НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ эмиттСр: Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора — тСория ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора — тСория ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°

ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ простой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмой ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм Π½Π° транзисторС имССтся ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅. Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ усилитСлС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ всСгда прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмС, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис. 1., ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ опрСдСляСтся, Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, напряТСниСм питания VCC ΠΈ сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RL. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора являСтся достаточно Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ заслуТиваСт ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ³ΠΎ обсуТдСния.

Рис. 1. Π˜Π»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° насыщСния. Вранзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹.

Рассмотрим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² схСмС Π½Π° рис. 1, Ссли Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ постСпСнно увСличиваСтся, начиная ΠΎΡ‚ нуля. Когда ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ S1 Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π». Π—Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ S1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ появлСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IB = VCC/RB, Π³Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Π³Π»ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр.

Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ RL, Ρ€Π°Π²Π΅Π½ IC=hFEVCC/RB. Для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмы, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рисункС, ΠΏΡ€ΠΈ hFE = 100 ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ максимальном Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ RB (50 кОм) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

IC=100×10/5000 А=20 мА

ПадСниС напряТСния Π½Π° RL опрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ RLIC ΠΈ Π² нашСм случаС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 50 Ρ… 0,02 = 1 Π’. Вранзистор ΠΏΡ€ΠΈ этом находится Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅; ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ RB ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ падСния напряТСния Π½Π° RL. Π’ этих условиях схСма ΠΌΠΎΠ³Π»Π° Π±Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использована ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим случай, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°

RB=hFERL

ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ€Π°Π²Π΅Π½

IB=VCC/RB=VCC/(h

FERL)

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½

IC=(hFEVCC)/(hFERL)=VCC/RL

Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистор Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Из Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Ома слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² этой ситуации Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ VCC/RL. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ дальнСйшСС ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСтся Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ напряТСниСм питания. Вранзистор находится Π² насыщСнии. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ насыщСнии транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром всСгда остаСтся нСбольшоС напряТСниС, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ VCE(sat). Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΎ мСньшС 1 Π’ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 0,1 B y транзисторов, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² качСствС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ V

CE(sat) ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ всС больший Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IC ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ IB становится Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора hFE.

Π“Ρ€ΡƒΠ±ΠΎ говоря, Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ΅ насыщСниС (ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ VCE(sat)) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°

IC/IB < hFE/5

Для схСмы Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ‚ΠΎΠΉ, какая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 1, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ задаСтся просто ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ рСзистора ΠΊ источнику питания, ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ

RB/RL < hFE/5

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, для схСмы Π½Π° рис. 1, принимая Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ для транзистора 2N3053 (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ КВ630Π‘ β€” см. Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ отСчСствСнных ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов) Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° hFE = 150, ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ

RB/RL < 150/5 = 30.

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ RL = 50 Ом ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ

RB < 30 Ρ… 50 Ом = 1,5 кОм.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ссли Π² качСствС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π»Π°ΠΌΠΏΠ° с сопротивлСниСм 50 Ом, Ρ‚ΠΎ для Π΅Π΅ эффСктивного Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°ΠΌ слСдуСт Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ сопротивлСниС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора мСньшС 1,5 кОм. Если это Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² качСствС RB ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ фоторСзистор с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм 10 кОм, Ρ‚ΠΎ слСдуСт Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ схСмой Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Если биполярный транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ, ΠΈ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ напряТСниС VCE(sat) Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ hFE ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ½Π°Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Iс/10.

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ покаТСтся Π½Π΅ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ VCE(sat) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС VBE, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρƒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,6 Π’. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ это ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π²Π° Ρ€-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, смСщСнных Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… навстрСчу Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ падСния напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ. Π­Ρ‚Π° ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ биполярного транзистора ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСнькоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ вСсьма ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. МногиС ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ элСктроники, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроники, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ схСмы.

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ с фактичСски Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½) ΠΈΠ»ΠΈ с фактичСски Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ (транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½). Π’ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… случаях ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая Π½Π° транзисторС, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Π°.

Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСиваСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎ врСмя, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° происходит ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅: Π² это врСмя ΠΈ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния.

ΠœΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ 2N3053, с максимально допустимой рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π² нСсколько Π²Π°Ρ‚Ρ‚. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° допустимыС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹; ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ быстрСС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ рассСяния Ρ‡Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ большой мощности.

4.13. ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзисторов | Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°

На процСссы Π² транзисторС сущСствСнноС влияниС ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ влияниС обусловлСно ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния измСняСтся Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° области объСм­ного заряда ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ соотвСтствСнно Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹, Π° ΠΏΡ€ΠΈ достаточно Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.

Π‘ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ ста­новится мСньшС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π³Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Β­Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ носитСлСй заряда Π² Π±Π°Π·Π΅, ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ носитСли находятся Π² Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² Π±Π°Π·Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ росту коэффициСн­тов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Β ΠΈ .

Π‘ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²

ΠŸΡ€ΠΈ достаточно Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… напряТСниях Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ объСмного заряда ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Β­Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π½ΡƒΡ‚ΡŒ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° – ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ смыканиС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΏΠΎΒ­Ρ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° пониТаСтся, Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ возрастаСт Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, смы­каниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТС­ниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π›Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзистора Π² схСмС с ΠžΠ‘

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΒ­Ρ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, являСтся Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Β­ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. Если Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзисто­ров Π½Π΅ отличаСтся ΠΎΡ‚ пробоя ΠΏΠΎΠ»ΡƒΒ­ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π’ этом слу­чаС Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΒ­Π·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΒ­Π±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ напряТСнии .

Π›Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° прСдставляСт собой ΠΎΠ±Ρ€Π°Β­Ρ‚ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ процСсс, Ссли ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ с появлСниСм ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΒ­Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΒ­Π»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΡŽ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ вСроятСн Π² транзисторах, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Β­Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ· гСрмания (ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° с ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹).

ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзистора Π² схСмС с ОЭ

Если Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ зафиксирован (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΒ­ΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² Π½Π΅Π΅ доста­точно большого сопротивлСния), Ρ‚ΠΎ Π² транзисторС Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ обратная связь. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Β­ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ носитСлСй заряда Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°: нСосновныС для Π±Π°Π·Ρ‹ носитСли уходят Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π° основныС – Π² Π±Π°Π·Ρƒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π² Π±Π°Π·Π΅ создаСтся ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ заряд основных носитСлСй ΠΈ соотвСтствСнно измСняСтся Π΅Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π». ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ этом напряТСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра.

Если Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΎΡ‚ схСмы, Ρ‚.Π΅. Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Ρ‚ΠΎ основныС носитСли заряда, накопившиСся Π² Π±Π°Π·Π΅, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΡ‡Π΅Π·Β­Π½ΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ двумя путями: Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡƒΠΉΡ‚ΠΈ Π² эмиттСр, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с нСосновными носитСлями, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ эмиттСром. Од­нако транзистор Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этих событий довольно ΠΌΠ°Π»Π°.. Из эмиттСра Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большС носитСлСй, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ Π² эмиттСр, ΠΈ носитСли, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΒ­Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ рСкомбинируя, доходят Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ основной Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, оказавшийся Π² Π±Π°Π·Π΅ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°

Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΈΠ· эмиттСра Π² Π±Π°Π·Ρƒ большого числа нСосновных носитСлСй, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ сущСствСнному росту Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Β = 0 ΠΌΠΎΒ­ΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΏΡ€ΠΈ = 0.

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ практичСскиС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹:

1) Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пробоя тран­зистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΒ­Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… напряТСниях, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Β­Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Ссли Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большоС сопротивлСниС. Π­Ρ‚ΠΈ процСссы Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ внСшнСй схСмы (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ). Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π°ΡΡΡ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎ
Π΄Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ допустимоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ транзистора;

2) ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзистора Π² схСму, Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΡΡ‰ΡƒΡŽΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ напряТСниСм (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисто­ров), Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Β­Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ»ΠΎ условиС Π½ΡƒΠ»Π΅Β­Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ

Под Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ явлС­ния, связанныС с Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ приводя­щиС ΠΊ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Β­Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΒ­Π±ΠΎΠ΅ транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, происходит ΡˆΠ½ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, проходящСго Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Π¨Π½ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° связано с Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΒ­Ρ‚ΠΎΠ² Π½Π° повСрхности ΠΈ Π² объСмС транзисторной структуры, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄.

Π›ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Ρƒ участка ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ расплавлСниС. Π’ этом случаС расплав ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ достигаСт эмиттСрной области. ЭмиттСрная ΠΈ коллСкторная области ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости. ΠŸΡ€ΠΈ исслСдовании Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ свойства ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, Π° эмиттСр соСдиняСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ.

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра. β€” ΠœΠ΅Π³Π°Π›Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ

Β 

РСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра биполярного транзистора Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ усилитСля наряду с рСзистором Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС1.

Рисунок 1 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля

Β 

На рисункС 2 Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ сСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик биполярного транзистора ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. На этой характСристикС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π΄Π²Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ прямыС. ВСрхняя — нагрузочная прямая для случая ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π² схСмС отсутствуСт рСзистор Rэ, ниТняя ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° присутствуСт.

Рисунок 2 — Π°) сСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик, Π±) входная характСристика

Β 

Нагрузочная прямая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр транзистора. Π’ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Uкэ) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ IΠΊ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π΅ΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Uкэ называСтся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ. Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ находится Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ прямой ΠΈ Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ соотвСтствуСт напряТСниС насыщСния ΠΈ Π½Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ соотвСтствуСт напряТСниС отсСчки. Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ способами.

Β 

1. Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π°Π½Π° Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ напряТСния состоящим ΠΈΠ· рСзисторов RΠ΄1 ΠΈ RΠ΄2. ПолоТСниС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ транзистора Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² транзисторах, зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ полоТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Π°. Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ этой Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь. РСзистор Rэ создаСт ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь.

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ увСличиваСтся Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра Iэ. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра Iэ увСличиваСтся напряТСниС Π½Π° рСзисторС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра URэ (Ρ‚.ΠΊ. URэ=Iэ·Rэ). НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Uбэ связано с напряТСниСм Π½Π° рСзисторС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра URэ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ: Uбэ=UΠ²Ρ…-URэ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ большС напряТСниС Π½Π° рСзисторС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра URэ Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ UΠ²Ρ…. Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ± связан с напряТСниСм Uбэ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристикой (рисунок 2 Π±). Из характСристики Π½Π° рисункС 2 Π± Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ± прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Uбэ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ большС напряТСниС Uбэ Ρ‚Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊ IΠ± ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚. Π’ΠΎΠΊ эмиттСра прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ (Iэ=IΠ±Β·h31э). Π‘ ΡƒΡ‡Ρ‘Ρ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ получаСтся Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра рСзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра (Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°) увСличиваСтся мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ Π² случаС ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° этого рСзистора Π½Π΅Ρ‚.

Β 

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ сопротивлСния рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° биполярного транзистора выбираСтся исходя ΠΈΠ·:

1) Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ,
2) максимального Ρ‚ΠΎΠΊΠ° проходящСго Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор.
Рассмотрим схСму:

Рисунок 1 — Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° биполярном транзисторС

Β 

Вранзистору VT1 соотвСтствуСт сСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° рисункС 2:

Рисунок 2 — БСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора VT1

Β 

Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° RΠΊ опрСдСляСт Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ. На рисункС 2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π΄Π²Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ прямыС. ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ показанная ΠΎΡ€Π°Π½ΠΆΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ Ρ†Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии RΠΊ = 666 Ом Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ IΠΊmax = UΠΏ/RΠΊ = 20/666 = 0.03А = 30 мА. ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ показанная красным Ρ†Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии RΠΊ = 4000 Ом Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ IΠΊmax = UΠΏ/RΠΊ = 20/4000 = 0.005А = 5 мА. Из рисунка 2 Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ (красной) характСристикС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ξ”Uкэ1 большС Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ (ΠΎΡ€Π°Π½ΠΆΠ΅Π²ΠΎΠΉ) Ξ”Uкэ2 ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ξ”IΠ±.

Учитывая Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния усилитСля (рисунок 1) ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ (красной) характСристики большС Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‚.Π΅. Ρ‡Π΅ΠΌ большС сопротивлСниС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π΅ΠΌ большС коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Но ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ IΠΊmax1 ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ характСристикС (ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ большСм сопротивлСнии RΠΊ) мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ. Π§Π΅ΠΌ большС сопротивлСниС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор. Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΡ‚315 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ расчёта усилитСля.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΡ‚315.

На рисункС 1 прСдставлСна схСма ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилитСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром:

Β 

Рисунок 5 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° КВ315Π‘.

Β 

Рассмотрим расчёт элСмСнтов схСмы. Допустим схСма питаСтся ΠΎΡ‚ источника с напряТСниСм 5Π’ (это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ сСтСвой Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€), Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ транзистора VT1 Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π» ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (для КВ315Π‘ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ikmax=100мА). Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ IΠΊ=5мА. Для расчёта сопротивлСния рСзистора RΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΠΌ напряТСниС питания UΠΏ Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°:

Β 

Β 

Если сопротивлСниС Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² стандартный ряд сопротивлСний Ρ‚ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ блиТайшСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
(ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ RΠΊ)

На сСмСйствС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик построим Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌ UΠΏ ΠΈ IΠΊ (ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° красным Ρ†Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ). На Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ прямой Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ (ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° синим Ρ†Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ) ΠΏΠΎ сСрСдинС.

Β 

Рисунок 2 — Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ВАΠ₯, нагрузочная прямая ΠΈ рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°

Β 

На рисункС 2 рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΠΈΠ· ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ характСристик Π½ΠΎ находится Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ характСристики для Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±=0.05мА поэтому Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ мСньшС Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ IΠ±=0.03мА. По Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ± ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС для Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ 25Π‘o ΠΈ напряТСния Uкэ=0 Π½Π°ΠΉΠ΄Ρ‘ΠΌ напряТСниС Uбэ:

Рисунок 3 — Входная характСристика транзистора для Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° напряТСния Uбэ

Β 

Для Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±=0. 03мА Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ напряТСниС Uбэ Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ большС Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Uкэ>0 ΠΈ характСристика Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€Π°Π²Π΅Π΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Uбэ=0.8Π’. Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ рСзистора RΠ΄1, этот Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π½ΠΎ Π½Π΅ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ большим Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π² Π½Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ€ΡΠ»Π°ΡΡŒ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ мощности, Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ этот Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π° большим Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹:


По ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ ΠšΠΈΡ€Ρ…Π³ΠΎΡ„Π° Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ рСзистора RΠ΄2:

Β 

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌ Π½Π° схСмС Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния:

Β 

Рисунок 4 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° усилитСля с Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π²Π΅Ρ‚Π²Π΅ΠΉ ΠΈ напряТСниями ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ²

Β 

РассчитаСм сопротивлСниС рСзистора RΠ΄1 ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ блиТайшСС Π΅Π³ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· стандартного ряда сопротивлСний:


РассчитаСм сопротивлСниС рСзистора RΠ΄2 ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ блиТайшСС Π΅Π³ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· стандартного ряда сопротивлСний:


ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌ сопротивлСния рСзисторов Π½Π° схСмС:

Рисунок 5 — Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° КВ315Π‘.

Β 

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ расчёт ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΡ‘Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ элСмСнтов послС сборки схСмы ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, элСмСнты RΠ΄1 ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ RΠ΄2 Π² этом случаС Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Uбэ.

Для усилСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ кондСнсаторы для пропускания Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ усиливаСмого сигнала Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ постоянная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ измСняСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ большого сопротивлСния для протСкания ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Для тСрмостабилизации Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ рСзистор с нСбольшим сопротивлСниСм ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΅ΠΌΡƒ кондСнсатор для ослаблСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. РСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра наряду с рСзисторами дСлитСля Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.

На Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ собранный ΠΏΠΎ схСмС Π½Π° рисункС 2 ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ:

Β 

На Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ напряТСниС, Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ 2.6Π’ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ. Если ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ напряТСниС прямой полярности (Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рисункС 5) Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ (ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ сигнал):

Если ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ напряТСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ полярности Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ увСличится Π½ΠΎ Π½Π΅ большС напряТСния питания:

УмСньшСниС напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ источника, мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит усилСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала с инвСрсиСй. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ большСС усилСниС ΠΏΠΎ мощности Ρ‡Π΅ΠΌ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π½ΠΎ ΠΎΠ½Π°, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€ΡΠΈΡŽ сигнала. Если Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ произвСсти усилСниС ΠΏΠΎ мощности постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π΅Π· инвСрсии Ρ‚ΠΎ каскадно ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ схСмы Π½Π° рисункС 5 Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ каскад Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ каскада поэтому сопротивлСния рСзисторов Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ каскадС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ это ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшС. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ каскадном соСдинСнии увСличится коэффициСнт усилСния всСго усилитСля (ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡŽ коэффициСнта усилСния ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π° коэффициСнт усилСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ).

Β 

Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅.

Вопросы:

  1. ΠšΠ°ΠΊΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ выполняСт Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, состоящий ΠΈΠ· рСзисторов RΠ΄1 ΠΈ RΠ΄2 Π² схСмС усилитСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° КВ315Π‘?
  2. Как ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π² схСмС усилитСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° КВ315Π‘?
  3. Π§Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π² схСмС усилитСля постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° КВ315Π‘ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ это отразится Π½Π° участкС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Rэ?

Β 

http://electe. blogspot.ru/2012/05/blog-post.html?m=1

Β 

Вранзистор биполярный

Β 

ОписаниС транзисторов

Β 

ОписаниС транзисторов ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ с описания Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚. Основная функция биполярного транзистора — ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ напряТСниС. НапримСр, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ слаботочныС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сигналы ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΠΉ, Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ Ρ‚.Π΄. Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… схСмах транзистор слуТит для прСобразования ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ΡΡ напряТСниС. Π’.Π΅. транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния.

Вранзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ (Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ (всСгда частично ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚)

Β 


Π’ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ поиском ΠΏΠΎ сайту:

Как ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚ эмиттСра


РасчСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ib

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ посчитаСм Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Ib. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π΅Π»ΠΎ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° – ΠΏΡ€ΠΈ максимальном напряТСнии (Vmax) ΠΈ минимальном (Vmin). НазовСм эти значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° соотвСтствСнно – Ibmax ΠΈ Ibmin.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅, для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр VBE. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром располагаСтся ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ «встрСчаСт» Π½Π° своСм ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. НапряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ – ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0.6V. НС Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π²Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² подробности Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΈ для простоты расчСтов возьмСм ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ модСль, согласно ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ напряТСниС Π½Π° проводящСм Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ всСгда 0.6V. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром VBE = 0.6V. А ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ эмиттСр ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ (VE = 0), Ρ‚ΠΎ напряТСниС ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ 0.6V (VB = 0.6V).

ΠŸΠΎΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌ Ibmax ΠΈ Ibmin с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Ома:

Анализ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ²

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ², VCmax получился мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ VCmin. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° рСзисторС VRc отнимаСтся ΠΎΡ‚ напряТСния питания VCC. Однако Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв это Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ значСния, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ нас интСрСсуСт пСрСмСнная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ сигнала – Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π°, которая ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ c 0.1V Π΄ΠΎ 1V. Частота ΠΈ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° сигнала Π½Π΅ измСнились. ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Vout/Vin Π² Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π· – Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π° самый Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ для усилитСля, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ для ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ процСсса усилСния Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΏΠΎΠ΄Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΆΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усилитСля Π½Π° биполярном транзисторС. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ib, нСсущий Π² сСбС ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Π°Ρ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π½Π°Ρ‡Π°Π» ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ – «открылся». ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ – это, собствСнно, сам сигнал (полСзная информация). Π‘ΠΈΠ»Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ транзистора – это Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ умноТСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π° коэффициСнт усилСния Ξ². Π’ свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, напряТСниС Π½Π° рСзисторС Rc Π½Π°Π΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ – Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ умноТСния усилСнного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Vout поступаСт сигнал с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, Π½ΠΎ с ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΉΡΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ ΠΈ частотой. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡Π΅Ρ€ΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ для усилСния транзистор Π±Π΅Ρ€Π΅Ρ‚ Ρƒ источника питания VCC. Если напряТСния питания Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ нСдостаточно, транзистор Π½Π΅ смоТСт ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ получится с искаТСниями.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора

Π’ соотвСтствии уровням напряТСния Π½Π° элСктродах транзистора, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки (cut off mode).

Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ (active mode).

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния (saturation mode).

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°ΠΆΠΈΠΌ (reverse mode ).

Когда напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ 0.6V – 0.7V, PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ состоянии Ρƒ транзистора отсутствуСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² Π±Π°Π·Π΅ Π½Π΅Ρ‚ свободных элСктронов, Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² сторону напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚, ΠΈ говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ находится Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки

.

Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ достаточноС, для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром открылся. Π’ этом состоянии Ρƒ транзистора ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° равняСтся Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π½Π° коэффициСнт усилСния. Π’.Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ для усилСния.

Иногда Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ слишком большим. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ мощности питания просто Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ для обСспСчСния Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, которая Π±Ρ‹ соотвСтствовала коэффициСнту усилСния транзистора. Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ источник питания, ΠΈ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ состоянии транзистор Π½Π΅ способСн ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сигнал, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π° измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹.

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора максимальна, ΠΈ ΠΎΠ½ большС ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ (ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°) Π² состоянии Β«Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Β». Аналогично, Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора минимальна, ΠΈ это соотвСтствуСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ Π² состоянии Β«Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Β».

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ролями: ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π° эмиттСрный – Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° нСсиммСтрична эмиттСру, ΠΈ коэффициСнт усилСния Π² инвСрсном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ получаСтся Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ транзистора Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ максимально эффСктивно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² инвСрсном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистор практичСски Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярного транзистора.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ

– ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠ‘ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ IB. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ
Ξ²
,
hfe
ΠΈΠ»ΠΈ
h31e
, Π² зависимости ΠΎΡ‚ спСцифики расчСтов, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… с транзисторов.

Ξ² – Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° постоянная для ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΈ зависит ΠΎΡ‚ физичСского строСния ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Высокий коэффициСнт усилСния исчисляСтся Π² сотнях Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ – Π² дСсятках. Для Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли Π²ΠΎ врСмя производства ΠΎΠ½ΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ β€œΡΠΎΡΠ΅Π΄ΡΠΌΠΈ ΠΏΠΎ конвСйСру”, Ξ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. Π­Ρ‚Π° характСристика биполярного транзистора являСтся, ΠΏΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉ, самой Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ. Если Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° довольно часто ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ Π² расчСтах, Ρ‚ΠΎ коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ практичСски Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС

– сопротивлСниС Π² транзисторС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ «встрСчаСт» Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ
Rin
(
RΠ²Ρ…
). Π§Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ большС – Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ для ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ со стороны Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ источник слабого сигнала, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π˜Π΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ – это ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС равняСтся Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

RΠ²Ρ… для срСднСстатистичСского биполярного транзистора составляСт нСсколько сотСн Πšβ„¦ (ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΎΠΌ). Π—Π΄Π΅ΡΡŒ биполярный транзистор ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ сильно ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌΡƒ транзистору, Π³Π΄Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΎ сотСн ГΩ (Π³ΠΈΠ³Π°ΠΎΠΌ).

Выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ

– ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром. Π§Π΅ΠΌ большС выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр смоТСт ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор ΠΏΡ€ΠΈ мСньшСй мощности.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ проводимости (ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния) увСличиваСтся максимальная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… потСрях ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ коэффициСнта усилСния. НапримСр, Ссли транзистор с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ усиливаСт сигнал Π² 100 Ρ€Π°Π· Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ подсоСдинСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² 1 Πšβ„¦, ΠΎΠ½ ΡƒΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ всСго Π² 50 Ρ€Π°Π·. Π£ транзистора, с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ коэффициСнтом усилСния, Π½ΠΎ с большСй Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ мСньшС. Π˜Π΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ – это ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ равняСтся Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Rout = 0 (RΠ²Ρ‹Ρ… = 0)).

Частотная характСристика

– Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния транзистора ΠΎΡ‚ частоты входящСго сигнала. Π‘ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частоты, ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сигнал постСпСнно ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Смкости, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠΈΠ΅ΡΡ Π² PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. На измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π² Π±Π°Π·Π΅ транзистор Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ, Π° с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, обусловлСнным Π·Π°Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠΉ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π½Π° Π½Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ зарядом этих СмкостСй. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоких частотах, транзистор просто Π½Π΅ успСваСт ΡΡ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ сигнал.

Биполя́рный транзи́стор

β€” трёхэлСктродный ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов. Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структурС сформированы Π΄Π²Π° p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, пСрСнос заряда Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ осущСствляСтся носитСлями Π΄Π²ΡƒΡ… полярностСй β€” элСктронами ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ИмСнно поэтому ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ «биполярный» (ΠΎΡ‚ Π°Π½Π³Π». bipolar ), Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ (униполярного) транзистора.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² элСктронных устройствах для усилСния ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ элСктричСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² качСствС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСмСнта (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² схСмах Π’Π’Π›).

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ пистолСта для ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Π½Ρ‹

ЀизичСскиС процСссы

Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠ΅ΠΌ транзистор Ρ‚ΠΈΠΏΠ° n-p-n Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄Π²Π° источника постоянных ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний E1 ΠΈ E2. На эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС прямоС, Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ – ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅. БоотвСтствСнно, сопротивлСниС эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΈ для получСния Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° достаточно напряТСния E1 Π² дСсятыС Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ ΠΈ напряТСниС E2 составляСт ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ дСсятки Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.

БоотвСтствСнно, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅, Ρ‚Π΅ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ малСнькиС ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠΈ со стрСлками – элСктроны, красныС – Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, большиС ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠΈ – ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнныС Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° прСдставляСт собой характСристику ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ прямом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Π° ВАΠ₯ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ. ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° uΠ±-э влияСт Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‚Π΅ΠΌ эти Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ большС. ИзмСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ этом лишь Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, Ρ‚. Π΅. Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. На этом явлСнии основано усилСниС элСктричСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ транзистора. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ биполярныС транзисторы ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅.


Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° характСристик биполярных транзисторов.

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ прямого Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния uΠ±-э пониТаСтся ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ Π² эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ, соотвСтствСнно, возрастаСт Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ iэ. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹ этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· эмиттСра Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ благодаря Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ сквозь Π±Π°Π·Ρƒ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, увСличивая Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии, Ρ‚ΠΎ Π² этом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ заряды (Π½Π° рисункС большиС ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠΈ). ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ способствуСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ (экстракции) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ элСктронов, ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΡ… сюда ΠΈΠ· эмиттСра, Ρ‚. Π΅. Π²Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ элСктроны Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ устройства биполярного транзистора.

Если Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ достаточно ΠΌΠ°Π»Π° ΠΈ концСнтрация Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² Π½Π΅ΠΉ Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ элСктронов, пройдя Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ, Π½Π΅ успСваСт Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ достигаСт ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π›ΠΈΡˆΡŒ нСбольшая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСктронов Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² Π±Π°Π·Π΅ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ этого Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹.

Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Π° являСтся бСсполСзным ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π²Ρ€Π΅Π΄Π½Ρ‹ΠΌ. Π–Π΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшС. ИмСнно поэтому Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ Π² Π½Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° мСньшСС число элСктронов Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ, ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡŽΡΡŒ, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ.

Когда ΠΊ эмиттСрному ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ напряТСниС, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² этом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅Ρ‚. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ основныС носитСли зарядов ΡƒΠ΄Π°Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ этого ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΎΠ±Π΅ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ области, ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ этими носитСлями. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ нСбольшой ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ навстрСчу Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ нСосновных носитСлСй.

Π‘ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½ΠΎβž‘ Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π—Π΅Π½Π΅Ρ€Π°

Если ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра, Ρ‚ΠΎ Π² Π±Π°Π·Ρƒ со стороны эмиттСра ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны, для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ нСосновными носитСлями. Они доходят Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ успСвая Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ.

Π§Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра, Ρ‚Π΅ΠΌ большС элСктронов ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС становится Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° увСличиваСтся. АналогичныС явлСния происходят Π² транзисторС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° p-n-p, Π½Π°Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ мСстами ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ элСктроны ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ источников E1 ΠΈ E2.


Как устроСн транзистор.

Помимо рассмотрСнных процСссов сущСствуСт Π΅Ρ‰Π΅ ряд явлСний. Рассмотрим ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹.ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² Π½Π΅ΠΌ происходит Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ заряда, обусловлСнноС Π² основном ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ.

Π­Ρ‚ΠΎ явлСниС ΠΈ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ эффСкт ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСский ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ возрастании Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ. ВсС происходит Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π½ΠΎ Π² транзисторС ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‡Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°ΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского пробоя.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°ΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСний Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… измСняСтся ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π°, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ измСняСтся Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹.

ОсобСнно Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° возрастаСт, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ эффСкт смыкания (Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ β€œΠΏΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ»β€ Π±Π°Π·Ρ‹) – соСдинСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° с эмиттСрным. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ исчСзаСт ΠΈ транзистор пСрСстаСт Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ носитСлСй ΠΈΠ· эмиттСра Π² Π±Π°Π·Ρƒ происходит Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ нСосновных носитСлСй заряда Π² Π±Π°Π·Π΅, Ρ‚. Π΅. ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ суммарного заряда этих носитСлСй. А Π²ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ происходит ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ суммарного заряда этих самых носитСлСй Π² Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ сСй процСсс ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π²Π°Π»ΠΈ рассасываниСм нСосновных носитСлСй зарядов Π² Π±Π°Π·Π΅.

И напослСдок ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ: ΠΏΡ€ΠΈ эксплуатации транзисторов запрСщаСтся Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹, Ссли Π½Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Надо Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹, Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π½ΠΎ Π½Π΅ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚.


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства транзистора.

БиполярныС транзисторы

Биполярный транзистор – это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, состоящий ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ областСй ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ проводимости (Ρ€-ΠΏ-Ρ€ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏ-Ρ€-ΠΏ) с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ области. Рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π§Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ области ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° база–эмиттСр (Π‘Π­) ΠΈ база–коллСктор (Π‘Πš).

К ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π‘Π­ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ прямоС напряТСниС EΠ‘Π­, ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ элСктроны n-области эмиттСра ΡƒΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π±Π°Π·Ρƒ, создавая Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра. ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ примСсСй Π² эмиттСрС Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π· большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² Π±Π°Π·Π΅, Π° саму Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏΠΎ возмоТности Ρ‚ΠΎΠ½ΡŒΡˆΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ лишь Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (1–5%) испущСнных эмиттСром элСктронов Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹.

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ΠΆΠ΅ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСктронов, ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠ²Π°Π² ΡƒΠ·ΠΊΡƒΡŽ (Π΄ΠΎΠ»ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π°) ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹, β€œΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Π΅Ρ‚ΡΡβ€ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π•ΠΊ, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π‘Πš, ΠΈ, ΡƒΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ»ΡΡΡΡŒ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ внСшнСго источника EΠΊ, создаСт ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ RΠ½. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ‹, Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠΈΠ΅ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ‘.

Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ эмиттСра Π·Π° Π²Ρ‹Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Аналогично Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор Ρ€-n-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡΡΡŒ лишь Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ эмиттСр испускаСт Π² Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π΅ элСктроны, Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, поэтому полярности ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ прямого UΠ­Π‘ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π•ΠΊ напряТСний Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ транзистору ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠ΅. Как ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор.

На условном ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзисторов стрСлка ставится Π½Π° эмиттСрС ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π° всСгда ΠΎΡ‚ Ρ€-области ΠΊ n-области. На рис. 1.8, Π± ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ условноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора ΠΏ-Ρ€-ΠΏ, Π° Π½Π° рис. 1.9, Π± – Ρ€-ΠΏ-Ρ€. ΠšΡ€ΡƒΠΆΠΎΠΊ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ транзистора ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ Π² ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ корпусС, Π° отсутствиС ΠΊΡ€ΡƒΠΆΠΊΠ° – Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π·Π°ΠΎΠ΄Π½ΠΎ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ элСмСнтами Π½Π° пластинкС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы.

Π‘ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½ΠΎβž‘ Как устроСны ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ†Π²Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ свСтодиоды

Π‘Ρ‚Ρ€Π΅Π»ΠΊΡƒ эмиттСра ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ полярности прямого напряТСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ β€œΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚β€ (ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρƒ) транзистор. ΠŸΡ€ΠΈ использовании транзистора Π² элСктронных устройствах Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΈ Π΄Π²Π° – для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ транзистора всСго лишь Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈ ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ, ΠΈ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов – с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² биполярном транзисторС.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 1.10. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом для схСмы с ΠžΠ‘ являСтся напряТСниС, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ UBX = = UΠ­Π‘; Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ – напряТСниС, выдСляСмоС Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ UΠ²Ρ‹Ρ… = IΠΊRΠ½; Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ – Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра IΠ²Ρ… = IΠ­; Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ – Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠ²Ρ‹Ρ… = IΠΊ.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС UΠ­Π‘ являСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ для транзистора, поэтому нСбольшоС Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ (ΠΏΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚) ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра Π² ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… – практичСски ΠΎΡ‚ нуля Π΄ΠΎ максимального. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ опрСдСляСтся Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ транзистора (ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅, срСднСй мощности ΠΈ большой мощности) ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ конструкциСй.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС UΞšΠ‘ являСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° напряТСния внСшнСго источника Π•ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π² дСсятки Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния UΠ­Π‘. ПадСниС напряТСния, выдСляСмого Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΈ этом Π½Π° самом транзисторС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ лишь нСбольшоС напряТСниС UΠšΠ‘, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ измСнСнию напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ мСньшСго, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС Π•ΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ опрСдСляСт ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора.

Для ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ приращСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΈ приращСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½. Рассматривая транзистор ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, принято Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ свойства коэффициСнтами усилСния ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния. Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π° коэффициСнтов усилСния:

  • β€’ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ КI = Ξ”IΠ²Ρ‹Ρ… /Ξ”IΠ²Ρ…;
  • β€’ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ КU = Ξ”UΠ²Ρ‹Ρ…/Ξ”UΠ²Ρ…;
  • β€’ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности КР = КI β€’ КU.

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΊ измСнСнию Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: RΠ²Ρ… = Ξ”UΠ²Ρ…/Ξ”IΠ²Ρ…. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС любого усилитСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ искаТСнию Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Π›ΡŽΠ±ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник сигнала ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниСм, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ образуСтся Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, состоящий ΠΈΠ· Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния источника ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния усилитСля.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС усилитСля, Ρ‚Π΅ΠΌ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ сигнала Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° этом сопротивлСнии ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшая Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌ сопротивлСнии самого источника. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠšΠ Π‘ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ опрСдСляСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сопротивлСний. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ коэффициСнт усилСния схСмы с ΠžΠ‘ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ КIΠ‘ оказываСтся мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, ΠΎΠ½Π° примСнСния Π½Π΅ нашла.


Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ биполярного транзистора.

Устройство [ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ | ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄ ]

Биполярный транзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… слоёв с Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ примСсной проводимости: эмиттСра (обозначаСтся Β«Π­Β», Π°Π½Π³Π». E ), Π±Π°Π·Ρ‹ (Β«Π‘Β», Π°Π½Π³Π». B ) ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° («К», Π°Π½Π³Π». C ). Π’ зависимости ΠΎΡ‚ порядка чСрСдования слоёв Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ n-p-n

(эмиттСр β€”
n
-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ, Π±Π°Π·Π° β€”
p
-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€”
n
-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ) ΠΈ
p-n-p
транзисторы. К ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· слоёв ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ проводящиС Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ [1] .

Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² проводимостСй эмиттСрный ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ слои Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΌΡ‹, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ сущСствСнно Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ лСгирования для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ элСктричСских ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ слой лСгируСтся слабо, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ допустимоС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ слой β€” сильно Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ: Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² элСктронных схСмах транзисторы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ с прямосмСщённым эмиттСрным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, сильноС Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрного слоя обСспСчиваСт Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΡŽ нСосновных носитСлСй Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ слой, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² схСмах с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π‘Π»ΠΎΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹ лСгируСтся слабо, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ располагаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСрным ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ слоями ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ большоС элСктричСскоС сопротивлСниС.

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр выполняСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π° нСосновных носитСлСй ΠΈΠ· Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΈ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм, Π² Π½Ρ‘ΠΌ выдСляСтся основная доля Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, рассСиваСмого ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ способствуСт Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ кристалла. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ биполярный транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ примСнСния являСтся нСсиммСтричным устройством (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ инвСрсноС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ мСстами эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, нСцСлСсообразно).

Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ частотных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (быстродСйствия) Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ мСньшС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ этим, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС, опрСдСляСтся врСмя Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ»Ρ‘Ρ‚Π°Β» (Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ Π² Π±Π΅Π·Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…) нСосновных носитСлСй. Но ΠΏΡ€ΠΈ сниТСнии Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ сниТаСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, поэтому Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ исходя ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ компромисса.

Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… транзисторах Π² качСствС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° использовался мСталличСский Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ряд нСдостатков, ΠΈ Π² настоящСС врСмя (2015 Π³.) биполярныС транзисторы ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π² основном ΠΈΠ· монокристалличСского крСмния ΠΈ монокристалличСского арсСнида галлия. Благодаря ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокой подвиТности носитСлСй Π² арсСнидС галлия ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ высоким быстродСйствиСм ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… логичСских схСмах ΠΈ Π² схСмах Π‘Π’Π§-усилитСлСй.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ [ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ | ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄ ]

Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ смСщён Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ [2] (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚), Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ смСщён Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚).

Π’ транзисторС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° n-p-n

[3] основныС носитСли заряда Π² эмиттСрС (элСктроны) проходят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ) Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ этих элСктронов Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с основными носитСлями заряда Π² Π±Π°Π·Π΅ (Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ). Однако, ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·Ρƒ Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ слабо Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ, бо́льшая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСктронов, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ· эмиттСра, Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ½Π΄ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ врСмя Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ [4] . БильноС элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ обратносмСщённого ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ нСосновныС носитСли ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ (элСктроны) ΠΈ пСрСносит ΠΈΡ… Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ слой. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, практичСски Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ эмиттСра, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ нСбольшой ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π² Π±Π°Π·Π΅, которая ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ (
Iэ=Iб + Iк
).

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Ξ±, ΡΠ²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IΠΊ = Ξ± Iэ

), называСтся
коэффициСнтом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра
. ЧислСнноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта Ξ± = 0,9β€”0,999. Π§Π΅ΠΌ большС коэффициСнт, Ρ‚Π΅ΠΌ эффСктивнСй транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ коэффициСнт ΠΌΠ°Π»ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… напряТСний Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, коэффициСнт ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ξ² = Ξ±/(1 βˆ’ Ξ±), ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 1000. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ управляСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ бо́льшим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора

А сСйчас ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠ΅ΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор. Π― Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Ρƒ Π²Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² подробности Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ устройства транзисторов Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ эта информация Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚. Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ взглянитС Π½Π° этот рисунок.

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. На этом ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊ посрСдством рСостата управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Он смотрит Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ растСт Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ коэффициСнта усилСния транзистора h31Π­. Если Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ β€” Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ посрСдством рСостата.

Π­Ρ‚Π° аналогия Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ с Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ транзистора, Π½ΠΎ ΠΎΠ½Π° ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Для транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π²Π°Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅. (Π­Ρ‚ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° взяты ΠΈΠ· ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ П. Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†Π° Π£.Π₯ΠΈΠ»Π»Π° Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники»).

  1. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» , Ρ‡Π΅ΠΌ эмиттСр
  2. Как я ΡƒΠΆΠ΅ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ» Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Π° β€” ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π±Π°Π·Π° -эмиттСр Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹
  3. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ транзистор характСризуСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр.
  4. Π’ Ρ‚ΠΎΠΌ случаС Ссли ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° 1-3 ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹.

Из этой Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ основноС свойство транзистора β€” нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ управляСт большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

-коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

Π•Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ· Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ сказанного транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…:

  1. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки транзистора β€” Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр нСдостаточноС. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ отсутствуСт ΠΈ ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ.
  2. Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора β€” это Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. Π’ этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр достаточноС для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр открылся. Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ достаточСн ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ имССтся. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° равняСтся Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° коэффициСнт усилСния.
  3. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора β€” Π² этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ становится Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ большим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ мощности источника питания просто Π½Π΅ Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ для дальнСйшСго увСличСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ вслСд Π·Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹.
  4. Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора β€” этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ. Π’ этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр транзистора ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ мСстами. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… манипуляций коэффициСнт усилСния транзистора ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ сильно страдаСт. Вранзистор ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ проСктировался Π½Π΅ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ особСнном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Для понимания Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ схСмныС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, поэтому Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ….

Вранзистор Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

Вранзистор Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ это ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· случаСв транзисторных схСм с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ примСняСтся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто. К этой транзисторной схСмС ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π΅Π³Π°ΡŽΡ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ посрСдством ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. НоТка ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Π½Π΅ способна Ρ‚ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, Π° транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ управляСт транзистором, Π° транзистор ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. Ну Π° ΠΎΠ±ΠΎ всСм ΠΏΠΎ порядку.

Основная ΡΡƒΡ‚ΡŒ этого Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ управляСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π½Π΅Π²ΠΎΠΎΡ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ взглядом Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит усилСниС сигнала ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Π­Ρ‚ΠΎ усилСниС осущСствляСтся Π·Π° счСт энСргии источника питания.

На рисункС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Для транзисторных схСм напряТСния Π½Π΅ ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ большой Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ, Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ лишь Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ссли ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ мСньшС коэффициСнта усилСния транзистора Ρ‚ΠΎ всС ΠΎΠΊΠ΅ΠΉ.

Π’ этом случаС Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ Ρƒ нас ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ напряТСниС Π² 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 500 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ ΡΡ‚Ρ€Π°ΡˆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚, транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠΎΡ€Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ.

Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ эти напряТСния Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (задаСтся Π² характСристиках транзистора).

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅: Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° стали 40Ρ… Π·Π°ΠΊΠ°Π»ΠΊΠ° отпуск

Π§Ρ‚ΠΎΠΆ, Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠ΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора.

На сколько ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° это характСристика Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

ΠœΡ‹ Π½Π΅ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ сопротивлСния Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Π½ΠΎ ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ 100 мА. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор открылся ΠΈ обСспСчил ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ мСняя Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ минимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта усилСния транзистора Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 10, Ρ‚ΠΎ для открытия транзистора Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ 10 мА.

Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ извСстСн. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ рСзисторС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° рСзисторС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ ΠΈΠ·-Π·ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр высаТиваСтся 0,6Π’-0,7Π’ ΠΈ это Π½Π°Π΄ΠΎ Π½Π΅ Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ.

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΌΡ‹ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ сопротивлСниС рСзистора

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· ряда рСзисторов ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π΄Π΅Π»ΠΎ Π² шляпС.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π²Ρ‹ Π½Π°Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Π΄ΡƒΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ? Π§Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ +5 Π’ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° загораСтся, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ -Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° гаснСт? ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π° Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈ Π½Π΅Ρ‚.

ВсС Π΄Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ здСсь Π΅ΡΡ‚ΡŒ нСбольшой нюанс.

Π›Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС погаснСт, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» рСзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ. Если ΠΆΠ΅ рСзистор просто ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΎΡ‚ источника напряТСния, Ρ‚ΠΎ здСсь Π½Π΅ всС Ρ‚Π°ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ рСзисторС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ чудСсным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΊ ΠΈΠ»ΠΈ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ потустороннСй нСчисти

Π•Π”Π˜ΠΠ˜Π§ΠΠ«Π• IGBT

  • Главная
  • org/ListItem»> Π‘Π°Π·Π° Π·Π½Π°Π½ΠΈΠΉ
  • Π•Π”Π˜ΠΠ˜Π§ΠΠ«Π• IGBT

     НаиболСС популярными ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами Π΄ΠΎ сСрСдины 80-Ρ… Π³.Π³., являлись MOSFET транзисторы, Π½ΠΎ Π² связи с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ напряТСниСм стока, ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния. Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ»Π° идСя ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой Π΄Π²Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС — Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор (ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния) ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ биполярный (большиС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния). РСализация ΠΈΠ΄Π΅ΠΈ Π½Π΅ заставила сСбя Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎ ΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ 90-Ρ… Π³.Π³. Π² ΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³Π°Ρ… ряда Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ (срСди ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… Π±Ρ‹Π»Π° Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ° Β«International RectifierΒ») появились транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ этот Ρ‚ΠΈΠΏ транзисторов ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Π“Π΄Π΅
G — Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅),
E — эмиттСр ΠΈ
C — ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
— Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этих Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ биполярным транзисторам, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, IGBT прСдставляСт собой Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ биполярный транзистор, управляСмый ΠΎΡ‚ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ МОП транзистора.

Β Β Β Β Β Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ для сокращСния числа Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π² транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ встроСн ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ высокочастотный Π΄Π΅ΠΌΠΏΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½: эмиттСр транзистора — Π°Π½ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора — ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°)

ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚Ρ‹:

  • IGBT ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π½ΠΎ нСсколько уступаСт MOSFET Π² быстродСйствии. Однако ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ IGBT позволяСт, Π±Π΅Π· примСнСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ формирования Ρ‚Ρ€Π°Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π΄eΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π½Π° частотах Π΄ΠΎ 40 ΠΊΠ“Ρ† (Π² рСзонансном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° с частотами Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 200 ΠΊΠ“Ρ†) ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π² дСсятки Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.
  • ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° транзисторС Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΌ напряТСнии 600-1200 Π’ составляСт 1,4- 3,1 Π’ (ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ биполярных транзисторов), Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ силовых MOSFET (с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ напряТСниСм).

Β Β Β Β Β ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… устройств ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ высокого напряТСния (600. ..1200 Π’) ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (13…70 А) — ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ источники питания, элСктропривод, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ энСргии ΠΈ Ρ‚.Π΄.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

Uкэ.макс. — MаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр
IΠΊ.макс. — MΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ кристалла 25 Β°Π‘, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π΄ΠΎ 100 Β°Π‘ этот Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² ~2 Ρ€Π°Π·Π°, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ — ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ~2-4 Ρ€Π°Π·Π° Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°
PΠΊ. макс. — Максимальная рассСиваСмая ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ кристалла 25 Β°Π‘, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π΄ΠΎ 100 Β°Π‘ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мощности ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² ~2,5 Ρ€Π°Π·Π°
Uнас.кэ. — Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии
tΠ·Π°Π΄.Π²Ρ‹ΠΊΠ». — МаксимальноС врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора — врСмя ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°, ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС управлСния спадСт Π΄ΠΎ 90% ΠΎΡ‚ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°, Π΄ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ спадСт Π΄ΠΎ 90% ΠΎΡ‚ номинального
tΠ²Ρ‹ΠΊΠ». — МаксимальноС врСмя Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ — врСмя Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ транзистору (послС Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ tΠ·Π°Π΄.Π²Ρ‹ΠΊΠ») для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с 90% Π΄ΠΎ 10% ΠΎΡ‚ номинального

НаимСнованиС Uкэ макс, Π’ IΠΊ макс, А PΠΊ макс., Π’Ρ‚ Uнас.кэ, Π’ tΠ·Π°Π΄.Π²Ρ‹ΠΊΠ», нс tΠ·Π°Π΄.Π²ΠΊΠ», нс
Β Β Β Β Π’ корпусС TO-220
IRG4BC20U 600 13 60 1,85 130 180
IRG4BC20UD* 600 13 60 1,85 140 170
IRG4BC30F 600 31 100 1,59 300 270
IRG4BC30FD* 600 31 100 1,59 350 230
IRG4BC30K 600 28 100 2,21 200 170
IRG4BC30S 600 34 100 1,4 810 590
IRG4BC30U 600 23 100 1,95 120 150
IRG4BC30UD* 600 23 100 1,95 140 130
IRG4BC30W 600 23 100 2,7 150 100
IRG4BC40F 600 49 160 2 410 420
IRG4BC40U 600 40 160 1,72 175 180
BUP212 1200 22 125 2,5 570 120
BUP213 1200 32 200 2,7 530 95
Β Β Β Β Π’ корпусС TO-247
IRG4PC30KD* 600 28 100 2,21 250 120
IRG4PC30UD* 600 23 100 1,95 140 130
IRG4PC30W 600 23 100 2,7 150 100
IRG4PC40KD* 600 42 160 2,1 160 150
IRG4PC40U 600 40 160 1,72 175 180
IRG4PC50FD* 600 70 200 1,45 360 210
IRG4PC50K 600 52 200 1,84 240 120
IRG4PC50KD* 600 52 200 1,84 220 140
IRG4PC50U 600 55 200 1,65 260 130
IRG4PC50UD* 600 55 200 1,65 230 110
IRG4PC50W 600 55 200 2,3 86 180
IRG4PF50W 900 51 200 2,25 170 220
IRG4Ph40K 1200 20 100 3,1 300 170
IRG4Ph50KD* 1200 30 160 2,74 140 330
IRG4Ph50U 1200 41 160 2,43 330 270
IRG4PH50K 1200 45 200 2,77 300 190
IRG4PH50UD* 1200 45 200 2,78 170 260
IRG4PSC71UD* 600 85 350 1,67 368 167
IRGPS40B120UD* 1200 80 595 3,12 365 33
IXGh22N100A 1000 24 100 4 850 500
IXGh38N30B 300 56 150 2,1 50 55
IXGH50N60B 600 75 300 2,5 200 150
Β Β Β Β Π’ корпусС TO-218
BUP313 1200 32 200 2,7 530 95
BUP314 1200 52 300 2,7 560 60

Β Β Β Β *ВстроСнный Π΄Π΅ΠΌΠΏΡ„ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄

  • НаимСнованиС

    К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅

    Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

22 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

119,06β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

342 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

158,38β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

96 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

160,17β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

58 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

232,33β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

19 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

485,55β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

9 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

265,47β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

1 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

228,86β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

25 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

1 654,36β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

75 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

625,13β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

926 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

1 262,83β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

12 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

1 507,21β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

15 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

811,38β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

1 458 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

109,15β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

279 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

157,76β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

468 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

162,37β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

2 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

134,43β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

7 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

254,34β‚½

К ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ΅:

130 ΡˆΡ‚.

Π¦Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚:

62,56β‚½

Π“ΠžΠ‘Π’ 18604.22-78 — Вранзисторы биполярныС. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ измСрСния напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр

Π“ΠžΠ‘Π’ 18604.22-78*
(CT Π‘Π­Π’ 4289-83)

Π“Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° Π­29

Π”Π°Ρ‚Π° ввСдСния 1980-01-01

ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ГосударствСнного ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Π° стандартов Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ‚Π° ΠœΠΈΠ½ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ² Π‘Π‘Π‘Π  ΠΎΡ‚ 5 июля 1978 Π³. N 1816 срок ввСдСния установлСн с 01.01.80

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½ Π² 1984 Π³. ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Госстандарта ΠΎΡ‚ 25.06.84 N 2078 срок дСйствия ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π»Π΅Π½ Π΄ΠΎ 01.01.90**

________________

** ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ срока дСйствия снято постановлСниСм Госстандарта Π‘Π‘Π‘Π  ΠΎΡ‚ 17. 09.91 N 1455 (ИУБ N 12, 1991 Π³ΠΎΠ΄). — ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅ изготовитСля Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Π’Π—ΠΠœΠ•Π Π“ΠžΠ‘Π’ 13852-68

* ΠŸΠ•Π Π•Π˜Π—Π”ΠΠΠ˜Π• (Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€ΡŒ 1985 Π³.) с ИзмСнСниСм N 1, ΡƒΡ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² октябрС 1984 Π³. (ИУБ 1-85).

Настоящий стандарт распространяСтся Π½Π° биполярныС транзисторы ΠΈ устанавливаСт ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ измСрСния напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ напряТСния насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π½Π° постоянном ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ….

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ условия ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзисторов Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ трСбованиям Π“ΠžΠ‘Π’ 18604.0-83.

Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ соотвСтствуСт Π‘Π’ Π‘Π­Π’ 4289-83.

(ИзмСнСнная рСдакция, Изм. N 1)

1. ΠœΠ•Π’ΠžΠ” Π˜Π—ΠœΠ•Π Π•ΠΠ˜Π― ΠΠΠŸΠ Π―Π–Π•ΠΠ˜Π― ΠΠΠ‘Π«Π©Π•ΠΠ˜Π― ΠšΠžΠ›Π›Π•ΠšΠ’ΠžΠ -Π­ΠœΠ˜Π’Π’Π•Π  И БАЗА-Π­ΠœΠ˜Π’Π’Π•Π  НА ПОБВОЯННОМ Π’ΠžΠšΠ•

1.1. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΈ условия измСрСния

1.1.1. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… постоянных Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹.

1.1. 2. НапряТСниС питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π΅ΠΌΡƒ.

Если Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚, Ρ‚ΠΎ напряТСниС питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ максимально допустимого значСния постоянного напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр.

1.1.3. ЗначСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° , Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзисторы ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ².

1.1.4. ДопускаСтся Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ

,


Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡŽ

,


Π³Π΄Π΅ ΠΈ — ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ установкС;

ΠΈ — ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ установлСны Π½Π° Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ установкС.

1.2. Аппаратура

1. 2.1. НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π½Π° постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ слСдуСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° установкС, структурная схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚.1.


, — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ постоянных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°; — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного напряТСния;
ΠΈ ; , — рСзисторы; — измСряСмый транзистор; — ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

Π§Π΅Ρ€Ρ‚.1

1.2.2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты, входящиС Π² схСму, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ трСбованиям.

1.2.2.1. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС измСритСля постоянного напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌ

;

.

1.2.2.2. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ постоянного напряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ компСнсационного Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ этом случаС трСбования ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚.

1.2.2.3. ДопускаСтся использованиС ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ источника питания для задания Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π² этом случаС ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ рСзисторов ΠΈ .

1.2.2.4. Π’Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ рСзисторов ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния источников питания Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

РСзисторы , ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ частично ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ способом обСспСчиваСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°.

1.2.2.5. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΊ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ измСрСния ΠΈ Π·Π° счСт падСния напряТСния Π½Π° ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°Ρ… ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ раздСлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅.

1.2.2.6. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 2% ΡˆΠΊΠ°Π»Ρ‹.

1.3. ΠŸΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ измСрСния

1.3.1. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π² схСму измСрСния. По шкалС слСдуСт ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Π° ΠΏΠΎ шкалС — Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзисторы ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ рассчитанныС ΠΏΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ стСпСни насыщСния.

Π’ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ 1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ измСряСт напряТСниС насыщСния .

Π’ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ 2 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ измСряСт напряТСниС насыщСния .

1.3.2. ДопускаСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСний насыщСния ΠΈ двумя ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ (Π±Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ), Ссли Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ измСрСния этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ².

1.4. ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ точности измСрСния

1.4.1. Основная ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… установок, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ стрСлочныС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Β±5% ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ части ΡˆΠΊΠ°Π»Ρ‹.

1.4.2. Основная ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… установок, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Β±5% измСряСмого значСния Β±1 Π·Π½Π°ΠΊ младшСго разряда дискрСтного отсчСта.

2. ΠœΠ•Π’ΠžΠ” Π˜Π—ΠœΠ•Π Π•ΠΠ˜Π― ΠΠΠŸΠ Π―Π–Π•ΠΠ˜Π― ΠΠΠ‘Π«Π©Π•ΠΠ˜Π― ΠšΠžΠ›Π›Π•ΠšΠ’ΠžΠ -Π­ΠœΠ˜Π’Π’Π•Π  И БАЗА-Π­ΠœΠ˜Π’Π’Π•Π  НА Π˜ΠœΠŸΠ£Π›Π¬Π‘ΠΠžΠœ Π’ΠžΠšΠ•

2.1. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΈ условия измСрСния

2.1.1. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹.

2.1.2. НапряТСниС питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π² соотвСтствии с трСбованиями ΠΏΠΏ. 1.1.2 ΠΈ 1.1.3.

2.1.3. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния слСдуСт Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒ с Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΈ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ окончания Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚.2) ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ

;

,


Π³Π΄Π΅ — Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹;


— максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ статичСского коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром;

— максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала;

— граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.


— измСряСмоС напряТСниС

Π§Π΅Ρ€Ρ‚.2

ЗначСния статичСского коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзисторы ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ². Для транзисторов, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ нормируСтся, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ частоты коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ ,

Π³Π΄Π΅ — частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ, коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° высокой частотС . Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзисторы ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ².

2.1.4. ДопускаСтся ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°, Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π΄Π½Π΅Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ°Π½Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°.

ВрСмя ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ Π² этом случаС Π½Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚.

2.1.5. ДопускаСтся ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСний насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

2.1.6. ДопускаСтся одноврСмСнная ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², Ссли ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° ΠΏΠΎΠ·Π΄Π½Π΅Π΅ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°.

2.1.7. ДопускаСтся Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ трСбованиям ΠΏ.1.1.4.

2.2. Аппаратура

2.2.1. НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π½Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ слСдуСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° установкС, структурная схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚. 3.


, , — ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹; — Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ однополярных ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ²; , — рСзисторы;
, — ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы; — ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ; — кондСнсатор;
— измСряСмый транзистор

Π§Π΅Ρ€Ρ‚.3

2.2.2. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты, входящиС Π² схСму, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ трСбованиям.

2.2.2.1. ΠŸΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ падСнию напряТСния Π½Π° рСзисторС . Π•Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 100.

2.2.2.2. ΠŸΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ значСния напряТСний. ВрСбования ΠΊ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ трСбованиям ΠΏ.1.2.2.1.

2.2.2.3. ΠŸΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ падСнию напряТСния Π½Π° рСзисторС . Π•Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 100.

2.2.2.4. Π’Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ рСзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использовано Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° , Π° рСзистора — Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС источника питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

РСзисторы ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

2.2.2.5. РСзисторы ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… участках шкал ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ . ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сопротивлСния рСзисторов Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ с допускаСмым ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ номинального Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Β±1%.

2.2.2.6. РСзисторы , ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ , ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ способом обСспСчиваСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°.

2.2.2.7. Частоту слСдования ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° слСдуСт Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10.

2.2.2.8. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора слСдуСт Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ

,


Ссли источник питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° рассчитан Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ,

Π³Π΄Π΅ — ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹.


Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Смкости кондСнсатора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ кондСнсатор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, Ссли источник питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° рассчитан Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

2.3. ΠŸΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ измСрСния

2.3.1. ΠŸΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ измСрСния — Π² соотвСтствии с ΠΏ. 1.3.

2.4. ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ точности измСрСния

2.4.1. Основная ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… установок, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ стрСлочныС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Β±5% ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ части ΡˆΠΊΠ°Π»Ρ‹.

2.4.2. Основная ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… установок, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Β±5% измСряСмого значСния Β±1 Π·Π½Π°ΠΊ младшСго разряда дискрСтного отсчСта.

2.4.1, 2.4.2. (ИзмСнСнная рСдакция, Изм. N 1).

транзисторов. ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ β‰₯ 0,3 Π’?

Бпросил

ИзмСнСно 5 Π»Π΅Ρ‚, 6 мСсяцСв Π½Π°Π·Π°Π΄

ΠŸΡ€ΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΎ 9ΠΊ Ρ€Π°Π·

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Π’ послСднСС врСмя я ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π°Π» транзисторы Π² классС, ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Β«ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Β» состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для транзистора трСбуСтся минимальноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ C ΠΈ E, Ρ‚. Π΅. V CE β‰₯ 0,3 Π’.

Однако Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ прСдоставлСно Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ особых объяснСний, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ это Ρ‚Π°ΠΊ. Π― искал Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… сайтах для этого, Π½ΠΎ Π½Π΅ нашСл объяснСния. Π•ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Π΅Π³ΠΎ я Π½Π΅ Π²ΠΈΠΆΡƒ?

  • транзисторы
  • Π‘Π–Π’

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Если Π²Ρ‹ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅ Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ схСму для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ потСрями, Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π±Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Vce Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшС. Π’Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π±Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π±Ρ‹Π» Π² состоянии насыщСния. Для ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ слаботочного ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ 300 ΠΌΠ’ являСтся Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΉ Π΅Π³ΠΎ насыщСния.

НапримСр, рассмотрим 2N4401, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ NPN-транзистор TO-92. Π’ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ насыщСнии:

Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅, Vce(sat) 300 ΠΌΠ’ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ транзистора.

Π‘ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ успСхом ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ 100 ΠΌΠ’ для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 мА, это просто Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€, основанный Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов.

Ни Ρ‚ΠΎ, Π½ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ для силовых транзисторов. Π’ΠΎΡ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ для 15А 2N3055:

Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅, Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ 10 А ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π±Π΅Ρ‚Π°-вСрсии 10 Π²Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π·Π΅Ρ‚, Ссли Π²Ρ‹ ΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Vce.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр прСдставляСт собой сумму напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° Π±Π°Π·Ρ‹-эмиттСра ΠΈ $$V_{CE}=V_{CB}+V_{BE}$$ Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор Π² прямом Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Si npn-транзистора прямоС смСщСниС np-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Π° $V_{BE}$ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно большим (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это $$V_{BE}≧0,3V$$ Π’ прямом Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистора np-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, поэтому напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ $V_{CB} β‰₯0V$ ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² прямом Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ $$V_{CE}=V_{CB}+V_{BE}≧0,3V$$

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

4

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Π’ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ простая транзисторная схСма:

смодСлируйтС эту схСму β€” схСма создана с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ CircuitLab

Когда я Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽ симулятор постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, я ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ значСния: напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 134 ΠΌΠ’ — Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ составляСт 702 ΠΌΠ’ (ΠΈ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ вашС «ΡΠΌΠΏΠΈΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ» 0,3 Π’).

Вранзистор Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π² BE-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ β€” ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это (si)-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, это происходит ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,6 Π’. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ, поэтому ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для удвоСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, составляСт довольно малСнький.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ притягиваСтся ΠΊ эмиттСру, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ BC Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ: ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ это происходит, ΠΎΠ½ Β«ΠΊΡ€Π°Π΄Π΅Ρ‚Β» Ρ‚ΠΎΠΊ Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΈ мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° доступно для протСкания Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ BE. По этой ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‚ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ , Π½ΠΎ Π½Π΅ слишком. И 0,3 Π’ (Ρ‡Ρ‚ΠΎ составляСт ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ номинального смСщСния 0,6 Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° BE) являСтся Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ эмпиричСским ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΠΌ.

Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, фактичСскиС значСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚Π΅, Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ транзистора ΠΊ транзистору β€” 2N3904 считаСтся Β«ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΒ» транзистором с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Vce, Π½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС значСния.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

2

\$\Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹\$

Для линСйности (усилСниС с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ искаТСниСм) посмотритС Π½Π° этот Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ:

Если Π²Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ваша линСйная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Vce < 0,5 Π’. ΠŸΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… (Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… для быстрого ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ°) ваша линСйная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ начинаСтся с 1 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π½Π° Vce.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ….. ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Vbe для ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²? для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²?

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Vbe Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0,7 Π’ для Ie = 1,0 мА.

Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Vbe Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 0,7 Π’ — (3 * 0,060 Π’) = 0,7 — 0,18 = 0,52 Π’ для Ie = 1,0 мкА.

И Vbe Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 0,52 Π’ — (3 * 0,060 Π’) = 0,52 — 0,18 = 0,34 Π’ для Ie = 1,0 наноА.

И Vbe Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ 0,34 Π’ — (3 * 0,060 Π’) = 0,34 — 0,18 = 0,16 Π’ для Ie = 1,0 пикоА.

\$\конСчная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°\$

Π’Π²ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠΉΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ Π² систСму

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Google

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Facebook

Π—Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Ρƒ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ЭлСктронная ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°

ВрСбуСтся, Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ отобраТаСтся

ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ЭлСктронная ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°

ВрСбуСтся, Π½ΠΎ Π½Π΅ отобраТаСтся

НаТимая Β«ΠžΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свой ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Β», Π²Ρ‹ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡˆΠ°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ с нашими условиями обслуТивания, ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠΉ использования Ρ„Π°ΠΉΠ»ΠΎΠ² cookie

.

БвСдСния ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора

БвСдСния ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора
Вранзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… состояний
  1. ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ° (отсутствиС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°), ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.
  2. Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области (Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… дСсятых Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ эмиттСра), ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для усилитСлСй
  3. ΠŸΡ€ΠΈ насыщСнии (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π° нСсколько дСсятых Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ эмиттСра), большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ для «Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…» ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.
Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистора Π₯арактСристичСскиС ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
HyperPhysics***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R 909 15 1329 Назад

НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π’ BE ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° связан с этим напряТСниСм ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ЭбСрса-Молля (ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ):

Π³Π΄Π΅
  • T = Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°
  • k = постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°
  • e = заряд элСктрона
Π’ΠΎΠΊ насыщСния Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π΅Π½ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ сам ΠΏΠΎ сСбС зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹). Π­Ρ‚Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π° Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ напряТСний ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ являСтся
I C =Ξ²I B Π³Π΄Π΅ Ξ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ξ² Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ΅Π½, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ зависит ΠΎΡ‚ I C , V CE , ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°.
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Бсылки
Horowitz & Hill
Sec. 2.10

Floyd
Electronic Devices, ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ B

Β  R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°

9153 9014

HyperPhysics***** Condensed Matter
Назад
Π’ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ «эмпиричСскиС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора (ΠΎΡ‚ Horowitz & Hill):
  1. НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр V BE ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,6 Π’ Β«Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Β» Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, ΠΈ это напряТСниС измСнится ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ,
  2. Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр V BE ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 60 ΠΌΠ’ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² 10 Ρ€Π°Π·.
  3. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС эмиттСра ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 25/I C Ом.
  4. НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π’ BE зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 2,1 ΠΌΠ’/Кл
  5. НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π’ BE Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π’ CE ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C : Ξ”V BE β‰ˆ -0,001Ξ”V CE .
ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр
Index

Reference
Horowitz & Hill
Sec 2.10

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
9 CondenPhysics** HyperPhysics**4 HyperdenPhysics0170 R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°
Назад
ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ транзисторных участках
Index

Semiconductor concepts

Semiconductors for electronics

Reference
Simpson
Ch 5

Β 
HyperPhysics***** Condensed Matter R Nave
Назад
ВранзисторноС дСйствиС
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
HyperPhysics***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R 909 15 1329 Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ

ΠΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 99% ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ символы, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для выраТСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора.

ΠŸΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ξ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ значСния Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 200 ΠΈ Π½Π΅ являСтся константой Π΄Π°ΠΆΠ΅ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Он увСличиваСтся для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² эмиттСра, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ большСС количСство элСктронов, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ количСство доступных Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ для Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ, поэтому доля, которая Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Π΅Ρ‰Π΅ большС очСрчиваСтся.

ИспользованиС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Π±Π΅Ρ‚Π°-вСрсии усилСния.
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
HyperPhysics***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R 909 15 1329 Назад

Π›ΡŽΠ±Π°Ρ схСма, которая зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ξ², являСтся нСисправной схСмой, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ различаСтся для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для:
РасчСт Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ смСщСния ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
РасчСт импСдансов ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°
Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ

ВранзисторныС Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ ΠΈ корпуса (BJT) | Вранзисторы с биполярным соСдинСниСм

Как ΠΈ всС элСктричСскиС ΠΈ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, транзисторы ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ транзисторы Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТны, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Ρ‹ΠΊΠ»ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΎΠ½ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ большС Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΎΠ². Π”Π°Π»Π΅Π΅ слСдуСт ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ описаниС Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² транзисторов.

РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

Когда транзистор ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, ΠΎΠ½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими двумя Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Π’ любой ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая транзистором, Ρ€Π°Π²Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. Как ΠΈ рСзисторы, транзисторы рассчитаны Π½Π° Ρ‚ΠΎ, сколько Π²Π°Ρ‚Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ бСзопасно Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Высокая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° β€” ΡΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ€Π°Π³ всСх ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств, ΠΈ биполярныС транзисторы, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ…. ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ мощности всСгда привязаны ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ (ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ) Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°. Когда транзисторы Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΆΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ… условиях >25 ΠΈΠ»ΠΈ , ΠΈΡ… номинальная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сниТСна Π΄ΠΎ , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ сокращСния срока слуТбы.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС

Как ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, биполярныС транзисторы рассчитаны Π½Π° максимально допустимоС напряТСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π½Π° ΠΈΡ… PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. Бюда входят Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Π° V EB , ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° V CB , Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру V CE .

Π’ EB , максимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 7 Π’ для Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Π»ΠΎΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов. НСкоторыС Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ схСм ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ дискрСтныС биполярныС транзисторы Π² качСствС стабилитронов Π½Π° 7 Π’ с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ рСзистором. ВранзисторныС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ напряТСниС V EB , ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ, стабилизация Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π΅ допускаСтся.

НоминальноС максимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π’ CE ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ максимальноС напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки (Π±Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ особоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ использовании биполярного транзистора Π² качСствС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для транзистора с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сигналом составляСт ΠΎΡ‚ 60 Π΄ΠΎ 80 Π’. Π’ силовых транзисторах ΠΎΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 1000 Π’, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, транзистор Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ отклонСния Π² дисплСС с элСктронно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΎΠΉ.

Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IC указываСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π² Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ…. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния для транзисторов с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сигналом ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 100 мА, для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов β€” 10 с. ΠŸΠΎΠΉΠΌΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этот ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ состояниС насыщСния (минимальноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр). Если транзистор насыщСн , Π° Π½Π΅ , ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ сущСствСнноС напряТСниС, максимальная номинальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, вСроятно, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π° Π΄ΠΎ максимального номинального Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ΅-Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ транзисторной схСмы

НапряТСния насыщСния

Π’ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅, насыщСнный транзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, сбрасывая Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ это , Π° Π½Π΅ . ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ максимальноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния транзистора ΠΏΡ€ΠΈ насыщСнии ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром (прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° этом PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅). ПадСниС напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ насыщСнии ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ оТидаСтся Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 0,3 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС, Π½ΠΎ эта Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора. Вранзисторы Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ CE , ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ напряТСния насыщСния. НапряТСниС насыщСния Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоком Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ возбуТдСния.

ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, Π’ BE , Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ эквивалСнтного Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, β‰…0,7 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ удивлСния.

Π‘Π΅Ρ‚Π°

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, Ξ² — основной ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ биполярного транзистора . ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ расчСтах схСм Ξ² считаСтся постоянной Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ, Π½ΠΎ, ΠΊ соТалСнию, Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ это Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Ξ² (ΠΈΠ»ΠΈ Β«h fe «) значСния для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ условий эксплуатации, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…/ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…/Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ². Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡƒΠ΄ΠΈΠ²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Π², насколько ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ измСнСния Ξ² Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…. Один популярный транзистор с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сигналом, 2N3903, рСкламируСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ξ² Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 15 Π΄ΠΎ 150 Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Ξ² являСтся самым высоким для срСдних Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ для ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоких Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Ρ‡ fe β€” коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала; hFE s большоС усилСниС сигнала ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠΠ»ΡŒΡ„Π°

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ эмиттСра, Ξ±=I C /I E . Ξ± ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ ΠΈΠ· Ξ², Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‡ΠΈ Ξ±=Ξ²/(Ξ²+1). БиполярныС транзисторы Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… физичСских корпусов. Π’ΠΈΠΏ корпуса Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ рассСиваСмой мощности транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρƒ рСзисторов: Ρ‡Π΅ΠΌ большС максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π΅ΠΌ большС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ устройство, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ. На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ нСсколько стандартных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² корпусов для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, любой ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для размСщСния биполярного транзистора. Π•ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ биполярных транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ пластиковых транзисторов ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° корпуса, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€. ВО-92 Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅. Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ устройство с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π½Π΅ сославшись Π½Π° Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ, Π½Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π½Π΅ΠΌ, ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π½ΡƒΠ² Π΅Π³ΠΎ ряду элСктричСских испытаний.

Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈ транзисторов, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π² ΠΌΠΌ.

НСбольшиС пластиковыС корпуса транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ TO-92, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько сотСн ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚Ρ‚. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ Π±Π°Π½ΠΊΠΈ ВО-18 ΠΈ ВО-39 ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, нСсколько сотСн ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚Ρ‚. ΠŸΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ корпуса ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ TO-220 ΠΈ TO-247, Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 100 Π’Ρ‚, ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°ΡΡΡŒ ΠΊ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Ρ†Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ TO-3. ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ рассСивания, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° рисункС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ, с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°-Π»ΠΈΠ±ΠΎ сталкивался Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€ для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… устройств. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов рассчитаны Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ мощности. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ спСцификациям ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… устройств, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ фактичСскиС Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ кристалл Π² пластиковых корпусах ВО-220 ΠΈ ВО-247 крСпится ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мСталличСской Π²Ρ‚ΡƒΠ»ΠΊΠ΅, которая ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ ΠΎΡ‚ Π·Π°Π΄Π½Π΅ΠΉ части корпуса ΠΊ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Ρƒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ , Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой транзистора Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» наносится Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ слой Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ смазки. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ ВО-220 ΠΈ ВО-247, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ корпус ВО-3 соСдинСны с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ элСктричСски ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ вставлСнной слюдяной ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΡˆΠ°ΠΉΠ±Ρ‹. ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ установкС Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€. Π‘Π΅Π· Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° TO-220 бСзопасно рассСиваСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 Π’Ρ‚ Π½Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅.

МаксимальноС рассСиваниС мощности, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π² тСхничСском описании, Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ труднодостиТимо. МаксимальноС рассСиваниС мощности основано Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ корпуса транзистора Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 25Β°C. Π­Ρ‚ΠΎ слоТно с Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ с Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡˆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Допустимая рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎ извСстно ΠΊΠ°ΠΊ сниТСниС Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик. МногиС спСцификации силовых устройств Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ рассСивания Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ корпуса.

ΠžΠ‘Π—ΠžΠ :

  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ : максимально допустимая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π½Π° постоянной основС.
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС : максимально допустимоС VCE, Π’ CB , Π’ EB .
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° : максимально допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
  • НапряТСниС насыщСния β€” это ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния V CE Π² насыщСнном (ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ проводящСм) транзисторС.
  • Π‘Π΅Ρ‚Π° : Ξ²=I C /I B
  • ΠΠ»ΡŒΡ„Π° : Ξ±=I C /I E , Ξ±= Ξ²/(Ξ²+1)
  • Вранзистор ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡΠ° ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основным Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ рассСяния мощности. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ΅ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ большС энСргии.

БВЯЗАННЫЕ Π ΠΠ‘ΠžΠ§Π˜Π• Π’ΠΠ‘Π›Π˜Π¦Π«

  • ВСория биполярного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (BJT) Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ лист

4.3: ΠšΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° BJT β€” тСхничСскиС Π±ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠΈ LibreTexts

  1. ПослСднСС обновлСниС
  2. Π‘ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ PDF
  • Π˜Π΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ страницы
    25406
    • ДТСймс М. Π€ΠΈΠΎΡ€Π΅
    • ΠœΡƒΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠΏΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅Π΄ΠΆ Mohawk Valley

    Одним ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Ρ… Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠ² устройства BJT являСтся сСмСйство ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ сСрия Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠ² зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° \(I_C\) ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр \(V_{CE}\) ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… уровнях Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° \(I_B\). Для создания этих ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π» ΠΊ фиксированному источнику Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ \(I_B\). Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ измСняСтся ΠΎΡ‚ нуля Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ значСния. Π­Ρ‚ΠΎ устанавливаСт \(V_{CE}\). ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΌΡ‹ отслСТиваСм Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ строим Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ получаСтся ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ слСд. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся, ΠΈ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° снова ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ для Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ трассы. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс повторяСтся для создания сСмСйства ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ…. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рисункС \(\PageIndex{1}\).

    Рисунок \(\PageIndex{1}\): БСмСйство ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ….

    НиТняя кривая получаСтся, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° \(I_B = 0\). Π’ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 0, Π½ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ \(I_{CEO}\), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ \(C\)ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-\(E\)ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ с Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠΎΠΉ \(O\)pen (Ρ‚.Π΅. Π±Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). ΠšΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ Π½Π°Π΄ этим ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Π½ΠΈΡŽ уровня Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°; ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ трассы (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 0 \(\mu\)A, 10 \(\mu\)A, 20 \(\mu\)A, 30 \(\mu\) А ΠΈ Π΄Ρ€. ).

    Π‘Π°ΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π² этом Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… области ΠΈΠ»ΠΈ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ дСйствия. Π’ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΌ Π»Π΅Π²ΠΎΠΌ ΡƒΠ³Π»Ρƒ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ быстро возрастаСт. Π­Ρ‚ΠΎ извСстно ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ насыщСния. Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ° пробоя довольно ΠΌΠ°Π»Π°, всСго нСсколько дСсятых Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°ΠΊ \(V_{CE(sat)}\). ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ насыщСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² прилоТСниях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов.

    Π’ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΠΌ ΡƒΠ³Π»Ρƒ находится Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° быстро растСт. Π­Ρ‚ΠΎ называСтся ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ пробоя. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ эффСкт, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΡ‹ наблюдали с ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠœΡ‹ Π½Π΅ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΠΌ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ устройства Π² этом Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ. НапряТСниС пробоя обозначаСтся Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ спСцификаций ΠΊΠ°ΠΊ \(BV_{CEO}\) (\(C\)напряТСниС ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ \(E\)ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρƒ с \(O\)основой ΠΏΠ΅Ρ€Π°). Для устройств ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния это Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 30 Π΄ΠΎ 60 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

    ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими двумя ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΠΌΠΈ значСниями находится ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ постоянСн, дСмонстрируя лишь нСбольшой ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ИмСнно здСсь ΠΌΡ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠ°ΠΊ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ усилитСли.

    Для создания этого сСмСйства ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… Π² Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ устройство, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ трассировщиком ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ…. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ эти ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для \(\beta\). Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΌΡ‹ опрСдСляСм ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния схСмы для \(I_C\) ΠΈ \(V_{CE}\) ΠΈ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ эту Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΡ‹ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π±Π»ΠΈΠΆΠ°ΠΉΡˆΡƒΡŽ ΡΡŽΠΆΠ΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ линию ΠΊ этой Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅. ΠžΡ‚ пСрСсСчСния \(V_{CE}\) ΠΈ этой Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° ΠΌΡ‹ возвращаСмся ΠΊ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ оси, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ \(I_C\) для этой трассы. ΠœΡ‹ подсчитываСм количСство трасс ΠΈ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ°Π΅ΠΌ Π½Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ шага Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΡ‹ Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π΄Π²Π° значСния ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ \(\beta\).

    ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ \(\PageIndex{1}\)

    ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρƒ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ биполярный транзистор, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ \(V_{CE} = 30\) Π’ ΠΈ \(I_C = 4\) мА. Если устройство ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΎ Π² трассировщик ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ сСмСйство ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… выглядит Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС \(\PageIndex{2}\), ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ \(\beta\). ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ увСличился Π½Π° 10 \(\mu\)A Π½Π° трассу.

    Рисунок \(\PageIndex{2}\): Π­ΠΊΡ€Π°Π½ трассировщика для ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° \(\PageIndex{1}\).

    Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π½Π°ΠΉΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ трассу, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ 30 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ 4 мА. НарисуйтС Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ линию Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 30 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° эта линия пСрСсСчСт ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ, Π±Π»ΠΈΠΆΠ°ΠΉΡˆΡƒΡŽ ΠΊ 4 мА. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ это вторая трассировка свСрху. ΠžΡ‚ этой Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ пСрСсСчСния Π²Π΅Ρ€Π½ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ оси, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 4,2 мА. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, подсчитайтС количСство трасс Π΄ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΉ трассы. Выбранная трасса являСтся Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ счСту (Π½Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ниТнюю трассу, Π³Π΄Π΅ \(I_B\) Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0). Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся Π½Π° 10 \(\mu\)A Π½Π° трассу, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ остаСтся \(I_B = 40\) \(\mu\)A.

    \[\beta = \frac{I_C}{I_B} \nonumber \]

    \[\beta = \frac{4,2 мА}{40\mu A} \nonumber \]

    \[\beta = 105 \Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€\]

    Глядя Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ вопрос: ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° возрастаСт ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ \(V_{CE}\). Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π·Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (ΠΏΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ \(V_{CE} = V_{CB} + V_{BE}\)). \(V_{CB}\) — ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π½Π° PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния этого ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ истощСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ дальшС Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ слой. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±Π°Π·Π° эффСктивно суТаСтся, ΡˆΠ°Π½ΡΡ‹ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ эффСктивно ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ \(\Π±Π΅Ρ‚Π°\).

    Если ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΠΌ трассы области постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Π½Ρ‚, ΠΎΠ½ΠΈ пСрСсСкутся Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π Π°Π½Π½ΠΈΠΌ напряТСниСм, Π½Π°Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π² Ρ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ ДТСймса Π­Ρ€Π»ΠΈ ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ \(V_A\). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС \(\PageIndex{3}\).

    Рисунок \(\PageIndex{3}\): Π Π°Π½Π½Π΅Π΅ напряТСниС.


    Π­Ρ‚Π° страница ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ 4.3: BJT Collector Curves распространяСтся ΠΏΠΎΠ΄ Π»ΠΈΡ†Π΅Π½Π·ΠΈΠ΅ΠΉ CC BY-NC-SA 4.0 ΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° создана, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° ДТСймсом М. Π€ΠΈΠΎΡ€Π΅ с использованиСм исходного ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±Ρ‹Π» ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π΄Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ Π² соотвСтствии со стилСм ΠΈ стандартами ΠŸΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° LibreTexts; подробная история рСдактирования доступна ΠΏΠΎ запросу.

    1. НавСрх
      • Π‘Ρ‹Π»Π° Π»ΠΈ эта ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠΉ?
      1. Вип издСлия
        Π Π°Π·Π΄Π΅Π» ΠΈΠ»ΠΈ страница
        Автор
        ДТСймс М. Π€ΠΈΠΎΡ€Π΅
        ЛицСнзия
        CC BY-NC-SA
        ВСрсия Π»ΠΈΡ†Π΅Π½Π·ΠΈΠΈ
        4,0
        ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ³Π»Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅
        Π½Π΅Ρ‚
      2. Π’Π΅Π³ΠΈ
        1. источник@http://www. dissidents.com/resources/SemiconductorDevices.pdf

      НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр — ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ Π½Π° испанский язык – Linguee

      7

      tecfluid.fr

      tecfluid.fr

      На врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ силовых транзисторов

      […] command, the system monitors t h e collector/emitter s a tu ra ti o n voltage .

      dsfweb.com

      dsfweb.com

      Π”ΡƒΡ€Π°Π½Ρ‚Π΅-эль-ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ΠΎ-Π΄Π΅-Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠ½-Π΄Π΅-лос-транзистор-Π΄Π΅-ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», эль

      […] систСма ΠΌ onito riz a l a tensin d e s atu racin de captad ore s/emisores .

      dsfweb.com

      dsfweb.com

      B as e , collector a n d emitter c ΠΈΠ»ΠΈ nf igurations

      eur-lex. europa.eu

      eur-lex.europa.eu

      ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ de bas e, d e ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ y d e emisor .

      eur-lex.europa.eu

      eur-lex.europa.eu

      Co ΠΌΠΌ o n ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ c o nf igurat io n ( emitter f o ll ower): circuit and […]

      ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

      delorenzoglobal.com

      delorenzoglobal.com

      Circuito y

      […] comportami en to de la conf g uraci N COLECTOR COM N (EMISOR SEG UID OR )

      906.

      ΠŸΠ»Π°Ρ‚Π° Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹, связанныС с

      [. ..]

      ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… основных транзисторов

      […] ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ: CE (Co ΠΌΠΌ o n Emitter ) , CC (Co mm o n Collector ) a nd CB (Common Base).

      delorenzoglobal.com

      delorenzoglobal.com

      ЭлСктронная панСль Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ

      […]

      asaciados al uso del транзистор en tres configuraciones

      […] bsicas: CE (C ommo n Emitter), CC ( Commo n Collector) y Basemon y CB 07).

      delorenzoglobal.com

      delorenzoglobal.com

      3.2 Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° для ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²

      […] Π±Π΅Π· Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ op e n ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ e x ci ta ti o n voltage a n d pull-up resistor [. ..]

      ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

      georgfischer.nl

      georgfischer.nl

      3.2 НСпрСрывноС использованиС

      […]

      conexin de salida del pulso para

      […] инструмСнт NT OS SI N Voltaje D E EXC ITA CIN CON COLECTOR ABI COLECTOR ABI ABI ABI .

      Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Ρ†ΠΈΠ½ΠΎΠ².

      georgfischer.nl

      georgfischer.nl

      ΠŸΠ»Π°Ρ‚Π° позволяСт ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ

      […]

      Ρ‚Π΅ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΎ-практичСскоС ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ статики ΠΈ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠΈ

      […] operation of the BJT ( Ba s e emitter J u nc tion Transistor),used as a voltage a m pl ifier.

      delorenzoglobal.com

      delorenzoglobal.com

      Эль-панСль ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ фасадом эль-студио-Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΊΠΎ-ΠΏΡ€ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠΎ дСль

      […]

      Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π» esttico y dinmico de un

      […] trans is tor B JT( bas e-emitter J unc tio n tra ns istor), usado como amp li fica dor Π΄Π΅ напряТСниС .

      delorenzoglobal.com

      delorenzoglobal.com

      МОП-транзистор ΠΈ биполярныС транзисторы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ: биполярный транзистор являСтся усилитСлСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, подаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ

      […]

      Π² ΠΊΠΎΡΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π±Π°Π·Ρƒ/ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ для создания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° усилСниС

      […] Transistor BET WE E N Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ A N D . .

      vintageshifi.com

      vintageshifi.com

      МОП-транзисторы ΠΈ биполярныС транзисторы, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ: биполярныС транзисторы с ΠΊΠΎΡ€Ρ€ΠΎΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм, коррозионностойкиС, встроСнныС Π² Π±Π°Π·Ρƒ

      […]

      Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ / ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ для создания ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½Ρ‹ для ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°

      […] ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ st ΠΈΠ»ΠΈ e ntre e l emisor y el ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ .

      vintageshifi.com

      vintageshifi.com

      s число ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ², Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ ΠΈ расход

      […]

      ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ

      […] corrosion-proof m et a l collector t h e measu ri n g напряТСниС i s l ed Π²Ρ‹ΠΊΠ» ΠΈ [. ..]

      пСрСдаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, Ρ‚.Π΅. Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€.

      duranelectronica.com

      duranelectronica.com

      Эль-Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ…Π΅-Π΄Π΅-

      […] medicin se desva c on u n ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ m etl ic o totalmente protegido […]

      срСдство для Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с ΠΊΠΎΡ€Ρ€ΠΎΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈ для Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с ΠΊΠΎΡ€Ρ€ΠΎΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ

      […]

      ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€, с. эй. ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎ.

      duranelectronica.com

      duranelectronica.com

      (resi du a l voltage 2 V max.) Op e n collector o u tp Ρ‚ΠΈΠΏ ut (зависит […]

      для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π° NPN/PNP) ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Light-ON/Dark-ON ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Ρƒ

      downloads.industrial.omron. eu

      downloads.industrial.omron.eu

      Π’ΠΈΠΏΠΎ Π΄Π΅ саль ΠΈΠ΄Π° Π΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ abi ert o (d ep dele formato […]

      de salida NPN/PNP) CON LUZ/EN OSCURIDAD Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

      downloads.industrial.omron.eu

      Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.industrial.omron.eu

      Π’Ρ‹ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉ

      […] one of the b i g emitters , b ut you forget that the big ge s t emitter i s t ΠΎΠ½ Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ […]

      Государства, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… выбрасываСтся ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ

      […]

      25% ΠΏΠ°Ρ€Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π³Π°Π·ΠΎΠ² Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅.

      europarl.europa.eu

      europarl.europa.eu

      Π˜Π³Ρ€Π° Π² кости Π½Π° Seora bien

      [. ..] que China es uno de lo s princ ipa les emisores, pe ro olvid a que e l mayor s Π½Π° лос […]

      Estados Unidos, que emiten en

      […]

      torno al 25% de los gas de efecto invernadero de todo el mundo.

      europarl.europa.eu

      europarl.europa.eu

      Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄

      […] прСдставляСт собой транзистор NPN с t h e ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ c o nn

      ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ N T H E EMITER C O NN x . ΠΌ напряТСниС .

      tecfluid.fr

      tecfluid.fr

      Esta salida se compone de un

      […] транзистор NP N con el colector con ectad o al terminal N 2 y el emisor con ectad o al terminal N 3. La corriente mxima que puede soportar esta salida es d e 20 мА y la tensin m xim a es de

      ΠœΡ‹ нСсСм ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅

      […] ΠΈΠ»ΠΈ i c эмиттСр o f g ΠΏΠ°Ρ€Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π³Π°Π·Ρ‹.

      America.gov

      America.gov

      Tenemos la responsabilidad por ser,

      […] историчСский am ente, el emisor ms gran de del mundo […]

      Π³Π°Π·Ρ‹ de efecto invernadero.

      America.gov

      America.gov

      БША

      […] Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСпСни lar ge s t ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ o f g [. ..]

      ΠΌΠΈΡ€.

      europarl.europa.eu

      europarl.europa.eu

      Лос Эстадос Унидос сын

      […] Prcticamente L OS PRIN CIP ALE S EMISORE D E G ASE SE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE EFE .

      ΠΌΠΈΡ€Π°.

      europarl.europa.eu

      europarl.europa.eu

      T h e ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ k i t состоит ΠΈΠ· Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ […]

      ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ поляризации, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ фотоэмиттСр.

      promax.es

      promax.es

      E l equ ipo emisor con sta d e un milampermetro […]

      Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ поляризованного изобраТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ†ΠΈΡ€ΠΊΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… фотоэмисора.

      promax.es

      promax.es

      ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

      […] activated, whether throu gh a voltage f r ee connector or an op e n ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ s e ns ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, составляСт 0,5 мА.

      visual-tools.com

      visual-tools.com

      El consumo de corriente, cuando la entrada

      […]

      цифровая активация,

      […] a trav s de u n contacto l ibre de potencial o un sen sor de ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ abi ert o de s Π°Π»ΠΈΠ΄Π° […]

      es de 0,5 мА.

      visual-tools.com

      visual-tools.com

      ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ 6 Icom с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠΏΠΎΠ΄Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΌ основаниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ

      [. ..]

      ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅ΠΌ Π² Π±Π°Π·Ρƒ Q1,

      […] появляСтся Π² Ρ‚ ΠΎΠ½ ΠΈ Ρ€ Collector T H E SY .

      7805, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ 5Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это

      […]

      подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Q2, ΠΎΠ½ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, появляСтся зСмля Π² ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π»ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΈΠ½ 3 Yaesu (PTT), ΠΈ «Π’уаля», Yaesu Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ.

      ea4cax.com

      ea4cax.com

      La Salida de la patilla 6 de Icom con silenciador abierto nos da masa,

      […]

      que aplicamos a la base del Q1,

      […] apareci en do en su ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ l a tensin d e s ali da de 7 80806 […]

      ΠΈΠ»ΠΈ морской 5Π’, с Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

      [. ..]

      del Q2 que entra en conduccin, apareciendo masa en su colector, que aplicamos a la patilla 3 de Yaesu (PTT), y «Voil», Yaesu empieza to transferir.

      ea4cax.com

      ea4cax.com

      ) for op e n collector m o de ls see below Su pp l y voltage

      eltex.se

      eltex.se

      ) для ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ с Π°Π»ΠΈΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚ Π΄ΠΎ ver informacin especfica.

      eltex.se

      eltex.se

      Когда солнСчный свСт ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°

      […] солнСчный элСмСнт l, a напряТСниС e f fe ct ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ t w o эмиттСрами o c 908 9. 8

      formaro.de

      formaro.de

      Π‘ΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π»ΡƒΡ‡ΠΈ

      […] en una clula solar se gen er a un a tensin e ntre l as d os capas .

      formaro.de

      formaro.de

      (Resi du a l voltage : 2 V max.) Op e n collector o u tp ut (НПН/ПНП […]

      Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ)

      downloads.industrial.omron.eu

      downloads.industrial.omron.eu

      S ali da d e ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ a bier to ( sa elda NPN/PNP модСль)сСгн […]

      ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

      Downloads.industrial.omron. eu

      Downloads.industrial.omron.eu

      Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктроники ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚

      […] Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ o u r ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ a n te nna Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½Π΅Ρ€ΠΎΠ².

      ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅

      ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅

      Los desarrolladores de aplicaciones de electronica de automocin podrn beneficiarse de nuestro kit

      […] de desarrollo de an tena s emisoras .

      ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅

      ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅

      РисовыС поля a m aj o r эмиттСр o f m этан ΠΏΠΎ всСму ΠΌΠΈΡ€Ρƒ.

      regency.org

      regency.org

      Лос арросалСс сон ΡƒΠ½ΠΎ

      […] Π΄Π΅ лос pr ΠΈΠ½Ρ†ΠΈ Π±Π»Π΅Π΄Π½Ρ‹ΠΉ s emisores d e me tano d d .

      regency.org

      regency.org

      ДоступСн ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ

      […] устройство отобраТСния ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ p ul s e ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ .

      piusi.com

      piusi.com

      Est disponible ya sea como simple

      […] visual iz ador o c om o emisor d e ΠΈΠΌΠΏΡƒ lsos .

      piusi.com

      piusi.com

      Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ систСма

      […] состоит ΠΈΠ· ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎ wa v e излучатСля a n d ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°.

      pulsradar.com

      pulsradar.com

      Эль систСма Π΄Π΅

      […] medicin c on sist e en u n emisor d e micr oond [. ..]

      соотвСтствСнно Ρ€Π΅Ρ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€.

      pulsradar.com

      pulsradar.com

      T h e ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ k i t ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡˆΠ΅ΡΡ‚ΡŒ цикличСски Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… […]

      фотоэмиттСры.

      promax.es

      promax.es

      E l equ ip o emisor d is pone de se is fotoemisores […]

      Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π°.

      promax.es

      promax.es

      ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΡƒΡ€Π±ΠΈΠ½ ΠΈ ΡΠΎΠΏΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ оборудования, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅

      […] of the me di u m voltage / h ig h voltage collector s t at ion.

      dessaucarrieres. com

      dessaucarrieres.com

      Sugerir soluciones para la puesta a tierra de los generadores, as como para los equipos asociados

      […] y la puesta a tierr a de la es ta cin colectora MT/AT.

      dessaucarrieres.com

      dessaucarrieres.com

      Preliminary ionisor, ionisor a n d collector a r e connected to a hi g h voltage стр Ρƒ ls Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€.

      filtrontec.de

      filtrontec.de

      Эль ΠΏΡ€Π΅ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Π΄ΠΎΡ€,

      […] el ioni za dor y el colector est n co ne ctados a generadores de p ul sos d e a lta tensin .

      filtrontec.de

      filtrontec.de

      ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½Π°

      […] of the me di u m voltage collector s y st em network linking the turbine balance of plant to the me di u m напряТСниС / h ig h ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ напряТСния s Ρ‚ Ρƒ ΠΈΠΎΠ½.

      dessaucarrieres.com

      dessaucarrieres.com

      ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ€ эль

      […] diseo de la red recolec to ra de me dia tensin que un e los a erogeneradores a la estacin colectora de med ia tensin/alt тСнсин (MT /AT ) .

      dessaucarrieres.com

      dessaucarrieres. com

      put transist or s collector f o r absorbing the rev er s e voltage f Ρ€ ΠΎΠΌ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

      panasonic-electric-works.com

      panasonic-electric-works.com

      (2) Usar un diodo conectado a

      […] la sa li da de l colector d el tr an sistor para a bsor ber la tensin inv ers a pr od ΡƒΠΊΠΈΠ΄Π° […]

      por las cargas inductivas.

      panasonic-electric-works.es

      panasonic-electric-works.es

      Вранзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, Π½ΠΎ напряТСниС Π½Π° эмиттСрС Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅

      Π”ΠΎΠ±Ρ€ΠΎ ΠΏΠΎΠΆΠ°Π»ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° EDAboard.

      com
      Π”ΠΎΠ±Ρ€ΠΎ ΠΏΠΎΠΆΠ°Π»ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° наш сайт! EDAboard.com β€” это ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ дискуссионный Ρ„ΠΎΡ€ΡƒΠΌ ΠΏΠΎ элСктроникС, посвящСнный ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ EDA, схСмам, схСмам, ΠΊΠ½ΠΈΠ³Π°ΠΌ, Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ, Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌ, asic, pld, 8051, DSP, сСти, радиочастотам, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½Ρƒ, ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°ΠΌ, руководствам ΠΏΠΎ ΠΎΠ±ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ… ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌΡƒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ. Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅! Для участия Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. РСгистрация бСсплатна. НаТмитС здСсь для рСгистрации.

      РСгистрация ΠΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ

      JavaScript ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. Для Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π³ΠΎ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π°, поТалуйста, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ JavaScript Π² вашСм Π±Ρ€Π°ΡƒΠ·Π΅Ρ€Π΅, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ.