Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ практичСскоС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² элСктронных схСмах

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ источник ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ источники ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. КакиС Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ схСм источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ источники ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² элСктроникС. Π§Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ источники ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ источник ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ИБВ) — это элСктронноС устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ обСспСчиваСт постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ нСзависимо ΠΎΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ напряТСния питания. Основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ИБВ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² использовании большого Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ источник ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°? Рассмотрим ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΡƒΡŽ схСму:

  • Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ΡΡ источник напряТСния ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ рСзистор большого Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°
  • К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ схСмы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°
  • Π’ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ опрСдСляСтся Π² основном большим рСзистором ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π΅ остаСтся практичСски постоянным. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ИБВ.


ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ схСм источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

БущСствуСт нСсколько основных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² схСм для построСния источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ схСма Π½Π° рСзисторС

Π­Ρ‚ΠΎ базовая схСма, состоящая ΠΈΠ· источника напряТСния ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора большого Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… измСнСниях Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½Π° биполярном транзисторС

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ свойство биполярного транзистора ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с рСзистивной схСмой.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π°

Π£ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ схСма Π½Π° биполярных транзисторах, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ эмиттСрный рСзистор для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ характСристик.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π½Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь для поддСрТания постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ задания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° находят ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… областях элСктроники:


  • Π’ схСмах смСщСния Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов (транзисторов, Π»Π°ΠΌΠΏ)
  • Для питания свСтодиодов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²
  • Π’ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅
  • Π’ схСмах заряда аккумуляторов
  • Π’ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ для построСния высококачСствСнных усилитСлСй

ИспользованиС ИБВ позволяСт ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСмСнтов схСмы нСзависимо ΠΎΡ‚ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ основноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ источника ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ источника ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния?

  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ постоянноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ
  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ постоянный Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° источника зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ. НапримСр, для питания микросхСм ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ источники ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° для питания свСтодиодов — источники ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° использования источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² элСктронных схСмах Π΄Π°Π΅Ρ‚ ряд прСимущСств:


  • ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ линСйности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов
  • Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ зависимости ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² схСмы ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ задания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ помСхоустойчивости схСм

ВсС это позволяСт ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ характСристики ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронных устройств.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ расчСта ΠΈ настройки источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ схСм источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ряд Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²:

  • Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² стабилизации
  • РасчСт Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² элСмСнтов с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ разброса ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²
  • ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ
  • Π£Ρ‡Π΅Ρ‚ влияния ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² элСмСнтов
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ настройки для достиТСния Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ точности

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ расчСт ΠΈ настройка ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ характСристиками.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ источники ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π’ настоящСС врСмя Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ спСциализированныС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы для построСния источников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:


  • LM134/234/334 — ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • LM317 — Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ стабилизатор Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • TL431 — ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния

ИспользованиС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… микросхСм позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ схСмотСхнику ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Они находят ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² соврСмСнной элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅.


Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π°

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π° являСтся Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ основной схСмы двухтранзисторного Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π°, которая содСрТит Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эту схСму для Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ слабых Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², примСняя Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ срСдних Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ².

Π’ схСмС Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ биполярныС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (МОП — транзисторы), ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ использования этого источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ 741, Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€ примСнял свой источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… конструкциях.

Π­Ρ‚Π° схСма Π±Ρ‹Π»Π° Π½Π°Π·Π²Π°Π½Π° Π² Ρ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‘ изобрСтатСля, Π‘ΠΎΠ±Π° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π°, ΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° Π·Π°ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π² 1967 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ.

Анализ схСмы

Рис. 1. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π°

На рисункС 1 ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° схСма источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π° Π½Π° биполярных транзисторах, здСсь рСзистор R2 установлСн Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора VT2, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор VT2, ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшим ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ транзистора VT1. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ этой схСмы являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° рСзисторС R2 вычитаСтся ΠΈΠ· напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзистора VT2, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ проводимости этого транзистора ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с транзистором VT1. Π­Ρ‚ΠΎ наблюдСниС выраТаСтся равСнством Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… напряТСний с ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… сторон схСмы ΠΈΠ· рисунка 1:

VB = VBE1 = VBE2+(Ξ²2+1) * IB2 * R2 ,

Π³Π΄Π΅ Ξ²2 — это Ξ² (коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ) Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ отличаСтся ΠΎΡ‚ Ξ² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈΠ·-Π·Π° тСхнологичСского разброса ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ отчасти ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ силы Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Π° транзистора сильно ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. IB2 — это Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, VBE — это напряТСниС Π±Π°Π·Π° — эмиттСр. Из этого уравнСния слСдуСт (ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ для ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²):

(Ξ²2+1) * I B2 = (1 + 1 / Ξ²2) * IC2 = (VBE1 — VBE2) / R2 = VT / R2 * ln(IC1 * IS2 / (IC2 * IS1)) ,

Π³Π΄Π΅ VT — Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС.

Из этого уравнСния ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ IS1, IS2, это ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² любой силы, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ…, значСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… находятся Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ отсСчки. Π’ дальнСйшСм Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, хотя эта Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Π° Π² случаС использования транзисторов с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌΠΈ областями.

Рис. 2. Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π°
Π½Π° транзисторах КВ503А.

Рассмотрим практичСский ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π’ΠΈΠ΄Π»Π°Ρ€Π° (рис. 2). Π—Π΄Π΅ΡΡŒ опорная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ питаСтся ΠΎΡ‚ источника +Vcc напряТСниСм 10,75 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ 10 мА (ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии рСзистора R1 = 1 кОм), Π° Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ — ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора VT2 Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ ΠΎΡ‚ источника VA напряТСниСм = 25 Π’.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ 20 мА (R1 = 0,5 кОм) ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниС эмиттСрного рСзистора R2:

R2, ОмВок эмиттСра VT2, мА
025,56
116,07
105,06
1000,95

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅Π»Π°Π΅ΠΌ для ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 10 мА (R1 = 1 кОм):

R2, ОмВок эмиттСра VT2, мА
012,8
19,4
103,6
1000,8

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ², Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния рСзистора R2 сущСствСнно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии эмиттСрного рСзистора R2 Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 25,56/12,8 = 1,99 β‰ˆ 2, Π° Π² случаС ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° сопротивлСниС R2 Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 100 Ом ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… эмиттСрных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² станСт Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0,95/0,8 = 1,18, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅ΠΌ большС сопротивлСниС эмиттСрного рСзистора, Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

BACK MAIN PAGE

10.4. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

НСизмСнноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, нСзависимоС ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Β­ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ (Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ), ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Β­Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с бСсконСчно большим динамичСским сопротивлСниСм, ВАΠ₯ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Π° оси напряТСния (рис. 10.14). ВАΠ₯ Ρ€Π΅Β­Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° приблиТаСтся ΠΊ ВАΠ₯ идСального Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Β­Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π΅Π³ΠΎ динамичСскоС сопротивлСниС хотя ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большоС, Π½ΠΎ Π½Π΅ бСсконСчно большоС.

Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ выходная характСристика биполярного транзи­стора Π² схСмС с ΠžΠ‘ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠ° ΠΊ ВАΠ₯ идСального Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘Π»Π΅Β­Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, транзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Β­Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, прак­тичСски ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΒ­Ρ†ΠΈΡŽ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Однако Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π½Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½, Π° Π΄Π²Π° ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΒ­Ρ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ большого динамичСского сопротивлСния, Π½ΠΎ ΠΈ ΡΠ»Π°Π±ΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΒ­ΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ самого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ напряТСния источников питания ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ элСмСнтов схСмы.

РасчСт динамичСского сопротивлСния сводится ΠΊ расчСту Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Β­Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния транзисторного каскада ΠΏΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ эк­вивалСнтным схСмам, ΠΊΠ°ΠΊ это дСлалось ΠΏΡ€ΠΈ рассмотрСнии ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Β­Ρ€ΠΎΠ² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π² Β§ 10.1.2. РасчСт ΠΆΠ΅ влияния эксплуатационных Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ уравнСниям Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² биполярного транзистора Π² статичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ (ΠΏΠΎ статичСской ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ЭбСрса — Молла).

НаиболСС сущСствСнной ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (смСщС­ния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ) источника ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ИБВ) являСтся тСм­пСратурная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² элСмСнтов Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. ВСмпСра­турная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² основном Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° , ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ статичСского коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² ИБ, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сущСст­вСнного значСния, поэтому тСмпСратурная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ каскадов опрСдСляСтся Π² основном измСнСниямии. ВСмпСратурная Π½Π΅Β­ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ каскадов Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах обусловлСна ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Β­Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния отсСчки (ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния) ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ ха­рактСристики. ВСмпСратурная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… рСзи­сторов зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ характСризуСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэф­фициСнтом сопротивлСния (ВКБ).

Π’ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… схСмах нСобходимая ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΒ­ΠΊΠ° достигаСтся ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ классичСской элСктроники ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΒ­Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. Π’ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ИБ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большиС возмоТности использования рСзисторов с большими сопротивлСни­ями, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ИБ.

На рис. 10.15 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ нСсколько простых Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² схСм ис­точников ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΒ­Π²Ρ‹Ρ… ИБ [30]. На основС этих схСм Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ слоТныС схСмы ИБВ.

Бамая простая схСма ИБВ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 10.15,Π°. Π­Ρ‚ΠΎ схСма транзисторного каскада, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ задаСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ дСлитСля ΠΈ , Π° Π² эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ имССтся рСзистор , ΠΎΡΠ»Π°Π±Π»ΡΒ­ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ влияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (см. Β§ 10.1.2). Бо­противлСния ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Β­Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π» Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ этом случаС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ тран­зистора, приводящСС ΠΊ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ напряТСнияЕо Π½Π° рСзисторС , ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТС­ниС транзистора, Π΄Π° ΠΈ сам расчСт становится ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Β­Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ <<ΠΈ

(10.41)

Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, . ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ стабилизируСмый Ρ‚ΠΎΠΊ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ (10.41)

(10.42)

Если Π±Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ , Ρ‚ΠΎ

(10. 43)

ΠŸΡ€ΠΈ Π° = 1 , Ρ‚.Π΅. Ρ‚ΠΎΠΊ повторяСт (Β«ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚Β») Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ. Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС. Вакая связь Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΈΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ схСмы Β«Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π΅Ρ€Β­ΠΊΠ°Π»ΠΎΒ» ΠΈΠ»ΠΈ Β«ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Β».

Из выраТСния (10.42) слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… сопротивлС­ниях Ρ‚ΠΎΠΊ ИБВ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΈ, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π½Π° . Ес­ли напряТСниС источникастабилизировано, Ρ‚ΠΎ останСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ влияниС Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. ВСмпСратурная Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ на­пряТСния ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π‘Π’ (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π° 1Β°Π‘) составляСт

(10.44)

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡΡ‚Π°Β­Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ постоянным. ΠΠ΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, связанная с Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΒ­ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ опрСдСляСмая Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ слагаСмым Π² (10.42),

(10.45)

Π§Π΅ΠΌ большС сопротивлСниС рСзистора Π² эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ= 1 кОм

= 2,5 ΠΌΠ’/Β°Π‘ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ = 1Β°Π‘= 2,5 мкА.

ДинамичСскоС сопротивлСниС Π² ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ схСмС, рассчитанноС ΠΏΠΎ малосигнальной эквивалСнтной схСмС ΠΏΡ€ΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ… = 30 Ом,= 3Β·104, = –0,99,= 3Β·10 -7 Π‘ΠΌ, сопротивлСнии = 1 кОм ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ сопротивлСнии Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ = 1 кОм оказываСтся Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ 1 МОм.

На рис. 10.15 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ схСмы ИБВ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Π΅ΠΌ схСма Π½Π° рис. 10.15,Π° [30]. Π­Ρ‚ΠΈ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ компСнсационный Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ – ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ бипо­лярный транзистор Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ.

Π’ схСмС Π½Π° рис. 10.15,Π± имССтся ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ транзистор , Π½ΠΎ Π² ΠΎΡ‚Β­Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ схСмы Π½Π° рис. 10.15,Π° ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ рСзисторы ΠΈ. Если ΠΎΠ±Π° транзистора ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈΠΈ(). Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ

(10.46)

ВСмпСратурная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Β­Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ напряТСния(ΠΎΠ΄ΠΈΒ­Π½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов). Однако ΠΎΠ½Π° зависит ΠΈ ΠΎΡ‚ сопро­тивлСния. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ св Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ (10.42) Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ.

Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° достигаСтся Π² схСмС Π½Π° рис. 10.15,Π± ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊ транзисторам, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Β­Π΄ΡŒΡŽ эмиттСрных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ():

(10.47)

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ достигаСт пяти. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ , Ρ‚ΠΎ

(10.48)

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ вмСсто (10.46) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ

(10.49)

Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сниТСнию Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π²Ρ‚ΠΎΒ­Ρ€Ρ‹ΠΌ слагаСмым, Π² b Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ со схСмой с ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами. НСдостатком схСмы являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ фиксация Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² опрСдСляСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄Π΅ΠΉ эмиттСров, Π° Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅Β­Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пяти. Когда ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ос­новноготоков Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ пяти, рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° рис. 10.15,Π². Π’ Π½Π΅ΠΉ снова ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΒ­Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ транзисторы(b=1), Π½ΠΎ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΒ­ΡˆΠ΅ΠΉ схСмы (рис. 10.15,Π°) отсутствуСт рСзистор . Π£Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠšΠΈΡ€Ρ…Π³ΠΎΡ„Π° для Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° схСмы

(10.50)

Основной Ρ‚ΠΎΠΊ , Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ. Π’ качСствС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ транзистор Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ. Как ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‚.Π΅. Π’Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ (10.50) ΠΌΠΎΠΆΒ­Π½ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ , ΠΎΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° слСдуСт

(10. 51)

Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ выраТСния (10.42) тСмпСратурная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ опрСдСляСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ разности ΠΈ. Π­Ρ‚Π° Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Ссли Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Β­Π½Ρ‹Π΅ эмиттСрныС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ проходят ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ (), Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ=. Но это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вмСсто выраТС­ния (10.51) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅

(10.52)

Однако слСдуСт Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ тСмпСратурная Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всС-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ останСтся, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ зависит ΠΎΡ‚ Π² соот­вСтствии с Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ

(10.53)

Π½ΠΎ эту Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΠ»Π°Π±ΠΈΡ‚ΡŒ, Ссли . Π’ΠΎΠ³Π΄Π°

Π’ рядС ИБ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ИБВ с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ большом Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (). Π’ этих случаях ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ схСму, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° рис. 10.15,Π³. Для этой схСмы

(10.54)

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ВАΠ₯ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (3. 40), ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ

(10.55)

гдС– Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Из Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ (10.54) ΠΈ (10.55) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ

(10.56)

По Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· (10.56) Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ со­противлСниС эмиттСрного рСзистора:

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… (дСсятки ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€) для ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… эмиттСров ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ сопротивлСниС достигаСт 1 МОм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠΌΠΎ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΈ Π² этой схСмС ΠΈΡΒ­ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы с Π½Π΅ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ площадями эмиттСров (= 1 …5), Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС рСзистора.

НаконСц, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТныС схСмы, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° рис. 10.15, с Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌΠΈ характСристиками.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° – ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ руководство ΠΏΠΎ созданию Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСм Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π£ нас Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ нСсколько элСктронных схСм, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ схСмы ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ усилитСли, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ; ВикипСдия Β 

НашС схСмноС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ здСсь прСдставляСт собой источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Но Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ схСмы? И ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½?

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ углубимся Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°?

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° прСдставляСт собой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ энСргии, Π²Ρ‹Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ высокоС Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ½ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅, ΠΈΠ·-Π·Π° своСго высокого Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния.

Часто это ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ Π² цСпях Π±Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π“Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ источника постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, нСсмотря Π½Π° измСнСния сопротивлСния ΠΈΠ»ΠΈ напряТСния, Π²Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ постоянСн.

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°?

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² своСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° дСлСния. Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ; Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ высокоС сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ наимСньшСго сопротивлСния, Ρ‚. Π΅. ΠΎΡ‚ большого Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния ΠΊ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ схСматичСскоС объяснСниС;

На нашСй ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 40 мА (ΠΈΠ· ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ дСлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 40 мА ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ с наимСньшим сопротивлСниСм, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊ рСзистору 5 кОм. Напротив, Ρ‚ΠΎΠΊ 10 мА слСдуСт ΠΏΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ большСго сопротивлСния, 15 кОм.

ЦСпь дСлитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” пСрвая Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°

На нашСй Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСний ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя рСзисторами, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ дСлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρƒ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ рСзисторы Π½Π° 49 кОм ΠΈ 1 кОм, большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· 1 кОм. РСзистор 49 кОм Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ·-Π·Π° Π΅Π³ΠΎ большого сопротивлСния.

ЦСпь дСлитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” вторая Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°

Π§Ρ‚ΠΎ, Ссли ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΌ сопротивлСниС ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΎ бСсконСчности?

Устройство/источник идСального Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

На схСмС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ имССтся Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 8 Ом ΠΈ бСсконСчноС сопротивлСниС. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, рСзистор 8 Ом ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ наибольший Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ наимСньшСС сопротивлСниС. Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ с бСсконСчным Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниСм, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большоС сопротивлСниС.

ЦСпь источника постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠœΡ‹ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ нСсколько элСктронных схСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° постоянных Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ….

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с рСзистором

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° содСрТит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ рСзистор. Часто Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Ρ‚Π°ΠΌ, Π³Π΄Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΈΠΆΠ΅ напряТСния источника.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ваши рСзисторы Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ бСсконСчноС сопротивлСниС, Π° источник напряТСния — бСсконСчноС напряТСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Однако Π² практичСском ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ сопротивлСниС ΠΈ напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ постоянными ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма источника постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с рСзистором 

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° источника постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с использованиСм транзистора

ИспользованиС транзистора вмСстС с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ рСзисторы, ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ эффСктивный источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² вашСй транзисторной схСмС Π² B Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ вашСго ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ транзисторС

ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ достаточного напряТСния для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· устройство Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ, Π½Π΅Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΡƒΡŽ ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° простого стабилизированного источника Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π’Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ нСсколько элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² своСй Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹ смоТСтС ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ колСбания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ·-Π·Π° измСнСния напряТСния питания.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ транзисторный источник Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с использованиСм стабилитрона

Π Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρƒ R2 Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ стабилитроном. Π’ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ источника постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° лишь Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ постоянноС ΠΈΠ·-Π·Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π¦Π΅ΠΏΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсациСй источник.

Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ схСмС ΠΌΡ‹ использовали транзисторы PNP ΠΈ NPN (транзисторы с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ ΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ, Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ падСния напряТСния Vbe, TR2 компСнсируСт измСнСния Π² TR1.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅; Π—Π΄Π΅ΡΡŒ R3 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° TR1, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·Π° TR2 Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ транзисторов Π² схСму ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ устройства, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ тСрмоэмиссионныС Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ/Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. Однако ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° напряТСниСм. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ваша схСма ΠΈ устройство смСщСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этой Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

LM334, LM317, TL431 Π¦Π΅ΠΏΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ LM344 являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ источником постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Он Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с уровнями Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ 1 мкА Π΄ΠΎ 10 мА, опрСдСляСмыми сбросом внСшнСго рСзистора, ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ характСристик ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания.

Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Ρƒ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ рСгулятор напряТСния LM317. Π­Ρ‚ΠΎ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с трСмя ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ всСго 1 Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма рСгулятора напряТСния LM317

НаконСц, Π΅ΡΡ‚ΡŒ устройство TL431. Помимо Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это пСрСмСнная с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсациСй, ΠΎΠ½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ поставляСтся Π² нСбольшом корпусС TO-92. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² качСствС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ/источника напряТСния, Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма TL431C

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ; ВикипСдия Β 

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅; ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ использованиСм Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ всСгда измСряйтС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΡƒΠ·Π»Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС.

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ источником питания постоянного напряТСния ΠΈ источником питания постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°?

Устройства элСктропитания часто ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ двумя способами: ΠΎΡ‚ источников Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ источников постоянного напряТСния. ЗадСйствованными цСпями питания ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ источник питания постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ источник питания постоянного напряТСния.

Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ постоянного напряТСния прСдставляСт собой схСму, Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΎ постоянного уровня Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Благодаря этому, нСсмотря Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ устойчиво ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ постоянноС напряТСниС Π±Π΅Π· Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ (ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник напряТСния).

Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, источник питания постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (Π° Π½Π΅ напряТСниС) Π½Π° постоянном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅. ΠŸΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°ΡΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π΅Π³ΠΎ примСнСния являСтся свСтодиодноС освСщСниС. Если Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ колСблСтся, соотвСтствСнно измСняСтся ΠΈ ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ свСтодиода.

Π‘ΠΈΠ½ΠΈΠΉ свСтодиод.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅, источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° обСспСчиваСт ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, нСсмотря Π½Π° колСбания ΠΈ измСнСния сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ΠΈ часто идСально подходят для ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств, элСктромагнитных ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΉ, систСм солнСчной энСргии ΠΈ систСм усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ°.

Если Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ свою Ρ†Π΅ΠΏΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ схСм Π² постС. Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ Ρ€Π°Π·ΡŠΡΡΠ½Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ»ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ вопросы, Π²Ρ‹ всСгда ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π½Π°ΠΌ Π·Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” PS Audio

НСкоторыС ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… схСмных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² аудиосистСмС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ самыми простыми. Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠ΅ΠΌ, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Если ΠΌΡ‹ посмотрим Π½Π° простой однокаскадный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ довольно простым: ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор (Q1) ΠΈ нСсколько рСзисторов. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ значСния этих рСзисторов ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ усилСниС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΡ‹ Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ аудиосигнал β€” слабый сигнал, Π° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π²Π΅Ρ€ΡΠΈΡŽ этого сигнала. Π›Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΠΈΠ·Π΄Π΅Ρ†. Π­Ρ‚ΠΎ основа Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ схСмы дискрСтных усилитСлСй.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ транзистор (Q2) ΠΈ Π΅Ρ‰Π΅ нСсколько рСзисторов, ΠΈ этот однокаскадный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ станСт Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ. ΠŸΠΎΠ΄Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ этой Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Π½Π° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ транзистор (Q3) ΠΈ связанныС с Π½ΠΈΠΌ рСзисторы, ΠΈ вуаля! ΠœΡ‹ сдСлали простой дискрСтный ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. НаконСц, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π΅Ρ‰Π΅ нСсколько транзисторов (Q4 ΠΈ Q5) Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ этого простого усилитСля, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ Π΄Π°Π²Π°Π»ΠΈ больший Ρ‚ΠΎΠΊ (ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π»ΠΈ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π½ΠΈΠΌ), ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρƒ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π·Π²ΡƒΡ‡Π°Ρ‰ΠΈΠΉ дискрСтный ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ: исходная основа всСх Ρ„ΠΎΠ½ΠΎ- ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… прСдусилитСлСй PS Audio. (Π”Π²Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° D1 ΠΈ D2 Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ смСщСниС для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада).

Β 

Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ Π·Π²ΡƒΡ‡Π°Π½ΠΈΠ΅, Π΄Π°, Π½ΠΎ с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ простым Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ эта схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ Π·Π²ΡƒΡ‡Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅. На самом Π΄Π΅Π»Π΅, простоС Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ»ΠΎ эту Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΡƒΡŽ схСму Π² Π½Π΅Ρ‡Ρ‚ΠΎ довольно экстраординарноС (Π² Ρ‚ΠΎ врСмя).

Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΈ 1970-Π΅, самоС Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ нашСго ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ, ΠΈ вся эта дискрСтно-аналоговая Ρ‡Π΅ΠΏΡƒΡ…Π° Π±Ρ‹Π»Π° Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ. ΠœΡ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Ρ†Π°ΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Π²ΡˆΠΈΠΌΠΈΡΡ сквозь заросли Π½Π΅ΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ. КоллСга-ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ ΠΈΠ»ΠΈ звукорСТиссСр ΡˆΠ΅ΠΏΡ‚Π°Π» Π½Π°ΠΌ Π½Π° ΡƒΡ…ΠΎ ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ-Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΎΠ± ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСктролитичСских ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΊ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΊ), ΠΈ всС Π² нашСм ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΌ ΠΊΡ€ΡƒΠ³Ρƒ Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π°Π±Ρ€Π°ΡΡ‹Π²Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π»ΠΈ ΡƒΡΠ»Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρƒ. Если это ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, это стало Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ-Π΅Π²Π°Π½Π³Π΅Π»ΠΈΠ΅ΠΌ.

ΠœΡ‹ Π·Π½Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π΄Π²Π° транзистора, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ, Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ транзисторы Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ источнику питания Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· простыС рСзисторы, Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ/Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал заставлял эти транзисторы постоянно ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π΅ ΠΏΠΎ струнС Π½Π° записи. Нам Π±Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π»ΠΎΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эти Π΄Π²Π° устройства ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π» постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, смСщСниС класса А). Если Π±Ρ‹ это Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ Π·Π°Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ малСнькой схСмы для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π²ΡƒΡ‡Π°Π»ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, ΠΈ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ измСнится ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΈΡ…ΠΎΠΉ ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ΅.

Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹Π» святой Π“Ρ€Π°Π°Π»ΡŒ.

ΠšΡ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΏΡ‚Π°Π» Π½Π°ΠΌ Π½Π° ΡƒΡ…ΠΎ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚. Β«Π¨ΡˆΡˆβ€¦ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚. Один транзистор, ΠΏΠ°Ρ€Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ рСзистор ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π²Π° ΠΈ вуаля!Β»

Ни Ρ…Ρ€Π΅Π½Π°. Π£Ρ… Ρ‚Ρ‹.

ΠŸΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡƒ. Π’ΠΈΠ΄ΠΈΡˆΡŒ R2 (47K)? Если Π±Ρ‹ ΠΌΡ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ»ΠΈ этот рСзистор ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ сконфигурированным транзистором, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ постоянной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ класса А Π½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π΅. Π’ΠΎΡ‚ Π½Π΅Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΅Π΅.

Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° использования свСтодиода вмСсто Π΄Π²ΡƒΡ… ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² для смСщСния транзистора, Π½ΠΎ идСя Ρ‚Π° ΠΆΠ΅. Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ рСзистора RB, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ транзистор, поэтому ΠΎΠ½ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. НиТний рСзистор, RE, опрСдСляСт, сколько Ρ‚ΠΎΠΊΠ° постоянно ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот транзистор.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *