Bc807 транзистор характеристики: BC807 SMD , , datasheet, , ,

Содержание

BC807-40 p-n-p транзистор 45В 500мА в SOT 23


Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов BC807-40 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора BC807-40

  • Структура……………………………………………………………………………………биполярная,
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..45В
  • Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
  • Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….5 В
  • Ток коллектора, max……………………………………………………………………..500
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером……..250….600*
  • Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………250 мВт
  • Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
  • Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
  • Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
  • Корпус………………………………………………………………………………………SOT23

Транзистор BC807-40 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора BC807-40 в SOT23

Технические характеристики и маркировка транзистора BC807-40

Биполярные и полевые транзисторы малой и средней мощности

Комплементарной парой к p-n-p транзистору BC807-40 является n-p-n транзистор BC817-40

В слаботочных и сигнальных цепях широко используются транзисторы p-n-p транзистор BC857B / BC857C и n-p-n транзистор BC847B / BC847C. Они упакованы в корпус SOT23 и допускают максимальный ток коллектора 100 мA. В зависимости от индекса в маркировки, B или С, транзисторы имеют различный статический коэффициент передачи тока. В меньших SMD корпусах, SOT323, эти транзисторы имеют индекс W в маркировки BC847CW и BC857CW.

Промежуточное значение предельного тока коллектора в 200 мА имеют широко распространённые транзисторы MMBT3904LT1 и MMBT3906LT1.

Для работы в высоковольтных цепях со склада поставляются транзисторы KST42, MMBTA42LT1, MMBTA92LT1. Максимальное напряжение Коллектор Эмиттер этих транзисторов составляет 300В при этом ток коллектора может достигать 500мА.

Для работы в цепях с током до нескольких Ампер поставляются MOSFET транзисторы, работающие на полевом эффекте в полупроводниковом переходе. Эти транзисторы обладают рекордно низким сопротивлением перехода сток-исток. Транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF в корпусах SOT23. Более мощный полевой транзистор IRFR5305TRPBF упакован в корпусе TO 252. В самом маленьком корпусе SOT323 поставляется BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В.

Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23

Описание товара Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23

Транзистор BC807-40, PNP, 45V, 0.5A, корпус SOT-23 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: PNP
  • Рабочее напряжение: 45V
  • Рабочий ток: 0.5A
  • Тип корпуса: SOT-23

Особенности транзисторов BC807-40, PNP, 45V, 0. 5A, корпус SOT-23
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.

Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.    
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

Транзисторы BC337 и BC327. Характеристика, SMD аналог, распиновка, описание

Транзисторы BC337 (NPN) и BC327 (PNP) являются биполярными транзисторами общего применения средней мощности. Они очень похожи на транзисторы BC548 (NPN) и BC558 (PNP), но более мощные.

Блок питания 0…30 В / 3A

Набор для сборки регулируемого блока питания…

Коллекторный ток BC337 и BC327 может доходить до 800 мА, что в свою очередь позволяет использовать их в управлении электронными устройствами средней мощности, например, в драйверах для небольших двигателей, реле, а также в небольших светодиодных лентах.

На рисунке ниже показана классическая схема управления реле с использованием транзистора BC337. Сопротивление резистора R зависит от логики управления и мощности реле, но обычно можно использовать значение 3,3 kOm.

Транзисторы BC337 и BC327 имеют одинаковый корпус и распиновку выводов, как и у транзистора BC548.

Данные транзисторы очень экономичны и благодаря вышеупомянутой мощности они действительно универсальны.

По этим причинам они используются во многих электронных схемах расположенных на данном сайте, и особенно в схемах, когда необходимо управлять токами которые могут превышать 100 мА. Максимальное напряжение коллектор-эммитер (VCE) у них составляет 45В.

Из двух упомянутых транзисторов, BC337 является наиболее часто используемым, так как NPN тип лучше всего подходит для управления. Транзистор BC327 имеет те же характеристики, что и BC337, но имеет проводимость PNP типа, то есть он является комплементарной парой для BC337.

Распиновка BC337 (NPN) и BC327 (PNP)

Оба транзистора могут быть использованы в выходных каскадах небольших аудиоусилителей. Пример такого типа усилителя можно увидеть на следующем рисунке. Это усилитель собран только на транзисторах и его выходная мощность составляет 0,4 Вт.

Минимальный коэффициент усиления транзистора по току (hFE) для BC337 и BC327 составляет 100, но может доходить и до 630. Если в конце маркировки мы увидим число, то это означает, что коэффициент усиления будет находиться в определенном диапазоне:

Транзисторы BC337 и BC327 довольно быстры и могут использоваться в схемах коммутации. Граничная частота коэффициента передачи тока, то есть частота, при которой усиление снижается до 1, составляет 100 МГц.

Поэтому, если нам нужен хороший коэффициент усиления, то не стоит использовать данные транзисторы в схемах с частотами более 1 МГц.

Технические характеристики BC337 и BC327

Для поверхностного монтажа (SMD) существуют эквивалентные модели, такие как BC817 (NPN) и BC807 (PNP), но с пиковым током коллектора (Ic) немного ниже: 500 мА, вероятно, из-за используемого типа корпуса (SMD) sot23 и sot223.

Распиновка и обозначение SMD BC807 и BC817

Наконец, мы можем увидеть основные технические характеристики BC817 (NPN) и BC807 (PNP) в следующей таблице.

источник: inventable.eu

Цифровой мультиметр AN8009

Большой ЖК-дисплей с подсветкой, 9999 отсчетов, измерение TrueRMS…

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 5C, 5C**, 5C-, 5CW, 5Cp, 5Ct. Даташиты BC807-40, BC807-40LT1G, BC807-40W, FMMD7000, MM1Z11, MM5Z7V5, SMF05C, ST6205CS23RG, ST6205CS32RG.

Главная
Автомагнитолы
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Даташиты
Маркировка SMD
Форум
  1. Главная
  2. Маркировка SMD
  3. 5C
Код SMDКорпусНаименованиеПроизводительОписаниеДаташит
5C SOT-23 BC807-40General Semiconductor (Now Vishay)PNP транзистор
5C SOT-23 BC807-40LT1GONPNP транзистор
5C SOT-23 FMMD7000Zetex (Now Diodes)Переключающие диоды
5C SOD-123F MM1Z11SemtechСтабилитрон
5C SOT-523F MM5Z7V5FairchildСтабилитрон
5C SOT-363 SMF05CSemtechЗащитные диоды
5C** SOT-23 ST6205CS23RGStansonСтабилизатор напряжения
5C** SOT-323 ST6205CS32RGStansonСтабилизатор напряжения
5C- SOT-23 BC807-40NXPPNP транзистор
5C- SOT-323 BC807-40WNXPPNP транзистор
5CW SOT-23 BC807-40NXPPNP транзистор
5CW SOT-323 BC807-40WNXPPNP транзистор
5Cp SOT-23 BC807-40NXPPNP транзистор
5Cp SOT-323 BC807-40WNXPPNP транзистор
5Ct SOT-23 BC807-40NXPPNP транзистор
5Ct SOT-323 BC807-40WNXPPNP транзистор

отзывы, фото и характеристики на Aredi.

ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 300мВт; SOT23 производства YANGJIE TECHNOLOGY BC807-25Q-YAN

Главная Каталог Полупроводники Транзисторы Транзисторы биполярные Транзисторы биполярные одинарные Транзисторы PNP SMD
Количество Цена ₽/шт
+50 +100 2.03
+250 1.8
+485 1.47
+2275 1. 4
Минимально 50 шт и кратно 5 шт

Вы можете запросить у нас любое количество BC807-25Q, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

Купить BC807-25Q от 50 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

BC807-25Q-YAN описание и характеристики

Транзистор: PNP; биполярный; 45В; 0,5А; 300мВт; SOT23

  • Полярность

    биполярный

  • Напряжение коллектор-эмиттер

    45В

  • Рассеиваемая мощность

    300мВт

  • Вид упаковки

    лента, бобина

  • Частота

    100МГц

  • Ток коллектора

    0,5А

  • Корпус

    SOT23

  • Производитель

    YANGJIE TECHNOLOGY

  • Монтаж

    SMD

  • Тип транзистора

    PNP

  • Коэффициент усиления по току

    160. ..400

  • Применение

    автомобильная отрасль

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи


Смежные товары

маркировка smd транзисторов, аналоги

Статья для определения типа транзистора по обозначению на корпусе, а также его условный аналог.

 

 

Обозначениена корпусе Типтранзистора Условныйаналог
15 MMBT3960 2N3960
1A BC846A BC546A
1B BC846B BC546B
1C MMBTA20 MPSA20
1D BC846
1E BC847A BC547A
1F BC847B BC547B
1G BC847C BC547C
1H BC847
1J BC848A BC548A
1K BC848B BC548B
1L BC848C BC548C
1M BC848
1P FMMT2222A 2N2222A
1T MMBT3960A 2N3960A
1X MMBT930
1Y MMBT3903 2N3903
2A FMMT3906 2N3906
2B BC849B BC549B
2C BC849C BC549C / BC109C / MMBTA70
2E FMMTA93
2F BC850B BC550B
2G BC850C BC550C
2J MMBT3640 2N3640
2K MMBT8598
2M MMBT404
2N MMBT404A
2T MMBT4403 2N4403
2W MMBT8599
2X MMBT4401 2N4401
3A BC856A BC556A
3B BC856B BC556B
3D BC856
3E BC857A BC557A
3F BC857B BC557B
3G BC857C BC557C
3J BC858A BC558A
3K BC858B BC558B
3L BC858C BC558C
3S MMBT5551
4A BC859A BC559A
4B BC859B BC559B
4C BC859C BC559C
4E BC860A BC560A
4F BC860B BC560B
4G BC860C BC560C
4J FMMT38A
449 FMMT449
489 FMMT489
491 FMMT491
493 FMMT493
5A BC807-16 BC327-16
5B BC807-25 BC327-25
5C BC807-40 BC327-40
5E BC808-16 BC328-16
5F BC808-25 BC328-25
5G BC808-40 BC328-40
549 FMMT549
589 FMMT589
591 FMMT591
593 FMMT593
6A BC817-16 BC337-16
6B BC817-25 BC337-25
6C BC817-40 BC337-40
6E BC818-16 BC338-16
6F BC818-25 BC338-25
6G BC818-40 BC338-40
9 BC849BLT1
AA BCW60A BC636 / BCW60A
AB BCW60B
AC BCW60C BC548B
AD BCW60D
AE BCX52
AG BCX70G
AH BCX70H
AJ BCX70J
AK BCX70K
AL MMBTA55
AM BSS64 2N3638
AS1 BST50 BSR50
B2 BSV52 2N2369A
BA BCW61A BC635
BB BCW61B
BC BCW61C
BD BCW61D
BE BCX55
BG BCX71G
BH BCX71H BC639
BJ BCX71J
BK BCX71K
BN MMBT3638A 2N3638A
BR2 BSR31 2N4031
C1 BCW29
C2 BCW30 BC178B / BC558B
C5 MMBA811C5
C6 MMBA811C6
C7 BCF29
C8 BCF30
CE BSS79B
CEC BC869 BC369
CF BSS79C
CH BSS82B / BSS80B
CJ BSS80C
CM BSS82C
D1 BCW31 BC108A / BC548A
D2 BCW32 BC108A / BC548A
D3 BCW33 BC108C / BC548C
D6 MMBC1622D6
D7 BCF32
D8 BCF33 BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA BCW67A
DB BCW67B
DC BCW67C
DE BFN18
DF BCW68F
DG BCW68G
DH BCW68H
E1 BFS17 BFY90 / BFW92
EA BCW65A
EB BCW65B
EC BCW65C
ED BCW65C
EF BCW66F
EG BCW66G
EH BCW66H
F1 MMBC1009F1
F3 MMBC1009F3
FA BFQ17 BFW16A
FD BCV26 MPSA64
FE BCV46 MPSA77
FF BCV27 MPSA14
FG BCV47 MPSA27
GF BFR92P
h2 BCW69
h3 BCW70 BC557B
h4 BCW89
H7 BCF70
K1 BCW71 BC547A
K2 BCW72 BC547B
K3 BCW81
K4 BCW71R
K7 BCV71
K8 BCV72
K9 BCF81
L1 BSS65
L2 BSS70
L3 MMBC1323L3
L4 MMBC1623L4
L5 MMBC1623L5
L6 MMBC1623L6
L7 MMBC1623L7
M3 MMBA812M3
M4 MMBA812M4
M5 MMBA812M5
M6 BSR58 / MMBA812M6 2N4858
M7 MMBA812M7
O2 BST82
P1 BFR92 BFR90
P2 BFR92A BFR90
P5 FMMT2369A 2N2369A
Q3 MMBC1321Q3
Q4 MMBC1321Q4
Q5 MMBC1321Q5
R1 BFR93 BFR91
R2 BFR93A BFR91
S1A SMBT3904
S1D SMBTA42
S2 MMBA813S2
S2A SMBT3906
S2D SMBTA92
S2F SMBT2907A
S3 MMBA813S3
S4 MMBA813S4
T1 BCX17 BC327
T2 BCX18
T7 BSR15 2N2907A
T8 BSR16 2N2907A
U1 BCX19 BC337
U2 BCX20
U7 BSR13 2N2222A
U8 BSR14 2N2222A
U9 BSR17
U92 BSR17A 2N3904
Z2V FMMTA64
ZD MMBT4125 2N4125

 

 

25W — Транзисторы общего назначения PNP Silicon

% PDF-1. 4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток application / pdf

  • BC807-25W — Транзисторы общего назначения PNP Silicon
  • ON Semiconductor
  • 2014-11-03T10: 04: 35-07: 00BroadVision, Inc.2020-09-22T13: 53: 10 + 02: 002020-09-22T13: 53: 10 + 02: 00 Acrobat Distiller 10.0.0 (Windows) uuid: 582d9e2d-9429-47a6-8ada-3a3f12a4f6bduuid: 4e263d3a-446b-4dac-b777-f00293c312ed конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > поток HUMOH; :: 4 = 00 & $ e% 4c0 [88XUzU! Ze0 P0 p (1% $ @ Z

    BC807-40LT1G datasheet — Технические характеристики: Полярность транзистора: PNP; Коллектор

    VS-GBPC2502A : МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1-фазный, 25 А, 200 В QC. s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 200 В; Ток в прямом направлении, если (AV): 25А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: Быстрое подключение; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: GBPC-A; Количество контактов: 4.

    MBR0530T1G : ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY, 500 мА, 30 В, SOD-123. s: Количество фаз: -; Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 30 В; Прямой ток, если (AV): 500 мА; Конфигурация диода: одиночный; Максимальное прямое напряжение VF: 430 мВ; Конфигурация модуля: -; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Максимальный прямой импульсный ток Ifsm: 5.5А; Диапазон рабочих температур:.

    B140-E3 / 61T : ВЫПРЯМИТЕЛЬ SCHOTTKY, 1 А 40 В DO-214AC. s: Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 40 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 520 мВ; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 125 ° C; Тип корпуса диода: DO-214AC; Количество контактов: 2; MSL: -.

    BAV20W-TP : ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ДИОД, 150 В, SOD-123. s: Тип диода: Импульсный; Прямой ток, если (AV): 200 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 150 В; Максимальное прямое напряжение VF: 1.25В; Максимальное время обратного восстановления trr: 50 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Макс: 1А; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса диода: SOD-123; Количество контактов: 2; MSL: -.

    1N5227B-TAP : стабилитрон, 500 мВт, 3,6 В, DO-35. s: напряжение стабилитрона Vz Тип: 3,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 500 мВт; Тип корпуса диода: DO-35; Количество контактов: 2; Диапазон рабочих температур: — ; MSL: -.

    BLS6G3135-120 : LDMOS, RF, 120 Вт, 3100–3500 МГц, 32 В. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение истока стока Vds: 60 В; Идентификатор постоянного тока утечки: 7. 2А; Рассеиваемая мощность Pd: -; Диапазон рабочих частот: от 2,7 до 3,1 ГГц; Типовой коэффициент шума: -; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-502А; Количество контактов: 2; MSL: -.

    2MBI200S-120-50 : БТИЗ, ДВОЙНОЙ, МОДУЛЬНЫЙ, 200 А, 1200 В, NPT. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 200 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2.6V; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 кВт; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Нет.контактов: 7.

    7MBR100U2B-060-50 : IGBT, 7 МОДУЛЕЙ УПАКОВКИ, 600 В, 100 А, M712. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 100А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2V; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Количество контактов: 24.

    7MBR150VN-120-50 : IGBT, 7 PK, V SER, 150A, 1200V, M720. s: Конфигурация модуля: -; Полярность транзистора: -; Ток коллектора постоянного тока: 150 А; Напряжение коллектора-эмиттера Vces: 2.45В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Кол-во выводов: 44.

    PM300RL1A060 : МОДУЛЬ IGBT, 600 В, 300 А. s: Конфигурация модуля: Семь; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 300 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600V; Рассеиваемая мощность Pd: 833 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -20 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: Модуль; Нет.выводов: 25.

    SI3588DV-T1-E3 : ДВОЙНОЙ Н / П-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 20 В, TSOP. s: Полярность транзистора: канал N и P; Id постоянного тока утечки, канал N: 2,5 А; Id постоянного тока стока, канал P: -570 мА; Напряжение истока стока Vds, N Канал: 20 В; Напряжение истока стока Vds, канал P: -20 В; На сопротивлении Rds (вкл. ), Канал N: 0,064 Ом; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0,115 Ом; Rds (вкл.).

    SI4947ADY-T1-E3 : МОП-транзистор, -30 В, SOIC. s: Полярность транзистора: канал P; Идентификатор постоянного тока утечки, канал N: -; Идентификатор постоянного тока стока, канал P: -3A; Напряжение истока стока Vds, N Канал: -; Напряжение истока стока Vds, канал P: -30 В; On Resistance Rds (on), канал N: -; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0.062 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10V; Порог.

    2N7002F, 215 : МОП-транзистор, N CH, 60 В, 475MA, 3-SOT-23. s: Полярность транзистора: канал N; Id постоянного тока стока: 475 мА; Напряжение истока стока Vds: 60 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,78 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 830 мВт; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов :.

    CSD16403Q5A : N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор, 25 В, 100 А, СЫН-8.s: Полярность транзистора: канал N; Идентификатор постоянного тока утечки: 100 А; Напряжение истока стока Vds: 25 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,0022 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 3,1 Вт; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: SON; Количество контактов :.

    S8X8ES1RP : ТИРИСТОР SCR, 510 мА, 800 В, TO-92. s: повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 800 В; Максимальный ток срабатывания затвора, Igt: 5A; Сила тока It av: 510 мА; Текущий среднеквадратичный ток IT (среднеквадратичное значение): 800 мА; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 8 А; Максимальный ток удержания Ih: 5 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 800 мВ; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C; Тиристор.

    BC848C-7-F : ТРАНЗИСТОР, NPN, 30 В, 100 мА, 300 мВт, SOT-23. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 30V; Частота перехода Типичная: 300 МГц; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 600; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов: 3; MSL: -.

    MMUN2112LT1G : БРТ ТРАНЗИСТОР, 50В, 22К / 22КОМ, СОТ-23. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 22 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 22 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-23; Нет.контактов: 3.

    PDTA115EU, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, PNP, -50V, -20MA, 100KOHM / 100KOHM, 3-SOT-323. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -50V; Постоянный ток коллектора Ic: -20 мА; Базовый входной резистор R1: 100 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 100 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-323; Количество контактов: 3.

    Поиск электронных компонентов и запчастей

    Усилители

    Аналоговые ИС

    Аккумуляторные батареи

    Зуммеры, динамики и микрофоны

    Кабели и провода

    Конденсаторы

    Разъемы

    Кристаллы

    Совет по развитию / Совет по проверке программ

    Диоды

    ИС драйвера

    ИС встроенной периферии

    Встроенные процессоры и контроллеры

    Фильтры

    Функциональные модули

    Предохранители

    Оборудование и прочее

    Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы

    Интерфейсные ИС

    ИС логики

    Память

    Двигатель

    Оптопары, светодиоды и инфракрасный порт

    ИС управления питанием

    Кнопочные переключатели и реле

    RF и радио

    Резисторы

    Датчики

    Инструменты и аксессуары

    Транзисторы

    Прочие

    bc807% 20 Эквивалентный лист данных и примечания к применению

    2013 — до н.э. 807

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует

    2011 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует

    2009 — транзистор c32725

    Аннотация: c32725 c32740 C32740 PNp транзистор техническое описание C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32716 c32725 транзистор c32725 информация о выводах C3274
    Текст: Текст файла отсутствует

    2011 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует

    2003 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-25QA; BC807-40QA DFN1010D-3 ОТ1215) BC807-25QA BC817-25QA BC817-40QA bc807
    2011 г .— 807 г. до н.э.

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-25WT1G, BC807-40WT1G SC-70 BC807-25W / D bc807
    до н. Э. 807

    Аннотация: BC807-40 BC807-40 5C BC807-16 BC807-25
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 bc807 BC807-40 BC807-40 5C BC807-16 BC807-25
    до н. Э. 807

    Аннотация: BC807-40 BC807-25 BC807-16
    Текст: Текст файла недоступен


    OCR сканирование
    PDF BC807-16 BC807-25 BC807-40 ОТ-23 bc807 BC807-40
    транзистор 5cp

    Аннотация: Транзистор 5Bp Транзистор 5Cp Транзистор 5DP BC808 sot23 5bp 5bp sot23
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF BC807; BC808 BC817 BC818.BC807 BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC808 BC808-16 транзистор 5cp 5Bp транзистор 5Cp транзистор Транзистор 5DP sot23 5бп 5бп сот23
    2005 — транзистор c32725

    Аннотация: c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740
    Текст: Нет текста в файле


    Оригинал
    PDF BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W транзистор c32725 c32725 c32740 BC327 C327 C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32740 PNp транзистор c32716 c32725 транзистор транзистор c32740

    Оригинал
    PDF BC807-25WT1G, BC807-40WT1G SC-70 BC807-25W / D
    2009 — C32725 NPN транзистор

    Аннотация: C32740 NPN транзистор C32740 C32716 C32725
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W BC327 C32725 NPN транзистор C32740 NPN транзистор C32740 C32716 C32725
    2004 — 5Б1 СОТ-23

    Резюме: КОД МАРКИРОВКИ 5B1 5B1 SOT23-3 BC807-40LT1 AI mm sot 25 SOT-23 Package onsemi BC807
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D 5Б1 СОТ-23 КОД МАРКИРОВКИ 5B1 5Б1 СОТ23-3 BC807-40LT1 AI сот 25 мм SOT-23 Пакет onsemi BC807
    2001 — BC807-40

    Аннотация: 5B1 SOT-23 BC807-16 BC807-25
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23 BC807-40 5Б1 СОТ-23 BC807-16 BC807-25
    2001 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16 / BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC807-16 / BC807-25 ОТ-23
    2007 — маркировка 5б1

    Резюме: Дата выпуска полупроводника Код sot-23 BC807 BC80740LT1G 5B1 SOT-23 BC807-1 sot-23 Маркировка B1
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D маркировка 5b1 На полупроводниковую дату Код сот-23 BC807 BC80740LT1G 5Б1 СОТ-23 BC807-1 сот-23 Маркировка Б1

    Оригинал
    PDF BC807; BC807W; BC327 BC807 BC817 BC807W OT323 SC-70 BC817W BC327 транзистор c32725 c32725 c32740 Лист данных на транзистор C32740 PNp C32740 NPN транзистор C32725 NPN транзистор C32716 c32725 транзистор информация о выводе транзистора c32725 C3274
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF BC807, BC808 ОТ-23 BC817 BC818 ОТ-23 BC807-16 BC808-16
    2005 — код маркировки 5b1

    Реферат: 5B1 SOT-23 BC807 5c sot-23 sot-23 Маркировка B1 маркировка b1 sot-23
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 BC807-16LT1 / D код маркировки 5b1 5Б1 СОТ-23 BC807 5с сот-23 сот-23 Маркировка Б1 маркировка б1 сот-23
    BC807

    Резюме: BC808 BC808-16L BC807-16L BC807-25L BC807-40L BC808-25L BC808-40L
    Текст: Текст файла недоступен


    OCR сканирование
    PDF BC807 BC808 BC807-16L BC807-25L BC807-40L BC808-16L BC808-25L BC808-40L BC808-16L BC807-16L BC807-40L BC808-25L BC808-40L
    2003 — 807 до н.э.

    Аннотация: маркировка FR PNP SOT323 транзистора BC807 BC807-16W BC807-25W BC807-40W
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16W BC807-25W BC807-40W ОТ-323 SC-70) -500 мА, -10 мА, 100 МГц bc807 маркировка FR PNP SOT323 транзистор BC807 BC807-16W BC807-25W BC807-40W

    Оригинал
    PDF BC807 500 мА 2002/95 / EC ОТ-23, MIL-STD-750, BC807-16 BC807-25 BC807-40 2011-REV
    2002 — BC807-40

    Резюме: BC807-40 / 5C BC807-25 bc807 BC817-25 BC817-40 маркировка 5C
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-25 BC807-40 ОТ-23 BC817-25 BC817-40 ОТ-23 BC807-40 BC807-40 / 5C BC807-25 bc807 маркировка 5С
    2011 — Транзисторы 5А1 8

    Резюме: Маркировка SBC80-16L 5a1 5B1 SOT-23 BC807 5C
    Текст: Текст файла недоступен


    Оригинал
    PDF BC807-16L, SBC80716L BC807-25L, SBC80725L, BC807-40L, SBC807-40L AEC-Q101 ОТ-23 BC807-16LT1 / D Транзисторы 5А1 8 SBC80-16L маркировка 5а1 5Б1 СОТ-23 BC807 5C
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807 ОТ-23 500 мА 2002/95 / EC IEC61249 ОТ-23, MIL-STD-750, BC807-16 BC807-25 2011-REV
    BC807

    Аннотация: транзистор 5cp BC808 5dp транзистор BC808 5Hp код маркировки 5Cp 5HP ibm 5Cp транзистор 5Cp SOT23 BC808-16
    Текст: Текст файла отсутствует


    OCR сканирование
    PDF BC807; BC808 BC817and BC818.BC807 BC808 BC807-16 BC808-16 BC807-25 BC808-25 транзистор 5cp 5dp транзистор BC808 5 л.с. код маркировки 5Cp 5 л.с., ibm 5Cp транзистор 5Cp SOT23
    2013 — Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16W / OT323 BC817-xxW) J-STD-020 AEC-Q101 BC807-16W / -25 Вт / -40 Вт DS30577

    Оригинал
    PDF BC807-16W BC807-25W BC807-40W ОТ-323 SC-70) -500 мА, -10 мА, 100 МГц
    2005 — специя BC807 модель

    Резюме: BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC817 5C КОД МАРКИРОВКИ SOT23 BC807
    Текст: Текст файла отсутствует


    Оригинал
    PDF BC807-16 BC807-25 BC807-40 BC807-16 / ОТ-23 BC817) BC807-40 BC807-16-7.Модель специй BC807 BC817 КОД МАРКИРОВКИ 5C SOT23 BC807

    BC807-25 Транзистор SMD для малых сигналов 45 В SOT23

    BC807-25 Транзистор SMD для малых сигналов 45 В SOT23 | Переключатель Электроника

    Магазин не будет работать корректно, если куки отключены.

    Похоже, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.

    Ссылочный код: 551581

    На складе 195 шт. Заказ в течение

    0 часов 00 минут

    для отправки сегодня

    от 0,16 £
    С НДС

    от 0,13 £
    Без НДС

    Множественные скидки на покупку
    1+ £ 0.16 с НДС 0,13 £ Без НДС
    50+ 0,13 £ С НДС 0,11 £ Без НДС Сохранить 16%
    100+ 0,10 £ С НДС 0,08 £ Без НДС Сохранить 39%

    Транзистор BC807-25 представляет собой малосигнальный SMD-транзистор. Эпитаксиальная планарная конструкция штампа идеально подходит для автоматической вставки. Используется для коммутации и применения усилителя НЧ. Дополнительные технические характеристики см. В прилагаемом листе данных.

  • Дополнительные транзисторы NPN — PNP
  • Подходит для коммутации и усилителей
  • 45V 0.8A SOT23
  • Дополнительная информация
    Производитель Диоды Zetex
    Тип PNP
    Тип монтажа Крепление на поверхность
    Упаковка СОТ23
    Коэффициент усиления постоянного тока 160
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 700 мВ
    Максимальная рабочая температура 150 ° С
    Частота перехода 100 МГц
    Узнавайте первыми о наших последних продуктах и ​​получайте эксклюзивные предложения

    % PDF-1. 3 % 192 0 объект > эндобдж xref 192 74 0000000016 00000 н. 0000001849 00000 н. 0000002047 00000 н. 0000002199 00000 п. 0000002230 00000 н. 0000002287 00000 н. 0000002859 00000 н. 0000003130 00000 н. 0000003197 00000 н. 0000003341 00000 п. 0000003437 00000 н. 0000003560 00000 н. 0000003675 00000 н. 0000003789 00000 н. 0000003909 00000 н. 0000004028 00000 н. 0000004149 00000 п. 0000004266 00000 н. 0000004384 00000 п. 0000004509 00000 н. 0000004626 00000 н. 0000004736 00000 н. 0000004859 00000 н. 0000004980 00000 н. 0000005087 00000 н. 0000005195 00000 н. 0000005310 00000 п. 0000005421 00000 н. 0000005539 00000 п. 0000005659 00000 н. 0000005777 00000 н. 0000005873 00000 н. 0000005968 00000 н. 0000006061 00000 н. 0000006154 00000 н. 0000006248 00000 н. 0000006342 00000 п. 0000006436 00000 н. 0000006530 00000 н. 0000006624 00000 н. 0000006718 00000 н. 0000006812 00000 н. 0000006906 00000 н. 0000007000 00000 н. 0000007094 00000 н. 0000007188 00000 п. 0000007282 00000 н. 0000007376 00000 н. 0000007470 00000 н. 0000007564 00000 н. 0000007706 00000 н. 0000007728 00000 н. 0000008330 00000 н. 0000008352 00000 п. 0000008877 00000 н. 0000008899 00000 н. 0000009488 00000 н. 0000009600 00000 н. 0000009707 00000 н. 0000011013 00000 п. 0000011035 00000 п. 0000011650 00000 п. 0000011741 00000 п. 0000011763 00000 п. 0000012339 00000 п. 0000012424 00000 п. 0000012446 00000 п. 0000012925 00000 п. 0000012947 00000 п. 0000013502 00000 п. 0000013524 00000 п. 0000013941 00000 п. 0000002328 00000 н. 0000002837 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 193 0 объект > эндобдж 194 0 объект ; 5р.F {TQ: K}) / U (ߴ R [} + qƖj 曠 EY) / P -12 / V 1 / Длина 40 >> эндобдж 195 0 объект [ 196 0 руб. ] эндобдж 196 0 объект > / Ж 222 0 П >> эндобдж 197 0 объект > эндобдж 264 0 объект > поток

    транзистор% 205d техническое описание и примечания по применению

    TLP627M
    Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, Оптопара (выход фотодарлингтона), вход постоянного тока, 5000 В среднекв., DIP4
    SSM3K344R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал, 20 В, 3.0 А, 0,071 Ом @ 4,5 В, СОТ-23Ф
    SSM3K324R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал, 30 В, 4,0 А, 0,056 Ом @ 4,5 В, SOT-23F
    SSM6L807R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал + P-канал, 30 В, 4 А, 0,0391 Ом @ 4,5 В, TSOP6F
    SSM3J331R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, P-канал, -20 В, -4.0 А, 0,055 Ом @ 4,5 В, СОТ-23Ф
    SSM3K339R Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba, МОП-транзистор, N-канал, 40 В, 2,0 А, 0,198 Ом @ 4,5 В, SOT-23F
    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.