Размеры смд корпусов: Размеры SMD корпусов

Содержание

Типы smd-корпусов

2 вывода 3 вывода 4 вывода 5 выводов 6 выводов 8 выводов >9 выводов
smcj
[do214ab]
7,0х6,0х2,6мм
d2pak
[to263]
9,8х8,8х4,0мм
mbs
[to269aa]
4,8х3,9х2,5мм
d2pak5
[to263-5]
9,8х8,8х4,0мм
mlp2x3
[mo229]
(dfn2030-6)
(lfcsp6)
3,0х2,0х0,75мм
tssop8
[mo153]
4,4х3,0х1,0мм
usoic10
(rm10|micro10)
3,0х3,0х1,1мм
smbj
[do214aa]
4,6х3,6х2,3мм
dpak
[to252aa]
6,6х6,1х2,3мм
sop4
4,4х4,1х2,0мм
dpak5
[to252-5]
6,6х6,1х2,3мм
ssot6
[mo193]
3,0х1,7х1,1мм
chipfet
3,05х1,65х1,05мм
tdfn10
(vson10|dfn10)
3,0х3,0х0,9мм
(gf1)
[do214ba]
4,5х1,4х2,5мм
(smpc)
[to277a]
6,5х4,6х1,1мм
ssop4
4,4х2,6х2,0мм
sot223-5
6,5х3,5х1,8мм
dfn2020-6
[sot1118]
(wson6 | llp6)
2,0х2,0х0,75мм
tdfn8
(wson8)
(lfcsp8)
3,0х3,0х0,9мм
(wson10)
3,0х3,0х0,8мм
smaj
[do214ac]
4,5х2,6х2,0мм
sot223
[to261aa]
{sc73}
6,5х3,5х1,8мм
sot223-4
6,5х3,5х1,8мм
mo240
(pqfn8l)
3,3х3,3х1,0мм
sot23-6

[mo178ab]
{sc74}
2,9х1,6х1,1мм
(mlf8)
2,0х2,0х0,85мм
msop10
[mo187da]
2,9х2,5х1,1мм
sod123
[do219ab]
2,6х1,6х1,1мм
sot89
[to243aa]
{sc62}
4,7х2,5х1,7мм
sot143
2,9х1,3х1,0мм
sot89-5
4,5х2,5х1,5мм
tsot6
[mo193]
2,9х1,6х0,9мм
msop8
[mo187aa]
3,0х3,0х1,1мм
(uqfn10)
1,8х1,4х0,5мм
sod123f
2,6х1,6х1,1мм
sot23f
2,9х1,8х0,8мм
sot343
2,0х1,3х0,9мм
sot23-5
[mo193ab|mo178aa]
{sc74a}
(tsop5/sot753)
2,9х1,6х1,1мм
sot363
[mo203ab|ttsop6]
{sc88|sc70-6}
(us6)
2,0х1,25х1,1мм
vssop8
3,0х3,0х0,75мм
bga9
(9pin flip-chip)
1,45х1,45х0,6мм
sod110
2,0х1,3х1,6мм
sot346
[to236aa]
{sc59a}
(smini)
2,9х1,5х1,1мм
sot543
1,6х1,2х0,5мм
sct595
2,9х1,6х1,0мм
sot563f
{sc89-6|sc170c}
[sot666]
1,6х1,2х0,6мм
sot23-8
2,9х1,6х1,1мм
   
sod323
{sc76}
1,7х1,25х0,9мм
sot23
[to236ab]
2,9х1,3х1,0мм
(tsfp4-1)
1,4х0,8х0,55мм
sot353
[mo203aa]
{sc88a|sc70-5}
(tssop5)
2,0х1,25х0,95мм
sot886
[mo252]
(xson6/mp6c)
1,45х1,0х0,55мм
sot765

[mo187ca]
(us8)
2,0х2,3х0,7мм
   
sod323f
{sc90a}
1,7х1,25х0,9мм
dfn2020
(sot1061)
2,0х2,0х0,65мм
(tslp4)
1,2х0,8х0,4мм
sot553
(sot665|esv)
{sc107}
1,6х1,2х0,6мм
wlcsp6
1,2х0,8х0,4мм
       
dfn1608
(sod1608)
1,6х0,8х0,4мм
sot323
{sc70}
(usm)
2,0х1,25х0,9мм
dfn4
1,0х1,0х0,6мм
sot1226
(x2son5)
0,8х0,8х0,35мм
           
sod523f
{sc79}
1,2х0,8х0,6мм
sot523
(sot416)
{sc75a}
1,6х0,8х0,7мм
(dsbga4|wlcsp)
0,75х0,75х0,63мм
               
sod822
(tslp2)
1,0х0,6х0,45мм
sot523f
(sot490)
{sc89-3}
1,6х0,8х0,7мм
                   
    dfn1412
{sot8009}
1,4х1,2х0,5мм
                   
    sot723
{sc105aa}
(tsfp-3)
1,2х0,8х0,5мм
                   
    dfn1110
{mo340ba}
(sot8015)
1,1х1,0х0,5мм
                   
    sot883
{sc101}
(tslp3-1)
1,0х0,6х0,5мм
                   
    sot1123
0,8х0,6х0,37мм
                   

SMD КОРПУСА ДЕТАЛЕЙ: ФОТО И РАЗМЕРЫ


Наименования и виды SMD корпусов приведены в соответствии с общепринятым обозначением корпуса. Вид в квадратных скобках [JEDEC] - это Joint Electron Devices Engineering Council (США). Вид в фигурных скобках {JEITA} - это Japan Electronics and Information Technology Industries Association (Япония). Круглые скобки (фирменное) - это обозначение корпуса, принятое в отдельной компании, оно может быть вариативно. А расшифровка обозначений отдельных деталей собрана в таблицу.

 

2 вывода 3 вывода 4 вывода 5 выводов 6 выводов >8 выводов
smcj
[do214ab]
7,0х6,0х2,6мм
d2pak
[to263]
9,8х8,8х4,0мм
mbs
[to269aa]
4,8х3,9х2,5мм
d2pak5
[to263-5]
9,8х8,8х4,0мм
mlp2x3
[mo229]
(dfn2030-6)
(lfcsp6)
3,0х2,0х0,75мм
tssop8
[mo153]
4,4х3,0х1,0мм
smbj
[do214aa]
4,6х3,6х2,3мм
dpak
[to252aa]
6,6х6,1х2,3мм
sop4
4,4х4,1х2,0мм
dpak5
[to252-5]
6,6х6,1х2,3мм
ssot6
[mo193]
3,0х1,7х1,1мм
chipfet
3,05х1,65х1,05мм
(gf1)
[do214ba]
4,5х1,4х2,5мм
(smpc)
[to277a]
6,5х4,6х1,1мм
ssop4
4,4х2,6х2,0мм
sot223-5
6,5х3,5х1,8мм
dfn2020-6
[sot1118]
(wson6 | llp6)
2,0х2,0х0,75мм
tdfn8
(wson8)
(lfcsp8)
3,0х3,0х0,9мм
smaj
[do214ac]
4,5х2,6х2,0мм
sot223
[to261aa]
{sc73}
6,5х3,5х1,8мм
sot223-4
6,5х3,5х1,8мм
mo240
(pqfn8l)
3,3х3,3х1,0мм
sot23-6
[mo178ab]
{sc74}
2,9х1,6х1,1мм
(mlf8)
2,0х2,0х0,85мм
sod123
[do219ab]
2,6х1,6х1,1мм
sot89
[to243aa]
{sc62}
4,7х2,5х1,7мм
sot143
2,9х1,3х1,0мм
sot89-5
4,5х2,5х1,5мм
tsot6
[mo193]
2,9х1,6х0,9мм
msop8
[mo187aa]
3,0х3,0х1,1мм
sod123f
2,6х1,6х1,1мм
sot23f
2,9х1,8х0,8мм
sot343
2,0х1,3х0,9мм
sot23-5
[mo193ab|mo178aa]
{sc74a}
(tsop5/sot753)
2,9х1,6х1,1мм
sot363
[mo203ab|ttsop6]
{sc88|sc70-6}
(us6)
2,0х1,25х1,1мм
vssop8
3,0х3,0х0,75мм
sod110
2,0х1,3х1,6мм
sot346
[to236aa]
{sc59a}
(smini)
2,9х1,5х1,1мм
sot543
1,6х1,2х0,5мм
sct595
2,9х1,6х1,0мм
sot563f
{sc89-6|sc170c}
[sot666]
1,6х1,2х0,6мм
sot23-8
2,9х1,6х1,1мм
sod323
{sc76}
1,7х1,25х0,9мм
sot23
[to236ab]
2,9х1,3х1,0мм
(tsfp4-1)
1,4х0,8х0,55мм
sot353
[mo203aa]
{sc88a|sc70-5}
(tssop5)
2,0х1,25х0,95мм
sot886
[mo252]
(xson6/mp6c)
1,45х1,0х0,55мм
sot765
[mo187ca]
(us8)
2,0х2,3х0,7мм
sod323f
{sc90a}
1,7х1,25х0,9мм
dfn2020
(sot1061)
2,0х2,0х0,65мм
(tslp4)
1,2х0,8х0,4мм
sot553
(sot665|esv)
{sc107}
1,6х1,2х0,6мм
wlcsp6
1,2х0,8х0,4мм
usoic10
(rm10|micro10)
3,0х3,0х1,1мм
dfn1608
(sod1608)
1,6х0,8х0,4мм
sot323
{sc70}
(usm)
2,0х1,25х0,9мм
dfn4
1,0х1,0х0,6мм
sot1226
(x2son5)
0,8х0,8х0,35мм
    tdfn10
(vson10|dfn10)
3,0х3,0х0,9мм
sod523f
{sc79}
1,2х0,8х0,6мм
sot523
(sot416)
{sc75a}
1,6х0,8х0,7мм
(dsbga4|wlcsp)
0,75х0,75х0,63мм
        (wson10)
3,0х3,0х0,8мм
sod822
(tslp2)
1,0х0,6х0,45мм
sot523f
(sot490)
{sc89-3}
1,6х0,8х0,7мм
            msop10
[mo187da]
2,9х2,5х1,1мм
    dfn1412
{sot8009}
1,4х1,2х0,5мм
            (uqfn10)
1,8х1,4х0,5мм
    sot723
{sc105aa}
(tsfp-3)
1,2х0,8х0,5мм
            bga9
(9pin flip-chip)
1,45х1,45х0,6мм
    dfn1110
{mo340ba}
(sot8015)
1,1х1,0х0,5мм
               
    sot883
{sc101}
(tslp3-1)
1,0х0,6х0,5мм
               
    sot1123
0,8х0,6х0,37мм

 

Размеры корпусов SMD деталей

Резисторы СМД

ТИП: Расшифровка Типа:
SR Resistor Chip
Чип резистор
Размер (дюймы) Размер (мм) Толщина компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента бумажная
Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
01005 0402 0.12 мм ± 0.02 8 мм 2 мм 20000 -
0201 0603 0.23 мм ± 0.03 8 мм 2 мм 15000 -
0402 1005 0.35 мм ± 0.05 8 мм 2 мм 10000 -
0603 1608 0.45 мм ± 0.1 8 мм 4 мм 5000 -
0805 2012 0.55 мм ± 0.1 8 мм 4 мм 5000 -
1206 3216 0.55 мм ± 0.15 8 мм 4 мм 5000 -
1210 3225 0.55 мм ± 0.15 8 мм 4 мм 5000 4000
2010 5025 0.55 мм ± 0.15 8/12 мм 4/8 мм - 4000
2512 6332 0.55 мм ± 0.15 12 мм 4/8 мм - 4000/2000

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SRМ Melf Resistor
Melf резистор (круглый)
Размер (дюймы) Имя Размер компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
0604 - 1.6 мм Х 1.0 мм 8 мм 4 мм 3000
0805 Micro 2.2 мм Х 1.1 мм 8 мм 4 мм 3000
1206 Mini 3.2 мм Х 1.6 мм 8 мм 4 мм 3000
1406 Mini 3.5 мм Х 1.4 мм 8 мм 4 мм 3000
2308 Melf 5.9 мм Х 2.2 мм 12 мм 4 мм 1500

 

 

Конденсаторы СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SC Ceramic Chip Capacitor
Керамический чип конденсатор
Размер (дюймы) Размер (мм) Толщина компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента бумажная
Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
01005 0402 0.2 мм ± 0.03 8 мм 2 мм 20000 -
0201 0603 0.3 мм ± 0.03 8 мм 2 мм 15000 -
0402 1005 0.5 мм ± 0.1 8 мм 2 мм 10000 -
0603 1608 0.8 мм ± 0.1 8 мм 4 мм 4000 -
0805 2012 0.6 – 1.25 мм 8 мм 4 мм 4000 3000
1206 3216 0.6 – 1.25 мм 8 мм 4 мм 4000 3000
1210 3225 1.25 мм – 1.5 мм 8 мм 4 мм - 3000
1812 4532 2 мм (Макс.) 12 мм 8 мм - 1000
2225 5664 2 мм (Макс.) 12 мм 8 мм - 1000

 

Конденсаторы танталовые СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:

SD Molded Tantalum
Танталовый конденсатор (полярный компонент)
Размер (дюймы) Код Толщина компонента Размер компонента Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
3216 A 1.6 мм 3.2 мм Х 1.6 мм 8 мм 4 мм 2000
3528 B 1.9 мм 3.5 мм Х 2.8 мм 8 мм 4 мм 2000
6032 C 2.5 мм 6.0 мм Х 3.2 мм 12 мм 8 мм 500
7343 D 2.8 мм 7.3 мм Х 4.3 мм 12 мм 8 мм 500
1608 J 0.8 мм 1.6 мм Х 0.8 мм 8 мм 4 мм 4000
2012 P/R 1.2 мм 2.0 мм Х 1.2 мм 8 мм 4 мм 2500/3000

 

Конденсаторы электролитические СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SE Aluminum Capacitor
Алюминиевый конденсатор (полярный компонент)
Диаметр корпуса Высота корпуса Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
Кол-во в стандартной упаковке
(330 мм/13 дюймов)
лента пластиковая
3 мм 5.5 мм 12 мм 8 мм 100 2000
4 мм 5.5 мм 12 мм 8 мм 100 2000
5 мм 5.5 мм 12 мм 12 мм 100 1000
6.3 мм 5.5 мм 16 мм 12 мм 100 1000
8 мм 6 мм 16 мм 12 мм 100 1000
8 мм 10 мм 24 мм 16 мм 100 500
10 мм 10 мм 24 мм 16 мм 100 300 - 500
10 мм 14 - 22 мм 32 мм 20 мм - 250 - 300
12.5 мм 14 мм 32 мм 24 мм - 200 - 250
12.5 мм 17 мм 32 мм 24 мм - 150 - 200
12.5 мм 22 мм 32 мм 24 мм - 125 - 150
16 мм 17 мм 44 мм 28 мм - 125 - 150
16 мм 22 мм 44 мм 28 мм - 75 - 100
18 мм 17 мм 44 мм 32 мм - 125 - 150
18 мм 22 мм 44 мм 32 мм - 75 - 100
20 мм 17 мм 44 мм 36 мм - 50

 

Транзисторы СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SOT SOT Transistor
SOT транзистор
Тип корпуса Количество выводов Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса A (мм) Размер корпуса B (мм) Размер корпуса S (мм) Высота корпуса H (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
SOT723 3 8 мм 4 мм 1.2 0.8 1.2 0.5 8000
SOT346 3 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 1.1 3000
SOT323 3 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT416 3 8 мм 4 мм 1.6 0.8 1.6 0.7 3000
SOT523F 3 8 мм 4 мм 1.6 0.8 1.6 0.7 3000
SOT23 3 8 мм 4 мм 2.9 1.3 2.4 0.95 3000
SOT23-5 5 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 1.1 3000
SOT23-6 6 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 1.1 3000
SOT89 3 12 мм 8 мм 4.5 2.5 4.0 1.5 1000
SOT143 4 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.8 0.95 3000
SOT223 3 16 мм 8 мм 6.5 3.6 7.0 1.6 2500
SOT323 3 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT343 4 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT353 5 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT363 6 8 мм 4 мм 2.0 1.25 2.1 0.9 3000
SOT23-8 8 8 мм 4 мм 2.9 1.6 2.9 1.2 3000

 

Транзисторы мощные СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
DPAK DPAK Transistor
DPAK транзистор
Тип корпуса Количество выводов Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса L (мм) Размер корпуса W (мм) Высота корпуса H (мм) Размер корпуса S (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(330 мм/13 дюймов)
лента пластиковая
DPAK 3 16 мм 8 мм 6 6.5 2.3 10 2500
D2PAK 3 24 мм 16 мм 9.2 10 4.4 15 500 - 800
D2PAK-5 5 24 мм 16 мм 9.2 10 4.4 15 500 - 800
D2PAK-7 7 24 мм 16 мм 9.2 10 4.4 15 500 - 800
D3PAK 3 24 мм 24 мм 14 16 4.7 18.8 500

 

Диоды MELF СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SOD SOD, SM, Melf Diode/Rectifier
SOD, SM, Melf диоды (круглые)
Тип компонента Размер компонента (диметр Х длинна) Ширина ленты Шаг компонента в ленте Кол-во в стандартной упаковке
(180 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
MiniMELF/SOD-80 (LL34) 1.6 мм Х 3.5 мм 8 мм 4 мм 2500
MELF (LL35/LL41) 2.5 мм Х 5.0 мм 12 мм 4 мм 1500
MELF (SM1) 2.5 мм Х 5.0 мм 12 мм 4 мм 1750

 

Диоды SOD СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SM Rectangular Diode Gull Wing Lead
Квадратный диод – выводы «ласточкин хвост»
Тип корпуса Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса L (мм) Размер корпуса W (мм) Высота корпуса H (мм) Размер корпуса S (мм) Размер корпуса B (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(170 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
SOD923 8 мм 2 мм 0.8 0.6 0.4 1.0 0.2 8000
SOD723 8 мм 2 мм 1.0 0.6 0.5 1.4 0.3 8000
SOD523 8 мм 4 мм 1.2 0.8 0.6 1.6 0.3 3000
SOD323 8 мм 4 мм 1.7 1.25 0.7 2.5 0.3 3000
SOD123 8 мм 4 мм 2.7 1.5 1.3 3.6 0.7 3000
DO215AC 12 мм 4 мм 4.3 2.6 2.2 6.1 1.4 1800
DO215AA 12 мм 8 мм 4.3 3.6 2.3 6.2 2.0 1000
DO215AB 16 мм 8 мм 7.0 6.0 2.3 1 0 3.0 900

 

Диоды SM СМД

 

ТИП: Расшифровка Типа:
SM Rectangular Diode C-Bend Lead (Modified J-Lead)
Квадратный диод C – вывод (J-вывод)
Тип корпуса Ширина ленты Шаг компонента в ленте Размер корпуса L (мм) Размер корпуса W (мм) Высота корпуса H (мм) Размер корпуса S (мм) Размер корпуса B (мм) Кол-во в стандартной упаковке
(170 мм/7 дюймов)
лента пластиковая
SMAJ 12 мм 4 мм 4.3 2.6 2.2 5.0 1.5 1800
SMBJ 12 мм 8 мм 4.3 3.6 2.3 5.4 2.0 750
SMCJ 16 мм 8 мм 7.0 6.0 2.3 8.0 3.0 850

   Справочники радиодеталей

Лабораторный БП 0-30 вольт

Драгметаллы в микросхемах

Металлоискатель с дискримом

Ремонт фонарика с АКБ

Восстановление БП ПК ATX

Кодировка SMD деталей

Справочник по диодам

Аналоги стабилитронов

Площадка чип резистора

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

 

РАЗМЕР КОНТАКТНОЙ ПЛОЩАДКИ
ТИПОРАЗМЕР Размеры резистораПАЙКА ОПЛАВЛЕНИЕМ ПАЙКА ВОЛНОЙ
ДЮЙМОВЫЙ МЕТРИЧЕСКИЙ XYa b l a b l
0402 1005 10,50,4 0,6 0,9 - - -
0603 1608 1,60,80,5 0,9 1,5 0,9 0,9 1,9
0805 2012 21,20,7 1,3 1,9 0,9 1,3 2,2
1206 3216 3,21,60,9 1,7 2,9 1,1 1,7 3,4
1210 3225 3,22,50,9 2,5 1,9 1,1 2,5 3,3
1218 3246 3,24,61,05 4,9 1,95 1,25 4,8 3,15
2010 5025 52,51,0 2,5 4,9 1,2 2,5 5,1
2512 6332 6,34,21,0 3,2 6,2 1,2 3,2 6,4
Корзина

Корзина пуста

Типы корпусов smd компонентов. SMD компоненты. Размеры SMD резисторов и их мощность

В наш бурный век электроники главными преимуществами электронного изделия являются малые габариты, надежность, удобство монтажа и демонтажа (разборка оборудования), малое потребление энергии а также удобное юзабилити (от английского – удобство использования). Все эти преимущества ну никак не возможны без технологии поверхностного монтажа – SMT технологии (S urface M ount T echnology ), и конечно же, без SMD компонентов.

Что такое SMD компоненты

SMD компоненты используются абсолютно во всей современной электронике. SMD (S urface M ounted D evice ), что в переводе с английского – “прибор, монтируемый на поверхность”. В нашем случае поверхностью является печатная плата, без сквозных отверстий под радиоэлементы:

В этом случае SMD компоненты не вставляются в отверстия плат. Они запаиваются на контактные дорожки, которые расположены прямо на поверхности печатной платы. На фото ниже контактные площадки оловянного цвета на плате мобильного телефона, на котором раньше были SMD компоненты.


Плюсы SMD компонентов

Самыми большим плюсом SMD компонентов являются их маленькие габариты. На фото ниже простые резисторы и :



Благодаря малым габаритам SMD компонентов, у разработчиков появляется возможность размещать большее количество компонентов на единицу площади, чем простых выводных радиоэлементов. Следовательно, возрастает плотность монтажа и в результате этого уменьшаются габариты электронных устройств. Так как вес SMD компонента в разы легче, чем вес того же самого простого выводного радиоэлемента, то и масса радиоаппаратуры будет также во много раз легче.

SMD компоненты намного проще выпаивать. Для этого нам потребуется с феном. Как выпаивать и запаивать SMD компоненты, можете прочитать в статье как правильно паять SMD . Запаивать их намного труднее. На заводах их располагают на печатной плате специальные роботы. Вручную на производстве их никто не запаивает, кроме радиолюбителей и ремонтников радиоаппаратуры.

Многослойные платы

Так как в аппаратуре с SMD компонентами очень плотный монтаж, то и дорожек в плате должно быть больше. Не все дорожки влезают на одну поверхность, поэтому печатные платы делают многослойными. Если аппаратура сложная и имеет очень много SMD компонентов, то и в плате будет больше слоев. Это как многослойный торт из коржей. Печатные дорожки, связывающие SMD компоненты, находятся прямо внутри платы и их никак нельзя увидеть. Пример многослойных плат – это платы мобильных телефонов, платы компьютеров или ноутбуков (материнская плата, видеокарта, оперативная память и тд).

На фото ниже синяя плата – Iphone 3g, зеленая плата – материнская плата компьютера.



Все ремонтники радиоаппаратуры знают, что если перегреть многослойную плату, то она вздувается пузырем. При этом межслойные связи рвутся и плата приходит в негодность. Поэтому, главным козырем при замене SMD компонентов является правильно подобранная температура.

На некоторых платах используют обе стороны печатной платы, при этом плотность монтажа, как вы поняли, повышается вдвое. Это еще один плюс SMT технологии. Ах да, стоит учесть еще и тот фактор, что материала для производства SMD компонентов уходит в разы меньше, а себестоимость их при серийном производстве в миллионах штук обходится, в прямом смысле, в копейки.

Основные виды SMD компонентов

Давайте рассмотрим основные SMD элементы, используемые в наших современных устройствах. Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности с малым номиналом, и другие компоненты выглядят как обычные маленькие прямоугольники, а точнее, параллелепипеды))

На платах без схемы невозможно узнать, то ли это резистор, то ли конденсатор то ли вообще катушка. Китайцы метят как хотят. На крупных SMD элементах все-таки ставят код или цифры, чтобы определить их принадлежность и номинал. На фото ниже в красном прямоугольнике помечены эти элементы. Без схемы невозможно сказать, к какому типу радиоэлементов они относятся, а также их номинал.


Типоразмеры SMD компонентов могут быть разные. Вот есть описание типоразмеров для резисторов и конденсаторов. Вот, например, прямоугольный SMD конденсатор желтого цвета. Еще их называют танталовыми или просто танталами:


А вот так выглядят SMD :



Есть еще и такие виды SMD транзисторов:


Которые обладают большим номиналом, в SMD исполнении выглядят вот так:



Ну и конечно, как же без микросхем в наш век микроэлектроники! Существует очень много SMD типов корпусов микросхем , но я их делю в основном на две группы:

1) Микросхемы, у которых выводы параллельны печатной плате и находятся с двух сторон или по периметру.


2) Микросхемы, у которых выводы находятся под самой микросхемой. Это особый класс микросхем, называется BGA (от английского Ball grid array – массив из шариков). Выводы таких микросхем представляют из себя простые припойные шарики одинаковой величины.

На фото ниже BGA микросхема и обратная ее сторона, состоящая из шариковых выводов.


Микросхемы BGA удобны производителям тем, что они очень сильно экономят место на печатной плате, потому что таких шариков под какой-нибудь микросхемой BGA могут быть тысячи. Это значительно облегчает жизнь производителям, но нисколько не облегчает жизнь ремонтникам.

Резюме

Что же все-таки использовать в своих конструкциях? Если у вас не дрожат руки, и вы хотите сделать, маленького радиожучка, то выбор очевиден. Но все-таки в радиолюбительских конструкциях габариты особо не играют большой роли, да и паять массивные радиоэлементы намного проще и удобнее. Некоторые радиолюбители используют и то и другое. Каждый день разрабатываются все новые и новые микросхемы и SMD компоненты. Меньше, тоньше, надежнее. Будущее, однозначно, за микроэлектроникой.

В общем, термин SMD (от англ. Surface Mounted Device) можно отнести к любому малогабаритному электронному компоненту, предназначенному для монтажа на поверхность платы по технологии SMT (технология поверхностного монтажа).

SMT технология (от англ. Surface Mount Technology ) была разработана с целью удешевления производства, повышению эффективности изготовления печатных плат с использованием более мелких электронных компонентов: резисторов, конденсаторов, транзисторов и т. д. Сегодня рассмотрим один из таких – SMD резистор.

SMD резисторы

SMD резисторы – это миниатюрные , предназначенные для поверхностного монтажа. SMD резисторы значительно меньше, чем их традиционный аналог. Они часто бывают квадратной, прямоугольной или овальной формы, с очень низким профилем.

Вместо проволочных выводов обычных резисторов, которые вставляются в отверстия печатной платы, у SMD резисторов имеются небольшие контакты, которые припаяны к поверхности корпуса резистора. Это избавляет от необходимости делать отверстия в печатной плате, и тем самым позволяет более эффективно использовать всю ее поверхность.

Типоразмеры SMD резисторов

В основном термин типоразмер включает в себя размер, форму и конфигурацию выводов (тип корпуса) какого-либо электронного компонента. Например, конфигурация обычной микросхемы, которая имеет плоский корпус с двусторонним расположением выводов (перпендикулярно плоскости основания), называется DIP.

Типоразмер SMD резисторов стандартизированы, и большинство производителей используют стандарт JEDEC. Размер SMD резисторов обозначается числовым кодом, например, 0603. Код содержит в себе информацию о длине и ширине резистора. Таким образом, в нашем примере код 0603 (в дюймах) длина корпуса составляет 0,060 дюйма, шириной 0,030 дюйма.

Такой же типоразмер резистора в метрической системе будет иметь код 1608 (в миллиметрах), соответственно длина равна 1,6 мм, ширина 0,8мм. Чтобы перевести размеры в миллиметры, достаточно размер в дюймах перемножить на 2,54.

Размеры SMD резисторов и их мощность

Размер резистора SMD зависит главным образом от необходимой мощности рассеивания. В следующей таблице перечислены размеры и технические характеристики наиболее часто используемых SMD резисторов.

Маркировка SMD резисторов

Из-за малого размера SMD резисторов, на них практически невозможно нанести традиционную цветовую маркировку резисторов.

В связи с этим был разработан особый способ маркировки. Наиболее часто встречающаяся маркировка содержит три или четыре цифры, либо две цифры и букву, имеющая название EIA-96.

Маркировка с 3 и 4 цифрами

В этой системе первые две или три цифры обозначают численное значение сопротивления резистора, а последняя цифра показатель множителя. Эта последняя цифра указывает степень, в которую необходимо возвести 10, чтобы получить окончательный множитель.

Еще несколько примеров определения сопротивлений в рамках данной системы:

  • 450 = 45 х 10 0 равно 45 Ом
  • 273 = 27 х 10 3 равно 27000 Ом (27 кОм)
  • 7992 = 799 х 10 2 равно 79900 Ом (79,9 кОм)
  • 1733 = 173 х 10 3 равно 173000 Ом (173 кОм)

Буква “R” используется для указания положения десятичной точки для значений сопротивления ниже 10 Ом. Таким образом, 0R5 = 0,5 Ом и 0R01 = 0,01 Ом.

SMD резисторы повышенной точности (прецизионные) в сочетании с малыми размерами, создали необходимость в новой, более компактной маркировке. В связи с этим был создан стандарт EIA-96. Данный стандарт предназначен для резисторов с допуском по сопротивлению в 1%.

Эта система маркировки состоит из трех элементов: две цифры указывают код , а следующая за ними буква определяет множитель. Две цифры представляют собой код, который дает трехзначное число сопротивления (см. табл.)

Например, код 04 означает 107 Ом, а 60 соответствует 412 Ом. Множитель дает конечное значение резистора, например:

  • 01А = 100 Ом ±1%
  • 38С = 24300 Ом ±1%
  • 92Z = 0.887 Ом ±1%

Онлайн калькулятор SMD резисторов

Этот калькулятор поможет вам найти величину сопротивления SMD резисторов. Просто введите код, написанный на резисторе и его сопротивление отразится внизу.

Калькулятор может быть использован для определения сопротивления SMD резисторов, которые маркированы 3 или 4 цифрами, а так же по стандарту EIA-96 (2 цифры + буква).

Хотя мы сделали все возможное, чтобы проверить функцию данного калькулятора, мы не можем гарантировать, что он вычисляет правильные значения для всех резисторов, поскольку иногда производители могут использовать свои пользовательские коды.

Поэтому чтобы быть абсолютно уверенным в значении сопротивления, лучше всего дополнительно измерить сопротивление с помощью мультиметра.

Мы уже познакомились с основными радиодеталями: резисторами, конденсаторами, диодами, транзисторами, микросхемами и т.п., а также изучили, как они монтируются на печатную плату. Ещё раз вспомним основные этапы этого процесса: выводы всех компонентов пропускают в отверстия, имеющиеся в печатной плате. После чего выводы обрезаются, и затем с обратной стороны платы производится пайка (см. рис.1).
Этот уже известный нам процесс называется DIP-монтаж. Такой монтаж очень удобен для начинающих радиолюбителей: компоненты крупные, паять их можно даже большим «советским» паяльником без помощи лупы или микроскопа. Именно поэтому все наборы Мастер Кит для самостоятельной пайки подразумевают DIP-монтаж.

Рис. 1. DIP-монтаж

Но DIP-монтаж имеет очень существенные недостатки:

Крупные радиодетали не подходят для создания современных миниатюрных электронных устройств;
- выводные радиодетали дороже в производстве;
- печатная плата для DIP-монтажа также обходится дороже из-за необходимости сверления множества отверстий;
- DIP-монтаж сложно автоматизировать: в большинстве случаях даже на крупных заводах по производству электронику установку и пайку DIP-деталей приходится выполнять вручную. Это очень дорого и долго.

Поэтому DIP-монтаж при производстве современной электроники практически не используется, и на смену ему пришёл так называемый SMD-процесс, являющийся стандартом сегодняшнего дня. Поэтому любой радиолюбитель должен иметь о нём хотя бы общее представление.

SMD монтаж

SMD компоненты (чип-компоненты) - это компоненты электронной схемы, нанесённые на печатную плату с использованием технологии монтирования на поверхность - SMT технологии (англ. surface mount technology).Т.е все электронные элементы, которые «закреплены» на плате таким способом, носят название SMD компонентов (англ. surface mounted device). Процесс монтажа и пайки чип-компонентов правильно называть SMT-процессом. Говорить «SMD-монтаж» не совсем корректно, но в России прижился именно такой вариант названия техпроцесса, поэтому и мы будем говорить так же.

На рис. 2. показан участок платы SMD-монтажа. Такая же плата, выполненная на DIP-элементах, будет иметь в несколько раз большие габариты.

Рис.2. SMD-монтаж

SMD монтаж имеет неоспоримые преимущества:

Радиодетали дешёвы в производстве и могут быть сколь угодно миниатюрны;
- печатные платы также обходятся дешевле из-за отсутствия множественной сверловки;
- монтаж легко автоматизировать: установку и пайку компонентов производят специальные роботы. Также отсутствует такая технологическая операция, как обрезка выводов.

SMD-резисторы

Знакомство с чип-компонентами логичнее всего начать с резисторов, как с самых простых и массовых радиодеталей.
SMD-резистор по своим физическим свойствам аналогичен уже изученному нами «обычному», выводному варианту. Все его физические параметры (сопротивление, точность, мощность) точно такие же, только корпус другой. Это же правило относится и ко всем другим SMD-компонентам.

Рис. 3. ЧИП-резисторы

Типоразмеры SMD-резисторов

Мы уже знаем, что выводные резисторы имеют определённую сетку стандартных типоразмеров, зависящих от их мощности: 0,125W, 0,25W, 0,5W, 1W и т.п.
Стандартная сетка типоразмеров имеется и у чип-резисторов, только в этом случае типоразмер обозначается кодом из четырёх цифр: 0402, 0603, 0805, 1206 и т.п.
Основные типоразмеры резисторов и их технические характеристики приведены на рис.4.

Рис. 4 Основные типоразмеры и параметры чип-резисторов

Маркировка SMD-резисторов

Резисторы маркируются кодом на корпусе.
Если в коде три или четыре цифры, то последняя цифра означает количество нулей, На рис. 5. резистор с кодом «223» имеет такое сопротивление: 22 (и три нуля справа) Ом = 22000 Ом = 22 кОм. Резистор с кодом «8202» имеет сопротивление: 820 (и два нуля справа) Ом = 82000 Ом = 82 кОм.
В некоторых случаях маркировка цифробуквенная. Например, резистор с кодом 4R7 имеет сопротивление 4.7 Ом, а резистор с кодом 0R22 – 0.22 Ом (здесь буква R является знаком-разделителем).
Встречаются и резисторы нулевого сопротивления, или резисторы-перемычки. Часто они используются как предохранители.
Конечно, можно не запоминать систему кодового обозначения, а просто измерить сопротивление резистора мультиметром.

Рис. 5 Маркировка чип-резисторов

Керамические SMD-конденсаторы

Внешне SMD-конденсаторы очень похожи на резисторы (см. рис.6.). Есть только одна проблема: код ёмкости на них не нанесён, поэтому единственный способ ёё определения – измерение с помощью мультиметра, имеющего режим измерения ёмкости.
SMD-конденсаторы также выпускаются в стандартных типоразмерах, как правило, аналогичных типоразмерам резисторов (см. выше).

Рис. 6. Керамические SMD-конденсаторы

Электролитические SMS-конденсаторы

Рис.7. Электролитические SMS-конденсаторы

Эти конденсаторы похожи на своих выводных собратьев, и маркировка на них обычно явная: ёмкость и рабочее напряжение. Полоской на «шляпке» конденсатора маркируется его минусовой вывод.

SMD-транзисторы


Рис.8. SMD-транзистор

Транзисторы мелкие, поэтому написать на них их полное наименование не получается. Ограничиваются кодовой маркировкой, причём какого-то международного стандарта обозначений нет. Например, код 1E может обозначать тип транзистора BC847A, а может – какого-нибудь другого. Но это обстоятельство абсолютно не беспокоит ни производителей, ни рядовых потребителей электроники. Сложности могут возникнуть только при ремонте. Определить тип транзистора, установленного на печатную плату, без документации производителя на эту плату иногда бывает очень сложно.

SMD-диоды и SMD-светодиоды

Фотографии некоторых диодов приведены на рисунке ниже:

Рис.9. SMD-диоды и SMD-светодиоды

На корпусе диода обязательно указывается полярность в виде полосы ближе к одному из краев. Обычно полосой маркируется вывод катода.

SMD-cветодиод тоже имеет полярность, которая обозначается либо точкой вблизи одного из выводов, либо ещё каким-то образом (подробно об этом можно узнать в документации производителя компонента).

Определить тип SMD-диода или светодиода, как и в случае с транзистором, сложно: на корпусе диода выштамповывается малоинформативный код, а на корпусе светодиода чаще всего вообще нет никаких меток, кроме метки полярности. Разработчики и производители современной электроники мало заботятся о её ремонтопригодности. Подразумевается, что ремонтировать печатную плату будет сервисный инженер, имеющий полную документацию на конкретное изделие. В такой документации чётко описано, на каком месте печатной платы установлен тот или иной компонент.

Установка и пайка SMD-компонентов

SMD-монтаж оптимизирован в первую очередь для автоматической сборки специальными промышленными роботами. Но любительские радиолюбительские конструкции также вполне могут выполняться на чип-компонентах: при достаточной аккуратности и внимательности паять детали размером с рисовое зёрнышко можно самым обычным паяльником, нужно знать только некоторые тонкости.

Но это тема для отдельного большого урока, поэтому подробнее об автоматическом и ручном SMD-монтаже будет рассказано отдельно.

Типоразмеры smd корпусов микросхем. Маркировка SMD

Корпус интегральной микросхемы (ИМС) - это герметичная конструкции, предназначенная для защиты кристалла интегральной схемы от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями. Длина корпуса микросхем зависит от числа выводов. Давайте рассмотрим некоторые типы корпусов, которые наиболее часто применяются радиолюбителями.

DIP (Dual In-line Package) - тип корпуса микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов для монтажа в отверстия печатной платы, является самым распространенным типом корпусов. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Может быть выполнен из пластика или керамики. В обозначении корпуса указывается число выводов. В корпусе DIP могут выпускаться различные полупроводниковые или пассивные компоненты - микросхемы, сборки диодов, ТТЛ-логика, генераторы, усилители, ОУ и прочие… Компоненты в корпусах DIP обычно имеют от 4 до 40 выводов, возможно есть и больше. Большинство компонентов имеет шаг выводов 2.54 миллиметра и расстояние между рядами 7.62 или 15.24 миллиметра.

Одной из разновидностью корпуса DIP является корпус QDIP на таком корпусе 12 выводов и обычно имеются лепестки для крепления микросхемы на радиатор, вспомните микросхему К174УН7.

Разновидностью DIP является PDIP – (Plastic Dual In- line Package) – корпус имеет форму прямоугольника, снабжен выводами, предназначенными преимущественно для монтажа в отверстия. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с расстоянием между выводами 7.62 мм и широкая, с расстоянием между выводами 15.24 мм. Различий между DIP и PDIP в плане корпуса нет, PDIP обычно изготавливается из пластика, CDIP - из керамики. Если у микросхемы много выводов, например 28 и более, то корпус может быть широким.

SIP (Single In-line Package) – плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы, с одним рядом выводов по длинной стороне. Обычно в обозначении также указывается число выводов. Нумерация выводов данных типов микросхем начинается слева, если смотреть на маркировку спереди.

ТО92 – распространённый тип корпуса для маломощных транзисторов и других полупроводниковых приборов с двумя или тремя выводами, в том числе и микросхем, например интегральных стабилизаторов напряжения. В СССР данный тип корпуса носил обозначение КТ-26.

TO220 - тип корпуса для транзисторов, выпрямителей, интегральных стабилизаторов напряжения и других полупроводниковых приборов малой и средней мощности. Нумерация выводов для разных элементов может отличаться, у транзисторов одно обозначение, у стабилизаторов напряжения другое…

PENTAWATT – Содержит 5 выводов, в таких корпусах выпускаются, например усилители НЧ (TDA2030, 2050…), или стабилизаторы напряжения.

DPAK - (TO-252, КТ-89) корпус для размещения полупроводниковых устройств. D2PAK аналогичен корпусу DPAK, но больше по размеру; в основном эквивалент TO220 для SMD-монтажа, бывают трёх, пяти, шести, семи или восьмивыводные.

SO (Small Outline) пластиковый корпус малого размера. Корпус имеет форму прямоугольника, снабжен выводами, предназначенными для монтажа на поверхность. Существуют две разновидности корпуса: узкая, с шириной корпуса 3.9 мм (0.15 дюйма) и широкая, с шириной корпуса 7.5 мм (0.3 дюйма).

SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) - предназначен для поверхностного монтажа, по сути это то же, что и SO. Имеет форму прямоугольника с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Как правило, нумерация выводов одинаковых микросхем в корпусах DIP и SOIC совпадает. Помимо сокращения SOIC для обозначения корпусов этого типа могут использоваться буквы SO, а также SOP (Small-Outline Package) и число выводов. Такие корпуса могут иметь различную ширину. Обычно обозначаются как SOxx-150, SOxx-208 и SOxx-300 или пишут SOIC-xx и указывают какому чертежу он соответствует. Данный тип корпусов схож с QSOP.

Также существует версия корпуса с загнутыми под корпус (в виде буквы J) выводами. Такой тип корпуса обозначается как SOJ (Small-Outline J-leaded).

QFP (Quad Flat Package) - семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам. Форма основания микросхемы - прямоугольная, а зачастую используется квадрат. Корпуса обычно различаются только числом выводов, шагом, размерами и используемыми материалами. BQFP отличается расширениями основания по углам микросхемы, предназначенными для защиты выводов от механических повреждений до запайки.

В это семейство входят корпуса TQFP (Thin QFP) , QFP, LQFP (Low-profile QFP) . Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа; установка в разъём или монтаж в отверстия штатно не предусмотрена, хотя переходные коммутационные устройства существуют. Количество выводов QFP микросхем обычно не превышает 200, с шагом от 0,4 до 1,0 мм. Габаритные размеры корпусов и расстояние между выводами можно посмотреть .

QFN (Quad-flat no-leads) – у таких корпусов, так же как и у корпусов SOJ, вывода загнуты под корпус. Габаритные размеры и расстояние между выводами корпусов QFN можно посмотреть . Данный корпус схож с типом корпусов MLF, у них вывода расположены по периметрии и снизу.

TSOP (Thin Small-Outline Package) – данные корпуса очень тонкие, низкопрофильные, являются разновидностью SOP микросхем. Применяются в модулях оперативной памяти DRAM и для чипов флеш-памяти, особенно для упаковки низковольтных микросхем из-за их малого объёма и большого количества штырьков (контактов). В более современных модулях памяти такие корпуса уже не применяются, их заменили корпуса типа BGA. Обычно различают два типа корпусов, они представлены ниже на фото.

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) и СLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) - представляют собой квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки в специальную панель (часто называемую «кроваткой»). В настоящее время широкое распространение получили микросхемы флэш-памяти в корпусе PLCC, используемые в качестве микросхемы BIOS на системных платах. Габаритные размеры корпусов и расстояние между выводами можно посмотреть .

ZIP (Zigzag-In-line Package) - плоский корпус для вертикального монтажа в отверстия печатной платы со штырьковыми выводами, расположенными зигзагообразно. Бывают ZIP12, ZIP16, ZIP17, ZIP19, ZIP20, ZIP24, ZIP40 цифры означают количество выводов и тип корпуса, кроме этого они различаются габаритами корпусов, а так же расстоянием между выводами. Габаритные размеры корпусов и расстояние между выводами можно посмотреть .

В этой статье мы рассмотрим самые основные корпуса микросхем, которые очень часто используются в повседневной электронике.

DIP (англ. D ual I n-Line P ackage) – корпус с двумя рядами выводов по длинным сторонам микросхемы. Раньше, да наверное и сейчас, корпус DIP был самым популярным корпусом для многовыводных микросхем. Выглядит он вот так:



В зависимости от количества выводов микросхемы, после слова “DIP” ставится количество ее выводов. Например, микросхема, а точнее, микроконтроллер atmega8 имеет 28 выводов:

Следовательно, ее корпус будет называться DIP28.

А вот у этой микросхемы корпус будет называться DIP16.

В основном в корпусе DIP в Советском Союзе производили логические микросхемы, операционные усилители и тд. Сейчас же корпус DIP также не теряет своей актуальности и в нем до сих пор делают различные микросхемы, начиная от простых аналоговых и заканчивая микроконтроллерами.

Корпус DIP может быть выполнен из пластика (что в большинстве случаев) и называется он PDIP , а также из керамики – CDIP . На ощупь корпус CDIP твердый как камень, и это неудивительно, так как он сделан из керамики.

Пример CDIP корпуса.


Имеются также модификации HDIP, SDIP.

HDIP (H eat-dissipating DIP ) – теплорассеивающий DIP. Такие микросхемы пропускают через себя большой ток, поэтому сильно нагреваются. Чтобы отвести излишки тепла, на такой микросхеме должен быть радиатор или его подобие, например, как здесь два крылышка-радиатора посерединке микрухи:


SDIP (S mall DIP ) – маленький DIP. Микросхема в корпусе DIP, но c маленьким расстоянием между ножками микросхемы:


SIP корпус

SIP корпус (S ingle I n line P ackage ) – плоский корпус с выводами с одной стороны. Очень удобен при монтаже и занимает мало места. Количество выводов также пишется после названия корпуса. Например, микруха снизу в корпусе SIP8.


У SIP тоже есть модификации – это HSIP (H eat-dissipating SIP ). То есть тот же самый корпус, но уже с радиатором

ZIP корпус

ZIP (Z igzag I n line P ackage ) – плоский корпус с выводами, расположенными зигзагообразно. На фото ниже корпус ZIP6. Цифра – это количество выводов:


Ну и корпус с радиатором HZIP :


Только что мы с вами рассмотрели основной класс In line Package микросхем. Эти микросхемы предназначены для сквозного монтажа в отверстиях в печатной плате.

Например, микросхема DIP14, установленная на печатной плате


и ее выводы с обратной стороны платы, уже без припоя.


Кто-то все таки умудряется запаять микросхемы DIP, как микросхемы для поверхностного монтажа (о них чуть ниже), загнув выводы под углом в 90 градусов, или полностью их выпрямив. Это извращение), но работает).

Переходим к другому классу микросхем – микросхемы для поверхностного монтажа или, так называемые SMD компоненты . Еще их называют планарными радиокомпонентами.

Такие микросхемы запаиваются на поверхность печатной платы, под выделенные для них печатные проводники. Видите прямоугольные дорожки в ряд? Это печатные проводники или в народе пятачки . Вот именно на них запаиваются планарные микросхемы.


SOIC корпус

Самым большим представителем этого класса микросхем являются микросхемы в корпусе SOIC (S mall-O utline I ntegrated C ircuit ) – маленькая микросхема с выводами по длинным сторонам. Она очень напоминает DIP, но обратите внимание на ее выводы. Они параллельны поверхности самого корпуса:


Вот так они запаиваются на плате:


Ну и как обычно, цифра после “SOIC” обозначает количество выводов этой микросхемы. На фото выше микросхемы в корпусе SOIC16.

SOP (S mall O utline P ackage ) – то же самое, что и SOIC.


Модификации корпуса SOP:

PSOP – пластиковый корпус SOP. Чаще всего именно он и используется.

HSOP – теплорассеивающий SOP. Маленькие радиаторы посередине служат для отвода тепла.


SSOP (S hrink S mall O utline P ackage) – ” сморщенный” SOP. То есть еще меньше, чем SOP корпус

TSSOP (T hin S hrink S mall O utline P ackage) – тонкий SSOP. Тот же самый SSOP, но “размазанный” скалкой. Его толщина меньше, чем у SSOP. В основном в корпусе TSSOP делают микросхемы, которые прилично нагреваются. Поэтому, площадь у таких микросхем больше, чем у обычных. Короче говоря, корпус-радиатор).


SOJ – тот же SOP, но ножки загнуты в форме буквы “J” под саму микросхему. В честь таких ножек и назвали корпус SOJ :

Ну и как обычно, количество выводов обозначается после типа корпуса, например SOIC16, SSOP28, TSSOP48 и тд.

QFP корпус

QFP (Q uad F lat P ackage) – четырехугольный плоский корпус. Главное отличие от собрата SOIC в том, что выводы размещены на всех сторонах такой микросхемы


Модификации:

PQFP – пластиковый корпус QFP. CQFP – керамический корпус QFP. HQFP – теплорассеивающий корпус QFP.

TQFP (T hin Q uad F lat P ack) – тонкий корпус QFP. Его толщина намного меньше, чем у его собрата QFP



PLCC (P lastic L eaded C hip C arrier) и СLCC (C eramic L eaded C hip C arrier) – соответственно пластиковый и керамический корпус с расположенными по краям контактами, предназначенными для установки в специальную панельку, в народе называемую “кроваткой”. Типичным представителем является микросхема BIOS в ваших компьютерах.

Вот так примерно выглядит “кроватка” для таких микросхем

А вот так микросхема “лежит” в кроватке.


Иногда такие микросхемы называют QFJ , как вы уже догадались, из-за выводов в форме буквы “J”

Ну и количество выводов ставится после названия корпуса, например PLCC32.

PGA корпус

PGA (P in G rid A rray) – матрица из штырьковых выводов. Представляет из себя прямоугольный или квадратный корпус, в нижней части которого расположены выводы-штырьки


Такие микросхемы устанавливаются также в специальные кроватки, которые зажимают выводы микросхемы с помощью специального рычажка.

В корпусе PGA в основном делают процессоры на ваши персональные компьютеры.

Корпус LGA

LGA (L and G rid A rray) - тип корпусов микросхем с матрицей контактных площадок. Чаще всего используются в компьютерной технике для процессоров.

Кроватка для LGA микросхем выглядит примерно вот так:


Если присмотреться, то можно увидеть подпружиненные контакты.

Сам микросхема, в данном случае процессор ПК, имеет просто металлизированные площадки:


Для того, чтобы все работало, должно выполняться условие: микропроцессор должен быть плотно прижат к кроватке. Для этого используются разного рода защелки.

Корпус BGA

BGA (B all G rid A rray ) – матрица из шариков.


Как мы видим, здесь выводы заменены припойными шариками. На одной такой микросхеме можно разместить сотни шариков-выводов. Экономия места на плате просто фантастическая. Поэтому микросхемы в корпусе BGA применяют в производстве мобильных телефонов, планшетах, ноутбуках и в других микроэлектронных девайсах. О том, как перепаивать BGA, я еще писал в статье Пайка BGA микросхем .

В красных квадратах я пометил микросхемы в корпусе BGA на плате мобильного телефона. Как вы видите, сейчас вся микроэлектроника строится именно на BGA микросхемах.


Технология BGA является апогеем микроэлектроники. В настоящее время мир перешел уже на технологию корпусов microBGА, где расстояние между шариками еще меньше, и можно уместить даже тысячи(!) выводов под одной микросхемой!

Вот мы с вами и разобрали основные корпуса микросхем.

Ничего страшного нет в том, что вы назовете микросхему в корпусе SOIC SOPом или SOP назовете SSOPом. Также ничего страшного нет и в том, чтобы назвать корпус QFP TQFPом. Границы между ними размыты и это просто условности. Но вот если микросхему в корпусе BGA назовете DIP, то это уже будет полное фиаско.

Начинающим радиолюбителям стоит просто запомнить три самых важных корпуса для микросхем – это DIP, SOIС (SOP) и QFP безо всяких модификаций и стоит также знать их различия. В основном именно эти типы корпусов микросхем радиолюбители используют чаще всего в своей практике.

Современная технология поверхностного монтажа предусматривает следующие требования к электрон-
ным компонентам :

Минимальные масса и габариты, плоскостность, низкий профиль выводов, невысокая стоимость, о6еспечение стандартизации;

Пригодность к автоматизированному монтажу, возможность использования существующих методов пайки;

Высокую термостойкость в условиях длительной тепловой нагрузки в процессе пайки
возможность современного корпусирования.

В настоящее время на рынке ЭК имеется большой
выбор элементов в различных корпусах для поверхно-
стного монтажа. Причем, разработка корпусов для
ЭК приблизилась к такой стадии, кoгда её poль -
становится столь же важной, как и разработка самих компо-
нентов. Основными компонентами для поверхностно-
го монтажа являются большие (БИС) и сверх-большие
(СБИС) интегральные схемы (ИС) и полупроводнико-
вые приборы в малогабаритных корпусах. Существует
большой выбор корпусов для поверхностного
монтажа. Необходимо отметить, что размеры кристалла ИС
продолжают увеличиваться, а размеры элементов в
нем – уменьшаются, поэтому специалисты, занимаю-
щееся вопросами сборки компонентов, столкнулись с
двойной проблемой. Во-первых, необходимо собир-
ать физически большой кристалл,высокая плотность
элементов в котором требует увеличения числа кон
тактных площадок для соединения его с внутренними
выводами корпуса. Во вторых, увеличение размеров и
плотности упаковки элементов в кристаллах БИС и
СБИС требует увеличения числа выводов в корпусах,
в которые они монтируются, что может приводить к
возрастанию их размеров, веса, ухудшению электри-
ческих характеристик и быстродействия микроприбо-
ров.

Поэтому техника корпусирования БИС и СБИС –
динамичная, бурно развивающаяся область микро-
электроники, при этом основной тенденцией является
стремление к минимизации объемов корпуса при -

одновременном росте числа выводов с уменьшением расстояния между ними.

Корпуса классифицируют в зависимости
от конструктивных особенностей и геометрических
pазмеров. Классификация корпусов для поверхност
ного монтажа приведена на рисунке 2.40. B соответствии с
этой классификацией в таблице 2.13 приведены основ-
ные данные о наиболее распространенных и перспективных типах корпусов.

Следует отметить, что некото-
рые изготовители в справочных данных в качестве ос-
новного приводят фирменное обозначение корпуса, а
в комментариях дают сведения о соответствии фирменного
обозначения общепринятому. Кроме того,
часто перед общепринятыми обозначениями корпу-
сов ставят букву, определяющую материал, из которо-
го сделан корпус: P - пластик, С - керамика, М - ме-
таллокерамика.

Рисунок 2.40 - Классификация корпусов микросхем, предназначенных для

поверхностного монтажа

Корпуса с выводами по периметру входят в состав
семейства SOP, SOJ, QFJ, QFP, DIP. Наиболее рас-
пространены корпуса SOP (число выводов от 8 до 100)
и QFP (число выводов от 20 до 304). В корпусах
с большим количеством выводов выпускают цифровые мик-
росхемы средней и высокой степени интеграции, а
корпусах с малым количеством выводов - цифровые
микросхемы малой и средней степени интеграции,
аналоговые микросхемы, диоды и транзисторы.

Микросхемы в исполнении TCP имеют ленточные
выводы из тонкой медной или алюминиевой фольги на
полимерной пленке, прикрепленные к кристаллу пай-
кой или ультразвуковой сваркой. После установки на
плату микросхемы должны герметизироваться в соста-
ве платы. Они поставляются на ленте-носителе и хо-
рошо приспособлены для автоматизированного кон-
троля параметров и монтажа. Этот тип микросхем
применяют в недорогой, не подлежащей ремонту -
аппаратуре с большими объемами выпуска.

Для микросхем высокой и сверхвысокой степени
интеграции в последние годы получили широкое
распространение корпуса BGA, поскольку они от-
носительно недороги и пpи большом количестве вы-
водов занимают мало место на плате. Согласно тех-
нологии ВGА бескорпусные кристаллы (один или не-
сколько) монтируют на поверхность печатной мик-
роплаты и герметизируют полимерным компаундом.

Микросхемы в корпусах BGA паяются на платы с помощью выводов, выполненных в виде массива шариков припоя на контактных площадках микроплаты. Дальнейшее развитие технологии корпусов BGA привело к созданию корпусов типа CSP, в которых отсутствует печатная микроплата, а шариковые выводы размещены непосредственно на контактных площадках в верхнем слое металлизации кристалла. После формирования шариковых выводов кристалл заливают тонким слоем пластмассы и монтируют на печатной плате так же,как корпус BGA. В случае необходимости на верхней стороне микросхемы устанавливают теплоотвод. При эффективности использования площади платы эта технология практически не уступает технологии flip-chip (монтаж на плату перевернутых бескорпусных кристаллов и герметизация их полимерным компаундом в составе платы). Основным тормозом в массовом выпуске микросхем в корпусах типа CSP и широком применении технологии flip-chip является отсутствие надёжного и не
доpогого способа уменьшения напряжений в системе
кристалл-печатная плата, возникающих из-за разли
чия температурных коэффициентов pасширения полупроводникового кристалла (2×10 -6 /°С), меди (16,6×10 -6 /°С)
и диэлектрика типа FR-4 ((15...19)×10 -6 /°С), из которо-
го делают печатные платы.

Поэтому основные усилия
разработчиков направлены на повышение надежнос-
ти таких микросхем путем создания между кристаллом
и платой недорогой переходной структуры, гасящей
температурные напряжения.

Таблица 2.13 - Корпуса микросхем для поверхностного монтажа

Корпус Краткое описание Шаг Выво дов, мм Внешний вид корпуса
Тип Полное название
1. Kopпycа для микросхем низкой, средней и высокой степени интеграции 1.1.С выводами вдоль двух боковых сторон корпуса 1.1.1. Со стандартным шагом расположения выводов
SO, SOP, SOL, SOIC Small Outline Package, Small Outline Integrated Circuit Выводы в виде крыла чайки или в виде буквы «L» 1.27
SOJ Small Outline J-Lead Package Выводы в виде буквы «J» 1.27
TSOP, вариант 2 Thin Small Outline Package Корпус c уменьшенной высотой над платой (не более 1.27 мм), выводы расположены вдоль длинной стороны корпуса 1.27
1.1.2. С уменьшенным шагом расположения выводов
TSOP, вариант 1 Тhin Small Outline Package Корпус с уменьшенной высотой над платой (не более 1.27 мм), выводы расположены вдоль короткой стороны корпуса 0.5
SSOP, SSOL Shrink Small Outline Package Kopпyc SOP c уменьшенным шагом расположения выводов 1.00 0. 80 0.65 0.50
TSSOP Thin Shrink Small Outline Package Корпус SSOP с уменьшенной высотой над платой (не более 1.27 мм). Стандартизован EIAJ, JEDEC 0.65 0.50
TVSOP Thin Very Small Outline Package Миниатюрный корпус SOP 0,10
uSOIC microSOIC Миниатюрный корпус SOIC 0.65
1.2. С выводами вдоль четырех сторон корпуса 1.2.1. Со стандартными размерами корпуса
QFP Quad Flat Package Выводы в виде крыла чайки вдоль четырех сторон корпуса 1.00 0.80 0. 65
PLCC Plastic Leaded Chip Carrier Кристаллоноситель с выводами в виде буквы Г. Стандартизован EIAJ, JEDEC 1.27 0.636

Продолжение таблицы 2.13 - Корпуса микросхем для поверхностного монтажа

Корпус Краткое описание Шаг Выво дов, мм Внешний вид корпуса
Тип Полное название
1.2.2. С уменьшенными размерами корпуса
LQFP, NQFP Low Profile (Thin) Quad Flat Package Корпус OFP с уменьшенной высотой над платой (не более 1.27 мм) 0.80 0.65
MQFP Metric Thin Quad Flat Package Корпус QFP с метрическим шагом выводов и уменьшенной высотой над платой 0.60
FQFP Fine Pitch Quad Flat Package Корпус OFP с малым шагом расположения выводов. Стандартизован EIAJ 0.40
1.3. С матрицей выводов на нижней поверхности корпуса
BGA Ball Grid Array Микросхема или многокристальный модуль на двухслойной печатной микроплате, снабжен массивом шариковых выводов 1.27, 1.00
CPS Chip Scale Package Корпус с размерами, незначительно превышающими размеры кристалла. Снабжен массивом шариковых выводов 1.00, 0.50
2. Корпус а для транзисторов и микросхем низкой степени интеграции 2.1. С низкой рассеиваемой мощностью
SOT-23 Small Outline Transistor Для диодов, транзисторов, микросхем с малым количеством выводов. SOT-23 выпускается также в варианте исполнения с пятью (SOT-5, SOT-23-5) или шестью (SOT-6,S0T-23-6) выводами 0.95
SOT-143 1.90
SOT-323 0.65
SOT-363 0.65
2.2. Со средней рассеиваемой мощностью
SOT-223 Small Outline Transistor Для транзисторов и микросхем с малым количеством выводов (DC/ DC преобразователей, стабилизаторов напряжения) 1.95
DPAC D-package 4.80
2.3. С высокой рассеиваемой мощностью
D 2 PAC D-package Для транзисторов и микросхем с повышенной рассеиваемой мощностью, высокий напряжением питания Как правило это приборы с импульсными токами до 100 А 2.54/ 5.08
D 3 PAC D-package 10.9

Для микросхем, имеющих регулярную структуру,
небольшую потребляемую мощность и малое количе
ство выводов (типичные представители подобных микросхем
– микросхемы памяти) начали развивать тех-
нологию изготовления многоуровневых («этажероч-
ных») модулей 3DМ. Согласно одному из вариантов
этой технологии каждый уровень выполняется анало
гично микросхеме BGA, кристалл устанавливается -
методом flip-chip и заливается слоем полимерного ком-
паунда. Затем микроплаты разных уровней собирают
в столбик, шариковые выводы припаивают для созда-
ния вертикальных соединительных проводников, платы
столбика скрепляют полимерным компаундом. Полу-
ченный модуль монтируют на плату с помощью -
шариковых выводов.

Корпуса семейства SOT первоначально были раз-
работаны для транзисторов и имели три вывода (за ис-
ключением SOT-363, который имел 6 выводов). Одна-
ко впоследствии изготовители начали применять эти
корпуса для микросхем, при необходимости увеличи-
вая количество выводов с сохранением прежних габа
ритов. В частности, выпускаются микросхемы в -
корпусах SOT-23 с пятью выводами и D2PAK – с четырьмя.

С точки зрения конструктора, разнообразие типо-
размеров корпусов незначительно усложняет процесс разработки печатных плат, если их размеры заданы в одной измерительной системе. И наоборот, процесс разработки усложняется, если на плате для части корпусов размеры заданы в дюймах, а для остальных – в
миллиметрах. Поэтому разработчику принципиальной электри
ческой схемы следует стремиться к выбору микросхем, размеры которых заданы в единой измерительной системе.

Тонкопленочные чип-резисторы .

В общем количестве электронных компонентов, используемых при производстве аппаратуры, пассивные составля
ют 70%, причем не менее 50 % из них приходится на резисторы.

Конструкция чип-резисторов показана на рисунке 2.41.

Основанием чип-резисторов служит керамическая
подложка на основе оксида алюминия, на которую наносится резистивный слой. Высокая точность вели
чины сопротивления достигается лазерной подгонкой. Электрический кон
такт с печатной платой обеспечивается трехслойной поверхностью, состоящей из внутреннего слоя выводов палладий- серебро, барьерного
слоя никеля и внешнего слоя выводов олово - свинец или олово. Вв
едение в конструкцию дополнительного
слоя никеля при пайке предотвращает миграцию се
ребра из внутреннего выводного слоя в припой.

На
защитное покрытие из боросиликатного стекла наносится несмываемая кодовая маркировка номинала. Благодаря высокому качеству и стабильности параметров, чип-резисторы являются оптимальным выбором для любой аппаратуры.

Основные характеристики тонкопленочных чип-резисторов приведены в таблице 2.14.

Таблица 2.14 - Характеристики чип-резисторов

Таблица 2.15 - Характеристики чип-конденсаторов

Керамические чип-конденсаторы .

Конденсаторы были первыми ЭК, которые стали выпускать в исполнении, рассчитанном для монтажа на поверхность. Это самый распространенный вид конденсаторов в настоящее время. При малых габаритах они обеспечивают реализацию широкой шкалы ёмкости и заданного температурного коэффициента. Простота технологии изготовления делает керамические конденсаторы массовых серий самым дешевым видом этих компонентов. Конструкция керамического чип-конденсатора приведена на рисунке 2.42.

Рисунок 2.41 - Конструкция чип-резистора

Рисунок 2.42 - Конструкция чип-конденсатора

Такие чип-конденсаторы обладают высокой механической прочностью и выдерживают высокие механические нагрузки, возникающие при изготовлении и эксплуатации. Электрический контакт с печатной платой обеспечивается так же, как и при монтаже чип-резисторов.

Основные преимущества керамических чип-конденсаторов:

Трехслойные контактные поверхности с барьерным слоем никеля;

Высококачественные диэлектрические материалы;

Стойкость ко всем видам пайки.

Основные характеристики керамических конденсаторов приведены в таблице 2.15.

Характеристики диэлектрических материалов:

NPO/SOG – ультрастабильная керамика. Имеет очень малые диэлектрические потери при изменениях температуры и близкие к нулю эффекты старения. Обладает низкой диэлектрической проницаемостью;

X7R – высокая диэлектрическая проницаемость. Средние значения потерь при изменениях температуры и эффектов старения;

Z54, Y5V – высокая диэлектрическая проницаемость.

Необходимо отметить, что развитие элементной базы для поверхностного монтажа характеризуется следующими особенностями:

Дальнейшим повышением степени интеграции полупроводниковых БИС, СБИС с расширением их функциональных возможностей;

Возрастающим разнообразием корпусов для поверхностного монтажа активных и пассивных компонентов;

Появлением для БИС и СБИС корпусов с особо малыми расстояниями между выводами или контактами, число которых возрастает, а также конструкций с использованием технологии flip-chip, безвыводных корпусов и с выводами на нижней стороне корпуса;

Разработкой и выпуском конструкций широкого ряда дискретных элементов (индуктивностей, трансформаторов, переключателей) для монтажа на поверхность КП.

Коммутационные платы

Переход от выводного монтажа к технологии поверхностного монтажа обеспечил уменьшение размеров КП. При этом размеры плат определяются характеристиками материалов, из которых они изготавливаются, так как в процессе пайки электронных компонентов одновременно происходит нагрев плат. Кроме того, необходимость уменьшения размеров плат связана с технологической оснасткой и оборудованием для монтажа и пайки.

Конструкция КП для поверхностного монтажа
должна обеспечивать повышенную плотность монта-
жа (в среднем более восьми компонентов на 1 см 2),
ширину проводящих дорожек и расстояний между ним-
и менее 0,2 мм, минимальную длину межсоединений,
отсутствие навесных перемычек, монтаж компонентов
с двух сторон, возможность более интенсивного теп-
лоотвода, полную автоматизацию сборки и монтажа компонентов, а также контроль качества сборки.

Применение современных компонентов для по-
верхностного монтажа требует особых подходов к
проектированию КП при выборе конфигурации и раз-
меров контактных площадок и соединительных про-
водников, а также допусков на изготовление КП. Следует подчеркнуть, что изготовители в документации на
пассивные и активные электронные компоненты обыч-
но приводят рекомендации по размерам и расположению контактных площадок, а также способу пайки с указанием температурно-временной характеристики процесса.

Для изготовления КП применяют различные органические и неорганические материалы. При этом совершенствуются известные технологические процес-
сы а также появляются новые, позволяющие -
существенно снизить производственные затраты и улучшить
качество КП: лазерное экспонирование рисунка
на шаблонах или самих КП, покрытых резистом; при-
менение неудаляемых резистов, сухих (например, тер-
момагнитных) резистов, способствующих повышению
производительности при получении рисунка
металлизации на КП.

При создании коммутационных проводников пре-
обладают аддитивная и полуаддитвная технологии, о
днако многие зарубежные фирмы используют и субт-
рактивную технологию, которая, как известно, требу-
ет применения фольгированных диэлектрических мате-
риалов, позволяющих получить минимальную ширину
дорожек 50-100 мкм.

Изготовление КП с повышенной плотностью монта-
жа поставило ряд задач, главными из которых являются:


согласование по температурному коэффициенту
расширения платы и монтируемых на ней электрон-
ных компонентов;

Обеспечение теплоотвода при повышенной рассеи-
ваемой мощности;

Оптимизации геометрии элементов коммутации с уче-
том специфики электронных компонентов, а также
свойств применяемых припоев, защитных и клеевых
материалов.

Развитие техники поверхностного монтажа способствовало
появлению новых технических пластмасс, керамических и раз-
личных композиционных материалов, необходимых для опреде-
ленных типов микросборок. При изготовлении простых и отно-
сительно дешевых сборок полностью пригодны традиционные
материалы, такие как слоистые бумажнофенольные и стеклоэпо-
ксидные материалы.

Но поистине вызовом,который бросает технология поверхностного монтажа компонентов (ТПМК) изготовителям
коммутационных плат, являются требования к точности их изготовления:
в ТПМК на всех этапах технологического цикла до
пуски для плат должны составлять от 0,001 до 0,002 дюйма
(0,0254 - 0,0508 мм).

В таблице 2.16 указаны факторы, обусловленные особенностями
ТПМК применительно к изготовлению коммутационных плат.
Они тесно связаны с компромиссом между плотностью монтажа
и эффективным использованием коммутационной платы, а имен-
но: более высокая степень использования плат может служить
как целям уменьшения размеров платы с тем же самым коли-
чеством коммутационных слоев, так и целям повышения функ-
циональной сложности изделий при сохранении размеров плат с одновременным увеличением числа слоев. В обоих случаях в
технологию изготовления плат должны вноситься изменения:
миниатюризация отверстий и коммутационных дорожек, а также
увеличение количества слоев коммутации требуют повышения
точности технологических процессов.

К этому времени уже были разработаны и освоены некоторые компоненты (резисторы, конденсаторы), которые использовались при изгтовлении ГИС и МСБ. Однако ТМП ужесточила требования по устойчивости к воздействию климатических факторов, поскольку чип-резисторы и конденсаторы для ГИС и МСБ изготавливались в незащищённом исполнении для применения внутри корпусов ГИС.

В настоящее время разработана обширная номенклатура компонентов для ТМП, включающая резисторы, конденсаторы (в том числе переменные), катушки индуктивности, микротрансформаторы, реле, кварцевые резонаторы, диоды, транзисторы, микросхемы, микропереключатели и др. Данные компоненты имеют несколько разновидностей корпусов: безвыводные с облуженными торцами, с укороченными выводами типа крыла чайки или J-образными, цилиндрические корпуса с металлизированными торцами. Рассмотрим эти корпуса подробнее.

Чип-корпус - безвыводный корпус прямоугольной формы для про­стых пассивных компонентов типа резисторов, перемычек и конденса­торов (рисунок 2.1) .

Рисунок 2.1 - Корпуса простых чип-компонентов

Чип-резисторы и чип-конденсаторы изготавливаются по групповой технологии на подложках большого размера (обычно 60x48 мм), затем после скрайбирования подложка разламывается на отдельные части (английское слово chip означает осколок). После разламывания на тор­цы чип-компонента наносится многослойная металлизация (толстопле­ночный проводник - барьерный слой никеля - слой припоя) с трех или пяти сторон для каждого торца (последний вариант применяется для высоконадежных компонентов). При изготовлении чип-резисторов обычно применяется толстоплёночная технология. Типовая конструк­ция толстопленочного чип-резистора приведена на рисунке 2.2. Рези­стор состоит из керамического основания (подложка из А1 2 О 3), резистивного слоя (окись рутения), внутреннего контактного слоя (палла­дий-серебро), промежуточного барьерного слоя из никеля, внешнего контактного слоя (сплав олово-свинец). Тело резистора защищается по­крытием из боросиликатного стекла с нанесением несмываемой кодо­вой маркировки номинала.

Рисунок 2.2 - Конструкция толстопленочного чип-резистора

Маркировка резисторов состоит из трёх цифр для простых и четырёх цифр для высокоточных резисторов, причём последняя цифра означает количество нулей, которые необходимо дописать справа к номиналу в Ом. Например: 160-16 Ом, 472-4,7 кОм, 112-1,1 кОм, 106 - 10 МОм, 2741 - 2,74 кОм. Маркировка низкоомных резисторов содержит букву «R», например, 4R7 - 4,7 Ом, 54R9 - 54,9 Ом.

Чип-перемычки, сопротивление которых не должно превышать 0,05 Ом, имеют маркировку 000.

Маркировка конденсаторов обычно наносится на упаковочную тару. Условное обозначение ёмкости: первые две цифры указывают номинал в пикофарадах, третья цифра - количество добавляемых справа нулей. Например: 105 - 1 мкФ, 153 - 0,015 мкФ.

Электролитические конденсаторы, имеющие достаточно большую поверхность, могут содержать кодированное обозначение рабочего на­пряжения и величины емкости. Возможно несколько вариантов коди­ровки:

а) код содержит два или три знака (буквы или цифры). Буквы обо­значают напряжение и емкость, а цифра указывает множитель

Перед буквами может ставиться цифра, указывающая на диапазон рабочих напряжений:

б) код содержит четыре знака (буквы и цифры), обозначающие но­минальную емкость и рабочее напряжение. Первая буква обозначает напряжение, две последующие цифры - емкость в пФ, последняя цифра количество нулей. Например: Е475 - конденсатор емкостью 4,7 мкФ с рабочим напряжением до 25 В. Иногда емкость может указываться с использованием буквы ц: Е4ц7 - обозначение конденсатора, соответст­вующее вышеприведенному примеру.

В общем случае чип-компонент может быть охарактеризован разме­рами L (длина), В (ширина), Н (высота), D или / (ширина контактной площадки) как это показано на рисунке 2.3. Размеры чип-резисторов зависят от рассеиваемой мощности, а размеры чип-конденсаторов - от номинальной емкости и рабочего напряжения.

Форма и размеры корпусов стандартизованы международными и национальными стандартами (МЭК115, МЭК384). В этих стандартах используется система обозначения конструктива КМП в виде двух пар чисел, которые характеризуют длину и ширину корпуса в сотых долях дюйма (типоразмеры от 0101 (0,25x0,25 мм) до 2225 (5,7x6,3 мм). Сопоставительные размеры некоторых типоразмеров резисторов по сравнению со спичечной головкой на фоне сетки 1,27 мм приведены на рисунке 2.4.

Некоторые фирмы обозначения типоразмера корпуса приводят в мм: 1005 - (1,0x0,5) мм, что соответствует вышеприведенному обозначению корпуса 0402; 3216 - (3,2x1,6) мм - соответствует обозначению 1206.

Отечественной промышленностью выпускаются чип-резисторы об­щего применения Р1-12, прецизионные Р1-16, наборы резисторов HP1-29, чип-перемычки Р1-23 . Чип-перемычки используются для обеспече­ния переходов через проводники при разработке топологии. Выпуска­ются с габаритными размерами 3,2x1,6x0,6 мм (1206) и имеют сопротивление не более 0,05 Ом.

Чип-конденсаторы для монтажа на поверхность представлены мно­гослойными керамическими (К10-9М, К10-17-4в, К10-42, К10-43, К10-47, К10-50в, К10-56, К10-57, К10-60в, К10-69, К10-73-6в), танталовы­ми оксидно-полупроводниковыми (К53-25, К53-36, К53-37) и алюми­ниевыми оксидно-полупроводниковыми К53-40.

Корпус типа MELF (Metal Electrode Face Bonded) - цилиндрический корпус с вмонтированными электродами в виде металлизированных торцов (рисунок 2.5). Предназначен для диодов, резисторов, конденса­торов, катушек индуктивности. Диаметр корпуса находится в пределах от 1,25 мм до 2,2 мм, длина - от 2 до 5,9 мм.

MELF-корпус имеет низкую стоимость, однако монтаж его затруд­нён. Получил широкое распространение в Японии в начале развития ТМП. Примерами отечественных компонентов в подобных корпусах являются резисторы Pl-11, P1-30.

Малогабаритный диодный корпус SOD (Small Outline Diode) - пла­стмассовый корпус с двумя выводами типа «крыло чайки» (рисунок 2.6). Предназначен для диодов, светодиодов, варикапов. Наиболее рас­пространенным является корпус SOD-80, отечественным аналогом ко­торого является корпус КД-34 по ГОСТ 18472-88.

Рисунок 2.5 - Корпус типа MELF Рисунок 2.6 - Корпус типа SOD

Малогабаритный транзисторный корпус SOT (Small Outline Transis­tor) имеет от 3 до 6 выводов (рисунок 2.7).

Рисунок 2.7 - Корпуса типа SOT

Корпус имеет пластмассовую оболочку и укороченные выводы типа «крыла чайки». Помимо транзисторов, в него могут монтироваться дио­ды, варикапы, усилители. Является первым корпусом для поверхност­ного монтажа, программа разработки которого была реализована фир­мой Siemens более 25 лет назад. Наиболее распространённый корпус SOT-23 имеет размеры 2,9x1,3x1,1 мм.

Дальнейшим развитием корпусов данного типа являются корпуса SOT-89, SOT-143, S-mini, SS-mini. Последующие разработки характери­зуются уменьшением расстояния между выводами до величины 0,65 -0,5 мм, что позволило уменьшить габариты корпуса до размеров 1,6x1,6x0,75 мм. Отечественные корпуса подобного типа представлены корпусами КТ-46 (SOT-23), KT-47 (SOT-89), KT-48 (SOT-143). Ос­новные геометрические размеры корпусов показаны на рисунке 2.8.

SOT-23 (КТ-46)

SOT-89 (KT-47)

Рисунок 2.8 - Габаритные размеры корпусов типа SOT

Малогабаритные корпуса для микросхем могут быть объединены в несколько групп в зависимости от формы выводов (вывод в форме кры­ла чайки, J-образный), их расположением по двум или четырем сторо­нам корпуса, материала корпуса (пластмассовый или керамический):

- корпуса типа SOIC (Small Outline Integrated Circuit) u SOP (Small Outline Packages) с двусторонним расположением выводов в форме крыла чайки (рисунок 2.9а, 2.9.6). Шаг расположения выводов у этого типа корпусов 1,27 мм, количество выводов - от 6 до 42. Дальнейшим развитием корпусов подобного типа явилось создание корпуса SSOIC (Shrink Small Outline Integrated Circuit) с уменьшенным до 0,635 мм рас­стоянием между выводами при максимальном их количестве 64 (рису­нок 2.9в) и корпуса TSOP (Thin Small Outline Packages) с уменьшенной до 1,27 мм высотой корпуса (рисунок 2.8г) и уменьшенным до 0,3 - 0,4 мм расстоянием между выводами;

- корпуса типа SOJ (Small Outline with «J» leads) с двусторонним рас­положением выводов J-образной формы, загнутых под корпус (рисунок 2.10). Шаг расположения выводов - 1,27 мм, общее их количество - от 14 до 28.

Рисунок 2.9 - Разновидности корпусов микросхем с двусторонним расположением выводов в форме крыла чайки: а-корпус типа SOIC; б-корпус типа SOP; в - корпус типа SSOIC; г - корпус типа TSOP

Рисунок 2.10 - Корпус микросхемы с J-образными выводами: а - общий вид корпуса; б - конструкция выводов

- корпуса типа QFP (Quad Flat Pack) и SQFP (Shrink Quad Flat Pack), имеющие выводы в форме «крыла чайки», равномерно распределенные по четырем сторонам (рисунок 2.11 а). Существует также разновидность корпуса в форме прямоугольника - SQFP-R (рисунок 2.11 б). Шаг рас­положения выводов достаточно мал - всего 0,3 - 0,5 мм, что позволяет создавать корпуса с общим количеством выводов до 440;

Рисунок 2.11 - Разновидности корпусов микросхем с четырех­сторонним расположением выводов в форме крыла чайки: а - корпус типа QFP и SQFP; б-корпус типа SQFP-R

- корпуса типа PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) - квадратный пла­стмассовый кристаллоноситель с J-выводами (рисунок 2.12а) и типа PLCC - R (Plastic Leaded Chip Carrier Rectangular) - прямоугольный пла­стмассовый кристаллоноситель с J-выводами (рисунок 2.126). Корпуса подобного вида имеют значительный по современным меркам шаг рас­положения выводов - 1, 27 мм и в связи с этим большие геометрические размеры. Количество выводов квадратного корпуса - от 20 до 124, у прямоугольного - от 18 до 32;

Рисунок 2.12 - Корпус микросхемы с J-образными выводами

и четырехсторонним расположением выводов:

а-квадратный PLCC; б-прямоугольный PLCC-R

- корпуса типа LCCC (Leadless Ceramic Chip Carrier) - безвыводный керамический кристаллоноситель (рисунок 2.13). На боковых поверхно­стях такого корпуса имеются спе­циальные металлизированные углубле­ния, расположенные с шагом 1,27 мм, которые служат для образования элек­трического соединения с контактными площадками платы при пайке узла дозированным припоем.

Рисунок 2.13- Корпус типа LCCC

Отечественным аналогом корпусов типа SOIC являются корпуса подтипа 43 по ГОСТ 17467-88. Габаритные чертежи и размеры этих корпусов приведены на рисунке 2.14 и в таблице 2.1.

Рисунок 2.14- Габаритные размеры корпусов подтипа 43

Таблица 2.1 - Габаритные размеры корпусов подтипа 43 в миллиметрах

Шифр типо­размера

Число выводов

Отечественным аналогом корпусов типа QFP являются корпуса под­типа 44 по ГОСТ 17467-88. Габаритные чертежи и размеры этих корпу­сов приведены на рисунке 2.15 и в таблице 2.2.

Мировая электронная промышленность около 90% всех ТМП ИС выпускает в пластмассовых корпусах и только 10% в керамических. Керамические корпуса обладают существенно более высокими эксплуа­тационными показателями. Так, температурный диапазон работы мик­росхем в керамических корпусах составляет от -55 до +125°С, а в пластмассовых - от -10 до +85°С. Однако керамические корпуса имеют большую массу и стоимость, поэтому они используются, как правило, в наиболее ответственных случаях.

Рисунок 2.15 - Габаритные размеры корпусов подтипа 44

Таблица 2.2 - Габаритные размеры корпусов подтипа 44

Шифр типоразмера

Число выводов

Нестандартные корпуса для компонентов неправильной формы, на­пример, переключателей, плавких предохранителей, индуктивностей, электролитических конденсаторов, переменных резисторов представле­ны на рисунке 2.16.

Рисунок 2.16- Нестандартные корпуса для КМП

Отечественной промышленностью выпускаются подстроечные рези­сторы в ТМП исполнении следующих типов: РП1-75, РП1-82, РП1-83, РП1-98 . Резисторы имеют диапазон сопротивлений от 10 Ом до 3,3 МОм, допускают мощность рассеяния 0,25 Вт. Габаритные раз­меры не превышают 4,5x4,5x3,5 мм.

В настоящее время по всему миру выпускается невероятное количество микросхем со всевозможными функциями. Насчитывается десятки тысяч различных микросхем от десятков производителей. Но очевидно, что требуется определенная стандартизация корпусов микросхем для того, чтобы разработчики могли удобно их применять для изготовления печатных плат, устанавливаемых в конечных электронных устройствах (телевизоры, магнитофоны, компьютеры и т. д.). Поэтому со временем сформировались формфакторы микросхем, под которые подстраиваются все мировые производители. Все их описать проблематично, да в этом и нет необходимости, поскольку некоторые из них предназначены для специфических задач, с которыми вы можете никогда не столкнуться.

Поэтому ниже приведены только самые распространенные и популярные из известных типов корпусов, которые вы можете встретить в магазинах и использовать в своих проектах.

Аббревиатура DIP расшифровывается как Dual In-line Package, что в переводе означает «пакет из двух линий» Данный тип имеет прямоугольную форму с двумя рядами контактов (ножек), направленных вниз по длинным сторонам корпуса.
Появился такой корпус в 1965 году и стал стандартом для одних из первых промышленно выпускаемых микросхем. Наибольшей популярностью в электронной промышленности пользовался в 1970-х и 1980-х годах. Корпус хорошо подходит для автоматизированной сборки и для установки в макетную плату.

Расстояние между осями соседних ножек по одной стороне - 2,54 мм, что соответствует шагу контактов макетной платы. Поэтому в конструкторах «Эвольвектор» используется именно этот тип микросхем. К настоящему моменту он считается устаревшим. В промышленности для изготовления печатных плат его постепенно вытеснили корпуса, предназначенные для поверхностного монтажа, - например типы PLCC и SOIC.

SOIC - расшифровывается как Small-Outline Integrated Circuit — интегральная схема с малым внешним контуром. Микросхемы с таким типом корпуса предназначены только для поверхностного монтажа на печатную плату и обладают действительно гораздо меньшими размерами по сравнению с типом корпуса DIP. Корпус такого типа имеет форму прямоугольника с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Расстояние между ножками составляет 1,27 мм, высота корпуса в 3 раза меньше, чем у корпуса DIP и не превышает 1,75 мм. Микросхемы в корпусе SOIC занимают на 30-50 % меньше площади печатной платы, чем их аналоги в корпусе DIP, благодаря чему имеют широкое распространение и в настоящее время. На концах ножек есть загибы для удобного припаивания к поверхности платы. Установка такого типа микросхем в макетную плату для быстрого прототипирования устройств невозможна.

Обычно нумерация выводов одинаковых микросхем в корпусах DIP и SOIC совпадает. Для обозначения данного типа микросхем может использоваться не только сокращение SOIC, но и буквы SO с указанием после них числа выводов. Например, если микросхема имеет 16 выводов, то может обозначаться SOIC-16 или SO-16.

Корпуса могут иметь различную ширину. Самые распространенные размеры 0,15; 0,208 и 0,3 дюйма. Возможно использование данных микросхем в дополнительных наборах «Эвольвектор» для изучения пайки.

PLCC - расшифровывает как Plastic Leaded Chip Carrier -пластиковый освинцованный держатель чипа. Тип представляет собой квадратный корпус с расположенными по четырем сторонам контактами. Расстояние между контактами - 1,27 мм. Такой корпус предназначен для установки в специальную панель. Как и DIP корпус, в настоящее время распространен не очень широко. Может использоваться для производства микросхем флэш-памяти, используемых в качестве микросхем BIOS на системных платах в персональных компьютерах или других вычислительных системах.

ТО-92 - расшифровывается как Transistor Outline Package, Case Style 92 — как корпус для транзисторов с модификацией под цифровым обозначением 92. Как следует из названия, этот тип корпуса применяется для транзисторов. В нем изготавливаются маломощные транзисторы и другие электронные полупроводниковые компоненты с тремя выводами, в том числе и простые микросхемы, такие как интегральный стабилизатор напряжения. Корпус имеет малый размер, в чем можно убедиться, взяв в руки биполярный транзистор из конструктора «Эвольвектор» . Фактически корпус — это две склеенные между собой пластиковые половинки, между которыми заключен полупроводниковый компонент на пленке. С одной стороны корпуса есть плоская часть, на которую наносится маркировка.

Из корпуса выходят три вывода (ножки), расстояние между которыми может составлять от 1,15 до 1,39 мм. Компоненты, произведенные в таком корпусе, могут пропускать через себя ток до 5 А и напряжения до 600 В, но из-за малого размера и отсутствия теплорассеивающего элемента рассчитаны на незначительную мощность до 0,6 Вт.

Данный тип корпуса является родственником ТО-92. Отличие заключается в дизайне, ориентированном на компоненты и микросхемы более высокой мощности, чем предусматривает формфактор ТО-92. Корпус ТО-220 также предназначен для транзисторов, интегральных стабилизаторов напряжения или выпрямителей. Корпус ТО-220 рассчитан уже на мощность до 50 Вт благодаря наличию металлической теплоотводящей пластины (называется основанием), к которой припаивается кристалл полупроводникового прибора, выводы и герметичный пластиковый корпус.

Обычный «транзисторный» ТО-220 имеет три вывода, однако бывают и модификации с двумя, четырьмя, пятью и бОльшим количеством выводов. Расстояние между осями выводов составляет 2,54 мм. В основании имеется отверстие ∅4,2 мм для крепления дополнительных охлаждающих радиаторов. В силу улучшенных теплоотводящих свойств электронные компоненты в данном корпусе могут пропускать через себя токи до 70 А.

Аббревиатура TSSOP расшифровывается как Thin Scale Small-Outline Package — тонкий малогабаритный корпус. Такой тип корпуса используется исключительно для поверхностного монтажа на печатные платы. Обладает совсем маленькой толщиной, не более 1,1 мм, и очень маленьким расстоянием между выводами микросхемы — 0,65 мм.

Данные корпуса применяются для изготовления микросхем оперативной памяти персональных компьютеров, а также для чипов флеш-памяти. Несмотря на свою компактность, во многих современных устройствах вытеснены более компактными корпусами типа BGA по причине постоянного повышения требований к плотности расположения компонентов.

Аббревиатура QFP расшифровывается как Quad Flat Package — квадратный плоский корпус. Класс корпусов микросхем QFP представляет собой семейство корпусов, имеющих планарные выводы, которые равномерно расположены по всем четырём сторонам. Микросхемы в таких корпусах предназначены только для поверхностного монтажа. Это самый популярный на сегодняшний день тип корпуса для производства различных чипсетов, микроконтроллеров и процессоров. В этом вы сможете убедиться, когда перейдете ко 2-му и 3-му уровню конструкторов «Эвольвектор» . Контроллеры и одноплатные компьютеры указанных конструкторов оснащены процессорами и микроконтроллерами как раз в таких корпусах.

У класса QFP существует множество подклассов:

. BQFP : от англ. Bumpered Quad Flat Package
. CQFP : от англ. Ceramic Quad Flat Package
. HQFP : от англ. Heat sinked Quad Flat Package
. LQFP : от англ. Low Profile Quad Flat Package
. SQFP : от англ. Small Quad Flat Package
. TQFP : от англ. Thin Quad Flat Package
. VQFP : от англ. Very small Quad Flat Package

Но независимо от подкласса принцип «квадратности» и равномерного распределения контактов сохраняется. Отличаются разновидности только материалом, способностью к теплоотведению и конфигурацией корпуса, а также размерами и расстоянием между выходами. Оно составляет от 0,4 до 1,0 мм. Количество выводов у микросхем в корпусе QFP обычно не превышает 200.

Требования к SMD монтажу PCb

Технологические возможности и факторы, влияющие на ценообразования автоматического монтажа печатных плат.


I. Технологические возможности поверхностного монтажа SMDкомпонентов

  1. Габаритные размеры SMD компонентов
    • Максимальная высота компонента: 25 мм.
    • Минимальный размер чип компонента: «01005».
    • Максимальный размер компонента: без электроверификатора (проверки электрических параметров) –156 × 26 × 6 мм; с электроверификатором – 56 × 56 × 40мм.
    • Вес: до 80г.
    • Для разъемов: 45х100 мм.
    • Минимальный шаг выводов: 0,25 мм.
  2. Пайка всех SMD компонентов производится в конвекционной печи при температуре 225 – 275°С (температура плавления свинцовой паяльной пасты ниже, чем у без свинцовой – это необходимо учитывать при выборе материала печатной платы и компонентов).
  3. Размеры печатной платы
    • Минимальный размер печатной платы: ширина – 30мм, длина – 30мм
    • Минимальный рекомендуемый размер печатной платы: ширина – 50мм, длина – 80мм;
    • Максимальный размер печатной платы, заготовки (с технологическим полем) – 508 × 384мм.
    • Толщина печатной платы от 0,5 до 4,0 мм.
    • Максимальный вес платы– 5кг.
  4. Рекомендованное расстояние от компонентов до края печатной платы – 10мм. Минимальное расстояние от компонентов до края печатной платы – 5 мм.

II. Техническая документация, необходимая для расчета стоимости и сроков выполнения автоматического монтажа

  1. Форматы файлов проекта: PCAD 4.5; PCAD 2000 – 2006, Gerber.
  2. Файл заказа должен содержать точки обозначающие центра компонентов (PickandPlace).
  3. Конструкторскую документацию:
    • сборочный чертеж, с информацией об установке компонентов, с графическим и позиционным обозначением компонентов, с обозначением ключей у компонентов с полярностью.
    • спецификацию с указанием позиционного обозначения, наименования, номинала, типа корпуса и количества компонентов.

III. Основные требования, предъявляемые к печатным платам при автоматическом монтаже

  1. При проектировании печатных плат учитывать требования стандарта IPC-7351А: «Стандарт: общие требования по конструированию контактных площадок и печатных плат с применением технологии поверхностного монтажа»
  2. На контактных площадках не должно быть переходных отверстий.
  3. Промежутки между контактными площадками компонентов с шагом 0,5 мм. необходимо перекрывать маской
  4. SMDкомпоненты, предназначенные для автоматического монтажа, в файле заказа, должны иметь в центре корпуса точку «PickandPlace».
  5. По диагональным углам платы расположить реперные точки (2÷3 шт.). Минимальное расстояние от реперной точки до края платы – 5 мм
  6. Для компонентов с шагом 0,5 и меньше предусмотреть локальные реперные точки.
  7. Вокруг реперной точки должна бать запрещенная зона для проводников, компонентов, защитной маски в виде круга диаметром в два раза больше самой точки. Обычно диаметр реперной точки – 1 мм.
  8. На каждой печатной платы должны быть реперные знаки. Расстояние от реперного знака до края печатной платы (технологического поля) должно быть не менее 5 мм.
  9. Одиночные платы малых размеров необходимо объединять в мультиплицированную заготовку, разделив их методом скрайбирования. Заготовки должны быть одного размера с технологическими полями не менее 10мм.
  10. При проектировании печатной платы следует стремиться к тому, чтобы располагать тяжелые компоненты с одной стороны печатной платы, для исключения операции приклеивания компонентов.
  11. SMDкомпоненты с шагом 0,5 мм и менее требуется располагать не ближе 20 мм от края сторон печатной платы или заготовки.

IV. Требования, предъявляемые к комплектации на автоматический монтаж печатных плат

  1. Упаковка SMDкомпонентов
    • Все компоненты должны быть в заводской упаковке с указанием типа, номинала и корпуса.
    • Упаковка не должна быть механически поврежденной.
    • Поставка комплектации на автоматический монтаж «россыпью» не допускается.
    • Для полярных компонентов, обязательна одинаковая ориентация ключа.
    • SMDкомпоненты, поставляемые в лентах должны поставляться в катушках и иметь свободный от компонентов участок: Для ленты шириной 8 мм – 30 мм; Для ленты, шириной более 8 мм – 60мм.
    • Перфорация ленты должна быть левосторонней.
  2. Компоненты чувствительные к влаге
    • Чувствительные к воздействию влаги компоненты должны поставляться в герметичной упаковке, содержащей заводские индикаторы влажности и пакеты с влагопоглотителем.
    • При вскрытии заводской упаковки компонентов данного класса, необходимо указать время пребывания компонентов в разгерметизированном виде.
  3. Компоненты, чувствительные к статическому электричеству ESD (Electro Static Discharge)
    • Должны поставляться в антистатической упаковке со знаком, предупреждающим о том, что данный компонент чувствителен к ESD.
  4. Компоненты с повреждениями
    • Не допускается поставка компонентов с деформированными или окисленными выводами; с поврежденным корпусом или со стертой маркировкой на корпусе.
  5. Технологический запас компонентов
    • Комплектация, состоящая из пассивных компонентов и компонентов в корпусах типа SOT23, SOD80 и аналогичных размеров, должна поставляться с технологическим запасом:
      • Лента до 200шт – 20шт
      • Лента до 1500шт – 3%
      • Лента от 1500шт – 2%

V. Невыполнение требований п. I-IV ведет к:

  1. Росту цены на автоматический монтаж, увеличению срока выполнения заказа, а в некоторых случаях применению ручного монтажа печатных плат.
  2. Возможность выполнения заказа с нарушением указанных требований ведет к увеличению цены и обсуждается индивидуально в каждом конкретном случае.

После ознакомления с данным документом заполните и отправьте форму обратной связи.

Распиновка смд транзисторов. Маркировка SMD. Руководство для практиков. Удобство такого транзистора заключается не только в его размере, но и то, что в большинстве случаев цоколёвка таких элементов одинакова

Привет друзья и читатели сайта "РАДИОСХЕМЫ", продолжаем вместе с вами знакомиться с современными . Сегодняшний обзор - обзор SMD транзисторов, которые вы наверно уже видели в современных различных электронных устройствах.

Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон (плата которого полностью из SMD деталей), если бы там использовали обычные выводные DIP детали.

Выше фото SMD транзистора на фоне обычного, в TO 92.

Это фото различных СМД транзисторов, справа - обычный в TO92. Как правило, цоколёвка всех таких транзисторов одинакова - это тоже огромный плюс.

Название различных корпусов, DIP и SMD. Фото можно увеличить.

Как сделаны планарные транзисторы, вы можете увидеть ниже.

У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные (Дарлингтон), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

Обратите внимание, на платах и схемах транзисторы маркируются "Q" и "VT" (так должно быть, хотя некоторые производители брезгуют этим), зачем я это пишу? Часто в один и тот-же корпус, изготовитель может впихнуть всё, что ему хочется - от диода и до линейного стабилизатора напряжения (78хх), даже различных датчиков. Ещё существует внутренняя маркеровка завода, к примеру детали фирмы Epcos. На такие детали очень трудно найти даташит, а иногда его вовсе нет в интернете.

Пайка

Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек - микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте).

Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.

Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать:)

Припаиваем оставшиеся "ножки" радиоэлемента.

И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов - на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS .

Обсудить статью SMD ТРАНЗИСТОРЫ

Сегодня мы поговорим о
SMD компонентах , которые появились благодаря прогрессу в области радиоэлектронике и немного затронем такой радиоэлемент, как .
Surface Mounted Device или SMD переводится так – устройства поверхностного монтажа, т.е. вид радиокомпонентов, которые впаиваются со стороны дорожек и контактных площадок сразу на плату.

В современной электронике сложно найти схему, в которой бы не применялись
smd компоненты . По параметрам большинство smd деталей ничем не отличаются от обычных, кроме размера и веса. Благодаря своей компактности появилась возможность создавать сложные электронные устройства малых размеров, ну например сотовый телефон.

Удобство такого транзистора заключается не только в его размере, но и то, что в большинстве случаев цоколёвка таких элементов одинакова.

Ниже показана конструкция этих планарных транзисторов

Как и у обычных, у планарных транзисторов так же имеется множество видов: полевые, составные (дарлингтон), IGBT (биполярные, с изолированным затвором), биполярные.
  1. Введение
  2. Корпуса SMD компонентов
  3. Типоразмеры SMD компонентов
    • SMD резисторы
    • SMD конденсаторы
    • SMD катушки и дроссели
  4. SMD транзисторы
  5. Маркировка SMD компонентов
  6. Пайка SMD компонентов

Введение

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются "SMD". По-русски это значит "компоненты поверхностного монтажа". Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово "запекают" и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся.

Для тех, кто впервые столкнулся с SMD-компонентами естественным является смятение. Как разобраться в их многообразии: где резистор, а где конденсатор или транзистор, каких они бывают размеров, какие корпуса smd-деталей существуют? На все эти вопросы ты найдешь ответы ниже. Читай, пригодится!

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2) , WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2) , SOD882D (DFN1106D-2) , SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3) , SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252) , D2PAK (TO-263) , D3PAK (TO-268)
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6) , SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8) , SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9) , WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10) , SOT1158 (DFN2512-12) , SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32) , SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять .

Типы корпусов SMD по названиям

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам
LQFP низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFP пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам
CQFP керамический QFP >4, в четыре линии по бокам
TQFP тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. М ассив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы, чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки -- это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.


Типоразмеры SMD-компонентов

Чип-компоненты одного номинала могут иметь разные габариты. Габариты SMD-компонента определяются по его "типоразмеру". Например, чип-резисторы имеют типоразмеры от "0201" до "2512". Этими четырьмя цифрами закодированы ширина и длина чип-резистора в дюймах. Ниже в таблицах можно посмотреть типоразмеры в миллиметрах.

smd резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) H, мм (дюйм) A, мм Вт
0201 0.6 (0.02) 0.3 (0.01) 0.23 (0.01) 0.13 1/20
0402 1.0 (0.04) 0.5 (0.01) 0.35 (0.014) 0.25 1/16
0603 1.6 (0.06) 0.8 (0.03) 0.45 (0.018) 0.3 1/10
0805 2.0 (0.08) 1.2 (0.05) 0.4 (0.018) 0.4 1/8
1206 3.2 (0.12) 1.6 (0.06) 0.5 (0.022) 0.5 1/4
1210 5.0 (0.12) 2.5 (0.10) 0.55 (0.022) 0.5 1/2
1218 5.0 (0.12) 2.5 (0.18) 0.55 (0.022) 0.5 1
2010 5.0 (0.20) 2.5 (0.10) 0.55 (0.024) 0.5 3/4
2512 6.35 (0.25) 3.2 (0.12) 0.55 (0.024) 0.5 1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Типоразмер Ø, мм (дюйм) L, мм (дюйм) Вт
0102 1.1 (0.01) 2.2 (0.02) 1/4
0204 1.4 (0.02) 3.6 (0.04) 1/2
0207 2.2 (0.02) 5.8 (0.07) 1

smd конденсаторы

Керамические чип-конденсаторы совпадают по типоразмеру с чип-резисторами, а вот танталовые чип-конденсаторы имеют своют систему типоразмеров:

Танталовые конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) T, мм (дюйм) B, мм A, мм
A 3.2 (0.126) 1.6 (0.063) 1.6 (0.063) 1.2 0.8
B 3.5 (0.138) 2.8 (0.110) 1.9 (0.075) 2.2 0.8
C 6.0 (0.236) 3.2 (0.126) 2.5 (0.098) 2.2 1.3
D 7.3 (0.287) 4.3 (0.170) 2.8 (0.110) 2.4 1.3
E 7.3 (0.287) 4.3 (0.170) 4.0 (0.158) 2.4 1.2

smd катушки индуктивности и дроссели

Индуктивности встречаются во множестве видов корпусов, но корпуса подчиняются все тому же закону типоразмеров. Это облегачает автоматический монтаж. Да и нам, радиолюбителям, позволяет легче ориентироваться.

Всякие катушки, дроссели и трансформаторы называются "моточные изделия". Обычно мы их мотаем сами, но иногда можно и прикупить готовые изделия. Тем более, если требуются SMD варианты, которые выпускаются со множестом бонусов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.

Подбирать требующуюся катушку лучше по каталогам и требуемому типоразмеру. Типоразмеры, как и для чип-резисторов задаются спомощью кода из четырех чисел (0805). При этом "08" обозначает длину, а "05" ширину в дюймах. Реальный размер такого SMD-компонента будет 0.08х0.05 дюйма.

smd диоды и стабилитроны

Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелипипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего предсавтлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Типоразмеры у них задаются также как у катушек, резисторов, конденсаторов.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип корпуса L* (мм) D* (мм) F* (мм) S* (мм) Примечание
DO-213AA (SOD80) 3.5 1.65 048 0.03 JEDEC
DO-213AB (MELF) 5.0 2.52 0.48 0.03 JEDEC
DO-213AC 3.45 1.4 0.42 - JEDEC
ERD03LL 1.6 1.0 0.2 0.05 PANASONIC
ER021L 2.0 1.25 0.3 0.07 PANASONIC
ERSM 5.9 2.2 0.6 0.15 PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF 5.0 2.5 0.5 0.1 CENTS
SOD80 (miniMELF) 3.5 1.6 0.3 0.075 PHILIPS
SOD80C 3.6 1.52 0.3 0.075 PHILIPS
SOD87 3.5 2.05 0.3 0.075 PHILIPS

smd транзисторы

Транзисторы для поверхностного монтажа могут быть также малой, средней и большой мощности. Они также имеют соответствующие корпуса. Корпуса транзисторов можно условно разбить на две группы: SOT, DPAK.

Хочу обратить внимание, что в таких корпусах могут быть также сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы. Например, диодные сборки.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Пайка чип-компонентов

В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

SMD / SMT Component Packages: размеры, габариты - ТОМСОН ЭЛЕКТРОНИКС

Технология поверхностного монтажа, компоненты SMT поставляются в различных упаковках. Используются несколько распространенных размеров, что позволяет настраивать производственные машины для захвата и размещения в соответствии с этими размерами.

Наблюдается растущая тенденция к уменьшению размеров упаковки большинства компонентов. Это стало результатом общего усовершенствования технологии и более низкого напряжения питания для микропроцессоров и многих цифровых ИС, опять же в результате развития технологий.

Кроме того, существует множество различных пакетов SMT для интегральных схем в зависимости от требуемого уровня взаимодействия, используемой технологии и множества других факторов.

Стандарты пакетов JEDEC SMT

Отраслевые стандарты используются для обеспечения высокой степени соответствия во всей отрасли. Соответственно, размеры большинства компонентов SMT соответствуют отраслевым стандартам, таким как спецификации JEDEC. Очевидно, что для разных типов компонентов используются разные SMT-пакеты, но наличие стандартов позволяет упростить такие действия, как проектирование печатных плат, поскольку можно подготовить и использовать стандартные размеры контактных площадок и их контуры.

Кроме того, использование пакетов стандартного размера упрощает производство, поскольку машины для захвата и размещения могут использовать стандартную подачу для компонентов SMT, что значительно упрощает производственный процесс и снижает затраты.

Различные пакеты SMT можно разделить на категории по типу компонентов, и для каждого из них есть стандартные пакеты.

Пассивные прямоугольные компоненты

Пассивные устройства для поверхностного монтажа в основном состоят из резисторов и конденсаторов.Есть несколько различных стандартных размеров, которые были уменьшены, поскольку технология позволила производить и использовать более мелкие компоненты

Видно, что названия размеров устройств основаны на их размерах в дюймах.

Из этих типоразмеров размеры 1812 и 1206 теперь используются только для специализированных компонентов или компонентов, требующих большего уровня рассеиваемой мощности. Типоразмеры 0603 и 0402 SMT являются наиболее широко используемыми.

Примечание по конденсаторам для поверхностного монтажа:

Малые конденсаторы для поверхностного монтажа используются миллиардами во всех формах массового производства электронного оборудования.Конденсаторы для поверхностного монтажа обычно представляют собой небольшие прямоугольные кубоиды, размеры которых обычно производятся в соответствии с размерами промышленных стандартов. Конденсаторы SMCD могут использовать различные технологии, включая многослойную керамику, тантал, электролитические и некоторые другие, менее широко используемые разновидности.

Примечание о резисторах для поверхностного монтажа:

Технология поверхностного монтажа дает значительные преимущества для массового производства электронного оборудования. Малогабаритные резисторы для поверхностного монтажа используются миллиардами во всех формах массового электронного оборудования.Резисторы, как правило, представляют собой очень маленькие устройства прямоугольной формы, и они обычно производятся в соответствии с промышленными стандартами типоразмера

.

Танталовые конденсаторы SMD корпуса

Из-за различной конструкции и различных требований к танталовым конденсаторам для поверхностного монтажа, для них используются несколько различных корпусов. Они соответствуют спецификациям EIA.

Транзисторно-диодные корпуса

Транзисторы и диоды

SMD часто имеют один и тот же тип корпуса.В то время как диоды имеют только два электрода, упаковка из трех позволяет правильно выбрать ориентацию.

Хотя доступно множество SMT-транзисторов и диодов, некоторые из самых популярных приведены в списке ниже.

  • SOT-23 - Малый контурный транзистор: SMT-корпус SOR23 является наиболее распространенным контуром для малосигнальных транзисторов. SOT23 имеет три контакта для диода транзистора, но может иметь больше контактов, когда его можно использовать для небольших интегральных схем, таких как операционный усилитель и т. Д.Его размеры 3 мм x 1,75 мм x 1,3 мм.
  • SOT-223 - Малый контурный транзистор: Корпус SOT223 используется для устройств большей мощности. Он больше, чем SOT-23, и имеет размеры 6,7 x 3,7 x 1,8 мм. Обычно имеется четыре клеммы, одна из которых представляет собой большую теплообменную площадку. Это позволяет передавать тепло печатной плате.

Пакеты SMD интегральных схем

Есть много форм корпусов, которые используются для SMD IC.Хотя существует большое разнообразие, у каждого есть области, в которых его использование особенно применимо.

  • SOIC - Интегральная схема небольшого размера: Этот корпус SMD IC имеет двухрядную конфигурацию и выводы в виде крылышек чайки с расстоянием между выводами 1,27 мм
  • SOP - Small Outline Package: Существует несколько версий этого пакета SMD:
  • TSOP - Thin Small Outline Package: Этот SMD корпус тоньше, чем SOIC, и имеет меньшее расстояние между выводами, равное 0.5 мм
  • SSOP - термоусадочный корпус, малый размер Упаковка: В этом корпусе расстояние между выводами составляет 0,635 мм.
  • TSSOP - Тонкая усадочная упаковка, небольшая габаритная упаковка:
  • QSOP - Quarter-size Small Outline Package: Он имеет шаг штифта 0,635 мм
  • VSOP - очень маленький контур Упаковка: Он меньше, чем QSOP, и имеет расстояние между выводами 0,4, 0,5 или 0,65 мм.
  • QFP- Quad flat pack: QFP - это стандартный тип плоского корпуса для ИС.Есть несколько вариантов, как описано ниже.
    PLCC - Пластиковый держатель микросхемы с выводами: Этот тип корпуса имеет квадратную форму и использует J-образные выводы с шагом 1,27 мм.
  • BGA - Ball Grid Array: SMD-корпус с шариковой решеткой имеет все свои контактные площадки под корпусом устройства. Перед пайкой контактные площадки выглядят как шарики припоя, отсюда и название.

Размещение контактов под устройством уменьшает требуемую площадь при сохранении количества доступных соединений.Этот формат также решает некоторые проблемы, связанные с очень тонкими выводами, которые требуются для четырехъядерных плоских блоков, и делает корпус более прочным. Расстояние между шариками на BGA обычно составляет 1,27 мм.

Несмотря на то, что существует очень много различных SMD-корпусов, наличие стандартов сокращает их количество, и появляется возможность создавать дизайнерские пакеты для печатных плат, соответствующие им, наряду с проверенными размерами контактных площадок на платах. Таким образом, пакеты обеспечивают высококачественную сборку печатных плат и сокращение общего количества переменных в конструкции.

Размеры, размеры и мощность резисторов для поверхностного монтажа

Резисторы для поверхностного монтажа бывают разных размеров. Наименьший размер - это корпус 0201, размер которого составляет 0,6 мм x 0,30 мм. Вы можете найти резисторы для поверхностного монтажа размером 6,3 x 3,1 мм, которые обозначаются как размер 2512.

Имейте в виду, что у каждого производителя могут быть варианты измерений и номинальной мощности, отличные от указанных в таблице ниже.

Эти номера приведены только для справки.Фактические детали могут незначительно отличаться по размерам и номинальным характеристикам.


Размер

Длина (мм)

Ширина (мм)

Высота (мм)

Вт

0201

0,60

0,30

0,25

0,05

0402

1.00

0,50

0,35

0,031 / 0,063

0603

1,60

0,80

0,50

0,063

0805

2,00

1,25

0,50

0.100

1206

3,20

1,60

0,60

0,125

1210

3,20

2,60

0,50

0,250

1217

3,00

4.20

0,900

0,250

2010

5,00

2,60

0,70

0,250

2020 год

5,08

5,08

0,90

0,500

2045

5.00

11,50

0,90

1.000

2512

6,30

3,10

0,60

0,500

Технология поверхностного монтажа - обзор

11.4.2 Великобритания

Уильямс и Эллис 26 представили модель радиационного повреждения в сварных швах под флюсом.База данных, используемая для подбора модели, включает ряд сварных швов с различным содержанием Cu, Ni и P. Образцы, как правило, облучались в реакторах для испытаний материалов (MTR) с мощностью дозы ~ 7 × 10 - 9 сна / с, хотя некоторые виды облучения проходили с более низкой мощностью дозы. Температуры облучения ( T irr ) находились в диапазоне от 225 до 315 ° C. Модель была сформулирована с точки зрения увеличения твердости при облучении, хотя степень радиационного повреждения оценивалась с помощью комбинации испытаний на твердость, испытаний по Шарпи и испытаний на вязкость разрушения с использованием подхода Master Curve.

Изменение твердости из-за облучения (Δ H ) было подогнано к двухкомпонентной модели упрочнения матрицы (Δ Mtx ) и упрочнения обогащенного медью осадка (Δ Ppt ) с использованием статистических процедур. Результирующая модель, применимая при высокой мощности дозы (7 × 10 - 9 сна / с), составляет:

[11,39] ΔH = ΔMtx + ΔPpt

, где

[11,40] ΔMtx = 8,65⋅2,66−0,0065 Tirr⋅dose0,42

и

[11,41] ΔPpt = 41 + 1850PCumtx − 0,1640,398⋅tanhdose15.7−32,2Cumtx

Доза облучения указана в миллидеталиях в год, содержание P и Cu в мас.%, А содержание меди в матрице ( Cu mtx ) равно содержанию Cu для Cu ≤ 0,35 мас.% и 0,35 мас.% для Cu > 0,35 мас.%. Компонент осаждения изменения твердости устанавливается равным нулю для Cu mtx ≤ 0,164 мас.%.

Верхний предел для Cu mtx в 0,35 мас.% Был основан на измерениях Cu mtx с помощью сканирующего просвечивающего электронного микроскопа с автоэмиссионной пушкой (FEGSTEM).Пороговое значение для дисперсионного твердения 0,164 мас.% Было определено с помощью процедуры подбора данных, хотя признано, что это значение выше, чем общепринятое для других сталей корпуса реактора.

Было получено хорошее согласие между измеренным и расчетным изменением твердости, как показано на рис. 11.5. Стандартное отклонение для подгонки составляет 4.0VPN. Модель сравнивалась с данными, полученными при температурах облучения 225, 295 и 315 ° C. Хотя модель не была разработана с использованием этих данных, было получено хорошее соответствие.

11,5. Расчетное изменение твердости по сравнению с измеренным для 48 наборов данных. 26

Чтобы расширить модель до более низких мощностей доз, при которых ожидается увеличение степени осаждения при данной дозе, добавлен дополнительный член Дж , определяемый как отношение концентрации вакансий при высокой дозе. к мощности дозы при более низкой мощности, вводится в выражение для Δ Ppt :

[11,42] ΔPpt41 + 1850PCumtx − 0,1640,398⋅tanhJ × доза 15,7-32,2Cumtx

Таким образом, Дж равно до единицы при высокой мощности дозы (7 × 10 - 9 сна / с) и увеличивается с уменьшением мощности дозы.Соответствующие значения J были определены путем нахождения значений, которые дали предсказания модели, равные измеренным изменениям твердости.

Установлены корреляции между изменением твердости и сдвигом вязкости разрушения и температурой перехода по Шарпи. Эти корреляции показывают, что сдвиг Шарпи занижает сдвиг вязкости разрушения для сварных швов под флюсом в базе данных в среднем примерно на 10%.

Jones and Bolton 27 предоставили подробное описание подхода, используемого Magnox Electric для построения кривых трендов, описывающих DDR корпусов реакторов Magnox.Авторы подчеркивают, что преимущество подхода, основанного на физических характеристиках, заключается в том, что построенные таким образом кривые трендов можно с уверенностью использовать, когда требуется ограниченная экстраполяция в области дозы нейтронов, мощности дозы или температуры облучения, которые специально не охвачены наблюдением. база данных.

Ранняя работа Басвелла и Джонса 28 сравнивала экспериментальные результаты с предсказаниями модели Фишера 29 для сварных швов под флюсом Magnox, облученных в контролируемом месте при температуре около 165 ° C (см.рис.11.6). Сдвиг перехода показан как функция квадратного корня из дозы, чтобы подчеркнуть зависимость компонента упрочнения матрицы (Δ T mtx ). Сдвиг из-за упрочнения, связанного с Cu, линейно добавляется к компоненту повреждения матрицы, чтобы обеспечить полное охрупчивание (Δ T всего ).

11.6. Моделирование соответствует данным переходного смещения воздуховода 2.

На рис. 11.6 показан инкубационный период до введения дозы, при которой осаждение Cu оказывает значительное влияние на охрупчивание.Также показана доза, при которой максимальное количество Cu включается в кластеры (пик осаждения Cu). В этом представлении не учитывается чрезмерное старение; вместо этого упрочнение Cu в этот момент выходит на плато. Видно, что получено хорошее согласие с измеренными данными Duct 2.

Jones and Bolton 27 сообщили об изменениях этого подхода, которые позволили возникать незатвердевающее охрупчивание. Незакалывающееся (межкристаллитное) охрупчивание обнаруживается в металлах, получаемых дуговой сваркой под флюсом C – Mn.В принципе, трехчленное выражение можно использовать для моделирования охрупчивания, если происходит значительная межкристаллитная трещина. Вызванные облучением изменения прочности (Δσ y ) и температуры перехода Шарпи (Δ T 40 Дж ) в C – Mn сталях составляют:

[11,43] Δσy, всего = Δσy, Cu + Δσy, матрица

и

[11.44] ΔT40J, total = ΔT40J, Cu + ΔT40J, матрица + ΔT40J, GB

Нижний индекс «матрица» относится к вкладу в общее изменение повреждения матрицы, а «Cu» относится к вкладу Осаждение Cu, и «GB» в уравнении.11.44 относится к вкладу межзеренного охрупчивания из-за сегрегации границ зерен P. Авторы описывают, как выводятся выражения для каждого члена. Например, для оценки величины первого члена использовалось малоугловое рассеяние нейтронов (МУРН) облученных и необлученных сварных швов под флюсом. Результаты SANS показывают, что для различных мощностей дозы и температур облучения диаметр CRP оставался практически постоянным и составлял 2 нм. Кроме того, растворимая доля Cu, оставшаяся после термообработки стального корпуса, соответствовала 0.18 ± 0,02 мас.%. Таким образом можно было оценить величину периода упрочнения Cu.

Однако из-за ограниченного количества доступных данных наблюдения незатвердевающее охрупчивание относится к увеличенному, зависящему от дозы термину MD. DDR следующей формы применяются для сталей Magnox RPV и металлов сварных швов:

[11,45] Δσyand / или ΔT40J = B + A⋅FTdose0,5

, где B представляет собой пиковое упрочняющее действие Cu, A является a константа, зависящая от материала, F T - температурный коэффициент облучения, доза выражена в снах.Данные наблюдения описываются подобранными кривыми тренда с верхним и нижним интервалами прогноза, заданными статистическими границами. Прагматически та же двухчленная форма DDR используется для построения эмпирической кривой тренда для металлов сварных швов под флюсом, даже если такие сварные швы могут иметь значительные межкристаллитные трещины (см. Рис. 11.7).

11.7. Эмпирическая кривая тренда для сварных швов под флюсом Magnox на основе данных наблюдения за реактором.

Компания BNFL Magnox Generation предприняла амбициозный проект по непосредственной проверке методологии путем прямых измерений вязкости разрушения на образцах металла сварного шва под флюсом, снятом с списанного корпуса реактора в Траусфюнидде. 30 Методология прогнозирования включает в себя расчет характеристик вязкости разрушения путем применения вызванного облучением сдвига температуры перехода из пластичного в хрупкое состояние (DBTT) к кривой вязкости разрушения в начале срока службы. Как описано ранее, была построена кривая тренда, дающая сдвиг DBTT в зависимости от дозы и температуры облучения, измеренный в снах.

Данные о вязкости разрушения были получены для четырех слоев четырех сварных швов; Всего было получено 379 качественных результатов.Результаты представлены на рис. 11.8 вместе с прогнозами только что описанной методологии. На рис. 11.8 результаты для разных слоев (соответствующих разным дозам) были нормализованы к эталонной дозе (сна), соответствующей одному из слоев. В каждом случае корректировка производилась путем смещения экспериментальных данных по оси температуры на величину, предсказанную DDR, в соответствии с разницей в дозе между этим местом и дозой контрольного слоя. Между результатами по вязкости разрушения и прогнозами наблюдается отличное согласие.Результаты распределяются равномерно относительно среднего прогноза, а ожидаемое количество баллов падает выше и ниже 5-го и 95-го процентилей.

11,8. Данные и прогнозы трещиностойкости корпуса реактора Trawsfynydd; все температуры отрегулированы для условий сварного шва 1, слоя 4. 30

Модификации предыдущих моделей постоянно производились в Великобритании теми же авторами. 31 Совсем недавно Уильямс, Уилфорд, Одетт и Ямамото разработали уравнение корреляции охрупчивания, оптимизированное специально для сталей корпусов реакторов с низким содержанием меди и содержанием меди менее 0.075 мас.%. 32 Они использовали данные испытательного реактора для оценки свойств стенок корпуса реактора при более высоких плотностях потока энергии, чем данные наблюдений. Таким образом, эффект флюса был одной из главных задач их работы.

Чтобы идентифицировать эффект флюса в базе данных об охрупчивании, созданной Rolls Royce (RR), они выполнили всестороннюю оценку своей базы данных с точки зрения влияния флюса, следуя процедуре, показанной на рис. 11.9. Сначала они подбирают простую функциональную форму ΔHv = Adose к данным об отдельном тепловом излучении при тех же условиях (поток и температура), но при разных плотностях энергии в своей базе данных, чтобы получить значения A для каждого конкретного условия.Затем значения A были нанесены на график как функция температуры облучения, чтобы получить выражение для модели значений A , зависящей от температуры. Эта модель использовалась для оценки значений A при определенной температуре облучения, например 290 ° C, для сравнения значений A для удельной теплоемкости при различных условиях магнитного потока. Результаты показывают, что существует постоянный эффект магнитного потока в значениях A для исследованных материалов с низким содержанием Cu.

11.9. Метод оценки эффекта мощности дозы. 32

На основании этих экспериментальных данных Williams et al. разработал сложное уравнение корреляции охрупчивания для материалов с низким содержанием меди. Они использовали базу данных RR, а также базу данных IVAR для определения деталей уравнения, а исходная модель была откалибрована с использованием базы данных IVAR, которая содержит данные с очень широким диапазоном экологических и металлургических условий. Затем была определена улучшенная модель с учетом данных вне баз данных RR и UCSB.

Основная форма уравнения имеет следующий вид:

[11,46] ΔHSMD = ΔT41J / kCV = FC × FT × Φeff0,4560

, в котором

[11,47] FC = -0,4915 + 1,279Ni + 0,3433Mn + 101,3P + 19,53Cu-1,080C + 0,9580Si

[11,48] FT = 1-FCT1290-1Tirr

с

[11,49] FCT = 1117 + 180,8Ni

[11,50] Φeff = Q × Φ

, где

Δ H SMD - упрочнение из-за SMD (HV)

F C - химический фактор (состав в% по массе)

F T - температурный коэффициент

Φ eff - эффективная доза; Φ - фактическая доза (мдпа)

F CT - химический фактор влияния температуры

T irr - температура облучения (° C)

61 Q коэффициент ускорения

г φ с , г φ r с - доли выживаемости вакансий при фактическом ( φ ) и эталонном ( φ ) мощности дозы; φ r = 5 × 10 -10 dpa / s

Δ T 41 J - сдвиг Шарпи 41 J

k CV - изменение твердости 9036 к коэффициенту корреляции сдвига Шарпи (= 2.21 для сварных швов; 1,72 для пластин и поковок)

Химический фактор F C учитывает влияние Ni, Mn, P, Cu, C и Si. Для среднего химического состава исследованных материалов с низким содержанием Cu влияние P и Ni преобладает в F C , а влияние Cu и Mn показано на рис. 11.10. Этот общий эффект химического состава согласуется с другими корреляционными уравнениями. Температурный коэффициент F T дополнительно состоит из терминов для Ni и температуры.

11.10. Вклады в химический фактор в подобранной базе данных. 32

Эффект потока является ключевой моделью в этом уравнении корреляции. Это учитывается в коэффициенте Q , который является своего рода регулировкой магнитного потока. Фактура Q представляет собой отношение концентрации вакансий к концентрации вакансий при эталонных условиях. Это основано на идее, что на формирование микроструктур в материалах с низким содержанием Cu сильно влияет диффузия растворенных атомов, которые учитываются в факторе F C .Концентрацию вакансий можно рассчитать, решив уравнения баланса для генерации и потребления точечных дефектов, представленные следующим образом:

[11,52] Gv + Xtv / τt − RrXvXi − DvXvSt * −DvXvRtXt = 0

и

[11,53] ] Gi − RrXvXi − DiXiSt * −DiXiRtXtv = 0

При условии, что G i = G v и D i X i 9036 X v и игнорирование старших членов на основе оценок величины членов:

[11.54] gs = gs * StSt *

[11,55] gs * = B2 + 4A-B2A

[11,56] A = GvSt * 4πrtτtΩ + 4πrrΩDvSt * + 4πrtXtΩSt * 4πrtτtΩ

[11,57vStτ * 4πrtτtΩ

[11,57vττ * BΩt = 1 − GvSt]

[11,58] Gv = φΣv

[11,59] St * = Sc + St

[11.60] Sc = 4πrcΣcφτc / Ω

[11,61] τt = b2 / Dvexp − Hb / RT

[11,62] Dv = D0exp − Hm / RT

и

[11,63] τc = τa0 / exp − Evc / kT

, где

b - вектор Бургера (2,48 × 10 -10 м)

46 k
- постоянная Больцмана (8.61811 × 10 - 5 эВ / К)

R - газовая постоянная (8,3114 Дж / моль / К)

Ом - атомный объем (1,17 × 10 - 29 м 3 )

D 0 - константа диффузии вакансий (5 × 10 -5 м 2 / с)

D i - межузельный атом (SIA ) коэффициент диффузии (m 2 / s)

D v - коэффициент диффузии вакансий (m 2 / s)

E vc - энергия связи 1 для вакансионных кластеров .855 эВ)

г * с , г с - доля выживаемости вакансий (все стоки, нет кластеров вакансий)

G i - скорость производства SIA облучение (SIA / с)

G v - скорость образования вакансий в результате облучения (вакансий / с)

H b - энергия связи для захваченных вакансий (3 × 10 4 Дж / моль)

H м - энергия миграции вакансии (1.26 × 10 5 Дж / моль)

r c - радиус рекомбинации для кластеров (3,1 × 10 - 10 10 м)

r r - рекомбинационный радиусы рекомбинации матрицы (5,7 × 10 - 10 м)

r t - радиусы рекомбинации для ловушек растворенных веществ (5,7 × 10 - 10 м)

S - это сила погружения для кластеров вакансий (м -2 )

S т - общая постоянная прочность погружения (4 × 10 14 м -2 , подогнано)

S * t - общая сила поглощения с учетом кластеров вакансий (м - 2 )

T - температура облучения (K)

X i , X v 9036 3 и X tv - SIA, вакансия и концентрация термических вакансий

X t - концентрация ловушки растворенного вещества (5 × 10 - 3 , подогнано)

φ - поток (н / см 2 / с, E > 1 МэВ), φ = dpa / s / 1.5 × 10 - 21

Σ c - производственное сечение для кластеров вакансий (4.5 × 10 - 25 см 2 )

Σ v - производственное кросс- сечение вакансий (6 × 10 - 22 см 2 )

τ a0 - предэкспонента времени отжига вакансионных кластеров (1,2357 × 10 11 / с)

τ c , τ t - времена отжига для вакансионных кластеров и захваченных вакансий (с)

В приведенной выше системе уравнений есть много параметров.Однако, как показано выше, большинству параметров были присвоены разумно оцененные значения, и эти значения фиксируются на протяжении всего процесса калибровки. Единственными параметрами, подходящими для базы данных по охрупчиванию, являются общая постоянная прочность погружения, S т , и концентрация ловушки растворенного вещества, X т . Окончательный вид концентрации вакансий как функции потока не обязательно виден в уравнениях, но схематично показан на рис.11.11. Обратите внимание, что вклад тепловых вакансий не учитывается в текущем моделировании, как показано на рисунке.

11.11. Влияние мощности дозы на концентрацию вакансий (схема). 32

Табличка VIII (см. Цветной раздел между страницами 202 и 203) показывает остатки, определенные как измеренное Δ Hv минус вычисленное Δ Hv как функция квадратного корня из мощности дозы. Этот метод очень хорошо предсказывает данные из самых разных источников данных с очень широким диапазоном мощности дозы.Стандартное отклонение остаточного напряжения составляет 4,7 HV, что соответствует 8 ~ 10 ° C по шкале Charpy TTS при 41 Дж.

Светодиоды SMD - производители, поставщики, экспортеры

Светоизлучающий диод (LED) - это полупроводниковое устройство, которое может создавать источники света различных цветов с использованием составного полупроводникового материала, такого как GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN и AlGaInP. Вообще говоря, светодиодные чипы должны быть упакованы так, чтобы обеспечивать механическую опору, электрическое соединение, оптическое направление и путь теплового потока наружу.После этого светодиодные пакеты интегрируются в системы как функциональные блоки. Светодиод SMD (устройства поверхностного монтажа) представляет собой корпус светодиодов, изготовленный путем пайки структур корпуса светоизлучающих диодов на печатную плату с использованием метода поверхностного монтажа. Корпуса SMD обычно изготавливаются из пластика и могут быть названы пластиковыми держателями микросхем с выводами (PLCC). Корпуса SMD обычно имеют светодиодный чип, подключенный к нескольким металлическим выводам, сформированным из рамки с выводами, и могут, при желании, включать в себя тепловую пробку.Электропитание подается на печатную плату и подается соответственно на электроды p-типа и электроды n-типа светодиодных чипов через выводные рамки структуры светоизлучающего диодного корпуса, чтобы светоизлучающие диодные чипы излучали свет. Корпус для поверхностного монтажа обычно подразделяется на два типа, один из которых представляет собой держатель микросхемы с пластиковыми выводами (PLCC), в котором 32-контактный корпус квадратной формы снабжен выводами, выводящимися Т-образным образом с четырех сторон корпуса. и имеет более компактный размер по сравнению с корпусом DIP, а другой из них представляет собой держатель микросхемы с керамическими выводами (CLCC) с выводами, извлекаемыми Т-образным образом с четырех сторон корпуса.Светодиодный корпус SMD имеет преимущества в компактном дизайне, низкой стоимости, большом световом потоке, низком износе светового потока, эффективном отводе тепла и большей гибкости в системной интеграции. Эти светодиоды обладают высокой надежностью и предназначены для работы в широком диапазоне условий окружающей среды. Эта высокая надежность делает их идеальными для использования в условиях освещения. Светодиоды SMD названы по своим размерам. SMD 2835, например, наиболее известная конфигурация SMD на рынке и предлагающая лучшее соотношение цены и качества среди SMD-корпусов, называются так, потому что размеры микросхем равны 2.8 мм x 3,5 мм. Другие чипы SMD, доступные на рынке, включая 3014, 3528, 4014, 5050, 5630, 5730 и т. Д. Типичные осветительные приборы для светодиодных чипов, упакованные в корпуса SMD, включают, например, но не ограничиваясь ими, светодиодные лампы, светодиодные трубки, светодиоды. панели, светодиодные линейные светильники, светодиодные ленты, светодиодные потолочные светильники, светодиодные прожекторы, светодиодные светильники для высоких пролетов. К ведущим производителям светодиодов SMD относятся Cree, Bridgelux, Philips LumiLED, Osram, Epistar, Samsung, Seoul Semiconductor, LG, Honglitronic, Sanan, MLS, ETi, Everlight, Nichia, Sharp и т. Д.

Что такое пакеты микросхем DIP, SMD, QFP и BGA?

Существует множество типов корпусов ИС, каждый из которых имеет уникальные размеры, типы монтажа и / или количество выводов. Наиболее распространенные типы корпусов ИС включают DIP, устройства для поверхностного монтажа (SMD), корпус с малыми габаритами (SOP), четырехплоскостной корпус (QFP) и решетчатую решетку (BGA).

Двухрядный корпус (DIP)

Это наиболее распространенный корпус ИС для сквозных отверстий, используемый в схемах, особенно в хобби-проектах. Эта ИС имеет два параллельных ряда выводов, выходящих перпендикулярно из прямоугольного пластикового корпуса.

Габаритные размеры DIP-корпуса зависят от количества выводов. Наиболее распространенное количество кеглей - четыре, шесть, восемь, четырнадцать, восемнадцать, двадцать, двадцать восемь и сорок кеглей. Штыри на DIP IC разнесены на 2,54 мм друг от друга, что является стандартным расстоянием и идеально подходит для установки в макетные платы, вертикальные платы и другие макетные платы.

DIP IC также может быть легко припаян к печатной плате. Иногда вместо пайки микросхемы непосредственно на печатную плату используется гнездо для микросхемы. Использование гнезда позволяет легко извлекать и вставлять DIP IC в печатную плату.

Устройство для поверхностного монтажа (SMD)

На рынке доступно множество корпусов для поверхностного монтажа, включая SOP, транзисторы с малым контуром (SOT) и QFP. Для корпусов SMD IC обычно требуются специальные печатные платы, содержащие соответствующий узор из меди, к которому они будут припаяны. Обычно для их пайки на печатных платах используются специальные автоматизированные инструменты.

Компактная ИС (SOIC), корпус

Корпус SOIC короче и уже, чем DIP. Это SMD, в котором все контакты DIP изогнуты наружу и уменьшены до размера.Каждый штифт обычно находится на расстоянии 1,27 мм от следующего.

Мелкая упаковка (СОП)

Это еще уменьшенная версия пакета SOIC. Подобно SOIC, семейство SOP имеет меньший форм-фактор, с расстоянием между выводами менее 1,27 мм. Каждая СОП включает пластиковую упаковку с малым контуром (PSOP), тонкую упаковку с малым контуром (TSOP) и тонкую усадочную упаковку с малым контуром (TSSOP).

Четырехплоскостной корпус (QFP)

В отличие от двухстороннего DIP, QFP IC имеет контакты со всех четырех сторон.ИС QFP может иметь от восьми контактов на сторону (всего 32) до более семидесяти (300+). Контакты на микросхеме QFP обычно расположены на расстоянии от 0,4 мм до 1 мм. Меньшие варианты стандартного пакета QFP включают тонкий QFP (TQFP), очень тонкий QFP (VQFP) и низкопрофильный QFP (LQFP) пакеты.

Пакет с четырьмя плоскими выводами (QFN)

Существует еще один тип ИС QFP, но с другой структурой выводов, называемый корпусом QFN. Контакты на упаковке QFN видны снизу, а иногда и по бокам, и снизу.

Малоконтрастный транзистор (СОТ)

SMD-устройства, такие как прямоугольные транзисторы, доступны в корпусах SOT.

Шаровая сетка (BGA)

ИС

Advanced доступны в корпусах BGA. Эти удивительно сложные корпуса имеют маленькие шарики припоя, расположенные в виде двухмерной сетки на дне. Обычно, чтобы поместить эти пакеты на печатную плату, требуется автоматизированная процедура, включающая машины для захвата и размещения и печи оплавления. Пакеты BGA находятся на платах pcDuino и Raspberry Pi.


Миниатюрное будущее пассивных электронных компонентов

Юрген Гейер, Кристиан Каспер, Йохен Неллер, Берт Вайс
Rutronik

Пассивные электронные компоненты становятся меньше, но они также обеспечивают лучшую производительность в том же форм-факторе. Двадцать лет назад широко использовались такие форм-факторы, как 1812 и 1206. Сегодня наиболее часто указываются размеры 0603 и 0402. Диапазон расширяется до 01005 (0,4 x 0,2 мм), а в последнее время даже до 008004 (0.25 х 0,125 мм!).

Размеры MLCC Данные Murata Manufacturing Co., Ltd. показывают, как неуклонно растет спрос на MLCC (многослойные керамические конденсаторы) меньшего форм-фактора.

Резисторы SMD (устройство для поверхностного монтажа) также имеют тенденцию к уменьшению форм-фактора. Проводные компоненты заменяются этой технологией везде, где это возможно. Форм-факторы 0201, 01005 и меньше используются в основном на рынках мобильной связи и планшетов. Резисторные сети - несколько резисторов в одном корпусе - также экономят место на печатной плате.А варианты с высокой мощностью обеспечивают вдвое большую производительность при том же форм-факторе корпуса. Дальнейшая миниатюризация происходит в сегменте резисторов для измерения тока SMD. Новые производственные технологии позволяют увеличить нагрузочную способность в том же форм-факторе.

Форм-факторы танталовых конденсаторов - как правило, среди более крупных компонентов - за последние 20 лет уменьшились до такой степени, что теперь они занимают лишь около 25% места, которое они изначально занимали на печатной плате.Постоянное совершенствование сырья, продуманная конструкция компонентов и новые производственные технологии в последние годы повысили объемную эффективность.

Танталовые колпачки теперь занимают лишь около 25% места, которое они изначально занимали на печатной плате. Постоянное совершенствование сырья, продуманная конструкция компонентов и новые производственные технологии повысили объемную эффективность.

Повышение плотности энергии танталового порошка может происходить только за счет постоянного увеличения размера и свойств порошка.Таким образом, отношение емкости к напряжению на грамм порошка тантала (CV / г) растет.

Оптимизируя, например, алюминиевую фольгу и используемый электролит, производители могут увеличить емкость, сохранив тот же форм-фактор, а также во много раз увеличив срок службы.

Данные AVX Corp. показывают, как увеличение плотности энергии танталового порошка способствует миниатюризации.

Следует также отметить, что такая миниатюризация не обязательно приводит к более низким техническим характеристикам с точки зрения ESR и тока пульсаций.Эти значения можно даже улучшить. Поэтому рекомендуется внимательно следить за последними разработками в области электролитических конденсаторов, потому что в этой области регулярно происходят достижения.

Сравнение размера / емкости на основе двух серий SMD, произведенных Panasonic Automotive & Industrial Systems. Серия FKS имеет в три раза большую емкость по сравнению с устройствами серии Panasonic FK при таком же размере банки. Например, конденсатор FKS на 25 В, 33 мкФ, поставляется в корпусе размером 4 × 5,8 мм и занимает всего 62% пространства компонентов предыдущего поколения.

Сравнение размеров / срока службы на основе трех индукторов Panasonic серии SMD.

В случае катушек индуктивности может показаться трудным сочетание высокой индуктивности с низким сопротивлением постоянному току и небольшим объемом. Тем не менее, инновации, такие как усовершенствованные технологии изготовления многослойных материалов и формовки, делают это возможным сегодня. Недавно был выпущен тонкопленочный высокочастотный индуктор с ультра-миниатюрными размерами 0,25 x 0,125 мм (008004), но с той же степенью качества Q, что и серия 01005 большего размера.

Кристаллы кварца с меньшими форм-факторами не обязательно требуют новой компоновки, как показывают эти данные от Murata Timing Devices.

Кварцевые размеры 3,2 x 2,5 мм являются стандартными, хотя значительно меньшие форм-факторы, такие как 2,0 x 1,6 мм, уже широко используются. Некоторые производители рекомендуют размещать размеры 2016 на площадках для печатных плат размером 3225. Это не обязательно означает, что необходимо изменить макет.

Для кварцевых генераторов технология MEMS и оптимизированная конструкция микросхемы позволяют помещать кварцевый элемент и резонансный контур в сверхминиатюрные корпуса.Эта комбинация не только экономит место, но и решает проблемы с точностью и качеством.

Часы реального времени (RTC) в корпусах размером 3,2 x 2,5 x 1,0 мм также доступны с чрезвычайно низким потреблением тока. Они особенно интересны для мобильных приложений с батарейным питанием.

Компоненты меньшего размера требуют более точных и сложных технологий производства как при изготовлении, так и при обработке. Еще одним аспектом наименьших форм-факторов является то, что они в большинстве случаев дороже, чем большие размеры, используемые в больших объемах.

Если размер меньше определенного, то он не может быть заменен при необходимости ремонта и должен быть утилизирован вместе с печатной платой. Это может привести к большему количеству производственных брака и электронного брака в случае неисправности.

Печатные платы меньшего размера - и поэтому более плотно упакованные - требуют более строгой защиты от электростатического разряда, электромагнитных помех и тепловых проблем. Им часто требуется больше компонентов для подавления помех. В то же время малые форм-факторы могут помочь подавить помехи, поскольку они могут находиться у источника помех или в месте нагрузки, уменьшая нежелательные паразитные эффекты, такие как индуктивность рассеяния или паразитная емкость.

Miniaturization также обеспечивает меньший вес, меньшую потребность в складских помещениях и, что немаловажно, экономию сырья. Так что тенденция к миниатюризации обязательно продолжится.

Индукторы SMD и сильноточные экранированные силовые индукторы

Сильноточные экранированные силовые индукторы SMD

Bourns® отличаются высоким током насыщения.

Сильноточные экранированные силовые индукторы поверхностного монтажа

Bourns® сконструированы с сердечниками из порошка карбонила, порошка железа и металлического сплава.

Bourns - ведущий производитель и поставщик силовых индукторов, в частности, сильноточных экранированных индукторов SMD. В инновационной конструкции силового индуктора Bourns используется плоский провод в литом магнитно-экранированном корпусе, который обеспечивает более низкое сопротивление постоянному току и несколько более высокие номинальные токи по сравнению с традиционно используемым круглым проводом. Новые катушки индуктивности Bourns® Models SRP4020 и SRP7030F идеально подходят для использования в преобразователях постоянного тока для мобильных электронных устройств и компьютеров, а также в модулях хранения данных и регуляторов напряжения.Другие приложения, которые могут получить выгоду от усовершенствованной конструкции индуктора Bourns, включают серверы, портативные игровые устройства, навигационные системы, автомобильную электронику, медицинское оборудование с низким и средним уровнем риска и многое другое.

Силовые индукторы SMD, используемые в интерфейсе источника питания и в приемопередатчике CAN, должны быть экранированными компонентами для поверхностного монтажа, способными выдерживать большой ток. Экранированный корпус силового индуктора SMD с высоким током, экранированный, помогает достичь низких уровней электромагнитных помех, требуемых в автомобильной конструкции.Семейство силовых индукторов поверхностного монтажа Bourns® SRP сочетает в себе технологию плоских проводов и сердечник из порошкового железа, чтобы получить компактный и эффективный корпус. Плоский провод в сильноточном экранированном силовом индукторе SMD демонстрирует повышенную проводимость за счет максимального использования площади его поверхности, что делает его способным выдерживать высокочастотное переключение.

Современные конструкции многофункциональной мобильной электроники постоянно требуют более компактных и тонких преобразователей постоянного тока, которые должны соответствовать высоким требованиям по току.Силовые индукторы Bourns® разработаны для удовлетворения текущих потребностей приложений. Например, размеры Bourns® Model SRP2010 составляют 2,0 x 1,6 x 1,0 миллиметра (мм), а модель SRP2512 - 2,5 x 2,0 x 1,2 мм, что делает их идеальными для широкого спектра ультратонких электронных приложений, включая смартфоны, планшеты и хранилища данных. устройств. Последние сильноточные экранированные силовые индукторы Bourns для поверхностного монтажа обладают преимуществами проволочной обмотки и разработаны с сердечником из железного порошка, который имеет высокий ток насыщения и экранированную конструкцию для слабого магнитного излучения.

Продукты, отмеченные этим символом, в настоящее время доступны, но не рекомендуются для новых разработок.

Отчетность по источникам полезных ископаемых для силовых индукторов: CFSI_CMRT4-01

Быстрая ссылка на образец запроса: .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *