Каковы основные параметры транзистора BC807. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги BC807. Как правильно подключать и применять BC807 в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора BC807
BC807 — это биполярный PNP-транзистор общего назначения в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Он широко применяется в различных электронных устройствах благодаря своим хорошим характеристикам:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальный ток коллектора: 500 мА
- Коэффициент усиления по току: 100-600 (в зависимости от модификации)
- Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
Благодаря компактному корпусу SOT-23 транзистор BC807 идеально подходит для применения в портативных устройствах и схемах с высокой плотностью монтажа.
Области применения BC807
Транзистор BC807 находит широкое применение в различных электронных схемах, в том числе:
- Усилители низкой частоты
- Импульсные источники питания
- Драйверы светодиодов
- Схемы управления реле и электромагнитными клапанами
- Преобразователи уровня логических сигналов
- Ключевые каскады
- Стабилизаторы напряжения
Универсальность и хорошие характеристики делают BC807 популярным выбором для различных коммутационных и усилительных применений.
Модификации транзистора BC807
Существует несколько модификаций транзистора BC807, отличающихся коэффициентом усиления по току:
- BC807-16: hFE = 100-250
- BC807-25: hFE = 160-400
- BC807-40: hFE = 250-600
Выбор конкретной модификации зависит от требуемого коэффициента усиления в разрабатываемой схеме. Чем выше hFE, тем меньший ток базы требуется для управления транзистором.
Аналоги BC807
У транзистора BC807 есть ряд аналогов с похожими характеристиками:
- BC857 — PNP-транзистор в корпусе SOT-23 с максимальным током 100 мА
- BC327 — PNP-транзистор в корпусе TO-92 с аналогичными параметрами
- 2N3906 — популярный PNP-транзистор общего назначения
- MMBT3906 — SMD-версия 2N3906 в корпусе SOT-23
- BC556 — PNP-транзистор в корпусе TO-92 для маломощных применений
При выборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и тип корпуса транзистора.
Как правильно подключать BC807
Для корректной работы транзистора BC807 необходимо соблюдать правильную полярность подключения:
- Эмиттер подключается к положительному полюсу питания
- Коллектор — к нагрузке
- База управляется отрицательным напряжением относительно эмиттера
Важно не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации. Рекомендуется использовать токоограничивающий резистор в цепи базы.
Типовые схемы включения BC807
Рассмотрим несколько типовых схем применения транзистора BC807:
Ключевой каскад
В этой схеме BC807 используется как электронный ключ для управления нагрузкой:
- Эмиттер подключен к +V питания
- Коллектор — через нагрузку к общему проводу
- На базу подается управляющий сигнал через резистор 10-100 кОм
При подаче отрицательного напряжения на базу транзистор открывается и пропускает ток через нагрузку.
Эмиттерный повторитель
Схема эмиттерного повторителя на BC807:
- Коллектор подключен к +V питания
- Эмиттер — через нагрузку к общему проводу
- На базу подается входной сигнал
Такое включение обеспечивает высокое входное и низкое выходное сопротивление, что полезно для согласования высокоомных источников сигнала с низкоомной нагрузкой.
Особенности применения BC807 в схемах
При разработке схем с использованием BC807 следует учитывать некоторые особенности:
- Максимальный ток коллектора не должен превышать 500 мА
- Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе на больших токах
- Рекомендуется использовать токоограничивающий резистор в цепи базы
- При работе на высоких частотах важно минимизировать паразитные емкости монтажа
- Для защиты от пробоя при работе с индуктивной нагрузкой используйте защитный диод
Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить надежную работу схем с транзистором BC807.
Преимущества и недостатки BC807
Рассмотрим основные плюсы и минусы транзистора BC807:
Преимущества:
- Компактный корпус SOT-23 для поверхностного монтажа
- Высокий коэффициент усиления по току
- Хорошие частотные характеристики
- Широкий диапазон рабочих температур
- Доступность и невысокая стоимость
Недостатки:
- Ограниченная мощность рассеивания (300 мВт)
- Чувствительность к статическому электричеству
- Необходимость соблюдения мер по теплоотводу при работе на больших токах
Несмотря на некоторые ограничения, преимущества BC807 делают его популярным выбором для многих применений.
Выбор BC807 для конкретного применения
При выборе транзистора BC807 для конкретной схемы следует учитывать следующие факторы:
- Требуемый коэффициент усиления по току (hFE)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер в схеме
- Ожидаемый максимальный ток коллектора
- Рабочую частоту схемы
- Температурный диапазон эксплуатации устройства
Правильный выбор модификации BC807 с учетом этих параметров обеспечит оптимальную работу транзистора в вашей схеме.
Заключение
Транзистор BC807 является универсальным и надежным компонентом для различных электронных схем. Его компактный корпус, хорошие электрические характеристики и доступность делают его популярным выбором среди разработчиков. Правильное применение BC807 с учетом его особенностей позволяет создавать эффективные и надежные устройства.
BC807-40 p-n-p транзистор 45В 500мА в SOT 23
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов BC807-40 в корпусе SОT23.
Технические характеристики транзистора BC807-40
- Структура……………………………………………………………………………………биполярная,
- Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..45В
- Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
- Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….5 В
- Ток коллектора, max……………………………………………………………………..500
- Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером……..250….600*
- Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………250 мВт
- Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
- Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
- Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
- Корпус………………………………………………………………………………………SOT23
Транзистор BC807-40 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка и цоколевка транзистора BC807-40 в SOT23
Технические характеристики и маркировка транзистора BC807-40
Биполярные и полевые транзисторы малой и средней мощности
Комплементарной парой к p-n-p транзистору BC807-40 является n-p-n транзистор BC817-40
В слаботочных и сигнальных цепях широко используются транзисторы p-n-p транзистор BC857B / BC857C и n-p-n транзистор BC847B / BC847C. Они упакованы в корпус SOT23 и допускают максимальный ток коллектора 100 мA. В зависимости от индекса в маркировки, B или С, транзисторы имеют различный статический коэффициент передачи тока. В меньших SMD корпусах, SOT323, эти транзисторы имеют индекс W в маркировки BC847CW и BC857CW.
Промежуточное значение предельного тока коллектора в 200 мА имеют широко распространённые транзисторы MMBT3904LT1 и MMBT3906LT1.
Для работы в высоковольтных цепях со склада поставляются транзисторы KST42, MMBTA42LT1, MMBTA92LT1. Максимальное напряжение Коллектор Эмиттер этих транзисторов составляет 300В при этом ток коллектора может достигать 500мА.
Для работы в цепях с током до нескольких Ампер поставляются MOSFET транзисторы, работающие на полевом эффекте в полупроводниковом переходе. Эти транзисторы обладают рекордно низким сопротивлением перехода сток-исток. Транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF в корпусах SOT23. Более мощный полевой транзистор IRFR5305TRPBF упакован в корпусе TO 252. В самом маленьком корпусе SOT323 поставляется BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В.
Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23
Описание товара Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23 Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.Технические характеристики
- Тип транзистора: PNP
- Рабочее напряжение: 45V
- Рабочий ток: 0.5A
- Тип корпуса: SOT-23
Особенности транзисторов BC807-40, PNP, 45V, 0. 5A, корпус SOT-23
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.
Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.
Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:
- В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
- Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
- Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
- Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
- В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.
Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.
Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.
Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.
Транзисторы BC337 и BC327. Характеристика, SMD аналог, распиновка, описание
Транзисторы BC337 (NPN) и BC327 (PNP) являются биполярными транзисторами общего применения средней мощности. Они очень похожи на транзисторы BC548 (NPN) и BC558 (PNP), но более мощные.
Блок питания 0…30 В / 3A
Набор для сборки регулируемого блока питания…
Коллекторный ток BC337 и BC327 может доходить до 800 мА, что в свою очередь позволяет использовать их в управлении электронными устройствами средней мощности, например, в драйверах для небольших двигателей, реле, а также в небольших светодиодных лентах.
На рисунке ниже показана классическая схема управления реле с использованием транзистора BC337. Сопротивление резистора R зависит от логики управления и мощности реле, но обычно можно использовать значение 3,3 kOm.
Транзисторы BC337 и BC327 имеют одинаковый корпус и распиновку выводов, как и у транзистора BC548.
Данные транзисторы очень экономичны и благодаря вышеупомянутой мощности они действительно универсальны.
По этим причинам они используются во многих электронных схемах расположенных на данном сайте, и особенно в схемах, когда необходимо управлять токами которые могут превышать 100 мА. Максимальное напряжение коллектор-эммитер (VCE) у них составляет 45В.
Из двух упомянутых транзисторов, BC337 является наиболее часто используемым, так как NPN тип лучше всего подходит для управления. Транзистор BC327 имеет те же характеристики, что и BC337, но имеет проводимость PNP типа, то есть он является комплементарной парой для BC337.
Распиновка BC337 (NPN) и BC327 (PNP)
Оба транзистора могут быть использованы в выходных каскадах небольших аудиоусилителей. Пример такого типа усилителя можно увидеть на следующем рисунке. Это усилитель собран только на транзисторах и его выходная мощность составляет 0,4 Вт.
Минимальный коэффициент усиления транзистора по току (hFE) для BC337 и BC327 составляет 100, но может доходить и до 630. Если в конце маркировки мы увидим число, то это означает, что коэффициент усиления будет находиться в определенном диапазоне:
Транзисторы BC337 и BC327 довольно быстры и могут использоваться в схемах коммутации. Граничная частота коэффициента передачи тока, то есть частота, при которой усиление снижается до 1, составляет 100 МГц.
Поэтому, если нам нужен хороший коэффициент усиления, то не стоит использовать данные транзисторы в схемах с частотами более 1 МГц.
Технические характеристики BC337 и BC327
Для поверхностного монтажа (SMD) существуют эквивалентные модели, такие как BC817 (NPN) и BC807 (PNP), но с пиковым током коллектора (Ic) немного ниже: 500 мА, вероятно, из-за используемого типа корпуса (SMD) sot23 и sot223.
Распиновка и обозначение SMD BC807 и BC817
Наконец, мы можем увидеть основные технические характеристики BC817 (NPN) и BC807 (PNP) в следующей таблице.
источник: inventable.eu
Цифровой мультиметр AN8009
Большой ЖК-дисплей с подсветкой, 9999 отсчетов, измерение TrueRMS…
Главная Автомагнитолы DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Даташиты Маркировка SMD Форум |
|
отзывы, фото и характеристики на Aredi.
ruМы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России
- 1
Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.
- 2
После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.
- 3
Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.
!
Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.
Гарантии и возврат
Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.
Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.
- У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
- Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
- Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
- 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.
PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 300мВт; SOT23 производства YANGJIE TECHNOLOGY BC807-25Q-YAN
Главная Каталог Полупроводники Транзисторы Транзисторы биполярные Транзисторы биполярные одинарные Транзисторы PNP SMDКоличество | Цена ₽/шт |
---|---|
+50 | 01670″> 2.26 |
+100 | 2.03 |
+250 | 1.8 |
+485 | 1.47 |
+2275 | 1. 4 |
Вы можете запросить у нас любое количество BC807-25Q, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.
Работаем с частными и юридическими лицами.
BC807-25Q-YAN описание и характеристики
Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 300мВт; SOT23
Полярность
биполярный
Напряжение коллектор-эмиттер
45В
Рассеиваемая мощность
300мВт
Вид упаковки
лента, бобина
Частота
100МГц
Ток коллектора
0,5А
Корпус
SOT23
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Тип транзистора
PNP
Коэффициент усиления по току
160. ..400
Применение
автомобильная отрасль
Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
Смежные товары
маркировка smd транзисторов, аналоги
Статья для определения типа транзистора по обозначению на корпусе, а также его условный аналог.
Обозначениена корпусе | Типтранзистора | Условныйаналог |
15 | MMBT3960 | 2N3960 |
1A | BC846A | BC546A |
1B | BC846B | BC546B |
1C | MMBTA20 | MPSA20 |
1D | BC846 | — |
1E | BC847A | BC547A |
1F | BC847B | BC547B |
1G | BC847C | BC547C |
1H | BC847 | — |
1J | BC848A | BC548A |
1K | BC848B | BC548B |
1L | BC848C | BC548C |
1M | BC848 | — |
1P | FMMT2222A | 2N2222A |
1T | MMBT3960A | 2N3960A |
1X | MMBT930 | — |
1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
2A | FMMT3906 | 2N3906 |
2B | BC849B | BC549B |
2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
2E | FMMTA93 | — |
2F | BC850B | BC550B |
2G | BC850C | BC550C |
2J | MMBT3640 | 2N3640 |
2K | MMBT8598 | — |
2M | MMBT404 | — |
2N | MMBT404A | — |
2T | MMBT4403 | 2N4403 |
2W | MMBT8599 | — |
2X | MMBT4401 | 2N4401 |
3A | BC856A | BC556A |
3B | BC856B | BC556B |
3D | BC856 | — |
3E | BC857A | BC557A |
3F | BC857B | BC557B |
3G | BC857C | BC557C |
3J | BC858A | BC558A |
3K | BC858B | BC558B |
3L | BC858C | BC558C |
3S | MMBT5551 | — |
4A | BC859A | BC559A |
4B | BC859B | BC559B |
4C | BC859C | BC559C |
4E | BC860A | BC560A |
4F | BC860B | BC560B |
4G | BC860C | BC560C |
4J | FMMT38A | — |
449 | FMMT449 | — |
489 | FMMT489 | — |
491 | FMMT491 | — |
493 | FMMT493 | — |
5A | BC807-16 | BC327-16 |
5B | BC807-25 | BC327-25 |
5C | BC807-40 | BC327-40 |
5E | BC808-16 | BC328-16 |
5F | BC808-25 | BC328-25 |
5G | BC808-40 | BC328-40 |
549 | FMMT549 | — |
589 | FMMT589 | — |
591 | FMMT591 | — |
593 | FMMT593 | — |
6A | BC817-16 | BC337-16 |
6B | BC817-25 | BC337-25 |
6C | BC817-40 | BC337-40 |
6E | BC818-16 | BC338-16 |
6F | BC818-25 | BC338-25 |
6G | BC818-40 | BC338-40 |
9 | BC849BLT1 | — |
AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
AB | BCW60B | — |
AC | BCW60C | BC548B |
AD | BCW60D | — |
AE | BCX52 | — |
AG | BCX70G | — |
AH | BCX70H | — |
AJ | BCX70J | — |
AK | BCX70K | — |
AL | MMBTA55 | — |
AM | BSS64 | 2N3638 |
AS1 | BST50 | BSR50 |
B2 | BSV52 | 2N2369A |
BA | BCW61A | BC635 |
BB | BCW61B | — |
BC | BCW61C | — |
BD | BCW61D | — |
BE | BCX55 | — |
BG | BCX71G | — |
BH | BCX71H | BC639 |
BJ | BCX71J | — |
BK | BCX71K | — |
BN | MMBT3638A | 2N3638A |
BR2 | BSR31 | 2N4031 |
C1 | BCW29 | — |
C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
C5 | MMBA811C5 | — |
C6 | MMBA811C6 | — |
C7 | BCF29 | — |
C8 | BCF30 | — |
CE | BSS79B | — |
CEC | BC869 | BC369 |
CF | BSS79C | — |
CH | BSS82B / BSS80B | — |
CJ | BSS80C | — |
CM | BSS82C | — |
D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
D6 | MMBC1622D6 | — |
D7 | BCF32 | — |
D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
DA | BCW67A | — |
DB | BCW67B | — |
DC | BCW67C | — |
DE | BFN18 | — |
DF | BCW68F | — |
DG | BCW68G | — |
DH | BCW68H | — |
E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
EA | BCW65A | — |
EB | BCW65B | — |
EC | BCW65C | — |
ED | BCW65C | — |
EF | BCW66F | — |
EG | BCW66G | — |
EH | BCW66H | — |
F1 | MMBC1009F1 | — |
F3 | MMBC1009F3 | — |
FA | BFQ17 | BFW16A |
FD | BCV26 | MPSA64 |
FE | BCV46 | MPSA77 |
FF | BCV27 | MPSA14 |
FG | BCV47 | MPSA27 |
GF | BFR92P | — |
h2 | BCW69 | — |
h3 | BCW70 | BC557B |
h4 | BCW89 | — |
H7 | BCF70 | — |
K1 | BCW71 | BC547A |
K2 | BCW72 | BC547B |
K3 | BCW81 | — |
K4 | BCW71R | — |
K7 | BCV71 | — |
K8 | BCV72 | — |
K9 | BCF81 | — |
L1 | BSS65 | — |
L2 | BSS70 | — |
L3 | MMBC1323L3 | — |
L4 | MMBC1623L4 | — |
L5 | MMBC1623L5 | — |
L6 | MMBC1623L6 | — |
L7 | MMBC1623L7 | — |
M3 | MMBA812M3 | — |
M4 | MMBA812M4 | — |
M5 | MMBA812M5 | — |
M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
M7 | MMBA812M7 | — |
O2 | BST82 | — |
P1 | BFR92 | BFR90 |
P2 | BFR92A | BFR90 |
P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
Q3 | MMBC1321Q3 | — |
Q4 | MMBC1321Q4 | — |
Q5 | MMBC1321Q5 | — |
R1 | BFR93 | BFR91 |
R2 | BFR93A | BFR91 |
S1A | SMBT3904 | — |
S1D | SMBTA42 | — |
S2 | MMBA813S2 | — |
S2A | SMBT3906 | — |
S2D | SMBTA92 | — |
S2F | SMBT2907A | — |
S3 | MMBA813S3 | — |
S4 | MMBA813S4 | — |
T1 | BCX17 | BC327 |
T2 | BCX18 | — |
T7 | BSR15 | 2N2907A |
T8 | BSR16 | 2N2907A |
U1 | BCX19 | BC337 |
U2 | BCX20 | — |
U7 | BSR13 | 2N2222A |
U8 | BSR14 | 2N2222A |
U9 | BSR17 | — |
U92 | BSR17A | 2N3904 |
Z2V | FMMTA64 | — |
ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
25W — Транзисторы общего назначения PNP Silicon
% PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток application / pdf
BC807-40LT1G datasheet — Технические характеристики: Полярность транзистора: PNP; Коллектор
VS-GBPC2502A : МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1-фазный, 25 А, 200 В QC. s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 200 В; Ток в прямом направлении, если (AV): 25А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: Быстрое подключение; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: GBPC-A; Количество контактов: 4.
MBR0530T1G : ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY, 500 мА, 30 В, SOD-123. s: Количество фаз: -; Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 30 В; Прямой ток, если (AV): 500 мА; Конфигурация диода: одиночный; Максимальное прямое напряжение VF: 430 мВ; Конфигурация модуля: -; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Максимальный прямой импульсный ток Ifsm: 5.5А; Диапазон рабочих температур:.
B140-E3 / 61T : ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY, 1 А 40 В DO-214AC. s: Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 40 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 520 мВ; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 125 ° C; Тип корпуса диода: DO-214AC; Количество контактов: 2; MSL: -.
BAV20W-TP : ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ДИОД, 150 В, SOD-123. s: Тип диода: Импульсный; Прямой ток, если (AV): 200 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 150 В; Максимальное прямое напряжение VF: 1.25В; Максимальное время обратного восстановления trr: 50 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Макс: 1А; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса диода: SOD-123; Количество контактов: 2; MSL: -.
1N5227B-TAP : стабилитрон, 500 мВт, 3,6 В, DO-35. s: напряжение стабилитрона Vz Тип: 3,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 500 мВт; Тип корпуса диода: DO-35; Количество контактов: 2; Диапазон рабочих температур: — ; MSL: -.
BLS6G3135-120 : LDMOS, RF, 120 Вт, 3100–3500 МГц, 32 В. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение истока стока Vds: 60 В; Идентификатор постоянного тока утечки: 7. 2А; Рассеиваемая мощность Pd: -; Диапазон рабочих частот: от 2,7 до 3,1 ГГц; Типовой коэффициент шума: -; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-502А; Количество контактов: 2; MSL: -.
2MBI200S-120-50 : БТИЗ, ДВОЙНОЙ, МОДУЛЬНЫЙ, 200 А, 1200 В, NPT. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 200 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2.6V; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 кВт; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Нет.контактов: 7.
7MBR100U2B-060-50 : IGBT, 7 МОДУЛЕЙ УПАКОВКИ, 600 В, 100 А, M712. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 100А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2V; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Количество контактов: 24.
7MBR150VN-120-50 : IGBT, 7 PK, V SER, 150A, 1200V, M720. s: Конфигурация модуля: -; Полярность транзистора: -; Ток коллектора постоянного тока: 150 А; Напряжение коллектора-эмиттера Vces: 2.45В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Кол-во выводов: 44.
PM300RL1A060 : МОДУЛЬ IGBT, 600 В, 300 А. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 300 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600V; Рассеиваемая мощность Pd: 833 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -20 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: Модуль; Нет.выводов: 25.
SI3588DV-T1-E3 : ДВОЙНОЙ Н / П-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 20 В, TSOP. s: Полярность транзистора: канал N и P; Id постоянного тока утечки, канал N: 2,5 А; Id постоянного тока стока, канал P: -570 мА; Напряжение истока стока Vds, N Канал: 20 В; Напряжение истока стока Vds, канал P: -20 В; На сопротивлении Rds (вкл. ), Канал N: 0,064 Ом; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0,115 Ом; Rds (вкл.).
SI4947ADY-T1-E3 : МОП-транзистор, -30 В, SOIC. s: Полярность транзистора: канал P; Идентификатор постоянного тока утечки, канал N: -; Идентификатор постоянного тока стока, канал P: -3A; Напряжение истока стока Vds, N Канал: -; Напряжение истока стока Vds, канал P: -30 В; On Resistance Rds (on), канал N: -; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0.062 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10V; Порог.
2N7002F, 215 : МОП-транзистор, N CH, 60 В, 475MA, 3-SOT-23. s: Полярность транзистора: канал N; Id постоянного тока стока: 475 мА; Напряжение истока стока Vds: 60 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,78 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 830 мВт; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов :.
CSD16403Q5A : N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 25 В, 100 А, СЫН-8.s: Полярность транзистора: канал N; Идентификатор постоянного тока утечки: 100 А; Напряжение истока стока Vds: 25 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,0022 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 3,1 Вт; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: SON; Количество контактов :.
S8X8ES1RP : ТИРИСТОР SCR, 510 мА, 800 В, TO-92. s: повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 800 В; Максимальный ток срабатывания затвора, Igt: 5A; Сила тока It av: 510 мА; Текущий среднеквадратичный ток IT (среднеквадратичное значение): 800 мА; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 8 А; Максимальный ток удержания Ih: 5 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 800 мВ; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C; Тиристор.
BC848C-7-F : ТРАНЗИСТОР, NPN, 30 В, 100 мА, 300 мВт, SOT-23. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 30V; Частота перехода Типичная: 300 МГц; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 600; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов: 3; MSL: -.
MMUN2112LT1G : БРТ ТРАНЗИСТОР, 50В, 22К / 22КОМ, СОТ-23. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 22 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 22 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-23; Нет.контактов: 3.
PDTA115EU, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, PNP, -50V, -20MA, 100KOHM / 100KOHM, 3-SOT-323. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -50V; Постоянный ток коллектора Ic: -20 мА; Базовый входной резистор R1: 100 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 100 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-323; Количество контактов: 3.
Поиск электронных компонентов и запчастей
Усилители
Аналоговые ИС
Аккумуляторные батареи
Зуммеры, динамики и микрофоны
Кабели и провода
Конденсаторы
Разъемы
Кристаллы
Совет по развитию / Совет по проверке программ
Диоды
ИС драйвера
ИС встроенной периферии
Встроенные процессоры и контроллеры
Фильтры
Функциональные модули
Предохранители
Оборудование и прочее
Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы
Интерфейсные ИС
ИС логики
Память
Двигатель
Оптопары, светодиоды и инфракрасный порт
ИС управления питанием
Кнопочные переключатели и реле
RF и радио
Резисторы
Датчики
Инструменты и аксессуары
Транзисторы
Прочие
2013 — до н.э. 807 Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807-25QA; BC807-40QA DFN1010D-3 ОТ1215) BC807-25QA BC817-25QA BC817-40QA bc807 | |
2011 г .— 807 г. до н.э. Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807-25WT1G, BC807-40WT1G SC-70 BC807-25W / D bc807 | |
до н. Э. 807 Аннотация: BC807-40 BC807-40 5C BC807-16 BC807-25 | Оригинал | BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 bc807 BC807-40 BC807-40 5C BC807-16 BC807-25 | |
до н. Э. 807 Аннотация: BC807-40 BC807-25 BC807-16 | OCR сканирование | BC807-16 BC807-25 BC807-40 ОТ-23 bc807 BC807-40 | |
транзистор 5cp Аннотация: Транзистор 5Bp Транзистор 5Cp Транзистор 5DP BC808 sot23 5bp 5bp sot23 | OCR сканирование | BC807; BC808 BC817 BC818.BC807 BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC808 BC808-16 транзистор 5cp 5Bp транзистор 5Cp транзистор Транзистор 5DP sot23 5бп 5бп сот23 | |
2005 — транзистор c32725 Аннотация: c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740 | Оригинал | BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W транзистор c32725 c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740 | |
2011 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807-25WT1G, BC807-40WT1G SC-70 BC807-25W / D | |
2009 — C32725 NPN транзистор Аннотация: C32740 NPN транзистор C32740 C32716 C32725 | Оригинал | BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W BC327 C32725 NPN транзистор C32740 NPN транзистор C32740 C32716 C32725 | |
2004 — 5Б1 СОТ-23 Резюме: КОД МАРКИРОВКИ 5B1 5B1 SOT23-3 BC807-40LT1 AI mm sot 25 SOT-23 Package onsemi BC807 | Оригинал | BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D 5Б1 СОТ-23 КОД МАРКИРОВКИ 5B1 5Б1 СОТ23-3 BC807-40LT1 AI сот 25 мм SOT-23 Пакет onsemi BC807 | |
2001 — BC807-40 Аннотация: 5B1 SOT-23 BC807-16 BC807-25 | Оригинал | BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 BC807-40 5Б1 СОТ-23 BC807-16 BC807-25 | |
2001 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 | |
2007 — маркировка 5б1 Резюме: Дата выпуска полупроводника Код sot-23 BC807 BC80740LT1G 5B1 SOT-23 BC807-1 sot-23 Маркировка B1 | Оригинал | BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D маркировка 5b1 На полупроводниковую дату Код сот-23 BC807 BC80740LT1G 5Б1 СОТ-23 BC807-1 сот-23 Маркировка Б1 | |
2009 — транзистор c32725 Аннотация: c32725 c32740 C32740 PNp транзистор техническое описание C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32716 c32725 транзистор c32725 информация о выводах C3274 | Оригинал | BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W BC327 транзистор c32725 c32725 c32740 Лист данных на транзистор C32740 PNp C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32716 c32725 транзистор информация о выводе транзистора c32725 C3274 | |
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | OCR сканирование | BC807, BC808 ОТ-23 BC817 BC818 ОТ-23 BC807-16 BC808-16 | |
2005 — код маркировки 5b1 Реферат: 5B1 SOT-23 BC807 5c sot-23 sot-23 Маркировка B1 маркировка b1 sot-23 | Оригинал | BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D код маркировки 5b1 5Б1 СОТ-23 BC807 5с сот-23 сот-23 Маркировка Б1 маркировка б1 сот-23 | |
BC807 Резюме: BC808 BC808-16L BC807-16L BC807-25L BC807-40L BC808-25L BC808-40L | OCR сканирование | BC807 BC808 BC807-16L BC807-25L BC807-40L BC808-16L BC808-25L BC808-40L BC808-16L BC807-16L BC807-40L BC808-25L BC808-40L | |
2003 — 807 до н.э. Аннотация: маркировка FR PNP SOT323 транзистора BC807 BC807-16W BC807-25W BC807-40W | Оригинал | BC807-16W BC807-25W BC807-40W ОТ-323 SC-70) -500 мА, -10 мА, 100 МГц bc807 маркировка FR PNP SOT323 транзистор BC807 BC807-16W BC807-25W BC807-40W | |
2011 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807 500 мА 2002/95 / EC ОТ-23, MIL-STD-750, BC807-16 BC807-25 BC807-40 2011-REV | |
2002 — BC807-40 Резюме: BC807-40 / 5C BC807-25 bc807 BC817-25 BC817-40 маркировка 5C | Оригинал | BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC817-25 BC817-40 ОТ-23 BC807-40 BC807-40 / 5C BC807-25 bc807 маркировка 5С | |
2011 — Транзисторы 5А1 8 Резюме: Маркировка SBC80-16L 5a1 5B1 SOT-23 BC807 5C | Оригинал | BC807-16L, SBC80716L BC807-25L, SBC80725L, BC807-40L, SBC807-40L AEC-Q101 ОТ-23 BC807-16LT1 / D Транзисторы 5А1 8 SBC80-16L маркировка 5а1 5Б1 СОТ-23 BC807 5C | |
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807 ОТ-23 500 мА 2002/95 / EC IEC61249 ОТ-23, MIL-STD-750, BC807-16 BC807-25 2011-REV | |
BC807 Аннотация: транзистор 5cp BC808 5dp транзистор BC808 5Hp код маркировки 5Cp 5HP ibm 5Cp транзистор 5Cp SOT23 BC808-16 | OCR сканирование | BC807; BC808 BC817and BC818.BC807 BC808 BC807-16 BC808-16 BC807-25 BC808-25 транзистор 5cp 5dp транзистор BC808 5 л.с. код маркировки 5Cp 5 л.с., ibm 5Cp транзистор 5Cp SOT23 | |
2013 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807-16W / OT323 BC817-xxW) J-STD-020 AEC-Q101 BC807-16W / -25 Вт / -40 Вт DS30577 | |
2003 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | BC807-16W BC807-25W BC807-40W ОТ-323 SC-70) -500 мА, -10 мА, 100 МГц | |
2005 — специя BC807 модель Резюме: BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC817 5C КОД МАРКИРОВКИ SOT23 BC807 | Оригинал | BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC807-16 / ОТ-23 BC817) BC807-40 BC807-16-7.Модель специй BC807 BC817 КОД МАРКИРОВКИ 5C SOT23 BC807 |
BC807-25 Транзистор SMD для малых сигналов 45 В SOT23
BC807-25 Транзистор SMD для малых сигналов 45 В SOT23 | Переключатель ЭлектроникаМагазин не будет работать корректно, если куки отключены.
Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.
Ссылочный код: 551581
На складе 195 шт. Заказ в течение0 часов 00 минут
для отправки сегодняот 0,16 £
С НДСот 0,13 £
Без НДСМножественные скидки на покупку | |||
---|---|---|---|
1+ | £ 0.16 с НДС | 0,13 £ Без НДС | |
50+ | 0,13 £ С НДС | 0,11 £ Без НДС | Сохранить 16% |
100+ | 0,10 £ С НДС | 0,08 £ Без НДС | Сохранить 39% |
Транзистор BC807-25 представляет собой малосигнальный SMD-транзистор. Эпитаксиальная планарная конструкция штампа идеально подходит для автоматической вставки. Используется для коммутации и применения усилителя НЧ. Дополнительные технические характеристики см. В прилагаемом листе данных.
Производитель | Диоды Zetex |
---|---|
Тип | PNP |
Тип монтажа | Крепление на поверхность |
Упаковка | СОТ23 |
Коэффициент усиления постоянного тока | 160 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 мВ |
Максимальная рабочая температура | 150 ° С |
Частота перехода | 100 МГц |
% PDF-1. 3 % 192 0 объект > эндобдж xref 192 74 0000000016 00000 н. 0000001849 00000 н. 0000002047 00000 н. 0000002199 00000 п. 0000002230 00000 н. 0000002287 00000 н. 0000002859 00000 н. 0000003130 00000 н. 0000003197 00000 н. 0000003341 00000 п. 0000003437 00000 н. 0000003560 00000 н. 0000003675 00000 н. 0000003789 00000 н. 0000003909 00000 н. 0000004028 00000 н. 0000004149 00000 п. 0000004266 00000 н. 0000004384 00000 п. 0000004509 00000 н. 0000004626 00000 н. 0000004736 00000 н. 0000004859 00000 н. 0000004980 00000 н. 0000005087 00000 н. 0000005195 00000 н. 0000005310 00000 п. 0000005421 00000 н. 0000005539 00000 п. 0000005659 00000 н. 0000005777 00000 н. 0000005873 00000 н. 0000005968 00000 н. 0000006061 00000 н. 0000006154 00000 н. 0000006248 00000 н. 0000006342 00000 п. 0000006436 00000 н. 0000006530 00000 н. 0000006624 00000 н. 0000006718 00000 н. 0000006812 00000 н. 0000006906 00000 н. 0000007000 00000 н. 0000007094 00000 н. 0000007188 00000 п. 0000007282 00000 н. 0000007376 00000 н. 0000007470 00000 н. 0000007564 00000 н. 0000007706 00000 н. 0000007728 00000 н. 0000008330 00000 н. 0000008352 00000 п. 0000008877 00000 н. 0000008899 00000 н. 0000009488 00000 н. 0000009600 00000 н. 0000009707 00000 н. 0000011013 00000 п. 0000011035 00000 п. 0000011650 00000 п. 0000011741 00000 п. 0000011763 00000 п. 0000012339 00000 п. 0000012424 00000 п. 0000012446 00000 п. 0000012925 00000 п. 0000012947 00000 п. 0000013502 00000 п. 0000013524 00000 п. 0000013941 00000 п. 0000002328 00000 н. 0000002837 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 193 0 объект > эндобдж 194 0 объект ; 5р.F {TQ: K}) / U (ߴ R [} + qƖj 曠 EY) / P -12 / V 1 / Длина 40 >> эндобдж 195 0 объект [ 196 0 руб. ] эндобдж 196 0 объект > / Ж 222 0 П >> эндобдж 197 0 объект > эндобдж 264 0 объект > поток
TLP627M | Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, | Оптопара (выход фотодарлингтона), вход постоянного тока, 5000 В среднекв., DIP4 | |||
SSM3K344R | Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, | МОП-транзистор, N-канал, 20 В, 3.0 А, 0,071 Ом @ 4,5 В, СОТ-23Ф | |||
SSM3K324R | Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, | МОП-транзистор, N-канал, 30 В, 4,0 А, 0,056 Ом @ 4,5 В, SOT-23F | |||
SSM6L807R | Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, | МОП-транзистор, N-канал + P-канал, 30 В, 4 А, 0,0391 Ом @ 4,5 В, TSOP6F | |||
SSM3J331R | Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, | МОП-транзистор, P-канал, -20 В, -4.0 А, 0,055 Ом @ 4,5 В, СОТ-23Ф | |||
SSM3K339R | Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, | МОП-транзистор, N-канал, 40 В, 2,0 А, 0,198 Ом @ 4,5 В, SOT-23F |