Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½Π° транзисторах. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π½Π° транзисторах: 8 простых схСм для Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ

КакиС простыС схСмы Π½Π° транзисторах ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌ. Как ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ однокаскадный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠ°. Как ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах. КакиС Π΅Ρ‰Π΅ интСрСсныС схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° транзисторах.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΊΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты

ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΊΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты — это ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ схСма Π½Π° транзисторС, которая позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Рассмотрим основныС особСнности Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 6
  • Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΡƒ
  • Для ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ сопротивлСниСм 60-100 Ом
  • НапряТСниС питания — 6 Π’ (4 Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнта ΠΏΠΎ 1,5 Π’)
  • Π”Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ R1R2 Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора
  • РСзистор R3 обСспСчиваСт Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ

Как происходит стабилизация? ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ возрастаСт ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° R3. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния.


Двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры

Двухкаскадный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ характСристиками:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 20
  • НСпосрСдствСнная связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами
  • Глубокая ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
  • МаксимальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС 30 ΠΌΠ’
  • ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 8 мА

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния слабых сигналов, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°. Бтабилизация Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ обСспСчиваСтся рСзистором R4 Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ однокаскадной схСмС.

Двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики двухкаскадного Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100
  • НСпосрСдствСнная связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами
  • МаксимальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС 2 ΠΌΠ’
  • ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 2 мА

Бтабилизация Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС происходит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ: ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° VT1 увСличиваСтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ росту напряТСния Π½Π° рСзисторС R3. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· связь транзисторов ΠΏΠΎ рСзистору R2 увСличиваСтся Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, компСнсируя ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅.


Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π—Π§ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ особСнности:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 10
  • МаксимальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС 0,1 Π’
  • Двухкаскадная схСма: ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад усиливаСт ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ — ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
  • Вранзистор VT2 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π°Ρ…, VT3 — ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…
  • Π”ΠΈΠΎΠ΄ VD1 обСспСчиваСт Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ

Нагрузкой усилитСля ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ нСсколько ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ динамичСская Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠ° сопротивлСниСм 8-10 Ом. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ° Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора Π‘2 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅.

Π”Π²ΡƒΡ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния

Π”Π²ΡƒΡ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния Π½Π° транзисторах ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ для контроля разряда Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ питания ΠΈΠ»ΠΈ уровня воспроизводимого сигнала Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы:

  • ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ свСтится Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ свСтодиод HL1
  • ΠŸΡ€ΠΈ высоком напряТСнии свСтятся ΠΎΠ±Π° свСтодиода HL1 ΠΈ HL2
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ срабатывания рСгулируСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором R1
  • Π―Ρ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ свСчСния зависит ΠΎΡ‚ сопротивлСний R3 ΠΈ R6

Для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ устройству Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ R1 ΠΎΡ‚ питания ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ рСзистора.


Π’Ρ€Π΅Ρ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния

Π’Ρ€Π΅Ρ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ «ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ — Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ° — большС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹». ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ схСмы:

  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° красных свСтодиода ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ΠΉ
  • ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии свСтится Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ΠΉ свСтодиод HL3
  • ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии загораСтся красный HL1
  • ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии загораСтся красный HL2
  • ΠΠ°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠ»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌΠΈ ΠΈΠ·-Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для прСобразования ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ напряТСния Π² сигнал ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

  • ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ VT1 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, VT2 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, свСтодиод свСтится
  • ΠŸΡ€ΠΈ достиТСнии ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния происходит скачкообразноС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ VT1 ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ VT2
  • Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ гаснСт
  • Π’ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚ Π² исходноС состояниС происходит ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Π–Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€

Π–Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ особСнности:


  • Π’ исходном состоянии VT2 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, свСтодиод свСтится
  • ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π³Π½Π΅Π·Π΄ X1 ΠΈ X2 открываСтся VT1 ΠΈ закрываСтся VT2
  • Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ гаснСт Π½Π° врСмя разряда кондСнсатора C2
  • Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° опрСдСляСтся Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ C2 ΠΈ сопротивлСниСм R5
  • Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ схСмы Π½Π° транзисторах ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌ ΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с основными ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ практичСскиС Π½Π°Π²Ρ‹ΠΊΠΈ сборки элСктронных устройств.


Π’ΠΎΡΠ΅ΠΌΡŒ простых схСм Π½Π° транзисторах для Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ нСсколько схСм простых устройств ΠΈ ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌΠΈ.

ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΊΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π—Π§

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ конструкция, которая позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ способности транзистора ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π°, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ — ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 6, поэтому сфСра примСнСния Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π°.

Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, скаТСм, ΠΊ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΡƒ (ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ Π½Π° рСзистор 10 кОм) ΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° BF1 ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ мСстной радиостанции.

УсиливаСмый сигнал поступаСт Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° X1, Π₯2, Π° напряТСниС питания (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π²ΠΎ всСх ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… конструкциях этого Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠ½ΠΎ составляСт 6 Π’ — Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнта напряТСниСм ΠΏΠΎ 1,5 Π’, соСдинСнных ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ) подаСтся Π½Π° Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯Π—, Π₯4.

Π”Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ R1R2 Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора, Π° рСзистор R3 обСспСчиваСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ способствуСт Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усили тСля.

Рис. 1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° однокаскадного усилитСля Π—Π§ Π½Π° транзисторС.

Как происходит стабилизация? ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ увСличился Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎ Ρ€Π° транзистора БоотвСтствСнно увСличится ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° рСзисто Ρ€Π΅ R3. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттС Ρ€Π°, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° — ΠΎΠ½ достигнСт ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния.

Нагрузка ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада — Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ сопротивлСниСм 60.. 100 Ом. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ усилитСля нСслоТно, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯1 Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΠΈΠ½Ρ†Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ слабоС ΠΆΡƒΠΆΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзис Ρ‚ΠΎΡ€Π° составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 3 мА.

Двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры

Он Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ с нСпосрСдствСнной связью ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами ΠΈ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ нСзависящим ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды. Основа Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации — рСзистор R4, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽ Ρ‰ΠΈΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ рСзистору R3 Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ конструкции

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ «Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉβ€ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с однокаскадным — коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ достигаСт 20. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 30 ΠΌΠ’, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ искаТСния, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠΎΡΠ½ΡƒΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ ΠΏΠΈΠ½Ρ†Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ (ΠΈΠ»ΠΈ просто ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π΅ΠΌ) Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯1 — Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅ раздастся Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΈΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊ. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ потрСбляСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 8 мА.

Рис. 2. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° двухкаскадного усилитСля Π—Π§ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры.

Π­Ρ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния слабых сигналов Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°. И ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ сигнал Π—Π§, снимаСмый с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°.

Двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ использована нСпосрСдствСнная связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами, Π½ΠΎ стабилизация Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ нСсколько отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… конструкций.

Допустим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора VΠ’1 ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΡΡ ПадСниС напряТСния Π½Π° этом транзисторС увСличится Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния Π½Π° рСзисторС R3, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра транзис Ρ‚ΠΎΡ€Π° VΠ’2.

Благодаря связи транзисторов Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R2, увСличится Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° этого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ скомпСнсировано.

Рис. 3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° двухкаскадного усилитСля Π—Π§ Π½Π° транзисторах ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры.

Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля вСсьма высока — коэффициСнт усилСния достигаСт 100. УсилСниС Π² сильной стСпСни зависит ΠΎΡ‚ Смкости кондСнсатора Π‘2 — Ссли Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, усилСниС снизится. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 2 ΠΌΠ’.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ, с элСктрСтным ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ источниками слабого сигнала. Π’ΠΎΠΊ, потрСбляСмый усилитСлСм — ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 2 мА.

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π—Π§ Π½Π° транзисторах

Он Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ усилСниСм ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 10. НаибольшСС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ 0,1 Π’.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ двухкаскадный ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ собран Π½Π° транзисторС VΠ’1 Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ — Π½Π° VΠ’2 ΠΈ VT3 Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ° скад усиливаСт сигнал Π—Π§ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ — усиливаСт сигнал ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½ΠΎ каскад Π½Π° транзисторС VΠ’2 β€œΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚β€ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π°Ρ…, Π° Π½Π° транзисторС VT3 — ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ….

Рис. 4. Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π—Π§ Π½Π° транзисторах.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния эмиттСров транзисторов Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ каскада Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ напряТСния источника питания.

Π­Ρ‚ΠΎ достигаСтся Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ рСзистора R2 ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, протСкая Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD1, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ падСнию Π½Π° Π½Π΅ΠΌ напряТСния. ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ являСтся напряТСниСм смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Π°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов (ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡ… эмиттСров), — ΠΎΠ½ΠΎ позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ искаТСния усиливаСмого сигнала.

Нагрузка (нСсколько ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π»ΠΈΠ±ΠΎ динамичСская Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠ°) ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· оксидный кондСнсатор Π‘2.

Если ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΡƒ (сопротивлСниСм 8 -. 10 Ом), Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ этого кондСнсатора Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹ ь ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ большС ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада — рСзистора R4 Π•Π³ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ соСдинСн Π½Π΅ с плюсом питания, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ дСлаСтся, Π° с Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ называСмая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов поступаСт нСбольшоС Π½Π° пряТСниС Π—Π§ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов.

Π”Π²ΡƒΡ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ β€œΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΡβ€ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ питания Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ уровня воспроизводимого сигнала Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π΅. ΠœΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Рис. 5. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π΄Π²ΡƒΡ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

Π’ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 ΠΎΠ±Π° транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, свСтодиоды HL1, HL2 ΠΏΠΎΠ³Π°ΡˆΠ΅Π½Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ двиТкарСзистора Π²Π²Π΅Ρ€Ρ…, напряТСниС Π½Π° Π½Π΅ΠΌ увСличиваСтся. Когда ΠΎΠ½ΠΎ достигнСт напряТСния открывания транзистора VΠ’1 вспыхнСт свСтодиод HL1

Если ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ. наступит ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° вслСд Π·Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ VD1 откроСтся транзистор VΠ’2. ВспыхнСт ΠΈ свСтодиод HL2. Π˜Π½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ свСчСниС Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ свСтодиода HL1 Π° большСС ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… свСтодиодов.

Плавно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором, Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ гаснСт свСтодиод HL2, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ — HL1. Π―Ρ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ свСтодиодов зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов R3 ΠΈ R6 ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΡ… сопротивлСний ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ устройству, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΎΡ‚ плюсового ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° источника питания ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ этого рСзистора. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ срабатывания ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСния источника питания допустимо ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° мСстС HL2 свСтодиод Π·Π΅Π»Π΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСчСния АЛ307Π“.

Π’Ρ€Π΅Ρ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния

Он Π²Ρ‹Π΄Π°Π΅Ρ‚ свСтовыС сигналы ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ мСньшС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ — Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ° — большС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹. Для этого Π² ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π΄Π²Π° свСтодиода красно Π³ΠΎ свСчСния ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ — Π·Π΅Π»Π΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

Рис. 6. Π’Ρ€Π΅Ρ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния.

ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 (напряТСниС Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅) ΠΎΠ±Π° транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ ΠΈ (Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚) Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ΠΉ свСтодиод HL3. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° рСзистора Π²Π²Π΅Ρ€Ρ… ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния (большС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹) Π½Π° Π½Π΅ΠΌ открываСтся транзистор VΠ’1.

Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ HL3 гаснСт, Π° HL1 заТигаСтся. Если Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠ· ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ напряТСниС Π½Π° Π½Π΅ΠΌ (β€˜ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ нормы”) транзистор VΠ’1 закроСтся, Π° VΠ’2 откроСтся. Π‘ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ такая ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Π°: Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ погаснСт свСтодиод HL1, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ заТТСтся ΠΈ вскорС погаснСт HL3 ΠΈ Π² Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ вспыхнСт HL2.

Из-Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° получаСтся ΠΏΠ»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ погасания ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСтодиода ΠΊ заТиганию Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ погас ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, HL1, Π° ΡƒΠΆΠ΅ заТигаСтся HL3.

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°

Как извСстно это устройство ис ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ для прСобразования ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ напряТСния Π² сигнал ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ΠšΠΎΠ³Π΄Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 находится Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ транзистор VΠ’1 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

НапряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ высокоС, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ транзистор VΠ’2 оказываСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, свСтодиод HL1 Π·Π°ΠΆΠΆΠ΅Π½ На рСзисторС R3 образуСтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния.

Рис. 7. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π° Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… транзисторах.

МСдлСнно пСрСмСщая Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π²Π²Π΅Ρ€Ρ… ΠΏΠΎ схСмС, удастся Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ скачкообразноС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора VΠ’1 ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ VΠ’2 Π­Ρ‚ΠΎ случится ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ VΠ’1 падСния напряТСния Π½Π° рСзисторС R3.

Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ погаснСт. Если послС этого ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ Π²Π½ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ возвратится Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ — вспыхнСт свСтодиод Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ΅ мСньшСм Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ свСтодиода.

Π–Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ устойчивым состояниСм ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ своСй Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ нСзависимо ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ. УбСдимся Π² этом провСдя экспСримСнт с ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ устройства.

Рис. 8. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΆΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

Π’ исходном состоянии транзистор VΠ’2 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, свСтодиод HL1 свСтится. Достаточно Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯1 ΠΈ Π₯2 Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘1 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π» транзистор VΠ’1. НапряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ снизится ΠΈ кондСнсатор Π‘2 окаТСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора VΠ’2 Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ полярности, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‚ закроСтся. Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ погаснСт.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ разрядки ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R5, удСрТивая транзистор VΠ’2 Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ кондСнсатор разрядится, транзистор VΠ’2 вновь откроСтся ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ снова Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ оТидания.

Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нахоТдСния Π² нСустойчивом состоянии) Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ, Π° опрСдСляСтся сопротивлСниСм рСзистора R5 ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ кондСнсатора Π‘2.

Если ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π‘2 кондСнсатор Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Смкости, свСтодиод Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ дольшС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² погашСнном состоянии.

И. Π‘ΠΎΠΊΠΎΠΌΡ‡Π΅Π². Π -06-2000.

CΡ…Π΅ΠΌΡ‹ Π½Π° КВ315 | ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ‹Π΅ схСмы Π½Π° популярном транзисторС для Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…

Π ΡƒΠ±Ρ€ΠΈΠΊΠ°: ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы, Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ для Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ 28.08.2019 Β  Β· Β  ΠšΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΈ: 0 Β  Β· Β  На Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅: 3 ΠΌΠΈΠ½ Β  Β· Β  ΠŸΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Ρ‹:

Post Views: 7Β 565

Вранзистор КВ315 ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ популярСн Ρƒ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ старой Π·Π°ΠΊΠ°Π»ΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ биполярный транзистор Π±Ρ‹Π» Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ Π² 1967 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π΅Π³ΠΎ популярности β€” массовоС использованиС Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. Он использовался ΠΈ Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Π°Ρ…, ΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… Π·Π²ΡƒΠΊΠ°. Π•Π³ΠΎ достаточно просто ΠΎΠΏΠΎΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ срСди тысячи Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΈΠ·-Π·Π° своСго Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ корпуса.

ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π° КВ315


ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ схСма для Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΡ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ паяльником ΠΈ ΡƒΠΆΠ΅ Ρ…ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ своС ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ устройство.
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Вранзисторный ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ


Π’ ΠΏΠ°Ρ€Π΅ с транзистором КВ815 ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ собранныС устройства ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²ΠΈΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ситуации ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания.
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π½Π° транзисторах КВ315


Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° Π΄Π²Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° с ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΎΠΉ. ΠŸΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Π°Π·Π°Ρ… сборки усилитСлСй.

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π° КВ315


Π’ ΠΏΠ°Ρ€Π΅ со своим Β«Π±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠΌΒ» КВ361 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π·Π²ΡƒΠΊΠ°.
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Π˜ΠΌΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π·Π²ΡƒΠΊΠ°


Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π½Π° Π»Π΅Π³Π΅Π½Π΄Π°Ρ€Π½ΠΎΠΌ КВ315.
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Π¦Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ° Π½Π° транзисторах


Π¦Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ° Π½Π° Π΄Π²Π° свСтодиода Π² ΠΏΠ°Ρ€Π΅ с транзисторами.
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ°


Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½Π°Ρ схСма для Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ….
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹


Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды.
Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Π»Π΅Π΅

Распиновка КВ315


ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ транзистора β€” BFP719.

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° сборки схСм

Для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π°, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму. Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠΎ слоТности ΠΈ своСму ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Ρƒ. Π”Π°Π»Π΅Π΅, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ список Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ схСму. ΠŸΠΎΠΊΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π² спСциализированных ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π°Ρ…, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°Ρ…. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ сборкой схСмы ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ Π½Π° ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π΄Π°Π±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΡˆΠ½ΠΈΡ… ошибок. Бамая простая ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° β€” с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠ°Β». Ни ΠΎΠ΄Π½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ ΠΈΠ· схСм, прСдставлСнных Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Β«Π·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡΒ» Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ навСсным ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. А золотая сСрСдина β€” макСтная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°. ΠœΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹, ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ DIP схСм Π±Π΅Π· особого Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π°.

Π’ΠΎ врСмя сборки схСмы Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΡƒ с ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°, максимум ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ сСкунд Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ситуации. ОсобСнно ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы КВ315 ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ пластмассовый корпус, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌ Π½Π΅ΠΊΡƒΠ΄Π° ΠΎΡ‚Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ, ΠΈ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ максимально Π°ΠΊΠΊΡƒΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΈΡ… ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ. Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° Π·Π°Π³Π²ΠΎΠ·Π΄ΠΊΠ° β€” это ΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ тСрпят частых сгибаний ΠΈ Ρ€Π°Π·Π³ΠΈΠ±Π°Π½ΠΈΠΉ.

ПослС сборки Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ, Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ всС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΌΠ΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡Π΅ΠΊ.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ схСма

ВсС схСмы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅. Если устройство Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ основныС ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹:

  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ;
  • НС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ сборка схСмы;
  • ΠŸΠ»ΠΎΡ…Π°Ρ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ°.

НуТно ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ шаг ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ этап сборки.

Post Views: 7Β 565

Β 

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзисторных схСм

Β» ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ элСктроникС

Π’ схСмах транзисторов

ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ транзисторов: общая Π±Π°Π·Π°, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр β€” ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… выбираСтся Π² процСссС проСктирования элСктронной схСмы.


Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΎΠ΅ пособиС ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ схСм транзисторов Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚:
РасчСт схСм транзисторов ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠŸΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ эмиттСра ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ Π±Π°Π·Π°

Π‘ΠΌ. Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅: Π’ΠΈΠΏΡ‹ транзисторных схСм


ΠŸΡ€ΠΈ рассмотрСнии конструкции элСктронной схСмы для транзисторной схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы.

Π’Ρ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы транзистора: ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр, общая Π±Π°Π·Π° ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ). Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ характСристики, ΠΈ для схСмы Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ‚ΠΈΠΏ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ трСбуСтся.

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ свойства с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния коэффициСнта усилСния, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса ΠΈ Ρ‚. Π΄., ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π² процСссС проСктирования элСктронной схСмы Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π° конкрСтная конфигурация.

КаТдая ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ транзисторов ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, примСняСмыС ΠΊ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌ, с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠΎΠΉ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Π’ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½Π° этапС проСктирования элСктронной схСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡƒΡŽ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ транзистора Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹: ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это рСзисторы ΠΈ кондСнсаторы, Π° значСния Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ для получСния Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. .

Как Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ расчСт Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами процСсса проСктирования элСктронных схСм.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзисторных Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ

НазваниС Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… основных ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ транзисторов ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ транзистора, которая являСтся ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°ΠΌ: общая Π±Π°Π·Π°, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр.

Вранзистор 2N3553 Π² мСталличСском корпусС ВО39

Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ Β«Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉΒ», Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ зазСмлСнная Π±Π°Π·Π°, Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ эмиттСр, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ сигнал ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ элСмСнта ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ эквивалСнтных схСм для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ тСрмоэлСктронных ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ΠΎΠ²/Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… Π»Π°ΠΌΠΏ. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ свойств, хотя ΠΈ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ элСктронного устройства.

Для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ сток, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ исток ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, Π° для ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ΠΎΠ²/Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ тСрминология Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Π°Π½ΠΎΠ΄ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ сСтку.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π’ Π°Π»Ρ„Π°Π²ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ порядкС это пСрвая конфигурация транзистора, Π½ΠΎ, вСроятно, ΠΎΠ½Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ всСго.

Π­Ρ‚Π° конфигурация транзистора обСспСчиваСт Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс ΠΏΡ€ΠΈ высоком Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ импСдансС. НСсмотря Π½Π° высокоС напряТСниС, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ, Π° ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ доступными конфигурациями транзисторов. Другая сущСствСнная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ находятся Π² Ρ„Π°Π·Π΅.

Π­Ρ‚Π° конфигурация транзистора, вСроятно, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ всСго, Π½ΠΎ ΠΎΠ½Π° Π΄Π°Π΅Ρ‚ прСимущСства, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·Π°, общая для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π°, ΠΈ это Π΄Π°Π΅Ρ‚ прСимущСства Π² ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ проСктирования радиочастотных Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ происходит ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·Π°, которая физичСски являСтся элСктродом ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π°, Ρ‚Π΅ΠΌ самым обСспСчивая Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ.

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ конфигурация с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Π’Π§-усилитСлСй, Π³Π΄Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ изоляция ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ сниТаСт Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ. Как ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ любой, ΠΊΡ‚ΠΎ занимаСтся радиочастотным ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, это ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ Π°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ±ΡƒΡ‚.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс часто ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ согласованиС с 50 Ом, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ Π°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ±ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ для ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… сцСнариСв проСктирования Π’Π§.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹ транзисторов

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ . . . . Вранзисторный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.


ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ)

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ извСстна ΠΊΠ°ΠΊ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС эмиттСра слСдуСт Π·Π° напряТСниСм Π±Π°Π·Ρ‹, хотя ΠΎΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ, Ρ€Π°Π²Π½ΡƒΡŽ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.

ΠŸΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром обСспСчиваСт высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, хотя коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ высок. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигналы ΡΠΎΠ²ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅.

Π’Π²ΠΈΠ΄Ρƒ этих характСристик конфигурация эмиттСрного повторитСля ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ схСмы, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс для прСдотвращСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ каскада ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс для управлСния ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ каскадами.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· схСмы, Π² этой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзистора элСктрод ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. НСсколько Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с рСзистором для эмиттСра, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, кондСнсаторами Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ рСзисторами смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, Ссли это Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ соСдинСн с ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ каскадом, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ постоянноС напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ для схСмы повторитСля. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ трСбуСтся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ . . . . Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° транзисторах с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ).


ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π­Ρ‚Π° конфигурация транзистора, вСроятно, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° обСспСчиваСт срСдний ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса. УсилСниС ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ срСднСС, Π½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал являСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π½Π° 180Β°. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ часто являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ схСмы транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· схСмы, Π² этой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзистора эмиттСрный элСктрод являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ . . . . Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° транзисторах с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром.


Бводная Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы транзистора

Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ основныС характСристики Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ транзисторов. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ транзисторной схСмы Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ аспСктом являСтся Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ коэффициСнт усилСния, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС.


Бводная Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзисторов
Β 
ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ транзистора ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ Π±Π°Π·Π° ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
(эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ)
ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Высокий Низкий Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ
Β  ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Низкий Высокий Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ
Β  ΠŸΡ€ΠΈΡ€ΠΎΡΡ‚ мощности Низкий Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Высокий
Β  ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° 0&градус 0Β° 180Β°
Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Низкий Высокий Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ
Β  Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Высокий Низкий Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹

Какая Π±Ρ‹ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° подтвСрТдСния транзистора Π½ΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π° Π½Π° этапС проСктирования элСктронной схСмы, Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ транзистора ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹: рСзисторы для установки Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ смСщСния ΠΈ кондСнсаторы для обСспСчСния связи ΠΈ развязки.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ для обСспСчСния смСщСния, связи ΠΈ развязки ΠΈ Ρ‚. Π΄.

Π’ этой схСмС усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром базовая конфигурация устанавливаСт Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ условия схСмы: срСдний Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, срСдний Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Ρˆ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ условия ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ этого.

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитан Π½Π° этапС проСктирования элСктронной схСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π₯отя ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр, вСроятно, Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с элСктронными ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ рСзисторы ΠΈ кондСнсаторы, ΠΏΡ€ΠΈ использовании для проСктирования радиочастотных Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ индуктивности ΠΈ трансформаторы, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² схСму. Π’ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΈ для Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ транзисторных схСм.

НаиболСС часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ схСмой являСтся схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, которая ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… каскадах усилитСля, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, ΠΎΠ½ дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€ ΠΈ обСспСчиваСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ — Π΅Π³ΠΎ усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅. ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ Π±Π°Π·Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ спСциализированных прилоТСниях ΠΈ встрСчаСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅.

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы ΠΈ схСмы:
ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй Π¦Π΅ΠΏΠΈ питания Вранзисторная конструкция Вранзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° ВранзисторныС схСмы схСмы ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ
Β  Β  Π’Π΅Ρ€Π½ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Π² мСню проСктирования схСм . . .

ПониманиС конструкции схСмы транзистора Β» Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° Notes

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° элСктронной схСмы с использованиСм биполярных транзисторов довольно проста с использованиСм простых ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² проСктирования ΠΈ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ.


Π£Ρ‡Π΅Π±Π½ΠΎΠ΅ пособиС ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ схСм транзисторов Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚:
РасчСт схСм транзисторов ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠŸΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ эмиттСра ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ Π±Π°Π·Π°

Π‘ΠΌ. Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅: Π’ΠΈΠΏΡ‹ транзисторных схСм


ВранзисторныС схСмы Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Π² основС соврСмСнных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ проСктирования элСктронных схСм. Π₯отя Π² наши Π΄Π½ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… схСмах, базовая конструкция транзисторной схСмы часто трСбуСтся Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… областях.

Π₯отя ΠΏΡ€ΠΈ использовании дискрСтных элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² с транзисторами ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ большС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму для обСспСчСния ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, которая трСбуСтся. БоотвСтствСнно схСмы с использованиСм дискрСтных транзисторов ΠΈ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€ Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Π² основС проСктирования элСктронных схСм.

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ конструкции транзисторных схСм ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΎ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ транзисторныС схСмы, Π½ΠΎ ΠΈ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм, основанных Π½Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ биполярных транзисторов.

BC547 Вранзистор с пластиковыми Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ биполярного транзистора

ΠžΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСктронным ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ любой транзисторной схСмы являСтся сам транзистор. Π­Ρ‚ΠΈ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² дискрСтной Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² составС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы.

Вранзисторы производятся Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π°Ρ… ΠΈ ​​могут Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ для выполнСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ слабого сигнала Π΄ΠΎ высокой мощности, ΠΎΡ‚ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π΄ΠΎ радиочастоты ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Они Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ PNP-транзисторов ΠΈ NPN-транзисторов — ΠΈΠ· этих NPN-транзисторов Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, подходят для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ систСмы ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ зазСмлСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния скорости.

Π₯отя транзисторы NPN Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ, это Π½Π΅ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторы PNP Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ. Они часто находят ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, дополняя NPN-транзисторы ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ схСмы.

Базовая структура транзистора ΠΈ символы схСмы

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ устройству биполярного транзистора:

Биполярный транзистор прСдставляСт собой устройство с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Π’ Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. Биполярный транзистор ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ доступСн, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ оптимизируСтся Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π»Π΅Ρ‚.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ Биполярный транзистор ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Биполярный транзистор доступСн ΡƒΠΆΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ сСмидСсяти Π»Π΅Ρ‚ — Π΅Π³ΠΎ тСхнология ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π°, ΠΈ хотя тСхнология ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, вСроятно, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах, биполярныС транзисторы всС Π΅Ρ‰Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… количСствах Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ дискрСтныС элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹.

Биполярный транзистор Π±Ρ‹Π» Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ Π² 1949 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠΉ ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ…, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Bell Labs Π² БША. Π•Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ интСрСсноС Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠ° ΠΎΠ± истории транзисторов:

Биполярный транзистор Π±Ρ‹Π» ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ трСмя исслСдоватСлями, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π² Bell Laboratories: Π”ΠΆΠΎΠ½ΠΎΠΌ Π‘Π°Ρ€Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ, Π£ΠΎΠ»Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ Π‘Ρ€Π°Ρ‚Ρ‚Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ Уильямом Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ. Они Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»ΠΈ Π½Π°Π΄ ΠΈΠ΄Π΅Π΅ΠΉ использования эффСкта поля для управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅, Π½ΠΎ Π½Π΅ смогли Π²ΠΎΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ эту идСю Π² Тизнь. Они ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ сдСлали Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π΄Π²Π° Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ располоТСнных Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Π½Π° Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластинС. Π­Ρ‚Π° идСя сработала, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ смогли ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ 1949.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ Биполярный транзистор Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ

РасчСтныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ схСмы транзистора

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ элСктронной схСмы для транзисторной схСмы, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ трСбования ΠΊ схСмам: Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, связанныС с транзисторными схСмами.

Π’ трСбованиях ΠΊ конструкции транзисторной схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ ряд ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ: Β  ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ часто являСтся ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для проСктирования элСктронных схСм. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния схСмы β€” это ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ схСмы. Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, A v , прСдставляСт собой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС.

    ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… схСм, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ обСспСчиваСт Β«Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Β»

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ:  УсилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ схСмы часто Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ элСктронных схСм, особСнно Ρ‚Π°ΠΌ, Π³Π΄Π΅ схСма управляСт Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ импСдансом. Часто трСбуСтся схСма Π±Π΅Π· усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с усилСниСм ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высоким Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ импСдансом ΠΌΠΎΠ³Π»Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ схСмой с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ импСдансом.

    Π•ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² этого: Π’Π§-Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ часто трСбуСтся Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ каскад, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сама схСма Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‡Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π°, Π½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для управлСния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ схСмами. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² цСпях питания, Π³Π΄Π΅ элСмСнт ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π° рСгулятора напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½ΠΎ с использованиСм ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Π•ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², Π³Π΄Π΅ трСбуСтся усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

    Как ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ схСмы сравниваСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ, Π½ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ.

  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС: Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзисторной схСмы всСгда Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ. Он опрСдСляСт Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ каскад, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ΅Π½ Π² радиочастотных цСпях, Π³Π΄Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ являСтся согласованиС импСданса.

    Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… элСктронных схСмах ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅Π½ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ каскад Π½Π΅ слишком Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½. Если Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзисторной схСмы слишком Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΡƒΡŽ, сниТая ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ сигнала ΠΈ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях вызывая искаТСния. Настройка транзисторного каскада для обСспСчСния ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса являСтся ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом процСсса проСктирования элСктронной схСмы.

  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС: Β  Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС. Если транзисторная схСма управляСт схСмой с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ импСдансом, Ρ‚ΠΎ Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ импСданс, Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС Π² транзисторном Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½Π΅Ρ‚ большоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, Π° Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ искаТСниС сигнала.

    Если ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ трСбуСтся схСма с высоким коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΈ Π² процСссС проСктирования элСктронной схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ подходящий Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ схСмы. Если допустим Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, Ρ‚ΠΎ часто Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ подходящСй являСтся схСма с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ.

  • Частотная характСристика:  Частотная характСристика β€” Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ транзисторной схСмы. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ низкочастотных ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… транзисторных схСм сильно ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для радиочастотных ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² схСмС опрСдСляСт характСристику: транзисторы, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ кондСнсаторов ΠΈ рСзисторов Π² конструкции элСктронной схСмы Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ характСристику.

    На Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ этапС проСктирования схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ трСбования ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ частотной характСристикС, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ спроСктирована с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ этого трСбования.

  • НапряТСниС ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ питания:  Одним ΠΈΠ· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² любой Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ трСбования ΠΊ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ обСспСчСно с Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° этапС проСктирования элСктронной схСмы.

  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, тСсно связанным с напряТСниСм ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, являСтся рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Если рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ высока, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ для охлаТдСния ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΎΡ‚ схСмы ΠΈ, Π² частности, ΠΎΡ‚ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большоС количСство Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это транзистор, Π½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ.

Ѐункция Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора

БущСствуСт мноТСство Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ транзисторныС схСмы. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ стандартныС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ для ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€, источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ мноТСство Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ….

Π­Ρ‚ΠΈ стандартныС Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Ρ‹ схСм ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ приняты, Π° значСния элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ Π² процСссС проСктирования элСктронной схСмы.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ часто ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ схСмам, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ использовались Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π»Π΅Ρ‚. Π­Ρ‚ΠΈ схСмы часто использовались со старой Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ элСктронных Π»Π°ΠΌΠΏ ΠΈΠ»ΠΈ тСрмоэлСктронных Π»Π°ΠΌΠΏ ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ с биполярными транзисторами, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами ΠΈ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π΄Π°ΠΆΠ΅ с ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ усилитСлями.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ значСния элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для обСспСчСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Часто это Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ нСбольшого экспСримСнтирования, Π½ΠΎ Π² наши Π΄Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ΅ обСспСчСниС для модСлирования Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ способно Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ воспроизвСсти ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ для схСмы, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ значСния элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΈΠ»ΠΈ топология схСмы транзистора

Какова Π±Ρ‹ Π½ΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° общая функция схСмы, Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ процСсса проСктирования элСктронной схСмы Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ транзисторов

ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ с использованиСм Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, каТдая ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики, особСнно с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса.

Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² соотвСтствии с трСбованиями ΠΊ конструкции элСктронной схСмы ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ Π±Π°Π·Ρƒ.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ . . . . ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ / Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ транзисторных Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ.


ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ проСктирования схСмы транзистора

ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ проСктирования транзистора состоит ΠΈΠ· Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… этапов. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² логичСском порядкС, Π½ΠΎ часто приходится ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ этапы, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ значСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для обСспСчСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

  • ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ: Β  ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ этапом, ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ концСпция схСмы Π½Π΅ измСнится Π² дальнСйшСм.

  • ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ схСмы:  ПослС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ трСбования ΠΊ элСктронному устройству Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с фактичСской схСмой транзистора. НапримСр, сущСствуСт мноТСство схСм Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ², усилитСлСй ΠΈ Ρ‚. Π΄. для транзисторов, ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ часто Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ опрСдСляСт Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ схСмы, Ρ‚. Π΅. использованиС ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ эмиттСра, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹, Π½ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ принятия Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π² настоящСС врСмя, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° Π½Π° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, усилСниС, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Ρ‚.ΠΏ. ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π² это врСмя.

  • Настройка условий смСщСния: Β  Π’ любой схСмС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… особСнностСй конструкции элСктронной схСмы являСтся обСспСчСниС ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ смСщСния для Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств: Π² этом случаС биполярныС транзисторы настроСны ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ. Если смСщСниС Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅, транзисторная схСма Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² (Π² основном рСзисторов), Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… смСщСниС, являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… этапов проСктирования.

  • ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²: Β  Наряду с установкой условий смСщСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ значСния для Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы. Π­Ρ‚Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ процСсса проСктирования элСктронной схСмы продолТаСтся вмСстС с настройкой условий смСщСния, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ значСния ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅, ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚.

  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ значСния элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для смСщСния ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ: Β  ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… значСниях схСмы всСгда трСбуСтся нСбольшая итСрация, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ±Π°Π»Π°Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ трСбования ΠΊ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ схСмы. Π‘ΠΊΠΎΡ€Π΅Π΅ всСго, Π² этом процСссС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ какая-Ρ‚ΠΎ итСрация.

  • ВСстовая схСма: Β  ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° схСмы являСтся ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом любой конструкции. Часто Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… лабораториях Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ΅ обСспСчСниС для модСлирования Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, поэтому схСму ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ построСна, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ. Однако ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тСст состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π·Π°ΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ схСму Π² условиях, максимально ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊ условиям эксплуатации.

  • Π”ΠΎΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈ модификация: Β  Часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ схСму. Если это трСбуСтся, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ дорабатываСтся ΠΈ тСстируСтся с Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ Ρ‚.Π΄.

Они ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² схСмы, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… для проСктирования транзисторной схСмы. Π—Π½Π°Π½ΠΈΠ΅ этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы ΠΈ, бСзусловно, Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

БоотвСтствСнно, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзисторной схСмы, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *