Bd139: биполярный NPN транзистор 80В 1.5А

характеристики (параметры), цоколевка, российские аналоги

Главная » Транзистор

BD139 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения. Основное конструктивное исполнение ТО-126.

Содержание

1. Корпус, размеры и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Типовые термические характеристики
6. Электрические характеристики
7. Модификации и группы параметров транзистора BD139
8. Аналоги транзистора BD139
9. Отечественное производство (РФ и РБ)
10. Зарубежное производство
11. Графические данные

Корпус, размеры и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в усилителях звуковой частоты, формирователях и задающих устройствах с применением комплементарных и квази-комплементарных схем.

Характерные особенности

• Большой ток коллектора: IC до 1,5 А.
• Большой коэффициент усиления по постоянному току: hFE ≥ 40 при IC = 0,15 А.
• Комплементарная пара: BD140.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		VCBO	100
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		VCEO	80
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		VEBO	5
Ток коллектора, А		IC	1,5
Рассеиваемая мощность, Вт	При температуре окружающей среды Ta = 25°C	PC	12,5
	При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C		1,25
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С		Tstg	-55…+150

Типовые термические характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	100
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	10

Электрические характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

Характеристика	Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 30 В, IE = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА	IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *	UCE(sat)	IC = 0,5 А, IB = 0,05 А	0,5
Напряжение включения база-эмиттер, В *	UBE(ON)	IC = 0,5 А, UCE = 2,0 В	1
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *	UCEO(sus)	IC = 0,03 А, IB = 0	80
Статический коэффициент усиления по току *	hFE(1)	UCE = 2 В, IC = 0,005 А	≥ 25
	hFE(2)	UCE = 2 В, IC = 0,15 А	от 40 до 250
	hFE(3)	UCE = 2 В, IC = 0,5 А	≥ 25

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 1,5 %.

Модификации и группы параметров транзистора BD139

Для условий T_A = 25°C.

Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	hFE	Корпус
BD139	1,25	100	80	5	1,5	150	190	от 40 до 250	TO-126
BD139G/L-xx-TM3-x	1								TO-251
BD139-6	1,25							от 40 до 100	TO-126
BD139-10								от 63 до 160
BD139-16								от 100 до 250
BD139-25								от 160 до 400
HSBD139		80						от 40 до 250
STBD139		100

Модели BD139 G/L не содержат в конструкции соответственно галогенных или свинцовых соединений.

Модели, содержащие в обозначении цифровые дополнения: BD139-6/10/16/25, строго говоря, не являются модификациями транзистора. Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине статического коэффициента усиления в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона изменения этого h-параметра. В качестве примера: в информационном листке (даташит) компании-производителя “Fairchild Semiconductor” приводится классификация по величине коэффициента усиления:

Классификация	6	10	16
hFE(3)	от 40 до 100	от 63 до 160	от 100 до 250

Аналоги

транзистора BD139

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые мезо-эпитаксиально-планарные, NPN, усилительные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях, операционных усилителях, импульсных и переключающих устройствах. Данные получены из даташит производителя.

Отечественное производство (РФ и РБ)

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	hFE
BS139	12,5	100	80	5	1,5	150	190	≥ 40
КТ815Г	10	100	100	5	1,5	150	≥ 3	≥ 30
КТ8272В	10	80	80	5	1,5	150	—	40
КТ961А	12,5	100	80	5	1,5	150	≥ 50	от 40 до 100
КТ943В	25	100	80	5	2	150	30	от 40 до 120

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	hFE
BD139	12,5	100	80	5	1,5	150	190	40. ..250
2SC2824	15	120	120	5	1	150	120	80
2SC4342	12	150	—	—	3	150	—	10000
2SD1438	15	80	80	8	2	150	100	4000
2(K)SD1692	15	150	100	8	3	150	100	3000
2(K)SD1692G	15	150	100	8	3	150	100	14000
2(K)SD1692O	15	150	100	8	3	150	100	3000
2(K)SD1692Y	15	150	100	8	3	150	100	7000
2SD2039	15	100	—	—	2	150	100	4000
2SD2139	15	80	—	—	3	150	50	50
BTD1858T3	15	180	180	5	1,5	150	140	180
KSE182	12,5	100	80	7	3	150	50	50
MJE182	12	100	80	7	3	150	50	50
BD137	12,5	60	60	5	1,5	150	190	25. ..250
BDW57	8	60	60	5	1,5	175	40	40

Примечание: представленные в таблицах транзисторы имеют конструктивное исполнение ТО-126.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки I_Cпри двух разных соотношениях тока коллектора и тока базы I_C/I_B.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) и напряжения включения база-эмиттер U_BE(ON) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Ограничение рассеиваемой мощности P_C транзистора при увеличении температуры корпуса T_C.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы ограничивается предельным током коллекторной нагрузки в импульсном режиме I_C MAX (Pulsed) и режиме постоянного тока I_C MAX (Continuous), предельным напряжением коллектор-эмиттер U_CE MAX = 80 В и максимальной мощностью рассеивания. Кривые мощности рассеивания сняты для однократных неповторяющихся импульсов тока длительностью 100 мкс и 1 мс и постоянного тока (помечено на графике как «DC»).

Bd139 Pinout: Единственное исчерпывающее техническое

Bd139 Pinout-Когда вам нужно управлять большими токами или напряжениями, первое, что приходит на ум, — это транзисторы Дарлингтона. Но если у вас нет доступа к парам Дарлингтона, вам придется искать альтернативу. К счастью, у нас есть то, что вам нужно. Силовые транзисторы также отлично подходят для регулировки усиления высокого тока — особенно Bd139 Pinout.

Bd139 — один из лучших транзисторов для таких приложений. И он не так уж и дорог.

Итак, в этой статье вы узнаете все о Bd139, как безопасно использовать его в вашей схеме, а также различные проекты схем на Bd139.

Давайте погрузимся!

Что такое Bd139?

Транзистор Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Bd139 — это NPN-транзистор, который управляет большими напряжениями в аудиоусилителях и драйверах с комплементарными схемами. Поскольку это NPN-транзистор, эмиттер и коллектор находятся в P-N-переходе или открыты (обратно смещены). Кроме того, когда вы соединяете базовый вывод с землей и получаете сигнал, базовый вывод становится смещенным вперед (закрыт).

Кроме того, мощность усиления Bd139 зависит от значения коэффициента усиления транзистора — от 40 до 160. Однако Bd139 имеет ограничение по току 1,5 А, что делает невозможным подключение нагрузки, требующей тока более 1,5 А. 

Более того, когда вы полностью смещаете этот транзистор, он будет пропускать максимальный ток 1,5А через эмиттер и коллектор. Таким образом, для полного смещения этого транзистора на вывод базы необходимо подавать ток и напряжение в 1/10 от тока и напряжения коллектора (максимум 5 В).  

Филипс Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Bd139 Pinout-Распиновка Bd139

Bd139 имеет три основных вывода, которые мы опишем в таблице ниже:

Выводы	Тип	Параметры
Контакт 1	Эмиттер	Эмиттеры обычно подключаются к земле и работают в основном как стоки тока.
Вывод 2	Коллектор	Коллектор управляет протеканием тока, и обычно он подключен к нагрузке.
Вывод 3	База	База обеспечивает полное смещение транзистора. С ее помощью можно включить/выключить транзистор.

Схема выводов Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Bd139 Pinout-Особенности Bd139

Электронные схемы

Вот основные характеристики Bd139:

Вы можете получить его в корпусе To-255.

VBE составляет всего 5 В

VCE составляет 80 В

Коэффициент рассеивания коллектора составляет 12,5 Вт.

Вы также можете получить его в корпусе без Pb

Он также имеет напряжение коллектор-база 80В

Bd139 Pinout-Он выполнен в пластиковом корпусе SOT-32

Он имеет коэффициент усиления по постоянному току от 40 до 60

1,5 А — его непрерывный коллекторный ток (IC)

Диапазон рабочих температур для хранения и рабочего спая составляет от -55 до +150C

Bd139 Pinout-Замена и эквивалент Bd139

Вы можете заменить Bd139 следующими эквивалентами: 

Bd237, Bd179, Bd139G, Bd230, Bd169, Bd379, MJE244, Bd237G, MJE722, MJE242, Bd791 или Bd789.

Применение Bd139

Ниже перечислены различные области применения Bd139:

Bd139 работает в электронных схемах, работающих с рабочим напряжением 5 В.

Он работает в схемах переключения

Этот NPN-транзистор Bd139 помогает управлять нагрузками, которые не требуют более 1,5 А 

Вы можете использовать Bd139 в схемах усиления мощности

Bd139 идеально подходит для образовательных и DIY электронных проектов, таких как проекты Arduino, проекты аналоговых схем и т. д.                                                                         

Вы можете использовать его в схемах драйверов нагрузки                                                                                          

Bd139 идеально подходит для радиочастотных усилителей

Bd139 Pinout-Как безопасно использовать Bd139 в вашей схеме

Легко повредить Bd139 при приложении чрезмерной нагрузки. Поэтому для безопасной работы Bd139 необходимо выполнить несколько шагов. 

Во-первых, не используйте Bd139 при напряжении выше 80 В. Также для этого транзистора опасны нагрузки, требующие более 1,5 А. Также необходимо использовать радиатор, который лучше всего подходит для транзистора, 

Помимо использования подходящего радиатора, подберите правильный базовый резистор для питания базового тока. Кроме того, храните транзистор вдали от температур ниже и выше температуры выживания, которая составляет от -55 до +150oC.

Bd139 Pinout-Проекты микросхем Bd139

Здесь мы рассмотрим три различных применения транзистора Bd139. Эти три применения включают в себя работу Bd139 в качестве усилителя, работу Bd139 в качестве переключателя и проект Arduino с использованием Bd139.

Работа Bd139 в качестве усилителя

Принципиальная схема усилителя Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

У нас есть 2-ваттный усилитель мощности аудио класса A-B, который генерирует обширную частотную характеристику и низкие гармонические искажения для данного приложения.

Эта схема может управлять 8Ω громкоговорителем. Выходная мощность этого динамика составляет около 5 Вт, при этом напряжение питания этой схемы составляет от 12 до 18 В.

В схеме также используется двухкаскадный транзистор, состоящий из 2n3904 и Bd139. Однако оба транзистора имеют точные технические характеристики.

Кроме того, эти транзисторы работают со стандартной конфигурацией эмиттера, и поэтому они могут шунтировать входной сигнал, когда он достигает входного конденсатора.

Затем транзистор Q1 усиливает входной сигнал и посылает его на транзистор Q2. Наконец, транзистор Q2 снова усиливает сигнал и посылает его на выход.

Работа BD139 в качестве переключателя

Принципиальная схема переключателя Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Перед нами базовая модель схемы переключателя, в которой используется Bd139. Также на схеме есть два резистора, которые управляют светодиодами и транзисторами.

Итак, когда выключатель замыкается, он подает питание на базовый резистор, который включает Bd139. Затем он начинает излучать свет, так как импульс дошел до светодиода.

Кроме того, полностью смещенное состояние Bd139 — это область насыщения. А напряжение база-эмиттер (VBE) и коллектор-эмиттер (VCE) может выдержать только 80 вольт. Таким образом, транзистор Bd139 выключается, когда ток базы заканчивается.

Проект Arduino с использованием Bd139

Принципиальная схема применения Bd139 в Arduino

Источник: 

Wikimedia Commons

Перед вами проект Arduino, в котором используется транзистор Bd139. В этой схеме транзистор Bd139 выполняет операции по регулированию скорости.

Эта схема представляет собой схему управления скоростью, которая управляет скоростью вентилятора. Также из схемы видно, что клемма PMW и транзистор Bd139 соединены. Таким образом, транзистор Bd139 может управлять скоростью вращения вентилятора через импульсы на плате Arduino.

Подведение итогов

Транзистор Bd139 

Источник: 

Wikimedia Commons

Транзисторы Bd139 — это хорошо известные NPN-транзисторы, которые работают в различных электронных схемах. Кроме того, это один из лучших транзисторов для использования в ваших курсах из-за его доступности и высокого коллекторного тока.

По этой причине транзисторы Bd139 можно встретить в коммерческих электронных схемах и образовательных проектах, кроме того, он способен обеспечить ток 1,5 А. Таким образом, вы можете управлять некоторыми сильноточными устройствами, такими как светодиоды, сильноточные реле и двигатели.

Светодиоды

Кроме того, своей высокой долговечностью он обязан высокому напряжению коллектор-база и коллектор-эмиттер (80 вольт). Кроме того, рассеиваемая коллектором мощность 12,5 Вт делает его идеальным транзистором для применения в усилителях. Более того, его напряжение насыщения составляет всего 0,5 В, что делает его одним из лучших транзисторов для управления мощностью.

Мы подошли к концу этой статьи. Помните, мы всегда ценим ваши предложения и вопросы. Поэтому, если у вас есть вопросы, обязательно свяжитесь с нами. Мы будем рады помочь.

BD139 Transistor Pinout, Features, Equivalent & Datasheet

18 октября 2018 — 0 комментариев

BD139 Транзистор
Схема контактов транзистора BD139

Конфигурация выводов BD139

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	Излучатель	Утечка тока через эмиттер, обычно соединенный с землей
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке
3	Базовый	Управляет смещением транзистора. Используется для включения или выключения транзистора.

 

Особенности

• Пластиковый корпус Транзистор NPN
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 1,5 А
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 80 В
• Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 80 В
• Базовый ток (Ib) равен 0,5 А
• Напряжение пробоя базы эмиттера (VBE) составляет 5 В
• Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) составляет от 40 до 160
• Доступен в комплектации К-225

 

Примечание. Полные технические характеристики можно найти в техническом описании транзистора BD139 внизу этой страницы.

 

BD139 Эквивалентные транзисторы NPN

BD136, BD138, BD140

 

Альтернатива BD139 Trans istor

D882

 

Прочие транзисторы NPN

TIP31C, SL100, S8050, BC547, 2N2222 , 2N4401

 

Обзор транзистора BD139

BD139 — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда вывод базы удерживается на земле, и закрываются (смещены в прямом направлении), когда поступает сигнал. подается на базовый штифт

BD139 имеет значение коэффициента усиления от 40 до 160, это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 1,5 А, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 1,5 А, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 1/10 тока коллектора, а напряжение на выводе базы-эмиттера должно быть максимум 5 В.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 1,5 А. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или база-эмиттер (VBE), может составлять 80 В. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки.

BD139 изначально производился компанией Phillips с тактовой частотой 160 МГц для определенных аудиоприложений, позже они были скопированы другими производителями, такими как Samsung, ST и т. д. с ток коллектора 1,5 А, этот транзистор можно использовать для управления (вкл./выкл.) большими нагрузками, которые потребляют менее 1,5 А. Он также имеет очень низкое напряжение насыщения (напряжение базового эмиттера VBE), составляющее всего 5 В, что упрощает использование этой микросхемы в цифровой электронике с рабочим напряжением 5 В.

Еще одна особенность этого транзистора заключается в том, что он поставляется в пластиковой упаковке, в то время как большинство транзисторов средней мощности доступны только в металлической упаковке. Это снижает стоимость транзистора, а также, поскольку корпус не является проводящим, на него не будут влиять другие шумы в цепи. Благодаря этой особенности этот транзистор широко используется в усилителях.

Итак, если вы ищете NPN-транзистор средней мощности в пластиковом корпусе, то этот транзистор может стать для вас правильным выбором.

 

Приложения

• ВЧ-усилители
• Коммутационные цепи
• Цепи усиления
• Аудиоусилители
• Цепи привода нагрузки

 

Размеры (ТО-225)

Метки

Транзистор NPN

Связанный пост

Комментарии

Транзистор BD139 Распиновка, характеристики, альтернатива

---

← Предыдущая страница

Следующая страница →

Транзистор BD139 — популярный тип NPN, используемый в различных электронных схемах. Это идеальный транзистор благодаря высокому току коллектора и низкой стоимости. Благодаря этим особенностям он используется в образовательных проектах по электронике, а также в схемах коммерческой электроники. Этот транзистор может нагружать до 1,5 А, поэтому вы можете управлять сильноточными компонентами, такими как сильноточные реле, двигатели, светодиоды и т. Д. Он может легко выжить почти во всех электронных схемах, потому что напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база очень высокое. до 80 вольт. Он также идеально подходит для использования в схемах усилителей из-за рассеяния на коллекторе 12,5 Вт. Напряжения насыщения BD139всего 0,5В.

Конфигурации контактов BD139

НЕТ	Название контакта	Описание
1	Излучатель	Утечка тока через эмиттер
2	Коллектор	Ток поступает через коллектор
3	База	Управляет смещением транзистора, используется для включения и выключения.

Особенности/технические характеристики BD139

• Пластиковый корпус: Транзистор NPN
• Доступный пакет: TO-126
• Непрерывный ток коллектора (I _C ): 1,5 А
• Напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ):  80 В
• Напряжение коллектор-база (В _CB ):  80 В
• Напряжение пробоя базы эмиттера (VEBO): 5 В
• Рассеивание коллектора (шт.): 5 Вт
• Макс. частота перехода (fT): 190 МГц
• Коэффициент усиления постоянного тока (h _FE ):  25–250
• Макс. температура хранения и рабочая температура: от -55 до +150 по Цельсию

BD139 Эквивалентные транзисторы NPN

BD136, BD138,BD230, 2SC5171S, BD349 и BD379

Идеальная альтернатива транзистору BD139

D882 является идеальной альтернативой BC139 900 03

PNP Дополнение к транзистору BD139

Дополнение к BD139: BD140

Применение

• Коммутационные цепи
• Цепь усилителя ВЧ
• Приложения для аудиоусилителей
• Цепи усиления
• Цепи привода нагрузки

Где использовать Транзистор BD139

Этот транзистор был впервые изготовлен компанией Philips с тактовой частотой 160 МГц специально для аудио приложений, позже он был скопирован другими производителями, такими как ST, Samsung и т.