Кс512А характеристики: КС512А металл, Стабилитрон кремниевый малой мощности, СЗТП

Содержание

Стабилитрон КС512А

Количество драгоценных металлов в стабилитроне КС512А согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах КС512А.

Стабилитрон КС512А количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,00008 грамм.
Серебро: 0,00001 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: Из справочника Связь-Инвест.

Справочник содержания ценных металлов из другого источника:

Стабилитроны КС512А теория

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.

 

Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Стабилитроны КС512А Принцип действия

Советские и импортные стабилитроны

Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:

Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его. С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).

В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.

Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.


Область применения стабилитрона КС512А

Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.

Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.

Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.

Маркировка стабилитронов КС512А

Маркировка стабилитронов

 

Есть информация о стабилитроне КС512А – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото Стабилитрон КС512А:

Предназначение Стабилитрон КС512А.

Характеристики Стабилитрон КС512А:

Купить или продать а также цены на Стабилитрон КС512А (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне КС512А вы можете в комментариях ниже:

КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А, 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Стабилитроны кремниевые планарные: КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А, 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса стабилитрона не более 1 гр.

Чертёж стабилитрона КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А, 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А

Электрические параметры.

Напряжение стабилизации номинальное при 29,85°С, Iст=5 мА
2С482А, КС482А 8,2 В
2С510А, КС510А 10 В
2С512А, КС512А 12 В
2С515А, КС515А 15 В
2С518А, КС518А 18 В
2С522А, КС522А 22 В
2С524А 24 В
2С527А, КС527А 27 В
2С530А 30 В
2С536А 36 В
Разброс напряжения стабилизации при Iст=5 мА
при 29,85°С
КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А,
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С527А
±10%
2С524А, 2С530А, 2С536А ±5%
при -60,15°С
2С482А, КС482А От 6,9 до 9 В
2С510А, КС510А От 8,2 до 11 В
2С512А, КС512А От 9,9 до 13,2 В
2С515А, КС515А От 12,3 до 16,5 В
2С518А, КС518А От 14,7 до 19,8 В
2С522А, КС522А От 17,9 до 24,2 В
2С524А От 20,5 до 25,2 В
2С527А, КС527А От 22,0 до 29,7 В
2С530А От 25,8 до 31,5 В
2С536А От 30,8 до 37,8 В
при 99,85°С
КС482А От 7,4 до 9,7 В
КС510А От 9,0 до 12,0 В
КС512А От 10,8 до 14,5 В
КС515А От 13,5 до 18,1 В
КС518А От 16,2 до 21,7 В
КС522А От 19,8 до 26,6 В
КС527А От 24,3 до 32,6 В
при 124,85°С
2С482А От 7,4 до 9,7 В
2С510А От 9 до 12 В
2С512А От 10,8 до 14,5 В
2С515А От 13,5 до 18,1 В
2С518А От 16,2 до 21,7 В
2С522А От 19,8 до 26,6 В
2С524А От 22,8 до 27,9 В
2С527А От 24,3 до 32,6 В
2С530А От 28,5 до 34,6 В
2С536А От 34,2 до 42,0 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации в диапазоне рабочих температур, не более
2С482А, КС482А 0,08%/К
КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А, 2С510А, 2С512А, 2С515А,
2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
0,1%/К
Временна́я нестабильность напряжения стабилизации
±1,5%
Постоянное прямое напряжение при 24,85°С, Iпр=50 мА, не более 1 В
Постоянный обратный ток при 24,85°С, Uобр=0,7Uст. ном. для 2С482А, 2С510А, 2С512А,
2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А, не более
20 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более
при 24,85°С, Iст=1 мА
КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А, 2С482А, 2С510А,
2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А
200 Ом
2С536А 240 Ом
при 24,85°С, Iст=5 мА
2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А, 2С515А, КС515А, 2С518А,
КС518А, 2С522А, КС522А
25 Ом
2С524А 30 Ом
2С527А, КС527А 40 Ом
2С530А 45 Ом
2С536А 50 Ом
при -60,15°С, Iст=5 мА
2С482А, КС482А, 2С510А, КС510А, 2С512А, КС512А, 2С515А, КС515А, 2С518А,
КС518А, 2С522А, КС522А
50 Ом
2С524А 60 Ом
2С527А, КС527А 80 Ом
2С530А 90 Ом
2С536А 100 Ом
при 99,85°С, Iст=5 мА
КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А 50 Ом
КС527А 65 Ом
при 124,85°С, Iст=5 мА
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А, 2С522А, 2С524А 50 Ом
2С527А 65 Ом
2С530А 70 Ом
2С536А 75 Ом

Предельные эксплуатационные данные.

Минимальный ток стабилизации 1 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре
от -60,15 до 34,85°С
2С482А 96 мА
2С510А 79 мА
2С512А 67 мА
2С515А 53 мА
2С518А 45 мА
2С522А 37 мА
2С524А 33 мА
2С527А 30 мА
2С530А 27 мА
2С536А 23 мА
от -60,15 до 49,85°С
КС482А 96 мА
КС510А 79 мА
КС512А 67 мА
КС515А 53 мА
КС518А 45 мА
КС522А 37 мА
КС527А 30 мА
при 99,85°С
КС482А 20 мА
КС510А 16 мА
КС512А 14 мА
КС515А 11 мА
КС518А 9 мА
КС522А 7,5 мА
КС527А 6 мА
при 124,85°С
2С482А 20 мА
2С510А 16 мА
2С512А 14 мА
2С515А 11 мА
2С518А 9 мА
2С522А 7,5 мА
2С524А 7 мА
2С527А 6 мА
2С530А 5,5 мА
2С536А 5 мА
от -60,15 до 34,85°С при ρ=665 Па
2С482А 48 мА
2С510А 39,5 мА
2С512А 33,5 мА
2С515А 26,5 мА
2С518А 22,5 мА
2С522А 18,5 мА
2С524А 16,5 мА
2С527А 15 мА
2С530А 13,5 мА
2С536А 11,5 мА
при 124,85°С при ρ=665 Па
2С482А 10 мА
2С510А 8 мА
2С512А 7 мА
2С515А 5,5 мА
2С518А 4,5 мА
2С522А 3,8 мА
2С524А 3,5 мА
2С527А 3 мА
2С530А 2,7 мА
2С536А 2,5 мА
Рассеиваемая мощность при температуре
от -60,15 до 34,85°С для 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
1 Вт
от -60,15 до 49,85°С для КС482А, КС510А, КС512А, КС515А,
КС518А, КС522А, КС527А
1 Вт
при 99,85°С для КС482А, КС510А, КС512А, КС515А,
КС518А, КС522А, КС527А
0,2 Вт
при 124,85°С для 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
0,2 Вт
от -60,15 до 34,85°С, ρ=665 Па для 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
0,5 Вт
при 124,85°С, ρ=665 Па для 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
0,1 Вт
Температура окружающей среды
2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
От -60,15 до 124,85°С
КС482А, КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС527А От -60,15 до 99,85°С
Температура перехода для 2С482А, 2С510А, 2С512А, 2С515А, 2С518А,
2С522А, 2С524А, 2С527А, 2С530А, 2С536А
149,85°С

Зависимость дифференциального сопротивления от тока.

Зависимость дифференциального сопротивления от тока.


КС512А Стабилитрон 12V. (10,8... 13,2 В) Корпус КД8

 

КС512А
Стабилитроны КС512А кремниевые, планарные, средней мощности.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 12 В в диапазоне токов стабилизации 1...67 мА.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип стабилитрона приводится на корпусе.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом).
Тип корпуса: КД-8.
Масса стабилитрона не более 1 г.
Технические условия: аА0.336.002 ТУ.

Основные технические параметры стабилитрона КС512А:
• Номинальное напряжение стабилизации: 12 В при Iст 5 мА;
• Разброс напряжения стабилизации: 10,8... 13,2 В;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1 %/°С;
• Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %;
• Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА;
• Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 67 мА;
• Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт;
• Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С

Характеристики стабилитронов КС510А, КС512А, КС515А, КС518А, КС522А, КС524А, КС527А:

Тип стабилитрона Uст. αUст. Uпр. (при Iпр.) rст. Iст. Рmax Тк.max (Тп.) Т окр.
мин ном макс Iст.ном. мин макс
В В В мА %/С В (мА) Ом мА мА Вт °С °С
КС510А 9 10 11 5 0,1 1 (50) 25 1 79 1 100 -60… +100
КС512А 10,8 12 13,2 5 0,1 1 (50) 25 1 67 1 100 -60… +100
КС515А 13,5 15 16,5 5 0,1 1 (50) 25 1 53 1 100 -60… +100
КС518А 16,2 18 19,8 5 0,1 1 (50) 25 1 45 1 100 -60… +100
КС522А 19,8 22 24,2 5 0,1 1 (50) 25 1 37 1 100 -60… +100
КС524А 22,8 24 25,2 5 0,1 1 (50) 30 1 33 1 100 -60… +100
КС527А 24,3 27 29,7 5 0,1 1 (50) 40 1 30 1 100 -60… +100


Условные обозначения электрических параметров стабилитронов:

 

  • Uст. - напряжение стабилизации стабилитрона;
  • αUст. - температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона;
  • Uпр. - постоянное прямое напряжение;
  • Iпр. - постоянный прямой ток;
  • rст. - дифференциальное сопротивление стабилитрона;
  • Iст. - ток стабилизации стабилитрона;
  • Рmax - рассеиваемая мощность стабилитрона;
  • Тк. мах - максимально-допустимая температура корпуса стабилитрона;
  • Тп. мах - максимально-допустимая температура перехода стабилитрона;
  • Т окр. - температура окружающей среды.

 

Стабилитрон: устройство, принцип действия, характеристики

Основой надежной и продолжительной работы электронной аппаратуры является стабильное напряжение питания. Для этого применяют стабилизированные источники питания. Можно сказать, что основным элементом, который определяет уровень выходного напряжения блока питания, это полупроводниковый прибор – стабилитрон. Он может быть как основой линейного стабилизатора, так и пороговым элементом в цепи обратной связи импульсного источника питания. В этой статье мы расскажем читателям сайта Сам Электрик про устройство и принцип работы стабилитрона.

Что это такое

В литературе дается следующее определение:

Стабилитрон или диод Зенера это прибор, предназначенный для стабилизации напряжения в электрических цепях. Работает при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя имеет высокое сопротивление перехода. Протекающие при этом токи незначительны. Широко используются в электронике и в электротехнике.

Если говорить простыми словами, то стабилитрон предназначен для стабилизации напряжения в электронных схемах. В цепь он включается в обратном направлении. При достижении напряжения, превышающего напряжение стабилизации, происходит обратимый электрический пробой pn-перехода. Как только оно понизится до номинала, пробой прекращается, и стабилитрон закрывается.

На нижеприведенном рисунке представлена графическая схема для чайников, позволяющая понять принцип действия диода Зенера.

Основными преимуществами является невысокая стоимость и небольшие габариты. Промышленность выпускает устройства с напряжением стабилизации о 1,8 – 400 В в металлических, керамических или корпусах из стекла. Это зависит от мощности, на которую рассчитан стабилитрон и других характеристик.

Для стабилизации высоковольтного напряжения от 0,4 до нескольких десятков кВ, применяются стабилитроны тлеющего разряда. Они имеют стеклянный корпус и до появления полупроводниковых приборов применялись в параметрических стабилизаторах.

Аналогичными свойствами обладают приборы, меняющие свое сопротивление в зависимости от приложенного напряжения – это варисторы. Между стабилитроном и варистором разница заключается в том, что последний обладает двунаправленными симметричными характеристиками. А это значит, что в отличие от диодов, он не имеет полярности. Кратко варистор предназначен для обеспечения защиты от перенапряжения электронных схем.

Для предохранения аппаратуры от скачков напряжения применяют супрессоры. Между стабилитроном и супрессором отличия заключаются в том, что первый постепенно изменяет свое внутреннее сопротивление в зависимости от приложенного напряжения. Второй при достижении определенного порога напряжения открывается сразу. Т.е. его внутреннее сопротивление стремится к нулю. Основное назначение супрессоров — защита аппаратуры от скачков питания.

На рисунке ниже представлено условно графическое обозначение (УГО по ГОСТ) полупроводника и его вольт-амперная характеристика.

На рисунке цифрами указан участок 1-2. Он является рабочим и предназначен для стабилизации напряжения в цепях. Если прибор включить в прямом направлении, то он будет работать как обычный диод.

Рекомендуем посмотреть следующий видеоролик, чтобы подробнее изучить принцип действия стабилитрона, обозначение элементов и область их применения.

Основные характеристики

При проектировании блоков питания, следует уметь правильно произвести расчет и подобрать по значениям необходимый элемент. Неправильно подобранный стабилитрон сразу выйдет из строя или не будет поддерживать напряжение на необходимом уровне.

Основными характеристиками являются:

  • напряжение Ucт. стабилизации;
  • номинальный ток стабилизации Iст., протекающий через стабилитрон;
  • допустимая мощность рассеивания;
  • температурный коэффициент стабилизации;
  • динамическое сопротивление.

Эти характеристики определены заводом-изготовителем и указываются в справочной литературе.

Условно графическое обозначение на схемах

Все приборы имеют графическое обозначение. Это необходимо, чтобы не загромождать электрическую схему. Стабилитрон имеет свое условно-графическое обозначение, которое утверждено межгосударственным стандартом единого стандарта конструкторской документации (ЕСКД).

На рисунке снизу представлено как обозначается на схеме по ГОСТ 2.730-73, стабилитрон обозначается практически как диод, так как, в сущности, является одной из его разновидностей.

Для правильного включения следует различать, где плюс, где минус. Если смотреть на приведенный выше рисунок, то на нем плюс (анод) расположен слева, а минус (катод) справа. Согласно ЕСКД размеры УГО диодов должны составлять 5/5 мм. Это иллюстрирует рисунок снизу.

Схема подключения

Рассмотрим работу стабилитрона на примере схемы параметрического стабилизатора. Это типовая схема. Приведем формулы для расчета стабилизатора.

Допустим, что имеется 15 Вольт, а на выходе необходимо получить 9 В. По таблице напряжений в справочнике подбираем стабилитрон Д810. Произведем расчет токоограничивающего резистора R1, согласно рисунку ниже. На нем показан токоограничивающий резистор и схема включения. Режим регулирования напряжения отмечен на вольт-амперной характеристике 1,2.

Для того чтобы полупроводник не вышел из строя, необходимо учитывать ток стабилизации и ток нагрузки. Из справочника определяем ток стабилизации.

Он равен 5 мА. На рисунке снизу представлена часть справочника.

Предполагаем, что ток нагрузки равен 100 мА:

R1= (Uвх-Uст)/(Iн+Icт)= (15-9)/(0.1+0.005)=57.14 Ом.

Если нужен мощный стабилизатор, то стоит собирать схему из стабилитрона и транзистора.

Если необходимо изготовить стабилизатор на небольшое напряжение 0,2-1 В, для этого применяется стабистор. Он является разновидностью стабилитрона, но работает в прямой ветви ВАХ и включается в прямом направлении, в чем его уникальная особенность и заключается.

Аналогичным образом можно изготовить блок питания, где стабилизатор изготовлен из диодов. Как и стабистор их включают в прямом направлении. Нужное напряжение набирают прямыми падениями напряжений на диоде, для кремниевых диодов оно находится в пределах 0.5-0.7В. При отсутствии диодов, можно собрать стабилитрон из транзистора.

На нижеприведенном рисунке представлена схема на транзисторе.

Промышленность выпускает и управляемые стабилитроны. Или, точнее сказать, это микросхема – TL431. Это универсальная микросхема, позволяет регулировать напряжение в пределах от 2,5 до 36 вольт.

Регулировка осуществляется путем подбора делителя сопротивлений. На нижеприведенной схеме представлен стабилизатор на 5 вольт. Делитель собран на резисторах номиналом 2,2 К.

Специалист должен знать, как проверить мультиметром работоспособность стабилитрона. Сразу отметим, что проверить можно только однонаправленный элемент, сдвоенные (двунаправленные) такой проверке не подлежат. Если диод Зенера исправен, то при «прозвонке» тестером в одну сторону он будет показывать обрыв, а во вторую минимальное сопротивление. Неисправный звонится в обе стороны.

Маркировка

В зависимости от мощности диода, они выпускаются в различных корпусах. На металлических корпусах большой мощности указывается буквенное обозначение типа прибора.

На нижеприведенных фото представлены приборы советского производства, и как они выглядели.

Сейчас маломощные диоды выпускаются в стеклянных корпусах. Маркировка импортных приборов имеет цветовое обозначение. На корпус наносится маркировка полосами или цветными кольцами.

На нижеприведенном рисунке представлена маркировка SMD-диодов.

Отечественные диоды в стеклянных корпусах маркируют полосами или кольцами. Определить тип и параметры можно по любому справочнику радиоэлектронных компонентов. Например, зеленая полоса обозначает стабилитрон КС139А, а голубая полоса (или кольцо) указывает на КС133А.

На мощных устройствах в металлических корпусах указывается буквенное обозначение, например, Д816, как показано на фото вверху. Это необходимо для того, чтобы знать, как подобрать аналог.

Вот мы и рассмотрели, какие бывают стабилитроны, как они работают и для чего нужны. Если остались вопросы, задавайте их в комментариях под статьей!

Материалы по теме:

Стабилитроны - Радиодетали

Стабилитрон это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. В отличии от обычных диодов, стабилитрон имеет достаточно низкое напряжение пробоя (при обратном включении) и что самое главное — может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Благодаря этому эффекту стабилитроны широко применяются в источниках питания.

Наименование U стаб. Uстаб.   I стаб. Корпус
Д 808 8 В  6-9,5В  33мА металл
Д 809 9 В  8-10,5В  29мА металл
Д 810 10 В  9-11,2В  28мА металл
Д 811 11 В  9-13,5В  23мА  (стекло )
Д 813 13 В 10-15,5В  20мА металл
Д 814 А  7-9,5В  40мА металл
Д 814 А2 стекло  7-9,5В  20мА  (стекло )
Д 814 Б 8-10,5В  40мА металл
Д 814 В 9-11,5В  30мА металл
Д 814 Г 10-13,5В  30мА металл
Д 814 Д 11-14,5В  24мА металл
Д 815 А 5-6,2В  1,4 А металл
Д 815 Б 6,1-7,5В  1,15А металл
Д 815 В  7,4-9,1В  0,9А металл
Д 815 Г 9,1-11В  0,9А металл
Д 815 Д 10,8-13,3В  0,65А металл
Д 815 Е 13,3-16,4В  0,55А металл
Д 815 Ж 16,2-19,8В  0,45А металл
Д 816 А 19,6-22,4В  0,23А металл
Д 816 Б 24,2-29,5В  0,18А металл
Д 816 В 29,5-36B 0,15A металл
Д 816 Г 35-43B 0,13A металл
Д 816 Д 42,5-51,5В  0,11А металл
Д 817 А 50,5-61,5В  90мА металл
Д 817Б 61 -75 В.,75 мА металл
Д 817В 74 — 90 В., 60 мА металл
Д 817Г 90 — 110В ., 50мА металл
Д 818 А (стекло) 9 B 8,82-10,58B 17mA  (стекло )
Д 818 А (металл) 9 B 8,82-10,58B 33mA металл
Д 818 Б (стекло) 9 B 7,48-9,16B 17mA  (стекло )
Д 818 Б (металл) 9 B 7,48-9,16B 33mA металл
Д 818 В (металл) 9 B 8,01-10,01B 33mA металл
Д 818 В (стекло) 9 B 8,01-10,01B 33mA  (стекло )
Д 818 Г 9 B 8,5-9,5B 33mA металл
Д 818 Д       мет 9 B 8,53-9,47B 33mA металл
Д 818 Д стекло 9 B 8,53-9,47B 17mA  (стекло )
Д 818 Е (металл) 9 B 8,54-9,46B 33mA металл
Д 818 Е1 (неметалл) 9 B 8,54-9,46B 17mA
КС 106 А 0,6 В dip8
КС 107 А  (СТАБИСТОР ) 0,7 В 0,63-0,77B 100mA металл
КС 113 А  (СТАБИСТОР ) 1,3 В 1,17-1,43B 100mA металл
КС 119 А  (СТАБИСТОР ) 1,9 В 1,71-2,09B 100mA неметалл
КС 119 А  (СТАБИСТОР ) 1,9 В 1,71-2,09B 100mA металл
КС 133 А (металл) 3,3 В 2,97-3,63В  81mA металл
КС 133 А (стекло) 3,3 В 2,97-3,63В  37,5mA  (стекло )
КС 133 Б 3,3 В 2,96-3,64В  37,5mA
КС 133 В 3,3 В 2,95-3,65В  37,5mA
КС 139 А (металл) 3,9 В 3,51-4,29B 70 mA металл
КС 139 А (стекло) 3,9 В 3,51-4,29B 70 mA  (стекло )
КС 147 А 4,7 В 4,23-5,17B 26,5 mA  (стекло )
КС 147 А (мет) 4,7 В 4,23-5,17B 58 mA металл
КС 147 В 4,7 В 4,23-5,17B 26,5 mA
КС 156 А 5,6 В 5,0-6,2B 22,4 mA  (стекло )
КС 156 А (металл) 5,6 В 5,04-6,16B 55 mA металл
КС 156 Г 5,6 В 5,0-6,2B 22,4 mA  (стекло )
КС 162 А 6,2 В 5,8-6,6B 22mA
КС 168 А 6,8 В 6,12-7,48B 18 mA  (стекло )
КС 168 А (металл) 6,8 В 6,12-7,48B 45 mA металл
КС 168 В 6,8 В 6,12-7,48B 16 mA
КС 170 А 7,0 В 6,43-7,59B 20mA
КС 170 Ж 7 В  (стекло )
КС 175 А 7,5 В 7,0-8,0B 18mA
КС 175 Ж 7,5 В 7,1-7,9B 17mA  (стекло )
КС 182 А 8,2 В 7,6-8,8B 17mA
КС 182 Е 8,2 В 7,4-9,0B 15mA
КС 182 Ж 8,2 В 7,4-9,0B 15mA  (стекло )
КС 190 В 9 В
КС 191 А 9,1 В
КС 191 Ж 9,1 В 8,6-9,6B 14mA  (стекло )
КС 191 С 9,1 В металл
КС 191 Т 9,1 В металл
КС 191 Ф 9,1 В металл
КС 210 А 10 В
КС 210 Б 10 В 9,3-10,7B 14mA
КС 210 В 10 В
КС 210 Ц 10 В 9-11B 13mA
КС 211 Б 12 В 11-13,2В 33mA
КС 211 В 11 В 9,3-11 В 33mA
КС 211 Г 11 В 9,9-12,65 В 33mA
КС 211 Ж 11 В 9,9-12,65 В 12mA
КС 212 А 12 В
КС 212 Ж 12 В 10,8-13,2B 11mA  (стекло )
КС 213 Б 13 В 12,1-13,9B 10mA
КС 213 Б2 (неметал) 13 В
КС 215 Ж 15 В 13,5-16,5B 8,3mA  (стекло )
КС 216 Ж 16 В 15,2-16,8B 7,3mA  (стекло )
КС 218 Ж 18 В 16,2-19,8B 6,9mA  (стекло )
КС 222 А 22 B  (стекло )
КС 222 Ж 22 B 19,8-24,2B 10mA  (стекло )
КС 224 Ж 24 B  (стекло )
КС 292 Ж 92 B  (стекло )
КС 407 В   стекло 4,7 B 4,4-5,0B 20 mA  (стекло )
КС 411 А 11 B
КС 411 Б 11 B
КС 411 В 11 B
КС 433 А 3,3 B 2,97-3,63В  191mA металл
КС 439 А 3,9 B 3,51-4,29B 176 mA металл
КС 447 А 4,7 B 4,23-5,17B 159 mA металл
КС 456 А 5,6 B 5,04-6,16B 139 mA металл
КС 468 А 6,8 B 6,12-7,48B 119 mA металл
КС 482 А 8,2 B 7,4-9,0B  96 mA металл
КС 482 А (стекло) 8,2 B 7,4-9,0B  96 mA  (стекло )
КС 508 А мет 8 В металл
КС 510 А мет 10 B 9-11 B 79 mA металл
КС 510 А немет 10 B 9-11 B 35 mA
КС 512 А 12 B
КС 513 А 13 B
КС 514А 14 B
КС 515 А  мет 15 B 13,5-16,5В 53mA металл
2С 515 А  мет 15 B 13,5-16,5В 53mA металл
КС 515 А  немет 15 B  (стекло )
КС 515 Г1  немет. 15 B 12В  53мА
КС 516 А 16 B
КС 516 В 16 B
КС 518 А 18 B  18В  45мА
КС 520 В 20 B 20В  37мА
КС 522 А 22 B 22В  37мА
КС 524 А 24 B 24В  33мА
КС 524 Г 24 B
КС 527 А 27 B 27В  30мА
КС 530 А 30 B 30В  35мА
КС 531 А 31 B 31В  15мА
КС 531 В 31 B 29,45-32,55B 15mA
КС 533 А 33 B 29,7-36,3 B 17mA
КС 536 А 36 B  36В  45мА
КС 539 Г 39 B 37-41B 17mA
КС 547 В 47 B 47В  15мА
КС 568 А 68 B  68В  10мА
КС 568 В 68 B  68В  10мА
КС 582 Г 82 В 77,9-86,1B 8mA
КС 591 А 91 B 86-96B 8,8mA
КС 596 В 96 B 91,2-100,8B 7mA
КС 600 А 100 В 100В  8,1мА металл
КС 603 Б 103 B металл
КС 620 А 120 B  108-132В  42мА металл
КС 630 А 130 B 117-143В  38мА металл
КС 630 А1 130 B металл
КС 650 А 150 B 135-165В  33мА металл
КС 680 А 180 B 162-198В  28мА металл
КС 930 А 130 B металл
КС 950 А 150 B    150В  50мА металл
КС 980А 180 B металл

Мостовой УМЗЧ с полевыми транзисторами КП904 (12Вт)

Принципиальная схема усилмителя мощности с МДП -транзисторами в выходном каскаде приведена на следующем рисунке.

Его основные технические характеристики:

Номинальное входное напряжение, В.................................... 0,5

Входное сопротивление, кОм ............................................... 5

Номинальная выходная мощность на нагрузке 8 Ом, Вт .......... 12,5

Номинальный диапазон частот , Гц ....................................20...20000

Коэффициент гармоник, % не более .....................................0,01

Относительный уровень шумов , дБ, не более .........................-95

Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс, не менее .. 20

Каскад усилителя по напряжению собран на работающих в противофазе быстродействующих ОУ DA1 и DA2, один из которых охвачен цепью последовательной (R7, R3), а второй - параллельной (R8, R4) ООС. Выходной каскад выполнен на МДП - транзисторах VT2, VT3. Напряжение смещения обеспечивает генератор тока на транзисторе VT1. Цепи VD1VD2 и VD3VD4 защищают затворы МДП - транзисторов от пробоя. Для исключения самовозбуждения усилителя параллельно нагрузке подключена цепь R15C6. УМЗЧ хорошо подавляет синфазные помехи и питается от нестабилизированного источника. Вместо ОУ К574УД1Б в устройстве можно применить К140УД11 или К544УД2 (с любым буквенным индексом). В крайнем случае можно использовать ОУ К153УД2, К153УД6, К553УД2 с соответствующими цепями коррекции, однако такая замена может привести к значительному увеличению нелинейных искажений на высших частотах. Стабилитроны КС518А можно заменить на КС512А, КС515А,

КС211Е, КС212Е; диоды КД510А на КД509А, КД522А, КД522Б. В генераторе тока можно использовать транзисторы КП303 с индексами Г, Д, Е, в выходном каскаде - КП904Б или КП901А, КП901Б. Следует отметить, что в последнем случае существенно снизится номинальная выходная мощность, однако ее легко повысить, увеличив число транзисторов в каждом плече до двух.

Литература: Николаев А.П., Малкина М.В. Н82 500 схем для радиолюбителей. Уфа.: SASHKIN SOFT, 1998, 143 с.

Источник: Radiostorage.net/

Стабилитроны средней и большой мощности КС433 … КС680

Разброс напряжений стабилизации приборов КС551А, КС591А, КС600А составляет  ±15%, всех остальных —  ±15%.

 

Основные электрические характеристики стабилитронов КС433 …  КС680

Тип

Uст. (при Iст. мА), В

т.max., мА

Iст.min., мА

Rст. (при Iст. мА), Ом

КС433А 3,3(30) 91 3,0 25(30)
КС439А 3,9(30) 76 3,0 25(30)
КС447А 4,7(30) 59 3,0 18(30)
КС456А 5,6(30) 39 3,0 10(30)
КС468А 6,8(30) 19 3,0 5(30)
КС482А 8,2(5) 96 1,0 25(5)
КС510А 10(5) 79 1,0 25(5)
КС512А 12(5) 67 1,0 25(5)
КС515А 15(5) 53 1,0 25(5)
КС518А 18(5) 45 1,0 25(5)
КС520В 20(5) 22 3,0 120(5)
КС522А 22(5) 37 1,0 25(5)
КС527А 27(5) 30 1,0 40(5)
КС531В 31(10) 15 3,0 50(10)
КС533А 33(10) 17 3,0 40(10)
КС547В 47(5) 10 3,0 280(5)
КС551А 51(1,5) 14,6 1,0 200(1,5)
КС568В 68(5) 10 3,0 400(5)
КС591А 91(1,5) 8,8 1,0 400(1,5)
КС596В 96(5) 7 3,0 560(5)
КС600А 100(1,5) 8,1 1,0 450(1,5)
КС620А 120(15) 42 5,0 150(50)
КС630А 130(15) 38 5,0 180(50)
КС650А 150(15) 33 2,5 270(30)
КС680А 180(15) 28 2,5 330(30)

Обзор Asus VivoBook 15 X512

: компактный и красочный, но экран и клавиатура разочаровывают Обзор

В линейке Asus VivoBook есть несколько суббрендов: топовая серия Pro предлагает дискретную графику в качестве ключевой функции; серия S очень привлекательна и представлена ​​в различных цветах; а серия VivoBook Flip делает фокус на 360 градусов. Между тем, рассмотренный здесь VivoBook 15 X512 предлагает процессор Intel Core i7 8-го поколения и дискретную графику Nvidia, хотя модель начального уровня стоимостью более 400 фунтов стерлингов имеет значительно более низкие характеристики.Также доступны 14-дюймовые и 17-дюймовые варианты.

VivoBook 15 X512 был представлен на выставке CES в начале этого года и оснащен лицевой панелью NanoEdge, а также довольно изящным шарниром ErgoLift от Asus.

Существует опция для дискретной графики, и, как уже отмечалось, VivoBook X512 может работать с процессорами Intel Core i7 Whiskey Lake U до 8-го поколения. Единственная модель, которую я смог найти в продаже в Великобритании на данный момент, - это версия за 429,99 фунтов стерлингов (включая НДС), в которой отсутствует дискретная графика и она оснащена процессором Intel Pentium Gold 4415 с 4 ГБ оперативной памяти, твердотельным накопителем на 256 ГБ и 1 920 дисками. дисплей на 1080 пикселей и без подсветки клавиатуры.

Мой обзорный образец стоимостью 499,99 фунтов стерлингов имел немного более престижные характеристики - процессор Core i5-8250U с 8 ГБ ОЗУ, твердотельный накопитель на 256 ГБ, дисплей с разрешением 1920 на 1080 и клавиатуру с подсветкой. ОС по умолчанию - Windows 10 Home, но Asus рекомендует Windows 10 Pro.

15,6-дюймовый VivoBook 15 X512 оснащен процессорами Intel Core 8-го поколения (i3, i5, i7) с оперативной памятью до 16 ГБ и жесткими дисками до 1 ТБ или твердотельными накопителями до 256 ГБ. Он имеет размеры 357,2 мм на 230,4 мм на 19,9 мм и весит 1 штуку.7кг. Он доступен в цветах Transparent Silver, Slate Grey, Peacock Blue и Coral Crush (ярко-оранжевый).

Изображения: Asus

Пластиковый корпус достаточно прочный, хотя мне удалось согнуть крышку, и вы, вероятно, захотите использовать чехол для защиты ноутбука при транспортировке. Он довольно тяжелый, весит 1,7 кг, и занимает довольно много места, поэтому он не поместится в рюкзаках или сумках меньшего размера.Для справки, размеры: ширина 357,2 мм, глубина 230,4 мм, толщина 19,9 мм.

Если вы ищете немного разнообразия в дизайне ноутбука, вы можете выбрать корпус синего или красного цвета, а также более сдержанные варианты серого цвета магния и шиферно-серого цвета.

Петли Asus ErgoLift поднимают заднюю часть клавиатуры до удобного угла для набора текста.

Изображение: Сандра Фогель / ZDNet

Лучшие обзоры ZDNET

Петли ErgoLift - действительно приятная особенность.Когда вы поднимаете крышку, шарнир опускает нижнюю часть экрана за основание клавиатуры. Когда ноутбук полностью открыт, основание крышки опирается на стол и приподнимает клавиатуру под небольшим углом. Высота подъема составляет около 5 мм - это немного, но достаточно, чтобы понравиться тем, кому не нравится плоская поверхность для набора текста на столе.

Клавиатура сильно прогибается, что может отпугнуть неуклюжих машинистов, в то время как клавиатура очень мягкая и мягкая, без заметного щелчка.В использовании нет проблем, но по сравнению с клавиатурами более высокого класса это разочаровывает. Тачпад отзывчивый, и приятно видеть, что клавиша Fn включает и выключает ее. Но жаль, что нет индикатора, указывающего на то, что тачпад выключен.

Клавиатура будет прогибаться, если набирать тяжелой рукой, а нажатие клавиш будет мягким. Тем не менее, отдельная цифровая клавиатура с правой стороны полезна.

Изображение: Asus

Маленькая цифровая клавиатура находится справа от клавиатуры.Его клавиши составляют примерно две трети стандартной ширины и полной высоты и аккуратно помещаются в пять рядов клавиш стандартной высоты, которые образуют остальную часть клавиатуры. Будет ли это привлекательно для вас, скорее всего, будет зависеть от того, как много вы работаете с числами. Я обнаружил, что постоянно нажимаю клавишу «4» вместо Enter, но, несомненно, со временем я привыкну к такому расположению.

Экран расположен на лицевой панели NanoEdge, ширина которой составляет всего 5,7 мм по коротким краям. Верхняя панель, на которой находится веб-камера, немного глубже - 8 мм, а нижний край, на котором должен быть размещен механизм ErgoLift, - около 18 мм.Общий эффект впечатляет.

Сам экран разочаровал. Разрешение Full HD (1920 x 1080) не проблема, как и матовое покрытие. Проблема в том, что на антибликовом IPS-экране блеклые цвета. Я обнаружил, что чтение веб-сайтов и просмотр видео меня не впечатлили, а переключение экрана на полную яркость не помогло. Оттенки кожи иногда казались зеленоватыми, и даже самые яркие цвета казались тусклыми.

Если вам нужен ноутбук для отдыха и просмотра мультимедиа или для презентаций, возможно, вам стоит поискать что-нибудь в другом месте.

СМОТРЕТЬ: 20 профессиональных советов, как заставить Windows 10 работать так, как вы хотите (бесплатный PDF)

Выступающие также разочаровали. Две решетки на нижней стороне обеспечивают достаточный звук, но в результате получаются жесткие и нечеткие басы. В целом, VivoBook 15 X512 - не лучший выбор для любителей СМИ.

Всякий раз, когда ноутбук выполнял какую-либо работу, включается вентилятор. Это не особенно шумно и не мешает моей работе в другом тихом офисе, но вызывает беспокойство то, что даже открытие одного видео на YouTube дало поклоннику повод сделать некоторые работы.Нижняя сторона была немного теплой, если система не работала на холостом ходу.

Интересное сочетание подключений. На правом краю находится один порт USB 3.0, порт USB-C, полноразмерный разъем HDMI, разъем для гарнитуры 3,5 мм и слот для карт MicroSD. На левом торце расположены два порта USB 2.0.

Почему мы видим здесь USB 2.0? Несомненно, USB 3.1 к настоящему времени должен быть наименьшим общим знаменателем. Также порт USB-C не имеет поддержки Thunderbolt. Однако поддержка MicroSD приветствуется.

Срок службы 2-элементной батареи 37 Втч вполне приемлемый.Я обнаружил, что общая рабочая нагрузка, включая запись в онлайн-приложение, потоковую передачу музыки и небольшой просмотр веб-страниц, с яркостью экрана, установленной на уровне около 75 процентов, разряжает около 25 процентов полной батареи за два часа. Исходя из этого, полной батареи должно хватить на большую часть рабочего дня.

Изображение: Asus

Выводы

Несколько вещей делают Asus VivoBook 15 X512 необычным.Его отдельная узкоформатная цифровая клавиатура будет плюсом, если вы много работаете с электронными таблицами, а умная система ErgoLift поднимает клавиатуру под удобным углом для набора текста. Срок службы батареи может помочь вам в течение дня при полной зарядке, и приветствуются тонкие лицевые панели.

Но есть и разочарования в другом месте. Экрану моего обзорного устройства не хватало яркости, клавиатура казалась губчатой, а порты USB 2.0 следовало заменить на USB 3.0.

ПОСЛЕДНИЙ И СООТВЕТСТВУЮЩИЙ СОДЕРЖАНИЕ

Мощным ноутбукам Acer Concept D нужно больше красоты

Acer запускает два новых Chromebook для предприятий по цене от 499 долларов США

PC за первый квартал статистика от IDC, У Gartner есть несколько интересных подзаголовков

Бывшее подразделение ПК Toshiba, ныне известное как Dynabook

Флагманская линейка Microsoft Windows 10 Surface Book 2 незаметно добавляет новую модель

Узнать больше

6130-01 -554-0868 - БЛОК ПИТАНИЯ, X511AR5, X511A-R5, X512AR5

85.04 - Трансформаторы электрические, статические преобразователи (например, выпрямители) и индукторы; источники питания для машин обработки данных или их устройств товарной позиции 8471; их части:
8504.10.0000 - - ПРА для газоразрядных ламп или трубок No.
- - Трансформаторы с жидким диэлектриком:
8504.21 - - - Обладая мощностью не более 650 кВА:
8504.21.0020 - - - - Обладая мощностью не более 50 кВА
8504.21.0040 - - - - Обладая мощностью, превышающей 50 кВА, но не превышающей 100 кВА
8504.21.0060 - - - - Имея мощность обработки, превышающую 100 кВА, но не более 500 кВА No.
8504.21.0080 - - - - Обладая мощностью, превышающей 500 кВА, но не превышающей 650 кВА No.
8504.22 - - - Имея мощность превышающую 650 кВА, но не более 10 000 кВА:
8504.22.0040 - - - - Имеющие мощность передачи более 650 кВА, но не более 2500 кВА No.
8504.22.0080 - - - - Обладая мощностью, превышающей 2500 кВА, но не превышающей 10000 кВА No.
8504,23 - - - Имея мощность превышающую 10000 кВА:
8504.23.0040 - - - - Имея мощность передачи более 10000 кВА, но не более 100000 кВА No.
8504.23.0080 - - - - Имея мощность, превышающую 100000 кВА No.
- - Другие трансформаторы:
8504.31 - - - Обладая мощностью не более 1 кВА:
8504.31.2000 - - - - Без рейтинга
- - - - Другое:
- - - - - Обладая мощностью менее 1 кВА:
8504.31.4035 - - - - - - Имея допустимую мощность менее 40 ВА No.
8504.31.4065 - - - - - - Имея допустимую мощность 40 ВА или более
8504.31.6000 - - - - - Имея допустимую мощность 1 кВА
8504.32.0000 - - - Имея мощность превышающую 1 кВА, но не более 16 кВА No.
8504,33 - - - Обладая мощностью, превышающей 16 кВА, но не превышающей 500 кВА:
8504,33.0020 - - - - Имея допустимую мощность более 16 кВА, но не более 50 кВА.
8504.34.0000 - - - Обладая мощностью более 500 кВА
8504,40 - - Статические преобразователи; блоки питания для автоматов обработки данных или их блоков товарной позиции 8471:
- - - Блоки питания для автоматов обработки данных:
- - - - Подходит для физического включения в машины для обработки данных или их устройства товарной позиции 8471:
8504.40.6001 - - - - - С выходной мощностью не более 50 Вт
8504.40.6007 - - - - - С выходной мощностью более 50 Вт, но не более 150 Вт
8504.40.6012 - - - - - С выходной мощностью более 150 Вт, но не более 500 Вт
8504.40.6018 - - - - - Другое No.
- - - - Другое:
8504.40.7001 - - - - - С выходной мощностью не более 50 Вт No.
8504.40.7007 - - - - - С выходной мощностью более 50 Вт, но не более 150 Вт
8504.40.7012 - - - - - С выходной мощностью более 150 Вт, но не более 500 Вт No.
8504.40.7018 - - - - - Другое
8504.40.8500 - - - Для телекоммуникационной аппаратуры
- - - Прочее:
- - - - Выпрямители и выпрямительное устройство:
- - - - - Источники питания:
8504.40.9510 - - - - - - С выходной мощностью не более 50 Вт No.
8504.40.9520 - - - - - - С выходной мощностью более 50 Вт, но не более 150 Вт
8504.40.9530 - - - - - - С выходной мощностью более 150 Вт, но не более 500 Вт
8504.40.9540 - - - - - - Прочие No.
8504.40.9550 - - - - - Другое X
8504.40.9570 - - - - Инверторы No.
8504.40.9580 - - - - Прочие X
8504.50.0000 - - Прочие индукторы No.
8504.90 - - Детали:
8504 .90.0020 - - - Из трансформаторов X
8504.90.0080 - - - Прочие X

Дифференциация подтипов эпителиального рака яичников с использованием изображений и клинических данных: a подробный анализ | Визуализация рака

Популяция пациентов

Это ретроспективное исследование соответствовало требованиям HIPAA и одобрено Комитетом по этике университетской больницы Цукуба с отказом от документации о письменном информированном согласии (h35-63).С января 2008 года по декабрь 2012 года в нашем институте прошли лечение 185 пациенток с подозрением на первичный рак яичников. Семнадцать случаев с недостаточной визуализацией или клинической информацией и 43 случая с неподходящим патологическим диагнозом для этого исследования были исключены (рис. 1). Таким образом, в исследование было включено 125 случаев (в возрасте 31–85 лет, средний возраст 59 лет). Сто два пациента получали лечение PDS с последующей химиотерапией и 23 пациента с NAC с последующей IDS. Число пациентов с SC, MC, CCC и эндометриоидной карциномой (EC) составило 44, 13, 53 и 15 соответственно (Таблица 1).

Рис. 1

Выбор пациента. Из 185 последовательных пациенток с подозрением на первичный рак яичников 125 были включены в это исследование. Приведены причины исключения пациентов

Таблица 1 Популяция пациентов

КТ и МРТ

Контрастная КТ и МРТ были проведены во всех случаях. КТ-изображения получали при 120 кВп и от 150 до 400 мАс и реконструировали с интервалами 2 и 5 мм с помощью 16- или 64-рядного многодетекторного сканера (Brilliance 16 или Brilliance 64; Philips Medical Systems, Best, Нидерланды). .Всем пациентам вводили 800 мл разбавленного перорального контрастного вещества (амидотризоат натрия и меглуминамидотризоат [гастрографин; Bayer Health Care, Берлин, Германия]) за 1 час до сканирования. КТ без контрастирования охватила все первичное поражение придатков, а исследование с контрастированием охватило всю брюшную полость и таз. КТ-изображения с контрастным усилением были получены после инъекции 100 мл неионного йодсодержащего контрастного вещества с концентрацией 370 мг / мл (иопамидол [Iopamiron 370; Bayer Health Care]) или 300 мг / мл (иогексол [Omnipaque 300; Daiichi -Sankyo Health Care, Токио, Япония]) или 240 мг / мл (иоверсол [Optilay 240; Covidien, Дублин, Ирландия]) со скоростью 2 мл / с.Эквивалентные фазовые изображения были получены в течение как минимум одной 50-секундной задержки.

МРТ было получено с использованием сверхпроводящих устройств 1,5 Тл (Intera или Achieva; Philips Medical Systems). Всем пациентам делали внутримышечную инъекцию гиосцина бутилбромида (Бускопан; Boehringer Ingelheim, Ingelheim, Германия) для уменьшения перистальтики кишечника. Протокол МРТ, включая спин-эхо T1-взвешенное изображение (T1WI), быстрое спин-эхо-T2-взвешенное изображение (T2WI), жиронасыщенное T1-взвешенное изображение, контрастное и насыщенное жиром спин-эхо T1-взвешенное изображение с Во всех случаях было получено 5 ммоль гадопентетат димеглумина (Magnevist; Bayer Health Care).Дополнительные эхопланарные диффузионно-взвешенные изображения (DWI) были получены в 98 случаях. Все МРТ были получены с толщиной среза от 4 до 6 мм, зазором пересечения от 0,4 до 0,6 мм, матрицей 320 x 320 - 512 x 512, полем зрения (FOV) от 28 до 36 см и от 2 до 4 возбуждения. Остальные параметры МРТ были следующими: (а) время повторения (TR) / время эха (TE) 53–575 / 11–14 мсек для спин-эхо T1WI; (b) TR / TE 1600–2100 / 100 мс, длина последовательности из 16 эхо для быстрого спин-эхо T2WI; (c) TR / TE 600–650 / 10–13 мс для насыщенного жирами T1WI со спектральным предварительным насыщением с восстановлением инверсии; (d) TR / TE 5000/55 мс, значение b 1000 с / мм 2 , длина последовательности из 19 эхо для DWI.

Анализ изображений

Все изображения были ретроспективно просмотрены 2 обученными радиологами с более чем 10-летним опытом в гинекологической МРТ. Для случаев, когда мнения радиологов расходились, были выделены степени консенсуса. Мы проанализировали природу первичного поражения: его морфологический тип, односторонний или двусторонний характер, максимальный диаметр большей придаточной массы, максимальный диаметр самого большого мурального узла, соотношение твердой и кистозной части, интенсивность сигнала твердой части на T2WI. по сравнению со скелетными мышцами, интенсивность сигнала твердой части на DWI по сравнению с эндометрием и внутриопухолевый кальциноз.При визуальном осмотре морфологические типы были разделены на 4 типа: многокомпонентная кистозная, одноглазная киста с одиночным пристенным узлом, однокамерная киста с множественными настенными узлами и многокамерная киста с твердой или преимущественно твердой частью. Степень кальцификации подразделялась на отсутствие, незначительную и множественную. Также были отмечены дополнительные данные: внутрибрюшинное диссеминация, метастазирование в лимфатические узлы, предоперационная стадия диагностики с помощью КТ и МРТ, сопутствующий эндометриоз и венозный тромбоз.На основании предыдущих исследований [9, 10] и нашего собственного опыта, метастазы в лимфатические узлы считались положительными, если было показано одно из следующих: одиночный лимфатический узел более 10 мм в минимальном диаметре или скопления лимфатических узлов размером более 6 мм в минимальном диаметре. диаметр. Эндометриоз считался положительным, когда отмечались множественные кистозные образования придатков с геморрагическим содержимым и толстая капсула или перегородки или спайки в тазовом дне [11, 12]. Венозный тромбоз считался положительным, если на КТ с контрастированием присутствовал дефект наполнения в подвздошных венах или НПВ.

Клиническая информация

Клиническая информация, включая сывороточные уровни CA125, CA19-9, CEA и кальция, была собрана путем ретроспективного обзора медицинских записей. Считалось, что уровень кальция в сыворотке 10,4 мг / дл или выше указывает на гиперкальциемию.

Патологический диагноз

Патологический диагноз был поставлен в зависимости от официальных патологических отчетов нашего института, включая подтипы рака яичников, гистопатологическую стадию и сопутствующую патологию, такую ​​как эндометриоз.

Статистический анализ

Данные были проанализированы как с помощью одномерного, так и многомерного анализа. Для одномерного анализа все параметрические значения, включая возраст, наибольший диаметр опухоли, диаметр наибольшей твердой части, соотношение твердой части, отношение сигнала T2, отношение сигнала DWI, коэффициент контрастности и уровни CA125, CA19-9 в сыворотке, и CEA, были проанализированы с использованием одностороннего анализа дисперсии (ANOVA) и теста множественного сравнения Бонферрони в качестве апостериорного теста. Непараметрические значения, включая билатеральность, морфологию, кальцификацию, диссеминацию, метастазирование лимфатических узлов, стадию, эндометриоз и тромбоз, были проанализированы с использованием теста Краскела-Уоллиса и теста множественного сравнения Данна в качестве апостериорного теста (Prism 5 для Mac OS X ; Graphpad Software, Ла-Хойя, Калифорния, США).Многомерный анализ выполняли с помощью бинарной логистической регрессии (SPSS Statistics; IBM, Нью-Йорк, Нью-Йорк, США).

STK12C68-SF45I - КИПРЕСС | X-ON

STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире.SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap. Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти.И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB. ? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире. SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap.Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти. И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB.? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 СОДЕРЖАНИЕ Конфигурации контактов ................................................ ........... 3 Сохранение данных и выносливость .................................. ..... 9 Определение контактов ................................................ .................. 3 Емкость .............................. ........................................ 9 Работа устройства ................................................ .............. 4 Термическое сопротивление .................................... ...................... 9 Чтение SRAM ................................................ ....................... 4 Условия испытаний переменного тока ....................... ................................... 9 Запись в SRAM ................................................ ....................... 4 Характеристики переключения переменного тока ....................... ................ 10 Работа AutoStore ................................................ ........ 4 Цикл чтения SRAM................................................... 10 Режим запрета автосохранения ............................................... ..... 5 Цикл записи SRAM ......................................... ............ 11 Работа с аппаратным магазином (HSB) ................................. 5 АвтоСохранение или ВЫЗОВ при включении питания .... ............................... 12 Вызов оборудования (включение питания) ....................................... 5 Управляется программным обеспечением Цикл STORE / RECALL ................ 13 МАГАЗИН ПО ............................................................... 5 Цикл ХРАНИЛИЩА оборудования .... ............................................. 14 ОТЗЫВ ПО ................................................ ............. 6 Форма волны переключения .................................. .................... 14 Защита данных ................................................ ................. 6 Номенклатура нумерации деталей ............................. ......... 15 Соображения по поводу шума ................................................ ....... 6 Информация для заказа ............................................. ......... 15 Аппаратная защита ................................................ .............. 6 Схемы комплектации ................................. ......................... 16 Низкая средняя активная мощность .............................................. 6 Страница истории документа .............................................. ... 21 Профилактический магазин ................................................ ............... 6 Продажи, решения и юридическая информация...................... 22 Лучшие практики................................................ ................... 7 Продажи и поддержка дизайна по всему миру ....................... 22 Максимальные характеристики ................................................ ............. 8 продуктов ................................... ................................. 22 Рабочий диапазон................................................ ............... 8 Решения PSoC ................................ ......................... 22 Электрические характеристики постоянного тока.......................................... 8 Номер документа: 001-51027 Ред. * H Стр. 2 из 22 Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире.SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap. Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти.И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB. ? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире. SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap.Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти. И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB.? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 СОДЕРЖАНИЕ Конфигурации контактов ................................................ ........... 3 Сохранение данных и выносливость .................................. ..... 9 Определение контактов ................................................ .................. 3 Емкость .............................. ........................................ 9 Работа устройства ................................................ .............. 4 Термическое сопротивление .................................... ...................... 9 Чтение SRAM ................................................ ....................... 4 Условия испытаний переменного тока ....................... ................................... 9 Запись в SRAM ................................................ ....................... 4 Характеристики переключения переменного тока ....................... ................ 10 Работа AutoStore ................................................ ........ 4 Цикл чтения SRAM................................................... 10 Режим запрета автосохранения ............................................... ..... 5 Цикл записи SRAM ......................................... ............ 11 Работа с аппаратным магазином (HSB) ................................. 5 АвтоСохранение или ВЫЗОВ при включении питания .... ............................... 12 Вызов оборудования (включение питания) ....................................... 5 Управляется программным обеспечением Цикл STORE / RECALL ................ 13 МАГАЗИН ПО ............................................................... 5 Цикл ХРАНИЛИЩА оборудования .... ............................................. 14 ОТЗЫВ ПО ................................................ ............. 6 Форма волны переключения .................................. .................... 14 Защита данных ................................................ ................. 6 Номенклатура нумерации деталей ............................. ......... 15 Соображения по поводу шума ................................................ ....... 6 Информация для заказа ............................................. ......... 15 Аппаратная защита ................................................ .............. 6 Схемы комплектации ................................. ......................... 16 Низкая средняя активная мощность .............................................. 6 Страница истории документа .............................................. ... 21 Профилактический магазин ................................................ ............... 6 Продажи, решения и юридическая информация...................... 22 Лучшие практики................................................ ................... 7 Продажи и поддержка дизайна по всему миру ....................... 22 Максимальные характеристики ................................................ ............. 8 продуктов ................................... ................................. 22 Рабочий диапазон................................................ ............... 8 Решения PSoC ................................ ......................... 22 Электрические характеристики постоянного тока.......................................... 8 Номер документа: 001-51027 Ред. * H Стр. 2 из 22 Не рекомендуется для новых разработок Конфигурации контактов Рисунок 1. 28-контактный SOIC / DIP и LLC Определения контактов Название контакта Альтернативный тип ввода / вывода Описание A? A Входной адрес Входы. Используется для выбора одного из 8192 байтов nvSRAM. 0 12 DQ -DQ Линии ввода / вывода двунаправленных данных. Используется как входные или выходные линии в зависимости от операции. 0 7 Вход Разрешение записи Вход, активный НИЗКИЙ. Когда микросхема включена, а значение WE LOW, данные о вводе / выводе МЫ Ж контакты записываются в определенное адресное место.Входной сигнал включения микросхемы, активный НИЗКИЙ. Когда НИЗКИЙ, выбирает чип. Когда ВЫСОКИЙ, выбор чипа отменяется. CE E Вход / выход разрешен, активен НИЗКИЙ. Активный вход LOW OE включает буферы вывода данных во время OE G циклы чтения. Отключение OE HIGH приводит к трем состояниям на выводах ввода-вывода. V Заземление устройства. Устройство подключено к заземлению системы. SS V Источник питания Входы питания на устройство. CC Входной или выходной аппаратный магазин занят (HSB). Когда LOW, этот выход указывает на то, что магазин оборудования находится в процессе.HSB При низком уровне за пределами микросхемы он инициирует энергонезависимую операцию STORE. Слабый внутренний Подтягивающий резистор поддерживает высокий уровень на этом выводе, если он не подключен (подключение необязательно). Конденсатор AutoStore источника питания. Обеспечивает питание nvSRAM во время потери питания для хранения данных из SRAM. ШАПКА к энергонезависимым элементам. Номер документа: 001-51027 Ред. * H Стр. 3 из 22 Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти.Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире. SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap. Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания.На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти. И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB. ? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире. SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap.Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти. И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB.? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 СОДЕРЖАНИЕ Конфигурации контактов ................................................ ........... 3 Сохранение данных и выносливость .................................. ..... 9 Определение контактов ................................................ .................. 3 Емкость .............................. ........................................ 9 Работа устройства ................................................ .............. 4 Термическое сопротивление .................................... ...................... 9 Чтение SRAM ................................................ ....................... 4 Условия испытаний переменного тока ....................... ................................... 9 Запись в SRAM ................................................ ....................... 4 Характеристики переключения переменного тока ....................... ................ 10 Работа AutoStore ................................................ ........ 4 Цикл чтения SRAM................................................... 10 Режим запрета автосохранения ............................................... ..... 5 Цикл записи SRAM ......................................... ............ 11 Работа с аппаратным магазином (HSB) ................................. 5 АвтоСохранение или ВЫЗОВ при включении питания .... ............................... 12 Вызов оборудования (включение питания) ....................................... 5 Управляется программным обеспечением Цикл STORE / RECALL ................ 13 МАГАЗИН ПО ............................................................... 5 Цикл ХРАНИЛИЩА оборудования .... ............................................. 14 ОТЗЫВ ПО ................................................ ............. 6 Форма волны переключения .................................. .................... 14 Защита данных ................................................ ................. 6 Номенклатура нумерации деталей ............................. ......... 15 Соображения по поводу шума ................................................ ....... 6 Информация для заказа ............................................. ......... 15 Аппаратная защита ................................................ .............. 6 Схемы комплектации ................................. ......................... 16 Низкая средняя активная мощность .............................................. 6 Страница истории документа .............................................. ... 21 Профилактический магазин ................................................ ............... 6 Продажи, решения и юридическая информация...................... 22 Лучшие практики................................................ ................... 7 Продажи и поддержка дизайна по всему миру ....................... 22 Максимальные характеристики ................................................ ............. 8 продуктов ................................... ................................. 22 Рабочий диапазон................................................ ............... 8 Решения PSoC ................................ ......................... 22 Электрические характеристики постоянного тока.......................................... 8 Номер документа: 001-51027 Ред. * H Стр. 2 из 22 Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире.SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap. Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти.И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB. ? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 64 Кбит (8 K x 8) AutoStore nvSRAM Особенности Функциональное описание ? Время доступа 25 нс, 35 нс и 45 нс Cypress STK12C68 - это быстрое статическое ОЗУ с энергонезависимой памятью. элемент в каждой ячейке памяти. Встроенная энергонезависимая ? Автоматическое отключение STORE при отключении питания с помощью внешнего элементы включают технологию QuantumTrap, производящую 68 мкФ конденсатор Самая надежная энергонезависимая память в мире. SRAM обеспечивает неограниченные циклы чтения и записи, в то время как независимые энергонезависимые ? ЗАПИСЬ в энергонезависимые элементы QuantumTrap инициируется данные хранятся в высоконадежной ячейке QuantumTrap.Данные программное обеспечение, оборудование или AutoStore при выключении питания переходит из SRAM в энергонезависимые элементы ( ? ВЫЗОВ в SRAM инициирован программным обеспечением или включением питания STORE) происходит автоматически при отключении питания. На при включении питания данные восстанавливаются в SRAM (операция RECALL) ? Неограниченные циклы чтения, записи и отзыва из энергонезависимой памяти. И МАГАЗИН, и ОТЗЫВ ? 1000000 циклов STORE до операций QuantumTrap также доступны под управлением программного обеспечения. Аппаратное обеспечение STORE инициируется контактом HSB.? 100 лет хранения данных в QuantumTrap Чтобы просмотреть полный список сопутствующей документации, щелкните здесь. ? Одиночный 5 В + 10% срабатывание ? Коммерческие и промышленные температуры ? 28-контактный (330 мил) SOIC, 28-контактный (300 мил) PDIP, 28-контактный (600 мил) Пакеты PDIP ? 28-контактные (300 мил) корпуса CDIP и 28-контактные (350 мил) LCC ? Соответствие RoHS Логическая блок-схема V V CC CAP Квантовая ловушка 128 х 512 А 5 МОЩНОСТЬ КОНТРОЛЬ МАГАЗИНА А 6 А 7 ОТЗЫВАТЬ ХРАНИТЬ/ СТАТИЧЕСКАЯ RAM HSB ОТЗЫВАТЬ 8 МНОЖЕСТВО КОНТРОЛЬ А 128 X 512 9 А 11 ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ А 12 А 0 - А ОБНАРУЖИТЬ 12 DQ КОЛОНКА I / O 0 DQ 1 КОЛОННА DEC DQ 2 DQ 3 DQ 4 DQ A A A A A А 5 0 1 2 3 4 10 DQ 6 DQ 7 OE CE МЫ Cypress Semiconductor Corporation? 198 Чемпионский суд? Сан-Хосе, Калифорния 95134-1709? 408-943-2600 Номер документа: 001-51027 Rev.* H Отредактировано 17 ноября 2014 г. ВХОДНЫЕ БУФЕРЫ СТРОЧНЫЙ ДЕКОДЕР Не рекомендуется для новых дизайнов STK12C68 СОДЕРЖАНИЕ Конфигурации контактов ................................................ ........... 3 Сохранение данных и выносливость .................................. ..... 9 Определение контактов ................................................ .................. 3 Емкость .............................. ........................................ 9 Работа устройства ................................................ .............. 4 Термическое сопротивление .................................... ...................... 9 Чтение SRAM ................................................ ....................... 4 Условия испытаний переменного тока ....................... ................................... 9 Запись в SRAM ................................................ ....................... 4 Характеристики переключения переменного тока ....................... ................ 10 Работа AutoStore ................................................ ........ 4 Цикл чтения SRAM................................................... 10 Режим запрета автосохранения ............................................... ..... 5 Цикл записи SRAM ......................................... ............ 11 Работа с аппаратным магазином (HSB) ................................. 5 АвтоСохранение или ВЫЗОВ при включении питания .... ............................... 12 Вызов оборудования (включение питания) ....................................... 5 Управляется программным обеспечением Цикл STORE / RECALL ................ 13 МАГАЗИН ПО ............................................................... 5 Цикл ХРАНИЛИЩА оборудования .... ............................................. 14 ОТЗЫВ ПО ................................................ ............. 6 Форма волны переключения .................................. .................... 14 Защита данных ................................................ ................. 6 Номенклатура нумерации деталей ............................. ......... 15 Соображения по поводу шума ................................................ ....... 6 Информация для заказа ............................................. ......... 15 Аппаратная защита ................................................ .............. 6 Схемы комплектации ................................. ......................... 16 Низкая средняя активная мощность .............................................. 6 Страница истории документа .............................................. ... 21 Профилактический магазин ................................................ ............... 6 Продажи, решения и юридическая информация...................... 22 Лучшие практики................................................ ................... 7 Продажи и поддержка дизайна по всему миру ....................... 22 Максимальные характеристики ................................................ ............. 8 продуктов ................................... ................................. 22 Рабочий диапазон................................................ ............... 8 Решения PSoC ................................ ......................... 22 Электрические характеристики постоянного тока.......................................... 8 Номер документа: 001-51027 Ред. * H Стр. 2 из 22 Не рекомендуется для новых разработок Конфигурации контактов Рисунок 1. 28-контактный SOIC / DIP и LLC Определения контактов Название контакта Альтернативный тип ввода / вывода Описание A? A Входной адрес Входы. Используется для выбора одного из 8192 байтов nvSRAM. 0 12 DQ -DQ Линии ввода / вывода двунаправленных данных. Используется как входные или выходные линии в зависимости от операции. 0 7 Вход Разрешение записи Вход, активный НИЗКИЙ. Когда микросхема включена, а значение WE LOW, данные о вводе / выводе МЫ Ж контакты записываются в определенное адресное место.Входной сигнал включения микросхемы, активный НИЗКИЙ. Когда НИЗКИЙ, выбирает чип. Когда ВЫСОКИЙ, выбор чипа отменяется. CE E Вход / выход разрешен, активен НИЗКИЙ. Активный вход LOW OE включает буферы вывода данных во время OE G циклы чтения. Отключение OE HIGH приводит к трем состояниям на выводах ввода-вывода. V Заземление устройства. Устройство подключено к заземлению системы. SS V Источник питания Входы питания на устройство. CC Входной или выходной аппаратный магазин занят (HSB). Когда LOW, этот выход указывает на то, что магазин оборудования находится в процессе.HSB При низком уровне за пределами микросхемы он инициирует энергонезависимую операцию STORE. Слабый внутренний Подтягивающий резистор поддерживает высокий уровень на этом выводе, если он не подключен (подключение необязательно). Конденсатор AutoStore источника питания. Обеспечивает питание nvSRAM во время потери питания для хранения данных из SRAM. ШАПКА к энергонезависимым элементам. Номер документа: 001-51027 Ред. * H Стр. 3 из 22 Не рекомендуется для новых разработок

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj /Заголовок / Автор /Режиссер / Ключевые слова / CreationDate (D: 20210717020852-00'00 ') / ModDate (D: 20100806202005 + 20'00 ') / SPDF (1112) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > эндобдж 30 0 объект > эндобдж 31 0 объект > эндобдж 32 0 объект > эндобдж 33 0 объект > эндобдж 34 0 объект > эндобдж 35 0 объект > эндобдж 36 0 объект > эндобдж 37 0 объект > эндобдж 38 0 объект > эндобдж 39 0 объект > эндобдж 40 0 объект > эндобдж 41 0 объект > эндобдж 42 0 объект > эндобдж 43 0 объект > эндобдж 44 0 объект > эндобдж 45 0 объект > эндобдж 46 0 объект > эндобдж 47 0 объект > эндобдж 48 0 объект > эндобдж 49 0 объект > эндобдж 50 0 объект > эндобдж 51 0 объект > эндобдж 52 0 объект > эндобдж 53 0 объект > эндобдж 54 0 объект > эндобдж 55 0 объект > эндобдж 56 0 объект > эндобдж 57 0 объект > эндобдж 58 0 объект > эндобдж 59 0 объект > эндобдж 60 0 объект > эндобдж 61 0 объект > эндобдж 62 0 объект > эндобдж 63 0 объект > эндобдж 64 0 объект > эндобдж 65 0 объект > эндобдж 66 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageB / ImageI] >> эндобдж 67 0 объект > ручей x ڝ XIo6WXn "` PtA {+ [у> Կ YIJQ pf '~ * 0 \ N ׯ gj ߿ L_ ~ s;: sZG «s \, C (D񺞐 , x9J +: ヌ d @ ӟ / N? L \ 逿 YQ => vpwТoK'B \ dB ^ 6 \] Nnx # Fg M (? "ڊ 蒭 aOE% Q = sňd0G BcOYs8J% jwrr + ɣdYI $> #SDsa.{¥ OX = _ ش 6% \ * ei1-dq3M # [> DX [SfCu Р: c9ϕ? v03!? [| ~ @ \ LM | Ա 8 {JųP) * 16 * cYЎUǪpq4b (@ ȃǮ & -A} w | yHu & ީ] h²b`mОrȋ% Hs [fi4R

Метод компьютерной томографии высокого разрешения - Компьютерная томография

Термин «HRCT» был придуман Todo et al. [2], которые описали потенциальное использование этой техники в японской литературе в 1982 году. Первые сообщения о HRCT на английском языке датируются 1985 годом [3-5], и с тех пор методы HRCT претерпели значительное развитие.

По сравнению с обычной КТ, КТВР требует использования максимально тонкой коллимации (1-1.5 мм), реконструкция изображения с помощью алгоритма высокочастотной пространственной частоты ('' кости ''), повышенного кВп (120-140) или мА (140-240; мАс 240-400) и использования самого большого доступного размера матрицы ( 512 х 512). Доступен ряд рекомендуемых настроек окна, отражающих различия в личных предпочтениях. Важно, чтобы использовалась хотя бы одна согласованная настройка окна. Подходят средние значения окна от -600 до -700 HU и значения ширины окна от 1000 до 1500 HU [6].

При более толстой коллимации усреднение объема снижает способность КТ разрешать небольшие структуры, такие как ветви мелких дыхательных путей или сосудов, и незначительно увеличивает или уменьшает ослабление в легких.Использование алгоритма высокой пространственной частоты уменьшает сглаживание изображения и увеличивает пространственное разрешение, делая структуры более резкими. Одним из недостатков этого является повышенная видимость шума, который можно несколько компенсировать увеличением количества фотонов или времени сканирования (миллиампер-секунды). Поскольку увеличенное время сканирования может привести к увеличению количества артефактов движения, желательно ограничить время сканирования 1-2 секундами. Повышение напряжения в киловольтах или миллиамперах желательно для крупных пациентов, для которых шум является более серьезной проблемой, всегда имея в виду, что увеличение техники сканирования также увеличивает дозу облучения пациента.Обычно это не вызывает большого клинического беспокойства, поскольку при КТВР облучение ограничивается несколькими уровнями тонкого сканирования. ВРКТ-сканирование с интервалом 10-20 мм дает 12 и 6% дозы облучения, связанной с традиционной компьютерной томографией, соответственно [7].

Способность КТВР определять мелкие структуры легких зависит от их ориентации относительно плоскости сканирования [8]. Структуры толщиной от 0,1 до 0,2 мм можно увидеть, если они в основном ориентированы перпендикулярно плоскости сканирования и проходят через толщину плоскости сканирования, тогда как структуры аналогичного размера, ориентированные горизонтально в плоскости сканирования, не будут видны из-за объема. усреднение с заполненным воздухом легким, занимающим большую часть толщины воксела.Нормальные межлобулярные перегородки толщиной от 0,1 до 0,2 мм иногда можно увидеть на КТВР. Бронхи или бронхиолы размером менее 2–3 мм в диаметре и толщиной стенки около 0,3 мм обычно не видны в периферической части легкого, поскольку их ходы лежат примерно в плоскости сканирования.

Обычная КТВР выполняется во время приостановки полного вдоха, когда пациент лежит на спине. Нет единого мнения относительно того, следует ли проводить сканирование с интервалом в 1, 2 или 4 см, на трех заранее выбранных уровнях или на одном или двух уровнях через нижнюю часть легких.HRCT обеспечивает выборку анатомии легких и поэтому наиболее полезен при оценке диффузного заболевания легких, особенно когда выполняется вместо обычного компьютерного исследования. Когда пациенты могут иметь ограниченное заболевание, которое проявляется в виде небольших структур, разбросанных по легким, например, при слабом обильном силикозе, HRCT может полностью пропустить болезнь. В этих случаях HRCT следует выполнять в сочетании с обычной компьютерной томографией. У пациентов с подозрением на интерстициальное заболевание, которое может быть ограничено основанием легких, например асбестоз, HRCT следует выполнять с пациентом как в положении лежа на спине, так и в положении лежа, когда изображения в положении лежа на спине показывают зависимые помутнения (рис.1).

Если у пациента есть подозрение на заболевание дыхательных путей, такое как облитерирующий бронхиолит или астма, необходимо выполнить сканирование, полученное во время выдоха, для обнаружения воздушной ловушки. У нормальных пациентов в большинстве областей легких паренхима легких равномерно увеличивается по мере ослабления во время выдоха, но при наличии захватывающего воздух паренхима легкого остается прозрачной на выдохе и мало изменяется в объеме [9]. КТВР на выдохе может показать воздушную ловушку при отсутствии отклонений на инспираторных изображениях.

Рисунок 1 ВРКТ лежа на спине и на животе. (A) КТВР на спине 78-летнего мужчины с застойной сердечной недостаточностью и эмфиземой выявляет слои небольших «кист» в зависимых частях легких, что указывает на сотовую структуру и легочный фиброз. (B) Склонная HRCT того же пациента в A 1 день спустя не обнаруживает признаков сотрясения. Есть разбросанные светлые участки (стрелки), представляющие эмфизему, и разбросанные участки линейного ателектаза или рубцевания. По сравнению с А в результате интервального диуреза и уменьшения отека легких наблюдается снижение помутнения матового стекла.

Рис. 1. КТВРТ в положении лежа на спине и на животе. (A) КТВР на спине 78-летнего мужчины с застойной сердечной недостаточностью и эмфиземой выявляет слои небольших «кист» в зависимых частях легких, что указывает на сотовую структуру и легочный фиброз. (B) Склонная HRCT того же пациента в A 1 день спустя не обнаруживает признаков сотрясения. Есть разбросанные светлые участки (стрелки), представляющие эмфизему, и разбросанные участки линейного ателектаза или рубцевания. По сравнению с А в результате интервального диуреза и уменьшения отека легких наблюдается снижение помутнения матового стекла.

Таблица 1 Показания к использованию HRCT

1. Необъяснимая одышка у пациента с подозрением на хроническое диффузное инфильтративное заболевание легких

2. Пациенты с симптомами, которым известно о контакте с неорганической пылью, такой как кремнезем и асбест, органическими антигенами или лекарствами

3. Пациенты с ослабленным иммунитетом с необъяснимой одышкой или лихорадкой

4. Пациенты с необъяснимым кровохарканьем

5. Пациенты с одышкой или другими респираторными симптомами и подозрением на заболевания дыхательных путей или обструктивную болезнь легких

III.ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ И СПЕЦИФИЧНОСТЬ КОМПЬЮТЕРНОЙ ТОМОГРАФИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ДИАГНОСТИКЕ ДИФФУЗНОЙ ИНФИЛЬТРАТИВНОЙ БОЛЕЗНИ ЛЕГКИХ

Описано более сотни различных причин диффузных инфильтративных заболеваний легких с ежегодной заболеваемостью 31,5 и 26,1 на 100 000 мужчин и женщин соответственно [10]. Рентгенограммы грудной клетки относительно недороги, их легко получить, и они могут ответить на многие клинические вопросы, не требуя дополнительной диагностической визуализации. Однако хорошо известно, что рентгенограммы грудной клетки ограничены как по чувствительности, так и по специфичности у пациентов с диффузным заболеванием легких [11,12].

До 50% пациентов с подтвержденным заболеванием легких при КТР имеют нормальные рентгенограммы грудной клетки [13-15]. И обычная КТ, и КТВР более чувствительны, чем рентгенография грудной клетки, для выявления как острых, так и хронических диффузных заболеваний легких [16-21]. Чувствительность и специфичность КТВР для выявления легочных заболеваний составляет примерно 94 и 96% по сравнению с 80 и 82% для рентгенограмм грудной клетки [12, 22]. Из-за своей превосходной чувствительности HRCT может использоваться для выявления заболеваний легких у пациентов с нормальными или сомнительными рентгенологическими аномалиями или у которых есть симптомы или признаки легочной функции, указывающие на острое или хроническое диффузное заболевание легких (Таблица 1), для оценки активности заболевания и для руководить процедурами биопсии.

IV. ДИАГНОСТИКА ЗАБОЛЕВАНИЙ НА КОМПЬЮТЕРНОЙ ТОМОГРАФИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ

Результаты

HRCT часто могут использоваться для ограничения дифференциального диагноза несколькими возможностями или, в некоторых случаях, могут быть достаточно характерными (в приближении

Рисунок 2 Септическая эмболия. HRCT 32-летнего мужчины с положительными культурами крови на Staphylococcus aureus выявляются характерные кавитирующие узелки преимущественно в периферической локализации.

в клинических условиях), что позволяет поставить конкретный или предполагаемый диагноз при отсутствии гистологической проверки (рис.2 и 3). Пятнистые и центрилобулярные (включая центр вторичной легочной доли) помутнения матового стекла у пациента с соответствующим анамнезом воздействия и серологическими тестами позволяют предположить диагноз острого или подострого гиперчувствительного пневмонита [23] (рис. 4). Аномалии обнаруживаются преимущественно в средних зонах легких, а основания легких относительно сохранены.

Саркоидоз характеризуется ненекротическими гранулемами, распределенными

Рис. 3. Посттрансплантационное лимфопролиферативное заболевание.КТВР 39-летнего мужчины, перенесшего в анамнезе три трансплантации почек и принимавшие большие дозы иммунодепрессантов, выявляют очаги консолидации с характерным бронховаскулярным распределением. Обратите внимание на воздушные бронхограммы (стрелки).

Рисунок 4 Острый гиперчувствительный пневмонит. КТВР 59-летней женщины с лихорадкой, ознобом, одышкой при физической нагрузке, головной болью, минимальным непродуктивным кашлем, утомляемостью, потрескиванием в основании легких и гипоксемией показывает мультифокальные области помутнения матового стекла в центрилобулярном распределении.Симптомы пациентки исчезли в больнице, но вернулись домой, где она столкнулась с домашними попугаями. В образце трансбронхиальной биопсии обнаружены неказеозные гранулемы и лимфоциты.

по лимфатическим путям бронхо-сосудистых пучков и межлобулярных перегородок. Помутнения, как правило, узловатые и преобладают в верхней и средней зонах легких. На более поздних стадиях рубцовые изменения приводят к архитектурным искажениям и фиброзным областям консолидации с прилегающими областями эмфиземы, аналогично результатам, которые можно увидеть у пациентов с осложненным силикозом (рис.5). Может оказаться полезным сбор данных о контакте с пылью в анамнезе

Рисунок 5 Осложненный силикоз. КТВР 48-летнего мужчины, долгое время работавшего на литейном производстве, показывает многочисленные небольшие узелки (маленькие стрелки) и двусторонние конгломераты (большие стрелки), которые называются «прогрессирующим массивным фиброзом». наблюдается при саркоидозе.

для различения двух болезней. В соответствующих клинических условиях классические находки перибронховаскулярных (утолщение осевого интерстиция, окружающего парахилярные бронхи и сосуды) и субплевральных узелков, особенно когда они связаны с аномалиями центральных дыхательных путей, должны позволить уверенный диагноз саркоидоза без необходимости биопсии в большинстве случаев [17 , 24-26].

HRCT лимфангиитного карциноматоза характеризуется узловым утолщением межлобулярных перегородок без рубцового искажения многоугольной архитектуры. Распространение имеет тенденцию к базилярному, часто присутствует перибронховаскулярная узловатость [27]. Одностороннее распределение предполагает первичную бронхогенную карциному в качестве основной опухоли, поскольку большинство других опухолей приводят к двустороннему поражению легких (рис. 6).

Гладкое субплевральное и перибронховаскулярное утолщение, связанное с увеличенной толщиной и количеством видимых межлобулярных перегородок без узловатости, является характеристикой интерстициальных аномалий, наблюдаемых при отеке легких (рис.7). Аномальные помутнения обычно преобладают в зависимых частях легкого. Различная степень уплотнения и помутнения матового стекла может присутствовать при отеке воздушного пространства, наряду с увеличением сердца, сосудистым нагрубанием и плевральным выпотом.

Лимфангиолейомиоматоз и поражение легких при туберозном склерозе радиологически и патологически идентичны. Оба характеризуются разрастанием гладкомышечных клеток вдоль бронховаскулярных пучков, лимфатических сосудов и легочных вен.Многочисленные небольшие паренхиматозные кисты равномерно распределены по легким и являются характерной находкой на КТВР (рис. 8) [28,29]. Дополнительные данные, которые могут быть не очевидны на грудной клетке

Рис. 6 Лимфангитный карциноматоз. КТВР 53-летнего мужчины с крупноклеточной бронхогенной карциномой и симптомами кашля и свистящего дыхания показывает узловое утолщение межлобулярных перегородок (большие стрелки) и бронховаскулярных пучков (маленькая стрелка). Одностороннее поражение характерно для первичной бронхогенной карциномы.

Рисунок 6 Лимфангитный карциноматоз. КТВР 53-летнего мужчины с крупноклеточной бронхогенной карциномой и симптомами кашля и свистящего дыхания показывает узловое утолщение межлобулярных перегородок (большие стрелки) и бронховаскулярных пучков (маленькая стрелка). Одностороннее поражение характерно для первичной бронхогенной карциномы.

Рисунок 7 Отек легких. ВРКТ 69-летней женщины показывает гладкое утолщение межлобулярной перегородки (линии Керли A и B, стрелки), пятнистое помутнение в виде матового стекла (стрелки) и небольшой плевральный выпот справа (E).

Рентгенограммы

включают пневмоторакс, хилезный плевральный выпот, лимфофангиомиоматозную аденопатию средостения и ангиомиолипомы почек или печени.

Паренхиматозная болезнь гистиоцитоза из клеток Лангергана имеет тенденцию преобладать в верхних отделах легких. Даже при распространении болезнь имеет тенденцию к сохранению реберно-диафрагмальных углов. Кистозные изменения и узелки являются преобладающими находками при КТВР (рис. 9) [30]. Обычно присутствуют небольшие тонкостенные, заполненные воздухом кисты или узелки. Узелки могут прогрессировать до полых узелков, кист и сливных кист.Кисты, видимые на КТВР у пациентов с лимфангиолейомиоматозом, могут иметь похожий внешний вид, но, как правило, не связаны с узловыми изменениями или верхним распределением легких. Кистозная картина HRCT в клетке Лангергана

Рис. 8 Лимфангиолейомиоматоз. КТВР 50-летней женщины с нарастающей одышкой и кровохарканьем показывает характерные тонкостенные кисты (стрелки) с окружающей нормальной архитектурой легких. Обратите внимание на пневмоторакс справа (P).
Рисунок 9 Гистиоцитоз клеток Лангергана. КТВР взрослого курильщика сигарет мужского пола показывает характерное сочетание тонкостенных кист (маленькие стрелки) и узелков (большие стрелки). Преимущественно поражались верхние и средние легкие.

гистиоцитоз также может напоминать бронхоэктаз, но исследование серийных срезов может отличить тубулярные от сферических структур. Кисты при лимфангио-лейомиоматозе и гистиоцитозе из клеток Лангергана не имеют периферического распределения, как при ячеистых кистах легочного фиброза.

Результаты

HRCT показали высокую точность при диагностике идиопатического легочного фиброза или других причин обычного интерстициального пневмонита (UIP) [31]. UIP является наиболее частой аномалией у пациентов с хроническим прогрессирующим инфильтрирующим заболеванием легких. Это гистопатологический термин, относящийся к типу интерстициального фиброза, который возникает у пациентов с различными заболеваниями, включая идиопатический фиброз легких, асбестоз, ревматоидный артрит, смешанное заболевание соединительной ткани и склеродермию.Клиническая картина пациента определяет конкретный диагноз в этих ситуациях. HRCT часто используется для демонстрации типичных особенностей UIP: пятнистой ретикулярной, сотовой и матовой непрозрачности. Аномалии имеют отчетливое двухбазиарное и субплевральное распределение. HRCT можно использовать для оценки ответа на стероидную терапию. Пациенты с UIP, у которых обнаружены участки помутнения матового стекла при отсутствии значительных ячеистых или тракционных бронхоэктазов, с большей вероятностью будут иметь ответ на стероидную терапию, чем пациенты с только сотами, линейными или узловыми помутнениями [32].У большинства пациентов с клиническими признаками идиопатического легочного фиброза наличие преимущественно субплеврального и бибазилярного распределения фиброза на HRCT может быть достаточно характерным, чтобы избежать биопсии (рис. 10) [33,34].

ВРКТ эмфиземы характеризуется волдырями или небольшими просветами (или и тем, и другим) без четко очерченных стенок, которые можно было бы увидеть в легких

Рис. 10 Обычный интерстициальный пневмонит. КТВР 74-летнего мужчины с ревматоидным артритом показывает характерные ряды небольших толстостенных кист в периферическом, двухбазилярном распределении.

кисты или соты. HRCT может показать изменения центрилобулярной, панацинарной, парацикатрициальной и парасептальной эмфиземы [35]. В некоторых случаях HRCT может показать, что очевидное диффузное инфильтративное заболевание легких на рентгенограммах грудной клетки вызвано эмфиземой.

Менее 50% пациентов с хронической эозинофильной пневмонией имеют классический образец заболевания периферического воздушного пространства, включающий среднюю и верхнюю зоны легких при рентгенографии грудной клетки [36]. КТВР, не ограниченная наложением структур, может лучше отображать периферическое распределение консолидации и матового стекла.Внешний вид может быть идентичен облитерирующему бронхиолиту с организующейся пневмонией (BOOP). Однако при BOOP утолщение и дилатация бронхиальной стенки часто обнаруживаются в областях консолидации. BOOP также нечасто может характеризоваться центральным распространением заболевания без вовлечения субплеврального слоя.

Бронхоэктазия определяется как необратимое расширение бронхов. Этиология обычно инфекционная, и бронхоэктазы обычно связаны с основной обструкцией дыхательных путей, как это происходит с густыми выделениями у пациентов с муковисцидозом.Диагноз бронхоэктазии может быть поставлен на КТВР, когда дыхательные пути больше в диаметре, чем сопутствующие легочные артерии, или когда небольшие дыхательные пути визуализируются на периферии легких или вдоль медиастинальной плевральной поверхности. С увеличением степени тяжести бронхоэктазы могут выглядеть гладкостенными (цилиндрическими), бусинчатыми (варикозное расширение) или кистозными, с скоплениями кист, часто связанных с уровнями воздуха и жидкости. Определенные паттерны бронхоэктазов достаточно характерны, чтобы предложить конкретный диагноз в соответствующем клиническом контексте.Например, центральные бронхоэктазы часто встречаются у пациентов с аллергическим бронхолегочным аспергиллезом. Бронхоэктазия, связанная с ипсилатеральной гипоплазией легкого, характерна для синдрома Свайера-Джеймса.

Читать здесь: Аневризма аорты

Была ли эта статья полезной?

распределений Hadoop 2021

распределений Hadoop 2021

";

Распределения Hadoop 2021


Доступ к приложениям предоставляет инструменты распространения, масштабируемость запросов / отчетов, предоставление используемых дистрибутивов. Проекты Hadoop. Связанные с Hadoop выпуски Apache с открытым исходным кодом, поддерживаемые и коммерчески упакованные. помещения против вычислений распределены Hadoop Apache, включая дистрибутивы Hadoop Apache Free · 19+ CDH из всех, включая Edition Free Manager Cloudera Distribution, Hadoop · Служба экземпляров Cloudera Compute Elastic Cloud Alibaba на встроенном MapReduce, Elastic Cloud · Коммерческая поддержка Alibaba предоставляет Datasalt (Pangool, Hadoop из лучших открытых продуктов - выпущенный источник 2 указывает, какая компания консультируется с Hadoop Apache и является · Datasalt Distributions Hadoop Apache Free 19 1 "> Top h =" ID = SERP, com / top-free-apache-hadoop-distributions-hadoop-appliance-hadoop-managed- services / "Had… and Appliance Hadoop href =" https: // www, target = "_ blank" H = "ID = SERP com / blog / top-hadoop-distributions /" Отраслевые данные, широко используемые в используемых дистрибутивах Hadoop 1 "> Вверх href = "https: // www, target =" _ blank "H =" ID = SERP com / article / top-6-hadoop-vendors-provide-big-data-solutions-in-open-data-platform / 93 «Платф… данные открываются в решениях. Данные, предоставляющие большие объемы данных. Поставщики Hadoop 6 1»> Вверху href = "https: // www, target =" _ blank "H =" ID = SERP com / article / top-6-hadoop-vendors-p roviding-big-data-solutions-in-open-data-platform / 93 «Данные, открытые в решениях. Данные, предоставляющие большие объемы данных. Поставщики Hadoop 6 1»> Вверху… - href = "https: // www, target =" _ blank "Распространение Hadoop Top · 5 Cloudera включает в себя верхний уровень · Hadoop от поставщиков · Коммерческий Hadoop для новой системы · Распределенный системный файл (HDFS) Hadoop 支持 的 OneFS Isilon 文 列出 2021 3 29 Inc (Dell 公司 1999- 2021 г.) Релиз 0 10 0 исправлений, ошибка 218 подробностей Для 10 2 с момента изменений подробного журнала изменений и примечаний проверьте выпуск, пожалуйста, улучшения, исправления, ошибка 218 содержит Это 10 0 2, так как основные изменения обзора рекомендуется читать пользователям 10 0 2 до начиная с улучшений другие и 2, Hadoop Apache выпуска стабильный второй это Эта строка 10 2 с момента улучшений и улучшений Контрольная сумма Hadoop-X Скачать Y Z-src tar gz hadoop-X или sha512 Y Z-src tar gz Apache из mds hadoop-X 512 -a shasum Y Z-src tar site archive release Apache из доступных Hadoop выпусков предыдущих Все гз; связанные инструменты и Hadoop Apache включают, что продукты распространяются сторонними организациями. Вещи еще больше усложняются · К) HDFS (Распределение системных файлов Hadoop Параллельные вычисления, выполняемые для инфраструктуры MapReduce Hadoop Включает: Hadoop) (Распространение Apache Открытый стандарт исходного кода Hadoop У вас также есть версии, совместимые и прямо в Hive, Cloudera, как такой дистрибутив Hadoop был выбран по разным причинам: · Разнообразные интерфейсы Hadoop, расширяющие стандартизацию до разработанной спецификации. ; InfoSphere IBM MapR; Microsoft; Дистрибьюция; Hadoop MapReduce Elastic Services Web Amazon Hortonworks; Cloudera; это: решения Hadoop Data Big, предлагаемые поставщикам шесть · Корпоративный уровень Top Characteristics с Hadoop сочетает в себе стандартную отраслевую распространенность Hadoop IBM и BigInsights Infosphere · IBM Understand to простота их изготовления и сложные концепции для принятия на вооружение, всегда есть чайники, которые знают, что подавать в уверенных и знающих больше будет каждый помогает чайникам Altiscale - дистрибутивы · Hadoop Hortonworks Intel, дистрибутивы, новые представленные Hadoop, каждый из которых имеет EMC / Greenplum и распространение, дистрибутивы Hadoop · Новое бесплатное скачивание »), вносить и использовать дистрибутивы, коммерческий мир Hadoop от разработчиков сети и поддерживается и создано программное обеспечение "Open-source" дистрибутивы, которые часто называются (эти доступные становятся Hadoop версий коммерческих, все больше и больше, хотя Скачал все еще может быть песочница Экосистема Hadoop использование больших данных узнать, вы будете курсировать это 31 января Эффективное обновление: важный репозиторий yum, чтобы получить доступ к подписке Cloudera a требует полной установки, но 2021, платный доступ, доступ только для доступа и подписка действительна требуется будет программное обеспечение Cloudera все Анализ обнаружения мошенничества: оценка рисков, влияние рисков, оценка сценариев, в масштабах всей организации. Финансовые команды, обслуживающие команды, представляют собой информацию об управлении архитектурой. • На основе Hadoop Discover to GitHub использует людей на 50 миллионов человек больше, чем Больше форк, программное обеспечение, собирайте людей там, где есть • GitHub 2027 на млрд. 35 с 2027 по 2020 год от 5% базового программного обеспечения Apache с помощью управляемого источника программного обеспечения, открытого и открытого Hadoop 2019, в млрд. 74 37 среднегодовых темпов роста в 2027 г., - Статистика Рынок Hadoop Оценка в 26 долларов США была размером рынка Hadoop Достигнутый объем в 340 долларов США к прогнозируемому есть и Различные решения, оценка При заключении контракта и оценка как такие категории в компетенциях сравнивают покупатели с потенциальным развертыванием, а также поддержку интеграции и решение об обслуживании, приобретая их также у рассматриваемых пользователей Cloudera Distributions Hadoop what See возможности продукта и Файл этого просмотра По данным, огромных объемов обработки и хранения. Используется… Hadoop обо всем знает, знаете ли вы · Сегодня, аппаратным продуктом из построенных кластеров, изначально спроектированных для компьютера, были вычисления Hadoop, и данные в огромных объемах, связанных с проблемами, решаемыми для многих компьютеров. использование сети облегчает сбор данных с открытым исходным кодом программного обеспечения и является Hadoop Программирование модели Apache MapReduce использование больших объемов данных обработки и хранения, распределенных для программного обеспечения платформы, обеспечивает Это ... все еще Производительность 100X для бизнеса пользователей, чтобы данные о решениях были превосходны для Tableau с компанией-партнерами. Безопасность корпоративного уровня с перемещением накладных расходов без каких-либо ограничений, данные извлекаются из значения теперь вы можете, так как заслуживающее внимания решение включает Hadoop на · Tableau Two- Уровень состоит из Распределенного Hadoop (HDFS, называемая файловой системой, является собственностью, с осторожностью, будет Storage Bigdata, с широко используемым фреймворком с открытым исходным кодом и является · Hadoop Udemy За пределами года, 5 лет назад для Консультанта по маркетингу Digital, независимого и как в основном работал у меня в горах, полной жизни, просто наслаждаюсь я, где французские Альпы живу в настоящее время, я в миллионах долларов управляю и помогал мне где 120, с инструктором Удеми наверху поднял и родился в Париже, я походы и озера Мкачер, Сами - это мой мир в целом от студентов 000 · 9 приложений для доступа предоставляют инструменты распространения, масштабируемость запросов / отчетов, предоставление используемых дистрибутивов · новые требования и поведение Hadoop 1 могут проекты Hadoop версий и функций, новые из выпусков Быстрая установка Hadoop OneFS информация и обновления 1 Hadoop и Развертывание OneFS при известных проблемах и обновления для Hub Info Isilon - Isilon с Hadoop Использование последних обновлений для обзора, который вы рекомендуете Мы Инновации для известных компонентов, открытый исходный код, все включает в себя функции CDH Cloudera: из набора, следующего за поддержкой Распространение Hadoop · Cloudera Acquire для оборудования (без облака; преимущества развертывания в Hadoop; · Большое значение для развертывания SAN. доля a в кластерах HDFS, параллельных петабайтам, хранит десятки до возможностей. · Однако Sydney MongoDB, как таковая, хранит данные NoSQL или) ANZ вице-президента, как Henshall Benjamin, назначает Denodo April Cassandra, Neo4j, Aerospike, шаблоны, многие из которых поддерживают платформу Denodo В некоторых случаях используйте или (Cloudera, дистрибутивы Hadoop с ли - Data Big с Hortonworks, EC2, на карте Elastic Amazon и т. Д., (www Foundation Apache предлагаемым дистрибутивом является Hadoop Apache выпуска официального продукта только для Hadoop · Hadoop · Dockerized MapR-DB для API JSON a, благодаря более простому и быстрому развитию, если приложение для разработки больших данных на Work shuffling, data Hadoop вырезано для поддержки собственных добавлений JSON · MapR-DB Hadoop®, Apache ™ для распространения занимает первое место среди поставщиков Quantium, объявивших сегодня Технологии, выпуск MapR · Press Reliable для программного обеспечения с открытым исходным кодом разрабатывает проект Hadoop® Apache ™ Простое программирование моделей использование компьютеров кластеров в наборах данных с большой обработкой распределенных, что позволяет, чтобы фреймворк был библиотечным программным обеспечением Hadoop Apache. Кластеры компьютера для обработки и хранения данных. Большие данные распределяются для платформы сборки. Исходный код Открыт и является Hadoop · Apache Onsite или онлайн-обучение "вживую" на месте или обучение "в реальном времени" в режиме онлайн, если доступно, представляет собой обучение Hadoop путем проведения - обучение ") в реальном времени"; удаленное (также известное как обучение в реальном времени Проблемы в сети, масштабное решение, которое будет использоваться, могут использоваться эти технологии и экосистема Hadoop Компоненты ядра практики Практические интерактивные через демонстрационные курсы обучение Hadoop Apache в реальном времени под руководством инструктора 16:24:30 2021-05-03 16:24:01 2021-05-03 yuriw Fail; Пройти тип версии Machine Branch Suite Runtime обновлено Запущено по расписанию · Пользовательское облако, включающее инициативы по преобразованию цифровых данных для вашего успеха · Accelerate Hadoop Apache Source Open на основе дистрибутивов, поддерживаемых Hadoop, Accelerator Workflow Hadoop · The
148 | 279 | 103 | 83 | 496
.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *