G7S313U datasheet. G7S313U: мощный IGBT-транзистор для плазменных дисплеев

Что такое G7S313U и каковы его основные характеристики. Для чего используется G7S313U в электронике. Какие преимущества дает применение G7S313U в схемах плазменных дисплеев. Каковы особенности конструкции G7S313U.

Обзор IGBT-транзистора G7S313U

G7S313U представляет собой мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный специально для применения в схемах управления плазменными дисплеями. Данный компонент относится к семейству высокоскоростных силовых ключей, выпускаемых компанией International Rectifier.

Основные характеристики G7S313U:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 330 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 60 А
  • Корпус: TO-263
  • Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Применение G7S313U в плазменных дисплеях

G7S313U оптимизирован для использования в схемах питания и восстановления энергии плазменных панелей. Благодаря чему этот транзистор так хорошо подходит для данного применения?


  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(on) обеспечивает малые статические потери
  • Малая энергия переключения Epulse повышает эффективность работы панели
  • Высокая устойчивость к повторяющимся импульсным токам позволяет выдерживать нагрузки при управлении плазменными ячейками

Все эти свойства делают G7S313U идеальным выбором для построения надежных и энергоэффективных схем управления современными плазменными дисплеями большой диагонали.

Особенности технологии Trench IGBT в G7S313U

G7S313U изготовлен по передовой технологии Trench IGBT. В чем заключаются ее ключевые преимущества?

  • Повышенная плотность тока благодаря вертикальной структуре канала
  • Улучшенный контроль паразитных эффектов
  • Сниженное сопротивление канала в открытом состоянии
  • Более высокая скорость переключения

За счет применения Trench-технологии удается достичь оптимального баланса между статическими и динамическими характеристиками транзистора, что критически важно для схем управления плазменными панелями.

Основные электрические параметры G7S313U

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора G7S313U:


  • Напряжение коллектор-эмиттер: VCES = 330 В
  • Постоянный ток коллектора: IC = 60 А (при 25°C)
  • Напряжение затвор-эмиттер: VGES = ±20 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: VCE(on) = 1.8 В (типовое значение)
  • Входная емкость: Cies = 2800 пФ (типовое значение)
  • Время включения: ton = 21 нс (типовое значение)
  • Время выключения: toff = 110 нс (типовое значение)

Эти параметры позволяют G7S313U эффективно работать на частотах коммутации до нескольких сотен кГц, что необходимо для управления плазменными ячейками дисплея.

Особенности корпуса TO-263 для G7S313U

G7S313U выпускается в корпусе TO-263 (также известном как D2PAK). Какие преимущества дает такой тип корпуса?

  • Компактные размеры: 10.2 x 15.2 x 4.7 мм
  • Хороший теплоотвод через металлическое основание
  • Возможность автоматизированного монтажа на печатную плату
  • Низкое тепловое сопротивление: 1.2°C/Вт (типовое значение)

Корпус TO-263 позволяет эффективно отводить тепло от кристалла транзистора, что критически важно при работе с высокими токами в импульсных режимах, характерных для схем управления плазменными панелями.


Сравнение G7S313U с аналогами

Как G7S313U соотносится с другими IGBT-транзисторами, применяемыми в схемах плазменных дисплеев? Рассмотрим сравнение с некоторыми аналогами:

ПараметрG7S313UIRG7PH35USTGP10NC60HD
VCES, В330350600
IC, А605740
VCE(on), В1.81.92.1
КорпусTO-263TO-247TO-220

Как видно из сравнения, G7S313U обладает оптимальным сочетанием высокого рабочего напряжения, большого рабочего тока и низкого напряжения насыщения, что делает его отличным выбором для применения в схемах плазменных дисплеев.

Рекомендации по применению G7S313U

При использовании G7S313U в схемах плазменных дисплеев следует учитывать некоторые важные моменты:

  • Обеспечить эффективный теплоотвод от корпуса транзистора
  • Использовать снабберные цепи для ограничения dv/dt и di/dt при коммутации
  • Применять драйверы затвора с выходным током не менее 1 А для быстрого переключения
  • Учитывать паразитные индуктивности монтажа при разработке печатной платы

Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности G7S313U и обеспечить надежную работу схемы управления плазменным дисплеем.


Типовая схема включения G7S313U в цепи питания плазменной панели

Рассмотрим упрощенную схему включения G7S313U в качестве ключевого элемента в цепи питания плазменной панели:


     +Vcc (330V)
       |
       |
    [R snubber]
       |
   [C snubber]--+
       |        |
       |    [G7S313U]
       |    |   |
[Gate driver]   |
       |    |   |
      GND   |  [Plasma cell]
            |   |
           GND GND

В данной схеме G7S313U работает как высоковольтный ключ, коммутирующий ток через плазменную ячейку. Снабберная RC-цепочка ограничивает скорость нарастания напряжения при выключении транзистора, снижая коммутационные потери и уровень электромагнитных помех.

Вопросы выбора драйвера затвора для G7S313U

Правильный выбор драйвера затвора критически важен для эффективной работы G7S313U. На что следует обратить внимание при выборе драйвера?

  • Выходной ток драйвера должен быть не менее 1 А для обеспечения быстрого переключения
  • Напряжение выходного каскада драйвера должно соответствовать допустимому диапазону напряжений затвор-эмиттер G7S313U (±20 В)
  • Драйвер должен обеспечивать защиту от сквозных токов и перегрузки по току
  • Желательно наличие гальванической развязки между входными и выходными цепями драйвера

Использование специализированных драйверов, таких как IR2110 или IRS2110, позволит максимально раскрыть потенциал G7S313U в схемах управления плазменными дисплеями.



IRG7S313U (G7S313U) | IGBT транзисторы

Транзистор IRG7S313U (маркировка G7S313U)

IRG7S313U — N-channel, IGBT High speed power switching, TO-263

 

Особенности, параметры, характеристики

  • Advanced Trench IGBT Technology
  • Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications
  • Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) for improved panel efficiency
  • High repetitive peak current capability
  • Lead Free package

 

 

Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.

Выберите аналогичный товар как «IRG7S313U (G7S313U)». Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom, или с начала каталога Микросхемы. Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.

Код товара :M-153-5052
Обновление:2023-02-10
Тип корпуса :TO-263

 

 

Дополнительная информация

:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRG7S313U (G7S313U), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с IRG7S313U (G7S313U) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
5052IRG7S313U (G7S313U)Транзистор IRG7S313U (маркировка G7S313U) — N-channel, IGBT High speed power switching, TO-26330 pyб.
7212RJP63K2 to-263Транзисторы RJP63K2 (полный партномер RJP63K2DPE) — Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 35A, TO-26343 pyб.
5032GT30F124 (30F124)Транзисторы GT30F124 (маркировка 30F124) — Power IGBT transistor, N-CHANNEL, 300V, 30A, TO-220FP32 pyб.
5049RJP30h4 to-263Транзистор RJP30h4 — IGBT High speed power switching, TO-26343 pyб.
2122Припой SUOER 0.8мм, 100гр.Припой высокого качества SUOER с флюсом, Sn60Pb40, мягкий, в катушке, диаметр 0.8мм, вес 100 грамм530 pyб.
4840RJP30h2 to-252Транзисторы RJP30h2 (полный партномер RJP30h2DPD) — N-Channel IGBT High speed power switching, 360V, 30A, TO-25243 pyб.
2424AS15-FМикросхемы AS15-F (TSL1014IF, SL1014I, HX8915-A) — IC Power Controller (14+1 Channel Voltage Buffers for TFT LCD)143 pyб.
5606GT30F132 to-263Транзисторы GT30F132 (маркировка 30F132) — Power IGBT, 300V, 30A, TO-26343 pyб.
9464RJP30h4A to-263Транзистор RJP30h4A — IGBT High speed power switching, TO-26343 pyб.
6279RJP63G4 to-263Транзистор RJP63G4 (RJP63G4DPE) — Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching, 630V, 40A, TO-26343 pyб.

 

Купи 10шт IRG7S313U G7S313U ДО-263 IRG7S313 MOS IRGS4B60KD1 GS4B60KD1 IRGS14C40L GS14C40L IRGS30B60K GS30B60K IRG7SC28U G7SC28U ~ Активни съставки

  • (3 Коментари)

10шт IRG7S313U G7S313U ДО-263 IRG7S313 MOS IRGS4B60KD1 GS4B60KD1 IRGS14C40L GS14C40L IRGS30B60K GS30B60K IRG7SC28U G7SC28U

4.
20лв.

Активни Съставки

  • Цвят:
  • Размер:

    M L XL XXL

  • Добави в количката Към любими
  • Ключови думи: bluetooth адаптер бт 031 ldac, оригинален корпус gt3, 1 на 10 000 Mhz радио, усилвател за слушалки ad797, изключете източник на захранване, адаптер 75 Ома 50 Ома, частотомер qnh828, mos mobile, 2×1157 led p21w araba led, корпус se 2016 surround 3d
  • Инв. : w49254
  • Разположение: Наличен сега

Детайли на продукта

Каталог на други електронни компоненти

Електронен компонент

Интегрална схема

Диод

Резистор

Транзистор

Кондензатор

Друга електроника

  • Работна температура: Международен стандарт
  • подаване на напрежение: Международен стандарт
  • Тип: Други
  • Произход: CN(Произход)
  • Приложение: Други
  • търговска марка: ванси
  • Състояние: Ново
  • номер на модела: G7S313U
  • Пакет: Други
  • Мощност На Разсейване: Международен стандарт

ОК

Всичко работи нормално телевизор LG работят вече 24 часа.

Топлина, но работата.

Оставете коментар

Вашият email адрес няма да бъде публикуван. Задължителните полета са маркирани *

Фамилия

Вашият рейтинг

DataSheet PDF Search Site


Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали Функция Производители ПДФ
2SA608N Биполярный транзистор
ОН Полупроводник
2SC536N Биполярный транзистор
ОН Полупроводник
АП2606СМТ N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ POWER MOSFET
Передовая силовая электроника
LTC2368-16 Псевдодифференциальный униполярный АЦП SAR
Линейный
LTC2377-18 Маломощный SAR АЦП
Линейный
LTC3203 Выходной ток 500 мА Малошумные двухрежимные повышающие зарядные насосы
Линейный
LTC3203-1 Выходной ток 500 мА Малошумные двухрежимные повышающие зарядные насосы
Линейный
LTC3203B Выходной ток 500 мА Малошумные двухрежимные повышающие зарядные насосы
Линейный
LTC3203B-1 Выходной ток 500 мА Малошумные двухрежимные повышающие зарядные насосы
Линейный
LTC3526L-2 Синхронные повышающие DC/DC преобразователи, 550 мА, 2 МГц
Линейный

Файлы Sitemap



G7S313U ИК-транзисторы — Veswin Electronics

Электронный компонент Г7С313У запущен в производство компанией ИК, входящей в состав Транзисторы. Каждое устройство доступно в небольшом корпусе TO-263 и рассчитано на расширенный диапазон температур от -40°C до 105°C (TA).

Категории
Транзисторы
Производитель
Международный выпрямитель
Номер детали Весвин
В1070-Г7С313У
Статус без содержания свинца / Статус RoHS
Без свинца / Соответствует RoHS
Состояние
Новое и оригинальное — заводская упаковка
Наличие на складе
Запасы на складе
Минимальный заказ
1
Расчетное время доставки
21-26 апреля (выберите ускоренную доставку)
Модели EDA/CAD
G7S313U от SnapEDA
Условия хранения
Сухой шкаф и пакет защиты от влаги

Ищете G7S313U? Добро пожаловать на Veswin. com, наши специалисты по продажам готовы помочь вам. Вы можете узнать о наличии компонентов и ценах на G7S313U, просмотреть подробную информацию, включая производителя G7S313U и таблицы данных. Вы можете купить или узнать о G7S313U прямо здесь и прямо сейчас. Veswin является дистрибьютором электронных компонентов для товарных, распространенных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Весвин поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, CEM-клиентов и ремонтных центров по всему миру. Мы поддерживаем большой склад электронных компонентов, который может включать G7S313U, готовый к отправке в тот же день или в кратчайшие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором G7S313U с полным спектром услуг для G7S313U. У нас есть возможность закупать и поставлять G7S313U по всему миру, чтобы помочь вам с вашей цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас!

  • Q: Как заказать G7S313U?
  • О: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
  • В: Как оплатить G7S313U?
  • A: Мы принимаем T/T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
  • В: Как долго я могу получить G7S313U?
  • О: мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
    Мы также можем отправить заказной авиапочтой. Обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
    Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем сайте.
  • В: Гарантия G7S313U?
  • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
  • В: Техническая поддержка G7S313U?
  • О: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке G7S313U, примечаниями по применению, заменой, техническое описание в формате pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА VESWIN ELECTRONICS

Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001. Наши системы и соответствие стандартам регулярно пересматривались и тестировались для поддержания постоянного соответствия.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *