Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° ΠΊΡ‚808Π° схСма. Π­ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° КВ808А: схСма, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ особСнности

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ экономичный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° КВ808А. КакиС прСимущСства Π΄Π°Π΅Ρ‚ использованиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ основныС характСристики Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы усилитСля.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ прСимущСства усилитСля Π½Π° КВ808А

РассматриваСмый ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° транзисторС КВ808А ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ рядом Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… прСимущСств:

  • Высокая ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ благодаря использованию Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС
  • ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· нСобходимости слоТных схСм Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации
  • Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ источника питания с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡΠΌΠΈ
  • Номинальная выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 30 Π’Ρ‚ Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ 8 Ом
  • Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ частот 20-20000 Π“Ρ†
  • Низкий коэффициСнт Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5%

ИспользованиС Π² ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ каскадС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя, дСлая ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ экономичным ΠΈ устойчивым ΠΊ измСнСниям Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля Π½Π° КВ808А

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС каскады:


  1. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ усилитСлС К140Π£Π”1Π‘
  2. ΠŸΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ каскад Π½Π° транзисторах для инвСртирования сигнала
  3. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π΅ транзисторов
  4. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторах КВ808 ΠΈ КВ806

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π° ОУ обСспСчиваСт высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ усилСниС. ΠŸΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ каскад ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ сигнал ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ смСщСния для ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² экономичном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ B Π±Π΅Π· Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния.

Π₯арактСристики усилитСля Π½Π° КВ808А

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ усилитСля:

  • Номинальная выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 30 Π’Ρ‚
  • Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ: 8 Ом
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ: Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5%
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ частот: 20-20000 Π“Ρ†
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 1,5 Π’
  • Π€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сдвиг: Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10Β°
  • Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€: ΠΎΡ‚ -20Β°C Π΄ΠΎ +60Β°C

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ характСристики ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π² качСствС высококачСствСнного усилитСля мощности Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля Π½Π° КВ808А

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС элСмСнты:


  • ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ К140Π£Π”1Π‘ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
  • Вранзисторы КВ626 Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… каскадах
  • ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Π°Ρ ΠΏΠ°Ρ€Π° КВ814 ΠΈ КВ816 Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС
  • ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы КВ808 ΠΈ КВ806 Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот подаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ОУ. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ связь снимаСтся с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля. ΠŸΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ каскады ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сигнала ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² смСщСния. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ B Π±Π΅Π· Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада усилитСля

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад усилитСля Π½Π° КВ808А ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ряд Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… особСнностСй:

  • Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π² экономичном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ B Π±Π΅Π· Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния
  • ИспользованиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов
  • ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ нСобходимости Π² слоТных схСмах Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации
  • Высокая Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ благодаря Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ООБ

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ B Π±Π΅Π· Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния обСспСчиваСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ этом для сниТСния искаТСний Π½Π° ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… уровнях сигнала Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ усилитСля Π±Π΅Π· услоТнСния схСмы.


ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° использования Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС

ИспользованиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС усилитСля Π½Π° КВ808А Π΄Π°Π΅Ρ‚ ряд Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… прСимущСств:

  • Высокая ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π° счСт отсутствия Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя
  • ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· слоТных схСм стабилизации
  • ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ благодаря ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ смСщСния
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ источника с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡΠΌΠΈ

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ B позволяСт ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·Π±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя, которая Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π° для усилитСлСй класса AB. ΠŸΡ€ΠΈ этом искаТСния Π½Π° ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… уровнях сигнала ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ООБ.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ настройки ΠΈ эксплуатации усилитСля

ΠŸΡ€ΠΈ настройкС ΠΈ эксплуатации усилитСля Π½Π° КВ808А слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ особСнности:

  • НС трСбуСтся настройка Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² покоя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов
  • НСобходимо ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов
  • Π–Π΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 200 Ом
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ слСдуСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ отсутствиС постоянной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

Благодаря Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ B ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ слоТной настройки. ОсновноС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ слСдуСт ΡƒΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ эффСктивного Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов КВ808 ΠΈ КВ806.


Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы усилитСля

Базовая схСма усилитСля Π½Π° КВ808А допускаСт Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ характСристик:

  • Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ОУ Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ соврСмСнный с Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ составных транзисторов Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС для увСличСния мощности
  • Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ АЧΠ₯ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ООБ
  • ИспользованиС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов КВ818/КВ819 вмСсто КВ808/КВ806

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ усилитСля, сохранив ΠΏΡ€ΠΈ этом всС прСимущСства Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмы. Однако слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ измСнСния ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ настройки ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля.

РассмотрСнная схСма экономичного усилитСля Π½Π° транзисторах КВ808А прСдставляСт собой ΡƒΠ΄Π°Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сочСтаниС простоты Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΡ… тСхничСских характСристик. ИспользованиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· услоТнСния схСмы. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ для ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ постройки Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌΠΈ элСктроники.



Π­ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ УНЧ Π½Π° 30Π’Ρ‚ (К140Π£Π”1Π‘, КВ808, КВ806)

ИспользованиС Π² ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ каскадС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π’ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ сняло ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя, сдСлало ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ экономичным ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ.

К числу достоинств Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ усилитСля относится Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ источника питания с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡΠΌΠΈ. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 200 Ом.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

  • ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ частот, Π“Ρ† — 20…20 000;
  • Номинальная выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°* Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ сопротивлСниСм 8 Ом (Π΅Ρ€ΠΈ коэффициСнтС Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ Π² номинальном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот Π½Π΅ Π±ΠΎΠ» Π΅Π΅ 0,5 %), Π’Ρ‚ — 30;
  • НоминальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’ — 1,5;
  • Π€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сдвиг Π² номинальном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот — 10Β°;
  • Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» устойчивой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля.Β°Π‘ = Β  β€” 20…+60.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° УНЧ

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад усилитСля  собран Π½Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ усилитСлС А1. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания сигнала Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля Π½Π΅ прСвысила допустимого значСния, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот R1C1R2 с частотой срСза ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 20 ΠΊΠ“Ρ†. УсиливаСмый сигнал подаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля, сигнал ООБ (с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля) β€” Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ характСристику усилитСля Π² области высоких частот. Частота срСза каскада (с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘3) β€” ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 30 ΠΊΠ“Ρ†.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ каскад Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° транзисторах V4β€”V7 ΠΏΠΎ схСмС Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскодного усилитСля. Частота срСза этого каскада 4,7 ΠœΠ“Ρ†. Помимо инвСртирования сигнала, ΠΎΠ½ выполняСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² смСщСния для транзисторов ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры V8 ΠΈ V9.

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΈΡ… эмиттСрныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ рСзисторы R12, R13 ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ мСстныС ООБ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вмСстС со ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ смСщСния ΠΈ опрСдСляСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. Π’ΠΎΠΊ покоя транзисторов, V8, V9 Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 30 мА (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 60 Β°Π‘ ΠΎΠ½ возрастаСт Π΄ΠΎ 50 мА). Частота срСза этой ступСни усилитСля 130 ΠΊΠ“Ρ†.

Вранзисторы ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада V10, V11 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ схСмС эмиттСрного повторитСля ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π±Π΅Π· Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния, Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ покоя, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Для сниТСния Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π² этом случаС искаТСний Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Β«ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒΠΊΠ°Β» Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ рСзистор R14. Благодаря этому ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… уровнях сигнала, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзисторы V10, V11 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ каскад.

Частота срСза каскада Π½Π° транзисторах V10, V11 β€” ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 140 ΠΊΠ“Ρ†.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ УНЧ

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² этом усилитСлС ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π΅Π½ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с коэффициСнтом усилСния напряТСния Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 2000. Вранзисторы ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ коэффициСнтами ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (h31э> 50).

ВмСсто транзисторов Π“Π’321А Π² усилитСлС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторы КВ626 (с Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ индСксами А, Π‘, Π’), вмСсто Π“Π’905А ΠΈ Π“Π’806Π’ β€” соотвСтствСнно КВ814Π“ ΠΈ КВ816Π“. ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° L1 (30 Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ²) Π½Π°ΠΌΠΎΡ‚Π°Π½Π° Π² Π΄Π²Π° слоя ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠŸΠ­Π’-2 β€” 1,0 Π½Π° каркасС Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 7 ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 25 ΠΌΠΌ.

Для охлаТдСния транзисторов V8, V9 ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ П-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, согнутый ΠΈΠ· полосы (Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ 100 X 50 ΠΌΠΌ) листового алюминиСвого сплава Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 2ΠΌΠΌ. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ основания Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° β€” 50 X 50 ΠΌΠΌ, ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΊ (Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Ρ‹ транзисторы) β€” ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 25 X 50 ΠΌΠΌ.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ крСпят Π½Π° ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ расчСтом, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ дСталями ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Вранзисторы V10 ΠΈ V11 ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 8.650.022 с эффСктивной ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ охлаТдСния 300 см2.

НалаТиваниС

НалаТивания ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ громкоговоритСля Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ постоянноС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Β±0,1 Π’, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ покоя транзисторов V8, V9 β€” 50 мА.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ: Π‘ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠ² Π­. П., Π€Ρ€ΠΎΠ»ΠΎΠ² Π’. Π’. — Π Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠ΅ схСмы.

Π­ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° К140Π£Π”1Π‘ ΠΈ КВ808, КВ806 (30 Π’Π°Ρ‚Ρ‚)

ΠšΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ усилитСлСй ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ Π² ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΈΒ * ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΡΒ Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ усилитСлСй Π½Π° микросхСмах

Как извСстно Π΄Π²ΡƒΡ… ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² практичСски Π½Π΅ Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого сами ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ сильно зависят ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΈ поэтому главная ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° практичСски всСх усилитСлСй- это тСмпСратурная стабилизация Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада.

Одним ΠΈΠ· самых эффСктивных способов ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля- это ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ каскадС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° B. ИмСнно ΠΎΠ½ ΠΈ использован Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС.

ИспользованиС Π² ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ каскадС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π’ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ сняло ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя, сдСлало ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ экономичным ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. К числу достоинств Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ усилитСля относится Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ источника питания с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡΠΌΠΈ. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 200 Ом.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля

ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ частот, Π“Ρ†…. Β 20…20 000;

Номинальная выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°* Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ сопротивлСниСм 8 Ом (ΠΏΡ€ΠΈ коэффициСнтС Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ Π² номинальном

Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5 %), Π’Ρ‚Β  …. Β 30;

НоминальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’.Β  … Β 1,5;

Π€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сдвиг Π² номинальном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот … Β 10Β°;

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» устойчивой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля. Β°Π‘Β  …. Β β€” 20…+60.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля Π½Π° К140Π£Π”1Π‘ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС Π½Π° транзисторах

Β 

Β ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад усилитСля  собран Π½Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ усилитСлС А1. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания сигнала Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля Π½Π΅ прСвысила допустимого значСния, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот R1C1R2 с частотой срСза ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 20 ΠΊΠ“Ρ†. УсиливаСмый сигнал подаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля, сигнал ООБ (с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля) β€” Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ характСристику усилитСля Π² области высоких частот. Частота срСза каскада (с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘3) β€” ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 30 ΠΊΠ“Ρ†.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ каскад Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° транзисторах V4β€”V7 ΠΏΠΎ схСмС Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскодного усилитСля. Частота срСза этого каскада 4,7 ΠœΠ“Ρ†. Помимо инвСртирования сигнала, ΠΎΠ½ выполняСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² смСщСния для транзисторов ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры V8 ΠΈ V9.

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΈΡ… эмиттСрныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ рСзисторы R12, R13 ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ мСстныС ООБ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вмСстС со ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ смСщСния ΠΈ опрСдСляСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. Π’ΠΎΠΊ покоя транзисторов, V8, V9 Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 30 мА (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ 60 Β°Π‘ ΠΎΠ½ возрастаСт Π΄ΠΎ 50 мА). Частота срСза этой ступСни усилитСля 130 ΠΊΠ“Ρ†.

Вранзисторы ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада V10, V11 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ схСмС эмиттСрного повторитСля ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π±Π΅Π· Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния, Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ покоя, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Для сниТСния Π½Π΅ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π² этом случаС искаТСний Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Β«ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒΠΊΠ°Β» Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ рСзистор R14. Благодаря этому ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… уровнях сигнала, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзисторы V10, V11 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ каскад.

Частота срСза каскада Π½Π° транзисторах V10, V11 β€” ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 140 ΠΊΠ“Ρ†.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ усилитСля

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² этом усилитСлС ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π΅Π½ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с коэффициСнтом усилСния напряТСния Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 2000. Вранзисторы ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ коэффициСнтами ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (h31э> 50). ВмСсто транзисторов Π“Π’321А Π² усилитСлС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ транзисторы КВ626 (с Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ индСксами А, Π‘, Π’), вмСсто Π“Π’905А ΠΈ Π“Π’806Π’ β€” соотвСтствСнно КВ814Π“ ΠΈ КВ816Π“. ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° L1 (30 Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ²) Π½Π°ΠΌΠΎΡ‚Π°Π½Π° Π² Π΄Π²Π° слоя ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠŸΠ­Π’-2 β€” 1,0 Π½Π° каркасС Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 7 ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 25 ΠΌΠΌ.

Для охлаТдСния транзисторов V8, V9 ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ П-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, согнутый ΠΈΠ· полосы (Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ 100 X 50 ΠΌΠΌ) листового алюминиСвого сплава Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 2ΠΌΠΌ. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ основания Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° β€” 50 X 50 ΠΌΠΌ, ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΊ (Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Ρ‹ транзисторы) β€” ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 25 X 50 ΠΌΠΌ.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ крСпят Π½Π° ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ расчСтом, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ дСталями ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Вранзисторы V10 ΠΈ V11 ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 8.650.022 с эффСктивной ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ охлаТдСния 300 см2.

НалаТиваниС усилитСля

НалаТивания ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ громкоговоритСля Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ постоянноС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Β±0,1 Π’, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ покоя транзисторов V8, V9 β€” 50 мА.

транзисторов — Π–ΠΈΠ·Π½Π΅ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы усилитСля, управляСмого напряТСниСм

Π—Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ вопрос

спросил

ИзмСнСно 7 Π»Π΅Ρ‚, 11 мСсяцСв Π½Π°Π·Π°Π΄

ΠŸΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΎ 2ΠΊ Ρ€Π°Π·

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π° синтСзатора я Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π½Π°Π΄ созданиСм простого усилитСля, управляСмого напряТСниСм. Из-Π·Π° слоТности Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… частСй схСмы ΠΈ количСства Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ я ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ» Π½Π° этот ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ, я ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° микросхСмы ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля; OTA Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, работая с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ мСня Π΅ΡΡ‚ΡŒ сСйчас, я нарисовал Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ я Π΄ΡƒΠΌΠ°ΡŽ,

ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, управляСмый напряТСниСм, ΠΈΠ· дискрСтных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.

Насколько я понимаю, схСма Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° вСсти сСбя ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ: T1 дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ импСдансом, смСщая входящий сигнал Π½Π° VCC/2, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ T2. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π° ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† R4 эффСктивно ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ GND. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот рСзистор, опрСдСляСтся напряТСниСм Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ эмиттСра этого транзистора (Vbe/R4). Из-Π·Π° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ» ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€/эмиттСр T2, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· R5. Π­Ρ‚ΠΎ создаСт напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Tr2.

Однако Π²ΠΎ врСмя тСстирования схСма Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π²Π΅Π»Π° сСбя Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ошибки Π² значСниях, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ я Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π» для этого тСста, я ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π» присвоСниС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ этой ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмС. Π•ΡΡ‚ΡŒ Π»ΠΈ смысл Π² этой схСмС? Π’Π΅Ρ€Π΅Π½ Π»ΠΈ ΠΌΠΎΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·.

П.Π‘. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, это ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠ°, Π½ΠΎ, поТалуйста, Π½Π΅ ΡΡ‚Π΅ΡΠ½ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΈ соглашСния ΠΏΠΎ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ EAGLE ΠΈ синтаксис схСмы. Π­Ρ‚ΠΎ всС Π΅Ρ‰Π΅ Π½ΠΎΠ²ΠΎ для мСня.

Π Π•Π”ΠΠšΠ’Π˜Π ΠžΠ’ΠΠ’Π¬: исправлСна β€‹β€‹ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΠ° Π½Π° ΠΌΠΎΠ΅ΠΌ рисункС, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π±Ρ‹Π» ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎ привязан ΠΊ GND, Π° Π½Π΅ ΠΊ 1/2 Vcc.

  • напряТСниС
  • транзисторы
  • ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ
  • Π±Π΄ΠΆΡ‚

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

5

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

ΠžΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, это Π½Π΅ Π²Ρ‹ построили, Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ? Π­Ρ‚ΠΎ симуляция? ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΡ€Ρ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ зСмлю ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΊ GND нСльзя.

Π’Π°Ρˆ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ раскачки. Π’Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ источники ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ зСмлю посСрСдинС, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСния ΠΏΠΎΠ²ΡΡŽΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°ΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника. Если Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ это, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π·Π°Π½ Π΄ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ зСмлю.

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° с вашСй схСмой Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Π° Π² своих характСристиках программирования усилСния. Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· T2 ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ связан с CV, Π° Π½Π΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ. Если Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ свою схСму ΠΊ Π»ΡŽΠ±ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ, Π²Ρ‹, вСроятно, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ систСму 1 Π’ Π½Π° ΠΎΠΊΡ‚Π°Π²Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π² этом Ρ€ΠΎΠ΄Π΅. Π’Π°Ρˆ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ CV для этой схСмы, вСроятно, мСньшС 100 ΠΌΠ’.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

6

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠΉΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ Π² систСму

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Google

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Facebook

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Ρƒ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ЭлСктронная ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°

ВрСбуСтся, Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ отобраТаСтся

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ЭлСктронная ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°

ВрСбуСтся, Π½ΠΎ Π½Π΅ отобраТаСтся

НаТимая Β«ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свой ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Β», Π²Ρ‹ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡˆΠ°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ с нашими условиями обслуТивания, ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠΉ использования Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ² cookie

.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ симмСтрии β€” усилитСли

УсилитСли

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы доступны ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ PNP ΠΈ NPN. Если Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов соСдинСны Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ каскад (рисунок Π½ΠΈΠΆΠ΅), ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ стрСлками) Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎ-эмиттСрныС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ транзисторов. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ этому ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, схСма упоминаСтся ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма симмСтрии .

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ симмСтрии обСспСчиваСт всС прСимущСства ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ схСмы. Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ усилитСли Π±Π΅Π· нСобходимости Π² каскадС Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Ρ„Π°Π·ΠΎΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора с ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ срСднСй Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ. ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ устраняСт Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅. трансформатор Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ симмСтрии с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ смСщСниСм.

На рисункС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π΄Π²Π° транзистора Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΌ соСдинСнии симмСтрии. Вранзистор Q 1 β€” транзистор PNP ΠΈ транзистор Q 2 β€” NPN-транзистор. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал смСщаСт транзистор Q 1 Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ заставляСт Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал смСщаСт транзистор Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Q 2 ΠΈ заставляСт Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ нСпроводящиС, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ сигнал, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄, смСщаСт ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ дСйствиС Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, рассмотрСв схСма рисунка Π½ΠΈΠΆΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ упрощСнная вСрсия Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмы. ВнутрСнняя эмиттСрно-коллСкторная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ транзистора Q 1 Π΅ΡΡ‚ΡŒ прСдставлСн ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором R 1 ΠΈ транзистора Q 2 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором Π  2 .

Π£ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмы ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ схСмы симмСтрии.

ΠŸΡ€ΠΈ отсутствии Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ класса B (Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ смСщСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π°) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ находящимися Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΉ (бСсконСчныС сопротивлСния R 1 ΠΈ Π  2 ). Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзисторы Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π½ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R L . Когда входящий сигнал ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, транзисторный Q 2 проводящий ΠΈ транзисторный Q 1 остаСтся нСпроводящим. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R 1 остаСтся Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ рСзистора R 2 двиТСтся ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 3 ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ состоит ΠΈΠ· Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π’ CC2 , ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R 2 ΠΈ рСзистор R L . Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° зависит ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ входящСго сигнала, Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ€Ρ‹Ρ‡Π°Π³ пСрСмСщаСтся ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 3 для увСличСния прямого смСщСния ΠΈ ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 4 для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ смСщСниС Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄. Π’ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€Π½ΠΎΠΉ стрСлки, Π²Ρ‹Π΄Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ полярности. Когда Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, транзисторный Q 1 проводящий ΠΈ транзисторный Q 2 становится нСпроводящим. Π’ΠΎ ΠΆΠ΅ дСйствиС повторяСтся с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R 1 . Π’ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΡŽ Π’ CC1 , Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R L ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R 1 Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΌ сплошная стрСлка ΠΈ создаСт напряТСниС Π½Π° рСзисторС R L с ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ полярности.

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ класса А схСмы Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ симмСтрии напряТСниС Π‘Π΅Ρ‚ΡŒ дСлитСля (Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π°) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ прямого смСщСния Π½Π° Π΄Π²Π° транзисторы, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»ΡΡ Π² любоС врСмя. Π’ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС (рисунок Π²Ρ‹ΡˆΠ΅) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Off Π² любоС врСмя. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ плюсовой ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ аккумулятора Π’ Π‘Π‘2 , Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R 2 , ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор R 1 , ΠΈ ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ аккумулятора Π’ CC1 . Π§Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R L Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚. Под этим условиях, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ балансным мостом, ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΈ моста ΠΈΠ· рСзисторов R 1 ΠΈ R 2 ΠΈ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ V Π‘Π‘1 ΠΈ Π’ Π‘Π‘2 . Когда Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал становится ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, транзистор Q 2 ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ транзистор Q 1 ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ мСньшС. Π’ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ рСзистора R 1 пСрСмСщаСтся ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 1 ΠΈ ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ рСзистора R 2 пСрСмСщаСтся ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 3. Π­Ρ‚ΠΎ дСйствиС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ дисбалансу мост ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R L Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€Π½ΠΎΠΉ стрСлки, создавая напряТСниС с ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Когда Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал становится ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, транзистор Q 1 ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΈ транзистор Q 2 ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ мСньшС. Π’ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ рСзистора R 1 пСрСмСщаСтся ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 2 ΠΈ ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ рСзистора R 2 двиТСтся ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 4. ΠœΠΎΡΡ‚ снова разбалансирован, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R L Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ сплошной стрСлки, производя напряТСниС с ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

Ни Π² классС B, Π½ΠΈ Π² классС A постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *