Кт825Г параметры. Биполярный транзистор КТ825Г: характеристики, применение и аналоги

Каковы основные параметры транзистора КТ825Г. Где применяется данный транзистор. Какие существуют отечественные и зарубежные аналоги КТ825Г. Как правильно выбрать и использовать этот транзистор в электронных схемах.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ825Г

КТ825Г — это мощный биполярный транзистор структуры PNP, изготовленный по составной схеме Дарлингтона. Он относится к семейству кремниевых транзисторов КТ825 и выпускается в металлическом корпусе ТО-3.

Основные параметры КТ825Г:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 70 В
  • Максимальный ток коллектора: 20 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока: 750-18000
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц

Области применения транзистора КТ825Г

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ825Г находит широкое применение в различных электронных устройствах:

  • Мощные усилители низкой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Стабилизаторы напряжения и тока
  • Преобразователи напряжения
  • Системы управления электродвигателями
  • Ключевые и коммутационные схемы

Высокий коэффициент усиления и большая мощность позволяют использовать КТ825Г в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты.


Особенности конструкции и корпуса

КТ825Г выпускается в металлическом корпусе ТО-3 со стеклянными изоляторами. Такая конструкция обеспечивает хороший отвод тепла и позволяет работать с большими токами и мощностями.

Габаритные размеры корпуса:

  • Диаметр: 25,4 мм
  • Высота: 14,5 мм
  • Вес: не более 20 г

Цоколевка транзистора КТ825Г:

  • Вывод 1 — эмиттер
  • Вывод 2 — база
  • Корпус — коллектор

Основные электрические параметры

Рассмотрим подробнее ключевые характеристики транзистора КТ825Г:

Предельно допустимые значения:

  • Напряжение коллектор-эмиттер: 70 В
  • Напряжение коллектор-база: 90 В
  • Напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Постоянный ток коллектора: 20 А
  • Импульсный ток коллектора: 40 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 125 Вт

Статические характеристики:

  • Коэффициент передачи тока h21э: 750-18000
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2-3 В
  • Напряжение насыщения база-эмиттер: 3-4 В

Динамические характеристики:

  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Емкость коллекторного перехода: 350-600 пФ
  • Время включения: не более 1 мкс
  • Время выключения: 3-4,5 мкс

Преимущества и недостатки транзистора КТ825Г

Рассмотрим основные достоинства и ограничения данного транзистора:


Преимущества:

  • Большой коэффициент усиления по току
  • Высокая мощность рассеивания
  • Низкое напряжение насыщения
  • Возможность работы с большими токами
  • Хороший теплоотвод благодаря металлическому корпусу

Недостатки:

  • Относительно невысокая граничная частота
  • Большие габариты корпуса
  • Необходимость использования теплоотвода при больших мощностях
  • Чувствительность к статическому электричеству

Отечественные и зарубежные аналоги

При необходимости замены КТ825Г можно использовать следующие аналоги:

Отечественные:

  • КТ827Г
  • КТ8127А
  • КТ8127Г
  • 2Т825Г

Зарубежные:

  • BDX66C
  • BDX64C
  • 2N6287
  • MJ2501
  • TIP142

При замене необходимо внимательно сравнивать параметры и убедиться в их соответствии требованиям схемы.

Рекомендации по применению КТ825Г

При использовании транзистора КТ825Г следует учитывать некоторые особенности:

  • Обязательно применение теплоотвода при рассеиваемой мощности более 3 Вт
  • Соблюдение мер защиты от статического электричества при монтаже
  • Контроль температуры корпуса, не допуская превышения 175°C
  • Использование схем температурной стабилизации в мощных каскадах
  • Подбор оптимального режима по току базы для снижения нелинейных искажений

Проверка и диагностика транзистора

Для проверки исправности КТ825Г можно использовать следующие методы:


  1. Прозвонка переходов мультиметром в режиме «диод»
  2. Измерение статического коэффициента передачи тока
  3. Проверка остаточного напряжения коллектор-эмиттер
  4. Тестирование в реальной схеме с контролем режимов

При обнаружении отклонений от номинальных параметров транзистор следует заменить.

Заключение

Транзистор КТ825Г является надежным и проверенным компонентом для построения мощных усилительных и ключевых каскадов. При правильном применении он обеспечивает высокие характеристики и стабильную работу электронных устройств. Знание особенностей и параметров КТ825Г позволяет грамотно использовать его потенциал в различных схемах.


Транзистор КТ825Г: характеристики, аналоги и datasheet

Характеристики транзистора КТ825Г позволяют использовать его в схемах переключения и различных усилителях. Его структура p-n-p. Изготавливается как и все устройство данной серии по мезапланарной технологии с структурой p-n-p. Отличается большим коэффициентом усиления тока, так как изготавливается по схеме Дарлингтона, то есть являются составными.

Распиновка

Цоколевку КТ825Г приведём в корпусе ТО-3 в котором он и изготавливается. Она имеет жёсткие выводы и стеклянные изоляторы. Его масса не должна быть больше 20 г. Габариты и схема приведены на рисунке расположенном ниже.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики КТ825Г это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём эти характеристики:

  • рабочая температура окружающей среды от -40 до +100 ОС;
  • наибольший возможный импульсный (протекающий в течении короткого промежутка времени) ток через коллектор – 40 А;
  • максимально возможное постоянное (действующее на протяжении длительного времени) напряжение между базой и эмиттером – 5 В;
  • максимальный постоянный ток протекающий через базу – 0,5 А;
  • максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при температуре окружающей среды +25ОС:
    • с теплоотводом – 125 Вт;
    • без теплоотвода – 3 Вт;
  • допустимая температура n-p перехода (кристалла) — +175 ОС;
  • предельно допустимые постоянный (длительный) ток через коллектор – 20 А;
  • постоянное напряжение между коллектором и эмиттером ( при сопротивлении Б – Э равном RБЭ = 1000 Ом или UЭБ = 1,5 В) не должно быть больше – 90 В.

Помимо выше указанных параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики.

Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25 ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

ПараметрыРежимы измеренияОбозн.minmaxЕд. изм
Коэффициент передачи тока для изделий, включённых по схеме с ОЭUКБ = 10 В, IЭ= 10 A

Т = ТК макс

UКБ = 10 В, IЭ= 20 A

h21Э750

600

100

18000

25000

 

Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигналаUКБ = 3 В, IЭ= 10 A f = 5кГцh21э
430
60000
Граничная частота коэффициента передачи тока для транзистора, включённого по схеме с ОЭUКБ = 3 В, IЭ= 10 Afгр4МГц
Граничное напряжениеIЭ= 100 мA70В
Напряжение насыщения перехода К-ЭIК = 10 A, IБ = 40 мA

IК = 20 A, IБ = 200 мA

UКЭнас 

 

2

3

В

В

Напряжение насыщения перехода Б-ЭIК = 10 A, IБ = 40 A

IК = 20 A, IБ = 200 A

UБЭнас 

 

3

4

В

В

Пробивное напряжение перехода К-ЭUЭБ = 1,5 В,

IК= 1 мA

Т = Тмакс , IК

= 2 мA

UКЭО проб.  

90

80

 

В

В

Пробивное напряжение перехода Э-БIЭБ о= 2 мAUКЭО проб5В
Время включенияIК= 10 A, IБ = 40 мAtвкл1мкс
Время выключенияIК= 10 A, IБ = 40 мAtвыкл34,5мкс
Ёмкость коллекторного переходаUКБ = 10 Вcк350600пФ
Ёмкость эмиттерного переходаUЭБ = 5 Вcк450350пФ

Содержание драгметаллов в транзисторе КТ825Г:

  • 0,01 г золото;
  • 0,095 г серебро.

Данные взяты из справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий» г. Красноярск: ИПК «Платина», 1999 г

Аналоги

При необходимости транзистор КТ825Г можно заменить такими зарубежными аналогами:

  • BDX88C;
  • BDX66A;
  • BDX64A;
  • BDX86C;
  • 2N6287;
  • BDX64B;
  • 2N6286;
  • 2N6052;
  • BDX66B;
  • 2N6051;
  • BDX88B;
  • MJ2501;
  • MJ4032.

В любом случае до того как принять решение нужно изучить схему, в которой работает транзистор и его режим работы и только после этого его можно менять.

Так как КТ825Г изготовлен по схеме Дарлингтона, можно собрать схему, которая бы его заменила. Данная конструкция проста и в ней не используются дефицитные детали. Для ее сборки потребуются два транзистора и два диода.

Производители

Транзистор КТ825Г выпускает всего одно предприятие. Это АО «Кремний» г. Брянск. Соответственно в магазинах можно приобрести продукцию только этого завода.

PNP

Параметры кт825г

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Транзистор КТ825Г
  • КТ825 , 2Т825
  • Транзисторы Россия
  • Транзистор КТ825Г
  • Справочная информация о аналогах транзистора КТ825Г
  • Файл:Радио 1984 г. №05.djvu
  • Усилитель Солнцева «QUAD-405» (измененный вариант)
  • Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить мощный биполярный транзистор и его цоколевку!!!

Транзистор КТ825Г


Транзисторы нашли широкое применение, сегодня они применяются в усилительных схемах, электронных ключах, генераторах сигналов, а также в качестве активных элементов в переключательных и усилительных каскадах. Приобрести отечественные транзисторы сегодня можно у нас. Доступные цены и высокое качество — вот что в первую очередь характеризует радиоэлементы, представленные в нашем магазине.

Скачать прайс-лист. Войти или зарегистрироваться. Постоянный покупатель Корзина. Ростовская обл. Каменск — Шахтинский, Проспект Карла-Маркса, д.

Корзина Товаров: 0 0 р. Главная Радиодетали Транзисторы Россия. Транзисторы Россия. На странице: 25 50 75 Транзистор ГТ Транзистор ГТБ. Предназначены для приме Транзистор ГТВ. Транзистор ГТД. Транзистор ГТА. Транзистор КПБ 2N Транзистор КПЕ. Транзистор КПА. Транзистор КТА. Описание Структура N-База Макс. Uкбо ма Структура NPN Макс. Uкбо макс ,В 20 Мак Транзистор КТ Uкбо макс Транзистор КТЕ. Транзистор КТ 2N КТ — тип кремниевого биполярного транзистора, p-n-p проводимости, усилительный высокочастотный м Транзистор: кта 1 ктб Структура n-p-n n-p-n Pк max 0,3 0,3 Вт Uкб Транзистор КТГ.

Транзистор КТВ. Транзистор КТБ. Технические параметры Структура pnp Макс. Транзистор КТАМ. КТБ Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные, Использу Транзистор КТК. Транзистор КТ мет. Предназначены для пр Транзистор КТБМ.

Транзистор КТА КТГМ Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для при Транзистор КТГМ. Структура PNP Макс. Uкбо макс ,В 60 Мак Структура p-n-p Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база 45 В Макси Транзисторы КТА кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.

Транзисторы КТ — кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры — n-p-n. Корпус плас Uкэr макс ,В Транзистор МП Транзистор ПШ. Транзистор ПБ. Служба поддержки Контакты Возврат товара Карта сайта. Дополнительно Подарочные сертификаты Партнёрская программа Акции Оптовикам. Личный кабинет Личный кабинет История заказов Закладки Рассылка.


КТ825 , 2Т825

Автор усилителя — Солнцев Ю. Правка исходной статьи с учетом современной элементарной базы — Green. Создатель нижеследующего описания ни в коем случае не претендует на авторство данного усилителя. На написание этой статьи или исправленной исходной автора сподвигло лишь желание облегчить труд своим друзьям и знакомым, собиравшим усилитель по его рекомендациям. Основные параметры усилителя:. Максимальная выходная мощность на нагрузку 4 Ом: 70 Вт. Номинальное входное напряжение: 0,2 В.

Транзисторы Российского производства — доставка по России, низкие цены, гарантия! Звоните 8()

Транзисторы Россия

Транзистор англ. Маркировка транзисторов — Цветовая и кодовая маркировка транзисторов. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора: Схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером ОЭ — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема; с общим коллектором ОК — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок; с общей базой ОБ — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко в основном в усилителях СВЧ , обычно в составных схемах например, каскодных. Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми. Что нам на это скажут официальные источники? Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.

Транзистор КТ825Г

Транзисторы нашли широкое применение, сегодня они применяются в усилительных схемах, электронных ключах, генераторах сигналов, а также в качестве активных элементов в переключательных и усилительных каскадах. Приобрести отечественные транзисторы сегодня можно у нас. Доступные цены и высокое качество — вот что в первую очередь характеризует радиоэлементы, представленные в нашем магазине. Скачать прайс-лист. Войти или зарегистрироваться.

Электронные компоненты и оборудование Транзисторы Отечественные Ктг.

Справочная информация о аналогах транзистора КТ825Г

Для улучшения симметрии усилителя выходной каскад выполнен на комплементарной паре транзисторов рис 3 Учитывая, что оснониые параметры усилителя улучшаются с ростом коэффициента передачи тока h3l3, в выходном каскаде применены составные транзисторы КТА VT9 и КТГ VTI0. Если большое входное сопротивление нс требуется, входную цепь лучше выполнить в соответствии с 5j. Входное сопротнвле иие при этом уменьшится до 22 кОм, но усилитель станет инвертирующим и менее склонным к самовозбуждению при возникновении обратной связи между его выходом и входом эта связь будет отрицательной. Следует, однако, отметить, что н в неннвер тируюшем нлрнаите устойчивость усилителя остается высокой. Для предотвращения щелчков в громкоговорителях, обусловленных переходными процессами при пключении питания. Материал из РадиоВики — энциклопедии радио и электроники.

Файл:Радио 1984 г. №05.djvu

Подать объявление. Используя этот веб-сайт, вы соглашаетесь с использованием файлов cookie. Ознакомьтесь с Политикой использования файлов cookie. Выбрать раздел. Найдено в разделах Фильтр. Найдено по запросу транзистор в Украине. Всего найдено Электротехника Оборудование 50 Бытовые товары одежда 33 Авиа авто жд море техника 28 Сельское хозяйство 10 Химия нефтехимия уголь 10 Компьютеры офис 8 Металлы металлопрокат 7 Строительные материалы 4 Бытовая техника 3 Услуги 1.

Цоколевка транзистора КТГ. Цоколевка и размеры транзистора КТГ Условное графическое обозначение транзистора КТГ обычно.

Усилитель Солнцева «QUAD-405» (измененный вариант)

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны. Обозначения: U кб и максимально допустимое напряжение коллектор-база в скобках указано значение для импульсного напряжения U кэ и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер в скобках указано значение для импульсного напряжения I к max и максимально допустимый постоянный ток коллектора в скобках указан максимальный импульсный ток P к max т максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода h 21э статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером I ко обратный ток коллектора f гр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером К ш коэффициент шума Выбор по параметрам: N-P-N К ш не более: Дб I ко не более: мкА P-N-P f гр не менее: МГц Наимен.

Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 2019-01-26. Найти Z-параметры четырёхполюсника

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТГ. Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов золота, серебра, платины и МПГ в транзисторе с указанием его веса которые используются или использовались при производстве в радиотехнике. Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТГ.

Оставьте Ваше сообщение и контактные данные и наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее рабочее время для решения Вашего вопроса.

Выполнен в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Транзисторы КТГ предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления, защиты и автоматики. Uкбо макс ,В — Максимально допустимый ток к Iк макс. Статический коэффициент передачи тока h31э мин- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.

Модераторы: Arche, Maxxtro, Popesych , Группа модераторов. Вернуться в Ремонт Citroёn. Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot] и гости:


Новости и советы — Menikmati kesederhanaan Kopi Tubruk

Menikmati kesederhanaan Kopi Tubruk

Posted in Советы By

Djauw Coffee

Wednesday, January 2, 2019 10:34:13 PM Asia/Jakarta

Menikmati kesederhanaan Kopi Tubruk

 

Kopi tubruk merupakan metode penyajian kopi khas indonesia. Mungkin hampi di sebagian besar kafe atau kedai kopi di indonesia, kita dapat menjumpai Kopi tubruk. Метод пеньедухан копи тубрук биса дикатакан чакуп мудах, фильтр тидак менггунакан бантуан месин атаупун. Kita hanya membutuhkan kopi, gelas, dan air panas.

 

Мескипун терлихат мудах дан практик. Ада beberapa poin янь harus kita perhatikan. Agar kita dapat menikmati karakter cita rasa kopi yang kita seduh. Берикут советы дари ками :

 

  1. 1. Masak Air hingga mencapai suhu 93-96 derajat celcius

     *jika anda tidak memiliki термометр. масак аир хингга мендиди, лалу биаркан 1-2менит

  2. 2. Сиапкан биджи копи

  3. 3. Giling biji kopi hingga ukuran medium, tidak terlalu kasar (грубый) dan tidak terlalu halus (тонкий)

  4. 4. Тимбанг бубук копи. bubuk kopi umumya dibuat 1 полоса 15 dengan air. (contoh: копи 10gr untuk 150ml воздуха)              *hal ini bisa disesuaikan dengan selera masing-masing. Apabila anda lebih menyukai kopi yang pekat, anda bisa menambah takaran kopinya. бегитупун себаликня апабила анда сука копи ян тидак терлалу пекат, анда дапат менамбахкан такаран аирня.

  5. 5. Tuangkan Air sebagian pada kopi untuk цветущий, lalu diamkan selama 30 detik

  6. 6. Сетелах цветущих, сама сеперти себелумья. Tuangkan air kembali pada kopi sesuai takaran yang kita inginkan

  7. 7. Терахир, Тунгу 3-4менит, бару копи диадук дан ампасня ян менгамбанг ди пермукаан дапат дибуанг

  8. 8. Селесаи, копи дапат анда никмати

           

         

 

 

 

Комментарии к записи

Сортировать по Создано на Добавлено

Показать 10 на странице

Страница:

  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

Сортировать по Создано на Добавлено

Показать 10 на странице

Страница:

  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

Вы должны войти, чтобы оставить комментарий.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *