Каковы основные параметры транзистора КТ837К. Где применяется данный биполярный PNP транзистор. Какие особенности конструкции и эксплуатации имеет КТ837К. В чем преимущества использования этого транзистора в электронных схемах.
Общая характеристика транзистора КТ837К
КТ837К представляет собой биполярный эпитаксиально-планарный PNP транзистор. Этот полупроводниковый прибор разработан для применения в различных электронных устройствах и схемах. Рассмотрим его ключевые характеристики:
- Тип: биполярный PNP транзистор
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимальный ток коллектора: 7.5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 30 Вт
- Материал: кремний
- Корпус: пластмассовый КТ-28 (ТО-220)
КТ837К отличается высокой надежностью и стабильностью параметров в широком диапазоне рабочих температур от -60°C до +100°C. Это делает его универсальным выбором для различных применений в электронике.
Области применения транзистора КТ837К
- Схемы переключения
- Выходные каскады низкочастотных усилителей
- Преобразователи постоянного напряжения
- Стабилизаторы напряжения
- Источники питания
- Промышленная автоматика
- Бытовая электроника
Универсальность КТ837К позволяет использовать его в широком спектре устройств, от простых бытовых приборов до сложного промышленного оборудования.
Электрические параметры и характеристики КТ837К
Для правильного применения транзистора КТ837К важно знать его основные электрические параметры. Рассмотрим наиболее значимые из них:
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Максимальное напряжение коллектор-база (Uкб max): 45 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max): 30 В при Rэб = 0 Ом
- Максимальное напряжение эмиттер-база (Uэб max): 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (Iк max): 7.5 А
- Максимальный постоянный ток базы (Iб max): 1 А
Основные электрические параметры при температуре 25°C:
- Обратный ток коллектор-эмиттер (Iкэr): не более 10 мА
- Обратный ток коллектор-база (Iкбо): не более 0.15 мА
- Статический коэффициент передачи тока (h21э): от 50 до 150
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас): не более 0.5 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер (Uбэ нас): не более 1.5 В
Эти параметры определяют возможности и ограничения при использовании КТ837К в электронных схемах. Как правильно интерпретировать эти данные для оптимального применения транзистора?
Особенности конструкции и эксплуатации КТ837К
Транзистор КТ837К имеет ряд конструктивных особенностей, которые влияют на его эксплуатационные характеристики:
- Корпус КТ-28 (ТО-220) обеспечивает хороший теплоотвод
- Эпитаксиально-планарная структура повышает надежность
- Кремниевая основа гарантирует стабильность параметров
Для правильной эксплуатации КТ837К необходимо учитывать следующие аспекты:
- Соблюдение температурного режима: не превышать максимальную температуру перехода
- Обеспечение адекватного теплоотвода при работе на больших токах
- Защита от статического электричества при монтаже
- Правильное подключение выводов: эмиттер (1), коллектор (2), база (3)
Каковы основные меры предосторожности при работе с КТ837К для обеспечения его долговечности и стабильной работы?
Преимущества использования КТ837К в электронных схемах
Транзистор КТ837К обладает рядом преимуществ, делающих его привлекательным выбором для разработчиков электронных устройств:
- Высокая надежность и стабильность параметров
- Широкий диапазон рабочих температур
- Большой коэффициент усиления по току
- Низкое напряжение насыщения
- Высокая допустимая рассеиваемая мощность
- Доступность и распространенность на рынке
Эти характеристики позволяют использовать КТ837К в различных схемах, где требуется надежный и эффективный PNP транзистор. В каких конкретных приложениях эти преимущества проявляются наиболее ярко?
Сравнение КТ837К с аналогами
Для оценки эффективности применения КТ837К важно сравнить его с аналогичными транзисторами:
| Параметр | КТ837К | 2N3055 (NPN) | TIP42C (PNP) |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение К-Э | 40 В | 60 В | 100 В |
| Максимальный ток коллектора | 7.5 А | 15 А | 6 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 30 Вт | 115 Вт | 65 Вт |
| Коэффициент усиления по току (h21э) | 50-150 | 20-70 | 15-75 |
Как видно из сравнения, КТ837К обладает сбалансированными характеристиками, что делает его оптимальным выбором для многих применений. В каких случаях КТ837К может быть предпочтительнее своих аналогов?
Особенности применения КТ837К в различных схемах
Рассмотрим некоторые типичные схемы применения транзистора КТ837К:
Усилитель мощности:
КТ837К часто используется в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Его высокий коэффициент усиления по току и способность работать с большими токами делают его идеальным для этой роли. Как правильно рассчитать режим работы КТ837К в усилителе мощности для достижения оптимальных характеристик?
Стабилизатор напряжения:
Благодаря низкому напряжению насыщения и высокой допустимой мощности рассеивания, КТ837К эффективен в схемах стабилизаторов напряжения. Он может обеспечить стабильное выходное напряжение при значительных колебаниях входного напряжения и тока нагрузки. Какие факторы нужно учитывать при проектировании стабилизатора напряжения на основе КТ837К?
Импульсный преобразователь:
В схемах импульсных преобразователей напряжения КТ837К может работать в качестве ключевого элемента. Его способность быстро переключаться между состояниями насыщения и отсечки позволяет создавать эффективные преобразователи. Какие меры необходимо предпринять для защиты КТ837К от перенапряжений в импульсных схемах?
Применение КТ837К в этих и других схемах требует тщательного расчета режимов работы и обеспечения надлежащего теплоотвода. Правильное использование транзистора позволяет создавать надежные и эффективные электронные устройства.
Транзистор КТ837К
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837К предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.403 ТУ / 03
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
Uкэ нас
| Параметры | Обозн. | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб = | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-база | Iкбо | мА | Uкб = Uкб max | — | 0,15 |
| Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф | Iэбо | мА | Uэб =15 В Uэб =5 В | — | 0,3 0,3 |
Стат. коэффициент передачи тока | h31э | — | Uкэ =5 B, Iк =2A | 10 | 40 |
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | |||||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | — | 2,5 |
| КТ837А — В, Л — Н | |||||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | 0,9 | ||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | — | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | — | 1,5 |
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Знач. |
| Постоянное напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 80 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб= Ом | Uкэ max | В | 60 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | Uкэ max | В | 70 |
| КТ837А, Б, В, Л, М, Н | |||
| КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||
| КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||
| Постоянное напряжение эмиттер-база КТ837Л — ф | Uэб max | В | 15 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 7. 5 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 |
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | Pк max | Вт | 30 |
| Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | Pк max | Pк max | 1 |
Транзистор КТ837К
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837К предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.
336.403 ТУ / 03
336.403 ТУ / 03Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
Uкэ нас
| Параметры | Обозн. | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб = | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мА | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | — | 10 |
| Обратный ток коллектор-база | Iкбо | мА | Uкб = Uкб max | — | 0,15 |
| Обратный ток эмиттера КТ837А — К КТ837 Л — Ф | Iэбо | мА | Uэб =15 В Uэб =5 В | — | 0,3 0,3 |
Стат. коэффициент передачи тока | h31э | — | Uкэ =5 B, Iк =2A | 10 | 40 |
| КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | |||||
| КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
| КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 50 | 150 | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | — | 2,5 |
| КТ837А — В, Л — Н | |||||
| КТ837Г — Е, П — С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | — | 0,9 | ||
| КТ837Ж — К, Т — Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | — | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | — | 1,5 |
