Малошумящий усилитель гнсс: Малошумящие усилители / Продукция / ООО «Технологии Радиосвязи»

Малошумящий усилитель L-диапазона (1.4-1.7 ГГц) ТИШЖ.468732.002 / Малошумящие усилители / Продукция / ООО «Технологии Радиосвязи»

Назначение

Малошумящий усилитель L-диапазона (1.4-1.7 ГГц) ТИШЖ.468732.002 предназначен для использования в приемных трактах земных станций спутниковой связи, навигации, а также в лабораторных установках.

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

Параметр	Значение
Диапазон рабочих частот, МГц	1400-1700
Температура шума, К, не более	29
Коэффициент усиления, дБ, не менее	52
Выходная мощность в точке компрессии 1 дБ, дБм, не менее	16. 5
Неравномерность АЧХ, дБ, не более	1.5
Тип соединителей	N (Female)
Волновое сопротивление, Ом	50
КСВН входа/выхода, не более	1.9 /1.3
Уровень интермодуляционных составляющих 3-го порядка
при подаче на вход 2-х сигналов общей мощностью -90 дБВт, дБ, не более	-70
Электропитание по центральной жиле, В	15…20
Ток потребления, мА, не более	170
Рабочая температура, °С	-40…+60
Температура хранения, °С	-50. ..+80
Относительная влажность при температуре +25°С, %, не более	80
Габаритные размеры, мм	70x50x20
Масса, кг	0.2

Внешний вид МШУ

Малошумящие усилители | Analog Devices

1	ADL8104	LNA	400M	7.5G	15	20	32	3.5	Internal	5	15″>150m	$75.11 (ADL8104ACPZN)
2	ADCA3952	CATV GaN Power Doubler	45M	1.218G	25	—	—	4	Internal	24	470m	$39.72 (ADCA3952AMLZ)
3	ADH519S	LNA	17.5G	31.5G	11	7.2	17.2	4	—	3	95m	—
4	ADCA3992	CATV GaN Power Doubler	45M	1. 218G	26	—	—	4	Internal	34	535m	$48.85 (ADCA3992AMLZ)
5	ADCA3990	CATV GaN Power Doubler	45M	1.218G	24.5	—	—	4	Internal	34	535m	$44.14 (ADCA3990AMLZ)
6	HMC8412LP2FE	LNA, Low Phase Noise	400M	11G	15	18	33	5″>1.5	Internal	5	60m	$39.53 (HMC8412LP2FE)
7	HMC8412-Die	LNA, Low Phase Noise	400M	10G	15	19	32	1.5	Internal	5	60m	$47.44 (HMC8412CHIPS)
8	ADL9006ACGZN	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	28G	15.5	18	23	2.5	Internal	5	053″>53m	$111.24 (ADL9006ACGZN)
9	HMC8411	LNA, Low Phase Noise	10M	10G	15	20	34	1.7	Internal	5	55m	$38.75 (HMC8411LP2FE)
10	ADL8111	Gain Block, LNA with Bypass Switch	10M	8G	12.5	19.5	34	2.8	Internal	5	70m	75″>$48.75 (ADL8111ACCZN)
11	HMC8325	LNA	71G	86G	21	13	22	3.6	Internal	3	50m	$61.89 (HMC8325)
12	ADL7003	LNA	50G	95G	14	14	21	5.5	Internal	3	120m	$215.62 (ADL7003CHIPS)
13	HMC7950	LNA, Low Phase Noise	2G	28G	15	16	26	2	—	5	064″>64m	$137.68 (HMC7950LS6)
14	HMC392ALC4	LNA	3.5G	8G	17	19	34.5	1.8	Internal	5	61m	$51.55 (HMC392ALC4)
15	HMC392A-Die	LNA	3.5G	7G	17.2	19	32.5	1.7	Internal	5	59m	$43.20 (HMC392A)
16	HMC717A	LNA	4. 8G	6G	14.5	18	29.5	1.3	Internal	5	73m	$6.70 (HMC717ALP3E)
17	HMC8410LP2FE	LNA, Low Phase Noise	10M	10G	18	21	31.5	1.4	Internal	5	65m	$29.86 (HMC8410LP2FE)
18	HMC8410-Die	LNA, Low Phase Noise	10M	10G	18	5″>20.5	31.5	1.4	Internal	5	65m	$32.85 (HMC8410CHIPS)
19	HMC8402-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	30G	13.5	20	24	2.5	Internal	7	68m	$114.67 (HMC8402)
20	HMC8401-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	10M	28G	14.5	5″>16.5	26	1.5	Internal	7.5	60m	$110.05 (HMC8401)
21	HMC8400-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	30G	14	14.5	25	2	Internal	5	67m	$102.61 (HMC8400)
22	ADL5726	LNA	21.2G	23.6G	24.7	-9.5	1	3″>3.3	Internal	3.3	92.4m	$11.89 (ADL5726ACPZN-R7)
23	ADL5725	LNA	17.7G	19.7G	27.8	-14	-1.5	2.4	Internal	3.3	108m	$11.89 (ADL5725ACPZN-R7)
24	ADL5724	LNA	12.7G	15.4G	26.4	-11	2	2.1	Internal	3.3	1097″>109.7m	$11.89 (ADL5724ACPZN-R7)
25	ADL5723	LNA	10.1G	11.7G	24.5	-10	2.2	2.2	Internal	3.3	109.1m	$11.89 (ADL5723ACPZN-R7)
26	ADL5721	LNA	5.9G	8.5G	25.9	-9.3	4	1.6	Internal	3.3	86.5m	$11.89 (ADL5721ACPZN-R7)
27	ADA8282	LNA, PGA	0	42. 3M	18	—	—	—	—	3.3	19.6m	$3.47 (ADA8282WBCPZ)
28	HMC1127	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	50G	14	12	22	6	Internal	5	65m	$131.00 (HMC1127)
29	HMC1126	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	50G	11	16	28	4	Internal	5	066″>66m	$119.00 (HMC1126)
30	HMC1049LP5E	LNA, Wideband Distributed Amps	0.3G	20G	15	14.5	29	1.8	Internal	7	70m	$92.69 (HMC1049LP5E)
31	HMC1049-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	0.3G	20G	16	13	25	2	Internal	7	70m	04″>$70.04 (HMC1049)
32	HMC1040LP3CE	LNA	24G	43.5G	20	12	24	2.7	Internal	—	70m	$34.55 (HMC1040LP3CE)
33	HMC1040-Die	LNA	20G	44G	21	14	25.5	2.5	Internal	2.5	65m	$34.93 (HMC1040CHIPS)
34	HMC963	LNA	6G	26. 5G	22	10	18	2.5	Internal	3.5	45m	$34.79 (HMC963LC4)
35	HMC962	LNA	7.5G	26.5G	13	12	23	2.5	Internal	3.5	70m	$33.22 (HMC962LC4)
36	HMC903LP3E	LNA	6G	17G	18	14.5	25	7″>1.7	Internal	3.5	80m	$20.95 (HMC903LP3E)
37	HMC903-Die	LNA	6G	18G	19	16	27	1.6	Internal	3.5	90m	$30.52 (HMC903)
38	HMC902LP3E	LNA	5G	11G	19	16	28	1.8	Internal	3.5	80m	27″>$21.27 (HMC902LP3E)
39	HMC902-Die	LNA	5G	11G	20	16	28	1.6	—	3.5	80m	$27.66 (HMC902)
40	HMC-ALH508-Die	LNA	71G	86G	13	7	—	5	Internal	2.4	30m	$231.35 (HMC-ALH508)
41	HMC772	LNA	2G	12G	15	13	25	8″>1.8	Internal	4	45m	$75.97 (HMC772LC4)
42	HMC753	LNA	1G	11G	17	18	30	1.5	Internal	5	55m	$65.42 (HMC753LP4E)
43	HMC752	LNA	24G	28G	25	13	26	2.5	Internal	3	70m	$25. 85 (HMC752LC4)
44	HMC751	LNA	17G	27G	25	13	25	2.2	Internal	4	73m	$34.97 (HMC751LC4)
45	HMC504	LNA	14G	27G	19.5	16.5	25.5	2.5	Internal	4	90m	$50.82 (HMC504LC4B)
46	ADL5523	LNA	400M	4G	5″>21.5	21	34	0.8	External	5	60m	—
47	ADL5521	LNA, Low Phase Noise	400M	4G	20.8	21.8	37	0.9	External	5	60m	—
48	HMC639	LNA	0.2G	4G	13	21	38	2.3	Internal	5	11″>110m	$3.07 (HMC639ST89E)
49	HMC618A	LNA	1.2G	2.2G	19	20	35	0.75	External	5	117m	$5.74 (HMC618ALP3E)
50	HMC599	LNA	50M	1G	14	19	39	2.2	Internal	5	120m	$4.78 (HMC599ST89E)
51	HMC-AUh412-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	0. 5G	80G	10	13.5	23	5	Internal	8	60m	$186.36 (HMC-AUh412)
52	HMC-AUh332-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	0	43G	14	16.5	—	4.2	Internal	5	180m	$160.53 (HMC-AUh332)
53	HMC-ALH509-Die	LNA	71G	86G	14	7	—	5	Internal	2	05″>50m	$188.97 (HMC-ALH509)
54	HMC-ALh582-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	22G	16	14	—	1.7	Internal	4	45m	$35.65 (HMC-ALh582)
55	HMC-ALh576-Die	LNA	14G	27G	20	14	—	2	Internal	4	90m	$36.35 (HMC-ALh576)
56	HMC-ALh545-Die	LNA	18G	40G	10	13	—	9″>3.9	Internal	5	45m	$63.07 (HMC-ALh545)
57	HMC-ALh544-Die	LNA	1G	12G	17	19	28	1.5	Internal	5	55m	$62.77 (HMC-ALh544)
58	HMC-ALh535-Die	LNA	5G	20G	13	16	25	2.2	Internal	5	30m	65″>$46.65 (HMC-ALh535)
59	HMC-ALh482-Die	LNA	57G	65G	21	12	—	4	Internal	2.5	64m	$38.07 (HMC-ALh482)
60	HMC-ALh476-Die	LNA	35G	45G	12	6	—	2	Internal	4	87m	$50.66 (HMC-ALh476)
61	HMC-ALh469-Die	LNA	24G	40G	17	11	—	2	Internal	5	066″>66m	$50.65 (HMC-ALh469)
62	HMC-ALh464-Die	LNA	24G	32G	21	7	—	2	Internal	5	68m	$30.21 (HMC-ALh464)
63	HMC-ALh413-Die	LNA	27G	33G	20	12	—	3	Internal	2.5	52m	$41.04 (HMC-ALh413)
64	HMC-ALh411-Die	LNA	22G	26. 5G	25	12	—	3	Internal	2.5	54m	$38.84 (HMC-ALh411)
65	HMC-ALh410-Die	LNA	37G	42G	22	12	—	3.5	Internal	2.5	52m	$43.48 (HMC-ALh410)
66	HMC-ALh344-Die	LNA	24G	40G	12	13	—	5″>3.5	Internal	4	45m	$59.31 (HMC-ALh344)
67	HMC-ALh316-Die	LNA	14G	27G	18	14	—	2.5	Internal	4	90m	$46.54 (HMC-ALh316)
68	HMC-ALh240-Die	LNA	24G	40G	11.5	15	—	4	Internal	4	60m	06″>$41.06 (HMC-ALh240)
69	HMC-ALh202-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	20G	10	10	—	2.5	Internal	2	55m	$44.05 (HMC-ALh202)
70	HMC609LC4	Driver Amp, LNA	2G	4G	20	21.5	36.5	3.5	Internal	6	170m	$51.46 (HMC609LC4)
71	HMC609-Die	Driver Amp, LNA	2G	4G	5″>20.5	21	36	3	Internal	6	170m	$30.81 (HMC609)
72	HMC606LC5	LNA, Low Phase Noise, Wideband Distributed Amps	2G	18G	12.5	13	22	7	Internal	5	64m	$97.27 (HMC606LC5)
73	HMC606-Die	LNA, Low Phase Noise, Wideband Distributed Amps	2G	18G	5″>12.5	13	22	6.5	Internal	5	64m	$74.71 (HMC606)
74	HMC594LC3B	Driver Amp, LNA	2G	4G	10	21	36	3	Internal	6	100m	$27.24 (HMC594LC3B)
75	HMC594-Die	Driver Amp, LNA	2G	4G	10	21	36	6″>2.6	Internal	6	100m	$21.22 (HMC594)
76	HMC566LP4E	LNA	28G	36G	21	12	24.5	2.8	Internal	3	83m	$30.15 (HMC566LP4E)
77	HMC566-Die	LNA	29G	36G	21	12	23.5	2.8	Internal	3	80m	6″>$59.60 (HMC566)
78	HMC565LC5	LNA	6G	20G	21	10	20	2.5	Internal	3	53m	$32.85 (HMC565LC5)
79	HMC565-Die	LNA	6G	20G	22	10	20	2.3	Internal	3	53m	$33.66 (HMC565)
80	HMC564LC4	LNA, Low Phase Noise	7G	14G	17	13	25	8″>1.8	Internal	3	51m	$27.06 (HMC564LC4)
81	HMC564-Die	LNA, Low Phase Noise	7G	13.5G	17	12	24	1.8	Internal	3	51m	$27.50 (HMC564)
82	HMC562-Die	LNA, Wideband Distributed Amps	2G	35G	12.5	18	27	3	Internal	8	08″>80m	$223.13 (HMC562)
83	HMC549	LNA	40M	960M	5	12.5	2

Антенный усилитель УКВ и ДМВ диапазонанов на SPF5043Z.

Малошумящий широкополосный (50МГц – 4000МГц) VHF усилитель на микросхеме SPF5043Z. Как усилить сигнал цифрового ТВ?

Вопрос: «Здравствуйте!
У меня на даче сигнал цифрового ТВ (диапазон 24-30 мультиплексов) ловится только на 2-ом этаже.

При кабеле около 1м все ОК, а опускаю 7м до первого — нет сигнала!
Антенна самодельная, что тройной квадрат, что четвертной — разницы нет.
Есть микросхемка УВЧ SPF5043. Имеет ли смысл перед её входом поставить ПФ 3-го порядка для диапазона 24-30 мультиплексов цифрового ТВ?
Или ФНЧ со срезом 700 Мгц, а то у усилителя полоса чуть ли не до 4ГГц?
Или не мучиться — в разрыв кабеля влупить и изолентой замотать?!».

Ответ: Влупить и замотать! Не нужно чтобы потомки видели наши мучения, вызываемые созерцанием желанной цели и сознанием невозможности её достичь. Отомстим государству за пенсионную реформу… Ударим буржуйской микросхемой по бюрократизму и разгильдяйству!

Только для реального улучшения качества приёма

лупить надо в непосредственной близости от полотна антенны, а мотать не абы как, а предварительно впихнув поделку в пластмассовую, а лучше металлическую, а ещё лучше герметичную (тогда и мотать ничего не надо) коробчёнку.

А теперь немного глубокомыслия. Почему в данном случае вопрошающему совета не требуется никаких излишеств?
1. Судя по наличию приёма с коротким куском кабеля — полезный сигнал из антенны вылезает, и выуживать его из помех какими-либо дополнительными фильтрами большой нужды не имеется.
По большому счёту, правильно рассчитанная антенна сама по себе обладает определёнными фильтрующими свойствами.
2. Микросхема SPF5043Z является Ultra-Low Noise (как заявляет производитель), обладает большим динамическим диапазоном, высокой перегрузочной способностью

, поэтому лишние 20дБ усиления ИМС ничего плохого с полезным сигналом, поступающим на вход приёмного устройства, не сделают. По сути дела, усилитель просто скомпенсирует затухание сигнала (около 1дБ на каждый метр кабеля), вносимое длинным коаксиалом.

Хорошая статья, посвящённая тестированию микросхемы SPF5043Z, была опубликована в журнале Радио №2/2014 под авторством уважаемого специалиста из области приёмо-передающих устройств Игоря Гончаренко (DL2KQ).
Приведу некоторые выдержки из вышеупомянутой статьи.

«При работе на УКВ малошумящий усилитель, расположенный непосредственно у антенны, необходим практически всегда. На сотнях мегагерц затухание вполне ощутимо даже в очень хороших коаксиальных кабелях (не говоря уже об обычных). И неразумно ослаблять потерями в кабеле и без того слабые сигналы, принятые антенной, — коэффициент шума приёмника возрастает на величину этих потерь. Скомпенсировать их последующим усилением на приёме тоже невозможно: пропорционально будет расти и шум

.
Разных антенных МШУ существует немало, но для самостоятельного изготовления предпочтительны усилители, которые:

— имеют простую схему и малое число элементов;
— собраны на простой в изготовлении печатной плате;
— не требуют налаживания;
— имеют большой динамический диапазон по интермодуляции;
— допускают сравнительно большую входную мощность.

Некоторые из этих условий требуют пояснения.
Большой динамический диапазон необходим, поскольку МШУ при перегрузке мешающими сигналами (например, ТВ- и УКВ-вещания, служебных передатчиков и т. п.) порождают помехи на других частотах, причём нередко такие помехи попадают именно на принимаемый сигнал.
Повышенная допустимая входная мощность нужна в случае использования МШУ на радиостанции. В режиме передачи на антенне будет присутствовать мощность в десятки, а то и сотни ватт. Понятно, что на передаче МШУ отключён, но ведь речь идёт об УКВ! И даже малая конструктивная ёмкость хороших реле на УКВ существенно снижает развязку приёмного и передающего трактов.

Принципиальная схема МШУ с полосой пропускания от 100 до 1300 МГц, отвечающего вышеперечисленным условиям, показана на рис. 1.

Он выполнен на микросхеме SPF5043Z и может быть использован как на любительских УКВ-радиостанциях, так и для дальнего приёма ТВ-и УКВ-радиовещания, в популярных ныне широкополосных SDR-приёмниках на основе DVB USB-тюнеров и т. д.
Эта микросхема недорогая (примерно 3 долл. США) и очень удобна для применения в МШУ. Она имеет согласованный в широкой полосе вход и выход, низкий коэффициент шума, большой динамический диапазон и высокую перегрузочную способность по входу.

Усилитель в описанном конструктивном исполнении имеет следующие измеренные параметры в любительских УКВ-диапазонах:

1. Усиление — 22,8 дБ на 144 МГц, 20,5 дБ на 432 МГц, 12,1 дБ на 1296 МГц.
2. Коэффициент шума — 0,6 дБ на 144 МГц, 0,65 дБ на 432 МГц, 0,8 дБ на 1296МГц.
3. КСВ по входу— 1,7 на 144 МГц, 1,3 на 432 МГц, 1,4 на 1296 МГц. Это без всяких цепей согласования.
4. Точка IP3 — не менее 26 дБм во всех вышеперечисленных диапазонах.
5. Допустимая мощность на входе — уровень сигнала на входе 200 мВт.
6. Потребляемый ток — 25 мА.

Усилитель собран на плате размерами примерно 18×14 мм, вырезанной обычным резаком. Используется фольгированный с двух сторон стеклотекстолит толщиной 1 мм. На нижней стороне фольга сохранена полностью и используется в качестве общего провода, а на верхней стороне прорезаны зазоры, как показано на рис. 2.

Габариты корпуса SOT-343 микросхемы (без выводов) — 1,2×2 мм. Это, конечно, мелкая деталь, но SPF5043Z ещё вполне можно паять тонким жалом обычного паяльника, не используя специальную паяльную станцию с феном.
Пассивные элементы платы применены типоразмера 0603 для поверхностного монтажа. Красными точками на рис. 2 показаны места перемычек, соединяющих проводники общего провода верхней и нижней сторон платы. Их число выбирают по принципу «кашу маслом не испортишь». Эти перемычки обеспечивают низкоимпедансную «УКВ-землю» и устойчивость усилителя к внешним полям. Устойчивость МШУ при таком конструктивном выполнении такая, что он не нуждается в экранированном корпусе.
Вход усилителя распаивают сразу на антенну (если она приёмная) или на реле коммутации RX-TX (если она приёмопередающая). Для защиты от статического электричества и грозовых разрядов желательно, чтобы антенна была замкнута по постоянному току и/или заземлена (петлевой или рамочный вибратор и т. п.). Если антенна разомкнута по постоянному току, параллельно входу МШУ надо установить пару ограничительных диодов СВЧ-диапазона, включённых встречно-параллельно.

Устройство не требует налаживания. Даже не представляю, что нужно сделать, чтобы этот усилитель работал неправильно.

Если для питания используется не то напряжение, которое указано на рис. 1, надо изменить соответственно R1 (на самом усилителе должно быть 3 В — это оптимум по шумам). При повышении питания на усилителе до 5 В немного возрастает коэффициент шума, но и увеличивается динамический диапазон (и потребляемый ток тоже)».

 

GNSS УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОГО ШУМА GaAs MMIC

1 NJGUA GNSS УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОГО ШУМА GaAs MMIC ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ NJGUA — это малошумящий усилитель GaAs MMIC, разработанный для GNSS (глобальных навигационных спутниковых систем). NJGUA отличается очень маленькими размерами, низким коэффициентом шума, высоким коэффициентом усиления и низким потреблением тока. NJGUA работает от v до v с одним напряжением между — и C, имеет режим ожидания для экономии тока питания и требует всего трех внешних компонентов. NJGUA имеет встроенную защиту от электростатического разряда. NJGUA доступен в очень маленьком, бессвинцовом, безгалогенном корпусе EPFFP-A с размерами. Мм x мм x 7 мм. ОПИСАНИЕ ПАКЕТА ПРИЛОЖЕНИЕ NJGUA Приложения GNSS, такие как GPS, Galileo, ГЛОНАСС и КОМПАС ХАРАКТЕРИСТИКИ Низкое напряжение питания + .V тип. (От + .V до + .V) Низкое управляющее напряжение + .V тип. (От + .V до + .V) Низкое потребление тока.ma DD = .V, V CTL = .V 7μA DD = .V, V CTL = V, режим ожидания Высокое усиление. db DD = .V, V CTL = .V, f = 7 МГц Низкий уровень шума. 7db DD = .V, V CTL = .V, f = 7 МГц Входная мощность в точке сжатия усиления дБ-дБм DD = .V, V CTL = .V, f = 7 МГц Высокий входной IP-дБм DD = .V, V CTL = .V, f = 7 + 7. МГц Функция ожидания Маленький размер корпуса EPFFP-A (Размер упаковки: .mmx.mmx.7mm тип.) Интегрированная схема защиты от электростатического разряда Бессвинцовая и галогенная, КОНФИГУРАЦИЯ КОНФИГУРАЦИИ MSL ( Вид сверху) Подключение контакта VDD цепи смещения RFIN GND. GND. VCTL. RFOUT. VDD.GND. Логическая схема RFIN GND RFOUT VCTL ТАБЛИЦА ИСТИННЫХ H = V CTL (H), L = V CTL (L) VCTL LNA Mode H Активный режим L Режим ожидания Примечание. Технические характеристики и описание, приведенные в этом техническом описании, могут быть изменены без предварительного уведомления. Ver

2 NJGUA АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ T a = + C, Z s = Z l = ПАРАМЕТРЫ СИМВОЛ УСЛОВИЯ НОМИНАЛЫ ЕДИНИЦЫ Напряжение питания V DD. V Управляющее напряжение V CTL. V Входная мощность P IN V DD = .V + dbm Рассеиваемая мощность P D — слой FR PCB со сквозным отверстием (.ммx.мм), T j = C 9 мВт Рабочая температура T opr — to + C Температура хранения T stg — to + C ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (DC) (Общие условия: T a = + C, Z s = Z l =) ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ МИН ТИП МАКС ЕДИНИЦА Напряжение питания В DD VDD Клемма. -. V Управляющее напряжение (высокое) V CTL (H) Клемма VCTL … V Управляющее напряжение (низкое) V CTL (L) Клемма VCTL. V Подача тока Подача тока Подача тока Ток подачи I DD I DD I DD I DD Активный режим VDD Клемма V DD = . V, V CTL = .V Активный режим VDD Клемма V DD =.V, V CTL = .V Режим ожидания VDD Клемма V DD = .V, V CTL = V Режим ожидания VDD Клемма V DD = .V, V CTL = V — .. мА — .. 7 мА μa — .. μa Управляющий ток I CTL V CTL = .V, клемма VCTL — .. μa — —

3 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ NJGUA (RF, V DD = .V) (Общие условия: V DD = .V, V CTL =. V, Freq = 0,7 ГГц, T a = + C, Z s = Z l =, с прикладной схемой) ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ МИН ТИП МАКС ЕДИНИЦА Усиление малого сигнала 7 … дБ Коэффициент шума NF Исключая потери на печатной плате и разъеме (.db) db Входная мощность в дБ Точка сжатия усиления P-dB (IN) _ dbm Вход rd Порядок точки пересечения IIP_ тон, расстояние k Pin = -dBm dbm Порт входа RF VSWR VSWR i — .. Порт RF выхода VSWR VSWR o .. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (RF, V DD = .V) (Общие условия: V DD = .V, V CTL = .V, Freq = .7GHz, T a = + C, Z s = Z l =, со схемой приложения) ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ СИМВОЛА МИН ТИП МАКС ЕДИНИЦА Малое усиление сигнала. 9 .. дБ Коэффициент шума NF Без учета потерь на печатной плате и разъеме (. db) -.7. дБ Входная мощность в дБ Точка компрессии усиления P-дБ (IN) _ дБм Вход rd Порядок точки пересечения IIP_ тональный сигнал, интервал k Pin = -дБм дБм Входной порт RF КСВН КСВН i -.. Порт РЧ вывода КСВ КСВ o

4 ИНФОРМАЦИЯ О КЛЕММАХ NJGUA № СИМВОЛ ОПИСАНИЕ GND Клемма заземления. Эти клеммы должны быть подключены к заземляющей пластине как можно ближе для получения отличных ВЧ характеристик. VCTL RFOUT Клемма управляющего напряжения. При вводе высокого логического уровня LNA переключается в активный режим LNA. При вводе низкого логического уровня LNA переходит в режим ожидания. Выходной терминал RF. Требуется внешний конденсатор C. Конденсатор C является не только согласующим элементом, но и блокирующим конденсатором постоянного тока.VDD Клемма напряжения питания. Байпас на землю с конденсатором C как можно ближе к ИС. GND Клемма заземления. Эти клеммы должны быть подключены к заземляющей пластине как можно ближе для получения отличных ВЧ характеристик. RFIN RF входной терминал. Требуется соответствующая катушка индуктивности L. Встроенный блокировочный конденсатор постоянного тока. — —

5 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Условия: V DD = .V, V CTL = .V, Ta = + o C, Zs = Zl =, с прикладной схемой NJGUA S, SS, S VSWR Zin, Zout S, S (f = мгц ~ ггц) S, S (частота = мгц ~ ггц) — —

6 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ NJGUA Условия: V DD =.V, V CTL = .V, Ta = + o C, Zs = Zl =, с прикладной схемой NF, усиление в зависимости от частоты (VDD = .V, VCTL = .V), ICTL по сравнению с VCTL (VDD = .V, RF OFF) Коэффициент шума (дБ) .. Коэффициент усиления NF 9 7 Коэффициент усиления (дБ) (мА) ICTL ICTL (ua). (NF: исключить PCB, потери в разъеме) частота (ГГц) Pout в зависимости от контакта (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7mhz) … VCTL (V) Gain, vs. Pin (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7mhz) Gain 9 Pout (dbm) — — Pout Gain (db) 7 (ma) — — P-dB (IN) = -. DBm P-dB (IN) = -. DBm Pin ( dbm) Pin (dbm) Pout, IM в зависимости от Pin (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 + 7.mhz) OIP, IIP в зависимости от частоты (VDD =. V, VCTL = .V, df = khz, Pin = -dBm) Pout, IM (дБм) Pout IM IIP = -. ДБм OIP (дБм) OIP IIP — — IIP (дБм) Pin (дБм) частота (ГГц) — —

7 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Условия: V DD = .V, V CTL = .V, Ta = + o C, Zs = Zl =, с прикладной схемой NJGUA Gain, NF в зависимости от температуры (VDD = .V, VCTL =. V, frf = 7 МГц). от температуры (VDD = .V, VCTL = .V / V, RF OFF) Усиление (дБ) Усиление .. NF. (NF: исключить плату, потери в разъеме) — — Режим коэффициента шума (дБ) (активный режим) — — (Режим ожидания) режим — P-дБ (IN) vs.Температура (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7mhz) OIP, IIP в зависимости от температуры (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 + 7.mhz, Pin = -dBm) — P-dB (IN) (дБм) P-дБ (IN) OIP (дБм) OIP IIP — IIP (дБм) КСВН в зависимости от температуры (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 МГц) коэффициент k в зависимости от частоты (VDD = .V, VCTL = .V) VSWRi, VSWRo … VSWRi VSWRo k-фактор + o C + o C — o C — — частота (ГГц) — 7 —

8 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ NJGUA Условия: V DD = .V, V CTL = .V, Ta = + o C, Zs = Zl =, со схемой приложения S, SS, S VSWR Zin, Zout S, S (f = mhz ~ ghz) S, S (f = mhz ~ ghz) — —

9 NJGUA ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Условия: V DD =.V, V CTL = .V, Ta = + o C, Zs = Zl =, с прикладной схемой NF, усиление в зависимости от частоты (VDD = .V, VCTL = .V), ICTL по сравнению с VCTL (VDD = .V, RF OFF). Коэффициент усиления шума (дБ). NF 9 7 Прирост (дБ) (мА) ICTL ICTL (ua). (NF: исключить печатную плату, потери в разъеме) частота (ГГц) Pout в зависимости от контакта (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7mhz) … VCTL (V) Gain, vs. Pin (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7mhz) 9 Pout (dbm) Pout Gain (db) Gain 7 (ma) — P-dB (IN) = -. DBm P-dB (IN) = -. DBm Pin (dbm) Pout , IM по сравнению с контактом (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 + 7 МГц) Контакт (дБм) OIP, IIP в зависимости от частоты (VDD =.V, VCTL = .V, df = khz, Pin = -dBm) Pout, IM (дБм) Pout IM IIP = -. ДБм OIP (дБм) OIP IIP IIP (дБм) Pin (дБм) частота (ГГц) — 9 —

10 NJGUA ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Условия: V DD = .V, V CTL = .V, Zs = Zl =, с усилением схемы приложения, NF в зависимости от температуры (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 МГц). от температуры (VDD = .V, VCTL = .V / V, RF OFF) Усиление (дБ) Усиление .. NF. (NF: исключить плату, потери в разъеме) — — Режим коэффициента шума (дБ) (активный режим) — — (Режим ожидания) режим — P-дБ (IN) vs.Температура (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7mhz) OIP, IIP в зависимости от температуры (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 + 7.mhz, Pin = -dBm) P-dB ( IN) (дБм) P-дБ (IN) OIP (дБм) OIP IIP IIP (дБм) КСВН в зависимости от температуры (VDD = .V, VCTL = .V, frf = 7 МГц) коэффициент k в зависимости от частоты (VDD = .V , VCTL = .V) VSWRi, VSWRo … VSWRi VSWRo k-фактор + o C + o C — o C — — частота (ГГц) — —

11 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ NJGUA Условия: RF OFF, Zs = Zl =, с Схема приложения по сравнению с VCTL (VDD = .V, RF OFF) по сравнению с VDD (VCTL =.V, RF OFF) (ma) + o C + o C (ma) + o C + o C — o C — o C … VCTL (V) …. VDD (V) по сравнению с VDD (VCTL = V, RF OFF) ICTL в зависимости от температуры (VDD = .V or.v, VCTL = .V, RF OFF) + o C (ua) ICTL (ua) ICTL + o C — o C …. VDD (V )

12 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ NJGUA Условие: V CTL = .V, Ta = + o C, Zs = Zl =, с усилением цепи приложения, NF по сравнению с VDD (VCTL = .V, frf = 7 МГц) по сравнению с VDD (VCTL = .V / V, RF OFF) Gain (db) 9 7 Gain NF (NF: Exclude PCB, Connector Loses) … Noise Figure (db) mode (Active mode) (Standby mode) mode (Активный режим) (режим ожидания)…. VDD (V) …. VDD (V) — P-dB (IN) по сравнению с VDD (VCTL = .V, frf = 7mhz) OIP, IIP по сравнению с VDD (VCTL = .V, frf = 7 + 7. МГц, Pin = -дБм) P-дБ (IN) (дБм) P-дБ (IN) OIP (дБм) OIP IIP IIP (дБм) VDD (V) VSWR по сравнению с VDD (VCTL = .V, frf = 7 МГц) VDD (V) коэффициент k в зависимости от частоты (VCTL = .V) VSWRi, VSWRo .. VSWRi VSWRo k-фактор VDD = .V VDD = .V, V ….. VDD (V) частота (ГГц) — —

13 ЦЕПЬ ПРИЛОЖЕНИЯ NJGUA (вид сверху) RF IN L 9. nH GND V DD RFIN VDD C pf Схема смещения GND Логическая схема VCTL RFOUT C pf RF OUT V CTL ТЕСТ ПЛАН ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ (вид сверху) Список деталей Идентификационный номер Изготовителя V DD LC, C Серия LQPT_ (MURATA) Серия GRM (MURATA) RF IN LC RF OUT CV CTL Подложка печатной платы: FR- Толщина :.мм Ширина микрополосковой линии:. мм (Z =) Размер:. мм x.мм — —

14 NJGUA УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ ШУМА Измерительные приборы Анализатор NF: Agilent 97A, 97A Источник шума: Agilent A Настройка анализатора NF Форма измерения Устройство в процессе тестирования: понижающий преобразователь системы усилителя: выключен Форма настройки режима Боковая полоса: LSB Средние значения: Средний режим: Полоса пропускания точки: МГц Компенсация потерь: выключена Tcold: настройка температуры источника шума (.K) Анализатор NF (Agilent 97A, 97A) Источник шума ( Agilent A) * Источник шума и вход анализатора NF () Выход привода источника шума подключаются напрямую.Настройка калибровки Анализатор NF (Agilent 97A, 97A) Источник шума (Agilent A) * Источник шума и DUT, вход IN DUT OUT () Источник шума Выход привода DUT и анализатор NF подключаются напрямую. Установка измерения — —

15 NJGUA ОПИСАНИЕ УПАКОВКИ (EPFFP-A) Блок Субстрат Конечная обработка Формовочный материал Вес (тип.): Мм: FR: Au: Эпоксидная смола:. Мг Предостережения по использованию этого продукта Этот продукт содержит арсенид галлия GaAs), который является вредным материалом. НЕ ешьте и не кладите в рот.НЕ бросайте в огонь и не разбивайте этот продукт. ЗАПРЕЩАЕТСЯ химически превращать этот продукт в газ или порошок. Чтобы выбросить этот продукт, соблюдайте соответствующие законы вашей страны. Этот продукт может быть поврежден статическим разрядом (ESD) или скачком напряжения. Пожалуйста, обращайтесь осторожно, чтобы избежать этих повреждений. [ВНИМАНИЕ] Технические характеристики в этом каталоге даны только для информации, без каких-либо гарантий в отношении ошибок или упущений. Схемы приложений в этом справочнике описаны только для демонстрации типичного использования продукта и не предназначены для гарантии или разрешения каких-либо прав, включая промышленные права.- —

Высокопроизводительная антенна GNSS Поддержка трех систем с семью частотами для приема GPS L1, L2, ГЛОНАСС L1 L2, BDS B1, B2, B3 | gps l1 | GPS-приемника GPS-приемник антенны

Антенна состоит из пассивной антенны, диэлектрического фильтра, малошумящего усилителя, радиочастотного разъема и других частей для приема сигналов GPS L1, L2 и BDS B1, B2, B3 \ GLONASS L1 L2.Форма имеет обтекаемую форму и может быть установлена ​​на поверхности самолета. В антенну встроена схема защиты от молнии, чтобы гарантировать правильную работу антенны в суровых условиях. Крышка антенны с высокотемпературным пластиковым корпусом, армированным стекловолокном, обработкой окисления базовой поверхности алюминиевого основания, может выдерживать сильные, простые в установке.

Поддержка трех системных семи частотных точек

Прием: GPS L1, L2,

ГЛОНАСС L1 L2,

BDS B1, B2, сигнал полосы B3

Рабочий режим: многорежимный комбинированный режим GNSS

Рабочий напряжение: 3.3-10V

Размер антенны 70 мм * 70 мм * 46,7 мм

Форма разъема Разъем TNC

Класс водонепроницаемости (водонепроницаемый, класс) IPX7

Форма разъема TNC

вес ： 125 г

Характеристики антенны

（Диапазон частот）

1555 ~ 1615 МГц

1200 ~ 1278 МГц

（Импеданс）

50 Ом

03

2 9007 (RHCP)

(осевое соотношение)

≤3 дБ

(антенна bea м)

方位角 ： 0 ° — 360 ° ； 俯仰 角 ： 5 ° — 90 °

(КСВН)

≤1.5

（усиление антенны）

≥3 дБи

0

2

900 (неравномерность усиления)

± 900 1 дБ

(усиление LNA)	32 ± 2 дБ 02
≤2 дБ
(КСВН)	≤2
（КСВН）	≤2
（Pout at Коэффициент усиления 1 дБ Точка сжатия)	≥0 дБм
(напряжение стока LNA)	3.3-10 В постоянного тока
(потребление тока LNA)	≤45 мА
(задержка)	<5 нс

. ）	-40 ℃ ～ + 85 ℃
(Температура хранения.)	-40 ℃ ～ + 85 ℃
(влажность)	40% ～ 95%

0 Габаритная диаграмма конструкции антенны 3

Принципиальная схема установки и использования антенны ：

Если у вас есть особые потребности, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы можем предоставить вам профессиональные услуги по настройке! Надеемся на сотрудничество！

НОВАЯ частота GNSS L1, L2 для ZED F9P Высокоточная антенна GNSS, GPS GALILEO GLONASS BEI DOU Навигация GPS-антенна AN 608 | GPS-приемник и антенна |

ГНСС-антенна TOPGNSS AN-608 — это поддержка GPS L1, L2, BEI DOU B1, B2 и ГЛОНАСС L1, L2 GALILEO L1 GNSS-антенна, используемая в высокоточном автомобильном позиционировании и навигации, высокоточной синхронизации GNSS, внешней навигации автомобиля на требования к местоположению точных приложений.В антенне используется конструкция с несколькими точками подачи для повышения точности измерения. Встроенный модуль усилителя с низким уровнем шума, сигнал помех фильтра фильтра, чтобы гарантировать, что суровая электромагнитная среда работает должным образом. Диэлектрический фильтр используется для лучшего подавления эффекта фильтрации.

（Выходной разъем RF） SMA-J

Модель: AN-608

TOPGNSS AN-608 — это многочастотная спутниковая навигационная антенна с высоким коэффициентом усиления, миниатюризацией (68 * 27 мм в форме), высокой чувствительностью, мультисистемной совместимостью GNSS и высокой надежностью.Он имеет высокоточную антенну и встроенный усилитель и фильтрацию МШУ. Он также может принимать частотные точки GNSS L1 и L2. Антенна может использоваться с различными приемниками спутниковой навигации и широко используется. Он используется в высокоточной навигации, высокоточном позиционировании, высокоточном времени, беспилотных транспортных средствах, беспилотных летательных аппаратах, измерениях RTK, точном сельском хозяйстве, морской съемке и других областях для удовлетворения разнообразных потребностей пользователей.

Электрические характеристики AN-608
Диапазон частот (МГц)	GPS L1 / L2 ГЛОНАСС L1 / L2 BEIDOU B1 / B2 / B3
Усиление (дБи)	4.0
Антенна AR (дБ)	≤3,0
Ошибка фазового центра (мм)	± 2
Поляризация	Правая круговая поляризация
Импеданс порта	50 Ом
Усиление LNA (дБ)	36 ± 2
Коэффициент шума (дБ)	≤1.8
КСВН	≤2,0
Рабочее напряжение (В)	3,0–6,0 В
Рабочий ток	≤45 мА
Тип коннектора	SMA-J
Размер антенны (мм)	Φ68 * 27 мм
Вес (г)	200
Рабочая температура (℃)	-40 — +70
Температура хранения (℃)	-55 — +85
Водонепроницаемый класс	IP67

ГНСС-антенна Topgnss AN-608 с модулем ZED-F9P для приема спутниковых изображений

Комплектация: TOPGNSS AN-608 1PCS

Операционные усилители с полевым транзистором

имеют равные биполяры с низким уровнем шума и шум пикоампера. текущий шум (10fA / √Hz для LT1792 и 0.8fA / √Hz для LT1793), обеспечивая самый низкий общий шум в широком диапазоне импеданса преобразователя. Традиционно перед пользователями операционных усилителей стоял выбор: какой операционный усилитель будет иметь самый низкий уровень шума для используемого преобразователя. При высоком импедансе преобразователя операционные усилители LT1792 / LT1793 JFET превзойдут биполярные операционные усилители с самым низким уровнем шума из-за более низкого токового шума. Текущий шум (2qI _B ) усилителя является функцией входного тока смещения (I _B ). При более низком импедансе преобразователя биполярные операционные усилители обычно выигрывают у типичных операционных усилителей с полевым транзистором из-за более низкого шума напряжения при том же остаточном токе дифференциальной входной пары.Операционные усилители LT1792 / LT1793 рассчитаны на шум напряжения, приближающийся к шумам биполярных операционных усилителей. Все эти операционные усилители безоговорочно стабильны при усилении одного или нескольких, даже при емкостной нагрузке в 1000 пФ. Низкое напряжение смещения 250 мкВ и высокое усиление постоянного тока в четыре миллиона позволяют LT1792 / LT1793 вписаться в прецизионные приложения. Шум напряжения, скорость нарастания и произведение коэффициента усиления на полосу пропускания протестированы на 100%. Все спецификации поддерживаются в пакете SO-8.

Комбинация низкого напряжения и токового шума, предлагаемая LT1792 / LT1793, делает их полезными в широком диапазоне приложений, особенно с емкостными преобразователями с высоким сопротивлением, такими как гидрофоны, прецизионные акселерометры и фотодиоды.Общий шум в таких системах равен коэффициенту усиления, умноженному на квадратный корень из суммы квадрата приведенного ко входу напряжения шума операционного усилителя, теплового шума преобразователя (4kTR) и шума тока смещения операционного усилителя, умноженного на квадрат сопротивления преобразователя (2qI _B × R ₂ ). На рис. 1 показан общий шум входного напряжения в зависимости от сопротивления источника. В приложении с низким сопротивлением источника (<5 кОм) шум напряжения операционного усилителя будет преобладать над общим шумом. В этой области низкого сопротивления источника операционные усилители с полевым транзистором LT1792 / LT1793 намного опережают другие операционные усилители с полевым транзистором; только биполярные операционные усилители с очень низким уровнем шума, такие как LT1007 и LT1028, имеют преимущество.При увеличении сопротивления источника с 5 кОм до 50 кОм LT1792 / LT1793 будет соответствовать лучшему биполярному или JFET-усилителю по шумовым характеристикам, так как тепловой шум преобразователя (4kTR) будет преобладать над общим шумом. Дальнейшее увеличение сопротивления источника до более чем 50 кОм приводит нас к области, где текущий шум операционного усилителя (2qI _B × R _SOURCE ) будет преобладать в общем шуме. При таком высоком сопротивлении источника LT1792 / LT1793 превосходит биполярный операционный усилитель с наименьшим шумом из-за изначально низкого токового шума операционных усилителей на полевых транзисторах.В некоторых случаях может потребоваться добавить конденсатор параллельно с резистором источника, чтобы нейтрализовать полюс, вызванный импедансом источника и входной емкостью (14 пФ для LT1792 и 1,5 пФ для LT1793). Посмотрите, что происходит с шумом при сопротивлении источника более 100 кОм; общий шум для LT1792 и LT1793 фактически уменьшается.

Рис. 1. Сравнение шума входного напряжения LT1792 / LT1793 и LT1007 в зависимости от сопротивления источника

Внешний интерфейс JFET с высоким входным сопротивлением делает LT1792 и LT1793 подходящими для приложений, где требуется очень высокая чувствительность к заряду.На рисунке 2 показаны LT1792 и LT1793 в инвертирующем и неинвертирующем режимах работы. Усилитель заряда показан в примере инвертирующего режима; здесь коэффициент усиления зависит от принципа сохранения заряда на входе усилителя. Заряд на емкости преобразователя C _S передается конденсатору обратной связи C _F , что приводит к изменению напряжения dV, равному dQ / C _F , что приводит к усилению C _F. / С _S . Для единичного усиления C _F должен быть равен емкости преобразователя плюс входная емкость усилителя, а R _F должен быть равен R _S .В примере неинвертирующего режима ток преобразователя преобразуется в изменение напряжения за счет емкости преобразователя; это напряжение затем буферизуется усилителем с коэффициентом усиления 1 + R2 / R1. Путь постоянного тока обеспечивается R _S , который является либо сопротивлением преобразователя, либо внешним резистором. Поскольку R _S обычно на несколько порядков больше, чем параллельная комбинация R1 и R2, RB добавляется, чтобы сбалансировать смещение постоянного тока, вызванное неинвертирующим входным током смещения и R _S .Входные токи смещения, хотя и небольшие при комнатной температуре, могут создавать значительные ошибки при повышении температуры, особенно при сопротивлении преобразователя до 1000 МОм или более. Оптимальное значение для R _B определяется путем приравнивания теплового шума (4kTR _S ) к текущему шуму, умноженному на R _S , (2qIB) R _S , в результате чего R _B = 2V _T / I _B (V _T = kT / q = 26 мВ при 25 ° C). Параллельный конденсатор C _B используется для компенсации фазового сдвига, вызванного входной емкостью операционного усилителя и R _B .

Рис. 2. Конфигурации инвертирующего и неинвертирующего усиления LT1792 / LT1793

LT1792 имеет самый низкий уровень шума по напряжению (4 нВ / √Гц) из двух, что делает его лучшим выбором для импеданса преобразователя 5 кОм или меньше. Для импедансов преобразователя более 100 МОм LT1793 с типичным входным током смещения всего 3 пА будет иметь более низкий выходной шум, чем LT1792. LT1793 имеет дополнительное преимущество в виде очень высокого входного сопротивления (10 ¹³ Ом). В отличие от большинства операционных усилителей с полевым транзистором, LT1792 и LT1793 имеют входные токи смещения, которые остаются почти постоянными во всем диапазоне синфазных помех.Технические характеристики LT1792 и LT1793 приведены в таблице 1.

Таблица 1. Технические характеристики LT1792 / LT1793

Параметр	LT1792	LT1793	Квартир
В OS (макс.)	0,56	0,73	мВ
I B (макс.)	450	10	pA
e N (1 кГц)	4.2	6	нВ / √Гц
i N (1 кГц)	10	6	фА / √Гц
GBWP (f O = 100 кГц)	6	5	МГц
I S	4,2	4,2	мА

Низкий уровень шума LT1792 и LT1793 достигается за счет максимизации g _m входной пары.Многозатворные полевые транзисторы имеют более высокое отношение гм к площади, чем стандартные полевые транзисторы с одним затвором. Это достигается за счет максимизации хвостового тока и размера входной геометрии полевого транзистора. Сорок процентов от общего тока питания используется в качестве хвостового тока для LT1792 и LT1793. Эти операционные усилители лучше всего использовать с преобразователями с очень высоким импедансом. Усилитель гидрофона с низким уровнем шума на Рисунке 3 представляет собой приложение, в котором LT1792 превосходит другие. Выходной переменный ток гидрофона преобразуется в выходное напряжение входным резистором 100 МОм (R8).Этот сигнал усиливается соотношением R3 / R2. Постоянные токи утечки на выходе гидрофона вычитаются сервоприводом усилителя обратной связи. Этот усилитель не обязательно должен иметь низкий уровень шума напряжения LT1792; поэтому его можно выбрать для минимизации общего тока питания системы. LT1464 имеет ток питания менее одного порядка, чем у LT1792 и LT1793, и пикоамперный входной ток смещения. Это позволяет установить постоянную времени этого контура с помощью резисторов высокой номинальной стоимости и менее дорогих конденсаторов низкой стоимости.

Рисунок 3. Малошумящий усилитель гидрофона с сервоприводом постоянного тока

Операционные усилители LT1792 и LT1793 представляют собой отдельный класс для усиления сигналов низкого уровня от источников с высоким сопротивлением. Конструкция и процесс были оптимизированы для обеспечения низкого энергопотребления и низкого уровня шума по току и напряжению. Большинство конкурирующих операционных усилителей с полевыми транзисторами на полевых транзисторах будут иметь более высокий шум напряжения или гораздо более высокий ток питания. Практически все биполярные операционные усилители имеют более высокий уровень шума по току. Ни один другой операционный усилитель не сможет обеспечить такие шумовые характеристики при данном токе питания.LT1792 и LT1793 — лучший выбор для приложений, требующих низкого уровня шума и мощности.

E81-P031-035_T07.indd

% PDF-1.3 % 1 0 obj >] / PageLabels 6 0 R / Pages 3 0 R / Type / Catalog / ViewerPreferences >>> endobj 2 0 obj > поток 2015-10-26T10: 09: 21 + 09: 002015-10-26T10: 09: 23 + 09: 002015-10-26T10: 09: 23 + 09: 00Adobe InDesign CC 2014 (Windows) uuid: c3a74944-e547-48d5 -aa55-e70426921b40xmp.did: F87F117407206811958D90A86CA06A77xmp.Идентификатор: 118c2753-d4f8-4a4c-a2aa-5fb967006e0fproof: pdf1xmp.iid: 105dd384-6ad1-2546-a5d8-1ab504066876xmp.did: df1b1b46-12e7-2244-8c2e-3f798from093590A-приложение преобразовано в приложение xf768from0935599 / pdfAdobe InDesign CC 2014 (Windows) / 2015-10-26T10: 09: 21 + 09: 00 application / pdf

E81-P031-035_T07.indd

Библиотека Adobe PDF 11.0FalsePDF / X-1: 2001PDF / X-1: 2001PDF / X-1a: 2001 конечный поток endobj 6 0 obj > endobj 3 0 obj > endobj 8 0 объект > / ExtGState> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / TrimBox [0.0 0,0 595,276 841,89] / Тип / Страница >> endobj 9 0 объект > / ExtGState> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject >>> / TrimBox [0.0 0.0 595.276 841.89] / Type / Page >> endobj 10 0 obj > / ExtGState> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Properties> / XObject >>> / TrimBox [0.0 0.0 595.276 841.89] / Type / Page >> endobj 11 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text] / Свойства >>> / TrimBox [0.