Схемы унч на микросхемах: Усилители мощности звука (УНЧ) на микросхемах, схемы самодельных УМЗЧ

3 1,3 Абсолютные максимальные оценки. 1 / Напряжение питания (V CC) V Регулируемое выходное напряжение коллектора (V COLL) V Неинвертирующий вход для усилителя ошибки (+ EA)… 6 В Инвертирующий вход на вход усилителя с ошибкой (SENSE) … 6 В Компенсация усилителя с ошибкой (COMP) … 6 В Опорный выход (REF) … 6 В Ток на выходе вывода контакта COLL (непрерывный или средний по времени) ) (I COLL) ма Выходной ток источника вывода ISET (непрерывный или средний по времени) (ISET) ма Рассеиваемая мощность (PD) при TA 25 C … 1 Вт 2 / Диапазон температур хранения от C до +150 C Температура перехода (ТДж) ) C до +150 C Температура провода (пайка, 10 секунд) C Тепловое сопротивление, переход-корпус (JC) … См. MIL-STD-1835 Тепловое сопротивление, переход-среда (JA) C / W 1 ,4 Рекомендуемые условия эксплуатации. Напряжение питания (V CC) V до 24 В Диапазон рабочих температур окружающей среды (T A) C до +125 C 2. ПРИМЕНИМЫЕ ДОКУМЕНТЫ 2.1 Государственные спецификации, стандарты и руководства. Следующее описание, стандарты и руководства составляют часть этого чертежа в объеме, указанном в данном документе. Если не указано иное, эти документы упоминаются в запросе или в контракте. ОТДЕЛ ОБОРОННОЙ СПЕЦИФИКАЦИИ MIL-PRF Интегральные схемы, Производство, Общая спецификация для.ОТДЕЛ DEFENSE S MIL-STD Метод испытания Стандартные микросхемы. Контуры корпусов стандартных электронных компонентов интерфейса MIL-STD. ОТДЕЛ ОБОРОТНЫХ ОБОРОТОВ MIL-HDBK MIL-HDBK Список стандартных чертежей микросхем. Стандартные чертежи микросхем. (Копии этих документов доступны в Интернете по адресу или на стойке заказа документов для стандартизации, 700 Robbins Avenue, Building 4D, Philadelphia, PA). 2.2 Порядок приоритета. В случае противоречия между текстом этого чертежа и ссылками, приведенными здесь, текст этого чертежа имеет приоритет.Однако ничто в этом документе не заменяет применимые законы и правила, если не было получено конкретное исключение. 1 / Напряжение выше абсолютного максимального значения может привести к необратимому повреждению устройства. Расширенная работа на максимальных уровнях может ухудшить производительность и повлиять на надежность. 2 / Снижение 8 мВт / C для T A 25 C. 3

4 3. ТРЕБОВАНИЯ 3.1 пункт требования. Требования к отдельным элементам для классов устройств Q и V должны соответствовать MIL-PRF и, как указано в настоящем документе, или изменяться в плане управления качеством (QM) изготовителя устройства. Модификация в плане QM не должна влиять на форму, форму или функцию, как описано здесь. Требования к отдельным элементам для класса устройств M должны соответствовать MIL-PRF-38535, добавление A для устройств класса B, отличных от jan, и указанным в данном документе. 3.2 Конструкция, конструкция и физические размеры.Конструкция, конструкция и физические размеры должны соответствовать указанным в MIL-PRF и в настоящем документе для классов устройств Q и V или в MIL-PRF-38535, добавлении A и в настоящем документе для класса устройств М. Схема корпуса. План корпуса должен соответствовать терминальным соединениям. Клеммные соединения должны быть такими, как указано на рисунке Блок-схема. Блок-схема должна быть такой, как указано на рисунке. Электрические характеристики и пределы параметров после облучения. Если здесь не указано иное, электрические характеристики и пределы параметров пострадиационного излучения соответствуют указанным в таблице I и применяются во всем диапазоне рабочих температур окружающей среды.3.4 Требования к электрическим испытаниям. Требования к электрическим испытаниям должны быть подгруппами, указанными в таблице IIA. Электрические испытания для каждой подгруппы определены в таблице I. 3.5 Маркировка. Часть должна быть помечена PIN-кодом, указанным в 1.2. Кроме того, PIN-код производителя также может быть отмечен. Для упаковок, в которых маркировка всего ПИН-кода SMD невозможна из-за нехватки места, производитель имеет возможность не маркировать «5962-» на устройстве. Для продукта RHA, использующего эту опцию, обозначение RHA должно быть помечено.Маркировка для классов устройств Q и V должна соответствовать MIL-PRF Маркировка для устройств класса M должна соответствовать MIL-PRF-38535, приложение A, Знак сертификации / соответствия. Сертификационный знак для классов устройств Q и V должен быть «QML» или «Q», как требуется в MIL-PRF. Знак соответствия для класса устройства M должен быть «C», как того требует MIL-PRF-38535, приложение A. 3.6 Сертификат соответствия. Для устройств классов Q и V требуется сертификат соответствия от производителя, указанного в списке QML, для обеспечения требований этого чертежа (см. Здесь).Для устройства класса M от производителя требуется сертификат соответствия, чтобы его можно было указать в качестве утвержденного источника поставки в MIL-HDBK-103 (см. Здесь). Сертификат соответствия, представленный DSCC-VA перед включением в список утвержденных источников поставки для этого чертежа, должен подтвердить, что продукт производителя соответствует для классов устройств Q и V требованиям MIL-PRF и в настоящем документе или для класса устройств M, требования MIL-PRF-38535, приложение А и здесь. 3.7 Сертификат соответствия.Сертификат соответствия, требуемый для классов устройств Q и V в MIL-PRF или для класса устройств M в MIL-PRF-38535, добавление A, должен предоставляться с каждой партией микросхем, поставленных на этом чертеже. 3.8 Уведомление об изменении для класса устройств M. Для класса устройств M уведомление DSCC-VA об изменении продукта (см. П. 6.2 в настоящем документе) с использованием устройств, приобретенных на этом чертеже, требуется для любого изменения, которое влияет на этот чертеж. 3.9 Проверка и проверка для класса устройств М. Для класса устройств М, DSCC, агент DSCC и эквайринговая деятельность сохраняют возможность просмотра объекта производителя и соответствующей необходимой документации.Оффшорная документация должна предоставляться на суше по усмотрению рецензента. Назначение группы микросхем для устройств класса M. Устройства класса M, охватываемые этим чертежом, должны быть в группе микросхем № 52 (см. MIL-PRF-38535, приложение A). 4

5 ТАБЛИЦА I. Электрические характеристики. Условные обозначения контрольных символов 1 / -55 CTA +125 C Тип подгруппы группы A Пределы, если не указано иное Мин. Макс. Единица Допуск эталонного напряжения VTV COLL = 5 В, TA = +25 CV Допуск эталонной температуры V TT V COLL = 5 В 1,2, V Опорная линия регулирования V LN V CC = 2.4 В до 24 В, В COLL = 5 В 1,2, мв регулирование Ссылочный нагрузки V LD I COLL = 10 мА до 50 мА, COLL = 5 В 1,2, мв Ссылка тонуть ток SK 1,2, А Опорный ток источника I SC 1,2, A Входной ток смещения усилителя ошибки (EA) Напряжение смещения входного сигнала усилителя ошибки (EA) Неинвертирующий вход в ограничения рабочего напряжения усилителя (+ EA) Ограничение рабочего тока усилителя ошибки (EA) ( внутреннее ограничение) Усилитель ошибки (EA), источник выходного тока I IB 1,2, AV OS 1,2, MV V + EA 1,2, VI OSK 1,2, AI OS 1,2, мА Минимальный рабочий ток I CC V CC = 24 В, V COLL = 5 В 1,2, мА Предел тока коллектора 2 / ILV COLL = V CC = 24 В, Ref = 1.3 В, ISET = GND 1,2, мА Напряжение насыщения коллектора V SAT I COLL = 20 мА 1,2, V Transconduance 2/3 / гм V CC = 2,4 В до 24 В, V COLL = 3 В, ISET = GND 4,5, мс Ошибка усиления по напряжению в разомкнутом контуре усилителя AVOL 4,5, дБ Ошибка по усилению для полосы пропускания усилителя GBW 4,5,6, МГц 1 / Если не указано иное, TA = TJ, V CC = 15 В, вывод вывода COLL = 2,4 V, а я COLL = 10 мА 2 / Запрограммированные уравнения предельной тока и тока коллектора указаны в описании контакта ISET. 3 / Измерено как I COLL / V COMP для I COLL = от 5 до 20 мА.5

6 тип 01 Схема корпуса Номер клеммы Символ клеммы 1 COLL 2 COMP 3 V CC P Описание Коллектор выходного транзистора с максимальным напряжением 24 В. Этот вывод является выходом усилителя трансдуктивности. Общее усиление напряжения разомкнутого контура усилителя трансдуктивности составляет (гм х R L), где гм рассчитано на -140 мс 30 мс, а R L представляет выходную нагрузку.Выход усилителя погрешности и вход усилителя транскондуктивности. Этот вывод доступен для компенсации высокочастотного усиления усилителя ошибки. Внутреннее напряжение ограничено примерно 2 В. Подключение питания для устройства. Минимальное и максимальное рабочее напряжение составляет от 2,4 до 24 В. Ток покоя обычно составляет 0,5 мА. 4 + EA Неинвертирующий вход для усилителя ошибок. 5 REF 6 SENSE Выход усеченного прецизионного задания. Он может выдавать или поглощать 10 А и при этом поддерживать колебания выходного сигнала менее 1%.Инвертирующая клемма усилителя ошибки используется как входной сигнал датчика напряжения для усилителя ошибки и его другой точки компенсации. Усилитель ошибок использует вход SENSE для сравнения с 1,3 В на эталонном чипе. Контакт SENSE также используется в качестве блокировки пониженного напряжения (UVLO). Он предназначен для предотвращения работы микросхемы до тех пор, пока внутреннее задание не будет правильно смещено. Пороговое значение составляет приблизительно 1 В. Важно, чтобы после высвобождения UVLO усилитель ошибок мог управлять усилителем транскроводности для стабилизации контура.Если конденсатор подключен между выводами SENSE и COMP для создания полюса, это ограничит скорость нарастания усилителя ошибки. Чтобы увеличить пропускную способность и обеспечить запуск при низком токе нагрузки, рекомендуется создать ноль вместе с полюсом. Усилитель ошибки должен подаваться на 2 В для первоначального включения усилителя транск проводимости. 7 GND 8 ИСЕТЬ Опорный и сила заземления для устройства. Заземление выходного транзистора изолировано на микросхеме от заземления подложки, используемого для смещения остальной части устройства.Текущий установленный вывод для усилителя трансдуктивности. Коэффициент трансдуктивности будет равен -140 мс, как указано в электрической таблице, если этот вывод заземлен. Если к выводу ISET добавляется сопротивление, R L, результирующая новая трансдуктивность (гм) рассчитывается по уравнению: gm = / (R L). Максимальный ток будет аппроксимирован с использованием уравнения: I MAX = 0,65 В / (R L). РИСУНОК 1. Клеммные соединения. 6

7 РИСУНОК 2.Блок-схема. 7

8 4. ПРОВЕРКА 4.1 Отбор проб и проверка. Для устройств классов Q и V процедуры отбора и проверки должны соответствовать MIL-PRF или изменяться в плане управления качеством (QM) изготовителя устройства. Модификация в плане QM не должна влиять на форму, форму или функцию, как описано здесь. Для устройства класса M процедуры отбора и проверки должны соответствовать MIL-PRF-38535, добавление A.4.2 Скрининг. Для устройств классов Q и V скрининг должен проводиться в соответствии с MIL-PRF-38535 и должен проводиться на всех устройствах до проверки квалификации и соответствия технологии. Для устройства класса M проверка должна соответствовать методу 5004 MIL-STD-883 и должна проводиться на всех устройствах до проверки соответствия качества. Дополнительные критерии для устройства класса M. a. Испытание на выгорание, метод 1015 MIL-STD-883. (1) Условия испытаний A, B, C или D. Схема испытаний должна поддерживаться изготовителем под контролем уровня пересмотра документов и должна предоставляться для подготовки или получения активности по запросу.Тестовая схема должна указывать входы, выходы, смещения и рассеяние мощности, в зависимости от случая, в соответствии с назначением, указанным в методе 1015 MIL-STD-883. (2) T A = +125 C, минимум. б. Промежуточные и окончательные электрические параметры испытаний должны соответствовать указанным в таблице IIA дополнительным критериям для классов устройств Q и V. a. Продолжительность испытания при вжиге, условия испытания и температура испытания или утвержденные альтернативы должны быть такими, как указано в плане контроля качества изготовителя устройства в соответствии с MIL-PRF. Схема испытания при обжиге должна поддерживаться под контролем редакции документа изготовителя устройства. Совет по обзору технологий (TRB) в соответствии с MIL-PRF и должен быть доступен для приобретения или подготовки деятельности по запросу.Тестовая схема должна указывать входы, выходы, смещения и рассеяние мощности, в зависимости от случая, в соответствии с назначением, указанным в методе 1015 MIL-STD-883. б. Промежуточные и окончательные электрические параметры испытаний должны соответствовать указанным в таблице IIA. с. Дополнительное экранирование для класса устройства V, выходящее за рамки требований класса Q, должно быть таким, как указано в MIL-PRF-38535, добавление B. 4.3 Квалификационный контроль для классов устройств Q и V. Квалификационный контроль для классов устройств Q и V должен соответствовать Проверки MIL-PRF, которые должны быть выполнены, должны быть такими, которые указаны в MIL-PRF и в настоящем документе для групп A, B, C, D и E (см. До 4.4.4). 4.4 Проверка соответствия. Проверка соответствия технологии для классов Q и V должна проводиться в соответствии с MIL-PRF, включая проверки групп A, B, C, D и E, и как указано в настоящем документе. Проверка соответствия качества для устройства класса M должна соответствовать MIL-PRF-38535, добавление A и как указано в настоящем документе. Проверки, которые должны быть выполнены для класса устройств M, должны быть такими, которые указаны в методе 5005 MIL-STD-883 и в настоящем документе для проверок групп A, B, C, D и E (см. Через 4.4.4) Проверка группы A.а. Испытания должны быть такими, как указано в таблице IIA. б. Подгруппы 7, 8, 9, 10 и 11 в таблице I, метод 5005 MIL-STD-883 должны быть опущены. 8

9 ТАБЛИЦА IIA. Требования к электрическим испытаниям. Требования к испытаниям Промежуточные электрические параметры (см. 4.2) Конечные электрические параметры (см. 4.2) Требования к испытаниям группы A (см. 4.4) Электрические параметры конечной точки группы C (см. 4.4) Электрические параметры конечной точки группы D (см. 4.4) Электрические параметры конечной точки группы E (см. 4.4) Подгруппы (в соответствии с MIL-STD-883, метод 5005, таблица I) Подгруппы класса M (в соответствии с MIL- PRF-38535, таблица III) класс Q, класс V 1,2,3,4,5,6 1 / 1,2,3,4,5,6 1 / 1,2,3, 1/2 / 4,5 , 6 1,2,3,4,5,6 1,2,3,4,5,6 1,2,3,4,5,6 1,2,3,4,5,6 1,2, 3,4,5,6 1,2,3, 2 / 4,5,6 1,4 1,4 1, / PDA применяется к подгруппе 1. 2 / При необходимости требуются пределы дельты, указанные в таблице IIB, и дельта-пределы должны быть рассчитаны со ссылкой на предыдущие электрические параметры конечной точки (см. таблицу I).ТАБЛИЦА IIB. Дельта-параметры испытаний на выгорания и срок службы. TA = +25 C. 1 / Параметры Символ Дельта-пределы Минимальный рабочий ток I CC 0,05 мА Смещение входного напряжения усилителя (EA) V OS 0,4 мВ Ток смещения входного сигнала усилителя (EA) I IB 0,02 A 1 / Дельты выполняются в комнате температурный контроль группы С. Электрические параметры конечной точки проверки группы C должны соответствовать указанным в таблице IIA дополнительным критериям для класса устройств M. Условия испытаний на установившийся срок службы, метод 1005 MIL-STD-883: a.Условия испытаний A, B, C или D. Схема испытаний должна поддерживаться изготовителем под контролем уровня пересмотра документов и должна предоставляться для подготовки или получения активности по запросу. Тестовая схема должна указывать входы, выходы, смещения и рассеяние мощности, в зависимости от случая, в соответствии с назначением, указанным в методе 1005 MIL-STD-883. б. T A = +125 С, минимум. с. Продолжительность испытания: 1000 часов, за исключением случаев, разрешенных методом 1005 MIL-STD

10 Дополнительные критерии для классов устройств Q и V.Продолжительность испытания в установившемся режиме, срок испытания и температура испытания, или утвержденные альтернативы должны быть такими, как указано в плане контроля качества изготовителя устройства в соответствии с MIL-PRF. Испытательная схема должна поддерживаться под контролем уровня пересмотра документа TRB изготовителя устройства в в соответствии с MIL-PRF и должны быть доступны для приобретения или подготовки деятельности по запросу. Испытательная схема должна указывать входы, выходы, смещения и рассеиваемую мощность, в зависимости от случая, в соответствии с назначением, указанным в методе 1005 проверки D группы MIL-STD.Электрические параметры конечной точки проверки группы D должны соответствовать значениям, указанным в таблице IIA настоящей проверки группы Е. Проверка группы E требуется только для частей, предназначенных для маркировки как гарантированная жесткость излучения (см. 3.5 в данном документе). а. Конечные электрические параметры должны соответствовать указанным в таблице IIA. б. Для устройств классов Q и V устройства или испытательное транспортное средство должны подвергаться испытаниям с гарантированной жесткостью излучения, как указано в MIL-PRF для уровня RHA, который подвергается испытаниям. Для устройства класса M устройства должны быть подвергнуты испытаниям с гарантированной жесткостью излучения, как указано в MIL-PRF-38535, приложение A для тестируемого уровня RHA.Все классы устройств должны соответствовать пределам электрических параметров конечной точки после облучения, как определено в таблице I, при T A = +25 C 5 C после воздействия на подгруппы, указанные в таблице IIA. 5. УПАКОВКА 5.1. Требования к упаковке. Требования к упаковке должны соответствовать MIL-PRF для устройств класса Q и V или MIL-PRF-38535, добавление A для устройства класса M. 6. ПРИМЕЧАНИЯ 6.1 Использование по назначению. Микросхемы, соответствующие этому чертежу, предназначены для использования в государственных микросхемах (оригинальное оборудование), для проектирования и в целях логистики. Возможность замены.Микросхемы, описанные в этом чертеже, заменят то же типовое устройство, которое указано в подготовленной подрядчиком спецификации или чертеже. устройства класса Q заменят устройства класса M. 6.2 Контроль конфигурации SMD. Все предлагаемые изменения в существующих SMD будут согласованы с пользователями записи для отдельных документов. Эта координация будет осуществляться с использованием DD Form 1692, Предложение по инженерным изменениям. 6.3 Запись пользователей. Военные и промышленные пользователи должны информировать Центр снабжения обороны Колумбуса (DSCC), когда системное приложение требует контроля конфигурации и какие SMD-устройства применимы к этой системе.DSCC будет вести учет пользователей, и этот список будет использоваться для координации и распространения изменений в чертежах. Пользователи чертежей, охватывающих микроэлектронные устройства (FSC 5962), должны связаться с DSCC-VA, телефон (614) Комментарии. Комментарии к этому рисунку должны быть адресованы DSCC-VA, Колумбус, Огайо или телефону (614) Сокращения, символы и определения. Аббревиатуры, символы и определения, используемые в данном документе, определены в MIL-PRF и MIL-HDBK. Источники питания Источники питания для устройств классов Q и V.Источники поставки для классов устройств Q и V перечислены в QML. Поставщики, перечисленные в QML, представили DSCC-VA сертификат соответствия (см. П. 3.6) и согласились с этим чертежом. Утвержденные источники поставки для класса устройств М. поставки для класса M перечислены в MIL-HDBK-103. Поставщики, перечисленные в MIL-HDBK-103, согласились с этим чертежом, и DSCC-VA представил и принял сертификат соответствия (см. 3.6 в данном документе). 10

11 БЮЛЛЕТЕНЬ ДАТА: Утвержденные источники поставки для SMD перечислены ниже только для немедленной информации о приобретении и должны быть добавлены в MIL-HDBK-103 и QML во время следующей редакции.MIL-HDBK-103 и QML будут пересмотрены с целью добавления или удаления источников. Поставщики, перечисленные ниже, согласились с этим чертежом, и DSCC-VA представил и принял сертификат соответствия. Этот информационный бюллетень заменен следующей датированной версией MIL-HDBK-103, и QML DSCC поддерживает онлайновую базу данных всех текущих источников питания на стандартном чертеже микросхемы PIN 1 / номер поставщика CAGE аналогичный поставщику PIN 2 / VPA UC19432-SP 1 / Конец свинца, показанный для каждого PIN-кода, представляющего собой герметичную упаковку, является наиболее доступным от производителя, указанного для этой части.Если требуемая отделка не указана, обратитесь к поставщику, чтобы определить ее наличие. 2 / Осторожно. Не используйте этот номер для приобретения предмета. Товары, приобретенные по этому номеру, могут не соответствовать требованиям к характеристикам этого чертежа. Номер CAGE поставщика Название и адрес поставщика Texas Instruments, Inc. Semiconductor Group 8505 Forest Lane P.O. Box Dallas, TX Точка соприкосновения: шоссе США 75 South P.O. Вставка 84, M / S 853 Sherman, TX Информация, содержащаяся в данном документе, распространяется только для удобства, и правительство не несет никакой ответственности за любые неточности в информационном бюллетене.