Тиристор обозначение на схеме: что это такое, принип работы, ВАХ, маркировка и разновидности

Содержание

что это такое, принип работы, ВАХ, маркировка и разновидности

Симистор – электронная деталь, основанная на принципах полупроводимости.. В американской терминологии электроники они называются триаками. Главной особенностью этих радиодеталей является способность проводить ток в оба направления. Симистор выполняет роль ключа-регулятора, который используется для создания цепей и является двунаправленным транзистором. Состоят они из силовых электродов. Один из находится на стороне электрода управления, а другого в его основе.

Свой термин они получили при использовании двух параллельных тиристоров и управляющего электрода. Статья содержит материал по тому как они используются, как и где используются, какую структуру имеют, а также где их можно использовать. В качестве дополнения, статья содержит два видеоматериала, а также научную статью.

Симистор: вид с двух сторон.

Как он работает и для чего нужен

Симистор является полупроводниковым прибором. Его полное название – симметричный триодный тиристор. Его особенность – возможно проводить ток в обе стороны. Данный элемент цепи имеет три вывода: один является управляющим, а два других силовыми. В этой статье мы рассмотрим принцип работы, устройство и назначение симистора в различных схемах электроприборов. В таблице ниже представлены характеристики популярных симисторов:

Таблица характеристик популярных симисторов.

Конструкция и принцип действия

Особенность симистора является двунаправленной проводимости идущего через прибор электрического тока. Конструкция устройства строится на использовании двух встречно-параллельных тиристоров с общим управлением. Такой принцип работы дал название от сокращенного «симметрические тиристоры». Поскольку электроток может протекать в обе стороны, нет смысла обозначать силовые выводы как анод и катод. Дополняет общую картину управляющий электрод. В симисторе есть пять переходов, позволяющих организовать две структуры. Какая из них будет использоваться зависит от места образования (конкретный силовой вывод) отрицательной полярности.

Симистор.

Как работает устройство

Исходно полупроводниковый прибор находится в запертом состоянии и ток по нему не проходит. При подаче тока на управляющий электрод, последний переходит в открытое состояние и симистор начинает пропускать через себя ток. При работе от сети переменного тока полярность на контактах постоянно меняется. Схема, где используется рассматриваемый элемент, при этом будет работать без проблем. Ведь ток пропускается в обоих направлениях. Чтобы симистор выполнял свои функции, на управляющий электрод подают импульс тока, после снятия импульса ток через условные анод и катод продолжает протекать до тех пор, пока цепь не будет разорвана или они не будут находится под напряжением обратной полярности.

Это один из видов тиристоров, отличающийся от базового типа большим числом p-n переходов, и как следствие этого, принципом работы (он будет описан ниже). Характерно, что в элементной базе некоторых стран данный тип считается самостоятельным полупроводниковым устройством.  

При использовании в цепи переменного тока симистор закрывается на обратной полуволне синусоиды, тогда нужно подавать импульс противоположной полярности (той же, под которой находятся «силовые» электроды элемента).

Принцип действия системы управления может корректироваться в зависимости от конкретного случая и применения. После открытия и начала протекания подавать ток на управляющий электрод не нужно. Цепь питания разрываться не будет. При надобности отключить питание следует понизить ток в цепи ниже уровня величины удержания или кратковременно разорвать цепь питания.

Управляющие сигналы

Чтобы добиться желаемого результата с симистором используют не напряжение, а ток. Чтобы прибор открылся, он должен быть на определённом небольшом уровне. Для каждого симистора сила управляющего тока может быть разной, её можно узнать из даташита на конкретный элемент. Например, для симистора КУ208 этот ток должен быть больше 160 мА, а для КУ201 —не менее 70 мА.

Симистор иностранного производства.

Полярность управляющего сигнала должна совпадать с полярностью условного анода. Для управления симистором часто используют выключатель и токоограничительный резистор, если он управляется микроконтроллером – может понадобиться дополнительная установка транзистора, чтобы не сжечь выход МК, или использовать симисторный оптодрайвер, типа MOC3041 и подобных. Четырёхквадрантные симисторы могут отпираться сигналом с любой полярностью. В этом преимуществе есть и недостаток – может потребоваться увеличенный управляющий ток. При отсутствии прибор заменяется двумя тиристорами. При этом следует правильно подбирать их параметры и переделывать схему управления. Ведь сигнал будет подаваться на два управляющих вывода.

Интересно по теме: Как проверить стабилитрон.

Достоинства и недостатки

Для чего нужен рассматриваемый полупроводниковый прибор? Самый популярный вариант использования – коммутация в цепях переменного тока. В этом плане симистор очень удобен – используя небольшой элемент можно обеспечить управление высоковольтного питания. Популярны решения, когда им заменяют обычное электромеханическое реле. Плюс такого решения – отсутствует физический контакт, благодаря чему включение питания становится надежнее, переключение бесшумным, ресурс на порядки больше, быстродействие выше. Еще одно достоинство симистора – относительно невысокая цена, что вместе с высокой надёжностью схемы и временем наработки на отказ выглядит привлекательно.

Полностью избежать минусов разработчикам не удалось. Так, приборы сильно нагреваются под нагрузкой. Приходится обеспечивать отвод тепла. Мощные (или «силовые») симисторы устанавливают на радиаторы. Ещё один недостаток, влияющий на использование, это создание гармонических помех в электросети некоторыми схемами симисторных регуляторов (например, бытовой диммер для регулировки освещенности).

Отметим, что напряжение на нагрузки будет отличаться от синусоиды, что связано с минимальным напряжением и током, при которых возможно включение. Из-за этого подключать следует только нагрузку, не предъявляющую высоких требований к электропитанию. При постановке задачи добиться синусоиды такой способ коммутации не подойдёт. Симисторы сильно подвержены влиянию шумов, переходных процессов и помех. Также не поддерживаются высокие частоты переключения.

Область применения

Характеристики, небольшая стоимость и простота устройства позволяет успешно применять симисторы в промышленности и быту. Их можно найти:

  • В стиральной машине.
  • В печи.
  • В духовках.
  • В электродвигателе.
  • В перфораторах и дрелях.
  • В посудомоечной машине.
  • В регуляторах освещения.
  • В пылесосе.

На этом перечень, где используется этот полупроводниковый прибор, не ограничивается. Применение рассматриваемого проводникового прибора осуществляется практически во всех электроприборах, что только есть в доме. На него возложена функция управления вращением приводного двигателя в стиральных машинках, они используются на плате управления для запуска работы всевозможных устройств – легче сказать, где их нет.

Основные характеристики

Рассматриваемый полупроводниковый прибор предназначен для управления схемами. Независимо от того, где в схеме он применяется, важны следующие характеристики симисторов:

  1. Максимальное напряжение. Показатель, который будучи достигнут на силовых электродах не вызовет, в теории, выхода из строя. Фактически является максимально допустимым значением при условии соблюдения диапазона температур. Будьте осторожны – даже кратковременное превышение может обернуться уничтожением данного элемента цепи.
  2. Максимальный кратковременный импульсный ток в открытом состоянии. Пиковое значение и допустимый для него период, указываемый в миллисекундах.
  3. Рабочий диапазон температур.
  4. Отпирающее напряжение управления (соответствует минимальному постоянному отпирающему току).
  5. Время включения.
  6. Минимальный постоянный ток управления, нужный для включения прибора.
  7. Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии. Этот параметр всегда указывают в сопроводительной документации. Обозначает критическую величину напряжения, предельную для данного прибора.
  8. Максимальное падение уровня напряжения на симисторе в открытом состоянии. Указывает предельное напряжение, которое может устанавливаться между силовыми электродами в открытом состоянии.
  9. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии и напряжения в закрытом. Указываются соответственно в амперах и вольтах за секунду. Превышение рекомендованных значений может привести к пробою или ошибочному открытию не к месту. Следует обеспечивать рабочие условия для соблюдения рекомендованных норм и исключить помехи, у которых динамика превышает заданный параметр.
  10. Корпус симистора. Важен для проведения тепловых расчетов и влияет на рассеиваемую мощность.

Вот мы и рассмотрели, что такое симистор, за что он отвечает, где применяется и какими характеристиками обладает. Рассмотренные простым языком теоретические азы позволят заложить основу для будущей результативной деятельности. Надеемся, предоставленная информация была для вас полезной и интересной!

Полупроводниковая структура симистора

Структура симистора состоит из пластины, состоящей из чередующихся слоев с электропроводностями p- и n- типа и из контактов электродов основного и управляющего действия. Всего в структуре полупроводника содержится пять слоев p- и n-типа. Область между слоями называется p-n-переходом, который обладает нелинейной ВАХ с небольшим сопротивлением в обратном направлении, где минус – это n-слой, а плюс – p-слой и высокое значение сопротивления в обратном направлении. Пробой p-n-перехода происходит при напряжении равном несколько тысяч вольт.

Во время включения симистора в прямом направлении в работу вступает правая половина структуры. Левая область структуры выключена, она считается для тока, с обладанием очень высоким сопротивлением. Характеристики симистора динамического и статического плана при его действии в прямом направлении, при поступлении положительного управляющего сигнала соответствуют аналогичным характеристикам тиристора, работающего в прямом направлении.

По этой схеме к СЭУ прилагается напряжение со знаком плюс, относительно СЭ, а p—n-переходы j2  и j подключаются в прямом, а p—n-переходы j1  и j– в обратную сторону. Благодаря этому структура может рассматриваться, как структура тиристора, подключенная в обратном направлении, не принимающая участие в работе по пропусканию тока. В этом случае действие прибора определяется при помощи левой части структуры и представляет собой обратно ориентированную p—n—p—n структуру с добавочным пятым слоем n

0 , который граничит со слоем p1.

Использование симистора

Симистор представляется настолько гибким и универсальным устройством, что благодаря его свойству переключения в проводящее состояние запускаемым импульсом с положительным или отрицательным знаком, который не зависит от источника  проявляющего свойства мгновенной полярности. По сути названия анод и катод для прибора не имеют большой актуальности.

  • Одно из популярных и простейших сфер использования симистора может считаться его применение в качестветвердотельного реле. Для него характерно малое значение пускового тока достаточного для нагрузки с большими токами. Функцию ключа в таком устройстве может играть геркон, или обладающее большой чувствительностью термореле и прочие контактные пары с током до 50мА, при этом величина тока нагрузки может ограничиваться исключительно показателями, на которые рассчитан симистор.
  • 2Не менее широко использование симистора в качестве регулятора интенсивности освещения и управления скоростью вращения электромотора. Схема построена на спользовании запускающих элементов, которые устанавливаются RC-фазовращателем, такой элемент, как потенциометр регулирует интенсивность освещения, а резистор служит для ограничения тока нагрузки. Формирование импульсов выполняется с помощью динистора. После пробоя в динисторе, который происходит в результате разности потенциалов на конденсаторе, импульс разряда конденсатора, возникающий мгновенно включает симистор.
  • Управление мощностью в нагрузке с использованием в схеме добавочной RC-цепочки, что дает большой фазовый сдвиг, который облегчает задачу по управлению мощности.

Обозначение симистора на схеме.

Преимущества использования симисторов

  • Увеличение разрешенной критической величины напряжения коммутации, что разрешает управления большими реактивными нагрузками без существенных сбоев в коммутации. Это позволяет уменьшить число компонентов, размеры печатной платы, снизить цену и убрать потери на рассеивание энергии демпфером.
  • Повышение критической величины изменения тока коммутации, что повышает качество работы на высокой частоте для несинусоидального напряжения.
  • Большая чувствительность к высокой температуре рабочего процесса.
  • Высокое значение допустимого напряжения снижает стремление к самовключению из состояния отсутствия проводимости при большой температуре, что разрешает их использование для резистивных нагрузок по управлению бытовой и нагревательной техникой.
  • Долговечность симистора, обусловленная рабочими температурными перепадами, отличается практически неограниченным ресурсом.
  • Отсутствие искрообразования и возможность управления в момент нулевого тока в сети, что снижает электромагнитные помехи.

Основные достоинства симистора:

  1. большая частота срабатывания для высокой точности управления;
  2. высокий ресурс по сравнению с релейными электромеханическими устройствами;
  3. возможность добиться небольших размеров приборов;
  4. отсутствие шума при включении и отключении электроцепей.

Силовая электроника, с использованием  симисторов, разработанная отечественными производителями благодаря своим качественным показателям может составить западным фирмам высокую конкуренцию.

Материал по теме: Как подключить конденсатор

Виды симисторов

Говоря о видах симисторов, следует принять тот факт, что это симистор является одним из видов тиристоров.  Когда имеются в виду различия по работе, то и тиристор можно представить своего рода разновидностью симистора. Различия касаются лишь по управляющему катоду и в разных принципах работы этих тиристоров. Читайте что такое импульсный блок питания.

Поврежденные симисторы.

Импортные симисторы широко представлены на отечественном рынке. Их основное отличие от отечественных  симисторов заключается в том, что они не требуют предварительной настройки в самой схеме, что позволяет экономить  детали и место на печатной плате. Как правило, они начинают работать сразу после включения в схему. Следует лишь точно подобрать необходимый симистор по всем требуемым характеристикам.

  • На замену Z00607 хорошо подходят ы BT131-600, только они максимально подходят по всем характеристикам
  • Полностью аналогичный у Z7M является МАС97А8.
  • z3m . Такой же , как и чуть выше.  Различия в токе по управляющему ключу и в максимальном напряжении. Полностью аналогичен по замене на  MAC97A8
  • ВТА 16 600 — импортный , рассчитанный на использование в цепях до 16 ампер и напряжением до 600 вольт
  • Этот очень часто используется концерном Samsung в производстве бытовых приборов.   Аналогом этого полупроводника и, несомненно, более лучшим, является BT 134-800. ы m2lz47 являются не самыми надежными с точки зрения условий эксплуатации в приборах с нестабильными параметрами питающей сети.
  • тс122 25. Данный симистор очень часто называют силовым тиристором, так как он используется в электроприборах или электроинструменте в механизмах плавного пуска.  Отличительной особенность данного а является его большая надежность на протяжении большого срока работы.
  • 131 6 , другое название данного а  ВТ 131-600, но есть и упрощенное  название, и на многих деталях имеется именно упрощенная маркировка. С этим моментом очень часто связано то, что по оригинальной или упрощенной маркировке не всегда можно найти именно ту информацию, которая нужна.

Схемы управления

Схемы управления симистором отличаются простотой и надежностью. Там, где без применения симисторов требовалось большое количество деталей, и производилась тщательная подгонка по параметрам – симисторы значительно упростили всю принципиальную схему.  Включение в схему только основных элементов позволяет миниатюризировать не только саму печатную плату, но и весь прибор в целом. Читайте принцип работы индикаторной отвертки.

Схема диммера на симисторе позволяет создать компактное дополнение к выключателю освещения, для плавной регулировки уровня освещения. При необходимости схему можно дополнить компонентами для плавного изменения освещения в зависимости от яркости внешнего фона.

Схема регулятора на симисторе включает в себя непосредственно сам датчик температуры, питающую сеть, и прибор нагрузки. Изменение показаний датчика температуры приводит к изменени показателей тока на ключе симистора, что приводит либо к увеличению напряжения, либо к уменьшению. Забудьте о сложных механических устройствах с биметаллическими пластинами и выгорающих контактах. Схемы управления скоростью вращения двигателя принципиально ничем не отличаются по принципу построения от других аналогичных. Нюансы касаются только параметров тока и напряжения на двигатель.

Симистр на электронной схеме.

Управление симистором через оптопару позволяет подключать электрооборудование, которым нужно управлять. Непосредственно к компьютеру через порт LPT. Оптопара в данном примере позволяет защитить непосредственно материнскую плату компьютера от перегрузки и выхода из строя.  Своего рода умны предохранитель с функцией управления. Управление симистором с микроконтроллера позволяет добиться очень точных показателей по току и напряжению, при которых происходит управление самим симистором и распределению питающего напряжения на различные устройства нагрузки.

Заключение

Рейтинг автора

Автор статьи

Инженер по специальности "Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем", МИФИ, 2005–2010 гг.

Написано статей

В статье описаны все особенности строения и работы симистора. Более подробно о них можно узнать из статьи Работа симистора. В нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессиональных электронщиков. Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vk.com/electroinfonet. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:

www.elektronchic.ru

www.samelectrik.ru

www.howelektrik.com

www.principraboty.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое динистор?

Следующая

ПолупроводникиЧто такое тиристоры?

ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4), ГОСТ от 16 августа 1973 года №2.730-73


ГОСТ 2.730-73

Группа Т52

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

Приборы полупроводниковые

Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices



МКС 01.080.40
31.080

Дата введения 1974-07-01


1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002

3. Соответствует СТ СЭВ 661-88

4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы

5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.


(Измененная редакция, Изм. N 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.

Обозначения элементов полупроводниковых приборов

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. N 2).

2. Электроды:

база с одним выводом


база с двумя выводами

Р-эмиттер с N-областью


N-эмиттер с P-областью


несколько Р-эмиттеров с N-областью


несколько N-эмиттеров с P-областью


коллектор с базой


несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе


3. Области:

область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью


Переход от Р-области к N-области и наоборот

область собственной электропроводности (I-область):

1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP


2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN


3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP


4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN


4. Канал проводимости для полевых транзисторов:

обогащенного типа


обедненного типа


5. Переход PN


6. Переход NP


7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип


8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип


9. Затвор изолированный


10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически не соединенные с корпусом


электрически соединенные с корпусом


12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку




(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

а) прямой


б) обращенный


2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний


б) двухсторонний


3-8. (Исключены, Изм. N 2).

9. Эффект Шоттки


6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.

Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение


2. Диод туннельный


3. Диод обращенный


4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний


б) двухсторонний


5. Диод теплоэлектрический


6. Варикап (диод емкостной)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами


8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами


9. Диод Шоттки


10. Диод светоизлучающий


7. Обозначения тиристоров приведены в табл.6.

Обозначения тиристоров


Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении


2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении


3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение


5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:

по аноду


по катоду


6. Тиристор триодный выключаемый:

общее обозначение


запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду


запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду


7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

общее обозначение


с управлением по аноду


с управлением по катоду


8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак


9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении



Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл.7.

Примеры построения обозначений транзисторов

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP


б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана


2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом


3. Транзистор лавинный типа NPN


4. Транзистор однопереходный с N-базой


5. Транзистор однопереходный с P-базой


6. Транзистор двухбазовый типа NPN


7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области


8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области


9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN



Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,


б) изображать корпус транзистора.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл.8.

Примеры построения обозначений полевых транзисторов

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N


2. Транзистор полевой с каналом типа P


3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки:

а) обогащенного типа с Р-каналом


б) обогащенного типа с N-каналом


в) обедненного типа с Р-каналом


г) обедненного типа с N-каналом


4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки


5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом


6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки


7. Транзистор полевой с затвором Шоттки


8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки



Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов


Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение


б) дифференциальный


2. Фотодиод


3. Фоторезистор


4. Фототранзистор:

а) типа PNP


б) типа NPN


5. Фотоэлемент


6. Фотобатарея


11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл.10

Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный


2. Оптрон тиристорный


3. Оптрон резисторный


4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

а) совмещенно

б) разнесенно


5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы


б) без вывода от базы



Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:


2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл.11.

Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла


Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

2. Резистор магниточувствительный


3. Магнитный разветвитель


13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл.12.

Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение


или

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.


Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.


Пример применения условного графического обозначения на схеме


2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов


14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл.13.

Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

или


2. Транзистор типа PNP



3. Транзистор типа NPN



4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области



5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN






Примечание к пп.2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или "меньше" - вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. N 4).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. N 4).

Приложение 2 (справочное). Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное

Наименование

Обозначение

1. Диод




2. Тиристор диодный


3. Тиристор триодный




4. Транзистор





5. Транзистор полевой


6. Транзистор полевой с изолированным затвором




ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. N 3).



Электронный текст документа
подготовлен АО "Кодекс" и сверен по:
официальное издание
Единая система конструкторской
документации. Обозначения условные
графические в схемах: Сб. ГОСТов. -
М.: Стандартинформ, 2010

ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

1. Основное напряжение тиристора*

-

-

Напряжение между основными выводами тиристора

Е. Principal voltage

F. Tension principal

________________
* Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину необходимо добавить слова "максимально допустимый" (ая, ое) или "минимально допустимый" (ая, ое), к буквенному обозначению индекс "max" или "min" соответственно.

2. Прямое напряжение тиристора

Положительное анодное напряжение тиристора

Е. Forward voltage

F. Tension directe

3. Напряжение в закрытом состоянии тиристора

-

-

Основное напряжение, когда тиристор находится в закрытом состоянии

Е. Off-state voltage

F. Tension

4. Постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора

-

Е. Continuous (direct) off-state voltage

F. Tension continue (permanente)

5. Напряжение переключения тиристора

Основное напряжение тиристора в точке переключения

Е. Breakover voltage

F. Tension de retournement

6. Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии тиристора

Е. Non-repetitive peak off-state voltage

F. Tension de pointe

Наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося переходного напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

7. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии тиристора

Е. Repetitive peak off-state voltage

F. Tension de pointe

Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение определяется схемой и параметрами тиристора

8. Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии тиристора

Е. Peak working off-state voltage

F. Tension de fonctionnement de pointe

Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

9. Отпирающее напряжение тиристора

Е. Trigger voltage

F. Tension d'amorcage

-

Наименьшее значение напряжения в закрытом состоянии тиристора, которое обеспечивает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое

10. Импульсное отпирающее напряжение тиристора

-

-

Е. Peak trigger voltage

F. Tension d'amorcage de pointe

11. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора

Е. Rate of rise of off-state voltage

Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое

F. Vitesse de croissance de la tension

12. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора

Е. Critical rate of rise of off-state voltage

Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое

F. Vitesse critique de croissance de la tension

13. Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения тиристора

Е. Critical rate oi rise of commutating voltage

F. Vitesse critique de croissance de la tension de commutation

Наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения тиристора, которое непосредственно после нагрузки током и открытом состоянии или в обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое

14. Напряжение в открытом состоянии тиристора

-

-

Основное напряжение тиристора в открытом состоянии

Е. On-state voltage

F. Tension passant

15. Постоянное напряжение в открытом состоянии тиристора

-

Е. Continuous (direct) on-state voltage

F. Tension continue (permanente) passant

16. Импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора

Е. Peak on-state voltage

Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения

F. Tension de pointe passant

17. Пороговое напряжение тиристора

Е. On-state threshold voltage

F. Tension de seuil passant

Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения

18. Обратное напряжение тиристора

-

-

Отрицательное анодное напряжение тиристора

Е. Reverse voltage

F. Tension inverse

19. Постоянное обратное напряжение тиристора

-

Е. Continuous (direct) reverse voltage

F. Tension inverse continue (permanente)

20. Обратное напряжение пробоя тиристора

Обратное напряжение тиристора, при котором обратный ток достигает заданного значения

Е. Reverse breakdown voltage

F. Tension inverse de claquage

21. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора

Е. Non-repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.

Примечание. См. примечание к термину 6

22. Повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора

Е. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. См. примечание к термину 7

23. Рабочее импульсное обратное напряжение тиристора

E. Peak working reverse voltage

F. Tension inverse de pointe

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

24. Напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора

-

-

Основное напряжение тиристора в обратном проводящем состоянии

E. Reverse coducting voltage

F. Tension conducteur dans le sens inverse

25. Постоянное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора

-

E. Continuous (direct) reverse coducting voltage

F. Tension continue (permanente) conducteur dans le sens inverse

26. Импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора

E. Peak reverse conducting voltage

Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения

F. Tension de pointe conducteur dans le sens inverse

27. Пороговое напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора

E. Reverse conducting threshold voltage

F. Tension de seuil conducteur dans le sens inverse

Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики обратного проводящего состояния с осью напряжения

28. Напряжение управления тиристора

-

-

Напряжение между управляющим выводом и заданным основным выводом тиристора

E. Gate voltage

F. Tension de

29. Постоянное напряжение управления тиристора

-

E. Gate continuous (direct) voltage

F. Tension continue (directe) de

30. Импульсное напряжение управления тиристора

Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора

E. Peak gate voltage

F. Tension de pointe de

31. Прямое постоянное напряжение управления тиристора

E. Forward gate continuous (direct) voltage

Постоянное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии

F. Tension directe continue de

32. Прямое импульсное напряжение управления тиристора

E. Peak forward gate voltage

Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии

F. Tension directe de pointe de

33. Обратное постоянное напряжение управления тиристора

E. Reverse gate continuous (direct) voltage

Постоянное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии

F. Tension inverse continue de

34. Обратное импульсное напряжение управления тиристора

E. Reak reverse gate voltage

Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии

F. Tension inverse de pointe de

35. Отпирающее постоянное напряжение управления тиристора

Е. Gate trigger continuous (direct) voltage

Постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее отпирающему постоянному току управления тиристора

F. Tension continue

36. Отпирающее импульсное напряжение управления тиристора

Е. Peak gate trigger voltage

Импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее импульсному отпирающему току управления тиристора

F. Tension de pointe

37. Неотпирающее постоянное напряжение управления тиристора

Е. Gate non-trigger continuous (direct) voltage

Наибольшее постоянное напряжение управления тиристора, не вызывающее включения тиристора

F. Tension continue de

38. Неотпирающее импульсное напряжение управления тиристора

Е. Peak gate non-trigger voltage

Наибольшее импульсное напряжение управления тиристора, не вызывающее включения тиристора

F. Tension de pointe de

39. Запирающее постоянное напряжение управления тиристора

Е. Gate turn-off continuous (direct) voltage

Постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления тиристора

F. Tension continue de

40. Запирающее импульсное напряжение управления тиристора

Е. Peak gate turn-off voltage

Импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему импульсному току управления тиристора

F. Tension de pointe de

41. Незапирающее постоянное напряжение управления тиристора

Е. Gate non-turn-off continuous (direct) voltage

Наибольшее постоянное напряжение управления тиристора, не вызывающее выключения тиристора

F. Tension de

42. Незапирающее импульсное напряжение управления тиристора

Е. Peak gate non-turn-off voltage

Наибольшее импульсное напряжение управления тиристора, не вызывающее включения тиристора

F. Tension de pointe de

43. Основной ток тиристора

-

-

Ток, протекающий через основные выводы тиристора

Е. Principal current

F. Courant principal

44. Ток в закрытом состоянии тиристора

-

-

Основной ток тиристора в закрытом состоянии

Е. Off-state current

F. Courant

45. Постоянный ток в закрытом состоянии тиристора

-

Е. Continuous (direct) off-state current

F. Courant continu (permanent )

46. Ток переключения тиристора

Основной ток тиристора в момент переключения тиристора

Е. Breakover current

F. Courant de retournement

47. Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии тиристора

Е. Repetitive peak off-state current

Импульсный ток в закрытом состоянии тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии

F. Courant dе pointe

48.Ток удержания тиристора

Е. Holding current

Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии

F. Courant hypostatique ou de maintien

49. Ток включения тиристора

Е. Latching current

F. Courant d'accrochage

Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии непосредственно после окончания действия импульса тока управления после переключения тиристора из закрытого состояния в открытое

50. Ток в открытом состоянии тиристора

-

-

Основной ток тиристора в открытом состоянии

Е. On-state current

F. Courant passant

51. Постоянный ток в открытом состоянии тиристора

-

Е. Continuous (direct) on-state current

F. Courant continu (permanent) passant

52. Средний ток в открытом состоянии тиристора

Среднее за период значение тока в открытом состоянии тиристора

Е. Mean on-state current

F. Courant moyen passant

53. Действующий ток в открытом состоянии тиристора

-

Е. R. M. S. on-state current

F. Courant efficace passant

54. Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора

Е. Repetitive peak on-state current

Наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии тиристора, включая все повторяющиеся переходные токи

F. Courant de pointe passant

55. Ток перегрузки в открытом состоянии тиристора

Е. Overload on-state current

F. Courant do surcharge passant

Ток в открытом состоянии тиристора, который при длительном протекании вызвал бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации тиристора число воздействий током перегрузки не ограничивается

56. Ударный ток в открытом состоянии тиристора

Е. Surge (non-repetitive) on-state current

F. Courant de surcharge accidentelle passant

Наибольший импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений

57. Защитный показатель тиристора

Е. Safety factor


-

Значение интеграла от квадрата ударного неповторяющегося тока в открытом состоянии тиристора за время протекания ударного тока

F. Facteur de

58. Скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора

Е. Rate of rise of on-state current

Значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии

F. Vitesse de croissance du courant passant

59. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора

Е. Critical rate of rise of on-state current

Наибольшее значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии

F. Vitesse critique de croissance du courant passant

60. Запираемый ток тиристора

Е. Turn-off current

F. Courant de

Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду

61. Обратный ток тиристора

-

-

Анодный ток тиристора в непроводящем состоянии

Е. Reverse current

F. Courant inverse

62. Постоянный обратный ток тиристора

-

Е. Continuous (direct) reverse current

F. Courant inverse continu (permanent)

63. Повторяющийся импульсный обратный ток тиристора

Е. Repetitive peak reverse current

Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением

F. Courant inverse de pointe

64. Обратный ток восстановления тиристора

Обратный ток тиристора, протекающий во время обратного восстановления

Е. Reverse recovery current

F. Courant de recouvrement inverse

65. Ток в обратном проводящем состоянии тиристора

-

-

Анодный ток тиристора в обратном проводящем состоянии

Е. Reverse conducting current

F. Courant conducteur dans Ie sens inverse

66. Постоянный ток в обратном проводящем состоянии тиристора

-

Е. Continuous (direct) reverse conducting current

F. Courant continu (permanent) conducteur dans Ie sens inverse

67. Средний ток в обратном проводящем состоянии тиристора

Среднее за период значение тока в обратном проводящем состоянии тиристора

Е. Mean reverse conducting current

F. Courant moyen conducteur dans Ie sens inverse

68. Действующий ток в обратном проводящем состоянии тиристора

-

Е. R. M. S. reverse conducting current

F. Courant efficace conducteur dans Ie sens inverse

69. Повторяющийся импульсный ток в обратном проводящем состоянии тиристора

Наибольшее мгновенное значение тока в обратном проводящем состоянии тиристора, включая все повторяющиеся переходные токи

Е. Repetitive peak reverse conducting current

F. Courant de pointe conducteur dans Ie sens inverse

70. Ток перегрузки в обратном проводящем состоянии тиристора

Е. Overload reverse conducting current

F. Courant de surcharge conducteur dans Ie sens inverse

Ток в обратном проводящем состоянии тиристора, который при длительном протекании вызвал бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации тиристора число воздействий током перегрузки не ограничивается

71. Ударный ток в обратном проводящем состоянии тиристора

Е. Surge (non-repetitive) reverse conducting current

F. Courant de surcharge accidentelle conducteur dans Ie sens inverse

Наибольший импульсный ток в обратном проводящем состоянии тиристора, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений

72. Ток прямого восстановления тиристора

Анодный ток тиристора, протекающий во время прямого восстановления

Е. Forward recovery current

F. Courant de recouvrement direct

73. Ток управления тиристора

Е. Gate current

-

-

Ток, протекающий через управляющий вывод и заданный основной вывод тиристора

F. Courant de

74. Постоянный ток управления тиристора

-

Е. Gate continuous (direct) current

F. Courant continu de

75. Импульсный ток управления тиристора

Наибольшее мгновенное значение тока управления тиристора

Е. Peak gate current

F. Courant de pointe de

76. Прямой постоянный ток управления тиристора

Е. Forward gate continuous (direct) current

Постоянный ток управления тиристора, соответствующий прямому постоянному напряжению управления тиристора

F. Courant direct continu de

77. Прямой импульсный ток управления тиристора

Е. Peak forward gate current

Импульсный ток управления тиристора, соответствующий прямому импульсному напряжению управления тиристора

F. Courant direct de pointe de

78. Обратный постоянный ток управления тиристора

Е. Reverse gate continuous (direct) current

Постоянный ток управления тиристора, соответствующий постоянному обратному напряжению управления тиристора

F. Courant inverse continu de

79. Обратный импульсный ток управления тиристора

Е. Peak reverse gate current

Импульсный ток управления тиристора, соответствующий импульсному обратному напряжению управления тиристора

F. Courant inverse de pointe de

80. Отпирающий постоянный ток управления тиристора

Е. Gate trigger continuous (direct) current

Наименьший постоянный ток управления тиристора, необходимый для включения тиристора

F. Courant continu

81. Отпирающий импульсный ток управления тиристора

Е. Peak gate trigger current

Наименьший импульсный ток управления тиристора, необходимый для включения тиристора

F. Courant de pointe de

82. Неотпирающий постоянный ток управления тиристора

Наибольший постоянный ток управления тиристора, не вызывающий включения тиристора

Е. Gate non-trigger continuous (direct) current

F. Courant continu de non-amorcage de commande

83. Неотпирающий импульсный ток управления тиристора

Наибольший импульсный ток управления тиристора, не вызывающий включения тиристора

Е. Peak gate non-trigger current

F. Courant de non-amorcage de pointe de

84. Запирающий постоянный ток управления тиристора

Е. Gate turn-off continuous (direct) current

Наименьший постоянный ток управления тиристора, необходимый для выключения тиристора

F. Courant continu de

85. Запирающий импульсный ток управления тиристора

Е. Peak gate turn-off current

Наименьший импульсный ток управления тиристора, необходимый для выключения тиристора

F. Courant de

86. Незапирающий постоянный ток управления тиристора

Е. Gate non-turn-off continuous (direct) current

Наибольший постоянный ток управления тиристора, не вызывающий выключения тиристора

F. Courant de

87. Незапирающий импульсный ток управления тиристора

Е. Peak gate non-turn-off current

Наибольший импульсный ток управления тиристора, не вызывающий выключения тиристора

F. Courant de de pointe de

88. Динамическое сопротивление в открытом состоянии тиристора

Е. On-state slope resistance

Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей характеристику открытого состояния тиристора

F. apparente passant

89. Динамическое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора

Е. Reverse conducting slope resistance

Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей характеристику обратного проводящего состояния тиристора

F. apparente conducteur dans Ie sens inverse

90. Средняя рассеиваемая мощность тиристора

Сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристором

E. Mean power dissipation

F. Puissance moyenne

91. Рассеиваемая мощность в закрытом состоянии тиристора

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в закрытом состоянии тиристора

Е. Off-state power dissipation

F. Puissance

92. Средняя рассеиваемая мощность в закрытом состоянии тиристора

Е. Mean off-state power dissipation

Произведение мгновенных значений тока и напряжения в закрытом состоянии тиристора, усредненное по всему периоду

F. Puissance moyenne

93. Рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в открытом состоянии

Е. On-state power dissipation

F. Puissance passant

94. Средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора

E. Mean on-state power dissipation

Произведение мгновенных значений тока и напряжения в открытом состоянии тиристора, усредненное по всему периоду

F. Puissance moyenne passant

95. Рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании обратного тока

Е. Reverse power dissipation

F. Puissance
dans Ie sens inverse

96. Ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора

Е. Surge reverse power dissipation

Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии тиристора в области пробоя при нагрузке одиночными импульсами тока

F. Puissance de surcharge accidentelle dans Ie sens inverse

97. Рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии тиристора

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в обратном проводящем состоянии

Е. Reverse conducting power dissipation

F. Puissance conducteur dans Ie sens inverse

98. Средняя рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии тиристора

Е. Mean reverse conducting power dissipation

Произведение мгновенных значений тока и напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, усредненное по всему периоду

F. Puissance moyenne conducteur dans Ie sens inverse

99. Рассеиваемая мощность при включении тиристора

Е. Turn-on power dissipation

Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии

F. Puissance

100. Рассеиваемая мощность при выключении тиристора

Е. Turn-off power dissipation

F. Puissance

Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение

101. Рассеиваемая мощность управления тиристора

Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока управления

Е. Gate power dissipation

F. Puissance

102. Средняя рассеиваемая мощность управления тиристора

E. Mean gate power dissipation

Произведение мгновенных значений тока и напряжения управления, усредненного по всему периоду

F. Puissance moyenne de

103. Прямая рассеиваемая мощность управления тиристора

-

Е. Forward gate power dissipation

F. Puissance directe de

104. Обратная рассеиваемая мощность управления тиристора

-

Е. Reverse gate power dissipation

F. Puissance
inverse

105. Импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора

Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности управления тиристора

Е. Peak gate power dissipation

F. Puissance de pointe de

106. Средняя энергия потерь тиристора

Сумма всех средних энергий потерь в тиристоре

Е. Total energy loss

F. Pertes d'energie totale

107. Энергия потерь в открытом состоянии тиристора

Энергия потерь в тиристоре, обусловленная током в открытом состоянии

Е. On-state energy loss

F. Pertes passant

108. Энергия потерь при включении тиристора

Е. Turn-on energy loss

Энергия потерь в тиристоре при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии

F. Pertes

109. Энергия потерь при выключении тиристора

Е. Turn-off energy loss

F. Pertes

Энергия потерь в тиристоре при его переходе из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение

110. Время включения тиристора

Е. Turn-on time

F. Temps

Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.

Примечания:

1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.

2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.

3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

111. Время задержки тиристора

Е. Delay time

F. Retard la croissance

Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

112. Время нарастания тиристора

Е. Rise time

F. Temps de croissance

Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии

113. Время выключения тиристора

E. Turn-off time

F. Temps de

Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора

114. Время обратного восстановления тиристора

Е. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.

Примечания:

1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.

2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока

115. Время нарастания обратного тока восстановления тиристора

Е. Reverse recovery current rise time

F. Temps de croissance d'un courant de recouvrement inverse

Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения

116. Время спада обратного тока восстановления тиристора

Е. Reverse recovery current fall time

F. Temps de d'un courant de recouvrement inverse

Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения, и моментом окончания времени обратного восстановления

117. Время прямого восстановления тиристора

Е. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.

Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение

118. Время выключения по управляющему электроду тиристора

Ндп. Время запирания

Е. Gale controlled turn-off time

F. Temps de

Интервал времени, в который тиристор переключается из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления тиристора.

Примечания:

1. Интервал времени измеряется обычно от заданного момента в начале импульса запирающего тока управления до момента, когда основной ток понижается до заданного значения.

2. Время запирания равняется сумме времени запаздывания и времени спада

119. Время запаздывания по управляющему электроду тиристора

Е. Gate controlled turn-off delay time

F. Temps de retard par la

Интервал времени между заданным моментом в начале импульса запирающего тока управления тиристора и моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления

120. Время спада по управляющему электроду тиристора

Е. Gate controlled turn-off fall time

F. Temps de

Интервал времени между моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда он достигает заданного низкого значения при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления

121. Заряд обратного восстановления тиристора

Е. Recovered charge

F. Charge de recouvrement inverse

Полный заряд, вытекающий из тиристора при переключении его с заданного тока в открытом состоянии на заданное обратное напряжение.

Примечания:

1. Заряд обратного восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.

2. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью обеденного* слоя

________________
* Текст соответствует оригиналу. - Примечание "КОДЕКС".

122. Заряд за время нарастания тиристора

Заряд, вытекающий из тиристора за время нарастания обратного тока восстановления

Е. Rise time charge

F. Charge de temps de sroissance

123. Заряд за время спада тиристора

Е. Fall time charge

F. Charge de

Заряд, вытекающий из тиристора за время спада обратного тока восстановления

124. Заряд прямого восстановления тиристора

Е. Off-state recovered charge

F. Charge de recouvrement direct

Полный заряд, вытекающий из тиристора после переключения его с заданного тока в обратном проводящем состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии.

Примечание. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью структуры

125. Общая емкость тиристора

Е. Total capacitance

Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора

F. totale

126. Тепловое сопротивление тиристора

Е. Thermal resistance

F. thermique

Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.

Примечания:

1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.

2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление

126а. Импульсное тепловое сопротивление тиристора

Е. Peak thermal resistance of a thyristor

Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к импульсной мощности тиристора

F. thermique de pointe d'un thyristor

127. Тепловое сопротивление в открытом состоянии тиристора

-

Е. Thermal on-state resistance

F. thermique passant

128. Тепловое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора

-

Е. Thermal reverse conducting resistance

F. thermique conducteur dans Ie sens inverse

129. Тепловое сопротивление переход-среда тиристора

Е. Thermal junction-toambient resistance

Тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура окружающей среды

F. thermique entre la jonction et l'ambiance

130. Тепловое сопротивление переход-корпус тиристора

Е. Thermal junction-to-case resistance

Тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура корпуса тиристора

F. thermique entre la jonction et Ie

131. Тепловое сопротивление переход-анод тиристора

-

Е. Thermal junction-anode resistance

F. thermique entre la jonction et l'anode

132. Тепловое сопротивление переход-катод тиристора

-

Е. Thermal junction-cathode resistance

F. thermique entre la jonction et la cathode

133. Тепловая емкость тиристора

Е. Thermal capacitance

F. thermique

Отношение тепловой энергии к разности между температурой перехода и температурой в заданной контрольной точке корпуса тиристора.

Примечание. Тепловая емкость приводится в Дж/К или Дж/°С

134. Переходное тепловое сопротивление тиристора

Е. Transient thermal impedance

F. thermique transitoire

Отношение изменения разности в конце интервала времени между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности тиристора в начале того же интервала времени, вызывающему изменение температуры.

Примечания:

1. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри тиристора должно быть постоянным во времени.

2. Переходное тепловое сопротивление приводится как функция продолжительности интервала времени

135. Переходное тепловое сопротивление переход-среда тиристора

Е. Transient thermal junction-to-ambient impedance

Переходное тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура окружающей среды

F. thermique transitoire entre la jonction et I'ambiance

136. Переходное тепловое сопротивление переход-корпус тиристора

Е. Transient thermal junction-to-case impedance

Переходное тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура корпуса тиристора

F. thermique transitoire entre la jonction et la

типов диаграмм UML | Узнайте обо всех 14 типах диаграмм UML

UML означает U nified M odeling L anguage. Это богатый язык для моделирования программных решений, структур приложений, поведения системы и бизнес-процессов. Существует 14 типов диаграмм UML , которые помогут вам смоделировать такое поведение.

Вы можете рисовать диаграммы UML в Интернете с помощью нашего программного обеспечения или ознакомиться с некоторыми примерами диаграмм UML в нашем сообществе разработчиков диаграмм.

Список типов диаграмм UML

Итак, каковы разные типы диаграмм UML? Есть две основные категории; Структурные диаграммы и диаграммы поведения .Щелкните ссылки, чтобы узнать больше о конкретном типе диаграммы.

  • Структурные схемы
  • Диаграммы поведения

Структурные диаграммы показывают элементы моделируемой системы. Говоря более техническим языком, они показывают разные объекты в системе. Диаграммы поведения показывают, что должно происходить в системе. Они описывают, как объекты взаимодействуют друг с другом, чтобы создать функционирующую систему.

Схема классов

Диаграммы классов

являются основным строительным блоком любого объектно-ориентированного решения.Он показывает классы в системе, атрибуты и операции каждого класса, а также отношения между каждым классом.

В большинстве инструментов моделирования класс состоит из трех частей. Имя вверху, атрибуты посередине, а операции или методы внизу. В большой системе со множеством связанных классов классы группируются для создания диаграмм классов. Различные отношения между классами показаны разными типами стрелок.

Ниже приведено изображение диаграммы классов.Перейдите по ссылке ниже, чтобы увидеть больше примеров диаграмм классов, или сразу же приступите к работе с нашими шаблонами диаграмм классов.

Щелкните изображение, чтобы отредактировать приведенную выше диаграмму классов (открывается в новом окне)

Дополнительные примеры схем классов UML >>

Схема компонентов

Компонентная диаграмма отображает структурную взаимосвязь компонентов программной системы. В основном они используются при работе со сложными системами с большим количеством компонентов.Компоненты взаимодействуют друг с другом с помощью интерфейсов. Интерфейсы связаны с помощью разъемов. На изображении ниже показана схема компонентов.

Вы можете использовать этот шаблон схемы компонентов, нажав на изображение

Дополнительные шаблоны схем компонентов >>

Схема развертывания

На схеме развертывания показано оборудование вашей системы и программное обеспечение на этом оборудовании. Диаграммы развертывания полезны, когда ваше программное решение развертывается на нескольких машинах, каждая из которых имеет уникальную конфигурацию.Ниже приведен пример схемы развертывания.

Щелкните изображение, чтобы использовать эту схему развертывания в качестве шаблона

Дополнительные шаблоны схем развертывания >>

Схема объекта

Диаграммы объектов, иногда называемые диаграммами экземпляров, очень похожи на диаграммы классов. Как и диаграммы классов, они также показывают отношения между объектами, но используют реальные примеры.

Они показывают, как система будет выглядеть в данный момент.Поскольку в объектах есть данные, они используются для объяснения сложных отношений между объектами.

Щелкните изображение, чтобы использовать диаграмму объекта в качестве шаблона

Получить больше шаблонов схем объектов >>

Схема упаковки

Как следует из названия, диаграмма пакетов показывает зависимости между различными пакетами в системе. Прочтите эту статью вики, чтобы узнать больше о зависимостях и элементах, обнаруженных в диаграммах пакетов.

Схема профиля

Профильная диаграмма - это новый тип диаграммы, представленный в UML 2.Это тип диаграммы, который очень редко используется в какой-либо спецификации. Дополнительные шаблоны диаграмм профиля можно найти в нашем сообществе диаграмм.

Схема составной конструкции

Диаграммы составной структуры используются для отображения внутренней структуры класса. Некоторые из общих схем составных структур.

Схема сценариев использования

Являясь наиболее известным типом диаграмм поведенческих типов UML, диаграммы вариантов использования дают графический обзор действующих лиц, задействованных в системе, различных функций, необходимых этим субъектам, и того, как эти различные функции взаимодействуют.

Это отличная отправная точка для обсуждения любого проекта, потому что вы можете легко определить основных участников и основные процессы в системе. Вы можете создавать диаграммы вариантов использования с помощью нашего инструмента и / или сразу приступить к работе, используя наши шаблоны вариантов использования.

Диаграмма вариантов использования Взаимосвязи, объясненные на примерах

Щелкните изображение, чтобы отредактировать этот шаблон

Дополнительные примеры диаграмм вариантов использования >>

Диаграмма деятельности

Диаграммы действий представляют рабочие процессы в графическом виде.Их можно использовать для описания бизнес-процесса или рабочего процесса любого компонента в системе. Иногда диаграммы деятельности используются как альтернатива диаграммам конечных автоматов. Прочтите эту вики-статью, чтобы узнать о символах и использовании диаграмм активности. Вы также можете сослаться на это простое руководство к диаграммам активности.

Дополнительные шаблоны диаграмм деятельности >>

Схема конечного автомата

Диаграммы конечного автомата

похожи на диаграммы действий, хотя обозначения и использование немного меняются.Иногда их также называют диаграммами состояний или диаграммами состояний. Они очень полезны для описания поведения объектов, которые действуют по-разному в зависимости от состояния, в котором они находятся в данный момент. На диаграмме конечного автомата ниже показаны основные состояния и действия.

Диаграмма конечного автомата в UML, иногда называемая диаграммой состояний или диаграммой состояний

Дополнительные примеры диаграмм состояний >>

Схема последовательности

Диаграммы последовательностей в UML показывают, как объекты взаимодействуют друг с другом, и порядок этих взаимодействий.Важно отметить, что они показывают взаимодействия для определенного сценария. Процессы представлены вертикально, а взаимодействия показаны стрелками. В этой статье объясняется назначение и основы диаграмм последовательностей. Кроме того, ознакомьтесь с этим полным руководством по диаграммам последовательности, чтобы узнать больше о диаграммах последовательности.

Вы также можете сразу начать рисование, используя наши шаблоны диаграмм последовательности.

Диаграмма последовательности, построенная с использованием Creately

Схема связи

В UML 1 они назывались диаграммами сотрудничества.Диаграммы связи похожи на диаграммы последовательности, но основное внимание уделяется сообщениям, передаваемым между объектами. Одна и та же информация может быть представлена ​​с помощью диаграммы последовательности и разных объектов. Щелкните здесь, чтобы понять различия на примере.

Диаграмма обзора взаимодействия

Обзорные диаграммы взаимодействия очень похожи на диаграммы действий. В то время как диаграммы действий показывают последовательность процессов, диаграммы обзора взаимодействия показывают последовательность диаграмм взаимодействия.

Это набор диаграмм взаимодействия и порядка их выполнения. Как упоминалось ранее, существует семь типов диаграмм взаимодействия, поэтому любая из них может быть узлом на диаграмме обзора взаимодействия.

Временная диаграмма

Временные диаграммы очень похожи на диаграммы последовательности. Они представляют поведение объектов в заданный период времени. Если это всего лишь один объект, диаграмма будет простой. Но если задействовано более одного объекта, временная диаграмма используется для отображения взаимодействий между объектами в течение этого периода времени.

Щелкните здесь, чтобы создать временную диаграмму.

Выше упомянуты все типы диаграмм UML. UML предлагает множество типов диаграмм, и иногда две диаграммы могут объяснить одно и то же, используя разные обозначения.

Прочтите это сообщение в блоге, чтобы узнать, какая диаграмма UML вам больше всего подходит. Если у вас есть вопросы или предложения, не стесняйтесь оставлять комментарии.

Сотрудничайте в реальном времени над созданием диаграмм UML со своей командой. Зарегистрируйте учетную запись Creately, чтобы рисовать диаграммы UML в Интернете.Начни здесь

R hist () для создания гистограмм (с многочисленными примерами)

В этой статье вы научитесь использовать функцию hist () для создания гистограмм в программировании на языке R с помощью многочисленных примеров.

Гистограмма может быть создана с помощью функции hist () на языке программирования R. Эта функция принимает вектор значений, для которых строится гистограмма.

Давайте использовать встроенный набор данных airquality , который содержит ежедневных измерений качества воздуха в Нью-Йорке с мая по сентябрь 1973 года.Документация -R.

 > ул (качество воздуха)
'data.frame': 153 набл. из 6 переменных:
$ Озон: внутренний 41 36 12 18 - нет данных 28 23 19 8 - нет ...
$ Solar.R: int 1

149 313 NA NA 299 99 19 194 ... $ Wind: число 7,4 8 12,6 11,5 14,3 14,9 8,6 13,8 20,1 8,6 ... $ Temp: внутр 67 72 74 62 56 66 65 59 61 69 ... $ Месяц: int 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 ... $ День: int 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...

Мы будем использовать параметр температуры, который имеет 154 измерения в градусах Фаренгейта.


Пример 1: Простая гистограмма

  Температура <- качество воздуха $ Temp
hist (Температура)
  

Мы видим выше, что есть 9 ячеек с одинаковыми разрывами. В этом случае высота ячейки равна количеству наблюдений, попадающих в эту ячейку.

Мы можем передать дополнительные параметры, чтобы контролировать внешний вид нашего графика. Вы можете прочитать о них в разделе справки - hist .

Некоторые из часто используемых: main , чтобы указать заголовок, xlab и ylab , чтобы предоставить метки для осей, xlim и ylim , чтобы указать диапазон осей, col для определения цвет и т. д.

Кроме того, с аргументом freq = FALSE мы можем получить распределение вероятностей вместо частоты.


Пример 2: Гистограмма с добавленными параметрами

  # гистограмма с добавленными параметрами
hist (Температура,
main = "Максимальная дневная температура в аэропорту Ла-Гуардия",
xlab = "Температура в градусах Фаренгейта",
xlim = c (50,100),
col = "darkmagenta",
freq = FALSE
)
  

Обратите внимание, что по оси Y отложена плотность, а не частота.В этом случае общая площадь гистограммы равна 1.


Возвращаемое значение hist ()

Функция hist () возвращает список из 6 компонентов.

 > h <- hist (Температура)
> ч
$ перерывы
[1] 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
$ counts
[1] 8 10 15 19 33 34 20 12 2
$ плотность
[1] 0,010457516 0,013071895 0,019607843 0,024836601 0,043137255
[6] 0,044444444 0,026143791 0,015686275 0,002614379
$ средние
[1] 57,5 ​​62,5 67,5 72,5 77,5 82.5 87,5 92,5 97,5
$ xname
[1] «Температура»
$ эквидист
[1] ИСТИНА
attr (, "класс")
[1] "гистограмма"
  

Мы видим, что возвращается объект класса гистограмма , который имеет:

  • разрывы - места разрыва,
  • насчитывает - количество наблюдений, попадающих в эту ячейку,
  • density - плотность клеток, середины - середины ячеек,
  • xname - имя аргумента x и
  • equidist - логическое значение, указывающее, равномерно ли расположены разрывы или нет.

Мы можем использовать эти значения для дальнейшей обработки.

Например, в следующем примере мы используем возвращаемые значения для размещения счетчиков в верхней части каждой ячейки с помощью функции text () .


Пример 3. Использование возвращаемых значений гистограммы для меток с помощью text ()

  h <- hist (Температура, ylim = c (0,40))
текст (h $ mids, h $ counts, labels = h $ counts, adj = c (0.5, -0.5))
  


Определение количества перерывов

С помощью аргумента breaks мы можем указать количество ячеек, которое мы хотим в гистограмме.Однако это число - всего лишь предположение.

R вычисляет наилучшее количество ячеек, учитывая это предложение. Ниже приведены две гистограммы для одних и тех же данных с разным количеством ячеек.


Пример 4: Гистограмма с разными изломами

  hist (Температура, перерывы = 4, основная = «С перерывами = 4»)
hist (Температура, перерывы = 20, main = "С перерывами = 20")
  

На приведенном выше рисунке мы видим, что фактическое количество нанесенных ячеек больше, чем мы указали.

Мы также можем определить точки останова между ячейками как вектор. Это дает возможность строить гистограмму с неравными интервалами. В таком случае площадь ячейки пропорциональна количеству наблюдений, попадающих в эту ячейку.


Пример 5: Гистограмма с неравномерной шириной

  hist (Температура,
main = "Максимальная дневная температура в аэропорту Ла-Гуардия",
xlab = "Температура в градусах Фаренгейта",
xlim = c (50,100),
col = "шоколад",
border = "коричневый",
разрывы = c (55,60,70,75,80,100)
)
  

Создание диаграмм — DataGrip

Диаграммы базы данных графически показывают структуру базы данных и отношения между объектами базы данных.Вы можете создать диаграмму для источника данных, схемы или таблицы. Чтобы создать отношения между объектами базы данных, рассмотрите возможность использования первичного и внешнего ключей.

Также вы можете строить планы выполнения. План выполнения - это набор шагов, которые использовались для доступа к данным в базе данных. DataGrip поддерживает два типа планов выполнения:

  • Explain Plan: результат отображается в виде смешанного дерева и таблицы на специальной вкладке «План».Вы можете щелкнуть значок «Показать визуализацию» (), чтобы создать диаграмму, которая визуализирует выполнение запроса.

  • Explain Plan (Raw): результат отображается в виде таблицы.

Создание диаграммы для объекта базы данных

Создание плана запроса

  1. Щелкните правой кнопкой мыши оператор SQL и выберите «Объяснить план».

  2. На панели «Вывод» щелкните «План».

  3. По умолчанию вы видите древовидное представление запроса.Чтобы просмотреть план запроса, нажмите «Показать визуализацию» или нажмите Ctrl + Alt + Shift + U .

Показать планы выполнения

  • Чтобы создать план выполнения, щелкните правой кнопкой мыши запрос в редакторе и выберите «Объяснить план». Если вы хотите создать диаграмму для запроса, щелкните значок «Показать визуализацию» ().

Включить комментарии к столбцам

  1. Создать диаграмму. Дополнительные сведения о создании диаграммы см. В разделе Создание диаграммы для объекта базы данных.

  2. Щелкните кнопку Комментарии ().

Создание плана запроса EXPLAIN

Команда EXPLAIN показывает план выполнения оператора. Это означает, что вы можете увидеть подробную информацию о подходе, использованном планировщиком для выполнения инструкции. Например, как сканируются таблицы, какие алгоритмы объединения используются для объединения требуемых строк, затраты на выполнение операторов и другую информацию.

Стоимость выполнения - это предположение планировщика о том, сколько времени потребуется для выполнения оператора.Измерение производится в единицах относительной стоимости. Стоимость исполнения бывает двух вариантов: пусковая и итоговая. Начальная стоимость показывает, сколько времени требуется, прежде чем первая строка может быть обработана, а общая стоимость показывает, сколько времени требуется для обработки всех строк.

Если вы используете опцию ANALYZE с EXPLAIN, оператор фактически выполняется, а не только планируется. В этом случае вы можете увидеть статистику времени выполнения в миллисекундах.

Создайте график пламени для EXPLAIN

  1. Щелкните правой кнопкой мыши оператор SQL и выберите «Объяснить план».

  2. На панели «Вывод» щелкните «План».

  3. Щелкните значок «График пламени» () и выберите одну из следующих опций:

Сгенерировать график пламени для EXPLAIN ANALYZE

  1. Щелкните правой кнопкой мыши оператор SQL и выберите «Объяснить план анализа».

  2. На панели «Вывод» щелкните «План».

  3. Щелкните значок «График пламени» () и выберите один из следующих вариантов:

    • Общая стоимость: сколько времени требуется для возврата всех строк (в единицах относительной стоимости).

    • Фактическое общее время: сколько времени требуется для возврата всех строк (в миллисекундах).

    • Стоимость запуска: сколько времени проходит до обработки первой строки (в единицах относительной стоимости).

    • Фактическое время запуска: сколько времени требуется до обработки первой строки (в миллисекундах).

Параметры конфигурации схемы

Чтобы настроить параметры видимости и макета по умолчанию для схем, откройте параметры, нажав Ctrl + Alt + S , и перейдите к.

Изменить цвет ссылки

  1. Откройте настройки, нажав Ctrl + Alt + S и перейдите к.

  2. Щелкните край обобщения.

  3. Щелкните палитру цветов рядом с флажком «Передний план».

Панель содержимого

Установите флажки рядом с элементами, которые будут отображаться на диаграммах.

Элемент Описание
Показать разницу
Подробности Если этот флажок установлен, все указанные сведения об элементах будут отображаться на диаграмме классов UML для изменения.Если этот флажок не установлен, в диаграмму будут включены только узловые элементы.
Схема схемы базы данных
Ключевые столбцы

Установите этот флажок, чтобы столбцы первичного ключа отображались при открытии диаграммы.

При просмотре диаграммы в редакторе используйте на панели инструментов, чтобы показать или скрыть соответствующие столбцы.

Столбцы

Установите этот флажок, чтобы при открытии диаграммы отображались все столбцы, кроме столбцов первичного ключа.

При просмотре диаграммы в редакторе используйте на панели инструментов, чтобы показать или скрыть соответствующие столбцы.

Графический план объяснения
Атрибуты

Переключает отображение атрибутов запроса на карте запроса. Эти атрибуты могут быть числом строк, именами индексов или любой другой дополнительной информацией о запросе.

Элементы управления

Элемент Описание
Макет по умолчанию Выберите желаемый макет из списка макетов по умолчанию. Узловые элементы на вновь созданных схемах будут расположены в соответствии с выбранным макетом.
Область по умолчанию Выберите область из списка Область по умолчанию. Указание области действия помогает избежать отображения на диаграмме ненужных иерархий.Вы можете определить области для вашего проекта на странице "Области" диалогового окна "Настройки".
Подогнать содержимое после макета Если этот флажок установлен, то после применения макета, выбранного в контекстном меню диаграммы, размер всех элементов диаграммы будет изменен, чтобы соответствовать текущей области диаграммы. На диаграмме используйте кнопку панели инструментов.
Выполнять ретрансляцию при добавлении новых элементов Если этот флажок установлен, компоновка схемы будет выполняться автоматически после добавления новых элементов.

Последнее изменение: 23 ноября 2020 г.

% PDF-1.7 % 1 0 obj > endobj 2 0 obj > поток

  • EL4
  • конечный поток endobj 3 0 obj > endobj 4 0 obj > endobj 5 0 obj > endobj 6 0 obj > endobj 7 0 объект > endobj 8 0 объект > endobj 9 0 объект > endobj 10 0 obj > endobj 11 0 объект > endobj 12 0 объект > endobj 13 0 объект > endobj 14 0 объект > endobj 15 0 объект > endobj 16 0 объект > endobj 17 0 объект > endobj 18 0 объект > endobj 19 0 объект > endobj 20 0 объект > endobj 21 0 объект > endobj 22 0 объект > endobj 23 0 объект > endobj 24 0 объект > endobj 25 0 объект > endobj 26 0 объект > endobj 27 0 объект > endobj 28 0 объект > endobj 29 0 объект > endobj 30 0 объект > endobj 31 0 объект > endobj 32 0 объект > endobj 33 0 объект > endobj 34 0 объект > endobj 35 0 объект > endobj 36 0 объект > endobj 37 0 объект > endobj 38 0 объект > endobj 39 0 объект > endobj 40 0 объект > endobj 41 0 объект > endobj 42 0 объект > endobj 43 0 объект > endobj 44 0 объект > endobj 45 0 объект > endobj 46 0 объект > endobj 47 0 объект > endobj 48 0 объект > endobj 49 0 объект > endobj 50 0 объект > endobj 51 0 объект > endobj 52 0 объект > endobj 53 0 объект > endobj 54 0 объект > endobj 55 0 объект > endobj 56 0 объект > endobj 57 0 объект > endobj 58 0 объект > endobj 61 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState >>> endobj 60 0 obj > поток hZr8} WzLxɛ.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *