Микросхемы это: Микросхема — это… Что такое Микросхема?

История микросхем

Микросхема является миниатюрным электронным блоком, в корпус которого «входят» пассивные и активные радиоэлектронные компоненты (транзистор, резистор, диод и прочие). Количество РЭК в микросхеме может варьироваться от десяти до нескольких сотен и тысяч. Даже одна современная микросхема порой заменяет большой электронный блок в любом оборудовании: в компьютере, электронно-вычислительных машинах, часах, телефонах.

Всего лишь с четверть века тому назад радиолюбители, производители всех стран, специалисты в радиоэлектронной области не могли и представить себе, что электронная лампа в скором времени уступить свое важное место в радио и электроаппаратуре полупроводниковым деталям, транзисторам, а затем и транзисторы постепенно начнут сдавать свои позиции, уступив свое место полупроводникам новейшего поколения – микросхемам. На сегодняшний день наибольшее применение имеет интегральная микросхема (ИМС).

Применение микросхем

Современные модели микросхем имеют широкое использование практически во всех сферах промышленности. Можно сказать, что где существует какое-либо оборудование, аппаратура, там присутствуют и микросхемы:

• Радиоэлектронная промышленность;
• Медицина;
• Военная отрасль;
• Авиация и космическая сфера;
• Кораблестроение;
• Точное приборостроение и многие другие отрасли.

Микросхемы производят в пластмассовом, металлическом, керамическом корпусе, чаще всего от материала корпуса зависит и цена на устройство. На стоимость влияет и функциональное назначение микросхемы, наносимое на компонент специальной маркировкой.

История создания микросхемы

Первые микросхемы имели значительные габариты, были тяжеловатыми, по сравнению с современными, слегка уродливыми, неаккуратными, отовсюду торчали соединительные провода. Но даже такая «микросхема», точнее прототип современной, все-таки работала.
Современные микросхемы нашли свое применение в промышленном производстве не очень давно, но разработка этого устройства началась еще лет шестьдесят назад американским инженером Джеком Килби. Впервые прототип был показан Джеком своему начальству в 1958 году. А началось это летним жарким днем, когда практически все служащие отдела находились в отпуске, Килби сидел и лениво размышлял, как упростить некое устройство. И тут его осенило, что эффективно и удобно будет, если создать из полупроводниковых деталей, не просто транзистор, а всю электрическую схему, поместив ее на плату. Создавался первый в мире прототип «микросхемы» на германиевой пластине, на нее инженер встроил детали электрической цепи, которая преобразовывала в переменный ток постоянный. Все блоки МС были соединены металлическими проводами, которые не припаивались, а находились в подвесном состоянии. Всё это выглядело очень нелепо, но работало. Со временем и множеством усовершенствований, микросхему начали выпускать серийно, но все же эта деталь абсолютно не дотягивала до своего названия «микро». В 2000 году Килби получил Нобелевскую премию за разработку данного элемента.

Микросхемы, их виды по технологическому производству

Интегральные;
Гибридные;
Пленочные;
Смешанные.

Микросхемы по типу обрабатываемого сигнала

Цифровые микросхемы

• Микросхема;
• МСU;
• МС памяти;
• Триггер;
• Регистр;
• Шифратор;
• Сумматор;
• Мультиплексоры.

Аналоговые микросхемы

• стабилизаторы тока, напряжения;
• микросхемы, управляющие импульсным источником питания;
• генератор сигнала;
• преобразователь сигнала;
• аналоговый умножитель;
• датчик.

Аналогово-цифровая МС

• Аналоговые, цифровые преобразователи
• Трансиверы
• Коммутаторы
• Модуляторы/демодуляторы и другие.

Микросхемы, вышедшие из строя, не всегда поддаются ремонту. Если у вас скопилось некоторое количество подобных деталей, МС б/у или новых, но морально устаревших, мы предлагаем их продать нашей компании.

Первая микросхема 🙂 / Хабр

Кроме того, мои усилия сопровождались лишь самыми положительными отзывами и поддержкой со всего мира. Искренне благодарен всем, кто мне помогал, давал советы и вдохновлял на этот проект. Особенно моим удивительным родителям, которые не только всегда поддерживают и поощряют меня как только могут, но и предоставили рабочее место и смирились с затратами на электроэнергию… Спасибо!

Без дальнейших церемоний представляю первую интегральную схему (ИС), изготовленную литографическим способом в домашних (гаражных) условиях — PMOS-чип двойного дифференциального усилителя Z1.

Я говорю «изготовленную литографическим способом», потому что Джери Эллсуорт изготовила первые транзисторы и логические вентили (с соединениями, тщательно проложенными вручную проводящей эпоксидной смолой) и показала миру, что это возможно. Вдохновленный её работой, я представляю интегральные схемы, созданные масштабируемым, стандартным фотолитографическим процессом. Излишне говорить, что это логический шаг вперёд по сравнению с моим предыдущей работой, где я воспроизвёл полевой транзистор Джери.

Макет Magic VLSI

Генерация маски

Активная область

Затвор

Контакт

Металл

Размер затвора приблизительно 175 мкм, хотя на чипе для проверки выполнены элементы размером до 2 мкм. Каждая секция усилителя (центральная и правая) содержит три транзистора (два для двухтактной схемы с общим катодным сопротивлением и один в качестве источника тока/нагрузочного резистора), что означает в общей сложности шесть транзисторов на ИС. В левой части резисторы, конденсаторы, диоды и другие тестовые элементы, чтобы изучить характеристики техпроцесса. Каждый узел дифференциальных пар выходит отдельным штифтом на выводной рамке, поэтому его можно изучать, а при необходимости добавить внешнее смещение.

Кремниевые пластины 50 мм (2″) разбиваются на кристаллы 5,08×3,175 мм (площадь около 16 мм²) волоконным лазером Epilog. Такой размер кристалла выбран, чтобы он помещался в 24-контактный DIP-корпус Kyocera.

Пластина N-типа 50 мм

Пластина N-типа 50 мм

Сначала с пластины снимается нативная окись быстрым погружением в разбавленный фтороводород с последующей интенсивной обработкой травильной смесью «пиранья» (смесь серной кислоты и перекиси водорода), смесью RCA 1 (вода, аммиак, перекись водорода), смесью RCA 2 (вода, соляная кислота, перекись водорода) и повторным погружением во фтороводород.

Защитный окисел термически выращивается в водяном паре окружающего воздуха (влажное оксидирование) до толщины 5000−8000 Å.

Влажное термическое оксидирование

Влажное термическое оксидирование

Трубчатая печь

Оксидированная пластина

Оксидированная пластина готова к формированию рисунка на активной/легированной (Р-типа) области. Фоторезист AZ4210 наносится на вращающуюся примерно на 3000 оборотах в минуту подолжку, формируя плёнку толщиной около 3,5 мкм, которая аккуратно подсушивается при 90°С на электроплитке.

Процесс литографии детально

Маску активной зоны обрабатывает мой фотолитографический степпер Mark IV в ультрафиолете с шагом 365 нм — и структура отрабатывается в растворе гидроксида калия.

Структура резиста

Структура резиста

30-минутная подсушка

Травление активной зоны

После этого структура резиста плотно затвердела и применяется несколько других трюков, чтобы обеспечить хорошее сцепление и химическую стойкость во время следующего вытравливания во фтороводороде, который переносит эту структуру на слой подзатворного оксида и открывает окна к голому кремнию для легирования. Эти регионы позже станут истоком и стоком транзистора.

Частицы замыкают затвор

Легированные кристаллы с вытравленными затворами

После этого производится легирование, то есть введение примесей из твёрдого или жидкого источника. В качестве твёрдого источника применяется диск нитрида бора, размещённый поблизости (менее 2 мм) от пластины в трубчатой печи. Как вариант, можно приготовить жидкостный источник из фосфорной или борной кислоты в воде или растворителе — и провести легирование по стандартному процессу преднанесения/погружения во фтороводород/диффундирования/удаления глазури.

Вышеупомянутые шаги формирования рисунка затем повторяются дважды для подзатворного оксида и контактного слоя. Подзатворный оксид должен быть гораздо тоньше (менее ~750 Å), чем защитный оксид, поэтому зоны между стоком/истоком вытравливаются — и там выращивается более тонкий оксид. Затем, поскольку вся пластина оксидировалась на шаге легирования, нужно вытравить контактные окна, чтобы установить контакт металлического слоя с легированными зонами истока/стока.

Теперь все транзисторы сформированы и готовы к межсоединениям с выходом на выводную рамку. Защитный слой алюминия (400−500 нм) распыляется или термически напыляется на пластину. Альтернативой был бы метод взрывной литографии (lift-off process), когда сначала формируется фоторезист, а затем осаждается металл.

Напылённый металл

Напылённый металл

Затем на слое металла формируется рисунок методом фотолитографии и происходит травление в горячей фосфорной кислоте, чтобы завершить изготовление интегральной схемы. Заключительные шаги перед тестированием — это визуальный осмотр и высокотемпературный отжиг алюминия для формирования омических переходов.

Микросхема теперь готова для упаковки и тестирования.

У меня нет установки микросварки (принимаю пожертвования!), поэтому сейчас процесс тестирования ограничен прощупыванием пластины острым пинцетом или использованием платы flip-chip (трудно выровнять) c подключением к характериографу. Дифференциальный усилитель также эмпирически тестируется в цепи для проверки работоспособности.

Кривая IV

Кривая IV

Кривая FET Ids/Vds от с предыдущего устройства NMOS

Конечно, эти кривые далеки от идеальных (в том числе из-за излишнего сопротивления контактов и других подобных факторов), но я ожидаю улучшения характеристик, если раздобуду установку микросварки. Этим могут частично объясняться и некоторые отличия от кристалла к кристаллу. Скоро я добавлю на эту страницу новые кривые IV, характеристики транзистора и дифференциального усилителя.

Что такое микросхема? Интегральная схема

Микросхема (чип/интегральная схема) — это микроэлектронное устройство (кристалл) , изготовленная на полупроводниковой пластине или плёнке и помещённая в корпус. В случае вхождения в состав микросборки может быть без корпуса.

Изобретение биполярного транзистора позволило сделать электронно-вычислительные машины значительно меньшими в размерах, а появление в 1950 году полевого транзистора дало возможность углубиться миру в цифровую схемотехнику и создать микросхемы, без которых сегодняшние технологии были бы невозможными.

Соединив множество транзисторов, можно создать цифровую схемотехнику, однако это будет выглядеть довольно громоздко. Тогда родилась идея объединить несколько транзисторов на одном куске полупроводника. Так в 1958 году была создана первая в мире интегральная микросхема. Первоначально она включала в себя небольшое количество транзисторов, но со временем их число стало увеличиваться. Например, Rentium 4 соединяет несколько миллионов транзисторов. Сам процесс производства современных интегральных микросхем очень сложен. Чтобы разработать проект нового чипа понадобится около полутора лет, при этом затраты на это составят около одного миллиарда американских долларов.

Первым делом необходимо разработать проект микросхемы в системе автоматического проектирования (САПР). Раньше надо было располагать каждый транзистор на куске кремния, теперь же, с изменением типовых линейных размеров транзистора до минимума, когда они стали составлять около 100 нанометров, а число транзисторов в чипе больше миллиарда, создавать руками расположение определенного транзистора не предоставляется возможным.

При современном проектировании используются готовые блоки элементов, то есть уже соединенные вместе транзисторы Их объединяют в логические элементы, функциональные узлы/блоки, что позволяет  существенно сокращать время на разработку.

Непосредственно сама процедура изготовления микросхем занимает до восьми недель и осуществляется в специальных условиях. Сама интегральная схема это структура, состоящая из нескольких слоев. Слои разделяются на полупроводниковые и металлические. На полупроводниковых слоях находятся транзисторы, на металлических слоях – соединительные элементы и внешние выводы.

На полупроводниковых слоях требуется определить расположение каждого транзистора, указать, какая область будет иметь положительную проводимость, а какая отрицательную.
Кроме транзисторов миниатюрный блок микросхемы включает в себя множество и других активных и пассивных элементов, таких как, например, диоды и резисторы. Их общее число может достигать сотен тысяч, миллионов и даже миллиардов, если рассматривать современные технологии.

В зависимости от количества элементов интегральные микросхемы делятся на следующие виды: малой степени интеграции, средней степени интеграции, большие и сверхбольшие интегральные.

В микросхеме малой степени интеграции, в зависимости от ее функционального назначения, может содержаться до ста пассивных и активных элементов. А в сверхбольшой микросхеме – от десяти тысяч и более, то есть миллионы и миллиарды элементов на одном кристалле полупроводника. Одна микросхема может выполнять функцию узла или целого блока радиоприемника, телевизора, микрокалькулятора или какой-либо электронно-вычислительной машины.

Постоянное уменьшение транзисторов в размерах вызывает трудности при гравировке кристалла, даже при использовании самых современных методов, например, лазера. Меньшее, не всегда лучшее. Существуют транзисторы, размеры которых меньше бактерий, они потребляют настолько мало энергии, что могут быть уязвимыми даже при любом микроскопическом воздействии, которое может их вывести из строя. Например, они могут пострадать от ионизированных частиц космических лучей, возникающих при взрыве сверхновых, которые могут нарушить функциональность транзистора и спровоцировать его ошибочное переключение.

Вконтакте

Facebook

Twitter

Google+

1. 5
2. 4
3. 3
4. 2
5. 1

Микросхема Википедия

Интегра́льная (микро)схе́ма (ИС, ИМС, IC (англ.)), микросхе́ма, м/сх, чип (англ. chip «тонкая пластинка»: первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового в случае вхождения в состав микросборки^[1].

Бо́льшая часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа.

Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).

Содержание

• 1 История
• 2 Уровни проектирования
• 3 Классификация
  • 3.1 Степень интеграции
  • 3.2 Технология изготовления
  • 3.3 Вид обрабатываемого сигнала
• 4 Технологии изготовления
  • 4.1 Типы логики
  • 4.2 Технологический процесс
  • 4.3 Контроль качества
• 5 Назначение
  • 5.1 Аналоговые схемы
    • 5.1.1 Производство
  • 5.2 Цифровые схемы
  • 5.3 Аналого-цифровые схемы
• 6 Серии микросхем
  • 6.1 Корпуса
  • 6.2 Специфические названия
• 7 Мировой рынок
• 8 Правовая защита
• 9 См. также
• 10 Примечания
• 11 Литература

История[ | ]

7 мая 1952 года британский радиотехник Джеффри Даммер (англ. Geoffrey Dummer) впервые выдвинул идею объединения множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника. Осуществление этих предложений в те годы не могло состояться из-за недостаточного развития технологий.

В конце 1958 г

Что такое интегральная микросхема (ИМС)

Всего лет двадцать пять назад радиолюбителям и специалистам старшего поколения пришлось заниматься изучением новых по тому времени приборов — транзисторов. Нелегко было отказываться от электронных ламп, к которым так привыкли, и переключаться на теснящее и все разрастающееся «семейство» полупроводниковых приборов.

А сейчас это «семейство» все больше и больше стало уступать свое место в радиотехнике и электронике полупроводниковым приборам новейшею поколения — интегральным микросхемам, часто называемым сокращенно ИМС.

Что такое интегральная микросхема

Интегральная микросхема — это миниатюрный электронный блок, содержащий в общем корпусе транзисторы, диоды, резисторы и другие активные и пассивные-элементы, число которых может достигать нескольких десятков тысяч.

Одна микросхема Может заменить целый блок радиоприемника, электронной вычислительной машины (ЭВМ) и электронного автомата. «Механизм» наручных электронных часов, например, — это всего лишь одна большей микросхема.

По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы.

Аналоговые микросхемы предназначаются для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний разных частот, например, для приемников, усилителей, а логические — для использования в устройствах автоматики, в приборах с цифровым отсчетом времени, в ЭВМ.

Этот практикум посвящается знакомству с устройством, принципом работы и возможным применением самых простых аналоговых и логических интегральных микросхем.

На аналоговой микросхеме

Из огромного «семейства» аналоговых самыми простыми являются микросхемы-близнецы» К118УН1А (К1УС181А) и К118УН1Б (К1УС181Б), входящие в серию К118.

Каждая из них представляет собой усилитель, содержащий… Впрочем, об электронной «начинке» лучше поговорить позже. А пока будем считать их «черными ящичками» с выводами для подключения к ним источников питания, дополнительных деталей, входных и выходных цепей.

Разница же между ними заключается только в их коэффициентах усиления колебаний низких частот: коэффициент усиления микросхемы К118УН1А на частоте 12 кГц составляет 250, а микросхемы К118УН1Б — 400.

Рис. 1. Микросхема и схема на основе нее.

На высоких частотах коэффициент усиления этих микросхем одинаков — примерно 50. Так что любая из них может быть использована для усиления колебаний как низких, так и высоких частот, а значит, и для наших опытов. Внешний вид и условное обозначение этих микросхем-усилителей на принципиальных схемах устройств показаны на рис. 1.

Корпус у них пластмассовый прямоугольной формы. Сверху на корпусе — метка, служащая точкой отсчета номеров выводов. Микросхемы  рассчитаны на питание от источника постоянного тока напряжением 6,3 В, которое подают через выводы 7 (+Uпит) и 14 ( — Uпит).

Источником питания может быть сетевой блок питания с регулируемым выходным напряжением или батарея, составленная из четырех элементов 334 и 343.

Первый опыт с микросхемой К118УН1А (или К118УН1Б) проводи по схеме, приведенной на рис. 89. В качестве монтажной платы используй картонную пластинку размерами примерно 50X40 мм.

Микросхему выводами 1, 7, 8 и 14 припаяй к проволочным скобкам, пропущенным через проколы в картоне. Все они будут выполнять роль стоек, удерживающих микросхему на плате, а скобки выводов 7. и 14, кроме того, соединительными контактами с батареей GB1 (или сетевым блоком питания).

Между ними с обеих сторон от микросхемы укрепи еще по два-три контакта, которые будут промежуточными для дополнительных деталей. Смонтируй на плате конденсаторы С1 (типа К50-6 или К50-3) и С2 (КЯС, БМ, МБМ), подключи к выходу микросхемы головные телефоны В2.

Ко входу микросхемы подключи (через конденсатор С1) электродинамический микрофон В1 любого типа или телефонный капсюль ДЭМ-4м, включи питание и, прижав поплотнее телефоны к ушам, постучи легонько карандашом по микрофону. Если ошибок в монтаже нет, в телефонах должны быть слышны звуки, напоминающие щелчки по барабану.

Попроси товарища сказать что-то перед микрофоном — в телефонах услышишь его голос. Вместо микрофона ко входу микросхемы можешь подключить радиотрансляционный (абонентский) громкоговоритель с его согласующим трансформатором. Эффект будет примерно таким же.

Продолжая опыт с телефонным устройством одностороннего действия, включи между общим (минусовым) проводником цепи питания и выводом 12 микросхемы электролитический конденсатор C3, обозначенный на схеме штриховыми линиями. При этом громкость звука в телефонах должна возрасти.

Телефоны станут звучать еще громче, если такой же конденсатор включить в цепь вывода 5 (на рис, 1 — конденсатор С4). Но если при этом усилитель возбудится, то между общим проводом и выводом 11 придется включить электролитический конденсатор емкостью 5 — 10 мкФ на. номинальное напряжение 10 В.

Еще один опыт: включи между выводами 10 и 3 микросхемы керамический или бумажный конденсатор емкостью 5 — 10 тыс. пикофарад. Что получилось? В телефонах появился непрекращающийся -звук средней тональности. С увеличением емкости этого конденсатора тон звука в телефонах должен понижаться, а с уменьшением повышаться. Проверь это.

Рис. 2. Внутренняя схема микросхемы.

А теперь раскроем этот «черный ящичек» и рассмотрим его «начинку» (рис. 2). Да, это двухкаскадный усилитель с непосредственной связью между его транзисторами. Транзисторы кремниевые, структуры n-р-n. Низкочастотный сигнал, создаваемый микрофоном, поступает (через конденсатор С1) на вход микросхемы (вывод 3).

Падение напряжения, создающееся на резисторе R6 в эмиттерной цепи транзистора V2, через резисторы R4 и R5 подается на базу транзистора VI и открывает его. Резистор R1 — нагрузка этого транзистора. Снимаемый с него усиленный сигнал поступает на базу транзистора V2 для дополнительного усиления.

В опытном усилителе нагрузкой транзистора V2 были головные телефоны, включенные в его коллекторную цепь, которые преобразовывали низкочастотный сигнал в звук.

Но его нагрузкой мог бы быть резистор R5 микросхемы, если соединить вместе выводы 10 и 9. В таком случае телефоны надо включать между общим проводом и точкой соединения этих выводов через электролитический конденсатор емкостью в несколько микрофарад (положительной обкладкой к микросхеме).

При включении конденсатора между общим проводом и выводом 12 микросхемы громкость звука увеличилась, Почему? Потому что он, шунтируя резистор R6 микросхемы, ослабил действующую в ней отрицательную обратную связь по переменному току.

Отрицательная обратная связь стала еще слабее, когда ты второй конденсатор включил в базовую цепь транзистора V1. А третий конденсатор, включенный между общим проводом и выводом 11, образовал с резистором R7 микросхемы развязывающий фильтр, предотвращающий возбуждение усилителя.

Что получилось при включении конденсатора между выводами 10 и 5? Он создал между выходом и входом усилителя положительную обратную связь, которая превратила его в генератор колебаний звуковой частоты.

Итак, как видишь, м

Микросхемы — для чего они нужны?

Микросхемы https://neru5.ru/index.php?route=product/category&path=70 — это устройства, которые помещены в специальный корпус. Микросхема может иметь много функций, обладая целым набором возможностей, вплоть до микрокомпьютера. Микросхемы могут иметь пластиковый, металлический и керамический корпус, могут монтироваться на поверхность печатной платы или располагаться в ее отверстиях. Стоимость данного устройства во многом зависит от ее функционала — определяется тип микросхемы по маркировке, нанесенной на е корпус — каждый производитель микросхем наносит свой серийный номер разработки. При изготовлении микросхем используются различные технологии, которые будут определять тип: интегральная, пленочная, гибридная, смешанная.

В зависимости от обрабатываемого сигнала микросхемы разделяются на 3 вида:

• аналоговые — стабилизаторы напряжения, микросхемы для источников питания, фильтры, датчики;
• цифровые  — микропроцессоры, микросхемы памяти, дешифраторы и т.д.;
• аналого-цифровые  — цифро-аналоговые микросхемы, модуляторы, демодуляторы; 

Микросхемы используются в усилителях электрических сигналов, например, в акустических системах, усилителях низких частот. Кроме этого, каждый стабилизатор напряжения не может обойтись без микросхем, которые могут управлять напряжением на выходе стабилизаторы. Современная компьютерная и мобильная техника, будь то ноутбук или смартфон, содержат микросхемы.

В технической и вычислительной аппаратуре, используемой для изготовления космических спутников, воздушных судов, а также в устройствах, используемых в военной технике, используются микросхемы 90 нм. Почему для этих целей используют довольно устаревшую технологию изготовления? Все дело в том, что при использовании более высокотехнологичных микросхемах, имеющих толщину слоя 60 нм и меньше, начинает сказываться негативный эффект, связанный с влиянием статического электричества и воздействием внешних источников ионизационного и радиационного излучения.

В нашем интернет-магазине https://neru5.ru/ Вы можете приобрести микросхемы ведущих мировых производителей, а также заказать уже довольно «раритетные» производства СССР. На весь товар распространяется гарантия, для покупателей из регионов действует доставка различными транспортными компаниями или Почтой России. Грамотные операторы помогут Вам определиться с необходимым типом электронного устройства, а также предложат их аналоги.

Аналоговая интегральная схема — это… Что такое Аналоговая интегральная схема?

Ана́логовая интегра́льная (микро)схе́ма (АИС, АИМС) — ИМС, входные и выходные сигналы которой изменяются по закону непрерывной функции (т.е. являются аналоговыми сигналами)^[1].

История

Первый лабораторный образец аналоговой ИС был создан фирмой Texas Instruments в США в 1958 году. Это был генератор сдвига фаз. В 1962 году появилась первая серия аналоговых микросхем — SN52. В ней имелись маломощный усилитель низкой частоты, операционный усилитель и видеоусилитель^[2].

В СССР большой ассортимет АИМС был получен к концу 1970-х годов. Их применение позволило увеличить надёжность устройств, упростить наладку оборудования, часто даже исключить необходимость технического обслуживания в процессе эксплуатации^[3].

Назначение

Ниже представлен неполный список устройств, функции которых могут выполнять аналоговые ИМС. Зачастую одна микросхема заменяет сразу несколько таковых (например, К174ХА42 вмещает в себя все узлы супергетеродинного ЧМ радиоприёмника^[4]).

Микросхема стабилизатора напряжения КР1170ЕН8

Аналоговые микросхемы применяются в аппаратуре звукоусиления и звуковоспроизведения, в видеомагнитофонах, телевизорах, технике связи, измерительных приборах, аналоговых вычислительных машинах, вторичных источниках электропитания и т.д.

В АВМ

• Операционные усилители (LM101, μA741).

В блоках питания

В видеокамерах и фотоаппаратах

В аппаратуре звукоусиления и звуковоспроизведения

• Усилители мощности звуковой частоты (LA4420, К174УН5, К174УН7).
• Сдвоенные УМЗЧ для стереофонической аппаратуры (TDA2004, К174УН15, К174УН18).
• Различные регуляторы (К174УН10 — двухканальный УМЗЧ с электронной регулировкой частотной характеристики, К174УН12 — двухканальный регулятор громкости и баланса).

В измерительных приборах

• Датчики давления (MP3V5100^[5]).
• Датчики магнитного поля (УР1101ХП30^[6]).
• Датчики температуры (L1V1335^[7], MAX6613^[8]).

В радиопередающих и радиоприёмных устройствах

В телевизорах

• В радиоканале (К174УР8 — усилитель с АРУ, детектор ПЧ изображения и звука, К174УР2 — усилитель напряжения ПЧ изображения, синхронный детектор, предварительный усилитель видеосигнала, система ключевой автоматической регулировки усиления).
• В канале цветности (К174АФ5 — формирователь цветовых R-, G-, B-сигналов, К174ХА8 — электронный коммутатор, усилитель-ограничитель и демодулятор сигналов цветовой информации).
• В узлах развёртки (К174ГЛ1 — генератор кадровой развёртки).
• В цепях коммутации, синхронизации, коррекции и управления (К174АФ1 — амплитудный селектор синхросигнала, генератор импульсов строчной частоты, узел автоматической подстройки частоты и фазы сигнала, формирователь задающих импульсов строчной развёртки, К174УП1 — усилитель яркостного сигнала, электронный регулятор размаха выходного сигнала и уровня «чёрного»).

Производство

Переход к субмикронным размерам интегральных элементов усложняет проектирование АИМС. Например, МОП-транзисторы с малой длиной затвора имеют ряд особенностей, ограничивающих их применение в аналоговых блоках: высокий уровень низкочастотного фликкерного шума; сильный разброс порогового напряжения и крутизны, приводящий к появлению большого напряжения смещения дифференциальных и операционных усилителей; малая величина выходного малосигнального сопротивления и усиления каскадов с активной нагрузкой; невысокое пробивное напряжение p-n-переходов и промежутка сток-исток, вызывающее снижение напряжения питания и уменьшение динамического диапазона^[9].

В настоящее время аналоговые микросхемы производяться многими фирмами: Analog Devices, Analog Microelectronics, Maxim Integrated Products, National Semiconductor, Texas Instruments и др.

См. также

Примечания

Литература

• Атаев Д. И., Болотников В. А. Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник. — М.: МЭИ, 1991. — 240 с. — ISBN 5-7046-0028-X
• Атаев Д. И., Болотников В. А. Аналоговые интегральные микросхемы для телевизионной радиоаппаратуры: Справочник. — М.: МЭИ, 1993. — 184 с. — ISBN 5-7046-0091-3

Микросхемы, производившиеся в СССР
Технологии	РТЛ • ДТЛ • ТТЛ • ЭСЛ • N-МОП • КМОП • И3Л
Система обозначения по ГОСТ 18682-73	Конструктивно- технологическое исполнение 1; 5; 7 — полупроводниковая • 2; 4; 6; 8 — гибридная • 3 — прочие Серия 100 • 101 • 104 • 106 • 108 • 109 • 110 • 113 • 114 • 115 • 118 • 119 • 120 • 121 • 122 • 123 • 124 • 128 • 129 • 130 • 131 • 133 • 134 • 136 • 137 • 138 • 140 • 141 • 142 • 144 • 146 • 149 • 153 • 155 • 157 • 158 • 159 • 162 • 166 • 167 • 172 • 173 • 174 • 176 • 177 • 178 • 187 • 190 • 198 • 201 • 204 • 210 • 217 • 218 • 223 • 224 • 226 • 228 • 229 • 230 • 237 • 243 • 264 • 265 • 284 • 504 • 511 • 580 • 1801 • 1810 • 1839 Выполняемая функция Вторичные источники питания — Е Выпрямители ЕВ • Преобразователи ЕМ • Стабилизаторы: напряжения ЕН • тока ЕТ • Прочие ЕП Генераторы сигналов — Г Гармонических ГС • Прямоугольных (мультивибраторы) ГГ • Линейно-изменяющихся ГЛ • Специальной формы ГФ • Шума ГМ • Прочие ГП Детекторы — Д Амплитудные ДА • Импульсные ДИ • Частотные ДС • Фазовые ДФ • Прочие ДП Коммутаторы и ключи — К Тока КТ • Напряжения КН • Прочие КП Логические элементы — Л И ЛИ • ИЛИ ЛЛ • НЕ ЛН • И-ИЛИ ЛС • И-НЕ/ИЛИ-НЕ ЛБ • И-ИЛИ-НЕ ЛР • И-ИЛИ-НЕ/И-НЕ ЛК • ИЛИ-НЕ/ИЛИ ЛМ • Расширители ЛД • Прочие ЛП Микросборки, наборы элементов — Н Диодов НД • Транзисторов НТ • Резисторов НР • Конденсаторов НЕ • Комбинированные НК • Прочие НП Многофункциональные микросхемы — Х Аналоговые ХА • Цифровые ХЛ • Комбинированные ХК • Прочие ХП Модуляторы — М Амплитудные МА • Частотные МС • Фазовые МФ • Импульсные МИ • Прочие МП Преобразователи — П Частоты ПС • Фазы ПФ • Длительности ПД • Напряжения ПН • Мощности ПМ • Уровня (согласователи) ПУ • Код-аналог ПА • Аналог-код ПВ • Код-код ПР • Прочие ПП Схемы задержки — Б Пассивные БМ • Активные БР • Прочие БП Схемы селекции и сравнения — С Амплитудные (уровня сигнала) СА • Временные СВ • Частотные СС • Фазовые СВ • Прочие СП Триггеры — Т JK-типа ТВ • RS-типа (с раздельным запуском) ТР • D-типа ТМ • T-типа ТТ • Динамические ТД • Шмитта ТЛ • Комбинированные ТК • Прочие ТП Усилители — У Высокой частоты УВ • Промежуточной частоты УР • Низкой частоты УН • Импульсных сигналов УИ • Повторители УЕ • Считывания и воспроизведения УЛ • Индикации УМ • Постоянного тока УТ • Операционные и дифференциальные УД • Прочие УП Фильтры — Ф Верхних частот ФВ • Нижних частот ФН • Полосовые ФЕ • Режекторные ФР • Прочие ФП Формирователи — А Импульсов прямоугольной формы АГ • Адресных токов (формирователи напряжений и токов) АА • Импульсов специальной формы АФ • Разрядных токов (формирователи напряжений и токов) АР • Прочие АП Элементы арифметических устройств — И Регистры ИР • Сумматоры ИМ • Полусумматоры ИЛ • Счётчики ИЕ • Шифраторы ИВ • Дешифраторы ИД • Комбинированные ИК  • Прочие ИП Элементы запоминающих устройств — Р Матрицы-накопители ОЗУ РМ • Матрицы-накопители ПЗУ РВ • Матрицы-накопители ОЗУ со схемами управления РУ • Матрицы-накопители ПЗУ со схемами управления РЕ • ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием РФ  • Матрицы различного назначения РП
Тип корпуса (ГОСТ 17467-72)	Тип 1  • Тип 2 • Тип 3 • Тип 4 •
Производители	Ангстрем • Алмаз • ВНИИС • ЕРЗ • ИРЗ • Интеграл • Полёт • МНИИПА • НИИЭТ • МЦСТ

микросхем — определение — английский

Примеры предложений с «микросхемами», памятью переводов

EurLex-291/131 / EEC: решение Комиссии от 11 марта 1991 года о принятии обязательств, предложенных некоторыми экспортерами в связи с антидемпинговым разбирательством в отношении импорта некоторых типов электронных микросхем, известных как EPROM (стираемые программируемые запоминающие устройства только для чтения), происходящих в Японии и завершающих расследование в отношении этих экспортеров патент-wipo. Изобретение относится к способу противодействия в электронной микросхеме (IC1, IC2, IC3). ), указанный способ включает в себя последовательные этапы обработки, выполняемые схемой из микросхемы, и этап регулировки напряжения питания (vdd-Vgb1) между клеммами источника питания (VS1, VS2, VS3) и клеммой заземления (LG1, LG2 LG3) схемы на основе случайного значения, сгенерированного для фазы обработки, на каждой фазе обработки, выполняемой схемой. oj4 Микросхема микрокомпьютера — это монолитная интегральная схема или мультичиповая интегральная схема, содержащая арифметико-логический блок (АЛУ), способный выполнять инструкции общего назначения из внутреннего хранилища, о данных, содержащихся во внутреннем хранилище. MultiUnSemiautomatic или герметизаторы с горячей крышкой, в которых колпачок локально нагревается до более высокой температуры, чем тело упаковки, специально разработанной для керамических упаковок с микросхемой и имеющей пропускную способность, равную или превышающую одну упаковку в минуту. патент-wipo. Изобретение относится к способу изготовления платы с микросхемой. , включающий следующие этапы: этап размещения микросхемы в форме с открытой полостью и этап для размещения материала в открытой полости формы, причем материал является достаточно плохо вязким для покрытия, по меньшей мере, косвенно, по меньшей мере, части микросхема. Гигабайт Импорт некоторых электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом) EurLex-22. «Микропроцессорные микросхемы», «Микросхемы микрокомпьютера», микросхемы микроконтроллера, интегральные микросхемы хранения, изготовленные из составного полупроводника, аналог-аналогов цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электрооптические или «оптические интегральные схемы», предназначенные для «обработки сигналов», программируемые полевые логические устройства, интегральные схемы нейронной сети, специализированные интегральные схемы, для которых либо функция неизвестна, либо статус управления оборудования, в котором будет использоваться интегральная схема, неизвестно, процессоры быстрого преобразования Фурье (FFT), электрические стираемые программируемые запоминающие устройства только для чтения (EEPROM), флэш-памяти или статические запоминающие устройства с произвольным доступом (SRAM), имеющие любой из следующих : MultiUn «Микропроцессорная микросхема» обычно не содержит встроенного хранилища, доступного пользователю, хотя Присутствие на чипе orage может быть использовано при выполнении его логической функции. Патенты-wipo Многочисленные приложения для электронных денежных переводов, домашней автоматизации и специализированных микросхем. патентная заявка — устройство по изобретению содержит по существу твердое тело, например, из пластмассы, с микросхемой и, по меньшей мере, одной проводящей дорожкой, соединенной с указанной микросхемой, для установления электрического соединения посредством бесконтактной связи, по меньшей мере, с другой проводящей дорожка, сформированная на внешнем подшипнике, включающем в себя антенну, соединенную с указанной и, по меньшей мере, одной проводящей дорожкой, так что микросхема может передавать или принимать данные на внешнее устройство или от него через указанную антенну. EurLex-21. Аналого-цифровой преобразователь «микросхемы», которые «защищены от излучения» или имеют все следующие характеристики: Окончательная компенсационная пошлина EurLex-2A налагается таким образом на импорт определенных электронных микросхем, известных как динамические запоминающие устройства с произвольным доступом (DRAM) всех типов, плотностей и вариаций, независимо от того, собраны ли они в обработанных пластинах или кристаллах (матрицах), изготовленных с использованием вариаций технологии процесса металл-оксид-полупроводники (MOS), включая дополнительные типы MOS (CMOS), всех плотностей (включая будущие плотности) ), независимо от скорости доступа, конфигурации, пакета или кадра и т. д. eurlex-diff-2018-06-20 «Микропроцессорные микросхемы», «Микрокомпьютерные микросхемы» и микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из составного полупроводника и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; , , патенты-wipo. Кроме того, органический растворитель в соответствии с настоящим изобретением может быть использован для промывки устройства, которое вступает в контакт с светочувствительным материалом в ходе процесса формирования микросхемы, путем удаления светочувствительного материала из устройства. РЕГЛАМЕНТ EurLex-2COUNCIL (ЕС) № 664/96 от 29 марта 1996 года, продлевающий приостановление окончательной антидемпинговой пошлины на импорт определенных типов электронных микросхем, известных как Eproms (стираемые программируемые запоминающие устройства только для чтения), происходящих из Японии UN-2Внедрение «микросхем», указанных в 14. EurLex-2 «Микропроцессорные микросхемы», «Микрокомпьютерные микросхемы», микроконтроллеры микросхем, интегральные микросхемы хранения, изготовленные из составного полупроводника, аналого-цифровые преобразователи, цифро-аналоговые преобразователи, электрооптические или «оптические интегральные схемы», предназначенные для «обработки сигналов», программируемые в полевых условиях логические устройства, интегральные схемы нейронной сети, специализированные интегральные схемы, для которых либо неизвестна функция, либо состояние управления оборудованием, в котором установлена ​​интегральная схема будет использоваться неизвестно, быстрое преобразование Фурье (FFT), электрическое стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство s (EEPROM), флэш-памяти или статические запоминающие устройства с произвольным доступом (SRAM), имеющие любое из следующего: патент-wipo. Изобретение относится к способу радиочастотной передачи данных, в котором прием и / или доступ к указанные данные контролируются средствами управления, включая электронную микросхему, на основе прав доступа.Способ отличается тем, что передаваемые данные включают в себя информацию времени (IT) и тем, что права доступа (Da) управляются на основе упомянутой информации времени. патент-wipo6, № 619). Аналогичным образом, средство автоматической генерации тестовых шаблонов может использовать информацию о местоположении дефектов для генерации тестовых данных, специально разработанных для проверки неисправностей, соответствующих идентифицированному дефекту в указанных частях микросхемы. EurLex-2Временная антидемпинговая пошлина на импорт определенных типов электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящих из Японии, настоящим продлевается на период, не превышающий двух месяцев с 27 мая 1990 года. UN-2 «Радиационно-стойкие» «микросхемы» opensubtitles2 Ваша задача, если вы решите ее принять, состоит в том, чтобы вытащить Дина и микросхему, прежде чем он сломается по меньшей мере одну первую (12) и вторую (14) части, которые могут перемещаться относительно друг друга, причем опора содержит электронную микросхему (3) и бесконтактное средство связи (2), электрически соединенные с указанной электронной микросхемой (3) и способные быть подключен к внешней считывающей станции (5) для установления бесконтактной связи с последней (5). EurLex-2N.B. 2: Это включает в себя наборы микросхем, которые предназначены для совместной работы, чтобы обеспечить функцию «микропроцессорной микросхемы».

Показаны страницы 1. Найдено 1073 предложения с фразой microcircuits.Найдено за 6 мс.Накопители переводов создаются человеком, но выравниваются с помощью компьютера, что может вызвать ошибки. Найдено за 0 мс.Накопители переводов создаются человеком, но выравниваются с помощью компьютера, что может вызвать ошибки. Они приходят из многих источников и не проверяются. Имейте в виду.

Список продуктов — Микросхемы CML

аналоговый-аналоговый CMX POTS, интерфейс сигнализации

CMX469A — 1200/2400/4800 бод FFSK-модем	CMX901- РЧ-усилитель мощности	CMX7032 / 7042 — ИС процессора основной полосы частот AIS (со встроенным sureTrax ™)	CMX138A — процессор звуковых скремблеров и вспомогательных звуковых сигналов 9000 CM4	CM4 9000 CM4 9000 CM4 Сверхмалый голосовой кодек	CMX602B — идентификатор линии вызова плюс CLI ожидания вызова и CIDCW
CMX589A — универсальный полнодуплексный модем GMSK	CMX902 — усилитель мощности RF	CMX7045 — морской процессор AIS SART	CMX148 — аудиопроцессор PMR и процессор данных	CMX7011 — цифровой голосовой процессор
CMX909B — GMSK Пакетный модем данных	CMX973 — РЧ-квадратурный модулятор / демодулятор	SCT7033 — Стековый процессор стека протоколов AIS класса B — CSTDMA	CMX7241 / 7341 — Усовершенствованные цифровые процессоры с общей платформой PMR / LMR CMX7241 / 7341 —			— CMR ADM) Голосовой кодек	CMX683 — Детектор хода вызова и детектор голоса
CMX969 — модем пакетной передачи данных	CMX975 — 2.Повышающий / понижающий преобразователь 7 ГГц, LNA, Dual PLL + VCO	CMX885 — Морской VHF-процессор аудиосигнала и сигнализации	CMX823 — Программируемый декодер тонального сигнала	CMX639 — Кодек голоса CVSD	CMX860 — Приемопередатчик телефонной сигнализации
CMX983 — Аналоговый интерфейс (AFE) для цифрового радио	CMX993 — Квадратурный модулятор RF (I / Q)	CMX910 — Процессор сигналов базовой полосы AIS класса A и B	CMX883 — Процессор базовой полосы для FRS, MURS, PMR446 и GMRS «Досуг Радио»	SCT2400 — 2.Цифровой трансивер голоса и данных 4 ГГц	CMX869B — маломощный модем V.32 bis
CMX7143 — многорежимный модем для передачи данных	CMX970 — квадратурный демодулятор ПЧ / РЧ	VDES1000 — система обмена данными ОВЧ	CMX264 — скремблер с разделенной полосой частот в частотной области	CMX7262 — VLC6	CMX 9254 ГГц — частотный преобразователь частоты 12×5 кГц	SPX Детектор
CMX7146 — Беспроводной модулятор данных BPSK	CMX994 / 994A / 994E — ИС приемника прямого преобразования радиосигналов		CMX983 — Аналоговый интерфейс (AFE) для цифрового радио	CMX7261 — Микросхема голосового мульти-транскодера		FX 202 Совместимый модем
CMX7163 — QAM-модем	CMX971 — РЧ-квадратурный модулятор		CMX7031 / 7041 — ИС двустороннего радиопроцессора, обеспечивающий функции голоса, сигнализации и данных	CMX608 / 618/638 — Микросхема RALCWI Vocoder		00023 Модулятор передачи с ретаймингом данных
CMX7164 — Многорежимный беспроводной модем для передачи данных	CMX972 — Квадратурный демодулятор с IF PLL VCO		CMX7131 / 7141 — Цифровые процессоры PMR (DPMR)		CMX673 — Детектор тона хода вызова
CMX7364 — многорежимный высокопроизводительный беспроводной модем данных	CMX998 — передатчик CFBL		SCT3258TD — DMR / dPMR / аналоговый процессор со встроенным вокодером		CMX867A — маломощный V.22 Модем
FX / MX919B — полудуплексный 4FSK-модем для пакетной передачи данных	CMX979 — двухдиапазонный радиочастотный блок VCO RF		CMX838 — процессор FRS / GMRS / PMR446 «Семейное радио» (сигнализация и голосовая связь)		CMX865A — кодек DTMF Комбо
FX929B — 4FSK RD-LAP Модем пакетной передачи данных	CMX991 — РЧ квадратурный приемопередатчик		CMX881 — ИС процессора основной полосы частот для систем PMR и транковых радиостанций		CMX868A — V.22 бис Модем
	CMX992 — РЧ-квадрат / приемник низкого ПЧ		CMX882 — ИС процессора основной полосы частот с сигнализацией GPS для FRS, MURS, PMR446 и GMRS ‘Радиостанции отдыха’		FX604 — Совместимый модем V.23
			SCT3268TD — Процессор DMR / dPMR с аналоговым режимом
			CMX7158 — Duplex Audio Scrambler

микросхем — перевод — Английский-Немецкий словарь

^ru 91/131 / EEC: Решение Комиссии от 11 марта 1991 года о принятии обязательств, предлагаемых некоторыми экспортерами в связи с антидемпинговым производством, касающимся импорта определенных типов электронных микросхем, известных как СППЗУ (стираемые программируемые запоминающие устройства только для чтения), созданные в Японии и завершающие расследование в отношении этих экспортеров

EurLex-2 ^за ZuschussfähigeKosten: Artikel # Absatz # Buchstabe a Ziffer ii: Beihilfen bei Einkommensegrund2000engenen2000 vin 9000 e-mail: 00030003000 v1 «Микропроцессорные микросхемы», «Микросхемы микрокомпьютеров» и микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из сложного полупроводника и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц;

eurlex-diff-2018-06-20 ^из Während der EDSB versteht, dass eine umfassende Erhebung von Daten einschließlich personenbezogener Daten wie oben beschrieben erforderlich ist, unterstregürünürürürün-de-ree reneg ree ree ree reg Dritte geht

^ru РЕГЛАМЕНТ СОВЕТА (ЕС) № 664/96 от 29 марта 1996 года, продлевающий приостановку окончательной антидемпинговой пошлины, налагаемой на импорт определенных типов электронных микросхем, известных как Eproms (стираемые программируемые запоминающие устройства только для чтения), происходящих из Япония

EurLex-2 ^из Außerdem regelt die vorliegende Entscheidung bei einigen KN-Codes nur einen kleinen Teil der Erzeugnisse, die in betreffende Kapitel oder un un die die3000 helen in be diegärünen de be reg3 rürnie dünne dünne dünen de be regürkünten, 2005 Микропроцессорные микросхемы »,« Микросхемы микрокомпьютера », микросхемы микроконтроллера, встроенная память d-схемы, изготовленные из сложных полупроводниковых, аналого-цифровых преобразователей, цифро-аналоговых преобразователей, электрооптических или «оптических интегральных схем», предназначенных для «обработки сигналов», программируемых полевых логических устройств, интегральных схем нейронных сетей, интегрированных по заказу схемы, для которых либо неизвестна функция, либо неизвестен статус управления оборудованием, в котором будет использоваться интегральная схема, процессоры с быстрым преобразованием Фурье (FFT), электрические стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства (EEPROM), флэш-памяти или статические случайные числа воспоминания о доступе (SRAM), имеющие любое из следующего:

EurLex-2 ^от Das Unternehmen muss sicherstellen, dass der Beauftragte für die Gefahrenabwehr im Unternehmen, der Kapitän und der Beauftragtürfäe de du beauftragtürfäe defürütürüfütürügürün de düfürüfürüügünügürüg Кроме того, чтобы получить дополнительную информацию erhalten, um ihre Aufgaben und Zuständigkeiten nach Kapitel # # und diesem Teil des Codes wahrzunehmen

^ru P Ровная антидемпинговая пошлина на импорт определенных типов электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящих из Японии, настоящим продлевается на период, не превышающий двух месяцев с 27 мая 1990 года.

EurLex-2 ^от 1. Ost-Tschad (Abstimmung)

^ru «Микропроцессорные микросхемы», «микрокомпьютерные микросхемы» и микроконтроллеры, изготовленные из составного полупроводника и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц;

EurLex-2 ^из Die Tätigkeit des Bürgerbeauftragten ist zwar sehr wichtig, с которой можно ознакомиться в любом случае, 9 июня 2000 года

N.

B. 2: Это включает в себя наборы микросхем, которые предназначены для совместной работы, чтобы обеспечить функцию «микропроцессорной микросхемы».

EurLex-2 ^от В рамках проекта «Энергетическая медицина и сельское хозяйство».

^ru , расширяющий временную антидемпинговую пошлину на импорт определенных типов электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящих из Японии. «микросхема» (3) означает «монолитную интегральную схему» или «мультичиповую интегральную схему», содержащую арифметико-логическое устройство (АЛУ), способное выполнять инструкции общего назначения из внутреннего хранилища данных, содержащихся во внутреннем хранилище.

EurLex-2 ^de Bei verpackten Wassermelonen darf der Gewichtsunterschied zwischen der leichtesten und der schwersten Frucht eines Packstücks # kg bzw., wenn die leichteste Frucht # kg od mehr 9 000 0002000 n kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg kg 9 kg 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 Микропроцессорная микросхема »(3) означает« монолитную интегральную схему »или« мультичиповую интегральную схему », содержащую арифметико-логический блок (АЛУ), способный выполнять серию команд общего назначения из внешнего хранилища.

EurLex-2 ^из Был для вас интересным!

^ru Уведомление о начале процедуры антисубсидирования в отношении импорта определенных электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящих из Республики Корея

EurLex-2 ^из Verfügt die Kommission über weitergehende Informationen zu Ситуация с местопребыванием, умри, ты умрешь, ты умрешь, пойдешь?

^ru 92/494 / EEC: Решение Комиссии от 12 октября 1992 года о принятии обязательства в связи с антидемпинговым разбирательством в отношении импорта определенных типов электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящих в Японии, и прекращающих действие расследование в отношении производителя, о котором идет речь для «разработки» или «производства» «микропроцессорной микросхемы», «микросхемы микрокомпьютера» или микросхемы микроконтроллера с арифметическим логическим блоком с шириной доступа 32 бита или более и любой из следующих функций или характеристик:

eurlex-diff-2018-06-20 ^de Tut so gut, dich wieder zu sehen

^ru Рассмотрение o f вопрос, переданный в Суд для предварительного решения, не выявил какого-либо фактора такого рода, который мог бы повлиять на действительность Регламента Комиссии (ЕЭС) № 165/90 от 23 января 1990 года, устанавливающего временную антидемпинговую пошлину на импорт определенных типы электронных микросхем, известные как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящие из Японии, принимающие обязательства, предлагаемые некоторыми экспортерами в связи с антидемпинговым разбирательством в отношении импорта этих продуктов, и прекращающие расследование в их отношении с поправками, опубликованными в опубликованном исправлении 10 февраля 1990 г.

EurLex-2 ^от Был в Европе, Миттельмеер-Конференц, таким образом, в 1995 году в Барселоне, в Испании, в Германии, в Европе, США. Объединение и День Смерти Миттелей.

^ru Если интегральной схемой является микросхема микрокомпьютера на основе кремния или микросхема микроконтроллера, описанная в 3А001.a.3. с длиной слова операнда (данных) 8 бит или меньше, состояние управления интегральной схемой определяется в 3A001.a.3.

EurLex-2 ^de So dete vergiftete demagogische Werk der Gegner keine Chance.

^ru (1) Комиссия в соответствии с Регламентом (ЕЭС) № 165/90 (2) ввела временную антидемпинговую пошлину на импорт определенных типов электронных микросхем, известных как DRAM (динамические запоминающие устройства с произвольным доступом), происходящих из Японии Принял обязательства, предложенные некоторыми экспортерами в связи с антидемпинговым разбирательством в отношении импорта этих товаров, и прекратил расследование в этом отношении.

EurLex-2 ^от Bericht: Gemeinschaftsrahmen für Verwertungsgesellschaften im Bereich der Urheberrechte and der verwandten Schutzrechte [# / # (INI)] — Ausschuss en für micro ‘9, 2000 гг. микроконтроллеры микроконтроллера, интегральные микросхемы хранения, изготовленные из составного полупроводника, аналого-цифровые преобразователи, цифро-аналоговые преобразователи, электрооптические или «оптические интегральные схемы», предназначенные для «обработки сигналов», программируемые полевые логические устройства, специализированные интегральные схемы для которых либо неизвестна функция, либо неизвестен статус управления оборудованием, в котором будет использоваться интегральная схема, процессоры быстрого преобразования Фурье (FFT), электрические стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства (EEPROM), флэш-память или статические случайные доступ к памяти (SRAM), имеющий любое из следующего:

EurLex-2 ^из Von ihnen konnte i ch bereits einige beobachten.

^ru РЕГЛАМЕНТ СОВЕТА (ЕС) № 2335/97 от 24 ноября 1997 года, отменяющий Регламент (ЕЭС) № 611/93 в отношении введения окончательной антидемпинговых пошлин на импорт в Сообщество некоторых электронных микросхем, известных как DRAM родом из Республики Корея ) способен выполнять серию инструкций общего назначения из внешнего хранилища.

EurLex-2 ^от Diese Mittel dienen zur Finanzierung der Mieten für die Gebäude Kortenberg und ER in Brüssel, wo die Beamten and die im im Rahmen der ESVP / GASP abgeordneten nationalen Experten untergebrageneg 9000 9000 Микросхема микрокомпьютера или микроконтроллера на основе кремния, описанная в 3А001.а.3. с длиной слова операнда (данных) 8 бит или менее, состояние управления интегральной схемой определяется в 3A001.a.3.

EurLex-2 ^от Wir, äh, wir bekommen aber den «Sizzler» Gutschein

^ru Комиссия была проинформирована о том, что компенсационная пошлина на импорт определенных электронных микросхем, известных как DRAM (динамическая память с произвольным доступом), возникает в Республике Корея, возможно, не взимается с определенного импорта указанных DRAM.

EurLex-2 ^от Eine elektromagnetische Störgröße darf sich auf einen Wasserzähler nur so weit auswirken, dass

^ru Эти подзаголовки также включают в себя электронные бесконтактные карты / метки, обычно состоящие из считывателя, который состоит из катушки, которая и вырабатывает напряжение для питания микросхемы, генератора кода, который при получении сигнала от катушки генерирует данные, и антенны для передачи сигнала.

Eurlex2019 ^де Эс ист wesentlich, сделайте ordnungsgemäße Unterrichtung дер betroffenen Parteien über умереть wesentlichen Tatsachen унд Erwägungen vorzusehen, умирают Унтер gebührender Berücksichtigung де Entscheidungsprozesses в дер Gemeinschaft innerhalb етег Фрист stattfinden мусс, умирают ден Parteien умирают Verteidigung Ihrer Interessen ermöglicht

^ru Полуавтоматические или автоматические герметики с горячей крышкой, в которых крышка нагревается локально до более высокой температуры, чем корпус упаковки, специально разработана для керамических упаковок с микросхемой и имеет пропускную способность, равную или превышающую одну упаковку в минуту

MultiUn ^из Sonst keine besonderen Vorkommnisse?

^ru «Персональная смарт-карта» (5) означает смарт-карту, содержащую микросхему, которая была запрограммирована для конкретного приложения и не может быть перепрограммирована пользователем для любого другого приложения.

EurLex-2 ^-де- Eine solche schwerwiegende Beeinträchtigung könntebeispielsweise Dann gegeben зет, Венна Keine Technischen Einrichtungen für умереть Verwendung дер Alternative verfügbar Синд Одер Дерен Einsatz wirtschaftlich Nicht praktikabel ист

^ан «Микропроцессорные микросхемы», «микросхемы микроЭВМ», микроконтроллеры микроконтроллера, интегральные микросхемы хранения, изготовленные из составного полупроводника, аналого-цифровые преобразователи, цифро-аналоговые преобразователи, электрооптические или «оптические интегральные схемы», предназначенные для «обработки сигналов», программируемые на месте логические устройства, специализированные интегральные схемы для которого либо неизвестна функция, либо неизвестен статус управления оборудованием, в котором будет использоваться интегральная схема, процессоры с быстрым преобразованием Фурье (FFT), электрические стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства (EEPROM), флэш-память или статические случайные доступ к памяти (SRAM), имеющий любое из следующего: 9000 5 EurLex-2 ^de Die in dieserEntscheidung vorgesehenen Maßnahmen стимул с дерматологом здоровья детей.