Усилитель электрон 20: A potentially dangerous Request.Path value was detected from the client (?).

Назначение: усилитель предназначен для высококачественного озвучивания эстрад, клубных и бытовых помещений.

Описание, схемы и паспорт на нашем диске.

Основные технические характеристики:

Диапазон воспроизводимых частот: 40 – 15000 Гц
Неравномерность АЧХ в диапазоне 40-15000 Гц: 3 дБ
Рассогласование АЧХ каналов: 2 – 3 дБ
Номинальная выходная мощность: 20 Вт
Коэфициент гармоник при мощности 20 Вт: 2%
Переходное затухание между каналами на частотах 200-10000 Гц: 30 дБ
Глубина регулировки тембра: ±12 дБ
Уровень фона: -54 дБ
Потребляемая мощность: 80 Вт
Габариты (ШхВхГ): 425х148х295 мм

Вес: 10 кг

Описание:

Усилитель выполнен из каркаса рамочного типа, на котором крепятся шасси отдельныз блоков, кожух, поддон, задняя стенка и лицевая панель. На лицевую панель выведены ручки регулятора громкости, тембра ВЧ и НЧ, и стереобаланса. Здесь же укреплен клавишный переключатель входов, а также клавиша и индикатор включения сети.

  Схема соединения электродов лампы 15AF11 с выводами: 1-12 — подогреватель катодов; 2 — анод пентода; 3 — сетка первого триода; 4 — анод первого триода; 5 — катод второго триода; 6 — сетка второго триода; …

Коробовкин В.В.

Всеволновый любительский радиоприемник В брошюре приводится описание схемы и конструкции восьмилампового любительского всеволнового супергетеродинного приемника с УКВ диапазоном. Дается подробное описание самодельных деталей, примененных в приемнике, а также рекомендации по его сборке и налаживанию. Особое внимание уделено описанию конструкции и методике налаживания УКВ тракта приемника. Брошюра рассчитана на радиолюбителей-конструкторов, имеющих …

Зеленин И.А.

Портативный генератор телевизионных испытательных сигналов Рассматриваются телевизионные испытательные сигналы черно-белых и цветных полос, белого, сетчатого, точечного и шахматного полей, градаций яркости, а также методы их получения. Описаны структурная, принципиальная схемы и конструкция портативного генератора телевизионных испытательных сигналов, выполненного на транзисторах и интегральных микросхемах.

РШ 32 Описание Фотоэлектронный умножитель с электростатической фокусировкой электронов для измерения предельно малых световых потоков в широкой области спектра. Применяется в астрономии, астрофизике и при спектральном анализе. Фотокатод — сурьмяно-натриево-калиево-цезиевый. Оптический вход …

D.I.Y. — Do It Yourself — Сделай Сам

Аудио Портал © 2004-2020

Стереофонический усилитель — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Стереофонический усилитель ( рис. 11 — 1, в) имеет два одинаковых канала усиления, каждый из которых работает на свою акустическую систему.  [1]

Монтажная схема электрофона Аккорд-стерео.| Схема подключения магнито.  [2]

Стереофонический усилитель IIЧ смонтирован на двух идентичных печатных платах из фольгированного гетинакса. Переключатель рода работ также смонтирован иа печатной плате из того же материала. Транзисторы выходных каскадов УНЧ установлены на литых ребристых силумпнопых радиаторах. Для циркуляции воздуха на нижней крышке блока ОПУ-УНЧ против радиаторов расположен ряд отверстий.  [3]

Принципиальная электрическая схема блока питания стереофонического усилителя Электрон-20.  [4]

Стереофонический усилитель НЧ Электрон — 20э выполнен в виде трех конструктивно законченных блоков: коммутационно-усилительного блока и двух выносных громкоговорителей.  [5]

Электромонтажная схема печатной платы блока коммутации ( А1.  [6]

Стереофонический усилитель Электрон-104 — стерео состоит из трех отдельных функционально-конструктивных блоков: коммутационно-усилительного блока и двух выносных акустических систем и комплекта соединительных кабелей.  [7]

Стереофонические усилители низкой частоты, применяемые в радиовещательных приемниках, электропроигрывателях, электрофонах, магнитофонах и других устройствах, построены по двухканальной схеме, но в отличие от монофонических усилителей они в большинстве случаев имеют два идентичных по схеме и параметрам канала, смонтированных на общем шасси и нагруженных на свои также идентичные акустические системы. В стереофонических усилителях применяют, как правило, только спаренные регуляторы громкости и тембра, управляемые одной ручкой.  [8]

Блок стереофонического усилителя НЧ представляет собой схемно и конструктивно законченную часть электрофона. Он состоит из металлического основания ( шасси), на котором укреплены две печатные платы усилителей УНЧ-1 и УНЧ-2, узлы и детали блока питания ( БП), а также гнезда контактных разъемных соединений для внешних подключений. На передней стенке закреплены блок коммутации с предварительным усилителем, регуляторы громкости, стереобаланса и тембра. Такая конструкция двухканального усилителя НЧ позволяет проверять и налаживать его отдельно до установки в корпус электрофона.  [9]

В стереофоническом усилителе — применены уз лы и детали следующих типов.  [10]

В стереофоническом усилителе применены узлы и детали следующих типов.  [11]

Схемы включения регуляторов СТереобаланса. | Схема включения регулятора стереобаланса с дистанционным управлением.  [12]

В высококачественных стереофонических усилителях регулятор стереобаланса, как правило, делают выносным. Благодаря этому емкость соединительных проводов не влияет на частотные и фазовые характеристики каналов усилителя.  [13]

ВЭФ-101-стерео — стереофонический усилитель звуковой частоты 1-го класса представляет собой усилительно-коммутационное устройство с двумя выносными акустическими системами. Стереоусилитель предназначен для высококачественного усиления стереофонических и монофонических музыкальных и речевых программ от радиоприемников, тюнеров, электропроигрывателей, магнитофонов и других источников звуковых сигналов при озвучивании эстрадных, клубных и бытовых помещений. В стереоусилителе предусмотрена возможность подключения магнитофона на запись от любого из вышеперечисленных источников звуковых программ.  [14]

В состав стереофонического усилителя Электрон-20 входят два громкоговорителя открытого типа. Конструкция каждого из них представляет собой пенопластовый ящик с толщиной стенок 1 5 мм. На боковых стенках имеются декоративные накладки из листового крашеного металла. Лицевая сторона снаружи покрыта декоративной радиоткаиью, внутри корпуса на передней панели закреплены четыре динамические головки громкоговорителей прямого излучения. Для улучшения качества звучания динамические головки в корпусе отделены одна от другой пенопластовыми перегородками. К выходу коммутационно-усилительного блока громкоговорители подключаются с помощью шнуров со стандартными разъемами.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Патент США на тонкий алмазный усилитель электронного пучка для усиления электронного пучка и способ получения усиленного электронного пучка с использованием того же патента (Патент № 6100639, выданный 8 августа 2000 г.)

Настоящее изобретение относится к усилителям и, в частности, к усилителям электронного пучка .

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Алмаз является превосходным электрическим изолятором; однако известно, что алмаз можно заставить проводить электрический ток при освещении пучком электронов. Один из заявителей (Лин) запатентовал алмазный переключатель (патент США №4,993033, выданном 12 февраля 1991 г.), в котором алмазная мишень проводит электрический ток в электрической цепи, когда алмазная мишень освещается электронами с поверхности, излучающей электроны. Принципы этого патента включены сюда в качестве ссылки.

Электронные устройства с полевой эмиссией хорошо известны. В патенте США. В патенте № 5355093, выданном Треадо и Лину 11 октября 1994 г., была описана схема электронного усилителя, в которой микроволновый сигнал стимулировал стробированную эмиссионную матрицу для испускания модулированного электронного луча, который, в свою очередь, освещал алмаз в алмазном переключателе, создавая усиленный СВЧ-сигнал в схеме усилителя. Принципы этого патента также включены сюда в качестве ссылки.

Плоскопанельные дисплеи относительно новы, но в последнее время они стали крупным бизнесом. В январском выпуске журнала Photonics Spectra прогнозируется, что к 2000 году рынок плоских дисплеев достигнет 20 миллиардов долларов. В 1995 году около 87% продаж плоских дисплеев приходилось на устройства с жидкокристаллическими дисплеями с активной матрицей (AMLCO). Согласно майскому выпуску 1993 года. полевых эмиттеров IEEE Spectrum приходится 0,1% мирового рынка плоских дисплеев. Устройства FED предшествующего уровня техники описаны в статье «Помимо AMLCD: дисплеи Field Emission?» в ноябре 1994 выпуск журнала Solid State Technology, статья которого включена сюда в качестве ссылки.

РИС. 1 описывает типичное устройство FED. Электроны высвобождаются из эмиттера 2 на катодной пластине 4 и ускоряются (за счет электрического потенциала между катодной пластиной 4 и электродным слоем 10) по направлению к слою люминофора 6 на лицевой пластине 8. Напряжение, подаваемое на затворы 12, регулирует поток электронов и, таким образом, яркость. отдельных областей пикселей слоя люминофора 6. Слой люминофора 6 и электродный слой 10 закреплены на стеклянной лицевой панели 8.

Большинство FED должны работать в очень высоком вакууме не только для обеспечения длинного свободного пробега, но и для поддержания чистой среды для эмиттеров. Электродные пластины обычно представляют собой металлы, и были разработаны различные методы изготовления наконечников эмиттера, чтобы увеличить поток электронов от электродной пластины. Серьезная проблема с современными FED заключается в том, что обратная ионная бомбардировка люминофора повреждает наконечники эмиттера. Другая проблема заключается в том, что для желаемого выходного тока требуются электрические поля вблизи пределов пробоя, что приводит к сокращению срока службы массива эмиттеров.

Необходимо простое устройство для усиления электронного луча.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение предлагает тонкий алмазный усилитель электронного пучка. Сторона освещения тонкого алмаза освещается затравочным электронным пучком, создающим в алмазе электронно-дырочные пары. Потенциал напряжения обеспечивает электрическое поле между освещенной стороной алмаза и ускоряющей сеткой, противоположной стороне излучения алмаза. Электроны, выпущенные в алмазе, ускоряются через испускающую сторону алмаза по направлению к ускорительной сетке, создавая усиленный электронный пучок. Предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения полезны для создания плоских дисплеев и замен термоэлектронных катодов.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

РИС. 1 показан FED предшествующего уровня техники.

РИС. 2 описывает один вариант осуществления настоящего изобретения.

РИС. 3 показана глубина проникновения электронов с энергией 60 кэВ в алмаз.

РИС. 4 показано доказательство основной установки.

РИС. 5 показано применение настоящего изобретения для обеспечения дисплея с плоской панелью.

РИС. 6 показана замена термоэмиссионным катодам.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ВОПЛОЩЕНИЯ

Настоящее изобретение может быть описано со ссылкой на чертеж.

РИС. 2 представляет собой простой чертеж, показывающий элементы и описывающий функцию настоящего изобретения. Слаботочный электронный пучок 20 проходит через электронный прозрачный электрод 22, освещая очень тонкий алмаз 24. Поскольку электроны в пучке 20 взаимодействуют с атомами в алмазе 24, на каждые 16,5 эВ энергии в пучке 20 создается примерно одна электронно-дырочная пара. толщина алмаза 24 предпочтительно согласована с энергией электронов в пучке 20 так, чтобы электроны в пучке 20 полностью проникали в алмаз 24. На фиг. 3 показана скорость выделения энергии в зависимости от толщины алмаза для электронных пучков с энергией 60 кэВ. Таким образом, для электронного пучка с энергией 60 кэВ рекомендуется толщина алмаза около 15 микрон. Более тонкие алмазные пластины будут согласовываться с электронным пучком с более низкой энергией. Например, алмаз толщиной 1 мкм будет соответствовать электронам с энергией 10 кэВ. Алмаз 24 изготовлен для обеспечения очень малого или отрицательного сродства к электрону (NEA) на выходной поверхности 28. Это означает, что существует очень маленький или нулевой барьер для электронов, покидающих алмаз 24 и проходящих в вакуумное пространство 30.

Электрическое поле между прозрачным электродом 22 и ускоряющей сеткой 32 создается источником напряжения 21. За счет создания небольшого вакуумного пространства 30 можно обеспечить очень сильное электрическое поле при умеренном напряжении. Хорошей комбинацией является пространство размером 100 микрон и потенциал 1000 вольт для создания поля около 10 кВ/см в вакуумной области диода.

Часть электронов, генерируемых в алмазе 24, вытягивается из алмаза 24 электрическим полем для создания усиленного луча. Например, теоретическое усиление тока, создаваемое электроном с энергией 10 кэВ, может достигать примерно 600. Таким образом, ток освещения 1,7 мА теоретически может давать выходной ток 1000 мА (т.е. один ампер).

ЭКСПЕРИМЕНТ ДЛЯ ПОДТВЕРЖДЕНИЯ ПРИНЦИПА

Заявители сконструировали диодную сборку для демонстрации концепции алмазного катода, бомбардируемого электронами. Структура схематически показана на фиг. 4. Он состоял из пластины природного алмаза типа IIa толщиной 10-15 мкм (точная толщина не измерялась) 24, закрепленной на катоде 70. Держатель катода 70 изготовлен из тонкой графитовой пластины с гальваническим покрытием. Катододержатель 70, в свою очередь, был установлен на изоляторе 71. В середине катододержателя было просверлено отверстие диаметром один миллиметр, чтобы первичный электронный пучок мог бомбардировать алмаз 24. Анод 72 также был изготовлен из графита, но без позолоты. Графит выбран для анода из-за его низкого коэффициента вторичной электронной эмиссии.

Алмазная пластина 24 была покрыта только с одной стороны тонкими слоями металлов, которые служат в качестве электрического контакта с катододержателем. Типичными материалами, используемыми для этой металлизации, являются вольфрам с золотым покрытием. Толщина этих слоев составляла 500 .анг/1500 .анг. каждый. Алмазная пластина была помещена в водородную плазму для обработки заделки поверхности.

Диодная сборка была помещена в вакуумную камеру с электронной пушкой. Типичные условия вакуума в камере, где проводились эти эксперименты, составляли 2-3×10-6 торр.

Электронная пушка генерировала слаботочный электронный пучок (до 20 мА) с энергией электронов от 30 до 55 кВ. Электронному лучу давали возможность сфокусироваться и двигаться так, чтобы большая часть луча падала на металлизированную сторону алмаза. Бомбардирующий электронный луч проникал в алмазную мишень, создавая множество электронно-дырочных пар, в результате чего алмазная мишень становилась электропроводной. Ток контролировался монитором 75. Зазор между анодом 72 и алмазом 24 контролировался приводом 77.

Затем электроны дрейфуют в сторону непокрытой (эмиссионной) стороны под влиянием приложенного электрического поля. Некоторые из этих электронов рекомбинируют с дырками, прежде чем достигнут эмиссионной стороны. Процесс рекомбинации уменьшает количество электронов, доступных для эмиссии в вакуум. Чем выше напряженность приложенного поля, тем меньше рекомбинационные потери. Напряженность поля ограничена пробоем между поверхностями катода и анода, в эксперименте приложенное напряжение было ограничено 150 В. Расстояние между анодом и катодом в эксперименте не могло быть точно измерено, но оценивалось в 100–150 . мама. Поэтому среднее поле в области диода составляло всего 1—1,5 в/мкм.

При более низкой энергии электронов ток эмиссии электронов был очень мал. Но с увеличением энергии первичных электронов наблюдалась все большая и большая эмиссия электронов. Были созданы плотности тока, превышающие 20 А/см 2 , и это соответствовало ограничениям Закона Чайлда.

ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ СТРОЙСТВО К ЭЛЕКТРОНАМ

Важно, чтобы эмиссионная сторона алмаза имела низкое и предпочтительно отрицательное сродство к электрону. Было предсказано, что поверхности алмаза <111> и <100>, когда водород заканчивается, демонстрируют отрицательное сродство к электрону. Эксперименты заявителей подтверждают вывод об отрицательном сродстве к электрону поверхности <111> алмаза с концевыми водородными группами. Известно, что цезий проявляет NEA, но химически очень реактивен. С другой стороны, алмаз очень стабилен. Эксперименты заявителя показали, что алмазное излучение не ухудшается ни воздухом, ни влагой.

ПЛОСКИЕ ДИСПЛЕИ С ПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ

Потенциальное основное применение этой концепции связано с плоскими дисплеями с полевой эмиссией. В этом случае обычные автоэмиттерные катоды используются для освещения пучком электронов алмазного катода, который усиливает ток в пучке. При этом первичные полевые эмиттеры изолированы от воздействия выходного люминофора куском алмазной пленки, которая является химически стойкой. Исключается обратная ионная бомбардировка, связанная с люминофором и его газовой нагрузкой. Кроме того, резко снижаются требования к первичным полевым эмиттерам, так как требуются меньшие токи эмиссии. Как правило, для получения необходимого тока без последующего усиления требуются электрические поля, близкие к пределам пробоя, и срок службы массива невелик. В усилителе с бомбардированным алмазным катодом конструкция первичного полевого эмиттера может быть намного более надежной, что приводит к улучшенным характеристикам излучения и срока службы.

Эксперименты в TTC продемонстрировали ограниченную по закону Чайлда плотность эмиссионного тока 20 ампер/см 2 . Таким образом, алмазные катоды могут излучать очень большие плотности тока. В настоящее время проводятся эксперименты для проверки большого усиления по току. В предыдущих экспериментах без надлежащего замыкания водородной поверхности и с неизвестной ориентацией поверхности наблюдалось усиление тока в 12 раз.

РИС. 5 представляет собой чертеж, описывающий настоящее изобретение, используемое для обеспечения дисплея с плоской панелью. Массив 40 полевых эмиттеров предшествующего уровня техники с наконечниками 42 эмиттера обеспечивает пространственно изменяющийся затравочный ток, управляемый затворами 44. Источник 46 напряжения ускоряет электроны от массива 40 к аноду 48 и в алмаз 24, где электрон создает множество электронно-дырочных пар. Электроны вытягиваются из алмаза 24 ускоряющей сеткой 32 на поверхность люминофора 50 для создания пространственно изменяющегося изображения. Элементы, показанные на фиг. 5 установлены на стеклянной лицевой панели 52. Для плоскопанельных дисплеев мы рекомендуем использовать алмазы, полученные методом химического осаждения из паровой фазы (алмазы CVD). Такие алмазы могут быть изготовлены в виде больших плоских листов соответствующей толщины.

ЗАМЕНА ТЕРМОЭЛЕКТРОННОГО КАТОДА

РИС. 6 показано применение настоящего изобретения для замены термоэмиссионных катодов, которые являются большими потребителями электрического тока из-за мощности нагрева катода. Обычный слаботочный полевой эмиттер 60 создает слаботочный электронный пучок 62, который ускоряется в алмаз 24 анодом 64, образующим электронно-дырочные пары. Электроны вытягиваются из алмаза 24 ускоряющей сеткой 32 для создания усиленного пучка 66, который фокусируется фокусирующей сеткой 68.

Вышеприведенные описания не ограничивают объем настоящего изобретения, а являются примерами предпочтительных вариантов осуществления. Специалисты в данной области техники увидят множество возможных вариаций, которые входят в его объем. Объем изобретения описан в следующих пунктах формулы изобретения:

Концептуальные конструкции генератора FEL (лазер на свободных электронах) 50 нм и усилителя SASE (самоусиление спонтанного излучения) 20-40 нм

Концептуальные проекты генератора FEL (лазер на свободных электронах) 50 нм и усилителя SASE (самоусиление спонтанного излучения) 20-40 нм

• Гольдштейн, Джон К.
;
• Маквей, Брайан Д.
;
• Эллиотт, К. Джеймс

Аннотация

Эта статья состоит из двух частей: концептуальная конструкция и оптические рабочие характеристики кольцевого резонатора со скользящим углом падения, использующего многогранные металлические зеркала, для использования с 50-нм генератором XUV FEL, управляемым высокочастотным линейным ускорителем; и требования электронного пучка и вигглера для усилителя с самоусиливающимся спонтанным излучением (SASE) для получения высокой мощности в диапазоне длин волн от 20 до 40 нм. Основой для этих исследований является код трехмерного моделирования ЛСЭ FELEX, который используется для получения допусков на фигуру зеркала и тепловое искажение, чувствительность выравнивания и альтернативные методы связи по выходу.