Как влияет напряжение коллектор-эмиттер на работу биполярного транзистора. Какие режимы работы существуют у биполярного транзистора. Что такое режим насыщения транзистора и как он возникает. Как выбрать оптимальное напряжение коллектор-эмиттер для различных применений транзистора.
Роль напряжения коллектор-эмиттер в работе биполярного транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) играет ключевую роль в работе биполярного транзистора, определяя его режим работы и характеристики. Оно влияет на следующие параметры:
- Коэффициент усиления по току
- Входное сопротивление транзистора
- Выходное сопротивление
- Максимальную мощность рассеяния
- Частотные свойства
При изменении Uкэ меняется ширина области объемного заряда коллекторного перехода, что приводит к изменению эффективной толщины базы. Это в свою очередь влияет на коэффициент передачи тока базы и другие параметры транзистора.
Основные режимы работы биполярного транзистора
В зависимости от напряжений на электродах, выделяют 4 основных режима работы биполярного транзистора:
1. Режим отсечки
В этом режиме оба p-n перехода закрыты. Ток базы и коллектора практически отсутствуют. Транзистор полностью закрыт и работает как разомкнутый ключ.
2. Активный режим
Эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Это основной рабочий режим транзистора как усилителя. Коллекторный ток пропорционален току базы.
3. Режим насыщения
Оба перехода открыты. Транзистор полностью открыт и работает как замкнутый ключ. Коллекторный ток максимален и не зависит от тока базы.
4. Инверсный режим
Коллекторный переход открыт, а эмиттерный закрыт. Роли коллектора и эмиттера меняются местами. Этот режим обычно не используется.
Режим насыщения транзистора: причины возникновения и особенности
Режим насыщения возникает при следующих условиях:
- Ток базы значительно превышает необходимое для активного режима значение
- Напряжение коллектор-эмиттер снижается до уровня 0.1-0.3 В
- Оба p-n перехода (эмиттерный и коллекторный) открыты
В режиме насыщения коллекторный ток перестает зависеть от тока базы и определяется только внешней цепью. Транзистор теряет усилительные свойства и работает как замкнутый ключ с малым сопротивлением.
Выбор оптимального напряжения коллектор-эмиттер
Оптимальное напряжение Uкэ зависит от назначения схемы:
- Для усилителей выбирают Uкэ в середине линейного участка выходных характеристик, обычно 5-10 В.
- Для ключевых схем в режиме насыщения Uкэ составляет 0.1-0.3 В.
- В режиме отсечки Uкэ близко к напряжению питания.
- Для высокочастотных схем Uкэ выбирают ближе к нижней границе активной области для уменьшения емкости коллекторного перехода.
Правильный выбор Uкэ позволяет оптимизировать параметры схемы и обеспечить стабильную работу транзистора в нужном режиме.
Влияние напряжения коллектор-эмиттер на коэффициент усиления транзистора
Коэффициент усиления по току (h21э) существенно зависит от напряжения Uкэ. Эта зависимость обусловлена следующими факторами:
- При увеличении Uкэ расширяется обедненная область коллекторного перехода, уменьшая эффективную толщину базы. Это приводит к росту коэффициента передачи тока эмиттера.
- С ростом Uкэ уменьшается влияние эффекта модуляции толщины базы (эффект Эрли), что также способствует увеличению h21э.
- При очень больших Uкэ может начаться лавинное размножение носителей в коллекторном переходе, резко повышая коэффициент усиления.
Типичная зависимость h21э от Uкэ имеет следующий вид:
- При малых Uкэ (менее 1-2 В) наблюдается резкий рост h21э.
- В средней области (2-10 В) коэффициент усиления относительно стабилен.
- При больших Uкэ (более 10-15 В) возможен дополнительный рост h21э из-за эффектов лавинного размножения.
Для обеспечения стабильного усиления рекомендуется выбирать рабочую точку в средней области характеристики.
Особенности работы транзистора в режиме насыщения
Режим насыщения имеет ряд важных особенностей:
- Низкое остаточное напряжение Uкэ нас (обычно 0.1-0.3 В), что обеспечивает малые потери в открытом состоянии.
- Высокий коллекторный ток, близкий к максимально допустимому для транзистора.
- Отсутствие усиления — малые изменения тока базы не влияют на коллекторный ток.
- Накопление неосновных носителей в базе, что увеличивает время выключения транзистора.
- Возможность работы при больших токах без риска теплового пробоя из-за низкого падения напряжения.
Эти свойства делают режим насыщения идеальным для использования транзистора в качестве ключа в импульсных схемах и схемах управления мощной нагрузкой.
Методы определения режима насыщения транзистора
Существует несколько способов определить, находится ли транзистор в режиме насыщения:
- Измерение напряжения Uкэ — если оно менее 0.3 В, транзистор вероятно насыщен.
- Сравнение реального коллекторного тока с расчетным значением βIб — при насыщении реальный ток будет меньше.
- Анализ формы выходного сигнала — в режиме насыщения наблюдается ограничение сигнала.
- Проверка реакции коллекторного тока на изменение тока базы — при насыщении эта зависимость нарушается.
Точное определение режима работы важно для оптимизации параметров схемы и обеспечения надежной работы транзистора.
Применение режима насыщения в электронных схемах
Режим насыщения транзистора широко используется в различных электронных устройствах:
- Ключевые схемы для управления реле, электродвигателями, светодиодами
- Логические элементы цифровых схем
- Импульсные источники питания
- Генераторы прямоугольных импульсов
- Схемы защиты от перегрузки по току
Основные преимущества использования насыщения:
- Минимальные потери мощности в открытом состоянии
- Высокая помехоустойчивость из-за большого запаса по току базы
- Возможность коммутации больших токов нагрузки
- Простота схемотехнических решений
При проектировании таких схем важно учитывать увеличенное время выключения транзистора из насыщения и принимать меры для его уменьшения при необходимости.
|
Между простой переключающей схемой и линейным усилителем на транзисторе имеется очевидное различие. В нормально работающем линейном усилителе коллекторный ток всегда прямо пропорционален базовому току. В переключающей схеме, такой как на рис. 1., коллекторный ток определяется, главным образом, напряжением питания VCC и сопротивлением нагрузки R Рис. 1. Иллюстрация режима насыщения. Транзистор действует как ключ для включения лампы. Рассмотрим, что происходит с коллекторным током в схеме на рис. 1, если базовый ток постепенно увеличивается, начиная от нуля. Когда ключ S1 разомкнут, базовый ток не течет и ток коллектора ничтожно мал. Замыкание S1 приводит к появлению тока базы IB = VCC/RB, где мы пренебрегли разностью потенциалов на переходе база-эмиттер. IC=100×10/5000 А=20 мА Падение напряжения на RL определяется произведением RLIC и в нашем случае равно 50 х 0,02 = 1 В. Транзистор при этом находится в линейном режиме; уменьшение RB приводит к увеличению тока базы, увеличению тока коллектора и, следовательно, к увеличению падения напряжения на RL. В этих условиях схема могла бы быть использована как усилитель напряжения.Теперь рассмотрим случай, когда RB=hFERL и ток базы равен IB=VCC/RB=VCC/(hFERL) Следовательно, коллекторный ток равен IC=(hFEVCC)/(hFERL)=VCC/RL С точки зрения нагрузки транзистор ведет себя как пара контактов ключа. Грубо говоря, глубокое насыщение (малое значение VCE(sat)) имеет место, когда IC/IB < hFE/5 Для схемы типа той, какая показана на рис. RB/RL < hFE/5 Следовательно, для схемы на рис. 1, принимая типичное для транзистора 2N3053 (аналог КТ630Б — см. аналоги отечественных и зарубежных транзисторов) значение коэффициента усиления тока hFE = 150, имеем RB/RL < 150/5 = 30. Следовательно, при RL = 50 Ом мы выбираем RB < 30 х 50 Ом = 1,5 кОм. Итак, если в качестве нагрузки используется лампа с сопротивлением 50 Ом, то для ее эффективного включения нам следует выбрать сопротивление базового резистора меньше 1,5 кОм. Если это невозможно, когда, например, в качестве R Если биполярный транзистор работает с током коллектора, близким к максимальному, и нужно поддержать напряжение VCE(sat) на уровне долей вольта, то из-за уменьшения hFE может понадобиться базовый ток больше, чем Iс/10. Возможно покажется неожиданным, что VCE(sat) может быть много меньше, чем напряжение VBE, которое у кремниевого транзистора равно примерно 0,6 В. Происходит это потому, что в режиме насыщения переход коллектор-база смещен в прямом направлении. Следовательно, мы имеем два р-n перехода, смещенных в прямом направлении, включенных навстречу друг другу так, что падения напряжения на них взаимно компенсируются. Эта способность биполярного транзистора иметь в режиме насыщения очень маленькое падение напряжения между коллектором и эмиттером, делает его весьма полезным переключающим прибором. Многие из наиболее важных применений электроники, включая обширную область цифровой электроники, используют переключающие схемы. В режиме переключений транзистор работает либо с фактически нулевым током коллектора (транзистор выключен) или с фактически нулевым напряжением на коллекторе (транзистор включен). В обоих случаях мощность, рассеиваемая на транзисторе, очень мала. Маломощный транзистор, такой как 2N3053, с максимально допустимой рассеиваемой мощностью менее одного ватта, может переключать мощность в нагрузке в несколько ватт. Следует обратить внимание на то, что максимальные значения коллекторного напряжения и тока не должны выходить за допустимые пределы; кроме того, желательно осуществлять переключения возможно быстрее, чтобы избежать рассеяния чрезмерно большой мощности. |
1, когда ток базы задается просто подключением резистора к источнику питания, мы выбираем
Значительная мощность рассеивается только в то время, когда происходит переключение: в это время и напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора имеют конечные значения.4.13. Пробой транзисторов | Электротехника
На процессы в транзисторе существенное влияние оказывает напряжение на коллекторе. Такое влияние обусловлено следующим. При изменении напряжения изменяется толщина области объемного заряда коллекторного перехода и соответственно толщина базы, а при достаточно больших коллекторных напряжениях начинает сказываться лавинное размножение.
С повышением напряжения на коллекторе толщина базы становится меньше, что приводит к увеличению градиента концентрации носителей заряда в базе, к уменьшению времени, в течение которого носители находятся в базе и, следовательно, к уменьшению роли рекомбинации в базе. Это ведет к росту коэффициентов передачи и .
Смыкание переходов
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода – произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается, резко возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектора.
Лавинный пробой транзистора в схеме с ОБ
Второй причиной, ограничивающей напряжение коллектора, является лавинное размножение. При этом существенную роль играет режим цепи базы. Если ток в цепи базы не ограничен, что наблюдается, например, в схеме с общей базой, то пробой транзисторов не отличается от пробоя полупроводникового диода.
В этом случае в коллекторном переходе произойдет лавинный пробой при пробивном напряжении .
Лавинный пробой коллекторного перехода представляет собой обратимый процесс, если ограничить возрастающий при пробое ток. С увеличением тока коллектора при лавинном размножении лавинный пробой может перейти в тепловой пробой с появлением отрицательного дифференциального сопротивления на выходе транзистора. Этот переход к тепловому пробою наиболее вероятен в транзисторах, изготовленных из германия (материала с малой шириной запрещенной зоны).
Пробой транзистора в схеме с ОЭ
Если ток базы зафиксирован (например, при разомкнутой цепи базы или при включении в нее достаточно большого сопротивления), то в транзисторе начинает проявляться обратная связь. Образующиеся при лавинном размножении пары носителей заряда разделяются электрическим полем коллекторного перехода: неосновные для базы носители уходят в коллектор, а основные – в базу. Таким образом, в базе создается избыточный заряд основных носителей и соответственно изменяется ее потенциал.
Получающееся при этом напряжение открывает эмиттерный переход и увеличивает ток эмиттера.
Если вывод базы отключен от схемы, т.е. ток базы равен нулю, то основные носители заряда, накопившиеся в базе, могут исчезнуть только двумя путями: либо уйти в эмиттер, либо рекомбинировать с неосновными носителями, инжектированными эмиттером. Однако транзистор делают так, что вероятность этих событий довольно мала.. Из эмиттера в базу проходит гораздо больше носителей, чем из базы в эмиттер, и носители, инжектированные в базу, почти не рекомбинируя, доходят до коллектора. Следовательно, каждый основной носитель, оказавшийся в базе в результате ударной иониза
ции в коллекторном переходе, вызовет инжекцию из эмиттера в базу большого числа неосновных носителей, что и приведет к существенному росту тока коллектора.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при = 0 может быть значительно меньше пробивного напряжения коллектор-база при = 0.
Отсюда можно сделать следующие практические выводы:
1) необходимо иметь в виду возможность пробоя транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при значительно меньших напряжениях, чем пробивное напряжение коллекторного перехода, если в цепь базы включено относительно большое сопротивление.
Эти процессы будут обратимыми, если ток коллектора ограничен параметрами внешней схемы (например, сопротивлением нагрузки). В противном случае мощность, выделяющаяся в коллекторном перехо
де, может превысить допустимое значение, тогда произойдет необратимый тепловой пробой транзистора;
2) при включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением (например, при измерении параметров транзисторов), вначале необходимо присоединить вывод базы, а затем выводы эмиттера и коллектора, чтобы не возникло условие нулевого тока базы
Вторичный пробой
Под вторичным пробоем понимают явления, связанные с разогревом коллекторного перехода и приводящие к резкому увеличению коллекторного тока при одновременном уменьшении коллекторного напряжения. При вторичном пробое транзистора, как и при тепловом пробое диода, происходит шнурование тока, проходящего через коллекторный переход. Шнурование тока связано с наличием различного рода дефектов на поверхности и в объеме транзисторной структуры, которые могут приводить к локальному увеличению плотности тока через коллекторный переход.
Локальное увеличение плотности тока приводит к локальному разогреву участка коллекторного перехода и может вызвать его расплавление. В этом случае расплав полупроводника коллекторной области проникает в базу и достигает эмиттерной области. Эмиттерная и коллекторная области соединяются перемычкой такого же типа проводимости. При исследовании такого транзистора выпрямляющие свойства переходов остаются, а эмиттер соединяется с коллектором накоротко.
Сопротивление резистора в цепи эмиттера. — МегаЛекции
Резистор в цепи эмиттера биполярного транзистора задает нагрузочную прямую усилителя наряду с резистором в цепи коллектора. Схема усилителя показана на рисунке1.
Рисунок 1 — Схема усилителя
На рисунке 2 а показано семейство выходных вольт амперных характеристик биполярного транзистора подключенного по схеме с общим эмиттером. На этой характеристике показаны две нагрузочные прямые. Верхняя — нагрузочная прямая для случая когда в схеме отсутствует резистор Rэ, нижняя когда присутствует.
Рисунок 2 — а) семейство выходных характеристик, б) входная характеристика
Нагрузочная прямая показывает, как может изменяться ток коллектора и напряжение коллектор-эмиттер транзистора. В один момент времени, в зависимости от тока базы Iб, ток коллектора Iк (как и напряжение коллектор-эмиттер Uкэ) имеет одно значение. Это значение Iк и соответствующее ему значение Uкэ называется рабочей точкой. Рабочая точка может находится только на нагрузочной прямой и не выше той точки которой соответствует напряжение насыщения и не ниже той точки которой соответствует напряжение отсечки. Рабочая точка может быть задана разными способами.
1. Рабочая точка может быть задана делителем напряжения состоящим из резисторов Rд1 и Rд2. Положение рабочей точки может заметно меняться при изменении температуры транзистора так как сопротивление полупроводников, используемых в транзисторах, зависит от температуры. Стабильность положения рабочей точки может быть очень важна. Для повышения стабильности этой точки, в усилитель, может быть введена отрицательная обратная связь.
Резистор Rэ создает отрицательную обратную связь.
При увеличении температуры увеличивается ток эмиттера Iэ. При увеличении тока эмиттера Iэ увеличивается напряжение на резисторе в цепи эмиттера URэ (т.к. URэ=Iэ·Rэ). Напряжение база-эмиттер Uбэ связано с напряжением на резисторе в цепи эмиттера URэ соотношением: Uбэ=Uвх-URэ. Это соотношение показывает что чем больше напряжение на резисторе в цепи эмиттера URэ тем меньше напряжение база-эмиттер при неизменном напряжении на входе Uвх. Ток базы Iб связан с напряжением Uбэ входной вольт амперной характеристикой (рисунок 2 б). Из характеристики на рисунке 2 б видно что ток базы Iб прямо пропорционален напряжению Uбэ. Следовательно чем больше напряжение Uбэ тем больше ток Iб и наоборот. Ток эмиттера прямо пропорционален току базы (Iэ=Iб·h31э). С учётом вышеизложенного получается что введение в цепь эмиттера резистора приводит к тому что при увеличении тока базы ток эмиттера (а следовательно и ток коллектора) увеличивается меньше чем в случае когда этого резистора нет.
Выбор сопротивления резистора в цепи коллектора.
Сопротивление резистора в цепи коллектора биполярного транзистора выбирается исходя из:
1) требуемого коэффициента усиления по напряжению,
2) максимального тока проходящего через транзистор.
Рассмотрим схему:
Рисунок 1 — Усилитель на биполярном транзисторе
Транзистору VT1 соответствует семейство выходных характеристик приведенных на рисунке 2:
Рисунок 2 — Семейство выходных характеристик транзистора VT1
Сопротивление резистора в цепи коллектора Rк определяет нагрузочную прямую. На рисунке 2 показаны две нагрузочные прямые. Прямая показанная оранжевым цветом будет при сопротивлении Rк = 666 Ом так как Iкmax = Uп/Rк = 20/666 = 0.03А = 30 мА. Прямая показанная красным цветом будет при сопротивлении Rк = 4000 Ом так как Iкmax = Uп/Rк = 20/4000 = 0.005А = 5 мА. Из рисунка 2 видно что при первой (красной) характеристике изменение напряжения на выходе ΔUкэ1 больше чем при второй (оранжевой) ΔUкэ2 при одинаковом изменении тока базы ΔIб.
Учитывая также что ток базы прямо пропорционален напряжению база-эмиттер можно сказать что коэффициент усиления усилителя (рисунок 1) по напряжению при первой (красной) характеристики больше чем при второй т.е. чем больше сопротивление в цепи коллектора тем больше коэффициент усиления по напряжению. Но максимальный ток протекающий через коллектор Iкmax1 при первой характеристике (следовательно при большем сопротивлении Rк) меньше чем при второй. Чем больше сопротивление в цепи коллектора тем меньше максимальный ток протекающий через транзистор. В статье усилитель постоянного тока на кт315 приведен пример расчёта усилителя.
Усилитель постоянного тока на кт315.
На рисунке 1 представлена схема инвертирующего усилителя постоянного тока, транзистор включен по схеме с общим эмиттером:
Рисунок 5 — Схема усилителя постоянного тока на КТ315Б.
Рассмотрим расчёт элементов схемы. Допустим схема питается от источника с напряжением 5В (это может быть например сетевой адаптер), выберем ток коллектора Iк транзистора VT1 таким чтобы он не превышал предельно допустимого тока для выбранного транзистора (для КТ315Б максимальный ток коллектора Ikmax=100мА).
Выберем Iк=5мА. Для расчёта сопротивления резистора Rк поделим напряжение питания Uп на ток коллектора:
Если сопротивление не попадает в стандартный ряд сопротивлений то нужно подобрать ближайшее значение и пересчитать ток коллектора.
(Подробнее о выборе Rк)
На семействе выходных вольт амперных характеристик построим нагрузочную прямую по точкам Uп и Iк (показана красным цветом). На нагрузочной прямой выберем рабочую точку (показана синим цветом) по середине.
Рисунок 2 — Выходные ВАХ, нагрузочная прямая и рабочая точка
На рисунке 2 рабочая точка не попадает ни на одну из имеющихся характеристик но находится чуть ниже характеристики для тока базы Iб=0.05мА поэтому ток базы выберем чуть меньше например Iб=0.03мА. По выбранному току базы Iб и входной характеристике для температуры 25Сo и напряжения Uкэ=0 найдём напряжение Uбэ:
Рисунок 3 — Входная характеристика транзистора для выбора напряжения Uбэ
Для тока базы Iб=0.
03мА найдем напряжение Uбэ но выберем чуть больше так как Uкэ>0 и характеристика будет располагаться правее, например выберем Uбэ=0.8В. Далее выберем ток резистора Rд1, этот ток должен быть больше тока базы но не настолько большим чтобы в нем терялась большая часть мощности, выберем этот ток в три раза большим чем ток базы:
По первому закону Кирхгофа найдем ток резистора Rд2:
Обозначим на схеме найденные токи и напряжения:
Рисунок 4 — Схема усилителя с найденными токами ветвей и напряжениями узлов
Рассчитаем сопротивление резистора Rд1 и подберем ближайшее его значение из стандартного ряда сопротивлений:
Рассчитаем сопротивление резистора Rд2 и подберем ближайшее его значение из стандартного ряда сопротивлений:
Обозначим сопротивления резисторов на схеме:
Рисунок 5 — Усилитель постоянного тока на КТ315Б.
Так как расчёт приближённый может потребоваться подбор элементов после сборки схемы и проверки напряжения на выходе, элементы Rд1 и/или Rд2 в этом случае нужно подобрать так чтобы напряжение на выходе было близко к выбранному напряжению Uбэ.
Для усиления переменного тока на вход и на выход надо поставить конденсаторы для пропускания только переменной составляющей усиливаемого сигнала так как постоянная составляющая изменяет режим работы транзистора. Конденсаторы на входе и выходе не должны создавать большого сопротивления для протекания переменного тока. Для термостабилизации в цепь эмиттера можно поставить резистор с небольшим сопротивлением и параллельно ему конденсатор для ослабления обратной связи по переменному току. Резистор в цепи эмиттера наряду с резисторами делителя будет задавать режим работы транзистора.
На фотографии ниже собранный по схеме на рисунке 2 усилитель:
На вход усилителя не подано напряжение, вольтметр подключенный к выходу показывает 2.6В что близко к выбранному значению. Если подать на вход напряжение прямой полярности (такой как на рисунке 5) то напряжение на выходе уменьшится (усилитель инвертирует сигнал):
Если подать на вход напряжение обратной полярности то напряжение на выходе увеличится но не больше напряжения питания:
Уменьшение напряжения на входе, при подключении ко входу источника, меньше чем увеличение напряжения на выходе что говорит о том что происходит усиление входного сигнала с инверсией.
Схема с общим эмиттером производит большее усиление по мощности чем схемы с общей базой и общим эмиттером но она, в отличии от двух других, производит инверсию сигнала. Если необходимо произвести усиление по мощности постоянного тока без инверсии то каскадно можно соединить две схемы на рисунке 5 но при этом необходимо учесть что первый каскад будет изменять режим работы транзистора второго каскада поэтому сопротивления резисторов во втором каскаде необходимо будет подобрать так чтобы это изменение было как можно меньше. Также при каскадном соединении увеличится коэффициент усиления всего усилителя (он будет равен произведению коэффициента усиления первого каскада на коэффициент усиления второго).
Задание.
Вопросы:
- Какую роль выполняет делитель напряжения, состоящий из резисторов Rд1 и Rд2 в схеме усилителя постоянного тока на КТ315Б?
- Как стабилизировать рабочую точку в схеме усилителя постоянного тока на КТ315Б?
- Чем вызвано увеличение тока в эмиттерной цепи в схеме усилителя постоянного тока на КТ315Б и как это отразится на участке цепи Rэ?
http://electe.
blogspot.ru/2012/05/blog-post.html?m=1
Транзистор биполярный
Описание транзисторов
Описание транзисторов удобно начать с описания функции, которую они выполняют. Основная функция биполярного транзистора — усиливать ток и напряжение. Например, они могут усиливать слаботочные выходные сигналы интегральных микросхем таким образом, чтобы ими можно было управлять лампой, реле и т.д. Во многих схемах транзистор служит для преобразования изменяющегося тока в изменяющееся напряжение. Т.е. транзистор работает как усилитель напряжения.
Транзистор может работать как ключ (либо полностью открыт и через него течёт максимальный ток, либо полностью закрыт и ток через него не течёт) или как усилитель (всегда частично открыт)
Воспользуйтесь поиском по сайту:
Как отличить коллектор от эмиттера
Расчет входного тока базы Ib
Теперь посчитаем ток базы Ib.
Поскольку мы имеем дело с переменным напряжением, нужно посчитать два значения тока – при максимальном напряжении (Vmax) и минимальном (Vmin). Назовем эти значения тока соответственно – Ibmax и Ibmin.
Также, для того чтобы посчитать ток базы, необходимо знать напряжение база-эмиттер VBE. Между базой и эмиттером располагается один PN-переход. Получается, что ток базы «встречает» на своем пути полупроводниковый диод. Напряжение, при котором полупроводниковый диод начинает проводить – около 0.6V. Не будем вдаваться в подробности вольт-амперных характеристик диода, и для простоты расчетов возьмем приближенную модель, согласно которой напряжение на проводящем ток диоде всегда 0.6V. Значит, напряжение между базой и эмиттером VBE = 0.6V. А поскольку эмиттер подключен к земле (VE = 0), то напряжение от базы до земли тоже 0.6V (VB = 0.6V).
Посчитаем Ibmax и Ibmin с помощью закона Ома:
Анализ результатов
Как видно из результатов, VCmax получился меньше чем VCmin.
Это произошло из-за того, что напряжение на резисторе VRc отнимается от напряжения питания VCC. Однако в большинстве случаев это не имеет значения, поскольку нас интересует переменная составляющая сигнала – амплитуда, которая увеличилась c 0.1V до 1V. Частота и синусоидальная форма сигнала не изменились. Конечно же, соотношение Vout/Vin в десять раз – далеко на самый лучший показатель для усилителя, однако для иллюстрации процесса усиления вполне подойдет.
Итак, подытожим принцип работы усилителя на биполярном транзисторе. Через базу течет ток Ib, несущий в себе постоянную и переменную составляющие. Постоянная составляющая нужна для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером начал проводить – «открылся». Переменная составляющая – это, собственно, сам сигнал (полезная информация). Сила тока коллектор-эмиттер внутри транзистора – это результат умножения тока базы на коэффициент усиления β. В свою очередь, напряжение на резисторе Rc над коллектором – результат умножения усиленного тока коллектора на значение резистора.
Таким образом, на вывод Vout поступает сигнал с увеличенной амплитудой колебаний, но с сохранившейся формой и частотой. Важно подчеркнуть, что энергию для усиления транзистор берет у источника питания VCC. Если напряжения питания будет недостаточно, транзистор не сможет полноценно работать, и выходной сигнал может получится с искажениями.
Режимы работы биполярного транзистора
В соответствии уровням напряжения на электродах транзистора, различают четыре режима его работы:
Режим отсечки (cut off mode).
Активный режим (active mode).
Режим насыщения (saturation mode).
Инверсный ражим (reverse mode ).
Когда напряжение база-эмиттер ниже, чем 0.6V – 0.7V, PN-переход между базой и эмиттером закрыт. В таком состоянии у транзистора отсутствует ток базы. В результате тока коллектора тоже не будет, поскольку в базе нет свободных электронов, готовых двигаться в сторону напряжения на коллекторе. Получается, что транзистор как бы заперт, и говорят, что он находится в режиме отсечки
.
В активном режиме
напряжение на базе достаточное, для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером открылся. В этом состоянии у транзистора присутствуют токи базы и коллектора. Ток коллектора равняется току базы, умноженном на коэффициент усиления. Т.е активным режимом называют нормальный рабочий режим транзистора, который используют для усиления.
Иногда ток базы может оказаться слишком большим. В результате мощности питания просто не хватит для обеспечения такой величины тока коллектора, которая бы соответствовала коэффициенту усиления транзистора. В режиме насыщения ток коллектора будет максимальным, который может обеспечить источник питания, и не будет зависеть от тока базы. В таком состоянии транзистор не способен усиливать сигнал, поскольку ток коллектора не реагирует на изменения тока базы.
В режиме насыщения проводимость транзистора максимальна, и он больше подходит для функции переключателя (ключа) в состоянии «включен». Аналогично, в режиме отсечки проводимость транзистора минимальна, и это соответствует переключателю в состоянии «выключен».
В данном режиме коллектор и эмиттер меняются ролями: коллекторный PN-переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный – в обратном. В результате ток из базы течет в коллектор. Область полупроводника коллектора несимметрична эмиттеру, и коэффициент усиления в инверсном режиме получается ниже, чем в нормальном активном режиме. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Поэтому в инверсном режиме транзистор практически не используют.
Основные параметры биполярного транзистора.
Коэффициент усиления по току
– соотношение тока коллектора IС к току базы IB. Обозначается
β
,
hfe
или
h31e
, в зависимости от специфики расчетов, проводимых с транзисторов.
β – величина постоянная для одного транзистора, и зависит от физического строения прибора. Высокий коэффициент усиления исчисляется в сотнях единиц, низкий – в десятках. Для двух отдельных транзисторов одного типа, даже если во время производства они были “соседями по конвейеру”, β может немного отличаться. Эта характеристика биполярного транзистора является, пожалуй, самой важной. Если другими параметрами прибора довольно часто можно пренебречь в расчетах, то коэффициентом усиления по току практически невозможно.
Входное сопротивление
– сопротивление в транзисторе, которое «встречает» ток базы. Обозначается
Rin
(
Rвх
). Чем оно больше – тем лучше для усилительных характеристик прибора, поскольку со стороны базы обычно находиться источник слабого сигнала, у которого нужно потреблять как можно меньше тока. Идеальный вариант – это когда входное сопротивление равняется бесконечность.
Rвх для среднестатистического биполярного транзистора составляет несколько сотен КΩ (килоом). Здесь биполярный транзистор очень сильно проигрывает полевому транзистору, где входное сопротивление доходит до сотен ГΩ (гигаом).
Выходная проводимость
– проводимость транзистора между коллектором и эмиттером. Чем больше выходная проводимость, тем больше тока коллектор-эмиттер сможет проходить через транзистор при меньшей мощности.
Также с увеличением выходной проводимости (или уменьшением выходного сопротивления) увеличивается максимальная нагрузка, которую может выдержать усилитель при незначительных потерях общего коэффициента усиления. Например, если транзистор с низкой выходной проводимостью усиливает сигнал в 100 раз без нагрузки, то при подсоединении нагрузки в 1 КΩ, он уже будет усиливать всего в 50 раз. У транзистора, с таким же коэффициентом усиления, но с большей выходной проводимостью, падение усиления будет меньше. Идеальный вариант – это когда выходная проводимость равняется бесконечность (или выходное сопротивление Rout = 0 (Rвых = 0)).
Частотная характеристика
– зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты входящего сигнала. С повышением частоты, способность транзистора усиливать сигнал постепенно падает. Причиной тому являются паразитные емкости, образовавшиеся в PN-переходах. На изменения входного сигнала в базе транзистор реагирует не мгновенно, а с определенным замедлением, обусловленным затратой времени на наполнение зарядом этих емкостей. Поэтому, при очень высоких частотах, транзистор просто не успевает среагировать и полностью усилить сигнал.
Биполя́рный транзи́стор
— трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar ), в отличие от полевого (униполярного) транзистора.
Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ).
Читать также: Принцип работы пистолета для монтажной пены
Физические процессы
Возьмем транзистор типа n-p-n в режиме без нагрузки, когда подключены только два источника постоянных питающих напряжений E1 и E2. На эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном – обратное. Соответственно, сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения нормального тока достаточно напряжения E1 в десятые доли вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико и напряжение E2 составляет обычно десятки вольт.
Соответственно, как и раньше, темные маленькие кружки со стрелками – электроны, красные – дырки, большие кружки – положительно и отрицательно заряженные атомы доноров и акцепторов. Вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода представляет собой характеристику полупроводникового диода при прямом токе, а вольт-амперная характеристика коллекторного перехода подобна ВАХ диода при обратном токе.
Принцип работы транзистора заключается в следующем. Прямое напряжение эмиттерного перехода uб-э влияет на токи эмиттера и коллектора и чем оно выше, тем эти токи больше. Изменения тока коллектора при этом лишь незначительно меньше изменений тока эмиттера. Получается, что напряжение на переходе база-эмиттер, т. е. входное напряжение, управляет током коллектора. На этом явлении основано усиление электрических колебаний с помощью транзистора. Основные биполярные транзисторы приведены в таблице ниже.
Таблица характеристик биполярных транзисторов.
При увеличении прямого входного напряжения uб-э понижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе и, соответственно, возрастает ток через этот переход iэ. Электроны этого тока инжектируются из эмиттера в базу и благодаря диффузии проникают сквозь базу в коллекторный переход, увеличивая ток коллектора.Поскольку коллекторный переход работает при обратном напряжении, то в этом переходе возникают объемные заряды (на рисунке большие кружки). Между ними возникает электрическое поле, которое способствует продвижению (экстракции) через коллекторный переход электронов, пришедших сюда из эмиттера, т. е. втягивают электроны в область коллекторного перехода.
Схема работы и устройства биполярного транзистора.
Если толщина базы достаточно мала и концентрация дырок в ней невелика, то большинство электронов, пройдя через базу, не успевает рекомбинировать с дырками базы и достигает коллекторного перехода. Лишь небольшая часть электронов рекомбинирует в базе с дырками. В результате этого возникает ток базы.
Ток база является бесполезным и даже вредным. Желательно, чтобы он был как можно меньше. Именно поэтому базовую область делают очень тонкой и уменьшают в ней концентрацию дырок. Тогда меньшее число электронов будет рекомбинировать с дырками и, повторюсь, ток базы будет незначительным.
Когда к эмиттерному переходу не приложено напряжение, можно считать, что в этом переходе тока нет. Тогда область коллекторного перехода имеет значительное сопротивление постоянному току, поскольку основные носители зарядов удаляются от этого перехода и по обе границы создаются области, обедненные этими носителями. Через коллекторный переход протекает очень небольшой обратный ток, вызванный перемещением навстречу друг другу неосновных носителей.
Будет интересно➡ Что такое Диод Зенера
Если же под действием входного напряжения возникает значительный ток эмиттера, то в базу со стороны эмиттера инжектируются электроны, для данной области являющиеся неосновными носителями. Они доходят до коллекторного перехода не успевая рекомбинировать с дырками при прохождении через базу.
Чем больше ток эмиттера, тем больше электронов приходит к коллектору, тем меньше становится его сопротивление, следовательно, ток коллектора увеличивается. Аналогичные явления происходят в транзисторе типа p-n-p, надо только местами поменять электроны и дырки, а также полярность источников E1 и E2.
Как устроен транзистор.
Помимо рассмотренных процессов существует еще ряд явлений. Рассмотрим модуляцию толщины базы.При повышении напряжения на коллекторном переходе в нем происходит лавинное размножение заряда, обусловленное в основном ударной ионизацией.
Это явление и туннельный эффект могут вызвать электрический пробой, который при возрастании тока может перейти в тепловой пробой. Все происходит также, как у диодов, но в транзисторе при чрезмерном коллекторном токе тепловой пробой может наступить без предварительного электрического пробоя.
Тепловой пробой может наступить без повышения коллекторного напряжения до пробивного. При изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах изменяется их толщина, в результате чего изменяется толщина базы.
Особенно важно учитывать напряжение коллектор-база, поскольку при этом толщина коллектора возрастает, толщина базы уменьшается. При очень тонкой базе может возникнуть эффект смыкания (так называемый “прокол” базы) – соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает и транзистор перестает нормально работать.
При увеличении инжекции носителей из эмиттера в базу происходит накопление неосновных носителей заряда в базе, т. е. увеличение концентрации и суммарного заряда этих носителей. А вот при уменьшении инжекции происходит уменьшение концентрации и суммарного заряда этих самых носителей в базе и сей процесс обозвали рассасыванием неосновных носителей зарядов в базе.
И напоследок одно правило: при эксплуатации транзисторов запрещается разрывать цепь базы, если не включено питание цепи коллектора. Надо также включать питание цепи базы, а потом цепи коллектора, но не наоборот.
Схема устройства транзистора.
Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех чередующихся областей полупроводника с различным типом проводимости (р-п-р или п-р-п) с выводом от каждой области. Рассмотрим работу транзистора n-р-n-типа. Чередующиеся области образуют два р-п-перехода база–эмиттер (БЭ) и база–коллектор (БК).
К переходу БЭ прикладывают прямое напряжение EБЭ, под действием которого электроны n-области эмиттера устремляются в базу, создавая ток эмиттера. Концентрацию примесей в эмиттере делают во много раз больше, чем в базе, а саму базу по возможности тоньше. Поэтому лишь незначительная часть (1–5%) испущенных эмиттером электронов рекомбинирует с дырками базы.
Большая же часть электронов, миновав узкую (доли микрона) область базы, “собирается” коллекторным напряжением Ек, представляющим обратное напряжение для перехода БК, и, устремляясь к плюсу внешнего источника Eк, создает коллекторный ток, протекающий по нагрузке Rн. Электроны, рекомбинировавшие с дырками базы, составляют ток базы IБ.
Ток коллектора, таким образом, определяется током эмиттера за вычетом тока базы. Аналогично работает транзистор р-n-р-типа, отличаясь лишь тем, что его эмиттер испускает в базу не электроны, а дырки, поэтому полярности прикладываемых к нему прямого UЭБ и обратного Ек напряжений должны быть противоположны транзистору п-р-п-типа.
Важное по теме. Как прозвонить транзистор.
На условном обозначении транзисторов стрелка ставится на эмиттере и направлена всегда от р-области к n-области. На рис. 1.8, б приведено условное обозначение транзистора п-р-п, а на рис. 1.9, б – р-п-р. Кружок вокруг транзистора означает, что транзистор изготовлен в самостоятельном корпусе, а отсутствие кружка – что транзистор выполнен заодно с другими элементами на пластинке полупроводника интегральной микросхемы.
Будет интересно➡ Как устроены многоцветные светодиоды
Стрелку эмиттера удобно рассматривать как указатель полярности прямого напряжения, приложенного между базой и эмиттером, которое “открывает” (подобно выпрямительному диоду) транзистор. При использовании транзистора в электронных устройствах нужны два вывода для входного сигнала и два – для выходного.
Так как у транзистора всего лишь три вывода, один из них должен быть общим, принадлежащим одновременно и к входной, и к выходной цепи. Возможны три варианта схем включения транзисторов – с общей базой, общим эмиттером и с общим коллектором.
Переход в биполярном транзисторе.
Схема с общей базой
Схема включения транзистора с общей базой (ОБ) показана на рис. 1.10. Входным сигналом для схемы с ОБ является напряжение, поданное между эмиттером и базой UBX = = UЭБ; выходным – напряжение, выделяемое на нагрузке Uвых = IкRн; входным током – ток эмиттера Iвх = IЭ; выходным током – ток коллектора Iвых = Iк.
Входное напряжение UЭБ является управляющим для транзистора, поэтому небольшое его изменение (па доли вольт) приводит к изменению тока эмиттера в очень широких пределах – практически от нуля до максимального. Максимальный ток определяется назначением транзистора (маломощные, средней мощности и большой мощности) и соответствующей конструкцией.
Так как напряжение UΚБ является обратным, величина напряжения внешнего источника Ек может в десятки раз превышать значение напряжения UЭБ. Падение напряжения, выделяемого на нагрузке, будет тем больше, чем больше ток коллектора, при этом на самом транзисторе будет падать лишь небольшое напряжение UКБ, которое будет тем меньше, чем больше ток коллектора.
Таким образом, изменение на доли вольт входного напряжения приводит к изменению напряжения на нагрузке, чуть меньшего, чем напряжение Ек. Это положение определяет усилительные свойства транзистора.
Для оценки работы транзистора и его усилительных свойств в различных схемах включения рассматривают приращения входных и вызванные ими приращения выходных величин. Рассматривая транзистор как усилитель, принято характеризовать его свойства коэффициентами усиления и значением входного сопротивления. Различают три вида коэффициентов усиления:
- • коэффициент усиления по току КI = ΔIвых /ΔIвх;
- • коэффициент усиления по напряжению КU = ΔUвых/ΔUвх;
- • коэффициент усиления по мощности КР = КI • КU.
Отношение изменения входного напряжения к изменению входного тока: Rвх = ΔUвх/ΔIвх. Входное сопротивление любого усилителя приводит к искажению входного сигнала. Любой реальный источник сигнала обладает некоторым внутренним сопротивлением, и при подключении его к усилителю образуется делитель напряжения, состоящий из внутреннего сопротивления источника и входного сопротивления усилителя.
Поэтому чем выше входное сопротивление усилителя, тем большая часть сигнала будет выделяться на этом сопротивлении и усиливаться и тем меньшая его часть будет падать на внутреннем сопротивлении самого источника. Таким образом, КРБ тоже определяется соотношением сопротивлений. Так как коэффициент усиления схемы с ОБ по току КIБ оказывается меньше единицы, она применения не нашла.
Размеры биполярного транзистора.
Устройство [ править | править код ]
Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: эмиттера (обозначается «Э», англ. E ), базы («Б», англ. B ) и коллектора («К», англ. C ). В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n
(эмиттер —
n
-полупроводник, база —
p
-полупроводник, коллектор —
n
-полупроводник) и
p-n-p
транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1] .
С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление.
Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).
Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.
В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий. Полупроводниковые приборы на его основе имеют ряд недостатков, и в настоящее время (2015 г.) биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ-усилителей.
Принцип работы [ править | править код ]
В активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении [2] (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).
В транзисторе типа n-p-n
[3] основные носители заряда в эмиттере (электроны) проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками). Однако, из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, бо́льшая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико [4] . Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы (электроны) и переносит их в коллекторный слой. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (
Iэ=Iб + Iк
).
Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α Iэ
), называется
коэффициентом передачи тока эмиттера
. Численное значение коэффициента α = 0,9—0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α/(1 − α), от 10 до 1000. Таким образом, малый ток базы управляет значительно бо́льшим током коллектора.
Принцип работы биполярного транзистора
А сейчас мы попробуем разобраться как работает транзистор. Я не буду вдаваться в подробности внутреннего устройства транзисторов так как эта информация только запутывает. Лучше взгляните на этот рисунок.
Это изображение лучше всего объясняет принцип работы транзистора. На этом изображении человек посредством реостата управляет током коллектора. Он смотрит на ток базы, если ток базы растет то человек так же увеличивает ток коллектора с учетом коэффициента усиления транзистора h31Э. Если ток базы падает, то ток коллектора также будет снижаться — человек подкорректирует его посредством реостата.
Эта аналогия не имеет ничего общего с реальной работой транзистора, но она облегчает понимание принципов его работы.
Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. (Эти правила взяты из книги П. Хоровица У.Хилла «Искусство схемотехники»).
- Коллектор имеет более положительный потенциал , чем эмиттер
- Как я уже говорил цепи база — коллектор и база -эмиттер работают как диоды
- Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, такими как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
- В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы.
Из этой формулы можно выразить основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора.
-коэффициент усиления по току.
Его также обозначают как
Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах:
- Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. В результате ток базы отсутствует и следовательно ток коллектора тоже будет отсутствовать.
- Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора. В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся. Ток базы достаточен и ток коллектора тоже имеется. Ток коллектора равняется току базы умноженному на коэффициент усиления.
- Режим насыщения транзистора — в этот режим транзистор переходит тогда, когда ток базы становится настолько большим, что мощности источника питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора. В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.
- Инверсный режим транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняют местами. В результате таких манипуляций коэффициент усиления транзистора очень сильно страдает. Транзистор изначально проектировался не для того, чтобы он работал в таком особенном режиме.
Для понимания того как работает транзистор нужно рассматривать конкретные схемные примеры, поэтому давайте рассмотрим некоторые из них.
Транзистор в ключевом режиме
Транзистор в ключевом режиме это один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером. Схема транзистора в ключевом режиме применяется очень часто. К этой транзисторной схеме прибегают к примеру когда нужно управлять мощной нагрузкой посредством микроконтроллера. Ножка контроллера не способна тянуть мощную нагрузку, а транзистор может. Получается контроллер управляет транзистором, а транзистор мощной нагрузкой. Ну а обо всем по порядку.
Основная суть этого режима заключается в том, что ток базы управляет током коллектора. Причем ток коллектора гораздо больше тока базы. Здесь невооруженным взглядом видно, что происходит усиление сигнала по току. Это усиление осуществляется за счет энергии источника питания.
На рисунке изображена схема работы транзистора в ключевом режиме.
Для транзисторных схем напряжения не играют большой роли, важны лишь токи. Поэтому, если отношение тока коллектора к току базы меньше коэффициента усиления транзистора то все окей.
В этом случае даже если к базе у нас приложено напряжение в 5 вольт а в цепи коллектора 500 вольт, то ничего страшного не произойдет, транзистор будет покорно переключать высоковольтную нагрузку.
Главное чтобы эти напряжения не превышали предельные значения для конкретного транзистора (задается в характеристиках транзистора).
Читать также: Термообработка стали 40х закалка отпуск
Чтож, теперь давайте попробуем рассчитать значение базового резистора.
На сколько мы знаем, что значение тока это характеристика нагрузки.
Мы не знаем сопротивления лампочки, но мы знаем рабочий ток лампочки 100 мА. Чтобы транзистор открылся и обеспечил протекание такого тока, нужно подобрать соответствующий ток базы. Ток базы мы можем корректировать меняя номинал базового резистора.
Так как минимальное значение коэффициента усиления транзистора равно 10, то для открытия транзистора ток базы должен стать 10 мА.
Ток который нам нужен известен. Напряжение на базовом резисторе будет Такое значение напряжения на резисторе получилось из-зи того, что на переходе база-эмиттер высаживается 0,6В-0,7В и это надо не забывать учитывать.
В результате мы вполне можем найти сопротивление резистора
Осталось выбрать из ряда резисторов конкретное значение и дело в шляпе.
Теперь вы наверное думаете, что транзисторный ключ будет работать так как нужно? Что когда базовый резистор подключается к +5 В лампочка загорается, когда отключается -лампочка гаснет? Ответ может быть да а может и нет.
Все дело в том, что здесь есть небольшой нюанс.
Лампочка в том случае погаснет, когда потенциал резистора будет равен потенциалу земли. Если же резистор просто отключен от источника напряжения, то здесь не все так однозначно. Напряжение на базовом резисторе может возникнуть чудесным образом в результате наводок или еще какой потусторонней нечисти
ЕДИНИЧНЫЕ IGBT
- Главная
- ЕДИНИЧНЫЕ IGBT
Наиболее популярными ключевыми элементами до середины 80-х г.г., являлись MOSFET транзисторы, но в связи с малым напряжением стока, имели ограниченную область применения. Для повышения коммутируемого напряжения возникла идея объединить между собой два прибора в одном корпусе — низковольтный полевой транзистор (малый ток управления) и мощный биполярный (большие коммутируемые токи и напряжения). Реализация идеи не заставила себя долго ждать и в начале 90-х г.г. в каталогах ряда фирм (среди которых одной из первых была фирма «International Rectifier») появились транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
Обозначается этот тип транзисторов следующим образом:
| Где G — затвор (управление), E — эмиттер и C — коллектор — назначение этих выводов аналогично биполярным транзисторам, таким образом, IGBT представляет собой высоковольтный биполярный транзистор, управляемый от сравнительно низковольтного МОП транзистора.
|
Также для сокращения числа внешних компонентов, в транзистор может быть встроен мощный высокочастотный демпферный диод (обычно подключен: эмиттер транзистора — анод диода, коллектор транзистора — катод диода)
Отличительные черты:
- IGBT имеет отличные временные характеристики переключения, но несколько уступает MOSFET в быстродействии. Однако область безопасной работы IGBT позволяет, без применения дополнительных цепей формирования траектории переключения, успешно обеспечить его надeжную работу на частотах до 40 кГц (в резонансном режиме возможна работа с частотами более 200 кГц) при номинальных токах в десятки ампер.
- Прямое падение напряжения на транзисторе в полностью открытом состоянии при коммутируемом напряжении 600-1200 В составляет 1,4- 3,1 В (как у биполярных транзисторов), что является значительно лучшим показателем, чем у силовых MOSFET (с таким же коммутируемым напряжением).
Основным применением данных устройств являются цепи коммутации высокого напряжения (600. ..1200 В) и тока (13…70 А) — мощные импульсные источники питания, электропривод, преобразователи энергии и т.д.
Основные параметры:
Uкэ.макс. — Mаксимальное напряжение коллектор-эмиттер
Iк.макс. — Mаксимальный продолжительный ток коллектора при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С этот ток падает в ~2 раза, при работе в импульсном режиме — повышается в ~2-4 раза в зависимости от модели и длительности импульса
Pк. макс. — Максимальная рассеиваемая коллектором мощность при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С значение мощности падает в ~2,5 раза
Uнас.кэ. — Типовое падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер в полностью открытом состоянии
tзад.выкл. — Максимальное время задержки на выключение транзистора — время которое пройдет от момента, при выключении, когда напряжение управления спадет до 90% от номинала, до момента когда ток коллектора также спадет до 90% от номинального
tвыкл. — Максимальное время выключения — время необходимое транзистору (после выдержки tзад.выкл) для уменьшения тока коллектора с 90% до 10% от номинального
| Наименование | Uкэ макс, В | Iк макс, А | Pк макс., Вт | Uнас.кэ, В | tзад.выкл, нс | tзад.вкл, нс |
| В корпусе TO-220 | ||||||
| IRG4BC20U | 600 | 13 | 60 | 1,85 | 130 | 180 |
| IRG4BC20UD* | 600 | 13 | 60 | 1,85 | 140 | 170 |
| IRG4BC30F | 600 | 31 | 100 | 1,59 | 300 | 270 |
| IRG4BC30FD* | 600 | 31 | 100 | 1,59 | 350 | 230 |
| IRG4BC30K | 600 | 28 | 100 | 2,21 | 200 | 170 |
| IRG4BC30S | 600 | 34 | 100 | 1,4 | 810 | 590 |
| IRG4BC30U | 600 | 23 | 100 | 1,95 | 120 | 150 |
| IRG4BC30UD* | 600 | 23 | 100 | 1,95 | 140 | 130 |
| IRG4BC30W | 600 | 23 | 100 | 2,7 | 150 | 100 |
| IRG4BC40F | 600 | 49 | 160 | 2 | 410 | 420 |
| IRG4BC40U | 600 | 40 | 160 | 1,72 | 175 | 180 |
| BUP212 | 1200 | 22 | 125 | 2,5 | 570 | 120 |
| BUP213 | 1200 | 32 | 200 | 2,7 | 530 | 95 |
| В корпусе TO-247 | ||||||
| IRG4PC30KD* | 600 | 28 | 100 | 2,21 | 250 | 120 |
| IRG4PC30UD* | 600 | 23 | 100 | 1,95 | 140 | 130 |
| IRG4PC30W | 600 | 23 | 100 | 2,7 | 150 | 100 |
| IRG4PC40KD* | 600 | 42 | 160 | 2,1 | 160 | 150 |
| IRG4PC40U | 600 | 40 | 160 | 1,72 | 175 | 180 |
| IRG4PC50FD* | 600 | 70 | 200 | 1,45 | 360 | 210 |
| IRG4PC50K | 600 | 52 | 200 | 1,84 | 240 | 120 |
| IRG4PC50KD* | 600 | 52 | 200 | 1,84 | 220 | 140 |
| IRG4PC50U | 600 | 55 | 200 | 1,65 | 260 | 130 |
| IRG4PC50UD* | 600 | 55 | 200 | 1,65 | 230 | 110 |
| IRG4PC50W | 600 | 55 | 200 | 2,3 | 86 | 180 |
| IRG4PF50W | 900 | 51 | 200 | 2,25 | 170 | 220 |
| IRG4Ph40K | 1200 | 20 | 100 | 3,1 | 300 | 170 |
| IRG4Ph50KD* | 1200 | 30 | 160 | 2,74 | 140 | 330 |
| IRG4Ph50U | 1200 | 41 | 160 | 2,43 | 330 | 270 |
| IRG4PH50K | 1200 | 45 | 200 | 2,77 | 300 | 190 |
| IRG4PH50UD* | 1200 | 45 | 200 | 2,78 | 170 | 260 |
| IRG4PSC71UD* | 600 | 85 | 350 | 1,67 | 368 | 167 |
| IRGPS40B120UD* | 1200 | 80 | 595 | 3,12 | 365 | 33 |
| IXGh22N100A | 1000 | 24 | 100 | 4 | 850 | 500 |
| IXGh38N30B | 300 | 56 | 150 | 2,1 | 50 | 55 |
| IXGH50N60B | 600 | 75 | 300 | 2,5 | 200 | 150 |
| В корпусе TO-218 | ||||||
| BUP313 | 1200 | 32 | 200 | 2,7 | 530 | 95 |
| BUP314 | 1200 | 52 | 300 | 2,7 | 560 | 60 |
*Встроенный демпфирующий диод
Наименование
К продаже
Цена от
К продаже:
22 шт.
Цена от:
119,06₽
К продаже:
342 шт.
Цена от:
158,38₽
К продаже:
96 шт.
Цена от:
160,17₽
К продаже:
58 шт.
Цена от:
232,33₽
К продаже:
19 шт.
Цена от:
485,55₽
К продаже:
9 шт.
Цена от:
265,47₽
К продаже:
1 шт.
Цена от:
228,86₽
К продаже:
25 шт.
Цена от:
1 654,36₽
К продаже:
75 шт.
Цена от:
625,13₽
К продаже:
926 шт.
Цена от:
1 262,83₽
К продаже:
12 шт.
Цена от:
1 507,21₽
К продаже:
15 шт.
Цена от:
811,38₽
К продаже:
1 458 шт.
Цена от:
109,15₽
К продаже:
279 шт.
Цена от:
157,76₽
К продаже:
468 шт.
Цена от:
162,37₽
К продаже:
2 шт.
Цена от:
134,43₽
К продаже:
7 шт.
Цена от:
254,34₽
К продаже:
130 шт.
Цена от:
62,56₽
ГОСТ 18604.22-78 — Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
ГОСТ 18604.22-78*
(CT СЭВ 4289-83)
Группа Э29
Дата введения 1980-01-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 5 июля 1978 г. N 1816 срок введения установлен с 01.01.80
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 25.06.84 N 2078 срок действия продлен до 01.01.90**
________________
** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17. 09.91 N 1455 (ИУС N 12, 1991 год). — Примечание изготовителя базы данных.
ВЗАМЕН ГОСТ 13852-68
* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в октябре 1984 г. (ИУС 1-85).
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах.
Общие условия при измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4289-83.
(Измененная редакция, Изм. N 1)
1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ
1.1. Принцип и условия измерения
1.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянных токах коллектора и базы.
1.1. 2. Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения или равно ему.
Если значение не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор-эмиттер.
1.1.3. Значения тока базы и тока коллектора , значение граничного напряжения указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
1.1.4. Допускается задавать токи базы и коллектора от генераторов тока. При этом выходное сопротивление генератора тока базы должно удовлетворять условию
,
а выходное сопротивление генератора тока коллектора должно удовлетворять условию
,
где и — максимальные значения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер, которые могут быть измерены на данной установке;
и — минимальные значения токов коллектора и базы, которые могут быть установлены на данной установке.
1.2. Аппаратура
1. 2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на постоянном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт.1.
, — измерители постоянных токов базы и коллектора; — измеритель постоянного напряжения;
и ; , — резисторы; — измеряемый транзистор; — переключатель
Черт.1
1.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
1.2.2.1. Входное сопротивление измерителя постоянного напряжения должно удовлетворять соотношениям
;
.
1.2.2.2. Измеритель постоянного напряжения может быть компенсационного типа. В этом случае требования к входному сопротивлению не предъявляют.
1.2.2.3. Допускается использование общего источника питания для задания токов базы и коллектора. Регулировку токов в этом случае осуществляют подбором резисторов и .
1.2.2.4. Взамен резисторов и могут быть использованы внутренние сопротивления источников питания базы или коллектора.
Резисторы , и измерители и могут полностью или частично отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
1.2.2.5. Следует принимать меры к устранению погрешности измерения и за счет падения напряжения на соединительных проводах и контактах путем разделения контактов и соединительных проводов на токовые и потенциальные.
1.2.2.6. Значение наводок на измерителе напряжения должно быть не более 2% шкалы.
1.3. Подготовка и проведение измерения
1.3.1. При измерении напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзистор включают в схему измерения. По шкале следует установить значение тока базы, а по шкале — значение тока коллектора, указанные в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов или рассчитанные по заданной степени насыщения.
В положении 1 переключателя измеритель измеряет напряжение насыщения .
В положении 2 переключателя измеритель измеряет напряжение насыщения .
1.3.2. Допускается одновременное измерение напряжений насыщения и двумя приборами (без переключателя ), если режим измерения этих параметров одинаков.
1.4. Показатели точности измерения
1.4.1. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы.
1.4.2. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР И БАЗА-ЭМИТТЕР НА ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ
2.1. Принцип и условия измерения
2.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянном токе коллектора и импульсном токе базы.
2.1.2. Напряжение питания коллектора, значения тока базы и тока коллектора устанавливают в соответствии с требованиями пп. 1.1.2 и 1.1.3.
2.1.3. Измерение напряжения следует начинать с задержкой относительно начала базового импульса и закончить до окончания базового импульса (черт.2) по формулам
;
,
где — длительность импульса в цепи базы;
— максимальное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
— максимальное значение коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала;
— граничная частота коэффициента передачи тока.
— измеряемое напряжение
Черт.2
Значения статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала и граничной частоты коэффициента передачи тока указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов. Для транзисторов, у которых значение не нормируется, используют значение предельной частоты коэффициента передачи тока или ,
где — частота, на которой измеряют модуль, коэффициента передачи тока на высокой частоте . Значение указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
2.1.4. Допускается подавать напряжение коллектора в виде импульса, начинающегося не позднее базового импульса и заканчивающегося раньше базового импульса.
Время подключения пикового вольтметра к выводам в этом случае не ограничивают.
2.1.5. Допускается измерение напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер при постоянном токе базы и импульсном напряжении коллектора.
2.1.6. Допускается одновременная подача базового и коллекторного импульсов, если пиковый вольтметр подключается на позднее начала базового импульса.
2.1.7. Допускается задавать токи базы и коллектор от импульсных генераторов тока. При этом выходные сопротивления генераторов тока базы и тока коллектора должны соответствовать требованиям п.1.1.4.
2.2. Аппаратура
2.2.1. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер на импульсном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт. 3.
, , — пиковые вольтметры; — генератор однополярных импульсов; , — резисторы;
, — калибровочные резисторы; — переключатель; — конденсатор;
— измеряемый транзистор
Черт.3
2.2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
2.2.2.1. Пиковый вольтметр должен измерять ток базы по падению напряжения на резисторе . Его входное сопротивление должно быть больше или равно 100.
2.2.2.2. Пиковый вольтметр должен измерять мгновенные значения напряжений. Требования к его входному сопротивлению должны соответствовать требованиям п.1.2.2.1.
2.2.2.3. Пиковый вольтметр должен измерять ток коллектора по падению напряжения на резисторе . Его входное сопротивление должно быть больше или равно 100.
2.2.2.4. Взамен резистора может быть использовано внутреннее сопротивление генератора , а резистора — внутреннее сопротивление источника питания коллектора.
Резисторы и могут отсутствовать, если токи базы и коллектора задают от импульсных генераторов тока.
2.2.2.5. Резисторы и должны обеспечивать измерение токов и на рабочих участках шкал приборов и . Номинальные сопротивления резисторов выбирают с допускаемым отклонением от номинального в пределах ±1%.
2.2.2.6. Резисторы , и пиковые вольтметры , могут отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
2.2.2.7. Частоту следования импульсов генератора следует выбирать такой, чтобы скважность импульсов была более 10.
2.2.2.8. Емкость конденсатора следует выбирать из соотношения
,
если источник питания коллектора рассчитан на ток ,
где — скважность импульсов базы.
Значение емкости конденсатора может быть уменьшено или конденсатор может быть отключен, если источник питания коллектора рассчитан на ток и при импульсном напряжении питания коллектора.
2.3. Подготовка и проведение измерения
2.3.1. Подготовка и проведение измерения — в соответствии с п. 1.3.
2.4. Показатели точности измерения
2.4.1. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5% конечного значения рабочей части шкалы.
2.4.2. Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5% измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
2.4.1, 2.4.2. (Измененная редакция, Изм. N 1).
транзисторов. Почему напряжение коллектор-эмиттер должно быть ≥ 0,3 В?
Спросил
Изменено 5 лет, 6 месяцев назад
Просмотрено 9к раз
\$\начало группы\$
В последнее время я изучал транзисторы в классе, и одно из «правил» состоит в том, что для транзистора требуется минимальное падение напряжения между C и E, т. е. V CE ≥ 0,3 В.
Однако не было предоставлено никаких выводов или особых объяснений, чтобы понять, почему это так. Я искал на некоторых сайтах для этого, но не нашел объяснения. Есть что-то, чего я не вижу?
- транзисторы
- БЖТ
\$\конечная группа\$
\$\начало группы\$
Если вы разрабатываете транзисторную схему для переключения и с низкими потерями, вы хотели бы, чтобы Vce было как можно меньше. Вы хотели бы, чтобы транзистор был в состоянии насыщения. Для относительно слаботочного одиночного кремниевого транзистора что-то вроде 300 мВ является разумной мерой его насыщения.
Например, рассмотрим 2N4401, обычный NPN-транзистор TO-92. Вот типичное поведение при насыщении:
Как видите, Vce(sat) 300 мВ покрывает полезный диапазон транзистора.
С таким же успехом можно выбрать 100 мВ для токов коллектора менее 100 мА, это просто разумный выбор, основанный на поведении реальных транзисторов.
Ни то, ни другое невозможно для силовых транзисторов. Вот аналогичный график для 15А 2N3055:
Как видите, даже при 10 А и принудительной бета-версии 10 вам повезет, если вы окажетесь ниже нескольких вольт Vce.
\$\конечная группа\$
\$\начало группы\$
Напряжение коллектор-эмиттер представляет собой сумму напряжения коллектор-база базы-эмиттера и $$V_{CE}=V_{CB}+V_{BE}$$ Чтобы получить заметный ток через транзистор в прямом активном В режиме Si npn-транзистора прямое смещение np-перехода эмиттер-база $V_{BE}$ должно быть достаточно большим (положительным), чтобы создать заметный ток транзистора эмиттер-коллектор. Вы можете считать, что это $$V_{BE}≧0,3V$$ В прямом активном режиме транзистора np-переход коллектор-база должен быть смещен в обратном направлении, поэтому напряжение коллектор-база должно быть $V_{CB} ≥0V$ Отсюда следует, что в прямом активном режиме напряжение коллектор-эмиттер должно удовлетворять $$V_{CE}=V_{CB}+V_{BE}≧0,3V$$
\$\конечная группа\$
4
\$\начало группы\$
Вот очень простая транзисторная схема:
смоделируйте эту схему — схема создана с помощью CircuitLab
Когда я запускаю симулятор постоянного тока, я получаю следующие значения: напряжение коллектора составляет около 134 мВ — хорошо ниже базового напряжения, которое составляет 702 мВ (и меньше, чем ваше «эмпирическое правило» 0,3 В).
Транзистор начинает проводить, когда в BE-переходе протекает значительный ток — поскольку это (si)-переход, это происходит при напряжении около 0,6 В. Зависимость экспоненциальная, поэтому изменение напряжения, необходимое для удвоения тока, составляет довольно маленький.
Теперь, когда коллектор притягивается к эмиттеру, переход BC начинает смещаться в прямом направлении: как только это происходит, он «крадет» ток у базы, и меньше тока доступно для протекания в переходе BE. По этой причине коллектор можно вытянуть немного ниже базы , но не слишком. И 0,3 В (что составляет половину номинального смещения 0,6 В перехода BE) является разумным эмпирическим правилом.
Как показывает вышеприведенное моделирование, фактические значения, которые вы получаете, будут немного отличаться от транзистора к транзистору — 2N3904 считается «переключающим» транзистором с низким Vce, но другие транзисторы могут иметь более высокие значения.
\$\конечная группа\$
2
\$\начало группы\$
Для линейности (усиление с малым искажением) посмотрите на этот график:
Если вы работаете с очень низкими токами, ваша линейная область включает Vce < 0,5 В. При более высоких токах (необходимых для быстрого отклика) ваша линейная область начинается с 1 вольта или даже выше на Vce.
Теперь….. каким будет Vbe для очень малых токов? для больших токов?
Предположим, что Vbe равно 0,7 В для Ie = 1,0 мА.
Тогда Vbe будет 0,7 В — (3 * 0,060 В) = 0,7 — 0,18 = 0,52 В для Ie = 1,0 мкА.
И Vbe будет 0,52 В — (3 * 0,060 В) = 0,52 — 0,18 = 0,34 В для Ie = 1,0 наноА.
И Vbe будет 0,34 В — (3 * 0,060 В) = 0,34 — 0,18 = 0,16 В для Ie = 1,0 пикоА.
\$\конечная группа\$
Твой ответ
Зарегистрируйтесь или войдите в систему
Зарегистрируйтесь с помощью Google
Зарегистрироваться через Facebook
Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль
Опубликовать как гость
Электронная почта
Требуется, но никогда не отображается
Опубликовать как гость
Электронная почта
Требуется, но не отображается
Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie
.Сведения о работе транзистора
Сведения о работе транзистора Транзистор в цепи будет находиться в одном из трех состояний
| Индекс Концепции полупроводников Полупроводники для электроники | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|