За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлементов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECCTRON) и японская (JIS).
За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлементов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECCTRON) и японская (JIS).
Американская система обозначений (JEDEK):
Первая цифра показывает количество p-n переходов:
1-диод
2-транзистор
3-тиристор
За цифрой следует буква N и затем серийный номер. Буква за номером обозначают разные параметры для приборов одного типа. Например: 1N4148, 2N5551.
Европейская система обозначений (PRO ELECTRON):
Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков. Две буквы и три цифры для широкого применения. Три буквы и две цифры – для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это, как правило, коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока).
Первая буква –код материала:
А- германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Вторая буква – назначение:
А – маломощный диод
В – варикап
С – маломощный низкочастотный транзистор
D – мощный низкочастотный транзистор
Е – туннельный диод
F – маломощный высокочастотный транзистор
G – несколько приборов в одном корпусе
H – магнитодиод
L – мощный высокочастотный транзистор
M – датчик Холла
P – фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R – маломощный регулирующий или переключающий прибор
S – маломощный переключательный транзистор
T – мощный регулирующий или переключающий прибор
U – мощный переключательный транзистор
X – умножительный диод
Y – мощный выпрямительный диод
Z – стабилитрон
Например: BZY56, DC547C, BF492, BU508.
Японская система обозначения (JIC):
Условное обозначение состоит из пяти элементов.
Первый элемент – цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:
0 – фотодиод, фототранзистор;
1 – диод;
2 – транзистор;
3 – тиристор
Второй элемент – буква S (Semiconductor)
Третий элемент – тип прибора:
A – высокочастотный p-n-p транзистор
B — низкочастотный p-n-p транзистор
C — высокочастотный n-p-n транзистор
D – низкочастотный n-p-n транзистор
E – диод Есаки
F — тиристор
G – диод Ганна
H – однопереходный транзистор
I – полевой транзистор с p-каналом
K – полевой транзистор с n-каналом
M – симметричный тиристор (симистор)
Q — светодиод
R – выпрямительный диод
S – слаботочный диод
T – лавинный диод
V — варикап
Z — стабилитрон
Четвертый элемент обозначает регистрационный номер и начинается с числа 11.
Пятый – одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).
Например: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.
Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как A733; 2SB1116A — B1116A; 2SC945 — C945; 2SD1555 — D1555 и т.п.
Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма «SAMSUNG» в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма «MOTOROLA» — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).
Замена зарубежных радиоэлементов
Для замены малосигнальных диодов типа 1N4148 можно использовать любой из перечисленных: КД510, КД521, КД522.
Замену выпрямительных диодов типа 1N4001…1N4004 можно произвести на КД105, КД208, КД209, КД243.
Кольцевая метка на корпусе зарубежных диодов и стабилитронов обычно расположена у катода.
Таблица 1. Возможная замена зарубежных транзисторов
Диоды — Радиодетали
Skip to content
Под диодом обычно понимают электровакуумные или полупроводниковые приборы, которые пропускают переменный электрический ток только в одном направлении и имеют два контакта для включения в электрическую цепь. Односторонняя проводимость диода является его основным свойством.
В соответствии с системой обозначений, разработанной до 1964 г., сокращенное обозначение диодов состояло из двух или трех элементов.
Первый элемент буквенный, Д — диод.
Второй элемент — номер, соответствующий типу диода:
Односторонняя проводимость диода является его основным свойством.
3A
5A
5A
-50 А)
. ..1000 V 1A
