Какие основные параметры имеет транзистор D4515. Для каких целей он используется. Как правильно подключать и эксплуатировать D4515. На что обратить внимание при работе с этим транзистором.
Основные характеристики транзистора D4515
Транзистор D4515 представляет собой высоковольтный биполярный NPN транзистор, предназначенный для работы в импульсных схемах большой мощности. Вот его ключевые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 700 В
- Максимальный ток коллектора: 15 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт
- Граничная частота усиления: 4 МГц
- Статический коэффициент передачи тока: 15
- Корпус: TO-3PN
Эти характеристики делают D4515 подходящим для применения в мощных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, схемах управления электродвигателями и других устройствах, где требуется коммутация больших токов и напряжений на высокой частоте.
Области применения транзистора D4515
Благодаря своим характеристикам, транзистор D4515 находит применение в следующих областях:
- Импульсные блоки питания большой мощности
- Преобразователи напряжения
- Схемы управления электродвигателями
- Сварочные инверторы
- Усилители мощности звуковой частоты класса D
- Коммутирующие устройства высокого напряжения
Его способность работать с высокими напряжениями и токами делает D4515 востребованным в промышленной электронике и силовой электротехнике.
Особенности подключения транзистора D4515
При работе с транзистором D4515 следует учитывать некоторые важные аспекты:
- Правильное подключение выводов: коллектор, база, эмиттер должны быть подключены в соответствии с цоколевкой корпуса TO-3PN.
- Обеспечение хорошего теплоотвода, так как транзистор может рассеивать значительную мощность.
- Использование снаббер-цепей для защиты от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки.
- Подбор оптимального тока базы для эффективной работы в ключевом режиме.
- Соблюдение предельно допустимых значений напряжений и токов, указанных в документации.
Корректное применение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и эффективную работу транзистора в схеме.
Сравнение D4515 с аналогами
Как D4515 соотносится с другими похожими транзисторами? Давайте сравним его с некоторыми аналогами:
| Параметр | D4515 | BU2508DF | 2SC5200 |
|---|---|---|---|
| Макс. напряжение К-Э | 700 В | 700 В | 230 В |
| Макс. ток коллектора | 15 А | 8 А | 15 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 120 Вт | 125 Вт | 150 Вт |
| Граничная частота | 4 МГц | 7 МГц | 30 МГц |
Как видим, D4515 выделяется высоким рабочим напряжением и током, что делает его подходящим для силовых высоковольтных применений.
Рекомендации по эксплуатации D4515
Для обеспечения долговременной и надежной работы транзистора D4515 следует придерживаться следующих рекомендаций:
- Не превышать максимально допустимую температуру перехода в 150°C
- Использовать качественный теплоотвод с термопастой для эффективного охлаждения
- Применять защитные цепи для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой
- Обеспечивать плавный запуск схемы для снижения пусковых токов
- Периодически проверять качество теплового контакта транзистора с радиатором
Соблюдение этих рекомендаций поможет продлить срок службы транзистора и обеспечить стабильность работы устройства в целом.
Типовые схемы включения D4515
Рассмотрим несколько типовых схем применения транзистора D4515:
1. Ключевой каскад в импульсном источнике питания
В этой схеме D4515 работает как ключ, коммутирующий ток первичной обмотки трансформатора. Высокое допустимое напряжение К-Э позволяет использовать его в высоковольтных цепях.
2. Выходной каскад усилителя класса D
Здесь D4515 применяется в паре с комплементарным PNP транзистором для усиления мощности звукового сигнала. Высокий допустимый ток обеспечивает хорошую нагрузочную способность.
3. Схема управления электродвигателем
В этом применении D4515 используется для коммутации обмоток электродвигателя. Его способность работать на высоких частотах позволяет реализовать эффективное ШИМ-управление.
Во всех этих схемах ключевыми являются высокая скорость переключения и способность работать с большими токами и напряжениями, что как раз и обеспечивает транзистор D4515.
Меры предосторожности при работе с D4515
При использовании транзистора D4515 необходимо соблюдать следующие меры предосторожности:
- Защита от статического электричества при монтаже, так как транзистор чувствителен к ESD
- Недопущение превышения максимально допустимых параметров, особенно по напряжению К-Э
- Обеспечение эффективного охлаждения для предотвращения теплового пробоя
- Использование защитных цепей для ограничения напряжения и скорости его изменения
- Аккуратное обращение с выводами при монтаже во избежание механических повреждений
Соблюдение этих мер поможет избежать выхода транзистора из строя и обеспечит его надежную работу в составе устройства.
Заключение
Транзистор D4515 представляет собой мощный высоковольтный NPN транзистор, способный эффективно работать в импульсных схемах большой мощности. Его основные преимущества:
- Высокое рабочее напряжение до 700 В
- Большой допустимый ток коллектора до 15 А
- Значительная рассеиваемая мощность в 120 Вт
- Хорошее быстродействие с граничной частотой 4 МГц
Эти характеристики делают D4515 отличным выбором для применения в мощных импульсных источниках питания, преобразователях напряжения, схемах управления двигателями и других устройствах силовой электроники. При правильном применении и соблюдении рекомендаций по эксплуатации, этот транзистор способен обеспечить надежную и эффективную работу в составе различных электронных устройств.
D4515 характеристики на русском
Биполярный транзистор D4515 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D4515
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3PN
D4515 Datasheet (PDF)
1.1. d4515.pdf Size:576K _ate
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Tc=25℃） 50 W 结构和少
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 结构和�
R 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 ○ 3DD4515 A23 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A23 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺和少子寿命 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 控制技术，
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Tc=25℃） 50 W 结构和少
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 结构和�
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD4515-O-AN-N-BЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 3DD4515-O-AN-N-B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 120000 | 400 | 9 | 15000 | 150 | 4000000 | 15/50 |
Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD
Сфера применения:
Популярность: 6950
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 3DD4515-O-AN-N-B
| Общий вид транзистора 3DD4515-O-AN-N-B. | Цоколевка транзистора 3DD4515-O-AN-N-B. |
Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Дата создания страницы: 2014-11-10 06:46:18; Пользователь: Дмитрий.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 3DD4515-O-AN-N-B.
Дополнение: маркировка D4515
Дата добавления: 2014-11-10 06:52:32; Пользователь: Дмитрий.
Комментарий к рисунку: Нет
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор D4515 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D4515
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3PN
D4515 Datasheet (PDF)
1.1. d4515.pdf Size:576K _ate
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Tc=25℃） 50 W 结构和少
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 结构和�
R 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 ○ 3DD4515 A23 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A23 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺和少子寿命 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 控制技术，
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A6 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A6 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Tc=25℃） 50 W 结构和少
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD4515 A1 产品概述 特征参数 产品特点 3DD4515 A1 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 450 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 1.5 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （Ta=25℃） 0.8 W 结构和�
BU4515AX — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора BU4515AX и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
- Малое напряжение насыщения.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 800 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 6,0 А, Ib = 1,5 А | — | — | 3,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | F = 16 кГц | — | 6,0 | — | А |
| F = 64 кГц | — | 5,0 | — | |||
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 9,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 20 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 5 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 7,5 | А |
| -Ibm | Обратный ток базы, пиковое значение | — | — | — | 6 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 45 | Вт |
| Tf | Время спада импульса | F = 16 кГц, Ic_sat = 6,0 А | — | 360 | 500 | нс |
| F = 64 кГц, Ic_sat = 5,0 А | — | 230 | — | |||
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 6,0 A | — | 5,7 | 7,3 | — |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Схемы микромощных сетевых блоков питания на основе микросхемы PT4515
Радиоэлектроника, схемы, статьи и программы для радиолюбителей.- Схемы
- Аудио аппаратура
- Схемы транзисторных УНЧ
- Схемы интегральных УНЧ
- Схемы ламповых УНЧ
- Предусилители
- Регуляторы тембра и эквалайзеры
- Коммутация и индикация
- Эффекты и приставки
- Акустические системы
- Спецтехника
- Радиомикрофоны и жучки
- Обработка голоса
- Защита информации
- Связь и телефония
- Радиоприёмники
- Радиопередатчики
- Радиостанции и трансиверы
- Аппаратура радиоуправления
- Антенны
- Телефония
- Источники питания
- Блоки питания и ЗУ
- Стабилизаторы и преобразователи
- Защита и бесперебойное питание
- Автоматика
- На микроконтроллерах
- Управление и контроль
- Схемы роботов
- Для начинающих
- Эксперименты
- Простые схемки
- Фабричная техника
- Усилители мощности
- Предварительные усилители
- Музыкальные центры
- Акустические системы
- Пусковые и зарядные устройства
- Измерительные приборы
- Компьютеры и периферия
- Аппаратура для связи
- Измерение и индикация
- Бытовая электроника
- Автомобилисту
- Охранные устройства
- Компьютерная техника
- Медицинская техника
- Аудио аппаратура
PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов) — DataSheet
Общее описание
PT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ. Если подать напряжение 0,3 В или меньше на вывод DIM, отключает выход и микросхема переходит в ждущий режим. PT4115 выпускается в корпусах SOT89-5 и ESOP8.
Свойства
- Малое количество подключаемых внешних компонентов
- Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
- Выходной ток до 1.2 А
- Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
- Частота коммутации до 1 МГц
- Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
- Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
- Высокий К.П.Д. (до 97%)
- Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
- Гистерезисное управление: без компенсации
- Регулируемый постоянный ток светодиода
- Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
- Соответствует RoHS
Применение
- Замена низковольтных галогенных ламп светодиодами
- Освещение в автомобилях
- Низковольтное промышленное освещение
- Светодиодное резервное освещение
- Световые вывески
- Освещение с использованием безопасного сверхнизкого напряжения
- Подсветка в ЖК-телевизорах
| Корпус | Температурный диапазон | Номер серии | Маркировка |
| SOT89-5 | от -40 °C до 85 °C | PT4115B89E:Atype PT4115BS9E-B:B type | PT4115 xxxxxX |
| ESOP8 | от -40 °C до 85 °C | PT4115BSOH: A type PT4115BSOH-B:B type | PT4115 xxxxxX |
Типовая схема включения PT4115
Расположение выводов для разных корпусов PT4115
| Номер вывода | Обозначение | Описание |
| 1 | SW | Выходной ключ. SW — это сток внутреннего N-канального MOSFET-ключа. |
| 2 | GND | Земля общая для цепей сигнала и питания. |
| 3 | DIM | Логический вход для управления яркостью. Когда на вывод DIM поступает сигнал низкого уровня, регулятор тока отключается. Когда на вывод DIM поступает сигнал высокого уровня, регулятор тока подключается. |
| 4 | CSN | Контроль тока на входе. |
| 5 | VIN | Питание. |
| — | Exposed PAD | Внутренне подключен к GND. Соединен с корпусом для снижения теплового сопротивления. |
| ESOP8 4,5 | NC | Не подключены |
| Обозначение | Описание | Значение | Ед. изм. |
| VIN | Напряжение питания | -0.3~45 | В |
| SW | Напряжение на выводе стока внутреннего мощного ключа | -0.3~45 | В |
| CSN | Напряжение на выводе контроля тока на входе (По отношению к VIN) | +0.3~(-6.0) | В |
| DIM | Напряжение на выводе логического вход для управления яркостью | -0.3~6 | В |
| Isw | Выходной ток ключа | 1,5 | A |
| PDmax | Рассеиваемая мощность (1) | 1,5 | Вт |
| Ptr | Тепловое сопротивление, SOT89-5 0JA | 45 | °C /Вт |
| Ptr | Тепловое сопротивление, ESOP8 0JA | 40 | °C /Вт |
| Tj | Диапазон рабочих температур кристалла | от -40 до 150 | °C |
| Tstg | Температура хранения | от -55 до 150 | °C |
| Восприимчивость к электростатическим разрядам (2) | 2 | кВ | |
| VIN | VDD напряжение источника питания | 6 ~ 30 | В |
| TOPT | Рабочая температура | от -40 до +85 | °C |
- Максимальная рассеиваемая мощности должна снижаться при повышенных температурах и задается TJMAX, θJA и температурой окружающей среды TA. Максимально допустимая рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле PDMAX = (TJMAX — TA) / θJA или является числом, указанным в абсолютных максимальных значениях, в зависимости от того, что меньше.
- Модель человеческого тела, 100 пФ, разряжаемая через резистор 1,5 кОм.
| Обозначение | Описание | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | |
| Vin | Входное напряжение | 6 | 30 | В | |||
| VUVLO | Напряжение блокировки | Vin пониженно | 5,1 | В | |||
| VUVLO, HYS | UVLO гистерезис | Vin повышенно | 500 | мВ | |||
| Fsw | Максимальная частота переключения | 1 | мГц | ||||
| Чувствительность по току | |||||||
| VCSN | Средний текущий порог чувствительности по напряжению | VIN-VCSN | A тип | 95 | 98 | 101 | мВ |
| В тип | 99 | 102 | 105 | мВ | |||
| VСSN_hys | Порог чувствительности по гистерезису | ±15 | % | ||||
| ICSN | Входной ток на выводе CSN | VIN — VCSN = 5 мВ | 8 | мкА | |||
| Рабочий ток | |||||||
| loFF | Потребляемый ток в режиме покоя при отключенном выходе | VDIM < 0.3 В | 95 | мкА | |||
| Управление яркостью | |||||||
| VDIM | Внутреннее напряжение питания | Плавающий DIM | 5 | В | |||
| VDIM_H | Напряжение высокого уровня на выводе DIM | 2,5 | В | ||||
| VDIM_L | Напряжение низкого уровня на выводе DIM | 0,3 | В | ||||
| VDIM_DC | Регулировка яркости постоянным током | 0,5 | 2,5 | В | |||
| fDIM | Максимальная частота | fosc= 500 кГц | 50 | кГц | |||
| DPWM_LF | Диапазон коэффициента заполнения для низкочастотного диммирования | fDIM =100 Гц | 0,02% | 1 | |||
| Диапазон регулировки яркости | 5000:1 | ||||||
| Обозначение | Описание | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Вход управления яркостью (DIM) | ||||||
| DPWM_HF | Коэффициент заполнения высокочастотного диммирования | fDIM = 20 кГц | 4% | 1 | ||
| Диапазон регулировки яркости | 25:1 | |||||
| RDIM | Подтягивающее сопротивление внутри микросхемы, подключенное к источнику питания | 200 | кОм | |||
| IDIM_L | Ток утечки | VDIM = 0 | 25 | мкА | ||
| Выходной ключ | ||||||
| Rsw | Сопротивление в открытом состоянии | VIN= 12 В | 0,6 | Ом | ||
| VIN= 24 В | 0,4 | |||||
| ISWmean | Допустимый ток | 1,2 | А | |||
| ILEAK | Ток утечки | 0,5 | 5 | мкА | ||
| Тепловая защита | ||||||
| TSD | Тепловой порог отключения | 160 | °C | |||
| Tso-hys | Гистерезис теплового отключения | 20 | °C | |||
*Типовые параметры измеряются при 25 ° С и представляют собой параметрическую норму.
**Минимальные / максимальные пределы гарантируются проектированием, тестом или статистическим анализом.
Блок-схема внутреннего устройства микросхемы PT4115
Описание
Устройство в сочетании с катушкой (L1) и токочувствительным резистором (RS) формирует автоколебательный вольтодобавочный преобразователь с непрерывным режимом работы.
Когда входное напряжение на ввод VIN подается первый раз, начальный ток в L1 и RS равен нулю, а также отсутствует выходной сигнал от токоизмерительной схемы. При этом условии, на выходе компаратора CS присутствует высокий уровень сигнала. Этим осуществляется включение внутреннего переключателя. Вывод SW переключается и находится в состоянии низкого логического уровня, в результате чего ток протекает от VIN к земле через резистор RS, катушку L1 и светодиод(-ы). Ток возрастает со скоростью, определяемой VIN и L1, для создания линейно-изменяющегося напряжения (VCSN) через сопротивление RS. Когда (VIN-VCSN) > 115 мВ, выход компаратора CS переключается в состояние низкого уровня и переключатель выключается. Ток, проходящий по RS, уменьшается с другой скоростью. Когда (VIN-VCSN) < 85 мВ, переключатель включается снова, а средний ток на светодиоде определяется по формуле:
Схема измерения тока с высокой стороны и встроенная схема регулирования тока минимизируют количество внешних компонентов, поддерживая при этом ток через светодиоды с точностью ± 5%, используя 1% -ный резистор.
PT4115 осуществляет диммирование с помощью ШИМ-сигнала на входе DIM. Если на входе DIM напряжение логического уровня ниже 0,3 В PT4115 отключает светодиод. Для того чтобы через светодиод проходил полный ток, на вход DIM необходимо подать напряжение высокого логического уровня не менее 2.5 В. Частота изменения яркости ШИМ колеблется в диапазоне от 100 Гц до более чем 20 кГц.
Выводом DIM можно управлять от внешнего источника постоянного напряжения (VDIM), для регулировки выходного тока до значения ниже номинального среднего значения, определенного резистором RS. Напряжение постоянного тока может быть в пределах от 0,5 В до 2,5 В. Когда напряжение на выводе DIM выше 2,5 В, выходной ток не изменяется. Ток светодиода также можно регулировать с помощью резистора, подключенного к выводу DIM. Внутренний подтягивающий резистор (номиналом 200 кОм) подключен к встроенному стабилизатору напряжения 5 В. Напряжение на выводе DIM делится внутренним и внешним резисторами.
Вывод DIM подтягивается к встроенному стабилизатору напряжения (5 В) резистором номиналом 200 кОм. Он может изменяться при нормальной работе. Когда напряжение, подаваемое на DIM падает ниже порога (0,3 В ном.), выходной переключатель выключается. Внутренний стабилизатор и источник опорного напряжения остаются включенными во время выключения, чтобы иметь опорное напряжение для схемы выключения. Номинальный потребляемый ток в выключенном состоянии 95 мкА и ток утечки ниже 5 мкА.
Кроме того, для обеспечения надежности PT4115 обладает встроенной функцией защитного отключения при перегреве (TSD) и теплоотводящей площадкой. TSD отключает ИС при перегреве (160 ℃). Также теплоотводящая площадка усиливает рассеивание мощности. В результате PT4115 обеспечивает безопасное прохождение больших токов.
Номинальные эксплуатационные характеристики
Применение
Установка номинального среднего выходного тока с помощью внешнего резистора RS
Номинальный средний выходной ток в светодиоде(-ах) определяется номиналом внешнего токочувствительного резистора (RS), подключенного между VIN и CSN, и рассчитывается следующим образом:
Это уравнение справедливо, когда вывод DIM плавает (изменяется) или на нем присутствует напряжение выше 2,5 В (должно быть меньше 5 В). На самом деле, RS устанавливает максимальный средний ток, который может быть скорректирован до меньшего при диммировании.
Регулировка выходного тока с помощью внешнего управляющего напряжения постоянного тока
Вывод DIM может управляться внешним напряжением постоянного тока (VDIM), как показано на рисунке ниже, для регулировки выходного тока на значение ниже номинального среднего значения, определенного токочувствительным резистором RS.
Средний выходной ток определяется следующим образом:
Обратите внимание, что 100% настройка яркости соответствует диапазону:
Регулировка выходного тока с помощью ШИМ-управления
Для регулировки выходного тока до значения ниже номинального среднего значения, установленного резистором RS, применяется широтно-импульсная модуляция (ШИМ) с коэффициентом заполнения на выводе DIM, как показано ниже.
Диммирование с использованием ШИМ обеспечивает уменьшенную яркость за счет модуляции прямого тока светодиода от 0% до 100%. Яркость светодиода контролируется путем регулирования относительных соотношений времени включения и выключения. 25% уровень яркости достигается за счет включения светодиода при прохождении полного тока в течение 25% времени от периода одного цикла. Для того чтобы обеспечить процесс переключения между включенным и выключенным состоянием невидимый человеческими глазами, частота переключения должна составлять больше 100 Гц. Выше 100 Гц, человеческие глаза усредняют время включения и выключения, видя только эффективную яркость, которая пропорциональна коэффициенту заполнения во время работы светодиодов. Преимущество использования ШИМ диммирования заключается в том, что прямой ток всегда постоянный, поэтому цвет светодиода не меняется при изменении яркости, как это происходит при аналоговом диммировании. Импульсный ток обеспечивает точное регулирование яркости при сохранении чистоты цвета. Частота диммирования PT4115 может достигать 20 кГц.
Режим выключения электропитания
При появлении напряжения ниже 0,3 В на выводе DIM происходит отключение выхода, а ток питания снизится до низкого уровня потребления в режиме ожидания — 95 мкА.
Плавное включение
Внешний конденсатор, подключенный между выводом DIM и землей обеспечит дополнительную задержку плавного включения, увеличив время, необходимое для того, чтобы напряжение на этом выводе поднялось до порога включения и замедление скорости нарастания управляющего напряжения на входе компаратора. Добавление емкости конденсатора увеличивает эту задержку примерно на 0,8 мс/нФ.
Встроенная защита светодиода при обрыве цепи
Если в цепи со светодиодом(-ами) произойдет обрыв, катушка изолируется от вывода SW микросхемы, поэтому микросхема и светодиод не будут повреждены.
Выбор конденсатора
Для развязки входных сигналов необходимо использовать конденсатор с низким ЭПС (ESR), так как ЭПС (ESR) этого конденсатора появляется последовательно с импедансом источника питания и снижает общий КПД. Этот конденсатор должен выдавать относительно высокий пиковый ток в катушку и сглаживать текущую пульсацию на входе. Допустимое минимальное значение конденсатора составляет 4.7 мкФ, если источник входного питания постоянного тока находится близко к устройству, но более высокие значения емкости дают большую производительность при более низких входных напряжениях, особенно когда импеданс источника является высоким. Для выпрямленного входного переменного тока рекомендуется использовать танталовый конденсатор, номинал которого должен быть выше 100 мкФ. Входной конденсатор должен быть расположен как можно ближе к ИС.
Для максимальной стабильности по температуре и напряжению рекомендуется использовать конденсаторы X7R, X5R или лучшим диэлектриком. Конденсаторы с диэлектриком Y5V не подходят для развязки в этом применении и НЕ должны использоваться.
Подходящим конденсатором от производителя Murata является GRM42-2X7R475K-50.
Следующие веб-сайты полезны при поиске альтернатив:
www.murata.com
www.t-yuden.com
www.avxcorp.com
Выбор индуктивности
Рекомендуемые значения индуктивности для PT4115 находятся в диапазоне от 27 мкГн до 100 мкГн. Рекомендуется использовать катушки индуктивности с более высокими номиналами при более низком выходном токе, чтобы минимизировать ошибки из-за задержек переключения, приводящих к увеличению пульсаций и снижению эффективности. Использование катушек индуктивности с более высокими номиналами приводит к меньшему изменению выходного тока в диапазоне напряжений питания. (см. графики). Индуктивность должна располагаться как можно ближе к микросхеме и иметь низкоомные соединения с выводами SW и VIN. Выбранная катушка индуктивности должна иметь ток насыщения выше пикового выходного тока и номинальное значение постоянного тока выше требуемого среднего выходного тока.
В следующей таблице приведено руководство по подбору индуктивности:
| Ток нагузки | Индуктивность | Ток насыщения |
| Iout > 1A | 27-47 мкГн | 1.3-1.5 раза от тока нагрузки |
| 0.8A < Iout ≤ 1A | 33-82 мкГн | |
| 0.4A < Iout ≤ 0.8A | 47-100 мкГн | |
| Iout ≤ 0.4A | 68-220 мкГн |
Подходящие катушки индуктивности для использования с PT4115 приведены в таблице ниже:
| Номер партии | L (мкГн) | DCR (Ом) | ISAT (A) | Производитель |
| MSS1038-333 | 27 | 0.089 | 2.48 | CoilCraft www.coilcraft.com |
| MSS1038-333 | 33 | 0.093 | 2.3 | |
| MSS1038-473 | 47 | 0.128 | 2 | |
| MSS1038-683 | 68 | 0.213 | 1.6 | |
| MSS1038-104 | 100 | 0.304 | 1.3 |
Номиналы индуктивности должны быть выбраны для поддержания коэффициента заполнения и времени «вкл»/«выкл» в указанных пределах по напряжению питания и диапазону тока нагрузки.
В качестве руководства можно использовать следующие уравнения.
Время «Включения» для вывода SW:
Время «Выключения» для вывода SW:
Где:
L — индуктивность катушки (Гн)
rL — сопротивление катушки (Ом)
RS — токочувствительное сопротивление (Ом)
Iavg — это необходимый ток для питания светодиода (A)
Δ I – максимальный ток пульсаций в катушки (A) {Внутренне установлен на 0,3 x Iavg}
VIN — напряжение питания (В)
VLED — общее прямое напряжение светодиода (В)
RSW — сопротивление переключателя (Ом) {0,6 Ом номинальное}
VD — прямое напряжение диода при требуемом токе нагрузки (В)
Выбор диода
Для максимальной эффективности и производительности, выпрямитель (D1) должен быть быстродействующим диодом Шоттки с низким ёмкостным сопротивлением и малым обратным током утечки при максимальном рабочем напряжении и температуре.
Эти диоды обеспечивают лучшую эффективность, чем кремниевые, из-за комбинации более низкого прямого напряжения и меньшего времени восстановления.
Важно выбирать детали с пиковым номинальным значением тока выше пикового тока катушки и постоянным номинальным значением тока выше, чем максимальный выходной ток нагрузки. Очень важно учитывать ток обратной утечки диода в работе при температуре выше 85 °C. Избыточная утечка увеличит рассеиваемую мощности в устройстве, а также при близком расположении к нагрузке может привести к быстрому перегреву.
Более высокое прямое напряжение и перерегулирование из-за обратного времени восстановления в кремниевых диодах увеличат пиковое напряжение на выводе SW. Если используется кремниевый диод, необходимо следить за появлением полного напряжения на контакте SW, включая пульсации питания, не превышающем указанное максимальное значение. Следующие веб-сайты полезны при поиске альтернатив: www.onsemi.com.
Снижение выходных пульсаций
Максимальный пиковый ток пульсаций в светодиоде(-ах) может быть уменьшен, если это необходимо, при помощи шунтирующего конденсатора CLED установленного параллельно светодиоду(-ам), как показано на рисунке ниже:
Значение 1uF уменьшит ток пульсации питания в три раза (приблизительно). Пропорционально более низкая пульсация может быть достигнута с более высокими значениями конденсатора. Обратите внимание, что конденсатор не будет влиять на рабочую частоту или эффективность, но это увеличит задержку запуска и уменьшит частоту диммирования за счет снижения скорости повышения напряжения светодиода. Добавляя этот конденсатор, токовый сигнал через светодиод(-ы) изменяется от треугольной формы до более синусоидальной без изменения среднего значения тока.
Внутренний регулятор отключает драйвер от переключателя до тех пор, пока напряжение питания не превысит порог запуска (VUVLO). Выше этого порога устройство начнет работать. Однако при напряжении питания ниже заданного минимального значения коэффициент заполнения при переключении будет высоким, а рассеиваемая мощность устройства будет максимальной. Следует соблюдать осторожность, чтобы избежать использования устройства в таких условиях, чтобы свести к минимуму риск превышения максимально допустимой температуры. (См. Следующий раздел, посвященный тепловым характеристикам). Управление выключателем отключается, когда напряжение питания падает ниже порога пониженного напряжения (VUVLO-0.5V).
Тепловые характеристики
При работе устройства при высоких температурах окружающей среды или при максимальном токе нагрузки следует соблюдать осторожность, чтобы избежать превышения пределов рассеивания мощности. На приведенном ниже графике приведены сведения о снижении рассеиваемой мощности. Это предполагает, что устройство должно быть установлено на печатной плате 25 мм2 c толщиной медного слоя 1 oz, находящейся в невентилируемом помещении.
Обратите внимание, что рассеивание мощности устройства чаще всего будет максимальным при минимальном напряжении питания. Она также будет увеличиваться, если КПД схемы-низкий. Это может быть вызвано использованием непригодных катушек или чрезмерной паразитной емкостью на выходе переключателя. Когда есть ограничения по внутренней рассеиваемой мощности устройства, рекомендуется использовать корпус ESOP8 из-за его повышенной способности рассеивать мощность.
Температурная компенсация выходного тока.
Светодиоды высокой яркости часто должны идут с температурной компенсацией по току, чтобы поддерживать стабильную и надежную работу на всех уровнях управления. Светодиоды обычно монтируются удаленно от устройства, поэтому по этой причине температурные коэффициенты внутренних цепей для PT4115 оптимизированы для минимизации изменения выходного тока при отсутствии компенсации. Если требуется компенсация выходного тока, можно использовать внешнюю цепь измерения температуры — обычно с использованием термисторов и / или диодов с отрицательным температурным коэффициентом (NTC), установленных очень близко к светодиоду (светодиодам). Выход измерительной цепочки можно использовать для управления выводом DIM, чтобы уменьшить выходной ток с повышением температуры.
Защитное отключение при перегреве
Для обеспечения надежности PT4115 оснащена функцией защитного отключения при перегреве (TSD). TSD отключает ИС при перегреве (160 ℃). Когда температура микросхемы уменьшается (140 ℃), работа ИС снова восстанавливается.
Рекомендации по компоновке
Тщательная компоновка печатной платы имеет решающее значение для достижения низких потерь при переключении и стабильной работы. По возможности используйте многослойную плату для лучшей помехоустойчивости. Минимизируйте шумы заземления, подключив высокоточное заземление, провод заземления входного байпас-конденсатора и заземление выходного фильтра в одну точку (звездой).
Вывод SW
Вывод SW устройства является быстродействующим коммутационным узлом, поэтому дорожки печатной платы должны быть как можно короче. Чтобы свести к минимуму «обрыв» земли, вывод заземления устройства должен быть припаян непосредственно к шине заземления.
Катушки развязывающие конденсаторы и токочувствительный резистор тока
Особенно важно установить катушку и входной развязывающий конденсатор как можно ближе к выводам микросхемы, чтобы минимизировать паразитное сопротивление и индуктивность, что может ухудшит эффективность. Также важно свести к минимуму любое сопротивление дорожки последовательно с токовым резистором RS. Лучше всего подключить VIN непосредственно к одному концу RS а CSN непосредственно к противоположному концу RS без других токов, протекающих в этих дорожках. Важно, чтобы катодный ток диода Шоттки не протекал по дорожке между RS и VIN, так как это может дать кажущуюся более высокую степень тока, чем есть на самом деле из-за сопротивления дорожек.
Схема подключения
Рисунок 1 – Схема подключения светодиода мощностью 1 Вт
Рисунок 2 – Схема подключения 3-х светодиодов мощностью 1 Вт
Рисунок 1 – Демонстрационная плата для массового производстваРазмеры корпусов
Корпус SOT89-5
| Обозначение | Миллиметры | Дюймы | ||
| Мин | Макс | Мин | Макс | |
| A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
| b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
| b1 | 0.360 | 0.560 | 0.014 | 0.022 |
| c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
| D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
| D1 | 1.400. | 1.800 | 0.055 | 0.071 |
| E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
| E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
| e | 1.500 Ном | 0.060 Ном | ||
| e1 | 2.900 | 3.100 | 0.114 | 0.122 |
| L | 0.900 | 1.100 | 0.035 | 0.043 |
Корпус ESOP-8
| Обозначение | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Мин | Макс | Мин | Макс | |
| A | 1.350 | 1.750 | 0.053 | 0.069 |
| A1 | 0.050 | 0.150 | 0.004 | 0.010 |
| A2 | 1.350 | 1.550 | 0.053 | 0.061 |
| b | 0.330 | 0.510 | 0.013 | 0.020 |
| c | 0.170 | 0.250 | 0.006 | 0.010 |
| D | 4.700 | 5.100 | 0.185 | 0.200 |
| D1 | 3.202 | 3.402 | 0.126 | 0.134 |
| E | 3.800 | 4.000 | 0.150 | 0.157 |
| E1 | 5.800 | 6.200 | 0.228 | 0.244 |
| E2 | 2.313 | 2.513 | 0.091 | 0.099 |
| e | 1.270(BSC) | 0.050(BSC) | ||
| L | 0.400 | 1.270 | 0.016 | 0.050 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
BU4506DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора BU4506DF и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скорость переключения.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 800 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 3,0 А, Ib = 0,75 А | — | — | 3,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | F = 16 кГц | — | 3,0 | — | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 5,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 8,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 3 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 5 | А |
| -Ibm | Обратный ток базы, пиковое значение | — | — | — | 4 | А |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 45 | Вт |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 3,0 А | — | 1,55 | 1,9 | В |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 3,0 A | — | 5,5 | 7,3 | — |
| Tf | Время спада импульса | F = 16 кГц, Ic_sat = 3,0 А | — | 300 | 400 | нс |
| Rbe | Сопротивление резистора Rbe | — | — | 30 | — | Ом |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
транзистор d1047 Реферат: транзистор D5032 D4206 D1047 транзистор D4206 транзистор D1047 d4515 d4454 d1413 транзистор Nec D1297 | Оригинал | ||
1997 — d1047 Резюме: транзистор d5032 транзистор d1047 d4515 D4206 d4454 Nec D1297 D1047 транзистор D4206 транзистор d1413 транзистор | Оригинал | PPA828TF 2SC5184) PPA828TF-T1 d1047 транзистор d5032 транзистор d1047 d4515 D4206 d4454 Nec D1297 D1047 транзистор D4206 транзистор d1413 транзистор | |
AD0912UB-A7 Аннотация: AD0812HB-C71GP AD2512HB-BV7 AD4512LX-D03 AB7505HX-HB3 AD0812XB-D91GP AD0612XB AD0812HB ad6505 AD0912 | OCR сканирование | AD0912UB-A73GL 49 / 22i AD0912UB-A7 AD0812HB-C71GP AD2512HB-BV7 AD4512LX-D03 AB7505HX-HB3 AD0812XB-D91GP AD0612XB AD0812HB ad6505 AD0912 | |
6бс smd транзистор Резюме: e 156176 код smd 6Bs Комплект обжимных инструментов HDC-HE-16SS 163356 163063 RSV 1.6 ZE 36 6BS Разъемы для печатных плат SMD 163953 | Оригинал | 24 / RS DC-200 6бс smd транзистор e 156176 smd код 6Bs HDC-HE-16SS комплект обжимных инструментов 163356 163063 RSV 1.6 ZE 36 6BS SMD разъемы pcb 163953 | |
2013 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | 1000 мкФ 7343H) | |
RG2012P-472-B-T5 Аннотация: RG2012P-681-B-T5 rg2012p RG2012P-105-B-T5 RG2012P-22 RG2012P-242-B-T5 RG2012P-243-B-T5 | Оригинал | RG2012PB-KIT RG2012PB RG2012P-101-B-T5 RG2012P-102-B-T5 RG2012P-103-B-T5 RG2012P-104-B-T5 RG2012P-105-B-T5 RG2012P-111-B-T5 RG2012P-112-B-T5 RG2012P-113-B-T5 RG2012P-472-B-T5 RG2012P-681-B-T5 rg2012p RG2012P-105-B-T5 RG2012P-22 RG2012P-242-B-T5 RG2012P-243-B-T5 | |
2011 — ta035tcm105 Аннотация: TA006TCM226 TA010TCM475 TA020TCM475 TA025TCM TA025TCM106 | Оригинал | TA050TCM225 TA050TCM335 TA050TCM475 TA050TCM685 TA050TCM106 TA050TCM156 TA050TCM226 ta035tcm105 TA006TCM226 TA010TCM475 TA020TCM475 TA025TCM TA025TCM106 | |
2008 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | ||
AD2512HB-BV7 Аннотация: AD0524HB-G76 ad09 AD0612UB-A72GL AD0212 AD0812MB-D76 AD0412 AD0505M AD0612H BD0412MS-G70 | OCR сканирование | AD0512HB-D71 QS-9000 0512X E / 00740 AD2512HB-BV7 AD0524HB-G76 ad09 AD0612UB-A72GL AD0212 AD0812MB-D76 AD0412 AD0505M AD0612H BD0412MS-G70 | |
2005 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | ||
1999 — SmartDie Резюме: PLCC 44 размеры корпуса Intel IMC016FLSC 28F400B3 28F320B3 28F160F3 28F160B3 28F032B3 28F016B3 IMC008FLSc | Оригинал | США / 0399 / 10K / MS SmartDie PLCC 44 размеры корпуса Intel IMC016FLSC 28F400B3 28F320B3 28F160F3 28F160B3 28F032B3 28F016B3 IMC008FLSc | |
Вадем Аннотация: VG-469 IRQ11 AMPHUS | Оригинал | VG-469 Vadem IRQ11 АМФУС | |
2005 — М3601 Аннотация: G2800 M3602 G3503 wieson 4210 | Оригинал | G3281-030201 GM3281-050304 WSC-WG-QU-148) SS-00259 2002/95 / EC) M3601 G2800 M3602 G3503 wieson 4210 | |
rg1608p Резюме: RG1608P-752-B-T5 RG1608P-751-B-T5 RG1608P-473-B-T5 rg1608p-124-b-t5 | Оригинал | RG1608PB-KIT RG1608PB RG1608P-101-B-T5 RG1608P-102-B-T5 RG1608P-103-B-T5 RG1608P-104-B-T5 RG1608P-111-B-T5 RG1608P-112-B-T5 RG1608P-113-B-T5 RG1608P-114-B-T5 rg1608p RG1608P-752-B-T5 RG1608P-751-B-T5 RG1608P-473-B-T5 rg1608p-124-b-t5 | |
2008 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | ZPC11CE2R2A 300 мА 760 мА 330 мА 290мАп-р 900мАп-р ZPC47BX100B 100мАп-р 330мАп-р | |
2010 — Маркировка диодов MFW Резюме: маркировка MFW MS CONNECTORS E224053 HD15 на 114 | Оригинал | E224053 E224053 Маркировка диодов MFW маркировка MFW РАЗЪЕМЫ MS HD15 по114 | |
2004 — 100нК63 Аннотация: 100nk vc 3842 CECC30400 100nk 100 100nk 63 | Оригинал | ПСК-83 —— 100нК 384-1 / CECC 30000 / UTE 384-2 / CECC 30400 / UTE S-BFBQ00M0304-N 100нК63 vc 3842 CECC30400 100нк 100 100нк 63 | |
1996 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | ||
ЭНКОДЕР 32768 серый Аннотация: энкодер 7272 845G Connections-17-Pin 32768 GRAY | Оригинал | 4 / Тип13, 16384CPR 150 мА F3G5HC1024R Ty250) Места — 120 ° ENCODER 32768 серый кодировщик 7272 845 г Подключения-17-контактный 32768 СЕРЫЙ | |
кт 55чАннотация: RR0816P-2432-D-38C RR0816P-1022-D-02C 36c 73a SUSUMU RR0816P-3400-D-52A RR0816Q-41R2-D-60R RR0816P-1131-D-06H RR0816P-1021-D-0208 sus Текст: Текст файла недоступен | Оригинал | RR0816PD RR0816PD-KIT RR0816P-1021-D-02H RR0816P-1022-D-02C RR0816P-1023-D-02D RR0816P-1071-D-04H RR0816P-1072-D-04C RR0816P-1073-D-04D RR0816P-1131-D-06H RR0816P-1132-D-06C ct 55h RR0816P-2432-D-38C RR0816P-1022-D-02C 36c 73a СУСУМУ RR0816P-3400-D-52A RR0816Q-41R2-D-60R RR0816P-1131-D-06H RR0816P-1021-D-02H susumu RR0816P | |
2010 — 54HC4053 Аннотация: 940806401F 54HC273 54HC08 9401F 940104801F M54HC245K 940104701F 920110501F 920110601F | Оригинал | M54HCxxx M54HCTxxx Квартира-14 ДИЛ-14 Квартира-16 ДИЛ-16 Квартира-20 ДИЛ-20 Квартира-24 ДИЛ-24 54HC4053 940806401F 54HC273 54HC08 9401F 940104801F M54HC245K 940104701F 920110501F 920110601F | |
2014 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | 1000 мкФ 7343H) 09/2014-E | |
2005 — 100нк Аннотация: 100nk 400 100nk 100 100nk 630 100nk 63 T 100nk BF01 BF02 | Оригинал | ПСК-83 —— 100нК 384-1 / CECC 30000 / UTE 384-2 / CECC 30400 / UTE 100нк 400 100нк 100 100нк 630 100нк 63 Т 100нк BF01 BF02 | |
2008 — 30-контактный разъем дисплея LVDS Аннотация: 30-контактный LVDS-разъем LTI-SASF54GT LVDS I2C EEPROM LVDS-разъем 30-контактный LVDS 30-контактный соединительный кабель LVDS-разъем 40-контактный TLV320AK23 26-контактный LVDS 51 разъем | Оригинал | ||
2010 — ESCC 9202/046 Аннотация: 920204701 HCC4067BK HCC4051BK hcc4050bk HCC4094BK DIL 14 pin Flat-16 DIL-16 HCC4049UBK | Оригинал | HCC40xxx HCC45xxx Квартира-14 ДИЛ-16 Квартира-16 ДИЛ-14 Квартира-24 ДИЛ-24 HCC40xxx HCC45xxx ESCC 9202/046 920204701 HCC4067BK HCC4051BK hcc4050bk HCC4094BK DIL 14 контактный Квартира-16 ДИЛ-16 HCC4049UBK | |
Транзистор D4515 К-247 2sd4515 15a400v
Q1: Что ваша компания хорошо продает?
Ответ: Наша компания занимается продажей электронных компонентов на печатных платах, включая интегральную схему (IC), диод, транзистор, конденсатор, резистор, индуктор, реле, разъем, модуль IGBT, предохранитель и так далее!
Q2: В чем ваше преимущество?
Ответ: Наша компания уже много лет продает электронные компоненты, у нас очень большой склад,
большинство товаров есть на складе, и наша цена очень конкурентоспособна, конечно, наши товары на 100% новые и
оригинал и 100% хорошее качество, лучшая цена, хорошее качество и наличие на складе — наше лучшее преимущество!
Q3: Если наш список BOM содержит так много видов товаров, как долго я могу получить предложение?
Ответ: Наша компания имеет очень профессиональную команду по продажам, для любого требования к списку заказов мы можем убедиться, что цитата будет в течение 24 часов, если только некоторые товары, мы можем процитировать в течение 3 часов!
Q4: Какое качество товара вашей компании? как долго вы можете дать гарантию на свои товары?
Ответ: Наша компания просто продает новые и оригинальные товары, наш товар на 100% хорошего качества, конечно, мы можем дать гарантию в течение 90 дней после отгрузки, любые проблемы с качеством, мы можем гарантировать возврат или замену, вы не беспокойтесь об этом!
Q5: Каково ваше время выполнения заказа?
Ответ: Для большинства товаров у нас в наличии нет сроков поставки для товаров на складе,
После проверки оплаты мы отправим вам товар в течение 2-3 дней!
Q6: Каков процесс создания заказа?
Ответ:
(1) вы должны показать нам свои требования, и мы предложим вам первое предложение!
(2) Если наше предложение вам подходит и вы планируете сделать заказ, вам необходимо отправить нам название вашей компании, адрес доставки
, номер телефона.и контактное лицо, которое позволит нам выставить счет-проформу, включая сбор за доставку
и комиссию банка!
(3) После оплаты дайте нам знать, чтобы проверить платеж, мы отправим вам товар в соответствии с проформой счета-фактуры, а затем покажем вам номер отслеживания. !
Послепродажное обслуживание:
1. Мы несем ответственность за все товары от нас. Если у вас возникнут какие-либо вопросы по товару, вы можете связаться с нами в любое время.
2. Мы могли бы помочь нашим клиентам организовать / приобрести комбинированные товары или другие товары, которые они хотят отсюда, Китай.
3. Все, что вам нужно, мы здесь для вас.
1 ШТ. D4515 3DD4515 2SD4515 TO 247 Транзистор переключателя мощности 15A400V | |
О нас
Мы обещаем:
1: Производить только лучшие потребительские товары и обеспечивать максимально возможное качество.
2: Быстрая и точная доставка товаров нашим клиентам по всему миру
Политика обслуживания клиентов
Мы более чем рады ответить на любые ваши вопросы, пожалуйста, свяжитесь с
1: Заказы обрабатываются своевременно после подтверждения оплаты.
2: Мы отправляем только по подтвержденным адресам заказа. Адрес вашего заказа ДОЛЖЕН СООТВЕТСТВОВАТЬ вашему адресу доставки.
3: Если вы не получили посылку в течение 30 дней с момента оплаты, свяжитесь с нами. Мы отследим доставку и свяжемся с вами в кратчайшие сроки. Наша цель — удовлетворение клиентов!
4: Из-за наличия на складе и разницы во времени мы выберем для быстрой доставки ваш товар с нашего первого доступного склада.
Наши преимущества
1: У нас все собственные складские запасы, с достаточным запасом
2: Качество продукта достигло серии сертификатов
3: Мы поддерживаем различные Транспортные перевозки, Гонконг и китайские почтовые пакеты, EMS.DHL, федеральные .UPS и TNT, могут полностью удовлетворить различные потребности покупателя.
Я твердо верю
Мы будем вашим лучшим партнером
Отзыв
Ваше удовлетворение и положительные отзывы очень важны для нас, пожалуйста, оставьте положительный отзыв и 5 звезд, если вы довольны нашими товарами и услугами.
Если у вас возникли проблемы с нашими товарами или услугами, пожалуйста, свяжитесь с нами, прежде чем оставлять отзыв. Мы сделаем все возможное, чтобы решить любую проблему и предоставить вам лучшее обслуживание клиентов.
