Ir2110 схема включения: IR2110 описание на русском, характеристики

Ir2110s схема включения и описание

Отличительные особенности:

  • Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционирования полностью работоспособны до +500В или +600В
  • Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
  • Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
  • Диапазон напряжения питания драйверов 10…20В
  • Блокировка при снижении напряжения
  • Отдельное питание логики от 5В до 20В
  • Смещение логики и общего питания ±5В
  • Входы с КМОП триггерами Шмита с привязочными резисторами к общему питания
  • Тактирование логики выключения
  • Согласованная задержка распространения для обоих каналов
  • Выходы драйвера в фазе со входами
  • Напряжение смещения VOFFSET
    не более 500В (IR2110)
    не более 600В (IR2113)
  • Имп.вых. ток к.з Iо± 2 А/ 2 А
  • Выходное напряжение драйверов VOUT 10 – 20В
  • Время вкл./выкл. 120/94 нс
  • Согласованная задержка 10 нс

Типовая схема включения:

VddПитание логики
HINЛогический вход управления выходом драйвера верхнего уровня (HO), в фазе
LINЛогический вход управления выходом драйвера нижнего уровня (LO), в фазе
SDВход выключения
VSSЛогический общий
VBНапряжение питания ключей верхнего уровня
HOВыход драйвера верхнего уровня
VSВозврат питания верхнего уровня
VCCПитание драйверов нижнего уровня
LOВыход драйвера нижнего уровня
COMВозврат питания нижнего уровня

IR2110, IR2113 – драйверы высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней.

Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию.

Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Задержка при распространении сигналов согласована для применения в высокочастотных приложениях. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 500В или до 600В.

Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы.
Перевод этой статьи.

Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т.

п. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку (хвала текстовым процессорам с указанием ошибок), то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто.
И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее.

Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на , само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно. Обычно это выглядит так:
— берём двигатель
— берём компоненты
— подсоединяем компоненты и двигатель

— …
— PROFIT!1!

Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.

Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится.

Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.

Вы можете загрузить документацию для IR2110 с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf

Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:


Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110


Рисунок 2 — Распиновка IR2110


Рисунок 3 — Описание пинов IR2110

Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.

Теперь поговорим о различных контактах.

VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов.

Вот график:


Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания

Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт. Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.

Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33).

При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.

Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.

Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.

HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю.

Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.

SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.

Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2110 для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на полумостовые схемы.


Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления полумостом

D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как 30-50кГц, я использую ёмкость от 4.7мкФ до 22мкФ. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором. Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый.

D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.

+MOSV может быть максимум 500В.

+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.

Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.


Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного полумоста


Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами (кликабельно)

На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.


Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами (кликабельно)


Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня

На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.


Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня


Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня

Если у вас проблемы с IR2110 и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно. НИКОГДА НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О РЕЗИСТОРАХ НА ЗАТВОР-ИСТОК. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь (я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения): http://tahmidmc.blogspot.com/2012/10/magic-of-knowledge.html

Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.

Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы.

Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на , само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно. Обычно это выглядит так:
— берём двигатель
— берём компоненты
— подсоединяем компоненты и двигатель
— …
— PROFIT!1!

Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.

Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится.

Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.

Вы можете загрузить документацию для IR2110 с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf

Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:


Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110


Рисунок 2 — Распиновка IR2110


Рисунок 3 — Описание пинов IR2110

Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.

Теперь поговорим о различных контактах.

VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график:


Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания

Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт. Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.

Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33). При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.

Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.

Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.

HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю.

Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.

SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.
Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2110 для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на половинчатые мостовые схемы.


Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления половинчатым мостом

D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как 30-50кГц, я использую ёмкость от 4.7мкФ до 22мкФ. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором. Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый.

D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.

+MOSV может быть максимум 500В.

+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.

Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.


Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного половинчатого моста


Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами

На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.


Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами


Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня

На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.


Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня


Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня

Если у вас проблемы с IR2110 и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно. НИКОГДА НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О РЕЗИСТОРАХ НА ЗАТВОР-ИСТОК. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь (я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения): http://tahmidmc.blogspot.com/2012/10/magic-of-knowledge.html

Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.

Поделиться с друзьями:

Твитнуть

Поделиться

Поделиться

Отправить

Класснуть

Adblock detector

IR2110, IR2113 Driver keys the low and high levels

НХПТ — IR2110, IR2113 Driver keys the low and high levels
Пятница
02. 12.2022
03:21
Приветствую Вас Гость | RSS
 

http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/ic/IR/control/drivers2/2/IR2110_13.htm

Отличительные особенности:

  • Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционирования полностью работоспособны до +500В или +600В
  • Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
  • Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
  • Диапазон напряжения питания драйверов 10…20В
  • Блокировка при снижении напряжения
  • Отдельное питание логики от 5В до 20В
  • Смещение логики и общего питания ±5В
  • Входы с КМОП триггерами Шмита с привязочными резисторами к общему питания
  • Тактирование логики выключения
  • Согласованная задержка распространения для обоих каналов
  • Выходы драйвера в фазе со входами
  • Напряжение смещения VOFFSET
        не более 500В (IR2110)
        не более 600В (IR2113)
  • Имп. вых. ток к.з Iо± 2 А/ 2 А
  • Выходное напряжение драйверов VOUT 10 – 20В
  • Время вкл./выкл. 120/94 нс
  • Согласованная задержка 10 нс

Типовая схема включения:

 

 

 

 

 

 

 

Блок-схема:

 

 

 

 

 

 

 

 

Расположение выводов:

 

 

 

 

 

Описание выводов:

VddПитание логики
HINЛогический вход управления выходом драйвера верхнего уровня (HO), в фазе
LINЛогический вход управления выходом драйвера нижнего уровня (LO), в фазе
SDВход выключения
VSSЛогический общий
VBНапряжение питания ключей верхнего уровня
HOВыход драйвера верхнего уровня
VSВозврат питания верхнего уровня
VCCПитание драйверов нижнего уровня
LO

Выход драйвера нижнего уровня

 

 

Copyright MyCorp © 2022
Бесплатный конструктор сайтов — uCoz

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Новинка: МОП-транзистор CoolSiC™ 2000 В

EasyPACK™ 3B поддерживает работу при полном токе при 1500 В постоянного тока с достаточным запасом по перенапряжению — идеально подходит для фотогальванической зарядки и зарядки электромобилей.

Скачать техническое описание

electronica 2022

Посетите нас на выставке electronica в этом году — живите в Мюнхене или в цифровом формате!

Учить больше

Присоединяйтесь к нам на TRUSTECH 2022

Погрузитесь в самое сердце безопасности на выставке TRUSTECH этого года с семейством универсальных решений Infineon SECORA™.

Узнать больше

Масштабируемая автомобильная приборная панель

Маломощная линейная обработка графики, функциональная безопасность, встроенный аппаратный модуль безопасности (HSM) и возможность обновления программного обеспечения по беспроводной сети (OTA).

Учить больше

Умные дома и здания будущего

Интеллектуальные полупроводниковые решения делают здания и дома настраиваемыми, обеспечивая больше комфорта жителям и работникам и экономя энергию

Взглянем

Машинное зрение для Индустрии 4.0

Веб-семинар: USB SuperSpeed ​​(от 5 до 20 Гбит/с) для высокоскоростной обработки изображений и видео. Ускорьте промышленную автоматизацию производства с помощью решений Infineon EZ-USB™.

Сохраните свое место

Новости

28 ноября 2022 г. | Business & Financial Press

Немецкая федеральная типография, Fraunhofer и Infineon впервые демонстрируют защиту электронного паспорта в эпоху квантовых компьютеров

22 ноября 2022 г. | Business & Financial Press

Infineon возглавляет рейтинг лидеров разнообразия Financial Times 2022

Новости рынка

01 декабря 2022 г. | Новости рынка

Формирователь изображения i-ToF на основе новой пиксельной технологии Infineon повышает производительность системы 3D-камеры при оптимизированной стоимости

Посетите Infineon в Twitter

Драйвер IR2110 MOSFET/IGBT: разводка выводов, характеристики, схема [видео]

Как работает датчик температуры DS18B20?

ШИМ-контроллер TL494: распиновка, схема, техническое описание [видео]

Автор: Миа

Дата: 21 января 2022 г.

16832

Во многих приложениях МОП-транзисторы конфигурируются как переключатели верхнего плеча и часто конфигурируются как переключатели верхнего и нижнего плеча. В таких приложениях используются драйверы MOSFET со стороны высокого и низкого уровня.

 

IR2110 — самая популярная микросхема драйвера верхнего и нижнего плеча. IR2110 — это высоковольтный, быстродействующий мощный драйвер MOSFET и IGBT с независимыми опорными выходными каналами высокого и низкого напряжения. Запатентованные технологии HVIC и CMOS с защитой от защелок обеспечивают прочную монолитную конструкцию. Логические входы совместимы со стандартным выходом CMOS или LSTTL с логическим напряжением до 3,3 В. Выходные драйверы имеют буферный каскад с высоким импульсным током, спроектированный для минимальной перекрестной проводимости драйвера. Задержки распространения согласованы для упрощения использования в высокочастотных приложениях. Плавающий канал можно использовать для управления N-канальным мощным MOSFET или IGBT в конфигурации верхнего плеча, которая работает до 500 или 600 вольт.

 

Ниже представлено видео о том, как использовать полевой МОП-транзистор IR2110 для управления светом автомобиля.

 

Простая демонстрация подключения IR2110 к MOSFET и управления автомобильным светом 12 В.

Catalog

IR2110 Pin Configuration and Functions

IR2110 Functional Block Diagram

IR2110 Parameters

IR2110 Features

IR2110 Package Outline

How to Use IR2110

IR2110 Functional Equivalents

IR2110 Applications

IR2110 Popularity by Region

IR2110 Производитель

Спецификация компонентов

Заказ и количество


IR2110 Конфигурация и функции PIN -контакта


Функции PIN -контакта:


IR2110 Функциональная диаграмма


IR2110.

ИР2110 Каналы 2.0 Конфигурация Верхняя и нижняя стороны Вход Vcc   мин  макс 10,0 В 20,0 В Тип изоляции Функциональный сдвиг уровня Выходной ток (источник)   мин. 2,5 А 2,0 А Выходной ток (сток) мин. 2,5 А 2,0 А Выключить задержку распространения   макс. 94,0 нс 125,0 нс Задержка распространения при включении   макс. 120,0 нс 150,0 нс Вход UVLO (вкл.) 8,5 В Вход UVLO (Выкл.) 8,2 В Выход UVLO (вкл.) 8,6 В Выход UVLO (Выкл.) 8,2 В Класс напряжения 500,0 В

IR2110 Характеристики

  • Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки
  • Полностью работоспособен до +500 В
  • Доступна полностью рабочая версия до +600 В (IR2113)
  • Невосприимчивость к dV/dt
  • Диапазон питания привода затвора от 10 до 20 В
  • Блокировка по пониженному напряжению для обоих каналов
  • Совместимость с логикой 3,3 В
  • Отдельный диапазон питания логики от 3,3 В до 20 В
  • Заземление логики и питания +/- 5 В, смещение
  • КМОП-триггерные входы Шмитта с раскрывающимся списком
  • Цикл за циклом логика отключения по фронту
  • Согласованная задержка распространения для обоих каналов
  • Выходы в фазе с входами

 IR2110 Схема упаковки

  • 14 выводов PDIP

  • 16-выводной SOIC

 


Как использовать IR2110

Схема приложения для управления полевыми МОП-транзисторами в конфигурациях как высокого, так и низкого напряжения с использованием IR2110 приведена ниже. Плавающий канал, используемый для управления силовым N-канальным МОП-транзистором или IGBT в конфигурации верхнего плеча, который работает до 500 вольт. HO и LO — это выходные контакты управления затвором со стороны нижнего уровня и выходные контакты управления затвором со стороны высокого уровня.


IR2110 Функциональные эквиваленты

Номер детали

Описание

Производитель

IR2110 ДРАЙВЕРЫ И ИНТЕРФЕЙСЫ

Драйвер MOSFET на основе полумоста, 2,5 А, CMOS, PDIP14, ПЛАСТИК, MS-001AC, DIP-14

Инфинеон Текнолоджиз АГ

HIP2500IP ДРАЙВЕРЫ И ИНТЕРФЕЙСЫ

Драйвер MOSFET на основе полумоста, 2,3 А, CMOS, PDIP14

ООО «Рочестер Электроникс»

IR2110L4 ДРАЙВЕРЫ И ИНТЕРФЕЙСЫ

Драйвер MOSFET на основе полумоста, 2A, CMOS, MO-036AB, 14 контактов

Международный выпрямитель

IR2110PBF ДРАЙВЕРЫ И ИНТЕРФЕЙСЫ

Полумостовой драйвер МОП-транзистора, 2,5 А, КМОП, PDIP14, БЕССВИНЦОВЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, MS-001AC, DIP-14

Инфинеон Текнолоджиз АГ

IR2110-1PBF ДРАЙВЕРЫ И ИНТЕРФЕЙСЫ

Полумостовой драйвер МОП-транзистора, 2,5 А, КМОП, PDIP13, БЕССВИНЦОВЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, MS-001AC, DIP-14/13

Международный выпрямитель

IR2110-1 ДРАЙВЕРЫ И ИНТЕРФЕЙСЫ

Драйвер MOSFET на основе полумоста, 2,5 А, CMOS, PDIP13, ПЛАСТИК, DIP-14/13

Международный выпрямитель


IR2110 Применение

  • Драйвер двигателя постоянного тока
  • Регулятор скорости двигателя переменного тока
  • Половинный, полный и трехфазный мост
  • Инвертор с чистой синусоидой
  • Устройство плавного пуска трехфазного асинхронного двигателя

IR2110 Популярность по регионам


IR2110 Производитель

Infineon Technologies производит полупроводники, микроконтроллеры, датчики, переключатели и другие устройства, которые управляют питанием, энергией, безопасностью и другими функциями в автомобилях, телефонах, бытовой технике и оборудовании. . Продукты компании занимают первое или второе место на рынке автомобильных, промышленных систем управления питанием, управления питанием и приложений цифровой безопасности. Автомобилестроение — крупнейший рынок Infineon, на который приходится около 45% продаж. В число клиентов входят Bosch, Bombardier, Gemalto и Osram.


Технический паспорт компонента

Заказ и качество

Поделиться

Похожие статьи 17 марта 2022 г.

2215

2N5457 — полевой транзистор с N-канальным соединением. В устройстве 2N5457 используется классический съемный тип TO-92 и капсула из эпоксидной смолы, которая имеет механические преимущества небольшого …

Продолжить чтение »

Контроллер UC3842AN: техническое описание, эквивалент и модели САПР [Видео и часто задаваемые вопросы]

Ирэн 14 июля 2022 г. 1969

Каталог Описание UC3842ANСвязанная видеоинструкцияМодели САПР UC3842ANКонфигурации контактов UC3842ANСвойства UC3842ANПриложения UC3842ANТехническое описание UC3842ANАтрибуты продуктаСвязанные…

Продолжить чтение »0101

Ирэн 1 апр 2022 690

Обзор изделия 1N5819RLG представляет собой выпрямитель Шоттки с аксиальными выводами в литом корпусе из эпоксидной смолы. В этой серии используется принцип барьера Шоттки в мощном диоде металл-кремний большой площади. Состояние…

Продолжить чтение »

1SMA5913BT3G Стабилитрон: распиновка, техническое описание в формате PDF, характеристики

Irene 21 января 2022 г.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Фото Произв. Деталь № Компания Описание Пакет ПДФ Кол-во Цены
(долл. США)
ИР2110 Компания: Infineon Technologies Примечание: Полумостовая микросхема драйвера затвора, не инвертирующая, 14-DIP Упаковка: 14-DIP (0,300″, 7,62 мм)
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена: Купить
ИР2110-2ПБФ Компания:Infineon Technologies Примечание: микросхема драйвера затвора полумоста, не инвертирующая, 16-PDIP Упаковка: 16-DIP (0,300″, 7,62 мм), 14 выводов
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена: Купить
ИР2110С Компания:Infineon Technologies Примечание: полумостовая микросхема драйвера затвора, не инвертирующая 16-SOIC Упаковка: 16-SOIC (0,295″, ширина 7,50 мм)
Спецификация
В наличии:Под заказ
Купить
Цена: Купить
ИР2110СТРПБФ Компания:Infineon Technologies Примечание:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Упаковка: 16-SOIC (0,295 дюйма, ширина 7,50 мм)
Спецификация
В наличии:1000
Купить
Цена:

1000+: 1,18800 $
2000+: 1,14400 $
5000+: $1,10000
10000+: 1,08240 $
25000+: 1,05600 $

Купить