Микросхема 2019 даташит. Микросхема TEA2019: ШИМ-контроллер для импульсных блоков питания

Что представляет собой микросхема TEA2019. Какие функции выполняет ШИМ-контроллер TEA2019. Для каких типов импульсных блоков питания применяется микросхема TEA2019. Какие преимущества дает использование TEA2019 в импульсных источниках питания.

Содержание

Обзор микросхемы TEA2019 и ее основные характеристики

Микросхема TEA2019 представляет собой специализированный ШИМ-контроллер, разработанный для управления импульсными источниками питания. Данная микросхема обладает рядом ключевых характеристик:

  • Напряжение питания: 8-28 В
  • Максимальная рабочая частота: 500 кГц
  • Встроенный генератор с фиксированной частотой
  • Температурный диапазон: от -40°C до +125°C
  • Корпус: DIP-8, SO-8

TEA2019 обеспечивает стабильное и эффективное управление ключевыми элементами импульсного блока питания. Какие основные функции выполняет данный ШИМ-контроллер?

Функциональные возможности ШИМ-контроллера TEA2019

Микросхема TEA2019 реализует следующие ключевые функции для управления импульсными источниками питания:


  • Генерация ШИМ-сигнала для управления силовыми ключами
  • Стабилизация выходного напряжения
  • Ограничение выходного тока
  • Плавный старт при включении
  • Защита от перегрузки и короткого замыкания
  • Температурная защита

Благодаря этим функциям TEA2019 обеспечивает надежную и эффективную работу импульсных блоков питания различных типов. В каких именно схемах чаще всего применяется данный контроллер?

Области применения микросхемы TEA2019

ШИМ-контроллер TEA2019 находит широкое применение в следующих типах импульсных источников питания:

  • Обратноходовые (flyback) преобразователи мощностью до 100 Вт
  • Прямоходовые (forward) преобразователи
  • Полумостовые и мостовые преобразователи
  • AC/DC-преобразователи для бытовой электроники
  • Источники питания для телекоммуникационного оборудования
  • Зарядные устройства для аккумуляторов

Такая универсальность делает TEA2019 популярным выбором для разработчиков импульсных блоков питания различного назначения. Какие преимущества дает использование этой микросхемы?

Преимущества применения TEA2019 в импульсных источниках питания

Использование ШИМ-контроллера TEA2019 позволяет получить следующие преимущества при разработке импульсных блоков питания:


  • Высокий КПД преобразования энергии (до 90%)
  • Компактные размеры источника питания
  • Низкий уровень электромагнитных помех
  • Широкий диапазон входных напряжений
  • Стабильное выходное напряжение при изменении нагрузки
  • Надежная защита от аварийных режимов

Эти преимущества обеспечивают высокую эффективность и надежность импульсных блоков питания на базе TEA2019. Как устроена внутренняя структура данной микросхемы?

Внутренняя структура и принцип работы TEA2019

Микросхема TEA2019 имеет следующую внутреннюю структуру:

  • Генератор пилообразного напряжения
  • Широтно-импульсный модулятор
  • Усилитель сигнала ошибки
  • Схема плавного пуска
  • Источник опорного напряжения
  • Схемы защиты от перегрузки и перегрева

Принцип работы TEA2019 основан на широтно-импульсной модуляции. Выходной сигнал ошибки сравнивается с пилообразным напряжением генератора, формируя ШИМ-импульсы для управления силовыми ключами. Как правильно применять данную микросхему в схемах импульсных блоков питания?

Особенности применения TEA2019 в импульсных источниках питания

При использовании TEA2019 в схемах импульсных блоков питания следует учитывать следующие рекомендации:


  • Правильный выбор силовых компонентов (трансформатор, ключи, диоды)
  • Корректная разводка печатной платы для минимизации помех
  • Использование снабберных цепей для защиты силовых ключей
  • Настройка цепи обратной связи для стабильной работы
  • Применение теплоотвода для микросхемы при большой мощности

Соблюдение этих рекомендаций позволяет реализовать все преимущества TEA2019 и создать эффективный импульсный блок питания. Какие существуют типовые схемы включения данной микросхемы?

Типовые схемы включения микросхемы TEA2019

Наиболее распространенными схемами включения ШИМ-контроллера TEA2019 являются:

  1. Обратноходовой преобразователь с гальванической развязкой
  2. Прямоходовой преобразователь с дополнительной обмоткой
  3. Полумостовой преобразователь с двумя силовыми ключами
  4. Понижающий преобразователь без гальванической развязки

В каждой из этих схем TEA2019 выполняет функции управления силовыми ключами и стабилизации выходного напряжения. Правильный выбор схемы зависит от конкретных требований к импульсному блоку питания.


Обратноходовой преобразователь на базе TEA2019

Обратноходовая топология является наиболее популярной для маломощных источников питания до 100 Вт. В такой схеме TEA2019 управляет одним силовым ключом, который периодически подключает первичную обмотку трансформатора к источнику питания. Энергия накапливается в магнитном поле трансформатора, а затем передается во вторичную цепь при закрытии ключа.

Прямоходовой преобразователь с TEA2019

В прямоходовой схеме энергия передается во вторичную цепь при открытом силовом ключе. TEA2019 управляет длительностью открытого состояния ключа, регулируя передаваемую мощность. Такая топология эффективна для источников питания средней мощности до 250 Вт.

Полумостовой преобразователь на TEA2019

Для мощных импульсных источников питания (более 250 Вт) часто применяется полумостовая схема. В ней TEA2019 управляет двумя силовыми ключами, которые поочередно подключают первичную обмотку трансформатора к источнику питания. Это позволяет эффективно передавать большую мощность.


Выбор оптимальной схемы включения TEA2019 зависит от требуемой выходной мощности, входного напряжения и других параметров разрабатываемого импульсного блока питания. Правильное применение данной микросхемы позволяет создавать эффективные и надежные источники питания для различных устройств.


АО «НИИЭТ»

Продукция

Новинки и текущие разработки

 

Интегральные микросхемы

 

Микросхемы в пластиковых корпусах

ВЧ/СВЧ транзисторы и модули

Макетно-отладочные устройства

Испытательное оборудование

Новости

Все новости

О предприятии

 

АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.

Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.

На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.

Сегодня НИИЭТ — это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.

 

Направления деятельности

Разработка

Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.

Сборка

Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.

Испытания и измерения

Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.

Наши партнёры

Партнёры

Госкорпорация «Росатом»

АО «Российские космические системы»

АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»

ООО «НПФ Вектор»

АО «ВЗПП-Микрон»

Госкорпорация «Роскосмос»

АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»

ГК «Элемент»

ЗАО НТЦ «Модуль»

АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»

Госкорпорация «Ростех»

АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»

АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»

АО «СКТБ ЭС»

Вузы-партнёры

ФГБОУ ВО ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова

ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

Дилеры и дистрибьюторы

ООО «ЭНЭЛ»

ООО «Пятый элемент»

АО «ТЕСТПРИБОР»

АО «РТКТ»

ООО «Сигма-Проект»

Информационные партнеры

Научно-технический журнал «Электроника НТБ»

Журнал «Компоненты и технологии»

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter

«РадиоЛоцман» — портал и журнал для разработчиков электроники

Журнал «Электронные компоненты»

АО «НИИЭТ»

Продукция

Новинки и текущие разработки

 

Интегральные микросхемы

 

Микросхемы в пластиковых корпусах

ВЧ/СВЧ транзисторы и модули

Макетно-отладочные устройства

Испытательное оборудование

Новости

Все новости

О предприятии

 

АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.

Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.

На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.

Сегодня НИИЭТ — это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.

 

Направления деятельности

Разработка

Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.

Сборка

Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.

Испытания и измерения

Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.

Наши партнёры

Партнёры

Госкорпорация «Росатом»

АО «Российские космические системы»

АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»

ООО «НПФ Вектор»

АО «ВЗПП-Микрон»

Госкорпорация «Роскосмос»

АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»

ГК «Элемент»

ЗАО НТЦ «Модуль»

АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»

Госкорпорация «Ростех»

АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»

АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»

АО «СКТБ ЭС»

Вузы-партнёры

ФГБОУ ВО ВГЛТУ им.

Г.Ф. Морозова

ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

Дилеры и дистрибьюторы

ООО «ЭНЭЛ»

ООО «Пятый элемент»

АО «ТЕСТПРИБОР»

АО «РТКТ»

ООО «Сигма-Проект»

Информационные партнеры

Научно-технический журнал «Электроника НТБ»

Журнал «Компоненты и технологии»

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter

«РадиоЛоцман» — портал и журнал для разработчиков электроники

Журнал «Электронные компоненты»

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Водородные электролизеры становятся зелеными

Получите представление о применении электролизеров переменного и постоянного тока и о преимуществах наших лучших в своем классе мощных полупроводниковых решений.

Смотреть видео

electronica 2022

Посетите нас на выставке electronica в этом году — живите в Мюнхене или в цифровом виде!

Учить больше

Присоединяйтесь к нам на TRUSTECH 2022

Погрузитесь в самое сердце безопасности на выставке TRUSTECH этого года с семейством универсальных решений Infineon SECORA™.

Узнать больше

Тяговые преобразователи для электромобилей

Высокая эффективность увеличивает радиус действия и снижает усилия по охлаждению, пространство и вес.

Учить больше

Умные дома и здания будущего

Интеллектуальные полупроводниковые решения делают здания и дома настраиваемыми, обеспечивая больше комфорта жителям и работникам и экономя энергию

Взглянем

Машинное зрение для Industry 4.0

Веб-семинар: USB SuperSpeed ​​(от 5 до 20 Гбит/с) для высокоскоростной обработки изображений и видео. Ускорьте промышленную автоматизацию производства с помощью решений Infineon EZ-USB™.

Сохраните свое место

Tech for — события о влиянии технологий

Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции «Технологии для устойчивого будущего»! Следите за нашими панельными дискуссиями о роли и потенциале технологий для создания будущего, достойного жизни

Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции

Новости

22 ноября 2022 г. | Business & Financial Press

Infineon возглавляет рейтинг лидеров разнообразия Financial Times 2022

14 ноября 2022 г. | Ежеквартальный отчет

После рекордного 2022 финансового года Infineon значительно увеличивает свои долгосрочные финансовые цели и планирует крупные инвестиции в новый завод в Дрездене; позитивный прогноз на 2023 год

Новости рынка

25 ноября 2022 г. | Новости рынка

Infineon и TSMC представляют технологию RRAM для автомобильного семейства продуктов AURIX™ TC4x

Посетите Infineon в Twitter

Страница не найдена — FTDI

404

Похоже, в этом месте ничего не найдено. Может попробовать одну из ссылок ниже или поиск?

Информационный бюллетень





CountryAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Keeling) IslandsColombiaComorosCongoCook IslandsCosta RicaCote D’IvoireCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland Islands (Malvinas)Faroe IslandsFijiFinlandFrance, MetropolitanFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Southern TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHeard и острова Мак-ДональдГондурасГонконгВенгрияИсландияВ diaIndonesiaIran (Islamic Republic of)IraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiNorth KoreaSouth KoreaKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Arab JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauFYROMMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Federated States ofMoldova, Republic ofMonacoMongoliaMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRussian FederationRwandaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint Vincent and the GrenadinesSamoaSan MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovak RepublicSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia &ампер; Южные Сандвичевы островаИспанияШри-ЛанкаSt.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *