Усилитель на одном транзисторе схема: Унч на одном транзисторе схема

alexxlabСхем

Содержание

Унч на одном транзисторе схема

Усилитель на одном транзисторе — здесь представлена конструкция простого УНЧ на одном транзисторе. Именно с подобных схем многие радиолюбители начинали свой путь. Однажды собрав несложный усилитель мы всегда стремимся изготовить более мощное и качественное устройство. И так все идет по нарастающей, всегда присутствует желание изготовить безупречный усилитель мощности.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Схема детекторного приемника с УНЧ на одном транзисторе
  • Схема усилителя на TDA2030A
  • Усилитель на одном транзисторе
  • Простой усилитель на транзисторах своими руками. Усилитель на одном транзисторе: схема
  • самый простой усилитель проще нет
  • Усилитель на одном транзисторе
  • Простой усилитель мощности на КТ805 (20 Вт)
  • Простой усилитель низкой частоты
  • Уважаемый Пользователь!
  • УСИЛИТЕЛИ ЗВУКА СВОИМИ РУКАМИ

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Усилитель на одном транзисторе!!! Своими руками.

Схема детекторного приемника с УНЧ на одном транзисторе


Резистор R1 является нагрузкой детектора Д1 детекторного приемника. Резисторы R2 и R3 составляют делитель напряжения, с которого снимают напряжение смещения на базу транзистора Величиной этого напряжения определяется режим работы транзистора.

Конденсаторы CI — переходный, С2 — блокировочный. Принципиальная схема двухтранзисторного усилителя низкой частоты приведена на рис. Резисторами R2 и R4 устанавливают необходимое напряжение смещения на базах транзисторов 77 и Т2. Примененные в усилителе транзисторы должны иметь коэффициент усиления Вст порядка Резистор R3 служит нагрузкой в цепи коллектора транзистора Конденсатор С2 переходный.

Рекомендуемая принципиальная схема трехтранзисторного усилителя низкой частоты приведена на рис. В усилителе применена непосредственная связь между транзисторами 77 и Т2.

Такая связь улучшает качество звучания и температурную стабилизацию режима работы транзисторов. Резистор R2 является нагрузкой в цепи коллектора транзистора Через резистор R3 на базу транзистора 77 подается напряжение смещения. Это же напряжение стабилизирует режим работы транзистора 77 при изменении температуры.

Поскольку коллектор транзистора 77 и база транзистора Т2 соединены непосредственно, то смещение транзистора Т2 зависит от напряжения на коллекторе транзистора ГУ, т. Напряжение смещения транзистора Т1 снимается с эмиттера транзистора Т2.

Таким образом осуществляется взаимная стабилизация режимов транзисторов. Обычно при повышении температуры ток коллектора транзистора 77 увеличивается. Увеличение тока через резистор R2 вызовет уменьшение напряжения на коллекторе транзистора 77 и на базе транзистора Т2, поэтому коллекторный ток транзистора Т2 уменьшится. Это уменьшение тока вызовет, в свою очередь, уменьшение отрицательного напряжения на эмиттере Г2, а следовательно, и уменьшение напряжения смещения на базе транзистора ГУ, что приведет к уменьшению тока коллектора Т1.

Одновременно через резистор R2 осуществляется отрицательная обратная связь по переменному току между транзисторами Т1 и Т2. Усиленный транзистором Т1 низкочастотный сигнал с резистора R2 поступает на базу транзистора Т2. Нагрузка Т2 резистор R4 включена в цепь эмиттера. Усиленный транзистором Т2 сигнал снимается с резистора R4 и через разделительный конденсатор С2 подается на базу транзистора ТЗ. Резисторы R5 и R6 образуют делитель напряжения, с которого снимается необходимое напряжение смещения для транзистора ТЗ.

В случае замены его низкоомным громкоговорителем в цепь коллектора необходимо включить выходной трансформатор. В усилителе могут быть применены резисторы и конденсаторы любых типов. Налаживание усилителя производится по наибольшей громкости приема подбором сопротивления резисторов R2 и R5.

Из трех выбранных для усилителя транзисторов на место транзистора 77 рекомендуется ставить тот, который имеет наименьшую величину обратного тока коллектора.


Схема усилителя на TDA2030A

Вашему вниманию предлагается очередной усилитель мощности. Несмотря на относительно небольшую выходную мощность, он обладает некоторыми несомненными достоинствами. Во-первых, он просто как валенок и совершенно доступен для повторения. Во-вторых, в нем нет дефицитных и дорогостоящих компонентов, таким образом собрать его можно даже там, где затруднен доступ к радиодеталям или наблюдается дырка в кармане. Характеристики усилителя следующие:. Схема очень проста и если вы решили посвятить себя сборке усилителей на рассыпухе и исследованию их деятельности, то есть смысл начать с этого усилителя.

Схема простого усилителя низкой частоты для начинающих. Усилитель состоит из двух узлов: входной каскад на транзисторе Т1 и выходной.

Усилитель на одном транзисторе

Вперёд, в прошлое! Замыслив материал на означенную тему, я первоначально хотел начать излагать её с азов. Не забираясь в дебри, конечно. Однако после некоторого осмысления возможной перспективы пришёл к выводу, что это совершенно ни к чему. В сети имеется громадное количество информации на эту тему, и каждый второй стремится учить других. И именно с азов. Одна половина сайтодержателей пытается учить строить УНЧ с азов, отталкиваясь от того, что такое транзистор радиолампа , как он она может усиливать, рак работает однотранзисторный одноламповый УНЧ, двухтранзисторный двухламповый , однотактный, двухтактный трансформаторный, бестрансформаторный, но чень качественный, очень качественный, не очень мощный, очень мощный и т. При этом сложность и количество деталей УНЧ возрастают в геометрической прогрессии.

Простой усилитель на транзисторах своими руками. Усилитель на одном транзисторе: схема

Войти на сайт Логин:. Сделать стартовой Добавить в закладки. Мы рады приветствовать Вас на нашем сайте! Мы уверены, что у нас Вы найдете много полезной информации для себя, читайте, скачивайте, все абсолютно бесплатно и без паролей.

Вход Забыли пароль?

самый простой усилитель проще нет

Усилитель мощности низкой частоты — наверное все радиолюбители начинали с него. Собирая простые схемы усилителей, в какой то миг нам хочется чего — то большего и с каждым разом мы чем — то не довольны и стремимся к качеству и большой мощности. Практика, которая дается не легко, процесс продолжается годами и бывает моменты, когда радиомастер с большим стажем собирает простейшие схемы, как бы вспоминая молодость. Мы чуть отошли от нашей темы, но это не так уж и важно, поскольку речь сегодня пойдет именно о простейшем усилителе мощности низкой частоты. Данная схема усилителя содержит всего один транзистор и несколько радиодеталей, схема упрощена до минимума, чтобы с ней мог справиться человек , который только начал познавать для себя мир радиоэлектроники. Усилитель конечно не такой уж и мощный, но при мощном транзисторе можно выжимать до 0,5 ватт, неплохо для усилителя с такой схематической развязкой ни правда ли?

Усилитель на одном транзисторе

В этом видео показано как собрать усилитель мощности звуковой частоты всего на одном транзисторе КТ, помимо транзистора Вам понадобится электролитический конденсатор на 47 мкФ и резистор сопротивлением 1 кОм. Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться. Ваш IP: Самый простой усилитель на кт Сделай сам! Простая мигалка на КТ — В этом видео показано как собрать простую светодиодную мигалку на одном транзисторе КТ, так же Вам понадобится один электролитический конденсатор на мкФ, любой светодиод и резистор номиналом 1,5 кОм.

Усилитель на одном транзисторе — здесь представлена конструкция простого УНЧ на одном транзисторе. Именно с подобных схем многие.

Простой усилитель мощности на КТ805 (20 Вт)

Усилитель на транзисторах, несмотря на свою уже долгую историю, остается излюбленным предметом исследования как начинающих, так и маститых радиолюбителей. И это понятно. Он является непременной составной частью самых массовых радиолюбительских устройств: радиоприемников и усилителей низкой звуковой частоты.

Простой усилитель низкой частоты

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как сделать простой усилитель на одном транзисторе / A simple amplifier with one transistor

Экспериментальное исследование простейших УНЧ на транзисторе кто нибудь знает как высчитать Коэффициент усиления и сопротивление входное и выходное Методика расчета усилителя на транзисторе Нада методика розчёта транзисторного ключа уселителя на транзисторе у кого есть поделитесь Расчет УНЧ здравствуйте, помогите пожалуйста ответить на 2 вопроса: 1. Что нужно изменить в схеме при Маломощный УНЧ Доброго времени суток. Подскажите пожалуйста хорошую схему УНЧ порядка мВт для наушников

В этой статье мы поговорим об усилителях. Эти устройства могут быть выполнены как на транзисторах, так и на микросхемах.

Уважаемый Пользователь!

Эх, жалко пацанов — королевство маловато, разгуляться негде! Ни ламповых тебе однотактников, ни гераниевых раритетов Что ещё остаётся пытливому уму неоперившегося меломана? Разве что брейкануть под японское хокку, да кайфануть для большего эффекта под уханье бумбокса. На самом деле, слушать надо! Перелопатить определённое количество разномастной усилительной аппаратуры — тоже надо.

УСИЛИТЕЛИ ЗВУКА СВОИМИ РУКАМИ

Схема усилителя на TDA является самым простым и качественным усилителем, который может повторить даже школьник. В роли микросхемы усилителя в этой статье мы возьмем микросхему TDAA, которую можно купить абсолютно в любом радиомагазине по цене не дороже, чем буханка черного хлеба. Максимальное напряжение однополярного питания составляет 44 Вольта.


Простейшие усилители низкой частоты на транзисторах

Усилители низкой частоты (УНЧ) используют для преобразования слабых сигналов преимущественно звукового диапазона в более мощные сигналы, приемлемые для непосредственного восприятия через электродинамические или иные излучатели звука.

Заметим, что высокочастотные усилители до частот 10… 100 МГц строят по аналогичным схемам, все отличие чаще всего сводится к тому, что значения емкостей конденсаторов таких усилителей уменьшаются во столько раз, во сколько частота высокочастотного сигнала превосходит частоту низкочастотного.

Простой усилитель на одном транзисторе

Простейший УНЧ, выполненный по схеме с общим эмиттером, показан на рис. 1. В качестве нагрузки использован телефонный капсюль. Допустимое напряжение питания для этого усилителя 3…12 В.

Величину резистора смещения R1 (десятки кОм) желательно определить экспериментально, поскольку его оптимальная величина зависит от напряжения питания усилителя, сопротивления телефонного капсюля, коэффициента передачи конкретного экземпляра транзистора.

Рис. 1. Схема простого УНЧ на одном транзисторе + конденсатор и резистор.

Для выбора начального значения резистора R1 следует учесть, что его величина примерно в сто и более раз должна превышать сопротивление, включенное в цепь нагрузки. Для подбора резистора смещения рекомендуется последовательно включить постоянный резистор сопротивлением 20…30 кОм и переменный сопротивлением 100… 1000 кОм, после чего, подав на вход усилителя звуковой сигнал небольшой амплитуды, например, от магнитофона или плеера, вращением ручки переменного резистора добиться наилучшего качества сигнала при наибольшей его громкости.

Величина емкости переходного конденсатора С1 (рис. 1) может находиться в пределах от 1 до 100 мкФ: чем больше величина этой емкости, тем более низкие частоты может усиливать УНЧ. Для освоения техники усиления низких частот рекомендуется поэкспериментировать с подбором номиналов элементов и режимов работы усилителей (рис. 1 — 4).

В семействе усилителей Waft произошло очередное пополнение. Помню, что кто-то из самодельщиков интересовался вариантом подобным WHH, только без темброблока. Вот оно — счастье.
[Создать обсуждение статьи на форуме]		 Автор: vovchik

В семействе усилителей Waft произошло очередное пополнение. Помню, что кто-то из самодельщиков интересовался вариантом подобным WHH, только без темброблока. Вот оно — счастье.

Предыстория

Предыстория такова — cразу после появления статьи Yooree «Нормирующий усилитель на LT1355» я решил повторить конструкцию. Дело в том, что у моей дочери имеется mp3 плеер — флешка, который питается от пальчиковой батарейки напряжением 1.5 вольта. Она любит подключать плеер к музыкальному центру (он довольно старый и соответственно, mp3 не поддерживает), но размаха сигнала на выходе для наушников явно не хватало для раскачки усилителя, колонки выдавали на максимуме не более 3 ватт на канал, плюс ко всему прослушивались шумы из-за сильного «недогруза». По настоятельной просьбе дочери я не стал «тянуть резину» и быстренько собрал нормирующий усилитель, далее НУ по тексту. При этом номиналы деталей по схеме не изменял, разделительные конденсаторы на входе тоже не устанавливал, в них не было необходимости.. После подключения флешки к муз. центру, через НУ последний «запел во весь голос». Можно было бы на этом месте поставить точку , но как у любого радиолюбителя, возникла мысль : «А может этот «нормировщик» еще куда приладить?» Так и родилась идея. Давно собранный Waft Homehoney, (так, к сожалению и не оформленный в корпус, из-за нехватки опыта изготовления и недостатка времени), мирно работал на полке тумбы под аппаратуру, ощерившись проводами во все стороны. Взглянул я на все это и подумал:» А почему бы и не попробовать?». Отпаял быстренько УМ Waft Homehoney от преда с темброблоком и подключил к нему НУ. Включил питание, вслушался… Звучание имело все » на слух». Максимальная мощность оказалась порядка 7 ватт на канал. Посоветовавшись с Yooree, начал постепенно повышать Кус. «нормализатора», путем увеличения номинала резистора R3 (см. схему НУ). Оптимальной оказалась величина 7. 5-8.2 ком. Громкость возросла и стала примерно одинаковой с громкостью WHH, при величине 9.1 ком уже начиналась перегрузка по входу УМ, это был сигнал остановиться.

Схема нормирующего предусилителя:

Следует заметить, что для каждого конкретного проигрывателя нужно будет индивидуально подобрать номинал R3. У меня дома три разных проигрывателя и в паспорте каждого указано, что размах напряжения на выходе около 1 вольта. На самом деле к примеру, для плеера ВВК пришлось уменьшать R3 до 3 ком, а для ХОRO увеличить до 8.2ком. Elenberg, как и ВВК «орал неслабо», поэтому так же пришлось снижать усиление уменьшением номинала R3 до 3…4 ком, поэтому к каждому CD-DVD-плееру — индивидуальный подход!!!

Cхема оконечного усилителя (УМ):

В схеме УМ никаких особых изменений не производил. Единственное — емкость С1 увеличена до 180 пФ. Конденсатор этот — керамический, маленькая желтая капелька родом из Китая. С2 — это «бутерброд»; К73-17 на 2,2мкФ + К73-16В на 1,5мкФ + МБМ на 0,5мкФ.

Некоторые эксперименты в предусилителе

Здесь расскажу о чипах, опробованных мной в НУ. У меня в наличии оказались два типа сдвоенных ОУ: МС33078 от Texas Instruments и ОР282GP от Analog Devices, соответственно их я и опробовал. Могу констатировать, что в плане «музыкальности», МС33078 уверенно обошла ОР282, хотя чип от AD сам по себе неплохой. Эти эксперименты производились при питании НУ от БП WHH, с понижением напряжения до 13.5-14 вольт, путем включения в каждое плечо балластного резистора. Так же был испытан вариант питания НУ напряжением 17-17.5 вольт. Здесь надо быть очень осторожным и предельно внимательным. Дело в том, что каждый чип имеет предел по напряжению питания, который превышать нельзя, иначе он быстро «накроется медным тазом». С повышением напряжения питания почти до предельного (по даташиту +/ — 18 вольт) ОР282 немного «реабилитировался», но МС33078 так и не догнал. При запитывании чипа ОР282 стабилизированным напряжением + /-12 вольт получились очень хорошие результаты. В то же время МС33078 при всех вариантах питания показал «неизменно превосходный результат». Именно его и надо использовать по возможности. «Регулятор громкости» в УМ можно поставить и группы «А». Опытный образец «гонялся» почти 12 часов и выявил проблему, о которой я слышал и читал, но сам столкнулся впервые. Это так называемое «кипение» электролитических конденсаторов. Физику этого процесса я не очень себе представляю, проявляется он в » шипении в такт с музыкой» на большой громкости. У меня «закипели» на УМ одного из каналов, т.е., те, которые шунтируют питание 10мкф х 50в (фото «кипящих» прилагаю), до этого они проработали достаточно долго и грехов за ними не водилось.

После замены на другие, «кипение» прекратилось. Я лично для себя сделал такой вывод: Не ставь в схему то, что попалось под руку, а найди нормальные, качественные комплектующие и будет все ОК! Со стабилизированным напряжением тоже произошел небольшой казус. Я собирал стабилизаторы на КРЕН-ках навесным монтажом на выходе поставил электролиты Jamicon 100мкф х 35В, при прослушивании четко выделялся фон переменного тока (что любопытно — в нестабилизированном варианте его вообще не было) , замена их «честными советскими» электролитами К50-35 1000 мкф х 25в , устранила фон полностью. Печатную плату для НУ специально не разрабатывал, да в этом и не было надобности, схема простая, обвел ножки панельки для микросхем маркером и потом подрисовал дорожки, на все ушло не более 3 минут. Технология изготовления такая же как и платки преда WHH, т.е. одна сторона — экран, который в последствии соединяется с «массой».

Заключение

В заключение хочу выразить благодарность Юрию (Yooree) за его всестороннюю помощь в подготовке и написании данной статьи, также благодарен Михаилу (Lektor) за его наработки по блоку питания с использованием НИ электролитических конденсаторов и конденсаторов «советского» производства и по использованию «бутербродов» из конденсаторов разных типов на входе УМ. Всем желаю удачи на монтаже и хорошего настроения!

Печатная плата усилителя мощности WBB(WHH).lay

Создать обсуждение статьи на форуме

*Название темы на форуме должно соответствовать виду: Заголовок статьи [обсуждение статьи]

Улучшениые варианты однотранзисторного усилителя

Усложненные и улучшенные по сравнению со схемой на рис. 1 схемы усилителей приведены на рис. 2 и 3. В схеме на рис. 2 каскад усиления дополнительно содержит цепочку частотнозависимой отрицательной обратной связи (резистор R2 и конденсатор С2), улучшающей качество сигнала.

Рис. 2. Схема однотранзисторного УНЧ с цепочкой частотнозависимой отрицательной обратной связи.

Рис. 3. Однотранзисторный усилитель с делителем для подачи напряжения смещения на базу транзистора.

Рис. 4. Однотранзисторный усилитель с автоматической установкой смещения для базы транзистора.

В схеме на рис. 3 смещение на базу транзистора задано более «жестко» с помощью делителя, что улучшает качество работы усилителя при изменении условий его эксплуатации. «Автоматическая» установка смещения на базе усилительного транзистора применена в схеме на рис. 4.

Двухкаскадный усилитель на транзисторах

Соединив последовательно два простейших каскада усиления (рис. 1), можно получить двухкаскадный УНЧ (рис. 5). Усиление такого усилителя равно произведению коэффициентов усиления отдельно взятых каскадов. Однако получить большое устойчивое усиление при последующем наращивании числа каскадов нелегко: усилитель скорее всего самовозбудится.

Рис. 5. Схема простого двухкаскадного усилителя НЧ.

Новые разработки усилителей НЧ, схемы которых часто приводят на страницах журналов последних лет, преследуют цель достижения минимального коэффициента нелинейных искажений, повышения выходной мощности, расширения полосы усиливаемых частот и т.д.

В то же время, при наладке различных устройств и проведении экспериментов зачастую необходим несложный УНЧ, собрать который можно за несколько минут. Такой усилитель должен содержать минимальное число дефицитных элементов и работать в широком интервале изменения напряжения питания и сопротивления нагрузки.

Схема УНЧ на полевом и кремниевом транзисторах

Схема простого усилителя мощности НЧ с непосредственной связью между каскадами приведена на рис. 6 [Рл 3/00-14]. Входное сопротивление усилителя определяется номиналом потенциометра R1 и может изменяться от сотен Ом до десятков МОм. На выход усилителя можно подключать нагрузку сопротивлением от 2…4 до 64 Ом и выше.

При высокоомной нагрузке в качестве VT2 можно использовать транзистор КТ315. Усилитель работоспособен в диапазоне питающих напряжений от 3 до 15 В, хотя приемлемая работоспособность его сохраняется и при снижении напряжения питания вплоть до 0,6 В.

Емкость конденсатора С1 может быть выбрана в пределах от 1 до 100 мкФ. В последнем случае (С1 =100 мкФ) УНЧ может работать в полосе частот от 50 Гц до 200 кГц и выше.

Рис. 6. Схема простого усилителя низкой частоты на двух транзисторах.

Амплитуда входного сигнала УНЧ не должна превышать 0,5…0,7 В. Выходная мощность усилителя может изменяться от десятков мВт до единиц Вт в зависимости от сопротивления нагрузки и величины питающего напряжения.

Настройка усилителя заключается в подборе резисторов R2 и R3. С их помощью устанавливают напряжение на стоке транзистора VT1, равное 50…60% от напряжения источника питания. Транзистор VT2 должен быть установлен на теплоотводя-щей пластине (радиаторе).

Функционал.

Первая проблема при проектировании предварительного усилителя связана с коммутатором входов. Считается, что меньше искажений получается при использовании галетного переключателя. Но, если расположить переключатель на лицевой панели, то от входных разъёмов, установленных на задней панели усилителя, к переключателю будут идти длинные проводники, что ухудшит уровень шумов. Если переключатель расположить ближе к задней стенке усилителя, то потребуется механический удлинитель для переключения. Это усложнит конструкцию и сделает невозможным использование дистанционного управления.

Поэтому было решено в коммутаторе входов использовать качественные электро-механические реле. Если для каждого входа использовать отдельное реле, это даст минимальные перекрёстные искажения и шумы.

Мы также решили снабдить предварительный усилитель модулем усилителя для наушников. Обычно для прослушивания через наушники используют (основной) усилитель мощности. Но зачем задействовать мощный аппарат, если требуется всего несколько миллиВатт?

В нашей конструкции усилитель для наушников выполнен в виде отдельного модуля (устанавливается по желанию), а выход предварительного усилителя переключается на него с помощью реле.

Трекаскадный УНЧ с непосредственной связью

На рис. 7 показана схема другого внешне простого УНЧ с непосредственными связями между каскадами. Такого рода связь улучшает частотные характеристики усилителя в области нижних частот, схема в целом упрощается.

Рис. 7. Принципиальная схема трехкаскадного УНЧ с непосредственной связью между каскадами.

В то же время настройка усилителя осложняется тем, что каждое сопротивление усилителя приходится подбирать в индивидуальном порядке. Ориентировочно соотношение резисторов R2 и R3, R3 и R4, R4 и R BF должно быть в пределах (30…50) к 1. Резистор R1 должен быть 0,1…2 кОм. Расчет усилителя, приведенного на рис. 7, можно найти в литературе, например, [Р 9/70-60].

Приложения датчиков

Для каждого приложения приводится перечень наиболее часто используемых сенсоров. Много полезной информации по данному вопросу можно найти в руководствах OMEGA® Engineering [1, 2].

В данной статье приведены далеко не все типы аналоговых датчиков, их существует гораздо больше, например:

  • счетчики времени/частоты [14];
  • дальномеры [25];
  • измерительные трансформаторы тока [6].

Информация о поведении электрических характеристик различных сенсоров необходима для правильного выбора оптимальной схемы нормирования.

Датчики электрических характеристик

Данная группа сенсоров (таблица 1) необходима для измерения электрических параметров цепи. Эти датчики используются в различных приложениях, например, для мониторинга критически важных характеристик источников питания.

Таблица 1. Датчики электрических параметров

ДатчикВыходной сигнал
НапряженияНапряжение
ТокаТок
ЗарядаЗаряд

Магнитные датчики

Эти датчики (таблица 2) используются для определения напряженности магнитного поля и/или его направления. Они широко применяются в компасах и системах управления электродвигателями [6].

Таблица 2. Магнитные датчики

ДатчикВыходной сигнал
Датчик Холла [6]Напряжение
МагниторезистивныйСопротивление

Датчики температуры

Чаще всего датчики температуры используются по прямому назначению, то есть для измерения температуры. Некоторые распространенные виды датчиков температуры перечислены в таблице 3. Обзор датчиков температуры можно найти в документации [14, 15].

Таблица 3. Датчики температуры

ДатчикВыходной сигнал
Термопары [19, 20]Напряжение
Резистивные датчики температуры (RTD) [18]Сопротивление
Термисторы [16, 17]Сопротивление
ИнтегральныеНапряжение
ИК-сенсорыТок
Термогенераторы (Thermo Piles)Напряжение

Датчики влажности

Существуют два основных типа датчиков влажности: емкостные и инфракрасные (таблица 4). Датчики влажности очень часто требуют дополнительной компенсации температурной погрешности.

Таблица 4. Датчики влажности

ДатчикВыходной сигнал
ЕмкостнойЕмкость
ИК-датчикТок

Датчики усилия, веса, крутящего момента и давления

Данная группа датчиков используется для измерения механических усилий или деформации. Наиболее распространенные типы датчиков перечислены в таблице 5.

Таблица 5. Датчики усилия, веса, крутящего момента и давления

ДатчикВыходной сигнал
Тензометрические [8, 9, 10]Сопротивление
ТензорезисторыСопротивление
ПьезоэлектрическиеНапряжение или заряд
Механические трансдьюсерыСопротивление, напряжение и прочее

Датчики движения и вибрации

Некоторые распространенные аналоговые датчики движения и вибрации представлены в таблице 6. Для решения многих задач могут быть использованы интегральные сенсоры.

Таблица 6. Датчики движения и вибрации

ДатчикВыходной сигнал
Дифференциальные трансформаторы для измерения линейных перемещений LVDT [10]Переменное напряжение
ПьезоэлектрическиеНапряжение или заряд
МикрофоныНапряжение
Датчики двигателя [6]Напряжение, сопротивление, ток и так далее
Ультразвуковые датчики расстояния [25]Время
Интегральные акселерометрыНапряжение

Датчики потока

Существуют различные способы измерения скорости потока жидкостей и газов. Краткий перечень датчиков, используемых для решения этой задачи, представлен в таблице 7.

Таблица 7. Датчики потока

ДатчикВыходной сигнал
Магнитные датчики потокаПеременное напряжение
Кориолисовы расходомерыСопротивление
Ультразвуковые/доплеровские датчикиЧастота
Анемометры с нагреваемым проводом [24]Сопротивление
Механические трансдьюсеры, например, турбиныНапряжение и прочее

Датчики уровня жидкости и объема

В таблице 8 приведены примеры датчиков уровня жидкости. Объем жидкости в баке известного сечения можно определить по ее уровню.

Таблица 8. Датчики уровня жидкости и объема

ДатчикВыходной сигнал
УльтразвуковыеВремя
Механические трансдьюсорыСопротивление, Напряжение
ЕмкостныеЕмкость
Механические переключателиВкл/Выкл
ТермальныеСопротивление

Датчики света и ИК-излучения

Датчики света и ИК-излучения (таблица 9) используются для обнаружения объектов, в том числе в условиях плохой видимости.

Таблица 9. Датчики света и ИК-излучения

ДатчикВыходной сигнал
Фотодиод [22, 23]Ток

Электрохимические датчики

В таблице 10 приводится краткий список электрохимических датчиков, которые применяются для измерения различных химических свойств.

Таблица 10. Электрохимические датчики

ДатчикВыходной сигнал
pH-электродНапряжение (большое внутреннее сопротивление)
ПроводимостьСопротивление
Датчик COНапряжение или заряд
Датчик мутности (фотодиод)Ток
Колориметр (фотодиод)Ток

Схемы каскадных УНЧ на биполярных транзисторах

На рис. 8 и 9 показаны схемы каскодных УНЧ на биполярных транзисторах. Такие усилители имеют довольно высокий коэффициент усиления Ку. Усилитель на рис. 8 имеет Ку=5 в полосе частот от 30 Гц до 120 кГц [МК 2/86-15]. УНЧ по схеме на рис. 9 при коэффициенте гармоник менее 1% имеет коэффициент усиления 100 [РЛ 3/99-10].

Рис. 8. Каскадный УНЧ на двух транзисторах с коэффициентом усиления = 5.

Рис. 9. Каскадный УНЧ на двух транзисторах с коэффициентом усиления = 100.

Экономичный УНЧ на трех транзисторах

Для портативной радиоэлектронной аппаратуры важным параметром является экономичность УНЧ. Схема такого УНЧ представлена на рис. 10 [РЛ 3/00-14]. Здесь использовано каскадное включение полевого транзистора VT1 и биполярного транзистора VT3, причем транзистор VT2 включен таким образом, что стабилизирует рабочую точку VT1 и VT3.

При увеличении входного напряжения этот транзистор шунтирует переход эмиттер — база VT3 и уменьшает значение тока, протекающего через транзисторы VT1 и VT3.

Рис. 10. Схема простого экономичного усилителя НЧ на трех транзисторах.

Как и в приведенной выше схеме (см. рис. 6), входное сопротивление этого УНЧ можно задавать в пределах от десятков Ом до десятков МОм. В качестве нагрузки использован телефонный капсюль, например, ТК-67 или ТМ-2В. Телефонный капсюль, подключаемый при помощи штекера, может одновременно служить выключателем питания схемы.

Напряжение питания УНЧ составляет от 1,5 до 15 В, хотя работоспособность устройства сохраняется и при снижении питающего напряжения до 0,6 В. В диапазоне напряжения питания 2… 15 В потребляемый усилителем ток описывается выражением:

1(мкА) = 52 + 13*(Uпит)*(Uпит),

где Uпит — напряжение питания в Вольтах (В).

Если отключить транзистор VT2, потребляемый устройством ток увеличивается на порядок.

Литература

Основные источники

  1. “The OMEGA® Made in the USA Handbook™,” Vol. 1, OMEGA Engineering, Inc., 2002.
  2. “The OMEGA® Made in the USA Handbook™,” Vol. 2, OMEGA Engineering, Inc., 2002.
  3. AN682, “Using Single Supply Operational Amplifiers in Embedded Systems,” Bonnie Baker; Microchip Technology Inc., DS00682, 2000.
  4. AN866, “Designing Operational Amplifier Oscillator Circuits For Sensor Applications,” Jim Lepkowski; Microchip Technology Inc., DS00866, 2003.

Датчики тока

  1. AN951, “Amplifying High-Impedance Sensors – Photodiode Example,” Kumen Blake and Steven Bible; Microchip Technology Inc., DS00951, 2004.
  2. AN894, “Motor Control Sensor Feedback Circuits,” Jim Lepkowski; Microchip Technology Inc., DS00894, 2003.

Резистивные датчики

  1. AN863, “A Comparator Based Slope ADC,” Joseph Julicher; Microchip Technology Inc., DS00863, 2003.
  2. AN251, “Bridge Sensing with the MCP6S2X PGAs,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00251, 2003.
  3. AN717, “Building a 10-bit Bridge Sensing Circuit using the PIC16C6XX and MCP601 Operational Amplifier,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc. , DS00717, 1999.
  4. AN695, “Interfacing Pressure Sensors to Microchip’s Analog Peripherals,” Bonnie Baker; Microchip Technology Inc., DS00695, 2000.
  5. AN512, “Implementing Ohmmeter/Temperature Sensor,” Doug Cox; Microchip Technology Inc., DS00512, 1997.
  6. AN895 “Oscillator Circuits For RTD Temperature Sensors,” Ezana Haile and Jim Lepkowski; Microchip Technology Inc., DS00895, 2004.

Емкостные датчики

  1. AN611, “Resistance and Capacitance Meter Using a PIC16C622,” Rodger Richie; Microchip Technology Inc., DS00611, 1997.

Датчики температуры

  1. AN929, “Temperature Measurement Circuits for Embedded Applications,” Jim Lepkowski; Microchip Technology Inc., DS00929, 2004.
  2. AN679, “Temperature Sensing Technologies,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00679, 1998.
  3. AN897; “Thermistor Temperature Sensing with MCP6SX2 PGAs,” Kumen Blake and Steven Bible; Microchip Technology Inc., DS00897, 2004.
  4. AN685, “Thermistors in Single Supply Temperature Sensing Circuits,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00685, 1999.
  5. AN687, “Precision Temperature-Sensing With RTD Circuits,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00687, 2003.
  6. AN684, “Single Supply Temperature Sensing with Thermocouples,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00684, 1998.
  7. AN844, “Simplified Thermocouple Interfaces and PICmicro® MCUs,” Joseph Julicher; Microchip Technology Inc., DS00844, 2002.
  8. AN867, “Temperature Sensing With A Programmable Gain Amplifier,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00867, 2003.

Другие датчики

  1. AN865, “Sensing Light with a Programmable Gain Amplifier,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00865, 2003.
  2. AN692, “Using a Digital Potentiometer to Optimize a Precision Single-Supply Photo Detection Circuit,” Bonnie C. Baker; Microchip Technology Inc., DS00692, 2004.
  3. TB044, “Sensing Air Flow with the PIC16C781,” Ward Brown; Microchip Technology Inc., DS91044, 2002.
  4. AN597, “Implementing Ultrasonic Ranging,” Robert Schreiber; Microchip Technology Inc., DS00597, 1997.

Схемы нормирования

  1. FilterLab® 2.0 User’s Guide;” Microchip Technology Inc., DS51419, 2003.
  2. AN942, “Piecewise Linear Interpolation on PIC12/14/16 Series Microcontrollers,” John Day and Steven Bible; Microchip Technology Inc., 2004.

Оригинал статьи

Перевел Вячеслав Гавриков по заказу АО КОМПЭЛ

•••

Двухкаскадные УНЧ с непосредственной связью между каскадами

Примерами УНЧ с непосредственными связями и минимальным подбором режима работы являются схемы, приведенные на рис. 11 — 14. Они имеют высокий коэффициент усиления и хорошую стабильность.

Рис. 11. Простой двухкаскадный УНЧ для микрофона (низкий уровень шумов, высокий КУ).

Рис. 12. Двухкаскадный усилитель низкой частоты на транзисторах КТ315.

Рис. 13. Двухкаскадный усилитель низкой частоты на транзисторах КТ315 — вариант 2.

Микрофонный усилитель (рис. 11) характеризуется низким уровнем собственных шумов и высоким коэффициентом усиления [МК 5/83-XIV]. В качестве микрофона ВМ1 использован микрофон электродинамического типа.

В роли микрофона может выступать и телефонный капсюль. Стабилизация рабочей точки (начального смещения на базе входного транзистора) усилителей на рис. 11 — 13 осуществляется за счет падения напряжения на эмиттерном сопротивлении второго каскада усиления.

Рис. 14. Двухкаскадный УНЧ с полевым транзистором.

Усилитель (рис. 14), имеющий высокое входное сопротивление (порядка 1 МОм), выполнен на полевом транзисторе VT1 (истоковый повторитель) и биполярном — VT2 (с общим).

Каскадный усилитель низкой частоты на полевых транзисторах, также имеющий высокое входное сопротивление, показан на рис. 15.

Рис. 15. схема простого двухкаскадного УНЧ на двух полевых транзисторах.

УСИЛИТЕЛИ НА ОДНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

УСИЛИТЕЛИ НА ОДНОМ ТРАНЗИСТОРЕ На главную

 

На рис.
1, а приведена схема УВЧ для портативного супергетеродинного приемника, работающего в диапазонах длинных (ДВ), средних (СВ) и коротких (KB) волн. Как показано на рис. 1, а, эту приставку включают в радиоприемнике между катушкой связи LCB магнитной антенны МА и входом преобразователя частоты. Тем самым в радиоприемнике обеспечивается дополнительное (в 5 — 6 раз) усиление принимаемых сигналов.

Рис. 1. Схемы однотранзисторных усилителей высокой частоты:

а — без корректирующих элементов; б — с корректирующим дросселем- в — вариант применения микросхемы К2УС242 в качестве УВЧ с апериодической нагрузкой; г — микросхема К2УС242

 

УВЧ собран на транзисторе T1 по схеме с коллекторной нагрузкой — резистором R3. Режим работы транзистора обеспечивается резисторами

Rl, R2 и R4. Усиленный сигнал снимается с резистора R3 и через разделительный конденсатор С4 подается на вход преобразователя частоты.

Для обеспечения равномерного усиления сигнала во всем диапазоне рабочих частот приемника нагрузка усилителя (резистор R3) имеет малое сопротивление. Резистор R5 и конденсатор С2 образуют в цепи питания УВЧ развязывающий фильтр. Напряжение смещения на базу транзистора Т2 преобразовательного каскада приемника поступает через резистор R6.

УВЧ монтируют на гетинаксовой плате размером 30 X X 20 мм и размещают в корпусе приемника вблизи преобразовательного каскада. Налаживание приставки сводится к подбору такого сопротивления резистора R1, при котором сила тока в цепи коллектора транзистора Т1 составляет 0,8 — 1 мА.

В усилителе желательно использовать транзисторы типа ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В и им подобные.

В заключение отметим, что аналогичные усилители используются в промышленных приемниках «Банга», «Космонавт», «Альпинист» и др.

Усилитель, рассмотренный выше, обеспечивает сравнительно равномерное усиление в полосе частот 100 кГц — 15 МГц. На частотах же выше 15 МГц усиление падает из-за влияния в основном входной цепи преобразовательного каскада, сопротивление которой приобретает на этих частотах емкостный характер. Для уменьшения этого влияния применяют различные корректирующие эЛемен-ты и цепи. Наиболее простым и эффективным решением является включение последовательно с нагрузкой УВЧ — резистором R3 — корректирующего дросселя. На рис. 1, б приведена схема такого усилителя, обеспечивающего практически постоянный коэффициент усиления, равный шести (15 дБ) в полосе частот 100 кГц — 30 МГц. Здесь корректирующий дроссель

Др1 с индуктивностью около 2 мкГ содержит 30 витков провода ПЭВ-1 0,15, намотанных на резисторе типа МЛТ-0,5 сопротивлением 100 кОм. В этом УВЧ, как и в предыдущем, можно использовать резисторы МЛТ-0,25, конденсаторы КПС, КДС, КТ-la и транзисторы ГТ322 групп А, Б, В, Г, Д или Е.

Рис. 2. Схема УВЧ на полевом транзисторе для простого KB приемника

 

Приставка УВЧ может быть выполнена также на базе интегральной микросхемы (ИМС) К2УС242, как показано, например, на рис. 1, в. Для пояснения схемотехнического построения этого устройства обратимся к принципиальной схеме ИМС К2УС242, представленной на рис. 1, г..Как видно, резистор

R2 используется в УВЧ в качестве сопротивления нагрузки; резистор R3 стабилизирует режим работы транзистора Т1 по постоянному току, а элементы R4, СЗ включены как развязывающий фильтр в цепи коллекторного питания. Напряжение смещения на базу, транзистор а Т1 следует подавать через развязывающий фильтр (R2C1 на рис. 1, в) от стабилизатора 2,5 — 3 В. Эту цепь можно использовать и для подачи напряжения автоматической регулировки усиления (АРУ). Описанный УВЧ целесообразно сконструировать как приставку к автомобильнцм приемникам, где общий провод соединен, как правило, с минусовой шиной источника питания — аккумулятора. Конструктивные данные дросселя Др1 те же, что и для схемы на рис. 1, б. Для налаживания приставки достаточно подобрать такое сопротивление резистора
R2, при котором сила тока коллектора транзистора Т1 (ток в цепи вывода 9 ИМС) составит 1 — 1,2 мА.

Подключение описанных приставок к приемнику может быть выполнено по схеме рис. 1, а либо другой, в зависимости от построения последующего каскада приемника.

Принципиальная схема другого варианта УВЧ, предназначенного для работы совместно с простым коротковолновым приемником супергетеродинного типа, приведена на рис. 2. Усилитель собран на полевом транзисторе Т1 с р — n переходом и каналом n типа. Полевые транзисторы отличаются высоким входным сопротивлением и малым уровнем шумов, что позволяет значительно улучшить характеристики всего приемного устройства, работающего с подобной приставкой.

Сигнал принимаемой радиостанции с внешней антенны через гнездо Гн1 поступает в. катушку связи L1, с которой индуктивно связан колебательный контур, образованный катушкой L2 и конденсатором переменной емкости С1. С помощью этого конденсатора лсонтур можно настроить на любую радиостанцию, работающую в диапазоне частот от 6 до 12 МГц (25 — 50 м). В таком же диапазоне частот работает и приемник.

Применение индуктивной свя§и контура L2C1 с антенной позволяет подобрать оптимальную связь между ними. Как видно из схемы, колебательный контур полностью подключен к транзистору, что дает возможность получить от такого УВЧ значительное усиление сигнала и повысить избирательность всего приемного устройства по зеркальному каналу. В среднем дополнительное улучшение избирательности по зеркальному каналу в такой приставке может быть 10 — 20 дБ, особенно это важно для уменьшения помех от радиостанций, частоты которых отличаются от принимаемых сигналов на две промежуточные частоты.

Необходимый режим работы транзистора Т1 обеспечивается включением в цепь истока резистора R1. Последний по переменной составляющей напряжения заблокирован конденсатором СЗ. Нагрузкой транзистора является дроссель Др1, включенный в цепь стока. Выделенное на дросселе усиленное напряжение сигнала через конденсатор С2 и коаксиальное гнездо Гн2 подается на вход приемного устройства.

При повторении конструкции в -ней можно использовать полевые транзисторы КПЗОЗВ, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗГ, 2ПЗОЗГ, конденсаторы КЛС, переменный конденсатор С1 любого типа, но -желательно с воздушным диэлектриком. Катушки LI, L2 наматывают последовательно друг за другом на фарфоровом каркасе диаметром 12 мм проводом ПЭВ-1 0,35. Катушка L1 содержит 21 виток, L2 — 5 витков. Дроссель Др1 должен иметь индуктивность около 2,5 МГц. Для изготовления такого дросселя можно использовать резистор типа МЛТ-2 с сопротивлением более 50 кОм, намотав на него 40 витков провода ПЭЛШО 0,2.

Питание приставки, потребляющей ток всего 5 мА, можно производить от отдельной батареи «Крона». Однако не исключается и использование источника питания приемника, если минусовый вывод его соединен с общим проводом. Приставку монтируют на плате из гетинакса или стеклотекстолита. Габариты платы определяет тип переменного конденсатора, используемого в приставке. Плату размещают в экране из листовой меди толщиной 0,5 — 0,7 мм. На передней стенке экрана располагают ручку настройки (С1) и выключатель питания (В1). Гнезда Гн1 и Гн2 укрепляют на боковых стенках экрана.

Налаживание приставки начинают с установки тока стока транзистора 77, уточняя сопротивление резистора R1. Миллиамперметр со шкалой 10 мА подключают параллельно разомкнутым контактам BL При этом следует соблюдать все предосторожности, необходимые при работе с полевым транзистором.

Затем к приставке присоединяют антенну и вход приемника (отрезком коаксиального кабеля длиной 30 — 40 см). Как правило, приставка сразу начинает работать после включения. Ручку переменного конденсатора С1 вращают до совпадения настроек усилителя и приемника на данном диапазоне. Этот момент характерен увеличением шумов, прослушиваемых в громкоговорителе приемника. Затем приемник настраивают на радиостанцию и подстраивают приставку точнее по наибольшей громкости- Действие приставки проверяют на всем диапазоне частот. Если на крайних частотах диапазона приставка не настраивается и добиться увеличения шумов не удается, следует более точно подобрать число витков катушки контура L2.

Для удобства работы в приставке желательно предусмотреть шкалу, а ручку переменного конденсатора С1 снабдить указателем настройки. На шкале отмечают положения ручки, соответствующие наибольшему усилению для того или иного диапазона (25, 31, 41, 49 м). Налаживание приставки значительно упрощается при наличии сигнал-генератора (СГ) и высокочастотного вольтметра.

 


 

И. И.Андрианов

Сайт создан в системе uCoz

Трехрежимный однотранзисторный графеновый усилитель

и его применение — arXiv Vanity

Сюэбэй Ян Факультет электротехники и вычислительной техники, Университет Райса, Хьюстон, Техас, 77005, США Гуаньсюн Лю Александр Александрович Баландин Лаборатория наноустройств, кафедра электротехники и программа материаловедения и инженерии, инженерный колледж Борнса, Калифорнийский университет в Риверсайде, Риверсайд, Калифорния, 92521, США Картик Моханрам Факультет электротехники и вычислительной техники, Университет Райса, Хьюстон, Техас, 77005, США

Abstract

В этой статье мы предлагаем и экспериментально демонстрируем трехмодовый однотранзисторный графеновый усилитель, использующий трехполюсник с обратным затвором однослойный графеновый транзистор. Амбиполярная природа электронного транспорта в графеновых транзисторах приводит к увеличению функциональных возможностей усилителя по сравнению с к усилителям, построенным на униполярных полупроводниковых приборах. Амбиполярный Графеновые транзисторы могут быть сконфигурированы как n-тип, p-тип или гибридный тип. изменение смещения ворот. В результате однотранзисторный графеновый усилитель может работать с общим истоком, общим стоком или умножением частоты режим соответственно. Эта управляемость в полевых условиях однотранзисторным графеновый усилитель можно использовать для реализации модуляции, необходимой для фазового сдвиговая манипуляция и частотная манипуляция, которые широко используются в беспроводной Приложения. Он также предлагает новые возможности создания аналоговых схем с более простой структурой и более высокой плотности интеграции для коммуникационных приложений.

\altaffiliation

Эти авторы внесли одинаковый вклад в эту работу. \altaffiliationЭти авторы внесли одинаковый вклад в эту работу. \alsoaffiliationDepartment of Computer Science, Университет Райса, Хьюстон, Техас, 77005, США

Ключевые слова: графен, транзистор, амбиполярный, Трехрежимный усилитель, фазовая манипуляция, частотная манипуляция

Однотранзисторный усилитель, состоящий из одного транзистора и одного резистора, является одним из самых основных и наиболее важных блоков в аналоговых схемах. Существует три типа однотранзисторных усилителей: общий исток, общий сток и общий затвор, каждый из которых демонстрирует разные характеристики. Основное различие между тремя типами усилителей определяется коэффициентом усиления по напряжению слабого сигнала, определяемым как ΔVвых/ΔVвх. Усилитель с общим истоком обеспечивает отрицательное усиление, тогда как усилитель с общим стоком и общим затвором усилители обеспечивают положительный коэффициент усиления. Поскольку разные приложения обычно предпочитают разные типы однотранзисторных усилителей, было бы очень привлекательно, если бы такой же усилитель может быть настроен в поле в более чем один тип. Однако на основе Si технология полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET), тип усилитель зависит только от его физической конфигурации, т.е. узел, где находится вход Vin применяется, узел, где получено Vout, и размещение резистора. Следовательно, конфигурация усилителя в полевых условиях обычно невозможна, поскольку физическая конфигурация определяется при изготовлении.

В последнее время графен, представляющий собой единый двумерный атом плоскость графита с сотовой кристаллической решеткой, вызвал большой интерес как альтернативная технология устройства для будущего наноэлектроника 1, 2, 3, 4, 5 . высокая подвижность графена, отличная механическая и термическая стабильность, превосходная теплопроводность 6, 7 , и исключительная стойкость к электромиграции делают графен отличный кандидат для высокочастотных аналоговых приложений. Высокая мобильность носителей графена может обеспечить большую крутизну слабого сигнала gm, определяется как ΔIDS/ΔVGS, который является ключевым параметром, определяющим высокочастотные характеристики транзистора и коэффициент усиления усилителя. Недавняя работа продемонстрировала графеновые полевые транзисторы с частота среза fT 100 ГГц 8 , а также было предсказано, что ТГц графеновые транзисторы могут быть получены в длина канала 50 нм 9 . Еще один важный критерий высокочастотного аналоговых приложений — это приемлемо низкий уровень шума 1/f. Установлено, что графеновые транзисторы производят относительно низкий уровень шума 1/f 10, 11, 12 , сравнимый с обычные полупроводниковые устройства, из которых делают графеновые транзисторы подходят для аналоговых приложений с точки зрения их спектральной плотности шума.

Наиболее часто изготавливаемые графеновые транзисторы используют внутренние графеновые слои микрометрового диапазона. или ленты в качестве материала канала. В силу особенностей зонной структуры графена графеновые транзисторы демонстрируют амбиполярное поведение проводимости тока. В амбиполярном транспортном режиме и дырочная, и электронная проводимость возможны в зависимости от применяемого смещения 2 . При правильной настройке напряжения затвор-исток и сток-исток, транзистор можно переключать из от n-типа к p-типу, с преобладанием электронной и дырочной проводимости. тока соответственно. Амбиполярный характер транспорта носителей заряда может создать проблемы для обычных приложений на основе графеновых транзисторов. В то же время, однако, это открывает возможности для увеличения функциональности в нетрадиционных архитектурах схем. Например, графеновые транзисторы использовались для демонстрации частоты множитель 13, 14, 15 , функциональный логический вентиль 16 , и инвертор 17 . Однако эти конструкции либо фокусируются на точке минимальной проводимости амбиполярной кривой, где ток стока минимален, что ограничивает варианты конструкции, или требуется четырехконтактное устройство с верхними воротами и задними воротами, которые управляются независимо друг от друга, увеличение сложности проводки и эксплуатационных трудностей.

В этой статье мы демонстрируем однотранзисторный усилитель с три режима работы с использованием амбиполярности графенового транзистора с тремя выводами. В зависимости от того, смещен ли графеновый транзистор на левой ветви, точка минимальной проводимости или правая ветвь амбиполярной кривой, усилитель будет настроен на общий сток, умножитель частоты или режим работы с общим истоком. В меру наших знаний, это первая демонстрация однотранзисторного усилителя который основан на трехвыводном устройстве и может переключаться между общим стоком и режимы с общим источником без изменения физической конфигурации. Предлагаемый трехрежимный усилитель продемонстрирован с использованием трехвыводного графенового транзистора с обратным затвором. Мы также показываем теоретически и экспериментально, что наш графеновый усилитель может значительно упростить коммуникационные приложения таких как фазовая манипуляция (PSK) и частотная манипуляция (FSK). По сравнению с обычными конструкциями для этих приложений, предлагаемый трехрежимный графеновый усилитель (i) имеет значительно более простую структуру, (ii) обещает большую пропускную способность и более высокую частоту работы, и (iii) обещает низкое энергопотребление.

Чтобы продемонстрировать трехрежимный графеновый усилитель, мы изготовили графен с обратным затвором. транзисторы из расслоенных графеновых хлопьев. Репрезентативное изготовленное устройство, изображение, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ), спектр комбинационного рассеяния однослойного графена, характеристики IDS-VGS, и характеристики gm-VGS показаны в \@setref(a), (b), (c), (d) и (e). Детали изготовления и измерений приведены в разделе «Методы» в конце эта статья. Наблюдалась сильная амбиполярная проводимость. в графеновых транзисторах, о чем свидетельствует V-образная кривая IDS-VGS. В амбиполярном графеновом транзисторе доминирует транспорт электронами и дырками для высокого и низкого напряжения затвора соответственно, а точка минимальной проводимости Vmin соответствует дираковской точка, в которой электроны и дырки вносят одинаковый вклад в перенос. Амбиполярный графеновый транзистор следует рассматривать как n-тип или p-тип при высоком напряжении затвора (VGS>Vmin) или низком затворе напряжения (VGS крутизна слабого сигнала gm является ключевым фактором, доминирующим высокочастотные характеристики транзистора и коэффициент усиления усилителя. Как показано на рисунке  \@setref(e), gm положителен, когда VGS>Vmin и отрицателен когда VGS

Модель слабого сигнала для графенового транзистора с обратным затвором, также называемая гибридной моделью π, в разных VGS показано в \@setref(a) и \@setref(b). Здесь rO — выходное сопротивление gm — малосигнальная крутизна графенового транзистора. Поскольку графеновый транзистор p-типа, когда VGS 18 в \@setref(a). Обратите внимание, что для полевого МОП-транзистора p-типа источник тока, управляемый напряжением, управляется Vgs, но в графеновом транзисторе он управляется вгд. Это связано с тем, что в этой статье мы всегда обозначаем терминал с помощью более высокое напряжение в качестве стока для согласованности. Однако для полевого МОП-транзистора p-типа вывод с более высоким напряжением обычно обозначается как источник. Следовательно, это разница возникает полностью из-за используемых в статье обозначений. Поскольку транзистор n-типа, когда VGS>Vmin, модель слабого сигнала похож на МОП-транзистор n-типа 18 в \@setref(b). Для ВГС близко к Vmin, графеновый транзистор следует рассматривать как гибридный вместо n-типа или p-типа. Следовательно, ни n-типа и модели слабого сигнала p-типа подходит для описания производительности графенового транзистора. Наконец, \@setref(c) иллюстрирует схему для анализа слабого сигнала трехмодового графенового усилителя, который будет представлен в следующем разделе.

Поскольку традиционная схема была основана на униполярных устройствах, в которых только в проводимости преобладает один тип носителей, амбиполярная проводимость обычно считалось нежелательным. Однако наша работа вдохновлен способностью использовать амбиполярность графеновых транзисторов во время схемы. операция.

Трехрежимный усилитель

В этой работе мы строим трехрежимный однотранзисторный усилитель. с использованием одного графенового транзистора с обратным затвором и внешнего резистора. Схема графенового усилителя показана на \@setref(a). Напряжение питания VDD устанавливается до 1 В, а сопротивление Rнагрузки равно 20 кОм. Vbias — это фиксированное напряжение постоянного тока, а Vac — небольшой синусоидальный сигнал переменного тока. Таким образом, напряжение затвор-исток графенового транзистора равно Vbias+Vac. Покажем, что в зависимости от соотношения между Vbias и точка Дирака Vmin, этот усилитель может иметь три режима работы. В каждом режиме усилитель показывает различная производительность в коэффициент усиления по напряжению слабого сигнала ΔVвых/ΔVвх, который задается выражением Δ(VDD-IDSRload)/ΔVin.

Режим 1 Vbias В положительной фазе Vac IDS снижается по мере VGS. увеличивается. В результате падение напряжения на резисторе уменьшается и Vвых. увеличивается. Аналогичным образом можно сделать вывод, что в отрицательной фазе Vac Vвых уменьшится. Следовательно, коэффициент усиления слабого сигнала по напряжению в режиме 1 положительный, а входной и выходной сигналы имеют одинаковую фазу. С точки зрения транспорта, когда Vbias Результаты измерений для режима 1 представлены в \@setref(c). Применяется напряжение смещения Vbias составляет 6,5 В, а частота входного сигнала переменного тока В переменного тока 10 кГц.

Режим 2 Vbias>Vmin: Когда Vbias>Vmin, транзистор смещен на правую ветвь амбиполярной схемы. кривая проводимости, поэтому малосигнальная крутизна gm транзистора положительна. В положительной фазе Vac IDS увеличивается по мере увеличения VGS. увеличивается. В результате падение напряжения на резисторе увеличивается и Vвых. уменьшается. Аналогичным образом можно сделать вывод, что в отрицательной фазе Vac Vвых увеличится. Следовательно, коэффициент усиления слабого сигнала по напряжению в режиме 2 отрицательный, и выходной сигнал будет демонстрировать фазовый сдвиг на 180∘ по отношению к входному сигналу. С точки зрения транспорта, когда Vbias>Vmin, ток в основном обусловлен электронной проводимостью, поэтому транзистор можно рассматривать как n-типа. При этом условии схема конфигурируется как с общим истоком. усилитель. Аналитически коэффициент усиления усилителя в этом режиме задается выражением −|gm|Rtotal, где Rtotal равно параллельное сочетание Rload и rO. Как и в режиме 1, это выражение может быть получено из анализа слабого сигнала полная схема, показанная в \@setref(c), используя модель слабого сигнала для графена транзистор, показанный в \@setref(b). Результаты измерений для режима 2 представлены в \@setref(e). Приложенное напряжение смещения Vbias составляет 17,5 В и частота входного переменного сигнала Vac составляет 10 кГц.

Режим 3 Vbias=Vmin: Когда Vbias=Vmin, транзистор смещен в точке минимальной проводимости. В положительной фазе Vac крутизна слабого сигнала положительна. В результате коэффициент усиления по напряжению слабого сигнала отрицателен, как анализируется в режиме 2. Напротив, в отрицательной фазе Vac слабый сигнал крутизна отрицательная. В результате коэффициент усиления слабого сигнала по напряжению усилитель положительный, как анализируется в режиме 1. Таким образом, когда Vbias равно Vmin, входной сигнал имеет положительное усиление в положительной фазе и отрицательное усиление в свою отрицательную фазу, что приводит к удвоению частоты. Измеренный результаты для режима 3 представлены в \@setref(d). Приложенное напряжение смещения Vbias составляет 11,1 В и частота входного переменного сигнала Vac составляет 4 кГц. Спектральная чистота полученный результат был проанализирован с помощью быстрого преобразования Фурье. Эффект удвоения частоты отчетливо наблюдается, т.к. видно, что 83% энергии выходного сигнала приходится на частоту 8 кГц. Об этом эффекте также сообщалось ранее  13 .

Предлагаемый однотранзисторный графеновый усилитель использует ключевую концепцию смещение в аналоговых цепях, т. е. лишь небольшой диапазон ВАХ вблизи точки смещения необходимы для оптимизации работы схемы. По этой причине амбиполярный проводимость может обеспечить большее расчетное пространство, чем униполярная проводимость, потому что более богатого разнообразия ВАХ. По сравнению с традиционными усилителями на основе однополярные устройства, предлагаемые однотранзисторные усилитель обеспечивает большую управляемость в полевых условиях, поскольку он может переключаться между тремя режимами во время работы. В меру наших знаний, это первая работа, демонстрирующая, что однотранзисторный усилитель на основе трехполюсника может быть сконфигурирован в полевых условиях для работают как усилитель с общим истоком и с общим стоком. Усиление слабого сигнала, наблюдаемое в трех режимах операции составляет ≈ 0,01-0,02, что согласуется с усилением слабого сигнала, о котором сообщалось для графеновых транзисторов в литературе 13, 17, 14 . Низкий коэффициент усиления можно объяснить несовершенством технологий изготовления. общий для всех графеновых устройств. В этой статье мы демонстрируем, что предлагаемый однотранзисторный трехрежимный усилитель может значительно упростить схемы в общих коммуникациях приложения, такие как PSK и FSK. И PSK, и FSK являются важной цифровой модуляцией. методы. PSK широко используется в беспроводных приложениях, таких как Bluetooth, радиочастотная идентификация (RFID) и ZigBee, в то время как FSK часто используется в аудио и радио системы 19 .

Приложения

Сначала рассмотрим применение PSK. Для краткости мы рассматриваем двоичную PSK (BPSK) это самый простой вариант PSK в этой статье, но идея может быть расширена до другие формы PSK, такие как квадратурная PSK (QPSK). В BPSK модулируется фаза малого несущего сигнала переменного тока. и сдвигается между 0∘ и 180∘ для представления потока данных, который принимает двоичное значение (0,1). Используя трехрежимный усилитель, Модуляция BPSK может быть достигнута путем применения синусоидальной несущей в качестве небольшого сигнала переменного тока Vac. и поток данных, который представляет собой большой сигнал прямоугольной формы, как смещение Vbias. Если размах прямоугольного сигнала Vbias выбран так, что усилитель можно переключаться между режимами положительного усиления и отрицательного усиления, сигнал несущей либо не будет иметь фазового сдвига, либо сдвинется по фазе на 180∘. Экспериментальные результаты для модуляции BPSK представлены в \@setref. Напряжение смещения Vbias переключается между 5,83 В и 16,8 В, представляющие цифровые данные «0» и «1» соответственно. Он генерируется как прямоугольный сигнал от генератор сигналов. Когда Vbias составляет 5,83 В, графеновый транзистор смещен на левую ветвь, поэтому усилитель работает в режиме 1 с положительным коэффициентом усиления. Когда Vbias составляет 16,8 В, графеновый транзистор смещен на правую ветвь, поэтому усилитель работает в режиме 2 с отрицательным коэффициентом усиления. Частота переменного тока составляет 10 кГц. Обратите внимание, что выходной сигнал имеет разные напряжения постоянного тока. когда усилитель настроен на режим 1 и режим 2, что может быть не так предпочтительно во время демодуляции. Однако напряжение постоянного тока можно легко отфильтровать. с помощью фильтра верхних частот.

Далее мы рассмотрим для иллюстрации двоичную FSK (BFSK), которая является самым основным вариантом FSK. В BFSK модулируется частота малого несущего сигнала переменного тока. и перемещается между fc1 и fc2 для представления потока данных, который принимает двоичное значение (0,1). Если fc2=2fc1, например, в случае стандарта Канзас-Сити (KCS) для приводы аудиокассет, где fc1=1200 Гц и fc2=2400 Гц, модуляция BFSK может быть успешно достигнуто с помощью предлагаемого трехрежимного усилителя. Опять же, как и в случае с BPSK, мы можем применить синусоидальную несущую как небольшой сигнал переменного тока и поток данных, который представляет собой большой сигнал прямоугольной формы, как смещение. Если сигнал прямоугольной формы Vbias выбран таким образом, что усилитель смещается в режиме 3 или в любом режиме 1/режиме 2 частота выходной сигнал будет либо удвоен, либо останется прежним, реализуя BFSK. Экспериментальные результаты для модуляции BFSK представлены в \@setref. Напряжение смещения Vbias, генерируется как прямоугольный сигнал от генератор сигналов переключается между 11,1 В и 21,9V, представляющие цифровые данные «0» и «1» соответственно. Когда Vbias составляет 11,1 В, графеновый транзистор смещен в точке Дирака Vmin, поэтому усилитель работает в режиме 3. Когда Vbias составляет 16,8 В, графеновый транзистор смещен на правую ветвь, поэтому усилитель работает в режиме 2 с отрицательным усилением. Проблема несоответствия постоянного напряжения на выходе можно решить аналогичным образом с помощью фильтра верхних частот.

Для сравнения, традиционная модуляция PSK и FSK обычно достигается с помощью аналоговых умножителей, которые требуют нескольких транзисторов и/или фильтрующих устройств. Однако, используя амбиполярную проводимость, предлагаемый усилитель обеспечивает однотранзисторную конструкцию для достижения PSK и модуляция FSK. Это значительно упрощает схемотехнику и простая структура потенциально также снизит энергопотребление. Обратите внимание, что концепция, описанная в этой статье, также применима к другие материалы, обладающие амбиполярными свойствами проводимости, такие как кремниевые нанопроволоки 20 , органический полупроводник гетероструктуры 21 и углеродные нанотрубки (УНТ) 22 . Среди этих материалов как УНТ, так и графен обладают высокой подвижностью, т.е. предпочтительнее для высокочастотных аналоговых приложений. Однако двумерный плоская структура графена позволяет легко увеличить ток за счет увеличения ширины графенового канала, что выгодно по сравнению с УНТ транзисторы.

Учитывая превосходные преимущества трехрежимного усилителя, существует несколько направления, которые заслуживают дальнейшего изучения для оптимизации его работы. В настоящее время коэффициент усиления усилителя невелик и составляет порядка 0,01-0,02. Это связано с тем, что (i) графеновый транзистор демонстрирует низкую крутизну при слабом сигнале gm и (ii) транзистор работает в линейной области с небольшим присущим выходное сопротивление rОм. Мы считаем, что эта проблема может быть решена путем улучшение структуры устройства и качества канала, увеличение gm, и перевод транзистора в область насыщения. Действительно, множитель частоты (применение в режиме 3 трехрежимного усилителя) с усилением слабого сигнала 0,15 недавно сообщалось об использовании относительно зрелой технологии углеродных нанотрубок 15 . Еще одна проблема заключается в несоответствие усиления между различными режимами для таких приложений, как PSK и FSK, что может привести к дополнительным потерям мощности и более высокому уровню битовых ошибок. Мы ожидать, что несоответствие будет увеличиваться по мере увеличения усиления. Мы полагаем, что несоответствие возникает из-за (i) асимметрии в I-V характеристики между левой и правой ветвями амбиполярной кривой и (ii) неотъемлемые различия в производительности между общим источником и усилитель с общим стоком. Асимметрия между электронной и дырочной ветвями может быть уменьшается за счет улучшения чистоты образца. Например, сопротивление электронному лучу остатки, присутствующие в свежеизготовленных устройствах, могут быть удалены путем отжиг устройства в Ar/\ceh3  23 . врожденный различия в производительности между различными режимами работы могут быть уменьшены за счет введение обратной связи и использование дифференциальных выходов. Другие неидеальности выходного сигнала, такие как искажения и помехи. существуют, но мы считаем, что их можно решить, улучшив качество графеновый транзистор.

Выводы

Таким образом, мы предлагаем и экспериментально в этой статье продемонстрируйте трехрежимный однотранзисторный графеновый усилитель. Графеновый усилитель был построен с использованием трехполюсника. однослойный графеновый транзистор с обратным затвором и внешний чип резистор. Амбиполярность заряда транспорт в графене является важным элементом для трехрежимной работы усилителя. В зависимости от напряжения смещения усилитель можно настроить либо в режиме с общим истоком, либо с общим стоком, либо в режиме умножения частоты. Насколько нам известно, это первая демонстрация однотранзисторный усилитель, который может быть настроен между общим истоком и конфигурация с общим стоком с использованием одного трехвыводного транзистора. Мы также экспериментально продемонстрировали, что управляемость в полевых условиях может использоваться для реализации модуляции, необходимой для фазовой манипуляции и частотная манипуляция в цепях связи. По мере продвижения в тонкие пленки на основе графена для прозрачной и пригодной для печати электроники, например простые схемы обеспечивают как высокую функциональность, так и настройку в полевых условиях возможности, необходимые для крупномасштабной интеграции и коммерциализации.

Методы

Производство графеновых транзисторов. В этой работе графеновый транзистор с обратным затвором изготавливается с использованием следующих методов. Чешуйки графена помещались на стандартную кремниевую подложку с толщиной слоя 300 нм \ceSiO2 сверху. Количество атомарных слоев и качество чешуек графена проверены с помощью микро-рамановской спектроскопии с помощью обычной процедуры 2D/G’ Деконволюция полосы комбинационного рассеяния 24, 25, 26 . Вырожденно-легированная кремниевая подложка p-типа была используется в качестве заднего входа для настройки положения графена на уровне Ферми. Электроды истока и стока были изготовлены методом электронно-лучевой литографии (ЭЛС). с последующим электронно-лучевым напылением Ti/Au толщиной 8/80 нм. Ширина канала изготовленных устройств составляла 2 мкм, а длина — 9мкм. Электрические характеристики постоянного тока изготовленных графеновых транзисторов были измерено зондовой станцией (Agilent 4142) в условиях окружающей среды 27 . Смещения затвора в диапазоне от -10 В до 30 В применялись для измерений заднего затвора при фиксированное смещение стока 0,5   В. Отношение ионов / выкл. было около 3, при этом подвижность носителей заряда этих устройств находилась в пределах 3000–4000 см 2 В-1с-1 при комнатной температуре.

Настройка схемы трехрежимного усилителя. Схема графенового усилителя показана на \@setref(a). Vbias — это фиксированное напряжение постоянного тока, а Vac — небольшой синусоидальный сигнал переменного тока. Входное и выходное напряжения трехрежимный однотранзисторный графеновый усилитель измеряются с помощью осциллографа (Agilent DSO3102A). Vbias и VDD применяются с использованием источника питания (Kepco ABC 40-0,5), и Vac применяется с использованием генератора сигналов (GM Instek GFG 8020H).

{подтверждение}

Работа в Университете Райса была поддержана грантом NSF CCF-0916636. Поддержана работа в Калифорнийском университете в Риверсайде. от DARPA-SRC Focus Исследовательская программа Центра (FCRP) через свой Центр функциональных инженерных нанотехнологий. Архитектоника (FENA).

Фигура 1: (а) Оптическая микрофотография репрезентативного изготовленного графенового транзистора с обратным затвором. (b) СЭМ-изображение электродов истока и стока типичного графенового транзистора с обратным затвором. (c) Спектр комбинационного рассеяния однослойного графена. (d) IDS-VGS характеристики графенового транзистора для VDS=0,5 В. минимальна в точке Дирака. (e) характеристики gm-VGS для VDS=0,5 В. равен 0 в точке Дирака.
Рисунок 3: (а) Схема трехрежимного графенового усилителя на одном транзисторе. на основе выносного резистора Rload. (b) Характеристики IDS-VGS графенового транзистора. Три точки представляют три репрезентативных напряжения смещения для трех различных режимов работы. Слева направо, для трех напряжений смещения, усилитель настроен в режиме с общим стоком, в режиме умножения частоты и в режиме с общим истоком соответственно. (c) Входные и выходные сигналы, связанные по переменному току, когда усилитель смещен на левой ветви амбиполярной кривой. В этой конфигурации усилитель работает в режиме с общим стоком. и выходной сигнал имеет ту же частоту и фазу, что и входной сигнал. (d) Входные и выходные сигналы, связанные по переменному току, когда усилитель смещен в точке Дирака. В этой конфигурации усилитель находится в режиме умножения частоты, и частота выходного сигнала удваивается по сравнению с частотой входного сигнала. (e) Входные и выходные сигналы, связанные по переменному току, когда усилитель смещен на правой ветви амбиполярной кривой. В этой конфигурации усилитель находится в режиме общего источника, и выходной сигнал имеет ту же частоту, но 180∘ фазовый сдвиг по сравнению с входным сигналом. Рисунок 4: (а) Два напряжения смещения, 5,83  В и 16,8  В, представляют «0» и «1». (b) Экспериментальные результаты модуляции BPSK. Обратите внимание, что при напряжении смещения 5,83 В, усилитель настроен на режим 1, и выходной сигнал имеет ту же фазу, что и входной сигнал. Однако при напряжении смещения 16,8 В усилитель работает в режиме 2, а выходной сигнал сигнал имеет фазовый сдвиг на 180∘ по сравнению с входным сигналом. Рисунок 5: (а) Два напряжения смещения, 11,1  В и 21,9 В.V представляют «0» и «1». (б) Экспериментальные результаты для модуляции BFSK. Обратите внимание, что при напряжении смещения 11,1  В, усилитель настроен на режим 3 и частота выходного сигнала удваивается по сравнению с входным сигналом. Однако, когда напряжение смещения составляет 21,9 В, усилитель настроен на режим 2 и выходной сигнал сигнал имеет ту же частоту, что и входной сигнал.
Рисунок 2: В (a) и (b) мы представляем модель слабого сигнала для графена с обратным затвором. транзистор, также называемый гибридной моделью π, под разные ВГС. Здесь gm – крутизна rO — выходное сопротивление. Модель слабого сигнала в (а) используется, когда VGS 18 . Обратите внимание, что для полевого МОП-транзистора p-типа источник тока, управляемый напряжением, управляется Vgs, но в графеновом транзисторе он управляется вгд. Это связано с тем, что в этой статье мы всегда обозначаем терминал с помощью более высокое напряжение в качестве стока для согласованности. Однако для полевого МОП-транзистора p-типа вывод с более высоким напряжением обычно обозначается как источник. Следовательно, это разница возникает полностью из-за используемых в статье обозначений. По мере увеличения VGS графен с обратным затвором транзистор постепенно поворачивается от p-типа в n-тип и модель слабого сигнала в (б) используется, когда ВГС>Вмин. В этом случае графеновый транзистор n-тип и модель слабого сигнала похож на МОП-транзистор n-типа 18 . Обратите внимание, что когда VGS близка к Vmin, графеновый транзистор должен быть считается гибридным типом вместо n-типа или p-типа. Следовательно, ни n-типа и модели слабого сигнала p-типа подходит для описания производительности графенового транзистора. В (c) мы представляем схему для анализа слабого сигнала трехмодового графенового усилителя от \@setref(a). Обратите внимание, что при анализе цепей слабого сигнала источник питания закорочен. а узлы для VDD и земли заменены одной ссылкой. Фигура 2: В (a) и (b) мы представляем модель слабого сигнала для графена с обратным затвором. транзистор, также называемый гибридной моделью π, под разные ВГС. Здесь gm – крутизна rO — выходное сопротивление. Модель слабого сигнала в (а) используется, когда VGS 18 . Обратите внимание, что для полевого МОП-транзистора p-типа источник тока, управляемый напряжением, управляется Vgs, но в графеновом транзисторе он управляется вгд. Это связано с тем, что в этой статье мы всегда обозначаем терминал с помощью более высокое напряжение в качестве стока для согласованности. Однако для полевого МОП-транзистора p-типа вывод с более высоким напряжением обычно обозначается как источник. Следовательно, это разница возникает полностью из-за используемых в статье обозначений. По мере увеличения VGS графен с обратным затвором транзистор постепенно поворачивается от p-типа в n-тип и модель слабого сигнала в (б) используется, когда ВГС>Вмин. В этом случае графеновый транзистор n-тип и модель слабого сигнала похож на МОП-транзистор n-типа 18 . Обратите внимание, что когда VGS близка к Vmin, графеновый транзистор должен быть считается гибридным типом вместо n-типа или p-типа. Следовательно, ни n-типа и модели слабого сигнала p-типа подходит для описания производительности графенового транзистора. В (c) мы представляем схему для анализа слабого сигнала трехмодового графенового усилителя от \@setref(a). Обратите внимание, что при анализе цепей слабого сигнала источник питания закорочен. а узлы для VDD и земли заменены одной ссылкой.

[РЕШЕНО] — Однотранзисторный электрет к усилителю для наушников

Добро пожаловать на EDAboard.com

Добро пожаловать на наш сайт! EDAboard.com — это международный дискуссионный форум по электронике, посвященный программному обеспечению EDA, схемам, схемам, книгам, теории, документам, asic, pld, 8051, DSP, сети, радиочастотам, аналоговому дизайну, печатным платам, руководствам по обслуживанию.
.. и многому другому. более! Для участия необходимо зарегистрироваться. Регистрация бесплатна. Нажмите здесь для регистрации.

Регистрация Авторизоваться

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.