Схема подключения транзистора с общей базой: СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА

Содержание

4,5,6. Схема включения транзистора с общей базой и её коэффициенты.

При рассмотрении усилительных свойств переменных сигналов транзисторов схемы их включения можно рассматривать без источников питания, поскольку в сравнении с другими сопротивления источников оказываются весьма малыми.

Включение транзистора возможно по трём схемам: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).

Схему усилительной ячейки на транзисторе с общей базой можно применять на высоких частотах, однако она имеет коэффициент усиления по току меньше 1 и малое входное сопротивление.

Коэффициент усиления по току:

Kiб=iвх/iвых=ik/iэ=α<1

К

Uвых

оэффициент усиления по напряжению:

KUб=Uвых/iвх=ikRHб/iэRвхбRH/Rвх>1

коэффициент усиления по мощности:

KPб=KiKU=α2 RHб/Rвхб>1

Здесь Rнб – сопротивление нагрузочного резистора

в схеме с общей базой; Rвхб – входное сопротивление усилительного каскада.

Как выводить формулы:

Общие формулы, независимые от схемы включения транзистора:

— коэффициент усилительного каскада по току

Ki=iвых/iвх

— коэффициент усиления по напряжению KU=Uвых/Uвх i, u

— коэффициент усиления по мощности KP=KiKU мгновенные значения

— входное сопротивление каскада Rвх=Uвх/iвх

За основной электрод, от которого отсчитываются напряжения, в данной схеме принимается база. Эмиттерная цепь – входная, а коллекторная – выходная.

Отсюда Kiб=iвых/iвх=ik

/iэ=α , где ik – ток коллектора, iэ – ток эмиттера.

Соотношение между токами эмиттера, коллектора и базы для схемы с общей базой: iэ=ik+iб, где iб – ток базы.

Входящее в выражение для коэффициента усиления по напряжению входное сопротивление для этой схемы оказывается равным Rвхб=Uэб/iэ=Rэб. Это сопротивление открытого pn-перехода. Rэб~ 10-100 Ом.

В усилителях на транзисторах сопротивление коллекторного перехода RH>> сопротивления слоя базы Rб>> сопротивления эмиттерного перехода

Rэ. Поэтому KU>1.

В соответствии с условными положительными направлениями напряжений нетрудно установить, что сигналы на входе и на выходе схемы с общей базой совпадают по фазе.

7,8,9. Схема включения транзистора с общим эмиттером и её коэффициенты.

Наиболее часто используют схему с общим эмиттером, с помощью которой возможно осуществить усиление по току, по напряжению и наибольшее по сравнению с другими схемам усиление по мощности. У схемы ОЭ малое входное сопротивление, порядка сотен Ом.

Во многих справочниках по транзисторам даётся коэффициент усиления по току для схемы ОЭ: β=ik/iб. β~10-100.

Связь β c α можно выразить из системы: α=ik/iэ β=α/(1-α),

iэ=ik+iб или α=β/(1+ β)

За основной электрод, от которого отсчитываются напряжения, в данной схеме принимается эмиттер. Цепь базы – входная, а коллекторная цепь– выходная.

Тогда коэффициент усиления по току Kiэ=ik/iб=β=α/(1-α).

Так какα~0.91-0.99, коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером оказывается больше 1 эта схема может быть использована для усиления тока.

Выражение для коэффициента усиления по напряжению для этой схемы:

Kuэ=Uвых/Uвх=ikRHэ/(iб

Rвхэ)=β RHэ/Rвхэ.

Входное сопротивление в этой схеме: Rвхэ=Uвх/iвх=Uэб/iб

Выразим ток базы через ток эмиттера: iб=iэ(1-α)

Подставим в выражение для входного сопротивления: Rвхэ= Uэб/iэ(1-α)=Rэб/(1-α)=Rэб(1+ β)

Тогда KUэ=βRHэ/(1+ β)RэбRHэ/ R

эб.

СопротивлениеRэб открытого перехода обычно << нагрузочного сопротивления RHэ, поэтому KUэ>1 схема ОЭ может быть использована и для усиления напряжения.

Коэффициент усиления по мощности:

Kpэ=KiэKUэ=β2RHэ/(1+ β)RЭб2 RHэ/(1-α)RЭб.

Если проанализировать это выражение, то можно доказать, что схема ОЭ может быть использована и для усиления мощности.

При этом в соответствии с условным положительным направлением напряжение в схеме ОЭ входной и выходной сигналы находятся в противофазе, то есть сдвинуты относительно друг друга на угол, равный 180

0.

Схемы включения транзисторов с общим эммитером, с общим коллектором, с общей базой.

Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх.

Схема включения с общей базой

Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства

· Хорошие температурные и частотные свойства.

· Высокое допустимое напряжение

Недостатки схемы с общей базой

· Малое усиление по току, так как α < 1

· Малое входное сопротивление

· Два разных источника напряжения для питания.

Схема включения с общим эмиттером

Iвых = Iк
Iвх = Iб
Uвх = Uбэ
Uвых = Uкэ

· Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iб = Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1].

· Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = Uбэ/Iб.

Достоинства

· Большой коэффициент усиления по току.

· Большой коэффициент усиления по напряжению.

· Наибольшее усиление мощности.

· Можно обойтись одним источником питания.

· Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки

· Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой.

Схема с общим коллектором

Iвых = Iэ
Iвх = Iб
Uвх = Uбк
Uвых = Uкэ

· Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iэ/Iб = Iэ/(Iэ-Iк) = 1/(1-α) = β [β>>1].

· Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = (Uбэ + Uкэ)/Iб

.

Достоинства

· Большое входное сопротивление.

· Малое выходное сопротивление.

Недостатки

· Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.

Схему с таким включением называют «эмиттерным повторителем».

 

 

Схемы логических элементов на транзисторах

Инверсия функции конъюнкции. Операция И-НЕ (штрих Шеффера)

И-НЕ

Мнемоническое правило для И-НЕ с любым количеством входов звучит так: На выходе будет:

· «1» тогда и только тогда, когда хотя бы на одном входе действует «0»,

· «0» тогда и только тогда, когда на всех входах действуют «1»

Инверсия функции дизъюнкции. Операция ИЛИ-НЕ (стрелка Пирса)

ИЛИ-НЕ

Мнемоническое правило для ИЛИ-НЕ с любым количеством входов звучит так: На выходе будет:

· «1» тогда и только тогда, когда на всех входах действуют «0»,

· «0» тогда и только тогда, когда хотя бы на одном входе действует «1»

 


Дифференциальный каскад, операционные усилители

Дифференциальный каскад— электронный усилитель с двумя входами, выходной сигнал которого равен разности входных напряжений, умноженной на константу. Применяется в случаях, когда необходимо выделить небольшую разность напряжений.

Выходной сигнал дифференциального усилителя может быть как однофазным, так и дифференциальным. Это определяется схемотехникой выходного каскада.

Дифференциальный усилитель необходим в случаях, когда информацию несёт не абсолютное значение напряжения в некоторой точке, а разность напряжений между двумя точками.

Если на вход 1(U in+) даем сигнал, то Т1 (Q1) откр. следовательно Т2 (Q2)закрыт. На выходе(Uout) +Uпит. Увел. на вх.1 увел. на вых.

Если на вход 2 (U in -)даем сигнал, то Т2 (Q2)откр. следовательно Т1(Q1) закрыт. На выходе(Uout) -Uпит. Увел. вх.2 уменьш.на выходе.

 

Операционный усилитель

Базовый пример включения в схему операционного усилителя приведен на рис. 7.13.

из схемы, достаточно подать на вход ОУ сигнал (с микрофона), и он появится на выходе ИС, усиленный в заданное число раз. Усиленный выходной сигнал может управлять, например, колонками. Коэффициент усиления операционного усилителя зависит от соотношения сопротивлений резисторов R1 и R2: Ку = R2 / R1 В схеме, показанной на рис. 7.13, операционный усилитель используется в инвертирующем режиме; это значит, что входной сигнал меняет свою полярность перед тем, как попасть на выход. Такой режим работы используется потому, что в неинвертирующем режиме часто можно столкнуться с проблемами появления паразитных шумов.

Генератор сигналов

Генератор сигналов — это устройство, позволяющее получать сигнал определённой природы (электрический, акустический и т.д.), имеющий заданные характеристики (форму, энергетические или статистические характеристики и т. д.). Генераторы широко используются для преобразования сигналов, для измерений и в других областях. Состоит из источника (устройства с самовозбуждением, например усилителя охваченного цепью положительной обратной связи) и формирователя (например, электрического фильтра)

Мультивибратор — релаксационный генератор сигналов электрических прямоугольных колебаний с короткими фронтами. Мультивибратор является одним из самых распространённых генераторов импульсов прямоугольной формы, представляющий собой двухкаскадный резистивный усилитель с глубокой положительной обратной связью.

Принцип действия

Схема транзисторного мультивибратора с коллекторно-базовыми ёмкостными связями.

Схема может находиться в одном из двух нестабильных состояний и периодически переходит из одного в другое и обратно. Фаза перехода очень короткая благодаря положительной обратной связи между каскадами усиления.

Состояние 1: Q1(Т1) закрыт, Q2 открыт и насыщен, C1 быстро заряжается базовым током Q2 через R1 и Q2, после чего при полностью заряженном C1 (полярность заряда указана на схеме) через R1 не течет ток, напряжение на C1 равно (ток базы Q2)* R2, а на коллекторе Q1 — питанию. Напряжение на коллекторе Q2 невелико (падение на насыщенном транзисторе). C2, заряженный ранее в предыдущем состоянии 2 (полярность по схеме), начинает медленно разряжаться через открытый Q2 и R3. Пока он не разрядился, напряжение на базе Q1 = (небольшое напряжение на коллекторе Q2) — (большое напряжение на C2) — то есть отрицательное напряжение, наглухо запирающее транзистор.

Состояние 2: то же в зеркальном отражении (Q1 открыт и насыщен, Q2 закрыт).

Переход из состояния в состояние: в состоянии 1 C2 разряжается, отрицательное напряжение на нём уменьшается, а напряжение на базе Q1 — растет. Через довольно длительное время оно достигнет нуля. Разрядившись полностью, С2 начинает заряжаться в обратную сторону, пока напряжение на базе Q1 не достигнет примерно 0,6 В.

Это приведет к началу открытия Q1, появлению коллекторного тока через R1 и Q1 и падению напряжения на коллекторе Q1 (падение на R1). Так как C1 заряжен и быстро разрядиться не может, это приводит к падению напряжения на базе Q2 и началу закрытия Q2. Закрытие Q2 приводит к снижению коллекторного тока и росту напряжения на коллекторе (уменьшение падения на R4). В сочетании с перезаряженным C2 это ещё более повышает напряжение на базе Q1. Эта положительная обратная связь приводит к насыщению Q1 и полному закрытию Q2. Такое состояние (состояние 2) поддерживается в течение времени разряда C1 через открытый Q1 и R2.

Мультивибратор – это электронный узел для формирования импульсов прямоугольной формы требуемыми параметрами. Он представляет собой двухкаскадный резистивный усилитель со 100% положительной обратной связью. Элементами положительной обратной связи являются конденсаторы Сб1 и Сб2 , которые соединяют коллектора транзисторов VT1, VT2 с базами транзисторов VT2, VT1.

 

Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки. — КиберПедия

Усилительный каскад с общей базой (ОБ) — одна из трёх типовых схем построения электронных усилителей на основе биполярного транзистора. Характеризуется отсутствием усиления по току (коэффициент передачи близок к единице, но меньше единицы), высоким коэффициентом усиления по напряжению и умеренным (по сравнению со схемой с общим эмиттером) коэффициентом усиления по мощности. Входной сигнал подаётся на эмиттер, а выходной снимается с коллектора. При этом входное сопротивление очень мало, а выходное — велико. Фазы входного и выходного сигнала совпадают.

Особенностью схемы с общей базой является минимальная среди трёх типовых схем усилителей «паразитная» обратная связь с выхода на вход через конструктивные элементы транзистора. Поэтому схема с общей базой наиболее часто используется для построения высокочастотных усилителей, особенно вблизи верхней границы рабочего диапазона частот транзистора.

Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iк/Iэ=α [α<1]

Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ.

Достоинства:

Хорошие температурные и частотные свойства.

Высокое допустимое напряжение

Недостатки схемы с общей базой :

Малое усиление по току, так как α < 1

Малое входное сопротивление

Два разных источника напряжения для питания.

Динистор.

Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами.

Суть работы динистора заключается в том, что при прямом включении он не пропускает ток до тех пор, пока напряжение на его выводах не достигнет определённого значения. Значение этого напряжения имеет определённую величину и не может быть изменено. Это связано с тем, что динистор является неуправляемым тиристором – у него нет третьего, управляющего, вывода.

Вольт-амперная характеристика симметричного динистора

Билет №7

1) Прямое смещение р-n перехода:

p-n-Перехо́д или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.

Если приложить внешнее напряжение так, чтобы созданное им электрическое поле было направленным противоположно направлению электрического поля между областями пространственного заряда, то динамическое равновесие нарушается, и дрейфовый ток преобладает над диффузионным током, быстро нарастая с повышением напряжения. Такое подключение напряжения к p-n-переходу называется прямым смещением.

2) Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры:

Входным током является ток базы , а выходным – ток коллектора . Выходным напряжением является падение напряжения на сопротивлении нагрузки . Основные параметры, характеризующие эту схему включения определим из выражений:

1. Коэффициент усиления по току :

2. Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером:

3. Коэффициент передачи по напряжению:

4. Коэффициент передачи по мощности:

Разновидности тиристоров.

Функционально тиристоры различаются на обладающие односторонней и двусторонней проводимостью, и также имеющие управляющий электрод и не имеющие его.

· динистор (диодный тиристор, диод Шокли) — тиристор с односторонней проводимостью без управляющего электрода;

· тринистор (триодный тиристор или просто тиристор) — то же с управляющим электродом.

· симистор — двунаправленный тиристор.

Тиристоры с односторонней проводимостью в обратном направлении всегда закрыты. В соответствии с направлением, к котором тиристор может пропускать ток, силовые электроды именуются катодом и анодом (отрицательный и положительный электроды соответственно). Тиристоры с двусторонней проводимостью (симисторы) могут пропускать ток в обоих направлениях, таким образом их возможно применять для управления переменным током.

Билет №8

Схемы включения БТ – В помощь студентам БНТУ – курсовые, рефераты, лабораторные !

Схемы включения БТ

Биполярный транзистор, являющийся трехполюсным прибором, можно использовать в трех схемах включения: с общей базой (ОБ) (рисунок 3,а), общим эмиттером (ОЭ) (рисунок 3,б), и общим коллектором (ОК) (рисунок 3,в). Потенциал общего электрода принимается за нулевой (земля). Отсчёт напряжений на остальных электродах производится относительно точки нулевого потенциала. Стрелки на условных изображениях БТ указывают (как и на рис. 1) направление прямого тока эмиттерного перехода. В обозначениях напряжений вторая буква индекса обозначает общий электрод для двух источников питания.

Режимы работы биполярного транзистора

В зависимости от полярности внешних напряжений, подаваемых на электроды транзистора, различают следующие режимы его работы.

  1. Активный режим – эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный – в обратном направлении (закрыт) (режим, при котором транзистор обладает активными свойствами, т.е. способен обеспечивать усиление по мощности).
  2. Режим отсечки – оба перехода смещены в обратном направлении (закрыты) (в этом режиме транзистор заперт и ток его близок к нулю).
  3. Режим насыщения – оба перехода смещены в прямом направлении (открыты) (в этом режиме транзистор полностью открыт и протекающий ток равен максимальному значению).
  4. Инверсный режим – коллекторный переход смещён в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В таком режиме коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора. При инверсном включении параметры реального транзистора существенно отличаются от параметров при нормальном включении.

 

Примечание: Скорость перехода транзистора из открытого состояния в закрытое и обратно главным образом зависит от переходных процессов в базе, связанных с накоплением и рассасыванием неравновесных носителей зарядов.

Принцип действия транзистора

Принцип действия транзисторов n-p-n и p-n-p типов одинаков, различие заключается лишь в полярности внешних напряжений и типа основных носителей, инжектированных в область базы.

Принцип действия транзистора принято рассматривать в активном режиме работы с общей базой (рис. 3, а). Под действием внешнего напряженияUэб эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а под действием Uкб коллекторный переход – в обратном.

При увеличении Uкб снижается потенциальный         барьер эмиттерного перехода, а так как концентрация электронов в эмиттере значительно больше концентрации дырок в базе, то происходит инжекция электронов из эмиттера в базу и дырок из базы в эмиттер. Это вызывает протекание токов инжекцииIэп –  электронного и Iэр – дырочного. Так как число дырок в области базы значительно меньше количества электронов в области эмиттера, то Iэп<<Iэр.

Для количественно оценки составляющих полного тока эмиттерного перехода вводят параметр – коэффициент инжекции или эффективность эмиттерного перехода:

который показывает, какую долю от общего тока эмиттера составляет ток инжектированных в базу носителей заряда (в данном случае электронов). На практике коэффициент инжекции оказывается близким к единице (=0,98…0,995). Дырки, инжектированные из области базы в область эмиттера, полностью рекомбинируют. В дальнейшем этот процесс не рассматривается, поскольку инжекция электронов из эмиттера в базу является доминирующей.

Электроны, инжектированные в базу, создают в ней вблизи p-n перехода неравновесную концентрацию носителей, которая нарушает электронейтральность области базы. Для сохранения электронейтральности из внешней цепи от источника питанияUэб дырки через вывод базы устремляются к эмиттерному переходу, создавая ток

. Таким образом, входная цепь эмиттер – база оказывается замкнутой, во внешней цепи протекает входной ток – ток эмиттера Iэ. Часть подошедших к эмиттерному переходу дырок рекомбинирует с инжектированными электронами, а вследствие разности концентраций (в диффузионных транзисторах)  и разности концентраций и наличия внутреннего электрического поля (в дрейфовых) электроны и дырки движутся вглубь базы к коллекторному переходу. Так как ширина базы значительно меньше диффузионной длины электронов, то большинство инжектированных электронов не успевает рекомбинировать. Электроны, подошедшие к обратносмещенному коллекторному переходу, попадают в ускоряющее полеUкб, экстрагируют (втягиваются) в коллектор, создавая ток коллектора Iкп, а подошедшие дырки отталкиваются полем коллекторного перехода и возвращаются к базовому выводу. Таким образом, выходная цепь – (коллектор–база) оказывается замкнутой и в ней протекает ток Iк.

Процесс переноса неосновных носителей через базу характеризуется коэффициентом переноса: 

величина которого зависит от ширины базы, диффузионной длины носителей и близка к единице: 0,988…0,995.

Экстракция электронов может сопровождаться ударной ионизацией атомов полупроводника и лавинным умножением носителей заряда в коллекторном переходе. Процесс умножения носителей оценивается коэффициентом лавинного умножения:

В связи с этим ток коллектора, вызванный инжекцией основных носителей заряда через эмиттерный переход, равен: , где h31б=– статический коэффициент передачи тока эмиттера.

Кроме управляемого тока коллектора, который зависит от количества носителей, инжектированных из эмиттера в базу и экстрагированных из базы в коллектор с учётом коэффициента лавинного размножения, протекает обратный неуправляемый токIкбо . Причина появления этого тока обусловлена дрейфом неосновных носителей базы и коллектора к обратносмещённому коллекторному переходу и их экстракцией через него. Этот ток имеет такую же природу, как и обратный ток полупроводникового диода. Поэтому его называют обратным током коллекторного перехода.

Таким образом, принцип действия транзистора основан на следующих физических процессах:

  1. Инжекция носителей через прямосмещённый эмиттерный переход;
  2. Рекомбинации и диффузионном переносе носителей через область базы от эмиттерного к коллекторному переходу;
  3. Экстракции носителей через обратносмещённый коллекторный переход.

 

Основные параметры транзистора в схеме с общей базой

На практике чаще всего используются два семейства ВАХ транзисторов – входные и выходные. Входные характеристики определяют зависимость входного тока (базы или эмиттера в зависимости от способа включения транзистора) от напряжения между базой и эмиттером при фиксированных значениях напряжения на коллекторе. Выходные характеристики определяют зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при фиксированных значениях тока базы или эмиттера (в зависимости от способа включения транзистора). Входные характеристики имеют вид, аналогичный характеристикам диодов: ток экспоненциально возрастает с увеличением напряжения база-эмиттер. При повышении и понижении температуры входные характеристики смещаются в сторону меньших и больших входных напряжений соответственно. Напряжение между базой и эмиттером для кремниевых транзисторов уменьшается примерно на 2 мВ при увеличении температуры на каждый градус Цельсия. Особенностью выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ, является слабая зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-базаUкб. При больших напряжениях Uкб происходит пробой коллекторного перехода. При увеличении температуры выходные характеристики смещаются в сторону больших токов из-за увеличения обратного токаIко . У транзистора, включенного по схеме с ОЭ, ток коллектора более сильно зависит от напряжения коллектор-эмиттер. Резкое возрастание тока коллектора начинается при меньшем коллекторном напряжении, чем для включения транзистора по схеме с ОБ. При повышении температуры выходные характеристики значительно смещаются в сторону больших токов, их наклон сильно увеличивается.

ВАХ транзисторов и диодов снимаются на постоянном токе (по точкам) или с помощью специальных приборов — характериографов, позволяющих избежать сильного нагрева приборов.

Входные и выходные характеристики транзисторов используются для расчета цепей смещения и стабилизации режима, расчета конечных состояний ключевых схем (режима отсечки, насыщения).

 

Рассмотрим способы измерения основных характеристик биполярных

транзисторов.

Вольтамперные характеристики. Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рисунке 7. Семейство входных ВАХ снимается при фиксированных значениях Ukб  путем изменения тока Iэ и измерения Uэб.

Семейство выходных ВАХ снимается при фиксированных значениях Ie, путем изменения напряжения Ukб, и измерения Ik.

Основными параметрами транзисторов в схеме с общей базой являются:

  • Дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока:
  • Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:
  • Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:
  • Коэффициент внутренней связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное:

При определении параметров приведенных выше с помощью ВАХ транзисторов производные заменяют конечными приращениями соответствующих величин.

Статические коэффициенты передачи тока эмиттера (a) и базы (β) определяются в соответствии с выражениями:

 

Частотные свойства биполярного транзистора

Частотные свойства определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ Н21Б и Н21Э. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала в схемах включения с ОБ и ОЭ.

В динамическом режиме вместо приращения токов необходимо брать комплексные амплитуды, поэтому и коэффициенты передачи заменяются комплексными (частотно зависимыми) величинами:Н21Б и Н21Э.

Величины Н21Б и Н21Э могут быть найдены двумя способами:

• решением дифференциальных уравнений физических процессов и определением из них токов;

• анализом Т-образной эквивалентной схемы по законам теории электрических цепей.

Во втором случае Н21Б и Н21Э будут выражены через величины электрических элементов схемы. Мы проведем анализ частотных свойств коэффициентов передачи, используя Т-образную линейную модель (эквивалентную схему)n-р-n транзистора

На частотные свойства БТ влияют СЭ, СК и r½ ББ, а также время пролета носителей через базу t Б.

Нет надобности рассматривать влияние на частотные свойства транзистора каждого элемента в отдельности. Совместно все эти факторы влияют на коэффициент передачи тока эмиттера Н21Б, который становится комплексным, следующим образом:

,

где Н21Б0- коэффициент передачи тока эмиттера на низкой частоте, f – текущая частота, fН21Б- предельная частота.

Модуль коэффициента передачи тока эмиттера равен

Не трудно заметить, что модуль коэффициента передачи ½ Н21Б½ на предельной частоте fН21Б снижается в

раз.

Сдвиг по фазе между входным и вых. токами определяется формулой:

Для схемы с ОЭ известно соотношение

Подставляя ( ) в ( ) получим

,

где

.

Модуль коэффициента передачи тока базы будет равен

Как видно, частотные свойства БТ в схеме ОЭ значительно уступают транзистору, включенному по схеме с ОБ.

Граничная частота fГР – это такая частота, на которой модуль коэффициента передачи ½ Н21Э½ =1. Из формул  получим, что fГР» fН21Э× Н21Э0.

Транзистор можно использовать в качестве генератора или усилителя только в том случае, если его коэффициент усиления по мощности КP> 1. Поэтому обобщающим частотным параметром является максимальная частота генерирования или максимальная частота усиления по мощности, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Связь этой частоты с высокочастотными параметрами определяется выражением

, где fН21Б-предельная частота в мегагерцах;
r1ББ-объемное сопротивление в омах; CК-емкость коллекторного перехода в

пикофарадах; fМАКС-в мГц.

Частота на которой модуль коэффициента передачи, a уменьшается в

раз по сравнению с его значением на низкой частоте, называется граничной частотой fгр.Величина fгр для схемы с ОБ определяется из соотношения fгр = п / tD, где tд = W * W / 2Dр – среднее время диффузии носителей.

Граничные частоты для схемы с ОБ и ОЭ связаны формулой:

Wб = W * (1 – a0) = Wa /(1 + B0),

где B – модуль коэффициэнта передачи тока базы при W = 0. Граничная частота в схеме с ОЭ в 1 + B0 раз меньше чем в схеме с ОБ.

Чтобы охарактеризовать частотные свойства транзистора широко используются частотные характеристики; представляющие собой зависимость модуля коэффициента передачиa от частоты (АЧХ) (ФЧХ) С увеличением частоты W увеличивается сдвиг по фазе, обусловленный влиянием инерционных процессов при прохождении не основных носителей через базу; и в конечном счете уменьшается коэффициентa. Уменьшение коэффициента a происходит в результате того, что с повышением частоты ток коллектора отстает от тока эмиттера.

Схема включения биполярного транзистора с общей базой.Входные и выходные ,идеализированные характеристики.Режимыработы:активный,отсечки и насыщение.

Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1. Во всех книжках написано, что эта схема является наиболее распространненой, т. к. дает наибольшее усиление по мощности.

Услительные свойства транзистора характеризует один из главных его параметров — статический коэффициент передачи тока базы или статический коэффициент усиления по току ?. Поскольку он должен характеризовать только сам транзистор, его определяют в режиме без нагрузки (Rк = 0). Численно он равен:

при Uк-э = const

Этот коэффициент бывает равен десяткам или сотням, но реальный коэффициент ki всегда меньше, чем ?, т. к. при включении нагрузки ток коллектора уменьшается.

Коэффициент усиления каскада по напряжению ku равен отношению амплитудных или действующих значений выходного и входного переменного напряжения. Входным является перемнное напряжение uб-э, а выходным — перемнное напряжение на резисторе, или что то же самое, напряжение коллектор-эмиттер. Напряжение база-эмиттер не превышает десятых долей вольта, а выходное достигает едениц и десятков вольт (при достаточном сопротивлении нагрузки и напряжении источника E2). Отсюда вытекает, что коэффициент усиления каскада по мощности равен сотням, тысячам, а иногда десяткам тысяч.

Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома:

и составляет обычно от сотен Ом до еденицкилоом. Входное сопротивление транзистора при включении по схеме ОЭ, как видно, получается сравнительно небольшим, что является существенным недостатком. Важно также отметить, что каскад по схеме ОЭ переворачивает фазу напряжения на 180°

К достоинствам схемы ОЭ можно отнести удобство питания ее от одного источника, поскольку на базу и коллектор подаются питающие напряжения одного знака. К недостаткам относят худшие частотные и температурные свойства (например,в сравнении со схемой ОБ). С повышением частоты усиление в схеме ОЭ снижается. К тому же, каскад по схеме ОЭ при усилении вносит значительные искажения.

 

Схема с общей базой (ОБ). Схема ОБ изображена на рисунке 2.

Рис. 2 — Схема включения транзистора с общей базой

Такая схема включения не дает значительного усиления, но обладает хорошими частотными и температурными свойствами. Применяется она не так часто, как схема ОЭ.

Коэффициент усиления по току схемы ОБ всегда немного меньше еденицы:

т. к. ток коллектора всегда лишь немного меньше тока эмиттера.

Статический коэффициент передачи тока для схемы ОБ обозначается ? и определяется:

при uк-б = const

 

Схема с общим коллектором (ОК). Схема включения с общим коллектором показана на рисунке 3. Такая схема чаще называется эмиттерным повторителем.

Рис. 3 — Схема включения транзистора с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме ОЭ. Коэффициент усиления по напряжению приближается к единице, но всегда меньше ее. В итоге коэффициент усиления по мощности примерно равен ki, т. е. нескольким десяткам.

В схеме ОК фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Входное сопротивление схемы ОК довольно высокое (десятки килоом), а выходное — сравнительно небольшое. Это является немаловажным достоинством схемы.

 

Входные характеристики идеализирован­ного транзистора определяются зависимостью (4.16). Если, учесть (4.14) и (4.15), то будем иметь следующее выражение для входных характеристик:

. (4.19)

Выразив из (4.16) двучлен и подставив его в (4.17), получим выражение для выходных характеристик транзистора

. (4.20)

Семейства входных и выходных характеристик, построенные в соответствии с (4.19) и (4.20), показаны на рис.4.10.

Относительно семейства входных характеристик можно заметить следующее. Характеристика, соответствующая , является характеристикой обычного p-n перехода. При положительных нап­ряжениях на коллекторе кривые сдвигаются вправо и вниз. Это объясняется нарастанием собираемой компоненты эмиттерного тока (второй член в выражении 4.19). При отрицательных напряже­ниях на коллекторе кривые незначительно смещаются вле­во и вверх.

Если , то влияние изменения коллекторного напряже­ния практически отсутствует.

Выходные характеристики представлены на рис.4.10,б. Для удобства обратное напряжение на коллекторе (отрицательное для транзистора p-n-p и положительное дня транзистора n-p-n) принято откладывать вправо. При изменении тока эмиттера на одинако­вую величину характеристики оказываются эквидистантными, так как коэффициент передачи тока эмимера предполагается постоянным. На рис.4.10,б можно видеть различные режимы работы транзистора: активный режим, соответствующий напряжению (первый квадрант), режим насыщения, соответствующий напря­жению (второй квадрант) и режим отсечки, границей которо­го является кривая .

Для активного режима работы выполняются условия и . Поэтому формулы (4.19) и (4.20) упрощаются:

(4.21)

(4.22)

 

При выводе (4.21) использовано выполняющееся в транзисторах соот­ношение и для простоты положено . Заметим, что из (4.22) следует независимость тока от напряжения , т.е. кривые параллельны оси напряжений.

Нормальный активный режим

Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт):

UЭБ>0; UКБ<0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид UЭБ<0; UКБ>0.

Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое:UКБ>0; UЭБ<0 (для транзистора n-p-n типа).

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ. нас) и коллектора (IК. нас).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ. нас) — это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог RСИ. отк у полевых транзисторов). Аналогичнонапряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ. нас) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе.

Режим отсечки

В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).

Режим отсечки соответствует условию UЭБ<0,6—0,7 В, или IБ=0[3][4].

УМЗЧ с усилителем напряжения по схеме с общей базой

До недавнего времени среди радиолюбителей была популярна классическая структура усилителя мощности [1], в которой дифференциальный каскад на входе УМЗЧ нагружен на каскад  усиления напряжения с транзистором по схеме с общим эмиттером, за которым следует каскад усиления мощности, как правило, представляющий собой двух- или трехступенчатый усилитель тока. Такая структура и теперь является базовой для интегральных микросхем УМЗЧ.
За последние четыре десятка лет эта схема мало изменилась, ее варианты умножились за счет распространения мощных полевых транзисторов. Она обеспечивает необходимые параметры, измеряемые малыми значениями нелинейных искажений, легко поддающиеся расчету выходную мощность и коэффициент усиления. Вполне объяснима це- лесообразность применения входного  дифференциального каскада, обеспечивающего высокую стабильность всего устройства в статическом режиме. Выходной каскад, представляющий собой двух- или трехступенчатый эмит-терный повторитель, вносит минимальные гармонические искажения при почти полном, соизмеримым с напряжением питания (правильнее сказать, с его половиной) размахом напряжения на выходе устройства. Сложнее обстоят  дела с усилителем напряжения — драйвером. За 60-летний период существования биполярного транзистора его включение по схеме с общим эмиттером (ОЭ) неплохо изучено, выявлены все его сильные и слабые места, что и послужило его применению во всех аналоговых и цифровых устройствах в широком диапазоне частот, а также в усилителях постоянного тока.
К недостаткам транзисторного каскада по схеме с ОЭ стоит отнести низкую температурную стабильность и далеко не самый линейный режим усиления. И то, и другое в большинстве устройств устраняется разного рода отрицательными обратными связями, которые снижают динамические характеристики каскада и его коэффициент усиления. Кроме того, ухо слушателя за эти годы привыкло к звуку классического транзисторного усилителя, и большинство слушателей новых требований не предъявляют.

Рис. 1


В описываемом УМЗЧ (его схема на рисунке) драйверный каскад собран на биполярных   транзисторах   VT6,   VT7, включенных по схеме с общей базой (ОБ). Такой каскад имеет лучшую частотную характеристику и позволяет получить большую амплитуду сигнала на выходе, так как напряжение насыщения у транзистора, включенного по схеме с ОБ, меньше, чем у аналогичного каскада с включением транзистора по схеме с ОЭ
Конечно, каскад по схеме с ОБ также не лишен недостатков. Он не обеспечивает усиления по току, поэтому ток нужно усилить в предшествующем ему дифференциальном каскаде, который можно собрать на составных транзисторах.
На входе устройства имеется фильтр R1C3, не пропускающий сигналы с частотой выше 100 кГц, с него сигнал поступает на инвертирующий вход УМЗЧ через аналог неполярного оксидного конденсатора в виде С1, С2. На точку соединения этих конденсаторов подано поляризующее напряжение смещения через резистор R2. На этот же вход поступает сигнал ООС с выхода устройства через резистор R14. Ток через каждое плечо дифференциального каскада, как и коллекторный ток каскада усиления напряжения, равен 3 мА. При всех своих недостатках инвертирующий усилитель известен своей большей устойчивостью по сравнению с неинвертирующим фазу сигнала
Выходной каскад, состоящий из двух ступеней эмиттерного повторителя, имеет несколько нестандартный узел стабилизации тока покоя и температурного режима на транзисторах VT8 и VT9. Он обеспечивает стабилизацию тока покоя первой ступени выходного каскада, а следовательно, и напряжения на резисторе R15. Это. соответственно, приводит к стабилизации тока покоя транзисторов VT12 и VT13, в эмиттерных цепях которых имеются проволочные резисторы R16 и R17. Как показала многолетняя авторская практика, такая схема стабилизации позволяет заметно снизить переключательные искажения, приводящие к появлению гармоник высокого порядка, свойственных «транзисторному звучанию». Автор более десятка лет использует в своей конструкторской и ремонтной практике это техническое решение [2], и оно вполне себя оправдывает. Плавная «ступенька» хорошо отслеживается цепями ООС, приближая работу выходного каскада к так называемому режиму экономичного класса А, что делает субъективное восприятие воспроизведения звукового сигнала легче и прозрачней Штриховыми линиями показана схема при использовании сетевого трансформатора без вывода средней точки во вторичной обмотке В этом случае резисторы R20 и R21 в цепи питания обязательны, резистор R22 следует заменить проволочной перемычкой, а предохранитель FU3 исключить.
Кратко о параметрах усилителя. При чувствительности 2 В описываемый УМЗЧ обеспечивает на нагрузке сопротивлением 8 Ом синусоидальную мощность 120 Вт При использовании нагрузки сопротивлением 4 Ом следует удвоить число выходных транзисторов вместе с резисторами в их эмиттерных цепях, тогда можно будет получить выходную синусоидальную мощность до 180…200 Вт. Осциллографическое наблюдение через активный режекторный фильтр, подавляющий на 40 дБ основную гармонику синусоидального сигнала, показало, что уровень гармонических искажений составляет примерно 0,03 °о При указанных на схеме номиналах резистора R14 цепи ООС и резистора на входе R3 коэффициент усиления равен 26 дБ.
Для монтажа усилителя использована макетная плата, на которой собраны дифференциальный каскад и усилитель напряжения для двух каналов Их цепи питания плюсовой и минусовой полярности соединены «звездой» на выводах конденсаторов С5, С6 соответственно
Весь выходной каскад был собран на общем теплоотводе вместе с узлом стабилизации тока выходного каскада Важно, чтобы мощные транзисторы каждого канала (VT10-VT13) были установлены на общий теплоотвод, а транзисторы VT8 и VT9 цепи токовой и термостабилизации имели бы с ними тепловой контакт (их можно смонтировать на выводах транзисторов VT10 и VT11) Цепи питания выходного каскада также соединены «звездой» на выводах конденсаторов С7, С9 и С8, СЮ соответственно.
Сетевой трансформатор Т1 должен быть габаритной мощностью не менее 250 Вт с вторичной обмоткой, рассчитанной на напряжение 70 В при токе не менее 3,5 А с выводом средней точки (или без него — с учетом указанных выше изменений).
Все транзисторы выходного каскада должны быть установлены на тепло-отводе площадью не менее 1200 см2 (на один канал).
Вместо оксидных конденсаторов С1, С2 можно применить один пленочный (полиэтилентерефталатный) конденсатор емкостью 1…2,2мкФ на напряжение 63 В (К73-16, К73-17), исключив, естественно, резистор поляризации R2. Емкость блокировочных конденсаторов С7, С8 можно увеличить до 1 …2,2 мкФ.
Налаживание усилителя следует начать с проверки правильности монтажа и его соответствия принципиальной схеме. В авторском варианте дифференциальный каскад и усилитель напряжения собраны на отдельной плате, поэтому сначала был проверен именно этот узел без подключения его к выходному каскаду. Для этого коллекторы транзисторов VT6 и VT7 и правый по схеме вывод резистора R14 временно соединили вместе. После подачи на усилитель питания в этой точке соединения напряжение не должно превышать 1О…15мВ. Также полезно проверить токи плеч дифференциального каскада и усилителя напряжения на соответствие указанным на схеме значениям.
После проверки следует подключить усилитель напряжения к выходному каскаду включив вместо одного из предохранителей (FU2 или FU3) миллиамперметр, и, подав напряжение питания, убедиться в том, что потребляемый ток всего устройства не более 150…200 мА (как правило, он не более 100 мА). Также необходимо убедиться в том, что на выходе устройства напряжение близко к нулю.
Затем, подключив к выходу УМЗЧ резистор сопротивлением 8 Ом и осциллограф, необходимо подать на вход УМЗЧ сигнал прямоугольной формы, чтобы с помощью осциллографа на разных уровнях сигнала убедиться в отсутствии самовозбуждения или существенных выбросов на перепадах напряжения. Если таковое все-таки присутствует, то необходимо увеличить емкость конденсатора С4 (в авторском варианте усилитель устойчив и без него).
Следует иметь в виду, что сразу после включения ток покоя выходных транзисторов должен быть в пределах 70…90 мА. Однако после получасового прогрева он должен подняться до 120… 150 мА и стабилизироваться.

Литература


1. Данилов А. А. Прецизионные усилители низкой частоты. — М.: Горячая линия — Телеком, 2004, с. 56, 57.
2.  Сапожников М. Доработка УМЗЧ с нестандартным включением ОУ. — Радио 2000, №8, с. 17.

Автор: М. Сапожников, г. Ганей-Авив, Израиль

Персональный сайт — электроника

 

Биполярный транзистор состоит обычно из взаимодействующих

— двух p-n-переходов

 

Выводы биполярного транзистора называются

— коллектор

— база

— эмиттер

 

Ключ на биполярном транзисторе может находиться в

— активном режиме

— режиме насыщения

 

В режиме насыщения у биполярного транзистора

— оба перехода открыты

В режиме отсечки у биполярного транзистора

— оба перехода закрыты

В активном режиме у биполярного транзистора

— переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

В инверсном режиме у биполярного транзистора

— переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

В схеме с общим эмиттером режим насыщения биполярного транзистора с npn структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ > 0 Uкэ < 0

 

В схеме с общим эмиттером режим насыщения биполярного транзистора с pnp структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ < 0 Uкэ > 0+

В схеме с общим эмиттером режим отсечки биполярного транзистора с pnp структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ > 0 Uкэ > 0

 

В схеме с общим эмиттером режим отсечки биполярного транзистора с npn структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ > 0 Uкэ < 0

В схеме с общим эмиттером активный режим работы биполярного транзистора с pnp структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ < 0 Uкэ < 0+

В схеме с общим эмиттером нормальный активный режим работы биполярного транзистора с npn структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ > 0 Uкэ > 0

 

В схеме с общим эмиттером инверсный активный режим работы биполярного транзистора с pnp структурой обеспечивается напряжениями

Uбэ > 0 Uкэ < 0

В режиме насыщения переходы биполярного pnp-транзистора смещены

— коллекторный в обратном направлении

— эмиттерный в обратном направлении

 

В режиме насыщения переходы биполярного npn-транзистора смещены

— коллекторный в прямом направлении

— эмиттерный в прямом направлении

В активном режиме переходы биполярного pnp-транзистора смещены

— коллекторный в прямом направлении

— эмиттерный в обратном направлении

 

В активном режиме переходы биполярного npn-транзистора смещены

— коллекторный в обратном направлении

— эмиттерный в прямом направлении

В режиме отсечки переходы биполярного pnp-транзистора смещены

— коллекторный в прямом направлении

— эмиттерный в прямом направлении

В режиме отсечки переходы биполярного npn-транзистора смещены

— коллекторный в обратном направлении

— эмиттерный в обратном направлении

 

Закрытое состояние ключа на биполярном транзисторе соответствует

— режиму отсечки

 

Открытое состояние ключа на биполярном транзисторе соответствует

— режиму насыщения

В активном режиме в переходах биполярного транзистора происходят процессы

— инжекция носителей заряда — в эмиттерном переходе

 

Основной режим работы биполярного транзистора в усилительных устройствах

— активный режим

Основными условиями для обеспечения усилительных свойств биполярного транзистора являются

— толщина базы должна быть мала

— концентрация основных носителей в базе больше, чем в коллекторе

В активном режиме поле обратно смещенного коллекторного перехода является ускоряющим для

— неосновных носителей базы

Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа pnp в активном режиме, это

— перемещение дырок из эмиттера в базу

— перемещение дырок из базы в коллектор

Экстракция носителей в биполярном транзисторе типа pnp в активном режиме, это

— перемещение электронов из базы в коллектор

Наибольший коэффициент усиления по мощности дает схема включения биполярного транзистора с

— общим эмиттером+

 

Не дает усиления по току схема включения биполярного транзистора с

— общим эмиттером

— общей базой+

— общим коллектором

 

Не дает усиления по напряжению схема включения биполярного транзистора с

— общим эмиттером

— общим коллектором+

 

Не дает усиления по мощности схема включения биполярного транзистора с

— общим эмиттером

— общей базой

— общим коллектором

— во всех указанных случаях он больше единицы+

 

У транзистора Т, изображенного на рисунке

— коэффициент по напряжению больше единицы; коэффициент усиления по току равен единице+

 

В биполярном транзисторе коэффициент передачи по току в схеме с общей базой a=0,99. коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером равен

— 9,9

 

В биполярном транзисторе ток эмиттера 100 мА, ток базы 2 мА. Ток коллектора равен

— 98 мА

 

Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При этом ток эмиттера равен 10 мА, ток  коллектора 9,8 мА. Если этот транзистор  будет включен по схеме с общим эмиттером, то коэффициент передачи по току будет равен:

— 0,98

Биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. При этом ток во входной цепи равен 100 мкА, выходной ток равен 9,9 мА. Если этот транзистор  будет включен по схеме с общей базой, то коэффициент передачи по току будет равен:

— 99

Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При этом ток эмиттера равен 20 мА, ток  коллектора 19 мА. Коэффициент передачи по току будет равен

— 0,95

 

В схеме, представленной на рисунке Uвх=1В, R=5 кОм, коэффициент усиления по току в транзисторе b=60. Найти ток коллектора Iк.

— 12 мА

 

В транзисторе ток эмиттера Iэ=9 мА,    Iб=100 мкА. Найти ток коллектора

— 8,9 мА

 

Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

— общей базой

Наименьшее выходное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

— общим коллектором

Наибольшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

— общим коллектором

Наибольшее выходное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора

— общей базой

Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это

— изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе

В активном режиме на переходе коллектор-база определяющую роль играет

— диффузионная ёмкость

В активном режиме на переходе эмиттер-база определяющую роль играет емкость

— диффузионная ёмкость

На усилительные свойства биполярного транзистора сильнее влияет

— емкость эмиттерного перехода

Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система

— H-параметров

H-параметры биполярного транзистора имеют недостатки

— Н-параметры зависят от схемы включения биполярного транзистора

— Н-параметры имеют малые значения

— Н-параметры имеют большие значения

— измерение Н-параметров затруднительно

Коэффициент обратной связи по напряжению характеризует в биполярном транзисторе

— влияние напряжения коллектора на эмиттерный переход в связи с модуляцией толщины базы

Установите физический смысл h-параметров биполярного транзистора

1 h11

2h12

3h21

4h22

4выходная проводимость

1входное сопротивление

-3коэффициент усиления по току

— 2коэффициент обратной связи по напряжению

 

Параметр h11 биполярного транзистора характеризует

— входное сопротивление        

Параметр h12 биполярного транзистора характеризует

— коэффициент обратной связи по напряжению

Параметр h21 биполярного транзистора характеризует

— коэффициент передачи по току

Параметр h22 биполярного транзистора характеризует

— выходную проводимость

Определить изменение напряжения DUэб, если при неизменном напряжении коллектора, ток эмиттера изменяется с 4 мА до 6 мА. Входное сопротивление транзистора в режиме короткого замыкания по переменному току h11=10Ом.

— 20 мВ

Определите по частотной характеристике биполярного транзистора

граничную частоту.

— 1 МГц

 

Определите по частотной характеристике биполярного транзистора предельную частоту.

— 10 МГц

 

 

Предельная частота транзистора wпр=5 МГц. Определить коэффициент передачи тока базы b на частоте 8,66 МГц, если на низких частотах он равен 96.

— 48             

 

Если частота будет выше предельной в Ö3 раз, коэффициент передачи по току транзистора уменьшится

— в Ö3 раз

На низких частотах  коэффициент усиления по току h21б=0,95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте wпр  равен

— 0,671

На низких частотах  коэффициент усиления по току h21б=0,9. Коэффициент передачи по току на предельной частоте wпр  равен

— 0,636

На низких частотах  коэффициент усиления по току h21э=95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте wпр  равен

— 67,1

На низких частотах  коэффициент усиления по току h21э=60. Коэффициент передачи по току на предельной частоте wпр  равен

— 42,4

Усилительные свойства биполярного транзистора на высоких частотах ухудшаются, т.к. оказывают влияние

— емкость коллекторного перехода

Лучшими частотными свойствами обладает схема

— с общей базой

Квазистатический режим работы биполярного транзистора – это

— режим работы биполярного транзистора с нагрузкой и в таком диапазоне частот, где не сказывается влияние реактивных элементов биполярного транзистора

Импульсный режим работы биполярного транзистора – это режим работы биполярного транзистора с

— сигналами большой амплитуды и малой длительности

Длительность переднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

— временем пролета носителей через базу, накопления заряда в базе

Длительность заднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется

— временем рассасывания избыточного заряда в области базы

Емкость коллекторного перехода на выходное сопротивление биполярного транзистора влияет следующим образом

— выходное сопротивление биполярного транзистора с ростом частоты уменьшается

Менее подвержена влиянию температуры

— схема с общей базой

Шум в биполярном транзисторе – это

— беспорядочное изменение тока в цепи коллектора

Основными видами низкочастотного шума в биполярном транзисторе являются

— дробовой эффект и тепловые флуктуации

— шум рекомбинации

Более низкий уровень шума у

— полевых транзисторов

Большая устойчивость к радиации

— у полевых транзисторов

Меньше зависят от температуры параметры

— полевых транзисторов

Нецелесообразно использовать транзисторы в схемах

— усиления сигналов по мощности

Для преоб­разования электрической энергии больших мощностей целесообразно использовать

— биполярные транзисторы

— полевые транзисторы

— тиристоры

Входное сопротивление боль­ше у

— МДП-транзисторов

Вывод полевого транзистора, к которому прикладывают управляющее напряжение, называется

— затвор+

Вывод полевого транзистора, к которому движутся основные носители заряда в канале, называется

— сток+

Вывод полевого транзистора, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называется

— исток+

Выводы полевого транзистора называются

— сток

— затвор

— исток

Полевые транзисторы управляются

— напряжением  

Полевые транзисторы делятся на

— транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник

Полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называется

 полевой транзистор

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор,

— усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем

Полевой транзистор состоит из областей

— сток, затвор, исток, канал

Найдите соответствующему полевому транзистору его условное обозначение

— полевой транзистор с управляющим p-n-переходом р-каналом

— полевой транзистор с управляющим p-n-переходом n-каналом

— МДП–транзистор со встроенным n-каналом

— МДП–транзистор со встроенным p-каналом

— МДП–транзистор с индуцированным n-каналом

— МДП–транзистор с индуцированным p-каналом

2 «1»

1«2»

4«3»

6«4»

5«5»

3«6»

По каналу полевого транзистора протекает ток

— основных носителей

Найдите соответствующему полевому транзистору его разрез (схематическое устройство)

1- полевой транзистор с управляющим p-n-переходом р-каналом

— 2полевой транзистор с управляющим p-n-переходом n-каналом

-3 МДП–транзистор со встроенным n-каналом

— 4МДП–транзистор со встроенным p-каналом

— 5МДП–транзистор с индуцированным n-каналом

— 6МДП–транзистор с индуцированным p-каналом

5«1»

3«2»

2«3»

4«4»

1«5»

6«6»

 

Найдите соответствующему полевому транзистору его стоко-затворную характеристику

1 полевой транзистор с управляющим p-n-переходом р-каналом

2 полевой транзистор с управляющим p-n-переходом n-каналом

3МДП–транзистор со встроенным n-каналом

4МДП–транзистор со встроенным p-каналом

5МДП–транзистор с индуцированным n-каналом

6МДП–транзистор с индуцированным p-каналом

6«1»

5«2»

2«3»

1«4»

4«5»

3 «6»

 

Стоко-затворная характеристика 1 принадлежит

— полевому транзистору с управляющим p-n-переходом р-каналом

— полевому транзистору с управляющим p-n-переходом n-каналом

— МДП–транзистору со встроенным n-каналом

— МДП–транзистору со встроенным p-каналом

— МДП–транзистору с индуцированным n-каналом

— МДП–транзистору с индуцированным p-каналом

Встроенным называется такой канал в полевых транзисторах, который

— создан в исходной пластине кремния с помощью диффузионной технологии+

Индуцированным называется канал в полевых транзисторах, который

— образован благодаря притоку носителей заряда из
полупроводниковой пластины при приложении к затвору
напряжения относительно истока       +

Высокое входное сопротивление полевого транзистора с управляющим р-n-переходом обусловлено

— обратно смещенным p-n-переходом затвор-канал

При напряжении затвор-исток равном нулю, ток стока в полевом транзисторе с управляющим pn— переходом

— максимален

Для управления сопротивлением канала полевого транзистора с управляющим  pn-переходом, необходимо сместить переход затвор-канал в

— прямом направлении

Может работать с любой полярностью напряжения на затворе полевой транзистор

— МДП-транзистор со встроенным каналом

На затвор полевого транзистора с управляющим pnпереходом подается напряжение

запирающее pn–переход между затвором и каналом

Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим pnпереходом определяется

— напряжением на стоке и затворе

Напряжением отсечки полевого транзистора называют напряжение, при котором

— ток стока равен нулю

Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим pn–переходом возможно

— с помощью напряжения

 

Канал полевого транзистора с управляющим pn–переходом имеет наибольшую ширину

— при

 

На затвор МДП со встроенным каналом п-пипа подается напряжение

Полевой транзистор, включенный по схеме с общим истоком, имеет

— высокое входное и среднее выходное сопротивления+

Входное сопротивление полевого транзистора с управляющим pn-переходом составляет

— 1010 Ом

Входное сопротивление МДП-транзисторов со встроенным каналом составляет величину

—  Ом

Входное сопротивление МДП-транзисторов с индуцированным каналом составляет величину

—  Ом

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным р- каналом при  называется

— режим обеднения

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным п- каналом при  называется

— режим обогащения

Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р-типа или п-типа называется

— пороговым напряжением

Основной причиной шума полевых транзисторов является

— тепловой шум

Крутизна характеристики полевого транзистора определяется как отношение

— тока стока к напряжению затвор-исток

МДП-транзисторы подразделяются на

— транзисторы с индуцированным каналом

— транзисторы со встроенным каналом

МДП-транзистор с встроенным каналом может работать в режиме

— обеднения и обогащения

МДП-транзистор с индуцированным каналом может работать в режиме

— обогащения

На затвор МДП–транзистора со встроенным p-каналом подается напряжение

—  или

 

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным р–каналом при  называется

— режим обеднения

Режим работы МДП-транзисторов со встроенным п– каналом при  называется

— режим обогащения

Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р-типа или п-типа называется

— пороговым напряжением

Усиливает входной сигнал полевой транзистор, работающий по схеме с

— общим истоком

— общим стоком

— общим затвором

 

Для количественной оценки управляющего действия затвора полевого транзистора используют

— крутизну характеристики+

 

При увеличении температуры ток стока полевого транзистора с управляющим pn-переходом

— увеличивается

При постоянном напряжении Uси, изменили входное напряжение полевого транзистора Uзи от 2 до 4 В. При этом ток стока (Ic) изменился на 4 мА. Найти статический коэффициент усиления  μ, если выходное сопротивление Ri=5 кОм.

— 10

При постоянном напряжении Uси, изменили входное напряжение полевого транзистора Uзи от 1 до 4 В. При этом ток стока (Ic) изменился на 6 мА. Найти статический коэффициент усиления  μ, если выходное сопротивление Ri=5 кОм.

— 10

 

Тиристором называется

— полупроводниковый прибор с тремя и более р-n-переходами,
ВАХ которого содержит участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением       +

 

Тиристор – это полупроводниковый прибор

— с тремя или более р-п переходами, на вольт-амперной характеристики которого есть участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением

Сопротивление тиристора в закрытом состоянии

— велико

Сопротивление тиристора в открытом состоянии

— мало

Тринистор – это тиристор,

— имеющий управляющий электрод

Симистор – это тиристор

— который может работать как в прямом, так и в обратном включении

Диак – это

— динистор

Триак — это

— симистор

Электроды тиристора называются

— анод

— катод

— управляющий электрод

Динистор – это

— диак

Электроды динистора называются

— анод

— катод

— управляющий электрод

Тиристор, изображенный на рисунке — это

— диодный симметричный тиристор

Тиристор, изображенный на рисунке — это

— триодный незапираемый тиристор с управлением по аноду

— триодный незапираемый тиристор с управлением по катоду

— запираемый тринистор с управлением по аноду

— запираемый тринистор с управлением по катоду

 

Тиристор, изображенный на рисунке — это

— триодный незапираемый тиристор с управлением по аноду

— запираемый тринистор с управлением по аноду

— запираемый тринистор с управлением по катоду

 

Тиристор, изображенный на рисунке — это

— триодный симметричный незапираемый тиристор с управлением по аноду

 

На практике для перевода триодного тиристора из закрытого состояния в открытое используется способ

— подача положительного напряжения на управляющий электрод+

На практике для перевода триодного тиристора из открытого состояния в закрытое используется способ

— изменение полярности анодного напряжения+

Для того чтобы перевести диодный тиристор (динистор) из закрытого состояния в открытое, нужно

— повысить анодное напряжение+

Для включения тиристора на  его управляющий электрод подается

—  обратное по отношению к катоду напряжение

Тиристор, который можно включить, осветив кристалл, называется

— фототиристор

Из указанных сравнительных характеристик фототиристора и обычного тиристора выбрать неправильную.

— в фототиристоре в отличие от обычного тиристора отсутствует обратная ветвь вольт-амперной характеристики с отрицатель­ным напряжением на аноде+

В оптроне происходят следующие преобразования энергии:

— световая в электрическую

В фототранзисторе происходят следующие преобразования энергии:

— световая в электрическую

В полупроводниковом индикаторе происходят следующие преобразования энергии

— электрическая — в энергию некогерентного светового излучения

В светодиоде  происходят следующие преобразования энергии

— электрическая — в энергию некогерентного светового излучения

В фотодиоде происходят следующие преобразования энергии

— световая в электрическую

Оптоэлектронный прибор – это устройство

— для преобразования электрического сигнала в оптический и обратно

В оптронной паре в качестве излучателей используются электронные приборы

— светоизлучающий диод

Укажите неправильное утверждение

— Свойства оптрона не зависят от приемника излучения.

В перечисленных свойствах оптронов указать несоот­ветствующее действительности.

— У фотодиодного оптрона коэффициент передачи по току больше, чем у фототранзисторного.

Включение светодиода в оптронной паре

— прямое

Включение р-n-переходов в полупроводниковом индикаторе

— прямое

Включение электрического перехода фотодиода в оптронной паре

— обратное

 

Если уменьшить ширину запрещенной зоны полупроводника, который мог излучать в видимой части спектра, то этот полупроводник

— будет излучать в инфракрасной области  оптического диапазона

Для своей работы требуют внешней подсветки индикаторы

 

— жидкокристаллические

 

Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

— индикаторов

— оптронов

Прибор, условное обозначение которого изображено на рисунке, относится к разряду

— оптронов

 

В качестве приемников излучения в оптронной паре используются

— фототранзисторы

— фоторезисторы

Без навес­ных элементов могут быть изготовлены микросхемы

— совмещенные

 полупроводниковые

Гибридными называют микросхемы, в которых

— используются пленочные элементы и навесные компоненты

Полупроводниковыми называют микросхемы, в которых

— все элементы выполнены в глубине полупроводниковой подложки

— используется диэлектрическая подложка

Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема

— в которой все элементы выполнены в объеме, а межэлементные соединения на поверхности полупроводника

Совмещенная интегральная микросхема – это микросхема

— пассивные элементы которой делают пленочными, а активные в глубине полупроводникового кристалла

Гибридная интегральная микросхема – это микросхема

— пассивные элементы которой делают, как правило, пленочными, а активные – навесными

 

По функциональному назначению интегральные схемы подразделяются на

— аналоговые и цифровые

По виду обрабатываемого сигнала интегральные схемы подразделяются на

— усилительные и импульсные

Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является

— кремний

Эпитáксия – это технологический процесс

— наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку

Термическое окисление – это

— окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния

Фотолитография – это

— процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек

Легирование – это

— операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

Подложки гибридных интегральных схем служат

— диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и  навесных элементов и для теплоотвода

В качестве пленочных резисторов интегральных микросхем используются

— полоски металла, сплава металлов, кермет (смесь частиц металла и диэлектрика)

Диэлектрическим слоем пленочных конденсаторов служит

— окислы полупроводниковых материалов

Обкладки тонкопленочных конденсаторов изготавливаются

— из алюминия

Невозможно изготовить в структуре полупроводниковой интегральной схемы

— индуктивность

В виде пленок гибридных интегральных микросхем изготавливаются

— резисторы, индуктивности

Изоляция между элементами в полупроводниковой микросхеме, при которой npn транзистор создается внутри объема полупроводника и  изолируется от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния, называется

— диэлектрической

Изоляция между элементами в полупроводниковой микросхеме, при которой npn транзистор создаётся внутри объема полупроводника и  изолируется от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния по вертикали, а по горизонтали pn переходом со скрытым n+ слоем, называется

— комбинированной

Изоляция между элементами в полупроводниковой микросхеме, при которой npn транзистор создаётся внутри объема полупроводника и  изолируется от других частей микросхемы pn переходом со скрытым n+ слоем, называется

— диодной

Изоляция интегрального п-р-п транзистора при которой потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры называется

— воздушной

Интегральный п-р-п – транзистор это биполярный транзистор

интегральных полупроводниковых микросхем

Недостаток интегральных биполярных п-р-п– транзисторов

— большая площадь, занимаемая им в микросхеме

Интегральный транзистор с барьером Шоттки предназначен для

— — увеличение допустимого напряжения на коллекторном переходе

Многоэмиттерный транзистор

— совокупность транзисторов с соединенными базами и соединенными коллекторами

Интегральные диоды полупроводниковых интегральных схем – это диоды

— создаваемые на основе структуры интегральных транзисторов

Использование интегральных биполярных транзисторов в качестве диодов возможно в

— пяти вариантах

Технология изготовления активных элементов интегральных микросхем сложнее

— при использовании биполярных транзисторов

Диффузионные резисторы интегральных микросхем изготавливают

— одновременно с изготовлением эмиттерной или базовой области

Диффузионные конденсаторы интегральных микросхем – это конденсаторы, для формирования которых используется

— все перечисленные электрические переходы

 

Укажите признак диодного включения транзистора

— Iк=0

Укажите признак диодного включения транзистора

— Iэ=0

Для схемы диодного включения транзистора, изображенной на рисунке, напряжение пробоя составляет

— 20-50 В

Укажите признак диодного включения транзистора

— Uкэ=0

 

Укажите признак диодного включения транзистора

— Uкэ=0

Укажите признак диодного включения транзистора

— Iэ=0

 

Укажите признак диодного включения транзистора

— Iк=0

 

Укажите признак диодного включения транзистора

— Uкэ=0

 

Номинальная емкость конденсатора СНОМ = 3,3 нФ,  а удельная емкость материала (двуокись кремния)  С0 = 60 пФ/мм2. Площадь верхней обкладки конденсатора составит

— 55 мм2

Номинальное сопротивление резистора RНОМ = 500 Ом, удельное поверхностное сопротивление материала ρS = 1000 Ом/квадрат. Коэффициент формы КФ резистора гибридной микросхемы равен

— 0,5

 

Указать маркировку микросхемы специального назначения, выполняющей функцию усилителя дифференциального (операционного), выполненной по полупроводниковой технологии.

— К574УД2

 

Указать маркировку микросхемы широкого применения,  выполненной по полупроводниковой технологии, выполняющей функцию триггера типа D

— К176ТМ2

Лучшими частотными свойствами обладают биполярные транзисторы интегральных микросхем

— типа п-р-п

Топологический чертёж плёночного резистора показан на рисунке. Сопротивление резистора R=90 кОм, длина площадки l=2 мм, ширина b= 0,2 мм. Удельное поверхностное сопротивление материала  rsравно

— 3000 Ом/

 

Топологический чертёж плёночного резистора показан на рисунке. Сопротивление резистора R=50 Ом, длина площадки l=1 мм, ширина b=2 мм. Удельное поверхностное сопротивление материала  rsравно

— 100 Ом/

 

Топологический чертёж плёночного резистора показан на рисунке. Сопротивление резистора R=50 кОм, длина площадки l=2 мм, ширина b=0.2 мм. Удельное поверхностное сопротивление материала  rsравно

— 5000 Ом/

Укажите параметр, зная который можно оценить быстродействие логического элемента.

— среднее время задержки распространения

Укажите параметр, зная который можно оценить экономичность логического элемента.

— средняя потребляемая мощность

 

Число «7» можно представить двоичным кодом

— 0111

Число «5» можно представить двоичным кодом

— 0101

Число «10» можно представить двоичным кодом

-1010

На входы логических элементов, представленных на рисунке,  поданы логические единицы. Выберете те из

На входы логических элементов, представленных на рисунке,  поданы логические нули. Выберете те из них, которые на выходе получат логическую единицу.

— 3

— 4

— 5

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент и его условное обозначение

— 1 2 или

— 2 2 и

— 3 или не

— 42 или не

— 52 и не

 

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент

— ИЛИ    

— И     

— И-НЕ     

— ИЛИ-НЕ

 

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент и его условное обозначение

— 12 или

— 22 и

— 3или не

— 42 или не

— 5 2 и не

 

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент

— И    

— НЕ     

— И-НЕ     

— ИЛИ-НЕ

Определите по таблице истинности операцию, которую выполняет логический элемент и его условное обозначение

— 1 или

— 2и

— 3не

— 4или не

— 5

Определите операцию, которую выполняет схема, построенная на логических элементах

— 3 ИЛИ

Триггер Шмитта –

— генерирует прямоугольные импульсы

На входы RST триггера подаются сигналы Х1=1, Х2=0. В момент прихода синхроимпульса триггер

— переключится в состояние логической единицы

На входы RS триггера подаются сигналы Х1=1, Х2=0. При этой комбинации входных сигналов триггер

— переключится в состояние логической единицы

Операционные усилители обладают

— большим входным и малым выходным сопротивлением

Операционный усилитель имеет

— два входа и один выход

Операционный усилитель имеет большое входное сопротивление, так как на его входе включен

— дифференциальный каскад

Коэффициент усиления многокаскадного усилителя определяется как

— произведение коэффициентов усиления каждого каскада

Усилитель состоит из двух каскадов. Коэффициент усиления первого каскада – 10 дБ, второго – 20 дБ. Общий коэффициент усиления равен

— 10 дБ

Усилитель состоит из двух каскадов. Коэффициент усиления первого каскада – 50, второго – 20. Общий коэффициент усиления равен

— 30

Коэффициент усиления по току усилителя Кi равен 100. В логарифмических единицах – децибелах — это составит

— 40 дБ

Коэффициент усиления по напряжению усилителя Кu равен 10. В логарифмических единицах – децибелах — это составит

— 20 дБ

Коэффициент усиления по мощности усилителя Кp равен 1000. В логарифмических единицах – децибелах — это составит

— 60 дБ

Дифференциальный усилитель – это усилитель

— усиливающий только разностный сигнал

Дифференциальный сигнал – это

— два входных сигнала не одинаковых по уровню, но одинаковых по фазе

Качество дифференциального усилителя оценивается

— только коэффициентом подавления синфазного сигнала

В зависимости от того, каким образом подается сигнал в цепь обратной связи с выхода усилителя и на вход усилителя с цепи обратной связи различают

— параллельную обратную связь по напряжению

— последовательную обратную связь по току

— последовательно параллельную обратную связь по току

— последовательную обратную связь по напряжению

Дифференциальный усилитель имеет

— два входа и один выход

Дифференциальный усилитель состоит

— из двух транзисторов

Дифференциальный усилитель усиливает

— разностный сигнал

В усилителе, охваченном обратной связью, сигнал обратной связи совпадает по фазе с входным сигналом и складывается с ним, в этом случае связь называют

— положительной обратной связью

В усилителе, охваченном обратной связью, сигнал обратной связи складывается с входным сигналом и находится в противофазе с ним, в этом случае связь называют

— отрицательной обратной связью

В усилительном каскаде задают напряжения и токи смещения, с целью

Обеспечения положения рабочей точки

В усилительных устройствах отношение выходного сигнала к входному называют

— коэффициентом усиления

Входное сопротивление усилительного каскада при вводе параллельной обратной связи

— уменьшается

Входное сопротивление усилительного каскада при вводе последовательной отрицательно обратной связи

— увеличивается

Входное сопротивление усилительного каскада при введении последовательной положительной обратной связи

— уменьшается

Входное сопротивление усилительного каскада при введении положительной последовательной обратной связи изменяется на величину

1 — Kub

Входное сопротивление усилительного каскада при введении последовательной отрицательной обратной связи изменяется на величину

1 + Kub

Выходное сопротивление усилительного каскада при вводе обратной связи по напряжению

— уменьшается

Выходное сопротивление усилительного каскада при вводе обратной связи по току

— увеличивается

Зависимость амплитудного значения выходного напряжения первой гармоники от амплитуды синусоидального входного напряжения в усилительных устройствах, называется

— амплитудно- частотной характеристикой

Зависимость коэффициента усиления и фазового сдвига усилителя от частоты называется

— амплитудно-фазовой характеристикой

Зависимость модуля коэффициента усиления от частоты входного сигнала в усилительных устройствах, называется

— — амплитудно- частотной характеристикой

Зависимость угла сдвига фазы между выходным и входным напряжением от частоты в усилительных устройствах называется

— фазо-частотной характеристикой

Если усилитель будет охвачен отрицательной обратной связью вид частотной характеристики

— изменится

Отрицательная обратная связь коэффициент усиления усилителя

— уменьшает

Положительная обратная связь коэффициент усиления усилителя

— увеличивает

Усилитель, собранный на биполярных транзисторах по схеме с общей базой, усиливает

— напряжение

Усилитель, собранный на биполярных транзисторах по схеме с общим коллектором, усиливает

— ток

Усилитель, собранный на биполярных транзисторах по схеме с общим эмиттером, усиливает

— напряжение, ток и мощность

При соединении каскадов в многокаскадном усилителе используются следующие виды межкаскадных связей

— емкостная связь

— непосредственная связь

— трансформаторная связь

Идеальный операционный усилитель должен обладать свойствами

— бесконечно большим коэффициентом усиления

— бесконечно большим входным сопротивлением

Коэффициент обратной связи показывает

— какая часть выходного сигнала поступает на вход усилителя

По способу подачи сигнала обратной связи на вход усилителя различают

— параллельную обратную связь

— последовательную обратную связь

По способу получения сигнала обратной связи с выхода усилителя различают

— обратная связь по напряжению

— обратная связь по току

Усилитель называют эмиттерным повторителем, если он построен на биполярном транзисторе, включенном по схеме с 

— общим коллектором

При последовательной обратной связи с цепи обратной связи на вход усилителя подается

— напряжение 

При параллельной обратной связи с цепи обратной связи на вход усилителя подается

— ток

Сопротивление нагрузки усилителя Rh=10 Ом, мощность, отдаваемая усилителем — 2,5 Вт, коэффициент усиления по напряжению Кu=50. Определить напряжение сигнала на входе усилителя.

— Ubх=0.1 B    

Отрицательная обратная связь влияет на входное Rbx и  выходное Rbыx  сопротивления многокаскадного усилителя следующим образом:

— Rbx ↑ R bыx↓   

Положительная обратная связь влияет на входное Rbx и  выходное Rbыx  сопротивления многокаскадного усилителя следующим образом:

— RвxRbыx

Отрицательная обратная связь полосу пропускания многокаскадного усилителя

— увеличивает      

Положительная обратная связь полосу пропускания многокаскадного усилителя

— уменьшает

Усилитель, предназначенный для усиления разности входных сигналов, называется

— дифференциальный усилитель

Фильтр, пропускающий сигналы одной полосы  частот и подавляющий сигналы вне этой полосы, называется

— полосовой фильтр

Фильтр, не пропускающий сигналы одной полосы  частот и пропускающие сигналы вне этой полосы, называется

— режекторный, заграждающий фильтр

Фильтр, пропускающий высокочастотные сигналы и подавляющий низкочастотные, называется

— фильтр высоких частот

Фильтр, пропускающий постоянные и низкочастотные (от 0 до частоты среза ωc) сигналы, и подавляющий высокочастотные сигналы, называется

— фильтр низких частот

Схема сдвига уровня в операционном усилителе предназначена для

— обеспечения нулевого постоянного напряжения в нагрузке при

Суммирующий операционный усилитель позволяет складывать сигналы

— как с одинаковыми, так и с разными масштабными коэффициентами

Вычитающий операционный усилитель усиливает

— только при подаче сигналов с разными масштабными коэффициентами

При работе операционного усилителя в линейном режиме напряжение на его выходе

— возрастает с увеличением напряжения U+ на прямом входе и уменьшением напряжения U на инвертирующем

Выходной каскад ОУ должен обеспечивать

— одновременно высокую нагрузочную способность, широкий динамический диапазон и малый уровень искажений.

Эмиттерным повторителем называют усилительный каскад, у которого

— коэффициент усиления по напряжению равен единице

Коэффициент усиления операционного усилителя

— 100-1000

Динамическая нагрузка в дифференциальном усилителе

— уменьшает постоянному и увеличивает переменному

Для усилительных устройств основными способами включения ОУ являются

— инвертирующий и неинвертирующий усилитель

Определить    выходное    напряжение    и   коэффициент    усиления инвертирующего усилителя, если R=1 кОм, Roc=10 кОм, Ubх=0,5 В.

— Кuос = 10; Uвых = -5 В        +

Определить коэффициент усиления по мощности Кр усилителя в децибелах, если его коэффициент по напряжению Кu=20, по току Ki=5.

— Кp = 20Дб       +

Определить выходную мощность усилителя, если коэффициент усиления по току Ki=50, сопротивление нагрузки усилителя составляет 100 Ом, а входной ток Iвых= 2 мА.

Рвых= 1Вт       

Определить коэффициент усиления по напряжению двухкаскадного усилителя, если выходное напряжение первого и второго каскадов соответственно равны 0,2 В и 4 В, а напряжение источника входного сигнала- 0,01 В.

Кu=400     

 

Схема и характеристики транзистора

с общей базой »Электроника

Общая конфигурация базового усилителя широко не используется, за исключением высокочастотных усилителей, где она имеет некоторые явные преимущества.


Учебное пособие по проектированию схем транзисторов Включает:
Проектирование схем транзисторов Конфигурации схемы Общий эмиттер Общая схема эмиттера Эмиттер-повторитель Общая база

См. Также: Типы транзисторных схем


Усилитель с общей базой — наименее широко используемый из трех конфигураций транзисторных усилителей.Конфигурации с общим эмиттером и общим коллектором (эмиттерным повторителем) используются гораздо более широко, потому что их характеристики, как правило, более полезны.

Конфигурация общего базового усилителя проявляет себя на высоких частотах, где стабильность может быть проблемой.

Обладая низким уровнем входного и выходного импеданса, он также подходит для ряда приложений проектирования ВЧ-схем, где используются уровни импеданса 50 Ом.

Основы транзисторного усилителя с общей базой

Усилитель с общей базой имеет несколько иной стиль конфигурации, чем другие конфигурации электронных схем.Обычно входной сигнал подается на базу, но в случае с общей базой это соединение заземлено, и фактически его иногда называют схемой заземленной базы.

Конфигурация схемы общей базы транзистора

Как для схем NPN, так и для схем PNP, можно видеть, что для схемы усилителя с общей базой вход подается на эмиттер, а выход снимается с коллектора. Общая клемма для обеих цепей является базой. База заземлена для сигнала, хотя по причинам смещения потенциал постоянного тока будет выше уровня земли.

Конфигурация усилителя с общей базой не используется так широко, как конфигурации с транзисторным усилителем. Однако он находит применение в усилителях, требующих низких уровней входного импеданса. Одно из применений — предусилители микрофонов с подвижной катушкой — эти микрофоны имеют очень низкие уровни импеданса.

Другое применение — разработка схем ВЧ в усилителях УКВ и УВЧ ВЧ, где низкий входной импеданс позволяет точно согласовать импеданс фидера, который обычно составляет 50 Ом или 75 Ом.Конфигурация также улучшает стабильность в результате заземления основания. Поскольку базой является электрод, который находится между эмиттером и коллектором, тот факт, что он заземлен для РЧ-сигналов, снижает уровень нежелательной ложной обратной связи в конструкции схемы.

Стоит отметить, что коэффициент усиления по току усилителя с общей базой всегда меньше единицы.

Однако коэффициент усиления по напряжению больше, но он является функцией входного и выходного сопротивлений (а также внутреннего сопротивления перехода эмиттер-база).В результате коэффициент усиления по напряжению усилителя с общей базой может быть очень высоким.

Обзор характеристик усилителя на транзисторах с общей базой

В таблице ниже приведены основные характеристики транзисторного усилителя с общей базой.


Общие характеристики
Параметр Характеристики
Коэффициент усиления по напряжению Высокая
Текущая прибыль Низкий
Прирост мощности Низкий
Соотношение фаз вход / выход 0 и
Входное сопротивление Низкий
Выходное сопротивление Высокая

Цепь с общей базой не находит многих применений для низкочастотных цепей — обычно желательны высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс.Однако он находит применение в некоторых высокочастотных усилителях, например, для VHF и UHF. В конфигурации с общей базой входная емкость не страдает от эффекта Миллера, который ухудшает полосу пропускания конфигурации с общим эмиттером. Также существует относительно высокая изоляция между входом и выходом, а это означает, что обратная связь между выходом и входом незначительна, что приводит к высокой стабильности.

Как работает схема с общей базой

С точки зрения потока сигналов схема общей базы значительно отличается от схемы либо схемы с общим эмиттером, либо с общим коллектором / эмиттерным повторителем.

Поскольку в двух других схемах используется базовый электрод в качестве точки входа схемы, то же самое не может быть верно для конструкции схемы с общей базой, поскольку она заземлена.

Конструкция / конфигурация электронной схемы транзистора с общей базой
В данной схеме используется транзистор NPN, но конфигурация в равной степени применима к транзисторам PNP, но с обратной полярностью батареи.

Схема усилителя на транзисторах с общей базой

На схеме ниже показано, как можно реализовать схему обычного базового усилителя.Он показывает очень стандартную конфигурацию конструкции электронной схемы для смещения, а также приложение сигналов к схеме.

Те же ограничения смещения применяются к общей цепи базы, но применение сигналов отличается, что позволяет заземлить базу и, следовательно, использовать ее как для входных, так и для выходных цепей.

Конструкция схемы транзисторного усилителя с общей базой

В этой типичной конструкции электронной схемы для транзисторного усилителя с общей базой условия смещения очень похожи на те, которые используются для смещения других форм конфигурации, таких как общий эмиттер

С точки зрения конструкции электронной схемы, резисторы R 1 и R 2 образуют делитель потенциала, который устанавливает точку смещения для базы.Эмиттер транзистора будет на 0,6 В ниже этого значения, если используется кремниевый транзистор.

Эмиттерный резистор R 4 определяет ток, протекающий через эмиттерный резистор. Поскольку через коллектор будет протекать практически такой же ток, необходимо следить за тем, чтобы резистор R 3 был выбран таким, чтобы сигнал не вызывал каких-либо ограничений.

Конденсаторы C 1 и C 2 обеспечивают связь по переменному току для цепи, и значения должны быть выбраны так, чтобы их полное сопротивление было низким на рабочих частотах.

Для приложений проектирования ВЧ-схем на значения R 3 и R 4 , вероятно, будет влиять полное сопротивление, необходимое для системы. Если для этих резисторов выбраны низкие значения, это повлияет на ток, который должен протекать в цепи.

Хотя схема транзистора с общей базой не так широко используется, как схемы с общим эмиттером или общим коллекторно-эмиттерным повторителем, тем не менее, она имеет свое место в библиотеке проектирования электронных схем.Он уникально имеет низкое входное и выходное сопротивление и способен обеспечить улучшенную стабильность на высоких частотах в результате заземления базы.

По количеству используемых электронных компонентов он очень похож на другие конфигурации основных схем.

Другие схемы и схемотехника:
Основы операционных усилителей Схемы операционных усилителей Цепи питания Конструкция транзистора Транзистор Дарлингтона Транзисторные схемы Схемы на полевых транзисторах Условные обозначения схем
Вернуться в меню «Конструкция схемы».. .

Что такое базовое соединение коллектора (конфигурация CB)? — Определение, коэффициент усиления по току и конфигурация характеристик

Определение: Конфигурация, в которой база транзистора является общей между схемой эмиттера и коллектора, называется конфигурацией с общей базой . Схема общей базовой схемы для транзисторов NPN и PNP показана на рисунке ниже. В обычном соединении база-эмиттер вход подключен между эмиттером и базой, а выход — через коллектор и базу.

Коэффициент усиления тока (α)

Отношение выходного тока к входному известно как коэффициент усиления тока . В конфигурации с общей базой ток коллектора I C является выходным током, а ток эмиттера I E является входным током. Таким образом, отношение изменения тока эмиттера к току коллектора при постоянном напряжении коллектор-база известно как коэффициент усиления тока транзистора в конфигурации с общей базой.Он представлен как α (альфа).

Где ΔI C — изменение в коллекторе, а ΔI E — изменение тока эмиттера при постоянном V CB . Сейчас,

Значение коэффициента усиления тока меньше единицы. Значение коэффициента усиления (α) достигает единицы, когда базовый ток уменьшается до нуля. Базовый ток становится нулевым только тогда, когда он тонкий и слегка легированный. Практическое значение коэффициента усиления варьируется от 0.95 до 0,99 в коммерческом транзисторе.

Ток коллектора

Базовый ток возникает из-за рекомбинации электронов и дырок в базовой области. Весь ток эмиттера не будет протекать через ток. Ток коллектора немного увеличивается из-за протекания тока утечки из-за неосновных носителей заряда. Суммарный ток коллектора состоит из:

  1. Большой процент эмиттерного тока, который достигает клеммы коллектора, то есть αI E .
  2. Ток утечки I утечка . Неосновные носители заряда возникают из-за потока неосновных носителей заряда через переход коллектор-база, когда переход сильно перевернут. Его значение намного меньше, чем αI E .

Полный ток коллектора,

Вышеприведенное выражение показывает, что если I E = 0 (когда цепь эмиттера разомкнута), то в цепи коллектора все еще протекает небольшой ток, называемый током утечки.Этот ток утечки обозначается как I CBO , то есть ток коллектор-база с эмиттерной цепью разомкнут.

Ток утечки также сокращенно обозначается I CO , т. Е. Ток коллектора при разомкнутой цепи эмиттера.

Характеристики конфигурации Common Base (CB)

Характеристическая диаграмма определения общей базовой характеристики представлена ​​на рисунке ниже.

Напряжение эмиттер-база V EB можно изменять с помощью потенциометра R 1 .Последовательный резистор R S вставлен в цепь эмиттера для ограничения тока эмиттера I E . Значение эмиттера изменяется до большого значения, даже значение потенциометра немного изменяется. Величина напряжения коллектора немного меняется при изменении значения потенциометра R 2 . Кривая входных и выходных характеристик потенциометра подробно поясняется ниже.

Входная характеристика

Кривая, построенная между током эмиттера I E и напряжением эмиттер-база V EB при постоянном напряжении базы коллектора V CB , называется входной характеристической кривой.Кривая входной характеристики показана на рисунке ниже.

Следующие точки учитываются на характеристической кривой.

  1. Для определенного значения V CB кривая представляет собой характеристику диода в передней области. Эмиттерный PN-переход смещен в прямом направлении.
  2. Когда значение тока базы напряжения увеличивается, значение тока эмиттера немного увеличивается. Переход ведет себя как лучший диод. Ток эмиттера и коллектора не зависит от напряжения базы коллектора V CB .
  3. Ток эмиттера I E увеличивается с небольшим увеличением напряжения эмиттер-база V EB . Это показывает, что входное сопротивление невелико.

Входное сопротивление

Отношение изменения напряжения эмиттер-база к результирующему изменению тока эмиттера при постоянном напряжении базы коллектора V CB известно как входное сопротивление. Входное сопротивление выражается формулой

.

Значение напряжения коллектор-база V CB увеличивается с увеличением тока коллектор-база.Значение входного сопротивления очень низкое, и их значение может варьироваться от нескольких Ом до 10 Ом.

Кривая выходной характеристики

В конфигурации с общей базой кривая, построенная между током коллектора и напряжением базы коллектора V CB при постоянном токе эмиттера I E , называется выходной характеристикой. Конфигурация CB транзистора PNP показана на рисунке ниже. Учитываются следующие точки на характеристической кривой.

  1. Активная область перехода коллектор-база обратно смещена, ток коллектора I C почти равен току эмиттера I E . Транзистор всегда работает в этой области.
  2. Кривая активных областей почти пологая. Большие заряды в V CB вызывают лишь крошечные изменения в I C Схема имеет очень высокое выходное сопротивление r o .
  3. Когда V CB положительный, переход коллектор-база имеет прямое смещение, и ток коллектора внезапно уменьшается.Это состояние насыщения, в котором ток коллектора не зависит от тока эмиттера.
  4. Когда ток эмиттера равен нулю, ток коллектора не равен нулю. Ток, протекающий по цепи, является током обратной утечки, т. Е. I CBO . Ток зависит от температуры и его значения находятся в диапазоне от 0,1 до 1,0 мкА для кремниевого транзистора и от 2 до 5 мкА для германиевого транзистора.

Выходное сопротивление

Отношение изменения напряжения коллектор-база к изменению тока коллектора при постоянном токе эмиттера I E называется выходным сопротивлением.

Выходная характеристика изменения тока коллектора очень мала при изменении V CB . С изменением напряжения коллектор-база. Выходное сопротивление очень высокое, порядка нескольких километров.

различных конфигураций транзисторов — общая база, коллектор и эмиттер

В этом руководстве по транзисторам мы узнаем о различных конфигурациях транзисторов. Поскольку биполярный переходной транзистор представляет собой трехконтактное устройство, возможны три различные конфигурации транзисторов с биполярными транзисторами.Понимание этих различных конфигураций транзисторов поможет вам лучше реализовать ваше приложение.

Введение

Мы знаем, что обычно транзистор имеет три вывода — эмиттер (E), базу (B) и коллектор. Но в схемных соединениях нам нужно четыре клеммы, две клеммы для входа и еще две клеммы для выхода. Чтобы преодолеть эти проблемы, мы используем один общий терминал как для входных, так и для выходных действий.

Используя это свойство, мы создаем схемы, и эти структуры называются конфигурациями транзисторов.Обычно существует три различных конфигурации транзисторов: конфигурация с общей базой (CB), конфигурация с общим коллектором (CC) и конфигурация с общим эмиттером (CE).

Поведение этих трех различных конфигураций транзисторов в отношении коэффициента усиления показано ниже.

  • Конфигурация с общей базой (CB) : без усиления по току, но с усилением по напряжению
  • Конфигурация с общим коллектором (CC) : усиление по току, но без усиления по напряжению
  • Конфигурация с общим эмиттером (CE) : усиление по току и усиление по напряжению

Теперь мы обсудим эти три различных конфигурации транзисторов с их входными и выходными характеристиками в следующих разделах.

НАЗАД

Общая базовая конфигурация

В этой конфигурации мы используем базу как общую клемму для входных и выходных сигналов. Само название конфигурации указывает на общий терминал. Здесь ввод применяется между выводами базы и эмиттера, а соответствующий выходной сигнал берется между выводами базы и коллектора с заземленным выводом базы. Здесь входными параметрами являются V EB и I E , а выходными параметрами — V CB и I C .Входной ток, протекающий на выводе эмиттера, должен быть выше, чем ток базы и ток коллектора для работы транзистора, поэтому выходной ток коллектора меньше, чем ток входного эмиттера.

Текущее усиление обычно равно или меньше единицы для этого типа конфигурации. В этой конфигурации входные и выходные сигналы синфазны. Конфигурация схемы усилителя этого типа называется схемой неинвертирующего усилителя. Построение этой схемы конфигурации сложно, потому что этот тип имеет высокие значения коэффициента усиления по напряжению.

Входные характеристики этой конфигурации похожи на характеристики освещенного фотодиода, в то время как выходные характеристики представляют собой диод с прямым смещением. Эта конфигурация транзистора имеет высокое выходное сопротивление и низкое входное сопротивление. Этот тип конфигурации имеет высокий коэффициент усиления сопротивления, то есть отношение выходного сопротивления к входному сопротивлению велико. Коэффициент усиления по напряжению для этой конфигурации схемы приведен ниже.

A V = V выход / V дюйм = (I C * R L ) / (I E * R дюйм )

Коэффициент усиления по току в общей базовой конфигурации равен

.

α = выходной ток / входной ток

α = I C / I E

Схема с общей базой в основном используется в схемах одноступенчатых усилителей, таких как микрофонный предусилитель или радиочастотные усилители, из-за их высокочастотной характеристики.Схема транзистора с общей базой приведена ниже.

НАЗАД

Входные характеристики

Входные характеристики получаются между входным током и входным напряжением при постоянном выходном напряжении. Сначала сохраните выходное напряжение V CB постоянным и измените входное напряжение V EB для разных точек, затем в каждой точке запишите значение входного тока I E . Повторите тот же процесс для разных уровней выходного напряжения.Теперь с этими значениями нам нужно построить график между параметрами I E и V EB . На рисунке ниже показаны входные характеристики общей базовой конфигурации. Уравнение для расчета входного сопротивления R в значении приведено ниже.

R дюйм = V EB / I E (когда V CB постоянный)

НАЗАД

Выходные характеристики

Выходные характеристики общей базовой конфигурации получены между выходным током и выходным напряжением при постоянном входном токе.Сначала поддерживайте постоянный ток эмиттера и изменяйте значение V CB для разных точек, теперь запишите значения I C в каждой точке. Повторите тот же процесс для других значений I E . Наконец, нам нужно нарисовать график между V CB и I C при постоянном I E. На рисунке ниже показаны выходные характеристики общей базовой конфигурации. Уравнение для расчета значения выходного сопротивления приведено ниже.

R выход = V CB / I C (когда I E постоянный)

НАЗАД

Конфигурация общего коллектора

В этой конфигурации мы используем клемму коллектора как общую для входных и выходных сигналов.Эта конфигурация также известна как конфигурация эмиттерного повторителя, поскольку напряжение эмиттера следует за напряжением базы. Эта конфигурация в основном используется в качестве буфера. Эти конфигурации широко используются в приложениях для согласования импедансов из-за их высокого входного импеданса.

В этой конфигурации входной сигнал применяется между областью база-коллектор, а выходной сигнал берется из области эмиттер-коллектор. Здесь входными параметрами являются VBC и IB, а выходными параметрами — VEC и IE.Конфигурация с общим коллектором имеет высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс. Входной и выходной сигналы синфазны. Здесь также ток эмиттера равен сумме тока коллектора и тока базы. Теперь давайте посчитаем текущий коэффициент усиления для этой конфигурации.

Текущий прирост,

A i = выходной ток / входной ток

A i = I E / I B

A i = (I C + I B ) / I B

A i = (I C / I B ) + 1

А и = β + 1

Схема транзистора с общим коллектором показана выше.Эта общая конфигурация коллектора представляет собой схему неинвертирующего усилителя. Коэффициент усиления по напряжению для этой схемы меньше единицы, но имеет большое усиление по току, потому что нагрузочный резистор в этой схеме принимает как ток коллектора, так и ток базы.

НАЗАД

Входные характеристики

Входные характеристики конфигурации с общим коллектором сильно отличаются от конфигураций с общей базой и общим эмиттером, поскольку входное напряжение V BC в значительной степени определяется уровнем V EC .Здесь

В EC = V EB + V BC

В EB = V EC — V BC

Входные характеристики конфигурации с общим коллектором получаются между входным током I B и входным напряжением V CB при постоянном выходном напряжении V EC . Сохраняйте выходное напряжение V EC постоянным на разных уровнях и изменяйте входное напряжение V BC для разных точек и записывайте значения I B для каждой точки.Теперь, используя эти значения, нам нужно построить график между параметрами V BC и I B при постоянном V EC .

НАЗАД

Выходные характеристики

Работа схемы с общим коллектором такая же, как и с схемой с общим эмиттером. Выходные характеристики схемы общего коллектора получаются между выходным напряжением V EC и выходным током I E при постоянном входном токе I B .При работе схемы общего коллектора, если ток базы равен нулю, то ток эмиттера также становится равным нулю. В результате через транзистор

не протекает ток.

Если ток базы увеличивается, то транзистор работает в активной области и, наконец, достигает области насыщения. Чтобы сначала построить график, мы сохраняем постоянное значение I B и будем изменять значение V EC для различных точек, теперь нам нужно записать значение I E для каждой точки.Повторите тот же процесс для разных значений I B . Теперь, используя эти значения, нам нужно построить график между параметрами I E и V CE при постоянных значениях I B . На рисунке ниже показаны выходные характеристики общего коллектора.

НАЗАД

Конфигурация общего эмиттера

В этой конфигурации мы используем эмиттер как общую клемму для входа и выхода. Эта общая конфигурация эмиттера представляет собой схему инвертирующего усилителя.Здесь вход применяется между областью база-эмиттер, а выход — между выводами коллектора и эмиттера. В этой конфигурации входными параметрами являются V BE и I B , а выходными параметрами — V CE и I C .

Этот тип конфигурации в основном используется в усилителях на базе транзисторов. В этой конфигурации ток эмиттера равен сумме малого тока базы и большого тока коллектора. я.е. Я Е = Я С + Я В . Мы знаем, что соотношение между током коллектора и током эмиттера дает коэффициент усиления по току альфа в конфигурации с общей базой, аналогично соотношение между током коллектора и током базы дает коэффициент усиления по току бета в конфигурации с общим эмиттером.

Теперь давайте посмотрим на взаимосвязь между этими двумя текущими доходами.

Коэффициент усиления по току (α) = I C / I E

Коэффициент усиления по току (β) = I C / I B

Ток коллектора I C = α I E = βI B

Эта конфигурация чаще всего используется как одна из всех трех конфигураций.Он имеет средние значения входного и выходного сопротивления. Он также имеет средний коэффициент усиления по току и напряжению. Но выходной сигнал имеет фазовый сдвиг 1800, т. Е. Как вход, так и выход противоположны друг другу.

НАЗАД

Входные характеристики

Входные характеристики конфигурации с общим эмиттером получаются между входным током I B и входным напряжением V BE с постоянным выходным напряжением V CE .Сохраняйте выходное напряжение V CE постоянным и изменяйте входное напряжение V BE для разных точек, теперь запишите значения входного тока в каждой точке. Теперь, используя эти значения, нам нужно построить график между значениями I B и V BE при постоянном V CE . Уравнение для расчета входного сопротивления R в приведено ниже.

R дюйм = V BE / I B (когда V CE постоянно)

НАЗАД

Выходные характеристики

Выходные характеристики конфигурации с общим эмиттером получаются между выходным током I C и выходным напряжением V CE при постоянном входном токе I B .Сохраняйте базовый ток I B постоянным и изменяйте значение выходного напряжения V CE для разных точек, теперь запишите значение коллектора I C для каждой точки. Постройте график между параметрами I C и V CE , чтобы получить выходные характеристики конфигурации с общим эмиттером. Уравнение для расчета выходного сопротивления по этому графику приведено ниже.

R out = V CE / I C (когда I B постоянный)

НАЗАД

Обзор конфигураций транзисторов

Таблица, в которой приведены основные характеристики транзистора в трех конфигурациях, приведена выше.Транзисторы BJT имеют в основном три типа конфигураций. Это конфигурации с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором. Среди всех этих трех конфигураций чаще всего используется конфигурация с общим эмиттером. Эти три имеют разные характеристики, соответствующие как входным, так и выходным сигналам. К тому же у этих трех конфигураций мало общего.

НАЗАД

ПРЕДЫДУЩИЙ — ТРАНЗИСТОР PNP

СЛЕДУЮЩИЙ — JFET

Общая базовая конфигурация | входные и выходные характеристики и уравнение — pnpntransistor

Теперь в этой статье мы видим общую базовую конфигурацию транзистора, уравнения для транзистора с общей базой и входные и выходные характеристики транзистора с общей базой.

В предыдущем мы видим другое подключение транзистора. Транзистор может быть включен в схему с тремя основными подключениями.

  1. Общая базовая конфигурация
  2. Конфигурация с общим эмиттером
  3. конфигурация с общим коллектором

Как мы знаем, транзистор может быть включен в схему другим способом в соответствии с их требованиями. Каждая конфигурация схемы транзистора имеет свои преимущества и недостатки. Но в любой конфигурации эмиттерный базовый переход находится в прямом смещении, а базовый коллекторный переход — в обратном.

Схема транзистора с общей базой

При подключении общей базы мы принимаем клемму базы как общую между входной цепью транзистора и выходной цепью транзистора. рисунок подключения к общей базе показан ниже

В этом подключении схемы входное напряжение приложено между эмиттером и базовым выводом. Выход берется между базой и коллектором. Здесь база общая как на входе, так и на выходе транзистора. Отсюда и название общей базовой конфигурации.На рис. 1 показан транзистор npn, тогда как на рис. 2 показан транзистор pnp.

Общие характеристики базовой конфигурации

Полное поведение транзисторов можно описать только по их характеристикам. Эти характеристики представляют собой графическое представление поведения транзистора. Мы можем легко понять, что происходит с транзистором, когда на него подается напряжение, по их характеристикам. Здесь мы берем входные характеристики общей базовой конфигурации и выходные характеристики общей базовой конфигурации транзистора.

Входные характеристики

Входные характеристики представляют собой кривую зависимости напряжения базы эмиттера (Veb) от тока эмиттера (Ie) при постоянном напряжении базы коллектора (Vbc). Напряжение базы эмиттера показано по оси X характеристик. Ток эмиттера показан по оси y. На этом рисунке показаны входные характеристики общей базовой конфигурации.

По рисунку можно отметить следующие точки:

  1. Вы можете видеть, что ток эмиттера (Ie) быстро увеличивается с небольшим увеличением базовых напряжений эмиттера (Veb).Это означает, что входное сопротивление очень маленькое.
  2. При всех напряжениях коллектор-база (Vbc) форма графика остается той же, что означает, что ток эмиттера полностью не зависит от напряжения база-коллектор (Vbc). Это приводит к выводу, что ток эмиттера не зависит от напряжения коллектора.
Входное сопротивление:

Входное сопротивление транзистора — это отношение изменения напряжения эмиттер-база (Veb) к изменению тока эмиттера (Ie).

Входное сопротивление = (изменение Vbc / изменение Ie) при постоянном Veb

Выходные характеристики:

Выходные характеристики — это графическое представление транзисторного выхода.Выходные характеристики представляют собой кривую между током коллектора (Ic) и напряжением базы коллектора (Vcb) при постоянном токе эмиттера (Ie). Здесь по оси ординат показан ток коллектора, а по оси абсцисс — напряжение базы коллектора. Характеристики транзистора с общей базой приведены ниже.

Рис

По выходным характеристикам можно отметить следующие пункты:

    Коллекторный ток
  1. (Ic) изменяется в зависимости от Vcb только при запуске или когда базовое напряжение коллектора (Vcb) ниже 1 В.Транзистор никогда не работал ниже этого напряжения.
  2. После увеличения напряжения (Vcb) выше 1-2 В ток коллектора (Ic) становится прямой горизонтальной линией. Это означает, что ток коллектора становится постоянным и превышает 1-2 В. Это означает, что ток коллектора не зависит от напряжений базы коллектора и зависит только от тока эмиттера. Это доказывает, что ток эмиттера почти течет в ток коллектора. Транзистор всегда работает в этой области.
  3. при большом изменении напряжения на базе коллектора наблюдается небольшое изменение тока коллектора.Это означает, что выходное сопротивление цепи очень высокое.
Выходное сопротивление:

Выходное сопротивление — это отношение изменения базового напряжения коллектора (Vcb) к изменению тока коллектора (Ic).

Выходное сопротивление (Ro) = изменение напряжения базы коллектора (Vcb) / изменение тока коллектора (Ic)

При постоянном токе эмиттера (Ie)

Выходное сопротивление в мегаомах очень велико. Это связано с тем, что ток коллектора не изменяется с напряжением коллектор-база.

Уравнения коллекторно-базового транзистора:

Здесь мы видим уравнения для коэффициента усиления тока и выражение для тока эмиттера.

Коэффициент усиления тока (α):

Коэффициент усиления тока — это отношение изменения выходного тока к изменению входного тока.

Для конфигурации с общей базой выходной ток транзистора равен току коллектора (Ic), а входной ток — току эмиттера (Ie).

Таким образом, для транзистора с общей базой коэффициент усиления — это отношение изменения тока коллектора (Ic) к току эмиттера (Ie).

α = ΔIc / Δ Ie при постоянном Vcb

Коэффициент усиления по току всегда меньше 1. Практическое значение коэффициента усиления по току составляет от 0,09 до 0,99.

Выражение для тока эмиттера

Как известно, весь ток эмиттера не достигает стороны коллектора. Есть небольшая комбинация дырок в электронах, которые составляют базовый ток (Ib). Кроме того, соединение база-коллектор имеет обратное смещение, так что некоторый ток утечки протекает из-за неосновного заряда.Таким образом, общий ток коллектора составляет:

Часть тока эмиттера, которая достигает клеммы коллектора, т.е. α Ie

Ток утечки, который возникает из-за движения неосновного заряда через переход база-коллектор из-за обратного смещения. Этот ток обычно намного меньше, чем α Ie

.

Полный ток коллектора (Ic) = αIe + I (утечка)

Из этого уравнения видно, что если Ie равно нулю (входная цепь разомкнута), то там всегда протекает небольшой ток утечки.Ток утечки также обозначается как Icbo. Таким образом, дальнейшее уравнение будет иметь вид

.

Уравнения 1 и 2 полезны для определения тока коллектора (Ic). С помощью этих уравнений станет ясно, что вы можете управлять током коллектора (Ic) с помощью тока базы (Ib) и тока эмиттера (Ie). Четкая концепция Icbo показана на рис.

Пример:

  1. В обычных базовых соединениях коэффициент усиления по току равен 0,9. Если ток эмиттера составляет 1 мА, найдите ток коллектора (Ic) и ток базы (Ib).

Здесь α = 0,9 и ток эмиттера = 1 мА

α = Ic / Ie

Итак, Ic = αIe

Ic = 0,9 x 1 мА

Ic = 0,9 мА

Ie = Ib + Ic

Базовый ток (Ib) = Ie — Ic = 1 мА — 0,9 мА = 0,1 мА

Таким образом, основной ток составляет 0,1 мА, а ток коллектора — 0,9 мА.

Вопрос, который вам предстоит решить:

  1. В конфигурации с общей базой ток коллектора (Ic) = 0,85, а ток базы (Ib) составляет 0,05. Итак, найти коэффициент усиления тока (α)?
  2. В стандартной базовой конфигурации α равно 0.95. Напряжение на сопротивлении 2 кОм, подключенном к коллектору, составляет 2 В. Найти базовый ток (Ib)?

Также см. Статьи по теме:

Что такое транзистор?

Транзистор NPN

Транзистор PNP

Продолжить чтение

Усилитель с общей базой | Биполярные переходные транзисторы

Последняя конфигурация транзисторного усилителя (рисунок ниже), которую нам необходимо изучить, — это усилители с общей базой . Эта конфигурация более сложна, чем две другие, и встречается реже из-за своих странных рабочих характеристик.

Усилитель с общей базой

Почему он называется усилителем с общей базой?

Это называется конфигурацией с общей базой , потому что (не считая источника питания постоянного тока), источник сигнала и нагрузка разделяют базу транзистора в качестве общей точки подключения, показанной на рисунке ниже.

Усилитель с общей базой: вход между эмиттером и базой, выход между коллектором и базой.

Возможно, наиболее яркой характеристикой этой конфигурации является то, что источник входного сигнала должен пропускать полный эмиттерный ток транзистора, как показано жирными стрелками на первом рисунке.Как мы знаем, ток эмиттера больше, чем любой другой ток в транзисторе, и представляет собой сумму токов базы и коллектора. В последних двух конфигурациях усилителя источник сигнала был подключен к выводу базы транзистора, таким образом обрабатывая наименьшего возможного тока.

Ослабление тока в усилителях с общей базой

Поскольку входной ток превышает все другие токи в цепи, включая выходной ток, коэффициент усиления по току этого усилителя на меньше, чем 1 (обратите внимание, как Rload подключен к коллектору, таким образом проводя немного меньший ток, чем у источника сигнала) .Другими словами, он ослабляет ток, а не усиливает его . В конфигурациях усилителя с общим эмиттером и общим коллектором параметр транзистора, наиболее тесно связанный с усилением, был β. В схеме с общей базой мы следуем другому базовому параметру транзистора: соотношению между током коллектора и током эмиттера, которое всегда является дробной частью меньше 1. Это дробное значение для любого транзистора называется отношением альфа и или отношением альфа.

Напряжение повышающего сигнала в усилителях с общей базой

Поскольку очевидно, что он не может повысить ток сигнала, разумно ожидать, что он повысит напряжение сигнала.Моделирование SPICE схемы на рисунке ниже подтвердит это предположение.

Схема с общей базой для анализа SPICE постоянного тока.

Усилитель с общей базой vin 0 1 r1 1 2 100 q1 4 0 2 mod1 v1 3 0 dc 15 rload 3 4 5k .model mod1 npn .dc vin 0,6 1,2 .02 .plot dc v (3,4) .end 

Функция передачи постоянного тока усилителя с общей базой n.

Обратите внимание на рисунок выше, что выходное напряжение изменяется практически с нуля (отсечка) до 15.75 вольт (насыщение) с изменением входного напряжения в диапазоне от 0,6 до 1,2 вольт. График выходного напряжения не показывает роста до 0,7 В на входе и отключается (выравнивается) примерно при 1,12 В на входе. Это представляет собой довольно большой коэффициент усиления по напряжению с диапазоном выходного напряжения 15,75 В и диапазоном входного напряжения всего 0,42 В: коэффициент усиления 37,5 или 31,48 дБ. Также обратите внимание на то, как выходное напряжение (измеренное на Rload) превышает напряжение источника питания (15 вольт) при насыщении из-за эффекта последовательного включения источника входного напряжения.

Второй набор анализов SPICE с источником сигнала переменного тока (и напряжением смещения постоянного тока) рассказывает ту же историю: высокий коэффициент усиления по напряжению

Пример схемы

Схема с общей базой для анализа SPICE AC.

Как вы можете видеть, формы сигналов на входе и выходе на рисунке ниже совпадают по фазе друг с другом. Это говорит нам о том, что усилитель с общей базой не инвертирующий.

Усилитель с общей базой vin 5 2 sin (0 0,12 2000 0 0) vbias 0 1 dc 0.95 r1 2 1100 q1 4 0 5 mod1 v1 3 0 dc 15 rload 3 4 5k .model mod1 npn .tran 0,02m 0,78m .plot tran v (5,2) v (4) .end 

Анализ AC SPICE в таблице ниже на одной частоте 2 кГц предоставляет входные и выходные напряжения для расчета усиления.

Анализ переменного тока с общей базой на частоте 2 кГц — список соединений с последующим выводом.

 Усилитель с общей базой vin 5 2 ac 0,1 sin vbias 0 1 dc 0,95 r1 2 1 100 q1 4 0 5 mod1 v1 3 0 dc 15 rload 3 4 5k .model mod1 npn .ac dec 1 2000 2000.напечатать ac vm (5,2) vm (4,3) .end frequency mag (v (5,2)) mag (v (4,3)) ———————————————— ——————— 0,000000e + 00 1.000000e-01 4.273864e + 00 

Значения напряжения из второго анализа (таблица выше) показывают усиление напряжения 42,74 (4,274 В / 0,1 В), или 32,617 дБ:

Вот еще один вид схемы на рисунке ниже, суммирующий фазовые соотношения и смещения постоянного тока различных сигналов в только что смоделированной схеме.

Фазовые соотношения и смещения для усилителя с общей базой NPN.

. . . и для транзистора PNP: рисунок ниже.

Фазовые соотношения и смещения для усилителя общей базы PNP.

Прогнозирование усиления напряжения

Прогнозирование усиления по напряжению для конфигурации усилителя с общей базой довольно сложно и включает в себя аппроксимации поведения транзистора, которые трудно измерить напрямую. В отличие от других конфигураций усилителей, в которых коэффициент усиления по напряжению либо задавался соотношением двух резисторов (общий эмиттер), либо фиксировался на неизменном значении (общий коллектор), коэффициент усиления по напряжению усилителя с общей базой во многом зависит от величины Смещение постоянного тока на входном сигнале.Как оказалось, внутреннее сопротивление транзистора между эмиттером и базой играет важную роль в определении усиления напряжения, и это сопротивление изменяется с разными уровнями тока через эмиттер.

Хотя это явление трудно объяснить, его довольно легко продемонстрировать с помощью компьютерного моделирования. Моделирование SPICE на схеме усилителя с общей базой (рисунок выше), немного изменяя напряжение смещения постоянного тока (vbias на рисунке ниже), сохраняя при этом постоянную амплитуду сигнала переменного тока и все другие параметры схемы.По мере того, как коэффициент усиления напряжения изменяется от одного моделирования к другому, будут отмечены разные амплитуды выходного напряжения.

Хотя все эти анализы будут проводиться в режиме «передаточной функции», каждый из них был сначала «проверен» в режиме анализа переходных процессов (график напряжения во времени), чтобы гарантировать, что вся волна точно воспроизводится, а не «срезается» из-за неправильное смещение. См. «* .Tran 0,02 м 0,78 м» на рисунке ниже, «закомментированный» отчет по анализу переходных процессов. Расчет усиления не может основываться на искаженных формах сигналов.SPICE может рассчитать усиление постоянного тока для слабого сигнала с помощью оператора «.tf v (4) vin». На выходе будет v (4) , а на входе vin .

усилитель с общей базой vbias = 0,85V vin 5 2 sin (0 0,12 2000 0 0) vbias 0 1 dc 0,85 r1 2 1 100 q1 4 0 5 mod1 v1 3 0 dc 15 rload 3 4 5k .model mod1 npn * .tran 0,02 м 0,78 м. tf v (4) вин. конец 
 коэффициент усиления по току усилителя с общей базой Iin 55 5 0A vin 55 2 sin (0 0,12 2000 0 0) vbias 0 1 dc 0,8753 r1 2 1100 q1 4 0 5 mod1 v1 3 0 dc 15 rload 3 4 5k.модель mod1 npn * .tran 0,02m 0,78m .tf I (v1) Iin .end Информация о передаточной функции: передаточная функция = 9.0e-01 iin входное сопротивление = 9.3e + 11 v1 выходное сопротивление = 1.000000e + 20 

Список цепей SPICE: передаточная функция с общей базой (усиление по напряжению) для различных напряжений смещения постоянного тока. Список цепей SPICE: усиление по току усилителя с общей базой; Обратите внимание на инструкцию .tf v (4) vin. Передаточная функция для усиления постоянного тока I (vin) / Iin; Примечание. Tf I (vin) Iin заявление.

В командной строке spice -b filename.Cir производит печатный вывод из-за оператора .tf : transfer_function, output_impedance и input_impedance. Сокращенный выходной листинг взят из прогонов с vbias при 0,85, 0,90, 0,95, 1,00 В, как указано в таблице ниже.

Выход SPICE: передаточная функция с общим основанием.

 Цепь: усилитель с общей базой, vbias = 0,85 В, функция передачи = 3.756565e + 01 output_impedance_at_v (4) = 5.000000e + 03 vin # input_impedance = 1.317825e + 02 Цепь: усилитель с общей базой, vbias = 0.8753V Ic = 1 мА Информация о передаточной функции: transfer_function = 3.942567e + 01 output_impedance_at_v (4) = 5.000000e + 03 vin # input_impedance = 1.255653e + 02 Цепь: усилитель общей базы vbias = 0.9V transfer_function = 4.079542e + 01 output_impedance_at_v ( 4) = 5.000000e + 03 vin # input_impedance = 1.213493e + 02 Цепь: усилитель с общей базой vbias = 0.95V transfer_function = 4.273864e + 01 output_impedance_at_v (4) = 5.000000e + 03 vin # input_impedance = 1.158318e + 02 Цепь: усилитель с общей базой vbias = 1.00V transfer_function = 4.401137e + 01 output_impedance_at_v (4) = 5.000000e + 03 vin # input_impedance = 1.124822e + 02 

Тенденция должна быть очевидна в таблице выше. С увеличением напряжения смещения постоянного тока также увеличивается коэффициент усиления по напряжению (функция_передачи). Мы можем видеть, что усиление напряжения увеличивается, потому что каждое последующее моделирование (vbias = 0,85, 0,8753, 0,90, 0,95, 1,00 В) дает большее усиление (передаточная функция = 37,6, 39,4 40,8, 42,7, 44,0) соответственно. Изменения в значительной степени связаны с незначительными изменениями напряжения смещения.

Последние три строки таблицы выше (справа) показывают усиление тока I (v1) / Iin , равное 0,99. (Последние две строки выглядят недействительными.) Это имеет смысл для β = 100; α = β / (β + 1), α = 0,99 = 100 / (100-1). Комбинация низкого коэффициента усиления по току (всегда меньше 1) и несколько непредсказуемого усиления по напряжению противоречит конструкции с общей базой, отводя ее к нескольким практическим применениям.

Эти несколько приложений включают усилители радиочастоты. Заземленная база помогает экранировать вход эмиттера от выхода коллектора, предотвращая нестабильность ВЧ-усилителей.Общая базовая конфигурация может использоваться на более высоких частотах, чем общий эмиттер или общий коллектор. См. Раздел «Усилитель мощности ВЧ-мощности 750 мВт с общей базой класса C», глава 9. Для получения более подробной схемы см. Раздел «Усилитель с высоким коэффициентом усиления и малым сигналом с общей базой класса A», раздел 9.

ОБЗОР:

  • Транзисторные усилители с общей базой называются так, потому что точки входа и выхода напряжения совместно используют общий вывод базы транзистора, без учета каких-либо источников питания.
  • Коэффициент усиления по току усилителя с общей базой всегда меньше 1. Коэффициент усиления по напряжению является функцией входного и выходного сопротивлений, а также внутреннего сопротивления перехода эмиттер-база, которое может изменяться в зависимости от смещения постоянного тока. Напряжение. Достаточно сказать, что коэффициент усиления по напряжению усилителя с общей базой может быть очень высоким.
  • Отношение тока коллектора транзистора к току эмиттера называется α. Значение α для любого транзистора всегда меньше единицы или, другими словами, меньше 1.

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:

% PDF-1.3 % 쏢 5 0 объект > ручей q 0,12 0 0 0,12 0 0 см 0 0 0 RG 0 0 0 рг q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R7 9 Тс 0,998099 0 0 1 71,9995 746,7 тм () Tj / R9 12 Тс 0,998106 0 0 1 259,68 723,42 тм [(E) 0,738704 (x) 4,06043 (p) -0,0538129 (e) -0,0538129 (r) -2,63683 (i) 1,58259 (m) -3,5859 (e) -0,0538129 (n) -0,0538129 (t) -2,53165 ()) -2,53165 (N) 0,633525 (o) -0,0535278 (.) — 2,53165 () -2,53151 (9)] TJ / R11 12 Тс 92.8158 0 Td () Tj / R13 12 Тс -46.4079 -23,82 тд () Tj / R14 12 Тс -200,66 -20,1 тд [(D) 0,633525 (E) 0,737481 (S) -0,0538129 (I) -1,74036 (G) -3,48072 (N) 0,633525 () -0,474532 (A) 0,633525 (N) 0,633525 (D) 0,633525 () -0,474532 (C) ) 0,633525 (H) -3,48072 (A) 0,633525 (R) 0,633525 (A) 0,633525 (C) 0,634748 (T) 0,737481 (E) 0,736258 (R) 0,633525 (I) -1,73913 (S) -0,0538129 (T) 0,738704 ( I) -1,73913 (C) 0,633525 (S) -0,0538129 () -0,474532 (O) -3,48072 (F) -0,158993 () -0,474532 (C) 0,633525 (O) -3,48072 (M) -2,79093 (M) -2,79338 (O) -3,48072 (N) 0,633525 () -0,474532 (B) 0,738704 (A) 0,633525 (S) -0,0538129 (E) 0.738704 () -0,474532 (A) 0,633525 (N) 0,633525 (D) 0,633525 () -0,474532 (C) 0,633525 (O) -3,48072 (M) -2,79338 (M) -2,79338 (O)] TJ 392.664 0 Тд [(N) 0,631078 () 250] ТДж ET Q 1 я 880.996 5642 3338 9.49609 пере ж q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 227,1 659,34 тм [(C) 0,633525 (O) -3,48072 (L) 0,738704 (L) 0,738704 (E) 0,738704 (C) 0,633525 (T) 0,738704 (O) -3,48072 (R) 0,633525 () -0,474532 () -0,474532 (A) 0,633525 (M) -2,79338 (P) -0,158993 (L) 0,738704 (I) -1,73913 (F) -0,158993 (I) -1,73913 (E) 0,738704 (R) 0,633525 (S) 556] TJ ET Q 1892 г.5 5474 1315 9,49609 пере ж q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 384,9 659,34 тм () Tj / R13 12 Тс -313,494 -17,04 тд () Tj / R14 12 Тс 16,98 турецких лир Т * [(1) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474562 (O) -3,48072 (б) -0,0532014 (к) -2,63561 (д) -1,84493 (в) -1,84493 (т) — 2,63561 (i) -2,53165 (v) -0,949064 (e) -1,84472 (:)] TJ ET Q 599.996 5190.5 570.496 9.49609 об. ж q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 140,46 625,32 тм () Tj -68,5899 -17,04 тд () Tj / R7 12 Тс 16.86 TL Т * [(Т) -0,15777 (ч) -0.949064 (д) -1,84493 () -0,474532 (о) -0,949064 (б) -0,949064 (к) -2,53165 (д) -1,84493 (в) -1,84493 (т) -2,53165 (i) -2,53165 (в) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37388 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (e) — 1,84431 (x) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84309 (r) -2,63561 (i) -2,53165 (m) 6,53827 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 ( i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,95151 () -0,474532 (e) -1,84431 (x) -0,949064 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (o) -0.949064 (r) -2.63683 (e) -1.84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 ()] TJ 239,734 0 Тд [(б) -0,949064 (а) -1,84187 (с) -1,73913 (и) -2,53165 (в) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (i) -2,53165 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (s) -1,73913 () -0,474532 (o) -0,949064 ( f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (b) -0,949064 (i) -2,53165 (p) -0,949064 (o) -0,949064 (l) — 2,53165 (а) -1,84431 (г) -2,63683 () -0,474532 (к) -2,53165 (и) -0,949064 (п) -0,949064 (в) -1.84431 (t) -2,5341 (i) -2,52921 (o) -0,949064 (n) -0,949064 () 250] ТДж -239,734 -16,98 тд [(t) -2,53165 (r) -2,63561 (a) -1,84493 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (s) -1,74036 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -) — 2,63561 () -0,474532 (\ () — 2,63561 (B) 0,737481 (J) -1,74036 (T) -0,15777 (\)) — 2,63561 (.) — 0,474532 () -0,474532 (A) 0,633525 () -0,474532 (c ) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53949 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,74036 (д) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,95151 (г) -0,949064 () -0,474532 (а) -1,84431 () -0.474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,946618 (л) -2,53165 (л) ) -2,53165 (д) -1,84431 (в)] ТДж 265,403 0 тд [(t) -2.53165 (o) -0.949064 (r) -2.63683 () -0.474532 (a) -1.84431 (m) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) -2.53165 (f) 2.37266 (i) ) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -2,63683 () -0,474532 (ш) 0,633525 (я) -2,53165 (л) -2,53165 (л) -2,53165 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0.474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,52921 (д) -1,84431 (с) -1,74158 (т) -2,52921 (д) -1,84431 (г) -0,949064 (.) — 0,474532 () 250] ТДж -265,403 -17,04 тд [(T) -0,15777 (h) -0,949064 (e) -1,84493 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 (e) -1,84493 (q) -0,949064 (u) -0,949064 (e) -1,84431 ( n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949064 () -0.474532 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (s) -1.74036 (p) -0.949064 (o) -0.949064 (n) -0.949064 (s) ) -1,74036 (д) -1,84431 () -0,474532 (ш) 0,634748 (я) -2,53165 (л) -2,53165 (л) -2,53165 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 () -0.474532 (м) 6,53827 (д) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,74158 (и) -0,949064 (г) -2,63683 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (а) -1,84431 ( n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (D) 0,635971 (C) 0,738704 ()] TJ 260.894 0 Тд [(v) -0,949064 (о) -0,949064 (l) -2,53165 (t) -2,53165 (a) -1,84431 (g) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,73913 ()) -0,474532 (w) 0,633525 ( и) -2,53165 (л) -2,53165 (л) -2,53165 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (п) — 0,949064 (а) -1,84431 (r) -2,63683 (д) -1.84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84921 (и) -0,949064 ( л) -2,52921 (а) -1,84431 (т) -2,52921 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () 250] ТДж -260,894 -16,98 тд [(v) -0.949064 (a) -1.84493 (l) -2.53165 (u) -0.949064 (e) -1.84493 (s) -1.74032 (.) — 0.474532 () -0.474562 (I) -2.63561 (n) -0.949064) () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (e) -1,84431 (x) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84431 (r) ) -2,63561 (i) -2,53165 (м) 6,53827 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53151 (,) — 0.474532 () -0,474562 (t) -2,53165 (r) -2,63561 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (s) -1,74036 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63683 () -0,474532 (t) -2,53165 (y) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474562 (2) -0,949064 (N) 0,633525 (3) -0,949064 (9) -0,949064 (0) -0,949064 (4) -0,949124 ()] ТДж 243,762 0 Тд [(i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (u) -0,949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 (d) -0,949124 (.) — 0,474532 ()] TJ -243,762 -16,98 тд () Tj / R14 12 Тс 17,16 турецких лир Т * [(2) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474562 (I) -1,74036 (n) -0.0532014 (т) -2,63561 (г) -1,84493 (о) -0,949064 (г) -0,0532014 (и) -0,0538129 (в) -1,84431 (т) -2,63561 (i) -2,53165 (о) -0,949064 (п) — 0,0535278 (:)] ТДж ET Q 599.996 4198.5 703.496 9.49609 об. ж q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 156,42 506,28 тм () Tj / R7 12 Тс -84,5802 -16,86 тд () Tj 13,74 турецких лир T * [(C) 0,737481 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (e) -1,84431 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) ) -2,53165 (т) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -2,63561 () -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2.53165 (i) -2,53165 (f) 2,37388 (i) -2,53165 (e) -1,84309 (r) -2,63561 (s) -1,74036 () -0,474532 (a) -1,84431 (r) -2,63561 (e) -1,84431 ( ) -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (s) -1,73913 (t) -2,53165 () -0,474532 (w) 0,633525 ( i) -2,53165 (d) -0,949124 (e) -1,84431 (l) -2,53165 (y) -0,949064 () -0,474532 (u) -0,949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () ] TJ 259.031 0 Тд [(f) 2,37266 (o) -0,949064 (r) -2,63683 (m) 6,53827 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (B) 0,738704 (J) -1,73913 (T) -0,158993) () -0.474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) ) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (u) -0,949064 (r) — 2,63683 (а) -1,84431 (т) -2,52921 (i) -2,52921 (о) -0,949064 (n) -0,949064 (с) -1,74158 (.) — 0,474532 () -0,474532 (I) -2,63683 (т) -2,52921 () 250] ТДж -259,031 -13,8 тд [(i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (m) 6,53827 (o) -0,949064 (s) -1,74036 (t) -2,53165 (l) -2,53165 (y) -0,949064 ()) -0,474532 (u ) -0.949064 (s) -1,74036 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (p) -0,949064 (r) -2,63561 (o) -0,949064 ( v) -0.949064 (i) -2.53165 (d) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.473309 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (a) -1.84431 (s) -1.74036 (o) -0.949064 (n ) -0,949064 (а) -1,84431 (б) -0,949064 (л) -2,53165 (у) -0,95151 () -0,474532 (в) -0,949064 (и) -2,53165 (г) -0,949064 (в) -0,949064 () — 0,474532 (v) -0,949064 (o) -0,949064 (l) -2,53165 (t) -2,53165 (a) -1,84431 (g) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (g)] TJ 248.09 0 Тд [(а) -1,84431 (я) -2,53165 (п) -0.949064 () -0,474532 (а) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (ш) 0,633525 (д) -1,84431 (л) -2,53165 (л) -2,53165 () -0,474532 (а) -1,84431 (с) -1.73913 () -0.474532 (s) -1.73913 (o) -0.949064 (m) 6.53827 (e) -1.84431 () -0.474532 (p) -0.949064 (o) -0.949064 (w) 0.633525 (e) -1.84431 (r) ) -2,63683 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (H) 0,633525 (o) -0,949064 (w) 0,631078 ( д) -1,84431 (в) -0,949064 (д) -1,84431 (г) -2,63683 (,) — 0,474532 () 250] ТДж -248,09 -13,8 тд [(а) -1,84493 (п) -0,949064 (о) -0,949064 (т) -2,53165 (ч) -0.949064 (e) -1,84493 (r) -2,63561 () -0,474532 (t) -2,53165 (w) 0,633525 (o) -0,949064 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37388 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63561 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (n) -0,947841 (f) 2,37388 ( i) -2,53165 (g) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (a) -1,84431 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (s) -1,74158 ( ) -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (п) -0,949064 () -0,474532 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (с) -1,73913 (о) -0,949064 () -0,474532 (б) — 0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (и) -0.949064 (s)] TJ 247.008 0 Тд [(e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (p) -0,949064 (r) -2,63683 (o) -0,949064 (v) -0,949064 ( i) -2,53165 (d) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,73913 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (e) -1,84431 () -0,474532 (p) -0,949064 (o) — 0,949064 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (g) -0,949064 (a) -1,84431 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (,) — 0,474532 () -0,474532 (o ) -0.949064 (r) -2.63683 () -0.474532 (t) -2.53165 (o) -0.953956 () -0.474532 (p) -0.949064 (r) -2.63683 (o) -0.949064 (v) -0.949064 (i) — 2.52921 (d) -0,949064 (e) -1,84431 () 250] ТДж -247,008 -13,8 тд [(s) -1,74036 (i) -2,53165 (m) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (e) -1,84493 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (t) -2,53165 ( д) -1,84431 (г) -2,63561 (ж) 2,37388 (а) -1,84431 (в) -1,84472 (д) -1,84431 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 (т) -2,53165 (ш) 0,633525 (e) -1,84431 (e) -1,84431 (n) -0,949064 () -0,474532 (v) -0,949064 (a) -1,84431 (r) -2,63561 (i) -2,53165 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (s) -1,74036 () -0,474532 (c) -1,84431 (i) -2,53165 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2.53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (w) 0,633525 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (h) -0,949064 () -0,474532 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (f) ] TJ 242.019 0 Тд [(e) -1,84431 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (m) 6,53827 (p) -0,949064 (e) -1,84431 ( г) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1,84187 () -0,474532 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -0,949064 (д) -1,84431 (л) ) -2,53165 (с) -1,73913 (.) — 0,474532 () -0,477008 ()] ТДж -242,019 -13,8 тд () Tj 13,8 турецких лир Т * [(Т) -0,15777 (ч) -0,949064 (д) -1,84493 () -0,474532 (в) -1.84493 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949124 (-) — 2,63561 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,74036 (д) -1,84431 ( ) -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (и) -2,53165 (ж) 2,37388 (и) -2,53165 (д) -1,84431 (вправо) -2,63561 () -0,474532 (c) -1.84431 (a) -1.84431 (n) -0.949064 () -0.474532 (p) -0.949064 (r) -2.63561 (o) -0.949064 (v) -0.949064 (i) -2.53165 (d) -0.949064 ( д) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 () -0,474532 (г) -2,63683 (д) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (о) -0,949064 (п) -0,949064 (а) -1,84431 (б) -0,949064 (л) -2,53165 (д) -1.84431 ()] TJ 261,495 0 тд [(l) -2,53165 (e) -1,84431 (v) -0,949064 (e) -1,84431 (l) -2,53165 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (v) -0,949064 (o) ) -0,949064 (л) -2,52921 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (и) -2,53165 (п) -0.949064 () -0.474532 (б) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (s) -1.73913 (u) -0.949064 (f) 2.37266 (f) 2.37266 (e) -1.84431 (r ) -2,63683 (т) -1,74157 ()] ТДж -261,495 -13,8 тд [(f) 2.37388 (r) -2.63561 (o) -0.949064 (m) 6.53827 () -0.474532 (l) -2.53165 (o) -0.949064 (w) 0.633525 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (p) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (e) ) -1,84431 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1,84309 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () — 0.474532 (а) -1.84431 () -0.474532 (в) -1.84431 (u) -0.949064 (r) -2.63683 (r) -2.63683 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 ( г) -0,949064 (а) -1,84431 (и) -2,53165 (п) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 () -0,474532 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (с) — 1,73913 (s)] TJ 250.855 0 Тд [() -0.474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (п) -0,949064 (д) -1,84431 (.) — 0,474532 () -0,474532 ( H) 0,633525 (o) -0,949064 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (v) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (,) — 0,474532 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) — 0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (c) -1,84431 (i) -2,53165 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,74157 ()] ТДж -250,855 -13,8 тд [(u) -0,949064 (s) -1,74036 (e) -1,84493 (d) -0,949064 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0.474532 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (h) -0,949124 (-) — 2,63561 (f) 2,37388 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (q) -0,949064 (u) -0,949064 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (у) -0,949124 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (я) -2,53165 ( в) -1,84431 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (и) -2,53165 (о) -0,949064 (п) -0,949064 (с) -1,74036 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 (в) ) -1,84431 (а) -1,84431 (и) -0,949064 (с) -1,73913 (д) -1,84431 () -0,474532 (и) -2,53165 (т) -2,53165 (с) -1,73913 () -0,474532 (т) — 2,53165 (e) -1,84431 (r)] ТДж 243,521 0 Тд [(м) 6.53827 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (а) -1,84431 (л) -2,53165 () -0,474532 (в) -1,84431 (h) -0,949064 (а) -1,84431 (r) -2,63683 (а) -1,84431 (c) -1,84431 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (c) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (а) -1,84431 (т) -2,53151 ()] ТДж -243,521 -13,8 тд [(h) -0,949064 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (h) -0,949064 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 (e) -1,84493 (q) -0,949064 (u) -0,949064 ( e) -1,84431 (n) -0,949064 (c) -1,84431 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (s) -1,74036 () -0,474532 (a) -1,84431 (r) -2,63561 (e) -1.84431 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 (т) -2,53165 (т) -2,53165 (д) -1,84309 (г) -2,63561 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0,949064 ( a) -1,84431 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (o) -0,949064 (s) -1,74158 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (a) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (n) -0,949124 (-)] TJ 250,555 0 Тд [(e) -1,84431 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 ( n) -0,949064 (е) 2,37266 (i) -2.53165 (г) -0.949064 (u) -0.949064 (r) -2.63683 (a) -1.84431 (t) -2.53165 (i) -2.53165 (o) -0.949064 (n) -0.949064 () -0.474532 (u) -0.949064 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (g) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,73913 (a) ) -1,84431 (м) 6,54071 (д) -1,84472 ()] ТДж -250,555 -13,8 тд [(t) -2,53165 (r) -2,63561 (a) -1,84493 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (s) -1,74036 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -) — 2,63561 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (T) -0,15777 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (l) -2,53165 (o) -0.949064 (w) 0,633525 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (p) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,473309 (i) -2,53165 (m) 6,53827 (p) -0.949064 (e) -1.84431 (d) -0.949064 (a) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (e) -1.84676 () -0.474532 (o) -0.949064 (f) 2.37266 () -0.474532 ( t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (n) -0,946618 ()] TJ 255.123 0 Тд [(б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (д) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (и) -2,53165 ( е) 2.37266 (i) -2.53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (w) 0,633525 (i) -2,53165 (l) -2,53165 (l) -2,53165 () -0,474532 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (m) ) 6.53827 (i) -2.53165 (t) -2.53165 () -0.474532 (i) -2.53165 (t) -2.53165 (s) -1.73913 () -0.474532 (u) -0.949064 (s) -1.73913 (e) -1.84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () 250] ТДж -255,123 -13,8 тд [(s) -1,74036 (p) -0,949064 (e) -1,84493 (c) -1,84493 (i) -2,53165 (a) -1,84493 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (z) -1,84493 (e) -) — 1,84493 (г) -0,949064 () -0,474532 (R) 0,737481 (F) -0,0538129 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (р) -0.949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (o) -0,949064 (n) -0,949124 (s) -1,74036 (.) — 0,474562 ()] ТДж () ‘ T * [(T) -0,15777 (h) -0,949064 (e) -1,84493 () -0,474532 (c) -1,84493 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (n) -0,949064) () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -1,84431 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (г) -2,63561 ( ) -0.474532 (в) -1.84431 (о) -0.947841 (n) -0.949064 (f) 2.37388 (i) -2.53165 (g) -0.949064 (u) -0.949064 (r) -2.63561 (a) -1.84431 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (о) -0.949064 (н) -0,95151 (,) — 0,474532 () -0,474532 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (с) -1,73913 (о) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (г) -0,949064 ( р) -0,949064 (и) -2,53165 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (у) -0,946618 ()] ТДж 250.314 0 Тд [(k) -0,949064 (n) -0,949064 (o) -0,949064 (w) 0,633525 (n) -0,949064 () -0,474532 (a) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (e) -1,84431 (m) ) 6.53827 (i) -2.53165 (t) -2.53165 (t) -2.53165 (e) -1.84431 (r) -2.63683 () -0.474532 (f) 2.37266 (o) -0.949064 (l) -2.53165 (l) -2.53165 (o) -0.949064 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (,) — 0.474532 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (u) -0,949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0,474532 (p) -0,953956 (r) ) -2,63683 (i) -2,52921 (м) 6,54071 (a) -1,84431 (r) -2,63683 (i) -2,52921 (l) -2,52921 (y) -0,949064 () 250] TJ -250,314 -13,8 тд [(а) -1,84493 (с) -1,74036 () -0,474532 (а) -1,84493 (п) -0,949064 () -0,474532 (я) -2,53165 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (д) -1,84431 (г) ) -0.949064 (а) -1.84431 (п) -0.949064 (в) -1.84431 (д) -1.84431 () -0.474532 (б) -0.949064 (и) -0.949064 (ж) 2.37388 (ж) 2.37388 (д) -1.84431 (г) -2,63561 () -0,474532 (с) -1.74036 (т) -2,53165 (а) -1,84309 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (р) -0,949064 (г) -2,63561 ( д) -1,84431 (в) -0,95151 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (а) -1,84431 () -0,474532 (л) -2,53165 (о) -0,949064 (ш) 0,633525 () -0,474532 (i) -2,53165 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (e) -1,84187 (d)] TJ 253,5 0 тд [(а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1,84431 () -0,474532 (л) -2,53165 (о) -0,949064 (а) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 ( е) 2,37266 (г) -2,63683 (о) -0,949064 (м) 6,53827 () -0,474532 (л) -2,53165 (о) -0.949064 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (и) -2,53165 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (а) -1,84431 () -0,474532 (с) -1,73913 (т) -2,53165 ( а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (ш) 0,633525 (i) -2,53165 (т) -2,53165 (в) -0,953956 () 250] ТДж -253,5 -13,8 тд [(r) -2,63561 (e) -1,84493 (l) -2,53165 (a) -1,84493 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (v) -0.949064 (e) -1,84493 (l) -2,53165 (y) -) — 0,949064 () -0,474532 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (h) -0,949064 () -0,474532 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 (p) -0,949064 ( u) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (i) -2.53165 (м) 6,53827 (п) -0,947841 (д) -1,84431 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1,84431 (.) — 0,474532 () -0,474532 ( T) -0,15777 (h) -0,95151 (e) -1,84431 () -0,474532 (e) -1,84431 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (ж) 2,37266 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (о)] TJ 246.347 0 Тд [(ш) 0,633525 (д) -1,84431 (в) -2,63683 () -0,474532 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (а) -1,84431 () -0,474532 (в) -0,949064 (i) -2,53165 (г) -0,949064 (h) -0,949064 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0.949064 (p) -0,95157 (u) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (e) -1,84431 (d) -0,949064 (a) -1,84431 ( n) -0.949064 (c) -1.84431 (e) -1.84431 () -0.474532 (a) -1.84431 (n) -0.949064 (d) -0.949064 () -0.474532 (l) -2.52921 (o) -0.949064 (w) 0,631078 () 250] ТДж -246,347 -13,8 тд [(o) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 (p) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (i) -2.53165 (m) 6.53827 (p) -0.949064 ( д) -1,84431 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1,84431 (,) — 0,474532 () -0,474532 (ш) 0,633525 (в) -0,949064 (и) -2.53165 (c) -1,84431 (h) -0,949064 () -0,473309 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (a) -1,84431 (l) -2,53165 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (s) ) -1,74036 (т) -2,53165 () -0,474532 (д) -1,84676 (кв) -0,949064 (и) -0,949064 (а) -1,84431 (л) -2,53165 () -0,474532 (т) -2,53165 (о) — 0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (e) -1,84431 (m) 6,53827 (i) -2,52921 (t)] TJ 250.915 0 Тд [(t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165) (а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1.84431 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (T) -0,158993 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (v) -0,949064 (o) -0,949064 (l) -2,53165 (t) ) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (и) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 (о) — 0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,5341 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () 250] TJ -250,915 -13,8 тд [(e) -1,84493 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 (e) -1,84493 (r) -2,63561 ()) -0,474532 (f) 2,37388 (o) -0,949064 (l ) -2,53165 (л) -2,53165 (о) -0,949064 (ш) 0,633525 (д) -1,84431 (г) -2.63561 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (l) -2,53165 (e) -1,84431 (s) -1,74036 (s) -1,74036 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) ) -0,949064 (а) -1,84309 (п) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (п) -0,949064 (д) -1,84431 (,) — 0,474532 () -0,474532 (б) -0,949064 (и) — 0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (t) -2,53165 () -0,474532 (h) -0,949064 (a) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) ) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (о)] ТДж 232,761 0 Тд [(n) -0.949064 (a) -1.84431 (b) -0.946618 (l) -2.53165 (y) -0.949064 () -0.474532 (h) -0.949064 (i) -2.53165 (г) -0,949064 (в) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (г) -2,63683 (вправо) -2,63683 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (U) 0,633525 (n) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (k) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (м) 6,53582 ( m) 6.54071 (o) -0.949064 (n) -0.949064 () 250] TJ -232,761 -13,8 тд [(e) -1,84493 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 (e) -1,84493 (r) -2,63561 () -0.474532 (а) -1,84493 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (и) -2,53165 (ж) 2,37388 (и) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -2,63561 (,) — 0,474532 ( ) -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (о) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 (р) -0,947841 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84676 () -0,474532 (о) -0,949064 (е) 2,37266 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53835 (о) -0,949064 (n)] TJ 249.773 0 Тд [() -0.474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -1,84431 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (вправо) -2,63683 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (i) -2,53165 (с) -1,73913 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 (p) -0,949064 (h) -0,949064 (a) -1,84431 (с) -1,73913 (e) -1,84431 () -0,474532 (w) 0,633525 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (h) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,52921 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (i) — 2,52921 (п) -0,949064 (п) -0,949064 (н) -0.949064 (т) -2,52921 () 250] ТДж -249,773 -13,8 тд [(v) -0,949064 (o) -0,949064 (l) -2,53165 (t) -2,53165 (a) -1,84493 (g) -0,949064 (e) -1,84493 (.) 250] TJ / R7 10.02 Тс 0,998105 0 0 1 110,4 227,28 тм () Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 71,9995 210,24 тм () Tj 16,98 турецких лир Т * [(3) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 () 250] ТДж / R14 12 Тс 15.0285 0 тд [(P) -0,15777 (r) -1,84493 (e) -1,84472 (-) — 2,63561 (L) 0,737481 (a) -0,949064 (b) -0,0538129 () -0,474532 (w) 5,64302 (o) -0,949064 (r) ) -1,84431 (к) -5,0633 (:) 333] ТДж ET Q 599.996 1590.5 760.996 8.99609 re ж q 8.33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 163,32 193,26 тм () Tj / R7 12 Тс -91,4933 -17,28 тд () Tj 17,22 турецких лир T * [(D) 0,633525 (e) -1,84493 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) — 1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (i) -2,53165 (r) -2,63561 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 () -0,474532 (s) -1,74036 ( h) -0.949064 (o) -0.949064 (w) 0.633525 (n) -0.949064 () -0.474532 (i) -2.53043 (n) -0.949064 () -0.474532 (F) -0.0538129 (i) -2.53165 (g) — 0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1.84431 (с) -1,74036 () -0,475785 (1) -0,949064 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474562 (2) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (y) -0,949064 () -0,474532 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (l) -2,53165 (c)] TJ 247.429 0 Td [(u) -0.949064 (l) -2.53165 (a) -1.84431 (t) -2.53165 (i) -2.53165 (n) -0.949064 (g) -0.949064 () -0.474532 (t) -2.53165 (h) -0.949064) (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (и) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) ) 2,37266 () -0,474532 (R) 667,001] ТДж / R7 7,98 Тс 0,998091 0 0 1 427.74 157,26 тм (1) Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 431,76 158,76 тм [(,) — 0,474532 () -0,474532 (R) 667,001] ТДж / R7 7,98 Тс 0,998091 0 0 1 445,74 157,26 тм (2) Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 449,76 158,76 тм [(,) — 0,474532 () -0,474532 (R) 667,001] ТДж / R7 7,98 Тс 0,998091 0 0 1 463,74 157,26 тм (3) Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 467,76 158,76 тм [() -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (R) 667,001] TJ / R7 7,98 Тс 0,998091 0 0 1 499,08 157,26 тм (4) Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 503,1 158,76 тм [(.) — 0,474532 () 250] ТДж -431.918 -17,28 тд [(2) -0,949064 (N) 0,633525 (3) -0,949064 (9) -0,949064 (0) -0,949064 (4) -0,949124 () -0,474532 (N) 0,633525 (P) -0,0538129 (N) 0,633525 () — 0,474532 (t) -2,53165 (r) -2,63561 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (s) -1,74036 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) — 2,63561 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (b) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (u) -0,949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 (d) -0,950347 (.) — 0,474532 () -0,474562 (I) -2,63683 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (i) -2.53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n)] TJ 247.429 0 Td [() -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (b) -0,949064 (i) -2,53165 (a) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (v) ) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (б) -0,949064 (д) -1,84431 (т) -2,53165 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (e) -1,84431 (n) -0,949064 () -0,474532 (e) -1,84431 (m) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 ( д) -1,84431 (г) -2,63683 () -0,474562 (а) -1,84431 (п) -0.949064 (d) -0,949064 () 250] TJ -247,429 -17,22 тд [(в) -1,84493 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (д) -1,84493 (в) -1,84493 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (г) -2,63561 () -0,474532) (s) -1,74036 (h) -0,949064 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (l) -2,53165 (d) -0,949064 () -0,474532 (b) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474562 (5 ) -0,949064 (V) 0,633525 () -0,474532 (D) 0,633525 (C) 0,737665 (.) — 0,474532 () -0,474562 (T) -0,15777 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (q) -0,949064 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (c) -1,84431 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2.53165 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -1,84431 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (г) -2,63683 ()] TJ 250,434 0 тд [(c) -1,84431 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,73913) () -0,474562 (1) -0,949064 (м) 6,53827 (A) 0,633261 (.) — 0,474532 () -0,474562 (T) -0,158993 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (s) -1,73913 (h) -0,949064 (o) -0,949064 (u) -0,949064 ( л) -2.53165 (d) -0,949064 () -0,474532 (p) -0,949064 (r) -2,63683 (o) -0,949064 (v) -0,949064 (i) -2,52921 (d) -0,949064 (e) -1,84431 () 250] TJ -250,434 -17,28 тд [(м) 6.53827 (a) -1.84493 (x) -0.949064 (i) -2.53165 (m) 6.53827 (u) -0.949064 (m) 6.53827 () -0.474532 (p) -0.949064 (o) -0.949064 (s) -1,74036 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (b) -0,949064 (l) -2,53165 (e) -1,84431 () -0,474532 (v) -0,949064 (o) -0,949064 (l) -2,53165 (t) — 2,53165 (a) -1,84431 (g) -0,947841 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,74036 (w) 0,633525 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (g) -0,949064 () -0,474532 (a) ) -1,84431 (т) -2.53165 () -0,476978 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) ) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (o) -0,946618 (u) -0,949064 (t)] TJ 256.145 0 Тд [(p) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 (.) — 0,474532 () -0,477008 ()] TJ / R14 12 Тс -256,145 -17,34 тд () Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 6 0 объект 27092 эндобдж 17 0 объект > ручей q 0,12 0 0 0,12 0 0 см 0 0 0 RG 0 0 0 рг q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 71,9995 741,36 тм () Tj 236.04 TL () ‘ ET Q 599.996 4190.5 24.9961 9.49609 об. ж q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 74,9995 505,32 тм [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () ] TJ ET Q q 2770,5 0 0 1945 1250 4211 см / R19 Do Q q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0.998106 0 0 1 482,46 505,32 тм () Tj -411,239 -14,58 тд () Tj 17,28 турецких лир () ‘ 17,22 турецких лир () ‘ 17,28 турецких лир () ‘ 260,58 турецких лир T * [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () 250] ТДж ET Q q 2170 0 0 2150 999,996 1486,5 см / R20 Do Q q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 380,4 178,38 тм () Tj -308,985 -14,64 тд () Tj 17,28 турецких лир () ‘ / R7 12 Тс 17,1 турецких лир Т * [() -0.474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (32) -0,4 ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,4745732 () -0,4745732 () -0,4745732 () -0,474532 () ) -0,474532 () -0,474532 () -0,473309 () -0,474532 () -0.474532 () -0,474532 () -0,475785 ()] TJ / R14 12 Тс 17,4 турецких лир () ‘ 17,22 турецких лир () ‘ 17,28 турецких лир () ‘ / R7 12 Тс 52,0586 405,78 тд [(F) -0,0538129 (i) -2,53165 (г) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474562 (1) -0,949064 (-) — 2,63561 () -0,474532 ( C) 0,737481 (i) -2,53165 (r) -2,63561 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 () -0,474532 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (a) -1,84431 (г) -0,949064 (г) -2,63561 (а) -1,84431 (м) 6,53827 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) ) -1,84431 () -0,474532 (в) -1.84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (д) -1,84431 () -0,474532 (B) 0,738704 (Дж) -1,73913 (T) -0,158993 () -0,474532 (a) -1,84431 (м)] TJ 264.02 0 Тд [(p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63439 ()) -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 ( n) -0.949064 (f) 2.37266 (i) -2.53165 (g) -0.949064 (u) -0.949064 (r) -2.63683 (a) -1.84431 (t) -2.53165 (i) -2.53165 (o) -0.949064 (n) ) -0,949064 (.) — 0,477008 ()] ТДж -274,841 -338,94 тд [(F) -0.0532014 (i) -2.53165 (г) -0,949064 (и) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474562 (2) -0,949064 (-) — 2,63561 () -0,474532 (C) 0,737481 (i) -2,53165 (r) ) -2,63561 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (и) -2,53165 (т) -2,53165 () -0,474532 (г) -0,949124 (и) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (г) -2,63561 (а) -1,84431 (м) 6,53827 () -0,474532 (о) -0,949064 (е) 2,37266 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (д) -1,84431 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (т) -2,53165 (т) ) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -2.63683 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p)] TJ 259.692 0 Тд [(l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 ()) -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (n) -0,949064 ( f) 2,37266 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (a) -1,84431 (t) -2,53165 (i) -2,52921 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (. ) -0,477008 ()] TJ ET Q Q конечный поток эндобдж 18 0 объект 3472 эндобдж 24 0 объект > ручей q 0,12 0 0 0,12 0 0 см 0 0 0 RG 0 0 0 рг q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 71,9995 741,36 тм () Tj 17,28 турецких лир Т * [(4) -0.949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474562 (L) 0,737481 (a) -0,949064 (b) -0,0532014 () -0,474532 (w) 5,64302 (o) -0,949064 (r) -1,84431 (k) — 5.0633 (:) 333] TJ ET Q 599.996 6013.5 577.496 9.49609 об. ж q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R14 12 Тс 0,998106 0 0 1 141,3 724,08 Тм () Tj -69,4315 -17,22 тд () Tj / R7 12 Тс 18,0342 -13,68 тд [(a) -1,84493 (.) — 0,474562 () -556,528 (C) 0,737481 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (c) -1,84431 (t) -2,53165 ( ) -0,474532 (т) -2,53165 (з) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0.949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,74036 (д) -1,84309 () -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (c) -1,84431 ( i) -2,53165 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 () -0,474532 (y) -0,949064 (o) -0,949064 (u) -0,949064 () -0,474532 (d) -0,949064 (e)] TJ 261,495 0 тд [(s) -1,73669 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (d) -0,95157 (.) — 0,474532 () -0,474562 (S) -0,0538129 (e) -1) .84431 (т) -2,53165 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (и) -0,949064 ( д) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (о) -0,949064 (е) 2,37266 () -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (а) -1,84431 (в) — 1,84431 (i) -2,52921 (t) -2,52921 (o) -0,949064 (r) -2,63683 (s) -1,74158 () -0,474532 (C) 0,738702 (1) -0,949064 (,) — 0,474532 () 250] TJ -243,461 -14,64 тд [(C) 0,737481 (2) -0,949064 (,) — 0,474532 () -0,474562 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (C) 0,737665 (3) -0,949064 () — 0,474532 (т) -2.53165 (o) -0,949064 () -0,474562 (1)] TJ / R26 12 Тс 75.8036 0 тд (м) Tj / R7 12 Тс 6.9131 0 Тд [(F) -0,0538129 () -0,474532 (д) -1,84431 (а) -1,84431 (в) -1,84431 (з) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (М) -2,68942 (а) -1,84431 ( k) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (s) -1.73913 (u) -0.949064 (r) -2.63683 (e) -1.84431 () -0.474532 (t) -2.53165 (h) -0.949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (p) -0,949064 (o) -0,949064 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (v) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (п) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -2,63683 (и) -2.53165 (t) -2,53165 (y) -0,949064 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (e) ) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (а)] ТДж 242.139 0 Тд [(p) -0.946618 (a) -1.84431 (c) -1.84431 (i) -2.53165 (t) -2.53165 (o) -0.949064 (r) -2.63683 (s) -1.73913 () -0.474532 (a) -1.84431) (r) -2,63683 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84921 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (c) -1,84431 (t) -2,52921 ( д) -1,84431 (г) -0,949064 () 250] ТДж -324,855 -14,7 тд [(т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0.949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (h) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63561 () -0,474532 (p) -0,949064 ( o) -0.949064 (s) -1.74036 (i) -2.53165 (t) -2.53165 (i) -2.53165 (v) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (v) -0.949064 (o) -0.949064 (l ) -2,53165 (т) -2,53043 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84676 () -0,474532 (я) -2,53165 (п) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) — 0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (i) -2,53165 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (.) — 0,474532 () -0,474532 (S) -0,0538129 (e) -1.84431 (т) -2,53165 ()] ТДж 228.914 0 Тд [(R) 667.001] ТДж / R7 7,98 Тс 0,998091 0 0 1 344,46 662,34 тм (L) Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 349,32 663,84 тм [() -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (b) -0,949124 (e) -1,84431 () -0,474562 (1) -0,949064 () -0,474532 (k) 500] TJ / R26 12 Тс 44.7848 0 Тд (Вт) Tj / R7 12 Тс 9,25754 0 тд [() -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,73913 (u) ) -0.949064 (p) -0.949064 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (y) -0.949064 () -0.474532 (v) -0.949064 (о) -0,949064 (л) -2,52921 (т) -2,52921 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,52921 (о) -0,949064 () 250] ТДж -295,82 -13,8 тд [(1) -0,949064 (5) -0,949124 (V) 0,633525 () -0,474532 (D) 0,633525 (C) 0,737665 (,) — 0,474532 () -0,474562 (а) -1,84431 (s) -1,74036 () -0,474532) (s) -1,74036 (h) -0,949064 (o) -0,949064 (w) 0,633525 (n) -0,949064 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 (F) -0,0538129 (i) -2,53165 (г) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474562 (3) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474562 (M) -2,6882 (e) -1 .84431 (a) -1,84431 (s) -1,73913 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 ( D) 0,633525 (C) 0,738704 () -0,474532 (b) -0,949064 (i) -2,53165 (a) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (v)] TJ 262.938 0 Тд [(о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (д) -1,84472 (,) — 0,474532 () -0,474562 (д) -1,84431 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (т) -2.53165 (т) -2,52921 (д) -1,84431 (г) -2,63683 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,52921 (ч) -0,949064 ( д) -1,84431 () 250] ТДж -262,938 -13,8 тд [(c) -1,84493 (о) -0,949064 (l) -2,53165 (l) -2,53165 (e) -1,84431 (c) -1,84431 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63561 (.) -) — 0,474532 () -0,474532 (В) 0,737481 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 ( ) -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,947841 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -1.84676 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63683 () -0,474532 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (.) — 0,474532 () -0,474532 (C) 0,738704 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (a) -1,84431 (r) -2,63683 (e)] TJ 243,822 0 Тд [() -0,472086 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (s) -1,73913 (u) -0,949064 (r) ) -2,63683 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (т) -1,73913 () -0,474532 (ш) 0.633525 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (h) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,5341 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (d) -0,949064 (e) -1,84431 ( s) -1,74158 (i) -2,52921 (g) -0,949064 (n) -0,949064 () 250] TJ -243,822 -13,8 тд [(i) -2,53165 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064) () -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (и) -2,53165 ( о) -0,949064 (n) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (T) -0,15777 (а) -1,84309 (б) -0.949064 (u) -0,949064 (l) -2,53165 (a) -1,84431 (t) -2,53165 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 ( m) 6.53827 (e) -1.84431 (a) -1.84431 (s) -1.73913 (u) -0.949064 (r) -2.63683 (e) -1.84472 (d) -0.949064 () -0.474532 (v) -0.949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (s)] TJ 244,784 0 Тд [(u) -0,949064 (s) -1,73913 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (l) -2,53165 ( в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (и) -2,53165 (а) ) -1.84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,74158 () -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () 250] TJ -244,784 -13,8 тд [(c) -1,84493 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (.) — 0,474562 ())] TJ -36,0683 -13,8 тд () Tj 18,0342 -258,96 тд [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () ) -0,474532 () -0,474532 () -0.474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (32) -0,4 ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () 250] TJ ET Q q 2365 0 0 2135 1675 2799 см / R27 Do Q q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 484,8 335,88 тм () Tj -413,584 -11,04 тд [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0.474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (32) -0,4 ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,473309 () -0,474532 () -0,474532 () -0,4745732 () -0,4745732 () -0,4745732 () -0,474532 () -0,474532 () ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,475785 ()] TJ 13.8 лир T * [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474562 ()] TJ / R7 25.98 Тс 0,998106 0 0 1 71,9995 297,24 тм [() 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () 0,103943 () ) 250] TJ / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 182.16 297,24 тм () Tj -92,3349 -13,8 тд () Tj Т * [(б) -0,949064 (.) — 0,474562 () -501,424 (М) -2,68942 (д) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,74036 (и) -0,949064 (г) -2,63561 (д) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (q) -0,949064 (u) -0,949064 ( e) -1,84431 (n) -0,949064 (c) -1,84431 (y) -0,949064 () -0,474532 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (p) -0,949064 (o) -0,95151 (n ) -0,949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0.474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 ()] TJ 254.282 0 Тд [(s) -1,73913 (t) -2,53165 (a) -1,84187 (r) -2,63683 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (g) -0,949064 ()) -0,474532 (f) 2,37266 ( r) -2,63683 (o) -0,949064 (м) 6,53827 () -0,477008 (1) -0,949064 (0) -0,949064 (0) -0,949124 () -0,474532 (H) 0,633525 (z) -1,84472 (.) — 0,474532 () -0,474562 (C) 0,738704 (h) -0,949064 (a) -1,84431 (n) -0,949124 (g) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,52921 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (т) -2.52921 (e) -1,84431 (s) -1,74158 (t) -2,52921 () 250] ТДж -236,248 -13,8 тд [(f) 2.37388 (r) -2.63561 (e) -1.84493 (q) -0.949064 (u) -0.949064 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949064 () -0.474532 ( т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (в) -0,949064 (д) -1,84431 (г) -2,63561 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (u) -0.949064 (p) -0.949064 (p) -0.947841 (e) -1.84431 (r) -2.63683 () -0.474532 (c) -1.84431 (u) -0.949064 (т) -2,53151 (-) — 2,63683 (о) -0,949064 (е) 2,37266 (е) 2,37266 () -0,474532 (е) 2,37266 (г) -2.63683 (д) -1,84431 (кв) -0,949064 (и) -0,949064 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (у) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 ( ) -0,474532 (т)] ТДж 244,543 0 Тд [(h) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (a) -1.84431 (m) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) -2.53165 (f) 2.37266 (i) -2.53165 (e) ) -1.84431 (r) -2.63683 (.) — 0.474532 () -0.474532 (T) -0.158993 (h) -0.949064 (r) -2.63683 (o) -0.949064 (u) -0.949064 (g) -0.949064 (h) -0,949064 () -0,474532 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () 250] TJ -244.543 -13,8 тд [(м) 6.53827 (e) -1.84493 (a) -1.84431 (s) -1.74036 (u) -0.949064 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (m) 6.53827 (e) -1.84431 (n) -0.949064 ( t) -2,53165 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37388 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 ( e) -1,84431 (q) -0,949064 (u) -0,949064 (e) -1,84309 (n) -0,949064 (c) -1,84676 (y) -0,949064 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (s) ) -1,73913 (п) -0,949064 (о) -0,949064 (п) -0,949064 (с) -1,73913 (д) -1,84431 (,) — 0,474532 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (п) -0.949064 (ж) -2.53165 (у) -0.949064 () -0,474532 (l) -2,53165 (o) -0,949064 (w) 0,633525 () -0,472086 (i) -2,53165 (n)] TJ 257.167 0 Td [(p) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (s) -1.73913 (i) -2.53165 (g) -0.949064 (n) -0.949064 (a) -1.84431 (l) -2.53165) () -0,474532 (l) -2,53165 (e) -1,84431 (v) -0,949064 (e) -1,84431 (l) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (\ () — 2,63683 (i) -2,53165 ( n) -0.949064 () -0.474532 (t) -2.53165 (h) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (o) -0.949064 (r) -2.63683 (d) -0.953956 (e) -1.84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (о) -0,949064 (е) 2,37266 () -0,474532 (е) 2.37266 (e) -1,84431 (w) 0,63 1078 () 250] TJ -257,167 -13,8 тд [(м) 6.53827 (i) -2.53165 (l) -2.53165 (l) -2.53165 (i) -2.53151 (-) — 2.63561 (V) 0,633525 (o) -0.949064 (l) -2.53165 (t) -2.53165 ( s) -1,74036 (\)) — 2,63561 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (u) -0,949064 (r ) -2,63561 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (т) -2,53165 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0,949064 (д) — 1,84431 () -0,474532 (о) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (р) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0.474532 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 (a) -1,84431 (l) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 ( n)] TJ 231.198 0 Td [(o) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63683 (t) -2,52921) (e) -1,84431 (d) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (M) -2,6882 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (o) -0,949064 ( r) -2,63683 () -0,477008 (b) -0,949064 (o) -0,949064 (t) -2,53165 (h) -0,949064 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (p) -0,949064 (u) -0.949064 (т) -2.53165 () -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () 250] TJ -231,198 -13,8 тд [(o) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 (p) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (w) 0.633525 (a) -1.84431 (v) -0.949064 ( д) -1,84431 (ж) 2,37388 (о) -0,949064 (г) -2,63561 (м) 6,53827 (с) -1,74036 () -0,474532 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,947841 (s) -1,74036 (c) -1,84676 (i) -2,53165 (l) -2,53165 (l) -2,53165 (o) -0,949064 ( с) -1,73913 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (п) -0,949064 (д) -1,84431 (.) — 0,474532 () -0.474532 () -0,474562 ()] TJ -36,0683 -13,8 тд () Tj 36,0683 -14,7 тд [(I) -2,63561 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (e) -1,84431 (r) -2,63561 (t) -2,53165 () -0,474532 (R) 0,737665 (5) -0,949064 ()) -0,474532 (= ) -2,07302 () -0,474562 (2) -0,949064 (0) -0,949064 (0) 500] ТДж / R26 12 Тс 75.3227 0 Тд (Вт) Tj / R7 12 Тс 9,25754 0 тд [() -0.474532 (b) -0.949064 (e) -1.84431 (t) -2.53165 (w) 0,633525 (e) -1.84431 (e) -1.84431 (n) -0.949064 () -0.474532 (t) -2.53165 (h) ) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (s) -1.73913 (o) -0.949064 (u) -0.949064 (r) -2.63683 (c) -1.84431 (e) -1.84431 () -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (o ) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (д) -1,84431 () -0,474532 ( a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63439 () -0,474532 (i)] TJ 256.145 0 Тд [(п) -0,949064 (р) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (р) -0,949064 (г) -2,63683 ( д) -1,84431 (в) -0.949064 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,52921 () 250] TJ -340,725 -13,8 тд [(e) -1,84493 (x) -0,949064 (c) -1,84431 (e) -1,84431 (s) -1,74036 (s) -1,74036 (i) -2,53165 (v) -0,949064 (e) -1,84431 ()) -0,474532 (л) -2,53165 (о) -0,949064 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (и) -2,53165 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37388 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,95151 (a) -1,84431 (l) — 2,53165 () -0,474532 (s) -1,73913 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (e) -1,84431 () -0.474532 (б) -0.949064 (y) -0.949064 () -0.474532 (t) -2.53165 (h) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (f) 2.37266 (a) -1.84431 (i) -2.53165 (r) ) -2,63683 (л)] ТДж 238.111 0 Td [(y) -0.949064 () -0.472086 (l) -2.53165 (o) -0.949064 (w) 0.633525 () -0.474532 (i) -2.53165 (n) -0.949064 (p) -0.949064 (u) -0.949064 (t) ) -2,53165 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (c) -1,84431 (д) -1,84431 () -0,474532 (о) -0,949064 (е) 2,37266 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (а) -1.84431 (м) 6,53582 (p) -0,949064 (l) -2,52921 (i) -2,52921 (f) 2,37266 (i) -2,52921 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (.) — 0,474562 ()] TJ -238,111 -13,8 тд () Tj Т * [(б) -0,949064 (.) — 0,474532 (1) -0,949064 () -0,474532 () -0,474532 (П) -0,0538129 (л) -2,53165 (о) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,949064 (b) -0,949064 (t) -2,53165 (a) -1,84431 (i) -2,53165 (n) -0,949064 ( д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (е) 2,37358 (г) -2,63561 (д) -1,84431 (в) -0,949064 (и) -0,949064 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (г) -0.949064 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (p) -0,949064 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 (.) — 0,474532 () -0,474532 (O) 0,633525 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (m)] TJ 249.593 0 Тд [(д) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (и) -0,949064 (г) -2,63683 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (п) -0,949064 (л) -2,53165) (o) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (c) -1.84431 (l) -2.53165 (e) -1.84431 (a) -1.84431 (r) -2.63683 (l) -2.53165 (y) -0.949064 ( ) -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,946618 (d) -0.949064 (i) -2,53165 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (t) -2,53165 (e) -1,84921 () -0,474532 (t) -2,52921 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 ( ) -0,474562 ()] TJ -249,593 -13,8 тд [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (l) -2,53165 (o) -0,949064 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (r ) -2.63561 () -0.474532 (а) -1.84431 (n) -0.949064 (г) -0.949064 () -0.474532 (u) -0.949064 (p) -0.949064 (p) -0.949064 (e) -1.84431 (r) — 2.63561 () -0.474532 (в) -1.84431 (u) -0.949064 (t) -2.53151 (-) — 2.63561 (o) -0.949064 (f) 2.37388 (f) 2.37388 () -0.474532 (е) 2,37266 (г) -2,63683 (д) -1,84431 (в) -0,949064 (н) -0,949064 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (я) -2,53165 (д) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (a)] TJ 232,521 0 Тд [(м) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) -2.53165 (f) 2.37266 (i) -2.53165 (e) -1.84431 (r) -2.63683 (.) — 0.474532 ()) -0.474562 ()) ] TJ -232,521 -13,8 тд [(б) -0,949064 (.) — 0,474532 (2) -0,949064 () -0,474532 () -0,474532 (Ш) 7,2256 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (т) -2,53165 () -0,474532 (и) -2,53165 (т) -1.74036 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (г) -0,949124 (-) — 2,63561 (б) -0,949064 (а) ) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (я) -2,53165 (п) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (?) — 6,85421 ()] TJ Т * [(с) -1,84493 (.) — 0,474532 (3) -0,949064 () -0,474532 () -0,474532 (С) 0,737481 (а) -1,84431 (л) -2.53165 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,53165 (з) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37388 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63561 () — 0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 (ш) 0,633525 (и) -2,53165 (г) -0,949064 (т) -2,53165 (в) -0,949124 (.) — 0,474532 ()] TJ () ‘ () ‘ 97,2643 233,4 тд [(F) -0,0538129 (i) -2,53165 (г) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474562 (3) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0.474562 (C) 0,738704 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (b) -0,949064 (a) -1,84431 (s) -1,73913 (e) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (р) -0,949064 (л) -2,53165 (я) -2,53165 (ж) 2,37266 (я) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -2,63683 ( ) -0.474532 (в) -1.84431 (i) -2.53165 (r) -2.63683 (c) -1.84431 (u) -0.949064 (i) -2.53165 (t) -2.53165 () -0.474532 (u) -0.949064 (n) -0,949064 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (t) -2,53151 (.)] TJ 249,533 0 Тд () Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 25 0 объект 18892 эндобдж 31 0 объект > ручей q 0.12 0 0 0.12 0 0 см 0 0 0 RG 0 0 0 рг q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 108 744,96 тм () Tj -18,0342 -14,7 тд [(c) -1,84493 (.) — 0,474562 () -556,528 (I) -2,63561 (f) 2,37388 () -0,474532 (y) -0,949064 (o) -0,949064 (u) -0,949064 () -0,474532 (k) -0.949064 (n) -0.949064 (o) -0.949064 (w) 0,633525 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0.949064 (a) -1,84431 (t) -2,53165 () -0,474532 (t) -2,53165 ( h) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (o) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 (p) -0.949064 (u) -0.947841 (t) -2.53165 () -0.474532 (\ ( ) -2,63683 (i) -2.53165 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (n) -0,949064 (a) -1,84431 (l) -2,53165 (\)) — 2,63683 () -0,474562 (r) — 2,63683 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (c)] TJ 242,499 0 Тд [(e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (г) -0,949064 (п) -0,949064 (а) -1,84431 (л) -2,53165 () -0,474532 (с) -1,73913 (о) -0,949064 (и) -0,949064 (г) -2,63683 (в) — 1,84431 (e) -1,84431 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0.474562 (5) -0,949064 (0) 500] ТДж / R26 12 Тс 128,403 0 тд (Вт) Tj / R7 12 Тс 9,25754 0 тд [() -0,474532 (a) -1,84431 (t) -2,53165 () -0,474562 (1) -0,949064 (k) -0,949064 (H) 0,631078 (z) -1,84431 () -0,474562 ()] TJ -362,126 -13,8 тд [(f) 2.37388 (r) -2.63561 (e) -1.84493 (q) -0.949064 (u) -0.949064 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949064 (,) — 0.474532) () -0,474532 () -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (п) -0,949064 () -0,474532 (у) -0,949064 (о) -0,949064 (и) -0,949064 () -0,474532 (м) 6,53827 (а) -1,84431 (к) -0,949064 (д) -1,84309 () -0,474532 (с) -1.74036 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (s) -1,73913 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (e) ) -1,84431 (м) 6,53827 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (t) -2,52921 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (m)] TJ 267.928 0 Td [(i) -2,53165 (n) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 ( p) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (s) -1.73913 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (д) -1,84431 () -0,474532 (о) -0,953956 (е) 2,37266 () -0,474532 (т) -2,52921 (ч) ) -0,949064 (е) -1,84431 () 250] ТДж -267,928 -13,8 тд [(с) -1,84493 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,74036 (д) ) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (я) -2,53165 (ж) 2,37388 (я) -2,53165 (д) -1,84431 (вправо) -2,63561 () -0,474532 (a) -1,84431 (t) -2,53043 () -0,475785 (1) -0,949064 (k) -0,949064 (H) 0,633525 (z) -1,84431 () -0.474532 (е) 2.37266 (r) -2.63683 (e) -1.84431 (q) -0.949064 (u) -0.949064 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949124 (?) — 6.85381 () -0,474562 (D) 0,633525 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (s) -1,73913 (s) -1,73913 () -0,474532 (y) -0,949064 (o) ] TJ 266.124 0 Td [(u) -0,949064 (r) -2,63683 () -0,474532 (i) -2,53165 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (a) -1,84431 () -0,474532 (w) 0,633525 (i) -2,53165 (t) ) -2,53165 (в) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (б) -0,949064 () -0,474532 (s) -1.73913 (u) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (v) -0,949064 (i) -2,52921 (s) -1,74158 (o) -0,949064 (r) -2,63683 () 250] TJ -266,124 -13,8 тд [(b) -0.949064 (e) -1.84493 (f) 2.37388 (o) -0.949064 (r) -2.63561 (e) -1.84431 () -0.474532 (d) -0.949064 (o) -0.949064 (i) -2.53165 ( n) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (s) — 1,74036 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (m) 6,53949 (e) -1,84431 (n) -0,95151 (t) -2,53165 (.) — 0,474562 ()] TJ -36,0683 -13,8 тд () Tj 258,36 TL Т * [() -0.474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474562 () -0,474532 (32) -0,4 ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,4745732 () -0,4745732 () -0,4745732 () -0,474532 () ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0.474532 () -0,474532 () -0,474532 () 250] ТДж ET Q q 2165 0 0 2130 1750 3472,5 см / R33 Do Q q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 469,8 416,7 тм () Tj -398,555 -11,04 тд [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () ) -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () 0,474532 () -0,474532 () -0.474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (32) -0,4 ) -0,474532 () -0,473309 () -0,474532 () -0,475785 ()] TJ 13,8 турецких лир T * [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,4745745 () -0,4745745 () -0,4745745 () -0,474532 () )] TJ () ‘ () ‘ 18.0342 -13,8 тд [(d) -0,949064 (.) — 0,474562 () -501,424 (C) 0,737481 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (c) -1,84431 (t) -2,53165 ( ) -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53043 (д) -1,84431 (в) -1,84431 (т) -2,53165 (о) -0,95151 (г) -2,63683 ( ) -0,474532 (а) -1,84431 (м) 6,53827 (п) -0,949064 (л) -2,53165 (и) -2,53165 (ж) 2,37266 (и) -2,53165 (д) -1,84431 (вправо) -2,63683 () -0,474532 (c) -1,84431 (i) -2.53165 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 () -0,474532 (y)] TJ 255,905 0 тд [(o) -0,949064 (u) -0,946618 () -0,474532 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 (e) -1,84431) (d) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (S) -0,0538129 (e) -1,84431 (t) -2,53165 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (и) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 () -0,479424 ( ) 250] TJ -237,871 -14,7 тд [(c) -1,84493 (a) -1,84493 (p) -0.949064 (а) -1,84431 (в) -1,84431 (я) -2,53165 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (г) -2,63561 (с) -1,74036 () -0,474532 (В) 0,737665 (1) -0,949064 ( ,) — 0,474532 () -0,474562 (C) 0,737481 (2) -0,949064 (,) — 0,474532 () -0,474562 (а) -1,84431 (n) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (C) 0,737665 ( 3) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474562 (1)] TJ / R26 12 Тс 147.7 0 Тд (м) Tj / R7 12 Тс 6.9131 0 Тд [(F) -0,0538129 () -0,474532 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (c) -1,84431 (h) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (S) -0,0538129 (e) -1,84431 ( т) -2,53165 () -0,474532 (R) 667.001] TJ / R7 7,98 Тс 0,998091 0 0 1 326,34 334,26 тм (L) Tj / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 331,2 335,76 тм [() -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (b) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474562 (1) -0,949064 () -0,474532 (k) 500] TJ / R26 12 Тс 44.7848 0 Тд (Вт) Tj / R7 12 Тс 9,25754 0 тд [() -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (s) -1,73913 (u) ) -0.949124 (p) -0.949064 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (y) -0.949064 () -0.474532 (v) -0.949064 (o) -0.949064 (l) -2.53165 (t) -2.53165 (a) -1.84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,52921 (о) -0,949064 () -0,474562 (1) -0,949064 (5) -0,949124 (В) 0,631078 () 250] ТДж -277,666 -13,8 тд [(D) 0,633525 (C) 0,737665 (,) — 0,474532 () -0,474562 (a) -1,84431 (s) -1,74036 () -0,474532 (s) -1,74036 (h) -0,949064 (o) -0,949064 (w)) 0,633525 (n) -0,949064 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 (F) -0,0538129 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63561 ( д) -1,84431 () -0,474562 (4) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474562 (М) -2,6882 (д) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (и) -0,949064 (г) -2.63683 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (D) 0,633525 (C) 0,738704 () -0,474532 (b) -0,949064 (i) — 2,53165 (a) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (v) -0,949064 (o) -0,949064 (l) -2,53165 (t) -2,53165 (a)] TJ 257.348 0 Тд [(г) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (о) -0,949064 (п) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0,949064 (д) -1,84431 ( ) -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (д) -1,84472 (,) — 0,474532 () -0,474562 (д) -1,84431 (м) 6,53827 (и) -2,53165 (т) — 2,53165 (т) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -2,63683 () -0.474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,52921 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () 250] TJ -257,348 -13,8 тд [(c) -1,84493 (о) -0,949064 (l) -2,53165 (l) -2,53165 (e) -1,84431 (c) -1,84431 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63561 (.) -) — 0,474532 () -0,474532 (В) 0,737481 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 ( ) -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,947841 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -1,84676 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (р) -2,63683 () -0.474532 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (.) — 0,474532 () -0,474532 (C) 0,738704 ( o) -0,949064 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (a) -1,84431 (r) -2,63683 (e)] TJ 243,822 0 Тд [() -0,472086 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (s) -1,73913 (u) -0,949064 (r) ) -2,63683 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (т) -1,73913 () -0,474532 (ш) 0,633525 (я) -2,53165 (т) -2,53165 (в) -0,949064 () -0.474532 (t) -2,5341 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (s) -1,74158 (i) -2,52921 (g) -0,949064 (n) -0,949064 () 250] ТДж -243,822 -13,8 тд [(i) -2,53165 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064) () -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (и) -2,53165 ( о) -0,949064 (н) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 () -0,474532 (Т) -0,15777 (а) -1,84309 (б) -0,949064 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2.53165 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (s) -1,73913 (u) ) -0,949064 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0,474532 (v) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (s)] TJ 244,784 0 Тд [(u) -0,946618 (s) -1,73913 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (l) -2,53165 ( в) -1,84717 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (и) -2,53165 (а) ) -1,84431 (т) -1,73913 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0.949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,74158 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () 250] ТДж -244,784 -13,8 тд [(c) -1,84493 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (.) — 0,474562 ())] TJ -18,0342 -13,8 тд () Tj T * [(e) -1,84493 (.) — 0,474562 () -556,528 (M) -2,68942 (e) -1,84431 (a) -1,84431 (s) -1,74036 (u) -0,949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (q) -0,949064 (u) -0,949064 ( д) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949064 () -0.474532 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (s) -1.73913 (p) -0.949064 (o) -0.95151 (n) -0.949064 (s) -1,73913 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (a) — 1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 ()] TJ 254.282 0 Тд [(s) -1,73913 (t) -2,53165 (a) -1,84187 (r) -2,63683 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (g) -0,949064 ()) -0,474532 (f) 2,37266 ( г) -2,63683 (о) -0,949064 (м) 6,53827 () -0.477008 (1) -0,949064 (0) -0,949064 (0) -0,949124 () -0,474532 (H) 0,633525 (z) -1,84472 (.) — 0,474532 () -0,474562 (c) -1,84431 (h) -0,949064 (a ) -1,84431 (n) -0,949064 (г) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,52921 (e) — 1,84431 (т) -1,74158 (т) -2,52921 () 250] ТДж -236,248 -13,8 тд [(f) 2.37388 (r) -2.63561 (e) -1.84493 (q) -0.949064 (u) -0.949064 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949064 () -0.474532 ( т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (в) -0,949064 (д) -1,84431 (г) -2.63561 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (u) -0,949064 (p) -0,949064 (p) -0,947841 (e) -1,84431 (r) -2,63683 ( ) -0,474532 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (т) -2,53151 (-) — 2,63683 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 (ж) 2,37266 () -0,474532 (ж) 2,37266 (г) -2,63683 ( д) -1,84431 (кв) -0,949064 (и) -0,949064 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (в) -1,84431 (у) -0,949064 () -0,474532 (о) -0,949064 (ж) 2,37266 () — 0,474532 (т)] ТДж 244,543 0 Тд [(h) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (a) -1.84431 (m) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) -2.53165 (f) 2.37266 (i) -2.53165 (e) ) -1.84431 (r) -2,63683 (.) — 0,474532 () -0,474532 (T) -0,158993 (h) -0,949064 (r) -2,63683 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (g) -0,949064 (h) -0,949064 () -0,474532 (o) -0,949064 (u) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () 250] TJ -244,543 -13,8 тд [(м) 6.53827 (e) -1.84493 (a) -1.84431 (s) -1.74036 (u) -0.949064 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (m) 6.53827 (e) -1.84431 (n) -0.949064 ( t) -2,53165 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37388 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 ( д) -1,84431 (кв) -0,949064 (и) -0.949064 (д) -1,84309 (п) -0,949064 (в) -1,84676 (у) -0,949064 () -0,474532 (г) -2,63683 (д) -1,84431 (с) -1,73913 (р) -0,949064 (о) -0,949064 (n) -0.949064 (s) -1.73913 (e) -1.84431 (,) — 0.474532 () -0.474532 (a) -1.84431 (p) -0.949064 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (y) -0.949064 ( ) -0,474532 (l) -2,53165 (o) -0,949064 (w) 0,633525 () -0,472086 (i) -2,53165 (n)] TJ 257.167 0 Td [(p) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53396 () -0.474532 (s) -1.73913 (i) -2.53165 (g) -0.949064 (n) -0.949064 (a) -1.84431 (l) -2.53165) () -0,474532 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -0,949064 (д) -1,84431 (л) -2.53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (\ () — 2,63683 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 ( o) -0.949064 (r) -2.63683 (d) -0.949064 (e) -1.84431 (r) -2.63683 () -0.474532 (o) -0.949064 (f) 2.37266 () -0.474532 (f) 2.37266 (e) -1.84431 (w) 0,631078 () 250] ТДж -257,167 -13,8 тд [(м) 6.53827 (i) -2.53165 (l) -2.53165 (l) -2.53165 (i) -2.53151 (-) — 2.63561 (V) 0,633525 (o) -0.949064 (l) -2.53165 (t) -2.53165 ( s) -1,74036 (\)) — 2,63561 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (s) -1,74036 (u) -0.949064 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (a) -1,84431 (t) -2,53165 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 ( д) -1,84431 () -0,474532 (о) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (р) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (с) — 1,73913 (i) -2,53165 (g) -0,949064 (n) -0,949064 (a) -1,84431 (l) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (n)] TJ 231.198 0 Td [(o) -0,949064 (t) -2,53165 () -0,474532 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63683 (t) -2,52921) (д) -1,84431 (г) -0.949064 (.) — 0,474532 () -0,474532 (M) -2,6882 (o) -0,949064 (n) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63683 () -0,474532 ( б) -0,949064 (о) -0,949064 (т) -2,53165 (в) -0,949064 () -0,474532 (и) -2,53165 (п) -0,949064 (п) -0,949064 (и) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,479424 (a) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 () 250] TJ -231,198 -13,8 тд [(o) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 (p) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (w) 0.633525 (a) -1.84431 (v) -0.949064 ( д) -1,84431 (е) 2,37388 (о) -0,949064 (г) -2,63561 (м) 6,53827 (с) -1,74036 () -0.474532 (o) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (o) -0,947841 (s) -1,74036 (c) -1,84676 ( i) -2,53165 (l) -2,53165 (l) -2,53165 (o) -0,949064 (s) -1,73913 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84431 (.) — 0,474532 ( ) -0,474532 () -0,474562 ()] ТДж 18,0342 -13,8 тд [(г) -0,949064 (.) — 0,474532 (1) -0,949064 () -0,474532 () -0,474532 (P) -0,0538129 (л) -2,53165 (о) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (т ) -2,53165 (з) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (о) -0,949064 (б) -0,949064 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (i) -2.53165 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0,474532 (f) 2,37388 (r) -2,63561 (e) -1,84431 (q) -0,949064 (u) -0,949064 (e) -1,84431 ( n) -0.949064 (c) -1.84431 (y) -0.949064 () -0.474532 (r) -2.63683 (e) -1.84431 (s) -1.73913 (p) -0.949064 (o) -0.949064 (n) -0.949064 (s) ) -1,73913 (д) -1,84472 (.) — 0,474532 () -0,474562 (O) 0,633525 (п) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 ( м)] TJ 249.593 0 Тд [(д) -1,84431 (а) -1,84431 (с) -1,73913 (и) -0,949064 (г) -2,63683 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (п) -0,949064 (л) -2,53165) (о) -0.949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (в) -1,84431 (л) -2,53165 (д) -1,84431 (а) -1,84431 (вправо) -2,63683 (л) -2,53165 (у) -0,949064 () -0,474532 ( i) -2,53165 (n) -0,949064 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (c) -1,84431 (a) -1,84431 (t) -2,52921 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,52921 (h ) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 () -0,474562 ()] TJ -249,593 -13,8 тд [() -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474532 () -0,474562 () -0,474532 () -0,474532 (l) -2,53165 (o) -0,949064 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (r ) -2,63561 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (и) -0.949064 (p) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63561 () -0,474532 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (t) -2,53151 (-) — 2,63683 (o) -0,949064 (f) 2,37266 (f) 2,37266 () -0,474532 (f) 2,37266 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (q) -0,949064 (u) -0,949064 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (c) — 1,84431 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (o) -0,949064 (f) 2,37266 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (a)] TJ 232,521 0 Тд [(м) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) -2.53165 (f) 2.37266 (i) -2.53165 (e) -1.84431 (r) -2.63683 (.) — 0.474532 ()) -0.474562 ()) ] TJ -232.521 -13,8 тд [(г) -0,949064 (.) — 0,474532 (2) -0,949064 () -0,474532 () -0,474532 (Вт) 7,2256 (в) -0,949064 (а) -1,84431 (т) -2,53165 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (d) -0,949124 (-) — 2,63561 ( б) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (и) -2,53165 (п) -0,949064 () -0,474532 (о) -0.949064 (f) 2.37266 () -0.474532 (t) -2.53165 (h) -0.949064 (e) -1.84431 () -0.474532 (a) -1.84431 (m) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) ) -2,53165 (е) 2.37266 (i) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (?) — 6,85421 ()] TJ Т * [(г) -0,949064 (.) — 0,474532 (3) -0,949064 () -0,474532 () -0,474532 (С) 0,737481 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84431 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (а) -1,84431 (м) ) 6.53827 (p) -0.949064 (l) -2.53165 (i) -2.53165 (f) 2.37388 (i) -2.53165 (e) -1.84431 (r) -2.63683 () -0.474532 (b) -0.949064 (a) -1.84431 (n) -0,949064 (d) -0,949064 (w) 0,633525 (i) -2,53165 (d) -0,949064 (t) -2,53165 (h) -0,949124 (.) — 0,474532 ()] TJ -54.1025 -13,8 тд [() -1252,85 ()] ТДж () ‘ / R14 12 Тс 13,86 турецких лир T * [(5) -0,949064 (.) — 0,474532 () -0,474562 (R) 0,633525 (e) -1,84493 (p) -0,0532014 (o) -0,949064 (r) -1,84493 (t) -2,63591 (:) — 2,63561 () -0,474562 ()] ТДж 13,8 турецких лир () ‘ / R7 12 Тс 160,264 293,22 тд [(F) -0,0538129 (i) -2,53165 (г) -0,949064 (u) -0,949064 (r) -2,63683 (e) -1,84431 ()) -0,474562 (4) -0,949064 () -0,474532 (-) — 2,63683 ( ) -0,474532 (E) -0,158993 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (f) 2,37266 (o) -0,949064 (л) -2,53165 (л) -2,53165 (о) -0.949064 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (c) -1,84431 (i) -2,53165 (r) -2,63683 (c) -1,84431 (u) -0,949064 (i) -2,53165 ( t) -2,53165 () -0,474532 (u) -0,949064 (n) -0,949064 (d) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 () -0,474532 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (т) -2,53165 (.) — 0,474562 ()] ТДж ET Q Q конечный поток эндобдж 32 0 объект 18550 эндобдж 37 0 объект > ручей q 0,12 0 0 0,12 0 0 см 0 0 0 RG 0 0 0 рг q 8,33333 0 0 8,33333 0 0 см БТ / R7 12 Тс 0,998106 0 0 1 71,9995 744,96 тм [(I) -2,63561 (n) -0,949064 () -0,474532 (а) -1,84493 (г) -0.949064 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (i) -2,53165 (o) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (o) -0,949064 () -0,474532 ( r) -2.63561 (e) -1.84431 (p) -0.949064 (o) -0.949064 (r) -2.63561 (t) -2.53165 (i) -2.53165 (n) -0.949064 (g) -0.949064 () -0.474532 (t) ) -2,53165 (з) -0,947841 (д) -1,84431 () -0,474532 (г) -0,949064 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (а) -1,84431 () -0,474532 (о) -0,949064 (б) — 0,949064 (t) -2,53165 (a) -1,84676 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (e) -1,84431 (d) -0,949064 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 () -0,474532 ( т) -2,53165 (ч) -0,949064 (я) -2.53165 (s) -1,73913 ()] TJ 233,242 0 тд [(e) -1,84431 (x) -0,949064 (p) -0,946618 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (i) -2,53165 (m) 6,53827 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (t) -2,53165) (;) — 2.53396 ()] ТДж -233,242 -13,8 тд () Tj 18,0342 -13,8 тд [(а) -1,84493 (.) — 0,474562 () -556,528 (В) 0,737481 (о) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (д) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53165 () — 0,474532 (о) -0,949064 (n) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (f) 2,37388 (f) ) 2.37388 (e) -1.84431 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84309 (e) -1,84431 (s) -1,74036 () -0,476978 (b) -0,949064 (e) -1,84431 (t) -2,53151 (w) 0,633525 (e) -1,84431 (e) -1,84431 (n) -0,949064 ( ) -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (i) -2,53165 (n) -0,949064 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (d) -0.949064 (e) -1.84431 (d) -0.949064 ()] TJ 262,818 0 тд [(б) -0,949064 (i) -2,53165 (а) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431) (г) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,73913 () -0,474532 (ж) 2,37266 (о) -0,949064 (г) -2,63683 () -0,474532 (т) -2,53165 (ч) -0.949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (w) 0,633525 (o) -0,949064 () -0,474532 (a) -1,84431 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,52921 (i) -2,52921 (f) 2,37266 (i) -2,52921 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (s) -1,74158 () 250] TJ -244,784 -13,8 тд [(а) -1,84493 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (в) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (м) 6,53827 (д) -1,84431 (а) ) -1,84431 (т) -1,74036 (н) -0,949064 (г) -2,63561 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 (с) -1,73913 (.) — 0.474532 () -0,474532 (W) 7,22316 (h) -0,949064 (y) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (e) -1,84431 () -0,474532 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () -0,474532 (a) -1,84431 () -0,474532 (d) -0,949064 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (f) 2,37266 (e) -1,84431 (r) ) -2,63683 (e) -1,84431 (n) -0,949064 (c)] TJ 249,533 0 Тд [(д) -1,84431 (?) — 6,85381 () -0,474532 (H) 0,633525 (о) -0,949064 (ш) 0,633525 () -0,474532 (в) -1,84431 (а) -1,84431 (п) -0,949064 () — 0,474532 (y) -0,949064 (о) -0,949064 (u) -0,949064 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (d) -0,949064 (u) -0.949064 (c) -1,84431 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,73913 () 250] TJ -249,533 -13,8 тд [(d) -0.949064 (i) -2.53165 (f) 2.37388 (f) 2.37388 (e) -1.84431 (r) -2.63561 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (c) -1.84431 (e) -1.84431 ( ) -0,474532 (w) 0,633525 (h) -0,949064 (e) -1,84431 (n) -0,949064 () -0,474532 (y) -0,949064 (o) -0,949064 (u) -0,949064 () -0,474532 (c) -1,84431 (а) -1,84431 (л) -2,53165 (в) -1,84431 (и) -0,947841 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165 (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2,53165 ( з) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (б) -0.949064 (i) -2,53165 (a) -1,84431 (s) -1,73913 () -0,474532 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (s) -1,73913 (i) -2,53165 (s) -1,73913 (t) -2,53165 (o) -0,949064 (r) -2,63683 (s) -1,73913 (?) — 6,85421 ()] TJ -36,0683 -13,8 тд () Tj / R39 12 Тс 18,0342 -13,8 тд [(b) -0,949064 (.) — 0,474562 ()] ТДж / R7 12 Тс 18.0342 0 Тд [(C) 0,737481 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (a) -1,84431 (r) -2,63561 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) ) -1,84431 () -0,474532 (в) -0,949064 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (г) -0,949064 (д) -1,84431 () -0,474532 (г) — 0.949064 (а) -1,84431 (и) -2,53165 (п) -0,947841 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,95151 (г) -0,949064 () -0,474532 (б) -0,949064 (а) -1,84431 ( n) -0.949064 (d) -0.949064 (w) 0.633525 (i) -2.53165 (d) -0.949064 (t) -2.53165 (h) -0.949064 (s) -1.73913 () -0.474532 (f) 2.37266 (o) — 0,949064 (r) -2,63683 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,946618 (r)] TJ 253.981 0 Тд [(e) -1,84431 (e) -1,84431 () -0,474532 (a) -1,84431 (m) 6,53827 (p) -0,949064 (l) -2,53165 (i) -2,53165 (f) 2,37266 (i) -2,53165 (e) ) -1,84431 (г) -2,63683 () -0,474532 (в) -1.84431 (о) -0.949064 (n) -0.949064 (f) 2.37266 (i) -2.53165 (g) -0.949064 (u) -0.949064 (r) -2.63836 (a) -1.84431 (t) -2.53165 (i) -2.53165) (o) -0.949064 (n) -0.949064 (s) -1.74158 (,) — 0.474532 () -0.474532 (n) -0.949064 (a) -1.84431 (m) 6.54071 (e) -1.84431 (l) -2.52921 (y) ) -0,949064 (,) — 0,474532 () 250] ТДж -253,981 -13,8 тд [(t) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84493 () -0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,949064 (n) -0,949064 ()) -0,474532 (e) -1,84431 (м) 6,53827 (i) -2,53165 (t) -2,53165 (t) -2,53165 (e) -1,84431 (r) -2,63561 (,) — 0,474532 () -0.474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (м) 6,53949 (м) 6,53827 (о) -0,95151 (п) -0,949064 () -0,474532 (в) -1,84431 (о) -0,949064 (л) -2,53165 (л) ) -2,53165 (д) -1,84431 (в) -1,84431 (т) -2,53165 (о) -0,949064 (г) -2,63683 () -0,474532 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (г) -0,949064 () — 0,474532 (c) -1,84431 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (м) 6,53827 (o) -0,946618 (n) -0,949064 () -0,474532 (b) -0,949064 (a) -1,84431 (s)] TJ 274.179 0 Тд [(д) -1,84431 (.) — 0,474532 () -0,474532 (Т) -0,158993 (а) -1,84431 (б) -0,949064 (и) -0,949064 (л) -2,53165 (а) -1,84431 (т) -2,53165) (д) -1,84431 () -0,474532 (т) -2.53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (n) -0,949064 (u) -0,949064 (m) 6,53827 (b) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (s) -1,74158 ( ) 250] TJ -274,179 -13,8 тд [(о) -0,949064 (б) -0,949064 (т) -2,53165 (а) -1,84431 (и) -2,53165 (п) -0,949064 (д) -1,84431 (г) -0,949064 () -0,474532 (т) -2,53165 (h) -0.949064 (r) -2.63561 (o) -0.949064 (u) -0.949064 (g) -0.949064 (h) -0.949064 () -0.474532 (o) -0.949064 (u) -0.949064 (t) -2.53165 ( ) -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,949064 (i) -2,53165 (s) -1,74036 () -0,473309 (e) -1,84431 (x) -0,949064 (p) -0,95151 (e) -1,84431 (r) -2.63683 (i) -2.53165 (m) 6.53827 (e) -1.84431 (n) -0.949064 (t) -2.53165 () -0.474532 (a) -1.84431 (n) -0.949064 (d) -0.949064 () -0.474532 (t) ) -2,53165 (h) -0,949064 (e) -1,84431 () -0,474532 (p) -0,949064 (r) -2,63683 (e) -1,84431 (v) -0,949064 (i) -2,53165 (o)] TJ 249.773 0 Тд [(u) -0,949064 (s) -1,73913 () -0,474532 (e) -1,84431 (x) -0,949064 (p) -0,949064 (e) -1,84431 (r) -2,63683 (i) -2,53165 (m) 6,53827 ( д) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53165 () -0,474532 (т) -2,53165 (о) -0,949064 () -0,474532 (кв) -0,949064 (н) -0,949064 (а) -1,84431 (п) -0,949064 (т) -2,53165 (я) -2.53165 (f) 2,37266 (y) -0,949064 () -0,474532 (t) -2,53165 (h) -0,953956 (e) -1,84431 () 250] TJ -249,773 -13,8 тд [(c) -1,84493 (o) -0,949064 (м) 6,53827 (p) -0,949064 (a) -1,84431 (r) -2,63561 (i) -2,53165 (s) -1,74036 (o) -0,949064 (n) -0,949064) (.) 250] TJ / R39 12 Тс 59.0919 0 Тд () Tj -77,1261 -13,92 тд () Tj ET Q Q конечный поток эндобдж 38 0 объект 6543 эндобдж 4 0 объект > / Содержание 5 0 руб. >> эндобдж 16 0 объект > / Содержание 17 0 руб. >> эндобдж 23 0 объект > / Содержание 24 0 руб. >> эндобдж 30 0 объект > / Содержание 31 0 руб. >> эндобдж 36 0 объект > / Содержание 37 0 руб. >> эндобдж 3 0 obj > эндобдж 1 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 20 0 объект > поток

BJT Схема работы и применения усилителя с общей базой

Схема усилителя используется для увеличения мощности сигнала.Схема усилителя использует источник питания для увеличения мощности сигнала. Усиление, обеспечиваемое схемой усилителя, измеряется в единицах усиления усилителя. Коэффициент усиления усилителя — это отношение выходного сигнала к входному, которое всегда больше единицы. Усиление не изменяет частоту и форму волны. В этой статье мы обсудим схему усилителя с общей базой.

Коэффициент усиления усилителя (А) = Выход / (Вход)

Символ

На рисунке ниже показан символ усилителя.

Обозначение усилителя

Модуль усилителя

Модуль усилителя

Идеальный модуль усилителя имеет три важных свойства, а именно: входное сопротивление (Rin), выходное сопротивление (Rout) и, конечно, усиление, называемое усилением (A). Модуль усилителя объясняет общую систему усиления с входным и выходным сигналом. Импеданс Rin увеличивает мощность сигнала при усилении A, чтобы получить желаемый уровень сигнала. Rin должен быть бесконечным, а Rout должен быть нулевым.

Типы усилителей

В приведенной ниже таблице поясняется конфигурация, классификация и частота работы для различных сигналов.

Тип сигнала Конфигурация Классификация Рабочая частота
Малые сигналы Общий эмиттер (CE) Усилитель класса A Постоянный ток (DC)
Большие сигналы Общая база (CB) Усилитель класса B Аудиочастота (AF)
Общий коллектор (CC) Усилитель класса AB Радиочастота (РФ)
Усилитель класса C Частоты УКВ, УВЧ и СВЧ

Различные конфигурации усилителя

Транзисторы

используются в усилителях в трех различных конфигурациях, а именно:

  • Общая база (CB)
  • Общий коллектор (CC)
  • Общий эмиттер (CE).

Схема с общим эмиттером является наиболее широко используемой конфигурацией. Эта схема имеет заземленный эмиттер. Эта схема обеспечивает средний уровень входного и выходного сопротивления. Усиление по напряжению и по току — средние, а выход инвертирует вход.

Схема с общим коллектором широко используется в качестве буфера. Он называется Эмиттер-повторитель. Напряжение эмиттера соответствует напряжению базы. Это дает высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс. Имеет заземленный коллектор.

Схема с общей базой обеспечивает низкий входной импеданс и высокий выходной импеданс. База транзистора в этой конфигурации заземлена. Вход и выход находятся в фазе.

Схема усилителя с общей базой

В схемах усилителя используются транзисторы

NPN и PNP. И NPN, и PNP имеют вход на эмиттере транзистора, а выход — на коллекторе транзистора.


Конфигурация усилителя с общей базой

На приведенной ниже схеме показано, как реализована схема усилителя с общей базой.

Схема усилителя с общей базой

Ограничения смещения те же, но приложения сигналов разные. В этой схеме необходимо позаботиться о том, чтобы входной сигнал соответствовал правильному сопротивлению.

Характеристики схемы усилителя с общей базой

Ниже приведены характеристики схемы усилителя с общей базой.

  • Высокое усиление напряжения
  • Низкое усиление по току
  • Низкое усиление
  • Соотношение фаз на входе и выходе составляет 0o
  • Имеет низкий входной импеданс
  • Обладает высоким выходным сопротивлением
Приложения

Используется схема усилителя с общей базой, где требуется низкий входной импеданс.Ниже приведены варианты применения схемы общего базового усилителя.

  • Используется в предусилителях микрофонов с подвижной катушкой.
  • Используется в усилителях UHF и VHF RF.

Кроме того, любые вопросы относительно этой статьи или если вы хотите реализовать проекты по электротехнике и электронике для студентов инженерных специальностей, не стесняйтесь оставлять комментарии в нижеследующем разделе.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *