что это такое, принип работы, ВАХ, маркировка и разновидности
Симистор – электронная деталь, основанная на принципах полупроводимости.. В американской терминологии электроники они называются триаками. Главной особенностью этих радиодеталей является способность проводить ток в оба направления. Симистор выполняет роль ключа-регулятора, который используется для создания цепей и является двунаправленным транзистором. Состоят они из силовых электродов. Один из находится на стороне электрода управления, а другого в его основе.
Свой термин они получили при использовании двух параллельных тиристоров и управляющего электрода. Статья содержит материал по тому как они используются, как и где используются, какую структуру имеют, а также где их можно использовать. В качестве дополнения, статья содержит два видеоматериала, а также научную статью.
Симистор: вид с двух сторон.
Как он работает и для чего нужен
Симистор является полупроводниковым прибором. Его полное название – симметричный триодный тиристор.
Его особенность – возможно проводить ток в обе стороны. Данный элемент цепи имеет три вывода: один является управляющим, а два других силовыми. В этой статье мы рассмотрим принцип работы, устройство и назначение симистора в различных схемах электроприборов. В таблице ниже представлены характеристики популярных симисторов:
Таблица характеристик популярных симисторов.
Конструкция и принцип действия
Особенность симистора является двунаправленной проводимости идущего через прибор электрического тока. Конструкция устройства строится на использовании двух встречно-параллельных тиристоров с общим управлением. Такой принцип работы дал название от сокращенного «симметрические тиристоры». Поскольку электроток может протекать в обе стороны, нет смысла обозначать силовые выводы как анод и катод. Дополняет общую картину управляющий электрод. В симисторе есть пять переходов, позволяющих организовать две структуры. Какая из них будет использоваться зависит от места образования (конкретный силовой вывод) отрицательной полярности.
Симистор.
Как работает устройство
Исходно полупроводниковый прибор находится в запертом состоянии и ток по нему не проходит. При подаче тока на управляющий электрод, последний переходит в открытое состояние и симистор начинает пропускать через себя ток. При работе от сети переменного тока полярность на контактах постоянно меняется. Схема, где используется рассматриваемый элемент, при этом будет работать без проблем. Ведь ток пропускается в обоих направлениях. Чтобы симистор выполнял свои функции, на управляющий электрод подают импульс тока, после снятия импульса ток через условные анод и катод продолжает протекать до тех пор, пока цепь не будет разорвана или они не будут находится под напряжением обратной полярности.
Это один из видов тиристоров, отличающийся от базового типа большим числом p-n переходов, и как следствие этого, принципом работы (он будет описан ниже). Характерно, что в элементной базе некоторых стран данный тип считается самостоятельным полупроводниковым устройством.
При использовании в цепи переменного тока симистор закрывается на обратной полуволне синусоиды, тогда нужно подавать импульс противоположной полярности (той же, под которой находятся «силовые» электроды элемента).
Принцип действия системы управления может корректироваться в зависимости от конкретного случая и применения. После открытия и начала протекания подавать ток на управляющий электрод не нужно. Цепь питания разрываться не будет. При надобности отключить питание следует понизить ток в цепи ниже уровня величины удержания или кратковременно разорвать цепь питания.
Управляющие сигналы
Чтобы добиться желаемого результата с симистором используют не напряжение, а ток. Чтобы прибор открылся, он должен быть на определённом небольшом уровне. Для каждого симистора сила управляющего тока может быть разной, её можно узнать из даташита на конкретный элемент. Например, для симистора КУ208 этот ток должен быть больше 160 мА, а для КУ201 —не менее 70 мА.
Симистор иностранного производства.
Полярность управляющего сигнала должна совпадать с полярностью условного анода. Для управления симистором часто используют выключатель и токоограничительный резистор, если он управляется микроконтроллером – может понадобиться дополнительная установка транзистора, чтобы не сжечь выход МК, или использовать симисторный оптодрайвер, типа MOC3041 и подобных. Четырёхквадрантные симисторы могут отпираться сигналом с любой полярностью. В этом преимуществе есть и недостаток – может потребоваться увеличенный управляющий ток. При отсутствии прибор заменяется двумя тиристорами. При этом следует правильно подбирать их параметры и переделывать схему управления. Ведь сигнал будет подаваться на два управляющих вывода.
Интересно по теме: Как проверить стабилитрон.
Достоинства и недостатки
Для чего нужен рассматриваемый полупроводниковый прибор? Самый популярный вариант использования – коммутация в цепях переменного тока. В этом плане симистор очень удобен – используя небольшой элемент можно обеспечить управление высоковольтного питания.
Популярны решения, когда им заменяют обычное электромеханическое реле. Плюс такого решения – отсутствует физический контакт, благодаря чему включение питания становится надежнее, переключение бесшумным, ресурс на порядки больше, быстродействие выше. Еще одно достоинство симистора – относительно невысокая цена, что вместе с высокой надёжностью схемы и временем наработки на отказ выглядит привлекательно.
Полностью избежать минусов разработчикам не удалось. Так, приборы сильно нагреваются под нагрузкой. Приходится обеспечивать отвод тепла. Мощные (или «силовые») симисторы устанавливают на радиаторы. Ещё один недостаток, влияющий на использование, это создание гармонических помех в электросети некоторыми схемами симисторных регуляторов (например, бытовой диммер для регулировки освещенности).
Отметим, что напряжение на нагрузки будет отличаться от синусоиды, что связано с минимальным напряжением и током, при которых возможно включение. Из-за этого подключать следует только нагрузку, не предъявляющую высоких требований к электропитанию.
При постановке задачи добиться синусоиды такой способ коммутации не подойдёт. Симисторы сильно подвержены влиянию шумов, переходных процессов и помех. Также не поддерживаются высокие частоты переключения.
Область применения
Характеристики, небольшая стоимость и простота устройства позволяет успешно применять симисторы в промышленности и быту. Их можно найти:
- В стиральной машине.
- В печи.
- В духовках.
- В электродвигателе.
- В перфораторах и дрелях.
- В посудомоечной машине.
- В регуляторах освещения.
- В пылесосе.
На этом перечень, где используется этот полупроводниковый прибор, не ограничивается. Применение рассматриваемого проводникового прибора осуществляется практически во всех электроприборах, что только есть в доме. На него возложена функция управления вращением приводного двигателя в стиральных машинках, они используются на плате управления для запуска работы всевозможных устройств – легче сказать, где их нет.
Основные характеристики
Рассматриваемый полупроводниковый прибор предназначен для управления схемами. Независимо от того, где в схеме он применяется, важны следующие характеристики симисторов:
- Максимальное напряжение. Показатель, который будучи достигнут на силовых электродах не вызовет, в теории, выхода из строя. Фактически является максимально допустимым значением при условии соблюдения диапазона температур. Будьте осторожны – даже кратковременное превышение может обернуться уничтожением данного элемента цепи.
- Максимальный кратковременный импульсный ток в открытом состоянии. Пиковое значение и допустимый для него период, указываемый в миллисекундах.
- Рабочий диапазон температур.
- Отпирающее напряжение управления (соответствует минимальному постоянному отпирающему току).
- Время включения.
- Минимальный постоянный ток управления, нужный для включения прибора.
- Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии.
Этот параметр всегда указывают в сопроводительной документации. Обозначает критическую величину напряжения, предельную для данного прибора. - Максимальное падение уровня напряжения на симисторе в открытом состоянии. Указывает предельное напряжение, которое может устанавливаться между силовыми электродами в открытом состоянии.
- Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии и напряжения в закрытом. Указываются соответственно в амперах и вольтах за секунду. Превышение рекомендованных значений может привести к пробою или ошибочному открытию не к месту. Следует обеспечивать рабочие условия для соблюдения рекомендованных норм и исключить помехи, у которых динамика превышает заданный параметр.
- Корпус симистора. Важен для проведения тепловых расчетов и влияет на рассеиваемую мощность.
Этот параметр всегда указывают в сопроводительной документации. Обозначает критическую величину напряжения, предельную для данного прибора.Вот мы и рассмотрели, что такое симистор, за что он отвечает, где применяется и какими характеристиками обладает. Рассмотренные простым языком теоретические азы позволят заложить основу для будущей результативной деятельности.
Надеемся, предоставленная информация была для вас полезной и интересной!
Полупроводниковая структура симистора
Структура симистора состоит из пластины, состоящей из чередующихся слоев с электропроводностями p- и n- типа и из контактов электродов основного и управляющего действия. Всего в структуре полупроводника содержится пять слоев p- и n-типа. Область между слоями называется p-n-переходом, который обладает нелинейной ВАХ с небольшим сопротивлением в обратном направлении, где минус – это n-слой, а плюс – p-слой и высокое значение сопротивления в обратном направлении. Пробой p-n-перехода происходит при напряжении равном несколько тысяч вольт.
Во время включения симистора в прямом направлении в работу вступает правая половина структуры. Левая область структуры выключена, она считается для тока, с обладанием очень высоким сопротивлением.
Характеристики симистора динамического и статического плана при его действии в прямом направлении, при поступлении положительного управляющего сигнала соответствуют аналогичным характеристикам тиристора, работающего в прямом направлении.
По этой схеме к СЭУ прилагается напряжение со знаком плюс, относительно СЭ, а p—n-переходы j2 и j4 подключаются в прямом, а p—n-переходы j1 и j3 – в обратную сторону. Благодаря этому структура может рассматриваться, как структура тиристора, подключенная в обратном направлении, не принимающая участие в работе по пропусканию тока. В этом случае действие прибора определяется при помощи левой части структуры и представляет собой обратно ориентированную p—n—p—n структуру с добавочным пятым слоем n0 , который граничит со слоем p1.
Использование симистора
Симистор представляется настолько гибким и универсальным устройством, что благодаря его свойству переключения в проводящее состояние запускаемым импульсом с положительным или отрицательным знаком, который не зависит от источника проявляющего свойства мгновенной полярности.
По сути названия анод и катод для прибора не имеют большой актуальности.
- Одно из популярных и простейших сфер использования симистора может считаться его применение в качестветвердотельного реле. Для него характерно малое значение пускового тока достаточного для нагрузки с большими токами. Функцию ключа в таком устройстве может играть геркон, или обладающее большой чувствительностью термореле и прочие контактные пары с током до 50мА, при этом величина тока нагрузки может ограничиваться исключительно показателями, на которые рассчитан симистор.
- 2Не менее широко использование симистора в качестве регулятора интенсивности освещения и управления скоростью вращения электромотора. Схема построена на спользовании запускающих элементов, которые устанавливаются RC-фазовращателем, такой элемент, как потенциометр регулирует интенсивность освещения, а резистор служит для ограничения тока нагрузки. Формирование импульсов выполняется с помощью динистора. После пробоя в динисторе, который происходит в результате разности потенциалов на конденсаторе, импульс разряда конденсатора, возникающий мгновенно включает симистор.
- Управление мощностью в нагрузке с использованием в схеме добавочной RC-цепочки, что дает большой фазовый сдвиг, который облегчает задачу по управлению мощности.
Обозначение симистора на схеме.
Преимущества использования симисторов
- Увеличение разрешенной критической величины напряжения коммутации, что разрешает управления большими реактивными нагрузками без существенных сбоев в коммутации. Это позволяет уменьшить число компонентов, размеры печатной платы, снизить цену и убрать потери на рассеивание энергии демпфером.
- Повышение критической величины изменения тока коммутации, что повышает качество работы на высокой частоте для несинусоидального напряжения.
- Большая чувствительность к высокой температуре рабочего процесса.
- Высокое значение допустимого напряжения снижает стремление к самовключению из состояния отсутствия проводимости при большой температуре, что разрешает их использование для резистивных нагрузок по управлению бытовой и нагревательной техникой.
- Долговечность симистора, обусловленная рабочими температурными перепадами, отличается практически неограниченным ресурсом.
- Отсутствие искрообразования и возможность управления в момент нулевого тока в сети, что снижает электромагнитные помехи.
Основные достоинства симистора:
- большая частота срабатывания для высокой точности управления;
- высокий ресурс по сравнению с релейными электромеханическими устройствами;
- возможность добиться небольших размеров приборов;
- отсутствие шума при включении и отключении электроцепей.
Силовая электроника, с использованием симисторов, разработанная отечественными производителями благодаря своим качественным показателям может составить западным фирмам высокую конкуренцию.
Материал по теме: Как подключить конденсатор
Виды симисторов
Говоря о видах симисторов, следует принять тот факт, что это симистор является одним из видов тиристоров. Когда имеются в виду различия по работе, то и тиристор можно представить своего рода разновидностью симистора.
Различия касаются лишь по управляющему катоду и в разных принципах работы этих тиристоров. Читайте что такое импульсный блок питания.
Поврежденные симисторы.
Импортные симисторы широко представлены на отечественном рынке. Их основное отличие от отечественных симисторов заключается в том, что они не требуют предварительной настройки в самой схеме, что позволяет экономить детали и место на печатной плате. Как правило, они начинают работать сразу после включения в схему. Следует лишь точно подобрать необходимый симистор по всем требуемым характеристикам.
- На замену Z00607 хорошо подходят ы BT131-600, только они максимально подходят по всем характеристикам
- Полностью аналогичный у Z7M является МАС97А8.
- z3m . Такой же , как и чуть выше. Различия в токе по управляющему ключу и в максимальном напряжении. Полностью аналогичен по замене на MAC97A8
- ВТА 16 600 — импортный , рассчитанный на использование в цепях до 16 ампер и напряжением до 600 вольт
- Этот очень часто используется концерном Samsung в производстве бытовых приборов. Аналогом этого полупроводника и, несомненно, более лучшим, является BT 134-800. ы m2lz47 являются не самыми надежными с точки зрения условий эксплуатации в приборах с нестабильными параметрами питающей сети.
- тс122 25. Данный симистор очень часто называют силовым тиристором, так как он используется в электроприборах или электроинструменте в механизмах плавного пуска. Отличительной особенность данного а является его большая надежность на протяжении большого срока работы.
- 131 6 , другое название данного а ВТ 131-600, но есть и упрощенное название, и на многих деталях имеется именно упрощенная маркировка. С этим моментом очень часто связано то, что по оригинальной или упрощенной маркировке не всегда можно найти именно ту информацию, которая нужна.
Аналогом этого полупроводника и, несомненно, более лучшим, является BT 134-800. ы m2lz47 являются не самыми надежными с точки зрения условий эксплуатации в приборах с нестабильными параметрами питающей сети.Схемы управления
Схемы управления симистором отличаются простотой и надежностью.
Там, где без применения симисторов требовалось большое количество деталей, и производилась тщательная подгонка по параметрам – симисторы значительно упростили всю принципиальную схему. Включение в схему только основных элементов позволяет миниатюризировать не только саму печатную плату, но и весь прибор в целом. Читайте принцип работы индикаторной отвертки.
Схема диммера на симисторе позволяет создать компактное дополнение к выключателю освещения, для плавной регулировки уровня освещения. При необходимости схему можно дополнить компонентами для плавного изменения освещения в зависимости от яркости внешнего фона.
Схема регулятора на симисторе включает в себя непосредственно сам датчик температуры, питающую сеть, и прибор нагрузки. Изменение показаний датчика температуры приводит к изменени показателей тока на ключе симистора, что приводит либо к увеличению напряжения, либо к уменьшению. Забудьте о сложных механических устройствах с биметаллическими пластинами и выгорающих контактах.
Схемы управления скоростью вращения двигателя принципиально ничем не отличаются по принципу построения от других аналогичных. Нюансы касаются только параметров тока и напряжения на двигатель.
Симистр на электронной схеме.
Управление симистором через оптопару позволяет подключать электрооборудование, которым нужно управлять. Непосредственно к компьютеру через порт LPT. Оптопара в данном примере позволяет защитить непосредственно материнскую плату компьютера от перегрузки и выхода из строя. Своего рода умны предохранитель с функцией управления. Управление симистором с микроконтроллера позволяет добиться очень точных показателей по току и напряжению, при которых происходит управление самим симистором и распределению питающего напряжения на различные устройства нагрузки.
Заключение
Рейтинг автора
Автор статьи
Инженер по специальности «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем», МИФИ, 2005–2010 гг.
Написано статей
В статье описаны все особенности строения и работы симистора.
Более подробно о них можно узнать из статьи Работа симистора. В нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессиональных электронщиков. Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vk.com/electroinfonet. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:
www.elektronchic.ru
www.samelectrik.ru
www.howelektrik.com
www.principraboty.ru
ПредыдущаяПолупроводникиЧто такое динистор?
СледующаяПолупроводникиЧто такое тиристоры?
ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4), ГОСТ от 16 августа 1973 года №2.730-73
ГОСТ 2.730-73
Группа Т52
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
МКС 01.080.40
31.080
Дата введения 1974-07-01
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002
3. Соответствует СТ СЭВ 661-88
4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы
5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм.
N 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.
Обозначения элементов полупроводниковых приборов
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. N 2). | |
2. Электроды: | |
база с одним выводом | |
база с двумя выводами | |
Р-эмиттер с N-областью | |
N-эмиттер с P-областью | |
несколько Р-эмиттеров с N-областью | |
несколько N-эмиттеров с P-областью | |
коллектор с базой | |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе | |
3. | |
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью | |
Переход от Р-области к N-области и наоборот | |
область собственной электропроводности (I-область): | |
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP | |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN | |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP | |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN | |
4. | |
обогащенного типа | |
обедненного типа | |
5. Переход PN | |
6. Переход NP | |
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип | |
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип | |
9. Затвор изолированный | |
10. | |
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: | |
11. Выводы полупроводниковых приборов: | |
электрически не соединенные с корпусом | |
электрически соединенные с корпусом | |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
Области:
Канал проводимости для полевых транзисторов:
Исток и сток
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).
5.
Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный | |
а) прямой | |
б) обращенный | |
2. Эффект лавинного пробоя: | |
а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
3-8. | |
9. Эффект Шоттки |
(Исключены, Изм. N 2).6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.
Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов
Таблица 5
Наименование | Обозначение |
1. Диод | |
Общее обозначение | |
2. Диод туннельный | |
3. Диод обращенный | |
4. | |
а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
5. Диод теплоэлектрический | |
6. Варикап (диод емкостной) | |
7. Диод двунаправленный | |
8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами | |
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами | |
9. | |
10. Диод светоизлучающий |
Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
Диод Шоттки7. Обозначения тиристоров приведены в табл.6.
Обозначения тиристоров
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении | |
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении | |
3. Тиристор диодный симметричный | |
4. | |
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: | |
по аноду | |
по катоду | |
6. Тиристор триодный выключаемый: | |
общее обозначение | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду | |
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду | |
7. | |
общее обозначение | |
с управлением по аноду | |
с управлением по катоду | |
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак | |
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
Тиристор триодный. Общее обозначение
Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8.
Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл.7.
Примеры построения обозначений транзисторов
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор | |
а) типа PNP | |
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана | |
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом | |
3. Транзистор лавинный типа NPN | |
4. | |
5. Транзистор однопереходный с P-базой | |
6. Транзистор двухбазовый типа NPN | |
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области | |
8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области | |
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
Транзистор однопереходный с N-базой
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл.8.
Примеры построения обозначений полевых транзисторов
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N | |
2. Транзистор полевой с каналом типа P | |
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: | |
а) обогащенного типа с Р-каналом | |
б) обогащенного типа с N-каналом | |
в) обедненного типа с Р-каналом | |
г) обедненного типа с N-каналом | |
4. | |
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом | |
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки | |
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки | |
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.
Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: | |
а) общее обозначение | |
б) дифференциальный | |
2. Фотодиод | |
3. Фоторезистор | |
4. | |
а) типа PNP | |
б) типа NPN | |
5. Фотоэлемент | |
6. Фотобатарея |
Фототранзистор:11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл.10
Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный | |
2. | |
3. Оптрон резисторный | |
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: | |
а) совмещенно | |
б) разнесенно | |
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: | |
а) с выводом от базы | |
б) без вывода от базы |
Оптрон тиристорный
Примечания:
1.
Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл.11.
Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов
Таблица 11
Наименование | Обозначение |
1. Датчик Холла | |
Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника | |
2. | |
3. Магнитный разветвитель |
Резистор магниточувствительный13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл.12.
Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах
Таблица 12
Наименование | Обозначение |
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: | |
а) развернутое изображение |
|
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) | |
Примечание. | |
Пример применения условного графического обозначения на схеме | |
2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема | |
3. Диодная матрица (фрагмент) | |
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов |
К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.14.
Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл.13.
Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем
Таблица 13
Наименование | Обозначение | Отпечатанное обозначение |
1. Диод | или | |
2. Транзистор типа PNP | ||
3. Транзистор типа NPN | ||
4. | ||
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN | ||
Транзистор типа PNIP с выводом от I-области
Примечание к пп.2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. N 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. N 4).
Приложение 2 (справочное). Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
Наименование | Обозначение |
1. | |
3. Тиристор триодный | |
| |
6. Транзистор полевой с изолированным затвором |
Диод
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. N 3).
Электронный текст документа
подготовлен АО «Кодекс» и сверен по:
официальное издание
Единая система конструкторской
документации. Обозначения условные
графические в схемах: Сб. ГОСТов. —
М.: Стандартинформ, 2010
Термин | Буквенное обозначение | Определение | ||
русское | международное | |||
1. | — | — | Напряжение между основными выводами тиристора | |
Е. Principal voltage | ||||
F. Tension principal | ||||
________________ | ||||
2. Прямое напряжение тиристора | Положительное анодное напряжение тиристора | |||
Е. Forward voltage | ||||
F. Tension directe | ||||
3. Напряжение в закрытом состоянии тиристора | — | — | Основное напряжение, когда тиристор находится в закрытом состоянии | |
Е. | ||||
F. Tension | ||||
4. Постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора | — | |||
Е. Continuous (direct) off-state voltage | ||||
F. Tension continue (permanente) | ||||
5. Напряжение переключения тиристора | Основное напряжение тиристора в точке переключения | |||
Е. Breakover voltage | ||||
F. Tension de retournement | ||||
6. Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии тиристора Е. Non-repetitive peak off-state voltage F. Tension de pointe | Наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося переходного напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору. Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения | |||
7. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии тиристора Е. Repetitive peak off-state voltage F. Tension de pointe | Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения. Примечание. Повторяющееся напряжение определяется схемой и параметрами тиристора | |||
8. Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии тиристора Е. Peak working off-state voltage F. Tension de fonctionnement de pointe | Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений | |||
9. Е. Trigger voltage F. Tension d’amorcage | — | Наименьшее значение напряжения в закрытом состоянии тиристора, которое обеспечивает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое | ||
10. Импульсное отпирающее напряжение тиристора | — | — | ||
Е. Peak trigger voltage | ||||
F. Tension d’amorcage de pointe | ||||
11. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора Е. Rate of rise of off-state voltage | Значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое | |||
F. Vitesse de croissance de la tension | ||||
12. Е. Critical rate of rise of off-state voltage | Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое | |||
F. Vitesse critique de croissance de la tension | ||||
13. Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения тиристора Е. Critical rate oi rise of commutating voltage F. Vitesse critique de croissance de la tension de commutation | Наибольшее значение скорости нарастания основного напряжения тиристора, которое непосредственно после нагрузки током и открытом состоянии или в обратном проводящем состоянии в противоположном направлении не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое | |||
14. | — | — | Основное напряжение тиристора в открытом состоянии | |
Е. On-state voltage | ||||
F. Tension passant | ||||
15. Постоянное напряжение в открытом состоянии тиристора | — | |||
Е. Continuous (direct) on-state voltage | ||||
F. Tension continue (permanente) passant | ||||
16. Импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора Е. Peak on-state voltage | Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения | |||
F. Tension de pointe passant | ||||
17. Е. On-state threshold voltage F. Tension de seuil passant | Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики открытого состояния с осью напряжения | |||
18. Обратное напряжение тиристора | — | — | Отрицательное анодное напряжение тиристора | |
Е. Reverse voltage | ||||
F. Tension inverse | ||||
19. Постоянное обратное напряжение тиристора | — | |||
Е. Continuous (direct) reverse voltage | ||||
F. Tension inverse continue (permanente) | ||||
20. Обратное напряжение пробоя тиристора | Обратное напряжение тиристора, при котором обратный ток достигает заданного значения | |||
Е. | ||||
F. Tension inverse de claquage | ||||
21. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора Е. Non-repetitive peak reverse voltage F. Tension inverse de pointe | Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору. Примечание. См. примечание к термину 6 | |||
22. Повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора Е. Repetitive peak reverse voltage F. Tension inverse de pointe | Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения. Примечание. См. примечание к термину 7 | |||
23. Рабочее импульсное обратное напряжение тиристора E. Peak working reverse voltage F. | Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений | |||
24. Напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора | — | — | Основное напряжение тиристора в обратном проводящем состоянии | |
E. Reverse coducting voltage | ||||
F. Tension conducteur dans le sens inverse | ||||
25. Постоянное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора | — | |||
E. Continuous (direct) reverse coducting voltage | ||||
F. Tension continue (permanente) conducteur dans le sens inverse | ||||
26. Импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора E. | Наибольшее мгновенное значение напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, обусловленное импульсным током в обратном проводящем состоянии заданного значения | |||
F. Tension de pointe conducteur dans le sens inverse | ||||
27. Пороговое напряжение в обратном проводящем состоянии тиристора E. Reverse conducting threshold voltage F. Tension de seuil conducteur dans le sens inverse | Значение напряжения тиристора, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации характеристики обратного проводящего состояния с осью напряжения | |||
28. Напряжение управления тиристора | — | — | Напряжение между управляющим выводом и заданным основным выводом тиристора | |
E. Gate voltage | ||||
F. | ||||
29. Постоянное напряжение управления тиристора | — | |||
E. Gate continuous (direct) voltage | ||||
F. Tension continue (directe) de | ||||
30. Импульсное напряжение управления тиристора | Наибольшее мгновенное значение напряжения управления тиристора | |||
E. Peak gate voltage | ||||
F. Tension de pointe de | ||||
31. Прямое постоянное напряжение управления тиристора E. Forward gate continuous (direct) voltage | Постоянное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии | |||
F. Tension directe continue de | ||||
32. E. Peak forward gate voltage | Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии | |||
F. Tension directe de pointe de | ||||
33. Обратное постоянное напряжение управления тиристора E. Reverse gate continuous (direct) voltage | Постоянное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии | |||
F. Tension inverse continue de | ||||
34. Обратное импульсное напряжение управления тиристора E. Reak reverse gate voltage | Импульсное напряжение управления тиристора, при котором эмиттерный переход находится в обратном непроводящем состоянии | |||
F. | ||||
35. Отпирающее постоянное напряжение управления тиристора Е. Gate trigger continuous (direct) voltage | Постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее отпирающему постоянному току управления тиристора | |||
F. Tension continue | ||||
36. Отпирающее импульсное напряжение управления тиристора Е. Peak gate trigger voltage | Импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее импульсному отпирающему току управления тиристора | |||
F. Tension de pointe | ||||
37. Неотпирающее постоянное напряжение управления тиристора Е. Gate non-trigger continuous (direct) voltage | Наибольшее постоянное напряжение управления тиристора, не вызывающее включения тиристора | |||
F. | ||||
38. Неотпирающее импульсное напряжение управления тиристора Е. Peak gate non-trigger voltage | Наибольшее импульсное напряжение управления тиристора, не вызывающее включения тиристора | |||
F. Tension de pointe de | ||||
39. Запирающее постоянное напряжение управления тиристора Е. Gate turn-off continuous (direct) voltage | Постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему постоянному току управления тиристора | |||
F. Tension continue de | ||||
40. Запирающее импульсное напряжение управления тиристора Е. Peak gate turn-off voltage | Импульсное напряжение управления тиристора, соответствующее запирающему импульсному току управления тиристора | |||
F. | ||||
41. Незапирающее постоянное напряжение управления тиристора Е. Gate non-turn-off continuous (direct) voltage | Наибольшее постоянное напряжение управления тиристора, не вызывающее выключения тиристора | |||
F. Tension de | ||||
42. Незапирающее импульсное напряжение управления тиристора Е. Peak gate non-turn-off voltage | Наибольшее импульсное напряжение управления тиристора, не вызывающее включения тиристора | |||
F. Tension de pointe de | ||||
43. Основной ток тиристора | — | — | Ток, протекающий через основные выводы тиристора | |
Е. Principal current | ||||
F. Courant principal | ||||
44. | — | — | Основной ток тиристора в закрытом состоянии | |
Е. Off-state current | ||||
F. Courant | ||||
45. Постоянный ток в закрытом состоянии тиристора | — | |||
Е. Continuous (direct) off-state current | ||||
F. Courant continu (permanent ) | ||||
46. Ток переключения тиристора | Основной ток тиристора в момент переключения тиристора | |||
Е. Breakover current | ||||
F. Courant de retournement | ||||
47. Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии тиристора Е. Repetitive peak off-state current | Импульсный ток в закрытом состоянии тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии | |||
F. | ||||
48.Ток удержания тиристора Е. Holding current | Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии | |||
F. Courant hypostatique ou de maintien | ||||
49. Ток включения тиристора Е. Latching current F. Courant d’accrochage | Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии непосредственно после окончания действия импульса тока управления после переключения тиристора из закрытого состояния в открытое | |||
50. Ток в открытом состоянии тиристора | — | — | Основной ток тиристора в открытом состоянии | |
Е. On-state current | ||||
F. | ||||
51. Постоянный ток в открытом состоянии тиристора | — | |||
Е. Continuous (direct) on-state current | ||||
F. Courant continu (permanent) passant | ||||
52. Средний ток в открытом состоянии тиристора | Среднее за период значение тока в открытом состоянии тиристора | |||
Е. Mean on-state current | ||||
F. Courant moyen passant | ||||
53. Действующий ток в открытом состоянии тиристора | — | |||
Е. R. M. S. on-state current | ||||
F. Courant efficace passant | ||||
54. Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора Е. | Наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии тиристора, включая все повторяющиеся переходные токи | |||
F. Courant de pointe passant | ||||
55. Ток перегрузки в открытом состоянии тиристора Е. Overload on-state current F. Courant do surcharge passant | Ток в открытом состоянии тиристора, который при длительном протекании вызвал бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается. Примечание. За время эксплуатации тиристора число воздействий током перегрузки не ограничивается | |||
56. Ударный ток в открытом состоянии тиристора Е. Surge (non-repetitive) on-state current F. Courant de surcharge accidentelle passant | Наибольший импульсный ток в открытом состоянии тиристора, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений | |||
57. Е. Safety factor | — | Значение интеграла от квадрата ударного неповторяющегося тока в открытом состоянии тиристора за время протекания ударного тока | ||
F. Facteur de | ||||
58. Скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора Е. Rate of rise of on-state current | Значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии | |||
F. Vitesse de croissance du courant passant | ||||
59. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора Е. Critical rate of rise of on-state current | Наибольшее значение скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора, при котором тиристор остается в рабочем состоянии | |||
F. | ||||
60. Запираемый ток тиристора Е. Turn-off current F. Courant de | Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду | |||
61. Обратный ток тиристора | — | — | Анодный ток тиристора в непроводящем состоянии | |
Е. Reverse current | ||||
F. Courant inverse | ||||
62. Постоянный обратный ток тиристора | — | |||
Е. Continuous (direct) reverse current | ||||
F. Courant inverse continu (permanent) | ||||
63. Повторяющийся импульсный обратный ток тиристора Е. | Обратный ток тиристора, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением | |||
F. Courant inverse de pointe | ||||
64. Обратный ток восстановления тиристора | Обратный ток тиристора, протекающий во время обратного восстановления | |||
Е. Reverse recovery current | ||||
F. Courant de recouvrement inverse | ||||
65. Ток в обратном проводящем состоянии тиристора | — | — | Анодный ток тиристора в обратном проводящем состоянии | |
Е. Reverse conducting current | ||||
F. Courant conducteur dans Ie sens inverse | ||||
66. Постоянный ток в обратном проводящем состоянии тиристора | — | |||
Е. | ||||
F. Courant continu (permanent) conducteur dans Ie sens inverse | ||||
67. Средний ток в обратном проводящем состоянии тиристора | Среднее за период значение тока в обратном проводящем состоянии тиристора | |||
Е. Mean reverse conducting current | ||||
F. Courant moyen conducteur dans Ie sens inverse | ||||
68. Действующий ток в обратном проводящем состоянии тиристора | — | |||
Е. R. M. S. reverse conducting current | ||||
F. Courant efficace conducteur dans Ie sens inverse | ||||
69. Повторяющийся импульсный ток в обратном проводящем состоянии тиристора | Наибольшее мгновенное значение тока в обратном проводящем состоянии тиристора, включая все повторяющиеся переходные токи | |||
Е. | ||||
F. Courant de pointe conducteur dans Ie sens inverse | ||||
70. Ток перегрузки в обратном проводящем состоянии тиристора Е. Overload reverse conducting current F. Courant de surcharge conducteur dans Ie sens inverse | Ток в обратном проводящем состоянии тиристора, который при длительном протекании вызвал бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается. Примечание. За время эксплуатации тиристора число воздействий током перегрузки не ограничивается | |||
71. Ударный ток в обратном проводящем состоянии тиристора Е. Surge (non-repetitive) reverse conducting current F. Courant de surcharge accidentelle conducteur dans Ie sens inverse | Наибольший импульсный ток в обратном проводящем состоянии тиристора, протекание которого вызывает превышение максимально допустимой температуры перехода, но воздействие которого за время срока службы тиристора предполагается редким, с ограниченным числом повторений | |||
72. | Анодный ток тиристора, протекающий во время прямого восстановления | |||
Е. Forward recovery current | ||||
F. Courant de recouvrement direct | ||||
73. Ток управления тиристора Е. Gate current | — | — | Ток, протекающий через управляющий вывод и заданный основной вывод тиристора | |
F. Courant de | ||||
74. Постоянный ток управления тиристора | — | |||
Е. Gate continuous (direct) current | ||||
F. Courant continu de | ||||
75. Импульсный ток управления тиристора | Наибольшее мгновенное значение тока управления тиристора | |||
Е. | ||||
F. Courant de pointe de | ||||
76. Прямой постоянный ток управления тиристора Е. Forward gate continuous (direct) current | Постоянный ток управления тиристора, соответствующий прямому постоянному напряжению управления тиристора | |||
F. Courant direct continu de | ||||
77. Прямой импульсный ток управления тиристора Е. Peak forward gate current | Импульсный ток управления тиристора, соответствующий прямому импульсному напряжению управления тиристора | |||
F. Courant direct de pointe de | ||||
78. Обратный постоянный ток управления тиристора Е. Reverse gate continuous (direct) current | Постоянный ток управления тиристора, соответствующий постоянному обратному напряжению управления тиристора | |||
F. | ||||
79. Обратный импульсный ток управления тиристора Е. Peak reverse gate current | Импульсный ток управления тиристора, соответствующий импульсному обратному напряжению управления тиристора | |||
F. Courant inverse de pointe de | ||||
80. Отпирающий постоянный ток управления тиристора Е. Gate trigger continuous (direct) current | Наименьший постоянный ток управления тиристора, необходимый для включения тиристора | |||
F. Courant continu | ||||
81. Отпирающий импульсный ток управления тиристора Е. Peak gate trigger current | Наименьший импульсный ток управления тиристора, необходимый для включения тиристора | |||
F. | ||||
82. Неотпирающий постоянный ток управления тиристора | Наибольший постоянный ток управления тиристора, не вызывающий включения тиристора | |||
Е. Gate non-trigger continuous (direct) current | ||||
F. Courant continu de non-amorcage de commande | ||||
83. Неотпирающий импульсный ток управления тиристора | Наибольший импульсный ток управления тиристора, не вызывающий включения тиристора | |||
Е. Peak gate non-trigger current | ||||
F. Courant de non-amorcage de pointe de | ||||
84. Запирающий постоянный ток управления тиристора Е. Gate turn-off continuous (direct) current | Наименьший постоянный ток управления тиристора, необходимый для выключения тиристора | |||
F. | ||||
85. Запирающий импульсный ток управления тиристора Е. Peak gate turn-off current | Наименьший импульсный ток управления тиристора, необходимый для выключения тиристора | |||
F. Courant de | ||||
86. Незапирающий постоянный ток управления тиристора Е. Gate non-turn-off continuous (direct) current | Наибольший постоянный ток управления тиристора, не вызывающий выключения тиристора | |||
F. Courant de | ||||
87. Незапирающий импульсный ток управления тиристора Е. Peak gate non-turn-off current | Наибольший импульсный ток управления тиристора, не вызывающий выключения тиристора | |||
F. Courant de de pointe de | ||||
88. Е. On-state slope resistance | Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей характеристику открытого состояния тиристора | |||
F. apparente passant | ||||
89. Динамическое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора Е. Reverse conducting slope resistance | Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей характеристику обратного проводящего состояния тиристора | |||
F. apparente conducteur dans Ie sens inverse | ||||
90. Средняя рассеиваемая мощность тиристора | Сумма всех средних мощностей, рассеиваемых тиристором | |||
E. Mean power dissipation | ||||
F. | ||||
91. Рассеиваемая мощность в закрытом состоянии тиристора | Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в закрытом состоянии тиристора | |||
Е. Off-state power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
92. Средняя рассеиваемая мощность в закрытом состоянии тиристора Е. Mean off-state power dissipation | Произведение мгновенных значений тока и напряжения в закрытом состоянии тиристора, усредненное по всему периоду | |||
F. Puissance moyenne | ||||
93. Рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора | Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в открытом состоянии | |||
Е. | ||||
F. Puissance passant | ||||
94. Средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора E. Mean on-state power dissipation | Произведение мгновенных значений тока и напряжения в открытом состоянии тиристора, усредненное по всему периоду | |||
F. Puissance moyenne passant | ||||
95. Рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора | Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании обратного тока | |||
Е. Reverse power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
96. Ударная рассеиваемая мощность в обратном непроводящем состоянии тиристора Е. Surge reverse power dissipation | Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности в обратном непроводящем состоянии тиристора в области пробоя при нагрузке одиночными импульсами тока | |||
F. | ||||
97. Рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии тиристора | Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока в обратном проводящем состоянии | |||
Е. Reverse conducting power dissipation | ||||
F. Puissance conducteur dans Ie sens inverse | ||||
98. Средняя рассеиваемая мощность в обратном проводящем состоянии тиристора Е. Mean reverse conducting power dissipation | Произведение мгновенных значений тока и напряжения в обратном проводящем состоянии тиристора, усредненное по всему периоду | |||
F. Puissance moyenne conducteur dans Ie sens inverse | ||||
99. Рассеиваемая мощность при включении тиристора Е. | Мощность, рассеиваемая тиристором при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии | |||
F. Puissance | ||||
100. Рассеиваемая мощность при выключении тиристора Е. Turn-off power dissipation F. Puissance | Мощность, рассеиваемая тиристором во время перехода из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение | |||
101. Рассеиваемая мощность управления тиристора | Значение мощности, рассеиваемой тиристором при протекании тока управления | |||
Е. Gate power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
102. Средняя рассеиваемая мощность управления тиристора E. Mean gate power dissipation | Произведение мгновенных значений тока и напряжения управления, усредненного по всему периоду | |||
F. Puissance moyenne de | ||||
103. Прямая рассеиваемая мощность управления тиристора | — | |||
Е. Forward gate power dissipation | ||||
F. Puissance directe de | ||||
104. Обратная рассеиваемая мощность управления тиристора | — | |||
Е. Reverse gate power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
105. Импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора | Наибольшее мгновенное значение рассеиваемой мощности управления тиристора | |||
Е. Peak gate power dissipation | ||||
F. Puissance de pointe de | ||||
106. Средняя энергия потерь тиристора | Сумма всех средних энергий потерь в тиристоре | |||
Е. Total energy loss | ||||
F. Pertes d’energie totale | ||||
107. Энергия потерь в открытом состоянии тиристора | Энергия потерь в тиристоре, обусловленная током в открытом состоянии | |||
Е. On-state energy loss | ||||
F. Pertes passant | ||||
108. Энергия потерь при включении тиристора Е. Turn-on energy loss | Энергия потерь в тиристоре при его переключении с заданного напряжения в закрытом состоянии на заданный ток в открытом состоянии | |||
F. Pertes | ||||
109. Энергия потерь при выключении тиристора Е. Turn-off energy loss F. Pertes | Энергия потерь в тиристоре при его переходе из открытого состояния в закрытое или обратное непроводящее при переключении тиристора с заданного тока в открытом состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии противоположной полярности или на заданное обратное напряжение | |||
110. Время включения тиристора Е. Turn-on time F. Temps | Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением. Примечания: 1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения. 2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания. 3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения | |||
111. Время задержки тиристора Е. Delay time F. Retard la croissance | Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением. Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения | |||
112. Время нарастания тиристора Е. Rise time F. Temps de croissance | Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением. Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии | |||
113. Время выключения тиристора E. Turn-off time F. Temps de | Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора | |||
114. Время обратного восстановления тиристора Е. Reverse recovery time F. Temps de recouvrement inverse | Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения. Примечания: 1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока. 2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока | |||
115. Время нарастания обратного тока восстановления тиристора Е. Reverse recovery current rise time F. Temps de croissance d’un courant de recouvrement inverse | Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора достигает амплитудного значения | |||
116. Время спада обратного тока восстановления тиристора Е. Reverse recovery current fall time F. Temps de d’un courant de recouvrement inverse | Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения, и моментом окончания времени обратного восстановления | |||
117. Время прямого восстановления тиристора Е. Forward recovery time F. Temps de recouvrement direct | Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение. Примечание. Начало времени прямого восстановления — момент прохождения тока через нулевое значение | |||
118. Время выключения по управляющему электроду тиристора Ндп. Время запирания Е. Gale controlled turn-off time F. Temps de | Интервал времени, в который тиристор переключается из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления тиристора. Примечания: 1. Интервал времени измеряется обычно от заданного момента в начале импульса запирающего тока управления до момента, когда основной ток понижается до заданного значения. 2. Время запирания равняется сумме времени запаздывания и времени спада | |||
119. Время запаздывания по управляющему электроду тиристора Е. Gate controlled turn-off delay time F. Temps de retard par la | Интервал времени между заданным моментом в начале импульса запирающего тока управления тиристора и моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления | |||
120. Время спада по управляющему электроду тиристора Е. Gate controlled turn-off fall time F. Temps de | Интервал времени между моментом, когда основной ток понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда он достигает заданного низкого значения при переключении тиристора из открытого состояния в закрытое с помощью импульса запирающего тока управления | |||
121. Заряд обратного восстановления тиристора Е. Recovered charge F. Charge de recouvrement inverse | Полный заряд, вытекающий из тиристора при переключении его с заданного тока в открытом состоянии на заданное обратное напряжение. Примечания: 1. Заряд обратного восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада. 2. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью обеденного* слоя | |||
________________ | ||||
122. Заряд за время нарастания тиристора | Заряд, вытекающий из тиристора за время нарастания обратного тока восстановления | |||
Е. Rise time charge | ||||
F. Charge de temps de sroissance | ||||
123. Заряд за время спада тиристора Е. Fall time charge F. Charge de | Заряд, вытекающий из тиристора за время спада обратного тока восстановления | |||
124. Заряд прямого восстановления тиристора Е. Off-state recovered charge F. Charge de recouvrement direct | Полный заряд, вытекающий из тиристора после переключения его с заданного тока в обратном проводящем состоянии на заданное напряжение в закрытом состоянии. Примечание. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью структуры | |||
125. Общая емкость тиристора Е. Total capacitance | Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора | |||
F. totale | ||||
126. Тепловое сопротивление тиристора Е. Thermal resistance F. thermique | Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме. Примечания: 1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт. 2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление | |||
126а. Импульсное тепловое сопротивление тиристора Е. Peak thermal resistance of a thyristor | Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к импульсной мощности тиристора | |||
F. thermique de pointe d’un thyristor | ||||
127. Тепловое сопротивление в открытом состоянии тиристора | — | |||
Е. Thermal on-state resistance | ||||
F. thermique passant | ||||
128. Тепловое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора | — | |||
Е. Thermal reverse conducting resistance | ||||
F. thermique conducteur dans Ie sens inverse | ||||
129. Тепловое сопротивление переход-среда тиристора Е. Thermal junction-toambient resistance | Тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура окружающей среды | |||
F. thermique entre la jonction et l’ambiance | ||||
130. Тепловое сопротивление переход-корпус тиристора Е. Thermal junction-to-case resistance | Тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура корпуса тиристора | |||
F. thermique entre la jonction et Ie | ||||
131. Тепловое сопротивление переход-анод тиристора | — | |||
Е. Thermal junction-anode resistance | ||||
F. thermique entre la jonction et l’anode | ||||
132. Тепловое сопротивление переход-катод тиристора | — | |||
Е. Thermal junction-cathode resistance | ||||
F. thermique entre la jonction et la cathode | ||||
133. Тепловая емкость тиристора Е. Thermal capacitance F. thermique | Отношение тепловой энергии к разности между температурой перехода и температурой в заданной контрольной точке корпуса тиристора. Примечание. Тепловая емкость приводится в Дж/К или Дж/°С | |||
134. Переходное тепловое сопротивление тиристора Е. Transient thermal impedance F. thermique transitoire | Отношение изменения разности в конце интервала времени между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности тиристора в начале того же интервала времени, вызывающему изменение температуры. Примечания: 1. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри тиристора должно быть постоянным во времени. 2. Переходное тепловое сопротивление приводится как функция продолжительности интервала времени | |||
135. Переходное тепловое сопротивление переход-среда тиристора Е. Transient thermal junction-to-ambient impedance | Переходное тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура окружающей среды | |||
F. thermique transitoire entre la jonction et I’ambiance | ||||
136. Переходное тепловое сопротивление переход-корпус тиристора Е. Transient thermal junction-to-case impedance | Переходное тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура корпуса тиристора | |||
F. thermique transitoire entre la jonction et la |
Основное напряжение тиристора*
Off-state voltage
Отпирающее напряжение тиристора
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора
Напряжение в открытом состоянии тиристора
Пороговое напряжение тиристора
Reverse breakdown voltage
Tension inverse de pointe
Peak reverse conducting voltage
Tension de 
Прямое импульсное напряжение управления тиристора
Tension inverse de pointe de 
Tension continue de 
Tension de pointe de 
Ток в закрытом состоянии тиристора
Courant dе pointe 
Courant passant
Repetitive peak on-state current
Защитный показатель тиристора
Vitesse critique de croissance du courant passant
Continuous (direct) reverse conducting current
Repetitive peak reverse conducting current
Ток прямого восстановления тиристора
Peak gate current
Courant inverse continu de 
Courant de pointe de 
Courant continu de 
Динамическое сопротивление в открытом состоянии тиристора
Puissance moyenne
On-state power dissipation
Puissance de surcharge accidentelle dans Ie sens inverse
Turn-on power dissipationтипов диаграмм UML | Узнайте обо всех 14 типах диаграмм UML
UML означает U nified M odeling L anguage. Это богатый язык для моделирования программных решений, структур приложений, поведения системы и бизнес-процессов. Существует
Вы можете рисовать диаграммы UML в Интернете с помощью нашего программного обеспечения или ознакомиться с некоторыми примерами диаграмм UML в нашем сообществе разработчиков диаграмм.
Список типов диаграмм UML
Итак, каковы разные типы диаграмм UML? Есть две основные категории; Структурные диаграммы и диаграммы поведения .Щелкните ссылки, чтобы узнать больше о конкретном типе диаграммы.
- Структурные схемы
- Диаграммы поведения
Структурные диаграммы показывают элементы моделируемой системы. Говоря более техническим языком, они показывают разные объекты в системе. Диаграммы поведения показывают, что должно происходить в системе. Они описывают, как объекты взаимодействуют друг с другом, чтобы создать функционирующую систему.
Схема классов
Диаграммы классовявляются основным строительным блоком любого объектно-ориентированного решения.Он показывает классы в системе, атрибуты и операции каждого класса, а также отношения между каждым классом.
В большинстве инструментов моделирования класс состоит из трех частей. Имя вверху, атрибуты посередине, а операции или методы внизу. В большой системе со множеством связанных классов классы группируются для создания диаграмм классов. Различные отношения между классами показаны разными типами стрелок. Ниже приведено изображение диаграммы классов.Перейдите по ссылке ниже, чтобы увидеть больше примеров диаграмм классов, или сразу же приступите к работе с нашими шаблонами диаграмм классов.Щелкните изображение, чтобы отредактировать приведенную выше диаграмму классов (открывается в новом окне)
Дополнительные примеры схем классов UML >>
Схема компонентов
Вы можете использовать этот шаблон схемы компонентов, нажав на изображение
Дополнительные шаблоны схем компонентов >>
Схема развертывания
На схеме развертывания показано оборудование вашей системы и программное обеспечение на этом оборудовании. Диаграммы развертывания полезны, когда ваше программное решение развертывается на нескольких машинах, каждая из которых имеет уникальную конфигурацию.Ниже приведен пример схемы развертывания.
Щелкните изображение, чтобы использовать эту схему развертывания в качестве шаблона
Дополнительные шаблоны схем развертывания >>
Схема объекта
Диаграммы объектов, иногда называемые диаграммами экземпляров, очень похожи на диаграммы классов. Как и диаграммы классов, они также показывают отношения между объектами, но используют реальные примеры.
Они показывают, как система будет выглядеть в данный момент.Поскольку в объектах есть данные, они используются для объяснения сложных отношений между объектами.
Щелкните изображение, чтобы использовать диаграмму объекта в качестве шаблона
Получить больше шаблонов схем объектов >>
Схема упаковки
Как следует из названия, диаграмма пакетов показывает зависимости между различными пакетами в системе. Прочтите эту статью вики, чтобы узнать больше о зависимостях и элементах, обнаруженных в диаграммах пакетов.
Схема профиля
Профильная диаграмма — это новый тип диаграммы, представленный в UML 2.Это тип диаграммы, который очень редко используется в какой-либо спецификации. Дополнительные шаблоны диаграмм профиля можно найти в нашем сообществе диаграмм.
Схема составной конструкции
Диаграммы составной структуры используются для отображения внутренней структуры класса. Некоторые из общих схем составных структур.
Схема сценариев использования
Являясь наиболее известным типом диаграмм поведенческих типов UML, диаграммы вариантов использования дают графический обзор действующих лиц, задействованных в системе, различных функций, необходимых этим субъектам, и того, как эти различные функции взаимодействуют.
Это отличная отправная точка для обсуждения любого проекта, потому что вы можете легко определить основных участников и основные процессы в системе. Вы можете создавать диаграммы вариантов использования с помощью нашего инструмента и / или сразу приступить к работе, используя наши шаблоны вариантов использования.
Диаграмма вариантов использования Взаимосвязи, объясненные на примерах
Щелкните изображение, чтобы отредактировать этот шаблон
Дополнительные примеры диаграмм вариантов использования >>
Диаграмма деятельности
Диаграммы действий представляют рабочие процессы в графическом виде.Их можно использовать для описания бизнес-процесса или рабочего процесса любого компонента в системе. Иногда диаграммы деятельности используются как альтернатива диаграммам конечных автоматов. Прочтите эту вики-статью, чтобы узнать о символах и использовании диаграмм активности. Вы также можете сослаться на это простое руководство к диаграммам активности.
Дополнительные шаблоны диаграмм деятельности >>
Схема конечного автомата
Диаграммы конечного автоматапохожи на диаграммы действий, хотя обозначения и использование немного меняются.Иногда их также называют диаграммами состояний или диаграммами состояний. Они очень полезны для описания поведения объектов, которые действуют по-разному в зависимости от состояния, в котором они находятся в данный момент. На диаграмме конечного автомата ниже показаны основные состояния и действия.
Диаграмма конечного автомата в UML, иногда называемая диаграммой состояний или диаграммой состояний
Дополнительные примеры диаграмм состояний >>
Схема последовательности
Диаграммы последовательностей в UML показывают, как объекты взаимодействуют друг с другом, и порядок этих взаимодействий.Важно отметить, что они показывают взаимодействия для определенного сценария. Процессы представлены вертикально, а взаимодействия показаны стрелками. В этой статье объясняется назначение и основы диаграмм последовательностей. Кроме того, ознакомьтесь с этим полным руководством по диаграммам последовательности, чтобы узнать больше о диаграммах последовательности.
Вы также можете сразу начать рисование, используя наши шаблоны диаграмм последовательности.
Диаграмма последовательности, построенная с использованием Creately
Схема связи
В UML 1 они назывались диаграммами сотрудничества.Диаграммы связи похожи на диаграммы последовательности, но основное внимание уделяется сообщениям, передаваемым между объектами. Одна и та же информация может быть представлена с помощью диаграммы последовательности и разных объектов. Щелкните здесь, чтобы понять различия на примере.
Диаграмма обзора взаимодействия
Обзорные диаграммы взаимодействия очень похожи на диаграммы действий. В то время как диаграммы действий показывают последовательность процессов, диаграммы обзора взаимодействия показывают последовательность диаграмм взаимодействия.
Это набор диаграмм взаимодействия и порядка их выполнения. Как упоминалось ранее, существует семь типов диаграмм взаимодействия, поэтому любая из них может быть узлом на диаграмме обзора взаимодействия.
Временная диаграмма
Временные диаграммы очень похожи на диаграммы последовательности. Они представляют поведение объектов в заданный период времени. Если это всего лишь один объект, диаграмма будет простой. Но если задействовано более одного объекта, временная диаграмма используется для отображения взаимодействий между объектами в течение этого периода времени.
Щелкните здесь, чтобы создать временную диаграмму.
Выше упомянуты все типы диаграмм UML. UML предлагает множество типов диаграмм, и иногда две диаграммы могут объяснить одно и то же, используя разные обозначения.
Сотрудничайте в реальном времени над созданием диаграмм UML со своей командой. Зарегистрируйте учетную запись Creately, чтобы рисовать диаграммы UML в Интернете.Начни здесь
R hist () для создания гистограмм (с многочисленными примерами)
В этой статье вы научитесь использовать функцию hist () для создания гистограмм в программировании на языке R с помощью многочисленных примеров.
Гистограмма может быть создана с помощью функции hist () на языке программирования R. Эта функция принимает вектор значений, для которых строится гистограмма.
Давайте использовать встроенный набор данных airquality , который содержит ежедневных измерений качества воздуха в Нью-Йорке с мая по сентябрь 1973 года.Документация
-R.
> ул (качество воздуха)
'data.frame': 153 набл. из 6 переменных:
$ Озон: внутренний 41 36 12 18 - нет данных 28 23 19 8 - нет ...
$ Solar.R: int 1 149 313 NA NA 299 99 19 194 ...
$ Wind: число 7,4 8 12,6 11,5 14,3 14,9 8,6 13,8 20,1 8,6 ...
$ Temp: внутр 67 72 74 62 56 66 65 59 61 69 ...
$ Месяц: int 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 ...
$ День: int 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
Мы будем использовать параметр температуры, который имеет 154 измерения в градусах Фаренгейта.
Пример 1: Простая гистограмма
Температура <- качество воздуха $ Temp
hist (Температура)
Мы видим выше, что есть 9 ячеек с одинаковыми разрывами. В этом случае высота ячейки равна количеству наблюдений, попадающих в эту ячейку.
Мы можем передать дополнительные параметры, чтобы контролировать внешний вид нашего графика. Вы можете прочитать о них в разделе справки - hist .
Некоторые из часто используемых: main , чтобы указать заголовок, xlab и ylab , чтобы предоставить метки для осей, xlim и ylim , чтобы указать диапазон осей, col для определения цвет и т. д.
Кроме того, с аргументом freq = FALSE мы можем получить распределение вероятностей вместо частоты.
Пример 2: Гистограмма с добавленными параметрами
# гистограмма с добавленными параметрами
hist (Температура,
main = "Максимальная дневная температура в аэропорту Ла-Гуардия",
xlab = "Температура в градусах Фаренгейта",
xlim = c (50,100),
col = "darkmagenta",
freq = FALSE
)
Обратите внимание, что по оси Y отложена плотность, а не частота.В этом случае общая площадь гистограммы равна 1.
Возвращаемое значение hist ()
Функция hist () возвращает список из 6 компонентов.
> h <- hist (Температура)
> ч
$ перерывы
[1] 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
$ counts
[1] 8 10 15 19 33 34 20 12 2
$ плотность
[1] 0,010457516 0,013071895 0,019607843 0,024836601 0,043137255
[6] 0,044444444 0,026143791 0,015686275 0,002614379
$ средние
[1] 57,5 62,5 67,5 72,5 77,5 82.5 87,5 92,5 97,5
$ xname
[1] «Температура»
$ эквидист
[1] ИСТИНА
attr (, "класс")
[1] "гистограмма"
Мы видим, что возвращается объект класса гистограмма , который имеет:
-
разрывы- места разрыва, -
насчитывает- количество наблюдений, попадающих в эту ячейку, -
density- плотность клеток,середины- середины ячеек, -
xname- имя аргумента x и -
equidist- логическое значение, указывающее, равномерно ли расположены разрывы или нет.
Мы можем использовать эти значения для дальнейшей обработки.
Например, в следующем примере мы используем возвращаемые значения для размещения счетчиков в верхней части каждой ячейки с помощью функции text () .
Пример 3. Использование возвращаемых значений гистограммы для меток с помощью text ()
h <- hist (Температура, ylim = c (0,40))
текст (h $ mids, h $ counts, labels = h $ counts, adj = c (0.5, -0.5))
Определение количества перерывов
С помощью аргумента breaks мы можем указать количество ячеек, которое мы хотим в гистограмме.Однако это число - всего лишь предположение.
R вычисляет наилучшее количество ячеек, учитывая это предложение. Ниже приведены две гистограммы для одних и тех же данных с разным количеством ячеек.
Пример 4: Гистограмма с разными изломами
hist (Температура, перерывы = 4, основная = «С перерывами = 4»)
hist (Температура, перерывы = 20, main = "С перерывами = 20")
На приведенном выше рисунке мы видим, что фактическое количество нанесенных ячеек больше, чем мы указали.
Мы также можем определить точки останова между ячейками как вектор. Это дает возможность строить гистограмму с неравными интервалами. В таком случае площадь ячейки пропорциональна количеству наблюдений, попадающих в эту ячейку.
Пример 5: Гистограмма с неравномерной шириной
hist (Температура,
main = "Максимальная дневная температура в аэропорту Ла-Гуардия",
xlab = "Температура в градусах Фаренгейта",
xlim = c (50,100),
col = "шоколад",
border = "коричневый",
разрывы = c (55,60,70,75,80,100)
)
Создание диаграмм — DataGrip
Диаграммы базы данных графически показывают структуру базы данных и отношения между объектами базы данных.Вы можете создать диаграмму для источника данных, схемы или таблицы. Чтобы создать отношения между объектами базы данных, рассмотрите возможность использования первичного и внешнего ключей.
Также вы можете строить планы выполнения. План выполнения - это набор шагов, которые использовались для доступа к данным в базе данных. DataGrip поддерживает два типа планов выполнения:
Explain Plan: результат отображается в виде смешанного дерева и таблицы на специальной вкладке «План».Вы можете щелкнуть значок «Показать визуализацию» (), чтобы создать диаграмму, которая визуализирует выполнение запроса.
Explain Plan (Raw): результат отображается в виде таблицы.
Создание диаграммы для объекта базы данных
Создание плана запроса
Щелкните правой кнопкой мыши оператор SQL и выберите «Объяснить план».
На панели «Вывод» щелкните «План».
По умолчанию вы видите древовидное представление запроса.Чтобы просмотреть план запроса, нажмите «Показать визуализацию» или нажмите Ctrl + Alt + Shift + U .
Показать планы выполнения
Чтобы создать план выполнения, щелкните правой кнопкой мыши запрос в редакторе и выберите «Объяснить план». Если вы хотите создать диаграмму для запроса, щелкните значок «Показать визуализацию» ().
Включить комментарии к столбцам
Создать диаграмму. Дополнительные сведения о создании диаграммы см. В разделе Создание диаграммы для объекта базы данных.
Щелкните кнопку Комментарии ().
Создание плана запроса EXPLAIN
Команда EXPLAIN показывает план выполнения оператора. Это означает, что вы можете увидеть подробную информацию о подходе, использованном планировщиком для выполнения инструкции. Например, как сканируются таблицы, какие алгоритмы объединения используются для объединения требуемых строк, затраты на выполнение операторов и другую информацию.
Стоимость выполнения - это предположение планировщика о том, сколько времени потребуется для выполнения оператора.Измерение производится в единицах относительной стоимости. Стоимость исполнения бывает двух вариантов: пусковая и итоговая. Начальная стоимость показывает, сколько времени требуется, прежде чем первая строка может быть обработана, а общая стоимость показывает, сколько времени требуется для обработки всех строк.
Если вы используете опцию ANALYZE с EXPLAIN, оператор фактически выполняется, а не только планируется. В этом случае вы можете увидеть статистику времени выполнения в миллисекундах.
Создайте график пламени для EXPLAIN
Щелкните правой кнопкой мыши оператор SQL и выберите «Объяснить план».
На панели «Вывод» щелкните «План».
Щелкните значок «График пламени» () и выберите одну из следующих опций:
Сгенерировать график пламени для EXPLAIN ANALYZE
Щелкните правой кнопкой мыши оператор SQL и выберите «Объяснить план анализа».
На панели «Вывод» щелкните «План».
Щелкните значок «График пламени» () и выберите один из следующих вариантов:
Общая стоимость: сколько времени требуется для возврата всех строк (в единицах относительной стоимости).
Фактическое общее время: сколько времени требуется для возврата всех строк (в миллисекундах).
Стоимость запуска: сколько времени проходит до обработки первой строки (в единицах относительной стоимости).
Фактическое время запуска: сколько времени требуется до обработки первой строки (в миллисекундах).
Параметры конфигурации схемы
Чтобы настроить параметры видимости и макета по умолчанию для схем, откройте параметры, нажав Ctrl + Alt + S , и перейдите к.
Изменить цвет ссылки
Откройте настройки, нажав Ctrl + Alt + S и перейдите к.
Щелкните край обобщения.
Щелкните палитру цветов рядом с флажком «Передний план».
Панель содержимого
Установите флажки рядом с элементами, которые будут отображаться на диаграммах.
| Элемент | Описание |
|---|---|
| Показать разницу | |
| Подробности | Если этот флажок установлен, все указанные сведения об элементах будут отображаться на диаграмме классов UML для изменения.Если этот флажок не установлен, в диаграмму будут включены только узловые элементы. |
| Схема схемы базы данных | |
| Ключевые столбцы | Установите этот флажок, чтобы столбцы первичного ключа отображались при открытии диаграммы. При просмотре диаграммы в редакторе используйте на панели инструментов, чтобы показать или скрыть соответствующие столбцы. |
| Столбцы | Установите этот флажок, чтобы при открытии диаграммы отображались все столбцы, кроме столбцов первичного ключа. При просмотре диаграммы в редакторе используйте на панели инструментов, чтобы показать или скрыть соответствующие столбцы. |
| Графический план объяснения | |
| Атрибуты | Переключает отображение атрибутов запроса на карте запроса. Эти атрибуты могут быть числом строк, именами индексов или любой другой дополнительной информацией о запросе. |
Элементы управления
| Элемент | Описание |
|---|---|
| Макет по умолчанию | Выберите желаемый макет из списка макетов по умолчанию. Узловые элементы на вновь созданных схемах будут расположены в соответствии с выбранным макетом. |
| Область по умолчанию | Выберите область из списка Область по умолчанию. Указание области действия помогает избежать отображения на диаграмме ненужных иерархий.Вы можете определить области для вашего проекта на странице "Области" диалогового окна "Настройки". |
| Подогнать содержимое после макета | Если этот флажок установлен, то после применения макета, выбранного в контекстном меню диаграммы, размер всех элементов диаграммы будет изменен, чтобы соответствовать текущей области диаграммы. На диаграмме используйте кнопку панели инструментов. |
| Выполнять ретрансляцию при добавлении новых элементов | Если этот флажок установлен, компоновка схемы будет выполняться автоматически после добавления новых элементов. |
Последнее изменение: 23 ноября 2020 г.
% PDF-1.7 % 1 0 obj > endobj 2 0 obj > поток
