Bc807 транзистор характеристики. BC807: характеристики, применение и аналоги популярного PNP-транзистора

Каковы основные параметры транзистора BC807. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги BC807. Как правильно подключать и применять BC807 в электронных схемах.

Содержание

Основные характеристики транзистора BC807

BC807 — это биполярный PNP-транзистор общего назначения в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Он широко применяется в различных электронных устройствах благодаря своим хорошим характеристикам:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
  • Максимальный ток коллектора: 500 мА
  • Коэффициент усиления по току: 100-600 (в зависимости от модификации)
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
  • Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C

Благодаря компактному корпусу SOT-23 транзистор BC807 идеально подходит для применения в портативных устройствах и схемах с высокой плотностью монтажа.

Области применения BC807

Транзистор BC807 находит широкое применение в различных электронных схемах, в том числе:


  • Усилители низкой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Драйверы светодиодов
  • Схемы управления реле и электромагнитными клапанами
  • Преобразователи уровня логических сигналов
  • Ключевые каскады
  • Стабилизаторы напряжения

Универсальность и хорошие характеристики делают BC807 популярным выбором для различных коммутационных и усилительных применений.

Модификации транзистора BC807

Существует несколько модификаций транзистора BC807, отличающихся коэффициентом усиления по току:

  • BC807-16: hFE = 100-250
  • BC807-25: hFE = 160-400
  • BC807-40: hFE = 250-600

Выбор конкретной модификации зависит от требуемого коэффициента усиления в разрабатываемой схеме. Чем выше hFE, тем меньший ток базы требуется для управления транзистором.

Аналоги BC807

У транзистора BC807 есть ряд аналогов с похожими характеристиками:

  • BC857 — PNP-транзистор в корпусе SOT-23 с максимальным током 100 мА
  • BC327 — PNP-транзистор в корпусе TO-92 с аналогичными параметрами
  • 2N3906 — популярный PNP-транзистор общего назначения
  • MMBT3906 — SMD-версия 2N3906 в корпусе SOT-23
  • BC556 — PNP-транзистор в корпусе TO-92 для маломощных применений

При выборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса транзистора.


Как правильно подключать BC807

Для корректной работы транзистора BC807 необходимо соблюдать правильную полярность подключения:

  • Эмиттер подключается к положительному полюсу питания
  • Коллектор — к нагрузке
  • База управляется отрицательным напряжением относительно эмиттера

Важно не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации. Рекомендуется использовать токоограничивающий резистор в цепи базы.

Типовые схемы включения BC807

Рассмотрим несколько типовых схем применения транзистора BC807:

Ключевой каскад

В этой схеме BC807 используется как электронный ключ для управления нагрузкой:

  • Эмиттер подключен к +V питания
  • Коллектор — через нагрузку к общему проводу
  • На базу подается управляющий сигнал через резистор 10-100 кОм

При подаче отрицательного напряжения на базу транзистор открывается и пропускает ток через нагрузку.

Эмиттерный повторитель

Схема эмиттерного повторителя на BC807:

  • Коллектор подключен к +V питания
  • Эмиттер — через нагрузку к общему проводу
  • На базу подается входной сигнал

Такое включение обеспечивает высокое входное и низкое выходное сопротивление, что полезно для согласования высокоомных источников сигнала с низкоомной нагрузкой.


Особенности применения BC807 в схемах

При разработке схем с использованием BC807 следует учитывать некоторые особенности:

  • Максимальный ток коллектора не должен превышать 500 мА
  • Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе на больших токах
  • Рекомендуется использовать токоограничивающий резистор в цепи базы
  • При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости монтажа
  • Для защиты от пробоя при работе с индуктивной нагрузкой используйте защитный диод

Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить надежную работу схем с транзистором BC807.

Преимущества и недостатки BC807

Рассмотрим основные плюсы и минусы транзистора BC807:

Преимущества:

  • Компактный корпус SOT-23 для поверхностного монтажа
  • Высокий коэффициент усиления по току
  • Хорошие частотные характеристики
  • Широкий диапазон рабочих температур
  • Доступность и невысокая стоимость

Недостатки:

  • Ограниченная мощность рассеивания (300 мВт)
  • Чувствительность к статическому электричеству
  • Необходимость соблюдения мер по теплоотводу при работе на больших токах

Несмотря на некоторые ограничения, преимущества BC807 делают его популярным выбором для многих применений.


Выбор BC807 для конкретного применения

При выборе транзистора BC807 для конкретной схемы следует учитывать следующие факторы:

  • Требуемый коэффициент усиления по току (hFE)
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер в схеме
  • Ожидаемый максимальный ток коллектора
  • Рабочую частоту схемы
  • Температурный диапазон эксплуатации устройства

Правильный выбор модификации BC807 с учетом этих параметров обеспечит оптимальную работу транзистора в вашей схеме.

Заключение

Транзистор BC807 является универсальным и надежным компонентом для различных электронных схем. Его компактный корпус, хорошие электрические характеристики и доступность делают его популярным выбором среди разработчиков. Правильное применение BC807 с учетом его особенностей позволяет создавать эффективные и надежные устройства.


BC807-40 p-n-p транзистор 45В 500мА в SOT 23


Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов BC807-40 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора BC807-40

  • Структура……………………………………………………………………………………биполярная,
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..45В
  • Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
  • Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….5 В
  • Ток коллектора, max……………………………………………………………………..500
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером……..250….600*
  • Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………250 мВт
  • Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
  • Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
  • Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
  • Корпус………………………………………………………………………………………SOT23

Транзистор BC807-40 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора BC807-40 в SOT23

Технические характеристики и маркировка транзистора BC807-40

Биполярные и полевые транзисторы малой и средней мощности

Комплементарной парой к p-n-p транзистору BC807-40 является n-p-n транзистор BC817-40

В слаботочных и сигнальных цепях широко используются транзисторы p-n-p транзистор BC857B / BC857C и n-p-n транзистор BC847B / BC847C. Они упакованы в корпус SOT23 и допускают максимальный ток коллектора 100 мA. В зависимости от индекса в маркировки, B или С, транзисторы имеют различный статический коэффициент передачи тока. В меньших SMD корпусах, SOT323, эти транзисторы имеют индекс W в маркировки BC847CW и BC857CW.

Промежуточное значение предельного тока коллектора в 200 мА имеют широко распространённые транзисторы MMBT3904LT1 и MMBT3906LT1.

Для работы в высоковольтных цепях со склада поставляются транзисторы KST42, MMBTA42LT1, MMBTA92LT1. Максимальное напряжение Коллектор Эмиттер этих транзисторов составляет 300В при этом ток коллектора может достигать 500мА.

Для работы в цепях с током до нескольких Ампер поставляются MOSFET транзисторы, работающие на полевом эффекте в полупроводниковом переходе. Эти транзисторы обладают рекордно низким сопротивлением перехода сток-исток. Транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF в корпусах SOT23. Более мощный полевой транзистор IRFR5305TRPBF упакован в корпусе TO 252. В самом маленьком корпусе SOT323 поставляется BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В.

Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23

Описание товара Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23

Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: PNP
  • Рабочее напряжение: 45V
  • Рабочий ток: 0.5A
  • Тип корпуса: SOT-23

Особенности транзисторов BC807-40, PNP, 45V, 0. 5A, корпус SOT-23
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.    
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

Транзисторы BC337 и BC327. Характеристика, SMD аналог, распиновка, описание

Транзисторы BC337 (NPN) и BC327 (PNP) являются биполярными транзисторами общего применения средней мощности. Они очень похожи на транзисторы BC548 (NPN) и BC558 (PNP), но более мощные.

Блок питания 0…30 В / 3A

Набор для сборки регулируемого блока питания…

Коллекторный ток BC337 и BC327 может доходить до 800 мА, что в свою очередь позволяет использовать их в управлении электронными устройствами средней мощности, например, в драйверах для небольших двигателей, реле, а также в небольших светодиодных лентах.

На рисунке ниже показана классическая схема управления реле с использованием транзистора BC337. Сопротивление резистора R зависит от логики управления и мощности реле, но обычно можно использовать значение 3,3 kOm.

Транзисторы BC337 и BC327 имеют одинаковый корпус и распиновку выводов, как и у транзистора BC548.

Данные транзисторы очень экономичны и благодаря вышеупомянутой мощности они действительно универсальны.

По этим причинам они используются во многих электронных схемах расположенных на данном сайте, и особенно в схемах, когда необходимо управлять токами которые могут превышать 100 мА. Максимальное напряжение коллектор-эммитер (VCE) у них составляет 45В.

Из двух упомянутых транзисторов, BC337 является наиболее часто используемым, так как NPN тип лучше всего подходит для управления. Транзистор BC327 имеет те же характеристики, что и BC337, но имеет проводимость PNP типа, то есть он является комплементарной парой для BC337.

Распиновка BC337 (NPN) и BC327 (PNP)

Оба транзистора могут быть использованы в выходных каскадах небольших аудиоусилителей. Пример такого типа усилителя можно увидеть на следующем рисунке. Это усилитель собран только на транзисторах и его выходная мощность составляет 0,4 Вт.

Минимальный коэффициент усиления транзистора по току (hFE) для BC337 и BC327 составляет 100, но может доходить и до 630. Если в конце маркировки мы увидим число, то это означает, что коэффициент усиления будет находиться в определенном диапазоне:

Транзисторы BC337 и BC327 довольно быстры и могут использоваться в схемах коммутации. Граничная частота коэффициента передачи тока, то есть частота, при которой усиление снижается до 1, составляет 100 МГц.

Поэтому, если нам нужен хороший коэффициент усиления, то не стоит использовать данные транзисторы в схемах с частотами более 1 МГц.

Технические характеристики BC337 и BC327

Для поверхностного монтажа (SMD) существуют эквивалентные модели, такие как BC817 (NPN) и BC807 (PNP), но с пиковым током коллектора (Ic) немного ниже: 500 мА, вероятно, из-за используемого типа корпуса (SMD) sot23 и sot223.

Распиновка и обозначение SMD BC807 и BC817

Наконец, мы можем увидеть основные технические характеристики BC817 (NPN) и BC807 (PNP) в следующей таблице.

источник: inventable.eu

Цифровой мультиметр AN8009

Большой ЖК-дисплей с подсветкой, 9999 отсчетов, измерение TrueRMS…

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 5C, 5C**, 5C-, 5CW, 5Cp, 5Ct. Даташиты BC807-40, BC807-40LT1G, BC807-40W, FMMD7000, MM1Z11, MM5Z7V5, SMF05C, ST6205CS23RG, ST6205CS32RG.

Главная
Автомагнитолы
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Даташиты
Маркировка SMD
Форум
  1. Главная
  2. Маркировка SMD
  3. 5C
Код SMDКорпусНаименованиеПроизводительОписаниеДаташит
5CSOT-23BC807-40General Semiconductor (Now Vishay)PNP транзистор
5CSOT-23BC807-40LT1GONPNP транзистор
5CSOT-23FMMD7000Zetex (Now Diodes)Переключающие диоды
5CSOD-123FMM1Z11SemtechСтабилитрон
5CSOT-523FMM5Z7V5FairchildСтабилитрон
5CSOT-363SMF05CSemtechЗащитные диоды
5C**SOT-23ST6205CS23RGStansonСтабилизатор напряжения
5C**SOT-323ST6205CS32RGStansonСтабилизатор напряжения
5C-SOT-23BC807-40NXPPNP транзистор
5C-SOT-323BC807-40WNXPPNP транзистор
5CWSOT-23BC807-40NXPPNP транзистор
5CWSOT-323BC807-40WNXPPNP транзистор
5CpSOT-23BC807-40NXPPNP транзистор
5CpSOT-323BC807-40WNXPPNP транзистор
5CtSOT-23BC807-40NXPPNP транзистор
5CtSOT-323BC807-40WNXPPNP транзистор

отзывы, фото и характеристики на Aredi.

ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 300мВт; SOT23 производства YANGJIE TECHNOLOGY BC807-25Q-YAN

Главная Каталог Полупроводники Транзисторы Транзисторы биполярные Транзисторы биполярные одинарные Транзисторы PNP SMD
КоличествоЦена ₽/шт
+50 01670″> 2.26
+100 2.03
+250 1.8
+485 1.47
+2275 1. 4
Минимально 50 шт и кратно 5 шт

Вы можете запросить у нас любое количество BC807-25Q, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

Купить BC807-25Q от 50 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

BC807-25Q-YAN описание и характеристики

Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 300мВт; SOT23

  • Полярность

    биполярный

  • Напряжение коллектор-эмиттер

    45В

  • Рассеиваемая мощность

    300мВт

  • Вид упаковки

    лента, бобина

  • Частота

    100МГц

  • Ток коллектора

    0,5А

  • Корпус

    SOT23

  • Производитель

    YANGJIE TECHNOLOGY

  • Монтаж

    SMD

  • Тип транзистора

    PNP

  • Коэффициент усиления по току

    160. ..400

  • Применение

    автомобильная отрасль

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи


Смежные товары

маркировка smd транзисторов, аналоги

Статья для определения типа транзистора по обозначению на корпусе, а также его условный аналог.

 

 

Обозначениена корпусеТиптранзистораУсловныйаналог
15MMBT39602N3960
1ABC846ABC546A
1BBC846BBC546B
1CMMBTA20MPSA20
1DBC846
1EBC847ABC547A
1FBC847BBC547B
1GBC847CBC547C
1HBC847
1JBC848ABC548A
1KBC848BBC548B
1LBC848CBC548C
1MBC848
1PFMMT2222A2N2222A
1TMMBT3960A2N3960A
1XMMBT930
1YMMBT39032N3903
2AFMMT39062N3906
2BBC849BBC549B
2CBC849CBC549C / BC109C / MMBTA70
2EFMMTA93
2FBC850BBC550B
2GBC850CBC550C
2JMMBT36402N3640
2KMMBT8598
2MMMBT404
2NMMBT404A
2TMMBT44032N4403
2WMMBT8599
2XMMBT44012N4401
3ABC856ABC556A
3BBC856BBC556B
3DBC856
3EBC857ABC557A
3FBC857BBC557B
3GBC857CBC557C
3JBC858ABC558A
3KBC858BBC558B
3LBC858CBC558C
3SMMBT5551
4ABC859ABC559A
4BBC859BBC559B
4CBC859CBC559C
4EBC860ABC560A
4FBC860BBC560B
4GBC860CBC560C
4JFMMT38A
449FMMT449
489FMMT489
491FMMT491
493FMMT493
5ABC807-16BC327-16
5BBC807-25BC327-25
5CBC807-40BC327-40
5EBC808-16BC328-16
5FBC808-25BC328-25
5GBC808-40BC328-40
549FMMT549
589FMMT589
591FMMT591
593FMMT593
6ABC817-16BC337-16
6BBC817-25BC337-25
6CBC817-40BC337-40
6EBC818-16BC338-16
6FBC818-25BC338-25
6GBC818-40BC338-40
9BC849BLT1
AABCW60ABC636 / BCW60A
ABBCW60B
ACBCW60CBC548B
ADBCW60D
AEBCX52
AGBCX70G
AHBCX70H
AJBCX70J
AKBCX70K
ALMMBTA55
AMBSS642N3638
AS1BST50BSR50
B2BSV522N2369A
BABCW61ABC635
BBBCW61B
BCBCW61C
BDBCW61D
BEBCX55
BGBCX71G
BHBCX71HBC639
BJBCX71J
BKBCX71K
BNMMBT3638A2N3638A
BR2BSR312N4031
C1BCW29
C2BCW30BC178B / BC558B
C5MMBA811C5
C6MMBA811C6
C7BCF29
C8BCF30
CEBSS79B
CECBC869BC369
CFBSS79C
CHBSS82B / BSS80B
CJBSS80C
CMBSS82C
D1BCW31BC108A / BC548A
D2BCW32BC108A / BC548A
D3BCW33BC108C / BC548C
D6MMBC1622D6
D7BCF32
D8BCF33BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DABCW67A
DBBCW67B
DCBCW67C
DEBFN18
DFBCW68F
DGBCW68G
DHBCW68H
E1BFS17BFY90 / BFW92
EABCW65A
EBBCW65B
ECBCW65C
EDBCW65C
EFBCW66F
EGBCW66G
EHBCW66H
F1MMBC1009F1
F3MMBC1009F3
FABFQ17BFW16A
FDBCV26MPSA64
FEBCV46MPSA77
FFBCV27MPSA14
FGBCV47MPSA27
GFBFR92P
h2BCW69
h3BCW70BC557B
h4BCW89
H7BCF70
K1BCW71BC547A
K2BCW72BC547B
K3BCW81
K4BCW71R
K7BCV71
K8BCV72
K9BCF81
L1BSS65
L2BSS70
L3MMBC1323L3
L4MMBC1623L4
L5MMBC1623L5
L6MMBC1623L6
L7MMBC1623L7
M3MMBA812M3
M4MMBA812M4
M5MMBA812M5
M6BSR58 / MMBA812M62N4858
M7MMBA812M7
O2BST82
P1BFR92BFR90
P2BFR92ABFR90
P5FMMT2369A2N2369A
Q3MMBC1321Q3
Q4MMBC1321Q4
Q5MMBC1321Q5
R1BFR93BFR91
R2BFR93ABFR91
S1ASMBT3904
S1DSMBTA42
S2MMBA813S2
S2ASMBT3906
S2DSMBTA92
S2FSMBT2907A
S3MMBA813S3
S4MMBA813S4
T1BCX17BC327
T2BCX18
T7BSR152N2907A
T8BSR162N2907A
U1BCX19BC337
U2BCX20
U7BSR132N2222A
U8BSR142N2222A
U9BSR17
U92BSR17A2N3904
Z2VFMMTA64
ZDMMBT41252N4125

 

 

25W — Транзисторы общего назначения PNP Silicon

% PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток application / pdf

  • BC807-25W — Транзисторы общего назначения PNP Silicon
  • ON Semiconductor
  • 2014-11-03T10: 04: 35-07: 00BroadVision, Inc.2020-09-22T13: 53: 10 + 02: 002020-09-22T13: 53: 10 + 02: 00 Acrobat Distiller 10.0.0 (Windows) uuid: 582d9e2d-9429-47a6-8ada-3a3f12a4f6bduuid: 4e263d3a-446b-4dac-b777-f00293c312ed конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > поток HUMOH; :: 4 = 00 & $ e% 4c0 [88XUzU! Ze0 P0 p (1% $ @ Z

    BC807-40LT1G datasheet — Технические характеристики: Полярность транзистора: PNP; Коллектор

    VS-GBPC2502A : МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1-фазный, 25 А, 200 В QC. s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 200 В; Ток в прямом направлении, если (AV): 25А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: Быстрое подключение; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: GBPC-A; Количество контактов: 4.

    MBR0530T1G : ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY, 500 мА, 30 В, SOD-123. s: Количество фаз: -; Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 30 В; Прямой ток, если (AV): 500 мА; Конфигурация диода: одиночный; Максимальное прямое напряжение VF: 430 мВ; Конфигурация модуля: -; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Максимальный прямой импульсный ток Ifsm: 5.5А; Диапазон рабочих температур:.

    B140-E3 / 61T : ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY, 1 А 40 В DO-214AC. s: Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 40 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 520 мВ; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 125 ° C; Тип корпуса диода: DO-214AC; Количество контактов: 2; MSL: -.

    BAV20W-TP : ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ДИОД, 150 В, SOD-123. s: Тип диода: Импульсный; Прямой ток, если (AV): 200 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 150 В; Максимальное прямое напряжение VF: 1.25В; Максимальное время обратного восстановления trr: 50 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Макс: 1А; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса диода: SOD-123; Количество контактов: 2; MSL: -.

    1N5227B-TAP : стабилитрон, 500 мВт, 3,6 В, DO-35. s: напряжение стабилитрона Vz Тип: 3,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 500 мВт; Тип корпуса диода: DO-35; Количество контактов: 2; Диапазон рабочих температур: — ; MSL: -.

    BLS6G3135-120 : LDMOS, RF, 120 Вт, 3100–3500 МГц, 32 В. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение истока стока Vds: 60 В; Идентификатор постоянного тока утечки: 7. 2А; Рассеиваемая мощность Pd: -; Диапазон рабочих частот: от 2,7 до 3,1 ГГц; Типовой коэффициент шума: -; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-502А; Количество контактов: 2; MSL: -.

    2MBI200S-120-50 : БТИЗ, ДВОЙНОЙ, МОДУЛЬНЫЙ, 200 А, 1200 В, NPT. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 200 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2.6V; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 кВт; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Нет.контактов: 7.

    7MBR100U2B-060-50 : IGBT, 7 МОДУЛЕЙ УПАКОВКИ, 600 В, 100 А, M712. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 100А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2V; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Количество контактов: 24.

    7MBR150VN-120-50 : IGBT, 7 PK, V SER, 150A, 1200V, M720. s: Конфигурация модуля: -; Полярность транзистора: -; Ток коллектора постоянного тока: 150 А; Напряжение коллектора-эмиттера Vces: 2.45В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Кол-во выводов: 44.

    PM300RL1A060 : МОДУЛЬ IGBT, 600 В, 300 А. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 300 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600V; Рассеиваемая мощность Pd: 833 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -20 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: Модуль; Нет.выводов: 25.

    SI3588DV-T1-E3 : ДВОЙНОЙ Н / П-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 20 В, TSOP. s: Полярность транзистора: канал N и P; Id постоянного тока утечки, канал N: 2,5 А; Id постоянного тока стока, канал P: -570 мА; Напряжение истока стока Vds, N Канал: 20 В; Напряжение истока стока Vds, канал P: -20 В; На сопротивлении Rds (вкл. ), Канал N: 0,064 Ом; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0,115 Ом; Rds (вкл.).

    SI4947ADY-T1-E3 : МОП-транзистор, -30 В, SOIC. s: Полярность транзистора: канал P; Идентификатор постоянного тока утечки, канал N: -; Идентификатор постоянного тока стока, канал P: -3A; Напряжение истока стока Vds, N Канал: -; Напряжение истока стока Vds, канал P: -30 В; On Resistance Rds (on), канал N: -; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0.062 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10V; Порог.

    2N7002F, 215 : МОП-транзистор, N CH, 60 В, 475MA, 3-SOT-23. s: Полярность транзистора: канал N; Id постоянного тока стока: 475 мА; Напряжение истока стока Vds: 60 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,78 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 830 мВт; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов :.

    CSD16403Q5A : N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 25 В, 100 А, СЫН-8.s: Полярность транзистора: канал N; Идентификатор постоянного тока утечки: 100 А; Напряжение истока стока Vds: 25 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,0022 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 3,1 Вт; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: SON; Количество контактов :.

    S8X8ES1RP : ТИРИСТОР SCR, 510 мА, 800 В, TO-92. s: повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 800 В; Максимальный ток срабатывания затвора, Igt: 5A; Сила тока It av: 510 мА; Текущий среднеквадратичный ток IT (среднеквадратичное значение): 800 мА; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 8 А; Максимальный ток удержания Ih: 5 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 800 мВ; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C; Тиристор.

    BC848C-7-F : ТРАНЗИСТОР, NPN, 30 В, 100 мА, 300 мВт, SOT-23. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 30V; Частота перехода Типичная: 300 МГц; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 600; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов: 3; MSL: -.

    MMUN2112LT1G : БРТ ТРАНЗИСТОР, 50В, 22К / 22КОМ, СОТ-23. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 22 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 22 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-23; Нет.контактов: 3.

    PDTA115EU, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, PNP, -50V, -20MA, 100KOHM / 100KOHM, 3-SOT-323. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -50V; Постоянный ток коллектора Ic: -20 мА; Базовый входной резистор R1: 100 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 100 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-323; Количество контактов: 3.

    Поиск электронных компонентов и запчастей

    Усилители

    Аналоговые ИС

    Аккумуляторные батареи

    Зуммеры, динамики и микрофоны

    Кабели и провода

    Конденсаторы

    Разъемы

    Кристаллы

    Совет по развитию / Совет по проверке программ

    Диоды

    ИС драйвера

    ИС встроенной периферии

    Встроенные процессоры и контроллеры

    Фильтры

    Функциональные модули

    Предохранители

    Оборудование и прочее

    Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы

    Интерфейсные ИС

    ИС логики

    Память

    Двигатель

    Оптопары, светодиоды и инфракрасный порт

    ИС управления питанием

    Кнопочные переключатели и реле

    RF и радио

    Резисторы

    Датчики

    Инструменты и аксессуары

    Транзисторы

    Прочие

    bc807% 20 Эквивалентный лист данных и примечания к применению

    org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>
    2013 — до н.э. 807

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-25QA; BC807-40QA DFN1010D-3 ОТ1215) BC807-25QA BC817-25QA BC817-40QA bc807
    2011 г .— 807 г. до н.э.

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-25WT1G, BC807-40WT1G SC-70 BC807-25W / D bc807
    до н. Э. 807

    Аннотация: BC807-40 BC807-40 5C BC807-16 BC807-25
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 bc807 BC807-40 BC807-40 5C BC807-16 BC807-25
    до н. Э. 807

    Аннотация: BC807-40 BC807-25 BC807-16
    Текст: Текст файла недоступен


    OCR сканирование
    PDF BC807-16 BC807-25 BC807-40 ОТ-23 bc807 BC807-40
    транзистор 5cp

    Аннотация: Транзистор 5Bp Транзистор 5Cp Транзистор 5DP BC808 sot23 5bp 5bp sot23
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF BC807; BC808 BC817 BC818.BC807 BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC808 BC808-16 транзистор 5cp 5Bp транзистор 5Cp транзистор Транзистор 5DP sot23 5бп 5бп сот23
    2005 — транзистор c32725

    Аннотация: c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740
    Текст: Нет текста в файле


    Оригинал
    PDF BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W транзистор c32725 c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740
    2011 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-25WT1G, BC807-40WT1G SC-70 BC807-25W / D
    2009 — C32725 NPN транзистор

    Аннотация: C32740 NPN транзистор C32740 C32716 C32725
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W BC327 C32725 NPN транзистор C32740 NPN транзистор C32740 C32716 C32725
    2004 — 5Б1 СОТ-23

    Резюме: КОД МАРКИРОВКИ 5B1 5B1 SOT23-3 BC807-40LT1 AI mm sot 25 SOT-23 Package onsemi BC807
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D 5Б1 СОТ-23 КОД МАРКИРОВКИ 5B1 5Б1 СОТ23-3 BC807-40LT1 AI сот 25 мм SOT-23 Пакет onsemi BC807
    2001 — BC807-40

    Аннотация: 5B1 SOT-23 BC807-16 BC807-25
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 BC807-40 5Б1 СОТ-23 BC807-16 BC807-25
    2001 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23
    2007 — маркировка 5б1

    Резюме: Дата выпуска полупроводника Код sot-23 BC807 BC80740LT1G 5B1 SOT-23 BC807-1 sot-23 Маркировка B1
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D маркировка 5b1 На полупроводниковую дату Код сот-23 BC807 BC80740LT1G 5Б1 СОТ-23 BC807-1 сот-23 Маркировка Б1
    2009 — транзистор c32725

    Аннотация: c32725 c32740 C32740 PNp транзистор техническое описание C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32716 c32725 транзистор c32725 информация о выводах C3274
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W BC327 транзистор c32725 c32725 c32740 Лист данных на транзистор C32740 PNp C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32716 c32725 транзистор информация о выводе транзистора c32725 C3274
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF BC807, BC808 ОТ-23 BC817 BC818 ОТ-23 BC807-16 BC808-16
    2005 — код маркировки 5b1

    Реферат: 5B1 SOT-23 BC807 5c sot-23 sot-23 Маркировка B1 маркировка b1 sot-23
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D код маркировки 5b1 5Б1 СОТ-23 BC807 5с сот-23 сот-23 Маркировка Б1 маркировка б1 сот-23
    BC807

    Резюме: BC808 BC808-16L BC807-16L BC807-25L BC807-40L BC808-25L BC808-40L
    Текст: Текст файла недоступен


    OCR сканирование
    PDF BC807 BC808 BC807-16L BC807-25L BC807-40L BC808-16L BC808-25L BC808-40L BC808-16L BC807-16L BC807-40L BC808-25L BC808-40L
    2003 — 807 до н.э.

    Аннотация: маркировка FR PNP SOT323 транзистора BC807 BC807-16W BC807-25W BC807-40W
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16W BC807-25W BC807-40W ОТ-323 SC-70) -500 мА, -10 мА, 100 МГц bc807 маркировка FR PNP SOT323 транзистор BC807 BC807-16W BC807-25W BC807-40W
    2011 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807 500 мА 2002/95 / EC ОТ-23, MIL-STD-750, BC807-16 BC807-25 BC807-40 2011-REV
    2002 — BC807-40

    Резюме: BC807-40 / 5C BC807-25 bc807 BC817-25 BC817-40 маркировка 5C
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC817-25 BC817-40 ОТ-23 BC807-40 BC807-40 / 5C BC807-25 bc807 маркировка 5С
    2011 — Транзисторы 5А1 8

    Резюме: Маркировка SBC80-16L 5a1 5B1 SOT-23 BC807 5C
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-16L, SBC80716L BC807-25L, SBC80725L, BC807-40L, SBC807-40L AEC-Q101 ОТ-23 BC807-16LT1 / D Транзисторы 5А1 8 SBC80-16L маркировка 5а1 5Б1 СОТ-23 BC807 5C
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807 ОТ-23 500 мА 2002/95 / EC IEC61249 ОТ-23, MIL-STD-750, BC807-16 BC807-25 2011-REV
    BC807

    Аннотация: транзистор 5cp BC808 5dp транзистор BC808 5Hp код маркировки 5Cp 5HP ibm 5Cp транзистор 5Cp SOT23 BC808-16
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF BC807; BC808 BC817and BC818.BC807 BC808 BC807-16 BC808-16 BC807-25 BC808-25 транзистор 5cp 5dp транзистор BC808 5 л.с. код маркировки 5Cp 5 л.с., ibm 5Cp транзистор 5Cp SOT23
    2013 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16W / OT323 BC817-xxW) J-STD-020 AEC-Q101 BC807-16W / -25 Вт / -40 Вт DS30577
    2003 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16W BC807-25W BC807-40W ОТ-323 SC-70) -500 мА, -10 мА, 100 МГц
    2005 — специя BC807 модель

    Резюме: BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC817 5C КОД МАРКИРОВКИ SOT23 BC807
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC807-16 / ОТ-23 BC817) BC807-40 BC807-16-7.Модель специй BC807 BC817 КОД МАРКИРОВКИ 5C SOT23 BC807

    BC807-25 Транзистор SMD для малых сигналов 45 В SOT23

    BC807-25 Транзистор SMD для малых сигналов 45 В SOT23 | Переключатель Электроника

    Магазин не будет работать корректно, если куки отключены.

    Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.

    Ссылочный код: 551581

    На складе 195 шт. Заказ в течение

    0 часов 00 минут

    для отправки сегодня

    от 0,16 £
    С НДС

    от 0,13 £
    Без НДС

    Множественные скидки на покупку
    1+ £ 0.16 с НДС 0,13 £ Без НДС
    50+ 0,13 £ С НДС 0,11 £ Без НДС Сохранить 16%
    100+ 0,10 £ С НДС 0,08 £ Без НДС Сохранить 39%

    Транзистор BC807-25 представляет собой малосигнальный SMD-транзистор. Эпитаксиальная планарная конструкция штампа идеально подходит для автоматической вставки. Используется для коммутации и применения усилителя НЧ. Дополнительные технические характеристики см. В прилагаемом листе данных.

  • Дополнительные транзисторы NPN — PNP
  • Подходит для коммутации и усилителей
  • 45V 0.8A SOT23
  • Дополнительная информация
    Производитель Диоды Zetex
    Тип PNP
    Тип монтажа Крепление на поверхность
    Упаковка СОТ23
    Коэффициент усиления постоянного тока 160
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 мВ
    Максимальная рабочая температура 150 ° С
    Частота перехода 100 МГц
    Узнавайте первыми о наших последних продуктах и ​​получайте эксклюзивные предложения

    % PDF-1. 3 % 192 0 объект > эндобдж xref 192 74 0000000016 00000 н. 0000001849 00000 н. 0000002047 00000 н. 0000002199 00000 п. 0000002230 00000 н. 0000002287 00000 н. 0000002859 00000 н. 0000003130 00000 н. 0000003197 00000 н. 0000003341 00000 п. 0000003437 00000 н. 0000003560 00000 н. 0000003675 00000 н. 0000003789 00000 н. 0000003909 00000 н. 0000004028 00000 н. 0000004149 00000 п. 0000004266 00000 н. 0000004384 00000 п. 0000004509 00000 н. 0000004626 00000 н. 0000004736 00000 н. 0000004859 00000 н. 0000004980 00000 н. 0000005087 00000 н. 0000005195 00000 н. 0000005310 00000 п. 0000005421 00000 н. 0000005539 00000 п. 0000005659 00000 н. 0000005777 00000 н. 0000005873 00000 н. 0000005968 00000 н. 0000006061 00000 н. 0000006154 00000 н. 0000006248 00000 н. 0000006342 00000 п. 0000006436 00000 н. 0000006530 00000 н. 0000006624 00000 н. 0000006718 00000 н. 0000006812 00000 н. 0000006906 00000 н. 0000007000 00000 н. 0000007094 00000 н. 0000007188 00000 п. 0000007282 00000 н. 0000007376 00000 н. 0000007470 00000 н. 0000007564 00000 н. 0000007706 00000 н. 0000007728 00000 н. 0000008330 00000 н. 0000008352 00000 п. 0000008877 00000 н. 0000008899 00000 н. 0000009488 00000 н. 0000009600 00000 н. 0000009707 00000 н. 0000011013 00000 п. 0000011035 00000 п. 0000011650 00000 п. 0000011741 00000 п. 0000011763 00000 п. 0000012339 00000 п. 0000012424 00000 п. 0000012446 00000 п. 0000012925 00000 п. 0000012947 00000 п. 0000013502 00000 п. 0000013524 00000 п. 0000013941 00000 п. 0000002328 00000 н. 0000002837 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 193 0 объект > эндобдж 194 0 объект ; 5р.F {TQ: K}) / U (ߴ R [} + qƖj 曠 EY) / P -12 / V 1 / Длина 40 >> эндобдж 195 0 объект [ 196 0 руб. ] эндобдж 196 0 объект > / Ж 222 0 П >> эндобдж 197 0 объект > эндобдж 264 0 объект > поток

    транзистор% 205d техническое описание и примечания по применению

    org/Product»>
    TLP627M Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, Оптопара (выход фотодарлингтона), вход постоянного тока, 5000 В среднекв., DIP4
    SSM3K344R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал, 20 В, 3.0 А, 0,071 Ом @ 4,5 В, СОТ-23Ф
    SSM3K324R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал, 30 В, 4,0 А, 0,056 Ом @ 4,5 В, SOT-23F
    SSM6L807R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал + P-канал, 30 В, 4 А, 0,0391 Ом @ 4,5 В, TSOP6F
    SSM3J331R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, P-канал, -20 В, -4.0 А, 0,055 Ом @ 4,5 В, СОТ-23Ф
    SSM3K339R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал, 40 В, 2,0 А, 0,198 Ом @ 4,5 В, SOT-23F
    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *