Ток базы транзистора формула. Расчет тока базы транзистора: формулы и пример — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Как рассчитать ток базы биполярного транзистора. Какие параметры нужны для расчета тока базы. Какие формулы используются при расчете тока базы транзистора. Пошаговый пример расчета тока базы.

Содержание

Что такое ток базы транзистора

Ток базы — это один из ключевых параметров биполярного транзистора, определяющий его режим работы. Это ток, протекающий через базу транзистора и управляющий током коллектора.

Основные характеристики тока базы:

Измеряется в микроамперах или миллиамперах
Обычно составляет 1-5% от тока коллектора
Определяет степень открытия транзистора
Зависит от напряжения база-эмиттер

Формула для расчета тока базы транзистора

Для расчета тока базы используется следующая формула:

I_б = I_к / β

Где:

I_б — ток базы
I_к — ток коллектора
β — коэффициент усиления транзистора по току

Необходимые параметры для расчета

Чтобы рассчитать ток базы, необходимо знать следующие параметры:

Ток коллектора I_к
Коэффициент усиления транзистора β
Напряжение питания схемы U_пит
Сопротивление нагрузки R_н
Напряжение коллектор-эмиттер U_кэ

Пошаговый алгоритм расчета тока базы

Расчет тока базы выполняется в следующем порядке:

Определить ток коллектора I_к = (U_пит — U_кэ) / R_н
Найти коэффициент усиления β из справочных данных для выбранного транзистора
Рассчитать ток базы по формуле I_б = I_к / β
При необходимости перевести результат в нужные единицы измерения

Пример расчета тока базы транзистора

Рассмотрим пример расчета для следующих исходных данных:

Напряжение питания U_пит = 12 В
Сопротивление нагрузки R_н
= 1 кОм
Напряжение коллектор-эмиттер U_кэ = 0.2 В
Коэффициент усиления транзистора β = 100

Расчет:

I_к = (12 В — 0.2 В) / 1000 Ом = 11.8 мА
β = 100 (из справочных данных)
I_б = 11.8 мА / 100 = 0.118 мА = 118 мкА

Таким образом, расчетный ток базы транзистора составляет 118 мкА.

Факторы, влияющие на точность расчета тока базы

На точность расчета тока базы могут влиять следующие факторы:

Разброс параметров транзисторов одного типа
Температурная зависимость коэффициента усиления
Нелинейность характеристик транзистора
Погрешности измерения исходных параметров

Для повышения точности расчетов рекомендуется:

Использовать реальные параметры конкретного транзистора
Учитывать температурный коэффициент усиления

Проводить измерения в рабочем режиме схемы

Применение расчета тока базы на практике

Расчет тока базы транзистора используется в следующих случаях:

Проектирование усилительных каскадов
Расчет режимов работы транзисторных ключей
Определение параметров цепей смещения
Анализ работы транзисторных схем

Умение правильно рассчитывать ток базы позволяет:

Обеспечивать оптимальный режим работы транзистора
Добиваться требуемых характеристик схемы
Предотвращать перегрузку и выход из строя транзисторов

Особенности расчета для разных типов транзисторов

При расчете тока базы следует учитывать особенности разных типов транзисторов:

Биполярные транзисторы

Используется формула I_б = I_к / β
Коэффициент β может сильно зависеть от тока коллектора

Полевые транзисторы

Вместо тока базы рассчитывается напряжение затвор-исток
Используется формула I_с = g_m * (U_зи — U_пор)

IGBT-транзисторы

Расчет аналогичен полевым транзисторам
Учитывается напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Программные средства для расчета тока базы

Для автоматизации расчетов тока базы можно использовать:

Онлайн-калькуляторы параметров транзисторов
Специализированные программы для расчета электронных схем
Программируемые калькуляторы с инженерными функциями
Электронные таблицы с формулами для расчета

Использование программных средств позволяет:

Ускорить процесс расчетов
Снизить вероятность ошибок
Провести серию расчетов с разными параметрами

Часто задаваемые вопросы о расчете тока базы

Как ток базы влияет на работу транзистора?

Ток базы определяет степень открытия транзистора и величину тока коллектора. Чем больше ток базы, тем сильнее открыт транзистор и тем больший ток протекает через коллектор.

Какой типичный диапазон значений тока базы?

Обычно ток базы составляет от единиц до сотен микроампер для маломощных транзисторов и может достигать нескольких миллиампер для мощных транзисторов.

Как измерить реальный ток базы транзистора?

Для измерения тока базы в рабочей схеме последовательно с базой включают микроамперметр. Также можно измерить падение напряжения на известном сопротивлении, включенном последовательно с базой.

Общий базовый ток Калькулятор | Вычислить Общий базовый ток

✖Ток базы 1 является критическим током биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может открыться.ⓘ Базовый ток 1 [I_B1]

AbampereАмперАттоамперБайотсантиамперСГС ЭМБлок ЭС СГСДециамперДекаампереEMU текущегоESU текущегоExaampereФемтоамперГигаамперГилбертгектоамперкилоамперМегаампермикроамперМиллиампернаноамперПетаамперПикоамперStatampereтераамперЙоктоампереЙоттаампереZeptoampereZettaampere

+10%

-10%

✖Ток базы 2 является критическим током биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может открыться.ⓘ Базовый ток 2 [I_B2]

+10%

-10%

✖Базовый ток — это решающий ток биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может включиться.ⓘ Общий базовый ток [I_B]

⎘ копия

👎

Формула

сбросить

👍

Общий базовый ток Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

ШАГ 1.

Преобразование входов в базовый блок

Базовый ток 1: 20 Миллиампер —> 0.02 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Базовый ток 2: 20 Миллиампер —> 0.02 Ампер (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.04 Ампер —> Конверсия не требуется

< 10+ Текущий поток Калькуляторы

Общий базовый ток формула

Базовый ток = Базовый ток 1+Базовый ток 2
I_B = I_B1+I_B2

Почему ток базы транзистора очень мал?

База собранный переход транзистора имеет обратное смещение. … Следовательно, более 98% эмиттерного тока достигает коллектора. Очень небольшое количество носителей заряда не достигает коллектора и перетекает в цепь базы, составляя ток базы (менее 2%).

Copied!

Расчет сопротивления базы транзистора

В предыдущей статье мы разбирались с основами усилителей, немного было сказано о том, что такое обратная связь и коэффициент усиления. Был приведен расчет схемы на операционном усилителе. Теперь мы готовы заглянуть чуть глубже, чтобы понять основы основ. Транзистор можно представить в виде переменного сопротивления.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Расчет стабилизатора второго канала, выбор стабилитрона и транзистора

Расчет смещения (биполярные транзисторы)

Расчет тока базы транзистора

Расчет сопротивления для базы транзистора 3102AM

3. ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярный транзистор

Транзистор и биполярный транзистор, расчёт транзисторного каскада

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Урок 308. Транзистор. Усилитель на транзисторе

<center><ins class="adsbygoogle" style="display:block" data-ad-client="ca-pub-1812626643144578" data-ad-slot="3076124593" data-ad-format="auto" data-full-width-responsive="true"></ins> <script>(adsbygoogle=window.adsbygoogle||[]).push({});</script></center>

Расчет стабилизатора второго канала, выбор стабилитрона и транзистора

Биполярный транзистор является одним из старейших, но самым известным типом транзисторов, и до сих пор находит применение в современной электронике. Транзистор незаменим, когда требуется управлять достаточно мощной нагрузкой, для которой устройство управления не может обеспечить достаточный ток. Они бывают разного типа и мощности, в зависимости от исполняемых задач.

Базовые знания и формулы о транзисторах вы можете найти в этой статье. Прежде чем начать урок, давайте договоримся, что мы обсуждаем только один тип способ включения транзистора.

Транзистор может быть использован в усилителе или приемнике, и, как правило, каждая модель транзисторов производится с определенными характеристиками, чтобы сделать его более узкоспециализированым для лучшей работы в определённом включении.

Транзистор имеет 3 вывода: база, коллектор и эмиттер. При включении транзистора в режиме коммутатора управление нагрузкой он действует так: ток базы контролирует ток от коллектора к эмиттеру или наоборот, в зависимости от типа транзистора. Чтобы это понять, можно сказать, что основное различие между этими двумя типами это направления электрического тока. Это можно видеть на рисунке 1. А, где указано направление тока. В транзисторе NPN, один ток течет от основания внутрь транзистора, а другой ток течет от коллектора к эмиттеру, а в PNP транзисторе всё наоборот.

С функциональной точки зрения, разница между этими двумя типами транзисторов это напряжение на нагрузке. Вы позже поймете, почему это влияет на выбор транзистора. Для простоты мы будем изучать только NPN транзисторы, но всё это применимо к PNP, принимая во внимание, что все токи меняются на противоположные. Рисунок ниже показывает аналогию между переключателем S1 и транзисторным ключом, где видно, что ток базы закрывает или открывает путь для тока от коллектора к эмиттеру:.

Точно зная характеристики транзистора, от него можно получить максимальную отдачу. Также важно знать максимальный ток, мощность и напряжение транзистора. Эти параметры можно найти в документации на транзистор, и они помогут нам определить значение резистора на базе, о чем рассказано дальше. На рисунке показано включение NPN транзистора в качестве коммутатора. Вы встретите это включение очень часто при анализе различных электронных схем.

Мы будем изучать, как запустить транзистор в выбранном режиме, рассчитать резистор базы, коэффициент усиления транзистора по току и сопротивление нагрузки. Я предлагаю самый простой и самый точный способ для этого.

Предположим, что транзистор находится в режиме насыщения: При этом математическая модель транзистора становится очень простой, и нам известно напряжение на точке V c. Мы найдем значение резистора базы, при котором всё будет правильно. Определение тока насыщения коллектора: Напряжение между коллектором и эмиттером V ce взято из документации транзистора.

Когда мы узнали эту величину, мы можем рассчитать ток насыщения коллектора по формуле:. Иногда, сопротивления нагрузки R L неизвестно или не может быть точным, как сопротивление обмотки реле; В таком случае, достаточно знать, необходимый для запуска реле ток. Убедитесь, что ток нагрузки не превышает максимальный ток коллектора транзистора. Расчет необходимого тока базы: Зная ток коллектора, можно вычислить минимально необходимый ток базы для достижения этого тока коллектора, используя следующую формулу: Из неё следует что:.

Превышение допустимых значений: После того как вы рассчитали ток базы, и если он оказался ниже указанного в документации, то можно перегрузить транзистор, путем умножения расчетного тока базы например в 10 раз.

Таким образом, транзисторный ключ будет намного более устойчивым. Другими словами, производительность транзистора уменьшится, если нагрузка увеличится. Будьте осторожны, старайтесь не превышать максимальный ток базы, указанный в документации.

Расчёт необходимого значения R b : Учитывая перегрузку в 10 раз, сопротивление R b может быть рассчитано по следующей формуле: где V 1 является напряжением управления транзистором см. Видно, что ток базы умножается на 10 с учётом перегрузки. Когда значение R b известно, транзистор «настроен» на работу в качестве переключателя, что также называется «режим насыщения и отсечки «, где «насыщение» — когда транзистор полностью открыт и проводит ток, а «отсечение» — когда закрыт и ток не проводит.

Примечание: Когда мы говорим , мы не говорим, что ток коллектора должен быть равным. Ток будет следовать законам Ома, как и любой электрический ток. Когда мы считали, что транзистор находится в режиме насыщения, мы предполагали что некоторые его параметры не менялись.

Это не совсем так. На самом деле эти параметры менялись в основном за счет увеличения тока коллектора, и поэтому он является более безопасным для перегрузки. В документации указано изменение параметров транзистора при перегрузке. Например, в таблице на рисунке 2.

В показано два параметра которые значительно меняются:. Но V CEsat само меняется в зависимости от тока коллектора и базы, что показано в таблице дальше. Расчет может быть очень сложным, так как все параметры тесно и сложно взаимосвязаны, поэтому лучше взять худшие значения. Если вы хотите управлять реле логической микросхемой или микроконтроллером то транзистор незаменим.

На рисунке 3. A, сопротивления резистора базы рассчитывается в зависимости от необходимого для реле тока. Диод D1 защищает транзистор от импульсов, которые катушка генерирует при выключении. Многие устройства, такие как семейство микроконтроллеров имеют порты с открытым коллектором. Сопротивление резистора базы внешнего транзистора рассчитывается, как описано в этой статье.

Заметим, что порты могут быть более сложными, и часто используют полевые транзисторы вместо биполярных и называются выходами с открытым стоком, но всё остаётся точно таким же как на рисунке 3.

Иногда в схеме необходимо использовать один логический элемент, и вы не хотите использовать контактную микросхему с 4 элементами либо из-за стоимости или местом на плате.

Её можно заменить парой транзисторов. Отметим, что частотные характеристики таких элементов зависят от характеристик и типа транзисторов, но обычно ниже кГц. Вам надо найти компромисс между этими параметрами. Это может быть сделано на транзисторах PNP 2N, с незначительными изменениями. Вы просто должны учитывать, что все электрические токи тогда текут в противоположном направлении.

При возникновении проблемы в цепях, содержащих много транзисторов, может быть весьма проблематично узнать, какой из них неисправен, особенно когда они все впаяны.

Я даю вам несколько советов, которые помогут вам найти проблему в такой схеме достаточно быстро:. Температура: Если транзистор сильно греется, вероятно, где-то есть проблема. Необязательно что проблема в горячем транзисторе. Обычно дефектный транзистор даже не нагревается. Это повышение температуры может быть вызвано другим транзистором, подключенным к нему.

Поиск транзисторов, имеющих различные V CE это быстрый способ обнаружения дефектных транзисторов. Измерение напряжения на резисторе базы: Напряжение на резисторе базы достаточно важно если транзистор включен. Для 5 В устройства управления транзистором NPN, падения напряжения на резисторе должно быть более 3В. Если нет падения напряжения на резисторе, то либо транзистор, либо устройство управления транзистора имеют дефект. В обоих случаях ток базы равен 0. Оригинал статьи. Средний балл статьи: 0 Проголосовало: 0 чел.

Для добавления Вашей сборки необходима регистрация. Оставить комментарий. Обнаружен блокировщик рекламы. Сайт Паяльник существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Как это сделать? Главная Начинающим. Призовой фонд на октябрь г. Тестер компонентов LCR-T4. Набор начинающего радиолюбителя.

Arduino UNO. Введение Прежде чем начать урок, давайте договоримся, что мы обсуждаем только один тип способ включения транзистора. Рисунок ниже показывает аналогию между переключателем S1 и транзисторным ключом, где видно, что ток базы закрывает или открывает путь для тока от коллектора к эмиттеру: Точно зная характеристики транзистора, от него можно получить максимальную отдачу.

Когда мы узнали эту величину, мы можем рассчитать ток насыщения коллектора по формуле: Иногда, сопротивления нагрузки R L неизвестно или не может быть точным, как сопротивление обмотки реле; В таком случае, достаточно знать, необходимый для запуска реле ток.

Расчет необходимого тока базы: Зная ток коллектора, можно вычислить минимально необходимый ток базы для достижения этого тока коллектора, используя следующую формулу: Из неё следует что: 4. Расчет нагрузки Когда мы считали, что транзистор находится в режиме насыщения, мы предполагали что некоторые его параметры не менялись. Типичное применение транзисторного ключа 1.

Подключение транзистора с открытым коллектором: Многие устройства, такие как семейство микроконтроллеров имеют порты с открытым коллектором. Создание логического элемента ИЛИ-НЕ NOR : Иногда в схеме необходимо использовать один логический элемент, и вы не хотите использовать контактную микросхему с 4 элементами либо из-за стоимости или местом на плате. Поиск ошибок в транзисторных схемах При возникновении проблемы в цепях, содержащих много транзисторов, может быть весьма проблематично узнать, какой из них неисправен, особенно когда они все впаяны.

Я даю вам несколько советов, которые помогут вам найти проблему в такой схеме достаточно быстро: 1. Оригинал статьи Теги: Перевод. Шпакунов А. Опубликована: г.

Вознаградить Я собрал 0 0 x. Оценить Сбросить. Комментарии 2 Я собрал 0 Подписаться OK.

Расчет смещения (биполярные транзисторы)

Усилитель с общим эмиттером раньше являлся базовой схемой всех усилительных устройств. В прошлой статье мы с вами говорили о самой простой схеме смещения транзистора. Эта схема рисунок ниже зависит от коэффициента бета , а он в свою очередь зависит от температуры, что не есть хорошо. В результате на выходе схемы могут появиться искажения усиливаемого сигнала. Чтобы такого не произошло, в эту схему добавляют еще парочку резисторов и в результате получается схема с 4-мя резисторами:. Резистор между базой и эмиттером назовем R бэ , а резистор, соединенный с эмиттером, назовем R э. Начнем, пожалуй, с R э.

Вывод базы это есть как раз та самая ручка, которую можно покрутить. сопротивлением Ом. На этом расчет можно считать законченным.

Расчет тока базы транзистора

В данной статье расскажем про транзистор. Покажем схемы его подключения и расчёт транзисторного каскада с общим эмиттером. Изобретён в американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные чаще называют просто транзисторами и униполярные чаще называют полевыми транзисторами. В первых, содержащих два, или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых — либо электроны, либо дырки. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.

Расчет сопротивления для базы транзистора 3102AM

Хотя транзисторные коммутационные схемы работают без смещения, для аналоговых схем работать без смещения — это необычно. Обратите внимание на отсутствие резистора смещения базы в этой схеме. В этом разделе мы рассмотрим несколько базовых схем смещения, которые могут устанавливать выбранное значение тока эмиттера I Э. Учитывая величину тока эмиттера I Э , которую необходимо получить, какие потребуются номиналы резисторов смещения, R Б , R Э и т.

Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов. Для того, чтобы правильнее понять процедуру расчета, необходимо понимать каких видов и типов бывают транзисторы и в каких режимах они могут работать.

3. ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярный транзистор — электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный , поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда — электроны и дырки. Этим он отличается от униполярного полевого транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. Принцип работы обоих типов транзисторов похож на работу водяного крана, который регулирует водяной поток, только через транзистор проходит поток электронов. Мощность основного тока зависит от мощности управляющего.

Биполярный транзистор

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века.

Транзистор — это полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать .. параметры транзистора: сопротивление эмиттера rэ, базы rб и коллектора r к.

Транзистор и биполярный транзистор, расчёт транзисторного каскада

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны. У биполярного транзистора три электрода: эмиттер, база и коллектор. Ток на базе управляет током эмиттер-коллектор.

Для хорошей работы устройства, собранного на транзисторах, необходимо чтобы на их электроды было подано определенной величины и полярности постоянное напряжение. Примерные значения напряжений подаваемых на коллектор, базу и эмиттер для транзисторов прямой проводимости p-n-p приведен на рис. В современных конструкциях радиолюбителей широко используются полевые транзисторы. Примерные значения величин напряжений смещения для полевых транзисторов с каналом типа р и с каналом типа п даны на рис. Примерные значения напряжений, подаваемых на коллектор, базу и эмиттер для транзисторов прямой проводимости p-n-p.

Рабочий режим, то есть режим усиления транзисторов — это режим, когда транзистор работает с нагрузкой в выходной цепи. На рис.

Ключевой режим работы характеризуется тем, что транзистор находится в одном из двух состояний: в полностью открытом режим насыщения , или полностью закрытом состояние отсечки. Рассмотрим пример, где в качестве нагрузки выступает контактор типа КНЕ на напряжение 27В с катушкой сопротивлением Ом. Индуктивным характером катушки в данном примере пренебрежем, считая, что реле будет включено раз и надолго. Ik —ток коллектора. Ucc — напряжение питания 27В. U кэнас- напряжение насыщения биполярного транзистора типично от 0.

С развитием электронной импульсной техники транзисторный ключ в том или ином виде применяются практически в любом электронном устройстве. Более того, преимущественно количество микросхем состоят из десятков, сотен и миллионов транзисторных ключей. А в цифровой технике вообще не обходятся без них. В обще современный мир электроники не мыслим без рассмотренного в данной статье устройства.

Вопрос Видео: Определение тока базы транзисторной цепи

Стенограмма видео

Транзистор включен в цепь так, что 𝑉 sub CC равно семи вольтам, 𝑅 sub C равно трем килоомам, 𝑉 sub CE равно 0,4 вольта, а 𝛽 sub e равно 27. Рассчитайте базовый ток и дайте ответ с точностью до трех знаков после запятой. миллиампер.

Здесь нам дан список значений. Итак, давайте начнем с того, что вспомним, что представляет каждый из них. Также будет полезно нарисовать принципиальную схему, на которой мы можем пометить значения в чтобы помочь нам лучше понять количества, с которыми мы имеем дело. Обратите внимание, что мы также обозначили три области транзистора: коллектор, база и эмиттер.

Первое значение, которое мы получили, 𝑉 sub CC, представляет собой поставляемую разность потенциалов. через коллектор и эмиттер этой ячейкой здесь внизу. 𝑅 sub C — сопротивление току коллектора, а 𝑉 sub CE — потенциал разница измеряется между коллектором и эмиттером. Обратите внимание, что ток, поступающий в коллектор, известный как коллектор ток, проходящий через этот резистор. Это означает, что разность потенциалов 𝑉 sub CC, подаваемая ячейкой, становится делится между резистором и транзистором. Поэтому значение разности потенциалов 𝑉 sub CE, измеренное на коллектор и эмиттер транзистора меньше значения 𝑉 кб СС.

Теперь другая часть информации, которую мы получили, — это значение 𝛽 sub e, которое представляет текущее усиление цепи. Напомним, что его значение можно найти, разделив ток коллектора на 𝐼 sub C по базовому току 𝐼 sub B.

Теперь этот вопрос просит нас решить для базового тока; это ток в наша схема. Итак, давайте изменим эту формулу, чтобы сделать 𝐼 sub B подлежащим. Умножая обе части на 𝐼 sub B над 𝛽 sub e и отменяя члены 𝛽 sub e на слева и 𝐼 sub B члены справа, мы имеем, что базовый ток 𝐼 sub B равен току коллектора 𝐼 sub C, деленному на коэффициент усиления по току 𝛽 sub e.

Итак, у нас есть выражение для величины, которую мы хотим, 𝐼 sub B. Но мы еще не знаем значение тока коллектора 𝐼 sub C в этом выражение. Это означает, что нам нужно найти способ выразить 𝐼 sub C в терминах значений, которые мы делаем знать.

Для начала мы знаем, что ток коллектора должен проходить через коллектор резистор, сопротивление которого, как мы знаем, определяется как 𝑅 sub C. Тогда по закону Ома мы знаем, что умножение 𝐼 sub C на 𝑅 sub C дает потенциал разница на этом резисторе. Обратите внимание, что мы можем связать это значение с другими известными значениями, которые нам дали применяя второй закон Кирхгофа к самой внешней петле этой цепи. Помните, что этот закон гласит, что сумма разности потенциалов на каждом составляющая в петле в цепи равна нулю.

Итак, начиная с этого источника разности потенциалов и обходя вне петли схемы, из второго закона Кирхгофа находим, что ноль равен 𝑉 sub CC минус 𝐼 sub C раз 𝑅 sub C минус 𝑉 sub CE. То есть разность потенциалов, обеспечиваемая клеткой, минус разность потенциалов на резисторе и минус разность потенциалов на транзисторе равна равен нулю.

Мы можем изменить это уравнение, чтобы получить выражение для тока коллектора 𝐼 sub C через величины 𝑉 sub CC, 𝑅 sub C и 𝑉 sub CE, значения которых мы знать. Для этого мы сначала добавим 𝐼 sub C раз 𝑅 sub C к обеим сторонам, отметив, что мы можем затем сократите равные положительные и отрицательные члены в правой части. Затем мы можем разделить обе части на 𝑅 sub C, что оставляет нам уравнение, которое говорит, что ток коллектора 𝐼 sub C равен 𝑉 sub CC минус 𝑉 sub CE, деленный на 𝑅 подпункт С.

Помните, однако, что мы действительно хотим найти базовый ток 𝐼 sub B. Мы уже нашли это выражение для 𝐼 sub B через 𝐼 sub C и 𝛽 sub e. Итак, теперь давайте освободим немного места, чтобы мы могли заменить это выражение, которое у нас есть для 𝐼 sub C.

Подставляя в наше выражение для тока коллектора 𝐼 sub C, получаем это выражение для базового тока 𝐼 sub B. Мы можем переписать это проще как 𝑉 sub CC минус 𝑉 sub CE над 𝑅 sub C раз 𝛽 суб е. Мы знаем значения всех величин в правой части этого выражение. Однако, прежде чем мы подставим эти значения, нам нужно преобразовать сопротивление 𝑅 sub C из килоомов в омы. Вспоминая, что один килоом равен 1000 Ом, мы видим, что три килоома должны быть равно 3000 Ом. Затем, подставляя наши значения, мы получаем вот это выражение. Введя это в калькулятор, мы получим результат 8,148 повторений, умноженных на 10. минус пять ампер.

Заметьте, однако, что нас просят дать ответ в миллиамперах до трех десятичные разряды. Напомним, что один ампер равен 1000 миллиампер. Таким образом, в миллиамперах 𝐼 sub B равно 8,148, умноженному на 10 с минус пятью. умножить на 1000 миллиампер. Переписав это как десятичное число и округлив до трех знаков после запятой, мы получим окончательный результат. ответ на вопрос, что ток базы равен 0,081 миллиампер.

транзисторов — Как рассчитать ток базы и коллектора в этой схеме?

Задавать вопрос

спросил 7 лет, 7 месяцев назад

Изменено 4 года, 11 месяцев назад

Просмотрено 24к раз

\$\начало группы\$

У меня есть следующая схема, использующая транзистор BJT NPN:

Как рассчитать ток, протекающий через базу и коллектор?

Я думал об использовании закона тока Кирхгофа:

\$I_1 = I_b + I_c\$, где \$ I_1 \$ — ток, выходящий из плюсовой клеммы.

Что дает нам \$ I_b = I_1 — I_c \$ и \$ I_c = I_1 — I_b \$

Однако затем мне нужно найти \$I_1\$ и либо \$I_b\$, либо \$I_c\$ для вычисления последней константы.

Если бы это была более простая схема, я бы добавил резисторы по формуле

\$ \frac{1}{R_t} = \frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2 }\$

, а затем рассматривать их как один резистор. Затем я мог бы использовать закон Ома, чтобы найти \$ I_1 \$. Однако светодиод и транзистор меня смущают. Этот метод все еще работает в этом случае? И если это произойдет, останется ли мне только 1 резистор? Буду ли я тогда игнорировать другие компоненты?

транзисторы
ток

\$\конечная группа\$