100N03L UTC Дискретные полупроводниковые приборы
STD100N03L-1 STD100N03L N-CHANNEL 30V – 0.0045Ω – 80A – DPAK – IPAK Planar STripFET™ MOSFET General features Type STD100N03L STD100N03L-1
■ ■ ■ Package ID Pw VDSSS 30 V 30 V RDS(on) <0.0055 Ω 80 A(1) 110 W <0.0055 Ω 80 A(1) 110 W 3 1 1 3 2 100%AVALANCHE TESTED SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) LOGIC LEVEL THRESHOLD DPAK IPAK Description This MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronic unique “Single Feature Size™” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical aligment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. This new improved device has been specifically designed for Automotive application and DC-DC converters. Internal schematic diagram Applications
■ ■ HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING DC-DC CONVERTER AUTOMOTIVE Order codes Sales Type STD100N03LT4 STD100N03L-1 Marking D100N03L D100N03L-1 Package DPAK IPAK Packaging TAPE & REEL TUBE September 2005 Rev 2 1/14 w w w.
Symbol V(BR)DSS IDSS On/Off states Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current (VGS = 0) Gate Body Leakage Current (VDS = 0) Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On Resistance Static Drain-Source On Resistance Test Conditions ID = 250µA, V GS= 0 VDS = Max Rating, VDS = Max Rating, Tc=125°C VDS = ± 20 V VDS= VGS, ID = 250 µA VGS= 10 V, ID= 40 A VGS= 5 V, ID= 20 A VGS= 10 V, ID= 40 A @125°C VGS= 5 V, ID= 20 A @125°C 1 0.0045 0.008 0.0068 0.0146 0.0055 0.01 Min. 30 10 100 ±200 Typ. Max. Unit V µA µA nA V Ω Ω Ω Ω IGSS VGS(th) RDS(on) RDS(on) Table 5. Symbol gfs Note 4 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd RG Dynamic Parameter Forward Transcon
Каталог Активни Съставки | Page 32 > www.apps4top.co.uk
Популярни
5шт UT100N03L UT100N03 100N03L TO-220 В наличност
3.
91лв.
Популярни
5шт TEA1601T TEA1601 1601 СОП-16 на нов оригинален В наличност
4.89лв.- 5 Звезди
Популярни
LTC3559EUD LTC3559EUD-1 LTC3559 LCMB — За Зарядно устройство USB с две регулатори
5.00лв.Добре дошли в Electronics POCCIO LTC3559EUD LTC3559EUD-1 LTC3559 — За зарядно устройство USB с двете регулиране Buck Характеристики и предимства Зарядно устройство за Автономно Зарядно устройство, USB До 950 ma Ток на зареждане е Програмирана с помощта на един резистор
Разпродажба
(10 бр) Нов чипсет MP8126 MP8126DR MP8126DR-LF-Z QFN-24
01лв.- 4.00 Звезди
Разпродажба
(5 бр) Нов чипсет AOZ1268QI-02 Z1268Q12 Z1268012 QFN
Популярни
1 бр./лот TOP264EG ESIP7
1.95лв.Добре дошли в нашия магазин, ако закупите повече, моля свържете се с нас
- 5.00 Звезди
Разпродажба
(10 бр) чисто Нов чипсет IR2110S IR2112S IR2113S IR2110STRPBF IR2112STRPBF IR2113STRPBF соп-16
01лв.Популярни
5шт A2C00044738 B4 ATIC113 Авто компютърен чип, на склад чисто нов и оригинален
21.89лв.- 1.00 Звезди
Популярни
MT6356W MT6358W MT6370P MT6371P MT6355W MT6335WP MT6336WP MT6355VNW MT6177W MT6177MV MT6337WP MT6359VKP MT6359P MT6380P MT6360P
1.88лв.Популярни
ATMEGA8-16PU ATMEGA8 DIP Нов оригинал
4.
- 5 Звезди
Разпродажба
Направи си САМ метал Детектор Комплект Комплект 18650 USB Power Bank Калъф DC 3-5-60 мм Безконтактен Модул Заплати Сензор Електронен Комплект метал Детектор
Направи си САМ Комплект Комплект метал детектор е Електронен Комплект DC 3-5-60 мм Безконтактен Модул Заплати Сензор Детектор за Метал 18650 Батерия USB Калъф за банката на храна Описание: ЗАБЕЛЕЖКА: БАТЕРИЯ В КОМПЛЕКТА НЕ Е ВКЛЮЧЕНА!Моля,
- 5 Звезди
Популярни
1 бр./лот STM32F030F4P6 STM32F042F6P6 STM32F070F6P6 STM8L051F3P6 STM8L101F3P6 STM8S003F3P6 STM8S103F3P6 TSSOP-20 В наличност
1.
33лв.
Разпродажба
5 бр./лот EC11 Ротационен Енкодер Кодекс Превключвател на 360 Градуса Цифров Потенциометър 7 Контакти Височината на Вала 20 mm Диаметър на Вала 6 мм за Arduino
Описание: Ротационен енкодер, наричан още кодиране на вала, представлява электромеханическое устройство, което преобразува ъгловото положение или движение на вала или оста в цифрови изходните сигнали.Въртящи се энкодеры се използват в широк
- 5 Звезди
Разпродажба
ТЕК1-12706 12703 12704 12705 12708 12709 12710 12712 12715 Термоелектрически Охладител Peltier 40*40 mm 12 В Модул елемент на Пелтие
40лв.
Описание : Се съхранява в хладилник лед за броени минути или загрейте до кипене, само с промяна на полярността, която се използва за много приложения, от процесорни охладители до алтернативни източници на храна, или дори за вашите собствени обичай
- 5 Звезди
Популярни
10 БР. BT151-800R BT151-800 управляем токоизправител BT151 7,5 И/800 ДО 220 Нова Оригинална Безплатна Доставка
1.93лв.- 5 Звезди
Разпродажба
5 Стойности на 100 бр./лот Супер 3528 1210 SMD LED Червен/Зелен/Син/Жълт/Бял 20 бр. Всеки led диод 3.5*2.8*1.9 мм 3528 Об/G/Б/Ш/Г
58лв.
- 5 Звезди
100N03L — STD100N03L — 30 В, 80 А, МОП-транзистор
Posted on by Pinout
Номер детали: 100N03L, STD100N03L
Функция: 30 В, 80 А, N-канальный МОП-транзистор
Упаковка: DPak, IPak Тип
Производитель: STMicroelectronics
Предварительный просмотр: 9000 7
1 стр.
2 стр.
Описание
STD100N03L-1 STD100N03L N-КАНАЛЬНЫЙ 30 В – 0,0045 Ом – 80 А – DPAK – IPAK Planar STripFET™ MOSFET Общие характеристики Тип STD100N03L STD100N03L-1 Идентификатор корпуса Pw VDSSS 30 В 30 В RDS(on) <0,0055 Ω 80 А(1) 110 Вт <0,0055 Ом 80 A(1) 110 Вт 3 1 1 3 2 100% ЛАВИНЫ ИСПЫТАННЫЕ НА ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ DPAK (TO-252) ПОРОГ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ DPAK IPAK Описание Этот полевой МОП-транзистор является последним усовершенствованием уникального «Single Feature Size™» компании STMicroelectronic.
полосовой процесс. Полученный транзистор демонстрирует чрезвычайно высокую плотность упаковки для низкого сопротивления во включенном состоянии, прочные лавинные характеристики, низкий заряд затвора и менее критичные этапы юстировки, что обеспечивает замечательную воспроизводимость производства. Это новое улучшенное устройство было специально разработано для автомобильных приложений и преобразователей постоянного тока. Внутренняя принципиальная схема Применение СИЛЬНОТОЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА С ВЫСОКИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ АВТОМОБИЛЬНАЯ ТЕХНИКА Коды для заказа Тип STD100N03LT4 STD100N03L-1 Маркировка D100N03L D100N03L-1 Упаковка DPAK IPAK Упаковка TAPE & REEL TUBE Сентябрь 2005 г. Ред. 2 1/14 www.st.com 14 1 Электрические характеристики STD100N03L – STD100N03L-1 1 Таблица 1. Электрические характеристики Абсолютные максимальные характеристики Параметр Напряжение сток-исток (VGS = 0) Напряжение затвор-исток Ток стока (длительный) при TC = 25°C Ток стока (длительный) при TC = 100° C Ток стока (импульсный) Общее рассеивание при TC = 25°C Значение коэффициента снижения 30 ± 20 80 70 320 110 0,73 3,9От -55 до 175 Единица В В A A A W Вт/°C В/нс °C Обозначение VDS VGS ID Примечание 1 ID IDM Примечание 2 PTOT dv/dt Примечание 3 Пиковое напряжение восстановления диода Крутизна Tj Tstg Рабочая температура перехода Температура хранения Таблица 2.
Корпус Rthj Rthj-amb Tl Тепловые данные Тепловое сопротивление переход-корпус Макс. Тепловое сопротивление переход-окружающая среда Макс. Максимальная температура вывода для пайки (в течение 10 с на расстоянии 1,6 мм от корпуса) 1,36 100 275 °C/Вт °C/Вт °C Таблица 3. Символ IAV EAS Avalanche характеристики Параметр Неповторяющийся лавинный ток (длительность импульса ограничена Tj max) Энергия одиночной импульсной лавины (начальная Tj=25°C, ID=IAV, VDD = 24 В Значение 40 Единица измерения A 500 мДж 2/14 Бесплатный техпаспорт http:// STD100N03L – STD100N03L-1 2 Электрические характеристики 2 Электрические характеристики (TCASE = 25 °C, если не указано иное) Таблица 4. Символ V(BR)DSS IDSS Состояния включения/выключения Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение на затворе при нулевом токе Ток стока (VGS = 0) Ток утечки корпуса затвора (VDS = 0) Пороговое напряжение затвора Статическое сопротивление сток-исток при постоянном сопротивлении Статическое сопротивление сток-исток Условия испытаний ID = 250 мкА, В GS= 0 VDS = максимальное номинальное значение, VDS = максимальное номинальное значение, Tc=125°C VDS = ± 20 В VDS= VGS, ID = 250 мкА VGS= 10 В, ID= 40 А VGS= 5 В, ID= 20 А VGS= 10 В, ID= 40 А при 125°C VGS= 5 В, ID= 20 А при 125°C 1 0,0045 0,008 0,0068 0,0146 0,0055 0,01 Мин.
30 10 100 ±200 Тип. Макс. Единица В мкА мкА нА В Ом Ом Ом IGSS VGS(th) RDS(on) RDS(on) Таблица 5. Символ gfs Примечание 4 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd RG Динамический параметр Forward Transcon […]
100N03L Лист данных
Избранные сообщения
- YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
- LTK5128 — Микросхема усилителя звука
- 4558D — двойной операционный усилитель
- 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
- 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
- 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения
Последние сообщения
- Техническое описание IRL540N — 100 В, 36 А, МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором
- Техническое описание BC550 — 45 В, 100 мА, транзистор NPN
- BC549 Datasheet PDF — 30 В, 100 мА, транзистор NPN
Datasheet Search Site
- DataSheet39.
com - DataSheetsPDF.com
- Новый список обновлений
comПоиск по блогам
Искать:Архивы
100N03L Дискретные полупроводники UTC — Jotrin Electronics
STD100N03L-1 STD100N03L N-КАНАЛЬНЫЙ 30 В – 0,0045 Ом – 80 A – DPAK – IPAK Planar STripFET™ MOSFET Общие характеристики Тип STD100N03L STD100N03L-1
■ ■ ■ Идентификатор упаковки Pw VDSSS 30 В 30 В RDS(on) <0,0055 Ом 80 A(1) 110 Вт <0,0055 Ом 80 A(1) 110 Вт 3 1 1 3 2 -252) ПОРОГ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ DPAK IPAK Описание Этот полевой МОП-транзистор является последним усовершенствованием уникального процесса STMicroelectronic «Single Feature Size™» на основе ленты. Полученный транзистор демонстрирует чрезвычайно высокую плотность упаковки для низкого сопротивления во включенном состоянии, прочные лавинные характеристики, низкий заряд затвора и менее критичные этапы юстировки, что обеспечивает замечательную воспроизводимость производства. Это новое улучшенное устройство было специально разработано для автомобильных приложений и преобразователей постоянного тока.
Внутренняя принципиальная схема Применение
■ ■ СИЛЬНОТОЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА С ВЫСОКОЙ КОММУТАЦИЕЙ ДЛЯ АВТОМОБИЛЕЙ Коды заказов Тип STD100N03LT4 STD100N03L-1 Маркировка D100N03L D100N03L-1 Упаковка DPAK IPAK Упаковка TAPE & REEL TUBE Сентябрь 2005 г. Ред. 2 1/14 w w w. st .com 14 1 Электрические характеристики STD100N03L — STD100N03L-1 1 Таблица 1. Электрические характеристики Абсолютные максимальные характеристики Параметр Напряжение сток-исток (VGS = 0) Напряжение затвор-исток Ток стока (длительный) при TC = 25°C Ток стока (длительный) ) при TC = 100°C Ток стока (импульсный) Общее рассеивание при TC = 25°C Значение коэффициента снижения 30 ± 20 80 70 320 110 0,73 3,9От -55 до 175 Единица В В A A A W Вт/°C В/нс °C Обозначение VDS VGS ID Примечание 1 ID IDM Примечание 2 PTOT dv/dt Примечание 3 Пиковое напряжение восстановления диода Крутизна Tj Tstg Рабочая температура перехода Температура хранения Таблица 2. Корпус Rthj Rthj-amb Tl Тепловые данные Тепловое сопротивление переход-корпус Макс.
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда Макс. Максимальная температура вывода для пайки (в течение 10 с на расстоянии 1,6 мм от корпуса) 1,36 100 275 °C/Вт °C/Вт °C Таблица 3. Символ IAV EAS Avalanche характеристики Параметр Неповторяющийся лавинный ток (длительность импульса ограничена Tj max) Энергия одиночной импульсной лавины (начало Tj=25°C, ID=IAV, VDD = 24 В Значение 40 Единица измерения A 500 мДж 2/14 STD100N03L — STD100N03L-1 2 Электрические характеристики 2 Электрические характеристики (TCASE = 25 °C, если не указано иное) Таблица 4. Символ V(BR)DSS Состояния включения/выключения IDSS Параметр Напряжение пробоя сток-исток Нулевое напряжение затвора Ток стока (VGS = 0) Ток утечки корпуса затвора (VDS) = 0) Пороговое напряжение затвора Статическое сопротивление сток-исток Статическое сопротивление сток-исток Условия испытаний ID = 250 мкА, В GS= 0 VDS = максимальное номинальное значение, VDS = максимальное номинальное значение, Tc=125°C VDS = ± 20 В VDS= VGS, ID = 250 мкA VGS= 10 В, ID= 40 A VGS= 5 В, ID= 20 A VGS= 10 В, ID= 40 A при 125°C VGS= 5 В, ID= 20 A при 125°C 1 0,0045 0,008 0,0068 0,0146 0,0055 0,01 Мин.
