Транзистор полевой КП707 — DataSheet
Цоколевка транзистора КП707Описание
Мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+100 °С.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| КП707А | 2SK298, PHP5N40 *1, RFM7N40, 2SK278, RFP7N40 *1, STV7NA40 *1, STP7NA40 *1, STB7NA40-1 *1, STB7NA40 *1, BUZ63, SDF330JAAXHD1N | ||||
| КП707Б | SFN330 *1, SFN332 *2, RFM4N40, BUP60 *2 | ||||
| КП707В | IRFPE30 *1, MTB4N80E *1, APT802R8AN, SML802R8AN | ||||
| КП707Г | SSH5N70 *1, SML752R4AN *2, APT752R4AN *2, APT752R4CN *3, FS5VS14A *1, FS5SM14A *1, FS5KM14A *1, SNF30724 *1, NSFY30724 *1 | ||||
| КП707Д | RFM6N50, 2SK1820-01S *1, 2SK1820-01L *1, 2N6762, STM4N50/3 | ||||
| КП707Е | APT752R8AN *2, SML752R8AN *2, FS3VS14A *1, FS3SM14A *1, SSh4N70A *1 | ||||
| КП707А1 | IRF730, BUZ60, 2N7063 *1, PHP5N40, RFP7N40, STP7NA40, STB7NA40-1 *1, BUK455-400B, BUZ205, STM730, NTE67, IRFY330, IRFP330 *1, IRF730R, OM6103ST, ОM6003ST, STM5N40/220, MTP5N40E | ||||
| КП707Б1 | BUZ90, PHP3N60 *2, STP4NA60 *2, IRFBC30 *2, SSS6N60 *2, MTP3N60E *2, STP4NA60FI *2, STP3N60FI *2 | ||||
| КП707В1 | IRFBE30, MTP4N80E, ECG2387, BUK456-800A, STP4NA80, BUZ80A, BUZ80AFI | ||||
| КП707Г1 | SSP5N70, FS5UM14A, SSP4N70A, SSh5N70A, 2SK1553-01MR, 2SK1553-01M, 2SK1553-01, 2SK1402A | ||||
| КП707Д1 | IRF830, RFP6N50, PHP4N50, BUK655-500B, BUK455-500B, BUZ215, 2SK855, 2SK2183, 2SK1156, STP5N50, YTF830, IRF830R, BUZ41A, NTE2398, OM6004ST, SMD1001 | ||||
| КП707Е1 | FS3UM14A *2 | ||||
| КП707В2 | IRFBE32 | ||||
| Структура | КП707А | — | С изолированным затвором, с n-каналом | ||
| КП707Б | — | ||||
| КП707В | — | ||||
| КП707Г | — | ||||
| КП707Д | — | ||||
| КП707Е | — | ||||
| КП707А1 | — | nМОП | |||
| КП707Б1 | — | ||||
| КП707В1 | — | ||||
| КП707Г1 | — | ||||
| КП707Д1 | — | ||||
| КП707Е1 | — | ||||
| КП707А2 | — | ||||
| КП707В2 | — | ||||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП707А | — | 100* | мВт, (Вт*) |
| КП707Б | — | 100* | |||
| КП707В | — | 100* | |||
| КП707Г | — | 100* | |||
| КП707Д | — | 100* | |||
| КП707Е | — | 100* | |||
| КП707А1 | — | 60* | |||
| КП707Б1 | — | 60* | |||
| КП707В1 | — | 55* | |||
| КП707Г1 | — | 60* | |||
| КП707Д1 | — | 60* | |||
| КП707Е1 | — | 50* | |||
| КП707А2 | — | 50* | |||
| КП707В2 | — | 50* | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП707А | — | 5 | В |
| КП707Б | — | 5 | |||
| КП707В | — | 2…5 | |||
| КП707Г | — | 2…5 | |||
| КП707Д | — | 2…5 | |||
| КП707Е | — | 2…5 | |||
| КП707А1 | — | 2…5 | |||
| КП707Б1 | — | 2…5 | |||
| КП707В1 | — | 2…5 | |||
| КП707Г1 | — | 2…5 | |||
| КП707Д1 | — | 2…5 | |||
| КП707Е1 | — | 2…5 | |||
| КП707А2 | — | — | |||
| КП707В2 | — | 2…5 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП707А | — | 400 | В |
| КП707Б | — | 600 | |||
| КП707В | — | 750 | |||
| КП707Г | — | 700 | |||
| КП707Д | — | 500 | |||
| КП707Е | — | 750 | |||
| КП707А1 | — | 400 | |||
| КП707Б1 | — | 600 | |||
| КП707В1 | — | 800 | |||
| КП707Г1 | — | 700 | |||
| КП707Д1 | — | 500 | |||
