4N60 транзистор характеристики. 4N60 транзистор: характеристики, применение и особенности использования

Что такое транзистор 4N60. Каковы его основные характеристики. Где применяется 4N60. Как правильно использовать этот транзистор в схемах. Какие преимущества дает 4N60 по сравнению с аналогами.

Содержание

Что представляет собой транзистор 4N60

4N60 — это высоковольтный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором. Он относится к семейству силовых полупроводниковых приборов и предназначен для работы в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других схемах, где требуется быстрое переключение больших токов.

Основные особенности 4N60:

Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
Максимальный ток стока: 4 А
Сопротивление канала в открытом состоянии: 3 Ом
Корпус TO-220

4N60 имеет три вывода: затвор (G), сток (D) и исток (S). Транзистор управляется напряжением на затворе относительно истока. При подаче положительного напряжения на затвор открывается канал между стоком и истоком, позволяя протекать току.

Основные характеристики транзистора 4N60

Рассмотрим ключевые параметры 4N60, которые определяют его возможности и области применения:

Максимальное напряжение сток-исток

У 4N60 оно составляет 600 В. Это означает, что транзистор способен коммутировать высоковольтные цепи, например, в импульсных блоках питания с выходным напряжением до 500-550 В.

Максимальный ток стока

Для 4N60 этот параметр равен 4 А. Транзистор может работать с токами до 4 А в непрерывном режиме. В импульсном режиме допустимы и более высокие пиковые токи.

Сопротивление канала в открытом состоянии

У 4N60 оно составляет около 3 Ом. Это довольно низкое значение, обеспечивающее малые потери при коммутации больших токов. Чем ниже это сопротивление, тем меньше нагрев транзистора при работе.

Емкость затвора

Для 4N60 типовое значение составляет 1000 пФ. Этот параметр определяет скорость переключения транзистора — чем меньше емкость, тем быстрее происходит открытие и закрытие канала.

Области применения транзистора 4N60

Благодаря своим характеристикам, 4N60 находит широкое применение в различных электронных устройствах:

Импульсные источники питания
DC-DC преобразователи напряжения
Инверторы
Контроллеры электродвигателей
Драйверы светодиодов
Электронные нагрузки

Рассмотрим некоторые из этих применений подробнее.

Использование 4N60 в импульсных источниках питания

В импульсных блоках питания 4N60 часто применяется в качестве ключевого элемента. Транзистор осуществляет быстрое переключение тока в первичной обмотке импульсного трансформатора. Высокое допустимое напряжение сток-исток позволяет работать непосредственно от выпрямленного сетевого напряжения 310 В.

Применение 4N60 в DC-DC преобразователях

В повышающих и понижающих DC-DC преобразователях 4N60 используется как коммутирующий элемент. Низкое сопротивление открытого канала обеспечивает высокий КПД преобразования. А быстрое переключение позволяет работать на частотах до нескольких сотен кГц.

Особенности использования транзистора 4N60 в схемах

При проектировании устройств с применением 4N60 следует учитывать ряд важных моментов:

Выбор напряжения на затворе

Для полного открытия канала 4N60 требуется напряжение затвор-исток не менее 10 В. Оптимальное значение составляет 12-15 В. При меньших напряжениях сопротивление канала будет выше, что приведет к увеличению потерь.

Защита затвора от перенапряжений

Максимально допустимое напряжение на затворе 4N60 составляет ±20 В. Для защиты от превышения этого значения рекомендуется устанавливать стабилитрон между затвором и истоком.

Обеспечение быстрого переключения

Для реализации быстрого переключения 4N60 необходимо использовать драйвер затвора, способный обеспечить импульсный ток до 1-2 А для быстрой перезарядки входной емкости транзистора.

Преимущества 4N60 по сравнению с аналогами

Транзистор 4N60 имеет ряд преимуществ по сравнению с другими MOSFET-транзисторами:

Высокое рабочее напряжение 600 В
Хорошее соотношение «максимальный ток / сопротивление канала»
Низкая входная емкость, обеспечивающая быстрое переключение
Встроенный быстрый обратный диод между стоком и истоком
Доступность и невысокая стоимость

Эти особенности делают 4N60 популярным выбором для многих применений в силовой электронике.

Типовые схемы включения транзистора 4N60

Рассмотрим несколько базовых схем с использованием 4N60:

Ключевой каскад

Простейшая схема включения 4N60 в качестве ключа выглядит следующим образом:

Сток подключается к положительному полюсу источника питания через нагрузку
Исток соединяется с общим проводом
На затвор подается управляющее напряжение через резистор 100 Ом

Между затвором и истоком устанавливается защитный стабилитрон на 15 В

При подаче на затвор напряжения выше 4-5 В транзистор открывается, пропуская ток через нагрузку.

Мостовая схема

В мостовых схемах используются 4 транзистора 4N60, образующих Н-мост. Такая конфигурация позволяет управлять двигателями постоянного тока, изменяя направление вращения.

Ультразвуковой увлажнитель воздуха «Vitek VT-1767BK», устройство, ремонт. — Радиомастер инфо

05.06.202008.11.2017 от admin

Рассказано о ремонте блока питания, ультразвукового генератора, вентилятора. Приведены схемы и пояснения.

Ультразвуковой увлажнитель воздуха «Vitek-VT1767» довольно распространенное в наше время устройство и вопросы его ремонта актуальны.

Коротко о самом увлажнителе:

Технические характеристики
Электропитание: 220-240 В ~ 50 Гц
Потребляемая мощность: 140 Вт (с учетом мощности подогревателя воды)

Емкость резервуара для воды: 5 л
Расход воды: 300 мл/ч
Площадь увлажнения: до 50 м

Устройство и расположение основных узлов и блоков:

Сверху ставится бак с водой, фильтром для воды и поплавком с магнитом, обеспечивающим работу датчика наличия воды.

Поступивший в ремонт ультразвуковой увлажнитель воздуха «Vitek VT-1767BK» был продиагностирован.

Неисправными оказались:

Блок питания KV-3150. Должен вырабатывать напряжения +35В (ток до 1,5А) и +12В (ток до 1А). Новый стоит около 20$.

Собран на микросхеме SG6848 и полевом транзисторе 4NK60ZF. Основная часть схемы срисована с платы и показана ниже.

При ремонте заменены следующие детали:

Диодный мост – 4 диода 1N4007

ШИМ микросхема — SG6848

Полевой транзистор — STP4NK60ZF

Резистор R2 — 2Вт 0,5 Ом

Резисторы R13, R9, R14 SMD (или 0,125Вт) — 47 Ом, 470 Ом, 10 кОм

Предохранитель 2А 250В

Стоимость всех замененных деталей около 2$, т.е. в 10 раз дешевле покупки нового блока питания.

Подробно о ремонте этого блока питания смотрите здесь.

Вторым неисправным узлом оказался нагнетательный
вентилятор «Hongfei HB-7530L12»:

В нем обрыв обмоток и прокоррозирована плата управления. Новый стоит от 5$ до 15$. Обмотки и плата управления установлены от старого ненужного компьютерного кулера тип и электрические характеристики которого показаны ниже:

Подробнее о замене обмоток с магнитопроводом и платы управления нагнетательного вентилятора «Hongfei HB-7530L12» смотрите здесь.

Третьим неисправным узлом в увлажнителе воздуха «Vitek VT-1767BK» оказался ультразвуковой генератор.

В нем пробит транзистор BU406. Транзистор выпаян, проверены остальные детали, очищен и осмотрен ультразвуковой излучатель AW1209, повреждений нет.

Прорисована схема генератора:

Установлен новый транзистор. Генератор заработал. При проверке работы генератора нужно блокировать датчик наличия воды, иначе плата управления, замыкая левый контакт индуктивности L3 на корпус запирает транзистор. Вместо установки магнита на датчик воды можно не подключать шлейф платы управления и индикации увлажнителя. Долго держать включенным генератор нельзя.

Без воды перегреется пьезокерамический излучатель и транзистор. Я кратковременно включал и осциллографом смотрел колебания прямо на контактах пьезоизлучателя.

После проверки работоспособности плата установлена на место. Оказалось, что при попадании воды на пьезоизлучатель генерация срывается. Добиться генерации подстроечным резистором в схеме генератора не удается. Подозрения на излучатель. Генератор собран по схеме емкостной трехточки. Работает на резонансной частоте пьезоизлучателя, это чуть больше 1 мГц. Основными элементами от которых зависит работа генератора является пьезоизлучатель и транзистор. Перед заменой пьезоизлучателя решил попробовать ставить другие транзисторы. При установке транзистора КТ805БМ схема устойчиво заработала, как с водой так и без воды (база — эмиттер наоборот чем у BU406).

Подстроечным резистором VR1 выставлено смещение транзистора. При изменении интенсивности парообразования оно равно:

(измерения проводились на среднем выводе подстроечного резистора VR1 относительно общего провода схемы генератора)

малая интенсивность +2,06 В

средняя интенсивность + 2,43 В

максимальная интенсивность +2,88 В

При этом наглядно изменяется амплитуда синусоиды на самом пьезоизлучателе.

Рабочая температура транзистора не превышает 45⁰С. Наблюдаемое «кипение» воды достаточно интенсивное:

Проверка работоспособности устройства в целом дала положительные результаты. У

льтразвуковой увлажнитель воздуха «Vitek VT-1767BK» работоспособен в полном объеме.

Интересны экономические показатели ремонта.

Если такой ремонт осуществлять заменой блоков, то:

Блок питания – 20$

Ультразвуковой генератор – 20$

Нагнетательный вентилятор – в среднем 10$

Итого 50$.

Новый увлажнитель около 90$. Детали, без учета стоимости работ, более половины стоимости нового изделия. Другими словами, блочный ремонт экономически нецелесообразен.

Стоимость покупных деталей по описанному в статье методу – около 3$. Вывод очевиден.

Материал статьи продублирован на видео:

Введение в 4N60 — Инженерные проекты

Сегодня я собираюсь дать вам подробное обсуждение темы «Введение в 4N60».

У меня были общие характеристики различных ИС в моих предыдущих…

Всем привет! Я надеюсь, что вы будете абсолютно хорошо и весело. Сегодня я собираюсь дать вам подробное обсуждение темы Знакомство с 4N60. Я поделился характеристиками различных микросхем в своих предыдущих уроках в разделе «Введение в 75N75, SG3524, 2N3772, L298, L293D, 2SC3320 и 20N60». Вам необходимо пройти все эти уроки для лучшего понимания сегодняшней статьи. 4N-60 представляет собой высоковольтный металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET). Это трехконтактное устройство, включающее сток ( D ), вентиль ( G ) и исток ( S ). 4N60 — это, по сути, мощный полевой МОП-транзистор, способный выдерживать определенные уровни мощности. Он специально разработан для достижения различных характеристик, например. высокая скорость переключения, низкий заряд на затворе и низкое сопротивление в открытом состоянии. Он также обладает очень прочными лавинными характеристиками. 4N-60 имеет разные удивительные особенности, например. возможность быстрого переключения, характеристики лавинной энергии, повышенная надежность, улучшенная способность для dv/dt. Он имеет более широкий спектр реальных применений, включая импульсные преобразователи, импульсные регуляторы, релейные драйверы, соленоиды, драйверы двигателей и многое другое. Более подробная информация об основах использования 4N-60 будет представлена позже в этом руководстве.

Знакомство с 4N60

4N60 в основном представляет собой силовой полевой МОП-транзистор. Это устройство с тремя выводами, называемыми воротами, истоком и стоком. Он предназначен для достижения высоких характеристик времени переключения и низкого заряда на затворе. Он имеет различные характеристики, в том числе низкое сопротивление в состоянии покоя, высокие характеристики лавинной энергии, высокую прочность и многое другое. Его реальные приложения включают в себя драйверы двигателей, соленоиды, драйверы реле, переключающие преобразователи и многое другое. 4Н-60 показан на рисунке ниже.

1. Штыри 4N60

Это устройство имеет в общей сложности три (3) контакта, каждый из которых имеет разные функции.
Все три штифта 4N-60 приведены в таблице, приведенной на рисунке, показанном ударом.

2. Обозначения выводов 4N60

Во избежание сложностей каждому выводу присваивается первая буква его имени.
4N-60 перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

3. 4N60 Символическое представление

Символическое представление полезно для теоретического представления конкретного устройства.
4N-60 показано на рисунке ниже.

4. Распиновка 4N60

Схема распиновки полезна для понимания конфигурации контактов любого электронного устройства.
Я также поделился схемой выводов различных МОП-транзисторов и микросхем в разделе «Введение в 50N06, IRFZ44N, C945, MC34063, NE555 и NE556». Вам следует ознакомиться со всеми этими статьями для лучшего понимания.
4N-60 приведена на рисунке ниже.

5. Номинальные характеристики 4N60

Номинальные характеристики показывают мощность, необходимую для работы любого электронного устройства.
4N-60 перечислены в таблице на рисунке ниже.

6. Характеристики 4N60

Характеристики устройства играют важную роль в его популярности.
4N-60 представлены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

7. 4N60 Применение

Он имеет более широкий диапазон реальных применений.
Некоторые из наиболее распространенных приложений перечислены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Это все из учебника Введение в 4N60. Я изо всех сил старался предоставить всю необходимую и базовую информацию для первого использования 4N60. Надеюсь, вам понравился этот урок, и вы оцените мои усилия 😉 Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными вопросами, вы можете задать их нам в комментариях, даже не чувствуя никаких колебаний. Наша команда 24/7 доступна для вашей поддержки. Я поделюсь различными интересными и информативными темами в моих следующих уроках. Так что до следующей статьи берегите себя и до свидания 🙂

JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (любой цвет) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Ежедневно Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.

ly/2GMCH9w

Теги:

Знакомство с 4N60, основы 4Н60, 4N60 основы, начало работы с 4N60, как начать с 4N60, как использовать 4N60, 4N60 Proteus симуляция, 4Н60 протеус, Протей 4N60, протеус имитация 4Н60,

-Автор сайта

седзаиннасир Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP). я программист с 2009 года, до этого я просто искал вещи, делал небольшие проекты, а теперь делюсь своим знания через эту платформу. Я также работаю фрилансером и сделал много проектов, связанных с программирование и электрические схемы. Мой профиль Google+Подписаться Присоединиться

4N60 Транзисторы FAIRCHILD — Jotrin Electronics

Детали 4N60 представляют собой силовые N-канальные МОП-транзисторы производства FAIRCHILD, которые можно приобрести в Jotrin Electronics. Здесь вы можете найти электронные детали различных типов и номиналов от ведущих мировых производителей. Компоненты 4N60 компании Jotrin Electronics тщательно отбираются, проходят строгий контроль качества и успешно соответствуют всем требуемым стандартам.

Статус производства, отмеченный на Jotrin.com, предназначен только для справки. Если вы не нашли то, что искали, вы можете получить более ценную информацию по электронной почте, такую как количество 4N60 на складе, льготная цена, техническое описание и производитель. Мы всегда рады услышать от вас, поэтому не стесняйтесь обращаться к нам.

4N55/883B#300 — это OPTOISO 1.5KV TRANS W/BASE 16SMD, который включает упаковку трубок, они предназначены для работы с 16-SMD корпусом корпуса типа «крыло чайки». постоянного тока, он имеет диапазон рабочих температур от -55 ° C до 125 ° C, тип монтажа предназначен для работы в поверхностном монтаже, а также в качестве транзистора с базовым типом выхода, устройство также может использоваться как 2 канала. Кроме того, пакет устройства поставщика представляет собой 16-SMD, устройство предлагается со скоростью передачи данных 400 кбит/с, устройство имеет канал вывода тока 8 мА, максимальное выходное напряжение составляет 18 В, а ток постоянного тока вперед, если макс. 20 мА, и Изоляция по напряжению составляет 1500 В постоянного тока, тип прямого напряжения Vf составляет 1,55 В, а минимальный коэффициент передачи тока составляет 9.% при 16 мА, тип времени включения и выключения составляет 400 нс, 1 мкс, рассеиваемая мощность Pd составляет 200 мВт, максимальный диапазон рабочих температур + 125 C, минимальный диапазон рабочих температур — 55 C, и прямое напряжение Vf составляет 1,55 В, напряжение изоляции составляет 1500 В (среднеквадратичное значение), а выходной ток составляет 8 мА, а прямой ток равен 5 мА, коэффициент передачи тока составляет 20 %, а максимальный ток коллектора составляет 8 мА.

4N55TXV представляет собой OPTOISO 1,5 кВ TRANS W/BASE 16DIP, который включает в себя максимальное выходное напряжение 18 В, они предназначены для работы с изоляцией напряжения 1500 В постоянного тока. Функции прямого напряжения Vf, такие как 1,55 В, тип времени включения и выключения, предназначены для работы в 400 нс, 1 мкс, а также в пакете устройства поставщика с 16 DIP, устройство также может использоваться в качестве упаковки трубки. Кроме того, корпус корпуса представляет собой 16-DIP (0,300″, 7,62 мм), устройство предлагается в транзисторном исполнении с базовым типом выхода, устройство имеет выходной ток 8 мА, диапазон рабочих температур -55°C. ~ 125°C, количество каналов равно 2, тип монтажа — сквозное отверстие, максимальный ток коллектора — 8 мА, напряжение изоляции — 1500 В (среднеквадратичное значение), тип входа — постоянный ток, а прямой ток — 5 мА. , а скорость передачи данных составляет 400 кбит/с, а минимальный коэффициент передачи тока равен 9.% @ 16 мА, канал вывода тока — 8 мА, а ток постоянного тока вперед, если макс. — 20 мА.

4N55TXVB представляет собой OPTOISO 1,5 кВ TRANS W/BASE 16DIP, который включает ток постоянного тока 20 мА в прямом направлении. Если макс., они предназначены для работы с каналом токового выхода 8 мА, минимальный коэффициент передачи тока показан в примечании к техническому описанию для использования в 9% @ 16 мА, который предлагает такие функции скорости передачи данных, как 400 кбит/с, если прямой ток предназначен для работы при 5 мА, а также тип входа постоянного тока, устройство также можно использовать в качестве напряжения изоляции 1500 В (среднеквадратичное значение). Кроме того, максимальный ток коллектора составляет 8 мА, устройство предлагается с монтажом в сквозное отверстие, устройство имеет 2 числа каналов, диапазон рабочих температур от -55°C до 125°C, а выход Ток составляет 8 мА, тип выхода — транзистор с базой, корпус — 16-DIP (0,300″, 7,62 мм), упаковка — трубка, а упаковка устройства поставщика — 16-DIP, время включения и выключения Типичное значение составляет 400 нс, 1 мкс, а прямое напряжение Vf составляет 1,55 В, а типическое значение прямого напряжения Vf составляет 1,55 В, изоляция напряжения составляет 1500 В постоянного тока, а максимальное выходное напряжение составляет 18 В.

Что представляет собой транзистор 4N60