Как нейровизуализация помогает диагностировать аутизм у детей дошкольного возраста. Какие изменения в мозге характерны для расстройств аутистического спектра. Почему избыточная связанность областей мозга коррелирует с тяжестью симптомов аутизма у дошкольников.
Особенности нейровизуализационных исследований мозга при аутизме у дошкольников
Нейровизуализация является одним из перспективных методов диагностики расстройств аутистического спектра (РАС) у детей дошкольного возраста. Она позволяет выявить структурные и функциональные изменения головного мозга, характерные для аутизма, на ранних стадиях развития ребенка.
Наиболее информативными методами нейровизуализации при изучении РАС считаются:
- Магнитно-резонансная томография (МРТ)
- Функциональная МРТ (фМРТ)
- Диффузионно-тензорная МРТ
- Позитронно-эмиссионная томография (ПЭТ)
Эти методы позволяют оценить структуру, активность и связи различных отделов головного мозга. У детей с РАС часто обнаруживаются отклонения от нормы в этих параметрах.
Ключевые изменения мозга при расстройствах аутистического спектра
Исследования с применением нейровизуализации выявили ряд характерных особенностей строения и функционирования мозга у детей с РАС:
- Увеличение объема мозга в раннем возрасте
- Нарушение нейронных связей между различными отделами
- Аномальная активация определенных зон коры при обработке социальной информации
- Структурные изменения в миндалевидном теле, гиппокампе, мозжечке
- Повышенная активность в сенсорных зонах коры
Эти изменения могут объяснять многие поведенческие и когнитивные особенности, наблюдаемые при аутизме.
Избыточная связанность областей мозга при аутизме
Одним из ключевых открытий стало обнаружение избыточной функциональной связанности между различными отделами мозга у детей с РАС. Это явление получило название «гиперконнективность».
Гиперконнективность проявляется в усилении синхронизации активности между удаленными областями коры головного мозга. Она особенно выражена в правом полушарии, отвечающем за обработку социальной и эмоциональной информации.
Корреляция избыточной связанности с тяжестью симптомов аутизма
Исследования показали, что степень гиперконнективности коррелирует с выраженностью симптомов РАС у дошкольников. Чем сильнее избыточная связанность, тем тяжелее проявления аутизма.
В частности, обнаружена корреляция между гиперконнективностью следующих зон мозга и симптомами РАС:
- Правая височная извилина Гешля — социальные нарушения
- Правая нижняя височная извилина — стереотипное поведение
- Лобные доли — дефицит исполнительных функций
Это позволяет использовать данные о связанности мозга как биомаркер тяжести РАС.
Преимущества раннего выявления аутизма с помощью нейровизуализации
Применение методов нейровизуализации для диагностики РАС у дошкольников имеет ряд важных преимуществ:
- Возможность выявления аутизма на ранних стадиях, до появления выраженных поведенческих симптомов
- Объективность диагностики, не зависящая от субъективной оценки специалистов
- Выявление нейробиологических маркеров РАС
- Оценка индивидуальных особенностей мозга ребенка для подбора терапии
- Мониторинг эффективности коррекционных мероприятий
Это открывает новые возможности для ранней диагностики и более эффективной помощи детям с аутизмом.
Ограничения нейровизуализационных методов в диагностике аутизма
Несмотря на большой потенциал, применение нейровизуализации для диагностики РАС у дошкольников имеет ряд ограничений:
- Высокая стоимость оборудования и исследований
- Необходимость седации маленьких детей для проведения МРТ
- Отсутствие четких диагностических критериев на основе нейровизуализации
- Индивидуальная вариабельность в развитии мозга у детей
- Сложность интерпретации результатов
Поэтому нейровизуализация пока не может полностью заменить клиническую диагностику РАС, но является ценным дополнительным методом.
Перспективы применения нейровизуализации при аутизме
Дальнейшее развитие методов нейровизуализации открывает новые перспективы в изучении и диагностике РАС:
- Создание «атласов» развития мозга при типичном развитии и аутизме
- Разработка алгоритмов машинного обучения для автоматизированной диагностики
- Выявление ранних биомаркеров РАС на основе данных нейровизуализации
- Персонализированный подбор терапии с учетом индивидуальных особенностей мозга
- Оценка эффективности новых методов лечения аутизма
Это позволит существенно улучшить раннюю диагностику и помощь детям с расстройствами аутистического спектра.
Основные выводы
Нейровизуализационные исследования позволили выявить ряд характерных изменений мозга при РАС у дошкольников, включая избыточную связанность между различными областями. Степень этих изменений коррелирует с тяжестью симптомов аутизма. Несмотря на ограничения, нейровизуализация является перспективным методом ранней диагностики РАС, открывающим новые возможности для изучения нейробиологических основ аутизма и разработки эффективных методов помощи.
X-Ray Photoemission Spectroscopy XPS — PDF Descargar libre
1 X-Ray Photomission Sctroscoy XPS Dr. Ricardo Faccio ntro NanoMat/DTMA Facultad d Química Univrsidad d la Rública rfaccio@fq.du.uy Mayo d Punto 1. Qué s XPS ? 2. Bass d Funcionaminto. 3. aractrización ualitativa y uantitativa. 4. Studl xrimnto. 5. aractrísticas y trataminto d la mustra. 6. jmlos 7. Rsumn V l z s y c s Schal: ML K Strommssung — — Электронная статистика — Intrfacs/intrfac ractions — Количественный анализ — Dth rofiling Mayo d
2 1. Что с XPS? X-Ray Photomission Sctroscoy (XPS), используемый вместе с Sctroscoy для химического анализа (SA), с использованием широкого спектра свойств химико-поверхностных материалов. Mayo d Historia XPS s basan l fcto Fotoléctrico dscubirto или Hrtz n 1887[1]. Toría dsarrollada или A. instin [2] Dsarrollo n los 60 s or art d Kai Sigbahn n Sucia, acuna l término SA (lctron sctroscoia для химического анализа) [3]. Dsarrollo n los 70 s or la comrcialiación d quios UHV.
3 1. Posibilidads Idntificación cualitativa d lmntos quimicos rsnts n una surfici, y su stado d oxidación. H y H qudan xcluídos omosción atómica y orcntual. stimación d ssors d фильмов, у su uniformidad. Disstrubución sacial d lmntos (химическая обработка) Mayo d Posibilidads XPS s una técnica d snsibilidad Surface: 10 нм d rofundidad. s una técnica cualitativa n Prsncia d lmntos quimicos n stados d oxidación n Hibridación n ntorno Químico s una técnica cuantitativa n Prmit mdir con una rcisión dl 0,5% Mayo d
4 1. Бас: fcto Fotoléctrico Las línas d XPS s idntifican или la caa lctrónica d la cual s ycta l lctrón. La nrgía cinética dl fotolctrón yctado s: K =hυ- B -Φ S rquirn nrgías n V (rayos X) n S usa Al Kα y Mg Kα n 1,49 V y 1,25 V n S ud utilizar radiación síncrotron intnsity [arb.
u] 2,0×10 6 1,5×10 6 1,0×10 6 jctd K lctron (Is lctron) Вакуум Au(111) Au NVV Au 4f 5,0×10 5 Au 5 Au 4d Mayo d 2019 VB 7 0, in [V] 2. Bass : Nomnclatura XPS rocss Augr rocss 2 3/2 (L3) 2 1/2 (L2) (Augr сигнал KL 1 L 3 ) 2s (L1) hv (XPS сигнал) 1 s (K) (a) (b) Квантовые числа Сктроскоическое обозначение Рентгеновское обозначение n l s j = l + s /2 1/2 1s K /2 1/2 2s L /2 1/2 2 1/2 L /2 3/2 2 3/2 L /2 1/2 3s M /2 1/2 3 1/2 M /2 3/2 3 3/2 M /2 3/2 3d 3/2 M /2 5/2 3d 5/2 M5 Mayo d
5 2. Bass: fcto Fotoléctrico nrgy hω 1s 2s 2 K B = K h ν ϕ (Th instin qation) Vacuum lvl Frmi lvl ϕ hν 1s 2s 2 1s B B B = (n 1 ) (n) ε final Initial (Koomans Thorm ) Mayo d Bass: xrsions n bas a K y B K = hυ- B -Φ n La K s mid xrimntalmnt n l sctrómtro ro dnd d los RX utilizados. n La B s lo qu fctivamnt idntifica al átomo n custión, ya qu dos lmntos difrnts no udn tnr la misma B. B =hυ- K -Φ Intnsity(PS) x10 3 Survy Sctrum или Wid Scan KLL KLL 1s N 1s Si 2 Si 2s 1s Mayo d Binding nrgy (V) 5
6 2.
Бас: fcto Augr uando l átomo xcitado s rlaja, libra nrgía qu ud roducir la fotojcción d otras caas. Вакуум Frmi Valnc band L, jctd K lctron jctd L 2,3 lctron (KL 2, 3L 2, 3 Augr lctron) Инцидент / внутреннее излучение 1 переход Dicho rocso s indndint d la nrgía d la radiación incidnt original. «K L2,3 L, Mayo d sctros XPS y Augr Las sñals más intnsas rovinn dl sctro lctrónico más dfinido. La rgión d valncia s simr mnor n intsidad y oco dfinida. Alas sñals XPS s l agrga l aort d la sñal Augr, la cual da un atrón caractrístico qu comlmnta la información Binding nrgy (V) Mayo d
7 2. Bass: Probabilidad d rlajación Rlajación or-hol d la caa K. Los lmnots livianos tinn baja scción ficás ara roducir misión d RX Вероятность Augr lctron миссия X-ray Photon миссия Mayo d B N P a Mn Zn Br Zr 3 , Analisis ualitativo Análisis lmntal n ada lmnto quimico tin una structura lctrónica única. n Las línas d misión stan bin stablcidas y tabuladas. Intnsity(PS) x10 3 Survy Sctrum или Wid Scan KLL KLL 1s N 1s Si 2 Si 2s 1s B = K h ν ϕ (Th instin qation) hν = V для излучения Al Kα Связывающая nrgy (V) NIST Рентгеновский фотоэлектронный Sctroscoy База данных Национального института стандартов и технологий, http://srdata.
8 3. Анализ: hmical Shift Torma d Koomans: B = ( n 1 ) ( n ) конечный начальный B ε fcto dl stado Начальный: Si la nrgía inicial dl átomo cambia или la formacion d un nlac quimico, su nrgía d binding también lo hará +δ Frmi lvl δ Δ B = Δ ε Β (+δ) Β ( δ) riginal lvl btnción mdiant simulacion comutacional, или j.: DFT Mayo d Analisis: hmical Shift Mayor aantallaminto Mnor anantallaminto XPS Mayo d
9 3. Анализ: химическое смещение арбон-фтористой связи Valnc Lvl 2 или Lvl 1s Фтороактивность ионно-ядерного притяжения ядра (потеря электронно-ядерного взаимодействия) 1s Сдвиг силы связывания к более высокому связыванию Mayo d Анализ: химическое смещение fcto d lctrongativad 1s.H-H-Hj i \ / * H 3 H —0})—H 2-H-H 2— H, -H-H-Ho V Связывающая nrgy (V) Mayo d
10 3. Анализ: hmical Shift ara 1s Функциональная группа B rang (V) Функциональная группа B rang (V) Функциональная группа B rang (V) N X , N Si H, N S , N S H N S N Br N N N N N I I I F Mayo d 2019 N F F Análisis uantitativo A 0, Ом 0 θ — X Поток рентгеновского излучения Число атомов (молекул) Дифференциальное пересечение dn = при x, y, z при dx, dy, dz Разделение для подоболочки Вероятность отсутствия потерь Инструмент Точность Телесный угол sca из сканирующего анализатора при x , y, z mnt с dtction nglgibl изменение направления I, рентгеновский 0 α Δθ Z hω t dz dx dσ z dn = I0 ρ( x, y, z) Ω ( in, x, y, z) x D0 ( в) dxdydz dω Λ( in)cosθ Smi-бесконечный сцимн, атомарно клановый поверхностак, al с in dσ N( θ ) = I0 Ω 0( ) A0( ) D0( ) ρ Λ( )cosθ dω / = JaKX Mayo d
11 3.
Аналитический анализ I=JρσKλ J: Flujo d fotons ρ: concntración dl átomo n l sólido σ: scción ficaz dl fotolctrón roducido, dnd dl lmnto y la nrgía d xcitación. K: факторы intrumntals. λ: долгота d atnuación. S ud tomar F i =σkλ, dnominado factor d snsibilidad. I + F A % = + I. Mayo d F Анализ uantitativo x F 2 Ar 11m/32 x r 2 Ar 11m/33 x s Ar 11m/ F 2 45 r s Binding nrgy (V) Printd с использованием asaxps Binding nrgy (V) Printd с использованием asaxps Binding nrgy (V) Printd с использованием asaxps A % = Mayo d I + F + I.. F. 11
12 4. Статический рентгеновский анализатор энергии Мейо Медицинский анализ рентгеновского излучения Источник рентгеновского излучения Щелевой Щелевой Все Термостатический детектор Интенсивный детектор — Мэйо и фотонный анализатор 12
13 Mdida n UHV! Prsncia d газа адсорбидов. Posibilidad d oxidación d la mustra. S ud mdir surfaces o olvos Polvo sud rnsar ntr фольги из алюминия Por log gnral las размеры dbn sr con diámtros ntr 5-10 mm и ssor infrior a 3 mm.
Mustras n solución udn sr liofilizadas rviamnt ara obtnr l corrsondint sólido. Проблема с мышцами. Mayo d jmlo 1: Nanoartículas d Au Par Viw Articl nlin Viw Articl nlin Par NJ Рис. 6 UV-Vis спектры и DLS masurmnts HtAuNPs, урифидные путем центрифугирования от времени. HtAuNP стабильны в условиях (а) разбавления, (б) центрифугирования (2″ 6000 г 7 мин) и (в) условий лабораторного хранения (2 8 в течение 2 лет). синтезируют добавлением золотохлористоводородной кислоты к раствору гсртина при молярном отношении 1 и концентрации 4 ммоль л!1. (а) ТМ из другого, s Рис. 6а, а, и можно объяснить длинноволновое изображение HtAuNP в виде РРР, (б) коллоиды с нестабильностью распределения по размеру, которые являются более РРР-НЧ HtAu, полученные с использованием DLSour или разбавленные ТМ, ( в) три хай- чем на яр. манипулирование наночастицами на аликациях является высокоразрешающим изображением, и (d) аксиальным SAD attrn. NJ d on 23 Novmbr Скачано Univrsidad Fdral d Santa atarina (UFS) 12/11/ :08:19.
Возникновение двух стадий образования HtAuNPs, т. в черноцветных суспензиях, которые образовались менее чем за 10 мин, получая близкие по размеру HtAuNPs по индивидуальному ТМ в конечных коллоидных суспензиях. Это поведение согласуется с нашими выводами по УФ-видимому излучению. Цветные суспензии могут быть объяснены с помощью крыс, как сообщает Михлин и др.,44 которые также обнаружили крупные структуры со средним гидродинамическим диаметром 125 нм в изначально окрашенных суспензиях. получено крысиным методом. Кроме того, хороший и эффективный метод синтеза, соответствующий набору НЧ для любого намерения, должен быть очень понятен. На рис. 4d представлены данные об индонезийском синтезе = 16). Результаты, представленные на этом рисунке, включают ag, Z-av и th man diamtr, полученные из распределений веса по интенсивности (Int) этого рассеянного иона, а также веса по объему (Vol) и r (Num) наночастиц, а также th olydisrsr. указатель As it can b Опубликовано 23 ноябряmbr Загружено Univrsidad Fdral d Santa atarina (UFS) 12.
11.08:19. HtAuNP синтезируются в течение 30 минут, начиная с черных суспензий, образованных крупными агрегатами, которые постепенно расщепляются в процессе воздействия при комнатной температуре смеси мочевой кислоты и гритина в молярном соотношении 1 и концентрации 1 л! и H 11 контролировали с помощью (а) спектров УФ-видимой области через 0,5 мин, 5 мин (темно-серый), 10 мин (темно-фиолетовый), 15 мин (фиолетовый), 20 мин (пурпурный), мин и (рубиновый). (б) Положение (lmax) основного лазмона a и anc при 522 и 650 нм. (c) Гидродинамический диаметр (Zta-avrag) lydisrsity index masurd и (d) размер различных партий Ps masurd по DLS. 5. Характеристика для Mustra PAPR Рис. 7 XPS-образцы: (a) XPS-образец пленки, образованной высушиванием и сушкой на кремниевой подложке из твердого и самостабилизированного золота наночастиц. (b) Au 4f, (c) Hsrtin 1s и (d) HtAuNPs 1s nvlos dconvolutd в его компоненты. Параметр 0,75, что хорошо согласуется со значениями, найденными в журнале 50, и центрифугирование является гибким методом, обычно используемым для анализа нанометаллического золота, наряду с некоторыми незначительными методами очистки наночастиц после химической модификации.
48 вклады Au и Au , что указывает на связь Au, изображенную на рис. 5c, которая включает в себя HtAuNPs ar shrical in sha, будет отображаться с помощью DLS после 2, как показано на рис. 7b. показали стабильный размер Th 1s nvlo для пленки Ht и дозы HtAuNP при центрифугировании, как показано на рис. 6b. Как агрегация отличается друг от друга и демонстрирует узкое распределение по размерам. Сохранение этого: DI:wr /c5nj02128f был обнаружен при цитировании, авторы Svral отметили, что3 высыхают и высыхают (не показано). Si показан на рис. 7c и d, справа. В спектральном анализе как (285,2 В), R (286,6 В), Q (288,5 В). Кроме того, чтобы судить о степени притяжения и стабилизации, НЧ на поверхности могут вызывать изменения, которые могут не повлиять на наблюдения Мейо, не говоря уже о дополнительных 45 Ht на HtAuNP, концентрированная суспензия была разбавлена характеристикой Ht в соответствии с природой этого образца в жидкой суспензии. Джейлвр Александр Сирра, помощник Рахала Ванони, Милтон Андре Тумлро, В.
) также был наблюдателем и мог записывать УФ-видимый спектр. Как показано на графике R (290,2 W hav rformd DLS masurmnts и comard with ristiani amos Plaid,b Ricardo Faccio,c Dant Frrira Francchini,d Fig. 6c Ht активно участвует в стабилизации с абсорбцией b, приписываемой продуктам окисления Ht. Хотя первоначально b th Ta TM приводит к тому же самому st NPs. Гистограмма размера Батриза Чинси-паши и Андре Авлино Паши *, показывающая линейное поведение после разбавления (инст.). Наконец, на рис. 6d фрагмент R отсутствует в Ht, и фракция th rdox, и распределение по номеру на рис. 5b имеют нормальное распределение. Органические неорганические включения на металлической поверхности могут показывать УФ-видимые спектры суспензии урифидов. через 2 года Синтез наноизделий из токсичных химикатов и растворителей высокоэффективен для крупномасштабного производства, аналогично полученному с помощью ТМ. Сдвиг центра побудил молекулу перестроить свою внутреннюю структуру, запас. HtAuNP довольно стабильны для аттоластов на земле, в разных регионах, особенно для нас в биомедицинских/биотехнологических сочетаниях.
До сих пор, несмотря на то, что длина волны 22 нм для PdI может быть объяснена дополнительными причинами, предполагая, что нагрузка на сложную структурную деформацию и экстракты клавы bn-th dscribd, ни один из этих 2-ярких спектров продемонстрировал хорошие методы полосы LSPR для синтеза наночастиц Mtal с использованием DLS цитрусовых. Измерение золота представляет собой поверхностную сортировку адсорбированных молекул. Тем не менее, при реакции НЧ. HR w rort th при 650 нм с указанием агрегации. выяснить, какие соединения подходят как для восстановления, так и для стабилизации!1 47,49Образовался, ммоль л общего олигонола. В своей предыдущей работе Иванов предположил, что в то время как тиреин и продукты его окисления, тизал ТМ, проявляют роль цитрусовых флавоноидов, 1,6 хридина, хритина, рутина, нарингнина, содержания кортина и диосмина, в синтез, обнаруженный на HtAuNPs (эквивалентно 40% исходного inut). как возможный ППР, так и тот факт, что золотые наночастицы (AuNP) при комнатной температуре.
только в составе флавоноидов цитрусовых, диосмина только в составе Au cor. Кроме того, данные DLS du должны быть менее важными, чем 1s nvlo (рис. S1, SI), атом оксигена находится в 7 мм и выше (Dm), In и (Ht), th rduction HAul информационный состав thsiz. , концентрация и c4 в растворе концентрации различают только NPsrgarding с большими или агрегатными условиями, выходящими из самостабилизированных концентраций однородных кристаллических наночастиц с двумя химическими характеристиками, а также одинарно связанными с суспензиями углерода и дважды активными зарядами наноматериалов, кроме информации о 2 или мор наност. Наши данные показывают узкое распределение по размерам. и сфокусированы на Ht, наиболее распространенном флавоноидном агликоне, связанном с углеродом, с дальнейшим увеличением длины, что способствует плавной характеристике органических и неорганических соединений. из цитрусовых для продуктов, стабилизирующих рост. HtAuNP, охарактеризованные с использованием высокоразрешающей технологии известного окисления поверхности HtAuNP, собранные с помощью других методов, таких как рентгеновский анализ кристаллической природы HtAuNP на рис.
подтверждая результаты, полученные в углеродно-рентгеновском спектре. Электронный контроль (XPS). Rcivd (в Ноттингеме, Великобритания) исследовали с помощью анализа тонкой инфракрасной дифракции (SAD). строхоттомия. Th NP остаются стабильными в течение нескольких месяцев без существенных изменений в третьем ша и 10 августа 2015 г., анализ HtAuNP Th XPS показан на рис. Тщательные расчеты с использованием теории функционала плотности, написанной для идентификации того, что может быть взято из SAD attrn 5dAcctd в виде выборочного обзора на рис. 7а показано, что в результате трех мутационных симуляций функциональные факторы, участвующие в переходе молекул Ht к золоту, которые см. в b DI: /c5nj02128f ara со многими НЧ HtAu, наночастицами являются высококристаллизованные золото, углерод, кислород, натрий, хлорин. , и кремний. В ходе проведения моделирования необходимо было понять последствия начального комплексообразования, приводящего к превращению ионов Au3+ в Au0. Кроме того, это и электронная дифракция могут быть отнесены к (111), th (200), к карлифификации HtAuNPs, к исследованию натриевого механизма образования ионов Au3+, а также к трокдуровидам, а не к методу, показывающему естественные для крупных.
(220), (311) и (222) возможного фактического кубического (ГЦК) ИК-тростатического внутриповерхностного механизма. Соответственно, тортиковидные и ланс хлорин b x представлены th+actionsth среди нгативно чаргдмасурд HtAuNPs и Na, а l! для Au+3:Hsrtin и Au+3:Hsrtin халкон (Hc) металлическое золото. Кроме того, внутриземные биогенные араканы с использованием экстрактов цитрусовых для синтеза наночастиц металлов: роль флавоноидов в восстановлении и стабилизации золота 13
14 мкм показан на рис. 3(б). Обнаруженные атомарные анализы u2 указывают на то, что, несмотря на структуру всей пленки, каждая колонка имеет хорошее кристаллическое качество в соответствии с небольшим значением 0,4! для th FWHM th XRD as. ТМ-изображения с высоким разрешением различных областей не показали никаких признаков образования биса, а также в сочетании с рентгеновскими рентгеновскими снимками. Слой Si2 на границе раздела u2/si ранее наблюдался в литературе.47 На рисунках 4(a) и 4(c) показаны АСМ-изображения, записанные для пленок u2 толщиной 250 нм, в теории зародышеобразования-роста-столкновения.
48 u2 (пиксельные) пленки и выращенные на фотоэлектронной решетке (XPS) max-ray «V» и «V vs. S rsntsurmnts» у высокоподтвержденной крысы со значением 7 ат. % (результаты не показаны). В отличие от атомов висмута и сероводорода, атомы висмута, входящие в состав атомов висмута, растут быстрее, а спектр Bi 4f XPS, показанный на рис. 1(b) Этот рост Th Bi 4f5/2 и 4f7/2, как, собственно, островков, расположенных у морфогенеза, находится в пределах и V. Эти положения вызывают двухмерный рост, которые отнесли результаты к более мелким ионам Bi3+,42 и нашли путем подгонки размера зерен и меньшей шероховатости поверхности. Кривые кривой по гауссовым (70%)-лорнцевым (30%) рофилам. Этот результат, в свою очередь, указывает на не-rsnc B. 5 Рис. Ниже # 500 нм осцилляции из-за полосы u2 ga отсутствуют. tanc stra сильно беспокоит выполнение, а иногда и не принимает во внимание дозировку. Это указывает на то, что Bi модифицирует полосу u2 ga и индекс rfractiv, как будет обсуждаться выше. Ширина полосы (g) и показатель фрак- ции пленок лктродозита u2, полученных из трэктанк-масурмантов после рокдурмлойда в Rf.
17, и rfrncs thrin. На рис. 6(а) g изображено как функция коэффициента дозы. Для неблагоприятных условий значение th mang составляет # 2,16 В, а для th dod cas оно равно J. Al. for Phys. 123, (2018) # 2.22 V. Оба значения g ar in th rang xctd u2. Связь g для u2 dod с Bi может быть объяснена dcras в u-u внутренних интракциях.44,49Кристаллическая структура u2 состоит из двух внутренних трехмерных u2 ntwors, которые стабилизируются u-внутренними связями и u-u внутренними включениями. u-u-интракция может быть преодолена путем сокращения решетчатой структуры u-u-взаимодействий. Как видно из рентгенограмм на рис. 2, Bi делает rducd th u2 решетчатой араммы. Однако эта структурная модификация привела к военному вторжению и, следовательно, к более высокому уровню. Недавно наша группа наблюдала такие же отношения между фиг. 4. АСМ-изображения Bi dod и решетчатой структуры для непроницаемых пленок U2 и пленок rard 2 lctrodositd при (а) в различных условиях дозирования17 и пленок u2u с напряжением 0,375 В, 0,400 В (б) и 0,425 В 0,425 В при различных уровнях воздействия.
о-ионов. по сравнению с S. В (d) показана поверхность на фиг. Спектры DS пленок u2 отображаются при ≥0,375, ≥0,400. На рис. 6(b) показаны шероховатости функции показателя фракционной активности как 1,a(a), рассчитанные по АСМ, V и S. На основании этих графиков была рассчитана пленка с концентрацией Bi. Спасибо за отмену, смерть и тебя! изображения пленок с различной (б) Bi 4f XPS спектральной характеристикой 7 ат. % для выборок thr u2. u2 rfractiv indx значительно меньше толщины дозы. все до двух слоев в соответствии с истинным значением. обычно и значительно зависит от работы с Bi. Положения для ионов Bi3+ верны. 2,0,400 В по сравнению с S показано на рис. 2(d), а решетка, которая является значением арамтра, найденным в этом случае, составляет 4,27 А xctd для решетки деформации fr u2. пленок, вероятно, связано с внедрением ионов Bi в решетку u2, что могло бы вызвать образование корвакансиса (Vu)44. чкд. В табл. 1 приведены метки кристаллитов u2, растущих в направлении [100]. Эти значения wr были получены после повторного использования в Rf.
17, и показывают, что меньшее положительное влияние всегда благоприятствует направлению [100] роста. Такое поведение противоречит результатам Rf. 45. Структурная характеристика слоев Bidod u2 также была проведена сотрудниками Transmission lctron Microscoy (TM), и было обнаружено, что пленка демонстрирует столбчатый рост. n из наблюдаемых столбцов показано на рис. 3(a), показывая, что ширина увеличивается по мере роста пленки, как это наблюдалось для роста u2 на 6. jmlo 1: u2 doado con Bi Brandt t al. ИНЖИР. 3. Изображения поперечного сечения пленки Bi dod u2 с дозой « V против S. На (а) показан столбец u2, ограниченный пунктирной линией. На (b) представлен ТМ-изображение столбца с высоким разрешением. 2. Рентгенограмма под углом скольжения (x = 1,5°) пленок Bi dod u2, выращенных при напряжении (а) > 0,375, (б) > 0,400 и (в) > 0,425 В отн. , S, и (d) неоднородной пленки u2 lctrodositd при ≥0,400 В по сравнению с S. Bi hass ar не обнаружено, и сдвиг в u2 XRD, обнаруженный Bi3+, JURNAL F APPLID PHYSIS 123, (2018) Dfcts control Илктродоситд Бидод у2ид,1 Юрий С.
ncia ngnharia d Matriais, Univrsidad Fdral d Santa 27 atarina, Florian! oolis, Бразилия 3 Instituto d F!ısica, Univrsidad Fdral do Rio Grand do Sul, Porto Algr, Бразилия 4 ntro Nan oMat/ryssmat Lab, DTMA, Facultad d Qu!ımica, Univrsidad d la R! улица, Монтвидо, Уругвай Mayo d 2019Заметное влияние Bi на плотность изменений в решетке u2, w Дисперсия WML и DiDomnico (WD) 51 уровня и предназначена для того, чтобы индуцировать структурные искажения данных по фракционному индексу. Достижение низкого электрического сопротивления в тонких пленках урана 2 является прямым требованием для эффективных энергетических двигателей. Хранение и образование сопутствующих дефектов, которые соответствуют Th Wml и строительным DiDomnico (WD) электронному диссонансу и rla51 слоям, написанным химическим путем на монокристаллическом Si(100) субби(7 ат. %) одиночный осциллятор модифицирует рефрактоактивный индекс u2. Рентгеновское теплоизлучение в определенной дозе играет важную роль в модели пленки. В WD-соотношениях выделяется более сильный осциллятор (рисунок показывает, что ионы Bi в решетке u2 имеют степень окисления 3+ и скользящую динамику роста, а не только вариант только тронного перехода) изолируется, а -Рамограммы дифракции лучей указывают на отсутствие признаков вторичного заболевания.
Понижение в 0,05 В на этой дозе обязательно приведет к структурным переходам) и комбинирует. и 2WD порядка магнитуды для электронно-электронного сопротивления от неодимового до биполярного u2 имеет 4 модификации, сравнимые с сопротивлениями, индуцируемыми 7% биологической стойкостью при температуре 230 % и 300 K соответственно. Однако для того, чтобы получить качественную информацию о фракционном показателе, аналитическое сопротивление dcras добавляется к incras в dnsity m 1,1 2 u vacancis. (7) d u2dcll, th образование u vacancis is mor Th Результаты DFT показали, что при 6% Bi dod m благоприятнее, чем при undod u2 on. u th3incidnt – это единственный случай, который согласуется с инкрасом (dcras) й полосы излучения (активации, энергии) для Bi, m 6% с этим xrimntal AIPdisrssion Publishing.nrgy htts://doi.org/ / oscillator rsults.nrgy, опубликовано и d isbyth I. ВВЕДЕНИЕ d = 4!h3 N2 X w21 f , (8)-я критическая устойчивость th smiconsquntly dc ras мм w2 28 жил. Благодаря этому, экстенсивное восстановление оксида мочевины (u2) представляет собой полупроводник с величиной около 5 порядков магнитуды в электрическом сопротивлении, имеет полосу ga 2,17 В при 4,2 1) и природный холестерол.
hkis(rf. th rducd постоянная Планка, полученная для пленок lctrodositd u2 29 .На самом деле, 2 хладнокровия, привлекательная дешевизна производства. Это тронная масса, а также заряд, который фактически дает u2 n-ty характеристики для действия в горячей гальванической воде с щелевыми ячейками3, 29,30. Более сильные генераторные транзисторы 4, катализ 15, горячий катализ 6 и солнечные батареи. rduc th u2 resistivity, но кристаллические искажения/imrfcat частое проводящее переключение переходного материала, поскольку оно rsntdwa.switching сохраняет свой характер. Для пленок с коэффициентом сопротивления u28, требующим действительного воздействия N и переходом. Для коэффициента сопротивления 3,25 и человека 0,45 с.дф., изменение электрического сопротивления в 3 раза при слишком низком % Mn было необоснованным. .31 Как бы то ни было, это Thrfor, th nrgyhav d canby звонил в технологию тонких пленок из железа. u2, широкий 0,3 ат. 9Магтрон-сутр-Инд, бн усд, т. е., дозировка сверхвысокочастотного лазера, дефекты в различных кристаллических системах.
такая информация не была ясной, если этот процесс индуцировал активное или 52, 53 ингибирование, 10 кор-окисление, радикальное окисление и индуцировалось ранее в других работах. статистика доноров внутри группы u2 ga. В частности, в некоторых случаях, выращенных G-dod для получения стимула для dsi, он очень привлекателен для тонких пленок, выращенных с помощью этого метода, поскольку он включает в себя низкие инструментальные и дозированные химически активные факторы. в й полосе Фиг. 5. Спектральные светотеневые спектры пленок unod и Bi dod u2. Это может быть связано со следующими чудесными отношениями, которые были связаны с затратами на материалы и эффективны для создания большой энергии и снижения электрического сопротивления с помощью порядка пленок. Катион u2 rortis, не отвечающий th H защитного сопротивления, был выбран для suttr-dositd th lctrolyt,13,17, такой как кристаллографическая ориентация, пленки u2 dod с N, сохраняющие th-ty характер.34 морфологию и фракционный индекс . Уменьшение сопротивления u2 и повышенного сопротивления Th lctrodositd пленок u2 с концентрацией носителя также достигается за счет слишком высоких значений, таких как 108 X cm (Rfs) u2, выращенных путем радикального окисления.
