Транзистор 13009: характеристики, цоколевка, аналоги
13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.
Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.
Содержание
- Корпус, цоколевка
- Предназначение
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры
- Классификация по величине hFE
- Модификации (версии) транзистора 13009
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик транзистора
Корпус, цоколевка
Предназначение
Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.
Характерные особенности
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,5 В при IC = 8 А.
- Высокая скорость переключений: tf ≤ 0,7 мкс.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Характеристика | Обозначение | Величина | |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 700 | |
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 | |
Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 9 | |
Ток коллектора постоянный, А | IC | 12 | |
Ток коллектора импульсный, А | ICP | 24 | |
Ток базы постоянный, А | IB | 6 | |
Предельная рассеиваемая мощность, Вт | Ta = 25°C | PC | 2 |
Tc = 25°C | PC | 100 | |
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | |
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -65…+150 |
Электрические параметры
Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
---|---|---|---|
Характеристики выключенного состояния | |||
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO(sus) | IC = 10 мА, IB = 0 | ≥ 400 |
Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 9,0 В, IC = 0 | ≤ 1,0 |
Характеристики включенного состояния | |||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭ | UCE(sat) (1) | IC = 5,0А, IB = 1,0 А | ≤ 1,0 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭ | UCE(sat) (2) | IC = 8,0А, IB = 1,6 А | ≤ 1,5 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭ | UCE(sat) (3) | IC = 12,0А, IB = 3,0 А | ≤ 3,0 |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭ | UBE(sat) (1) | IC = 5,0А, IB = 1,0 А | ≤ 1,2 |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭ | UBE(sat) (2) | IC = 8,0А, IB = 1,6 А | ≤ 1,6 |
Статический коэффициент усиления по току ٭ | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А | 8…40 |
hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 8,0 А | 6…30 | |
Характеристики работы в режиме малого сигнала | |||
Граничная частота усиления (частота среза), МГц | fT | IC = 0,5 А, UCE = 10,0 В | ≥ 4 |
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ | Cob | UCB = 10,0 В, f = 0,1 МГц | 180 |
Временные характеристики при резистивной нагрузке | |||
Время нарастания импульса тока, мкс | ton | UCC = 125 В, IC = 8,0 А, IB1 = -IB2 = 1,6 А, RL = 15,6 Ом | 1,1 |
Время сохранения импульса, мкс | ts (tstg) | 3 | |
Время спадания импульса, мкс | tf | 0,7 |
٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.
Классификация по величине h
FEГруппа по величине hFE | h2 | h3 |
---|---|---|
Величина hFE | 8…17 | 15…28 |
Модификации (версии) транзистора 13009
Данные по временным параметрам (ton, ts, tf) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).
Тип | PC Ta=25°C/Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус | Примечания |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 | |
13009A | 2/110 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,5/8,0/0,4 | TO220 | |
13009SDL | 2/100 | 400 | 200 | 9 | 15/- | 150 | 8…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 1,0/6,0/1,0 | TO220 | |
13009T | 2/95 | 700 | 400 | 9 | 11/- | 150 | 8…40 | ≥ 5 | — | ≤ 0,8 | 0,4/6,0/0,4 | TO220 | |
3DD13009 | 2/- | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/4,0/0,9 | TO220 | |
3DD13009A8 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 20…35 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/7,0/0,25 | TO220AB | |
3DD13009AN | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 20…35 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/7,0/0,25 | TO3P(N) | |
3DD13009C8 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 20…30 | ≥ 5 | — | ≤ 1,0 | 0,3/6,0/0,3 | TO220AB | |
3DD13009K | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO220C | |
3DD13009K | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO3PB | |
3DD13009X8D | 2/100 | 350 | 200 | 9 | 12/24 | 150 | 15…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 1,0/4,0/1,0 | TO220AB | |
BR3DD13009 X7R | 2/90 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,5 | -/9,0/0,8 | TO220 | MJE13009X7 |
BR3DD13009 X8F | 2/90 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,5 | -/9,0/0,8 | TO220F | MJE13009X8 |
BR3DD13009X9F | 2/90 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,5 | -/9,0/0,8 | TO3P | MJE13009X9 |
BR3DD13009 Z8F | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO220F | MJE13009Z8 |
FJA13009 | -/130 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | |
FJP13009 | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | |
FJP13009h3TU | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | Группы по hFE: h2, h3 |
FJPF13009 | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | Группы по hFE: h2, h3 |
HMJE13009A | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…22 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220AB | ٭ |
KSE13009F | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO20F | |
KSh23009 | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
KSh23009A | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
KSh23009AF | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
KSh23009AL | -/130 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
KSh23009F | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | Группы по hFE: R, O, Y1, Y2 |
KSh23009L | -/130 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | Группы по hFE: R, O, Y |
KSh23009W | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO263 | (D2PAK) |
MJE13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220AB | ٭ |
MJE13009-3PN | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3PN | |
MJE13009A | -/130 | 700 | 400 | 12 | 12/- | 150 | 5…40 | — | — | ≤ 0,8 | -/9,0/0,15 | TO3P | |
MJE13009D | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | ٭ |
MJE13009F | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…28 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220IS | |
MJE13009-K | 2/- | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/4,0/0,7 | TO220 | ٭ |
MJE13009-K | -/80 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/4,0/0,7 | TO3P | ٭ |
MJE13009-P | 2/- | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220 | ٭ |
MJE13009-P | -/80 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | ≤ 40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO3P | ٭ |
MJE13009Z9 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO3P | 3DD13009Z9 |
MJE13009ZJ | 2/80 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO220S | BR3DD13009ZJ |
MJF13009 | -/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,0/0,7 | TO220F | |
P13009 | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO3PB | |
P13009A | 3/130 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,5/10,0/0,4 | TO3PB | |
PHE13009 | -/80 | 700 | 400 | — | 12/24 | 150 | 8…40 | — | — | ≤ 2,0 | -/3,3/0,7 | TO220AB | ٭ |
SBF13009-O | 2,2/50 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/10,0/0,8 | TO220F | |
SBP13009-K | 2,2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 5…40 | — | — | ≤ 2,0 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
SBP13009-O | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | — | — | ≤ 1,5 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
SBP13009-S | 2,2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | — | — | ≤ 1,0 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
SBW13009-K | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 2,0 | -/10,0/0,8 | TO3P(B) | |
SBW13009-O | -/110 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/10,0/0,8 | TO3P(B) | |
SBW13009-S | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/10,0/0,8 | TO3P(B) | |
ST13009 | -/100 | 700 | 400 | 12 | 12/24 | 150 | 10…39 | — | — | ≤ 1,25 | -/2,5/0,11 | TO220 | ٭٭ |
STW13009 | -/125 | 700 | 400 | 12 | 12/24 | 150 | 10…36 | — | — | ≤ 1,25 | -/2,5/0,11 | TO247 | ٭٭ |
STWh23009 | -/125 | 700 | 400 | 12 | 12/24 | 150 | 11…30 | — | — | ≤ 1,0 | -/2,5/0,14 | TO247 | ٭٭ |
TS13009 | -/100 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 6…40 | ≥ 4 | 180 | ≤ 1,5 | 1,1/3,3/0,5 | TO220 | |
WBP13009-K | 2,2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/25 | 150 | 5…40 | — | — | ≤ 2,0 | -/3,0/0,4 | TO220 | ٭ |
SXW13009 | -/100 | 700 | 400 | — | 12/- | — | 8…40 | — | — | — | -/4,0/- | TO220 |
٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.
٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.
Аналоги
Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производство
Тип | PC Ta=25°C//Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус | Примечания |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 | |
КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | — | ≤ 0,6 | 0,2/3,5/0,6 | КТ-9 | (ТО3) |
КТ840Б | 750 | 350 | ≥ 10 | — | |||||||||
КТ840В | 800 | 375 | 10…100 | ||||||||||
КТ841А, В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 300 | ≤ 1,6 | 0,08/1,0/0,5 | — | — |
КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 102 | ≤ 2,0 | — | КТ-28-2 | (ТО220АВ) |
КТ856А | 50 | 800 | 800 | 5 | 10/12 | 150 | 10…60 | ≥ 10 | ≤ 100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
КТ856Б | 600 | 600 | — | ||||||||||
2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10/12 | — | ≤ 60 | — | — | ≤ 1,5 | -/-/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
2Т856Б | 750 | 750 | — | — | — | ||||||||
2Т856В | 550 | 550 | — | — | — | ||||||||
2Т856Г | 850 | 850 | — | — | — | ||||||||
КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | ≤100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
КТ868Б | 750 | 375 | 10…100 | — | |||||||||
КТ8107А | 100 | 1500 | — | 5 | 8/15 | — | ≥ 2,25 | ≥ 7 | — | ≤ 1,0 | -/3,5/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
КТ8107Б | 125 | 1500 | — | 5 | 5/7,5 | — | ≥ 2,25 | — | ≤ 3,0 | ||||
КТ8107В | 50 | 1500 | — | 5 | 5/8 | — | 8…12 | — | ≤ 1,0 | ||||
КТ8107Г | 100 | 1500 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 3,0 | ||||
КТ8107Д | 100 | 1200 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
КТ8107Е | 100 | 1000 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
КТ8118А | 50 | 900 | 800 | — | 3/10 | — | 10…40 | ≥ 15 | — | ≤ 2,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
КТ8121А | 75 | 700 | 400 | — | 4/8 | — | 8…60 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
КТ8121Б | 600 | 300 | — | — | — | — | |||||||
КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8/16 | — | 5…40 | — | 120 | ≤ 3,0 | 1,6/3,0/0,7 | КТ-28 | (ТО220) |
КТ8126Б1 | 600 | 300 | — | — | |||||||||
КТ8145В | 100 | 500 | 500 | 8 | 15/- | 150 | ≥ 10 | 10 | — | — | — | КТ-27 | (SOT32) |
КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4/8 | 150 | 10…60 | ≥ 4 | ≤110 | ≤ 1,0 | 0,8/4,0/0,9 | КТ-28 | (ТО220) |
КТ8164Б | 600 | 300 | 8…40 | — |
Зарубежное производство
Тип | PC Ta=25°C/Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 |
2SC2335 | 1,5/40 | 500 | 400 | 7 | 7/15 | 150 | 10…80 | — | — | ≤ 1,0 | 1,0/2,5/1,0 | TO220AB |
2SC2898 | -/50 | 500 | 400 | 7 | 8/16 | 150 | ≥ 7 | — | — | ≤ 1,0 | 0,8/2,0/0,8 | TO220C |
2SC5057 | -/100 | 900 | — | — | 20/- | 150 | 38 | — | — | — | — | TO3PL |
2SD2625Z9 | 2/120 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO3P |
3DD209L | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO3PN(B) |
3DD3320AN | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 15…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/3,0/0,35 | TO3P(N) |
3DD13012A8 | 2/100 | 750 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 20…35 | ≥ 5 | — | ≤ 1,0 | 1,0/5,0/0,5 | TO220AB |
BUL743 | -/100 | 1200 | 500 | — | 12/24 | 150 | 24…80 | — | — | ≤ 1,5 | -/3,8/0,5 | TO220 |
BU941 | -/150 | 500 | 400 | 5 | 15/30 | 175 | ≥ 300 | — | — | ≤ 1,8 | -/15,0/0,5 | TO220AB |
D4515 | -/120 | 700 | 400 | 9 | 15-/ | 150 | 8…50 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/3,0/0,7 | TO3PN |
ECG379 | -/100 | 700 | 400 | — | 12/- | 175 | 20 | ≥ 4 | — | — | — | TO220 |
MJE13007/A | -/80 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 5…45 | — | — | ≤ 3,0 | — | TO220 |
MJE340 | -/20,8 | 300 | 300 | 3 | 0,5/- | 150 | 50…240 | — | — | — | — | SOT32* |
P1488 | 3/150 | 750 | 450 | 9 | 15/- | 150 | 8…40 | ≥ 5 | — | ≤ 0,8 | 0,6/5,0/0,4 | TO3PB |
* — (TO126)
Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик транзистора
Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при соотношении токов IC/IB = 3.
Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время задержки tD и время нарастания tR.
tD + tR = ton – время нарастания импульса (включения транзистора).
Характеристики сняты при условиях:
UCC = 125 В напряжение питания.
UBE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.
IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).
Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время сохранения импульса ts (tstg) и время спадания импульса tf.
Характеристики сняты при условиях:
UCC = 125 В напряжение питания.
IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).
Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода Cob транзистора при обратном напряжении коллектор-база UCB.
Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности PC при увеличении температуры корпуса транзистора Tc.
Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.
Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).
Ограничения нагрузок:
- по величине предельного тока коллектора IC ≤ 12 А, ICP ≤ 24 А;
- по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
- по общему перегреву п/п структуры;
- по вторичному пробою п/п структуры.
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.
Характеристика снимается для режима длительности импульса тока коллектора длительностью 10 мкс. Введением обратного смещения базы транзистора (IB2 = -IB1 = -1А) удается повысить устойчивость транзистора по коллекторному напряжению до UCE = 700 В.
Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.
Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.
Транзистор mje 13009 в категории «Электрооборудование»
Транзистор биполярный NPN MJE13009 E13009 J13009 13009 TO-220
Доставка по Украине
7.80 грн
Купить
Транзистор MJE13009 ( W13009 , D13009 , E13009-2 ) , TO220 ( 2SD304X , D304X )
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
45.24 грн
Купить
Запорожье
Транзистор MJE13009L ( E13009L ) оригинал, TO-3P
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
52.20 грн
Купить
Запорожье
Транзистор MJE13009 (TO-220)
Доставка по Украине
35.20 грн
Купить
Транзистор MJE13009 (TO-3P)
Доставка по Украине
54.40 грн
Купить
Транзистор NPN 400В 12А Fairchild MJE13009F TO220F
Доставка из г. Одесса
103.29 грн
Купить
Одесса
Транзистор NPN 400В 12А Fairchild MJE13009L TO3P
Доставка из г. Одесса
123.91 грн
Купить
Одесса
Транзистор NPN 400В 12А ONS MJE13009G TO220AB
Под заказ
Доставка по Украине
103.29 грн
Купить
Транзистор MJE13009-2
Доставка по Украине
20. 50 грн
Купить
Транзистор MJE13009F
Доставка по Украине
29 грн
Купить
Транзистор MJE13009L
Доставка по Украине
52 грн
Купить
Транзистор биполярный MJE13009(=ST13009)
Доставка по Украине
33 грн
Купить
Транзистор биполярный MJE13009L
Заканчивается
Доставка по Украине
65 грн
Купить
MJE13009 транзистор NPN (12А 400В) 100W
Под заказ
Доставка по Украине
26.65 грн
Купить
MJE13009 транзистор NPN (12А 400В) 80W TO-220IS KEC (Korea)
Доставка из г. Киев
24.60 грн
Купить
Смотрите также
MJE13009, транзистор, n-p-n.
Доставка из г. Киев
12 грн
Купить
MJE13009, транзистор, n-p-n.
Доставка из г. Киев
34 грн
Купить
Транзистор MJ11016g , MJ11015g Биполярный транзистор MJ
Доставка из г. Днепр
от 110 грн
Купить
Транзистор E13009 (аналог MJE13009), 400V, 12A, TO-220
Недоступен
108 грн
Смотреть
MJE13009 транзистор NPN (12А 400В) 100W
Недоступен
29. 40 грн
Смотреть
Транзистор биполярный MJE13009-2 (E13009 E13009 13009 E13009-2 J13009-2) NPN 400 В 12 A TO-220
Недоступен
11.61 грн
Смотреть
Транзистор биполярный MJE13009-2 400V 12A (E13009) ТО-220
Недоступен
12.50 грн
Смотреть
Транзисторы MJE13009
Недоступен
10 грн
Смотреть
Транзистор mje13009 NPN 12A 700V 9MHz
Недоступен
12.60 грн
Смотреть
Транзистор MJE13009 E13009 J13009 13009 2шт #410-2
Недоступен
20.80 грн
Смотреть
Полтава
Транзистор биполярный MJE13009
Недоступен
23.50 грн
Смотреть
Транзистор биполярный MJE13009 TO-220 First
Недоступен
28 грн
Смотреть
Транзистор биполярный MJE13009
Недоступен
29.50 грн
Смотреть
Транзистор MJE13009-2 TO-220
Недоступен
13 грн
Смотреть
Импульсные кремниевые силовые транзисторы NPN серии
%PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндообъект 6 0 объект /Title (MJE13009 — Кремниевые силовые NPN-транзисторы серии импульсных режимов) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать 2011-10-26T14:51:59-07:00BroadVision, Inc.2020-10-08T10:28:39+02:002020-10-08T10:28:39+02:00Приложение Acrobat Distiller 9.4.6 (Windows)/ pdf
J9Te`(@cG,>wk }-Wns5 #&+i4!8RqNC о ,/~ŭ rBM/ ч N`c 5bi`(C?={_qlQR[(+
13009 / MJE13009 Распиновка транзистора, эквиваленты, использование, характеристики, особенности и другая информация и др. В этом посте описывается распиновка транзистора 13009, эквиваленты, использование, характеристики, особенности, объяснение, где и как использовать, а также другая полезная информация об этом транзисторе.0009
Объявления
Объявления
Характеристики/Технические характеристики:- Комплектация: ТО-229 9004, ТО-302, ТО-220
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 12 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 24 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 400 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 700 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В
- Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 100 Вт
- Макс. частота перехода (fT): 4 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 8–40
- Максимальная температура хранения должна быть: от -65°C до +150°C по Цельсию
- Максимальная температура перехода: 150°C
MJE13008, KSE13009, KSE13008, 2SC3306, MJE13008, 2SC3257
13009. производители с разными номерами деталей, такими как STW13009, FJP13009 и т. д. Они также доступны в серии MJE многими производителями. Спецификации MJE13009 также одинаковы, но вы найдете незначительные различия между MJE13009.и другие транзисторы 13009, но они взаимозаменяемы. В основном они доступны в корпусе TO-220, но некоторые производители также выпускают их в корпусах TO-3P и TO-247, а некоторые MJE13009 также доступны в корпусе TO-220F.Транзистор имеет много хороших характеристик, которые делают его надежным и идеальным для использования во многих промышленных приложениях, таких как способность работать при высоких напряжениях, хорошие характеристики при высоких температурах и очень быстрое переключение.
Основными областями применения транзистора являются контроллеры двигателей, импульсные регуляторы, коммутация высокого напряжения, драйверы соленоидов, высокоскоростное преобразование постоянного тока в постоянный, отклоняющие устройства и т. д.
Характеристики транзистора также весьма интересны: максимальное напряжение между коллектором и базой составляет 700 В, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, максимальный ток коллектора составляет 12 А, максимальный импульсный ток коллектора составляет 24 А, а общее рассеивание устройства составляет 100 Вт.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как уже упоминалось выше, основное применение транзистора — переключение высокого напряжения, контроллер двигателя, импульсные регуляторы, высокоскоростное переключение, преобразование постоянного тока в постоянный, управление соленоидом. , отклонение и т. д., но он также может использоваться в большом количестве других приложений, которые подпадают под его рейтинг, например, в цепях ИБП. Кроме того, его также можно использовать в схемах мощных аудиоусилителей.
Применение:Инверторные схемы
Непрерывные источники питания
Аккумуляторные зарядные устройства и приложения BMS
Solar Applications
Power Suppred
Motor Controllers
Audio A audio и Audio Amplifier и AUDIO AMPLIFIE для безопасной длительной работы в цепи:
Для долговременной и стабильной работы рекомендуется всегда использовать транзистор на 20% ниже его абсолютного максимального номинала. Использование устройства с абсолютными максимальными параметрами может привести к повреждению устройства или снижению его производительности. То же самое относится к 13009транзисторов, максимальный ток коллектора транзистора составляет 12 А, поэтому не подключайте нагрузку более 9,6 А, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 300–320 В.