| КП707Е1 | — | 750 | |||
| КП707А2 | — | 350 | |||
| КП707В2 | — | 800 | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП707А | — | ±20 | В |
| КП707Б | — | ±20 | |||
| КП707В | — | ±20 | |||
| КП707Г | — | ±20 | |||
| КП707Д | — | ±20 | |||
| КП707Е | — | ±20 | |||
| КП707А1 | — | ±20 | |||
| КП707Б1 | — | ±20 | |||
| КП707В1 | — | ±20 | |||
| КП707Г1 | — | ±20 | |||
| КП707Д1 | — | ±20 | |||
| КП707Е1 | — | ±20 | |||
| КП707А2 | — | ±20 | |||
| КП707В2 | — | ±20 | |||
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП707А | — | 25* | А |
| КП707Б | — | 16.5* | |||
| КП707В | — | 12.5* | |||
| КП707Г | — | 8* | |||
| КП707Д | — | 8* | |||
| КП707Е | — | 8* | |||
| КП707А1 | — | 6(25*) | |||
| КП707Б1 | — | 4(16.5*) | |||
| КП707В1 | — | 3(12.5*) | |||
| КП707Г1 | — | 8* | |||
| КП707Д1 | — | 12* | |||
| КП707Е1 | — | 8* | |||
| КП707А2 | — | 2 | |||
| КП707В2 | — | 3. 5(9*) | |||
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП707А | — | ≤25; ≤1* | мА |
| КП707Б | — | ≤25; ≤1* | |||
| КП707В | — | ≤25; ≤1* | |||
| КП707Г | — | ≤0.1 | |||
| КП707Д | — | ≤0.1 | |||
| КП707Е | — | ≤0.1 | |||
| КП707А1 | 400 В | ≤0.025* | |||
| КП707Б1 | 600 В | ≤0.025* | |||
| КП707В1 | 750 В | ≤0.025* | |||
| КП707Г1 | 400 В | ≤0. 025* | |||
| КП707Д1 | 600 В | ≤0.025* | |||
| КП707Е1 | 750 В | ≤0.025* | |||
| КП707А2 | — | ≤0.1; ≤0.1* | |||
| КП707В2 | 750 В | ≤0.025* | |||
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП707А | 20 В; 3 А | ≥1600 | мА/В |
| КП707Б | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707В | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Г | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Д | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Е | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707А1 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Б1 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707В1 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Г1 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Д1 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707Е1 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| КП707А2 | — | ≥1500 | |||
| КП707В2 | 20 В; 3 А | ≥1600 | |||
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП707А | 25 В | ≤1600; ≤45* | пФ |
| КП707Б | 25 В | ≤1600; ≤45* | |||
| КП707В | 25 В | ≤1600; ≤45* | |||
| КП707Г | — | ≥1200 | |||
| КП707Д | — | ≥1200 | |||
| КП707Е | — | ≥1200 | |||
| КП707А1 | — | ≤2600; 95* | |||
| КП707Б1 | — | ≤2600; 95* | |||
| КП707В1 | — | ≤2600; 95* | |||
| КП707Г1 | — | ≤1200 | |||
| КП707Д1 | — | ≤2600 | |||
| КП707Е1 | — | ≤2600 | |||
| КП707А2 | — | 1200; 200** | |||
| КП707В2 | — | 1200; 200** | |||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП707А | — | ≤1 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| КП707Б | — | ≤2.5 | |||
| КП707В | — | ≤3 | |||
| КП707Г | — | ≤2.5 | |||
| КП707Д | — | ≤1.5 | |||
| КП707Е | — | ≤5 | |||
| КП707А1 | — | ≤1 | |||
| КП707Б1 | — | ≤2.5 | |||
| КП707В1 | — | ≤3 | |||
| КП707Г1 | — | ≤2.5 | |||
| КП707Д1 | — | ≤1. 5 | |||
| КП707Е1 | — | ≤5 | |||
| КП707А2 | — | ≤5 | |||
| КП707В2 | — | ≤2.8 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП707А | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| КП707Б | — | — | |||
| КП707В | — | — | |||
| КП707Г | — | — | |||
| КП707Д | — | — | |||
| КП707Е | — | — | |||
| КП707А1 | — | — | |||
| КП707Б1 | — | — | |||
| КП707В1 | — | — | |||
| КП707Г1 | — | — | |||
| КП707Д1 | — | — | |||
| КП707Е1 | — | — | |||
| КП707А2 | — | — | |||
| КП707В2 | — | — | |||
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП707А | — | ≤80* | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
| КП707Б | — | ≤80* | |||
| КП707В | — | ≤80* | |||
| КП707Г | — | — | |||
| КП707Д | — | — | |||
| КП707Е | — | — | |||
| КП707А1 | — | ≤80* | |||
| КП707Б1 | — | ≤80* | |||
| КП707В1 | — | ≤80* | |||
| КП707Г1 | — | — | |||
| КП707Д1 | — | — | |||
| КП707Е1 | — | — | |||
| КП707А2 | — | — | |||
| КП707В2 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Параметры мощных N-канальных полевых транзисторов
| Наименование | Аналог | Напряжение | Сопротивление канала, Ом | Ток стока, A | Корпус |
| КП150 | IRF150 | 100 | 0,055 | 38 | TO-204 |
| КП240 | IRF240 | 200 | 0,18 | 18 | TO-204 |
| КП250 | IRF250 | 200 | 0,085 | 30 | TO-204 |
| КП340 | IRF340 | 400 | 0,55 | 10 | TO-204 |
| КП350 | IRF350 | 400 | 0,30 | 14 | TO-204 |
| КП440 | IRF440 | 500 | 0,85 | 8,0 | TO-204 |
| КП450 | IRF450 | 500 | 0,4 | 12 | TO-204 |
| КП510 | IRF510 | 100 | 0,54 | 5,6 | TO-220 |
| КП520 | IRF520 | 100 | 0,27 | 9,2 | TO-220 |
| КП530 | IRF530 | 100 | 0,16 | 14 | TO-220 |
| КП540 | IRF540 | 100 | 0,077 | 28 | TO-220 |
| КП610 | IRF610 | 200 | 1,5 | 3,3 | TO-220 |
| КП620 | IRF620 | 200 | 0,8 | 5,2 | TO-220 |
| КП630 | IRF630 | 200 | 0,4 | 9,0 | TO-220 |
| КП640 | IRF640 | 200 | 0,18 | 18 | TO-220 |
| КП710 | IRF710 | 400 | 3,6 | 2,0 | TO-220 |
| КП720 | IRF720 | 400 | 1,8 | 3,3 | TO-220 |
| КП730 | IRF730 | 400 | 1,0 | 5,5 | TO-220 |
| КП740 | IRF740 | 400 | 0,55 | 10 | TO-220 |
| КП820 | IRF820 | 500 | 3,0 | 2,5 | TO-220 |
| КП830 | IRF830 | 500 | 1,5 | 4,5 | TO-220 |
| КП840 | IRF840 | 500 | 0,85 | 8,0 | TO-220 |
| КП707A1 | 400 | 1,0 | 6 | TO-220 | |
| КП707Б1 | BUZ90 | 600 | 2,0 | 4 | TO-220 |
| КП707В1 | 750 | 3,0 | 3 | TO-220 | |
| КП707В2 | 650 | 2,3 | 3,5 | TO-220 | |
| КП733А | 400 | 3,6 | 1,5 | TO-220 | |
| КП733Б | 400 | 3,6 | 1,5 | TO-220 | |
| КП733В1 | 550 | 10 | 0,5 | TO-92 | |
| КП809A1 | 400 | 0,3 | 9,6 | TO-218 | |
| КП809Б1 | 500 | 0,6 | 9,6 | TO-218 | |
| КП809А | 400 | 0,3 | 9,6 | TO-204 | |
| КП809Б | 500 | 0,6 | 9,6 | TO-204 | |
| КП812A1 | 60 | 0,028 | 50 | TO-220 | |
| КП812Б1 | 60 | 0,035 | 35 | TO-220 | |
| КП812В1 | 60 | 0,05 | 30 | TO-220 | |
| КП813А1 | 200 | 0,12 | 22 | TO-218 | |
| КП813Б1 | 200 | 0,18 | 22 | TO-218 | |
| КП813А | 200 | 0,12 | 22 | TO-204 | |
| КП813Б | 200 | 0,18 | 22 | TO-204 |
- Просмотров: 7647
Загрузка.
..
IRF730 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, применение и техническое описание
Byadharsh Обновлено
IRF730 MOSFET IRF730 MOSFET IRF730 MOSFET спецификация- N-канальный MOSFET
- Напряжение сток-исток ( В ds ) равно 400 В
- Напряжение затвор-исток ( В gs ) равно +/- 20 В
- Затвор с пороговым напряжением ( В г(й) ) 4В
- Ток стока ( I d ) 5A
- Импульсный ток стока ( I DM ) 22A
- Рассеиваемая мощность ( P d ) 74 Вт
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R DS ) 1 Ом
- Ток стока нулевого напряжения затвора (I ДСС ) 250 мкА
- Общий заряд затвора (Q г ) равен 18Nc
- Пиковое восстановление диода (dv/dt) составляет 4v/ns
- Время нарастания ( tr ) равно 38 нс
- Температура перехода ( T J ) находится в пределах 150 ℃
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Ворота | Gate запустит устройство MOSFET |
| 2 | Слив | Ток протекает через сток |
| 3 | Источник | Ток протекает через источник |
IRF730 Корпус МОП-транзистора
В IRF730 используется корпус МОП-транзистора TO-220AB, который в основном используется для мощных полупроводниковых устройств.
Большая часть корпуса TO-220AB изготовлена из эпоксидной смолы и пластика, а часть крепления радиатора выполнена из металла, что помогает отводить тепло наружу.
Описание спецификации IRF730 MOSFETIRF730 — это устройство с быстрым переключением MOSFET, в этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики отдельно с объяснением применения.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения IRF730 будут такими: напряжение сток-исток 400 В, напряжение затвор-исток 20 В, пороговое напряжение затвора 4 В, значения напряжения покажут, что это средняя мощность. коммутационное устройство.
Характеристики токаЗначение тока стока составляет 5,5 А, допустимый ток полупроводникового устройства означает способность выдерживать нагрузку.
Характеристики рассеяния Рассеивание мощности МОП-транзистора IRF730 составляет 74 Вт, значение рассеивания означает теплоемкость устройства.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии будет составлять 1 Ом, это общее сопротивление, которое может предложить полевой МОП-транзистор IRF730.
Ток стока напряжения нулевого затвораЗначение тока стока напряжения нулевого затвора составляет 250Ua.
Температура переходаТемпература перехода МОП-транзистора IRF730 составляет 150 ℃ .
IRF730 MOSFET DATASHEET IRF730 MOSFET DATASHEETЕсли вам нужно техническое описание в формате pdf, пожалуйста, нажмите эту ссылку
IRF730 MOSFET эквивалент 9002 ET имел эквивалентные МОП-транзисторы, такие как IRF740, IRF840, IRFB13N50A, IRFB9.N65A и STP7NA40. Каждый из МОП-транзисторов в этом списке имеет почти одинаковые электрические и физические характеристики, мы можем использовать любой из этих МОП-транзисторов в качестве эквивалента для IRF730.
В таблице ниже приведено сравнение между IRF730, IRF740 и IRFB9N65A. В этой таблице мы пытаемся перечислить основные электрические характеристики.
| Характеристики | IRF730 | IRF740 | IRFB9N65A |
|---|---|---|---|
| Напряжение сток-исток (Vds) | 400 В | 400 В | 650 В |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 В | 20 В | 30 В |
| Пороговое напряжение затвора (Vg(th)) | 4 В | 5 В | 5 В |
| Ток стока (Id) | 5,5 А | 10 А | 8,5 А |
| Общий заряд затвора (Qg) | 38 нКл | 63 нКл | 48 нКл |
| Рассеиваемая мощность | 74 Вт | 125 Вт | 167 Вт |
| Температура перехода (TJ) | 150°C | 150°C | 150°C |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS) | 1 Ом | 0,55 Ом | 0,93 МОм |
| Время нарастания (tr) | 38 нс | 27 нс | 48 нс |
| Пакет | ТО-220АБ | ТО-220АБ | ТО-220АБ |
Таблица сравнения IRF730, IRF740 и IRFB9N65A показывает, что IRF730 и IRF740 имеют почти одинаковые электрические характеристики.
Ток стока и рассеиваемая мощность полевого МОП-транзистора IRF740 выше, чем у IRF730.
МОП-транзистор IRFB9N65A является устройством с высоким рейтингом в этом списке, характеристики напряжения и значение рассеиваемой мощности у этого МОП-транзистора выше, чем у двух других.
Применение полевого МОП-транзистора IRF730- Системы связи
- Цепи управления
- Переключение приложений
На рисунке показаны выходные характеристики полевого МОП-транзистора IRF730, а график построен между током стока и напряжением сток-исток.
График показывает, что при каждом значении напряжения стока ток стока увеличивается с фиксированной скоростью, а кривая показывает, что в конце он становится постоянным.
Безопасная рабочая область IRF730 MOSFET На рисунке показана безопасная рабочая область IRF730 MOSFET, график будет построен с различными электрическими характеристиками, такими как ток стока, напряжение сток-исток и сопротивление сток-исток в открытом состоянии.
Похожие сообщения
МОП-транзистор
CS630 MOSFET Спецификация, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификация
Byadharsh
CS630 N-канальный МОП-транзистор Спецификация CS630 MOSFET Это N-канальный МОП-транзистор Напряжение сток-исток (Vds) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 30В От затвора до порогового напряжения…
Подробнее CS630 MOSFET Лист данных, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификацияПродолжить
МОП-транзистор
Техническое описаниеBSS138 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация
Byadharsh
BSS138 MOSFET Спецификация BSS138 MOSFET BSS138 — это N-канальный полевой транзистор с улучшенным логическим уровнем. Напряжение сток-исток (VDSS) составляет 50 В. Напряжение затвор-исток (VGSS) составляет +/-…
Подробнее Техническое описание BSS138 MOSFET: эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить
МОП-транзистор
IRF5210 MOSFET: распиновка, спецификация, аналог, даташит
Byadharsh
IRF5210 MOSFET Спецификация IRF5210 MOSFET IRF5210 представляет собой устройство с кремниевым затвором POWER MOSFET с P-каналом. Подробнее IRF5210 MOSFET: распиновка, спецификация, эквивалент, техническое описаниеПродолжить
МОП-транзистор
IRF9630 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация, техническое описание
Byadharsh
IRF9630 MOSFET Спецификация IRF9630 IRF9630 представляет собой транзисторный транзистор POWER MOSFET с кремниевым затвором в режиме улучшения P-канала. Напряжение сток-исток (VDS) составляет -200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В…
Подробнее IRF9630 MOSFET: эквивалент, распиновка, спецификация, техническое описаниеПродолжить
МОП-транзистор
P60NF06 MOSFET: аналог, спецификация, распиновка, техническое описание
Byadharsh
P60NF06 MOSFET Спецификация P60NF06 P60NF06 — N-канальный кремниевый POWER MOSFET.
Напряжение сток-исток (VDS) составляет 60 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порога…
Подробнее P60NF06 MOSFET: аналог, спецификация, распиновка, техническое описаниеПродолжить
МОП-транзистор
IRF620 MOSFET: распиновка, аналог, спецификация, спецификация
Byadharsh
IRF620 MOSFET Спецификация IRF620 IRF620 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор Напряжение сток-исток (VDS) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порогового напряжения…
Подробнее IRF620 MOSFET: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить
