Как расшифровать маркировку полупроводниковых диодов. Что означают буквы и цифры в обозначении диодов. Какую информацию о характеристиках диода можно узнать из его маркировки. Как правильно читать маркировку различных типов диодов.
Система маркировки полупроводниковых диодов
Маркировка полупроводниковых диодов обычно состоит из нескольких элементов, каждый из которых несет определенную информацию о приборе:
- Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал
- Второй элемент (буква) указывает на подкласс прибора
- Третий элемент (цифра) отражает основные функциональные возможности
- Четвертый элемент — порядковый номер разработки
- Пятый элемент (буква) определяет классификацию по параметрам
Обозначение исходного полупроводникового материала
Первый элемент маркировки указывает на исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод. Какие обозначения используются для различных материалов?
- Г или 1 — германий или его соединения
- К или 2 — кремний или его соединения
- А или 3 — соединения галлия
- И или 4 — соединения индия
Маркировка подклассов диодов
Второй элемент маркировки — буква, обозначающая подкласс диода. Какие буквы используются для обозначения основных подклассов?
- Д — выпрямительные и импульсные диоды
- Ц — выпрямительные столбы и блоки
- В — варикапы
- И — туннельные диоды
- А — сверхвысокочастотные диоды
- С — стабилитроны
- Г — генераторы шума
- Л — излучающие оптоэлектронные приборы
- О — оптопары
Обозначение функциональных возможностей диодов
Третий элемент маркировки — цифра, отражающая основные функциональные возможности диода. Что означают различные цифры для выпрямительных диодов?
- 1 — выпрямительные диоды с прямым током не более 0,3 А
- 2 — выпрямительные диоды с прямым током более 0,3 А, но не свыше 10 А
- 4 — импульсные диоды с временем восстановления более 500 нс
- 5 — импульсные диоды с временем восстановления 150-500 нс
- 6 — импульсные диоды с временем восстановления 30-150 нс
- 7 — импульсные диоды с временем восстановления 5-30 нс
- 8 — импульсные диоды с временем восстановления 1-5 нс
- 9 — импульсные диоды с временем жизни носителей менее 1 нс
Маркировка выпрямительных столбов и блоков
Какую информацию несут цифры в маркировке выпрямительных столбов и блоков (подкласс Ц)?
- 1 — столбы с прямым током не более 0,3 А
- 2 — столбы с прямым током 0,3-10 А
- 3 — блоки с прямым током не более 0,3 А
- 4 — блоки с прямым током 0,3-10 А
Обозначения для варикапов
Варикапы (подкласс В) имеют свою систему цифровых обозначений. Что означают цифры в их маркировке?
- 1 — подстроечные варикапы
- 2 — умножительные варикапы
Маркировка туннельных диодов
Для туннельных диодов (подкласс И) используются следующие цифровые обозначения:
- 1 — усилительные туннельные диоды
- 2 — генераторные туннельные диоды
- 3 — переключательные туннельные диоды
- 4 — обращенные диоды
Система обозначений СВЧ-диодов
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А) имеют развернутую систему цифровых обозначений. Какие функциональные возможности отражают различные цифры?
- 1 — смесительные диоды
- 2 — детекторные диоды
- 3 — усилительные диоды
- 4 — параметрические диоды
- 5 — переключательные и ограничительные диоды
- 6 — умножительные и настроечные диоды
- 7 — генераторные диоды
- 8 — импульсные диоды
Таким образом, цифровой код в маркировке СВЧ-диодов позволяет быстро определить их основное функциональное назначение.
Маркировка стабилитронов
Стабилитроны (подкласс С) имеют свою систему цифровых обозначений, учитывающую мощность и напряжение стабилизации. Как расшифровывается эта маркировка?
- 1 — мощность не более 0,3 Вт, напряжение стабилизации менее 10 В
- 2 — мощность не более 0,3 Вт, напряжение стабилизации 10-100 В
- 3 — мощность не более 0,3 Вт, напряжение стабилизации более 100 В
- 4 — мощность 0,3-5 Вт, напряжение стабилизации менее 10 В
- 5 — мощность 0,3-5 Вт, напряжение стабилизации 10-100 В
- 6 — мощность 0,3-5 Вт, напряжение стабилизации более 100 В
- 7 — мощность 5-10 Вт, напряжение стабилизации менее 10 В
- 8 — мощность 5-10 Вт, напряжение стабилизации 10-100 В
- 9 — мощность 5-10 Вт, напряжение стабилизации более 100 В
Обозначения генераторов шума
Для генераторов шума (подкласс Г) используется простая система из двух цифровых обозначений:
- 1 — низкочастотные генераторы шума
- 2 — высокочастотные генераторы шума
Примеры расшифровки маркировки диодов
Рассмотрим несколько примеров расшифровки маркировки реальных диодов:
/Tulanova.files/2.png)
- 2Д204В:
- 2 — кремниевый
- Д — выпрямительный диод
- 2 — прямой ток 0,3-10 А
- 04 — порядковый номер разработки
- В — группа по параметрам
- КС620А:
- К — кремниевый
- С — стабилитрон
- 6 — мощность 0,3-5 Вт, напряжение стабилизации более 100 В
- 20 — порядковый номер разработки
- А — группа по параметрам
- 3И309Ж:
- 3 — арсенид галлия
- И — туннельный диод
- 3 — переключательный
- 09 — порядковый номер разработки
- Ж — группа по параметрам
Таким образом, расшифровка маркировки позволяет быстро определить основные характеристики и назначение диода.
Дополнительные особенности маркировки диодов
Помимо стандартной буквенно-цифровой маркировки, на корпусах диодов часто наносится дополнительная информация. Какие еще обозначения можно встретить на диодах?
- Цветовая маркировка для обозначения полярности (например, полоса на катоде)
- Обозначение типа корпуса (DO-41, SOD-123 и т.д.)
- Логотип или сокращенное название производителя
- Дата изготовления в виде кода
- Дополнительные буквы и цифры, отражающие специфические параметры
Эта дополнительная маркировка помогает точнее идентифицировать диод и его характеристики.
Особенности маркировки SMD-диодов
Диоды для поверхностного монтажа (SMD) из-за малых размеров имеют сокращенную систему маркировки. Какие особенности маркировки характерны для SMD-диодов?
- Использование кодов из 2-3 символов вместо полного обозначения
- Нанесение только части стандартного обозначения
- Применение цветовой кодировки
- Маркировка полярности с помощью полосы или скоса
- Указание только кода производителя на самых миниатюрных корпусах
При работе с SMD-диодами часто требуется использовать справочники для расшифровки их сокращенной маркировки.
Маркировка полярности диодов
Правильное определение полярности критически важно при монтаже диодов. Какие способы маркировки полярности используются производителями?
- Кольцевая полоса на корпусе со стороны катода
- Треугольная метка, указывающая на катод
- Вывод катода короче вывода анода
- Скос на корпусе со стороны катода
- Символ «+» возле вывода анода
Знание этих обозначений помогает избежать ошибок при монтаже и подключении диодов в электрические схемы.
Практическая работа №1.Маркировка полупроводниковых диодов
Практическая работа №1
Маркировка полупроводниковых диодов.
Цель: Научиться работать с полупроводниковыми приборами, определить их маркировку по справочным данным.
Теория: Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, второй (буква) – подкласс приборов, третий (цифра) – основные функциональные возможности прибора, четвертый – число, обозначающее порядковый номер разработки, пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
Для обозначения исходного полупроводникового материала используются следующие символы:
Г, или 1 – германий или его соединения;
К, или 2 – кремний или его соединения;
А, или 3 – соединения галлия;
И, или 4 – соединения индия.
Для обозначения подклассов диодов используется одна из следующих букв:
Д – диоды выпрямительные и импульсные;
Ц – выпрямительные столбы и блоки;
В – варикапы;
И – туннельные диоды;
А – сверхвысокочастотные диоды;
С – стабилитроны;
Г – генераторы шума;
Л – излучающие оптоэлектронные приборы;
О – оптопары.
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры.
Диоды (подкласс Д):
1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого
тока не более 0,3 А;
2 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого
тока более 0,3 А, но не свыше 10 А;
4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного
сопротивления более 500 нс;
5 – импульсные диоды с временем восстановления более 150 нс, но не
свыше 500 нс;
6 – импульсные диоды с временем восстановления 30…150 нс;
7 – импульсные диоды с временем восстановления 5…30 нс;
8 – импульсные диоды с временем восстановления 1…5 нс;
9 – импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):
1 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10 А;
3 – блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 А;
4 – блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10 А.
Варикапы (подкласс В):
1 – подстроечные варикапы;
2 – умножительные варикапы;
Т уннельные диоды (подкласс И):
1 – усилительные туннельные диоды;
2 – генераторные туннельные диоды;
3 – переключательные туннельные диоды;
4 – обращенные диоды.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):
1 – смесительные диоды;
2 – детекторные диоды;
3 – усилительные диоды;
4 – параметрические диоды;
5 – переключательные и ограничительные диоды;
6 – умножительные и надстроечные диоды;
7 – генераторные диоды;
8 – импульсные диоды.
Стабилитроны (подкласс С):
1 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
2 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации 10…100 В;
3 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В;
4 – стабилитроны мощностью не более 0,3…5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
5 — стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации 10…100 В;
6 — стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В;
7 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
8 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации 10…100 В;
9 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В.
Генераторы шума (подкласс Г):
1 – низкочастотные генераторы шума;
2 – высокочастотные генераторы шума
Примеры обозначения приборов:
2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В.
КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.
ЗИ309Ж – арсенидогаллиевый переключательный туннельный диод, номер разработки 09, группа Ж.
Порядок выполнения работы:
Расшифруйте маркировку полупроводниковых приборов и зарисуйте условное графическое обозначение этих приборов.
Заполните таблицу 1.
Маркировка полупроводникового прибора | Расшифровка маркировки полупроводникового прибора | УГО полупроводникового прибора |
КИ204А | ||
КС504А | ||
КВ107А | ||
ГД402 | ||
АЛ102А-В |
Дайте определение каждого полупроводникового прибора приведенного в таблице №1.
Сделайте вывод по работе.
Диод. Полупроводниковый диод. Подключение диода. Маркировка диодов. Работа диода
| Основы |
Полупроводниковый диод. Подключение диода. Маркировка диодов. Работа диода.
Диод — электронный прибор, пропускающий ток только в одну сторону.
|
Обозначение диода на схемах |
Диод имеет два контакта, которые называют анодом и катодом. При включении диода в электрическую цепь ток протекает от анода к катоду. Умение проводить ток только в одну сторону — основное свойство диода.
Диоды относятся к классу полупроводников и считаются активными электронным компонентам (резисторы и конденсаторы — пассивными).
|
Треугольник можно рассматривать как острие стрелки, показывающей направление тока |
При подключении диода в цепь должна быть соблюдена правильная полярность.
Если маркировка диода отсутствует, то выводы полупроводниковых диодов можно определить с помощью измерительного прибора — как уже говорилось выше, диод пропускает ток только в одну сторону. Если измерительного прибора под рукой нет, можно использовать батарейку и маломощную лампочку так, как описано в приводящемся ниже эксперименте.
Работа диода
|
Полупроводниковые диоды |
Работу диода можно наглядно представить при помощи простого эксперимента. Если к диоду через маломощную лампу накаливания подключить батарею так, чтобы положительный вывод батареи был соединен с анодом, а отрицательный — с катодом диода, то в получившейся электрической цепи потечет ток и лампочка загорится.
Если выводы диода поменять местами, то лампа не будет светиться, так как диод будет находиться в закрытом состоянии и оказывать току в цепи сильное сопротивление. Стоит отметить, что небольшой ток через полупроводниковый переход диода в обратном направлении все же потечет, но в сравнении с прямым током будет настолько маленьким, что лампочка даже не среагирует. Такой ток называют обратым током I
В нейронных цепях BEAM-роботов диоды часто применяются при создании нейронов, моделирующих логическое сложение (элементы ИЛИ).
Кроме того, в схемах BEAM-роботов иногда используются емкостные свойства диодов.
Общие%20Полупроводники%20Диоды%20Маркировка%20Код%20Me Техническое описание и примечания по применению
| Каталог Техническое описание | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
1999 — БУКС98ПИ Резюме: TIP147T BU808DFI эквивалент 2N3055 TO-220 2N3055 TO-218 Пакет люминесцентного балласта MJE13007 TIP3055 TO-220 эквивалент ST1803DHI BU508aFI эквивалент BU808DFI | Оригинал | 2Н3055 2Н3439 2Н3440 2Н3771 2N3772 2Н4923 2Н5038 2Н5153 2Н5154 2Н5191 БУКС98ПИ TIP147T Эквивалент BU808DFI 2Н3055 ТО-220 2Н3055 ТО-218 Пакет Флуоресцентный БАЛЛАСТ MJE13007 TIP3055 ТО-220 Эквивалент ST1803DHI Эквивалент BU508aFI БУ808ДФИ | |
ЭКВИВАЛЕНТ BYD33D Резюме: 1n5062 эквивалент SUF5402 перекрестный эталон диода BYS21-45 BYS21-45 1N4007 общие инструменты BY255 itt da3/1000 1N6644 эквивалент FR207 | Оригинал | PBYR3045WT BYD73D СТВ34М BYD73G SB1035 PBYR1040 1Н5059 СБ1040 ЭКВИВАЛЕНТ BYD33D эквивалент 1n5062 SUF5402 диодный перекрестный эталон BYS21-45 БЫС21-45 1N4007 общие инструменты BY255 итт да3/1000 1N6644 эквивалент FR207 | |
2002 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ПД10/Д10/ТИОК2А PD11/D11/TIOC2B ПД12/Д12/ТИОК4А ПД13/Д13/ТИОК4Б ПД14/Д14/ТИОК5А ПД15/Д15/ТИОК5Б ПД16/Д16/ПОЭ0 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
ГРМ033Р60Г224МЭ15 Реферат: GRM1555C1H620JD01 GRM55FR60J107KA01 GRM1555C1H910JD01 GRM188R72A103KA01 GCM1555 GRM0335C1h201JD01 GRM0335C1h320JD01 GCM21BR71A GRM1555C1H6R2DZ01 | Оригинал | GRM0225C1CR50BD05 GRM0225C1CR75BD05 GRM0225C1C1R0CD05 GRM0225C1C1R1CD05 GRM0225C1C1R2CD05 GRM0225C1C1R3CD05 GRM0225C1C1R5CD05 GRM0225C1C1R6CD05 GRM0225C1C1R8CD05 GRM0225C1C2R0CD05 ГРМ033Р60Г224МЭ15 ГРМ1555C1H620JD01 ГРМ55ФР60ДЖ107КА01 ГРМ1555C1H910JD01 ГРМ188Р72А103КА01 GCM1555 ГРМ0335С1х201ЖД01 ГРМ0335С1х320ЖД01 GCM21BR71A ГРМ1555C1H6R2DZ01 | |
ГРМ188Р71х324КАС4 Реферат: GJM1555C1HR75BB01 GRM55FR60J107KA01 GCM31MR71h574K GQM1875C2E3R6BB12 GRM0225C1CR80BD05 GRM022R60J222KE19 GRM033R60G224ME15 grm1555c1h4r3cz01 GRM6815C1HRM2165C1H | Оригинал | GRM0225C1CR20BD05 GRM0225C1CR30BD05 GRM0225C1CR40BD05 GRM0225C1CR50BD05 GRM0225C1CR60BD05 GRM0225C1CR70BD05 GRM0225C1CR75BD05 GRM0225C1CR80BD05 GRM0225C1CR90BD05 GRM0225C1C1R0CD05 ГРМ188R71х324КАС4 GJM1555C1HR75BB01 ГРМ55ФР60ДЖ107КА01 GCM31MR71h574K GQM1875C2E3R6BB12 GRM0225C1CR80BD05 ГРМ022Р60ДЖ222КЭ19ГРМ033Р60Г224МЭ15 grm1555c1h4r3cz01 GRM2165C1H681 | |
И5В50 Резюме: GRM0225C1CR80BD05 GRM43ER61C226KE01 GRM0225C1CR20BD05 GRM033R60G224ME15 GRM31C5C1E104J GRM32ER71A476 GRM55FR60J107KA01 GRM0225C1C1R0CD05 GRM0225C1C1R1CD05 | Оригинал | GRM0225C1CR20BD05 GRM0225C1CR30BD05 GRM0225C1CR40BD05 GRM0225C1CR50BD05 GRM0225C1CR60BD05 GRM0225C1CR70BD05 GRM0225C1CR75BD05 GRM0225C1CR80BD05 GRM0225C1CR90BD05 GRM0225C1C1R0CD05 Y5V50 GRM0225C1CR80BD05 GRM43ER61C226KE01 GRM0225C1CR20BD05 ГРМ033Р60Г224МЭ15 GRM31C5C1E104J ГРМ32ЭР71А476 ГРМ55ФР60ДЖ107КА01 GRM0225C1C1R0CD05 GRM0225C1C1R1CD05 | |
ШИМ-генератор TL084 Резюме: КОНФИГУРАЦИЯ ВЫВОДОВ LM224 xxww TDA2320 эквивалент tda2320a UA741A k 105 jfet LM319 TL082 uc3843 руководство по проектированию | OCR-сканирование | ТШ250С* TDA8138A TDA8138B TDA8139TDA8134 TDA8135 TDA8136 L4901A L4902A L4903 Генератор ШИМ TL084 КОНФИГУРАЦИЯ ВЫВОДОВ LM224 ххвв эквивалент TDA2320 тда2320а UA741A к 105 джфет ЛМ319 TL082 руководство по проектированию uc3843 | |
1999 — ПКФ5020 Резюме: LCC 16-контактный пакет pnp sot 23 | Оригинал | до н.э.807-16 БК807-25 БК807-40 до н.э.808-16 БК808-25 БК808-40 до н.э.818-16 БК818-25 БК818-40 BC846A ПКФ5020 16-контактный разъем LCC пнп сот 23 | |
BYW19-1000 Реферат: BYX49-600 BYX49-1200 BYV72E-200 RS8MT byx49 BY229-1000 UNITRODE CROSS BYT29-300 BYV72-200 | Оригинал | ФО-012 1-800-4-ХАРРИС BYW19-1000 BYX49-600 BYX49-1200 БЫВ72Э-200 РС8МТ поx49 BY229-1000 УНИТРОД КРЕСТ БЫТ29-300 БЫВ72-200 | |
ЛЛл185Р71к103МА11 Реферат: gjm0335c1e3r6 GRM55FR60J107KA01 GRM1885C1h300 GRM1555C1h3R4CZ01 LQP03TN3N3B04 GRM033R60G224ME15 GRM033R71E331KA01 GRM033R71E102K GRM31C5C1E104J | Оригинал | GRM0225C1CR50BD05 GRM0225C1CR75BD05 GRM0225C1C1R0CD05 GRM0225C1C1R1CD05 GRM0225C1C1R2CD05 GRM0225C1C1R3CD05 GRM0225C1C1R5CD05 GRM0225C1C1R6CD05 GRM0225C1C1R8CD05 GRM0225C1C2R0CD05 ЛЛл185Р71с103МА11 gjm0335c1e3r6 ГРМ55ФР60ДЖ107КА01 ГРМ1885С1х300 ГРМ1555C1х3R4CZ01 LQP03TN3N3B04 ГРМ033Р60Г224МЭ15 ГРМ033Р71Е331КА01 ГРМ033Р71Е102К GRM31C5C1E104J | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ||
СП2605Ф Реферат: 2N2222A Raytheon малошумящие транзисторы ВЧ 2N4033 2N0720A 2N0718A 2n2907a Raytheon 2N065 SP2605QF «двойные ТРАНЗИСТОРЫ» pnp npn | OCR-сканирование | 2N0657* 2N0697* 2N0706* 2Н0718А 2N0720A* 2N0910* 2Н0918 2N0930 2Н1131″ 2Н1132* SP2605F 2N2222A Raytheon малошумящие транзисторы вч 2Н4033 2Н0720А 2н2907а рейтеон 2Н065 SP2605QF «двойные ТРАНЗИСТОРЫ» pnp npn | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
2000 — BYX49-600 Реферат: BYW19-1000 BY229-1000 перекрестная ссылка на диоды Motorola BYX49 1200 BYX49-1200 BYV72E-200 BYT29 BYT29-300 BY229/1000 | Оригинал | ФО-012 О-252, О-263) О-247 О-251/ТО-252 Рейтинг/10 О-220АС О-218 О-204АА BYX49-600 BYW19-1000 BY229-1000 перекрёстная ссылка на диоды Motorola BYX49 1200 BYX49-1200 БЫВ72Э-200 БЮТ29БЫТ29-300 BY229/1000 | |
2000 — микроконтроллер Реферат: Сегмент кода резервирования ASSEMBLER Микроконтроллер AT89C51 ST62 asm пример AKIT микроконтроллер ST6 | Оригинал | 0x00-0x3F 0x800-0xF9F микроконтроллер Сегмент кода резервирования ASSEMBLER Микроконтроллер AT89C51 СТ62 пример ассемблера АКИТ микроконтроллер ST6 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
2000 — микроконтроллер ST6 Реферат: windows epromer MB080 ST62XX ST62 74HC125 dip ST6 семейства ST-REALIZER ST6246 ST624XB-KIT | Оригинал | ST62XX ST622XC-КОМПЛЕКТ ST620x/1x/2x ST623x-КОМПЛЕКТ СТ6230/32 ST624XB-КОМПЛЕКТ ST6246 ST626XC-КОМПЛЕКТ СТ6260/62/65 микроконтроллер ST6 оконный промер MB080 СТ62 74HC125 дип Семейство ST6 СТ-РЕАЛАЙЗЕР ST6246 | |
1998 — Руководство пользователя ATasicICE POD Аннотация: ASIC 176 pin FIO50 ICE POD AT29C010A-JC FADR14 ADR16-0 | Оригинал | RS232 ФАДР10 240-ПКФП ФАДР11 ДОПОГ10 ДОПОГ11 ДОПОГ12 ДОПОГ13 ФАДР12 ФАДР13 Руководство пользователя ATasicICE POD ASIC 176 контактов ФИО50 ЛЕДЯНАЯ СТРУКТУРА AT29C010A-ДЖК ФАДР14 ДОПОГ16-0 | |
1996 — LF256DT Реферат: ЛФ357ДТ Ц3В914ИН ТШ250ЦН ТДА791 ТШ250ИД ТШ250ЦД ТШ250ИН LM124DT LM224DT | Оригинал | ТШ20ИД ТШ20ИН ТШ21ИД ТШ21ИН ТШ250ЦД ТШ250ЦН ТШ250ИД ТШ250ИН ТШ251ЦД ТШ251ЦН LF256DT LF357DT ТС3В914ИН TDA791 ЛМ124ДТ LM224DT | |
1998 — ST72251 Реферат: ОБУЧЕНИЕ МИКРОКОНТРОЛЛЕРА ST72311 | Оригинал | 16-битный /ST623x 0000b 0001b 0010b 0100b 1000б ST72251 ST72311 ОБУЧЕНИЕ МИКРОКОНТРОЛЛЕРУ | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ||
Конденсаторы ЭКМ Abstract: Vishay Roederstein EKM Roederstein EKR Roederstein EKm EKR roederstein Vishay Roederstein EBR EkM Roederstein Vishay Roederstein EBC Vishay Sprague 674D 673D | Оригинал | U673D U674D 09 июля 2008 г. конденсаторы ЭКМ Вишай Родерштейн ЭКМ Редерштейн ЭКР Редерштейн ЭКм ЭКР Редерштейн Вишай Родерштейн EBR ЭкМ Редерштейн Вишай Родерштейн EBC Вишай Спраг 674D 673D | |
МАБ МКП Реферат: Конденсатор mab mkp на эпоксидной смоле MKP осевой конденсатор полиэфирный осевой свинцовый демпфер серии MPR Иллинойский конденсатор ILLINOIS TMA | OCR-сканирование | от 1 пФ до 680 пФ 10ОпФ МАБ МКП маб мкп конденсатор эпоксидная смола МКП осевой осевой провод конденсатора из полиэстера пренебрежительно Иллинойсский конденсатор серии MPR ИЛЛИНОЙС ТМА | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»> Предыдущий
1
2
3
.
..
23
24
25
Next
Шаг 10: Внутренний процесс: Лазерная маркировка шаг за шагом
BY MICHAEL POTTER
Все системы лазерной векторной маркировки работают практически одинаково. Как правило, система векторной маркировки маркирует компонент, когда он неподвижен. Лазерное пятно перемещается по маркируемой поверхности в контролируемых координатах X-Y, создавая желаемый символ или изображение.
Первым компонентом лазерного векторного маркера является источник лазерной энергии. Источником энергии может быть лазер на неодимовом иттрий-алюминиевом гранате (Nd:YAG) (часто называемый YAG-лазером), лазер CO 2 или любой из множества других лазерных источников. Однако, скорее всего, это будет источник CO 2 или Nd:YAG. В зависимости от области применения маркировки мощность источника будет варьироваться от нескольких ватт до более чем 100 ватт. Энергия от этого источника направляется по оптическому пути к маркировочной головке.
| Рис.  1. Система векторной маркировки. |
Важно знать место в системе маркировки, где измеряется мощность. Часто номинальная мощность соответствует выходной мощности лазера перед входом в оптический тракт. Потери энергии на оптическом пути могут быть значительными, если только часть исходной мощности доступна на поверхности детали. Сложные оптические пути и плохое качество луча могут снизить полезную мощность и повлиять на качество маркировки.
Оптический путь направляет луч на сканирующую головку (для чего может потребоваться изгибание луча по углам), управляет качеством луча (подготовка луча) и надлежащим образом обеспечивает желаемый размер пятна. Правильное выравнивание оптики имеет решающее значение для оптимальной работы лазерной маркировки. Вибрация со временем повлияет на юстировку, и оптика потребует повторной юстировки.
| Рис.  2. Nd с накачкой импульсной лампой. ИАГ-лазер. |
Энергия достигает маркировочной или сканирующей головки через отверстие и затем направляется на зеркала, которые определяют, где энергия попадет на поверхность маркировки. Первое зеркало, на которое попадает луч, — это зеркало Y, положение которого определяется гальванометром, управляемым компьютером, генерирующим координаты изображения. Положение высокоскоростного гальванометра и зеркала будет определять, где в измерении Y луч упадет на поверхность.
Затем луч попадет на X-зеркало, положение которого также контролируется высокоскоростным гальванометром. Зеркало определяет, где луч будет падать на поверхность, которую необходимо разметить по оси X. Управление положениями X и Y позволяет размещать луч в любом месте в пределах заданного поля маркировки, что позволяет создавать символы и изображения.
После того, как луч отражается от X-зеркала, он проходит через линзу с плоским полем по направлению к маркируемой поверхности.
Линза с плоским полем обычно выбирается для конкретного применения на основе ряда факторов, включая характеристики поверхности метки, размер детали и метод обработки, требования к условным обозначениям, доступную энергию и требуемую скорость.
После того, как луч проходит через линзу с плоским полем, он попадает на маркируемую поверхность. Когда энергия попадает на поверхность маркировки, поверхность быстро расплавляется или испаряется, оставляя бороздку или впадину в виде изображения. Удаление материала таким образом называется абляцией (рис. 1).
Красные и зеленые лазеры
Часто источники лазерной энергии обозначаются цветом для обозначения длины волны выходной энергии. Лазеры, такие как Nd:YAG и CO 2 , излучают волны в инфракрасном (ИК) диапазоне и поэтому называются «красными» лазерами. Nd:YAG — «ближний ИК» и CO 2 — средний ИК-диапазон. Эти лазеры излучают наиболее распространенную длину волны, используемую в приложениях для маркировки.
Использование «зеленых» лазеров для маркировки, по-видимому, растет. Энергия зеленого лазера производится путем пропускания выходного излучения красного лазера через кристаллическое устройство, которое уменьшает длину волны наполовину, что приводит к удвоению частоты. Полученная длина волны 532 нанометра (нм) особенно подходит для маркировки кремниевых и металлических корпусов. С другой стороны, энергия красного лазера плохо поглощается кремнием. В результате для маркировки поверхности детали необходимо использовать больше энергии, а непоглощенная энергия может повредить активную схему под поверхностью детали.
Популярные лазеры для маркировки
Одним из наиболее распространенных лазерных источников, используемых для маркировки, является Nd:YAG. Nd — редкоземельный элемент. Материал иттрий-алюминиевого граната легирован ионами Nd, которые являются источником фотонов для лазерного луча.
Все YAG-лазеры состоят из источника энергии накачки и резонатора, состоящего из стержня Nd:YAG и отражающих линз.
При маркировке эти лазеры делятся на две категории в зависимости от источника накачки: с накачкой импульсной лампой и с диодной накачкой.
В настоящее время наибольшее количество YAG-лазеров в области маркировки имеют импульсную накачку. При использовании ИАГ с импульсной накачкой лампа-вспышка действует как источник энергии или накачка и может генерировать высокие уровни лазерной энергии (рис. 2). Однако у этой технологии есть несколько основных недостатков:
- Лампы-вспышки имеют ограниченный срок службы и должны часто заменяться, что приводит к простоям и большим расходам. Если лазер имеет большой рабочий цикл, его может потребоваться заменить не реже одного раза в месяц.
- Импульсная лампа YAG неэффективна и теряет мощность в виде тепла. Для управления и контроля этого используются системы теплового охлаждения.
- Лампы-вспышки потребляют большое количество энергии. Комбинация потребляемой мощности чиллера и лазера может потребовать в 15 раз больше энергии, чем другие типы лазеров с аналогичной выходной мощностью.
Последние достижения в лазерной технологии YAG привели к созданию твердотельной системы YAG с диодной накачкой (DPSS) (рис. 3). Здесь источником энергии накачки служат лазерные диоды. Эти диоды откачивают лазерную энергию в диапазоне длин волн от 808 до 815 нм, что обеспечивает ту же функцию, что и энергия лампы-вспышки. Первоначально эти лазеры были ограничены выходной мощностью малой мощности, но в настоящее время доступны модели высокой мощности.
| Рис. 3. Nd с диодной накачкой. ИАГ-лазер. |
Лазеры DPSS намного более эффективны, чем системы импульсных ламп. Лазерные диоды имеют более длительный срок службы, чем лампы-вспышки, и поэтому их можно реже заменять. Типичный жизненный цикл диода составляет около одного года. Однако на срок службы диода существенно влияет уровень мощности и количество часов работы лазера.
Потребление энергии может быть снижено, если не требуется чиллер.
Хотя срок службы лазерных диодов больше, чем у ламп-вспышек, они довольно дороги. Количество необходимых диодов пропорционально выходной мощности лазера; поэтому эксплуатационные расходы на мощные лазеры могут быть непомерно высокими. Однако существует возможность снизить эксплуатационные расходы в результате значительного снижения энергопотребления по сравнению с системой с лампой-вспышкой.
Оба типа YAG-лазеров работают в непрерывном режиме (CW), а также доступны модели с модуляцией добротности. В системе с модуляцией добротности энергия накапливается до высокого уровня, прежде чем высвобождается в виде короткого импульса. Наращивая энергию до высоких уровней импульса, можно удалять чрезвычайно твердые поверхности. Однако пиковые уровни энергии могут варьироваться от импульса к импульсу, что приводит к непостоянной глубине маркировки. В приложениях, где контроль глубины имеет решающее значение, лазеры с модуляцией добротности могут быть непрактичными.
Решение новых задач
Производители сталкиваются с новыми проблемами маркировки, поскольку кремний используется в качестве конечного материала корпуса во многих новых полупроводниковых устройствах. Выходной сигнал YAG-лазеров с длиной волны 1064 нм плохо поглощается кремнием, поскольку большая часть энергии проходит через устройство; это может повредить активные компоненты под поверхностью кремния. Кроме того, из-за низкого поглощения этой частоты для маркировки поверхности необходимо использовать высокие уровни энергии красного лазера. Зеленый лазер с длиной волны 532 нм хорошо поглощается кремнием, что снижает риск того, что энергия, проходящая через устройство, повредит внутреннюю схему. Это приводит к процессу маркировки со значительно меньшим риском потери урожая (из-за повреждения деталей), чем это возможно при использовании красного источника. Это также позволяет использовать маломощный лазер для маркировки кремниевых поверхностей.
| Рис.  4. Зеленый лазер с диодной накачкой. |
Принимая во внимание, что выход зеленого лазера достигается путем использования выходного сигнала стандартного красного YAG-лазера и пропускания его через кристаллический материал, YAG-часть зеленого лазера подлежит тем же эксплуатационным расходам и ограничениям, что и упомянутые ранее. . Выбор материала кристалла для удвоения частоты имеет решающее значение для долговременной работы 532-нм лазеров. В тех случаях, когда эти лазеры были ненадежными, основные проблемы заключались в выходных кварцевых модулях. Достигнут прогресс в повышении надежности этих модулей, и в некоторых случаях их теперь можно заменять в полевых условиях (рис. 4).
Новейшая разработка в области лазерной маркировки — волоконный лазер. Этот диод накачивает энергию в оптоволоконный кабель, сердечник которого легирован редкоземельным материалом (иттрием). Отражение энергии лазера накачки от сторон оптоволоконного кабеля и через сердцевину, легированную редкоземельными элементами, вызывает испускание фотонов и создает усиление света.
Конечная мощность лазера находится на длине волны 1100 нм.
Выходная мощность волоконных лазеров колеблется от 9 Вт до более 20 Вт, они могут использоваться для различных целей маркировки и особенно хорошо подходят для маркировки формованных изделий из пластика.
Волоконные лазеры небольшого размера – 50 метров волоконного материала, свернутого в блоке управления лазером. Здесь нет большого жесткого оптического узла, как в случае лампы-вспышки или системы DPSS YAG, поэтому соединение с маркировочной головкой осуществляется гибким оптоволоконным кабелем. Срок службы волоконных лазерных маркеров, использующих диод 915 нм, в четыре раза превышает срок службы диодов 810 нм, используемых в системах Nd:YAG. Волоконный лазер работает в непрерывном режиме, имеет монитор мощности на выходе и управляет мощностью на постоянном уровне. Это приводит к строго контролируемой глубине травления метки.
| Рис. 5. Источник волоконного лазера.  |
Волоконные лазеры потребляют мало энергии и не требуют замены лампы-вспышки или ежегодной замены лазерного диода. Выходной сигнал волоконного лазера подается на маркировочную головку через коллиматор. Эта прямая связь устраняет сложные оптические пути, тем самым уменьшая потребность в дорогостоящей перенастройке и времени простоя. Активность оптической перестройки является стадией, на которой происходит большинство травм от лазерной энергии (рис. 5).
Как оценивать
Одна из проблем, связанных с использованием метода измерения скорости символов в секунду (CPS), заключается в том, что тест проводится с использованием шрифта символов, выбранного производителем. Таким образом, простой шрифт с одним штрихом отмечает быстрее, чем более сложный или стильный шрифт. Тест также проводится на черной бумаге, удаляя чернила до любого уровня разборчивости, который производитель определяет как приемлемый.
В значительной степени CPS стала относительно бессмысленной спецификацией. Маркировочные компании предполагают, что чем мощнее лазер, тем быстрее он будет маркировать. Это помогает продавать более дорогие лазеры, а также повышает стоимость замены диодов лазерной накачки. Стоимость замены лазерных диодов для 100-ваттного лазера может составить 50 000 долларов в течение 18 месяцев.
Хотя мощность лазера влияет на теоретическую скорость маркировки, особенно на твердых поверхностях, таких как металл, скорость может быть ограничена используемой скоростью сканеров в маркировочной головке (независимо от доступной мощности лазера). Что чаще всего определяет производительность, так это обращение с компонентами в системе или сложность требуемой легенды на детали.
Для определения норм маркировки и производительности системы необходимо оценить образцы отпечатков, которые, по мнению заказчика, имеют приемлемое качество и выполнены с использованием требуемой легенды и логотипов.
