Irf730 параметры: Транзистор IRF730 характеристики, аналоги, подключение, распиновка

Транзистор полевой КП707 — DataSheet

Цоколевка транзистора КП707

 

Описание

Мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+100 °С.

 

Параметры транзистора КП707
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
КП707А 2SK298, PHP5N40 *1, RFM7N40, 2SK278, RFP7N40 *1, STV7NA40 *1, STP7NA40 *1, STB7NA40-1 *1, STB7NA40 *1, BUZ63, SDF330JAAXHD1N
*1
, 2N6760, STM5N40/3
КП707Б SFN330 *1, SFN332 *2, RFM4N40, BUP60 *2
КП707В IRFPE30 *1, MTB4N80E *1, APT802R8AN, SML802R8AN
КП707Г SSH5N70 *1, SML752R4AN *2, APT752R4AN *2, APT752R4CN *3, FS5VS14A *1, FS5SM14A *1, FS5KM14A *1, SNF30724 *1, NSFY30724 *1
КП707Д RFM6N50, 2SK1820-01S *1, 2SK1820-01L *1, 2N6762, STM4N50/3
КП707Е APT752R8AN *2, SML752R8AN *2, FS3VS14A *1, FS3SM14A *1, SSh4N70A *1
КП707А1 IRF730, BUZ60, 2N7063 *1, PHP5N40, RFP7N40, STP7NA40, 

STB7NA40-1 *1, BUK455-400B, BUZ205, STM730, NTE67, 

IRFY330, IRFP330 *1, IRF730R, OM6103ST, ОM6003ST,

STM5N40/220, MTP5N40E

КП707Б1 BUZ90, PHP3N60 *2, STP4NA60 *2, IRFBC30 *2, SSS6N60 *2, MTP3N60E *2, STP4NA60FI *2, STP3N60FI *2
КП707В1 IRFBE30, MTP4N80E, ECG2387,

BUK456-800A, STP4NA80, BUZ80A, BUZ80AFI

КП707Г1 SSP5N70, FS5UM14A, SSP4N70A,

SSh5N70A, 2SK1553-01MR, 2SK1553-01M,

2SK1553-01, 2SK1402A

КП707Д1 IRF830, RFP6N50, PHP4N50, 

BUK655-500B, BUK455-500B, BUZ215,

2SK855, 2SK2183, 2SK1156, STP5N50,

YTF830, IRF830R, BUZ41A, NTE2398,

OM6004ST, SMD1001

КП707Е1 FS3UM14A *2
КП707В2 IRFBE32
Структура КП707А С изолированным затвором, с n-каналом
КП707Б
КП707В
КП707Г
КП707Д
КП707Е
КП707А1
nМОП
КП707Б1
КП707В1
КП707Г1
КП707Д1
КП707Е1
КП707А2
КП707В2
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП707А 100* мВт, (Вт*)
КП707Б 100*
КП707В 100*
КП707Г 100*
КП707Д 100*
КП707Е 100*
КП707А1 60*
КП707Б1 60*
КП707В1 55*
КП707Г1 60*
КП707Д1 60*
КП707Е1 50*
КП707А2 50*
КП707В2 50*
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
 UЗИ отс, U*ЗИ пор КП707А 5 В
КП707Б 5
КП707В 2…5
КП707Г 2…5
КП707Д 2…5
КП707Е 2…5
КП707А1 2…5
КП707Б1 2…5
КП707В1 2…5
КП707Г1
2…5
КП707Д1 2…5
КП707Е1 2…5
КП707А2
КП707В2 2…5
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП707А 400 В
КП707Б 600
КП707В 750
КП707Г 700
КП707Д 500
КП707Е 750
КП707А1 400
КП707Б1 600
КП707В1 800
КП707Г1  700
КП707Д1 500
КП707Е1 750
КП707А2 350
КП707В2 800
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗИ max КП707А ±20 В
КП707Б ±20
КП707В ±20
КП707Г ±20
КП707Д ±20
КП707Е ±20
КП707А1 ±20
КП707Б1 ±20
КП707В1 ±20
КП707Г1 ±20
КП707Д1 ±20
КП707Е1  ±20
КП707А2 ±20
КП707В2 ±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП707А 25* А
КП707Б 16.5*
КП707В 12.5*
КП707Г 8*
КП707Д 8*
КП707Е
8*
КП707А1 6(25*) 
КП707Б1 4(16.5*) 
КП707В1 3(12.5*) 
КП707Г1 8*
КП707Д1 12* 
КП707Е1 8*
КП707А2 2
КП707В2 3. 5(9*) 
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП707А ≤25; ≤1* мА
КП707Б ≤25; ≤1*
КП707В ≤25; ≤1*
КП707Г ≤0.1
КП707Д ≤0.1
КП707Е ≤0.1
КП707А1 400 В ≤0.025*
КП707Б1 600 В ≤0.025*
КП707В1 750 В ≤0.025*
КП707Г1 400 В ≤0. 025*
КП707Д1 600 В ≤0.025*
КП707Е1 750 В ≤0.025*
КП707А2 ≤0.1; ≤0.1*
КП707В2 750 В ≤0.025*
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП707А 20 В; 3 А ≥1600 мА/В
КП707Б 20 В; 3 А ≥1600
КП707В 20 В; 3 А ≥1600
КП707Г 20 В; 3 А ≥1600
КП707Д 20 В; 3 А ≥1600
КП707Е 20 В; 3 А ≥1600
КП707А1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Б1 20 В; 3 А ≥1600
КП707В1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Г1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Д1 20 В; 3 А ≥1600
КП707Е1 20 В; 3 А ≥1600
КП707А2 ≥1500
КП707В2 20 В; 3 А ≥1600
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП707А 25 В ≤1600; ≤45* пФ
КП707Б 25 В ≤1600; ≤45*
КП707В 25 В ≤1600; ≤45*
КП707Г ≥1200
КП707Д ≥1200
КП707Е ≥1200
КП707А1 ≤2600; 95*
КП707Б1 ≤2600; 95*
КП707В1 ≤2600; 95*
КП707Г1 ≤1200
КП707Д1 ≤2600
КП707Е1 ≤2600
КП707А2 1200; 200**
КП707В2 1200; 200**
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ КП707А ≤1 Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП707Б ≤2.5
КП707В ≤3
КП707Г ≤2.5
КП707Д ≤1.5
КП707Е ≤5
КП707А1 ≤1
КП707Б1 ≤2.5
КП707В1 ≤3
КП707Г1 ≤2.5
КП707Д1 ≤1. 5
КП707Е1 ≤5
КП707А2 ≤5
КП707В2 ≤2.8
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш,  Q*** КП707А Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП707Б
КП707В
КП707Г
КП707Д
КП707Е
КП707А1
КП707Б1
КП707В1
КП707Г1
КП707Д1
КП707Е1
КП707А2
КП707В2
 Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП707А ≤80* нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП707Б ≤80*
КП707В ≤80*
КП707Г
КП707Д
КП707Е
КП707А1 ≤80*
КП707Б1 ≤80*
КП707В1 ≤80*
КП707Г1
КП707Д1
КП707Е1
КП707А2
КП707В2

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Параметры мощных N-канальных полевых транзисторов

Наименование Аналог Напряжение Сопротивление канала, Ом Ток стока, A Корпус
КП150 IRF150 100 0,055 38 TO-204
КП240 IRF240 200 0,18 18 TO-204
КП250 IRF250 200 0,085 30 TO-204
КП340 IRF340 400 0,55 10 TO-204
КП350 IRF350 400 0,30 14 TO-204
КП440 IRF440 500 0,85 8,0 TO-204
КП450 IRF450 500 0,4 12 TO-204
КП510 IRF510 100 0,54 5,6 TO-220
КП520 IRF520 100 0,27 9,2 TO-220
КП530 IRF530 100 0,16 14 TO-220
КП540 IRF540 100 0,077 28 TO-220
КП610 IRF610 200 1,5 3,3 TO-220
КП620 IRF620 200 0,8 5,2 TO-220
КП630 IRF630 200 0,4 9,0 TO-220
КП640 IRF640 200 0,18 18 TO-220
КП710 IRF710 400 3,6 2,0 TO-220
КП720 IRF720 400 1,8 3,3 TO-220
КП730 IRF730 400 1,0 5,5 TO-220
КП740 IRF740 400 0,55 10 TO-220
КП820 IRF820 500 3,0 2,5 TO-220
КП830 IRF830 500 1,5 4,5 TO-220
КП840 IRF840 500 0,85 8,0 TO-220
КП707A1   400 1,0 6 TO-220
КП707Б1 BUZ90 600 2,0 4 TO-220
КП707В1   750 3,0 3 TO-220
КП707В2   650 2,3 3,5 TO-220
КП733А   400 3,6 1,5 TO-220
КП733Б   400 3,6 1,5 TO-220
КП733В1   550 10 0,5 TO-92
КП809A1   400 0,3 9,6 TO-218
КП809Б1   500 0,6 9,6 TO-218
КП809А   400 0,3 9,6 TO-204
КП809Б   500 0,6 9,6 TO-204
КП812A1   60 0,028 50 TO-220
КП812Б1   60 0,035 35 TO-220
КП812В1   60 0,05 30 TO-220
КП813А1   200 0,12 22 TO-218
КП813Б1   200 0,18 22 TO-218
КП813А   200 0,12 22 TO-204
КП813Б   200 0,18 22 TO-204
Просмотров: 7647

Загрузка. ..

IRF730 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, применение и техническое описание

Byadharsh Обновлено

IRF730 MOSFET IRF730 MOSFET

IRF730 MOSFET спецификация
  • N-канальный MOSFET
  • Напряжение сток-исток ( В ds ) равно 400 В
  • Напряжение затвор-исток ( В gs ) равно +/- 20 В
  • Затвор с пороговым напряжением ( В г(й) )
  • Ток стока ( I d ) 5A
  • Импульсный ток стока ( I DM ) 22A
  • Рассеиваемая мощность ( P d ) 74 Вт
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R DS ) 1 Ом
  • Ток стока нулевого напряжения затвора (I ДСС ) 250 мкА
  • Общий заряд затвора (Q г ) равен 18Nc
  • Пиковое восстановление диода (dv/dt) составляет 4v/ns
  • Время нарастания ( tr ) равно 38 нс
  • Температура перехода ( T J ) находится в пределах 150 ℃

Схема контактов MOSFET IRF730 Схема контактов MOSFET IRF730
Номер контакта Имя контакта Описание
1 Ворота Gate запустит устройство MOSFET   
2 Слив  Ток протекает через сток
3 Источник Ток протекает через источник

 

IRF730 Корпус МОП-транзистора

В IRF730 используется корпус МОП-транзистора TO-220AB, который в основном используется для мощных полупроводниковых устройств.

Большая часть корпуса TO-220AB изготовлена ​​из эпоксидной смолы и пластика, а часть крепления радиатора выполнена из металла, что помогает отводить тепло наружу.

Описание спецификации IRF730 MOSFET

IRF730 — это устройство с быстрым переключением MOSFET, в этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики отдельно с объяснением применения.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения IRF730 будут такими: напряжение сток-исток 400 В, напряжение затвор-исток 20 В, пороговое напряжение затвора 4 В, значения напряжения покажут, что это средняя мощность. коммутационное устройство.

Характеристики тока

Значение тока стока составляет 5,5 А, допустимый ток полупроводникового устройства означает способность выдерживать нагрузку.

Характеристики рассеяния

Рассеивание мощности МОП-транзистора IRF730 составляет 74 Вт, значение рассеивания означает теплоемкость устройства.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии будет составлять 1 Ом, это общее сопротивление, которое может предложить полевой МОП-транзистор IRF730.

Ток стока напряжения нулевого затвора

Значение тока стока напряжения нулевого затвора составляет 250Ua.

Температура перехода

Температура перехода МОП-транзистора IRF730 составляет 150 ℃ .

IRF730 MOSFET DATASHEET IRF730 MOSFET DATASHEET

Если вам нужно техническое описание в формате pdf, пожалуйста, нажмите эту ссылку

IRF730 MOSFET эквивалент 9002 ET имел эквивалентные МОП-транзисторы, такие как IRF740, IRF840, IRFB13N50A, IRFB9.N65A и STP7NA40.

Каждый из МОП-транзисторов в этом списке имеет почти одинаковые электрические и физические характеристики, мы можем использовать любой из этих МОП-транзисторов в качестве эквивалента для IRF730.

IRF730, IRF740, IRFB9N65A

В таблице ниже приведено сравнение между IRF730, IRF740 и IRFB9N65A. В этой таблице мы пытаемся перечислить основные электрические характеристики.

Характеристики IRF730 IRF740 IRFB9N65A
Напряжение сток-исток (Vds) 400 В 400 В 650 В
Напряжение затвор-исток (Vgs) 20 В 20 В 30 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th)) 4 В 5 В 5 В
Ток стока (Id) 5,5 А 10 А 8,5 А
Общий заряд затвора (Qg) 38 нКл 63 нКл 48 нКл
Рассеиваемая мощность 74 Вт 125 Вт 167 Вт
Температура перехода (TJ)  150°C 150°C 150°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS) 1 Ом 0,55 Ом 0,93 МОм
Время нарастания (tr) 38 нс 27 нс 48 нс
Пакет ТО-220АБ ТО-220АБ ТО-220АБ

Таблица сравнения IRF730, IRF740 и IRFB9N65A показывает, что IRF730 и IRF740 имеют почти одинаковые электрические характеристики.

Ток стока и рассеиваемая мощность полевого МОП-транзистора IRF740 выше, чем у IRF730.

МОП-транзистор IRFB9N65A является устройством с высоким рейтингом в этом списке, характеристики напряжения и значение рассеиваемой мощности у этого МОП-транзистора выше, чем у двух других.

Применение полевого МОП-транзистора IRF730
  • Системы связи
  • Цепи управления
  • Переключение приложений

Кривые характеристик полевого МОП-транзистора IRF730 Выходные характеристики полевого МОП-транзистора IRF730

На рисунке показаны выходные характеристики полевого МОП-транзистора IRF730, а график построен между током стока и напряжением сток-исток.

График показывает, что при каждом значении напряжения стока ток стока увеличивается с фиксированной скоростью, а кривая показывает, что в конце он становится постоянным.

Безопасная рабочая область IRF730 MOSFET

На рисунке показана безопасная рабочая область IRF730 MOSFET, график будет построен с различными электрическими характеристиками, такими как ток стока, напряжение сток-исток и сопротивление сток-исток в открытом состоянии.

Похожие сообщения

МОП-транзистор

CS630 MOSFET Спецификация, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификация

Byadharsh

CS630 N-канальный МОП-транзистор Спецификация CS630 MOSFET Это N-канальный МОП-транзистор Напряжение сток-исток (Vds) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 30В От затвора до порогового напряжения…

Подробнее CS630 MOSFET Лист данных, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификацияПродолжить

МОП-транзистор

Техническое описание

BSS138 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация

Byadharsh

BSS138 MOSFET Спецификация BSS138 MOSFET BSS138 — это N-канальный полевой транзистор с улучшенным логическим уровнем. Напряжение сток-исток (VDSS) составляет 50 В. Напряжение затвор-исток (VGSS) составляет +/-…

Подробнее Техническое описание BSS138 MOSFET: эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить

МОП-транзистор

IRF5210 MOSFET: распиновка, спецификация, аналог, даташит

Byadharsh

IRF5210 MOSFET Спецификация IRF5210 MOSFET IRF5210 представляет собой устройство с кремниевым затвором POWER MOSFET с P-каналом. Подробнее IRF5210 MOSFET: распиновка, спецификация, эквивалент, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

IRF9630 MOSFET: аналог, распиновка, спецификация, техническое описание

Byadharsh

IRF9630 MOSFET Спецификация IRF9630 IRF9630 представляет собой транзисторный транзистор POWER MOSFET с кремниевым затвором в режиме улучшения P-канала. Напряжение сток-исток (VDS) составляет -200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В…

Подробнее IRF9630 MOSFET: эквивалент, распиновка, спецификация, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

P60NF06 MOSFET: аналог, спецификация, распиновка, техническое описание

Byadharsh

P60NF06 MOSFET Спецификация P60NF06 P60NF06 — N-канальный кремниевый POWER MOSFET. Напряжение сток-исток (VDS) составляет 60 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порога…

Подробнее P60NF06 MOSFET: аналог, спецификация, распиновка, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

IRF620 MOSFET: распиновка, аналог, спецификация, спецификация

Byadharsh

IRF620 MOSFET Спецификация IRF620 IRF620 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор Напряжение сток-исток (VDS) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порогового напряжения…

Подробнее IRF620 MOSFET: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
1N3070 ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
Центральный полупроводник
ПДФ
1N3595 КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД С НИЗКОЙ УТЕЧКОЙ
Центральный полупроводник
ПДФ
1N3600 Быстродействующий выпрямитель
Полупроводник Нью-Джерси
ПДФ
1N4148 Быстродействующие диоды
Филипс
ПДФ
1N4150 Кремниевый переключающий диод
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4151 КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4152 КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4153 КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4154 КРЕМНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4444 КРЕМНИЕВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4446 КРЕМНИЕВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
Центральный полупроводник
ПДФ
1N4446 Малый сигнальный диод
Фэирчайлд Полупроводник
ПДФ
1N4446 Быстродействующие диоды
Филипс
ПДФ
1N4447 КРЕМНИЕВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД
Центральный полупроводник
ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *