13009 datasheet: ST13009 (L,H), Транзистор NPN 400В 12А 100Вт 9МГц (=MJE13009), [TO-220AB], ST Microelectronics

Транзистор 13009: характеристики, цоколевка, аналоги

13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.

Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание

1. Корпус, цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Классификация по величине hFE
7. Модификации (версии) транзистора 13009
8. Аналоги
9. Отечественное производство
10. Зарубежное производство
11. Графические иллюстрации характеристик транзистора

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.

Характерные особенности

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO ≥ 400 В.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1,5 В при I_C = 8 А.
• Высокая скорость переключений: t_f ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	9
Ток коллектора постоянный, А		IC	12
Ток коллектора импульсный, А		ICP	24
Ток базы постоянный, А		IB	6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	Ta = 25°C	PC	2
	Tc = 25°C	PC	100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-65…+150

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO(sus)	IC = 10 мА, IB = 0	≥ 400
Ток эмиттера выключения, мА	IEBO	UEB = 9,0 В, IC = 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (3)	IC = 12,0А, IB = 3,0 А	≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А	8…40
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 8,0 А	6…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 0,5 А, UCE = 10,0 В	≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10,0 В, f = 0,1 МГц	180
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мкс	ton	UCC = 125 В, IC = 8,0 А, IB1 = -IB2 = 1,6 А, RL = 15,6 Ом	1,1
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		3
Время спадания импульса, мкс	tf		0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Классификация по величине h

_FE

Группа по величине hFE	h2	h3
Величина hFE	8…17	15…28

 

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
13009A	2/110	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,5/8,0/0,4	TO220
13009SDL	2/100	400	200	9	15/-	150	8…30	≥ 4	—	≤ 1,0	1,0/6,0/1,0	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	8…40	≥ 5	—	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
3DD13009	2/-	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/4,0/0,9	TO220
3DD13009A8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO220AB
3DD13009AN	3/120	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO3P(N)
3DD13009C8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…30	≥ 5	—	≤ 1,0	0,3/6,0/0,3	TO220AB
3DD13009K	-/100	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO220C
3DD13009K	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PB
3DD13009X8D	2/100	350	200	9	12/24	150	15…30	≥ 4	—	≤ 1,0	1,0/4,0/1,0	TO220AB
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220	MJE13009X7
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F	MJE13009X8
BR3DD13009X9F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO3P	MJE13009X9
BR3DD13009 Z8F	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220F	MJE13009Z8
FJA13009	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P
FJP13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220
FJP13009h3TU	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: h2, h3
FJPF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: h2, h3
HMJE13009A	2/100	700	400	9	12/24	150	5…22	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
KSE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO20F
KSh23009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009A	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009AF	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009AL	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009L	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y
KSh23009W	-/100	700	400	9	12/-	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO263	(D2PAK)
MJE13009	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
MJE13009-3PN	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3PN
MJE13009A	-/130	700	400	12	12/-	150	5…40	—	—	≤ 0,8	-/9,0/0,15	TO3P
MJE13009D	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…28	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220IS
MJE13009-K	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-K	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009-P	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-P	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009Z9	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P	3DD13009Z9
MJE13009ZJ	2/80	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S	BR3DD13009ZJ
MJF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F
P13009	3/120	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO3PB
P13009A	3/130	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,5/10,0/0,4	TO3PB
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	8…40	—	—	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBF13009-O	2,2/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO220F
SBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	—	—	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-O	-/100	700	400	9	12/25	150	6…40	—	—	≤ 1,5	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-S	2,2/100	700	400	9	12/25	150	6…40	—	—	≤ 1,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBW13009-K	-/120	700	400	9	12/25	150	5…40	≥ 4	—	≤ 2,0	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-O	-/110	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-S	-/120	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	—	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
ST13009	-/100	700	400	12	12/24	150	10…39	—	—	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO220	٭٭
STW13009	-/125	700	400	12	12/24	150	10…36	—	—	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO247	٭٭
STWh23009	-/125	700	400	12	12/24	150	11…30	—	—	≤ 1,0	-/2,5/0,14	TO247	٭٭
TS13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,3/0,5	TO220
WBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	—	—	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SXW13009	-/100	700	400	—	12/-	—	8…40	—	—	—	-/4,0/-	TO220

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (t_s, t_f) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Тип	PC Ta=25°C//Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
КТ840А	60	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	—	≤ 0,6	0,2/3,5/0,6	КТ-9	(ТО3)
КТ840Б		750	350				≥ 10		—
КТ840В		800	375				10…100
КТ841А, В	50	600	350	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	300	≤ 1,6	0,08/1,0/0,5	—	—
КТ854А	60	600	500	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	102	≤ 2,0	—	КТ-28-2	(ТО220АВ)
КТ856А	50	800	800	5	10/12	150	10…60	≥ 10	≤ 100	≤ 1,5	—	КТ-9	(ТО3)
КТ856Б		600	600								—
2Т856А	125	950	950	5	10/12	—	≤ 60	—	—	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(ТО3)
2Т856Б		750	750			—		—	—
2Т856В		550	550			—		—	—
2Т856Г		850	850			—		—	—
КТ868А	70	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	≤100	≤ 1,5	—	КТ-9	(ТО3)
КТ868Б		750	375				10…100				—
КТ8107А	100	1500	—	5	8/15	—	≥ 2,25	≥ 7	—	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-9	(ТО3)
КТ8107Б	125	1500	—	5	5/7,5	—	≥ 2,25		—	≤ 3,0
КТ8107В	50	1500	—	5	5/8	—	8…12		—	≤ 1,0
КТ8107Г	100	1500	—	6	10	—	—		—	≤ 3,0
КТ8107Д	100	1200	—	6	10	—	—		—	≤ 1,0
КТ8107Е	100	1000	—	6	10	—	—		—	≤ 1,0
КТ8118А	50	900	800	—	3/10	—	10…40	≥ 15	—	≤ 2,0	—	КТ-28	(ТО220)
КТ8121А	75	700	400	—	4/8	—	8…60	≥ 4	—	≤ 1,0	—	КТ-28	(ТО220)
КТ8121Б		600	300	—		—			—		—
КТ8126А1	80	700	400	9	8/16	—	5…40	—	120	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(ТО220)
КТ8126Б1		600	300			—		—
КТ8145В	100	500	500	8	15/-	150	≥ 10	10	—	—	—	КТ-27	(SOT32)
КТ8164А	75	700	400	9	4/8	150	10…60	≥ 4	≤110	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(ТО220)
КТ8164Б		600	300				8…40		—

Зарубежное производство

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
2SC2335	1,5/40	500	400	7	7/15	150	10…80	—	—	≤ 1,0	1,0/2,5/1,0	TO220AB
2SC2898	-/50	500	400	7	8/16	150	≥ 7	—	—	≤ 1,0	0,8/2,0/0,8	TO220C
2SC5057	-/100	900	—	—	20/-	150	38	—	—	—	—	TO3PL
2SD2625Z9	2/120	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P
3DD209L	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PN(B)
3DD3320AN	3/120	700	400	9	15/30	150	15…30	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/3,0/0,35	TO3P(N)
3DD13012A8	2/100	750	400	9	15/30	150	20…35	≥ 5	—	≤ 1,0	1,0/5,0/0,5	TO220AB
BUL743	-/100	1200	500	—	12/24	150	24…80	—	—	≤ 1,5	-/3,8/0,5	TO220
BU941	-/150	500	400	5	15/30	175	≥ 300	—	—	≤ 1,8	-/15,0/0,5	TO220AB
D4515	-/120	700	400	9	15-/	150	8…50	≥ 4	—	≤ 1,5	-/3,0/0,7	TO3PN
ECG379	-/100	700	400	—	12/-	175	20	≥ 4	—	—	—	TO220
MJE13007/A	-/80	700	400	9	8/-	150	5…45	—	—	≤ 3,0	—	TO220
MJE340	-/20,8	300	300	3	0,5/-	150	50…240	—	—	—	—	SOT32*
P1488	3/150	750	450	9	15/-	150	8…40	≥ 5	—	≤ 0,8	0,6/5,0/0,4	TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

U_BE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода C_ob транзистора при обратном напряжении коллектор-база U_CB.

Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности P_C при увеличении температуры корпуса транзистора T_c.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

• по величине предельного тока коллектора IC ≤ 12 А, ICP ≤ 24 А;
• по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
• по общему перегреву п/п структуры;
• по вторичному пробою п/п структуры.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

Характеристика снимается для режима длительности импульса тока коллектора длительностью 10 мкс. Введением обратного смещения базы транзистора (IB2 = -IB1 = -1А) удается повысить устойчивость транзистора по коллекторному напряжению до UCE = 700 В.

Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.

Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.

Транзистор mje 13009 в категории «Электрооборудование»

Транзистор биполярный NPN MJE13009 E13009 J13009 13009 TO-220

Доставка по Украине

7.80 грн

Купить

Транзистор MJE13009 ( W13009 , D13009 , E13009-2 ) , TO220 ( 2SD304X , D304X )

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

45.24 грн

Купить

Запорожье

Транзистор MJE13009L ( E13009L ) оригинал, TO-3P

На складе в г. Запорожье

Доставка по Украине

52.20 грн

Купить

Запорожье

Транзистор MJE13009 (TO-220)

Доставка по Украине

35.20 грн

Купить

Транзистор MJE13009 (TO-3P)

Доставка по Украине

54.40 грн

Купить

Транзистор NPN 400В 12А Fairchild MJE13009F TO220F

Доставка из г. Одесса

103.29 грн

Купить

Одесса

Транзистор NPN 400В 12А Fairchild MJE13009L TO3P

Доставка из г. Одесса

123.91 грн

Купить

Одесса

Транзистор NPN 400В 12А ONS MJE13009G TO220AB

Под заказ

Доставка по Украине

103.29 грн

Купить

Транзистор MJE13009-2

Доставка по Украине

20. 50 грн

Купить

Транзистор MJE13009F

Доставка по Украине

29 грн

Купить

Транзистор MJE13009L

Доставка по Украине

52 грн

Купить

Транзистор биполярный MJE13009(=ST13009)

Доставка по Украине

33 грн

Купить

Транзистор биполярный MJE13009L

Заканчивается

Доставка по Украине

65 грн

Купить

MJE13009 транзистор NPN (12А 400В) 100W

Под заказ

Доставка по Украине

26.65 грн

Купить

MJE13009 транзистор NPN (12А 400В) 80W TO-220IS KEC (Korea)

Доставка из г. Киев

24.60 грн

Купить

Смотрите также

MJE13009, транзистор, n-p-n.

Доставка из г. Киев

12 грн

Купить

MJE13009, транзистор, n-p-n.

Доставка из г. Киев

34 грн

Купить

Транзистор MJ11016g , MJ11015g Биполярный транзистор MJ

Доставка из г. Днепр

от 110 грн

Купить

Транзистор E13009 (аналог MJE13009), 400V, 12A, TO-220

Недоступен

108 грн

Смотреть

MJE13009 транзистор NPN (12А 400В) 100W

Недоступен

29. 40 грн

Смотреть

Транзистор биполярный MJE13009-2 (E13009 E13009 13009 E13009-2 J13009-2) NPN 400 В 12 A TO-220

Недоступен

11.61 грн

Смотреть

Транзистор биполярный MJE13009-2 400V 12A (E13009) ТО-220

Недоступен

12.50 грн

Смотреть

Транзисторы MJE13009

Недоступен

10 грн

Смотреть

Транзистор mje13009 NPN 12A 700V 9MHz

Недоступен

12.60 грн

Смотреть

Транзистор MJE13009 E13009 J13009 13009 2шт #410-2

Недоступен

20.80 грн

Смотреть

Полтава

Транзистор биполярный MJE13009

Недоступен

23.50 грн

Смотреть

Транзистор биполярный MJE13009 TO-220 First

Недоступен

28 грн

Смотреть

Транзистор биполярный MJE13009

Недоступен

29.50 грн

Смотреть

Транзистор MJE13009-2 TO-220

Недоступен

13 грн

Смотреть

Импульсные кремниевые силовые транзисторы NPN серии

%PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндообъект 6 0 объект /Title (MJE13009 — Кремниевые силовые NPN-транзисторы серии импульсных режимов) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать 2011-10-26T14:51:59-07:00BroadVision, Inc.2020-10-08T10:28:39+02:002020-10-08T10:28:39+02:00Приложение Acrobat Distiller 9.4.6 (Windows)/ pdf

MJE13009 — Кремниевые силовые транзисторы NPN с режимом переключения

ПО Полупроводник

MJE13009G предназначен для высоковольтных высокоскоростных коммутация индуктивных цепей, где критично время спада. Они есть особенно подходит для приложений SWITCHMODE 115 и 220 В такие как импульсные регуляторы, инверторы, средства управления двигателем, Драйверы соленоидов/реле и цепи отклонения.

uuid:1197fd74-0808-4fe1-9aec-8b40e60fc7bduuid:e3a26f96-cd87-4905-bc53-48b7feebb36ePrint конечный поток эндообъект 5 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9=~6Iǝc;z6c6oZG]Yv(. 5’KgF@K_V= -ؤ 4; 2; cJ V} suEHuksstA7(PH@yl} b@bs 3 % ή>E00W5=#6̭$’0=tZ|pwZԨʺ!O3wr0:d,5L

J9Te`(@cG,>wk }-Wns5 #&+i4!8RqNC о ,/~ŭ rBM/ ч N`c 5bi`(C?={_qlQR[(+

13009 / MJE13009 Распиновка транзистора, эквиваленты, использование, характеристики, особенности и другая информация и др. В этом посте описывается распиновка транзистора 13009, эквиваленты, использование, характеристики, особенности, объяснение, где и как использовать, а также другая полезная информация об этом транзисторе.0009

Объявления

Объявления

Характеристики/Технические характеристики:

• Комплектация: ТО-229 9004, ТО-302, ТО-220
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 12 А
• Максимальный импульсный ток коллектора: 24 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 400 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ):  700 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO):  9 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт. ): 100 Вт
• Макс. частота перехода (fT): 4 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  8–40
• Максимальная температура хранения должна быть: от -65°C до +150°C по Цельсию
• Максимальная температура перехода: 150°C

Замена и эквивалент:

MJE13008, KSE13009, KSE13008, 2SC3306, MJE13008, 2SC3257

13009. производители с разными номерами деталей, такими как STW13009, FJP13009 и т. д. Они также доступны в серии MJE многими производителями. Спецификации MJE13009 также одинаковы, но вы найдете незначительные различия между MJE13009.и другие транзисторы 13009, но они взаимозаменяемы. В основном они доступны в корпусе TO-220, но некоторые производители также выпускают их в корпусах TO-3P и TO-247, а некоторые MJE13009 также доступны в корпусе TO-220F.

Транзистор имеет много хороших характеристик, которые делают его надежным и идеальным для использования во многих промышленных приложениях, таких как способность работать при высоких напряжениях, хорошие характеристики при высоких температурах и очень быстрое переключение.

Основными областями применения транзистора являются контроллеры двигателей, импульсные регуляторы, коммутация высокого напряжения, драйверы соленоидов, высокоскоростное преобразование постоянного тока в постоянный, отклоняющие устройства и т. д.

Характеристики транзистора также весьма интересны: максимальное напряжение между коллектором и базой составляет 700 В, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, максимальный ток коллектора составляет 12 А, максимальный импульсный ток коллектора составляет 24 А, а общее рассеивание устройства составляет 100 Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как уже упоминалось выше, основное применение транзистора — переключение высокого напряжения, контроллер двигателя, импульсные регуляторы, высокоскоростное переключение, преобразование постоянного тока в постоянный, управление соленоидом. , отклонение и т. д., но он также может использоваться в большом количестве других приложений, которые подпадают под его рейтинг, например, в цепях ИБП. Кроме того, его также можно использовать в схемах мощных аудиоусилителей.

Применение:

Инверторные схемы

Непрерывные источники питания

Аккумуляторные зарядные устройства и приложения BMS

Solar Applications

Power Suppred

Motor Controllers

Audio A audio и Audio Amplifier и AUDIO AMPLIFIE для безопасной длительной работы в цепи:

Для долговременной и стабильной работы рекомендуется всегда использовать транзистор на 20% ниже его абсолютного максимального номинала. Использование устройства с абсолютными максимальными параметрами может привести к повреждению устройства или снижению его производительности. То же самое относится к 13009транзисторов, максимальный ток коллектора транзистора составляет 12 А, поэтому не подключайте нагрузку более 9,6 А, максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, поэтому не подключайте нагрузку более 300–320 В.