Технические характеристики транзистора КТ819 зависят от классификации, которая указывается в конце маркировки на корпусе устройства буквами: А…Г, АМ…ГМ. Вся серия относятся к кремниевым, среднечастотным n-p-n биполярным устройствам высокой мощности – от 60 до 100 Вт (в металлизированном ТО-3). Производится по меза-эпитаксиально-планарной технологии. Известна с советских времен благодаря массовому применению в выходных каскадах УНЧ, схемах стабилизации блоков питания, ключевых схемах.
Распиновка
Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).
Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.
Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.
Технические характеристики
Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:
- напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
- постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
- импульсный ток (при tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
- максимальная рассеиваемая мощность (при ТК ≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
- температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
- диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;
Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.
В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.
Маркировка
Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для него будет транзистор КТ818 с p-n-p структурой.
Аналоги
Почти полные аналоги КТ819 (в корпусе ТО-220) будут следующие зарубежные транзисторы: BD243, BD243A, BD243B, BD243C. Отечественной замены в таком исполнении нет. Зато в металлостеклянном ТО-3, похожих по своим параметрам устройств достаточно много: КТ834, КТ841, КТ844, КТ847, КТ729А. Ниже представлен их более подробный перечень.
Производители
Транзисторы серии КТ819 продолжают выпускать небольшими партиями на российском заводе «Кремний» г.Брянск и белорусском предприятии «Интеграл» г. Минск. С каждым годом их производство сокращается из-за низкого спроса и появления на рынке более новых и качественных устройств.
Транзистор КТ819 — кремниевый мезаэпитаксиально-планарный мощный транзистор n-p-n структуры. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами (2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ) и в пластмассовом (КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г).
Цоколевка транзистора КТ819
Характеристики транзистора КТ819
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h31э | fгр., МГц |
| КТ819А | 40 | 40 | 10 (15) | 1.5 (60) | 15-225 | 3 |
| КТ819Б | 50 | 50 | 10 (15) | 1.5 (60) | 20-225 | 3 |
| КТ819В | 70 | 70 | 10 (15) | 1.5 (60) | 15-225 | 3 |
| КТ819Г | 100 | 100 | 10 (15) | 1.5 (60) | 12-225 | 3 |
| КТ819АМ | 40 | 40 | 10 (15) | 2 (100) | 15-225 | 3 |
| КТ819БМ | 50 | 50 | 10 (15) | 2 (100) | 20-225 | 3 |
| КТ819ВМ | 70 | 70 | 10 (15) | 2 (100) | 15-225 | 3 |
| КТ819ГМ | 100 | 100 | 10 (15) | 2 (100) | 12-225 | 3 |
| 2Т819А | 100 | 100 | 10 (15) | 3 (100) | 20-225 | 3 |
| 2Т819Б | 80 | 80 | 10 (15) | 3 (100) | 20-225 | 3 |
| 2Т819В | 60 | 60 | 10 (15) | 3 (100) | 20-225 | 3 |
Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Аналоги транзистора КТ819
КТ819А — 2N6288
КТ819Б — 2N5490
КТ819В — 2N5494
КТ819Г — 2N5496
КТ819АМ — BDW21
КТ819БМ — 2N6253
КТ819ВМ — 2N6471
КТ819ГМ — 2N3055
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ819А | BD2921, TIP41, 2SC1354 *3, SDT9307 *3, SDT9304 *3, SDT9301 *3, TIP41 *2, SSP82 *3 | |||
| КТ819Б | BD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278, BD245, 40624 *2, BD663, BD553 *2 | ||||
| КТ819В | BD201, BDT93, 2SC2098 *2, 2N5493, 2N5492, TIP3055T, STI3055T, РН3055Т, MJE3055T, BD501A *2, 2N6099, 2N6098, BDX71, BDT91, BD535 *2, KSE3055T, BEL3055, 2N6099E
| ||||
| КТ819Г | BD203, BDT95, BD711 *2, BDW21C *1, BLY17A *3, TIP41С *2, SSP82C *3, SDT9309 *3, SDT9306 *3, SDT9303 *3, 2SC681AYL *3, 2SC681ARD *3, 2N4130 *3 | ||||
| КТ819АМ | BD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1, SDT9307 *2, SDT9304 *2, SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3, 40251, 40325, 2N3055/5 | ||||
| КТ819БМ | BD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2, BD743 *1, BDW51, BDW21 *2, SDT9201, BD245 *3, SDT9205 *2 | ||||
| КТ819ВМ | BD182, BDX91, BD207 *3, BDW21A *2, BD907 *1, BDS10 *1, BDS10SM | ||||
| КТ819ГМ | BD183, 2N3055, 2N6371HV, BD711 *3, BDW21C *2, SDT9208, 2N3055/7, 2N3055/6, 2N3239 *2, 2N3238 *2, BD909 *3, BDW21B *2, SDT9207 *2 | ||||
| КТ819А-1 | BD545C, MJE1660 *2, BLV38 *3 | ||||
| КТ819Б-1 | BD545B, 2N3667 *1, 2N6253 *1, BD278 *3, BD278A *3, BD743 *1, BD705 *1 | ||||
| КТ819В-1 | BD545A, 40363 *3, BD207 *3, BD501A *3, BDS10SM *1, BDS10 *1, BD907 *1 | ||||
| КТ819Г-1 | BD545, 2N3236 *1, 2N3239 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ819А | — | 1.5; 60* | Вт |
| КТ819Б | — | 1.5; 60* | |||
| КТ819В | — | 1.5; 60* | |||
| КТ819Г | — | 1.5; 60* | |||
| КТ819АМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819БМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819ВМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819ГМ | — | 2; 100* | |||
| КТ819А-1 | — | 2; 100* | |||
| КТ819Б-1 | — | 2; 100* | |||
| КТ819В-1 | — | 2; 100* | |||
| КТ819Г-1 | — | 2; 100* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ819А(М,-1) | — | ≥3 | МГц |
| КТ819Б(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ819В(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ819А(М,-1) | 0.1к | 40* | В |
| КТ819Б(М,-1) | 0.1к | 50* | |||
| КТ819В(М,-1) | 0.1к | 70* | |||
| КТ819Г(М) | 0.1к | 100* | |||
| КТ819Г-1 | 0.1к | 90* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ819А(М,-1) | — | 5 | В |
| КТ819Б(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ819В(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ819А | — | 10(15*) | А |
| КТ819Б | — | 10(15*) | |||
| КТ819В | — | 10(15*) | |||
| КТ819Г | — | 10(15*) | |||
| КТ819АМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ819БМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ819ВМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ819ГМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ819А(М,-1) | 40 В | ≤1 | мА |
| КТ819Б(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ819В(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ819Г(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ819А(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |
| КТ819Б(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
| КТ819В(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |||
| КТ819Г(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ819А(М,-1) | 5 В | ≤1000 | пФ |
| КТ819Б(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ819В(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ819Г(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ819А(М) | — | ≤0.4 | Ом, дБ |
| КТ819Б(М) | — | ≤0.4 | |||
| КТ819В(М) | — | ≤0.4 | |||
| КТ819Г(М) | — | ≤0.4 | |||
| КТ819А-1 | — | ≤1 | |||
| КТ819Б-1 | — | ≤1 | |||
| КТ819В-1 | — | ≤1 | |||
| КТ819Г-1 | — | ≤1 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ819А(М,-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ819Б(М,-1) | — | — | |||
| КТ819В(М,-1) | — | — | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ819А(М,-1) | — | ≤2500** | пс |
| КТ819Б(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ819В(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ819Г(М,-1) | — | ≤2500** |
Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.
Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.
Цоколевка транзистора
Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .
Основные параметры
Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.
Возможные аналоги
Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:
- допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
- допустимый ток коллектора;
- коэффициент усиления;
- рабочая частота.
Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.
Отечественные аналоги
Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:
- КТ834;
- КТ841;
- КТ844;
- КТ847.
Зарубежные аналоги
Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:
- 2 N6288 ;
- BD705 ;
- TIP41 ;
- BD533 .
Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.
Проверка транзистора
Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.
После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.
Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.
Усилитель на КТ819
В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.
Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.
При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.
После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.
819
+819819 — н-п-н () -.
| . | U (), | U (), | Imax (), | Pmax (), | h31 | I, | ф., | U, | |
| 819 | н-п-н | 40 | 40 | 10000 (15000) | 1.5 (60) | 15-225 | => 3 | <2 | |
| 819 | 50 | 50 | 10000 (15000) | 1,5 (60) | 20-225 | => 3 | <2 | ||
| 819 | 70 | 70 | 10000 (15000) | 1.5 (60) | 15-225 | => 3 | <2 | ||
| 819 | 100 | 100 | 10000 (15000) | 1,5 (60) | 12-225 | => 3 | <2 |
:
| . | U (), | U (), | Imax (), | Pmax (), | h31 | I, | ф. | U, | |
| 819 | н-п-н | 40 | 40 | 15000 (20000) | 2 (100) | 15-225 | => 3 | <2 | |
| 819 | 50 | 50 | 15000 (20000) | 2 (100) | 20-225 | => 3 | <2 | ||
| 819 | 70 | 70 | 15000 (20000) | 2 (100) | 15-225 | => 3 | <2 | ||
| 819 | 100 | 100 | 15000 (20000) | 2 (100) | 12-225 | => 3 | <2 | ||
| 2819 | 100 | 100 | 15000 (20000) | 3 (100) | 20-225 | => 3 | <1 | ||
| 2819 | 80 | 80 | 15000 (20000) | 3 (100) | 20-225 | => 3 | <1 | ||
| 2819 | 60 | 60 | 15000 (20000) | 3 (100) | 20-225 | => 3 | <1 |
:
| U | — — |
| U | — — |
| U | — — |
| U | — — |
| Imax | — |
| Imax | — |
| Pmax | — |
| Pmax | — |
| h31 | — |
| I | — |
| f | — |
| U | — — |
OCR Scan
KT805M
Резюме: kt805bm KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A
Текст: TIP32A 8177 TIP32B 8177 TIP32C 8177 ПНП KT818A KT818 KT818 KT818B NPN KT819A KT819 KT819 KT819B NPN TIP41C 8212 TIP41B 8212 TIP41 8212 ПНП TIP42 8213 TIP42B 8213 TIP42 8213 8224
Оригинал
КТ 819 транзистор
Аннотация: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18
Текст: BD237 BD238 BD237 BD238 KT819G.W KT818G, * KT819G.W KT819G, W KT819G Sp Sn Sp Sn Sp 60 100 80, KT816 G * kpl. zu BD139 2N3055 2N3055 KT819 G, w SF359 50 80 45 300 27/26 26 26 26 26 26, 45 60 45 60 1,2 KT819G KT819G «f — 10 — Zonenfolge Ersatztyp Материал
OCR Scan
2T908A
Аннотация: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115,05 KT117 1T813
Текст: KT819 (A, E, B, T, AM, EM, BM, T M).487 7 KT821 KT823 2T824 KT826
OCR Scan
2T931A
Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
Текст: 8 I9 (A2, 52, B 2), KT819 (A, B, B H BM, BM, TM). , , , , KT821 (A-1, B-1, B-1) KT823 (A-1, B
OCR Scan
t110 94v 0
Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T Philips, диод PH 37m 35K0 trimble R8, модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS
Текст: Текст файла недоступен
OCR Scan
2010 — 2N3055H MOTOROLA
Аннотация: SM2174 SM2184 2SD878 BD130 2SD151 BDY73 KT818V mj2955 TO-218 2SA1042
Текст: -8 2N6471 KT818V KT819V 2SA1042 2SC2432 2N6246 BDX60 BDX60 BDX60 2 366 540 6 6 6 6 6 8 48 6 6 8 48 6 6 6 48 483
Оригинал
2010 — b0743
Аннотация: KT819A B0545 2N3055-5 BOT54 PT9784 BOW51 044Vh5 1561-0403 40636
Текст: MJ2801 MJ2801 MJ2801 KT819A 1561-0403 1561-0404 1561-0404 BOX13 / 40251 MJE1660 MJE1660 SJ0009
Оригинал
2010 — 2SD556 Санкен
Аннотация: SDT9207 SM2176 2sd556 KT819G SDT9202 Bd184 2N3055-7 KT818G 1561-0803
Текст: BDT55 BD912 SDT9804 SDT9804 SDT9804 KT819G 2SC2750M 2SD375 2SC2750N2 510 2 5 5 950 2 5 5 5 9 5 5 5 9 5 5 5 5 5 9 5 5 5 9 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 50 5
Оригинал
KT805AM
Аннотация: KT805 KT610A KT837B BD140 npn KT872A KT837K KT315B KT315 KT818
Текст: KT818B KT818Ã KT819A KT819Á KT819B KT819Ã ÊÒ8212À ÊÒ821288213 219 2103 2102212 2182
Оригинал
2T3130A9
Аннотация: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e
Текст: KT816G KT816V KT817A KT819BM, GM KT838B KT846V KT856B1 KT8A9 K915159159151591591591591515915159151591515910910910910910910 K915159109109K91515T9109A9K515915910 K9105A900
Оригинал
2T6551
Аннотация: информационная аппликация информационная аппликация микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Микроэлектроник информационная аппликация KT827 микроэлектроник DDR
Текст: текстовый файл недоступен
OCR Scan
2010 — kt819g
Аннотация: SOT9202 SM2174 B0450 044Vh20 2N3055-1 диодный GG 71 2N3055-6 b0911 Пакет STS107
Текст: 2N5972 BOX23 B0451 BOX23 / 40636 BOT55 BOT55 2Nltsl {2N21H KT819G 2N3055 / 6 2N8 8 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 8 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9 9
Оригинал
2010 — B0347
Аннотация: B0907-й TIp3055 BOY20 sk322 PTC140 mje1661 2N3055H MOTOROLA 2S0556 2SC3694
Текст: SK3222 S01407-S PTC140 KT819V BOX60 BOX60 BOX60 TIP3055 2N6471 2SC2432 BOT53
| Оригинал | FGT3055 Box10 SGS3055 2N3055A 2N5412 OT9206 B0907 BOT81 B0743A B0347 ул TIp3055 BOY20 sk322 PTC140 mje1661 2N3055H МОТОРОЛА 2S0556 2SC3694 | ||
2010 — KT819B Аннотация: KT818A BD347 MJE1660 BDW52 2sb757 KT818B BDT52 1561-0403 BD191 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 KT818A KT819A 2SB757-09 KT819B BD347 BDW52 2sb757 KT818B BDT52 1561-0403 BD191 | |
KC156A Аннотация: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A | OCR Scan | XapfaKOB-57, KC156A ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A | |
Похожие записи
