника

Под КТ819 понимают целое семейство кремниевых биполярных транзисторов с n-p-n структурой.

Параметры транзистора КТ819 сильно зависят от модификации (от букв следующих после КТ819). Основных групп четыре, они образуются по тому из чего сделан корпус: пластик (КТ-28) или металл (КТ-9) и применению: гражданскому (КТ819) и военному (2Т819).

Характеристики КТ819 параметры которых являются общими внутри групп:

Основные технические характеристики транзисторов КТ819

ТипПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/ВтКорп.
IК, max, АIК и, max, АUЭБ0 max, В
при T = 25°C
PК max, ВтTп max, °CTК max, °CUКЭ (UКБ), ВIК (IЭ), АUКЭ нас, ВCК, пФCЭ, пФtвыкл, мкс
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г1015560125100(5)5210002,51,67КТ-28
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ1520510012510055210002,51КТ-9
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В15205100150125(5)510002,51,25КТ-9
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В21520540150100(5)(5)70020001,2
3,13
КТ-28

Где:

  • IКmax — максимальный ток коллектора;
  • IК и.max — максимальный импульсный ток коллектора;
  • Pкmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
  • Uкэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
  • Iкбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
  • fгр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.

В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:

ТипUКЭ0 гр, В
КТ819А, КТ819АМ25
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В240
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б260
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А280

И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:

Типh21Э
КТ819Г, КТ819ГМ12
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ15
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В220

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:

    низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;
    плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

  • КТ818ГМ — 2N2955
  • КТ819ГМ — 2N3055
  • 2Т819А — 2N5068

hardelectronics.ru

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

September 10, 2012 by admin Комментировать »

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металическом корпусе.

  КТ819 , 2Т819 (кремниевый транзистор, n-p-n)

   

КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2)                                            КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), АUКЭ нас, ВI
КБ0
, мА
fгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ819А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ819В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,5 1,67
КТ819Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ819АМ152025 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819БМ152040 5100251251002055213 1000  2,51
КТ819ВМ152060 510025125100155
5
213 1000  2,51
КТ819ГМ152080 5100251251001255213 1000  2,51
2Т819А15208010051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819Б1520608051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819В152040 6051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819А21520801005402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819В2152040605402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13

   КТ818 , 2Т818 (кремниевый транзистор, p-n-p)

      

КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2)                                   КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ818А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ818В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ818АМ152025 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818БМ152040 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ВМ152060 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ГМ152080 51002512510020551 3 1000  2,51
2Т818А15208010051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818Б1520608051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818В1520406051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818А21520801005402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818В2152040605402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13

nauchebe.net

Транзистор КТ819 – параметры, цоколевка, отечественные и импортные аналоги

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора



Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры



Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

  • допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
  • допустимый ток коллектора;
  • коэффициент усиления;
  • рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

  • КТ834;
  • КТ841;
  • КТ844;
  • КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

  • 2 N6288 ;
  • BD705 ;
  • TIP41 ;
  • BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

instrument.guru

Транзисторы КТ819(1Т819), КТ805 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина — черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла — источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста — он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости — КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент — намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 — 0,25 мм на диэлектрическое основание, например — пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен — может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН).
К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу — это даст возможность наблюдать «стример» — коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы — стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 — 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 — 2000 мФ на 50 в.
Транзистор обязательно устанавливается на радиатор — чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно — выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению.
Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина — 22см), а первичной — 6см (длина — 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения — 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего — от 100 до 250 мА.
Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем. Транзисторы КТ819 можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».
Транзисторы КТ805 — в усилителях «Одиссей» и «Радиотехника».

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

КТ819, 2Т819 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом



Основные технические параметры транзистора КТ819, 2Т819

МодельМаксимальные допустимые параметрыПараметры при температуре = 25°CRТ п-к, °C/ватт
  при температ. = 25°C            
IК, макс, амперIК и, макс, амперUКЭ0 гран, вольтUКБ0 макс, вольтUЭБ0 макс, вольтPК макс, ваттTК, °CTп макс, °CTК макс, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
вольт
IК(IЭ), амперUКЭ нас, вольтIКБ0, мАмперfгр, МГерцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ819А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ819В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ819АМ152025 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819БМ152040 5100251251002055213 1000  2,51
КТ819ВМ152060 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819ГМ152080 5100251251001255213 1000  2,51
2Т819А15208010051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819Б1520608051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819В1520406051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819А21520801005402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819В2152040605402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13

Обозначение на схеме КТ819, 2Т819

Цоколёвка транзистора КТ819, 2Т819

Цоколёвка транзистора КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ819В

Внешний вид транзистора на примере  КТ819ГМ

radiohome.ru

Транзистор КТ819 — DataSheet

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ819АBD2921, TIP41, 2SC1354 *3, SDT9307 *3, SDT9304 *3, SDT9301 *3, TIP41 *2, SSP82 *3
КТ819БBD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278,

BD245, 40624 *2, BD663, BD553 *2

КТ819ВBD201, BDT93, 2SC2098 *2, 2N5493, 2N5492, 

TIP3055T, STI3055T, 

РН3055Т,  MJE3055T,  

BD501A *2, 2N6099, 2N6098, 

BDX71,  BDT91, BD535 *2, KSE3055T, BEL3055, 

2N6099E

 

КТ819ГBD203, BDT95, BD711 *2, BDW21C *1, BLY17A *3, TIP41С *2, SSP82C *3, SDT9309 *3, SDT9306 *3, SDT9303 *3, 2SC681AYL *3, 2SC681ARD *3, 2N4130 *3
КТ819АМBD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1, SDT9307 *2, SDT9304 *2, SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3, 40251, 40325, 2N3055/5
КТ819БМBD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2, BD743 *1, BDW51, BDW21 *2, SDT9201, BD245 *3, SDT9205 *2
КТ819ВМBD182, BDX91, BD207 *3, BDW21A *2, BD907 *1, BDS10 *1, BDS10SM
КТ819ГМBD183, 2N3055, 2N6371HV, 

BD711 *3, BDW21C *2, SDT9208, 2N3055/7, 

2N3055/6, 2N3239 *2, 2N3238 *2, BD909 *3, BDW21B *2, SDT9207 *2

КТ819А-1BD545C, MJE1660 *2, BLV38 *3
КТ819Б-1BD545B, 2N3667 *1, 2N6253 *1, BD278 *3, BD278A *3, BD743 *1, BD705 *1
КТ819В-1BD545A, 40363 *3, BD207 *3, BD501A *3, BDS10SM *1, BDS10 *1, BD907 *1
КТ819Г-1BD545, 2N3236 *1, 2N3239 *3, 2N3238 *3, BD909 *1, BD709 *3, SDT9207 *3, SM2176 *1
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ819А1.5; 60*Вт
КТ819Б1.5; 60*
КТ819В1.5; 60*
КТ819Г1.5; 60*
КТ819АМ2; 100*
КТ819БМ2; 100*
КТ819ВМ2; 100*
КТ819ГМ2; 100*
КТ819А-12; 100*
КТ819Б-12; 100*
КТ819В-12; 100*
КТ819Г-12; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ819А(М,-1)≥3МГц
КТ819Б(М,-1)≥3
КТ819В(М,-1)≥3
КТ819Г(М,-1)≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ819А(М,-1)0.1к40*В
КТ819Б(М,-1)0.1к50*
КТ819В(М,-1)0.1к70*
КТ819Г(М)0.1к100*
КТ819Г-10.1к90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ819А(М,-1)5В
КТ819Б(М,-1)5
КТ819В(М,-1)5
КТ819Г(М,-1)5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ819А10(15*)А
КТ819Б10(15*)
КТ819В10(15*)
КТ819Г10(15*)
КТ819АМ(-1)15(20*)
КТ819БМ(-1)15(20*)
КТ819ВМ(-1)15(20*)
КТ819ГМ(-1)15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ819А(М,-1)40 В≤1мА
КТ819Б(М,-1)40 В≤1
КТ819В(М,-1)40 В≤1
КТ819Г(М,-1)40 В≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ819А(М,-1)5 В; 5 А≥15*
КТ819Б(М,-1)5 В; 5 А≥20*
КТ819В(М,-1)5 В; 5 А≥15*
КТ819Г(М,-1)5 В; 5 А≥12*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ819А(М,-1)5 В≤1000пФ
КТ819Б(М,-1)5 В≤1000
КТ819В(М,-1)5 В≤1000
КТ819Г(М,-1)5 В≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ819А(М)≤0.4Ом, дБ
КТ819Б(М)≤0.4
КТ819В(М)≤0.4
КТ819Г(М)≤0.4
КТ819А-1≤1
КТ819Б-1≤1
КТ819В-1≤1
КТ819Г-1≤1
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ819А(М,-1)Дб, Ом, Вт
КТ819Б(М,-1)
КТ819В(М,-1)
КТ819Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ819А(М,-1)≤2500**пс
КТ819Б(М,-1)≤2500**
КТ819В(М,-1)≤2500**
КТ819Г(М,-1)≤2500**

rudatasheet.ru

КТ819ГМ — Транзисторы — Радиодетали — Каталог

КТ819ГМ

КТ819ГМ
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.189 ТУ.
Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ также выпускаются в пластмассовом корпусе КТ-43 (ТО-218).

Характеристики транзистора КТ819ГМ
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000(20000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(100) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225
Обратный ток коллектора Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора Аналоги транзистора КТ819ГМ
2SD716, 2SD843, BDW21C, BDW51B, BDW51C, BDX10, BDх10C, BDх95, BDY20, BDY38, BDY73, 2N3055, 2N3055E, 2N6472, BD183

Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо — Обратный ток коллектора
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

radan.ucoz.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *