Полевой транзистор схема: Полевые транзисторы: типовые схемы включения

Полевые транзисторы: типовые схемы включения


Полевые транзисторы, схемы включения и правильная их настройка, именно это является основой корректной работы устройства, в котором задействованы полевые транзисторы. Широкий спектр преимуществ, таких как высокое входное сопротивление, простота изготовления, простота операций и так далее, делает МОП-транзисторы (FET) широко используемыми в различных устройствах, особенно в системах интегральных схем.

Полевые транзисторы — это МОП-транзисторы 2-го поколения после биполярных. Их можно использовать в качестве усилителей в осциллографах, испытательных и измерительных приборах, электронных вольтметрах, а также при коммутации.

Давайте вначале посмотрим подробно на схемы включения FET-транзисторов, варианты которых показаны ниже. В способах включения полевиков в схему нет ничего нового, принцип почти такой же как у биполярных приборах. То есть, существует три основных варианта включения: с общим истоком, с общим стоком или с общим затвором. Но управляются эти два полупроводника по разному: у биполярного прибора базовый ток является управляющим, а у полевого — напряжение затвора.

Содержание

  1. Основы проектирования схем на полевых транзисторах
  2. Полевые транзисторы включенные с общим истоком
  3. Полевые транзисторы включенные с общим стоком
  4. МОП-транзисторы включенные с общим затвором

Полевые транзисторы включенные с общим истоком

Схема подключения полевика с общим истоком, в принципе такая же как и у биполярного прибора включенного с общим эмиттером. Такой тип включения обусловлен возможностью передавать большой ток и мощность, при этом в цепи стока транзистора происходит переворот напряжения фазы.

Сопротивление на входе цепи затвор-исток становится очень высоким, которое насчитывает несколько сотен мОм. Однако его можно уменьшить, если включить в схему дополнительный резистор в разрыв затвора и истока, тем самым гальванически подтянется затвор на общую точку проводов. Такой вариант является защитой МОП-транзистора от электромагнитных наводок.

Номинальное сопротивление резистора защиты Rз может находится в диапазоне 1-3 мОм, а его подбор выполняется таким образом, чтобы этот шунт не мог очень влиять на сопротивление перехода затвор-исток, однако и нельзя позволить возникновению слишком большого напряжения от управляющего p-n перехода, смещенного в обратном направлении.

Значительное сопротивление на входе полевого транзистора, подключенного по схеме с общим истоком, можно считать важным преимуществом относительно других подобных полупроводников, особенно когда его применяют в конструкциях для усиления напряжения и мощности. Во всяком случае общее сопротивление резистора Rc, установленного в цепи стока, как правило больше нескольких килоом не бывает.

Полевые транзисторы включенные с общим стоком

Полевой транзистор с общим стоком, и если сравнивать этот тип подключения с биполярным прибором, то это, не что иное как подключение с общим коллектором. Такой способ подключение в основном применяется в каскадах согласования силовых цепей, и обеспечивать выходное напряжение совпадающее по фазе с входным.

МОП-транзисторы включенные с общим затвором

Полевик с общим затвором — по аналогии с биполярным прибором, будет означать — каскад с общей базой. Токовое усиление здесь отсутствует, соответственно и коэффициент усиления по мощности в несколько крат ниже каскада включенного с общим истоком. В период усиления, напряжение находится в той же фазе, которая является управляющей.

Справедливо считать, что если выходной ток имеет такое же значение как и входной, в таком случае коэффициент токового усиления равняется «1», а коэффициент увеличения напряжения, будет составлять более единицы.

В этом включении имеется особенная характеристика — обратная отрицательная токовая связь в параллели, так как во время увеличения напряжения управления на входе, возможности истока нарастают, а ток стока идет в сторону меньшего значения, следовательно понижает напряжение на установленном резисторе в цепочке истока Rи.

Исходя из выше сказанного можно определить, что в одном случае напряжение на истоковом резисторе увеличивается за счет повышения входящего сигнала, но вместе с тем происходит уменьшение снижение тока в цепи стока — это то, что называется отрицательной обратной связью.

Такое фактическое явление создает более широкий диапазон высоких частот, следовательно схема включения с общим затвором очень распространена в устройствах усиливающих высокочастотное напряжение.

Полевой транзистор — расчёт усилительных каскадов

Как просто рассчитать режимы работы и номиналы элементов схем на полевых транзисторах в различных схемах включения: c общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС, он же истоковый повторитель) и общим затвором (ОЗ).


Полевой (униполярный) транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении сопротивлением токопроводящего канала (сток–исток) посредством электрического поля, создаваемого приложенным к управляющему электроду (затвору) напряжением.

Исток (source) – это электрод, из которого в канал входят (истекают) носители заряда, т. е. источник носителей тока;
Сток (drain) – это электрод, через который из канала выходят (стекают) носители заряда;
Затвор (gate) – это управляющий электрод, который регулирует поперечное сечения канала и, соответственно, ток, протекающий через канал. Управление происходит посредством изменения напряжения между затвором и истоком (Uзи, Vgs).

Несмотря на крайне богатую терминологию различных типов полевых транзисторов, в большинстве практически встречающихся случаев мы имеем дело: либо с полевыми транзисторами со встроенным p-n переходом обеднённого типа (JFET-транзисторы), либо с полевыми МОП-транзисторами с изолированным затвором (они же MOSFET-ы в основном обогащённого типа), полное название которых звучит, как Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors.
И тот и другой типы полевиков могут быть любого знака полярности, т. е. как n-канальными, так и р-канальными.

Независимо от типов полевых транзисторов, они имеют схожие графики зависимости выходного тока от напряжения затвор‑исток, измеряемые при фиксированном значении напряжения стока.

Пример подобных вольт-амперных характеристик приведён на рисунке ниже.

Рис.1 ВАХ обеднённых JFET (1) и обогащённых MOSFET (2) полевых транзисторов n-типа.
Для p-канальных транзисторов — полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды, а также направление тока стока противоположны.

Как можно увидеть, вольт-амперные характеристики обеднённых (1) и обогащённых (2) и полевых транзисторов отличаются только сдвигом напряжения отсечки затвор-исток. При этом n — канальный МОП‑транзистор обогащённого типа не проводит ток до тех пор, пока напряжение Uзи не достигнет некоторого положительного уровня Uотс, в то время как ток стока транзистора обеднённого типа при напряжении Uзи = 0 будет близок к максимальному.

Полевые транзисторы с р‑n ‑переходом – это всегда приборы обеднённого типа и смещение затвора относительно истока должно находиться в отрицательной области (для n — канального ПТ), а если и заходить в положительную, то не более чем на +0,5В во избежание открывания диодного перехода затвор‑канал.

Давайте рассмотрим, как можно рассчитать режимы работы полевика по постоянному току. Для примера возьмём распространённый транзистор 2SK117, широко используемый в каскадах усиления звукового диапазона частот. Приведём две его статических характеристики из datasheet-а и до кучи схему усилительного каскада с общим истоком.

Рис.2 Статическая характеристика транзистора 2SK117 и схема каскада с общим истоком

Что нам советуют делать при расчёте усилительных каскадов на ПТ практически все умные книжки?
Построить на семействе выходных вольт-амперных характеристик транзистора динамическую линию, также называемую нагрузочной прямой.

Далее по пересечению этой нагрузочной линии с одним и графиков семейства выходных характеристик найти исходную рабочую точку, которая определяет ток стока и напряжение Uси в режиме покоя. И только после этого переходить к стоково-затворной характеристике ПТ, чтобы определить необходимую величину Uзи.

Конечно, ни один опытный схемотехник этого делать не будет! А делать он будет следующее:

1. Для начала надо определиться с током покоя транзистора Ic. Критериев выбора величины этого тока может быть множество, как с точки зрения достижений необходимой нагрузочной способности, так и других факторов, таких как: быстродействие, шумовые характеристики, энергопотребление, стабильность параметров и т. д. и т. п.
Поскольку 2SK117 является малошумящим полупроводником, а параметр шумовых характеристик в datasheet-е нормируется при токе стока Id=0.5 mA, то и мы для расчёта выберем этот ток равным

Iс = 0,5мА .

2. Мысленно проводим на графике зависимости тока стока от напряжения затвор-исток красную линию (Рис.2 слева), пересекающую Id = 0.5 mA. Величина напряжения затвор-исток, исходя из графика, получается Uзи ≈ -0,23В .

3. Поскольку крутизна передаточной характеристики полевого транзистора S = ΔIc/ΔUзи является величиной непостоянной, и существенно зависящей от тока покоя стока, то в datasheet-ах на современные транзисторы она либо отсутствует, либо не имеет большого практического смысла.
Давайте оценим её значение по всё тому же графику. Изменение напряжения Uзи в интервале — (0,3 …0,1) В приводит к росту стока 0,25…1,3 мА, что даёт нам ориентировочное значение параметра крутизны при заданном токе

S ≈ (1,3-0,25)/(0,3-0,1) = 5,25 мА/В.

4. Всё. Теперь можно вспомнить закон Ома и переходить к расчётам.
Rи = Uзи/Ic = 0,23/0,5 = 0,46 кОм.

Падение напряжения на резисторе Rc имеет смысл выбрать таким, чтобы напряжение стока в режиме покоя находилось в центре линейной области выходной характеристики транзистора. Это требование выполняется при условии Uc = (Eп + Uи)/2.
Если, для примера, напряжение питания выбрать равным 12В, то Uc = (12 + 0,23)/2 = 6,1 В

, а
Rc = (Eп — Uс)/Iс = (12 — 6,1)/0,5 ≈ 12 кОм .

Расчёт по постоянному току окончен. Для того, чтобы рассчитать коэффициент передачи каскада ОИ с резистором в истоке (при отсутствии шунтирующего конденсатора), необходимо воспользоваться следующей редкой формулой:
Кu = Rc*S/(1 +Rи*S) .
Подставив все цифры, получим значение Кu = 18,2 .

А теперь давайте проверим полученные расчёты в симуляторе.

Глядя на показания измерительных приборов, убеждаемся, что Uc (5,45В) и Ic (0,545мА) находятся в приемлемом диапазоне по отношению к расчётным значениям.

На диаграммах осциллографа синим цветом указана входная осциллограмма сигнала, имеющего амплитуду 100 мВ, а красным — выходного с амплитудой около 1,8 В, что выдаёт нам в сухом остатке Кu = 18, что так же полностью совпадает с расчётной величиной.


Рис.3

Для увеличения усиления каскада с общим истоком (Рис.2 справа) резистор Rи можно зашунтировать конденсатором Си и резистором Rи1. Тогда в формулу для расчёта Ku вместо значения Rи следует подставлять величину, равную Rи ll Rи1.
Если резистор Rи1 имеет нулевое значение, то формула для расчёта коэффициента усиления каскада приобретает совсем простой вид: Кu = Rc*S .
А ёмкость шунтирующего конденсатора Си (исходя из минимальной (нижней) усиливаемой частоты) можно рассчитать по формуле:
Си(МкФ) > 1600/[Fмин(Гц)*Rи(кОм)] .

Точно таким же образом рассчитываются режимы по постоянному току и номиналы резисторов для схем с общим затвором (Рис.4б) и с общим стоком, в миру — истоковым повторителем (Рис.4в).

Рис.4 Схемы каскадов на полевых транзисторах ОИ, ОЗ, ОС и ОС со смещением

В случае использования ПТ с низким значением модуля Uотс — напряжение на истоке транзистора в каскаде с ОС (истоковый повторитель) может оказаться слишком мало для достижения необходимых динамических характеристик. В таком случае на затвор транзистора подают напряжение смещения Eсм, а номинал резистора Rи рассчитывают по формуле Rи = (Есм — Uзи)/Ic .

Все расчёты, проведённые выше, были проделаны для наиболее распространённых в маломощных аналоговых цепях полевых транзисторов со встроенным p-n переходом обеднённого типа (JFET-транзисторы).
На самом же деле, все приведённые формулы и принципы расчёта справедливы и по отношению к МОП-транзисторам с изолированным затвором обогащённого типа (MOSFET-ы).

Однако если всё ещё остались какие-либо вопросы, то на следующей странице проведём подобные манипуляции и для них.

 

Полевые транзисторы (современные)


В В 1945 году у Шокли возникла идея создать твердотельное устройство. полупроводников. Он предположил, что сильное электрическое поле может вызвать поток электричества в близлежащем полупроводнике. Он попытался построить один, а затем попросил Уолтера Браттейна попытаться построить его, но это не сработало.

Три года спустя Браттейн и Бардин построили первый работающий транзистор, германиевый транзистор с точечным контактом, который производился как серия «А». Шокли тогда сконструировал переходной (сэндвич) транзистор, который был изготовлен в течение нескольких лет после этого.

Но в 1960 Bell ученый Джон Аталла разработал новую конструкцию, основанную на оригинальных теориях полевого эффекта Шокли. К концу 1960-х годов производители перешли от интегральные схемы переходного типа к устройствам с полевым эффектом. Сегодня, большинство транзисторов являются полевыми транзисторами. Вы используете миллионы из них сейчас.

МОП-транзисторы

Большинство современных транзисторов представляют собой полевые МОП-транзисторы. или металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы. Они были разрабатывались в основном Bell Labs, Fairchild Semiconductor и сотнями Кремниевой долины, японских и других компаний, производящих электронику.

Полевые транзисторы названы так потому, что слабый электрический сигнал, поступающий через один электрод, создает электрическое поле через остальную часть транзистора. Это поле переключается с положительного на отрицательное, когда входящий сигнал делает и управляет вторым током, проходящим через остальные транзистора. Поле модулирует второй ток, чтобы имитировать первый — но он может быть существенно больше.

Как это работает

Подробнее о том, как Полевые транзисторы работают

На днище транзистора П-образный разрез (хотя это более плоско, чем настоящая буква «U») из полупроводника N-типа. с избытком электронов. В центре буквы U находится секция, известная как «основание», изготовлена ​​из P-типа (положительно заряжена) полупроводник с малым количеством электронов. (На самом деле N- и P-типы можно перевернуть, и устройство будет работать точно так же, за исключением того, что дырки, а не электроны, будут вызывать ток.)

Три электрода прикреплены к верхней части этого полупроводниковый кристалл: один к среднему положительному сечению и по одному на каждое плечо U. Подавая напряжение на электроды на U, ток будет течь через него. Сторона, где электроны приходят называется источником, а сторона, где электроны выходит называется сток.

Если ничего не произойдет, ток будет течь от с одной стороны на другую. Из-за того, как электроны ведут себя при соединение между полупроводниками N- и P-типа, однако ток не будет течь особенно близко к базе. Он путешествует только через тонкий канал по середине U.

Также к основанию прикреплен электрод, клин из полупроводника P-типа посередине, отделенный от остальная часть транзистора тонким слоем оксида металла, такого как диоксид кремния (который играет роль изолятора). Этот электрод называется «воротом». Слабое электрическое сигнал, который мы хотели бы усилить, подается через гейт. Если заряд, проходящий через затвор, отрицателен, он добавляет больше электронов к базе. Поскольку электроны отталкиваются друг от друга, электроны в U двигайтесь как можно дальше от базы. Это создает обедненная зона вокруг базы целая область, где электроны не может путешествовать. Канал посередине U через ток, который может течь, становится еще тоньше. Добавить достаточно отрицательный заряд на базу и канал полностью отщипнется, остановка всего тока. Это как наступить на садовый шланг чтобы остановить поток воды. (Ранее транзисторы управлялись эту зону обеднения, используя то, как электроны движутся, когда два полупроводниковые пластины помещаются рядом друг с другом, создавая то, что называется соединением P-N. В полевых МОП-транзисторах PN-переход заменен оксидом металла, что Оказалось, что массовое производство микрочипов проще.)

А теперь представьте, если заряд проходит через ворота положительный. Положительное основание притягивает много электронов внезапно территория вокруг базы, которая раньше была нейтральной зоной открывается. Канал для тока через U становится больше, чем было изначально, и может протекать гораздо больше электричества. через.

Переменный заряд на базе, следовательно, изменения сколько тока проходит через U. Входящий ток может использоваться в качестве крана для включения или выключения тока, когда он проходит через остальная часть транзистора.

С другой стороны, транзистор можно использовать в и более сложным образом — как усилитель. Текущий путешествие по U становится больше или меньше в идеальной синхронизации с зарядом, поступающим в базу, т. е. имеет одинаковую паттерн как исходный слабый сигнал. И, начиная со второго ток подключен к другому источнику напряжения, он может быть сделано, чтобы быть больше. Ток, проходящий через U, представляет собой идеальная копия оригинала, только усиленная. Транзистор используется таким образом для усиления стереозвука в динамиках и микрофонах, а также для усиления телефонных сигналов, когда они путешествуют по Мир.

Сноска по Шокли

Шокли наблюдал за ростом Силиконовой долины, но мог не похоже, чтобы войти в Землю Обетованную, которую он предвидел. Он никогда удалось сделать полевые транзисторы, в то время как другие компании проектировался, рос и процветал. Фред Зейтц называл Шокли «The Моисей из Силиконовой долины».

Другие типы транзисторов:
— с точечным контактом Транзистор
— Перекресток («Сэндвич») Транзистор

Ресурсы: 
The Way Things Work Дэвида Маколея
Научная энциклопедия Ван Ностранда
— Полевой транзистор
— Интервью с Уолтером Брауном, 3 мая 1999 г.


-PBS Online- -Сайт Кредиты- -Фото Кредиты- -Отзыв-

Авторское право 1999, ScienCentral, Inc и Американский институт физики. Нет часть этого веб-сайта может быть воспроизведена без письменного разрешения. Все права защищены.

FET: полевой транзистор с примерами

Содержание

Знакомство с полевыми транзисторами

из трех терминалов (как электронные лампы), в которых ток управляется с помощью электрического поля. Другими словами, основной ток (между истоком и стоком) полевого транзистора (полевого транзистора) управляется за счет эффекта электрического поля, вызванного напряжением, подаваемым между истоком и затвором. Вот почему это называется эффектом поля.

Основное различие между транзистором и электронной лампой заключается в том, что транзистор управляется током, тогда как электронная лампа управляется напряжением. Помимо полевых транзисторов, остальные транзисторы являются усилителями тока. Этот конкретный компонент является усилителем управления напряжением. Выводы обычного транзистора известны как эмиттер, база и коллектор, а три вывода полевого транзистора известны как исток, затвор и сток соответственно. На затвор полевого транзистора подаются напряжения. За счет изменения напряжения затвора заряд обеспечивается изменением сопротивления между истоком и стоком. Входное сопротивление затвора FET (полевого транзистора) очень велико, поэтому через его затвор проходит очень малый ток.

Помните, что работа полевого транзистора (FET) зависит от движения только одного носителя заряда (дырок или электронов), из-за чего они называются транзисторами с униполярным переходом (UJT). В то время как работа биполярных транзисторов (BJT) зависит от движения обоих носителей заряда (то есть дырок и электронов).

Следует запомнить следующие термины, касающиеся «FET (полевой транзистор)».

Источник

Терминал, через который проходит большинство перевозчиков. Другими словами, это терминал, через который носители заряда проникают в швеллер. Он напоминает эмиттер BJT.

Слив

Это терминал, через который выходит большинство перевозчиков. Напряжение сток-исток (V DS ) управляет током стока (I D ). Другими словами, это такая клемма, с помощью которой ток выходит из канала. Этот терминал FET напоминает коллектор BJT.

Затвор

Это управляющая клемма полевого транзистора, который генерирует электрическое поле. Варьируя его, можно модулировать проводимость канала. Другими словами, это электрод, который управляет проводимостью канала между истоком и стоком. Затвор представляет собой две соединенные между собой сильнолегированные области, образующие два P-N перехода. Напряжение источника затвора (В GS ) изменяет смещение ворот. Напряжение входного сигнала подается на затвор. Этот терминальный переход напоминает базу переходного транзистора.

Канал

Это свободное пространство между двумя затворами, через которое проходит большинство носителей от истока к стоку (подача напряжения V DS от стока к истоку) или токопроводящий путь полупроводника, находящийся между истоком и сток, который называется каналом.

Строительство и работа полевого транзистора:

На рис. 5.1 изображена конструкция полевого транзистора (полевой транзистор) и его обозначения. С конструктивной точки зрения это N или P каналы, как видно из символов. Материал N-типа диффундирует в изолирующую полупроводниковую область или подложку P-типа, благодаря чему формируется относительно узкий канал. После этого между истоком и стоком образуется затвор из P-материала. Конструкция полевого транзистора зависит от большинства носителей. Согласно диаграмме электроны действуют как основной носитель между истоком и стоком, поэтому ток показан стрелкой на диаграмме 5.2

Рисунок 5.1

Мы знаем, что когда PN-переход смещен в обратном направлении, ширина его обедненной области увеличивается. Точно так же, когда затворный переход смещен в обратном направлении относительно истока и стока полевого транзистора, его площадь обеднения также увеличивается. Таким образом, канал проводимости между истоком и стоком сужается, и ток стока уменьшается. Если на затвор подать отрицательное напряжение, ток между истоком и стоком прекратится. Напряжения, подаваемые на затвор, благодаря которым прекращается протекание тока, называются напряжениями отсечки. Во время нормальной работы ворота не смещаются вперед.

Рисунок 5.2

N-канальный полевой транзистор

На рисунке 5.4 представлена ​​схема, в которой N-канальный полевой транзистор (полевой транзистор) (сделанный путем ввода материала P-типа с обеих сторон блока) имеет был использован. На обоих концах блока N напечатаны S (исток) и D (сток), в ряду которых установлена ​​нагрузка RL. Параллельно с FET (полевым транзистором) появляется напряжение (V DS ) (между D и S). На диаграмме ток нагрузки I D также показан участок, который проходит от N-блочного канала. Ворота пронизаны на обоих концах блока N.

Как видно на диаграмме 5.5, напряжение (V GS ) вызывает отрицательное смещение (т. е. сеть подключена с отрицательным напряжением смещения), поэтому, пока G более отрицательное по сравнению с S, ток не может проходить через ворота.

Рисунок 5.4

На рисунке (b) было объяснено, что этот конкретный полевой транзистор (полевой транзистор) проводит ток при прохождении тока около 8 мА через его канал N, когда значение V GS равен нулю. Однако если значение V GS изменить на -4 вольта, I D уменьшится до 2 мА. Изменения в D s имеют незначительное влияние на эти текущие величины. Как эти напряжения, подаваемые на затвор G, контролируют количество тока I D , проходящего через R L (без передачи какого-либо тока от G). Он был разработан ниже. На рисунке 5.6 показано, что при увеличении обратного смещения увеличивается ширина области истощения. В отсутствие смещения, кроме ряда (+) дырок, обнаруживается также некоторое количество (-) электронов. Когда подается очень низкое обратное смещение (рисунок b), все дырки движутся в сторону P, а все электроны — в сторону N. Таким образом, между P и N образуется небольшая обедненная область, через которую ток проводит/проходит. Когда обратное смещение увеличивается (рисунок c), электроны очень быстро текут от N к положительной клемме батареи. Электроны, испускаемые с отрицательной клеммы аккумулятора, объединяются с дырками после входа в область P. Таким образом, ширина непроводящей области или обедненной области увеличивается.

 

Рисунок 5.6

P-канальный полевой транзистор

На рисунке 5.7 показана схема P-канального полевого транзистора и его характеристики. FET (полевой транзистор) состоит из сильно легированного затвора, который проникает через оба конца блока каналов типа P. Согласно рисунку 5.4, обе батареи полевого транзистора P-канала смещены в обратном направлении по сравнению со схемой FET N. Основной ток состоит из потока дырок, катящихся по Р-каналу. Когда затвор G становится еще более положительным для увеличения обратного смещения и площади обеднения, поток тока уменьшается. За счет увеличения V GS смещает дальше, достигается точка, в которой часть проводимости (через которую проходит ток) канала становится настолько узкой, что все потоки истощаются/останавливаются. Это значение V GS называется напряжением отсечки. Наоборот, если значение V GS изменяется более чем на -5 В, затвор работает благодаря прямому смещению. Таким образом, все полевые усиления прекращаются. Если ток затвора не ограничивается установкой резистора, это может привести к повреждению полевого транзистора. Поддержание стандартных условий, если сток и затвор положительны по отношению к истоку и все обычные токи проходят через FET (полевой транзистор). Отношения, которые развиваются между V DS и I D описан на рис. (b)

рис. 5.7

Сравнение полевых транзисторов и биполярных транзисторов
Полевой транзистор Биполярный переходной транзистор
1 Его работа зависит только от потока большинства носителей (дырок и электронов), поэтому его называют биполярным устройством. Его работа зависит от потока основных и неосновных носителей (дырок и электронов), поэтому его называют биполярным устройством.
2 Их довольно легко изготовить, и они занимают относительно мало места. Именно поэтому они наиболее подходят для применения в антигранд-схемах. Его изготовление несколько сложнее и занимает больше места по сравнению с полевыми транзисторами. Вот почему их широкое применение в ИС не является предпочтительным
3 Обычно менее чувствительны к температуре. Очень чувствительны к температуре
4 Его входное сопротивление довольно высокое (обычно 100 МОм или даже больше) Его выходное сопротивление относительно низкое
5 Его клеммы обычно называются истоком, затвором и стоком соответственно Его клеммы обычно называются эмиттером, базой и коллектором
6 Относительно безопаснее против радиации Чувствителен к радиации
7 При использовании в качестве усилителя их коэффициент усиления по напряжению меньше и вызывает большие искажения сигналов Обеспечивает относительно более высокий коэффициент усиления по напряжению при использовании в качестве усилителя и вызывает меньшее искажение сигнала
8 Обеспечивает низкий уровень шума при использовании в качестве усилителя Производит сильный шум. (Помните, что в электрических терминах шум означает неравномерное колебание электрических сигналов из-за движения электрона в полупроводниковой структуре. Шум обычно возникает на ненужных и неприятных сигналах на выходе усилителя, которые сочетаются с полезным сигналом)
9 Это устройство, состоящее из трех клемм Это устройство, состоящее из трех клемм
10 Напряжения усилители Токовые усилители
11 При использовании в качестве переключателя или прерывателя они не способны к напряжению смещения Обеспечьте напряжения смещения
12 Их номинальная мощность низкая Их номинальная мощность высока
13 Низкая скорость переключения Высокая скорость переключения

Типы полевых транзисторов

Существует два типа полевых транзисторов

1).

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *