Трансимпедансный усилитель: Применение трансимпедансных усилителей

Содержание

Применение трансимпедансных усилителей

23 апреля 2008

Введение

Передаточная функция трансимпедансного операционного усилителя (ТИОУ) представляет собой зависимость выходного напряжения от входного тока и имеет размерность сопротивления. К ТИОУ относятся ОУ с токовой обратной связью. Когда к входу ОУ с обратной связью по напряжению подключен источник тока, например фотодиод (в обратную связь в этом случае включает резистор с большим сопротивлением), ОУ также можно считать ТИОУ. Для стабилизации схемы параллельно этому резистору ставится конденсатор достаточно большой емкости. В статье рассматривается расчет конденсатора для получения наибольшей полосы пропускания с сохранением устойчивости схемы.

Основные расчетные соотношения

На рисунке 1 показана полная схема ТИОУ, используемого для усиления тока фотодиода VD. В большинстве случаев для смещения Vсмещ используется шина питания +V.

 

 

Рис. 1.

Схема включения ТИОУ

На эквивалентной схеме (см. рис. 2) фотодиод представлен в виде источника тока IPK и паразитных емкостей.

 

 

Рис. 2. Эквивалентная схема фотодиода. CJ — емкость обедненной области диода; IPH — ток диода

Эта схема удобна для нахождения передаточной характеристики ТИОУ. Примем, что усилитель идеален, поэтому на инвертирующем входе виртуальный ноль. Емкости ССМ и СJ не влияют на передаточную функцию, поэтому мы их не учитываем. Таким образом, выражение для передаточной характеристики имеет следующий вид:

   (1)

отсюда

   (2)

Таким образом, появляется полюс на частоте fp = 1/2pRFCF, который стабилизирует схему (этот эффект будет рассмотрен позже). Для нахождения коэффициента передачи ОС обозначим: СIN= CJ+ CCM. Таким образом получаем простую дифференцирующую схему с заземленной входной емкостью С

IN. Коэффициент передачи сигнала ОС характеризует величину напряжения, которое передается с выхода ОУ на вход.

После некоторых упрощений получаем окончательное выражение для коэффициента обратной связи F:

   (3)

Таким образом, коэффициент F для ТИОУ выражается так же, как и для дифференцирующей цепочки. Разница заключается только в добавлении емкости CIN, которая представляет собой сумму емкости фотодиода и входной емкости усилителя. Заметим, что для низких частот F = 1. Коэффициент усиления с ОУ обратной связью ОУ равен 1/F. Для устойчивости в схему добавляют стабилизирующий конденсатор CF. Однако включение дополнительной емкости уменьшает полосу пропускания, поэтому следует искать компромисс.

На рисунке 3 показаны частотные зависимости коэффициента усиления А без обратной связи и коэффициента усиления 1/F с ОС при оптимальном значении CF.

 

 

Рис. 3. Амплитудно-частотные характеристики ТИОУ с разомкнутой и замкнутой ОС

Полюс 1/F находится на графике А, другими словами, значение CF оптимально при A = 1/F или АF = 1. В отсутствие CF 1/F = 0, что вызывает сдвиг фаз почти на 180° в точке пересечения графиков А и 1/F.Появление полюса на частоте fp обеспечивает компенсацию с опережением или запаздыванием, при этом фазовый сдвиг в точке пересечения составляет 135°, таким образом, запас по фазе составит 45°. При недостаточной компенсации усилителя точка пересечения будет лежать выше второго полюса ТИОУ.

Из выражения для F найдем значение полюса 1/F:

   (4)

Частота, до которой 1/F = 0, выражается следующим образом:

   (5)

При частоте fz наклон графика 1/F меняется с 0 дБ на +20 дБ. Для стабильности работы усилителя наклон снова должен стать равным нулю. Это достигается как раз на втором полюсе, обусловленным конденсатором C

F.

На рисунке 3 пунктиром изображен случай перекомпенсации, когда величина CF слишком большая. В этом случае полюс сдвигается на более низкую частоту. Более того, влияние слагаемого СIN в знаменателе выражения (5) уменьшается, поэтому частота fz также уменьшается. Перекомпенсацию следует применять тогда, когда усилитель недостаточно компенсирован и точка пересечения графиков А и 1/F находится рядом со вторым полюсом характеристики А.

Коэффициент усиления без ОС находится из простого соотношения:

   , (6)

где fGBW — частота единичного усиления.

Учитывая, что AF = 1, опуская промежуточные преобразования и упрощая полученные выражения, в конечном итоге получаем выражение:

   (7)

Это уравнение довольно сложно решить относительно CF. Для большинства случаев справедливо допущение CIN; CF. Принимая его, получаем окончательное выражение для C

F:

   (8)

Это формула для нахождения оптимальной величины емкости CF. Если CF требуется слишком большая и вызывает звон в схеме, то следует использовать перекомпенсацию. Однако перекомпенсация уменьшит полосу пропускания ТИОУ

Практический пример

Рассмотрим схему (см. рис. 4) на операционном усилителе LMV793 фирмы National Semiconductor.

 

 

Рис. 4. Практическая схема реализации ТИОУ

Это средний по быстродействию усилитель с недостаточной компенсацией, полосой пропускания 88 МГц и входной емкостью 15 пФ. В качестве датчика выбран фотодиод PIN-HR040 фирмы OSI Optoelectronics с полосой пропускания 300 МГц, чтобы он не ограничивал полосу пропускания усилителя. Емкость фотодиода 7 пФ. В качестве источника света используются лазерные диоды с короткими фронтами и срезами (5 нс). Сопротивление в цепи обратной связи RF = 100 кОм для получения большого коэффициент усиления.

Развязывающие конденсаторы источников питания не показаны, однако следует учитывать, что на каждой шине питания установлен танталовый конденсатор емкостью 6,8 мкФ для фильтрации низких частот и керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ для фильтрации высоких частот. Керамический конденсатор следует размещать как можно ближе к выводам питания операционного усилителя.

Емкость фотодиода CJ= 7 пФ, входная емкость усилителя СCM= 15 пФ, значит, суммарная входная емкость составляет СIN 22 пФ. Используя выражение (8), получаем СF= 0,53 пФ. Это очень маленькое значение. В схему включен конденсатор с номинальной емкостью 0,5 пФ, однако его измеренное значение оказалось 0,64 пФ, таким образом, ТИОУ немного перекомпенсирован. Полосу пропускания можно найти исходя из постоянной времени RFCF или по временам фронта. В первом случае получаем 2,5 МГц, а во втором 3,2 МГц. Наличие выброса говорит о том, что запаса по фазе 45° не хватает. Выходная реакция усилителя показана на рисунке 5а и 5б.

 

 

Рис. 5. Выходной сигнал ТИОУ при RF = 100 кОм

Теперь рассмотрим ТИОУ с маленьким коэффициентом усиления. Для этого в схему на рисунке 4 включим RF= 10 кОм, при этом коэффициент усиления уменьшится в 10 раз, а полоса пропускания расширится. Однако излучение светодиода теперь должен быть в десять раз ярче для получения того же уровня выходного сигнала. Расчетное значение стабилизирующей емкости CF= 1,7 пФ, а номинальная емкость конденсатора в схеме равна 1,8 пФ. При данных параметрах полюс располагается на частоте 8,8 МГц, а коэффициент усиления с ОС 1/F = 10, это минимально допустимый коэффициент усиления для стабильной работы LMV793.

Таким образом, все условия стабильности работы двухполюсной схемы выполнены, однако при испытаниях в лаборатории выявляется довольно сильный звон схемы. Это могло быть вызвано наличием дополнительных полюсов и нулей, близко расположенных ко второму полюсу. Потребовалась перекомпенсация схемы. Примем C

F= 2,7 пФ. На рисунке 6 показана выходная реакция ТИОУ при RF= 10 кОм CF = 2,7 пФ. Времена фронта и среза для данной схемы равны приблизительно 33 нс, отсюда полоса пропускания составляет 10,6 МГц. Полюс располагается на частоте 5,9 МГц. Выходной сигнал ТИОУ для этого случая показан на рисунке 6.

 

 

Рис. 6. Выходной сигнал ТИОУ при RF = 10 кОм

Заключение

Устойчивость ТИОУ рассчитывается так же, как и для дифференциального усилителя. Единственная разница между ними заключается в использовании фотодиода в качестве источника входного тока. Фотодиод не влияет на расчет стабильности, его емкость учитывается во входной емкости усилителя.

В лаборатории были протестированы две схемы с разными коэффициентами усиления. Результаты экспериментов сходятся с теоретическими. Выражение (8) для С

F
применимо для всех видов дифференциальных усилителей, более того, несмотря на различие передаточных характеристик ТИОУ и дифференциального усилителя, выражения для коэффициента передачи сигнала ОС в расчете стабильности обоих усилителей совпадают.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка —
e-mail: [email protected]  

LPC3200 — новое семейство 32-разрядных микроконтроллеров

NXP Semiconductors объявила о расширении линейки своей продукции на базе архитектур ARM7TM и ARM9TM, представив семейство микроконтроллеров LPC3200. Микроконтроллеры NXP семейства LPC3200 построены на основе популярного процессора ARM926EJTM и предназначены для использования в бытовых, промышленных, медицинских и автомобильных устройствах. В семейство LPC3200 входят LPC3220, LPC3230, LPC3240 и LPC3250.

Семейство разработано по 90-нм производственному процессу на основе высокопроизводительного ядра ARM926EJ, содержит векторный блок вычислений с плавающей запятой (Vector Floating Point, VFP), контроллер ЖК-монитора, Ethernet MAC, On-The-Go USB, эффективную матрицу шины и поддерживает широкий диапазон стандартных периферийных устройств.

Микроконтроллеры семейства LPC3000 разработаны для обеспечения гибкости в применениях, требующих быстрой и одновременной передачи данных и сочетают в себе высокую производительность, низкое энергопотребление и поддержку большого количества периферийных устройств. В этих устройствах реализованы интерфейсы I2C, I2S, SPI, SSP, UART, USB, OTG, SD, PWM, A/D для сенсорных экранов, имеется адаптер 10/100 Ethernet MAC и 24-разрядный контроллер ЖК-монитора с поддержкой панелей STN и TFT. Семейство поддерживает модули памяти DDR, SDR, SRAM, а также флэш-память. Возможна загрузка с устройств флэш-памяти NAND, памяти SPI, UART или SRAM.

Поставка опытных образцов микроконтроллеров NXP семейства LPC3200 начнется в апреле 2008 года, начало массовых поставок планируется на третий квартал 2008 года.

•••

Наши информационные каналы

Поваренная книга разработчика аналоговых схем: Операционные усилители 27

20 сентября 2019

Тим Грин, Пит Семиг, Колин Веллс (Texas Instruments)

Перед вами – глава из «Поваренной книги разработчика аналоговой электроники», созданной инженерами компании Texas Instruments (TI). Поваренная книга – сборник рецептов, а данный цикл статей – сборник стандартных схем с операционными усилителями. Каждой схеме посвящена отдельная статья, содержащая пример типового расчета с указанием формул и последовательности действий. Результаты расчетов дополнительно проверяются в программе SPICE-моделирования. Расчеты выполнены для конкретных усилителей из производственной линейки TI. Разработчик может использовать и другие изделия, широкий выбор которых представлен на страницах каталога компании КОМПЭЛ. От читателя требуется понимание базовых принципов работы операционных усилителей. Если же знаний недостаточно, следует вначале ознакомиться с учебными курсами TI Precision Labs (TIPL). Авторы обещают обновлять и дополнять статьи цикла.

Мы публикуем главы Поваренной книги на нашем сайте регулярно – дважды в месяц.

Подписаться на получение уведомлений о публикации новых глав

Усилитель для фотодиода

Исходные данные к расчету представлены в таблице 79.

Таблица 79. Исходные данные к расчету усилителя для фотодиода

ВходВыходBWПитание
IiMinIiMaxVoMinVoMaxfpVccVeeVref
0 А2,4 мкА100 мВ4,9 В20 кГц5 В0 В0,1 В

Описание схемы

В данной схеме ОУ работает в качестве трансимпедансного усилителя, преобразующего входной ток фотодиода в выходное напряжение (рисунок 89).

Рис. 89. Трансимпедансный усилитель для фотодиода

Рекомендуем обратить внимание:

  • напряжение смещения Vref позволяет усилителю работать в линейном режиме, не заходя в насыщение при нулевом входном токе;
  • для минимизации ошибки смещения используйте операционные усилители, имеющие JFET- или CMOS-входы с низким входным током;
  • следует использовать ОУ в линейном рабочем диапазоне напряжений.2}>170\:кГц$$

    • Рассчитываем резисторы цепи смещения для получения напряжения смещения 0,1 В (формула 4).

    $$R_{2}=\frac{V_{CC}-V_{ref}}{V_{ref}}\times R_{3}=\frac{5\:В-0.1\:В}{0.1\:В}\times R_{3}=49\times R_{3}\qquad{\mathrm{(}}{4}{\mathrm{)}}$$

    Выбираем номиналы резисторов из стандартного ряда с учетом предыдущего соотношения. Тогда: R2 = 13,7 кОм, R3 = 280 Ом.

    • Выбираем значение С2 = 1 мкФ. Этот резистор используется для фильтрации напряжения Vref. Проверяем частоту среза (формула 5):

    $$f_{p}=\frac{1}{2\pi \times \left(R_{2}\parallel R_{3} \right)\times C_{2}}=\frac{1}{6.28 \times \left(13.7\:кОм \parallel 280\:Ом \right)\times 1\:мкФ}=580\:Гц\qquad{\mathrm{(}}{5}{\mathrm{)}}$$

    Моделирование схемы

    Передаточная характеристика схемы представлена на рисунке 90.

    Рис. 90. Передаточная характеристика схемы

    Моделирование в режиме переменных токов (малосигнальный AC-анализ) показан на рисунке 91.

    Рис. 91. Частотная характеристика схемы

    Рекомендации

    Дополнительная информация изложена в файле «TIPD176».

    Данные ОУ, используемого в расчете сведены в таблицу 80.

    Таблица 80. Параметры используемого ОУ

    OPA322
    Vсс1,8…5,5 В
    VinCM Rail-to-rail
    Vout Rail-to-rail
    Vos 0,5 мВ
    Iq 1,6 мА/канал
    Ib 0,2 пА
    UGBW20 МГц
    SR10 В/мкс
    Число каналов1, 2, 4

    В качестве альтернативы может использоваться ОУ, параметры которого представлены в таблице 81.

    Таблица 81. Параметры альтернативного ОУ

    LMP7721
    Vсс1,8…5,5 В
    VinCM Vee…(Vcc – 1 В)
    Vout Rail-to-rail
    Vos 26 мкВ
    Iq 1,3 мА/канал
    Ib 3 фА
    UGBW17 МГц
    SR10,43 В/мкс
    Число каналов1

    Список ранее опубликованных глав

        1. Поваренная книга разработчика аналоговых схем: Операционные усилители
        2. Инвертирующий усилитель
        3. Неинвертирующий усилитель
        4. Инвертирующий сумматор
        5. Дифференциальный усилитель
        6. Интегратор
        7. Дифференциатор
        8. Трансимпедансный усилитель
        9. Однополярная схема измерения тока
        10. Биполярная схема измерения тока
        11. Однополярная схема измерения тока с широким рабочим диапазоном (3 декады)
        12. ШИМ-генератор на ОУ
        13. Инвертирующий усилитель переменного напряжения (активный фильтр высоких частот)
        14. Неинвертирующий усилитель переменного напряжения (активный фильтр высоких частот)
        15. Активный полосовой фильтр
        16. Однополупериодный инвертирующий выпрямитель
        17. Выпрямитель на ОУ
        18. Низковольтный выпрямитель с однополярным питанием
        19. Ограничитель скорости изменения напряжения
        20. Схема формирования дифференциального сигнала
        21. Схема инвертирующего усилителя со смещением инвертирующего входа
        22. Схема неинвертирующего усилителя со смещением инвертирующего входа
        23. Схема неинвертирующего усилителя со смещением неинвертирующего входа
        24. Схема инвертирующего усилителя со смещением неинвертирующего входа
        25. Компаратор с гистерезисом и без гистерезиса
        26. Оконный компаратор

    Перевел Вячеслав Гавриков по заказу АО КОМПЭЛ

    •••

    Наши информационные каналы

    Крутизна — Transconductance — qaz.wiki

    Крутизна (для передаточной проводимости ), также редко называемая взаимной проводимостью , представляет собой электрическую характеристику, связывающую ток на выходе устройства с напряжением на входе устройства. Проводимость — это величина, обратная сопротивлению.

    Проходная проводимость (или передача допуска ) является AC эквивалент крутизны.

    Определение

    Модель крутильного устройства

    Крутизну очень часто обозначают как проводимость g m с нижним индексом m для взаимной . Это определяется следующим образом:

    г м знак равно Δ я из Δ V в {\ displaystyle g_ {m} = {\ frac {\ Delta I _ {\ text {out}}} {\ Delta V _ {\ text {in}}}}}

    Для слабосигнального переменного тока определение проще:

    г м знак равно я из v в {\ displaystyle g_ {m} = {\ frac {i _ {\ text {out}}} {v _ {\ text {in}}}}}

    СИ единица, сименс , с символом, S ; 1 сименс = 1 ампер на вольт заменить старый единицу проводимости, имеющий такое же определение, то мксим (Ом записанное в обратном порядке ), символ, .

    Транссопротивление

    Транссопротивление (для сопротивления передачи ), также редко называемое взаимным сопротивлением , является двойным крутизной. Он относится к соотношению между изменением напряжения в двух точках выхода и соответствующим изменением тока в двух точках входа и обозначается как r m :

    р м знак равно Δ V из Δ я в {\ displaystyle r_ {m} = {\ frac {\ Delta V _ {\ text {out}}} {\ Delta I _ {\ text {in}}}}}

    Единицей измерения сопротивления в системе СИ является просто ом , как в сопротивлении.

    Трансимпеданс (или передаточный импеданс ) является эквивалентом сопротивления по переменному току и двойным значением пропускания.

    Устройства

    Вакуумные трубки

    Для электронных ламп крутизна определяется как изменение тока пластины (анода), деленное на соответствующее изменение напряжения сетки / катода, с постоянным напряжением пластины (анода) относительно катода. Типичные значения g · m для малосигнальной вакуумной лампы составляют от 1 до 10 миллисименс. Это одна из трех характеристических констант вакуумной лампы, две другие — это коэффициент усиления μ (мю) и сопротивление пластины r p или r a . Уравнение Ван дер Бейла определяет их связь следующим образом:

    г м знак равно μ р п {\ displaystyle g_ {m} = {\ frac {\ mu} {r_ {p}}}}

    Полевые транзисторы

    Точно так же в полевых транзисторах и, в частности, полевых МОП-транзисторах крутизна — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвора / истока при постоянном напряжении стока / истока. Типичные значения g м для полевого транзистора со слабым сигналом составляют от 1 до 30 миллисименс.

    Используя модель Шичмана-Ходжеса , крутизну для полевого МОП-транзистора можно выразить как (см. Статью о полевых МОП-транзисторах ):

    г м знак равно 2 я D V OV {\ displaystyle g_ {m} = {\ frac {2I_ {D}} {V _ {\ text {OV}}}}}

    где I D — постоянный ток стока в точке смещения , а V OV — напряжение перегрузки , которое представляет собой разность между напряжением затвор-исток точки смещения и пороговым напряжением (т. е. V OV V GS V th ). Напряжение перегрузки (иногда известное как эффективное напряжение) обычно выбирается на уровне около 70–200 мВ для технологического узла 65 нм ( I D ≈ 1,13 мА / мкм ширины) для g m 11–32 мСм / мкм.

    Кроме того, крутизна переходного полевого транзистора определяется выражением , где V P — напряжение отсечки, а I DSS — максимальный ток стока. г м знак равно 2 я D S S | V п | ( 1 — V г S V п ) {\ displaystyle g_ {m} = {\ frac {2I_ {DSS}} {\ left | {V_ {P}} \ right |}} \ left ({1 — {\ frac {V_ {GS}} {V_ { P}}}} \ right)}

    Традиционно крутизна для полевого транзистора и полевого МОП-транзистора, указанная в приведенных выше уравнениях, выводится из уравнения переноса каждого устройства с использованием расчетов . Однако Картрайт показал, что это можно сделать без исчисления.

    Биполярные транзисторы

    Г м от биполярных транзисторов малосигнальных колеблется в широких пределах, будучи пропорционально току коллектора. Его типичный диапазон составляет от 1 до 400 миллисименс. Изменение входного напряжения применяется между базой / эмиттером, а выходное — это изменение тока коллектора, протекающего между коллектором / эмиттером с постоянным напряжением коллектора / эмиттера.

    Крутизну биполярного транзистора можно выразить как

    г м знак равно я C V Т {\ displaystyle g_ {m} = {\ frac {I_ {C}} {V_ {T}}}}

    где I C = постоянный ток коллектора в точке Q , а V T = тепловое напряжение , обычно около 26 мВ при комнатной температуре. Для типичного тока 10 мА g m ≈ 385 мСм. Входной импеданс — это коэффициент усиления по току ( β ), деленный на крутизну.

    Выходная (коллекторная) проводимость определяется начальным напряжением и пропорциональна току коллектора. Для большинства транзисторов, работающих в линейном режиме, оно значительно ниже 100 мкСм.

    Усилители

    Усилители крутизны

    Усилитель крутизны ( г м усилитель) выдает ток , пропорционального его входное напряжение. В сетевом анализе усилитель крутизны определяется как источник тока, управляемый напряжением ( VCCS ). Обычно эти усилители устанавливаются в каскодной конфигурации, что улучшает частотную характеристику.

    Усилители сопротивления

    Transresistance усилитель выдает напряжение , пропорциональный его входной ток. Трансрезистивный усилитель часто называют трансимпедансным усилителем , особенно производители полупроводников.

    Термин для усилителя сопротивления в сетевом анализе — это источник напряжения, управляемый током ( CCVS ).

    Базовый усилитель инвертирующего сопротивления может быть построен из операционного усилителя и одного резистора. Просто подключите резистор между выходом и инвертирующим входом операционного усилителя и подключите неинвертирующий вход к земле. Тогда выходное напряжение будет пропорционально входному току на инвертирующем входе, уменьшаясь с увеличением входного тока и наоборот.

    Для усиления сигнального тока от фотодиодов на приемном конце сверхвысокоскоростных оптоволоконных линий широко используются специальные микросхемы трансрезисторных (трансимпедансных) усилителей.

    Операционные усилители крутизны

    Операционный усилитель крутизны (ОТ) является интегральной схемой , которая может функционировать в качестве усилителя крутизны. Обычно они имеют вход, позволяющий контролировать крутизну.

    Смотрите также

    Рекомендации

    внешние ссылки

    • Transconductance — Определения SearchSMB.com
    • Крутизна в усилителях звука: статья Дэвида Райта из Pure Music [1]
    Трансимпедансный усилитель

    — Перевод на французский — примеры английский

    Эти примеры могут содержать грубые слова на основании вашего поиска.

    Эти примеры могут содержать разговорные слова, основанные на вашем поиске.

    трансимпедансный усилитель со встроенной фильтрацией и уменьшенной паразитной емкостью

    Трансимпедансный усилитель в сборе включает в себя устройство усиления прямого тракта для согласования электрической конфигурации разветвителя.

    трансимпедансный усилитель с распределенным управлением линией обратной связи

    линейный трансимпедансный усилитель с мультиплексированным каскадом усиления

    Предлагается метод оценки характеристики дифференциального трансимпедансного усилителя с высокой точностью.

    L’invention porte sur un procédé d’évaluation for évaluer la caractéristique d’un ampificateur a transimpédance différentielle avec une Precision élevée.

    Второй каскад усиления (230) имеет вход, соединенный с выходом трансимпедансного усилителя , для обеспечения усиленного сигнала напряжения.

    Второй этап усиления включает входное соединение с вылетом усилителя с трансимпедансом для передачи сигнала усилителя напряжения.

    оптический приемник, включающий трансимпедансный усилитель и фотодетектор

    который функционально подключен к входу трансимпедансного усилителя

    трансимпедансный усилитель (TIA) со встроенной фильтрацией

    оптический приемник включает в себя фотодиод с обратным смещением, выход которого подключен к трансимпедансному усилителю

    соответственно, трансимпедансный усилитель может быть интегрирован с оптическим детектором внутри TO-can

    Каждый приемник подключен малошумящим трансимпедансным усилителем (20a-c) к аналого-цифровому преобразователю (21).

    Предоставляется трансимпедансный усилитель , способный соответствовать широкому динамическому диапазону и уменьшать шумы преобразования входного сигнала во время низкого входного сигнала.

    Изобретение относится к усилителю трансимпеданса , способному соответствовать большой динамической гамме и сокращению основных операций преобразования входа в момент первого входа.

    Первый транзистор служит для сброса, а трансимпедансный усилитель обеспечивает высокий импеданс и подавляет шум сброса, не требуя дорогостоящей внутренней или внешней памяти.

    Первый транзистор sert de moyen de remise à zéro et d ‘ ampificateur d’adaptation d’impédance permettant d’obtenir une impédance élevée et de supprimer un bruit de remise à zéro sans nécessiter de mémoire coûteuse sur de la puce красновато-коричневый.

    Трансимпедансный усилитель по варианту осуществления изобретения содержит каскад усиления TIA, интегратор и ток, управляемый напряжением.

    Два выходных тока (INP, IN), подаваемые аналоговым преобразователем (ЦАП) источника тока, подаются на две половины симметрично построенного трансимпедансного усилителя .

    Два канала передачи (INP, IN) преобразованы в цифровое / аналоговое преобразование (DAC) на основе исходных текстов, которые передают дополнительные элементы усилителя трансимпеданса в симметричную структуру.

    Выход трансимпедансного усилителя соединен с его входом посредством соединительной линии, содержащей резистор обратной связи (Rf).

    улучшенный трансимпедансный усилитель , имеющий широкую полосу пропускания, стабильную работу и высокое усиление, включая каскодный входной транзисторный каскад

    Трансимпедансный усилитель в сборе преобразует высокочастотную составляющую тока в напряжение сигнала, определяющее ультразвуковой сигнал.

    Этот ансамбль усилитель адаптационного воздействия конвертирует высокую частоту сигнала и напряжение сигнала, позволяет определить напряжение сигнала, определяющее сигнал, и ультразвуковой датчик.

    обработка сигналов дополнительно улучшается за счет использования трансимпедансного усилителя и усилителя начальной загрузки, соединенных между собой через один или несколько фотодиодов

    le traitement de signaux est amélioré par la suite grâce à l’utilisation d’un ampificateur d’adaptation d’impédance et un montage auto-élévateur cathodique interconnectés via une ou plusieurs photodiode Определение

    TIA: Transimpedance Amplifier — Трансимпедансный усилитель


    Ko nozīmē TIA? Трансимпедансный усилитель TIA apzīmē.Ja apmeklējat mūsu versiju, kas nav angļu valoda, un vēlaties skatīt «Transimpedance Amplifier» angu valodas versiju, lūdzu, ritiniet uz leju līdz apakšai un redzēsiet Transimpedance Amplifier nozodāmi angļ. Paturiet prātā, ka TIA saīsinājums tiek plaši izmantots tādās nozarēs kā banku darbība, skaitļošanas tehnika, izglītība, finanses, valsts un veselība. Papildus TIA, Трансимпедансный усилитель var būt saīsinājums no citiem akronīmiem.

    TIA = трансимпедансный усилитель

    Vai meklējat vispārīgu TIA Definīciju? Трансимпедансный усилитель TIA nozīmē.Esam lepni uzskaitīt TIA akronīmu lielākā saīsinājumu un akronīmu datubāzē. Šis attēls rāda vienu no TIA Definīcijām angļu valodā: Трансимпедансный усилитель. Jūs varat lejupielādēt attēla failu drukāt vai nosūtīt to saviem draugiem pa e-pastu, Facebook, Twitter, vai TikTok.

    TIA nozīme angļu valodā

    Kā minēts iepriekš, TIA tiek izmantots kā akronīms īsziņas pārstāvēt Трансимпедансный усилитель. Ir »Lūdzu, ņemiet vērā, ka Трансимпедансный усилитель nav vienīgā nozīme, TIA. Вар бут vairāk nekā viena Definīcija TIA, lai pārbaudītu to ārā uz mūsu vārdnīcā, lai visas nozīmes TIA pa vienam.

    Definīcijas, latviešu valodā: Трансимпедансный усилитель

    Citas TIA nozīmes

    Bez Transimpedance Amplifier, TIA ir citas nozīmes. Tie ir uzskaitīti pa kreisi zemāk. Lūdzu, ritiniet uz leju un noklikšķiniet, lai redzētu katru no tiem. Lai iegūtu Visas TIA nozīmes, lūdzu, noklikšķiniet uz «vairāk».Ja apmeklējat mūsu angļu valodas versiju un vēlaties skatīt Трансимпедансный усилитель, определяющий citās valodās, lūdzu, noklikšķiniet uz valodas izvēlnes labajā apakšējā stūrī. Jūs redzēsiet Трансимпедансный усилитель nozīmes daudzās citās valodās, piemēram, arābu, dāņu, holandiešu, hindi, Japāna, korejiešu, grieķu, itāliešu, vjetnamiešu, utt.

    Анализ и разработка трансимпедансных усилителей для оптических приемников

    Перейти к основному содержанию Корзина0
    • КТО МЫ СЛУЖИМ
      • Студенты
        • Аренда учебников
      • Инструкторы
      • Авторы книг
      • Профессионалов
      • Исследователи
      • Учреждения
      • Библиотекарей
      • Корпорации
      • Общества
      • Редакторы журналов
      • Книжные магазины
      • Правительство
    • ПРЕДМЕТЫ
      • Бухгалтерский учет
      • сельское хозяйство
        • сельское хозяйство
        • Аквакультура
      • Искусство и архитектура
        • Архитектура
        • Искусство и прикладное искусство
        • Графический дизайн
      • Управление бизнесом
        • Бухгалтерский учет
        • Реклама
        • Управление бизнесом
        • Бизнес и общество
        • Деловая этика
        • Самопомощь в бизнесе
        • Бизнес-статистика и математика
        • Бизнес-технологии
        • Развитие карьеры
        • Консультации
        • Экономика
        • Финансы и инвестиции
        • Интеллектуальная собственность и лицензирование
        • Управление
        • Маркетинговые продажи
        • Некоммерческие организации
        • Производственные операции
        • Управление проектом
        • Недвижимость и недвижимость
        • Государственное управление
        • Управление качеством
        • Малый бизнес
        • Специальные темы
        • Технологии
        • Обучение и развитие персонала
      • Химия
        • Союзная химия здравоохранения
        • Аналитическая химия
        • Аккумуляторы и топливные элементы
        • Биохимия
        • Катализ
        • Химическая и экологическая безопасность
        • Вычислительная химия
        • Электрохимия
        • Экологическая химия
        • Пищевая наука и технологии
        • Общая химия
        • История химии
        • Промышленная химия
        • Неорганическая химия
        • Математика для химии
        • Органическая химия
        • Фармацевтическая химия
        • Физическая химия
        • Подготовительная химия
        • Специальные темы
        • Устойчивая химия
      • Вычисление
        • Компьютерная графика
        • Компьютерная наука
        • Оборудование
        • Интернет и WWW
        • Офисная производительность
        • Операционные системы
        • Программная инженерия
        • Специальные темы
      • Кулинария и гостеприимство
        • Бухгалтерский учет
        • Выпечка и кондитерские изделия
        • Напитки
        • Организация питания и мероприятий
        • приготовление еды
        • Еда, напиток
        • Операции общественного питания
        • Написание еды и справочная информация
        • Общая кулинария и гостеприимство
        • Управление гостиницей
        • Маркетинг
        • Профессиональная кулинария
        • Специальные темы
        • Индустрия путешествий и туризма
        • Вина и спиртные напитки
      • Науки о Земле и космосе
        • наука о планете Земля
        • Изменение окружающей среды
        • Экологическая экономика и политика
        • Экологическая этика
        • Экологического менеджмента
        • Наука об окружающей среде
        • Экологические исследования
        • География
        • Геология и геофизика
        • Океанография
      • Образование
        • Оценка, методы оценки
        • Классное руководство
        • Разрешение конфликтов и посредничество
        • Учебные инструменты
        • Образование и государственная политика
        • Образовательные исследования
        • Общее образование
        • Высшее образование
        • Информация и библиотечное дело
        • Специальное образование
        • Специальные темы
        • Профессиональные технологии
      • Инженерия и материаловедение
        • Биомедицинская инженерия
        • Химическая и биохимическая инженерия
        • Гражданское строительство
        • Электротехника и электроника
        • Энергия
        • Инженерия окружающей среды
        • Промышленная инженерия
        • Материаловедение
        • Инженерное дело
        • Общая инженерия
        • Нанотехнологии
      • Гуманитарные науки
        • Классические исследования
        • История
        • Лингвистика
        • Литература
        • Философия
        • Религия и теология
      • Закон и криминология
        • Гражданский закон
        • Уголовное право
        • Криминология
        • Общее и вводное право
        • Закон об интеллектуальной собственности
        • Международный закон
        • Пенология и полицейская наука
        • Процессуальное право
        • Публичное право
        • Специальные темы
      • Естественные науки
        • Анатомия и физиология
        • Зоотехния и зоология
        • Клеточная и молекулярная биология
        • Сравнительная биология (ботаника и зоология)
    .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *