Как работают схемы памяти в цифровых устройствах. Какие бывают типы схем памяти. Для чего используются схемы памяти в электронных устройствах. Как происходит хранение и изменение состояний в схемах памяти цифровых систем.
Принципы работы схем памяти в цифровых системах
Схемы памяти играют ключевую роль в работе цифровых устройств, позволяя им сохранять и изменять свое состояние. Как же функционируют эти важные компоненты?
Основной принцип работы схем памяти заключается в сохранении входного напряжения при поступлении управляющего сигнала. Это сохраненное напряжение поддерживается на выходе до следующего управляющего импульса. Между управляющими сигналами входное напряжение игнорируется, а на выходе сохраняется последнее записанное значение.
Таким образом, схема памяти фиксирует уровень входного сигнала при каждом управляющем импульсе. После этого выход либо изменится (если новое входное значение отличается от сохраненного), либо останется неизменным. «Память» проявляется между управляющими сигналами, когда выход сохраняет последнее записанное значение независимо от изменений на входе.
Основные типы схем памяти в цифровых устройствах
В современной электронике используются два основных семейства схем памяти:
- Динамическая память
- Статическая память
Ячейки динамической памяти используют небольшой конденсатор для хранения напряжения сигнала. Это позволяет создавать очень компактные и недорогие схемы памяти. Однако напряжение на конденсаторе со временем уменьшается, поэтому ячейки динамической памяти требуют периодического обновления, иначе сохраненное значение будет потеряно.
Большинство схем статической памяти хранят логические значения с помощью двух параллельных инверторов. Такие устройства не нуждаются в обновлении и могут работать гораздо быстрее динамических схем. Но они занимают значительно большую площадь на кристалле микросхемы.
Применение схем памяти в электронных устройствах
Где же используются схемы памяти в современной электронике? Практически в любом электронном устройстве, которое должно реагировать на последовательность событий или создавать её, присутствуют схемы памяти. Примеры таких устройств:
- Часы и таймеры
- Контроллеры бытовой техники
- Игровые устройства
- Вычислительные системы
Если цифровая система содержит N устройств памяти, каждое из которых хранит «1» или «0», то рабочее состояние системы может быть определено N-битным двоичным числом. При этом система может находиться в одном из 2^N возможных состояний.
Бистабильные схемы как основа цифровой памяти
В цифровой электронике используются двухуровневые или бистабильные схемы памяти. Что это означает?
Бистабильные схемы имеют два устойчивых рабочих состояния:
- Состояние с логической «1» (напряжение питания Vdd) на выходе
- Состояние с логическим «0» (напряжение земли GND) на выходе
Для перевода бистабильной схемы из одного устойчивого состояния в другое требуется приложить некоторую энергию. При переходе между состояниями выходной сигнал проходит через нестабильную область. Схемы памяти спроектированы так, чтобы они не могли долго оставаться в нестабильном состоянии — попав в него, они стремятся быстро перейти в одно из устойчивых состояний.
Принцип обратной связи в схемах памяти
Как же реализуется память в электронных схемах? Ключевую роль здесь играет принцип обратной связи.
Схема со статической памятью обязательно содержит обратную связь. По сути, любая логическая схема может обладать памятью, если её выход «подать обратно» на вход. Однако большинство схем с обратной связью не будут демонстрировать полезного поведения — они либо застрянут в одном состоянии, либо начнут бесконечно осциллировать.
Только некоторые схемы с обратной связью будут бистабильными и управляемыми. Именно такие схемы и используются в качестве простых элементов памяти в цифровых устройствах.
Метастабильность в схемах памяти
При работе схем памяти может возникать такое явление как метастабильность. Что это такое и почему оно важно?
Метастабильность возникает, когда схема памяти «застревает» в нестабильном состоянии между двумя устойчивыми состояниями. Это может произойти, если на вход подается неправильное количество энергии — достаточное, чтобы начать переход, но недостаточное для его быстрого завершения.
В метастабильном состоянии выходной сигнал схемы памяти может колебаться или оставаться на промежуточном уровне между «0» и «1». Это приводит к непредсказуемому поведению цифровой системы.
Разработчики схем памяти стремятся минимизировать вероятность возникновения метастабильных состояний и время пребывания в них. Однако полностью исключить возможность метастабильности невозможно — это фундаментальное свойство всех схем памяти.
Роль схем памяти в работе цифровых систем
Какую же роль играют схемы памяти в функционировании цифровых устройств? Можно выделить несколько ключевых аспектов:
- Хранение текущего состояния системы
- Обеспечение возможности изменения состояния
- Реализация последовательности действий
- Реакция на внешние события
В любой момент времени двоичное число, хранящееся во внутренней памяти устройства, определяет текущее состояние цифровой системы. Входные сигналы могут вызывать изменение содержимого памяти, что приводит к смене состояния системы.
Именно благодаря направленным переходам между состояниями цифровые системы могут выполнять последовательности действий или реагировать на входные события. Без схем памяти это было бы невозможно.
Перспективы развития схем памяти
Какие тенденции наблюдаются в развитии схем памяти для цифровых устройств? Можно выделить несколько основных направлений:
- Увеличение плотности размещения элементов памяти
- Снижение энергопотребления
- Повышение быстродействия
- Разработка новых физических принципов хранения информации
Продолжается миниатюризация элементов динамической памяти, что позволяет создавать все более емкие и компактные запоминающие устройства. Ведутся работы по снижению токов утечки в ячейках статической памяти.
Перспективными направлениями являются магниторезистивная память MRAM, сегнетоэлектрическая память FeRAM, резистивная память RRAM и другие. Они обещают сочетание высокого быстродействия, энергонезависимости и низкого энергопотребления.
Таким образом, схемы памяти продолжают оставаться важнейшим компонентом цифровых устройств, а их совершенствование открывает новые возможности для развития электроники.
Электрические схемы, сертификаты и документы на продукцию ПФ Сонар
- Продукция ПФ Сонар
- Зарядные устройства
- Для автомобильных АКБ 12В
- Для автомобильных АКБ 24В
- Для мототехники
- Для герметизированных АКБ 12В
- Для герметизированных АКБ 6В
- Для тяговых АКБ
- Пуско-зарядные устройства
- Преобразователи напряжения
- Электронное зажигание
- Зарядные устройства
- Автоаксессуары и принадлежности
- Автоэлектроника
- Автосвет
- Антенны
- Видеорегистраторы и камеры
- Инверторы 12В-220В
- Радар-детекторы
- Телевизоры, трансмиттеры
- Автопринадлежности
- Аксессуары
- Вольтметры
- Для двигателя
- Диагностика
- Компрессометры
- Масломеры
- Электроподогрев двигателя
- Сервисное автооборудование
- Щетки стеклоочистителя
- Для кузова
- Автоэлектроника
- Смазки, очистители и масла
- Нанопротек
- Супротек
- Аккумуляторы, батарейки, СЗУ
- Герметизированные АКБ
- Батарейки таблетки
- АКБ для фонарей
- Батарейки
- Универсальные пауэрбанки
- Товары для охоты
- Рогатки
- Тристенды
- Фотоловушки
- Чучела
- Оптика
- Аксессуары для прицелов ATN
- Бинокли
- Bushnell
- Gaut
- Tasco
- Дальномеры
- Оптические прицелы
- Тепловизионные прицелы
- ATN
- iRay
- Yukon
- Цифровые прицелы
- ATN
- Pard
- Pulsar
- Yukon Sightline
- Коллиматорные прицелы
- Тепловизионные бинокли
- Монокуляры
- Тепловизионные монокуляры
- Axion
- Helion
- Цифровые монокуляры
- Тепловизионные монокуляры
- Ножи
- Пиротехника
- Товары для рыбалки
- Зимняя рыбалка
- Прикормки
- Средства спасения на воде
- Сумки, чехлы
- Удилища, катушки
- Якоря, багры
- Эхолоты
- Практик
- Deeper
- Держатели датчика эхолота
- Подводные видеокамеры
- Поплавки светящиеся
- Аксессуары для рыбалки
- Кемпинговое оборудование
- Экипировка
- Одежда
- Газовое оборудование, бензин и газ
- Газовые баллоны
- Газовые горелки
- Газовые плиты и обогрев
- Топливо для зажигалок
- Навигация
- Компасы
- Портативные радиостанции
- Фонари
- Кемпинговые
- Налобные
- Energizer
- Подствольные
- Тактические
- Средства защиты
- От грызунов и кротов
- От насекомых
- От собак
- Отпугиватели комаров Thermacell
- Самозащита
- Портативная акустика
- Аксессуары для смартфонов
- Защитные стекла
- Зарядные устройства для смартфонов
- Электротовары
- Распродажа
Устройство и ремонт зарядного устройства АСТРО ЗУ-3000.
Схема и инструкция.Попало как-то раз мне в руки зарядное устройство «АСТРО» ЗУ-3000. Зарядка не включалась – полностью отсутствовали признаки жизни работы.
Неисправность я нашёл довольно быстро, но мне была интересна схемотехника данного чуда, и я решил покопаться в приборе более основательно.
В результате получилось воссоздать принципиальную схему зарядного устройства АСТРО ЗУ-3000. На схеме не указаны номиналы некоторых элементов (помечены как N/A). В основном это SMD-конденсаторы. Далее схема (кликните для увеличения).
Не удивляйтесь, что на схеме отсутствует подробная разрисовка управляющей части. Как оказалось, она выполнена на базе микроконтроллера Attiny26-16SU – это, можно сказать, «моск» устройства. Также на плате управления имеется интегральный стабилизатор 78L05B в «интересном» 8-выводном планарном корпусе, который питает микроконтроллер и всю его обвязку стабилизированным напряжением 5V.
Кроме этого на плате имеется подстроечный резистор, назначение которого мне не удалось понять, но скорее он нужен для настройки выходного напряжения.
Поэтому без особой нужды крутить его не советую.
Силовая часть.
Силовая часть зарядного устройства собрана на микросхеме ШИМ-контроллера TOP225YN. У этой микросхемы всего 3 вывода. «S» – это исток, «D» – сток. Названия аналогичны обозначениям полевого транзистора, что не удивительно, ведь силовая часть микросхемы реализована на MOSFET-транзисторе. Вывод «C» – это вывод управления («control»).
Если взглянуть на типовую схему включения микросхем TOP221-227 (серия TOPSwitch-Ⅱ) из фирменного даташита, то становится ясно, что она мало чем отличается от схемы силовой части зарядки АСТРО ЗУ-3000.
Пробежимся по наиболее интересным элементам схемы.
Защитные элементы схемы.
В первичной цепи 220V установлен NTC-резистор с маркировкой 13S100L (10 Ом, 4А). Это терморезистор (термистор), который снижает своё сопротивление при нагреве. Назначение его в том, чтобы снизить пусковой ток во время включения устройства.
Как только тумблер SA1 замыкает цепь, электролитические конденсаторы C3 и C4 начинают быстро заряжаться.
Это может вызвать пробой элементов диодного моста VD1-VD4 (S1M). В момент включения NTC-резистор «холодный» – его ещё не успел разогреть бросок тока, но уже через несколько секунд он разогревается от проходящего тока и его сопротивление уменьшается. При этом конденсаторы С3, С4 уже заряжены, и схема работает в нормальном режиме.
На схеме также указан диод VD5 – 1,5KE200A. На самом деле это непростой диод, а супрессор (он же защитный диод). Он защищает MOSFET-транзистор внутри микросхемы TOP225YN от опасных всплесков напряжения, которые могут «вышибить» полевик.
В качестве защиты от переполюсовки – неправильного подключения зажимов к клеммам аккумулятора – установлен диод VD10 (FR607) и плавкий предохранитель FU2. Если перепутать полярность подключения, то ток от АКБ пойдёт через диод VD10, который в таком случае будет включен в прямом направлении. Из-за броска тока предохранитель FU2 должен перегореть и цепь будет разорвана. При этом, если после этого подключить АКБ заново, то засветится светодиод HL1, который указывает на то, что предохранитель FU2 сработал.
В некоторых случаях при переполюсовке, диод FR607 «пробивает», так как сам он рассчитан на прямой ток 6А (IAV), а в результате переполюсовки через него может пойти ток и в 10А.
Элементы обратной связи и управления.
В цепи управления используется оптопара 4N35. Она включена в цепь обратной связи импульсного источника питания, которая управляет работой схемы. Для стабилизации выходного напряжения используется стабилитрон VD11 (BZX15) стабилизируется выходное напряжение. Но так как это зарядное устройство, а не блок питания, в схему вводится ещё и схема управления на микроконтроллере, о которой говорилось выше. Схема управления подключается к стабилитрону VD11. Тем самым управляющая схема может менять режим работы микросхемы TOP225YN через оптопару DA2. На печатной плате схемы управления также можно найти SMD-транзистор. Он-то как раз и подключен к стабилитрону VD11.
Для того чтобы микроконтроллер мог «замерить» ток в выходной цепи, используется датчик тока R8.
Он представляет собой пластинку из высокоомного сплава.
Сопротивление этой пластинки около 0,03-0,1 Ом, а мощность около 2W. Нередки случаи, что при плохом охлаждении эта пластинка-датчик перегорает, и зарядное устройство перестаёт работать.
Для принудительного охлаждения активных элементов схемы используется вентилятор FAN (12V 0,14A). Так как выходное напряжение зарядного устройства может достигать 16V, последовательно с вентилятором включена цепь из резисторов R4, R5. Они гасят излишки напряжения.
Ремонт зарядного устройства.
Особое внимание уделю сдвоенному диоду Шоттки VD9 (MBR20100CT). Именно из-за него зарядка попала в ремонт. Со слов владелеца, к выходу зарядного устройства случайно была подключена завышенная нагрузка. Видимо из-за этого по цепи пошёл ток, превышающий номинальный.Поэтому диод VD9 просто «вышибло». При проверке диода оказалось, что один из диодов сборки пробит.
Чем можно заменить сдвоенный диод MBR20100CT? Я заменил оригинальным (подойдёт также MBR20200CT), но если под рукой нет нужного диода, то можно попробовать заменить его на F12C10, F12C15 или F12C20.
Правда стоит учесть, что максимальный прямой ток (IF) такого диода – 12 ампер (6А на каждый диод), а MBR20100CT рассчитан на 20A (10А на каждый диод). Но по идее максимальный зарядный ток для АСТРО ЗУ-3000 – это 6А, поэтому можно попробовать заменить и на F12C20. Также стоит обратить внимание на то, что обратное напряжение для диода MBR20100CT – 100V.
Для однополупериодных выпрямителей диод лучше выбирать с обратным напряжением в 3 раза большим, чем выходное напряжение. Таким образом, если зарядное устройство выдаёт максимум на выходе 16V, то диод надо подобрать с обратным напряжением 48V и более. Как видим, в схему установлен диод с существенным запасом по обратному напряжению (V
Как известно, диоды Шоттки весьма чувствительны к превышению обратного напряжения, поэтому подбирать замену неисправному диоду стоит внимательно и лучше, чтобы новый диод был с «запасом» по таким параметрам диодов, как обратное напряжение (VRRM) и прямой ток (IF).
Диод выпрямителя MBR20100CT и ШИМ-контроллер TOP225YN закреплены на радиаторе заклёпками. Это может затруднить замену этих элементов при ремонте. Поэтому можно высверлить шляпку заклёпки сверлом по металлу подходящего диаметра. Я это сделал с помощью щуруповёрта в режиме дрели. При установке новых деталей, места теплового контакта лучше смазать теплопроводной пастой КТП-8, а вместо заклёпок использовать болты.
Дополнительные материалы:
Скачать руководство по эксплуатации «Импульсное зарядное устройство АСТРО ЗУ-3000, 3001, 3002, 3003, 3004, 3005».
Главная » Мастерская » Текущая страница
Также Вам будет интересно узнать:
Устройство сварочного инвертора Telwin.
Схемотехника блоков питания персональных компьютеров.
Ремонт LCD-монитора компьютера.
Схемы памяти — справочник Digilent
Компания NI
- Внутренние инструменты
Содержание
- Схемы памяти
- Бистабильная схема
- Важные идеи
Схемы памяти функционируют, сохраняя напряжение, присутствующее во входном сигнале, всякий раз, когда они запускаются управляющим сигналом.
Сегодня используются два основных семейства схем памяти: динамическая память и статическая память. Ячейки динамической памяти используют небольшой конденсатор для хранения напряжения сигнала, и они используются в самых маленьких и дешевых схемах памяти. Поскольку напряжение на конденсаторе со временем снижается, ячейки динамической памяти необходимо периодически обновлять, иначе они потеряют свое сохраненное значение.
Хотя это требование обновления приводит к значительным накладным расходам, ячейки динамической памяти очень малы, поэтому они стали наиболее широко используемыми из всех схем памяти. Большинство схем статической памяти сохраняют логические значения, используя два параллельных инвертора. Устройства статической памяти не нуждаются в обновлении, и они могут работать намного быстрее, чем динамические схемы. Но поскольку они требуют гораздо большей площади микросхемы, чем ячейки динамической памяти, они используются только там, где они больше всего нужны, например, в высокоскоростной памяти, или когда требуется лишь небольшой объем памяти. Схемы динамической памяти для компьютерных систем стали очень специализированными, и они будут рассмотрены в одной из следующих лабораторных работ. В этом разделе мы сосредоточимся на схемах памяти, которые используются для хранения информации о рабочем состоянии цифровой системы.
Многие электронные устройства содержат цифровые системы, которые используют схемы памяти для определения своего рабочего состояния.
На самом деле любое электронное устройство, которое может создать последовательность событий или отреагировать на нее, должно иметь память. Примеры таких устройств включают часы и таймеры, контроллеры бытовой техники, игровые устройства и вычислительные устройства. Если цифровая система содержит N устройств памяти, и каждое устройство памяти хранит «1» или «0», то рабочее состояние системы может быть определено N-битным двоичным числом. Кроме того, цифровая система с N запоминающими устройствами должна находиться в одном из 2N состояний, где каждое состояние однозначно идентифицируется двоичным числом, созданным из совокупного содержимого всех запоминающих устройств в системе.
В любой момент времени двоичное число, хранящееся во внутренней памяти устройства, определяет текущее состояние цифровой системы. Входные данные, которые поступают в цифровую систему, могут вызвать изменение состояния содержимого одного или нескольких запоминающих устройств (с «1» на «0» или наоборот), тем самым вызывая изменение состояния цифровой системы.
Таким образом, изменение состояния цифровой системы или переход состояния происходит всякий раз, когда изменяется двоичное число, хранящееся во внутренней памяти. Именно посредством направленных переходов между состояниями цифровые системы могут создавать последовательности событий или реагировать на них. В следующей лабораторной работе будут представлены цифровые системы, которые могут сохранять и изменять состояния в соответствии с некоторым алгоритмом; эта лабораторная работа исследует схемы, которые можно использовать для формирования памяти.
Бистабильная схема
В цифровой инженерии мы имеем дело с двухуровневыми или бистабильными схемами памяти. Бистабильные схемы имеют два стабильных рабочих состояния: состояние, когда на выходе есть логическая «1» (или Vdd), и состояние, когда на выходе есть «0» (или GND ). Когда бистабильная схема памяти находится в одном из двух стабильных состояний, требуется некоторое количество энергии, чтобы перевести ее из этого состояния в другое стабильное состояние.
При переходе между состояниями выходной сигнал должен проходить через область, в которой он нестабилен. Схемы памяти спроектированы таким образом, что они не могут бесконечно оставаться в нестабильном состоянии; как только они входят в нестабильное состояние, они немедленно пытаются восстановить одно из двух стабильных состояний.
Рисунок 1 выше дает адекватную аналогию. Здесь шарик представляет значение, хранящееся в памяти, а «холм» представляет нестабильную область, которую необходимо пересечь, прежде чем схема памяти сможет перейти к сохранению противоположного значения. Обратите внимание, что в этой аналогии существует третье потенциальное стабильное состояние — с нужным количеством энергии можно было бы сбалансировать мяч прямо на вершине холма. Точно так же схемы памяти также имеют третье потенциально стабильное состояние, где-то между двумя стабильными состояниями. Когда схемы памяти переходят между двумя стабильными состояниями, важно убедиться, что в схему передается достаточно энергии, чтобы обеспечить пересечение нестабильной области.
Оба состояния «0» и «1» в бистабильной схеме легко поддерживаются после их достижения. Управляющий сигнал, который заставляет схему изменять состояния, должен передавать некоторое минимальное количество энергии, чтобы перевести схему в нестабильное состояние. Если вход, вызывающий переход из одного устойчивого состояния в другое, обеспечивает энергию, превышающую минимально необходимую, то переход происходит очень быстро. Если управляющий сигнал выдает меньше минимально необходимой энергии, то схема возвращается в исходное стабильное состояние. Но если на вход подается неправильное количество энергии — достаточное, чтобы начать переход, но недостаточное, чтобы быстро протолкнуть его через нестабильную область, — тогда схема может временно «застрять» в нестабильной области. Схемы памяти спроектированы таким образом, чтобы свести к минимуму эту возможность и уменьшить количество времени, в течение которого схема может оставаться в нестабильном состоянии, если она туда попадет (по аналогии, представьте себе остроконечную вершину в нестабильной области с очень высокой скоростью).
Крутые склоны). Если запоминающее устройство застревает в нестабильном состоянии слишком долго, его выходной сигнал может колебаться или оставаться на полпути между «0» и «1», что приводит к непреднамеренному и часто непредсказуемому поведению цифровой системы. Устройство памяти, застрявшее в нестабильной области, называется метастабильным, а все устройства памяти страдают от возможности перехода в метастабильное состояние (подробнее о метастабильности будет сказано позже).
Схема со статической памятью требует обратной связи, а любая схема с обратной связью имеет память (до сих пор мы имели дело только с комбинационными схемами с прямой связью без памяти). Любая логическая схема может иметь обратную связь, если выходной сигнал просто «подается обратно» и подключается к входу. Большинство цепей обратной связи не будут демонстрировать полезного поведения — они будут либо моностабильными (т. е. застрявшими в выходном состоянии «1» или «0»), либо будут бесконечно колебаться. Некоторые схемы обратной связи будут бистабильными и управляемыми, и эти схемы являются кандидатами на роль простых схем памяти.
Простые схемы обратной связи показаны на рис. 2 ниже, и они помечены как управляемые/неуправляемые и бистабильные/небистабильные.
Важные идеи
Любое электронное устройство, которое может создавать или реагировать на последовательность событий, должно иметь память.
Изменение состояния цифровой системы или переход состояния происходит всякий раз, когда изменяется двоичное число, хранящееся во внутренней памяти. Именно посредством направленных переходов из одного состояния в другое цифровые системы могут создавать последовательности событий или реагировать на них.
Бистабильные схемы имеют два стабильных рабочих состояния: состояние, когда на выходе есть логическая «1» (или Vdd), и состояние, когда на выходе есть «0» (или 9).0034 ЗЕМЛЯ ). Когда бистабильная схема памяти находится в одном из двух стабильных состояний, требуется некоторое количество энергии, чтобы перевести ее из этого состояния в другое стабильное состояние.
При переходе между состояниями выходной сигнал должен проходить через область, в которой он нестабилен. Схемы памяти устроены так, что они не могут оставаться в нестабильном состоянии бесконечно — как только они входят в нестабильное состояние, они немедленно пытаются восстановить одно из двух стабильных состояний.
Любая логическая схема может иметь обратную связь, если выходной сигнал просто «подается обратно» и подключается к входу.
учиться, основы, схемы, схемы памяти
Цепные механизмы для обслуживания и обработки информации в рабочей памяти
Баддели, А. Д. и Хитч, Г. Рабочая память. Психолог. Учиться. Мотив. 8 , 47–89 (1974).
Артикул Google ученый
Фунахаши С., Брюс С. Дж. и Гольдман-Ракич П.
С. Мнемоническое кодирование зрительного пространства в дорсолатеральной префронтальной коре обезьяны. J. Нейрофизиол. 6 , 331–349 (1989).Артикул Google ученый
Чейфи, М. В. и Гольдман-Ракич, П. С. Сопоставление паттернов активности нейронов префронтальной области 8а и теменной области 7ip приматов во время задачи пространственной рабочей памяти. J. Нейрофизиол. 79 , 2919–2940 (1998).
Артикул КАС Google ученый
Колби, С.Л., Дюамель, Дж.Р. и Голдберг, М.Е. Зрительная, пресаккадическая и когнитивная активация отдельных нейронов в латеральной внутритеменной области обезьяны. J. Нейрофизиол. 76 , 2841–2852 (1996).
Артикул КАС Google ученый
Ромо, Р., Броуди, К.Д., Эрнандес, А.
и Лемус, Л. Нейрональные корреляты параметрической рабочей памяти в префронтальной коре. Природа 399 , 470–473 (1999).Артикул КАС Google ученый
Райнер Г., Асаад В. Ф. и Миллер Э. К. Избирательное представление соответствующей информации нейронами в префронтальной коре приматов. Природа 393 , 577–579 (1998).
Артикул КАС Google ученый
Ван, М. и др. Рецепторы NMDA обеспечивают постоянную активацию нейронов во время рабочей памяти в дорсолатеральной префронтальной коре. Нейрон 77 , 736–749 (2013).
Артикул КАС Google ученый
Ван, X.-J. Синаптическая основа постоянной активности коры: значение рецепторов NMDA для рабочей памяти. Дж. Неврологи. 19 , 9587–9603 (1999).
Артикул КАС Google ученый
Floresco, S.B., Braaksma, D.N. & Phillips, A.G. Таламо-корково-стриарная схема поддерживает рабочую память во время отсроченной реакции в лабиринте с радиальным рукавом. J. Neurosci. 19 , 11061–11071 (1999).
Артикул КАС Google ученый
Массе, Нью-Йорк, Ходнефилд, Дж. М. и Фридман, Д. Дж. Мнемоническое кодирование и корковая организация в теменной и префронтальной коре. J. Neurosci. 37 , 6098–6112 (2017).
Артикул КАС Google ученый
Стоукс, М. Г. Рабочая память без активности в префронтальной коре: структура динамического кодирования. Тенденции Cogn. науч. 19 , 394–405 (2015).
Артикул Google ученый
Ватанабэ, К. и Фунахаши, С. Нейронные механизмы вмешательства при выполнении двух задач и ограничение когнитивных способностей в префронтальной коре. Нац. Неврологи. 17 , 601–611 (2014).
Артикул КАС Google ученый
Шринивасан, К. К., Кертис, К. Э. и Д’Эспозито, М. Пересмотр роли постоянной нейронной активности во время рабочей памяти. Тенденции Cogn. науч. 18 , 82–89 (2014).
Артикул Google ученый
Ли, С.-Х., Кравиц, Д.Дж. и Бейкер, К.И. Целезависимая диссоциация зрительной и префронтальной коры во время рабочей памяти.
Нац. Неврологи. 16 , 997–999 (2013).Артикул КАС Google ученый
Сарма, А., Массе, Н.Ю., Ван, X.-J. и Фридман, Д. Дж. Специфичные для задачи и обобщенные мнемонические представления в теменной и префронтальной коре. Нац. Неврологи. 19 , 143–149 (2016).
Артикул КАС Google ученый
Цукер, Р. С. и Регер, В. Г. Кратковременная синаптическая пластичность. Год. Преподобный Физиол. 64 , 355–405 (2002).
Артикул КАС Google ученый
Монжилло Г., Барак О. и Цодыкс М. Синаптическая теория рабочей памяти. Наука 319 , 1543–1546 (2008).
Артикул КАС Google ученый
Роуз, Н.
С. и др. Реактивация скрытых рабочих воспоминаний с помощью транскраниальной магнитной стимуляции. Наука 354 , 1136–1139 (2016).Артикул КАС Google ученый
Вольф, М. Дж., Йохим, Дж., Акюрек, Э. Г. и Стоукс, М. Г. Динамические скрытые состояния, лежащие в основе поведения, управляемого рабочей памятью. Нац. Неврологи. 20 , 864–871 (2017).
Артикул КАС Google ученый
Кенигс М., Барби А.К., Постл Б.Р. и Графман Дж. Верхняя теменная кора имеет решающее значение для обработки информации в рабочей памяти. J. Neurosci. 29 , 14980–14986 (2009 г.).
Артикул КАС Google ученый
Д’Эспозито, М., Постл, Б. Р., Баллард, Д. и Лиз, Дж. Поддержание и манипулирование информацией, хранящейся в рабочей памяти: исследование фМРТ, связанное с событием.
Познание мозга. 41 , 66–86 (1999).Артикул Google ученый
Манте, В., Суссильо, Д., Шеной, К. В. и Ньюсом, В. Т. Контекстно-зависимые вычисления с помощью рекуррентной динамики в префронтальной коре. Природа 503 , 78–84 (2013).
Артикул КАС Google ученый
Сонг, Х.Ф., Ян, Г.Р. и Ван, X.-J. Обучение рекуррентных нейронных сетей на основе вознаграждения для когнитивных и ценностных задач. eLife 6 , e21492 (2017).
Артикул Google ученый
Чайсангмонгкон, В., Сваминатан, С.К., Фридман, Д.Дж. и Ван, X.-Дж. Вычисление с помощью надежной переходности: как лобно-теменная сеть выполняет последовательные решения на основе категорий. Нейрон 93 , 1504–1517.e4 (2017).
Артикул КАС Google ученый
Ван, Дж., Нараин, Д., Хоссейни, Э. А. и Джазайери, М. Гибкая синхронизация за счет временного масштабирования корковых ответов. Нац. Неврологи. 21 , 102–110 (2018).
Артикул КАС Google ученый
Гудар В. и Буономано Д. В. Кодирование сенсорных и моторных паттернов как неизменных во времени траекторий в рекуррентных нейронных сетях. eLife 7 , e31134 (2018).
Артикул Google ученый
Исса, Э. Б., Кадье, К. Ф. и ДиКарло, Дж. Дж. Нейронная динамика на последовательных стадиях вентрального зрительного потока согласуется с иерархическими сигналами ошибок. Препринт в bioRxiv https://www.biorxiv.org/content/10.1101/092551v2 (2018).
Сонг, Х.Ф., Ян, Г.Р. и Ван, X.-J. Обучение возбудительно-тормозных рекуррентных нейронных сетей для когнитивных задач: простая и гибкая структура. Вычисление PLoS. биол. 12 , e1004792 (2016).
Артикул Google ученый
Винье, У. Э. и Галлант, Дж. Л. Редкое кодирование и декорреляция в первичной зрительной коре во время естественного зрения. Наука 287 , 1273–1276 (2000).
Артикул КАС Google ученый
Ольсхаузен, Б. и ФИЛД, Д. Разреженное кодирование сенсорных входов. Курс. мнение Нейробиол. 14 , 481–487 (2004).
Артикул КАС Google ученый
Лафлин, С. Б., де Рюйтер ван Стивенинк, Р. Р. и Андерсон, Дж. К. Метаболическая стоимость нейронной информации. Нац. Неврологи. 1 , 36–41 (1998).
Артикул КАС Google ученый
Райнер Г., Рао С. К. и Миллер Э. К. Проспективное кодирование объектов в префронтальной коре приматов. J. Neurosci. 19 , 5493–5505 (1999).
Артикул КАС Google ученый
Вайсман, Д. Х., Робертс, К. С., Вишер, К. М. и Волдорф, М. Г. Нейронные основы кратковременных потерь внимания. Нац. Неврологи. 9 , 971–978 (2006).
Артикул КАС Google ученый
Миллер, Э. К., Эриксон, К. А. и Дезимон, Р.
Нейронные механизмы зрительной рабочей памяти в префронтальной коре макаки. J. Neurosci. 16 , 5154–5167 (1996).Артикул КАС Google ученый
Schneegans, S. & Bays, P.M. Восстановление декодируемости фМРТ не подразумевает скрытых состояний рабочей памяти. Дж. Когн. Неврологи. 29 , 1977–1994 (2017).
Артикул Google ученый
Mendoza-Halliday, D., Torres, S. & Martinez-Trujillo, JC. Резкое появление характерно-селективной устойчивой активности вдоль дорсального зрительного пути. Нац. Неврологи. 17 , 1255–1262 (2014).
Артикул КАС Google ученый
Корнблит С., Куиан Кирога Р., Кох С., Фрид И. и Морманн Ф. Постоянная активность одиночных нейронов во время рабочей памяти в средней височной доле человека.
Курс. биол. 27 , 1026–1032 (2017).Артикул КАС Google ученый
Такеда К. и Фунахаши С. Популяционный векторный анализ префронтальной активности приматов во время пространственной рабочей памяти. Церебр. Кора 14 , 1328–1339 (2004).
Артикул Google ученый
Бушман, Т. Дж., Сигел, М., Рой, Дж. Э. и Миллер, Э. К. Нейронные субстраты ограничений когнитивных способностей. Проц. Натл акад. науч. США 108 , 11252–11255 (2011).
Артикул КАС Google ученый
Трюбучек, Д., Марти, С., Убершер, Х. и Дехане, С. Исследование пределов безмолвной бессознательной рабочей памяти. Препринт в bioRxiv https://www.biorxiv.org/content/10.1101/379537v1 (2018).
Ван, XJ. Синаптическая реверберация, лежащая в основе мнемонической постоянной активности. Trends Neurosci. 24 , 455–463 (2001).
Артикул КАС Google ученый
Салазар, Р.Ф., Дотсон, Н.М., Бресслер, С.Л. и Грей, К.М. Контент-специфическая лобно-теменная синхронизация во время зрительной рабочей памяти. Наука 338 , 1097–1100 (2012).
Артикул КАС Google ученый
Лундквист, М. и др. Гамма- и бета-всплески лежат в основе рабочей памяти. Нейрон 90 , 152–164 (2016).
Артикул КАС Google ученый
Болкан С. С. и др. Таламические проекции поддерживают префронтальную активность во время поддержания рабочей памяти. Нац. Неврологи. 20 , 987–996 (2017).
Артикул КАС Google ученый
Хохрайтер С. и Шмидхубер Дж. Долгая кратковременная память. Нейронные вычисления. 9 , 1735–1780 (1997).
Артикул КАС Google ученый
Ян, Г. Р., Джоглекар, М. Р., Сонг, Х. Ф., Ньюсом, В. Т. и Ван, X.-J. Представления задач в нейронных сетях, обученных выполнять множество когнитивных задач. Нац. Неврологи. 22 , 297–306 (2019).
Артикул КАС Google ученый
Абади, М. и др.
С. Мнемоническое кодирование зрительного пространства в дорсолатеральной префронтальной коре обезьяны. J. Нейрофизиол. 6 , 331–349 (1989).
и Лемус, Л. Нейрональные корреляты параметрической рабочей памяти в префронтальной коре. Природа 399 , 470–473 (1999).
«>Лара, А. Х. и Уоллис, Дж. Д. Процессы исполнительного контроля, лежащие в основе многоэлементной рабочей памяти. Нац. Неврологи. 17 , 876–883 (2014).
Артикул КАС Google ученый
Нац. Неврологи. 16 , 997–999 (2013).
С. и др. Реактивация скрытых рабочих воспоминаний с помощью транскраниальной магнитной стимуляции. Наука 354 , 1136–1139 (2016).
Познание мозга. 41 , 66–86 (1999).
«>Wang, J. X. et al. Префронтальная кора как система обучения с метаподкреплением. Нац. Неврологи. 21 , 860–868 (2018).
Артикул КАС Google ученый
Нейронные механизмы зрительной рабочей памяти в префронтальной коре макаки. J. Neurosci. 16 , 5154–5167 (1996).
Курс. биол. 27 , 1026–1032 (2017).
«>Orhan, A. E. & Ma, W. J. На характер нейронных репрезентаций, лежащих в основе кратковременной памяти, влияет широкий спектр факторов. Нац. Неврологи. 22 , 275–283 (2019).
Артикул КАС Google ученый
