D2394 транзистор параметры: 2SD2390 , , datasheet, , , D2390

Содержание

Datasheet26.com - поиск даташит, даташитов скачивание

Номер в каталоге Особенности Производители PDF
2N5032 Bipolar NPN UHF/Microwave Transistor
New Jersey Semi-Conductor
PDF
2N5038 (2N5038 / 2N5039) Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor
PDF
2N5038 Bipolar NPN Device
Seme LAB
PDF
2N5038
(2N5038 / 2N5039) NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Microsemi
PDF
2N5039 (2N5038 / 2N5039) Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor
PDF
2N5039 (2N5038 / 2N5039) NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Microsemi
PDF
C1005 MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
TDK
PDF
C1608 MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS
TDK
PDF
CDBD20100-G (CDBD2020-G - CDBD20200-G) Chip Schottky Barrier Rectifier
Comchip
PDF
CDBD20100-HF (CDBD2020-HF - CDBD20200-HF) Chip Schottky Barrier Rectifier
Comchip
PDF
CDBD20150-G (CDBD2020-G - CDBD20200-G) Chip Schottky Barrier Rectifier
Comchip
PDF
CDBD20150-HF (CDBD2020-HF - CDBD20200-HF) Chip Schottky Barrier Rectifier
Comchip
PDF
CDBD2020-G
(CDBD2020-G - CDBD20200-G) Chip Schottky Barrier Rectifier
Comchip
PDF
CDBD2020-HF (CDBD2020-HF - CDBD20200-HF) Chip Schottky Barrier Rectifier
Comchip
PDF

Силовые транзисторы применяемые в PDP - Систематизированная полезная информация

 

2PG011                                540V 40A 40W Vse 2. 5V  N-ch. TO-220F 

AP85GT33SW                     330V 90A 150W  IGBT TO-3P

AP88N30W                          300V 48A 312W 48Mom N-ch.TO-247 

DG301                                  330V 40A TO-220F И TO-263

DG302                                  

300V 250A TO-263  DG3C3020CL

DG402RP                             430V 40A N-ch. TO-220F  аналог DG3D4020CSRP,HGTP20N60C3, RJP63F3D

DG502LW                             TO-220F

DG601

FDPF33N25T                      250V 20A 94W 0.094om N-ch. TO-220F  аналог FDPF51N25R,FDPF44N25T

FDPF51N25                        250V 28A 0.060om 117W N-ch.TO-220F

FGA90N33ATD                   330V 90A 223W TO-3P 

FGD4536                             360V 220A 125W TO-252

FGPF30N45T                     450V 30A 50W TO-220F 

FGPF4536                          360V 220A 28. 4W Vce=1.59V TO-220F

FGPF4633                          330V 300A Vce 1.55A 30W TO-220F

FGPF4636                          360V 60A TO-220F

FGPF50N33BT                  330V 50A 43W  N-Ch. Vce-1.6 IGBT TO-220F

FGPF70N30T                     300V 70A 52W VCE =1.4V TO-220F

FGPF70N33                        330V 70A 48W TO-220F

GT30F122                          300V 120A 120W Vce-2.4 TO-220F

GT30F123                          300V 200A Vce-2.1 25W TO-220F

GT30F124                          300V 200A 25W Vce-2.3 TO-220F

GT30F125                          330V 200A Vce-1.9 TO-220F

GT30F126                          330V 200A 18W TO-263

GT30F131                           360V 200A 140W Vce-1. 9 TO-263

GT30F132

GT30F133                          300V, 30A, TO-252  TO-263 и TO-220

GT30G122                          400V 120A 25W Vce-2.6 TO-220F

GT30G123                          430V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT30G124                          430V 200A Vce-2.5 TO-220F

GT30G125                          430V 200A 25W  Vce-2.1 TO-220F  аналог  GT30G123, DG402RP,DG3D4020CSRP

GT30J124                          600V 200A PULSE 26W TO-220F 

GT30J127                          600V 200A 25W TO-220F 

GT30J322                          600V 30A 75W  TO-247

GT45F122                        300V 200A  25W Vce-2.2  TO-220F

GT45F123                        300V 200A 29W Vce-1. 95 TO-220F

GT45F128                        330V 200A 26W Vce-1.45 TO-220F

GT45G122                        300V 200A Vce = 2.2V 25W TO-220F

GT45G128                        430V 200A Vce=1.55 26W TO-220F

IRFP4332                          250V 57A 29mom 360W TO-3P  аналог  AP88N30

IRFS52N15D                     150V 51A 230W D-2PAK

IRG7R313U                       330V 40A 78W TO-252  аналог  30J124,30F133

IRG7S313U                       330V 40A 78W TO-263  аналог   RJP30h3

IRG7SC28U                       60A 225A 171W  D2PAK

IRGP4086                          300V 250A 160W TO-247 

R5007                                500V 7A 40W 1. 3om N-ch. TO-220F аналог KF7N60

R6015ANX                        600V 15A 0.3om 50W TO-220F  

RCJ330N25                      250V 33A 211W N-ch. TO-263

RCJ450N20                      

200V 45A 40W 42mom N-ch. TO-263       

RCX200N20                      200V 20A 40W 130Mom N-ch. TO-220F  

RFN20NS3SW                  TO-263  PANASONIC

RGh4044                            360V 30A 20W TO-220F 

RJh4042           

RJh4047                             

RJh4077                             330V 50A Vce=1.6V TO-247           

RJh40A3                             300V 30A   TO247  

RJh40E2                             360V 30A 120W   TO-220F   

RJh40E3                             360V 40A  TO-220F

RJH60F4                             600V 60A 235W VCE 1. 4 V TO-247

RJK6026                             600V 5A 28W N-ch.TO-200F

RJP3034                             аналог RJP30E2DPP, RJP30E3DPP, GT30F125

RJP3043                             330V 50A TO-247 

RJP3044                             360V 30A TO-220F

RJP3045                             360V 35A 25W TO-220F

RJP3047                             330V 50A  TO-3P

RJP3049                             330V 65A IGBT TO-3P

RJP3053                             300V 30A Vce-2.0 TO220F

RJP3054                             300V 40A Vce=1.8V TO-220F

RJP3063                             300V 30A Vce-1.7V TO-220F

Транзистор irf3205 параметры | Практическая электроника

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.


Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

  • Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
  • Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
  • Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

  • Время включения = 14 нс,
  • Время выключения = 50 нс,
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.
    = ±20 В,
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
  • Крутизна характеристики S = 44,
  • Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
  • Ток утечки затвора < 0,1 uA,
  • Ток утечки стока (закр.) < 25uA.

IRF3205 аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

  • IRF3205Z — TO-220AB
  • IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
  • IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.

Все своими руками Схема транзистора КТ827

Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013

Аналог КТ827А

     Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

     Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

     Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

     При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

     Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

     В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

     На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

     Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

     Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Обсудить эту статью на - форуме "Радиоэлектроника, вопросы и ответы".

Просмотров:82 940


Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74...).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5...2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

2SD2394 npn-транзистор, дополнительный pnp, замена, распиновка, конфигурация контактов, замена, маркировка D2394, аналог smd, даташит

Характеристики биполярного транзистора 2SD2394

  • Тип - NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Напряжение коллектор-база: 80 В
  • Напряжение эмиттер-база: В
  • Ток коллектора: 3 A
  • Рассеивание коллектора - 25 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h fe ) - 100 до 320
  • Частота перехода - 8 МГц
  • Рабочая и Диапазон температур запоминающего соединения от -55 до +150 ° C
  • Корпус - TO-220F

Конфигурация выводов (выводов) 2SD2394

Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.

Классификация h FE

Транзистор 2SD2394 может иметь коэффициент усиления по току от 100 до 320 . Коэффициент усиления 2SD2394-E будет в диапазоне от 100 до 200 , 2SD2394-F - от 160 до 320 .

Маркировка

Иногда префикс «2S» не указывается на упаковке - транзистор 2SD2394 может иметь маркировку « D2394 ».

Дополнительный транзистор PNP

Дополнительным транзистором PNP к 2SD2394 является 2SB1565.

SMD Equivalent

SMD-версия 2SD2394 доступна как NZT560 (SOT-223).

Сменный и аналогичный транзистор для 2SD2394

Вы можете заменить 2SD2394 на 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC400668, 2SC4550, 2SC4551, 2SD12114534, 2SD121145 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2012, 2SD2061, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD35543D, BD243B, BD243C, BD35543D, BD243B, BD243C, BD35543D, BD39D539D539D539D539D539D539D5395 BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85XD87D, BDT87D, BDT83F, BDT85, BDT87D, BDT87D, BDT87D, BDT85, BDT87D, BDT85, BDT85, BDT87D, BDT87D, BDT87D, BDT87D, BDT87D, BDT87 MJE15028, MJE15028G, TIP41D или TIP42D

2sd2394 техническое описание и примечания к применению

2SD2394

Аннотация: 2SB1565
Текст: Спецификация продукции SavantIC Semiconductor 2SD2394 Кремниевые силовые транзисторы NPN ОПИСАНИЕ · С корпусом TO-220F · Низкое напряжение насыщения коллектора · Широкая зона SOA (безопасная рабочая зона) · Дополнение к типу 2SB1565 ШТЫРЬЯ ОПИСАНИЕ ПИН 1 База 2 Коллектор 3 Эмиттер, Спецификация продукции SavantIC Semiconductor 2SD2394 Силовые кремниевые NPN-транзисторы, транзисторы ОПИСАНИЕ УПАКОВКИ Рис.2 Габаритные размеры 3 2SD2394 -


Оригинал
PDF 2SD2394 О-220Ф 2SB1565 О-220Ф) 2SD2394 2SB1565
1999 - 2СД2394

Аннотация: транзистор 2SD2394 TO-220FN
Текст: 2SD2394 Транзисторы Силовой Транзистор (60В, 3А) 2SD2394! Внешние размеры (Единицы: мм)! Характеристики 1) Низкое напряжение насыщения. (Типичное значение VCE (насыщ.) = 0,3 В при IC / IB = 2 A / 0,2 A) 2) Отличные характеристики усиления постоянного тока. 3) Широкая SOA (безопасная рабочая область). 4,5 10,0 2,8 8,0 5,0 14,0 15,0 12,0 3,2 1,2 1,3 0,8 2,54 2,54 0,75 (1) (2) (3) (1) (2) (3) ROHM, TO-220FN EF 2SD2394 Код Базовая единица заказа (шт.) - 500! Электрооборудование


Оригинал
PDF 2SD2394 О-220ФН 2SD2394 транзистор 2SD2394 К-220ФН
2SD2394

Аннотация: транзистор 2SD2394
Текст: • 2SD2394 Transistors_ Power Transistor (60V, 3A) 2SD2394 • Характеристики 1) Низкое напряжение насыщения.(Типичное значение VcE (sat) = 0,3 В при Ic / Ib = 2 A / 0,2 A) 2) Отличные характеристики усиления постоянного тока. 3) Широкая SOA (безопасная рабочая область). • Внешние размеры (единицы: мм) 10,0 4,5 28 с S è + o S i 1 i JÃŽ 1 0 8 2,54 III 2,54 0,75 I 2,6 (1) Основание (Ворота, Tstg -55 - + 150 â € ¢ c * одиночный импульс, Pw = 100 мс • Технические характеристики упаковки и тип Fife 2SD2394


OCR сканирование
PDF 2SD2394 O-22QFN 2SD2394 транзистор 2SD2394
2005 - 2СД2394

Аннотация: 2SB1565
Текст: 2SD2394 Транзисторы для усиления мощности (60В, 3А) 2SD2394 Структура NPN кремниевый тройной диффузный планарный транзистор Внешние размеры (Единицы: мм) ТО-220ФН 4.5 3,2 8,0 2,8 1,2 1,3 14,0 5,0 15,0 Характеристики 1) Низкий VCE (насыщенный). 2) Превосходные электрические характеристики, абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25 ° C) 2SD2394 Характеристики упаковки и параметр символа hFE, от 100 до 200 F от 160 до 320 ° C Температура хранения 2SD2394 ° C 1 Pw = 100 мс, одиночный импульс


Оригинал
PDF 2SD2394 О-220ФН 2SB1565 2SD2394 2SB1565
Транзистор D 2394

Аннотация: 2SD2576
Текст: Транзисторы 2SD2167 2SD2394 / 2SD2576 · Функции 1) Встроенный диод между коллектором и базой.2) Zener-диод имеет низкую дисперсию напряжения. 3) Надежная защита от обратных скачков напряжения из-за низких нагрузок. 4) W (на керамической плате 4 0 X 4 0 X 0,7 м) I Силовой транзистор, 2SD2394 / 2SD2576 Пределы SO 60 7 3 e 2 25 150-5 5 ~ 1 5 0 Единица VVVA (DC) A (Импульсный ) * WW (T c "2 5, itter saturation voitage Base-em itter saturation voitage 2SD2394 DC current transfer rat io


OCR сканирование
PDF 2SD2167 2SD2394 2SD2576 2SD2167 ----- 2SD2576 CB - 60 В 94L-1098-0348) транзистор D 2394 2SD2576
2SD2394

Аннотация: 2sb1565 T0220FP
Текст: SOA.JférfìtE I / D измеряет нс (единица измерения: мм) 2SB1565 1) VcE (насыщ.) V cE (насыщ.) = -0,3 В (тип.) # 3,2 ± 0,2 (Ic / I b = - 2 A / - 0. 2 А) 1r n ti'5. 3) SO A tfrl £ l '0 4) 2SD2394 t = l> 7 U T' £> 3o 5) 7


OCR сканирование
PDF 2SB1565 2SB1565 2SD2394 Т0-220ФП О-220ФН T0220FP
2sd1555

Абстракция: te 2395 2SD1405 2sd 2310 2SD1878 2SD1556 2SD2394 2SD2376 2sd2396 2SD2409
Текст: a - ROHM A 2SD2394 2SD2396 2SD2299 2SD2300 2SC4744 2SC4744 2SC3980 2SC392SC3981 2SC394


OCR сканирование
PDF 2SD2369 2SD2370 2SD2371 2SD2372 2SD2373 2SD2374 2SD2375 2SD2376 2SD2377 2SD2378 2sd1555 te 2395 2SD1405 2сд 2310 2SD1878 2SD1556 2SD2394 2sd2396 2SD2409
2сД2394

Аннотация: Транзистор D348 TI2150 с маркировкой HRA 2SD2576
Текст: Транзисторы 2SD2167 2SD2394 / 2SD2576 · Фурнитуры 1) 2) 3) 4) Встроенный стабилитрон между коллектором и базой.Диод Z ener имеет низкую дисперсию напряжения. Надежная защита от обратной мощности) 2SD2394 / 2SD2576 · Функции 1) Низкое напряжение (тип. 0,3 В при I c / I b = 2 / 0,2 A) 2) Отличное рассеивание 2SD2576 TO -220FN F - 2SD2394 TO -220FN EF - Температура перехода Температура хранения, - Напряжение насыщения база-электродвигатель 2SD2394 2SD2576 Частота перехода O выходная емкость * 1


OCR сканирование
PDF 2SD2167 2SD2394 2SD2576 2SD2167 О-220, 0Dlb713 О-220ФН О-220ФН O220FP Т0-220ФП, D348 транзистор TI2150 маркировка HRA 2SD2576
2SD2576

Аннотация: 2SD2394 D310 2SD2167 D348 транзистор D348
Текст: Транзисторы 2SD2167 2SD2394 / 2SD2576 (92S-358D310) (94L-1098-D348) 314 ROHM


Оригинал
PDF 2SD2167 2SD2394 2SD2576 92С-358 94L-1098-D348) 2SD2576 D310 2SD2167 D348 транзистор D348
NEC 2SD1564

Аннотация: 2SC3296 2sd2394 2012 NEC 2SD1993 2sd1780 2SD1995 2SD1991R 2sd1855 2SC4488
Текст: 2SD2394 2SD1933 2SD1889 -y-y'ry y -y try V -y * ry y -y try fé B T ÎL 2SC370


OCR сканирование
PDF 2SD1986 2SD1987 2SD1988 2SD1989 2SD1990 2SD1991 2SD1992 2SD1993 2SD1994 2SD1995 NEC 2SD1564 2SC3296 2sd2394 2012 NEC 2sd1780 2SD1991R 2sd1855 2SC4488
2SB1565

Аннотация: 2SD2394
Текст: Спецификация продукции SavantIC Semiconductor 2SB1565 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ · В корпусе TO-220F · Отличные характеристики усиления постоянного тока · Низкое напряжение насыщения коллектора · Широкая зона SOA (безопасная рабочая зона) · Дополнение к типу 2SD2394 НАЗНАЧЕНИЕ ШТЫРЬКОВ 1 База 2 Коллектор 3 Эмиттер Рис.1 упрощенный контур (TO-220F) и символ Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25) СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ МАКСИМАЛЬНАЯ ЕДИНИЦА VCBO База коллектора


Оригинал
PDF 2SB1565 О-220Ф 2SD2394 О-220Ф) 2SB1565 2SD2394
2SB1565

Аннотация: 2SD2394 2sb15
Текст: Спецификация продукта Inchange Semiconductor 2SB1565 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ С корпусом TO-220F Отличные характеристики усиления постоянного тока Низкое напряжение насыщения коллектора Широкая зона SOA (безопасная рабочая зона) Дополнение к типу 2SD2394 ШТЫРЬЯ ОПИСАНИЕ ПИН 1 База 2 Коллектор 3 Излучатель Рис.1 упрощенный контур (TO-220F) и обозначение TOR UC Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25) СИМВОЛ ПАРАМЕТР МАКС. ЕДИНИЦА -80 В -60 В -7


Оригинал
PDF 2SB1565 О-220Ф 2SD2394 О-220Ф) 2SB1565 2SD2394 2сб15
2SB1655

Аннотация: 2SD2394
Текст: Спецификация продукта SavantIC Semiconductor 2SB1655 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ · В корпусе TO-220F · Отличные характеристики усиления постоянного тока · Низкое напряжение насыщения коллектора · Широкая область безопасной эксплуатации · Дополнение к типу 2SD2394 НАЗНАЧЕНИЕ ПИН-кода 1 База 2 Коллектор 3 Эмиттер Рис. 1 упрощенный контур (TO-220F) и символ Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25) СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ МАКСИМАЛЬНАЯ ЕДИНИЦА VCBO База коллектора


Оригинал
PDF 2SB1655 О-220Ф 2SD2394 О-220Ф) 2SB1655 2SD2394
2005 - 2СБ1655

Резюме: 2SD2394
Текст: Спецификация продукта JMnic 2SB1655 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ В корпусе TO-220F Отличные характеристики усиления постоянного тока Низкое напряжение насыщения коллектора Широкая область безопасной эксплуатации Дополнение к типу 2SD2394 ШТЫЛКА ОПИСАНИЕ ПИН 1 База 2 Коллектор 3 Эмиттер Рис.1 упрощенный контур (TO-220F) и символ Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25) СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ МАКС. ЕДИНИЦА VCBO Напряжение коллектор-база Открытый эмиттер -80 В VCEO


Оригинал
PDF 2SB1655 О-220Ф 2SD2394 О-220Ф) disi50A 2SB1655 2SD2394
1271A

Абстракция: nec 1251 2SD1227M 2SB2198 2sd1070 2SC4008 2SD2394 2SC2500 2sd1944 2sd1855
Текст: 2SD1603 2SD1763A 2SD1666 2SD1855 2SC4008 2SD1666 2SD1667 2SD1593SDSC2394 2SD1667 2SD1593SDSCD154


OCR сканирование
PDF 2SD1243 2SD1243A 2SD1244 2SD1245 2SD1246 2SD1247 2SD1248 2SD1248K 2SD1251 2SD1252 1271A nec 1251 2СД1227М 2SB2198 2sd1070 2SC4008 2SD2394 2SC2500 2sd1944 2sd1855
2SB1655

Аннотация: 2SD2394
Текст: Спецификация продукта Inchange Semiconductor 2SB1655 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ В корпусе TO-220F Превосходные характеристики усиления постоянного тока Низкое напряжение насыщения коллектора Широкая область безопасной эксплуатации Дополнение к типу 2SD2394 ШТОПКА ОПИСАНИЕ ПИН-кода 1 База 2 Коллектор 3 Эмиттер Рис.1 упрощенный контур (TO-220F) и обозначение TOR UC Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25) СИМВОЛ ПАРАМЕТР МАКС. ЕДИНИЦА -80 В -60 В -7


Оригинал
PDF 2SB1655 О-220Ф 2SD2394 О-220Ф) 2SB1655 2SD2394
2005 - 2СБ1565

Аннотация: 2SD2394
Текст: Спецификация продукта JMnic 2SB1565 Силовые кремниевые PNP-транзисторы ОПИСАНИЕ В корпусе TO-220F Превосходные характеристики усиления постоянного тока Низкое напряжение насыщения коллектора Широкая зона SOA (безопасная рабочая зона) Дополнение к типу 2SD2394 ШТОПКА ОПИСАНИЕ ПИН 1 База 2 Коллектор 3 Эмиттер Рис. .1 упрощенный контур (TO-220F) и символ Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25) СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ МАКС.ЕДИНИЦА VCBO Напряжение коллектор-база Открытый эмиттер -80


Оригинал
PDF 2SB1565 О-220Ф 2SD2394 О-220Ф) 2SB1565 2SD2394
2SK2540

Аннотация: 2SD2576 2sd2396 TA143E 2SD 92 M C2N3904 2SK2459N 2SC4137 2SC5248 2SD2061
Текст: 2SB165S 2SB1639 * 2SD2394 2SD2396 * 2SD2576 2SB1568 * 2SD2399 * 1. 5 2 ж 3 BS! 7 2SB1566 2SD 2395


OCR сканирование
PDF 2SK2262 2SK2294 -220FN 2SK2792 2SK2459N 2SK2460N 0-220FN 2SK2713 2SK2793 2SK2540 2SD2576 2sd2396 TA143E 2СД 92 М C2N3904 2SK2459N 2SC4137 2SC5248 2SD2061
2005 - Нет в наличии

Резюме: абстрактный текст недоступен
Текст: 2SB1565 2SD2394 Технические характеристики упаковки и предельные значения символов упаковки hFE Единица


Оригинал
PDF 2SB1565 О-220ФН 2SD2394
2SB1185

Аннотация: 2sb1569a 2sd2037 транзистор
Текст: 2SB1566 2SB1569 2SB1569A 2SD2394 2SD2395 2SD2400 2SD2400A 2SD2396 2SB1567 2SB1568 2SD2398 2SD2397 2SD2399


OCR сканирование
PDF О-220 Т0-220ФП T0-220FN О-220ФП О-220 О-220ФН 2SA1634 2SB1369 2SB1185 2sb1569a 2sd2037 транзистор
2SC5248

Аннотация: 2SD2025 2SB1185 2SA1964 2sb1655
Текст: символ типа PNP опущен.VCEO NPN 2SD2395 2SD2576 2SD2394 2SD2400A 2SD2396 2SC5147 (В) 50


OCR сканирование
PDF T0-126FP О-126ФП 2SB891F 2SB889F 2SB1436 2SD1189F 2SD1200F 2SD1381F 2SD2343 2SD2166 2SC5248 2SD2025 2SB1185 2SA1964 2sb1655
SB1335A

Аннотация: 2sd2033a 2SD2061 2SB1496 транзистор 2sD2091 2SB1342 2SD2394 2SD2037 2SC4355 2SB1370
Текст: 4 40 30 - 1,8 60 ~ 500 4 1 - 2S02023 2SD2061 2SD2394 2SD2096 60 3 40 30 25 1.8 60 ~ 320 5 0,5 -


OCR сканирование
PDF О-220 Т0-220ФП О-220ФН О-220ФП T0-220 О-220ФН SB1335A 2sd2033a 2SD2061 2SB1496 транзистор 2сД2091 2SB1342 2SD2394 2SD2037 2SC4355 2SB1370
2SC1740 транзистор

Аннотация: A1757 2SD2061F B1130AM 2SD1466 2SC5083 B1236A 2sc4721 MOS-FET транзистор Дарлингтона 2sa1819
Текст: 1186A V2SD1763A (2SB1565 \ 2SD2394 / 2SB1496 V2SD2096 / 2SB1355 V2SD2035 / 2SB1358 \ 2SD2038 60, 2SB1567 2SD2398 2SB1569 2SD2400 2SD2397 2SB1565 2SD2394 2SD2396 2SB1568 2SD2399 2SB1569A 2SD2400A


OCR сканирование
PDF 2SC2021LN 2SB821 2SB1276 2SC2021MLN О-92Л О-92ЛС 2SB737 V2SD786 2SA1137 2SC1740 2SC1740 транзистор A1757 2SD2061F B1130AM 2SD1466 2SC5083 B1236A 2sc4721 Мос-Фет Дарлингтон транзистор 2sa1819
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: 2SD2394 2SD2395 2SD2400 2SD2400A 2SC5147 2SD2396 2SB1567 2SB1568 2SD2398 2SD2397 2S02399 2SD2039 2SD2041


OCR сканирование
PDF T0-220 Т0-220ФП О-220ФН О-220ФП О-220 О-220ФН 2SA1634 2SB1369
sj 2038

Аннотация: 2SB1335A 2SD2061 2SD2037 2SB1496 2SD2039 2sd2396 2sd2033a 2SB1370 2SC4354
Текст: 60–500 D E F G 4 1 - 2SD2023 2SD2061 2SD2394 2SD2096 60 3 40 30 25 1.8 60–320 D E F 5 0,5 - 2SD1505


OCR сканирование
PDF О-220 Т0-220ФП T0-220FN О-220ФП О-220 О-220ФН Т0-220ФП sj 2038 2SB1335A 2SD2061 2SD2037 2SB1496 2SD2039 2sd2396 2sd2033a 2SB1370 2SC4354

% PDF-1.2 % 1269 0 объект > endobj xref 1269 125 0000000016 00000 н. 0000002875 00000 н. 0000003052 00000 н. 0000003193 00000 п. 0000006435 00000 н. 0000006597 00000 н. 0000006666 00000 н. 0000006766 00000 н. 0000006922 00000 н. 0000007088 00000 н. 0000007263 00000 н. 0000007391 00000 н. 0000007583 00000 н. 0000007694 00000 н. 0000007810 00000 п. 0000007939 00000 п. 0000008062 00000 н. 0000008192 00000 н. 0000008319 00000 н. 0000008456 00000 н. 0000008602 00000 н. 0000008755 00000 н. 0000008902 00000 н. 0000009052 00000 н. 0000009199 00000 п. 0000009348 00000 п. 0000009497 00000 н. 0000009643 00000 п. 0000009788 00000 н. 0000009930 00000 н. 0000010072 00000 п. 0000010215 00000 п. 0000010352 00000 п. 0000010490 00000 п. 0000010628 00000 п. 0000010769 00000 п. 0000010906 00000 п. 0000011044 00000 п. 0000011184 00000 п. 0000011322 00000 п. 0000011489 00000 п. 0000011643 00000 п. 0000011758 00000 п. 0000011899 00000 п. 0000012092 00000 п. 0000012225 00000 п. 0000012358 00000 п. 0000012486 00000 п. 0000012617 00000 п. 0000012756 00000 п. 0000012894 00000 п. 0000013028 00000 п. 0000013161 00000 п. 0000013288 00000 п. 0000013421 00000 п. 0000013568 00000 п. 0000013703 00000 п. 0000013858 00000 п. 0000014007 00000 п. 0000014157 00000 п. 0000014305 00000 п. 0000014451 00000 п. 0000014578 00000 п. 0000014741 00000 п. 0000014933 00000 п. 0000015073 00000 п. 0000015189 00000 п. 0000015357 00000 п. 0000015462 00000 п. 0000015632 00000 п. 0000015811 00000 п. 0000015929 00000 п. 0000016056 00000 п. 0000016255 00000 п. 0000016379 00000 п. 0000016504 00000 п. 0000016680 00000 п. 0000016798 00000 п. 0000016932 00000 п. 0000017091 00000 п. 0000017257 00000 п. 0000017420 00000 п. 0000017610 00000 п. 0000017720 00000 п. 0000017838 00000 п. 0000017987 00000 п. 0000018128 00000 п. 0000018281 00000 п. 0000018414 00000 п. 0000018546 00000 п. 0000018701 00000 п. 0000018839 00000 п. 0000018972 00000 п. 0000019091 00000 п. 0000019236 00000 п. 0000019380 00000 п. 0000019521 00000 п. J ׇ +) / P -60 >> endobj 1272 0 объект > endobj 1392 0 объект > поток 7 $ & -_- IED0 [wY9dI3҈ & Bj & aX> TL # eldbrd `C1hajOn + mb>% M0mp-H9Q (pr

D882 Распиновка транзистора, эквивалент, использование, характеристики

2SD882 или D882 - это транзистор общего назначения в корпусе TO-126, в этом посте вы найдете распиновку транзистора D882, эквивалент, использование, функции, альтернативные замены и другие подробности об этом транзисторе.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-126
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 3A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 30 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 40 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5V
  • Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 10 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 60-400
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительный 2SD882 - 2SB772.

Аналог:

BD349, MJE802, BD185, MJE182, BD189, TIP122L, BD131, BD187, 2SD1693, 2SC4342, 2SD1018, 2SD1712 (конфигурация выводов некоторых транзисторов может отличаться от D882, всегда проверяйте конфигурацию выводов перед использованием или заменой

в цепи)

2SD882 Транзистор объяснил / Описание:

2SD882 - транзистор общего назначения, и это устройство с довольно высокими характеристиками, в соответствии с его характеристиками, этот транзистор идеально подходит для использования в широком спектре электронных проектов для образовательных, коммерческих и любителей.D882 может использоваться для самых разных целей переключения и усиления. Он обладает некоторыми очень интересными функциями. Максимальный ток коллектора составляет 3 А, чего достаточно для управления многими реле, светодиодами, лампами, двигателями, некоторыми частями электронной схемы и т. Д., Минимальное напряжение насыщения коллектора составляет всего 0,3 В.

Кроме того, с его выходной мощностью 10 Вт его можно использовать в выходном каскаде аудиоусилителя или отдельно в качестве усилителя.

Где и как использовать:

2SD882 можно использовать в различных приложениях.Например, он может использоваться в цепях питания, цепях регулятора напряжения, цепях зарядного устройства, приводных двигателях, переключении любой нагрузки до 3 А и т. Д. Часть из вышеуказанных приложений он также будет работать при использовании для усиления аудиосигналов, и его можно использовать в небольших усилителях звука, выходных каскадах цепей приемника, цепях звонка, цепях, связанных со звуком и т. д.

Приложения:

Драйвер реле

Усилитель звука

Коммутационная нагрузка до 3 А

Дарлингтонские пары

Как безопасно продолжать работу в цепи:

Чтобы получить максимальную производительность от этого транзистора, рекомендуется не использовать нагрузку более 3 А, всегда оставаться ниже 200 мА от максимальной номинальной нагрузки для безопасности и всегда использовать подходящий радиатор. Не используйте устройство при напряжении выше 30 В и всегда используйте подходящий базовый резистор. Не эксплуатируйте и не храните транзистор при температуре ниже -55 по Цельсию и выше +150 по Цельсию.

% PDF-1.3 % 73 0 объект > endobj xref 73 46 0000000016 00000 н. 0000001285 00000 н. 0000001476 00000 н. 0000001628 00000 н. 0000001657 00000 н. 0000001711 00000 н. 0000002125 00000 н. 0000002339 00000 н. 0000002403 00000 п. 0000002489 00000 н. 0000002579 00000 н. 0000002685 00000 н. 0000002795 00000 н. 0000002903 00000 н. 0000003011 00000 н. 0000003127 00000 н. 0000003235 00000 н. 0000003348 00000 п. 0000003447 00000 н. 0000003550 00000 н. 0000003655 00000 н. 0000003806 00000 н. 0000003916 00000 н. 0000004021 00000 н. 0000005326 00000 н. 0000005447 00000 н. 0000005469 00000 н. 0000006939 00000 п. 0000006962 00000 н. 0000008298 00000 п. 0000008321 00000 п. 0000009537 00000 н. 0000009560 00000 н. 0000010908 00000 п. 0000010931 00000 п. 0000011048 00000 п. 0000012254 00000 п. 0000012277 00000 п. 0000013549 00000 п. 0000013571 00000 п. 0000014620 00000 п. 0000014643 00000 п. 0000014721 00000 п. 0000014800 00000 п. 0000001750 00000 н. 0000002103 00000 п. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 74 0 объект > endobj 75 0 объект ; 5р.) / Dest (i @ K) / Родитель 80 0 R / Назад 83 0 R >> endobj 83 0 объект \)) / Dest (> \ (') / Родитель 80 0 R / Назад 84 0 R / След. 82 0 R >> endobj 84 0 объект aȇX% npT.) / Dest (1) / Родитель 80 0 R / Назад 85 0 R / След. 83 0 R >> endobj 85 0 объект Л /.) / Dest (G) / Родитель 80 0 R / Назад 86 0 R / След. 84 0 R >> endobj 86 0 объект 4e3 旛 i87T) / Dest (m0v) / Родитель 80 0 R / Назад 87 0 R / След. 85 0 R >> endobj 87 0 объект ) / Dest () / Родитель 80 0 R / Назад 88 0 R / След. 86 0 R >> endobj 88 0 объект Q) / Dest (\ nF) / Родитель 80 0 R / Назад 89 0 R / След. 87 0 R >> endobj 89 0 объект *.aaVQo3Np) / Dest (запись) / Родитель 80 0 R / Назад 90 0 R / След.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *