Таблица транзисторов с характеристиками. Справочник транзисторов: полное руководство по характеристикам и применению

alexxlabРазное
Какие бывают виды транзисторов. Как работают биполярные и полевые транзисторы. Какие основные параметры и характеристики транзисторов важны. Как правильно выбрать транзистор для конкретной схемы. Где найти подробную информацию о транзисторах.

Содержание

Виды и классификация транзисторов

Транзисторы являются одним из ключевых элементов современной электроники. Эти полупроводниковые приборы используются для усиления и коммутации электрических сигналов. Существует два основных типа транзисторов:

  • Биполярные транзисторы
  • Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы в свою очередь делятся на:

  • NPN-транзисторы
  • PNP-транзисторы

Полевые транзисторы бывают следующих видов:

  • МОП-транзисторы (MOSFET)
  • Транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET)

Кроме того, транзисторы классифицируют по мощности, частотным свойствам и другим параметрам. Какие основные характеристики важны при выборе транзистора?

Основные параметры и характеристики транзисторов

При выборе транзистора для конкретной схемы необходимо учитывать следующие ключевые параметры:


  • Максимально допустимый ток коллектора
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
  • Коэффициент усиления по току
  • Максимальная рассеиваемая мощность
  • Граничная частота
  • Входная и выходная емкость

Для полевых транзисторов также важны такие параметры как:

  • Крутизна характеристики
  • Пороговое напряжение
  • Сопротивление канала в открытом состоянии

Как правильно интерпретировать эти параметры при выборе транзистора?

Как выбрать подходящий транзистор для схемы

При выборе транзистора для конкретной схемы следует руководствоваться следующими принципами:

  1. Определить требуемый тип транзистора (биполярный или полевой)
  2. Рассчитать необходимые токи и напряжения
  3. Определить требуемую частоту работы
  4. Выбрать транзистор с подходящими параметрами из справочника
  5. Проверить дополнительные характеристики (температурный диапазон, корпус и т.д.)

Какие еще нюансы нужно учитывать при подборе транзистора?

Применение транзисторов в электронных схемах

Транзисторы находят широкое применение в самых разных электронных устройствах:


  • Усилители сигналов
  • Генераторы
  • Стабилизаторы напряжения
  • Импульсные источники питания
  • Логические схемы
  • Коммутаторы сигналов

В зависимости от области применения к транзисторам предъявляются различные требования. Например, для высокочастотных схем важны частотные свойства, а для мощных устройств — допустимая рассеиваемая мощность.

Справочные данные по транзисторам

Для получения подробной информации о конкретных моделях транзисторов используются различные справочники:

  • Печатные справочники по полупроводниковым приборам
  • Электронные базы данных и справочники
  • Технические описания (datasheet) от производителей

В справочниках приводятся детальные электрические параметры, графики характеристик, информация о корпусах и другие полезные данные. Где еще можно найти подробную информацию о транзисторах?

Маркировка и обозначения транзисторов

Для идентификации транзисторов используется буквенно-цифровая маркировка. Система обозначений может различаться у разных производителей, но обычно включает:


  • Буквы, обозначающие тип прибора (например, КТ для биполярных транзисторов)
  • Цифры, указывающие на серию и модификацию
  • Буквы, обозначающие группу параметров

Кроме того, на корпусе транзистора часто указывается полярность выводов. Как расшифровать маркировку конкретного транзистора?

Измерение параметров и проверка исправности транзисторов

Для проверки работоспособности и измерения параметров транзисторов используются различные методы:

  • Проверка мультиметром
  • Измерение коэффициента усиления
  • Снятие вольт-амперных характеристик
  • Проверка на пробой

При этом важно соблюдать меры предосторожности, чтобы не повредить транзистор во время измерений. Какие еще методы диагностики транзисторов существуют?

Особенности работы с мощными транзисторами

При использовании мощных транзисторов необходимо учитывать ряд важных моментов:

  • Обеспечение эффективного теплоотвода
  • Правильный выбор режима работы
  • Защита от перегрузок и пробоя
  • Учет температурной зависимости параметров

Для мощных транзисторов особенно важно не превышать предельно допустимые значения тока, напряжения и рассеиваемой мощности. Какие еще меры нужно предпринимать при работе с силовыми транзисторами?



Справочник транзисторы описание параметры и характеристики — Topsamoe.ru

11.04.2020СтроительствоКомментарии: 0

Содержание:

  • 1 Подробное описание
  • 2 Краткое содержание справочников по электронике.
      • 2.0.1 В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf – файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.
  • 3 Справочник smd транзисторов.
  • 4 Справочник транзисторов маломощных биполярных.
  • 5 Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности.
  • 6 Справочник по отечественным мощным транзисторам.
  • 7 Справочник по импортным мощным транзисторам.
  • 8 Справочник по отечественным полевым транзисторам.
  • 9 Справочник по импортным полевым транзисторам.
  • 10 Справочник IGBT транзисторов.
  • 11 Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов.
  • 12 Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки.
  • 13 Справочник по радиолампам отечественным.
  • 14 Справочник тиристоров отечественных.
  • 15 Справочник стабилитронов отечественных.
  • 16 Отечественные постоянные резисторы. Справочник.
  • 17 Отечественные переменные резисторы. Справочник.
  • 18 Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных.
    • 18.1 Отечественные операционные усилители. Справочник.
  • 19 Справочник стабилизаторов напряжения интегральных.
  • 20 КМОП цифровые микросхемы. Справочник.
  • 21 Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания.
  • 22 Справочник по отечественным реле.
  • 23 Справочник по разъемам низкочастотным.
    • 23.1 Отечественные оптроны. Справочник.
  • 24 Справочник по светодиодам отечественным
  • 25 Импортные диодные мосты. Справочник.
  • 26 Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов

Подробное описание

Справочные данные биполярных транзисторов

От составителя

Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования.

Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей.

В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.

В справочнике собраны параметры биполярных транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.

1. Большая избыточность:

а) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.

2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.

3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.

4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.

Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты. На большинство элементов приведено подробное описание с графиками.

Каждому компоненту соответствует свой pdf- файл с описанием. Часть справочников создана сканированием, а что-то взято с сайтов производителей.

Биполярные:

Аналоговые:

Цифровые:

E12
10%		E24
5%		E48
2%		E96
1%		E192
0.5%
Каталог поисковиков Data Sheet на импортные компоненты (наименование компонента вводится один раз, и простым нажатием кнопок можно посмотреть наличие datasheet на него в базах данных 18 разных поисковиков)

© 2007 — 2017 trzrus.ru & trzrus.narod.ru

Краткое содержание справочников по электронике.

В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf – файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.

Справочник smd транзисторов.

Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.

Справочник транзисторов маломощных биполярных.

В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.

Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности.

В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.

Справочник по отечественным мощным транзисторам.

В справочники по транзисторам кт. включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор – эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт. где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31 э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.

Справочник по импортным мощным транзисторам.

Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.

Справочник по отечественным полевым транзисторам.

В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток – исток и сопротивление сток – исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.

Справочник по импортным полевым транзисторам.

В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми – необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.

Справочник IGBT транзисторов.

В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.

Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов.

В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.

Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки.

В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.

Справочник по радиолампам отечественным.

В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.

Справочник тиристоров отечественных.

В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.

Справочник стабилитронов отечественных.

В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.

Отечественные постоянные резисторы. Справочник.

В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.

Отечественные переменные резисторы. Справочник.

Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.

Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных.

В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.

Отечественные операционные усилители. Справочник.

В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 – К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя – в общем, не хуже импортных datasheets . Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.

Справочник стабилизаторов напряжения интегральных.

В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.

КМОП цифровые микросхемы. Справочник.

В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.

Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания.

Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания

Справочник по отечественным реле.

В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.

Справочник по разъемам низкочастотным.

Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов – количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.

Отечественные оптроны. Справочник.

В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.

Справочник по светодиодам отечественным

В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.

Импортные диодные мосты. Справочник.

В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.

В справочнике приведены описания, характеристики и даташиты более 100 000 транзисторов

Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов

Сейчас в справочнике описаны 119006 транзисторов.

Параметры отечественных транзисторов таблица. Транзисторы биполярные. Справочник на отечественные биполярные транзисторы

24
янв
2014

Электронный справочник по транзисторам и диодам 3.4.0.11

Год выпуска: 2014
Жанр: Справочник
Разработчик: LordGray
Сайт разработчика: http://rc-db.ru
Язык интерфейса: Русский + Английский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows XP, 7
Системные требования: 70 Мб ОЗУ, 11 Гб на диске
Описание: Электронный справочник со следующими характеристиками:

Биполярные транзисторы: 13541 шт
Полевые транзисторы: 35661 шт
IGBT: 2893 шт
Диоды: 17330 шт
Стабилитроны: 52 шт

В нем 38554 спецификации (datasheets), 131 производитель, 12909 моделей проверены.
В программе есть сортировка, фильтрация, редактирование и ввод новых моделей, обновление по интернету и из файла. Обновления базы выходят каждое воскресение, вечером.

25
ноя
2010

Справочник по CSS. Версия 3.0 (Влад Мержевич)

Формат: CHM, eBook (изначально компьютерное)
Год выпуска: 2008
Жанр: Справочник
Издательство: www.htmlbook.ru
Язык: Русский
Количество страниц: Много
Описание: Описание каждого атрибута происходит по одному шаблону, содержит таблицу браузеров с номерами версий, которые поддерживают указанное свойство, синтаксис написания, допустимые значения параметра, наследование и к каким элементам он применяется. Каждый параметр иллюстрируется примером, который показывает область его применения. В большинстве случаев приводится рисунок, который показывает результат примера, что позволяет наглядно пон…


08
июн
2010

VIDAL 2010. Электронный справочник «Лекарственные препараты в России» (АстраФармСервис)

Формат: Электронный справочник
Год выпуска: 2010
Жанр: Справочники
Разработчик: АстраФармСервис
Сайт разработчика: http://www. vidal-expert.ru
Язык: русский
Описание: Справочник ВИДАЛЬ 2010 «Лекарственные препараты в России» предназначен для широкого круга специалистов: врачей всех специальностей, фармацевтов, провизоров, преподавателей и студентов медицинских и фармацевтических ВУЗов, а также специалистов, связанных с лекарственным обеспечением. Справочник ВИДАЛЬ 2010 «Лекарственные препараты в России» содержит информацию о 2500 лекарственных препаратах и 750 активных веществах, представленных…


03
янв
2010

Электронный восточный гороскоп гороскоп по 2031 год Rus 2.0

Год выпуска: 2009
Жанр: гороскоп
Разработчик: dekan
Сайт разработчика: www.dekan.ru
Язык интерфейса: Русский
Платформа: Windows: XP , 2003 , Vista , 2008 , 7
Системные требования:
Оперативная память: 128 Мб
Видеокарта: 32 Мб
Описание: Электронный гороскоп по 2031 год Rus Если вы любите гороскопы и хотите гороскоп на ближайшие дни или узнать о характере человека то Электронный гороскоп поможет Вам приоткрыть эти тайны! В наши дни практически каждый человек просматривает астрологические прогнозы, чтобы сверить свою жизнь с ритмами планет. Влияние планет на человека настолько велико, что лю…


02
июн
2015

Справочник по радиоэлектронике. В 3 томах (А.А. Куликовский (ред.))

Формат: DjVu, Отсканированные страницы
Автор: А.А. Куликовский (ред.)
Год выпуска: 1967-1970
Жанр: Справочная литература
Издательство: «Энергия». Москва
Язык: Русский
Количество книг: 3 книги
Описание: Излагаются материалы по теории связи, обнаружению и разрешению сигналов, распространению радиоволн и антенно-фидерным устройствам, а также рассматриваются электровакуумные и полупроводниковые приборы, усилительные устройства и элементы импульсной техники. Приводятся необходимые сведения по математическому аппарату, используемому в справочнике. Рассчитан на инженеров, работающих в различных облас…


21
янв
2014

Полный справочник по электрооборудованию и электротехнике (с примерами расчетов) (Эльвира Киреева, Сергей Шерстнев)

ISBN: 978-5-406-02971-8
Формат: PDF, Отсканированные страницы
Автор: Эльвира Киреева, Сергей Шерстнев
Год выпуска: 2013
Жанр: Учебники, справочники, энциклопедии
Издательство: КноРус
Язык: Русский
Количество страниц: 864
Описание: Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования, в частности трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам. Для инженеров, техников и м…


23
янв
2014

Форум Документ 3. Справочник инженера по охране труда CD. (декабрь 2013)

Год выпуска: 2013
Жанр: охрана труда
Разработчик: Форум Медиа
Сайт разработчика: http://www.forum-media.ru
Язык интерфейса: Русский
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32-bit
Операционная система: Windows (XP)
Системные требования: офисная конфигурация компьютера
Описание: В обязанности инженера по охране труда входит подготовка огромного количества разнообразных документов. Наличие и правильность составления документов гарантируют, что ваша организация будет готова к проверкам контролирующих органов, избежит штрафов и других санкций. Электронный набор документов на компакт-диске поможет вам ор…


30
сен
2009

Синицын А.

И — Справочник школьника. Математика 5-11 классы

Год выпуска: 2006
Жанр: Справочник
Разработчик: иницын А. И
Издательство: Новый диск
Язык интерфейса: русский
Платформа: PC
Системные требования: Операционная система Microsoft® Windows® 2000/XP Процессор Pentium® II 200 МГц 32 МБ оперативной памяти Разрешение экрана 800х600 с глубиной цвета 16 бит
Описание: В справочник по математике для 5-11 классов вошли основные определения, понятия и правила, систематезированные в соотвествии с порядком их изучения в рамках школьной программы. Все определения, понятия и правила по математике, изучаемые в 5–11 классах Изучение теоретического матер…


05
мар
2010

Электронный сборник тестов по психологии (SERVINT)

ISBN: 1.2.0.0
Формат: JPG, eBook (изначально компьютерное)
Год выпуска: 2007
Жанр: Психология
Издательство: SERVINT
Язык: Русский
Количество страниц: 28
Описание: Электронный сборник тестов по психологии, содержит распространённые тесты, программа имеет дружелюбный пользовательский интерфейс. В конце теста выдаёт «диагноз».
Список тестов: ВАШ ХАРАКТЕР 1. Мужественный или женственный у вас характер 2. Диагностика коммуникативного контроля 3. Живёте ли вы в согласии с собой 4. Благоразумный ли вы человек 5. Внимательный ли вы человек 6. Рассеянный ли вы человек 7. «Капитан» или «Пассажир» 8. В…


13
мая
2015

Metal War Online (0.11.0.4.0.1933)

Год выпуска: 2012
Жанр: Action / MMORPG / Симулятор
Разработчик: GD-Team Ltd
Издательство: GD-Team Ltd
Версия игры: 0.11.0.4.0.1933
Разработчик: GD-Team Ltd
Язык интерфейса: Русский
Платформа: PC
Системные требования:
Операционная система: Windows 7/ Vista / XP SP3
Процессор: Intel Core 2 Duo или AMD Athlon X2 64 3.0 ГГц
Оперативная память: 2 Гб
Жесткий диск: 7 Гб свободного места
Видеокарта: 512 Мб NVIDIA GeForce 9500GT / ATI Radeon HD 3450
Описание: Metal War Online — это новая клиентская сессионная MMO-игра в Sci-Fi сеттинге. Cобытия, захлестнувшие мир MWO, основаны на противостоянии двух…


16
сен
2009

Видеокурс по программе Skype 0.1-0.4

Перевод: Русский
Формат: DVDRip, SWF, MP3
Страна: Россия
Режиссер: TeachVideo
Жанр: Обучающее видео
Продолжительность: 01:20:00
Год выпуска: 2009
Описание: С развитием технологий появилась возможность общения не только по средством традиционных чатов, но так же и с помощью микрофона и видео. Фактический получается тот же телефон, только через интернет. Наиболее популярной программой на сегодняшний день в этом плане является программа Skype. Ей и посвящен данный курс. Содержание курса 1. Коротко о программе Skype 2. Меню File, View и Contacts 3. Меню Tools 4. Настройки Skype при помощи мастера…

Жанр: Массовая рассылка
Разработчик: Botmaster Labs
Сайт разработчика: http://www.botmasterru.com
Язык интерфейса: Русский + Англиский
Платформа: Windows 2000, XP, XP x64, Vista, Vista x64, 7, 7 x64
Системные требования: Intel or AMD Cpu 800Mhz или выше RAM 512Mb или больше Свободного места на диске ~210Mb Файлы в комплекте: Xrumer 3, 4, 5 База форумов 1500000 Denwer 3. 0 Файлы необходимые для сервера(папка botmaster.ru)
Описание: XRumer — программа, в автоматическом режиме размещающая Ваши обьявления на форумах, гостевых книгах, досках обьявлений и каталогах ссылок (а так…


24
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 21.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер

Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit


29
ноя
2011

The KMPlayer 3.0.0.1441 LAV сборка 7sh4 от 28.11.2011

Год выпуска: 2011
Жанр: Мультимедиаплеер
Разработчик: http://www.kmplayer.com/
Сайт разработчика: The KMPlayer
Язык интерфейса: Мультиязычный (русский присутствует)
Тип сборки: Standard
Разрядность: 32/64-bit
Операционная система: Windows XP, Vista, 7
Описание: The KMPlayer — это универсальный проигрыватель, который способен проигрывать практически любые форматы медиафайлов, например: VCD, DVD, AVI, MKV, Ogg Theora, OGM, 3GP, MPEG-1/2/4, WMV, RealMedia, QuickTime и другие. Также программа понимает cубтитры на DVD дисках и способна записывать звук, видео или картинки из любой части проигрываем…


Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат. xls Фирмы производители: ALLIANCE — размер файла 16 МБ. AMD — размер файла 15 МБ. ATMEL — размер файла 30 МБ. CATALYST — размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK — размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS — размер файла 44 МБ.

Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.

Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.

При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.

В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.

Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002

Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.

В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.

Цель издания настоящего справочника из серии «Ин тегральные микросхемы» — предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение — частота (ПНЧ) и частота — напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника «Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа», вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.

Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза

Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный.

К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт

Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.

Типы корпусов зарубежных и отечественных транзисторов

Корпус — это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями.

Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей.

Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.

Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса.

Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.

В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной — цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной — цепь эмиттера.

Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление.

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.

В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.

Каталог транзисторов по характеристикам

В ассортименте фирмы PHILIPS имеется целая гамма высоковольтных транзисторов, предназначенных для использования в импульсных силовых цепях питания телевизоров, видеомагнитовонов, мониторов и другой бытовой аппаратуры. Эти транзисторы в большинстве своем служат в устройствах формирования рабочих напряжений, в том числе для питания оконечных каскадов усилителей мощности звукового сигнала. Наиболее экономично высоковольтные транзисторы работают в двухтактном преобразователе с прерывающимся тюком дросселя. Максимальное значение напряжения на коллекторе транзистора в таком преобразователе равно сумме подводимого выпрямленного напряжения питающей сети и напряжения пикового броска.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Транзисторы
  • Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок
  • Справочник транзисторов
  • Транзистор КТ872А
  • Параметры отечественных биполярных транзисторов
  • Полевой транзистор
  • Высоковольтные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания
  • Зарубежные и отечественные транзисторы
  • Транзисторы — основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов
  • Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ НУЖНО ЗНАТЬ [РадиолюбительTV 43]

Транзисторы


Батареи и аккумуляторы Щелочные Cвинцово-кислотные Литий-ионные Никель-кадмиевые Никель-металлогидридные Серебряно-цинковые Цинковые Зарядные устройства Корпуса и держатели Питание от прикуривателя в авто Аксессуры для элементов питания Элементы питания. Предохранители, фильтры Аксессуары Автоматические выключатели Снятые с производтсва компоненты Держатели для предохранителей Предохранители Устройства защиты, супрессоры Размыкатели тока утечки на землю Ограничители пускового тока Самовосстанавливающиеся предохранители Сетевые фильтры, супрессоры Термостаты Термопредохранители Защитные диоды Различные защитные TVS Защитные тиристоры Защитные варисторы, транзисторы.

Кристаллы и осцилляторы Кристаллы Генераторы Резонаторы Разъемы и изоляторы. Потенциометры, переменные резисторы Аксессуары Подстроечные силовые резисторы Джойстики Реостаты Вращательные линейные Вращательные логарифмические Точные со шкалой Позунковые Дисковые Триммеры Прецизионные. Трансформаторы Аксессуары Звуковые трансформаторы Симметричные трансформаторы Токочувствительные трансформаторы Повышающие автотрансформаторы Силовые трансформаторы Импульсные трансформаторы Специализированные трансформаторы.

Вентиляторы, радиаторы Аксессуары для вентиляторов Вентилиторы переменного тока Вентиляторы постоянного тока Защита, фильтры Подложки для отвода тепла Радиаторы Радиаторы для монтажа светодиодов Модули Пельтье Термопасты, скотчи Аксессуары. Индукторы, катушки, дроссели Подстроечные Трансформаторы Линии задержки Постоянные. Резисторы Аксессуары Для монтажа на шасси Чип-резисторы для поверхностного монтажа Массивы Для штырькового монтажа. Кнопки, переключатели Аксессуары Аксессуары — Колпачки Конфигурируемые выключатели ДИП переключатели Кодирующие переключатели С запорным механизмом Клавиатуры Герконовые переключатели Навигационные переключатели, джойстики Кнопки Выключатели Дисковые переключатели Селектроные переключатели Ползунковые переключатели Переключатели мгновенного действия Чувствительные переключатели Координатные переключатели Тумблеры.

Монтажные принадлежности Аксессуары Втулки, Вкладыши Зажимы, шайбы Клипсы, хомуты на винтах Трубки для проводов Оптоволоконные розетки Оплетка Теплоизоляционные ленты Теплоизоляционные трубки Теплоизоляционная ткань Маркеры Тросы Соединительные муфты Защитные трубки и рукава Спиральная оплетка Герметики, влагополглощающие гели Хомуты пластиковые, крепежи Крепежные элементы для хомутов Каналы и короба.

Промышленное измерение Аксессуары Регуляторы давления воздуха Промышленные позиционеры Счетчики Автоматы Тестеры элементов нагревателей Счетчики времени Контроллеры уровня Другие приборы измерения Контроллеры мощности Програмируеммые реле кит-наборы Програмируеммые реле Промышленные термометры Таймеры Вольтметры, амперметры.

Корпуса, короба, стойки Объединительные панели Корпуса Направляющие для плат Модули и рамы для плат Коммутационные панели Боксы и шкафы.

Антистатическое оборудование Аксессуары Одежда Контейнеры Пеноматериал Заземленные маты Антистатические браслеты Ионизаторы Тестеры Антистатические пакеты Оборудование для контроля Салфетки, очистители. Инструменты Наборы инструментов Охлаждающие жидкости Обжимные механизмы Кусачки Крючки, палки-ковырялки Работа с оптоволокном Фонари Молотки Горелки Держатели, подставки Ножы и лезвия Плоскогубцы Прессы Гильятины для обрезки кабеля Дыроколы Отвертки Отвертки со сменными наконечниками Специальные аксессуары Специальные инструменты Спиральные трубки для проводов Аксессу Пинцеты Пылесосы Тиски Инструмент для зачистки проводов Пистолеты с лентами для крепления проводов Намоточный инструмент.

Изоленты, клеи Клеи, клеевые пистолеты Изоленты Держатели изолент. Измерительное оборудование Аксессуары Тестеры кабеля Электронные нагрузки Частотометр Генераторы функции Детекторы утечек Логические пробники Мультиметры Мультиметры специальные Осциллографы Источники питания Специальное измерительное оборудование Спектрометры Щетки и кисти Аллигаторы, крокодилы Проверочные зажимы, клипсы Проверочные зажимы, клипсы для проверки ИС Контрольные выводы Тестовые контакты, гнезда, провода Токовые клещи Тестовые контакты, гнезда, провода — комалекты Тестовые контакты, гнезда, провода — мультиметры Тестовые контакты, гнезда, провода — осцилографы Тестовые — штекера, контакты Тестовые контакты, гнезда, провода — термоэлемент, термопара Термометры Генераторы времени Ультрафиолетовый стиратель Переменные трансформаторы вариак Генераторы видео-сигнала Детекторы напряжения Приборы для поиска повреждений в цепи.

Наш каталог компонентов содержит технические описания и фильтры по параметрам на почти 1. Просто выберите нужный раздел каталога. Отобразится специальный фильтр подходящих параметров, отмечая соответствующие галочки вы сузите список до подходящих наименований. Кликнув по кнопкам «Поставщики» и «Купить» возможно тут же найти поставщиков по нашей базе участников или купить выбранный компонент в Магазине ChipFind.

Сухие цифры.


Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок

Чем смогу помогу. Электрик 6. Транзистор TIP Транзистор TIP41C. Транзистор TIP41B. Помогите подобрать аналог транзистора SKDT. Установлен в блоке управления электроквадроциклом 36V W.

Подробные характеристики транзистора КТ приведены в datasheet. Транзисторы КТА, КТБ с аналогичными параметрами выпускаются в.

Справочник транзисторов

В современном понимании транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-п переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током производится с помощью электрического поля, отсюда и название, полевые. Полевые транзисторы имеют три электрода: исток , затвор и сток. Электроды полевого транзистора в определенной степени соответствуют электродам биполярного транзистора — эмиттеру, базе и коллектору. Достоинством полевого транзистора является то, что ток входного электрода затвора очень мал. Это определяет высокое входное сопротивление каскадов на этих транзисторах и тем самым устраняет влияние последующих каскадов схемы на предыдущие. Еще одно достоинство полевых транзисторов — низкий уровень собственных шумов, что дает возможность использовать полевые транзисторы в первых каскадах высококачественных усилителей звуковой частоты. Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам. Встречаются транзисторы биполярные , которые имеют старую, введенную до г.

Транзистор КТ872А

В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам.

Биполярные транзисторы — электронные полупроводниковые приборы, отличающиеся от полевых способом переноса заряда.

Параметры отечественных биполярных транзисторов

Цены в магазинах. Для удобства работы с изданием приводятся прямой отечественный прибор — зарубежный аналог и обратный зарубежный прибор — отечественный аналог перечни приборов, построенные в алфавитно-цифровой последовательности. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. Содержание справочника: От издательства Зарубежные аналоги биполярных транзисторов Зарубежные аналоги кремниевых полевых транзисторов Зарубежные аналоги арсенидгаллиевых полевых транзисторов Рекомендуемые замены Изготовители Зарубежные изготовители Оригинальное название: Взаимозаменяемые транзисторы Жанр: Радиотехника, электроника Автор: Петухов В. Сохрани статью на своей странице и поделись с друзьями.

Полевой транзистор

Электронные компоненты и оборудование Транзисторы. Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Транзисторы разделяют, в основном, на полярные и биполярные. В цифровой технике в основном применяют полевые транзисторы, а биполярные — в аналоговой. Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимся типом электропроводности слоев и содержит два p-n перехода. В качестве исходного материала для получения трехслойной структуры используют германий и кремний. Полевой транзистор — отличаются от биполярных, в них ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком.

Цены в магазинах. KТ(А,Б) pnp 1 транзистор КТ, pdf, подробные параметры и характеристики, цена КТ(А,Б) npn 2 30 Транзистор.

Высоковольтные транзисторы PHILIPS для импульсных источников питания

Добро пожаловать на сайт справочной информации о характеристиках транзисторов. Здесь Вы найдете подробную информацию о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях интересующих Вас электронных приборов. На сайте описаны аналоги транзисторов зарубежных производителей. Поиск характеристик транзистора по его маркировке В справочнике можно искать интересующую Вас информацию о характеристиках транзистора по его алфавитно-цифровой маркировке.

Зарубежные и отечественные транзисторы

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком , область, в которую они входят из канала, называется стоком , электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в — годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в году. В году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем. К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие. Источник постоянного смещения, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное запирающее напряжение.

Для изготовления транзисторов применяют те же полупроводниковые материалы, что и для диодов.

Транзисторы — основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

Для использования транзисторов необходимо представление сведений о них в виде характеристик и параметров, которые позволяют правильно выбрать транзистор и определить режимы его работы. Транзистор по схеме с ОЭ описывается семействами выходных и входных характеристик. Выходной или коллекторной ВАХ транзистора называется зависимость коллекторного тока от напряжения между коллектором и эмиттером. Для снятия этой характеристики можно воспользоваться схемой рис. Семейство выходных ВАХ транзистора приведено на рис.

Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры

Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот.


справочник транзисторов

А. П. Кашкаров

Справочник

радиолюбителя

взаимозаменяемость элементов, цветовая и кодовая маркировка, электронные самоделки

Наука и Техника, Санкт Петербург

2008

Кашкаров А. П.

Справочник радиолюбителя: взаимозаменяемость элементов, цветовая и кодовая маркировка, электронные самоделки. — СПб.: Наука и Техника, 2008. — 288 с.: ил.

ISBN 978-5-94387-381-2

Серия «Радиолюбитель»

Книга состоит из двух логических частей. Первая часть книги — это справочник радиолюбителя по всему кругу применяемых электронных компонентов. Особое внимание уделено цветовой и кодовой маркировке радиодеталей, аналогам полупроводниковых приборов. Рассмотрена современная элементная база.

Вторая часть книги посвящена полезным в быту схемам, устройствам, самоделкам, которые может выполнить радиолюбитель. Дается много полезных советов, маленьких хитростей, раскрывается большое число секретов радиолюбителя.

В приложении содержится уникальный список радиолюбительских Интернет-ресурсов с указанием их особенностей, краткого содержания сайтов. Книга-справочник расчитана на широкий круг радиолюбителей, может быть полезна школьникам и студентам.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Автор и издательство не несут ответственности за

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

возможный ущерб, причиненный в ходе использования

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

материалов данной книги.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контактные телефоны издательства

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(812)

567 70 25, 567 70 26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(044)

516 38 66

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Официальный сайт: www. nit.com.ru

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

©

Кашкаров А. П.

ISBN 978-5-94387-381-2

©

Наука и Техника (оригинал макет),2008

ООО «Наука и Техника». Лицензия №000350 от 23 декабря 1999 года.

198097, г. Санкт Петербург, ул. Маршала Говорова, д. 29. Подписано в печать . Формат 70×100 1/16. Бумага газетная. Печать офсетная. Объем 18 п. л. Тираж 3000 экз. Заказ № .

Отпечатано с готовых диапозитивов в ФГУП ордена Трудового Красного Знамени «Техническая книга» Министерства Российской Федерации по делам печати, телерадиовещания и средств массовых коммуникаций.

190005, Санкт Петербург, Измайловский пр., 29.

Содержание

Глава 1.

Актуальные справочные данные для радиолюбителей . . . . .

5

1.1.

Взаимозамены отечественных и зарубежных транзисторов. . . . . .

5

1.2.

Зарубежные транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

9

1.3.Полевые транзисторы. Справочные данные и электрические характеристики . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

1.4.Мощные СВЧ-кремниевые транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . 23

1.5.Электрические характеристики мощных биполярных

транзисторов Дарлингтона . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

23

1.6.Электрические характеристики ВЧ-транзисторов. . . . . . . . . . . 24

1.7.Силовые модули на полевых транзисторах. . . . . . . . . . . . . . 25

1.8.

Тиристоры. Аналоговые замены. . . . . . . . . . . . . . . . . .

25

1.9.

Цифровые микросхемы. Сведения по взаимозаменяемости

 

 

отечественных и зарубежных аналогов. . . . . . . . . . . . . . .

30

1.10. Аналоговые микросхемы: сведения по взаимозаменяемости

 

 

отечественных и зарубежных аналогов. . . . . . . . . . . . . . .

31

1.11.Соответствие зарубежных микросхем-аналогов, выпускаемых в разных фирмах. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

1.12.Аналоги операционных усилителей. . . . . . . . . . . . . . . . . 34

1.13.Микросхемы для усиления аудио- и видеосигналов. . . . . . . . . . 36

1.14. Микросхемы технологии ЭСЛ. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40

1.15. Справочные данные по микроконтроллерам семейств «Atmel» и AVR. .

40

1.16. Процессорно-ориентированные микросхемы

 

с СМ- и Risc-системами команд. . . . . . . . . . . . . . . . . .

44

1.17. Микросхемы для телефонии. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

47

1.18. Микросхемы — стабилизаторы и преобразователи напряжения. . . .

47

1.19. Микросхемы различного назначения. . . . . . . . . . . . . . . .

50

1.20. Коммутаторы и мультиплексоры. . . . . . . . . . . . . . . . . .

50

1.21. Популярные оптроны и оптореле. . . . . . . . . . . . . . . . . .

62

1.22. Популярные светодиоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

71

1.23.Фотодиоды и фототранзисторы. Справочные данные. . . . . . . . . 84

1.24.Микрофоны. Справочные данные и электрические характеристики . . . 85

1.25.Популярные герконы. Справочные данные и электрические характеристики . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

1.26.

Динамические головки. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

90

1.27.

Предохранители. Маркировка и справочные данные. . . . . . . . .

97

1.28.Популярные отечественные диоды, стабилитроны,

стабисторы и тринисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

1.29.Отечественные и зарубежные коаксиальные кабели. Справочный обзор. 122

1.30.Популярные динисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124

1.31.Керамические и многослойные конденсаторы. Вопросы применения . . 126

1.32.Прочие элементы. Справочные данные. . . . . . . . . . . . . . . 137

1.33.Линейные стабилизаторы напряжения широкого применения. . . . . 137

1.34.Маркировка SMD-элементов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

1.35.Справочные данные и маркировка популярных реле фирмы «Omron». . 150

Глава 2. Простые электрические схемы для радиолюбителей

 

и профессионалов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

154

2. 1. Датчик паров алкоголя. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

154

2.2.Устройство проверки пультов дистанционного управления. . . . . . . 160

2.3.Устройство контроля вращения кулера. . . . . . . . . . . . . . . 166

2.4.«Электрический стул» для комаров . . . . . . . . . . . . . . . . . 170

2.5.Устройство автоматической подсветки таблички с номером дома. . . . 178

2.6. Автоматический дачный фонарь. . . . . . . . . . . . . . . . . . 181

2.7.Кратковременный звуковой индикатор включения электронных устройств. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184

2.8.Альтернативный вариант устройства звукового индикатора включения или переключения режимов. . . . . . . . . . . . . . . 187

2.9.Звуковой сигнализатор включения электронных устройств с питанием 12 В на цифровых микросхемах. . . . . . . . . . . . . 190

2.10.Устройство контроля посещений. . . . . . . . . . . . . . . . . . 193

2.11.Устройство детектора излучения сотового телефона. . . . . . . . . 196

2.12.Фильтр электрических помех для CD-проигрывателей,

автомагнитол и автомобильных трансиверов. . . . . . . . . . . . . 201

2.13.Устройство задержки выключения света. . . . . . . . . . . . . . . 202

2.14.Полезные конструкции из стартера ламп дневного света. . . . . . . 205

2.15.Фотоколориметр. Измерение прозрачности воды в аквариуме фотоэлектрическим способом . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208

2.16.Звонок на микросхеме КР1064ПП1. . . . . . . . . . . . . . . . . 215

2.17.Как стимулировать рост домашних цветов. . . . . . . . . . . . . . 219

2.18.Применение и переделка светильников с ЛДС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223

2.19.Подключение CD-привода ПК для автомобиля и музыкального центра . 226

2.20.Безопасный подогрев в быту. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228

2.21.Подогрев жидкости в полевых условиях . . . . . . . . . . . . . . . 231

2.22.Восстановление пультов ДУ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233

2.23.Проверка трансформаторов и катушек индуктивности в домашних условиях . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238

2.24.Эквивалент нагрузки антенны для «запуска» радиопередатчиков . . . . 240

Глава 3. Радиолюбительские секреты . . . . . . . . . . . . . . . . 243

3.1.Быстрое включение ламп дневного света (ЛДС). . . . . . . . . . . 243

3.2.«Вторая жизнь» ламп дневного света. . . . . . . . . . . . . . . . 244

3.3.ВЧ-модули выходного каскадов сотовых радиотелефонов. . . . . . . 247

3.4.Простой стабилизатор напряжения 3 В с выходным током 0, 75 А. . . . 248

3.5.Управление радиоэлектронными устройствами с помощью педали. . . 250

3.6.Cекреты опытных радиолюбителей. . . . . . . . . . . . . . . . . 252

3.7.Регулировка громкости в высококачественной радиоаппаратуре. . . . 258

3.8.Особенности работы с датчиками движения . . . . . . . . . . . . . 261

3.9.Локализация простой неисправности датчика движения. . . . . . . . 262

Приложение. Справочные данные в сети Интернет. . . . . . . . . . . 266

Литература. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 272

Глава 1

Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Как пользоваться материалом справочного раздела

Справочный материал по взаимозаменяемости популярных отечественных (СНГ) и импортных аналогов популярных радиоэлементов представлен в виде таблиц, условно скомпонованных по разделам. Подборка осуществлена с применением отечественных и импортных справочников, личного опыта взаимозамен.

Кроме соответствий между приборами зарубежного и отечественного производства, в таблицах представлены варианты аналоговых замен между некоторыми отечественными микросхемами.

Подборка материала призвана помочь радиолюбителям и специалистам при проектировании радиоэлектронной аппаратуры любого назначения, при ремонте импортной радиотехники и во всех случаях, когда требуется определить возможную взаимозаменяемость микросхем разных производителей.

1.1.Взаимозамены отечественных

изарубежных транзисторов

Транзисторы биполярные и однопереходные. Аналоги

 

по электрическим характеристикам

Таблица 1.1

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

Однопереходные

BSV56C КТ117Г

НЕР310 КТ117Г

2N2646 КТ117Г

2N739 КТ117БМ

2N844 КТ117ГМ

Зарубежные

 

Отечественные

транзисторы

 

аналоги

 

 

 

2N1573

 

КТ117ВМ

2N1923

 

КТ117АМ

 

Биполярные

9505

 

КТ818АМ, БМ

9527

 

КТ819АМ

9535

 

КТ818БМ

5

Справочник радиолюбителя

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

222430

2Т9158А

1561-1008

2Т874Б

1561-1015

2Т874А

2023-12

2Т9146Б

2023-15

2Т9155Б

2023-15T

КТ9152А

2023-16

2Т9146В

2023-3

2Т9155А

2023-6

2Т9146А

2023-6

2Т9158Б

2307(A)

2Т9103А2

27AM05

КТ9170А

2DR405B

2Т9117Б

2N1051

КТ6110В (Г, Д)

2N1613

КТ630Г

2N1820

2Т862А

2N2218

2Т649А2

2N2218A

КТ647А2

2N2219

КТ928Б

2N2222

КТ3117А

2N2224

КТ638А

2N2368

КТ633А

2N2459

2Т3130В9

2N2463

2Т3130Б9

2N2615

КТ3132Д2

2N2616

КТ3132Е2

2N2712

КТ315А1, КТ315Б1

2N2784

КТ3101АМ

2N2784

КТ3101АМ

2N2905

КТ662А, КТ662Б

2N2906

КТ313А1

2N2906A

2Т3160А2

2N2906A

2Т3160А2, КТ313Б1

2N2907

КТ313Б

2N2926

КТ315Б

2N3053

КТ630А, КТ608Б

2N3054

КТ723А

2N3055

КТ819БМ

2N3055

КТ819ГМ

2N3055

КТ8150А

2N3114

КТ6117А

2N3303

КТ635А

2N3397

КТ315Р1

2N3545

КТ644А

2N3584

2Т881Д

2N3712

КТ6117Б

2N3839

КТ370А9

2N3904

КТ375А, КТ375Б

2N3906

КТ361Г, КТ3107Е

2N4128

КТ997В

 

Продолжение табл. 1.1

 

 

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

2N4237

КТ719А

2N4238

КТ721А

2N4260

2Т3135А1

2N4261

2Т3135Б1

2N4440

КТ972В

2N4913

КТ866Б

2N4914

КТ890А1

2N4915

КТ890Б1

2N4976

КТ996А2

2N5050

2Т892В

2N5102

КТ921А, В

2N5177

2Т998А

2N5240

КТ898А

2N5642

КТ945В, Г

2N5643

КТ949А

2N5651

КТ370Б9

2N5839

КТ862Б

2N5840

КТ862В

2N5995

КТ972Г

2N5996

КТ945А, Б

2N6077

КТ898Б

2N6180

КТ9180А, Б, 2Т877Г

2N6181

КТ9180В, Г

2N656

КТ6111А (Б)

2N657

КТ6111В (Г)

2N709

КТ397А2

2N735A

2Т3130Г9

2N844

2Т3130Д9

2SA1009AM

2Т887А, Б

2SA1090

КТ313В1

2SA1584

2Т9143А, 2Т974А—Г

2SA1660

КТ3171А9, 2Т3129Б9

2SA1682-5

КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В

2SA555

КТ361А

2SA556

КТ361Ж (И)

2SA715C

КТ664Б9

2SA715D

КТ6102А

2SA738B

КТ6116А (Б)

2SA876H

КТ313Г1

2SB596

КТ9176А

2SB834

КТ842В

2SC1173

КТ862Г

2SC1436

2Т862В

2SC1440

КТ945Б

2SC1443

КТ879Б

2SC1624

КТ863Б

2SC1625

КТ863В

2SC1786

2Т862Б

2SC2027

КТ828Б

2SC2093

2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2

6

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

2SC2331

КТ815, КТ817

2SC2331

КТ961, КТ9171

2SC2383

КТ630 (А—Г)

2SC2794

КТ866А

2SC3150K

КТ8137А, КТ8144Б

2SC3217

2T9155A

2SC3217

2Т9155А

2SC3218

2T9155Б

2SC3218

2Т9155Б, КТ9142А

2SC3218*

KT9142A

2SC3306

КТ8144А

2SC3455L

КТ878В

2SC3596F

КТ9142А

2SC3660

2T9155B

2SC3660

2Т9155В, КТ9152А

2SC3660*

KT9152A

2SC3812

КТ9151АС

2SC3812

КТ9151АС

2SC3994L

КТ878А

2SC40

КТ3101АМ

2SC404

КТ359А3

2SC4055

КТ8146Б

2SC4296

КТ858А

2SC601

КТ396А2

2SC633

КТ315А

2SC634

КТ315Д

2SC64

КТ6110А (Б)

2SC641

КТ315Ж

2SC976

КТ996Б2

2SD1220Q

КТ3169А9, 2Т3129А9

2SD1279

КТ846Б

2SD401A

КТ8146А

2SD675A

КТ945В

2SD691

КТ945Г

2SD814

КТ3176А9

AC127

ГТ404Б

AC128

ГТ402И

AD162

ГТ703Г

ADY25

ГТ 701А, П210Б

AM1416200

2Т9114А, Б

AM1416200

2Т994А2—2Т994В2

AM1416200

2Т986А, Б

ASZ18

П217В, ГТ711

AU106

ГТ810А, КТ812Б

Bak0510-50

2T9156БС

BC107B

КТ342Б, КТ3102Б

BC108

КТ342А, КТ3102В

BC109

КТ342В, КТ3102Е

BC109BP

КТ3102И

BC140

КТ630Г

 

Продолжение табл. 1.1

 

 

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

BC147

КТ373А

BC170

КТ375Б

BC178

КТ349Б

BC179

КТ3107Е

BC179AP

КТ3107Д

BC182

КТ3102А

BC212

КТ3102А

BC214L

КТ3107Б, КТ3107И

BC237

КТ3102А

BC239B

КТ 3102Ж

BC251

КТ361И

BC301

КТ630Г

BC303

КТ933А

BC307

КТ3107А, КТ3107Б

BC318

КТ3102А

BC408

КТ342А

BC455D

КТ3107Е1

BC456B

КТ3107И1

BC526C

КТ3107К1-Л1

BC527-6

КТ629А2

BCW47B

КТ3187А

BCY58Х

КТ342В, КТ3102В

BCY78

КТ3107Б

BD136

КТ626Е, КТ6109А

BD138

КТ6104А

BD140

КТ6108А, КТ6108А

BD165

КТ728А

BD166

КТ720А

BD168

КТ722А

BD170

КТ724А

BD202

2Т818А

BD204

2Т818Б

BD223

КТ856А1

BD238

КТ816Г

BD240А

КТ816В

BD370A6

КТ639А1

BD372

КТ639Б1

BD380

КТ816Г

BD386

КТ629А3

BD434

КТ816А

BD435

КТ817А

BD825

2Т642А2

BD944

КТ856Б1

BD944

КТ856Б1

BD946

КТ896А

BD948

КТ896Б

BDT21(A)

КТ8101Б

BDX78

2Т818В

BDX78

2Т818В

BDX85

2Т716В1

7

Справочник радиолюбителя

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

BF177

КТ671А2, 2Т3130Е9

BF179

КТ611Б

BF179B

КТ682Б2

BF258

КТ638Б

BF336

КТ6103А

BF337

КТ6113А (Б, В)

BF338

КТ6113Г (Д, Е)

BF423C

2Т3129В9-Г9, 2Т3152В

BF459

КТ605Б, КТ940А

BF680

КТ3109А1

BF970

КТ3109В1

BF970

КТ3109В1

BF979

КТ3109Б1

BFJ57

КТ6105А

BFP23

КТ868А, Б

BFP720

КТ315В1

BFP722

КТ315Г1

BFY33

КТ630Д

BFY39

КТ312Б,

BFY80

2Т3130А9

BFY80

2Т3130А9

BLY47A

2Т892А, 2Т892Б

BSW62A

КТ361К (Л, М)

BSW63A

КТ361Н (П)

BSY19

КТ633А,

BSY51

КТ630Д,

BSY52

КТ630А

BSY59

КТ644А, КТ626А

BSY63

КТ645А

BSY73

КТ315Б

BT4261

КТ644А

BU108

КТ8107А

BU205

КТ838Б

BU208A

КТ8104А

BU2506D

КТ8248А1

BU289

КТ8101А

BU508

КТ872

BU508AD

КТ872А, КТ872Б

BUD44D2

КТ8261А

BUL44D2

КТ8261А

BUX97

КТ8106А

BUY90

КТ8107В (Г)

BV104P

КТ8126А

BVP38

КТ878Б

BVR11

КТ867А

BVT91

КТ879А

BVX14

КТ846В

C450

КТ315Б

CX954

2Т370Б9

CР409

КТ315Б

 

Продолжение табл. 1.1

 

 

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

D44H7

КТ9181А, Б

D62T4040

КТ886А1

DC5108

2Т370А9

ECG123A

КТ315Б

I02015A

КТ9116Б

KF423

2Т3129Д9, 2Т3152Б

LC6123A

КТ315Б

LDR405B

2Т9118Б

LOT-1000D1-12B

КТ979А

LT1739

КТ9171В

MD5000A

КТ363А

MI10000

КТ892Б,В

MI10004PF1

КТ892А

MIE13004

КТ8121Б2

MIE13005

КТ8121А2

MJE13001

КТ538А

MJE2801T

КТ9177А

MP42

МП42Б

MPF873

2Т987А

MPS6513

КТ3184Б9

MPS706

КТ648А2

MRF422

КТ9116А, В

MRF430

КТ9181В, Г

MRF544

2Т9159А

MRF846

2Т9117В

MRF846

2Т9118В

MSC81325M

2Т9127Д, Е

MSC81400M

2Т9127В, Г

NE080481E-12

2Т9109А

NE243499

2Т9108А2

NE3001

2Т9119А2

PBC107B

2Т3158А2

PBC108A, B

2Т3133А2

Ph2214-60

2Т9122Б

PN3691

КТ3117Б

PN3691

КТ3117Б

PN5132

КТ3117А

PN5132

КТ3117А

PXT2222

КТ3153А9

PZB27020V

2Т9122А

S923TS

2Т3152А, Г, Д

SA1245

КТ686А

SD1015

КТ9116А

SD1483

KT9174A

SD1483

КТ917А

SD1492

ГТ101А

SD1492*

Г101A

SDR075

2Т9117А, 2Т9118А

SDT3207

КТ9171А, Б

SDT69504

2Т880Д

8

Глава 1. Актуальные справочные данные для радиолюбителей

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

SF123A

2Т672А2

SF123C

КТ6107А

SG769

2Т3133А

SK3835

КТ602А

SML55401

КТ886Б1

SML723

КТ828В

SML804

КТ828А

SS9012

КТ209

SS9015

КТ361, КТ3107

STD18202

КТ828Г

STD55476

КТ846А

 

Продолжение табл. 1.1

 

 

Зарубежные

Отечественные

транзисторы

аналоги

 

 

TBC547A

КТ3186А

TCC2023-6L

КТ9150А, 2Т9155В

THA-15

2Т9111А

THX-15

2Т9111Б

TIP132

КТ8116А, КТ8147А

TIP150

КТ8111А9

TIP151

КТ8111Б9

TIP41C

КТ8212А—В

TN20

2Т9130А

V435

КТ361А

1. 2. Зарубежные транзисторы

Аналоговые замены зарубежных транзисторов

 

 

 

Таблица 1.2

 

 

 

 

 

 

 

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2N2905

BSW40, 2N4030. .33, 2N4036..37

SI-P

60/40

0,6

0,8

 

 

 

 

 

 

 

 

2N3906

BC212, BC257, BC307, BC557

SI-P

40

0,2

0,625

>200

 

 

 

 

 

 

 

2N5064

2N6564, TIC64, MCR100-4, BRY55/200

50Hz-Thy

200

0,5

 

 

2N5401

BF491..493, 2SA1221..22, 2SA1319

SI-P

160

0,6

0,625

>100

2N5551

BF391. .393, BFP22, MPS-A43..43

SI-N

180

0,6

0,625

>100

2SA1012

2SA1289..91, 2SA1293, 2SB919

SI-P

60

5

25

60

 

 

 

 

 

 

 

2SA1013

2AS1275, 2SB1212

SI-P

160

1

0,9

15

 

 

 

 

 

 

 

2SA1015

BC212, BC257, BC307, BC557

SI-P

50

0,15

0,4

80

2SA1020

2SA1382, 2SA1315, 2SB892, 2SB1312

SI-P

50

2

0,9

100

2SA1175

BC212, BC256, BC556

SI-P

60

0,1

0,25

180

2SA1232

2SA1146, 2SA1186, 2SA1227, 2SA1386

SI-P

130

10

100

60

 

 

 

 

 

 

 

2SA1244

2SA1385, 2SA1795, 2SB1203. .04

SI-P

60

5

20

60

 

 

 

 

 

 

 

2SA1246

2SA1253

SI-P

60

0,15

0,4

100

2SA1266Y

BC416, BC560, 2SA970, 2SA1136..37

SI-P

50

0,15

0,4

130

2SA1267Y

BC416, BC560, 2SA970, 2SA1136..37

SI-P

50

0,15

0,2

130

2SA1273

2SB892, B972, B1312, B1382

SI-P

30

2

1

120

 

 

 

 

 

 

 

2SA1300

2SB926. .27, 2SB892, 2SB1229

SI-P

20

2

0,75

140

 

 

 

 

 

 

 

2SA1309

BC213, BC258, BC308, BC558

SI-P

30

0,1

0,3

80

2SA1315

2SB1459

SI-P

80

2

0,9

80

2SA1471

2SA1443, 2SA1743

SI-P

80

10

30

 

2SA1615

2SA1834

SI-P

30

10

15

180

 

 

 

 

 

 

 

2SA1625

2SB1074

SI-P

400/400

0,5

0,75

 

 

 

 

 

 

 

 

2SA539

BC212, BC256, BC556

SI-P

60

0,2

0,25

160

2SA562

BC327. .328, BC636, BC638, BC640

SI-P

30

0,4

0,3

70

2SA564

BC213, BC258, BC308, BC558

SI-P

25

0,1

0,4

200

2SA608

BC212, BC257, BC307, BC557

SI-P

40

0,1

0,25

180

9

Справочник радиолюбителя

Продолжение табл. 1.2

Тип

Аналоги

Струк-

U, В

I, А

P, Вт

F, МГц

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2SA684

2SA1315, 2SB764, 2SB892, 2SB1041

SI-P

60

1

1

200

 

 

 

 

 

 

 

2SA733

BC212, BC257, BC307, BC557

SI-P

60

0,1

0,25

180

2SA933

BC212, BC256, BC307, BC557

SI-P

50

0,1

0,3

140

2SA935

BC640, 2SA965, 2SB647, 2SB1041

SI-P

80

0,7

0,75

150

2SA940

2SA839, 2SB608, 2SB628, 2SB861

SI-P

150

1,5

25

4

 

 

 

 

 

 

 

2SA950

BC327. .328, BC636, BC638, 2SB647

SI-P

35

0,8

0,6

120

 

 

 

 

 

 

 

2SA952

BC327..328, BC636, 2SB909..910

SI-P

30

0,7

0,6

160

2SA965Y

2SA1013, 2SA1275, 2SB647, 2SB1212

SI-P

120

0,8

0,9

120

2SA966

2SA1382, 2SB978, 2SB892, 2SB1312

SI-P

30

1,5

0,9

120

2SA968B

2SA1011, 2SA1133, 2SA1113, 2SA1332

SI-P

160/160

1,5

25

100

 

 

 

 

 

 

 

2SA970BL

2SA1038, 2SA1049, 2SA1123, 2SA1136

SI-P

120

0,1

0,3

100

 

 

 

 

 

 

 

2SB1185

2SA1307, 2SA1440, 2SA1469, 2SB1274

SI-P

60

3

25

70

2SB1202

2SA1244

SI-P

60

3

15

150

2SB1243

2SB985

SI-P

60

3

1

70

2SB1274

2SA1307, 2SA1440, 2SA1469, 2SB1274

SI-P

60

3

20

100

 

 

 

 

 

 

 

2SB1375

BD936F, 2SB1015, 2SB1094, 2SB1274

SI-P

60

3

25

9

 

 

 

 

 

 

 

2SB1438

2SA1709

SI-P

100

2

1

90

2SB649AC

2SA1249

SI-P

180

1,5

 

140

2SB688

BD246C, 2SA1141, 2SA1146, 2SA1186

SI-P

120

8

80

10

2SB698

2SA1703, B892, B926, B927

Si-P

25

0,7

0,6

250

 

 

 

 

 

 

 

2SB772Q

BD786, MJE250. .254, 2SB744

SI-P

40

3

10

80

 

 

 

 

 

 

 

2SB774

2SB894, B1206

SI-P

30

0,1

0,4

150

2SB834

BD242A, BD536, BD936, 2SA1288

SI-P

60

3

30

9

2SB857

BD244A, BD536, BD950, 2SB690

SI-P

70/50

4

40

15

2SB861

BD240F, 2SA1133, 2SB630, 2SB720

SI-P

200/150

2

30

 

 

 

 

 

 

 

 

2SB863

BD246D, 2SA1186, 2SA1227A, 2SB817

SI-P

140

10

100

15

 

 

 

 

 

 

 

2SB892

2SA1315, 2SB985

SI-P

60

2

1

150

2SB893

2SB985

SI-P

20

3

0,75

250

2SB926

2SB892, 2SB1229, 2SB1433. .34

SI-P

30

2

0,75

 

2SC1026

BF240..241, BF254..255, BF594..595

SI-N

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

2SC1213

BC337..338..635..637..639

SI-N

35

0,5

0,4

170

 

 

 

 

 

 

 

2SC1318

BC337A, BC637, BC639, 2SD667

SI-N

60

0,5

0,625

200

2SC1472

BC517, 617, 875, MPS-A25. .29

SI-N+Darl

40

0,3

0,5

50

2SC1473

BF298..299, BF422, BFR88..89

SI-N

250/200

0,07

0,75

80

2SC1507

2SC1755..57, 2SC1905

SI-N

300

0,2

15

80

 

 

 

 

 

 

 

2SC1685

BC174, BC182, BC190, BC546

SI-N

60

0,1

0,25

150

 

 

 

 

 

 

 

2SC1740

BC167. .182..237..547

SI-N

50

0,1

0,3

180

2SC1815GR

BC174, BC182, BC190, BC546

SI-N

60

0,15

0,4

80

2SC1854R

BC168, 183, 283, 548

SI-N

30

0,05

0,25

150

2SC1921

BF298..299, BF422, 2SC3468

SI-N

250

0,05

0,6

130

 

 

 

 

 

 

 

2SC1984

2SC2316, 2SC2491

SI-N

100

3

30

 

 

 

 

 

 

 

 

2SC2000

BC174, BC182, BC190, BC546

SI-N

60

0,2

0,6

70

2SC2023

TIP75(A. .C), 2SC2738, 2SC3055

SI-N

300/300

1

40

10

2SC2053

2SC2851

SI-N

40

0,3

 

175

2SC2061

2SC3228, 2SD1812

SI-N

80

0,7

0,75

120

10

ВЧ высокочастотные компоненты фирмы Tyco Electronics M/A-COM мощные высокочастотные транзисторы и транзисторные модули

Скрипник Николай

№ 9’2003

PDF версия

Фирма Tyco Electronics M/A-COM более 30 лет разрабатывает, производит и поставляет технологически передовые компоненты ВЧ- и СВЧ-диапазонов для оборонной и космической промышленности, систем радиосвязи, навигации и беспроводной передачи данных, автомобильной телематики. Продукция фирмы Tyco Electronics M/A-COM — это высокочастотные мощные транзисторы, транзисторные модули, широкополосные транзисторные усилители, в том числе малошумящие, высокочастотные диоды, высокочастотные генераторы, управляемые напряжением, синтезаторы частот, антенны, в том числе для систем GPS, коннекторы для коаксиальных кабелей, аттенюаторы, линии задержки, фильтры-дуплексеры, смесители и модуляторы, монолитные интегральные микросхемы, широкополосные и импульсные трансформаторы, индуктивности, ферритовые материалы. ..

В статье рассматриваются характеристики высокочастотных транзисторов и транзисторных модулей фирмы Tyco Electronics M/A-COM — мирового лидера в разработке и производстве компонентов ВЧ и СВЧ.

Фирма Tyco Electronics M/A-COM более 30 лет разрабатывает, производит и поставляет технологически передовые компоненты ВЧ- и СВЧ-диапазонов для оборонной и космической промышленности, систем радиосвязи, навигации и беспроводной передачи данных, автомобильной телематики. Продукция фирмы Tyco Electronics M/A-COM — это высокочастотные мощные транзисторы, транзисторные модули, широкополосные транзисторные усилители, в том числе малошумящие, высокочастотные диоды, высокочастотные генераторы, управляемые напряжением, синтезаторы частот, антенны, в том числе для систем GPS, коннекторы для коаксиальных кабелей, аттенюаторы, линии задержки, фильтры-дуплексеры, смесители и модуляторы, монолитные интегральные микросхемы, широкополосные и импульсные трансформаторы, индуктивности, ферритовые материалы, сенсоры для радаров, обеспечивающих безопасность движения автомобиля. Фирма Tyco Electronics M/A-COM имеет сертификат ISO 9001. В данной статье рассматриваются основные технические характеристики мощных высокочастотных транзисторов итранзисторных модулей.

Высокочастотные транзисторы и транзисторные модули находят широкое применение в усилительных трактах связных и телевизионных радиопередатчиков, радаров различных диапазонов частот гражданского и специального назначения, в медицинской технике, в аппаратуре радиолюбителей. Применительно к системам беспроводной связи транзисторы и транзисторные модули оптимизированы для усиления всех современных видов сигналов. Фирма Tyco Electronics M/A-COM производит широкую номенклатуру полевых и биполярных транзисторов и транзисторных модулей для диапазона частот от 1,5 до 3500 МГц на мощность 0,5–700 Вт. Основные технические характеристики полевых и биполярных транзисторов и транзисторных модулей приведены в таблицах 1, 2 и 3 (соответственно). Транзисторы и транзисторные модули обладают превосходными характеристиками по надежности, повторяемости параметров, обеспечивают в соответствующих применениях высокие коэффициент усиления (GP), линейность усиления и КПД. Транзисторы выполнены в металлокерамических корпусах, причем в ряде случаев с золотой металлизацией. Допустимая температура перехода +200°С. Мощные высокочастотные транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM обладают малым тепловым сопротивлением «переход — корпус» (RПК). Его величина достигает значения 0,11°С/Вт.

Высокочастотные полевые транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM

Полевые транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM позволяют усиливать сигналы на частотах от 2 до 1400 МГц, при этом обеспечивается мощность в нагрузке 2–600 Вт (таблица 1). Они находят широкое применение в промежуточных и выходных каскадах радиопередатчиков и генераторных устройствах различного назначения. Малые шумы и высокая плотность мощности выгодно отличают полевые транзисторы от биполярных, амалые паразитные емкости способствуют построению широкополосных усилительных трактов.

Некоторые полевые транзисторы, обладая идентичными параметрами, отличаются корпусами (например, DU2860T и DU2860U, DU2880T и DU2880U идр. ), величиной напряжения питания (например, MRF141 и MRF151, MRF141G и MRF151G, MRF175GV и MRF176GV и др.). Полевые транзисторы в усилителях включаются по схеме с общим истоком (ОИ). Но имеются так называемые «балансные» транзисторы в виде двух транзисторов, смонтированных на одном фланце. Оба транзистора включаются по схеме с общим истоком (2ОИ), что позволяет уменьшить индуктивность общего вывода, улучшить согласование, расширить рабочую полосу частот. Эти транзисторы предназначены для двухтактных схем. Потенциал средней точки при этом равен нулю. Приполной идентичности параметров транзисторов эффективно подавляются четные гармоники.

Таблица 1 Характеристики полевых транзисторов Tyco Electronics M/A-COM

Таблица 1 Характеристики полевых транзисторов Tyco Electronics M/A-COM. Продолжение

Полевые транзисторы Fh3164 и Fh3114 эффективно работают вусилительных трактах радиопередатчиков, предназначенных для обеспечения режима программной перестройки рабочих частот (режим ППРЧ).

Полевые транзисторы обладают превосходной тепловой стабильностью. Например, в транзисторах MRF134 и MRF136, которые идеально походят для работы в классе А, при изменении температуры корпуса в 5 раз (от –25 до +100°С) величина напряжения «затвор— исток» меняется не более чем на ±5%.

Разработчики транзисторов предлагают оптимальные структурные схемы для различных диапазонов частот и применений на мощности от десятков ватт до единиц киловатт. В качестве примера нарисунке приведена структурная схема усилительного тракта стационарного радиопередатчика мощностью 1200Вт для диапазона частот 5–225МГц на полевых транзисторах.

Рис 1. Полевые транзисторы

В технической документации на высокочастотные транзисторы приводятся схемы, а вряде случаев и топологические решения тестирующих плат, что облегчает создание транзисторных усилителей.

Высокочастотные биполярные транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM

Биполярные транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM позволяют усиливать сигналы на частотах от 1,5 до 3500 МГц, при этом обеспечивается мощность в нагрузке 0,5–700Вт (таблица 2).

Рассмотрим некоторые особенности биполярных транзисторов фирмы Tyco Electronics M/A-COM и области их применения. Транзисторы диапазона частот от 1,5 МГц (2 МГц) до 30 МГц находят применение в усилительных трактах радиопередатчиков различного назначения (радиовещание, любительская радиосвязь), причем как стационарных, так и подвижных, а также в медицинском оборудовании. Они идеально подходят для линейного усиления сигналов, прежде всего однополосных (нелинейные искажения при измерении двухтоновым сигналом не хуже –30дБ). Транзисторы диапазона частот 30–500МГц используются в усилительных трактах широкодиапазонных радиопередатчиков (ТВ и радиовещание, в том числе FM, связь в авиации), в промышленном и медицинском оборудовании. Транзисторы диапазона частот 960–1400 МГц находят широкое применение в усилительных трактах импульсных радиопередатчиков радиолокационных и радионавигационных систем. Предназначены для работы в режиме класса С. Корпус транзисторов герметичный, металлокерамический с золотой металлизацией. Наличие внутренних входных и выходных согласующих цепей облегчает создание широкополосных усилителей при использовании таких транзисторов. Транзистор MRF587 — npn-кремниевый маломощный транзистор. Обеспечивает высокий коэффициент усиления, высокую линейность усиления (нелинейные искажения не хуже –70дБ), малое значение коэффициента шума (NF= 3дБ начастоте 500 МГц при токе коллектора 90мА). Используется в усилительных системах кабельного телевидения, антенных усилителях и измерительной технике. Транзисторы диапазона частот 1450–1990МГц используются в усилительных трактах радиопередатчиков сотовой связи. Обеспечивают высокую линейность усиления, имеют внутренние входные, а некоторые транзисторы и выходные согласующие цепи. Транзисторы диапазонов частот 2250–2500МГц и 2700–3500МГц используются в усилительных трактах радаров специального назначения. Корпус транзисторов герметичный, металлокерамический с золотой металлизацией. В транзисторах имеются внутренние входные и выходные согласующие цепи.

Таблица 2. Характеристики биполярных транзисторов Tyco Electronics

Таблица 2. Характеристики биполярных транзисторов Tyco Electronics. Продолжение

Транзисторные модули фирмы Tyco Electronics M/A-COM

Фирма Tyco Electronics M/A-COM наряду с мощными дискретными полевыми и биполярными транзисторами производит мощные высокочастотные одно- и многокаскадные транзисторные модули. Отличительными особенностями таких модулей являются внутренние цепи согласования входных и выходных импедансов. Входной и выходной импедансы транзисторных модулей равны 50 Ом в рабочем диапазоне частот.

Использование транзисторных модулей уменьшает ошибки при проектировании усилительных трактов, сокращает время проектирования, позволяет легко осуществлять наращивание мощностей усилителей. Такие модули более предпочтительны в условиях производства, чем низкоомные дискретные транзисторы — они допускают обычную установку на печатной плате, менее чувствительны к рассогласованию нагрузки. Размещение схем согласования внутри модуля уменьшает габариты и сокращает число элементов усилительных трактов радиопередатчиков.

Транзисторные модули фирмы Tyco Electronics M/A-COM выпускаются на мощность до 300 Вт для различных участков диапазона частот 30–3500 МГц (таблица 3).

Таблица 3. Характеристики транзисторных модулей Tyco Electronics

Транзисторные модули серии PHA4000 прекрасно работают в жестких условиях эксплуатации, в том числе в бортовом самолетном оборудовании.

В транзисторных модулях типа Ph2617-60 и Ph2819-45A используются биполярные npn-транзисторы с золотой металлизацией. Транзисторы включены по схеме с ОЭ и при работе в классе АВ обеспечивают усиление сигнала в диапазонах частот 1615–1685МГц и 1805–1880 МГц (соответственно) с малыми нелинейными искажениями (величина нелинейных искажений при полной мощности не хуже –28 дБ при измерении двухтоновым сигналом).

Транзисторный модуль PHM1880-15 (четырехкаскадный усилитель) широко используется в базовых станциях системы GSM. Он содержит внутренние цепи температурной компенсации.

Транзисторные модули типа Ph3729 (PHA2729), PHA2731 и PHA3135 находят применение в усилительных трактах радаров гражданского и специального назначения различных диапазонов частот, а также в других импульсных радиопередатчиках, где требуется высокий коэффициент усиления и большая плотность мощности.

Заключение

Широкий выбор мощных высокочастотных транзисторов и транзисторных модулей с различными электрическими характеристиками, многообразие вариантов корпусов, высокая надежность, хорошее соотношение «цена — качество» — все это является привлекательным для использования высокочастотных компонентов фирмы Tyco Electronics M/A-COM в новых разработках. Технические характеристики многих транзисторов, а также их габаритные размеры и расположение выводов совпадают с аналогичными параметрами транзисторов других фирм. Имеются возможности для замены транзисторов других фирм на транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM.

Дальнейшие разработки фирмы Tyco Electronics M/A-COM в области создания транзисторов и транзисторных модулей направлены на увеличение мощности, расширение рабочей полосы частот, уменьшение стоимости. В ближайшее время потребители смогут оценить транзисторы фирмы Tyco Electronics M/A-COM мощностью более 500Вт для частот до 150 МГц и мощностью более 1 кВт для диапазона частот 1030–1090 МГц.

Дополнительную информацию по мощным высокочастотным транзисторам и транзисторным модулям можно получить на сайте фирмы Tyco Electronics M/A-COM www.macom.com и на сайте Объединенного Технико-консультационного центра по микроэлектронике www.otkcm.ru.

Основные параметры полевых транзисторов

В полевых транзисторах, в отличии от биполярных, ток в канале создается основными носителями заряда: электронами в n – канальных и дырками в p – канальных. В биполярных транзисторах управление выходным током осуществляется изменением входного тока, а у полевых транзисторов — изменением входного напряжения. Поэтому входное сопротивление полевых транзисторов на несколько порядков выше, чем у биполярных. Соответственно, входные токи полевых транзисторов на несколько порядков меньше, чем у биполярных транзисторов. Поэтому усилительные свойства полевого транзистора, как и у электровакуумных приборов, оцениваются крутизной передаточной характеристики, а не коэффициентом передачи тока, как в биполярных транзисторах.

Эффективность управляющего действия затвора оценивается крутизной характеристики передачи, которая показывает количественное изменение тока стока при изменении напряжения на затворе на 1 вольт

при (2.25)

Графически крутизна равна наклону касательной в заданной точке характеристики передачи (сток – затворной, проходной).

Вторым важным параметром является внутреннее сопротивление полевого транзистора , которое характеризует воздействие напряжения сток – исток на ток стока .Оно определяется:

при (2.26)

Физический смысл внутреннего сопротивления — это сопротивление транзистора переменному току. Геометрически определяет наклон выходной характеристики транзистора в активной области: чем положе идет выходная ВАХ, тем больше .

Коэффициент усиления по напряжению

при (2.27)

показывает во сколько раз по отношению к изменению входного напряжения увеличивается изменение выходного напряжения при заданной величине тока стока.

Перечисленные три параметра , , называются малосигнальными параметрами полевого транзистора. Их назначение легко определяется по статическим характеристикам в заданной рабочей точке.

Связь между малосигнальными параметрами с учетом формул (2.25) – (2.27) представляется в виде:

(2.28)

т.е. из трех параметров независимы только два.

 

3. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО СТЕНДА

Лабораторная работа выполняется на лабораторном стенде, содержащем базовый и измерительный модули со встроенными источниками питания, измерительными приборами и генератором сигналов.

Сборка исследуемых схем выполняется на монтажном поле с использованием функциональных элементов и соединительных проводов.

 

4. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ

4.1Выписать из справочника паспортные данные транзисторов КП 303Г и КП 304А (или КП301Б), включая предельно допустимые параметры, зарисовать цоколевку транзисторов.

4.2 Для каждого типа транзисторов заготовить координатные сетки для построения выходных характеристик , выбрав удобный для построения масштаб. Нанести на графиках область допустимых режимов работы транзисторов, пользуясь данными п. 4.1, как показано на рис.14. Для построения линии произвольно выбрать 8 -10 значений из промежутка от 0 до , и в этих точках рассчитать ток стока по формуле . — предельно допустимая мощность, выписывается из справочника. Результаты расчета занести в табл.1 (для каждого типа транзистора) и по ним построить кривую .

Таблица 1:

                   
                   

 

5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

 

5.1 Измерение статических характеристик ПТУПКП 303Г. Собрать схему для исследования рис.15.

Таблица2:

    , В ,mA
     
     
     

5.2 Снять две характеристики передачи (сток – затворные) при двух напряжениях на стоке и . Результаты измерений занести в Таблицу 2.

5.3 Снять семейство выходных характеристик при трех значениях напряжения на затворе: . Данные занести в табл. 3. Uотс. Определить из результатов п. 5.2.

 

Таблица3:

    , mA
, В
       
       
       

 

5. 4 Собрать схему для измерения статических характеристик МДП — транзистора с индуцированным каналом КП 304А (или КП301Б) по рис.16.

 

 

Таблица 4:

    , В , mA
 
     
     

 

5.5 Снять две сток – затворные характеристики МДП – транзистора КП 304А (или КП301Б) при напряжениях на стоке и результаты измерений занести в таблицу 4.

5.6 Снять семейство выходных характеристик при трех значениях напряжения на затворе (схема рис.17). Значения выбирать по сток – затворной характеристике при UСИ=0,6UСИдоп, снятой в п. 5.5, так, чтобы наименьшее значение соответствовало току стока , наибольшее значение UЗИ3 иоответствовало току , а третье

 

 

значение выбрать средним между двумя первыми: . Данные занести в таблицу 5.

 

Таблица 5:

  , В , mA
, В , В , В
       

6. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

 

6.1 При выполнении п. 5.2 следует изменять от 0 до напряжения отсечки (см. рис.7). Число точек на графике должно быть 8 …10.

6.2 По данным таблицы 2 построить характеристики передачи транзистора КП 303Г. Определить из графика .

6.3 При выполнении п.п. 5.3, 5.6 экспериментальные точки вносить в таблицы 3 и 5 и сразу же отмечать на приготовленных в расчетной части задания графиках. Необходимо следить, чтобы точки не выходили за пределы области разрешенных режимов работы транзистора.

6.4 По нанесенным на график точкам построить семейство выходных характеристик транзисторов.

6.5 По данным табл. 4 построить графики сток – затворных характеристик транзистора КП 304 А(или КП301Б).

6.6 Определить при токе стока IС≈ 50…100, мкА. Измерения следует начать с этой точки, увеличивая затем . При этом следить, чтобы ток стока не превышал допустимого значения ( ).

6.7 По сток – затворной характеристике транзистора КП 303Г определить ее крутизну в рабочей точке: ; . Для расчета крутизны использовать формулу (2.25) в конечных приращениях.

6.8 На семействе выходных характеристик, снятых в п.5.3, проведите границу между крутым и пологим участками, пользуясь соотношением (2.14).

6.9 По выходным характеристикам определите внутреннее сопротивление транзистора по формуле (2.26) в следующих рабочих точках:

в режиме насыщения , ;

в линейном режиме (крутая часть ВАХ) при и трех значениях .

Результаты занести в таблицу 6.

 

Таблица 6:

    , В , кОм
 
   
   
   

 

6. 10 По сток – затворным характеристикам МДП — транзистора определить крутизну (2.25) характеристики в рабочей точке ; , определенному в п. 5.6. По найденному значению вычислить удельную крутизну s по формуле (2.24).

6.11 На семействе выходных характеристик МДП – транзистора провести границу крутого и пологого участков ВАХ пользуясь соотношением (2.19).

6.12По выходным характеристикам МДП – транзистора вычислить сопротивление транзистора (2.26) в следующих рабочих точках:

в режиме насыщения , ;

в линейном режиме при и трех значениях , , , определенных в п.5.6. Данные расчета свести в таблицу, подобную таблице 6.

 

7. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

 

7.1 Справочные данные транзисторов.

7.2 Необходимые расчетные формулы.

7.3 Схемы исследований.

7.4 Таблицы и графики экспериментальных результатов.

7.5 Результаты расчетов.

7.6 Анализ полученных результатов и выводы по работе.

 

8. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Нарисуйте схему устройства ПТУП и объясните принцип его работы.

2. Назовите режимы работы ПТУП. При каких соотношениях между напряжениями затвора и стока транзистор работает в каждом из режимов?

3. Какова роль затвора в ПТУП?

4. Как будет работать транзистор при различных полярностях напряжения ? Какая полярность соответствует рабочему режиму ПТУП?

5. Нарисуйте выходные ВАХ ПТУП. Объясните характер зависимостей для каждого участка ВАХ.

6. Нарисуйте характеристики передачи ПТУП, объясните их поведение.

7. Укажите различие между ПТУП и МДП – транзисторами.

8. Объясните структуру и принцип работы МДП – транзистора с индуцированным каналом, назовите режим его работы.

9. Нарисуйте структуру и объясните принцип работы МДП – транзистора со встроенным каналом, назовите режимы его работы.

10. Нарисуйте семейства выходных характеристик МДП – транзисторов с индуцированным и встроенным каналами. Объясните их различие.

11. Нарисуйте и проанализируйте поведение сток – затворных характеристик МДП – транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.

12. Перечислите основные параметры полевых транзисторов, укажите их физический смысл.

13. Укажите основные отличия полевых транзисторов от биполярных. Назовите их преимущества.

14. Объясните методику определения малосигнальных параметров полевого транзистора со статическими характеристиками.

 

9. ЛИТЕРАТУРА

 

[1], [2], [3], [4], [7], [16].


Дата добавления: 2016-11-04; просмотров: 4292; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ

Характеристики транзистора — входная, выходная и токовая передаточная характеристика

Транзистор — это тип полупроводникового устройства; который имеет множество функций, таких как переключение, усиление, обнаружение, модуляция сигнала и многое другое. Практически во всей современной электронике транзисторы являются наиболее важными активными компонентами. В результате многие люди считают транзистор одним из самых важных нововведений двадцатого века. В этой статье вы узнаете о транзисторе, его входных, выходных и текущих характеристиках. Итак, без лишних слов, давайте начнем с понимания транзистора.

 

Что такое транзистор?

Транзистор — это электрическое устройство, которое регулирует поток электрического тока и напряжения. Он действует как переключатель или ворота электрических сигналов. Транзистор обычно состоит из трех слоев полупроводниковых компонентов, по которым течет ток. Большинство транзисторов состоят из чистого кремния, некоторые сделаны из германия, однако иногда используются и другие полупроводниковые материалы.

 

Транзисторы могут использоваться для широкого спектра цифровых и аналоговых функций, включая усилители, переключатели, стабилизаторы напряжения, модуляцию сигналов и генераторы, благодаря их высокой частоте отклика и точности. Транзисторы могут быть упакованы по отдельности или в небольшом пространстве, что позволяет интегрировать до 100 миллионов транзисторных интегральных схем.

 

Части транзистора

Транзистор состоит из трех слоев полупроводниковых материалов или клемм, которые помогают соединить транзистор с внешней цепью и проводить ток. Ток, подаваемый через одну пару клемм Транзистора, контролируется током, подаваемым на любую другую пару клемм Транзистора. Для транзистора есть три клеммы. Они следующие:

  1. База: База используется для активации Транзистора.

  2. Коллектор: Положительный вывод транзистора называется коллектором.

  3. Эмиттер: Эмиттер транзистора является отрицательным выводом.

Характеристики транзистора

Характеристики транзистора — это основа, которая представляет взаимосвязь между электрическим током и электрическим напряжением в цепи. Существует три типа кривых характеристик транзистора, основанных на конфигурации схемы.

  1. Входная характеристика. Входные характеристики описывают любые изменения, происходящие во входном токе из-за изменения входного напряжения при сохранении постоянного выходного напряжения.

  2. Выходная характеристика — это график выходного тока по одной оси и выходного напряжения по другой при постоянном входном токе.

  3. Характеристика передачи тока — это характеристическая кривая, которая указывает на колебания выходного тока относительно входного тока. Здесь выходное напряжение поддерживается постоянным.

Конфигурация транзистора

Любой тип транзисторной схемы может быть разработан с использованием трех вышеупомянутых характеристик транзистора. Конфигурация транзисторов основана на выводах транзисторов. Существует три типа конфигурации схемы транзистора:

  • Транзистор с общим эмиттером

  • Транзистор с общей базой

  • Транзистор с общим коллектором (эмиттерный повторитель).

Каждая конфигурация контура имеет свою характеристическую кривую. Исходя из требований схемы, конфигурация транзистора выбирается соответствующим образом.

 

При выборе правильного транзистора для схемы необходимо учитывать несколько факторов. Это максимальное номинальное напряжение между эмиттером и коллектором (UCEmax), максимальная мощность для построения цепи и максимальный ток коллектора (ICEmax). Электрическая цепь не должна превышать эти максимальные значения для правильной работы. Превышение этого значения может привести к необратимому повреждению цепи. Также важно поддерживать правильное усиление тока и частоту.

 

Конфигурация с общим эмиттером

В такой конфигурации эмиттер используется как общий терминал как для входа, так и для выхода. Он работает как схема инвертирующего усилителя. Здесь вход подается в области базового эмиттера, а выход получается между клеммами коллектора и эмиттера.

В данном случае

VBE — входное напряжение,

IB — входной ток,

VCE — выходное напряжение и

IC — выходной ток.

 

Конфигурация с общим эмиттером обычно основана на транзисторных усилителях. При этом условии ток эмиттера эквивалентен сумме тока базы и тока коллектора.

Следовательно,

IE  = IC + IB

 

(Изображение будет загружено в ближайшее время)

 

Это уравнение представляет собой уравнение транзистора для конфигурации CE. Отношение тока коллектора к току эмиттера дает коэффициент усиления по току в конфигурации с общей базой. Точно так же отношение тока коллектора к току базы дает бета-коэффициент усиления тока в конфигурации с общим эмиттером.

 

Соотношение между двумя коэффициентами усиления по току:

Коэффициент усиления по току (α) = IC/IE

Коэффициент усиления по току (β) = IC/IB из трех схемных конфигураций. Он имеет средние входные и выходные значения импеданса. Он также имеет средний коэффициент усиления по току и напряжению. Выходной сигнал этой конфигурации имеет фазовый сдвиг 180⁰, поэтому вход и выход обратно пропорциональны друг другу.

 

(Изображение будет загружено в ближайшее время)

Входные и выходные характеристики схемы с общим эмиттером

  1. Входные характеристики транзистора

Входное напряжение VB за счет постоянного выходного напряжения VCE. Поддерживая постоянное выходное напряжение VCE и изменяя входное напряжение VBE различных точек, мы можем исследовать значения входного тока каждой из точек. Теперь, используя значения, полученные из разных точек, строится график путем нанесения значений IB и VBE при постоянном VCE.

Rin = VBE/IB (при постоянном VCE)

Это уравнение необходимо для расчета входного сопротивления Rin.

 

(Изображение будет загружено в ближайшее время)

 

  1. Выходные характеристики

Выходная характеристика общего эмиттера получается между выходным напряжением VCE и выходным током IC при постоянном входном токе IC. Сохраняя постоянный ток базы IB и изменяя значение выходного напряжения VCE в разных точках, мы можем рассчитать значение коллектора IC для каждой точки. Теперь, если мы построим график между IC и VCE, мы получим выходные характеристики конфигурации с общим эмиттером.

Rout = VCE/IC (при постоянном IB)

Это уравнение для расчета выходного сопротивления.

(изображение будет загружено в ближайшее время)

Выходные характеристики можно разделить на три области:

  • Активная область транзистора

  • Область насыщения Transistor

  • 922222222222. вне области транзистора

 

Активная область транзистора

Активная область транзистора — это область на выходной кривой, где выходной ток почти постоянен и не зависит от выходного напряжения. Транзистор работает в активной области, если базовое сопротивление больше максимально допустимого значения. Транзистор можно использовать в качестве усилителя только в том случае, если он находится в активной области. Кроме того, эмиттерный переход должен находиться в прямом смещении, а коллекторный — в обратном смещении для работы в активной области.

Область насыщения транзистора

Область насыщения транзистора — это область, в которой ток коллектора быстро увеличивается при небольшом увеличении выходного напряжения. Сопротивление базы должно быть меньше максимально допустимого значения, чтобы транзистор работал в области насыщения. И эмиттерный, и коллекторный переходы должны находиться в прямом смещении для работы в области насыщения. Транзистор работает как ступень включения переключателя в зоне насыщения.

Зона отсечки транзистора

Базовый ток фактически равен нулю в области отсечки. В результате даже при более высоком выходном напряжении ток коллектора становится равным нулю. Для работы транзистора в области отсечки эмиттерный и коллекторный переходы должны быть смещены в обратном направлении. Транзистор работает как ступень OFF переключателя в области отсечки.

Типы конфигураций транзисторов – характеристики со сравнительной таблицей

Транзисторы являются основным оборудованием, необходимым для формирования устройств. Следовательно, разработка этих транзисторов была заменой электронных ламп. Базовый транзистор может быть образован комбинацией полупроводника p-типа и полупроводника n-типа. Эта комбинация зажата между одним p-типом и двумя n-типами. Другая комбинация состоит из двух p-типов и одного n-типа. Поэтому образуются транзисторы N-P-N и P-N-P.

Эти транзисторы можно классифицировать на основе проводимости, в которой очевиден поток носителей. Если проводимость обусловлена ​​как основными, так и неосновными носителями заряда, транзистор классифицируется как биполярный. Если проводимость обусловлена ​​только большинством, то она называется униполярной. Таким образом формируются биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET).

Схема транзистора

Транзистор сконструирован таким образом, что он состоит из трех выводов, известных как эмиттер, база и коллектор. Основная причина разработки таких конфигураций заключается в том, что для обеспечения входных и выходных соединений схемы требуется четыре клеммы. Следовательно, это можно сделать, сделав один общий вывод либо базой, либо эмиттером, либо коллектором.

Этот дизайн предназначен для использования этой схемы в различных приложениях. Разработанные конфигурации, основанные на его требованиях, используются в электронных модулях.

Различные конфигурации транзистора

Возможны три конфигурации этих транзисторов, известных как общая база, общий эмиттер и общий коллектор. Каждая конфигурация имеет свое значение с точки зрения усиления.

  1. В конфигурации с общей базой нет усиления по току, но есть усиление по напряжению.
  2. В общем коллекторе есть усиление по току, но не будет усиления по напряжению.
  3. Общий эмиттер — это конфигурация, в которой присутствует усиление как по току, так и по напряжению.

Таким образом, конфигурация с общим эмиттером является наиболее широко используемой.

1) Конфигурация с общей базой

Как следует из названия, конфигурация представляет собой общую клеммную базу, которая остается общей как для входных, так и для выходных соединений цепи. Напряжение прикладывается к соединению эмиттера и базы. Здесь эмиттер и база называются входной стороной, а коллектор известен как выходная сторона соединения схемы.

Значение тока, протекающего от терминальной базы к эмиттеру, должно быть больше. Это указывает на то, что значение тока на коллекторе меньше значения тока, протекающего через эмиттер. Характеристики входа основаны на напряжении, приложенном к клеммам базы и эмиттеру, и токе на клемме эмиттера. Выходная характеристика для этой конфигурации основана на параметрах напряжения, приложенного к клеммам базы и коллектора, и тока, генерируемого на клемме коллектора.

Общая базовая конфигурация

Значение усиления по току в этом случае либо равно, либо считается меньшим, чем единичное значение. Сгенерированные сигналы входа и выхода останутся синфазными. Этот тип конфигурации имеет самое высокое значение импеданса, а не выхода. Характеристики выходных сигналов демонстрируют сходство с диодом, работающим со смещением в прямом направлении.

Входные характеристики

Входные характеристики для этого типа конфигурации измеряются изменением значения напряжения на выводах эмиттера и базы в разных точках при сохранении постоянного значения напряжения на коллекторе и базе. Отсюда измеряется входное значение тока на эмиттере. На основании чего строится график.

Общие базовые входные характеристики

Выходные характеристики

График построен между напряжением на выходе и током при сохранении входного значения тока постоянным и дает выходные характеристики для этой конфигурации.

Выходные характеристики общей базы

2) Конфигурация общего коллектора

Это конфигурация, в которой клемма коллектора является общей как для входных, так и для выходных соединений схемы. При этом напряжение на эмиттерной клемме соответствует напряжению базовой клеммы. Следовательно, эта схема называется эмиттерной схемой. Этот тип схемы полезен в приложениях в качестве буфера.

Конфигурация общего коллектора

Входное значение импеданса высокое. Следовательно, они применимы во время согласования методов импеданса. Рассматриваемые входные сигналы подаются между клеммами коллектора и базы. Выход должен быть взят или рассмотрен между клеммами коллектора и эмиттера.

Генерируемые входной и выходной сигналы остаются синфазными. Входными параметрами являются напряжение между клеммной базой и коллектором и ток на терминальной базе. Выходными параметрами являются ток коллектора и напряжение на выводах эмиттер и коллектор.

Входные характеристики

Характеристики этого типа конфигурации сильно отличаются от других конфигураций. Здесь напряжение на выводе коллектора и базы определяется уровнем напряжения на эмиттере и коллекторе.

Характеристики входа общего коллектора

При поддержании напряжения на коллекторе и эмиттере постоянными значениями строится график между параметрами тока базы и значением напряжения на выводах коллектора и базы.

Выходные характеристики

Поскольку известно, что конфигурация коллектора соответствует конфигурации эмиттера, работа выхода аналогична конфигурации эмиттера. В этой конфигурации, если на базовую клемму не подается напряжение, в схеме не будет заметно протекания тока.

Выходные характеристики общего коллектора

График строится между током эмиттера и напряжением на клеммах коллектора и эмиттера при поддержании постоянного значения тока базы.

3) Конфигурация с общим эмиттером

Это наиболее широко используемая конфигурация, поскольку усиление как по напряжению, так и по току увеличивает значение усиления по мощности. При этом входное напряжение подается между клеммами эмиттера и базы. Выход снимается с выводов эмиттера и коллектора. Отсюда и эта схема инвертирующего типа.

Конфигурация с общим эмиттером

Входными параметрами для этого типа конфигурации являются напряжение на базе и эмиттере и ток на клемме базы. Параметрами, по которым характеризуют выходные сигналы, являются напряжение на клеммах коллектора и эмиттера, а также ток на клеммах коллектора.

Это наиболее широко используемая конфигурация по сравнению с другими конфигурациями в схеме усилителя. Величина тока на концевом эмиттере представляет собой сумму отдельных токов на базе и коллекторе. Импеданс как на входе, так и на выходе имеет минимальное значение. Это делает конфигурацию более эффективной.

Коэффициент усиления между отношением тока на выводе коллектора и выводе эмиттера измеряется в терминах альфа. Коэффициент усиления отношения между токами клеммы коллектора и базы измеряется в терминах бета. Генерируемый выходной сигнал имеет сдвиг по фазе примерно на 180 градусов, что представляет собой входной и выходной сигналы, обратно пропорциональные по фазам.

Входные характеристики

График построен между током на базе и значением напряжения на клеммах базы и эмиттера.

Характеристики входа с общим эмиттером

Характеристики выхода

График построен между значениями тока коллектора и значением напряжения на клеммах коллектора и эмиттера.

Выходные характеристики с общим эмиттером

Сравнение конфигураций транзисторов Таблица

Транзистор с биполярным переходом (BJT) состоит из выводов эмиттера, базы и коллектора. Для этих терминалов были разработаны эти конфигурации, основанные на том, чтобы сделать один терминал общим, чтобы он мог действовать совместно как для входных, так и для выходных цепей.

 

Конфигурации транзисторов

 

Общая база

 

Общий коллектор

 

Общий эмиттер

 

1. Значение Current Gain:

  

Низкий

  

Высокий

  

Средний

 

2. Значение коэффициента усиления по напряжению:

  

Высокий

  

Низкий

  

Средний

 

3. Значение прироста мощности

  

Низкий

  

Средний

  

Высокий

 

 

4. Значение фазового соотношения между сигналами входа и выхода

  

 

Нулевой градус

  

 

Нулевой градус

  

 

180 градусов

 

 

5. Сопротивление на входе

  

Низкий

  

Высокий

  

Средний

 

 

6. Сопротивление на выходе

  

Высокий

  

Низкий

  

Средний

 

Вышеупомянутые существуют три конфигурации транзисторов на основе трех присутствующих в нем выводов. Эти конфигурации имеют как определенные сходства, так и определенные различия в плане конструкции, учета входных и выходных параметров. Значения также различаются, когда учитываются коэффициенты усиления по мощности, напряжению и току. Наиболее часто используемая конфигурация — это тип общего эмиттера.

Перейдите по этой ссылке, чтобы узнать больше о MCQ со смещением транзисторов.

Состоит из коэффициентов усиления по напряжению и току. Следовательно, это делает общий прирост мощности высоким. Конфигурация транзистора с общей базой обычно используется в однокаскадных схемах усилителя. Следовательно, общая конфигурация базы имеет самые высокие частотные характеристики. Эти транзисторы можно использовать в усилителях радиочастот. Можете ли вы сказать, по какой причине общий коллектор известен как эмиттерный повторитель?

Характеристики транзистора с общей базой | Входные и выходные характеристики

Для исследования характеристик транзистора с общей базой диода (двухвыводного устройства) прикладывают несколько уровней прямого или обратного напряжения смещения и измеряют результирующие уровни тока. Затем характеристики устройства выводятся путем построения графика зависимости тока от напряжения. Поскольку транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, существует три возможных схемы подключения (конфигурации) для исследования его характеристик транзистора с общей базой. Из каждой из этих конфигураций можно получить три набора характеристик транзистора с общей базой.

На рис. 4-20 показан pnp-транзистор с общей клеммой базы как для входного (EB), так и для выходного (CB) напряжения. Говорят, что транзистор подключен по схеме с общей базой . Вольтметры и амперметры включены для измерения входных и выходных напряжений и токов.

Входные характеристики конфигурации с общей базой:

Для определения входных характеристик конфигурации с общей базой выходное (CB) напряжение поддерживается постоянным, а входное (EB) напряжение устанавливается на нескольких удобных уровнях. Для каждого уровня входного напряжения входной ток I E записано. Затем I E строится по сравнению с V EB , чтобы получить входные характеристики общей базовой конфигурации, показанные на рис. 4-21.

Поскольку EB-переход смещен в прямом направлении, входные характеристики с общей базой по существу такие же, как у p-n-перехода с прямым смещением. Рисунок 4-21 также показывает, что для заданного уровня входного напряжения протекает больший входной ток, когда используются более высокие уровни напряжения выключателя. Это связано с тем, что больший CB ( обратное смещение ) напряжения приводят к тому, что область обеднения на переходе CB проникает глубже в базу транзистора, тем самым сокращая расстояние и уменьшая сопротивление между областями обеднения EB и CB.

Выходные характеристики конфигурации с общей базой:

Ток эмиттера I E поддерживается постоянным на каждом из нескольких фиксированных уровней. Для каждого фиксированного уровня I E регулируется выходное напряжение V CB с удобными шагами, а соответствующие уровни тока коллектора I C . Таким образом получается таблица значений, из которой может быть построено семейство выходных характеристик. На рис. 4-22 нанесены соответствующие уровни I C и V CB , полученные, когда I E удерживался постоянным при 1 мА, а результирующие характеристики транзистора с общей базой обозначены как I E = 1 мА. . Аналогично, другие характеристики строятся для I E уровней 2 мА, 3 мА, 4 мА и 5 мА.

Выходные характеристики общей базовой конфигурации показаны на рис. 4-22 и показывают, что для каждого фиксированного уровня I E , I C почти равен I E и остается постоянным, когда V CB увеличена. На самом деле наблюдается очень небольшое увеличение I C с увеличением V CB . Это связано с тем, что увеличение напряжения смещения коллектор-база (V CB ) расширяет область истощения CB и, таким образом, сокращает расстояние между двумя областями обеднения. с я E сохраняется постоянным, увеличение I C настолько мало, что заметно только при больших изменениях V CB .

Как показано на рис. 4-22, когда V CB уменьшается до нуля, I C продолжает течь. Даже когда приложенное извне напряжение смещения равно нулю, на переходе CB все еще существует барьерное напряжение, и это способствует прохождению I C . Носители заряда, составляющие I C , являются неосновными носителями, когда они пересекают CB-переход. Таким образом, напряжение обратного смещения V CB  и (несмещенное) напряжение барьера CB помогают им двигаться через соединение. Чтобы остановить поток носителей заряда, CB-переход должен быть смещен в прямом направлении.

Следовательно, как показано на рис. 4-22, I C  уменьшается до нуля только тогда, когда V CB увеличивается положительно.

Область графика для CB-перехода с прямым смещением известна как область насыщения (см. рис. 4-22). Область, в которой переход смещен в обратном направлении, называется активной областью, и это нормальная рабочая область транзистора.

Если напряжение обратного смещения на переходе выключателя превышает максимальный безопасный предел, указанный производителем, может произойти поломка устройства. Пробой, показанный пунктирными линиями на рис. 4-22, может быть вызван теми же эффектами, которые приводят к пробою диодов. Пробой также может быть результатом проникновения области обеднения CB в основание до контакта с областью обеднения EB (рис. 4-23). Это состояние известно как сквозное или сквозное, и когда это происходит, могут протекать очень большие токи, что может привести к разрушению устройства. Расширение области обеднения происходит за счет увеличения V КБ . Поэтому очень важно поддерживать V CB ниже максимального безопасного предела, указанного производителем устройства. Типичные максимальные уровни V CB находятся в диапазоне от 25 В до 80 В.

Коэффициент усиления по току в конфигурации с общей базой:

Характеристики усиления по току (также называемые характеристиками прямой передачи) представляют собой график выходного тока (I C ) от входного тока (I E ). Они получены экспериментально при использовании схемы на рис. 4-20. В CB поддерживается постоянным на удобном уровне, а I C измеряется для различных уровней I E . Затем I C  сопоставляется с I E , и результирующий график идентифицируется уровнем V CB  (см. рис. 4-24).

Характеристики усиления тока выключателя могут быть получены из выходных характеристик выключателя, как показано на рис. 4-25. Вертикальная линия проводится через выбранное значение V CB и соответствующие уровни I E и I C читаются вдоль строки. Затем наносятся уровни I C по сравнению с I E , и характеристика помечается используемым V CB . Поскольку почти все I E вытекает из клеммы коллектора, поскольку I C , V CB оказывает лишь небольшое влияние на характеристики усиления по току.

Исследование входных и выходных характеристик транзистора в конфигурации с общим эмиттером

Исследование входных и выходных характеристик транзистора в конфигурации с общим эмиттером

ЭКСПЕРИМЕНТ №. 9

AIM

: исследование входных и выходных характеристик транзистора в конфигурации с общим эмиттером.

АППАРАТЫ: два источника питания постоянного тока (от 0 до 10 В), два вольтметра (от 0 до 1 и от 0 до 10), один миллиамперметр (от 0 до 50), один микроамперметр (от 0 до 250), два реостата, транзистор pnp, соединительные провода.

ФОРМУЛА:-
i) Входное сопротивление, r i = [дельта(V BE ) / дельта (I B )] at V CE = константа
ii) Выходное сопротивление, r o = [дельта (V CE ) / дельта (I C )] при I B = константа
iii) Коэффициент усиления постоянного тока, бета DC = (I C ) / (I B ) при V CE = константа
iv) Коэффициент усиления переменного тока, бета AC = [дельта (I C ) / дельта (I B )] при V CE = постоянный.

907:15

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА:-

ПРОЦЕДУРА:-

a) Входные характеристики
Выполните соединения, как показано на принципиальной схеме. Напряжение коллектор-эмиттер V CE поддерживается постоянным на уровне 0 В. Напряжение эмиттер-база V EB изменяется с шагом 0,05 или 0,1 В, и для каждой установки напряжения отмечается ток I B . Затем значение V CE устанавливается равным 5 В, и описанная выше процедура повторяется. Значение В 9Затем 0576 CE устанавливается на 10 В, и описанная выше процедура повторяется снова. Показания заносятся в таблицу 1.

б) Выходные характеристики
Входной ток, т.е. базовый ток I B поддерживается постоянным на уровне 50 мкА. Напряжение В CE изменяется с шагом 1 В от 0 до 10 В и для каждой установки напряжения отмечается выходной ток, т. е. ток коллектора I C . Для каждого нового значения коллекторного напряжения проверяется базовый ток и настраивается на значение, при котором он должен поддерживаться постоянным. Значение I 9Затем 0576 E устанавливают на 150 мкА и повторяют описанную выше процедуру. Затем значение I B устанавливается равным 250 мкА, и описанная выше процедура снова повторяется. Показания заносятся в таблицу 2.

c) Характеристики передачи
Напряжение коллектора V CE поддерживается постоянным на некотором значении. Ток базы изменяется ступенчато, и соответствующий ток коллектора I C отмечается и заносится в таблицу 3.

НАБЛЮДЕНИЯ:-

  1. Для входных характеристик

    2. В CE = 0 В

    В CE = 5 В

    В CE = 10 В

    В БЭ В

    I B микроА

    В БЭ В

    I B микроА

    В БЭ В

    I B микроА

    0
    0,05
    0,1
    0,15
    0,2
    0,25
    0,3
    0,35
    0,4

    		  

    0
    0,05
    0,1
    0,15
    0,2
    0,25
    0,3
    0,35
    0,4

    		  

    0
    0,05
    0,1
    0,15
    0,2
    0,25
    0,3
    0,35
    0,4

    		  
  2. Для выходных характеристик

    3. I B = 50 мкА

    I B = 150 мкА

    I B = 250 мкА

    В СЕ В

    I C мА

    В СЕ В

    I C мА

    В СЕ В

    I C мА

    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10

    		  

    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10

    		  

    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10

    		  
  3. Для характеристик передачи

    4. В CE = постоянный при 5 В.

    I B микроА

    I C мА

    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40

    		  

ГРАФИК:-

i) Для построения входных характеристик значения V BE берутся по оси x, а значения I B берутся по оси y, и строятся графики для всех трех постоянных значений V CE .
ii) Для построения выходных характеристик значения V CE берутся по оси x, а значения I C берутся по оси y, и строятся графики для всех трех констант I B значений.
iii) Для построения передаточных характеристик значения I B берутся по оси x, а значения I C берутся по оси y, и строится график.

РАСЧЕТЫ:-

i) r i = [дельта (V BE ) / дельта (I B )] at V CE = константа =
ii) r o = [дельта (V CE ) / дельта (I C )] at I B = константа =
iii) бета DC = (I C ) / (I B ) при V CE = константа
iv) бета AC = [дельта (I C ) / дельта (I B )] в V CE = константа =

РЕЗУЛЬТАТ:-

i) Входное динамическое сопротивление, r i =
ii) Выходное динамическое сопротивление, r o =
iii) Коэффициент усиления по постоянному току, бета DC =
iv) Коэффициент усиления переменного тока, бета АС =

МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ:-

  1. Убедитесь, что соединения затянуты.
  2. Позаботьтесь о подаче i) подходящего прямого напряжения на переход база-эмиттер и ii) подходящего обратного напряжения на переход коллектор-эмиттер. В противном случае транзистор может быть поврежден.

Исследование входных, выходных и передаточных характеристик транзистора в конфигурации с общей базой

Исследование входных, выходных и передаточных характеристик транзистора в конфигурации с общей базой

ЭКСПЕРИМЕНТ №. 8

AIM

: исследование входных, выходных и передаточных характеристик транзистора в конфигурации с общей базой.

АППАРАТЫ: два источника питания постоянного тока (от 0 до 10 В), два вольтметра (от 0 до 10 В), два миллиамперметра (от 0 до 10 мА), два реостата, транзистор pnp, соединительные провода.

ФОРМУЛА:-
i) Динамическое входное сопротивление, r i = [дельта (V EB ) / дельта (I E )] при V CB = константа
ii) Выходное сопротивление, r o = [дельта (V CB ) / дельта (I C )] при I E = константа
iii) Коэффициент усиления постоянного тока, альфа DC = (I C ) / (I E )
iv) Коэффициент усиления переменного тока, альфа AC = [дельта (I C ) / дельта (I E )] при V CB = постоянный.

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА:-

ПРОЦЕДУРА:-

a) Входные характеристики
Выполните соединения, как показано на принципиальной схеме. Напряжение коллектор-база V CB поддерживается постоянным на уровне 2 В. Напряжение V EB изменяется с шагом 0,1 В и для каждой установки напряжения отмечается ток I E . Затем значение V CB устанавливается равным 8 В, и описанная выше процедура повторяется. Показания заносятся в таблицу 1.

б) Выходные характеристики
Входной ток, т. е. ток эмиттера, I E поддерживается постоянным на уровне 5 мА. Напряжение В СВ изменяется с шагом 1 В и для каждой установки напряжения отмечается выходной ток, т.е. ток коллектора I C . Затем значение I E устанавливается равным 7,5 мА, и описанная выше процедура повторяется. Затем значение I E устанавливается равным 10 мА, и описанная выше процедура снова повторяется. Показания записываются в таблицу 2.

c) Характеристики передачи
Поддерживая выходное напряжение V CB постоянным на некотором значении, для различных значений входного тока I E фиксируют соответствующие значения выходного тока I C и заносят в таблицу 3.

НАБЛЮДЕНИЯ:-

  1. Для входных характеристик

    2. В СВ = 0 В

    В СВ = 4 В

    В СВ = 8 В

    В ЭБ В

    I E мА

    В ЭБ В

    I E мА

    В ЭБ В

    I E мА

    0
    0,1
    0,2
    0,3
    0,4
    0,5
    0,55
    0,6
    0,65

    		  

    0
    0,1
    0,2
    0,3
    0,4
    0,5
    0,55
    0,6
    0,65

    		  

    0
    0,1
    0,2
    0,3
    0,4
    0,5
    0,55
    0,6
    0,65

    		  
  2. Для выходных характеристик

    3. I E = 5 мА

    I E = 7,5 мА

    I E = 10 мА

    В СВ В

    I C мА

    В СВ В

    I C мА

    В СВ В

    I C мА

    0
    0,2
    0,4
    0,6
    1. 0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    6.0
    7,0
    8.0

    		  

    0
    0,2
    0,4
    0,6
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    6.0
    7,0
    8.0

    		  

    0
    0,2
    0,4
    0,6
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    6.0
    7,0
    8.0

    		  
  3. Для характеристик передачи

    4. В CB = постоянный при 5 В.

    I E мА

    I C мА

    0
    2,5
    5
    7,5
    10
    12,5
    15
    17,5

    		  

ГРАФИК:-

i) Для построения входных характеристик значения V EB берутся по оси x, а значения I E берутся по оси y, и строятся графики для всех трех постоянных значений V CB .
ii) Для построения выходных характеристик значения V CB берутся по оси x, а значения I C берутся по оси y, и строятся графики для всех трех постоянных значений I E .
iii) Чтобы нарисовать передаточные характеристики, I 9Значения 0576 E берутся по оси x, а значения I C берутся по оси y и строится график.

РАСЧЕТЫ:-

i) r i = [дельта (V EB ) / дельта (I E )] at V CB = константа =
ii) r o = [дельта (V CB ) / дельта (I C )] at I E = константа =
iii) альфа DC = (I C ) / (I E ) =
iv) альфа AC = [дельта (I C ) / дельта (I E )] в V CB = константа =

РЕЗУЛЬТАТ:-

i) Динамическое входное сопротивление, r i =
ii) Выходное сопротивление, r o =
iii) Коэффициент усиления постоянного тока, альфа DC =
iv) Коэффициент усиления переменного тока, альфа AC =

МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ:-

  1. Убедитесь, что соединения затянуты.
  2. Позаботьтесь о подаче i) подходящего прямого напряжения на переход эмиттер-база и ii) подходящего обратного напряжения на переход база-коллектор. В противном случае транзистор может быть поврежден.

Характеристики транзисторов и их применение || часть 2

В нашем предыдущем посте мы узнали о механизме и различных параметрах. Если вы пропустили это, пожалуйста, сначала ознакомьтесь с нашим постом «от А до Я о транзисторе» для лучшего понимания. В этом посте мы обсудим различные характеристики транзисторов и их использование. Итак, давайте углубимся в это.

Содержание

Различные режимы

Существуют три различных конфигурации или режима в зависимости от подключения к общей (заземляющей) клемме:

  1. Конфигурация с общей базой или режим CB.
  2. Конфигурация с общим эмиттером или режим CE
  3. Конфигурация с общим коллектором или режим CC.

Режим CE превосходит два других режима. В этом посте мы обсуждаем и разбираемся в характеристиках транзисторов и их использовании, особенно в режиме CE.

Различные характеристики транзисторов

Когда транзистор работает как усилитель, его базовая клемма работает как входная клемма, а коллекторная клемма работает как выходная клемма. Таким образом, для базового терминала отношение тока к напряжению известно как входная характеристика. Точно так же клемма коллектора, отношение тока к напряжению известно как выходная характеристика.

Базовое напряжение обозначается как V(BE), что означает, что базовое напряжение имеет значение относительно эмиттера (земли).

Напряжение коллектора обозначается как V(CE), что означает, что напряжение коллектора имеет значение относительно эмиттера (земли).

Входные характеристики транзисторов

График зависимости V(BE) от I(B) называется входными характеристиками транзисторов при постоянном значении V(CE). V(CE) остается постоянным, так как это может повлиять на входной ток I(B).

График зависимости V(BE) от I(B) почти аналогичен графику характеристик V-I p-n перехода для прямого смещения.

Это идеальная ситуация, но в действительности напряжение коллектора V(CE) практически не влияет на I(B).

Выходные характеристики транзисторов

График зависимости V(CE) от I(C) называется выходными характеристиками транзисторов при постоянном значении I(B). Как мы знаем, I(C) зависит от I(B) [если значение I(B) удваивается, значение I(C) также удваивается].

Переход коллектор-база поддерживается в обратном смещении. Так что график выходных характеристик есть не что иное, как график p-n перехода в обратном смещении.

Вы можете видеть, что начальная часть графика постепенно увеличивается от нуля до определенной степени, после чего график становится постоянным. Начальная часть показывает, что если вы уменьшите напряжение коллектора менее чем на 0,7 В, переход коллектор-база станет смещенным в прямом направлении. Таким образом, неосновным носителям очень сложно перетекать от базы к коллектору. Следовательно, вы получаете почти незначительный ток, пока не достигнете 0,6-0,7 вольт.

Активная, отсечка и область насыщения

Случай:1  

В этом случае обедненная область не исчезает, поэтому электроны почти не инжектируются в базу. Поэтому почти никакие электроны не собираются через базовую область.

 

 ( Поскольку через транзистор не протекает ток, не должно быть падения напряжения).

Этот этап называется этапом отключения.

Корпус:2

При напряжении 0,7 В область обеднения исчезает, поэтому через транзистор начинает протекать ток. Предположим, входной ток составляет 10 микроампер, а коэффициент усиления по току равен 200 (т. е. бета = 200).

Теперь падение напряжения на R(C)(= 1 кОм) равно

 

И,

Итак, для

транзистор работает как усилитель.

Этот этап называется активным/линейным этапом.

Корпус:3

Возьмем

, .

, следовательно, падение напряжения на резисторе R(C),

Это невозможно, так как падение напряжения (6В) выше подаваемой мощности (5В).

Итак, какие бы изменения вы ни производили после 25 мкА входного тока, они не увеличивают выходной ток. Выходной ток не превышает 5 мА.

Эта стадия называется стадией насыщения.

Использование транзистора

Усилитель напряжения

Усилитель напряжения используется для усиления напряжения с использованием соотношения-

 

Теперь для области коллектора,

Вычитая уравнение (2) из ​​уравнения (1), мы получаем,

Аналогично для области основания , 

Вычитая уравнение (5) из уравнения (4), мы получаем,

Из уравнения (3) и уравнения (6) мы получаем,

Член Av называется коэффициентом усиления по напряжению. Отрицательный знак указывает на то, что если выходное напряжение увеличивается, то выходное напряжение уменьшается на коэффициент Av и наоборот.

Транзистор в качестве переключателя

Транзистор имеет область отсечки ниже 0,7 В и область насыщения при I(B)>25 мА.

Для,

Это условие для области отсечки.

Для,

Это условие для области насыщения.

Итак, используя эти два региона, мы можем переключиться. Область отсечки может рассматриваться как «выключенная», а область насыщения может быть собрана как «включенная», как и обычная.

Практический пример схемы

Когда V(BE) <0,7 В, ток через транзистор не протекает. Таким образом, весь ток проходит через светодиод, и светодиод включается. Это выключенный режим.

Когда V(BE) =0,7 В и I(B)>25 микроампер, транзистор находится в области насыщения и действует как короткое замыкание. Таким образом, через светодиод не будет течь ток, и он не будет светиться. Это режим включения транзистора.

Преимущества
  1. В отличие от механических переключателей, эти переключатели вообще не имеют движущихся частей, поэтому они более эффективны и быстрее, чем обычные переключатели.
  2. В наши дни можно создавать очень крошечные транзисторы, чтобы их можно было поместить в маленькую ИС в большом количестве. Транзистор также может выполнять арифметические вычисления. Это дает превосходное преимущество для создания различных типов логических устройств.
  3. Транзистор может работать как ключ с небольшим изменением напряжения, что делает его более удобным в использовании.

Если у вас есть какие-либо вопросы относительно этого сообщения, пожалуйста, не стесняйтесь комментировать ниже. Спасибо.

 

Какие существуют режимы конфигурации?

Режим с общим эмиттером или режим CE, режим с общим коллектором или режим CC, режим с общей базой или режим CB.

Что такое график выходных характеристик?

График зависимости V(CE) от I(C) называется выходной характеристикой транзисторов при постоянном значении I(B).

Что такое график входных характеристик?

График зависимости V(BE) от I(B) называется входной характеристикой транзисторов при постоянном значении V(CE).

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *