Самый мощный транзистор: Самый мощный в мире транзистор на 1,8 кВт от Qorvo

Содержание

Самый мощный транзистор в мире. | mr. Ueff

Фото в открытом доступе.

Фото в открытом доступе.

До сих пор ведутся ожесточённые споры между приверженцами радиоламп и их оппонентами ратующих за транзисторы. Смогут ли когда нибудь транзисторы полностью вытеснить лампы из оборота. Выкинуть из электронных схем эти вечно горячие, хрупкие стеклянные колбочки? Апологеты радиоламп обычно апеллируют к малой мощности транзисторов, особенно на высоких частотах, слабую устойчивость к резкому повышению питания и плохую надёжность при рассогласованной нагрузке. Я решил поинтересоваться, а как обстоят дела с мощными ВЧ транзисторами в наше время и должен огорчить любителей радиоламп, производство полупроводников в мире не стояло на месте всё это время. Знакомьтесь — радиочастотный транзистор MRF1K50H от фирмы NXP.

Фото в открытом доступе.

Фото в открытом доступе.

На сегодняшний день признан самым мощным транзистором в мире. Правда возможно, что пока я пишу эти строки в нашем быстро меняющемся обществе что-то и изменилось и этот прибор уже сдал свои позиции, но у меня такой информации нет. Итак, этот транзистор при напряжении питания 135 В, способен отдавать в нагрузку 1,667 кВт мощности в частотном диапазоне от 1,8 до 500 МГц! Из других его замечательных свойств, стоит отметить устойчивость к резким изменениям напряжения питания и несогласованной нагрузке. Так, он спокойно переносит КСВ 65:1. Кроме того, он значительно опережает лампы по сроку службы и надёжности. Так при температуре перехода в 225 градусов Цельсия, его средняя наработка составляет 35 лет, а в щадящем режиме при t=100 градусов, достигает 450 лет! Так, во всяком случае, гарантирует производитель. Вот некоторые его характеристики в графике.

Фото в открытом доступе.

Фото в открытом доступе.

NXP не только разработала новый полупроводниковый прибор, но и предложила для него четыре основных базовых схемы. Они на фото ниже.

Фото в открытом доступе.

Фото в открытом доступе.

Первая, узкополосная, предназначена для работы в схемах накачки газовых лазеров. Вторая, на 27 МГц, предназначена для работы на самой распространённой в промышленности частоте. Третья, как видно из частотного диапазона, будет использована в выходных каскадах широковещательных передатчиков. Ну и последняя рассчитана на работу в передатчиках аэрокосмических систем. Кроме того NXP предложила программу «Долголетие продуктов», которая гарантирует доступность своих продуктов, как минимум до 2031 года. Вот так компания из маленькой Голландии, основанная лишь в 2006 году, покорила мир своей высокотехнологичной продукцией. А что у нас? Ну про современную Россию говорить не будем, по известным причинам, а вот в СССР самым мощным транзистором выпускавшимся серийно был ТК265-250 .

Фото в открытом доступе.

Фото в открытом доступе.

Транзистор был импульсным и выдерживал ток в 250 А при напряжении на коллекторе 700 В. Выпускался он в Армении и отличался феноменальной ненадёжностью. Порой из сотни транзисторов, заказчик получал только пять штук исправных. Пишут (не гарантирую, что это правда), что при закрытии завода, остатки продукции бывшие сотрудники решили сдать на золото, которого по спецификации в этих приборах должно было быть в изрядном количестве. Так вот его, золота, оказалось там в десятки раз меньше нормы, а бывший директор завода стал одним из богатейших людей в Армении. Вот такой расклад по мощным ВЧ транзисторам на сегодняшний день.

Статья про армянские комплектующие.

Мощный транзистор — Русские Блоги


Более 30 миллиардов транзисторов — в 3 раза больше серверных процессоров самого высокого уровня

Если дать всем догадаться, в какой микросхеме больше всего транзисторов? Многие друзья могут ответить, что это самый мощный серверный ЦП.В целом такой ЦП с десятками ядер и сверхбольшим внутренним КЭШОМ имеет около 10 миллиардов транзисторов, что очень страшно. Однако, если сравнивать с FPGA самого высокого класса, он действительно невелик: внутри топовой модели INTEL STRATIX 10 FPGA содержится более 30 миллиардов транзисторов, что в 2–3 раза больше, чем у предыдущей. Текущая тенденция FPGA является всеобъемлющей. В дополнение к миллионам LUT существует также множество жестких IP-адресов, таких как память с высокой пропускной способностью HBM2 (HIGH BANDWIDTH MEMORY) объемом 16 ГБ, 4-ядерный ARM CORTEX A53 и десятки сверхвысоких IP-адресов со скоростью 58 Гбит / с. высокоскоростные трансиверы PAM4. Короче говоря, FPGA — это самый большой транзисторный монстр.

9.200 миллиардов операций с плавающей запятой — в 50 раз больше вычислительной мощности самого высокого DSP

Просто опровергните все старые представления о короле транзисторов, продолжайте ниже. Какая микросхема на данный момент обладает наибольшими вычислительными возможностями с плавающей запятой? Многие люди догадаются, что это DSP. В конце концов, профессиональные цифровые вычислительные процессоры занимаются вычислениями с плавающей запятой. TMS3206678 от TI в настоящее время является самым мощным DSP с возможностями вычислений с плавающей запятой. Он имеет 8 ядер DSP, одноядерная частота 1,4 ГГц и пиковая производительность с плавающей запятой 224GFLOPS, что в 224 миллиарда раз; скорость вычислений с плавающей запятой DSP Soulcore 2A 38-го исследовательского института в Китае, которая была раздута недавним инцидентом с ZTE, также очень высока. высокий, превышающий 100 миллиардов раз, но поскольку TI 6678 является 8-ядерным, а последний — двухъядерным, поэтому скорость вычислений с плавающей запятой немного ниже, чем у первого. Жаль, что их вычислительные возможности с плавающей запятой опережают FPGA. Благодаря параллельной архитектуре тысячи блоков DSP могут быть легко объединены. Текущая максимальная скорость FPGA STRATIX 10 имеет пиковую скорость с плавающей запятой 9,2T FLOPS, что составляет 92000. миллиардов раз, и имеет возможность обновления до 100 триллионов раз, что в 50 раз больше, чем у текущего DSP самого высокого уровня.

Единственная беда — выживаемость отечественных производителей ПЛИС — ПО.

Отечественные микросхемы сейчас являются горячей темой. В настоящее время отечественные производители ПЛИС в основном включают Gaoyun, AGM, Zhiduo, Anlu и China Micro. Так же, как и государственные предприятия, у National Microelectronics есть сильное богатство и пурпурный свет. Несколько других компаний усердно работают, и многие компании, занимающиеся исследованиями и разработками, отказались от американских производителей ПЛИС.

По финансовым причинам и причинам риска эти производители в настоящее время сосредотачиваются на мелкомасштабных микросхемах и очень близки к отечественным клиентам. Просто инструменты разработки не созрели из-за временных соотношений. Для этих производителей несложно объединить Аппаратные средства FPGA. Проблема в программном обеспечении. Учитывая средства и время, взрыв отечественных FPGA неизбежен.

Самое прискорбное, что у Jingwei Yage, который прекратил работу, есть FPGA, не только LUT, но и CORTEX M3 с 300MHZ и множеством периферийных интерфейсов. Это очень удобно. От первоначального этапа до доступной пробной эксплуатации в течение двух лет. он будет доступен в ближайшее время. Жаль, что новость о закрытии Jingwei Yage внезапно пришла, когда он был использован на готовом продукте. Если он доживет до наших дней, ситуация может сильно измениться.

Чип сдох, если нет хорошего приложения — просто мусор.


Все права защищены Qingcui Technology Hangzhou FPGA Division. Укажите источник для перепечатки.

Автор: Эмили Крафтс Ханчжоу Наука и технологии ALIFPGA

Исходный адрес: Hangzhou Qingcui Technology FPGA Geek Space WeChat public account

Отсканируйте QR-код, чтобы следить за технологией Hangzhou Qingcui FPGA Geek Space


 

PTVA127002EV — самый мощный в отрасли радиочастотный транзистор L-диапазона от Infineon

Infineon Technologies представила самый мощный в отрасли 700-ваттный радиочастотный транзистор L-диапазона, предназначенный, в первую очередь, для локационных систем, работающих на частотах от 1200 до 1400 МГц. Использование нового транзистора позволит сократить количество и стоимость компонентов в системе, одновременно повысив ее надежность. 

Радиолокационные системы излучают мощные радиоимпульсы определенной частоты и, детектируя сигналы каждого отраженного импульса, формируют информацию о расстоянии до объекта и его параметрах. В этих сложных приложениях транзисторы, используемые в источниках питания таких импульсных систем, должны отличаться высокой эффективностью и способностью обеспечивать стабильный сигнал в любых режимах работы.

Новый мощный транзистор PTVA127002EV хорошо подходит для радарных систем L-диапазона, используемого в системах контроля воздушного движения и наблюдения за погодой. Высокий КПД снижает тепловыделение, увеличивая надежность прибора, способного без повреждений выдерживать рассогласование нагрузки вплоть до КСВ = 10 при выходной мощности 700 Вт.
 
Производство PTVA127002EV основано на стандартной технологии изготовления 50-вольтовых LDMOS транзисторов, обеспечивающей отличный КПД, типовое значение которого составляет 55% в диапазоне частот 1200 – 1400 МГц, точку децибельной компрессии на уровне 700 Вт, усиление 16 дБ и низкое тепловое сопротивление, измеренные в режиме усиления импульсов длительностью 1 мкс с коэффициентом заполнения 10%.
 
Теперь, с выпуском последнего прибора, Infineon может предложить потребителям полную линейку радиочастотных транзисторов, работающих в полосе частот 1200 – 1400 МГц, с номинальной выходной мощностью 25 Вт, 50 Вт, 350 Вт и 700 Вт. Помимо высокой устойчивости к повреждениям транзисторы отличаются широким диапазоном допустимых напряжений затвор-исток (от –6 до 12 В) и наличием интегрированной защиты от разрядов электростатического электричества.


Источник: http://kazus.ru/lenta/view/0_7675_0.html

Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

ОбозначениеПрототипФункциональное назначениеТип корпусаPDF
IFP50N06*WFP50N06N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А

TO-220/3

IZ70N06**
N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А
б/к
IZ85N06**N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 Аб/к
IZ75N75**N – канальный транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 Аб/к
IFP75N08WFP75N08N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А

TO-220/3

IZ630**N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 Аб/к
IZ640**N – канальный транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 Аб/к
IZ634**N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 Аб/к
IFP730WFP730N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А

TO-220/3

IFP740WFP740N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А

TO-220/3

IFP830WFP830N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А

TO-220/3

IFP840WFP840N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А

TO-220/3

IZ13N50**
N – канальный транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 Аб/к
IZ20N50**N – канальный транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 Аб/к
IZ50N50**N – канальный транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 Аб/к
IFP1N60WFP1N60N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

TO-220/3

IFU1N60WFU1N60N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

I-PAK

IFD1N60WFD1N60N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А

D-PAK

IFU2N60WFU2N60N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

I-PAK

IFD2N60WFD2N60N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А

D-PAK

IFP2N60STP2NC60N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А

TO-220/3

IFF2N60WFF2N60N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 АTO-220FP
IFP4N60STP4NC60N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А

TO-220/3

IFF4N60WFF4N60N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 АTO-220FP
IFP7N60WFP7N60N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А

TO-220/3

IZ10N60**N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 Аб/к
IZ12N60**N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 Аб/к
IZ20N60**N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 Аб/к
IZ24N60**N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 Аб/к
IZ28N60**N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 Аб/к
IZ40N60**N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 Аб/к
IZ1N65**N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 Аб/к
IZ2N65**N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 Аб/к
IZ4N65**N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 Аб/к
IZ7N65**N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 Аб/к
IZ10N65**N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 Аб/к
IZ12N65**N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 Аб/к
IFP1N80WFP1N80N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 АTO-220/3
IFU1N80WFU1N80N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А

I-PAK

IFD1N80WFD1N80N — канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом — 1 АD-PAK
IZ3N80**N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 Аб/к
IZ10N80**N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 Аб/к
IZ9N90**N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 Аб/к
IZ11N90**N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 Аб/к
IWP5NK80ZSTP5NK80ZN – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 АTO-220/3
IZ024NIRFU024NN – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом — 17 Аб/к

GaN-транзистор мощностью 1,8 кВт для авионики L-диапазона

В мире мощных усилителей гонка в увеличении уровня отдачи мощности от одного корпусированного транзистора никогда не заканчивается. Переход от усилителей, состоящих из нескольких небольших по мощности транзисторов, к одному мощному компоненту упрощает сборку и внешнюю обвеску, поскольку не требует принятия мер к суммированию мощности, что неизбежно при использовании менее мощных несогласованных устройств, а следовательно, уменьшает занимаемую площадь и объем усилителя мощности. Отвечая на требование по максимизации мощности, достигаемой от одного устройства, компания Qorvo разработала новый нитрид-галлиевый (GaN) транзистор QPD1025 мощностью 1,8 кВт, выполненный на подложке из карбида кремния (SiC) и специально адаптированный для применения в системах авиационной радионавигации, действующих в пределах L‑диапазона.

Рис. 1. Нагрузочные кривые (на диаграмме Смита) для согласованной нагрузки на одиночный транзистор QPD1025, измеренные на частоте 1 ГГц с радиоимпульсом (импульс с заполнением несущей) длительностью 100 мкс при 10%-ном рабочем цикле. Максимальная мощность составляет 59,7 дБм, максимальный КПД на стоке — 77,2%, максимальное усиление — 19,6 дБ

Диапазон рабочих частот сдвоенного транзистора QPD1025 составляет 1,0–1,1 ГГц. При напряжении питания 65 В каждый из транзисторов обеспечивает максимальную выходную мощность на частоте 1 ГГц не менее 900 Вт (рис. 1), что дает суммарную мощность, равную 1,8 кВт. В настоящее время QPD1025 — это самый мощный GaN-транзистор из коммерчески доступных на рынке полупроводниковых приборов данного класса и диапазона частот. Максимальная эффективность (КПД), измеренная по стоку при согласованной нагрузке (load-pull), составляет не менее 77%. Линейный коэффициент усиления, измеренный на доступной оценочной плате (QPD1025EVB1), составляет 21 дБ (рис. 2). Транзистор QPD1025 выполнен в корпусе типа NI‑1230 размером 41×10 мм, который поставляется в двух конфигурациях: с фланцами — QPD1025L и без — QPD1025 (рис. 3).

Рис. 2. S-параметры транзисторов QPD1025 в режиме малого сигнала, измеренные на оценочной плате при температуре +25 °C, демонстрирующие характеристики транзисторов за пределами рабочей полосы частот 1,0–1,1 ГГц

Рис. 3. Транзистор QPD1025 выполнен в корпусе типа NI-1230 в двух конфигурациях:
а) с фланцами
б) без фланцев

 

Производительность транзисторов QPD1025 в рабочей полосе частот

По мере увеличения мощности, а соответственно и площади кристалла транзисторов, их импедансы становятся меньше. Зачастую это приводит к тому, что для них крайне сложно выполнить согласование с нагрузкой и, кроме того, они оказываются ограничены по полосе пропускания. В транзисторах QPD1025 эта проблема решается двумя способами. Во‑первых, использование напряжения стока, равное 65 В, приводит к более высокому выходному импедансу данных транзисторов, чем у устройств аналогичной мощности и технологии, но с рабочим напряжением 50 В. Нагрузочные кривые для согласованной нагрузки, показанные на рис. 1, представляют собой очень управляемый выходной импеданс порядка 2 Ом на транзистор. Во‑вторых, на входе корпуса выполнено одноступенчатое согласующее звено, которое улучшает стабильность и обеспечивает более дружественный входной импеданс. Эти меры позволяют проектировать сравнительно широкополосные платы усилителей мощности без необходимости обращения к специальным диэлектрическим подложкам и сложному согласованию, что отражается в широкополосной производительности предлагаемых транзисторов, которую мы видим на рис. 2.

 

Гибкость суммирования мощности

Двухканальная конфигурация QPD1025 позволяет использовать несколько вариантов построения усилителя мощности. На оценочной плате, показанной на рис. 4, используется синфазное суммирование, которое является наиболее компактным по занимаемой площади и характеризуется низким уровнем потерь. Сбалансированная по фазе конфигурация может быть спроектирована с помощью гибридных ответвителей соответствующего размера. Такая архитектура обеспечивает хорошую развязку между каналами и отсутствие четных гармоник. Поскольку каждый транзистор QPD1025 может быть запитан и смещен по затвору независимо, то здесь с использованием соответствующего согласования и суммирования возможна реализация симметричного усилителя Догерти.

Рис. 4. Транзистор QPD1025L на оценочной плате, использующей синфазное суммирование мощности

 

Стабильность и устойчивость в жестких условиях эксплуатации

Обеспечение стабильности функционирования всех выпускаемых транзисторных продуктов является главной задачей, на которой фокусирует самое пристальное внимание компания Qorvo. Процесс проектирования новых транзисторов начинается с тщательного компьютерного моделирования на основе четно-нечетного анализа (even-odd mode) с линейными моделями и анализом с использованием коэффициента усиления и параметрических измерений. Стабильность рассматриваемых транзисторов подтверждается измерениями в режиме малого сигнала при температуре –40 °C. В ходе тестирования на оценочной плате транзисторы QPD1025 показали абсолютную устойчивость. Стабильность в условиях большого сигнала оценивалась путем поиска следов самовозбуждения с уровнем выше, чем –60 дБн, при различных коэффициентах стоячей волны напряжения (КСВН или КСВ, в англ. терминологии — voltage standing wave ratio, VSWR) и условиях возбуждения при температуре –40 °C. Как было установлено, транзисторы QPD1025 не содержит следов самовозбуждения в этих достаточно жестких условиях при КСВН до 2:1. Устойчивость устройства в значительной степени является результатом внутренних функций и не требует ничего экзотического на печатной плате, для этого достаточно иметь только последовательный RC-фильтр по входу и резисторы в линии смещения затвора.

Также тщательно была протестирована устойчивость транзисторов QPD1025 к критическим режимам, которые могут возникать при эксплуатации. Было установлено, что транзисторы остаются работоспособным при тестировании импульсным сигналом с компрессией 3 дБ по выходу при КСВН до 10:1 и перегрузке не менее чем в 6 дБ. Тестирование проводилось при температуре окружающей среды +25 °C.

 

Производительность в составе приложений

В предлагаемой для транзистора QPD1025L оценочной плате QPD1025EVB1 используется компромиссный подход по отношению мощности и эффективности, с упором на достижение эффективности. При комнатной температуре эффективность по стоку превышает 72% в диапазоне частот 1–1,1 ГГц, а мощность при этом меняется в пределах 1,3–1,5 кВт (рис. 5). Пиковая рассеиваемая мощность составляет 460 Вт, что ниже предела для условия усиления непрерывного сигнала (continuous wave, CW) 500 Вт, установленного в спецификации. В импульсных условиях допустимая рассеиваемая мощность увеличивается, и в этом случае для достижения большей мощности в жертву может быть принесена эффективность. Что касается коэффициента усиления усилителя, представленного на оценочной плате, то при комнатной температуре он равен 21 дБ.

Рис. 5. Импульсные характеристики транзистора QPD1025 при температуре + 25 °C и компрессии 3 дБ. Условия измерения: радиоимпульс длительностью 100 мкс при 10%-ном рабочем цикле; на оценочной плате использовалось синфазное суммирование

В качестве подложки для платы приложения используется недорогой материал (фольгированный слоистый пластик) индустриального класса марки RO4350B производства компании Rogers. Плата установлена на никелированной алюминиевой опорной плите. Хотя для каждого транзистора QPD1025 может быть предусмотрена индивидуальная подача напряжения на стоки и затворы, на оценочной плате затворы и стоки данных устройств соединены вместе внешними проводами (рис. 4). Синфазное согласующее звено довольно компактно для этого уровня мощности и занимает площадь 9×3 мм от входного RC-фильтра до конечного выходного согласующего конденсатора. Габаритные размеры полной платы составляют 11,3×9,7 мм.

Транзисторы в составе QPD1025 обеспечивают наилучшее сочетание мощности, эффективности и производительности, доступных сегодня для приложений, предназначенных для функционирования в диапазоне частот 1,0–1,1 ГГц. Его двухканальная конструкция обеспечивает управляемые импедансы, гибкость в архитектуре усилителя и компактную занимаемую площадь. Транзисторы QPD1025 спроектированы с гарантией стабильности, устойчивости к жестким воздействиям, которые могут иметь место при их эксплуатации, а также высокой надежности, что является основополагающими факторами, позволяющими им успешно функционировать при условии соблюдения допустимых пределов рассеиваемой мощности.

Литература
  1. qorvo.com
  2. microwavejournal.com/articles/30462–8‑kw-gan-transistor-for-l‑band-avionics

RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал Renesas

     Мощные IGBT транзисторы RJH60F5 наиболее часто применяются в качестве силовых ключей стабилизаторов, схем управления мощными нагрузками и в инверторных сварочных устройствах.

     По своим характеристикам быстродействия в значительной мере превосходят биполярные транзисторы и отлично заменили тиристоры. Производятся со встроенным обратным диодом. Транзистор IGBT модели RJH60F5 имеет полное заводское обозначение P/N: RJH60F5DPQ и производится только компанией Renesas Electronics на собственных производственных мощностях, находящихся в Китае и Малайзии. Все фотографии товара производятся с текущей партии и являются реальными.

Краткие характеристики
  • Полное наименование транзистора: RJH60F5DPQ-A0
  • Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
  • Максимальный ток коллектора IC: 80 Ампер при Тс=25°C и 40 Ампер при Тс=100°C
  • Максимальная температура: 150°C
  • Тип корпуса: TO-247A

Более подробные характеристики и графики режимов работы Вы сможете найти в datasheet на транзисторы RJH60F5DPQ, ссылка на который находится ниже (раздел ссылки).

Распиновка


Рис. №1 Маркировка выводов транзистора RJH60F5


Рис. №2 Размеры корпуса транзистора RJH60F5 (в мм.)

Гарантии

     Мы производим закупку транзисторов RJH60F5 только в заводских запечатанных коробах и только у официального представителя компании Renesas в составе крупнооптовых закупок радиокомпонентов для промышленных нужд.

Рис. №4 Лейбл с информацией на заводской упаковке оригинальных транзисторов RJH60F5

Для контроля качества транзисторов нами ведется статистика на производственных линиях наших партнеров, заказчиков и розничных покупателей. Мы открыты для приема претензий к качеству поставляемых нами БТИЗ транзисторов RJH60F5.

Доставка

     Отправка транзисторов RJH60F5 производится со складов в г. Краснодаре в любой город России. Средние сроки доставки: от 2 до 7 дней (срочная) и от 5 до 10 дней (обычная). При заказе до 4-х транзисторов включительно доступна отправка заказным отправлением с трек номером стоимостью от 80 руб. В таком случае производится отправка в защитной книжке из картона, помещенного в пластиковый пакет для исключения попадания влаги во время нахождения в пути.

При заказе в количестве от 10 штук поставляется в распиленных родных пластиковых рейках, помещаемых в картонную коробку.

При оптовых заказах от 300 штук (одна коробка) отправляется в родной промышленной упаковке с обязательным условием целостности защитного стикера.


Рис. №5 Внешний вид заводской упаковки оригинальных транзисторов RJH60F5 (300 шт.)

При желании покупателя коробка может быть вскрыта и предоставлен фотоотчет погрузки (только после оплаты).

Часто задаваемые вопросы

1) Вопрос: Какой у IGBT транзистора RJH60F5 аналог?

Ответ: Самый лучший аналог — это новый и гарантированно оригинальный транзистор RJH60F5 — при рабочей обвязке схемы включения транзисторов гарантируется запуск и надежная работа устройства. Полного аналога RJH60F5 не существует, наиболее часто заменяют транзисторами типа 40N60 или 60N60, но гарантия на заменяемые комплектующие не распространяется! Все работы по замене на аналогичные вы производите на свой страх и риск.

2) Вопрос: какой срок гарантии на транзисторы RJH60F5 в вашем магазине?

Ответ: Следует понимать, что гарантированная работа транзисторов RJH60F5 возможна только при правильно настроенной и заведомо исправной схемы устройства, а также правильности монтажа и обеспечения достаточного для отвода тепла радиатора, либо активного охлаждения вентиляторами. Огромное значение имеет рабочий диапазон температуры и максимальные токи. Транзисторы могут проработать несколько лет, а при неправильной эксплуатации могут выйти из строя в короткое время. Мы предоставляем гарантированные поставки оригинальных комплектующих и обеспечиваем обратную связь с нашими покупателями.

Ссылки
Наши группы в социальных сетях

Самый маленький в мире транзистор стал более удобным

Одноатомные транзисторы могут значительно уменьшить потребление энергии компьютерами.

Миллиарды обычных транзисторов в современных процессорах поглощают очень много энергии. (Фото: ADDRicky / Depositphotos) 

Изобретение полупроводниковых транзисторов привело к цифровой революции. Современные процессоры из кремния содержат миллиарды электронных компонентов (пока что рекорд здесь – около 18 млрд транзисторов в одном процессоре).

Тем не менее у привычной технологии есть ограничения и недостатки – в том числе относительно высокая энергоемкость. В индустриально развитых странах на компьютеры и другие электронные устройства приходится около 10% от общего потребления энергии. Сократить его могут помочь одноатомные транзисторы.

Первые опытные образцы транзисторов, в которых для управления током используются отдельные атомы, созданы еще в первой половине 2000-х. Одно из первых подобных устройств сделали инженеры под руководством Томаса Шиммеля (Thomas Schimmel) в Технологическом институте Карлсрэ: расстояние между металлическими контакты в транзисторе не превышало размера атома.

С помощью управляющего электрода в зазор сначала помещали, а затем убирали атом серебра, который служил ключом, открывающим путь для электрического тока. Одноатомный транзистор давал возможность управлять токами в 10 тысяч раз меньшими, чем позволяют полупроводниковые транзисторы. Однако прототип получился непригодным для практического применения: его контакты должны постоянно находиться в жидкости, а ведь довольно трудно представить процессор с миллиардами ячеек, заполненными жидкостью.

Недавно исследователи предприняли попытку сделать транзистор менее капризным. Вместо жидкого электролита с атомами серебра они поместили между контактами гель, который тоже содержит атомы серебра и который сделан на основе пирогенного диоксида кремния. В итоге удалось избежать протечек, которые возникали в случае с жидким наполнителем. Что же до самого геля, то производство пирогенного диоксида кремния в мире давно освоено, как отмечают в Advanced Materials авторы работы.

В дальнейшем совершенствование технологии может дать нам «вечную» электронику, которая годами будет работать от небольших батарей. А компьютеры на одноатомных транзисторах могут косвенно уменьшить выброс в атмосферу углекислого газа – за счет низкого потребления энергии.

Стоит отметить, что на привычные полупроводниковые приборы сейчас наступают с нескольких сторон, и у одноатомных транзисторов здесь есть мощные конкуренты. Так, в нескольких лабораториях – в том числе в лаборатории IBM – пытаются создать новые мощные и надежные процессоры, используя свойства графена.  Мощный ВЧ-транзистор

NXP мощностью 1500 кВт устанавливает новый стандарт | 2016-04-13

Компания NXP Semiconductors представила самый мощный в мире ВЧ-транзистор, работающий на любой частоте. MRF1K50H, рассчитанный на передачу 1,50 кВт в непрерывном режиме при 50 В, может уменьшить количество транзисторов в мощных ВЧ усилителях, что уменьшает размер усилителя и сокращает перечень материалов. MRF1K50H работает на частоте до 500 МГц для широкого спектра применений, от лазерных и плазменных источников до ускорителей частиц, промышленных сварочных аппаратов, передатчиков радио- и телевещания в диапазоне УКВ и линейных усилителей для любительских радиостанций.

Как и все прочные LDMOS-транзисторы, MRF1K50H, как ожидается, выдержит КСВН 65: 1, но может поглощать на 50 процентов больше энергии, чем его предшественник, MRFE6VP61K25H мощностью 1,25 кВт. Такой уровень прочности увеличивает надежность, что делает транзистор отличной альтернативой электронным лампам.

MRF1K50H размещен в стандартном керамическом корпусе с воздушной полостью и по сопротивлению совместим с существующими мощными транзисторами, представленными сегодня на рынке: его можно просто установить в существующие системы без необходимости переделывать печатную плату (PCB), требуется только легкая перенастройка.

«Этот новый транзистор обеспечивает разработчикам ВЧ-сигналов самую высокую выходную мощность и самое высокое энергопоглощение на рынке, при этом он используется в существующих печатных платах, — сказал Пьер Пиль, старший директор по промышленным технологиям ВЧ-мощности в NXP. «MRF1K50H повышает надежность промышленных систем, требующих работы в самых суровых условиях».

Еще большей надежности можно добиться с помощью литой пластиковой версии транзистора MRF1K50N, который снижает тепловое сопротивление на 30 процентов по сравнению с MRF1K50H.Технология пластиковой упаковки NXP помогает повысить производительность ВЧ-транзисторов, одновременно упрощая изготовление усилителя благодаря более жестким допускам на размеры и улучшенным паяным соединениям.

Технические характеристики обеих версий включают КПД 80 процентов на частоте 100 МГц, усиление 23,5 дБ и минимальное напряжение пробоя 135 В. После производства транзисторы станут частью программы NXP Product Longevity Program, обеспечивающей доступность в течение как минимум 15 лет. Условия и положения, а также список доступных продуктов можно найти на сайте www.nxp.com/productlongevity.

MRF1K50H и MRF1K50N в настоящее время проходят отбор проб, производство ожидается в июле 2016 года. Доступны эталонные схемы для различных частот.

Для получения информации о ценах или дополнительной информации обратитесь в местное торговое представительство NXP или к утвержденному дистрибьютору NXP.

4 лучших транзистора, которые нужно держать в комплекте деталей

Если вашему проекту нужен транзистор, есть множество вариантов. Что заставляет ответить на вопрос «Какой транзистор мне использовать или купить?» непростая задача.Не бойтесь, прежде чем разбираться со спецификациями за спецификациями, рассмотрите один из этих четырех транзисторов общего назначения. В ящике с инструментами каждого инженера-электронщика должно быть несколько таких инструментов.

Транзисторы — один из самых универсальных дискретных компонентов в электронике. В цифровых схемах они включаются и выключаются, а в аналоговых схемах они используются для усиления сигналов. В большинстве проектов они используются для включения нагрузки, которая убила бы вывод ввода-вывода микроконтроллера или микропроцессора. Для большинства схем можно использовать либо BJT, либо MOSFET, в зависимости от тока нагрузки, который необходимо переключить.

[Edit Note] Ян (комментарий ниже) указывает, что существуют европейские эквиваленты, которые могут быть более доступными для тех, кто находится в этой части мира. Для NPN проверьте BC547, для PNP — BC557.

Вот еще несколько подробностей по каждому из них.

Лучшие транзисторы: БЮЦ

Биполярные транзисторы

поставляются в небольших корпусах, могут управляться напрямую с помощью выводов ввода-вывода и стоят ОЧЕНЬ дешево. Есть два варианта: NPN и PNP. Эти маленькие ребята — рабочие лошадки для большинства схем управления для приложений с малым током.В 3-контактном корпусе в стиле TO-92 вы обычно найдете детали со сквозным отверстием.

# 1 NPN — 2N3904

Чаще всего NPN-транзисторы можно встретить в схемах переключателей низкого уровня. Эта конфигурация означает, что все, что вы хотите контролировать, подключено между «высоким» напряжением и коллектором транзистора. Прочтите этот пост для получения дополнительной информации о переключателях низкого и высокого уровня.

Обычно я использую транзистор 2N3904. Вы можете легко переключать большие нагрузки, например, более 12 вольт, с максимальным номиналом этого транзистора в 40 вольт.Его номинальный ток составляет всего 200 мА, но этого достаточно для большинства реле.

2N3904 от Mouser

# 2 PNP — 2N3906

Для цепей переключателя высокого напряжения вам понадобится BJT типа PNP. В цепи высокого напряжения нагрузка находится между коллектором транзистора и землей цепи. Его эмиттер подключается к «высокому напряжению». Поскольку я рекомендовал 2N3904 для NPN, я предлагаю его дополнение: 2n3906. Как и NPN, он имеет такое же максимальное напряжение и ток: 40 В и 200 мА.Прочтите этот пост для получения дополнительной информации о переключателях низкого и высокого уровня.

2N3906 от Mouser

# 3 Питание — TIP120

Одним из преимуществ BJT является то, что они легко управляются от вывода ввода-вывода Arduino или Raspberry Pi. Когда они сконфигурированы как «пара Дарлингтона», они могут обеспечивать значительно более высокие токи, чем одиночные транзисторы. TIP120 — это пара Дарлингтона, которая может выдерживать до 5 ампер в корпусе TO-220. Иногда можно увидеть тот же корпус, который используется для линейных регуляторов LM7805.Если вы хотите получить такой большой ток, не забудьте радиатор!

TIP120 от Mouser

Лучшие транзисторы: МОП-транзисторы

Когда вам нужно управлять большим количеством ампер тока, полевые МОП-транзисторы — это просто фантастика. Однако большинство из них не работают на «логических уровнях», то есть им обычно требуется от 10 до 15 вольт для их правильного включения. Такое высокое напряжение трудно достичь 5-вольтовому контакту ввода-вывода Arduino, не говоря уже о Beaglebone или Raspberry Pi.

Если вы новичок в MOSFET, ознакомьтесь с моим видеоуроком по MOSFET (прокрутите вниз) и этой статьей о развенчании мифов о MOSFET.

# 4 N-канал (логический уровень) — FQP30N06L

Эти транзисторы «рабочая лошадка» рассчитаны на максимальное напряжение 60 В и 30 А. Не в миллиамперах. Амперы! (Хотя вам понадобится радиатор!) Они стоят почти в 2 раза больше, чем стоит TIP120, но они обеспечивают намного больший ток. Лучшая часть? Благодаря Vgs-порогу, совместимому с «логическим уровнем», Arduino может легко управлять ими с помощью своего выходного вывода 5,0 В. Благодаря этим свойствам я держу под рукой стопку FQP30N06.

FQP30N06L от Mouser

FPQ30N06L от Amazon

Заключение

Эти четыре транзистора общего назначения предназначены для широкого диапазона применений.Наличие пары каждого из них в коробке пригодится практически для любого проекта. Оставьте комментарий ниже, какие транзисторы вы держите под рукой.

Обновление : я добавил небольшое примечание о европейских альтернативах для NPN и PNP BJT.

транзисторов — learn.sparkfun.com

Добавлено в избранное Любимый 77

Applications II: Усилители

Некоторые из самых мощных транзисторных приложений включают усиление: преобразование сигнала малой мощности в сигнал большей мощности.Усилители могут увеличивать напряжение сигнала, беря что-то из диапазона мкВ и преобразовывая его в более полезный уровень в мВ или В. Или они могут усиливать ток, что полезно для превращения мкА тока, создаваемого фотодиодом, в ток гораздо большей величины. Существуют даже усилители, которые принимают ток и производят более высокое напряжение или наоборот (называемые транссопротивлением и крутизной соответственно).

Транзисторы являются ключевым компонентом многих усилительных схем. Существует бесконечное количество разнообразных транзисторных усилителей, но, к счастью, многие из них основаны на некоторых из этих более примитивных схем.Запомните эти схемы, и, надеюсь, с небольшим сопоставлением с образцом вы сможете понять более сложные усилители.

Общие конфигурации

Три основных транзисторных усилителя: общий эмиттер, общий коллектор и общая база. В каждой из трех конфигураций один из трех узлов постоянно связан с общим напряжением (обычно с землей), а два других узла являются либо входом, либо выходом усилителя.

Общий эмиттер

Общий эмиттер — одна из наиболее популярных схем транзисторов.В этой схеме на эмиттер подается напряжение, общее как для базы, так и для коллектора (обычно это земля). База становится входом сигнала, а коллектор становится выходом.

Схема с общим эмиттером популярна, потому что она хорошо подходит для усиления напряжения , особенно на низких частотах. Например, они отлично подходят для усиления аудиосигналов. Если у вас небольшой входной сигнал с размахом 1,5 В, вы можете усилить его до гораздо более высокого напряжения, используя немного более сложную схему, например:

Одна особенность обычного эмиттера состоит в том, что он инвертирует входной сигнал (сравните его с инвертором с последней страницы!).

Общий коллектор (эмиттерный повторитель)

Если мы подключим коллектор к общему напряжению, используем базу как вход, а эмиттер как выход, то получится общий коллектор. Эта конфигурация также известна как эмиттерный повторитель .

Общий коллектор не усиливает напряжение (фактически, выходное напряжение будет на 0,6 В ниже входного). По этой причине эту схему иногда называют повторителем напряжения .

Эта схема имеет большой потенциал в качестве усилителя тока .В дополнение к этому высокий коэффициент усиления по току в сочетании с коэффициентом усиления по напряжению, близким к единице, делает эту схему отличным буфером напряжения . Буфер напряжения предотвращает нежелательные помехи цепи нагрузки цепи, управляющей ею.

Например, если вы хотите подать 1 В на нагрузку, вы можете пойти простым путем и использовать делитель напряжения, или вы можете использовать эмиттерный повторитель.

По мере увеличения нагрузки (что, наоборот, означает уменьшение сопротивления) выход схемы делителя напряжения падает.Но выходное напряжение эмиттерного повторителя остается стабильным, независимо от нагрузки. Большие нагрузки не могут «нагружать» эмиттерный повторитель, как это могут быть цепи с большим выходным сопротивлением.

Общая база

Мы поговорим об общей базе, чтобы завершить этот раздел, но это наименее популярная из трех основных конфигураций. В усилителе с общей базой эмиттер является входом, а коллектор — выходом. База общая для обоих.

Общая база похожа на антиэмиттер-повторитель.Это приличный усилитель напряжения, и ток на входе примерно равен выходному току (на самом деле ток на входе немного больше, чем на выходе).

Схема с общей базой лучше всего работает как токовый буфер . Он может принимать входной ток с низким входным сопротивлением и подавать почти такой же ток на выход с более высоким сопротивлением.

Вкратце

Эти три конфигурации усилителей лежат в основе многих более сложных транзисторных усилителей. У каждого из них есть приложения, где они сияют, будь то усиление тока, напряжения или буферизация.

Общий эмиттер Общий коллектор Общая база
Коэффициент усиления напряжения Средний Низкий Высокий
Усиление тока Низкое Среднее Высокое Низкое
Выходное сопротивление Среднее Низкое Высокое

Многокаскадные усилители

Мы можем продолжать говорить о большом разнообразии транзисторных усилителей.Вот несколько быстрых примеров, демонстрирующих, что происходит, когда вы комбинируете одноступенчатые усилители, указанные выше:

Дарлингтон

Усилитель Дарлингтона соединяет один общий коллектор с другим для создания усилителя с высоким коэффициентом усиления по току .

Выходное напряжение примерно равно входному напряжению (минус 1,2–1,4 В), но коэффициент усиления по току является произведением двух коэффициентов усиления транзистора . Это β 2 — более 10 000!

Пара Дарлингтона — отличный инструмент, если вам нужно управлять большой нагрузкой с очень малым входным током.

Дифференциальный усилитель

Дифференциальный усилитель вычитает два входных сигнала и усиливает эту разницу. Это важная часть цепей обратной связи, где вход сравнивается с выходом для получения будущего выхода.

Вот основа дифференциального усилителя:

Эту схему также называют длинной хвостовой парой . Это пара схем с общим эмиттером, которые сравниваются друг с другом для получения дифференциального выхода.Два входа подаются на базы транзисторов; выход представляет собой дифференциальное напряжение на двух коллекторах.

Двухтактный усилитель

Двухтактный усилитель является полезным «заключительным каскадом» многих многокаскадных усилителей. Это энергоэффективный усилитель мощности, часто используемый для управления громкоговорителями.

Основной двухтактный усилитель использует транзисторы NPN и PNP, оба сконфигурированы как общие коллекторы:

Двухтактный усилитель на самом деле не усиливает напряжение (выходное напряжение будет немного меньше входного), но усиливает ток.Это особенно полезно в биполярных схемах (с положительным и отрицательным питанием), потому что оно может как «проталкивать» ток в нагрузку от положительного источника питания, так и «вытягивать» ток и погружать его в отрицательный источник питания.

Если у вас есть биполярный источник питания (или даже если у вас его нет), двухтактный — отличный конечный каскад для усилителя, действующий как буфер для нагрузки.

Собираем их вместе (операционный усилитель)

Давайте рассмотрим классический пример многокаскадной транзисторной схемы: операционный усилитель.Умение распознавать общие транзисторные схемы и понимание их назначения может очень помочь! Вот схема внутри LM3558, действительно простого операционного усилителя:

Внутреннее устройство операционного усилителя LM358. Узнали какие-то усилители?

Здесь определенно больше сложности, чем вы можете быть готовы усвоить, однако вы можете увидеть некоторые знакомые топологии:

  • Q1, Q2, Q3 и Q4 образуют входной каскад. Очень похоже на общий коллектор (Q1 и Q4) в дифференциальном усилителе , верно? Он просто выглядит перевернутым, потому что использует PNP.Эти транзисторы образуют входной дифференциальный каскад усилителя.
  • Q11 и Q12 являются частью второго этапа. Q11 — это общий коллектор, а Q12 — это общий эмиттер . Эта пара транзисторов буферизует сигнал с коллектора Q3 и обеспечивает высокий коэффициент усиления, когда сигнал поступает на конечный каскад.
  • Q6 и Q13 являются частью финальной стадии, и они тоже должны выглядеть знакомо (особенно если не обращать внимания на R SC ) — это двухтактный ! Этот этап буферизует выходной сигнал, позволяя ему управлять большими нагрузками.
  • Есть множество других распространенных конфигураций, о которых мы не говорили. Q8 и Q9 сконфигурированы как токовое зеркало , которое просто копирует величину тока, проходящего через один транзистор, в другой.

После этого ускоренного курса по транзисторам мы не ожидаем, что вы поймете, что происходит в этой схеме, но если вы можете начать определять общие схемы транзисторов, вы на правильном пути!



← Предыдущая страница
Приложения I: Коммутаторы

Лучший транзистор для аудиоусилителя

Вы, вероятно, сделаете более эффективный выходной каскад мощности, используя BJT для того же количества компонентов по сравнению с MOSFET.Я использую слово «эффективный» для обозначения того, что ваше выходное напряжение будет повышаться / увеличиваться для того же источника питания с BJT, используемыми в простой двухтактной схеме. Это связано с тем, что для включения BJT вам нужно всего около 0,6–0,7 В, тогда как для получения полевого МОП-транзистора, питающего несколько сотен миллиампер, вам может потребоваться управлять его затвором с помощью 3 или 4 вольт.

Опять же, это будет простой двухтактный выходной каскад класса AB с эмиттерным повторителем. Вы можете управлять выходными транзисторами только сигналом, который ограничен шинами питания, и если это (скажем) 24 В постоянного тока, вы должны иметь возможность передавать сигнал, который составляет 22 В (размах) на силовые транзисторы.Учитывая, что каждый BJT будет «терять» 0,7 В (из-за перехода база-эмиттер), максимальное выходное напряжение будет около 20,6 В от пика к пику. Если бы вы использовали МОП-транзисторы, это было бы больше похоже на 14 вольт от пика до пика при приличной нагрузке.

Пока что в моем ответе есть немного размахивания руками, но просто сделайте свою домашнюю работу с МОП-транзисторами, подключенными в качестве повторителя источника, и выберите один с маленьким Vgs (порог) и изучите лист данных, чтобы увидеть, сколько напряжения привода затвора необходимо, чтобы через него протекало несколько сотен миллиампер.

Существуют более сложные конструкции, которые довольно сложно заставить работать, когда выходные транзисторы подключены к коллектору или к стоку, но для новичка я бы держался от них подальше, потому что они будут нестабильными, если не будут тщательно спроектированы и потребуют большего кремний для эффективной работы.

Итак, учитывая, что вы не указали выходную мощность, нагрузку на динамик или шины напряжения, я бы сказал, что выходной каскад мощности BJT, вероятно, является лучшим выбором. Что касается других транзисторов, я бы остановился на BJT — они использовались в десятках тысяч хороших коммерческих проектов.Конечно, вы могли бы рассмотреть выходной каскад класса A с использованием выходного трансформатора — это, вероятно, стоит рассмотреть, но недостатком является потеря эффективности из-за окончательного смещения транзистора.

Я только что поискал довольно простой выходной каскад, который показывает схему смещения, которая вам, вероятно, понадобится для приличного усилителя, и наткнулся на этот: —

Оно взято с этого сайта. Я рекомендую его, потому что он, кажется, имеет приличную спецификацию, и на сайте также рекомендуется урезанная версия без диодов / смещения.Лично я думаю, что это будет хорошее начало для новичка. На сайте обсуждается несколько вещей о том, что необходимо для создания хорошего выходного каскада.

Вы можете взять базовую конструкцию, добавить к ней усиление и поменять ОУ на отдельные транзисторы, если проведете немного больше исследований.

NXP представляет LDMOS RF транзистор мощностью 1800 Вт

NXP Semiconductors анонсировала новую технологию LDMOS для силовых ВЧ транзисторов, рассчитанных на работу с напряжением до 65 В (В).Этот процесс LDMOS сверхвысокого напряжения приведет к созданию серии MRFX, нового поколения LDMOS-продуктов от NXP.

Первым продуктом в серии MRFX является MRFX1K80, самый мощный в отрасли РЧ-транзистор непрерывного действия (CW). Он рассчитан на передачу 1800 Вт (Вт) в непрерывном режиме при 65 В для приложений от 1 до 470 мегагерц (МГц) и способен работать с коэффициентом стоячей волны по напряжению 65: 1 (КСВН).

Прямая совместимость между их транзисторами мощностью 1250 Вт, 1500 Вт и новыми транзисторами мощностью 1800 Вт позволяет клиентам создать единую масштабируемую платформу для нескольких конечных продуктов.С этим новым поколением заказчики NXP смогут выполнить свои обязательства по выпуску более производительных и надежных продуктов в более короткие сроки.

MRFX1K80 предназначен для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, таких как генерация лазера, плазменное травление, магнитно-резонансная томография (МРТ), лечение кожи и диатермия, а также ускорители частиц и другие научные приложения. MRFX1K80 также разработан для радиопередатчиков и передатчиков телевидения очень высокой частоты (VHF).Промышленные нагревательные, сварочные, вулканизирующие или сушильные машины, в которых в настоящее время используются вакуумные трубки, также выиграют от более высокого уровня контроля, который обеспечивает твердотельное состояние.

По мере того, как RF становится все более распространенным в различных промышленных приложениях, NXP предоставляет инженерам-энергетикам RF средства для сокращения времени цикла проектирования:

Больше мощности — Более высокое напряжение обеспечивает более высокую выходную мощность, что помогает уменьшить количество транзисторов для объединения, упрощая сложность усилителей мощности и уменьшая их размер.

Более быстрое время разработки — При более высоком напряжении выходная мощность может быть увеличена при сохранении разумного выходного сопротивления. Это упрощает согласование до 50 Ом, особенно в широкополосных приложениях. Более быстрое сопоставление значительно сокращает время разработки.

Повторное использование конструкции — Это преимущество импеданса также обеспечивает совместимость выводов с текущими 50 В LDMOS-транзисторами, что позволяет разработчикам радиочастот повторно использовать существующие конструкции печатных плат (PCB) для еще более короткого времени вывода на рынок.

Управляемый уровень тока — Более высокое напряжение снижает ток в системе, ограничивая нагрузки на источники питания постоянного тока и уменьшая магнитное излучение.

Большой запас прочности — Технология LDMOS NXP 65 В имеет напряжение пробоя 182 В, что повышает надежность и обеспечивает более высокую эффективность архитектуры.

Доступность и поддержка разработки

Транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью в настоящее время находится на стадии отбора проб, производство ожидается в августе 2017 года.В настоящее время доступны эталонные схемы для приложений 27 МГц и 87,5–108 МГц. Через несколько месяцев NXP предложит версию MRFX1K80N с литым пластиковым корпусом, которая снижает тепловое сопротивление на 30 процентов для большей надежности и простоты использования. Для получения информации о ценах или дополнительной информации обратитесь в местное торговое представительство NXP или к утвержденному дистрибьютору NXP.

Щелкните здесь, чтобы загрузить презентацию об этой новой технологии.

Лучшие транзисторы для хранения деталей — Блоги — Виртуальный класс для университетской программы ADI

Лучшие транзисторы для хранения деталей

Если вам нужны транзисторы для проекта, есть множество вариантов.Это может затруднить ответ на вопрос «Какой транзистор мне использовать?» потенциально очень запутанный. Не бойтесь, прежде чем переходить к спецификации после спецификации, подумайте об использовании одного из этих транзисторов общего назначения, которые включены в комплект аналоговых деталей ADALP2000. В запасе запасных частей каждого инженера должно быть по несколько штук каждой.

Транзисторы — один из самых универсальных дискретных компонентов в электронике. В цифровых системах они включают и выключают сигналы, а в аналоговых системах они используются для усиления сигналов.Во многих проектах они используются для включения и выключения нагрузки, которая требует тока, намного большего, чем может обеспечить вывод ввода / вывода микроконтроллера или микропроцессора. Это часто можно сделать с помощью BJT или MOSFET, в зависимости от тока нагрузки и напряжения, которое необходимо переключить.

Вкратце, мы рекомендуем:

BJT, NPN, 2N3904

БЮТ, ПНП, 2Н3906

Мощность NPN, TIP31

Мощность PNP, TIP32

N-канальный полевой МОП-транзистор, ZVN2110A

МОП-транзистор с P-каналом, ZVP2110A

N-канальный полевой МОП-транзистор Power, IRF510

Существуют европейские и японские эквиваленты, которые могут быть более доступны, если вы находитесь в этой части мира.Для NPN посмотрите BC547 или 2SC1815, для PNP — BC557 или 2SA1015.

Вот еще несколько подробностей о каждом из них в нашем списке.

БЮЦ

Биполярные транзисторы поставляются в небольших корпусах. При напряжении Vbe около 0,7 В базу можно приводить в действие с помощью резистора высокого номинала непосредственно от контактов ввода / вывода CMOS, и они, как правило, имеют довольно низкую стоимость. Есть два варианта: NPN и PNP. Это рабочие лошадки большинства схем управления для слаботочных приложений. Обычно встречается в виде деталей со сквозным отверстием в 3-контактном корпусе в стиле TO-92.

# 1 NPN — 2N3904

Транзисторы

NPN используются в схемах переключателей нижнего плеча. Это означает, что все, что вы хотите контролировать, подключено между высоким напряжением и коллектором транзистора, а эмиттер подключен к земле, как показано в примере драйвера светодиода, показанном на рисунке 1.

Рисунок 1, NPN как выключатель нижнего уровня

Обычный NPN-транзистор — 2N3904. Вы можете легко переключать большие нагрузки 12 или 16 В с помощью этого транзистора 40 В. Номинальный ток составляет 200 мА, что достаточно для многих небольших двигателей постоянного тока, катушек реле или светодиодов.

2N3904 из ALP2000

№ 2 ПНП — 2Н3906

Для схем переключения высокого напряжения вам понадобится транзистор типа PNP. Переключатель высокого напряжения — это то место, где эмиттер подключен к источнику положительного напряжения, а нагрузка помещается между коллектором и землей. Поскольку 2N3904 был включен для NPN, его дополнение: 2N3906 включено. Он также рассчитан на 40 В и 200 мА.

Рисунок 2, PNP как выключатель верхнего уровня

2N3906 из ALP2000

# 3 Питание — TIP31, TIP32

Одним из преимуществ BJT является то, что они легко управляются с логического вывода CMOS I / O.Бета-коэффициент для NPN TIP31 и PNP TIP32 может составлять 25, что может быть недостаточно при управлении токами большой нагрузки. Когда они сконфигурированы как «пара Дарлингтона» с 2N3904 или 2N3906, они могут обеспечивать значительно более высокие токи, чем одиночные транзисторы. TIP31 может выдерживать ток до 5 А в относительно большом корпусе TO-220. (Иногда можно увидеть тот же пакет, используемый для линейных регуляторов.) Если вы хотите управлять таким большим током, не забудьте использовать радиатор.

TIP31 и TIP32 от ALP2000

# 4 полевых МОП-транзисторов

Малосигнальные полевые МОП-транзисторы, такие как ZVN2110A и ZVP2110A, могут иметь преимущества перед транзисторами BJT в том, что для их включения не требуется ток, а только напряжение на затворе.Это может быть идеальным при создании буферных усилителей с высоким входным сопротивлением. Пороговое напряжение для ZVN2110A может находиться в диапазоне от 0,8 до 2,4 В и от -1,5 до -3,5 для ZVP2110A, что значительно больше, чем у BJT Vbe, и варьируется от гораздо большего количества устройств к устройству, что может усложнить их использование в качестве аналоговых усилителей. .

ZVN2110A, ZVP2110A из ALP2000

Однако многие полевые МОП-транзисторы не работают на «логических уровнях», что означает, что им обычно требуется 10-15 В на затворе для полного включения.Такие транзисторы с большим Vth не могут управляться выходом CMOS с логическим уровнем 5 В. Это означает, что забудьте об их использовании напрямую с микроконтроллерами или одноплатными компьютерами.

Когда вам нужно управлять большим током, силовые полевые МОП-транзисторы просто великолепны. Для управления ими не требуется ток затвора, а только напряжение, что делает их идеальными для эффективного переключения больших токов.

# 5 Power N-Channel — IRF510

Эти транзисторы рассчитаны на 100 В и 5,6 А. Не в миллиамперах, а в амперах.(Хотя вам понадобится радиатор). Минимальное и максимальное пороговое напряжение затвора составляет от 2 В до 4 В, поэтому они могут считаться совместимыми с «логическим уровнем» и могут управляться логическими уровнями 5 В. Хотя, наверное, не до конца их указал Рон. Вот почему IRF510 был включен в комплект деталей.

IRF510 из ALP2000

В заключение

Эти транзисторы общего назначения предназначены для широкого диапазона применений. С таким же успехом можно использовать и другие подобные устройства.Наличие нескольких деталей каждого из них в запасе деталей пригодится практически для любого проекта. Оставьте ниже свои предложения по поводу того, какие транзисторы вы считаете наиболее полезными.

Doug

Топ 5 лучших транзисторов для схем усилителей мощности звука

Если ваши громкоговорители издают сигнал с низким уровнем громкости, и вы устали от него, инвестирование и установка нового транзистора может быть всем, что вам нужно для усиления мощности звука. Если вы знаете, как установить и создать схему звукового усилителя, этот компонент будет довольно недорогим, и его легко найти, если вы знаете, где искать и что ищете.В зависимости от того, насколько сильным должен быть сигнал и какую акустическую систему вы используете, вы сможете найти идеальный транзистор для ваших нужд, доступный для доставки непосредственно с Amazon. Они идеально подходят для увеличения мощности вашей аудиосистемы.

Наш лучший выбор

В этой статье мы рассмотрим 5 самых популярных и проверенных транзисторов для схем усилителя мощности, которые доступны для доставки прямо сейчас на Amazon, а также включим описание и соответствующую ссылку, чтобы вы могли быть просто Один щелчок мышки — и вы получите идеальный транзистор для вашего конкретного усилителя мощности звука.

# 1) Кремниевый силовой транзистор NTE181 NPN от NTE Electronics

Это мощный кремниевый силовой транзистор с усилением звука на 100 В, 30 А, изготовленный NTE Electronics. В настоящее время он имеет пользовательский рейтинг 5 звезд на Amazon.com и доступен на момент написания этой статьи за 9,78 долларов США с бесплатной доставкой при заказах на сумму более 25 долларов США. Он способен выдерживать температуры от -65 до 200 градусов по Цельсию, что означает, что он имеет очень высокий температурный диапазон и должен выдерживать экстремальные сигналы и условия.Его мощность составляет 200 Вт. Если вас интересует этот мощный кремниевый силовой транзистор с усилением звука, нажмите кнопку «Купить» ниже, чтобы перейти непосредственно к его списку на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 2) Кремниевый NPN-транзистор MJ802 от NTE Electronics

Это кремниевый NPN-транзистор на 100 В, 30 А, снова производства NTE Electronics. В настоящее время он имеет рейтинг пользователей на Amazon 5 звезд и доступен на момент написания этой статьи за 8 долларов.17 с бесплатной доставкой на все заказы независимо от суммы. Он способен выдерживать температуры до 200 градусов по Цельсию, что означает, что он может выдавать очень сильные сигналы, не беспокоясь о трещинах или деформациях, и может выдерживать экстремальные условия. Это надежный транзистор, который хорошо подойдет вашим потребностям и прослужит долгое время, обеспечивая при этом практически неограниченный уровень громкости. Если вы думаете, что вас заинтересует этот кремниевый NPN-транзистор, нажмите кнопку «Купить» ниже, и вы попадете прямо на его листинг на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 3) Кремниевый комплементарный транзистор NTE285 PNP от NTE Electronics

Это кремниевый комплементарный PNP-транзистор на 180 В, 16 А, который, опять же, производится NTE Electronics. У него текущий рейтинг пользователей на Amazon 5 звезд, и на момент написания этой статьи он продается по цене 10,69 долларов США с бесплатной доставкой еще раз для всех заказов, общая стоимость которых превышает 25 долларов США. Это отличный дополнительный PNP-транзистор, сделанный из прочного силикона, который может выдерживать высокие температуры и обеспечивать максимальную громкость с помощью мощных сигналов.Если вы заинтересованы в приобретении этого дополнительного кремниевого транзистора PNP, не стесняйтесь щелкнуть кнопку покупки ниже, и вы попадете прямо в соответствующий список на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 4) Кремниевый PNP-транзистор MJ4502 от NTE Electronics

Это мощный дополнительный аудиоусилитель на 100 В, 30 А, который предназначен для работы в тандеме с кремниевым NPN транзистором MJ802, оба производимых NTE Electronics. На момент написания статьи он доступен по цене 3 доллара.94 с доставкой 1,99 $. Максимальная температура, как и в случае с кремниевым NPN-транзистором MJ802, составляет 200 градусов по Цельсию, а это означает, что оба, работая вместе, должны быть в состоянии выдерживать очень сильные сигналы, подаваемые с такой большой громкостью, насколько вы можете захотеть. Как и другие вышеупомянутые транзисторы, производимые NTE Electronics, этот продукт изготовлен из высококачественного и прочного силикона, который выдержит все, что вы можете в него бросить, и прослужит вам долгое время. Если вы являетесь тем, кто был бы заинтересован в покупке этого кремниевого транзистора PNP в качестве дополнительного дополнения к кремниевому транзистору NPN MJ802, все, что вам нужно сделать, это перейти к кнопке покупки ниже, щелкнуть по ней, и вы попадете прямо в соответствующий листинг продукта на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 5) Кремниевый комплементарный транзистор NTE280 NPN от NTE Electronics

Это кремниевый усилитель мощности мощностью 140 В, 12 А, изготовленный, как и остальные, NTE Electronics. На момент написания этой статьи она в настоящее время доступна на Amazon по цене 7,55 долларов США с бесплатной доставкой для любого заказа, стоимость которого превышает 25 долларов США. Это, как и кремниевый PNP-транзистор MJ4502, дополнительный транзистор, который работает в тандеме с другим транзистором для значительного усиления аудиосигнала.Как и все остальное, он сделан из прочного силикона и способен выдерживать невероятно высокие температуры. Это высококачественный и мощный дополнительный транзистор, который прослужит вам долгие годы и обеспечит максимальное усиление вашей звуковой системы при использовании в тандеме с правильным транзистором. Если вы думаете, что вы тот, кто был бы заинтересован в покупке этого кремниевого комплементарного транзистора NPN, нажмите кнопку «Купить» ниже, и вы попадете прямо в список на Amazon.com. Купить на amazon >>

Итак, у вас есть 5 лучших транзисторов для схемы усилителя мощности звука, которые в настоящее время доступны на Amazon, на основе оценок и отзывов пользователей. Надеюсь, эта статья смогла помочь вам выяснить, какой транзистор лучше всего подходит для ваших нужд, чтобы вы могли быть на пути к прослушиванию музыки в своей машине или домашней акустической системе на выбранной вами громкости! Любой из этих транзисторов для усиления мощности звука станет отличным дополнением к вашей акустической системе и, вероятно, прослужит вам долгое время, даже если вы планируете воспроизводить музыку на невероятно высокой громкости.

Читайте также:

Советы по выбору лучших транзисторов для усилителя мощности звука

В целом, если вам нужен лучший транзистор для схемы аудиоусилителя, то он должен хорошо делать электрический сигнал более мощным. Это то, о чем вам нужно думать, когда вы просматриваете различные атрибуты и характеристики транзистора.

Ниже приведены 5 основных советов по выбору лучшего транзистора для схемы усилителя мощности звука.

1) Проверьте обзоры

Возможно, вы новичок в понимании транзисторов и понимании того, какие из них являются лучшими усилителями.Вот почему вам следует дорожить мнением других людей, которые уже опробовали различные транзисторы и самостоятельно решили, какой из них лучше всего подходит для усиления звука. Вы можете легко открыть список 10 лучших транзисторов в Google и ознакомиться с отзывами клиентов о лучших транзисторах на рынке, особенно о тех, которые продаются на Amazon. Найдите транзистор, который люди хвалят больше всего за его способность к усилению мощности.

2) Ищите кремниевые полупроводники

Полупроводниковый материал транзистора является решающим фактором, который следует учитывать при размышлениях об усилении.Если полупроводниковый материал изготовлен из пластика или резины, то он больше подходит для отключения электрического тока или предотвращения его дальнейшего протекания по цепям. Но если вам нужен транзистор, который обслуживает усилитель мощности, то ищите транзистор с кремниевым материалом в качестве основы его полупроводника. Вы найдете кремний, используемый в большинстве полупроводников, производимых сегодня, особенно в компьютерах и мобильных телефонах.

3) Смещение базы постоянного тока

Когда входные сигналы достигают транзистора, для усиления всех сигналов потребуется смещение базы постоянного тока.По сути, это процесс, при котором в схему подается постоянное напряжение, чтобы помочь ей функционировать. Усиление происходит, когда переход коллектор-база становится смещенным в обратном направлении, а переход эмиттер-база становится смещенным в прямом направлении. Если транзистор не имеет смещения базы постоянного тока, этот процесс не может иметь места.

4) Спросите у электрика или эксперта по аудиосистеме

Электрический жаргон может сбить с толку непрофессионала. Когда вы слышите о смещении базы постоянного тока, трехконтактных слоях и других сложных языках о транзисторах, у вас все еще может возникнуть путаница.В конце концов, вы просто пытаетесь найти лучший транзистор для усиления мощности. Поэтому почему бы просто не спросить электрика или эксперта по звуку, какой, по их мнению, может быть лучший транзистор? Их мнение, вероятно, будет лучшим, к чему стоит прислушаться.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *