Транзистор 2n3904 параметры. Транзистор 2N3904: характеристики, применение и аналоги биполярного NPN-транзистора

Каковы основные параметры транзистора 2N3904. Для каких целей он используется. Какие есть аналоги 2N3904. Как правильно подключить транзистор 2N3904 в схему.

Основные характеристики транзистора 2N3904

2N3904 — это биполярный NPN-транзистор общего назначения, широко применяемый в электронике. Вот его ключевые параметры:

• Структура: NPN
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
• Максимальный ток коллектора: 200 мА
• Коэффициент усиления по току (h21E): 100-300
• Граничная частота: 300 МГц
• Максимальная рассеиваемая мощность: 625 мВт
• Корпус: TO-92

Эти характеристики делают 2N3904 универсальным транзистором для маломощных применений в схемах усиления и коммутации.

Области применения транзистора 2N3904

Благодаря своим параметрам, 2N3904 находит широкое применение в различных электронных устройствах:

• Усилители низкой частоты
• Импульсные схемы
• Ключевые каскады
• Драйверы светодиодов
• Схемы управления реле
• Преобразователи уровня
• Стабилизаторы напряжения

2N3904 часто используется в бытовой электронике, автомобильной электронике, измерительных приборах и промышленной автоматике.

Цоколевка и подключение транзистора 2N3904

Транзистор 2N3904 выпускается в корпусе TO-92 с тремя выводами. Цоколевка при виде на плоскую сторону корпуса слева направо:

1. Эмиттер (E)
2. База (B)
3. Коллектор (C)

При подключении транзистора в схему необходимо соблюдать следующие правила:

• Эмиттер подключается к общему проводу (земле)
• На базу подается управляющий сигнал через ограничительный резистор
• Коллектор соединяется с нагрузкой и положительным питанием
• Напряжение коллектор-эмиттер не должно превышать 40 В
• Ток коллектора не должен превышать 200 мА

Правильное подключение обеспечит надежную работу транзистора в схеме.

Аналоги транзистора 2N3904

2N3904 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов с близкими характеристиками:

• КТ3102 (отечественный аналог)
• BC547
• BC337
• 2N2222
• MMBT3904 (SMD-версия)
• BC817 (SMD-версия)

При замене на аналог следует внимательно сравнить основные параметры транзисторов, особенно максимальные напряжения и токи.

Схемы включения транзистора 2N3904

Транзистор 2N3904 может использоваться в трех основных схемах включения:

Схема с общим эмиттером (ОЭ)

Это наиболее распространенная схема, обеспечивающая усиление как по току, так и по напряжению. Входной сигнал подается на базу, выходной снимается с коллектора. Коэффициент усиления по напряжению может достигать 100 и более.

Схема с общей базой (ОБ)

В этой схеме входной сигнал подается на эмиттер, а выходной снимается с коллектора. База заземлена по переменному току. Схема ОБ обеспечивает хорошее усиление на высоких частотах.

Схема с общим коллектором (ОК)

Входной сигнал подается на базу, выходной снимается с эмиттера. Эта схема (эмиттерный повторитель) не усиливает напряжение, но обеспечивает хорошее согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой.

Особенности применения транзистора 2N3904

При использовании 2N3904 в схемах следует учитывать некоторые особенности:

• Необходимо обеспечить надежное охлаждение при работе на максимальных токах
• Рекомендуется использовать схему температурной стабилизации рабочей точки
• На высоких частотах может потребоваться нейтрализация паразитных обратных связей
• При работе в ключевом режиме следует учитывать остаточное напряжение коллектор-эмиттер

Соблюдение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора 2N3904 в различных схемах.

Расчет базового резистора для 2N3904

При использовании 2N3904 в ключевом режиме важно правильно рассчитать сопротивление базового резистора. Это можно сделать по следующей формуле:

R_б = (U_вх — U_бэ) / I_б

где:

• R_б — сопротивление базового резистора
• U_вх — входное напряжение
• U_бэ — напряжение база-эмиттер (обычно 0.7 В для кремниевых транзисторов)
• I_б — требуемый ток базы

Ток базы можно определить, зная требуемый ток коллектора и коэффициент усиления транзистора:

I_б = I_к / h_21E

Правильный выбор базового резистора обеспечит надежное открывание транзистора и защитит его от чрезмерного тока базы.

Применение 2N3904 в схемах стабилизации напряжения

Транзистор 2N3904 часто используется в простых схемах стабилизации напряжения. Рассмотрим базовую схему параметрического стабилизатора:

1. Входное нестабилизированное напряжение подается на коллектор через резистор
2. Эмиттер подключен к общему проводу через нагрузку
3. На базу подается опорное напряжение от стабилитрона

В этой схеме транзистор работает как эмиттерный повторитель, поддерживая на выходе напряжение, близкое к опорному. При изменении входного напряжения или тока нагрузки транзистор автоматически изменяет свое сопротивление, стабилизируя выходное напряжение.

Такая схема обеспечивает неплохую стабилизацию при небольших токах нагрузки до 100-150 мА.

Характеристики транзистора, datasheet и аналоги

По своим техническим характеристикам, транзистор 2N3904 подходит для использования в переключающих схемах и предварительных каскадов усилителей низкой частоты. Это кремниевое устройство n-p-n структуры, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Его отличительной особенностью является низкое напряжение насыщения на коллекторе и маленькая выходная ёмкость.

Цоколевка

Цоколевку 2N3904 будем рассматривать в корпусе ТО-92. Есть также аналоги в SOT-223 и SOT-23 (MMBT3904), который маркируется как «1А». Если транзистор расположить так, чтобы сторона с маркировкой была прямо перед вами, а ножки смотрели вниз, то ножки будут расположены так: слева коллектор, в середине база, а справа эмиттер. Внешний вид и геометрические размеры 2N3904 представлены на рисунке.

Технические характеристики

Теперь рассмотрим предельно допустимые параметры, так как они являются наиболее важными и именно на них нужно смотреть при поиске замены и конструировании новых устройств. Работа транзистора при значениях выше максимальных приведёт к выходу устройства из строя. Тестирование проводилось при температуре +25°С.

Для 2N3904 эти характеристики равны:

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = 60 В;
• напряжение К – Э U_{кэ max} (V_CЕO) = 40 В;
• напряжение Э – Б U_{эб max} (V_ЕBO) = 6 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 200 мА;
• мощность P
  к max (P_D) = 0,625 Вт;
• температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
• предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими идут электрические значения, они важны для понимания функциональных возможностей устройства. Измеряются при стандартной комнатной температуре +25°С. Остальные значения приведены в отдельной колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N3904 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозначения	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К – Б	Uкб(проб.) (BVCBO)	IК=-10 мA, I Э=0	60		В
Напряжение пробоя К –Э	Uкэ(проб.) (BVCЕO)	IК=-1 мA, IБ=0	40		В
Напряжение пробоя Э – Б	Uэб(проб.) (BVЕBO)	IЭ=-10 мкA, IК=0	6		В
Обратный ток К-Э	Iкэо (ICEX)	Uкэ= 30 В, IЭб=3 В		50	нА
Статический к-т передачи тока	h21э	IК=-10 мA, Uкэ=-1 В	100	300
Напряжение насыщения К — Э	Uкэ(нас.) (VCE(sat))	IК = 50 мA, IБ = 5 мA		0,3	В
Граничная частота к-та передачи тока	fгр	Uкэ = 20 B,IК = 10мA f= 100 МГц	300		МГц
Ёмкость коллекторного перехода	Cк (Cob)	Uкб = 5 В, IЭ = 0, f=1мГц		4	пФ
Время задержки	tзд (td)	VCC=3Vdc, VBE(off)=0,5Vdc. IC=10 mAdc, IB1= 1 mAdc		35	нс
Время нарастания	tнр (tr)			35	нс
Время рассасывания	tрас (ts)	VCC=3Vdc,IC=10mAdc, IB1=IB2=1mAdc		200	нс
Время спада	tсп (tf)			50	нс

Аналоги

Заменить 2N3904 можно на следующие аналоги:

• 2N4124;
• 2N4401;
• 9013;
• BC237;
• MPSA20;
• MPSA06.

При необходимости можно заменить данное устройство на 2N3903, но при этом нужно понимать, какие параметры важны в данном случае и изучить технические параметры обеих транзисторов. Имеются также российские аналоги:

• КТ3117Б;
• КТ375А;
• КТ375Б;
• КТ6137А.

Комплементарная пара для рассматриваемого устройства – 2N3906.

Производители и Datasheet

Ниже производителей производителей и их dataheet на 2N390:

• Unisonic Technologies;
• KEC(Korea Electronics);
• Micro Commercial Components;
• First Silicon;
• Seme LAB;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• AUK corp;
• NXP Semiconductors;
• STMicroelectronics;
• Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах продаются транзисторы следующих компаний:

• ON Semiconductor;
• Fairchild Semiconductor;
• Dc Components;
• Central Semiconductor;
• Diotec Semiconductor.

характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

2N3904 — кремниевый NPN планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения или для переключающих схем. Конструктивное исполнение ТО-92.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Характерные особенности
3. Предельные эксплуатационные характеристики
4. Типовые термические характеристики
5. Электрические характеристики
6. Модификации транзистора 2N3904
7. Аналоги
8. Графические иллюстрации характеристик
9. Диаграммы

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

• Низкие токи утечки: ICEX = 50 нА, IBL = 50 нА при UCE = 30 В, UEB = 3 В.
• Высокая линейность коэффициента усиления по току.
• Низкие напряжения насыщения: UCE(sat) = 0,3 В при IC = 50 мА, IB = 5 мА.
• Низкое значение выходной емкости: Cob = 4 pF при UCB = 5 В.
• Комплементарная пара — транзистор 2N3906.

Предельные эксплуатационные характеристики

При температуре окружающей среды 25°C.

Характеристика		Обознач.	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		VCEO	60
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		VEBO	6
Ток коллектора, А		IC	0,2
Рассеиваемая мощность, Вт	При температуре окружающей среды Ta = 25°C	PC	0,625
	При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C		1,5
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-55…+150

Типовые термические характеристики

Характеристика	Обознач.	Величина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	200
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	83,3

Электрические характеристики

Значения в таблице действительныпри температуре внешней среды T_a = 25°C.

Характеристика		Обознач.	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики включенного / выключенного состояния ٭
Ток коллектора выключения, нА		ICEX	VCE = 30 В, VEB = 3 В	≤ 50
Ток базы выключения, нА		IBL	VCE = 30 В, VEB = 3 В	≤ 50
Напряжение пробоя коллектор – база, В		V(BR)CBO	IC = 10мкА, IE = 0	≥ 60
Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В		V(BR)CEO	IC = 1,0мА, IB = 0	≥ 40
Напряжение пробоя эмиттер – база, В		V(BR)EBO	IE = 10мкА, IC = 0	≥ 6
Статический коэффициент усиления по току		hFE(1)	VCE = 1 В, IC = 0,1 мА	≥ 40
		hFE(2)	VCE = 1 В, IC = 1 мА	≥ 70
		hFE(3)	VCE = 1 В, IC = 10 мА	100…300
		hFE(4)	VCE = 1 В, IC = 50 мА	≥ 60
		hFE(5)	VCE = 1 В, IC = 100 мА	≥ 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В		VCE(sat)1	IC = 10 мА, IB = 1 мА	≤ 0,2
		VCE(sat)2	IC = 50 мА, IB = 5 мА	≤ 0,3
Напряжение насыщения база-эмиттер, В		VBE(sat)1	IC = 10 мА, IB = 1 мА	≤ 0,85
		VBE(sat)2	IC = 50 мА, IB = 5 мА	≤ 0,95
Характеристики в режиме малого сигнала
Частота среза, МГц		fT	VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц	≥ 300
Выходная емкость коллектора, pF		Cob	VCB = 5 В, IE = 0, f = 1 МГц	≤ 4,0
Входная емкость, pF		Cib	VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1 МГц	≤ 8,0
Входной импеданс, кОм		hie	VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц	От 1,0 до10
Коэффициент обратной связи по напряжению, × 10-4		hre		От 0,5 до 8
Коэффициент усиления при малом сигнале		hfe		От 100 до 400
Выходная проводимость, мкСм		hoe		От 1 до 40
Коэффициент шума транзистора, dB		NF	VCE = 5В, ICE = 0,1мА, RS = 1кОм, f = 1,0 кГц	≤ 5,0
Характеристики режима переключений
Времена режима переключения	Время задержки, нс	td	UCC = 3,0 В, UBE = 0,5 В, IC = 10 мА, IB1 = 1,0 мА	≤ 35
	Время нарастания, нс	tr		≤ 35
	Время рассасывания, нс	tstg (ts)	UCC = 3,0 В, IC = 10 мА, IB1 = IB2 = 1,0 мА	≤ 200
	Время спада, нс	tf		≤ 50

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2 %.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (f_T, С_obo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Заметная разница возникает лишь в случаях, когда производитель применяет другие конструкции корпусов, отличные от ТО-92. Изменение теплового сопротивления на участках контакта п/п структуры с корпусом и корпуса с внешней средой приводит к заметным изменениям предельной допустимой мощности рассеивания при сохранении допустимой температуры нагрева. Данные, полученные по материалам сайта alltransistors.com приведены в таблице модификаций транзисторов 2N3904.

Модель	Тип корпуса	PC	Другие параметры	Производитель
2N3904	TO-92	0,625	Tj = от -55°C до +150°C	Motorola
2N3904 S	SOT-23	0,35	Tj = от -55°C до +150°C	KEC (Korea Electronics)
2N3904 E	ESM	0,1
2N3904 U	USM
2N3904 V	VSM
2N3904 S	SOT-23	0,225		FS (First Silicon)
2N3904 U	SOT-323	0,15
2N3904 N	TO-92N	0,4		AUK Semiconductor
MMBT 3904	SOT-23	0,35		Fairchild Semiconductor
PZT 3904	SOT-223	1
2N3904 – T18	TO-18	0,31	Tj = от -63°C до +200°C	SEME LAB

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	hFE	Корпус
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	От 30 до 300	ТО-92
КТ375 А/Б	0,2	≥ 250	60/30	5	0,1	100/280	То-92
КТ3117 А/Б	0,5	≥ 200	60/75	4	0,4	300	То-92 и КТ1-7
КТ6137 А	0,625	300	60	6	0,2	300	ТО-92
КТ3102 А/Б	0,25	≥ 150	50	5	0,1	200/500
КТ660 А/Б	0,5	≥ 200	50/30	5	0,8	450

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	Tj	hFE
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	150	300
2SC2474	0,6	٭	60	6	0,2	150	150
2SC2475	0,6		60	6	0,6		200
2SC2477	0,6		60	6	0,6		150
2SC6136	0,5		600	8	0,7		100
2SD1388	0,7	200	60	6	1		250
2SD1490	0,75	80	70	6	1		4000
2SD1642	0,7		100	6	2		40
2SD1698	0,75		100	8	0,8		10000
2SD1701	0,75		1700	8	0,8		10000
2SD1853	0,7		80	6	1,5		2000
3DG3904	0,625	300	60	6	0,2		100
BTN3904A3	0,625	300	60	6	0,2		100
C266	0,825		60	10	2	175	45
ECG123AP	0,5	300	75	6	0,8		200
ECG2341	0,8	300	80		1	150	2000
h3N3904	0,625	300	60	6	0,2		100
HEPS0015	0,31	300	60		0,6	135	200
HEPS0025	0,35	300	60		0,6	150	100
HSE424	0,31	400	60				80
KN3903	0,625	300	60	6	0,2		50
KN3904	0,625	300	60	6	0,2		100
KN4401	0,35	250	60	6	0,6		100
KSC1072	0,8		60	8	0,7		40
KSP8097	0,625		60	6	0,2		250
KTC3245	0,625		400	6	0,3		50
NTE46	0,625		100	12	0,5		10000
P2N2222A	0,625	300	75	6	0,6		100

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Нормализованная зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных значениях температуры коллекторного p-n перехода T_j.

Рис. 2. Области насыщения транзистора. Зависимость изменения напряжения коллектор-эмиттер U_CE от управляющего тока базы I_B [мА] при различных коллекторных нагрузках I_C.

Рис. 3. Изменение напряжений насыщения база-эмиттер U_BE(sat)и коллектор-эмиттер U_CE(sat) в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Зависимость коэффициентов температурных изменений напряжений насыщения U_BE(sat) и U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 5. h-параметр «Коэффициент усиления по току» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 6. h-параметр «Входной импеданс» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 7. h-параметр «Обратная связь по напряжению коллектора» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 8. h-параметр «Выходная проводимость» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 9. Зависимость входной емкости C_ibo и выходной емкости C_obo от величин обратного смещения p-n переходов транзистора U_R.

Рис. 10. Зависимости коэффициента шума NF транзистора от частоты работы f при различных значениях коллекторного тока I_C. Кривые сняты для значений сопротивления источника сигнала (source resistance) 200 Ом, 500 Ом и 1,0 кОм.

Рис. 11. Зависимость коэффициента шума NF транзистора от сопротивления источника сигнала R_S при различных значениях коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 12. Зависимости времени задержки t_d и времени нарастания t_r от коллекторной нагрузки I_C при различных напряжениях питания U_CC и соотношении токов коллектора и базы как 10:1.

 

Рис. 13. Зависимость времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C при разных температурах:

сплошная линия – T_j = 25°C;

прерывистая линия — T_j = 125°C.

Рис. 14. Зависимость времени рассасывания t_s неосновных носителей зарядов в p-n структуре от величины коллекторного тока I_C.   

Сплошные линии — T_j = 25°C.

Прерывистые линии — T_j = 125°C.

Рис. 15. Зависимости времени спада t_f импульса от коллекторной нагрузки I_C при разных отношениях тока коллектора I_C к току управления (базы) I_B.

Сплошные линии — T_j = 25°C.

Прерывистые линии — T_j = 125°C.

Диаграммы

Рис. 16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (t_d) и времени нарастания (t_r). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (t_s) заряда коллекторного перехода и времени спадания (t_f). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

C_S – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

2N3904 Transistor Pinout, эквивалент, характеристики и техническое описание

23 ноября 2017 — 0 комментариев

2N3904 Транзистор
Транзистор NPN 2N3904 Распиновка

2N3904 Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Утечка тока через эмиттер
2	Базовый	Управляет смещением транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор

 

Характеристики

• Биполярный транзистор NPN
• Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
• Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 6 В
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
• Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В
• Доступен в пакете To-92

 

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании 2N3904 , приведенном в конце этой страницы.

 

2N3904 Эквивалентные транзисторы NPN:

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92, 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N305 5, 2N3906, 2SC5200

 

Краткое описание 2N3904:

2N3904 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и закрываются (смещены в прямом направлении), когда поступает сигнал. предоставляется к базовому штифту. 2N3904 имеет коэффициент усиления 300; это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 40 В и 60 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 600 мВ.

 

2N3904 в качестве переключателя:

Когда транзистор используется в качестве переключателя , он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как открытый ключ во время прямого смещения и как закрытый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

RB = VBE / IB 

Где значение VBE должно быть 5 В для 2N3904 и тока базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

 

2N3904 в качестве усилителя:

Транзисторы A действуют как усилитель при работе в активной области . Они могут усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях

Некоторые конфигурации, используемые в схемах усилителя:

1. Усилитель с общим эмиттером
2. Усилитель с общим коллектором
3. Усилитель с общей базой

 

Из вышеперечисленных типов конфигурация с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам

.
Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / ток базы (IB) 

 

Приложения:

• Модули драйверов, такие как драйвер реле, драйвер светодиодов и т. д.
• Усилительные модули, такие как аудиоусилители, усилители сигналов и т. д.
• VCB и VBE имеют высокое значение, поэтому их можно использовать для управления нагрузками до 40 В
• Обычно используется в телевизорах и других бытовых приборах

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных транзистора 2N3904 будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.

Теги

Транзистор NPN

Силовая электроника

Транзистор

Техническое описание транзистора

2N3904, аналог и схема выводов

Транзистор 2N3904

Эта статья познакомит вас с распиновкой, моделью, введением, функциями, техническими характеристиками, применением, эквивалентом и размерами транзистора 2N3904. Мы также предоставляем вам 2N3904 Даташит в формате pdf.

2N3904 Модель

2N3904 ВВЕДЕНИЕ

Транзистор 2N3904-это биполярная негативно-положительная транзистора (NPN) транзистора, как правило, подходит для негативных заземления. Его можно использовать для аудиосигналов и среднескоростных коммутационных приложений. Этот небольшой транзистор является аналогом транзистора 2N3906, положительно-отрицательно-положительного (PNP) транзистора. Больший ток коллектора можно получить, подав небольшой ток базы в 2N39.04 транзистор.

Транзистор 2N3904 имеет три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Эмиттер и коллектор являются основными выводами транзистора 2N3904. В зависимости от конфигурации схемы к эмиттеру или коллектору может быть подключена нагрузка или эквивалентная нагрузка.

Различные параметры транзистора 2N3904 называются β или коэффициентом усиления по току, который представляет собой отношение тока коллектора к току базы. Для коэффициента усиления по току, равного 100, изменение тока базы на 0,001 А (а) приводит к изменению тока на коллекторе на 0,1 А.

Это иллюстрирует, как транзистор 2N3904 является усилителем. Небольшое изменение тока базы приводит к стократному изменению тока коллектора, что может быть преобразовано в изменения напряжения или мощности.

Смещение — это ток холостого хода на клеммах транзистора.

Обычно для транзистора 2N3904 требуется положительное смещение от базы к эмиттеру, что означает положительный потенциал на подложке для эмиттера. Следует отметить, что подложка представляет собой материал положительного (P) типа, а эмиттер — материал отрицательного (N) типа. Величина положительного смещения должна контролироваться для конкретного приложения. Слишком большое положительное смещение обычно приводит к слишком большому току коллектора, что обычно приводит к насыщению.

Следовательно, когда базовый контакт заземлен, коллектор и эмиттер остаются открытыми (обратное смещение) и закрываются (прямое смещение), когда на базовый контакт подается сигнал.

Коэффициент усиления 2N3904 равен 300; Это значение определяет способность транзистора к усилению. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем использовать этот транзистор для подключения нагрузки, потребляющей более 200 мА. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, который должен быть ограничен 5 мА.

Когда 2N3904 полностью смещен, он пропускает максимальный ток 200 мА через коллектор и эмиттер. Эта фаза называется зоной насыщения, и типичные напряжения, допустимые для коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), составляют 40 В и 60 В соответственно. при снятии базового тока транзистор полностью отключается, и эта фаза называется зоной отсечки.

2N3904 Схема контактов транзистора

Конфигурация контактов

Номер	Наименование	Описание
1	Эмиттер	Отвод тока через эмиттер
2	Основание	Элементы управления смещение транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор

2N3904 Особенности транзистора

• Низкий ток, низкое напряжение.

• Биполярный отрицательно-положительный-отрицательный (NPN) транзистор

• Коэффициент усиления по постоянному току (hFE): от 100 до 300

• Непрерывный ток коллектора (IC) 200 мА.

• Напряжение база-эмиттер (VBE) составляет 6 В.

• Ток коллектора: 0,2 А.

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В.

• Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В.

• Упаковка(THT): TO-92

2N3904 Технические характеристики

9 0025 2N3904 Применение

• Обычно используется в бытовой технике, такой как телевизоры

• Может быть используется для управления нагрузками до 40 В

• Может использоваться для аудиосигналов и среднескоростного переключения

• Модули драйверов, такие как драйверы реле, драйверы светодиодов и т.