D1415 транзистор характеристики: 2SD1415 , , datasheet, , , D1415

Содержание

2SD1415 транзистор (1415 NPN-Darlington 07A00 0100V 2-10R1A 2SD1415 TOSHIBA)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SD...

Производитель: TOSHIBA

Код товара: Т0000016663

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость NPN
Функциональное назначение выводов 1-B 2-C 3-E
Напряжение коллектор-база 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер 100 V
Напряжение эмиттер-база 5 V
Ток коллектора max 7 A
Ток коллектор импульсный max 10 A (pulse)
Ток базы max 0,2 A
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 2000...15000
@[email protected]=3A
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 1000... @[email protected]=7A
Обратный ток коллектора 100 mkA @[email protected]=0
Обратный ток эмиттера 3 mA @[email protected]=0
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения 0,9 V (1V5 max) @[email protected]=6mA
Напряжение база-эмиттер насыщения 1,5 V (2V5 max) @[email protected]=6mA
Мощность рассеивания 30
W
@<=25*C на радиаторе
Температура рабочая -55...+150 *C

Dd127d транзистор параметры цоколевка - Вместе мастерим

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Первое условие бессмертия — смерть.

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
50000 700 400 9 2500 -55+150 5000000 10-40

Производитель: JITONG TECHNOLOGY
Сфера применения:
Популярность: 16290
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 3DD127D

Общий вид транзистора 3DD127D. Цоколевка транзистора 3DD127D.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2015-01-19 08:12:58.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD127D.


Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2015-01-19 08:13:58; Пользователь: Без имени.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Первое условие бессмертия — смерть.

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD127D

. Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
50000 700 400 9 2500 -55+150 5000000 10-40

Производитель: JITONG TECHNOLOGY
Сфера применения:
Популярность: 16290
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 3DD127D

Общий вид транзистора 3DD127D. Цоколевка транзистора 3DD127D.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2015-01-19 08:12:58.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD127D.


Комментарий к рисунку: Нет

Дата добавления: 2015-01-19 08:13:58; Пользователь: Без имени.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 3DD127D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DD127D

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO126F

3DD127D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd127d.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD127D 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品采 ● 高温特性好 IC 2.5 A 用平面工艺, 分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 构和少子�

1.2. 3dd127d3.pdf Size:145K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D3 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D3 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和�

1.3. 3dd127d5.pdf Size:147K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D5 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D5 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和�

BUh415D — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet

Корпус транзистора BUh415D и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 10 В
Ic Ток коллектора 6,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 12,0
Ib Ток базы 3 А
Ток базы импульсный (t≤5 мс) 5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 44 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 300 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 3,0 А 4 9
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,0 A, Ib = 1,0 А 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 3,0 A, Ib = 1,0 А 1,5 В
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 3,0 А 2,5 В
Tf Время спада импульса
0,35
мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

AOD4184 (D4184) | Полевые транзисторы

Код товара :M-151-4967
Обновление: 2017-04-28
Тип корпуса :TO-252

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить AOD4184 (D4184), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с AOD4184 (D4184) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
4967 AOD4184 (D4184) Транзистор AOD4184 (маркировка D4184, D4184A) - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 40V, 50A, TO-252 29 pyб.
5155 AOD4185 Транзистор AOD4185 (маркировка D4185) - P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 40V, 50A, TO-252 34 pyб.
1942 Разъем Mini USB на плату (5pin, SMD, V1) Разъем KLS1-229-5FE (Mini USB B (male), 5 pin, SMD монтаж 2.6 pyб.
5077 DC-DC преобразователь на LM2596S (1.25V~35V) Преобразователь напряжения (понижающий) на микросхеме LM2596S (1.25V~35V) с плавной регулировкой 78 pyб.
1766 AMS1117-2.5 sot-223 Микросхемы AMS1117-2.5 - 1A LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR 2.5V, SOT-223 5 pyб.
567 FDD8447L Транзистор FDD8447L - Power MOSFET, N-Channel 40V, 50A, 8.5mΩ, TO-252 14 pyб.
5112 AOD403 Транзистор AOD403 (маркировка D403) - P-Channel MOSFET, 30V, 70A, TO-252 23 pyб.
515 BD9897FS Микросхема BD9897FS - для инверторов LCD-панелей (DC-AC Inverter Control IC), SSOP-32 114 pyб.
1751 IPS060N03L (060N03L) Транзистор IPS060N03L (маркировка 060N03L) - N-Channel, 50A, 30V 34 pyб.
5080 FGPF30N45T Транзистор FGPF30N45T - 450V, 30A, PDP Trench Power IGBT, TO-220FP 52 pyб.

 

Микросхемы и транзисторы ГДР. Справочник - Электроника и электротехника

Микросхемы и транзисторы ГДР. Старинный хлам, но иногда бывает нужен. 213 стр.

В справочнике даташиты на следующие изделия:

A109 B109 A110D B110D A1524D A1670V A1670V1 A1818D A2000V A2005V A2014DC A202D A2030H A2030V A210E A210K A211D A220D A223D A224D A225D  A231D A232D A240D A241D A244D A250D A255D A270D A273D A274D A277D A281D A283D A290D A301D A301V A302D A3048DC A321G A3501D A3510D A3520D A4100D A4510D A4511D A4555D A4565D A4580D B060D B061D B062D B064D B066D B080D B081D B082D B083D B084D A109D B109D B165H B165V B176D B177D B222D B260D B2600DG B2765S B2960VG B303D B304D B305D B306D B308D B318D B315D B315E B315K B325D B325E B325K B360D B360E B360K B380D B380E B380K B3170V B3171V B3370V B3371V B331G B340D B341D B342D B3718VC B384D B385D B386D B3870D B390D B391D B3925DD B4002D B411DD B4206D B4207D B4211D B451G B452G B453G B460G B461G B462G B466GA B467G B511N B555D B556D B589N B611D B615D B621D B625D B631D B635D B761D B765D B861D B865D B2761D B2765D B4761  B4765 B654D BSY34 C500D C501D C502D C504D C520D C560C C5650C C565C C5658D C570C C571C C574C C670C C670Cn C7136D FAR03A FAR04A FAR06A FAR08A FAR09A FAR11A FAT02B FAT07B FAT12B L110C L133C MB101 MB104 MB105 MB106 MB110 MB111 MB123 MB125 MB126 MB133 MB134 MB135 MQE10 SA403 SA412 SA418 SAY12 SAY16 SAY18 SAY20 SAY73 SAY30 SAY32 SAY40 SAY42SC116 SC117 SC118 SC119 SC236 SC237 SC238 SC239 SC307 SC308 SC309 SCE237 SCE238 SCE239 SCE307 SCE308 SCE309 SCE535 SCE537 SCE539 SCE536 SCE538 SCE540 SD168 SD335 SD336 SD337 SD338 SD339 SD340 SD345 SD346 SD347 SD348 SD349 SD350 SD401 SD402 SD403 SD404 SD405 SD406 SD407 SD408 SD409 SD410 SD451 SD452 SD453 SD454 SD455 SD456 SD457 SD458 SD459 SD460 SD600 SD601 SD602 SD802 SD812 SF016 SF018 SF116 SF117 SF118 SF119 SF126 SF127 SF128 SF129 SF136 SF137 SF225 SF235 SF245 SF357 SF358 SF359 SF369 SF816 SF817 SF818 SF819 SF826 SF827 SF828 SF829 SFE225 SFE235 SFE245 SM103 SM104 SM200 SMY50 SMY51 SP101 SP102 SP103 SP104 SP105 SP106 SP107 SP109 SP114 SP116 SP117  SP119 SP121 SP123 SP124 SP211 SP212 SP213 SP215 SS125 SS126 SS200 SS201 SS202 SS216 SS218 SS219 SSE200 SSE201 SSE202 SSE216 SSE219 SSY20 SU111 SU160 SU161 SU165 SU167 SU169 SU177 SU178 SU179 SU180 SU186 SU187 SU188 SU189 SU190 SU191 SU192 SU310 SU311 SU312 SU377 SU379 SU378 SU380 SU382 SU383 SU384 SU386 SU387 SU388 SU389 SU390 SU508 SU509 SU510 SU518 SU519 SU520 SY170 SY171 SY180/1 SY180/2 SY180/4 SY180/6 SY180/8 SY180/10 SY180/12 SY180/14 SY180/6-A SY180/8-A SY180/10-A SY180/12-A SY180/14-A  SY185/05 SY185/1 SY185/2 SY185/4 SY185/6  SY191/1 SY191/2 SY191/4 SY191/6 SY191/8 SY191/10 SY191/12 SY191/14 SY191/16 SY192/1 SY192/2SY192/4 SY192/6 SY192/8 SY192/10 SY192/12 SY192/14 SY192/16 SY196/1 SY196/2 SY196/4 SY196/6 SY196/8 SY196/10 SY197/1 SY197/2 SY197/4 SY197/6 SY197/8 SY197/10 SY200 SY201 SY202 SY203 SY220 SY221 SY222 SY223 SY320/0,75 SY320/1 SY320/2 SY320/3 SY320/4 SY320/5 SY320/6 SY320/7 SY320/8 SY320/10 SY330/1 SY330/2 SY330/4 SY330/6 SY330/8 SY330/10 SY330/12 SY330/15 SY330/18 SY330/20 SY345/05 SY345/1 SY345/2 SY345/4 SY345/6 SY345/8 SY345/10 SY346/05 SY346/1 SY346/2 SY346/4 SY346/6 SY346/8 SY346/10 SY347/05 SY347/1 SY347/2 SY347/4 SY347/6 SY347/8 SY347/10 SY351/05 SY351/1 SY351/2 SY351/3 SY351/4 SY351/6 SY351/8 SY351/10 SY351/12 SY351/14 SY351/16 SY365/05 SY365/1 SY365/2 SY365/4 SY365/6 SY365/8 SY365/10 SY360/05 SY360/1 SY360/2 SY360/3 SY360/4 SY360/6 SY360/8 SY360/10 SY361/10 SY361/13 SY361/16 SY361/18 SY525/020 SY525/030 SY525/040 SY525/050 SY525/060 SY525/070 SY526/030 SY526/035 SY526/040 SY526/045 SY625/0,5 SY625/1 SY625/1,5 SY625/2 SY710/0,5 SY710/1 SY710/1,5 SY710/2 SY715/0,5 SY715/1 SY715/1,5 SY715/2 SZ501 SZ504 SZ505 SZ505 SZ506 SZ507 SZ508 SZ509 SZ510 SZ600/0,75 SZ600/5,1 SZ600/5,6 SZ600/6,2 SZ600/6,8 SZ600/7,5 SZ600/8,2 SZ600/9,1 SZ600/10 SZ600/11 SZ600/12 SZ600/13 SZ600/15 SZ600/16 SZ600/18 SZ600/20 SZ600/22 SZX18/1 SZX18/5,6 SZX18/6,8 SZX18/8,2 SZX18/10 SZX18/12 SZX18/15 SZX18/18 SZX18/22 SZX18/27 SZX18/33 SZX19/5,1 SZX19/5,6 SZX19/6,2 SZX19/6,8 SZX19/7,5 SZX19/8,2 SZX19/9,1 SZX19/10 SZX19/11 SZX19/12 SZX19/13 SZX19/15 SZX19/16 SZX19/18 SZX19/20 SZX19/22 SZX19/24 SZX19/27 SZX19/30 SZX19/33 SZX21/1 SZX21/5,1 SZX21/5,6 SZX21/6,2 SZX21/6,8 SZX21/7,5 SZX21/8,2 SZX21/9,1 SZX21/10 SZX21/11 SZX21/12 SZX21/13 SZX21/15 SZX21/16 SZX21/18 SZX21/20 SZX21/22 SZX21/24 U1056D U1159DC U125D U192D U739DC U7650DD U806D U807D VQ120 VQ121 VQ123 VQ125 VQ130 VQ150 VQ170 VQA10 VQA101 VQA201 VQA301 VQA103 VQA203 VQA303 VQA13 VQA13-1 VQA23 VQA33 VQA14 VQA24 VQA34 VQA15 VQA25 VQA35 VQA16 VQA26 VQA36 VQA46 VQA17 VQA27 VQA37 VQA47 VQA18 VQA28 VQA38 VQA19 VQA29 VQA39 VQA49 VQA60 VQA70 VQA80 VQB16 VQB17 VQB18 VQB200 VQB201 VQB26 VQB27 VQB28 VQC10 VQE11 VQE12 VQE13 VQE14 VQE21 VQE22 VQE23 VQE24 VQh300 VQh305 VQh306 VQh307 VQH604

13003D транзистор параметры цоколевка

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.

Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока4 МГц.

Схема "зарядки" для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

  • Наименование: MJE13003
  • Тип: NPN
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 400 В
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 700 В
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 9 В
  • Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 1.5 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 20 Вт

Граничная частота ft (fГР): 4 МГц

  • Корпус:TO-220
  • Даташит:Даташит
  • Распиновка:
  • Производитель:Unisonic technologies
  • В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

    Распиновка

    Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

    В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

    Основные технические характеристики

    13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

    Предельные режимы эксплуатации

    13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

    Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

    Электрические характеристики

    Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

    Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

    Режима работы в SOA

    Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

    Режим FBSOA

    На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

    Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

    Режим RBSOA

    В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

    В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

    Комплементарная пара

    Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

    Маркировка

    Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

    Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

    Замена и эквиваленты

    Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

    И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

    Производители

    Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

    d1415a техническое описание и примечания к применению

    2003 - D1415A

    Аннотация: 2SD1415A d1415 TR20
    Текст: V tf IB1 = 6 мА, IB2 = 6 мА 1% D1415A () №: №


    Оригинал
    PDF 2SD1415A 2-10R1A D1415A 2SD1415A d1415 TR20
    D1415A

    Аннотация: 2SD1415A d1415
    Текст: tf IB1 = -IB2 = 6 мА, 1% D1415A () № (::) 2 2006-11-20


    Оригинал
    PDF 2SD1415A 2-10R1A 20070701-JA D1415A 2SD1415A d1415
    2004 - D1415A

    Аннотация: транзистор D1415A d1415 2SD1415A
    Текст: tf IB1 = -IB2 = 6 мА, скважность 1% Маркировка D1415A Номер детали.(или код сокращения) Лот №


    Оригинал
    PDF 2SD1415A D1415A транзистор D1415A d1415 2SD1415A
    2006 - транзистор Д1415А

    Резюме: D1415A
    Текст: D1415A Номер детали (или код сокращения) Номер партии Линия указывает на упаковку без свинца (Pb) или свинец (Pb


    Оригинал
    PDF 2SD1415A 2-10R1A транзистор D1415A D1415A
    2004 - транзистор Д1415А

    Реферат: Реферат недоступен
    Текст: ‰ ˆ 45 В tf IB1 = −’IB2 = 6 мА, рабочий цикл â ¤ 1% Маркировка D1415A Индикатор характеристик


    Оригинал
    PDF 2SD1415A транзистор D1415A
    2014 - LTC5551

    Реферат: Текст аннотации недоступен.
    Текст: € «ЛОГИКА КОРРЕКЦИИ 16 CLKOUT ± ВЫХОДНЫЕ БУФЕРЫ OGND ЧАСЫ И КОНТРОЛЬ ЧАСОВ ENC + ENC - D14_15Â, OF + 39 OF - 38 D14_15 + 37 D14_15– ДВОЙНАЯ СКОРОСТЬ ДАННЫХ ВЫХОД LVDS 48 РЕЖИМ ВЫХОДА ВЕРХНИЙ» GND 47, -7 D14_15 + D14_15– D1 N-7 D0 N-6 D1 N-6 D0 N-5 D1 N-5 D0 N-4 D1 N-4 D0.D0_1– / D0_1 + - D14_15– / D14_15 + (контакты 21/22, 23/24, 25/26, 27/28, 29/30, 33/34, БУФЕРЫ ОТСУТСТВУЮТ ЧАСОМ И УПРАВЛЕНИЕ ЧАСОМ + ENC D14_15 ± â € ¢ • D0_1Â ± ADC CONTROL / SPI


    Оригинал
    PDF LTC2107 16-бит, 210 Мбит / с 98 дБFS 80 дБFS 1280 мВт 48-выводный 210 Мбит / с LTC6430-15 LTC5551
    2007 - D1415A

    Реферат: транзистор D1415A 2SD1415A d1415
    Текст:, скважность 1% Маркировка D1415A Part No.(или код сокращения) № лота В строке указано


    Оригинал
    PDF 2SD1415A D1415A транзистор D1415A 2SD1415A d1415
    2009 - D1415A

    Аннотация: 2SD1415A
    Текст: рабочий цикл 45 В 1% Маркировка D1415A Номер детали (или код сокращения) Номер партии Примечание 2


    Оригинал
    PDF 2SD1415A D1415A 2SD1415A
    2011 - Нет в наличии

    Резюме: Текст аннотации недоступен.
    Текст: _15 + D14_15– OF + OF– CLKOUT + CLKOUT - OFN-6 tC OFN-5 OFN-4 OFN-3 tC 2165 TD03, OVDD) D0_1– / D0_1 + to D14_15– / D14_15 + (контакты 21/22, 23/24, 25/26, 27/28, 33/34, 35/36, 37/38, 39


    Оригинал
    PDF LTC2165 / LTC2164 / LTC2163 16-бит, 125/105/80 Мбит / с 2165 / LTC2164 / LTC2163 16 бит 07psRMS 194 мВт / 163 мВт / 108 мВт 550 МГц 35 дБм 240 МГц,
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен.
    Текст: -5 D15N-5 D14N-4 D15N-4 D14N-3 D15N-3 • • • • D14_15 + D14_15– OF + OF », OVDD) D0_1– / D0_1 + to D14_15– / D14_15 + (контакты 21/22, 23/24, 25/26, 27/28, 33/34, 35/36, 37/38, 39


    Оригинал
    PDF LTC2162 / LTC2161 / LTC2160 16-бит, 65 Мбит / с / 40 Мбит / с / 25 Мбит / с 87 мВт / 63 мВт / 45 мВт 550 МГц 48-контактный 2162 / LTC2161 / LTC2160 16 бит 35 дБм
    Нет в наличии

    Резюме: абстрактный текст недоступен
    Текст: _15 + D14_15 - OF + OF - CLKOUT + CLKOUT - OFN-6 tC OFN-5 OFN-4 OFN-3 tC 2159 TD03, есть уровни вывода CMOS (OGND - OVDD) D0_1 » «/ D0_1 + - D14_15– / D14_15 + (контакты 21/22, 23/24, 25, каждая пара дифференциальных выходов.Имеется восемь пар выходов LVDS (от D0_1 + / D0_1– до D14_15 + / D14_15–

    ).

    Оригинал
    PDF LTC2159 16-бит, 20 Мбит / с 550 МГц 48-выводный 16 бит 07psRMS 35 дБм 240 МГц, QFN-24
    2014 - LTC2314-14

    Аннотация: 7803 3V 1A положительный регулятор напряжения 1407A1 l 7803 3V Положительный стабилизатор напряжения LTC5551 LTC6947 LTM2987 LT6236 LTC5577
    Текст: 18 OGND 19 OVDD 20 D0 21 D1 22 D2 23 D3 24 n D14_15Â ± â € ¢ â € 0_1 ± AMPLITUDE, 38 D14_15 + 37 D14_15â € n LTC®2107 - это 16-битный высокопроизводительный АЦП со скоростью 210 Мбит / с.


    Оригинал
    PDF LTC6947 35 ГГц LTM2987 16-канальный LTC3128 LT8301 42VIN LT8471 LT8620 LT6020 / LT6020-1 LTC2314-14 7803 3V 1A стабилизатор положительного напряжения 1407A1 l 7803 стабилизатор положительного напряжения 3 В LTC5551 LT6236 LTC5577

    Характеристики транзистора - характеристика входа, выхода и передачи тока

    Конфигурация транзистора

    Любой тип транзисторной схемы может быть разработан с использованием трех вышеупомянутых характеристик транзистора.Конфигурация транзисторов основана на выводах транзисторов. Существует три типа конфигурации схемы транзистора, а именно:

    Каждая конфигурация схемы имеет свою характеристическую кривую. Исходя из требований схемы, выбирается соответствующая конфигурация транзистора.

    Несколько вещей необходимо учитывать при использовании правильного транзистора для схемы. Это максимальное номинальное напряжение между эмиттером и коллектором (UCEmax), максимальная мощность для построения цепи и максимальный ток коллектора (ICEmax).Электрическая цепь не должна превышать эти максимальные значения для правильной работы. При превышении допустимого значения может произойти необратимое повреждение цепи. Также важно поддерживать правильное усиление тока и частоту.

    Конфигурация с общим эмиттером

    В такой конфигурации эмиттер используется как общая клемма для входа и выхода. Он работает как схема инвертирующего усилителя. В этом случае вход применяется в области база-эмиттер, а выход получается между выводами коллектора и эмиттера.

    В этом случае

    VBE - входное напряжение,

    IB - входной ток,

    VCE - выходное напряжение и

    IC - выходной ток.

    Конфигурация с общим эмиттером обычно основана на транзисторных усилителях. В этом случае ток эмиттера эквивалентен сумме тока базы и тока коллектора.

    Следовательно,

    IE = IC + IB

    (изображение будет загружено в ближайшее время)

    Это уравнение является уравнением транзистора для конфигурации CE.Отношение тока коллектора к току эмиттера дает коэффициент усиления по току альфа в конфигурации с общей базой. Точно так же отношение тока коллектора к току базы дает коэффициент усиления по току бета в конфигурации с общим эмиттером.

    Соотношение между двумя коэффициентами усиления по току:

    Коэффициент усиления по току (α) = IC / IE

    Коэффициент усиления по току (β) = IC / IB

    Ток коллектора IC = αIE = βIB

    В этой конфигурации используется один из трех схемы конфигурации.Он имеет средние входные и выходные значения импеданса. Он также имеет средний коэффициент усиления по току и напряжению. Выходной сигнал этой конфигурации имеет фазовый сдвиг 180 °, что означает, что вход и выход обратно пропорциональны друг другу.

    (изображение будет загружено в ближайшее время)

    Входные и выходные характеристики конфигурации с общим эмиттером

    1. Входные характеристики транзистора

    Входная характеристика транзистора получается между входным током IB и входным напряжением VB посредством имеющий постоянное выходное напряжение VCE.Поддерживая постоянное выходное напряжение VCE и изменяя входное напряжение VBE в разных точках, мы можем проверить значения входного тока в каждой из точек. Теперь, используя значения, полученные из разных точек, строится график, отображающий значения IB и VBE при постоянной VC

    % PDF-1.4 % 520 0 объект > endobj xref 520 101 0000000016 00000 н. 0000003160 00000 н. 0000003245 00000 н. 0000003442 00000 н. 0000004317 00000 н. 0000004601 00000 п. 0000004735 00000 н. 0000004965 00000 н. 0000005354 00000 п. 0000005640 00000 п. 0000005772 00000 п. 0000006295 00000 н. 0000006911 00000 п. 0000007147 00000 н. 0000007382 00000 н. 0000007622 00000 н. 0000007659 00000 н. 0000007974 00000 н. 0000008203 00000 н. 0000008451 00000 п. 0000008529 00000 н. 0000008827 00000 н. 0000010231 00000 п. 0000010356 00000 п. 0000011415 00000 п. 0000011548 00000 п. 0000011682 00000 п. 0000011971 00000 п. 0000013444 00000 п. 0000014583 00000 п. 0000015567 00000 п. 0000016713 00000 п. 0000017599 00000 п. 0000018496 00000 п. 0000021190 00000 п. 0000037750 00000 п. 0000037993 00000 п. 0000038201 00000 п. 0000038439 00000 п. 0000067644 00000 п. 0000067848 00000 п. 0000071146 00000 п. 0000071388 00000 п. 0000071605 00000 п. 0000088163 00000 п. 0000088404 00000 п. 0000088599 00000 н. 0000105601 00000 п. 0000106096 00000 н. 0000106298 00000 п. 0000106617 00000 н. 0000107028 00000 н. 0000107841 00000 п. 0000108148 00000 п. 0000108348 00000 п. 0000109053 00000 н. 0000109515 00000 н. 0000109721 00000 н. 0000110427 00000 н. ե.KC \ pQ "?

    Характеристики транзистора

    Характеристики транзистора

    Характеристики транзистора Глава 1

    Edmodo: Имя: Базовая электроника Код: d465g7 История 1904 1947 - Электронная лампа 1906 года Ли Де Форест добавил третий элемент, называемый управляющей сеткой. вакуумный диод, усилитель - триод В начале 1930-х годов четырехэлементный тетрод и пятиэлементный пентод приобрели известность в индустрии электронных ламп 23 декабря 1947 года - Уолтер Х. Браттейн и Джон Бардин продемонстрировали усиливающее действие первого транзистора. в телефонных лабораториях Белла.

    КОНСТРУКЦИЯ ТРАНЗИСТОРА Это трехслойное полупроводниковое устройство, либо два слоя материала n- и одного p-типа, либо два слоя материала p- и один n-типа, транзисторы NPN и PNP смещения постоянного тока BJT - биполярный переходный транзистор

    DopingSizeBJT конструкция

    Работа транзистора PNP

    Из-за VEE батареи, связь эмиттер-база - это смещение f / w, большая основная несущая течет от p-n Подайте только батарею Vcc, соединение r / b, следовательно, ток (очень небольшой) ток не будет протекать из-за меньшинства Теперь примените оба смещения. Один pn переход транзистора смещен в обратном направлении, а другой - в прямом.Величина базового тока обычно составляет порядка микроампер по сравнению с миллиамперами для токов эмиттера и коллектора.

    Контиколлекторный ток состоит из двух составляющих: основной и неосновной несущих. Неосновная составляющая тока называется током утечки. и обозначен символом ICO (ток IC при открытом выводе эмиттера), измеряемый в А или нА.

    NPN-транзистор Работа npn-транзистора точно такая же, если роли электрона и дырки поменять местами.

    Конфигурация с общей базой CB - база является общей как для входной, так и для выходной стороны конфигурации, базой обычно является клемма, ближайшая к потенциалу земли или имеющая потенциал земли Стрелка в графическом символе определяет направление тока эмиттера (обычный поток) через устройство В каждом случае, когда IE = IC + IB, сравните направление IE с полярностью или VEE для каждой конфигурации и направление IC с полярностью VCC

    Входные характеристики CB Входной набор для усилителя с общей базой будет относиться к входному току (IE ) к входному напряжению (VBE) для различных уровней выходного напряжения (VCB).Для фиксированных значений напряжения коллектора (VCB), когда напряжение между базой и эмиттером увеличивается, ток эмиттера увеличивается таким образом, который очень похож на характеристики диода

    Выходные характеристики CB Выходной набор будет связывать выходной ток (IC) с выходное напряжение (VCB) для различных уровней входного тока (IE), когда IE равен нулю, IC является ICO из-за обратного тока насыщения

    Характеристики o / p Коэффициент усиления по напряжению очень высокий Отношение импеданса o / p к i / p высокое I / p характеристикаРазработка эквивалентной модели для использования в области «база-эмиттер» усилителя в режиме постоянного тока.Если конфигурация транзистора в режиме, можно сразу указать, что VBE составляет 0,7 В, если устройство находится в активной области, очень важный вывод для анализа постоянного тока, чтобы следовать

    ALPHA В режиме постоянного тока уровни IC и IE из-за большинства несущие связаны величиной, называемой альфа

    . Характеристики o / p предполагают, что = 1, для практических устройств уровень обычно простирается от 0,90 до 0,998. Когда IE = 0 мА, IC = ICBO, уровень ICBO обычно составляет настолько мал, что его практически невозможно обнаружить на графике o / p.Таким образом, когда IE = 0 мА, IC = 0 мА для диапазона значений VCB. Для ситуаций переменного тока, когда точка срабатывания перемещается по характеристической кривой, альфа переменного тока определяется параметром

    Смещение

    Усиливающее действие транзистора Для конфигурации CB переменный ток входное сопротивление, определяемое i / p-характеристиками, довольно мало и обычно варьируется от 10 до 100 Выходное сопротивление определяется кривыми o / p-характеристик и довольно высокое, как правило, изменяется от 50 кОм до 1 МОм Разница в сопротивлении обусловлена переход с прямым смещением на входе и переход с обратным смещением на выходе

    Основное усилительное действие производилось путем передачи тока I от цепи с низким сопротивлением к цепи с высоким сопротивлением.Комбинация двух терминов, выделенных курсивом, дает метку транзистора; то есть

    конфигурация CE

    IC = конфигурация IECE

    Ток, напряжение, усиление мощности высокое Отношение импеданса o / p к i / p умеренное i / p характеристики

    Iceo

    Для IB = 0 AIf ICBO было 1 A, результирующий ток коллектора с IB 0 A будет 250 (1 A) 0,25 мА

    Beta () В режиме постоянного тока уровни IC и IB связаны величиной, называемой бета, и определяются следующим уравнением:

    обычно находится в диапазоне от примерно 50 до более 400

    переменного тока - общий эмиттер, прямой ток, коэффициент усиления dc = hFED, определяющий переменный и постоянный ток по характеристикам коллектора.

    Contiac и dc не совсем равны, уровни переменного и постоянного тока обычно достаточно близки и часто используются взаимозаменяемо

    Связь между и

    ContiBeta является особенно важным параметром, поскольку он обеспечивает прямую связь между текущими уровнями на входе и выходные схемы для конфигурации с общим эмиттером.

    Смещение CE

    Взаимосвязь закона Кирхгофа по току: IC + IB = конфигурация IECC

    Входные характеристики VBBVEECC

    Выходные характеристики CC

    Коэффициент усиления по напряжению всегда меньше единицы, полное сопротивление - низкое, высокое - внутреннее / прямое сопротивление I / P

    The

    Пределы срабатывания

    Характеристики прямого переключения / усиления по току - CB

    Линейные характеристики Характеристики прямого переключения / усиления по току - CE

    диапазоны от 50 до 400 Характеристики прямого переключения / усиления по току - CC

    = +1 диапазон от 50 до 400 Сравнение активности конфигурации Параметры CECBCCСхема схемы Входные характеристики Выходные характеристики Входной ток Выходной ток Коэффициент усиления по току Входное сопротивление Выходное сопротивление Коэффициент усиления по напряжениюФазовый сдвиг ПримененияСравнение

    Типовой транзистор - Ge

    Напряжение SiGe VBE (отсечка) 0-0.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *