Bd139: биполярный NPN транзистор 80В 1.5А

характеристики (параметры), цоколевка, российские аналоги

Главная » Транзистор

BD139 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения. Основное конструктивное исполнение ТО-126.

Содержание

  1. Корпус, размеры и цоколевка
  2. Предназначение
  3. Характерные особенности
  4. Предельные эксплуатационные характеристики
  5. Типовые термические характеристики
  6. Электрические характеристики
  7. Модификации и группы параметров транзистора BD139
  8. Аналоги транзистора BD139
  9. Отечественное производство (РФ и РБ)
  10. Зарубежное производство
  11. Графические данные

Корпус, размеры и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в усилителях звуковой частоты, формирователях и задающих устройствах с применением комплементарных и квази-комплементарных схем.

Характерные особенности

  • Большой ток коллектора: IC до 1,5 А.
  • Большой коэффициент усиления по постоянному току: hFE ≥ 40 при IC = 0,15 А.
  • Комплементарная пара: BD140.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO100
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO80
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO5
Ток коллектора, АIC1,5
Рассеиваемая мощность, ВтПри температуре окружающей среды Ta = 25°CPC12,5
При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C1,25
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С Tstg-55…+150

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA100
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC10

Электрические характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Параметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 30 В, IE = 0≤ 0,1
Ток базы выключения, мкАIEBOUEB = 5 В, IC =0≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *UCE(sat)IC = 0,5 А, IB = 0,05 А0,5
Напряжение включения база-эмиттер, В *UBE(ON)IC = 0,5 А, UCE = 2,0 В1
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *UCEO(sus)IC = 0,03 А, IB = 080
Статический коэффициент усиления по току *hFE(1)UCE = 2 В, IC = 0,005 А≥ 25
hFE(2) UCE = 2 В, IC = 0,15 Аот 40 до 250
hFE(3)UCE = 2 В, IC = 0,5 А≥ 25

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 1,5 %.

Модификации и группы параметров транзистора BD139

Для условий TA = 25°C.

Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

МодельPCUCBUCEUEBICTJfThFEКорпус
BD1391,251008051,5150190от 40 до 250TO-126
BD139G/L-xx-TM3-x 1TO-251
BD139-61,25от 40 до 100TO-126
BD139-10от 63 до 160
BD139-16от 100 до 250
BD139-25от 160 до 400
HSBD13980от 40 до 250
STBD139100

Модели BD139 G/L не содержат в конструкции соответственно галогенных или свинцовых соединений.

Модели, содержащие в обозначении цифровые дополнения: BD139-6/10/16/25, строго говоря, не являются модификациями транзистора. Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине статического коэффициента усиления в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона изменения этого h-параметра. В качестве примера: в информационном листке (даташит) компании-производителя “Fairchild Semiconductor” приводится классификация по величине коэффициента усиления:

Классификация61016
hFE(3)от 40 до 100от 63 до 160от 100 до 250

Аналоги

транзистора BD139

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые мезо-эпитаксиально-планарные, NPN, усилительные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях, операционных усилителях, импульсных и переключающих устройствах. Данные получены из даташит производителя.

Отечественное производство (РФ и РБ)

МодельPCUCBUCEUEBICTJfThFE
BS13912,51008051,5150190≥ 40
КТ815Г1010010051,5150≥ 3≥ 30
КТ8272В10808051,515040
КТ961А12,51008051,5150≥ 50от 40 до 100
КТ943В25100805215030от 40 до 120

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUEBICTJfThFE
BD13912,51008051,515019040. ..250
2SC2824151201205115012080
2SC434212150315010000
2SD1438158080821501004000
2(K)SD169215150100831501003000
2(K)SD1692G151501008315010014000
2(K)SD1692O15150100831501003000
2(K)SD1692Y15150100831501007000
2SD20391510021501004000
2SD2139158031505050
BTD1858T31518018051,5150140180
KSE18212,510080731505050
MJE1821210080731505050
BD13712,5606051,515019025. ..250
BDW578606051,51754040

Примечание: представленные в таблицах транзисторы имеют конструктивное исполнение ТО-126.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки ICпри двух разных соотношениях тока коллектора и тока базы IC/IB.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) и напряжения включения база-эмиттер UBE(ON) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры корпуса TC.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы ограничивается предельным током коллекторной нагрузки в импульсном режиме IC MAX (Pulsed) и режиме постоянного тока IC MAX (Continuous), предельным напряжением коллектор-эмиттер UCE MAX = 80 В и максимальной мощностью рассеивания. Кривые мощности рассеивания сняты для однократных неповторяющихся импульсов тока длительностью 100 мкс и 1 мс и постоянного тока (помечено на графике как «DC»).

Bd139 Pinout: Единственное исчерпывающее техническое

Bd139 Pinout-Когда вам нужно управлять большими токами или напряжениями, первое, что приходит на ум, — это транзисторы Дарлингтона. Но если у вас нет доступа к парам Дарлингтона, вам придется искать альтернативу. К счастью, у нас есть то, что вам нужно. Силовые транзисторы также отлично подходят для регулировки усиления высокого тока — особенно Bd139 Pinout.

Bd139 — один из лучших транзисторов для таких приложений. И он не так уж и дорог.

Итак, в этой статье вы узнаете все о Bd139, как безопасно использовать его в вашей схеме, а также различные проекты схем на Bd139.

Давайте погрузимся!

Что такое Bd139?

Транзистор Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Bd139 — это NPN-транзистор, который управляет большими напряжениями в аудиоусилителях и драйверах с комплементарными схемами. Поскольку это NPN-транзистор, эмиттер и коллектор находятся в P-N-переходе или открыты (обратно смещены). Кроме того, когда вы соединяете базовый вывод с землей и получаете сигнал, базовый вывод становится смещенным вперед (закрыт).

Кроме того, мощность усиления Bd139 зависит от значения коэффициента усиления транзистора — от 40 до 160. Однако Bd139 имеет ограничение по току 1,5 А, что делает невозможным подключение нагрузки, требующей тока более 1,5 А. 

Более того, когда вы полностью смещаете этот транзистор, он будет пропускать максимальный ток 1,5А через эмиттер и коллектор. Таким образом, для полного смещения этого транзистора на вывод базы необходимо подавать ток и напряжение в 1/10 от тока и напряжения коллектора (максимум 5 В).  

Филипс Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Bd139 Pinout-Распиновка Bd139

Bd139 имеет три основных вывода, которые мы опишем в таблице ниже:

ВыводыТипПараметры
Контакт 1ЭмиттерЭмиттеры обычно подключаются к земле и работают в основном как стоки тока.
Вывод 2КоллекторКоллектор управляет протеканием тока, и обычно он подключен к нагрузке.
Вывод 3БазаБаза обеспечивает полное смещение транзистора. С ее помощью можно включить/выключить транзистор.

Схема выводов Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Bd139 Pinout-Особенности Bd139

Электронные схемы

Вот основные характеристики Bd139:

Вы можете получить его в корпусе To-255.

VBE составляет всего 5 В

VCE составляет 80 В

Коэффициент рассеивания коллектора составляет 12,5 Вт.

Вы также можете получить его в корпусе без Pb

Он также имеет напряжение коллектор-база 80В

Bd139 Pinout-Он выполнен в пластиковом корпусе SOT-32

Он имеет коэффициент усиления по постоянному току от 40 до 60

1,5 А — его непрерывный коллекторный ток (IC)

Диапазон рабочих температур для хранения и рабочего спая составляет от -55 до +150C

Bd139 Pinout-Замена и эквивалент Bd139

Вы можете заменить Bd139 следующими эквивалентами: 

Bd237, Bd179, Bd139G, Bd230, Bd169, Bd379, MJE244, Bd237G, MJE722, MJE242, Bd791 или Bd789.

Применение Bd139

Ниже перечислены различные области применения Bd139:

Bd139 работает в электронных схемах, работающих с рабочим напряжением 5 В.

Он работает в схемах переключения

Этот NPN-транзистор Bd139 помогает управлять нагрузками, которые не требуют более 1,5 А 

Вы можете использовать Bd139 в схемах усиления мощности

Bd139 идеально подходит для образовательных и DIY электронных проектов, таких как проекты Arduino, проекты аналоговых схем и т. д.                                                                         

Вы можете использовать его в схемах драйверов нагрузки                                                                                          

Bd139 идеально подходит для радиочастотных усилителей

Bd139 Pinout-Как безопасно использовать Bd139 в вашей схеме

Легко повредить Bd139 при приложении чрезмерной нагрузки. Поэтому для безопасной работы Bd139 необходимо выполнить несколько шагов. 

Во-первых, не используйте Bd139 при напряжении выше 80 В. Также для этого транзистора опасны нагрузки, требующие более 1,5 А. Также необходимо использовать радиатор, который лучше всего подходит для транзистора, 

Помимо использования подходящего радиатора, подберите правильный базовый резистор для питания базового тока. Кроме того, храните транзистор вдали от температур ниже и выше температуры выживания, которая составляет от -55 до +150oC.

Bd139 Pinout-Проекты микросхем Bd139

Здесь мы рассмотрим три различных применения транзистора Bd139. Эти три применения включают в себя работу Bd139 в качестве усилителя, работу Bd139 в качестве переключателя и проект Arduino с использованием Bd139.

Работа Bd139 в качестве усилителя

Принципиальная схема усилителя Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

У нас есть 2-ваттный усилитель мощности аудио класса A-B, который генерирует обширную частотную характеристику и низкие гармонические искажения для данного приложения.

Эта схема может управлять 8Ω громкоговорителем. Выходная мощность этого динамика составляет около 5 Вт, при этом напряжение питания этой схемы составляет от 12 до 18 В.

В схеме также используется двухкаскадный транзистор, состоящий из 2n3904 и Bd139. Однако оба транзистора имеют точные технические характеристики.

Кроме того, эти транзисторы работают со стандартной конфигурацией эмиттера, и поэтому они могут шунтировать входной сигнал, когда он достигает входного конденсатора.

Затем транзистор Q1 усиливает входной сигнал и посылает его на транзистор Q2. Наконец, транзистор Q2 снова усиливает сигнал и посылает его на выход.

Работа BD139 в качестве переключателя

Принципиальная схема переключателя Bd139

Источник: 

Wikimedia Commons

Перед нами базовая модель схемы переключателя, в которой используется Bd139. Также на схеме есть два резистора, которые управляют светодиодами и транзисторами.

Итак, когда выключатель замыкается, он подает питание на базовый резистор, который включает Bd139. Затем он начинает излучать свет, так как импульс дошел до светодиода.

Кроме того, полностью смещенное состояние Bd139 — это область насыщения. А напряжение база-эмиттер (VBE) и коллектор-эмиттер (VCE) может выдержать только 80 вольт. Таким образом, транзистор Bd139 выключается, когда ток базы заканчивается.

Проект Arduino с использованием Bd139

Принципиальная схема применения Bd139 в Arduino

Источник: 

Wikimedia Commons

Перед вами проект Arduino, в котором используется транзистор Bd139. В этой схеме транзистор Bd139 выполняет операции по регулированию скорости.

Эта схема представляет собой схему управления скоростью, которая управляет скоростью вентилятора. Также из схемы видно, что клемма PMW и транзистор Bd139 соединены. Таким образом, транзистор Bd139 может управлять скоростью вращения вентилятора через импульсы на плате Arduino.

Подведение итогов

Транзистор Bd139 

Источник: 

Wikimedia Commons

Транзисторы Bd139 — это хорошо известные NPN-транзисторы, которые работают в различных электронных схемах. Кроме того, это один из лучших транзисторов для использования в ваших курсах из-за его доступности и высокого коллекторного тока.

По этой причине транзисторы Bd139 можно встретить в коммерческих электронных схемах и образовательных проектах, кроме того, он способен обеспечить ток 1,5 А. Таким образом, вы можете управлять некоторыми сильноточными устройствами, такими как светодиоды, сильноточные реле и двигатели.

Светодиоды

Кроме того, своей высокой долговечностью он обязан высокому напряжению коллектор-база и коллектор-эмиттер (80 вольт). Кроме того, рассеиваемая коллектором мощность 12,5 Вт делает его идеальным транзистором для применения в усилителях. Более того, его напряжение насыщения составляет всего 0,5 В, что делает его одним из лучших транзисторов для управления мощностью.

Мы подошли к концу этой статьи. Помните, мы всегда ценим ваши предложения и вопросы. Поэтому, если у вас есть вопросы, обязательно свяжитесь с нами. Мы будем рады помочь.

BD139 Transistor Pinout, Features, Equivalent & Datasheet

18 октября 2018 — 0 комментариев

      BD139 Транзистор
      Схема контактов транзистора BD139

Конфигурация выводов BD139

Номер контакта

Название контакта

Описание

1

Излучатель

Утечка тока через эмиттер, обычно соединенный с землей

2

Коллектор

Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

3

Базовый

Управляет смещением транзистора. Используется для включения или выключения транзистора.

 

Особенности
  • Пластиковый корпус Транзистор NPN
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 1,5 А
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 80 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 80 В
  • Базовый ток (Ib) равен 0,5 А
  • Напряжение пробоя базы эмиттера (VBE) составляет 5 В
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) составляет от 40 до 160
  • Доступен в комплектации К-225

 

Примечание. Полные технические характеристики можно найти в техническом описании транзистора BD139 внизу этой страницы.

 

BD139 Эквивалентные транзисторы NPN

BD136, BD138, BD140

 

Альтернатива BD139 Trans istor

D882

 

Прочие транзисторы NPN

TIP31C, SL100, S8050, BC547, 2N2222 , 2N4401

 

Обзор транзистора BD139

BD139 — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда вывод базы удерживается на земле, и закрываются (смещены в прямом направлении), когда поступает сигнал. подается на базовый штифт

BD139 имеет значение коэффициента усиления от 40 до 160, это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 1,5 А, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 1,5 А, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 1/10 тока коллектора, а напряжение на выводе базы-эмиттера должно быть максимум 5 В.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 1,5 А. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или база-эмиттер (VBE), может составлять 80 В. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки.

BD139 изначально производился компанией Phillips с тактовой частотой 160 МГц для определенных аудиоприложений, позже они были скопированы другими производителями, такими как Samsung, ST и т. д. с ток коллектора 1,5 А, этот транзистор можно использовать для управления (вкл./выкл.) большими нагрузками, которые потребляют менее 1,5 А. Он также имеет очень низкое напряжение насыщения (напряжение базового эмиттера VBE), составляющее всего 5 В, что упрощает использование этой микросхемы в цифровой электронике с рабочим напряжением 5 В.

Еще одна особенность этого транзистора заключается в том, что он поставляется в пластиковой упаковке, в то время как большинство транзисторов средней мощности доступны только в металлической упаковке. Это снижает стоимость транзистора, а также, поскольку корпус не является проводящим, на него не будут влиять другие шумы в цепи. Благодаря этой особенности этот транзистор широко используется в усилителях.

Итак, если вы ищете NPN-транзистор средней мощности в пластиковом корпусе, то этот транзистор может стать для вас правильным выбором.

 

Приложения
  • ВЧ-усилители
  • Коммутационные цепи
  • Цепи усиления
  • Аудиоусилители
  • Цепи привода нагрузки

 

Размеры (ТО-225)

    Метки

    Транзистор NPN

Связанный пост


Комментарии


Транзистор BD139 Распиновка, характеристики, альтернатива


← Предыдущая страница

Следующая страница →

Транзистор BD139 — популярный тип NPN, используемый в различных электронных схемах. Это идеальный транзистор благодаря высокому току коллектора и низкой стоимости. Благодаря этим особенностям он используется в образовательных проектах по электронике, а также в схемах коммерческой электроники. Этот транзистор может нагружать до 1,5 А, поэтому вы можете управлять сильноточными компонентами, такими как сильноточные реле, двигатели, светодиоды и т. Д. Он может легко выжить почти во всех электронных схемах, потому что напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база очень высокое. до 80 вольт. Он также идеально подходит для использования в схемах усилителей из-за рассеяния на коллекторе 12,5 Вт. Напряжения насыщения BD139всего 0,5В.

Конфигурации контактов BD139

НЕТ  Название контакта Описание
1 Излучатель Утечка тока через эмиттер
2 Коллектор Ток поступает через коллектор
3 База Управляет смещением транзистора, используется для включения и выключения.

Особенности/технические характеристики BD139
  • Пластиковый корпус: Транзистор NPN
  • Доступный пакет: TO-126
  • Непрерывный ток коллектора (I C ): 1,5 А
  • Напряжение коллектор-эмиттер (В CE ):  80 В
  • Напряжение коллектор-база (В CB ):  80 В
  • Напряжение пробоя базы эмиттера (VEBO): 5 В
  • Рассеивание коллектора (шт.): 5 Вт
  • Макс. частота перехода (fT): 190 МГц
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ):  25–250
  • Макс. температура хранения и рабочая температура: от -55 до +150 по Цельсию

BD139 Эквивалентные транзисторы NPN

BD136, BD138,BD230, 2SC5171S, BD349 и BD379

Идеальная альтернатива транзистору BD139

D882 является идеальной альтернативой BC139 900 03

PNP Дополнение к транзистору BD139

Дополнение к BD139: BD140

Применение
  • Коммутационные цепи
  • Цепь усилителя ВЧ
  • Приложения для аудиоусилителей
  • Цепи усиления
  • Цепи привода нагрузки

Где использовать Транзистор BD139

Этот транзистор был впервые изготовлен компанией Philips с тактовой частотой 160 МГц специально для аудио приложений, позже он был скопирован другими производителями, такими как ST, Samsung и т.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *