D4515 транзистор характеристики: Триодный Транзистор Высокой Мощности D4515 2sd4515 3dd4515 700 V/15a/120 W Для Высокоскоростной Коммутационной Цепи,Постоянного Тока

Содержание

D4515 характеристики на русском

Биполярный транзистор D4515 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D4515

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO3PN

D4515 Datasheet (PDF)

1.1. d4515.pdf Size:576K _ate

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 50 W 结构和少

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 结构和�

R 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 ○ 3DD4515 A23 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A23 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺和少子寿命 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 控制技术,

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 50 W 结构和少

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 结构和�

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Ошибаться человеку свойственно, но сваливать ошибки на других — еще типичнее.
Закон Якоба

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD4515-O-AN-N-B

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD4515-O-AN-N-B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
120000 400 9 15000 150 4000000 15/50

Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD
Сфера применения:
Популярность: 6950
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 3DD4515-O-AN-N-B

Общий вид транзистора 3DD4515-O-AN-N-B. Цоколевка транзистора 3DD4515-O-AN-N-B.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-11-10 06:46:18; Пользователь: Дмитрий.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD4515-O-AN-N-B.

Дополнение: маркировка D4515
Дата добавления: 2014-11-10 06:52:32; Пользователь: Дмитрий.


Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2014-11-10 07:19:08; Пользователь: Без имени.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор D4515 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D4515

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO3PN

D4515 Datasheet (PDF)

1.1. d4515.pdf Size:576K _ate

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 50 W 结构和少

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 结构和�

R 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 ○ 3DD4515 A23 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A23 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺和少子寿命 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 控制技术,

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Tc=25℃) 50 W 结构和少

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (Ta=25℃) 0.8 W 结构和�

BU4515AX — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора BU4515AX и его обозначение на схемеКорпус транзистора BU4515AX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Малое напряжение насыщения.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 800 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 6,0 А, Ib = 1,5 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 6,0 А
F = 64 кГц 5,0
Ic Ток коллектора 9,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 20 А
Ib Ток базы 5 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 7,5 А
-Ibm Обратный ток базы, пиковое значение 6 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
Tf Время спада импульса F = 16 кГц, Ic_sat = 6,0 А 360 500 нс
F = 64 кГц, Ic_sat = 5,0 А 230
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 6,0 A 5,7 7,3

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Схемы микромощных сетевых блоков питания на основе микросхемы PT4515

Радиоэлектроника, схемы, статьи и программы для радиолюбителей.
  • Схемы
    • Аудио аппаратура
      • Схемы транзисторных УНЧ
      • Схемы интегральных УНЧ
      • Схемы ламповых УНЧ
      • Предусилители
      • Регуляторы тембра и эквалайзеры
      • Коммутация и индикация
      • Эффекты и приставки
      • Акустические системы
    • Спецтехника
      • Радиомикрофоны и жучки
      • Обработка голоса
      • Защита информации
    • Связь и телефония
      • Радиоприёмники
      • Радиопередатчики
      • Радиостанции и трансиверы
      • Аппаратура радиоуправления
      • Антенны
      • Телефония
    • Источники питания
      • Блоки питания и ЗУ
      • Стабилизаторы и преобразователи
      • Защита и бесперебойное питание
    • Автоматика
      • На микроконтроллерах
      • Управление и контроль
      • Схемы роботов
    • Для начинающих
      • Эксперименты
      • Простые схемки
    • Фабричная техника
      • Усилители мощности
      • Предварительные усилители
      • Музыкальные центры
      • Акустические системы
      • Пусковые и зарядные устройства
      • Измерительные приборы
      • Компьютеры и периферия
      • Аппаратура для связи
    • Измерение и индикация
    • Бытовая электроника
    • Автомобилисту
    • Охранные устройства
    • Компьютерная техника
    • Медицинская техника

PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов) — DataSheet

Общее описание

PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.

Свойства

  • Малое количество подключаемых внешних компонентов
  • Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
  • Выходной ток до 1.2 А
  • Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
  • Частота коммутации до 1 МГц
  • Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
  • Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
  • Высокий К.П.Д. (до 97%)
  • Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
  • Гистерезисное управление: без компенсации
  • Регулируемый постоянный ток светодиода
  • Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
  • Соответствует RoHS

Применение

  • Замена низковольтных галогенных ламп светодиодами
  • Освещение в автомобилях
  • Низковольтное промышленное освещение
  • Светодиодное резервное освещение
  • Световые вывески
  • Освещение с использованием безопасного сверхнизкого напряжения
  • Подсветка в ЖК-телевизорах
 
Корпус Температурный диапазон Номер серии Маркировка
SOT89-5 от -40 °C до 85 °C PT4115B89E:Atype PT4115BS9E-B:B type PT4115 xxxxxX
ESOP8 от -40 °C до 85 °C PT4115BSOH: A type PT4115BSOH-B:B type PT4115 xxxxxX

 

Типовая схема включения PT4115Типовая схема включения PT4115

 

Расположение выводов для разных корпусов PT4115Расположение выводов для разных корпусов PT4115

 

Назначение выводов
Номер вывода Обозначение Описание
1 SW Выходной ключ. SW — это сток внутреннего N-канального MOSFET-ключа.
2 GND Земля общая для цепей сигнала и питания.
3 DIM Логический вход для управления яркостью. Когда на вывод DIM поступает сигнал низкого уровня, регулятор тока отключается. Когда на вывод DIM поступает сигнал высокого уровня, регулятор тока подключается.
4 CSN Контроль тока на входе.
5 VIN Питание.
Exposed PAD Внутренне подключен к GND. Соединен  с корпусом для снижения теплового сопротивления.
ESOP8 4,5 NC Не подключены

 

Абсолютные максимальные значения
Обозначение Описание Значение Ед. изм.
VIN Напряжение питания -0.3~45 В
SW Напряжение на выводе стока внутреннего мощного ключа -0.3~45 В
CSN Напряжение на выводе контроля тока на входе (По отношению к VIN) +0.3~(-6.0) В
DIM Напряжение на выводе логического вход для управления яркостью -0.3~6 В
Isw Выходной ток ключа 1,5 A
PDmax Рассеиваемая мощность (1) 1,5 Вт
Ptr Тепловое сопротивление, SOT89-5 0JA 45 °C /Вт
Ptr Тепловое сопротивление, ESOP8 0JA 40 °C /Вт
Tj Диапазон рабочих температур кристалла от -40 до 150 °C
Tstg Температура хранения от -55 до 150 °C
Восприимчивость к электростатическим разрядам (2) 2 кВ
VIN VDD напряжение источника питания 6 ~ 30 В
TOPT Рабочая температура от -40 до +85 °C
  1. Максимальная рассеиваемая мощности должна снижаться при повышенных температурах и задается TJMAX, θJA и температурой окружающей среды TA. Максимально допустимая рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле PDMAX = (TJMAX — TA) / θJA или является числом, указанным в абсолютных максимальных значениях, в зависимости от того, что меньше.
  2. Модель человеческого тела, 100 пФ, разряжаемая через резистор 1,5 кОм.
 Электрические характеристики (*, **)
Обозначение Описание Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vin Входное напряжение 6 30 В
VUVLO Напряжение блокировки Vin пониженно 5,1 В
VUVLO, HYS UVLO гистерезис Vin повышенно 500 мВ
Fsw Максимальная частота переключения 1 мГц
Чувствительность по току
VCSN Средний текущий порог чувствительности по напряжению VIN-VCSN A тип 95 98 101 мВ
В тип 99 102 105 мВ
VСSN_hys Порог чувствительности по гистерезису ±15 %
ICSN Входной ток на выводе CSN VIN —  VCSN = 5 мВ 8 мкА
Рабочий ток
loFF Потребляемый ток в режиме покоя при отключенном выходе VDIM < 0.3 В 95 мкА
Управление яркостью
VDIM Внутреннее напряжение питания Плавающий DIM 5 В
VDIM_H Напряжение высокого уровня на выводе DIM 2,5 В
VDIM_L Напряжение низкого уровня на выводе DIM 0,3 В
VDIM_DC Регулировка яркости постоянным током 0,5 2,5 В
fDIM Максимальная частота fosc= 500 кГц 50 кГц
DPWM_LF Диапазон коэффициента заполнения для низкочастотного диммирования fDIM =100 Гц 0,02% 1
Диапазон регулировки яркости 5000:1

 

Обозначение Описание Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Вход управления яркостью (DIM)
DPWM_HF Коэффициент заполнения высокочастотного диммирования fDIM = 20 кГц 4% 1
Диапазон регулировки яркости 25:1
RDIM Подтягивающее сопротивление внутри микросхемы, подключенное к источнику питания 200 кОм
IDIM_L Ток утечки VDIM = 0 25 мкА
Выходной ключ
Rsw Сопротивление в открытом состоянии VIN= 12 В 0,6 Ом
VIN= 24 В 0,4
ISWmean Допустимый ток 1,2 А
ILEAK Ток утечки 0,5 5 мкА
Тепловая защита
TSD Тепловой порог отключения 160 °C
Tso-hys Гистерезис теплового отключения 20 °C

*Типовые параметры измеряются при 25 ° С и представляют собой параметрическую норму.

**Минимальные / максимальные пределы гарантируются проектированием, тестом или статистическим анализом.

 

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

 

Описание

Устройство в сочетании с катушкой (L1) и токочувствительным резистором (RS) формирует автоколебательный вольтодобавочный преобразователь с непрерывным режимом работы.

Когда входное напряжение на ввод VIN подается первый раз, начальный ток в L1 и RS равен нулю, а также отсутствует выходной сигнал от токоизмерительной схемы. При этом условии, на выходе компаратора CS присутствует высокий уровень сигнала. Этим осуществляется включение внутреннего переключателя. Вывод SW переключается и находится в состоянии низкого логического уровня, в результате чего ток протекает от VIN к земле через резистор RS, катушку L1 и светодиод(-ы). Ток возрастает со скоростью, определяемой VIN и L1, для создания линейно-изменяющегося  напряжения (VCSN) через сопротивление RS. Когда (VIN-VCSN) > 115 мВ, выход компаратора CS переключается в состояние низкого уровня и переключатель выключается. Ток, проходящий по RS, уменьшается с другой скоростью. Когда (VIN-VCSN) < 85 мВ, переключатель включается снова, а средний ток на светодиоде определяется по формуле:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Схема измерения тока с высокой стороны и встроенная схема регулирования тока минимизируют количество внешних компонентов, поддерживая при этом ток через светодиоды с точностью ± 5%, используя 1% -ный резистор.

PT4115 осуществляет диммирование с помощью ШИМ-сигнала на входе DIM. Если на входе DIM напряжение логического уровня ниже 0,3 В PT4115 отключает светодиод. Для того чтобы через светодиод проходил полный ток, на вход DIM необходимо подать напряжение высокого логического уровня не менее 2.5 В. Частота изменения яркости ШИМ колеблется в диапазоне от 100 Гц до более чем 20 кГц.

Выводом DIM можно управлять от внешнего источника постоянного напряжения (VDIM), для регулировки выходного тока до значения ниже номинального среднего значения, определенного резистором RS. Напряжение постоянного тока может быть в пределах от 0,5 В до 2,5 В. Когда напряжение на выводе DIM выше 2,5 В, выходной ток не изменяется. Ток светодиода также можно регулировать с помощью резистора, подключенного к выводу DIM. Внутренний подтягивающий резистор (номиналом 200 кОм) подключен к встроенному стабилизатору напряжения 5 В. Напряжение на выводе DIM делится внутренним и внешним резисторами.

Вывод DIM подтягивается к встроенному стабилизатору напряжения (5 В) резистором номиналом 200 кОм. Он может изменяться при нормальной работе. Когда напряжение, подаваемое на DIM падает ниже порога (0,3 В ном.), выходной переключатель выключается. Внутренний стабилизатор и источник опорного напряжения остаются включенными во время выключения, чтобы иметь опорное напряжение для схемы выключения. Номинальный потребляемый ток в выключенном состоянии 95 мкА и ток утечки ниже 5 мкА.

Кроме того, для обеспечения надежности PT4115 обладает встроенной функцией защитного отключения при перегреве (TSD) и теплоотводящей площадкой. TSD отключает ИС при перегреве (160 ℃).  Также теплоотводящая площадка усиливает рассеивание мощности. В результате PT4115 обеспечивает безопасное прохождение больших токов.

 

Номинальные эксплуатационные характеристики

Применение

Установка номинального среднего выходного тока с помощью внешнего резистора RS

Номинальный средний выходной ток в светодиоде(-ах) определяется номиналом внешнего токочувствительного резистора (RS), подключенного между VIN и CSN, и рассчитывается следующим образом:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Это уравнение справедливо, когда вывод DIM плавает (изменяется) или на нем присутствует напряжение выше 2,5 В (должно быть меньше 5 В). На самом деле, RS устанавливает максимальный средний ток, который может быть скорректирован до меньшего при диммировании.

Регулировка выходного тока с помощью внешнего управляющего напряжения постоянного тока

Вывод DIM может управляться внешним напряжением постоянного тока (VDIM), как показано на рисунке ниже, для регулировки выходного тока на значение ниже номинального среднего значения, определенного токочувствительным резистором RS.

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Средний выходной ток определяется следующим образом:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Обратите внимание, что 100% настройка яркости соответствует диапазону:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Регулировка выходного тока с помощью ШИМ-управления

Для регулировки выходного тока до значения ниже номинального среднего значения, установленного резистором RS, применяется широтно-импульсная модуляция (ШИМ) с коэффициентом заполнения на выводе DIM, как показано ниже.

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Диммирование с использованием ШИМ обеспечивает уменьшенную яркость за счет модуляции прямого тока светодиода от 0% до 100%. Яркость светодиода контролируется путем регулирования относительных соотношений времени включения и выключения. 25% уровень яркости  достигается за счет включения светодиода при прохождении полного тока в течение 25% времени от периода одного цикла. Для того чтобы обеспечить процесс переключения между включенным и выключенным состоянием невидимый человеческими глазами, частота переключения должна составлять больше 100 Гц. Выше 100 Гц, человеческие глаза усредняют время включения и выключения, видя только эффективную яркость, которая пропорциональна коэффициенту заполнения во время работы светодиодов. Преимущество использования ШИМ диммирования заключается в том, что прямой ток всегда постоянный, поэтому цвет светодиода не меняется при изменении яркости, как это происходит при аналоговом диммировании. Импульсный ток обеспечивает точное регулирование яркости при сохранении чистоты цвета. Частота диммирования PT4115 может достигать 20 кГц.

Режим выключения электропитания

При появлении напряжения ниже 0,3 В на выводе DIM происходит отключение выхода, а ток питания снизится до низкого уровня потребления в режиме ожидания — 95 мкА.

Плавное включение

Внешний конденсатор, подключенный между выводом DIM и землей обеспечит дополнительную задержку плавного включения, увеличив время, необходимое для того, чтобы напряжение на этом выводе поднялось до порога включения и замедление скорости нарастания управляющего напряжения на входе компаратора. Добавление емкости конденсатора увеличивает эту задержку примерно на 0,8 мс/нФ.

Встроенная защита светодиода при обрыве цепи

Если в цепи со светодиодом(-ами) произойдет обрыв, катушка изолируется от вывода SW микросхемы, поэтому микросхема и светодиод не будут повреждены.

Выбор конденсатора

Для развязки входных сигналов необходимо использовать конденсатор с низким ЭПС (ESR), так как ЭПС (ESR) этого конденсатора появляется последовательно с импедансом источника питания и снижает общий КПД. Этот конденсатор должен выдавать относительно высокий пиковый ток в катушку и сглаживать текущую пульсацию на входе. Допустимое минимальное значение конденсатора составляет 4.7 мкФ, если источник входного питания постоянного тока находится близко к устройству, но более высокие значения емкости дают большую производительность при более низких входных напряжениях, особенно когда импеданс источника является высоким. Для выпрямленного входного переменного тока рекомендуется использовать танталовый конденсатор, номинал которого должен быть выше 100 мкФ. Входной конденсатор должен быть расположен как можно ближе к ИС.

Для максимальной стабильности по температуре и напряжению рекомендуется использовать конденсаторы X7R, X5R или лучшим диэлектриком. Конденсаторы с диэлектриком Y5V не подходят для развязки в этом применении и НЕ должны использоваться.

Подходящим конденсатором от производителя Murata является GRM42-2X7R475K-50.

Следующие веб-сайты полезны при поиске альтернатив:

www.murata.com

www.t-yuden.com

www.avxcorp.com

Выбор индуктивности

Рекомендуемые значения индуктивности для PT4115 находятся в диапазоне от 27 мкГн до 100 мкГн. Рекомендуется использовать катушки индуктивности с более высокими номиналами при более низком выходном токе, чтобы минимизировать ошибки из-за задержек переключения, приводящих к увеличению пульсаций и снижению эффективности. Использование катушек индуктивности с более высокими номиналами приводит к меньшему изменению выходного тока в диапазоне напряжений питания. (см. графики).  Индуктивность должна располагаться как можно ближе к микросхеме и иметь низкоомные соединения с выводами SW и VIN. Выбранная катушка индуктивности должна иметь ток насыщения выше пикового выходного тока и номинальное значение постоянного тока выше требуемого среднего выходного тока.

В следующей таблице приведено руководство по подбору индуктивности:

Ток нагузки Индуктивность Ток насыщения
Iout > 1A 27-47 мкГн 1.3-1.5 раза от тока нагрузки
0.8A < Iout ≤ 1A 33-82 мкГн
0.4A < Iout ≤ 0.8A 47-100 мкГн
Iout ≤ 0.4A 68-220 мкГн

Подходящие катушки индуктивности для использования с PT4115 приведены в таблице ниже:

Номер партии L (мкГн) DCR (Ом) ISAT (A) Производитель
MSS1038-333 27 0.089 2.48 CoilCraft

www.coilcraft.com

MSS1038-333 33 0.093 2.3
MSS1038-473 47 0.128 2
MSS1038-683 68 0.213 1.6
MSS1038-104 100 0.304 1.3

Номиналы индуктивности должны быть выбраны для поддержания коэффициента заполнения и времени «вкл»/«выкл» в указанных пределах по напряжению питания и диапазону тока нагрузки.

В качестве руководства можно использовать следующие уравнения.

Время «Включения» для вывода SW:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Время «Выключения» для вывода SW:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Где:

L — индуктивность катушки (Гн)

rL — сопротивление катушки (Ом)

RS — токочувствительное сопротивление (Ом)

Iavg — это необходимый ток для питания светодиода (A)

Δ I – максимальный ток пульсаций в катушки (A) {Внутренне установлен на 0,3 x Iavg}

VIN — напряжение питания (В)

VLED — общее прямое напряжение светодиода (В)

RSW — сопротивление переключателя (Ом) {0,6 Ом номинальное}

VD — прямое напряжение диода при требуемом токе нагрузки (В)

Выбор диода

Для максимальной эффективности и производительности, выпрямитель (D1) должен быть быстродействующим диодом Шоттки с низким ёмкостным сопротивлением и малым обратным током утечки при максимальном рабочем напряжении и температуре.

Эти диоды обеспечивают лучшую эффективность, чем кремниевые, из-за комбинации более низкого прямого напряжения и меньшего времени восстановления.

Важно выбирать детали с пиковым  номинальным значением тока выше пикового тока катушки и постоянным номинальным значением тока выше, чем максимальный выходной ток нагрузки. Очень важно учитывать ток обратной утечки диода в работе при температуре выше 85 °C. Избыточная утечка увеличит рассеиваемую мощности в устройстве, а также при близком расположении к нагрузке может привести к быстрому перегреву.

Более высокое прямое напряжение и перерегулирование из-за обратного времени восстановления в кремниевых диодах увеличат пиковое напряжение на выводе SW. Если используется кремниевый диод, необходимо следить за появлением полного напряжения на контакте SW, включая пульсации питания, не превышающем указанное максимальное значение. Следующие веб-сайты полезны при поиске альтернатив: www.onsemi.com.

Снижение выходных пульсаций

Максимальный пиковый ток пульсаций в светодиоде(-ах) может быть уменьшен, если это необходимо, при помощи шунтирующего конденсатора CLED установленного параллельно светодиоду(-ам), как показано на рисунке ниже:

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

 

Значение 1uF уменьшит ток пульсации питания в три раза (приблизительно). Пропорционально более низкая пульсация может быть достигнута с более высокими значениями конденсатора. Обратите внимание, что конденсатор не будет влиять на рабочую частоту или эффективность, но это увеличит задержку запуска и уменьшит частоту диммирования за счет снижения скорости повышения напряжения светодиода. Добавляя этот конденсатор, токовый сигнал через светодиод(-ы) изменяется от треугольной формы до более синусоидальной без изменения среднего значения тока.

Внутренний регулятор отключает драйвер от переключателя до тех пор, пока напряжение питания не превысит порог запуска (VUVLO). Выше этого порога устройство начнет работать. Однако при напряжении питания ниже заданного минимального значения коэффициент заполнения при переключении будет высоким, а рассеиваемая мощность устройства будет максимальной. Следует соблюдать осторожность, чтобы избежать использования устройства в таких условиях, чтобы свести к минимуму риск превышения максимально допустимой температуры. (См. Следующий раздел, посвященный тепловым характеристикам). Управление выключателем отключается, когда напряжение питания падает ниже порога пониженного напряжения (VUVLO-0.5V).

Тепловые характеристики

При работе устройства при высоких температурах окружающей среды или при максимальном токе нагрузки следует соблюдать осторожность, чтобы избежать превышения пределов рассеивания мощности. На приведенном ниже графике приведены сведения о снижении рассеиваемой мощности. Это предполагает, что устройство должно быть установлено на печатной плате 25 мм2 c толщиной медного слоя 1 oz, находящейся в невентилируемом помещении.

Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115

Обратите внимание, что рассеивание мощности устройства чаще всего будет максимальным при минимальном напряжении питания. Она также будет увеличиваться, если КПД схемы-низкий. Это может быть вызвано использованием непригодных катушек или чрезмерной паразитной емкостью на выходе переключателя. Когда есть ограничения по внутренней рассеиваемой мощности устройства, рекомендуется использовать корпус ESOP8 из-за его повышенной способности рассеивать мощность.

Температурная компенсация выходного тока.

Светодиоды высокой яркости часто должны идут с температурной компенсацией по току, чтобы поддерживать стабильную и надежную работу на всех уровнях управления. Светодиоды обычно монтируются удаленно от устройства, поэтому по этой причине температурные коэффициенты внутренних цепей для PT4115 оптимизированы для минимизации изменения выходного тока при отсутствии компенсации.  Если требуется компенсация выходного тока, можно использовать внешнюю цепь измерения температуры — обычно с использованием термисторов и / или диодов с отрицательным температурным коэффициентом (NTC), установленных очень близко к светодиоду (светодиодам). Выход измерительной цепочки можно использовать для управления выводом DIM, чтобы уменьшить выходной ток с повышением температуры.

Защитное отключение при перегреве

Для обеспечения надежности PT4115 оснащена функцией защитного отключения при перегреве (TSD). TSD отключает ИС при перегреве (160 ℃). Когда температура микросхемы уменьшается (140 ℃), работа ИС снова восстанавливается.

Рекомендации по компоновке

Тщательная компоновка печатной платы имеет решающее значение для достижения низких потерь при переключении и стабильной работы. По возможности используйте многослойную плату для лучшей помехоустойчивости. Минимизируйте шумы заземления, подключив высокоточное заземление, провод заземления входного байпас-конденсатора и заземление выходного фильтра в одну точку (звездой).

Вывод SW

Вывод SW устройства является быстродействующим коммутационным узлом, поэтому дорожки печатной платы должны быть как можно короче. Чтобы свести к минимуму «обрыв» земли, вывод заземления устройства должен быть припаян непосредственно к шине заземления.

Катушки развязывающие конденсаторы и токочувствительный резистор тока

Особенно важно установить катушку и входной развязывающий конденсатор как можно ближе к выводам микросхемы, чтобы минимизировать паразитное сопротивление и индуктивность, что может ухудшит эффективность. Также важно свести к минимуму любое сопротивление дорожки последовательно с токовым резистором RS. Лучше всего подключить VIN непосредственно к одному концу RS а CSN непосредственно к противоположному концу RS без других токов, протекающих в этих дорожках. Важно, чтобы катодный ток диода Шоттки не протекал по дорожке между RS и VIN, так как это может дать кажущуюся более высокую степень тока, чем есть на самом деле из-за сопротивления дорожек.

Схема подключения

Рисунок 1 – Схема подключения светодиода мощностью 1 ВтРисунок 1 – Схема подключения светодиода мощностью 1 ВтРисунок 2 – Схема подключения 3-х светодиодов мощностью 1 ВтРисунок 2 – Схема подключения 3-х светодиодов мощностью 1 ВтРисунок 1 – Демонстрационная плата для массового производстваРисунок 1 – Демонстрационная плата для массового производства

Размеры корпусов

Корпус SOT89-5Корпус SOT89-5

 

Обозначение Миллиметры Дюймы
Мин Макс Мин Макс
A 1.400 1.600 0.055 0.063
b 0.320 0.520 0.013 0.020
b1 0.360 0.560 0.014 0.022
c 0.350 0.440 0.014 0.017
D 4.400 4.600 0.173 0.181
D1 1.400. 1.800 0.055 0.071
E 2.300 2.600 0.091 0.102
E1 3.940 4.250 0.155 0.167
e 1.500 Ном 0.060 Ном
e1 2.900 3.100 0.114 0.122
L 0.900 1.100 0.035 0.043
Корпус ESOP-8Корпус ESOP-8

 

Обозначение Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
Мин Макс Мин Макс
A 1.350 1.750 0.053 0.069
A1 0.050 0.150 0.004 0.010
A2 1.350 1.550 0.053 0.061
b 0.330 0.510 0.013 0.020
c 0.170 0.250 0.006 0.010
D 4.700 5.100 0.185 0.200
D1 3.202 3.402 0.126 0.134
E 3.800 4.000 0.150 0.157
E1 5.800 6.200 0.228 0.244
E2 2.313 2.513 0.091 0.099
e 1.270(BSC) 0.050(BSC)
L 0.400 1.270 0.016 0.050
θ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

BU4506DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора BU4506DF и его обозначение на схемеКорпус транзистора BU4506DF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 800 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 3,0 А, Ib = 0,75 А 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 3,0 А
Ic Ток коллектора 5,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 8,0 А
Ib Ток базы 3 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 5 А
-Ibm Обратный ток базы, пиковое значение 4 А
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 45 Вт
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 3,0 А 1,55 1,9 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 3,0 A 5,5 7,3
Tf Время спада импульса F = 16 кГц, Ic_sat = 3,0 А 300 400 нс
Rbe Сопротивление резистора Rbe 30 Ом

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

D4515 техническое описание транзистора и примечания по применению

транзистор d1047

Реферат: транзистор D5032 D4206 D1047 транзистор D4206 транзистор D1047 d4515 d4454 d1413 транзистор Nec D1297
Текст:. ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР PPA828TF ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ НИЗКОШУМНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ NPN КРЕМНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДВОЙНОЙ ТРАНЗИСТОР (СО ВСТРОЕННЫМ 6-КОНТАКТНЫМ 2U 2SC5184) ТОНКИЙ ТИП МАЛЕНЬКИЙ MINI ОСОБЕННОСТИ ФОРМЫ 1.4513. 3.41 71.07 .17 56.28,28 ð45


Оригинал
PDF
1997 - d1047

Резюме: транзистор d5032 транзистор d1047 d4515 D4206 d4454 Nec D1297 D1047 транзистор D4206 транзистор d1413 транзистор
Текст: ЛИСТ Предварительные данные ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PPA828TF ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ малошумящий усилитель КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТВИН ТРАНЗИСТОР (со встроенным в 6-PIN 2 U 2SC5184) ТОНКАЯ МАЛЕНЬКАЯ МИНИ-ФОРМА ОТЛИЧАЕТ ЧЕРТЕЖИ УПАКОВКИ (Единицы: мм) · Низкий уровень шума NF = 1.3 дБ ТИП. @ VCE = 2 В, IC = 3 мА, f = 2 ГГц 2,10 ± 0,1 NF = 1,3 дБ ТИП. @ VCE = 1 В, IC = 3 мА, f = 2 ГГц 1,25 ± 0,1 0,22 + 0,1 0,05 0,13 ± 0,05, 56,83,30 ð45,15 1,60 0,18 138,76 3,41 71,07 0,17 56,28 0,28 45


Оригинал
PDF PPA828TF 2SC5184) PPA828TF-T1 d1047 транзистор d5032 транзистор d1047 d4515 D4206 d4454 Nec D1297 D1047 транзистор D4206 транзистор d1413 транзистор
AD0912UB-A7

Аннотация: AD0812HB-C71GP AD2512HB-BV7 AD4512LX-D03 AB7505HX-HB3 AD0812XB-D91GP AD0612XB AD0812HB ad6505 AD0912
Текст: Сигнал! ! 1 1 - o G N D * Транзистор Q1 в положении «ВКЛ.» Ток коллектора, = 10 мА) * Транзистор Q1 в положении «ВЫКЛ.» H = макс. Напряжение отпускания 30 В..V o Форма выходного сигнала LOCK


OCR сканирование
PDF AD0912UB-A73GL 49 / 22i AD0912UB-A7 AD0812HB-C71GP AD2512HB-BV7 AD4512LX-D03 AB7505HX-HB3 AD0812XB-D91GP AD0612XB AD0812HB ad6505 AD0912
6бс smd транзистор

Резюме: e 156176 код smd 6Bs Комплект обжимных инструментов HDC-HE-16SS 163356 163063 RSV 1.6 ZE 36 6BS Разъемы для печатных плат SMD 163953
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 24 / RS DC-200 6бс smd транзистор e 156176 smd код 6Bs HDC-HE-16SS комплект обжимных инструментов 163356 163063 RSV 1.6 ZE 36 6BS SMD разъемы pcb 163953
2013 - Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 1000 мкФ 7343H)
RG2012P-472-B-T5

Аннотация: RG2012P-681-B-T5 rg2012p RG2012P-105-B-T5 RG2012P-22 RG2012P-242-B-T5 RG2012P-243-B-T5
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF RG2012PB-KIT RG2012PB RG2012P-101-B-T5 RG2012P-102-B-T5 RG2012P-103-B-T5 RG2012P-104-B-T5 RG2012P-105-B-T5 RG2012P-111-B-T5 RG2012P-112-B-T5 RG2012P-113-B-T5 RG2012P-472-B-T5 RG2012P-681-B-T5 rg2012p RG2012P-105-B-T5 RG2012P-22 RG2012P-242-B-T5 RG2012P-243-B-T5
2011 - ta035tcm105

Аннотация: TA006TCM226 TA010TCM475 TA020TCM475 TA025TCM TA025TCM106
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF TA050TCM225 TA050TCM335 TA050TCM475 TA050TCM685 TA050TCM106 TA050TCM156 TA050TCM226 ta035tcm105 TA006TCM226 TA010TCM475 TA020TCM475 TA025TCM TA025TCM106
2008 - Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF
AD2512HB-BV7

Аннотация: AD0524HB-G76 ad09 AD0612UB-A72GL AD0212 AD0812MB-D76 AD0412 AD0505M AD0612H BD0412MS-G70
Текст: Текст файла недоступен


OCR сканирование
PDF AD0512HB-D71 QS-9000 0512X E / 00740 AD2512HB-BV7 AD0524HB-G76 ad09 AD0612UB-A72GL AD0212 AD0812MB-D76 AD0412 AD0505M AD0612H BD0412MS-G70
2005 - Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF
1999 - SmartDie

Резюме: PLCC 44 размеры корпуса Intel IMC016FLSC 28F400B3 28F320B3 28F160F3 28F160B3 28F032B3 28F016B3 IMC008FLSc
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF США / 0399 / 10K / MS SmartDie PLCC 44 размеры корпуса Intel IMC016FLSC 28F400B3 28F320B3 28F160F3 28F160B3 28F032B3 28F016B3 IMC008FLSc
Вадем

Аннотация: VG-469 IRQ11 AMPHUS
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF VG-469 Vadem IRQ11 АМФУС
2005 - М3601

Аннотация: G2800 M3602 G3503 wieson 4210
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF G3281-030201 GM3281-050304 WSC-WG-QU-148) SS-00259 2002/95 / EC) M3601 G2800 M3602 G3503 wieson 4210
rg1608p

Резюме: RG1608P-752-B-T5 RG1608P-751-B-T5 RG1608P-473-B-T5 rg1608p-124-b-t5
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF RG1608PB-KIT RG1608PB RG1608P-101-B-T5 RG1608P-102-B-T5 RG1608P-103-B-T5 RG1608P-104-B-T5 RG1608P-111-B-T5 RG1608P-112-B-T5 RG1608P-113-B-T5 RG1608P-114-B-T5 rg1608p RG1608P-752-B-T5 RG1608P-751-B-T5 RG1608P-473-B-T5 rg1608p-124-b-t5
2008 - Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF ZPC11CE2R2A 300 мА 760 мА 330 мА 290мАп-р 900мАп-р ZPC47BX100B 100мАп-р 330мАп-р
2010 - Маркировка диодов MFW

Резюме: маркировка MFW MS CONNECTORS E224053 HD15 на 114
Текст: Нет текста в файле


Оригинал
PDF E224053 E224053 Маркировка диодов MFW маркировка MFW РАЗЪЕМЫ MS HD15 по114
2004 - 100нК63

Аннотация: 100nk vc 3842 CECC30400 100nk 100 100nk 63
Текст: текст файла недоступен


Оригинал
PDF ПСК-83 ----- 100нК 384-1 / CECC 30000 / UTE 384-2 / ​​CECC 30400 / UTE S-BFBQ00M0304-N 100нК63 vc 3842 CECC30400 100нк 100 100нк 63
1996 - Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF
ЭНКОДЕР 32768 серый

Аннотация: энкодер 7272 845G Connections-17-Pin 32768 GRAY
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF 4 / Тип13, 16384CPR 150 мА F3G5HC1024R Ty250) Места - 120 ° ENCODER 32768 серый кодировщик 7272 845 г Подключения-17-контактный 32768 СЕРЫЙ
кт 55ч

Аннотация: RR0816P-2432-D-38C RR0816P-1022-D-02C 36c 73a SUSUMU RR0816P-3400-D-52A RR0816Q-41R2-D-60R RR0816P-1131-D-06H RR0816P-1021-D-0208 sus Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF RR0816PD RR0816PD-KIT RR0816P-1021-D-02H RR0816P-1022-D-02C RR0816P-1023-D-02D RR0816P-1071-D-04H RR0816P-1072-D-04C RR0816P-1073-D-04D RR0816P-1131-D-06H RR0816P-1132-D-06C ct 55h RR0816P-2432-D-38C RR0816P-1022-D-02C 36c 73a СУСУМУ RR0816P-3400-D-52A RR0816Q-41R2-D-60R RR0816P-1131-D-06H RR0816P-1021-D-02H susumu RR0816P
2010 - 54HC4053

Аннотация: 940806401F 54HC273 54HC08 9401F 940104801F M54HC245K 940104701F 920110501F 920110601F
Текст: Нет текста в файле


Оригинал
PDF M54HCxxx M54HCTxxx Квартира-14 ДИЛ-14 Квартира-16 ДИЛ-16 Квартира-20 ДИЛ-20 Квартира-24 ДИЛ-24 54HC4053 940806401F 54HC273 54HC08 9401F 940104801F M54HC245K 940104701F 920110501F 920110601F
2014 - Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF 1000 мкФ 7343H) 09/2014-E
2005 - 100нк

Аннотация: 100nk 400 100nk 100 100nk 630 100nk 63 T 100nk BF01 BF02
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF ПСК-83 ----- 100нК 384-1 / CECC 30000 / UTE 384-2 / ​​CECC 30400 / UTE 100нк 400 100нк 100 100нк 630 100нк 63 Т 100нк BF01 BF02
2008 - 30-контактный разъем дисплея LVDS

Аннотация: 30-контактный LVDS-разъем LTI-SASF54GT LVDS I2C EEPROM LVDS-разъем 30-контактный LVDS 30-контактный соединительный кабель LVDS-разъем 40-контактный TLV320AK23 26-контактный LVDS 51 разъем
Текст: Текст файла отсутствует


Оригинал
PDF
2010 - ESCC 9202/046

Аннотация: 920204701 HCC4067BK HCC4051BK hcc4050bk HCC4094BK DIL 14 pin Flat-16 DIL-16 HCC4049UBK
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF HCC40xxx HCC45xxx Квартира-14 ДИЛ-16 Квартира-16 ДИЛ-14 Квартира-24 ДИЛ-24 HCC40xxx HCC45xxx ESCC 9202/046 920204701 HCC4067BK HCC4051BK hcc4050bk HCC4094BK DIL 14 контактный Квартира-16 ДИЛ-16 HCC4049UBK
.

Транзистор D4515 К-247 2sd4515 15a400v

Q1: Что ваша компания хорошо продает?

Ответ: Наша компания занимается продажей электронных компонентов на печатных платах, включая интегральную схему (IC), диод, транзистор, конденсатор, резистор, индуктор, реле, разъем, модуль IGBT, предохранитель и так далее!

Q2: В чем ваше преимущество?

Ответ: Наша компания уже много лет продает электронные компоненты, у нас очень большой склад,

большинство товаров есть на складе, и наша цена очень конкурентоспособна, конечно, наши товары на 100% новые и

оригинал и 100% хорошее качество, лучшая цена, хорошее качество и наличие на складе - наше лучшее преимущество!

Q3: Если наш список BOM содержит так много видов товаров, как долго я могу получить предложение?

Ответ: Наша компания имеет очень профессиональную команду по продажам, для любого требования к списку заказов мы можем убедиться, что цитата будет в течение 24 часов, если только некоторые товары, мы можем процитировать в течение 3 часов!

Q4: Какое качество товара вашей компании? как долго вы можете дать гарантию на свои товары?

Ответ: Наша компания просто продает новые и оригинальные товары, наш товар на 100% хорошего качества, конечно, мы можем дать гарантию в течение 90 дней после отгрузки, любые проблемы с качеством, мы можем гарантировать возврат или замену, вы не беспокойтесь об этом!

Q5: Каково ваше время выполнения заказа?

Ответ: Для большинства товаров у нас в наличии нет сроков поставки для товаров на складе,

После проверки оплаты мы отправим вам товар в течение 2-3 дней!

Q6: Каков процесс создания заказа?

Ответ:

(1) вы должны показать нам свои требования, и мы предложим вам первое предложение!

(2) Если наше предложение вам подходит и вы планируете сделать заказ, вам необходимо отправить нам название вашей компании, адрес доставки

, номер телефона.и контактное лицо, которое позволит нам выставить счет-проформу, включая сбор за доставку

и комиссию банка!

(3) После оплаты дайте нам знать, чтобы проверить платеж, мы отправим вам товар в соответствии с проформой счета-фактуры, а затем покажем вам номер отслеживания. !

Послепродажное обслуживание:

1. Мы несем ответственность за все товары от нас. Если у вас возникнут какие-либо вопросы по товару, вы можете связаться с нами в любое время.
2. Мы могли бы помочь нашим клиентам организовать / приобрести комбинированные товары или другие товары, которые они хотят отсюда, Китай.
3. Все, что вам нужно, мы здесь для вас.

.

1 ШТ. D4515 3DD4515 2SD4515 TO 247 Транзистор переключателя мощности 15A400V | |

О нас

Мы обещаем:

1: Производить только лучшие потребительские товары и обеспечивать максимально возможное качество.

2: Быстрая и точная доставка товаров нашим клиентам по всему миру

Политика обслуживания клиентов

Мы более чем рады ответить на любые ваши вопросы, пожалуйста, свяжитесь с

1: Заказы обрабатываются своевременно после подтверждения оплаты.

2: Мы отправляем только по подтвержденным адресам заказа. Адрес вашего заказа ДОЛЖЕН СООТВЕТСТВОВАТЬ вашему адресу доставки.

3: Если вы не получили посылку в течение 30 дней с момента оплаты, свяжитесь с нами. Мы отследим доставку и свяжемся с вами в кратчайшие сроки. Наша цель - удовлетворение клиентов!

4: Из-за наличия на складе и разницы во времени мы выберем для быстрой доставки ваш товар с нашего первого доступного склада.

Наши преимущества

1: У нас все собственные складские запасы, с достаточным запасом

2: Качество продукта достигло серии сертификатов

3: Мы поддерживаем различные Транспортные перевозки, Гонконг и китайские почтовые пакеты, EMS.DHL, федеральные .UPS и TNT, могут полностью удовлетворить различные потребности покупателя.

Я твердо верю

Мы будем вашим лучшим партнером

Отзыв

Ваше удовлетворение и положительные отзывы очень важны для нас, пожалуйста, оставьте положительный отзыв и 5 звезд, если вы довольны нашими товарами и услугами.

Если у вас возникли проблемы с нашими товарами или услугами, пожалуйста, свяжитесь с нами, прежде чем оставлять отзыв. Мы сделаем все возможное, чтобы решить любую проблему и предоставить вам лучшее обслуживание клиентов.

'.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о