Транзистор irfz44n характеристики. Транзистор IRFZ44N: Характеристики, Применение и Аналоги

Каковы основные параметры транзистора IRFZ44N. Где используется IRFZ44N. Какие есть аналоги IRFZ44N. Как правильно подключить IRFZ44N в схему.

Основные характеристики транзистора IRFZ44N

IRFZ44N — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, широко применяемый в различных электронных устройствах. Рассмотрим его ключевые параметры:

• Структура: N-канальный MOSFET с изолированным затвором
• Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
• Максимальный постоянный ток стока: 49 А (при 25°C)
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 17.5 мОм
• Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт
• Пороговое напряжение затвор-исток: 2-4 В
• Входная емкость: 1470 пФ
• Время включения: 60 нс
• Время выключения: 47 нс
• Корпус: TO-220

Эти характеристики делают IRFZ44N отличным выбором для применений, требующих высокой мощности и низкого сопротивления канала.

Области применения транзистора IRFZ44N

Благодаря своим характеристикам, IRFZ44N находит широкое применение в различных электронных устройствах и системах:

1. Источники питания с высоким КПД
2. Системы управления электродвигателями
3. Преобразователи напряжения
4. Автомобильная электроника
5. Зарядные устройства для аккумуляторов
6. Звуковые усилители мощности
7. Светодиодные драйверы большой мощности

Высокая скорость переключения и низкое сопротивление канала делают IRFZ44N идеальным выбором для высокочастотных и высокоэффективных схем.

Аналоги транзистора IRFZ44N

При необходимости замены IRFZ44N можно рассмотреть следующие аналоги:

• IRFZ44 — более старая версия с немного худшими характеристиками
• IRFZ44E — улучшенная версия с меньшим сопротивлением канала
• IRFZ46N — имеет схожие характеристики, но с меньшим током стока
• IRFZ48N — обладает большим током стока и меньшим сопротивлением канала
• BUZ11 — близкий аналог по основным параметрам
• STP55NF06 — транзистор от STMicroelectronics с похожими характеристиками

При выборе аналога важно сравнивать все ключевые параметры, включая максимальное напряжение, ток, сопротивление канала и скорость переключения.

Правильное подключение IRFZ44N в схему

Для корректной работы IRFZ44N в схеме необходимо соблюдать следующие правила:

1. Правильно определить выводы транзистора: затвор (G), сток (D) и исток (S)
2. Подключить нагрузку между стоком и положительным полюсом питания
3. Соединить исток с общим проводом (землей) схемы
4. Подать управляющий сигнал на затвор через резистор 100-1000 Ом
5. При необходимости использовать защитный диод между стоком и истоком
6. Обеспечить достаточное охлаждение транзистора при работе с большими токами

Соблюдение этих правил поможет обеспечить надежную работу транзистора и предотвратить его повреждение.

Особенности использования IRFZ44N в силовых схемах

При использовании IRFZ44N в силовых применениях следует учитывать несколько важных моментов:

• Тепловой режим: при работе с большими токами необходимо обеспечить эффективный отвод тепла, используя радиатор и теплопроводящую пасту
• Защита от перенапряжений: рекомендуется использовать супрессоры или TVS-диоды для защиты затвора от случайных выбросов напряжения
• Снабберные цепи: для уменьшения коммутационных помех и защиты от перенапряжений при переключении индуктивной нагрузки
• Параллельное включение: при необходимости работы с очень большими токами возможно параллельное включение нескольких IRFZ44N

Учет этих особенностей позволит создать надежную и эффективную схему на базе IRFZ44N.

Измерение параметров и диагностика IRFZ44N

Для проверки исправности и измерения параметров IRFZ44N можно использовать следующие методы:

1. Проверка сопротивления между выводами мультиметром в режиме прозвонки
2. Измерение порогового напряжения затвора
3. Определение тока утечки стока при закрытом состоянии
4. Измерение сопротивления канала в открытом состоянии
5. Проверка времени переключения с помощью осциллографа

Эти измерения помогут определить исправность транзистора и соответствие его параметров заявленным в документации.

Советы по выбору IRFZ44N для конкретного применения

При выборе IRFZ44N для своего проекта обратите внимание на следующие аспекты:

• Убедитесь, что максимальное напряжение сток-исток соответствует вашим требованиям
• Проверьте, достаточен ли максимальный ток стока для вашего применения
• Оцените, подходит ли сопротивление канала в открытом состоянии для минимизации потерь в вашей схеме
• Рассмотрите скорость переключения транзистора, если ваше применение требует работы на высоких частотах
• Учтите тепловые характеристики и возможности отвода тепла в вашем устройстве

Правильный выбор транзистора с учетом этих факторов обеспечит оптимальную работу вашего устройства.

распиновка, схемы, аналоги и как подключить

Полевой МОП-транзистор irfz44n — мощное устройство с кремниевой основой. Он имеет индуцированный нормально закрытый канал, изолированный с помощью затвора. Устройство было специально создано для включения в высокоскоростные низковольтные системы коммутации, источники питания, преобразователи, схемы управления двигателями.

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Читайте в отдельной статье про полевой транзистор.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

1. Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
2. Наибольший ток стока — 49 Ампер.
3. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
4. Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

1. Металл.
2. Диэлектрик.
3. Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

• встроенный;
• индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Распиновка irfz44n

Больше всего rfz44n распространен в корпусе ТО220 из пластика с отверстием для винта, который входит в дискретные полевые транзисторы с высокой мощностью. Вид цоколевки irfz44n с «фасада» таков:

1. С левой стороны — затвор.
2. С правой — исток.
3. Центральный канал — это сток, который электрически соединен с вмонтированным в корпус радиатором.

Под брендом IR выпускаются варианты с корпусами D2PAK и ТО-262, с таким же назначением выводов, как у ТО-220.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Аналоги

Стопроцентной замены irfz44n нет, но есть несколько транзисторов, схожих с ними в описании и параметрах. Среди них:

• IRFZ44E.
• IRFZ46N.
• IRFZ45.
• IRFZ40.
• BUZ102.
• IRLZ44Z.
• STP45NF06.
• HUF75329P3.
• IRF3205.

Среди российских аналогов — КП723 и КП812А1. Они работают при чуть меньшей температуре, ниже 150 градусов.

Изготовители

Можно найти русскоязычный перевод DataSheet irfz44n, но более точная информация дана в англоязычной версии изготовителя. Основными производителями радиоэлектронных элементов являются:

1. Infineon Technologies (брэнд International Rectifier).
2. Philips Semiconductors.
3. INCHANGE Semiconductor.
4. Leshan Radio Company.

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.

Схемы включения

Полевики подключаются 3 основными способами, где есть общий:

1. Сток — ОС.
2. Исток — ОИ.
3. Затвор — ОЗ.

Практика показывает, что усилительные каскады обычно включают вторую схему, по аналогии с биполярными транзисторами. ОИ серьезно усиливает мощность, но каскад с такой схемой имеет низкие частоты. Причина этому — существенная входная емкость затвора-истока.

Проверка полевого транзистора с помощью транзистометра

Это недорогое и довольно примитивное китайское устройство есть почти у всех, кто разбирается в электронике. Проверка с его помощью очень проста.

Вставьте проверяемое устройство в «кроватку» и нажмите объемную кнопку зеленого цвета. Прибор тут же выдаст результат, что перед вами n-канальный полевик типа МОП. Он же установит, как расположены выводы устройства, какова емкость затвора, каково максимальное напряжение при открытии. Иными словами, транзистометр — это просто чудо-прибор.

Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов

Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин.

Недопустимые значения электростатики для irfz44n — это 50-100 В. При управляющем p-n переходе — это 250 В. Работая с таким транзистором, необходимо заземлиться с помощью антистатического браслета, либо взять руками открытую батарею до прикосновения к устройству.

В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.

Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Где приобрести irfz44n

Транзистор irfz44n купить можно в любом магазине радиоэлектронике, либо с доставкой из интернет-магазина АлиЭкспресс по ссылке.

Транзистор IRFZ44N: характеристики, datasheet, аналоги, распиновка

Как пишут производители в технических характеристиках на IRFZ44N, этот МОП-транзистор построен на кремниевой основе и имеет индуцированный n-канал и изолированный затвор. Его рекомендуется использовать в низковольтных блоках питания, стабилизаторах и схемах управления электрическими двигателями. Отличается низкой скоростью переключения.

Цоколевка

IRFZ44N изготавливается в корпусе ТО-220. Данный корпус является стандартным для транзисторов мощностью до 50 Вт. Самая левая ножка является затвором, посередине расположен сток, а справа исток. Увидеть расположение ножек можно на рисунке.

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

• длительный ток стока
• при температуре +25°С Ic max = 49 А;
• при температуре +100°С Ic max = 35 А.
• кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
• мощность Рс max = 94 Вт;
• линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
• напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
• лавинный ток Iл = 25 А;
• пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
• температура кристалла Тj = 175°С;
• рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
• температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
• тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

Электрические (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	Тип.	max	Ед. изм
Напряжение пробоя С — И	Ic = 250мкА, Uзи = 0	Uси(проб.)	55			В
Температурный к-т напряжения пробоя	Δ Uси(проб.) /ΔTj	Ic=1мА		0,058		В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистора	Ic = 25А, Uзи = 10В	Rси(вкл)			17,5	мОм
Пороговое напряжение затвора	Ic = 250мкА, Uси= Uзи	Uзи(пор. )	2		4	В
Проводимость в прямом направлении	Ic = 25А, Uси = 25В	Gпр.	19			S
Ток утечки сток-исток	Uси = 55В	Ic ут.			25	мкА
	Uси = 55В, TJ = 150°C				250	нА
Ток утечки затвор-исток	Uзи=20В	Iз ут.			100	нА
Ток утечки затвор-исток обратный	Uзи=-20В	Iз ут.			-100	нА
Заряд затвора	Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В				63	нКл
Заряд затвор-исток					14	нКл
Заряд затвор-сток					23	нКл
Время задержки выключения	Uс=28В, Ic=25А,   Rз=12ом, Uзи=10В			12		нс
Время нарастания				60		нс
Время задержки выключения				44		нс
Время спада				47		нс
Индуктивность cтока		Lc		4,5		нГн
Индуктивность иcтока		Lи		7,5		нГн
Ёмкость входа	Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц	Свх.		1470		пФ
Ёмкость выхода		Свых.		360
Обратная ёмкость		Сос		88
Энергия лавины моноимпульса	I AS =25А, L=0.47мГн	E AS		530	150	мДж
Исток-сток:
Непрерывный ток истока (диод)		Iи			49	А
Импульсный ток истока (диод)		Iи им			160	А
Прямое напряжение диода	IC = 25 A, Uзи = 0 В, TJ = 25°C	Uид			1,3	В
Время восстановления при переключении в обратном направлении	Iд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мкс	tвост.			95	нс
Заряд обратного восстановления		Qобр.вост.		170	260	нКл

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Производители

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

• International Rectifier;
• Inchange Semiconductor Company;
• NXP Semiconductors;
• Kersemi Electronic;
• First Components International;
• Suntac Electronic;
• Thinki Semiconductor;
• TRANSYS Electronics;
• Tiger Electronic.

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
2SK1542	N	MOSFET	125	60	20		45	150		20	1500	0. 02	TO220AB
2SK3270-01	N	MOSFET	135	60	30		80	150				0.0065	TO220AB
2SK3435	N	MOSFET	84	60	20		80	150	60	1200	520	0.014	TO220AB
AM90N06-15P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	49	10	290	0.0105	TO220AB
AM90N06-16P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	21	17	184	0.0165	TO220AB
AM90N08-08P	N	MOSFET	300	80	20	1	90	175	58	45	449	0.011	TO220AB
AM90N10-14P	N	MOSFET	300	100	20	1	90	175	60	49	392	0. 016	TO220AB
AM90N10-23P	N	MOSFET	300	100	20	1	110	175	30	9		0.023	TO220AB
AUIRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20		84		58			0.0085	TO220AB
AUIRF1018E	N	MOSFET	110	60	20	4	79	175	46			0.0084	TO220AB
AUIRFB3607	N	MOSFET	140	75			80		56			0.009	TO220AB
AUIRFZ48N	N	MOSFET	94	55	20	4	64	175	42			0.014	TO220AB
AUIRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0. 011	TO220AB
AUIRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
BUK7506-55A	N	MOSFET	300	55	20	4	75	175				0.0063	TO220AB
BUK7507-55B	N	MOSFET	203	55	20	4	75	175	53			0.0071	TO220AB
BUK7509-55A	N	MOSFET	211	55	20	4	75	175	62			0.009	TO220AB
BUK7509-75A	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175				0.009	TO220AB
BUK7511-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	75	175				0. 011	TO220AB
BUK7511-55B	N	MOSFET	157	55	20	4	75	175	37			0.011	TO220AB
BUK7513-75B	N	MOSFET	157	75			75		40			0.013	TO220AB
BUK7514-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	73	175				0.014	TO220AB
BUK7515-100A	N	MOSFET	300	100	20	4	75	175				0.015	TO220AB
BUK7516-55A	N	MOSFET	138	55	20	4	65.7	175				0.016	TO220AB
BUK7520-100A	N	MOSFET	200	100	20	4	63	175				0. 02	TO220AB
BUK7520-55A	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175				0.02	TO220AB
BUK7523-75A	N	MOSFET	138	75	20	4	53	175				0.023	TO220AB
BUK9506-55B	N	MOSFET	258	55	15	2	75	175	60			0.0054	TO220AB
BUK9508-55B	N	MOSFET	203	55	15	2	75	175	45			0.007	TO220AB
BUK9509-75A	N	MOSFET	230	75	10	2	75	175				0.0085	TO220AB
BUK9511-55A	N	MOSFET	166	55	10	2	75	175				0. 01	TO220AB
BUK9512-55B	N	MOSFET	157	55	15	2	75	175	31			0.01	TO220AB
BUK9514-55A	N	MOSFET	149	55	10	2	73	175				0.013	TO220AB
BUK9515-100A	N	MOSFET	230	100	10	2	75	175				0.0144	TO220AB
BUK9516-55A	N	MOSFET	138	55	10	2	66	175				0.015	TO220AB
BUK9516-75B	N	MOSFET	157	75	15	2	67	175	35			0.014	TO220AB
BUK9518-55A	N	MOSFET	136	55	15	2	61	175				0. 016	TO220AB
BUK9520-100A	N	MOSFET	200	100	10	2	63	175				0.019	TO220AB
BUK9520-100B	N	MOSFET	203	100	15	2	63	175	53.4			0.0185	TO220AB
BUK9520-55A	N	MOSFET	118	55	10	2	54	175				0.018	TO220AB
BUK9523-75A	N	MOSFET	138	75	10	2	53	175				0.022	TO220AB
BUK9524-55A	N	MOSFET	105	55	10	2	46	175				0.0217	TO220AB
CS3205_A8	N	MOSFET	230	60	20		120	175		82	750	0. 008	TO220AB
CS3205_B8	N	MOSFET	230	55	20		110	175		51	903	0.0085	TO220AB
CS3710_B8	N	MOSFET	200	100	20		57	175		30	620	0.023	TO220AB
CS4145	N	MOSFET	200	60	20		84	175		75	375	0.01	TO220AB
CS75N75_B8H	N	MOSFET	230	75	20		100	175		57	720	0.0115	TO220AB
CSZ44V-1	N	MOSFET	150	60	20		55	175		27	280	0.01	TO220AB
FDP10AN06A0	N	MOSFET	135	60	20	4	75	175		128	340	0. 0105	TO220AB
FDP13AN06A0	N	MOSFET	115	60	20	4	62	175		96	260	0.0135	TO220AB
FDP14AN06LA0	N	MOSFET	125	60	20	3	67	175		169	270	0.0116	TO220AB
FDP20AN06A0	N	MOSFET	90	60	20	4	45	175		98	185	0.02	TO220AB
FDP5500	N	MOSFET	375	55	20	4	80	175		34	1310	0.007	TO220AB
HUF76432P3	N	MOSFET	130	60	16	3	56	175	53			0.021	TO220AB
HUF76437P3	N	MOSFET	155	60	16		64	175				0. 017	TO220AB
HY110N06T	N	MOSFET	125	55	20	3	110	175		12.июн	385	0.0055	TO220AB
HY75N075T	N	MOSFET	83.3	75	20	4	75	175		19.фев	650	0.009	TO220AB
HY80N075T	N	MOSFET	125	75	20	4	80	175		18.фев	420	0.008	TO220AB
HY80N07T	N	MOSFET	96.7	65	20	4	80	175		22.июн	660	0.0072	TO220AB
IRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20	4	84	175	58			0.0085	TO220AB
IRF1018E	N	MOSFET	110	60	20		79		46			0. 0084	TO220AB
IRF4410A	N	MOSFET	230	100	20	4	97	175		52	430	0.009	TO220AB
IRFB3607	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607G	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607GPBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB3607PBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB4510PBF	N	MOSFET	140	100	20	4	62	175	58	32	220	0. 0135	TO220AB
IRFB7545	N	MOSFET	125	60	20	03.июл	95	175		72	370	0.0059	TO220AB
IRFB7546	N	MOSFET	99	60	20	03.июл	75	175		51	280	0.0073	TO220AB
IRFB7740	N	MOSFET	143	75	20	03.июл	87	175		60	370	0.0073	TO220AB
IRFB7746	N	MOSFET	99	75	20	03.июл	59	175		36	255	0.0106	TO220AB
IRFB7787	N	MOSFET	125	75	20	03.июл	76	175		48	330	0.0084	TO220AB
IRFZ44E	N	MOSFET	110	60	10	4	48	150	40			0. 023	TO220AB
IRFZ44N	N	MOSFET	83	55	10	4	41	150	62			0.024	TO220AB
IRFZ44V	N	MOSFET	115	60	20		55		44.7			0.0165	TO220AB
IRFZ44VZ	N	MOSFET	92	60	20	4	57	175	43			0.012	TO220AB
IRFZ46N	N	MOSFET	88	55	10		46	150	48			0.02	TO220AB
IRFZ48N	N	MOSFET	94	55	10		53	150	54			0.016	TO220AB
IRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0. 011	TO220AB
IRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
IRL3705ZPBF	N	MOSFET	130	55	16	3	75	175		240	420	0.008	TO220AB
IRLZ44N	N	MOSFET	83	55			41	150	32			0.022	TO220AB
IRLZ44NPBF	N	MOSFET	110	55	16	2	47	175		84	400	0.022	TO220AB
KF50N06P	N	MOSFET	96	60	20		50	150		100	405	0.0142	TO220AB
KF60N06P	N	MOSFET	113	60	20		60	150		75	490	0. 0115	TO220AB
KF70N06P	N	MOSFET	125	60	20		70	150		110	543	0.01	TO220AB
KF80N08P	N	MOSFET	230	75	20		80	175		228	840	0.0085	TO220AB
KMB050N60P	N	MOSFET	120	60	20		50	175		100	460	0.018	TO220AB
KMB050N60PA	N	MOSFET	120	60	25		50	175		100	70	0.016	TO220AB
KMB060N60PA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220AB
KMB080N75PA	N	MOSFET	300	75	25		80	175		25	730	0. 01	TO220AB
KU034N08P	N	MOSFET	192	75	20		170	150		250	1150	0.003	TO220AB
KU045N10P	N	MOSFET	192	100	20		150	150		240	1000	0.0039	TO220AB
MTE010N10E3	N	MOSFET	150	100	20		70	175	48	12	250	0.0096	TO220AB
MTN1308E3	N	MOSFET	230	75	30		80	175	42	200	340	0.0105	TO220AB
MTN2510E3	N	MOSFET	155	100	30		50	175		67	236	0.017	TO220AB
MTN2510LE3	N	MOSFET	155	100	20		50	175	45	200	224	0. 022	TO220AB
MTN3205E3	N	MOSFET	200	55	20		128	175		116	580	0.0039	TO220AB
MTN50N06E3	N	MOSFET	120	60	20		50	175		58	364	0.019	TO220AB
PHP110NQ06LT	N	MOSFET	200	55	15	2	75	175		123	520	0.007	TO220AB
PHP110NQ08LT	N	MOSFET	230	75	20	2	75	175		185	905	0.0085	TO220AB
PHP110NQ08T	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175		107	840	0.009	TO220AB
PHP112N06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		94	720	0. 008	TO220AB
PHP119NQ06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		52	554	0.0071	TO220AB
PHP160NQ08T	N	MOSFET	300	75	20	4	75	175		56	845	0.0056	TO220AB
PHP52N06T	N	MOSFET	120	60	20	4	52	175		74	290	0.022	TO220AB
PHP54N06T	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175		74	290	0.02	TO220AB
PHP73N06T	N	MOSFET	166	60	20	4	73	175		79	421	0.014	TO220AB
PHP75NQ08T	N	MOSFET	157	75	20	4	75	175		36	320	0. 013	TO220AB
PHP79NQ08LT	N	MOSFET	157	75	15	2	73	175	30			0.016	TO220AB
PSMN012-80PS	N	MOSFET	148	80	20	4	74	175	43			0.011	TO220AB
PSMN013-100PS	N	MOSFET	170	100	20	4	68	175	59			0.0139	TO220AB
PSMN015-60PS	N	MOSFET	86	60	20	4	50	175	20.сен			0.0148	TO220AB
PSMN016-100PS	N	MOSFET	148	100	20	4	96	175	49			0.016	TO220AB
PSMN017-80PS	N	MOSFET	103	80	20	4	50	175	26			0. 017	TO220AB
PSMN7R6-60PS	N	MOSFET	149	60	20	4	92	175	38.7			0.0078	TO220AB
PSMN8R7-80PS	N	MOSFET	170	80	20	4	90	175	52			0.0087	TO220AB
RFP50N06LE	N	MOSFET	142	60			50	150				0.022	TO220AB
RJK1008DPN	N	MOSFET	125	100			80					0.0085	TO220AB
RJK1021DPN	N	MOSFET	100	100			70					0.016	TO220AB
RJK1536DPN	N	MOSFET	125	150			50					0. 024	TO220AB
SQP120N06-06	N	MOSFET	175	60	20	03.май	119	175		14	708	0.006	TO220AB
SQP120N10-09	N	MOSFET	375	100	20	03.май	120	175		24	635	0.0095	TO220AB
SQP60N06-15	N	MOSFET	107	60	20	03.май	56	175		12	314	0.015	TO220AB
STK5006P	N	MOSFET	120	60	20		50	150		105	445	0.022	TO220AB
STK7006P	N	MOSFET	147	60	20		70	175	43	200	722	0.016	TO220AB

Наименование прибора: IRFZ44N

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0. 024 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы

Транзистор IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF)

IRFZ44N мощный полевой трензистор, имеет низкую емкость затвора, напряжение открытия. Используется в промышленной, бытовой аппаратуре и конструкциях Arduino.

 

Параметры и характеристики

• Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
• Ток сток-исток при 25 С  Iси (max): 50А
• Напряжение затвор-исток Uзи  (max): ±20В
• Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
• Рассеиваемая мощность Pси  (max): 110Вт
• Крутизна характеристики : 15S
• Пороговое напряжение на затворе: 4В
• Корпус: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

 

Аналог  IRFZ44N

• HUF75329P3
• 2SK1879 (ближайший аналог)
• BUZ102 (ближайший аналог)
• IRFZ40 (ближайший аналог)
• STP45NF06 (ближайший аналог) 

  

Особенности

• Advanced Process Technology
• Ultra Low On-Resistance
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.

Выберите аналогичный товар как «IRFZ44N to-220». Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom, или с начала каталога Микросхемы. Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.

Код товара :	M-139-2043
Обновление:	2022-05-01
Тип корпуса :	TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.

Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары

Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
2043	IRFZ44N to-220	Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220	32 pyб.
1732	Термоусадочная трубка, черная, 3 мм	Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 3.0 мм, цвет черный	15 pyб.
224	PC817C dip-4	Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) — 5кВ 35В 0.05A, DIP4	9.5 pyб.
5469	IRF3205 to-220	Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) — Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220	27 pyб.
1929	NE555P dip-8	Микросхемы NE555P — PRECISION TIMER IC, DIP-8	6.5 pyб.
2330	SRD-12VDC-SL-C	Реле электромагнитное SRD-12VDC-SL-C (12В, 10A 250VAC, 1 группа на переключение, размеры 19. 2X15.5X15.2mm)	43 pyб.
1658	Щупы для мультиметра (модель FC-136)	Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр.	95 pyб.
1742	Предохранитель TR5 (T3.15A, 250V)	Миниатюрный предохранитель 3.15A, 250V (LITTELFUSE TR-5, либо аналог BUSSMANN SR-5) — ток срабатывания 3.15A, — длинные выводы, — упакованы в ленту	4.7 pyб.
754	TIP122	Составной транзистор TIP122 (NPN, 100V, 5A, TO-220) — характеристики, аналоги, цена, описание и применение	20 pyб.
9804	Конденсатор 100uF 50V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 100 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 8х12мм)	3.2 pyб.

 

КМБ: Полевой транзистор МОП (MOSFET) — Принцип работы и параметры

Что такое полевой транзистор MOS, MOSFET, МОП транзистор?

Как часто вы слышали название полевой транзистор МОП, MOSFET, MOS , полевик, МДП-транзистор, транзистор с изолированным затвором ? Это все слова синонимы и относятся к одному и тому же радиоэлементу: полевому МОП-транзистору.

Полное название такого радиоэлемента на английский манер звучит как M etal O xide S emiconductor F ield E ffect T ransistors (MOSFET), что в дословном переводе М еталл О ксид П олупроводник Поле Влияние Транзистор. Если преобразовать на наш могучий русский язык, то получается как полевой транзистор со структурой Металл Оксид Полупроводник или просто МОП-транзистор . Почему МОП-транзистор также называют МДП-транзистором и транзистором с изолированным затвором.

Откуда пошло название «МОП»

Если «разрезать» МОП-транзистор, то можно увидеть вот такую картину.

С точки зрения еды на вашем столе, МОП-транзистор будет больше похож на бутерброд. Полупроводник P-типа — толстый кусок хлеба, диэлектрик — тонкий слой колбасы, слой металла — тонкая пластинку сыра. В результате у нас получается вот такой бутерброд.

А как  будет строение транзистора сверху-вниз? Сыр — металлическая пластинка, колбаса — диэлектрик, хлеб — полупроводник. Следовательно, получаем М еталл- Д иэлектрик- П олупроводник. А если взять первые буквы с каждого названия, то получается МДП — М еталл- Д иэлектрик- П олупроводник, не так ли? Значит, такой транзистор можно назвать по первым буквам МДП-транзистором. А так как в качестве диэлектрика используется очень тонкий слой оксида кремния (SiO ₂ ), можно сказать почти стекло, то и вместо названия «диэлектрик» взяли название «оксид, окисел», и получилось М еталл- О кисел- П олупроводник, сокращенно МОП . Ну вот, теперь все встало на свои места).

Далее по тексту МОП-транзистор условимся называть просто полевой транзистор . Так будет проще.

Строение полевого транзистора

Давайте еще раз рассмотрим структуру полевого транзистора.

Имеем «кирпич» полупроводникового материала P-проводимости. Как вы помните, основными носителями в полупроводнике P-типа являются дырки, поэтому, их концентрация намного больше, чем электронов. Но электроны также есть и в P-полупроводнике. Как вы помните, электроны в P-полупроводнике — это неосновные носители и их концентрация очень мала, по сравнению с дырками. «Кирпич» P-полупроводника носит название Подложки . От подложки выходит вывод с таким же названием: подложка .

[quads id=1]

Другие слои — это материал N+ типа, диэлектрик, металл. Почему N+, а не просто N? Дело в том, что этот материал сильно легирован , то есть концентрация электронов в этом полупроводнике очень большая. От  полупроводников N+ типа, которые располагаются по краям, отходят два вывода: Исток и Сток.

Между Истоком и Стоком через диэлектрик располагается металлическая пластинка, от который идет вывод. Называется этот вывод Затвором. Между Затвором и другими выводами нет никакой электрической связи. Затвор вообще изолирован от всех выводов транзистора , поэтому МОП-транзистор также называют транзистором с изолированным затвором .

Мы видим, что полевой транзистор на схеме имеет 4 вывода (Исток, Сток, Затвор и Подложка), а реальный транзистор имеет только 3 вывода.

В чем прикол? Дело все в том, что Подложку обычно соединяют с Истоком. Иногда это уже делается в самом транзисторе еще на этапе разработки. В результате того, что Исток соединен с Подложкой, у нас образуется диод между Стоком и Истоком, который иногда даже не указывается в схемах, но всегда присутствует:

Работа P-канального полевого транзистора

Выше мы разобрали N-канальный транзистор с индуцированным каналом. Также есть еще и P-канальный транзистор с индуцированным каналом. P-канальный работает точно также, как и N-канальный, но вся разница в том, что основными носителями будут являться дырки . В этом случае все напряжения в схеме меняем на инверсные, в отличие от N-канального транзистора. Честно говоря, P-канальные полевые транзисторы используются реже, чем N-канальные.

Принцип работы показан на рисунке ниже.

Режимы работы полевого транзистора

Работа полевого транзистора в режиме отсечки

Давайте познакомимся с нашим героем. У нас в гостях N-канальный полевой транзистор с индуцированным каналом. Судя по гравировке, звать его IRFZ44N. Выводы слева-направо: Затвор, Сток и Исток.

Как мы уже с вами разобрали, Затвор служит для управлением ширины канала между Стоком и Истоком. Для того, чтобы показать принцип работы, мы с вами соберем простейшую схему, которая будет управлять интенсивностью свечения лампы накаливания. Так как в данный момент нет никакого напряжения на Затворе полевого транзистора, следовательно, он будет находится в закрытом состоянии. То есть электрический ток через лампу накаливания течь не будет.

По идее, для того, чтобы управлять свечением лампы, нам достаточно менять напряжение на Затворе относительно Истока. Так как наш полевой транзистор является N-канальным, следовательно, на Затвор мы будем подавать положительное напряжение. Окончательная схема примет вот такой вид.

Вопрос в другом. Какое напряжение надо подать на Затвор, чтобы в цепи Сток-Исток побежал минимальный электрический ток?

Мой блок питания Bat2 выглядит следующим образом.

С помощью этого блока питания мы будем регулировать напряжение. Так как он стрелочный, более правильным будет измерение напряжения с помощью мультиметра .

Собираем все как по схеме и подаем на Затвор напряжение номиналом в 1 Вольт.

Лампочка не горит. На другом блоке питания (Bat1) есть встроенный амперметр, который показывает, что в цепи лампы накаливания электрический ток не течет, следовательно, транзистор не открылся. Ну ладно, будем добавлять напряжение.

И только уже при 3,5 Вольт амперметр на Bat1 показал, что в цепи лампы накаливания появился ток, хотя сама лампа при этом не горела.

Такого слабого тока ей просто недостаточно, чтобы накалить вольфрамовую нить. Режим, при котором в цепи Сток-Исток не протекает электрический ток, называется режимом отсечки .

Активный режим работы полевого транзистора

В нашем случае при напряжении около 3,5 Вольт наш транзистор начинает немного приоткрываться. Это значение у различных видов полевых транзисторов разное и колеблется в диапазоне от 0,5 и до 5 Вольт. В даташите этот параметр называется как Gate threshold voltage , в переводе с англ. яз. — пороговое напряжение Затвора . Указывается как V _GS(th) , а в некоторых даташитах как V _GS(to) .

Как вы видите в таблице, на мой транзистор это напряжение варьируется от 2 и до 4 Вольт при каких-то условиях (conditions). В условиях прописано, что открытие транзистора считается при токе в 250 мкА и при условии, что напряжение на Стоке-Истоке будет такое же как и напряжение на Затворе-Стоке.

С этого момента мы можем плавно регулировать ширину канала нашего полевого транзистора, увеличивая напряжение на Затворе. Если чуть-чуть добавить напряжение, то мы можем увидеть, что нить лампы накаливания начинает накаляться. Меняя напряжение туда-сюда, мы можем добиваться нужного нам свечения лампочки накаливания. Такой режим работы полевого транзистора называется активным режимом .

В этом режиме полевой транзистор может менять сопротивление индуцируемого канала в зависимости от напряжения на Затворе. Для того, чтобы понять, как усиливает полевой транзистор, вам надо прочитать статью про принцип работы биполярного транзистора, где все это описано, иначе ничего не поймете. Читать по этой ссылке .

Активный режим работы транзистора чреват тем, что в этом режиме транзистор может очень сильно греться. Поэтому, всегда следует позаботиться об охлаждающем радиаторе, который бы рассеивал тепло от транзистора в окружающее пространство. Почему же греется транзистор? В чем дело? Да все оказывается до боли просто. Сопротивление Сток-Исток зависит от того, какое напряжение будет на Затворе. То есть схематически это можно показать вот так.

Если напряжения на Затворе нет или оно меньше, чем напряжение открытия транзистора, то сопротивление в этом случае будет бесконечно большое. Лампочка — это нагрузка, которая обладает каким-либо сопротивлением. Не спорю, что сопротивление нити горящей лампочки будет совсем другое, чем холодной, но пока пусть будет так, что лампочка — это какое-то постоянное сопротивление. Перерисуем нашу схему вот так.

Получился типичный делитель напряжения . Как я уже говорил, если нет напряжения на Затворе, то сопротивление Сток-Истока будет бесконечно большим.  Значит, мощность, рассеиваемая на транзисторе, будет равняться падению напряжения на Сток-Истоке помноженной на силу тока через Сток-Истока: P=I _c U _си . Если выразить эту формулу через сопротивление, то получаем

P= I ² _C R

где R – это сопротивление канала Сток-Исток, Ом

I _C – сила тока , проходящая через канал (ток Стока) , А

А что такое мощность , рассеиваемая на каком-либо радиоэлементе? Это и есть тепло.

Теперь представьте, что мы приоткрыли транзистор наполовину. Пусть в нашей цепи ток через лампу будет 1 Ампер, а сопротивление перехода Сток-Исток будет равно 10 Ом. Согласно формуле P= I ² _C R получим, что рассеиваемая мощность на транзисторе в этот момент будет 10 Ватт! Да это маленький, черт его возьми, нагреватель!

Режим насыщения полевого транзистора

Для того, чтобы полностью открыть полевой транзистор, нам достаточно подавать напряжение до тех пор, пока лампа не будет гореть во весь накал. В моем случае это напряжение более чем 4,2 Вольта.

В режиме насыщение сопротивление канала Сток-Исток минимально и почти не оказывает сопротивление электрическому току. Лампа ест свои честные 20,4 Ватта (12х1,7=20,4).

Немного про электрическое сопротивление .

На самой лампе мы видим ее мощность 21 Ватт. Спишем небольшую погрешность на наши приборы.

Самое интересное то, что транзистор в этом случае остается холодным и ни капли не греется, хотя через него проходит 1,7 Ампер! Для того, чтобы понять этот феномен, нам опять надо рассмотреть формулу P= I ² _C R . Если сопротивление Стока-Истока составляет какие-то сотые доли Ома в режиме насыщения, то с чего будет греться транзистор?

Поэтому, самые щадящие режимы для полевого МОП-транзистора – это когда канал полностью открыт или когда канал полностью закрыт . При закрытом транзисторе сопротивление канала будет бесконечно большое, а ток через это сопротивление будет бесконечно мал, так как в этой цепи будет работать закон Ома. Подставляя эти значение в формулу P= I ² _C R , мы увидим, что мощность рассеивания на таком транзисторе будет равна практически нулю. В режиме насыщения у нас сопротивление будет достигать сотые доли Ома, а сила тока будет зависеть от нагрузку в цепи. Следовательно, в этом режиме транзистор также будет рассеивать какие-то сотые доли Ватта.

Ключевой режим работы полевого транзистора

В этом режиме полевой транзистор работает только в режиме отсечки и насыщения .

Давайте немного изменим схему и уберем из нее Bat2. Вместо него поставим переключатель, а напряжение на Затвор будем брать от Bat1.

Для наглядности вместо переключателя я использовал проводок от макетной платы . В данном случае лампочка не горит. А с чего ей гореть-то? На Затворе то у нас полный ноль, поэтому, канал закрыт.

Но стоит только перекинуть выключатель в другое положение, как у нас лампочка сразу же загорается на всю мощь.

Даже не надо ни о чем заморачиваться! Просто подаем на Затвор напряжение питания и все! Разумеется, если оно не превышает максимальное напряжение на Затворе, прописанное в даташите. Для нашего транзистора это +-20 Вольт. Не повредит ли напряжение питания Затвору? Так как Затвор у нас имеет очень большое входное сопротивление (он ведь отделен слоем диэлектрика от всех выводов), то и сила тока в цепи Затвора будет ну очень маленькая (микроамперы).

Как вы видите, лампочка горит на всю мощь. В этом случае можно сказать, что потенциал на Стоке стал такой же, как и на Истоке, то есть ноль, поэтому весь ток побежал от плюса питания к Стоку, «захватив» по пути лампочку накаливания, которая не прочь была покушать электрический ток, излучая кучу фотонов в пространство и на мой рабочий стол .

Но наблюдается также и интересный феномен, в отличие от ключа на биполярном транзисторе . Даже если откинуть проводок от Затвора, все равно лампочка продолжает гореть как ни в чем не бывало!

Почему так происходит? Здесь надо вспомнить внутреннее строение самого полевого транзистора. Вот эта часть вам ничего не напоминает?

Так это же конденсатор ! А раз мы его зарядили, то с чего он будет разряжаться? Разрядиться-то ему некуда, поэтому он и держит заряд электронов в канале, пока мы не разрядим вывод Затвора. Для того, чтобы убрать потенциал с Затвора и «заткнуть» канал, нам опять же надо уравнять его с нулем. Сделать это достаточно просто, замкнув Затвор на Исток. Лампочка сразу же потухнет.

Как вы видели в опыте выше, если мы отключаем напряжение на Затворе, то обязательно должны притянуть Затвор к минусу, иначе канал так и останется открытым. Поэтому обязательное условие в схемах — Затвор должен всегда чем-то управляться и с чем-то соединяться. Ему нельзя висеть в воздухе.

А почему бы Затвор автоматически не притягивать к нулю при отключении подачи напряжения на Затвор? Поэтому, эту схему можно доработать и сделать самый простейший ключ на МОП-транзисторе :

При включении выключателя S цепь стает замкнутой и лампочка загорается

Как только я убираю красный проводок от Затвора (разомкну выключатель),  лампочка сразу тухнет:

Красота! То есть как только я убрал напряжение от Затвора, Затвор притянуло к минусу через резистор и на нем стал нулевой потенциал. А раз на Затворе ноль, то и канал Сток-Исток закрыт. Если я снова подам напряжение на Затвор, то у нас на мегаомном резисторе упадет напряжение питания, которое будет все оседать на Затворе и транзистор снова откроется. На бОльшем сопротивлении падает бОльшее напряжение ;-). Не забываем золотое правило делителя напряжения . Резистор в основном берут от 100 КилоОм и до 1 МегаОма (можно и больше). Так как МОП-транзисторы с индуцированным каналом в основном используются в цифровой и импульсной технике, из них получаются отличные транзисторные ключи, в отличие от ключа на биполярном транзисторе.

Характеристики полевого МОП транзистора

Для того, чтобы узнать характеристики транзистора, нам надо открыть на него даташит и рассмотреть небольшую табличку на первой странице даташита. Будем рассматривать транзистор, который мы использовали в своих опытах: IRFZ44N.

Напряжение V _GS — это напряжение между Затвором и Истоком. Смотрим на даташит и видим, что максимальное напряжение, которое можно подать на Затвор это +-20 Вольт. Более 20 Вольт в обе стороны пробьет тончайший слой диэлектрика, и транзистор придет в негодное состояние.

Максимальная сила тока I _D , которая может течь через канал Сток-Исток.

Как мы видим, транзистор в легкую может протащить через себя 49 Ампер!!!

Но это при температуре кристалла 25 градусов по Цельсию. А так номинальная сила тока 35 Ампер при температуре кристалла 100 градусов, что чаще всего и происходит на практике.

R _DS(on) — сопротивление полностью открытого канала Стока-Истока . В режиме насыщения, сопротивление канала транзистора достигает ну очень малого значения. Как вы видите, у нашего подопечного сопротивление канала достигает 17,5 мОм (при условии, что напряжение на Затворе = 10 Вольт, а ток Стока  = 25 Ампер).

Максимальная рассеиваемая мощность P _D — это мощность, которую транзистор может рассеять на себе, превращая эту мощность в тепло. В нашем случае это 94 Ватта. Но здесь также должны быть соблюдены различные условия — это температура окружающей среды, а также есть ли у транзистора радиатор.

Также различные зависимости одних параметров от других можно увидеть в даташите на последних страницах.

Например, ниже на графике приводится зависимость тока Стока от напряжения Стока-Истока при каких-то фиксированных значениях напряжения на Затворе при температуре кристалла (подложки) 25 градусов Цельсия (комнатная температура). Верхняя линия графика приводится для напряжения 15 Вольт на Затворе. Другие линии в порядке очереди по табличке вверху слева:

Также есть интересная зависимость сопротивления канала  полностью открытого транзистора от температуры кристалла:

Если посмотреть на график, то можно увидеть, что при температуре кристалла в 140 градусов по Цельсию у нас сопротивление канала увеличивается вдвое. А при отрицательных температурах наоборот уменьшается.

Как проверить полевой транзистор

Для того, чтобы проверить полевой транзистор, мы должны определить, где какие у него выводы. У нас подопытным кроликом будет тот же самый транзистор: IRFZ44N.

Для этого вбиваем в любой поисковик название нашего транзистора и рядом прописываем слово «даташит». Чаще всего на первой странице даташита мы можем увидеть цоколевку транзистора.

Хотя, интернет переполнен уже готовыми распиновками и иногда все-таки бывает проще набрать»распиновка (цоколевка) *название транзистора* «. Итак, я вбил ” IRFZ44N цоколевка”  в Яндекс и нажал на вкладку “картинки”.  Яндекс мне выдал  уйму картинок с распиновкой этого транзистора:

Ну а дальше дело за малым.
Устройство и принцип работы в видео:

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Теперь, зная цоколевку и принцип работы транзистора, мы можем проверить его на работоспособность. Первым делом мы без проблем можем проверить эквивалентный диод VD2 между Стоком и Истоком. В схемотехническом обозначении его тоже часто указывают.

Как проверить диод мультиметром, я писал еще в этой статье .

Но не спешите брать мультиметр в руки и прозванивать диод! Ведь первым делом надо снять с себя статическое напряжение. Это можно сделать, если задеть метализированный слой водонагревательных труб, либо коснуться заземляющего провода. При работе с радиоэлементами, чувствительными к статическому напряжению, желательно использовать антистатический браслет , один конец которого закрепляется к заземляющему проводнику, например, к батарее отопления, а другой конец в виде ремешка надевается на запястье.

Далее замыкаем все выводы транзистора  каким-нибудь металлическим предметом. В моем случае это металлический пинцет. Для чего мы это делаем? А вдруг кто-то зарядил Затвор до нас или он уже где-то успел «хапнуть» потенциал на Затворе? Поэтому, чтобы все было честно, мы уравняем потенциал на Затворе до нуля с помощью этой нехитрой манипуляции.

Ну а теперь со спокойной совестью можно проверить диод, который образуется в полевом транзисторе между Стоком и Истоком. Так как у нас транзистор N-канальный, следовательно, его схемотехническое обозначение будет выглядеть вот так:

Беремся положительным (красным) щупом мультиметра за Исток, так-как там находится анод диода, а отрицательным (черным)  — за Сток
(там у нас катод диода). На мультиметре должно высветиться падение напряжения на диоде 0,5-0,7 Вольт. В моем случае, как видите, 0,56 Вольт.

Далее меняем щупы местами. Мультиметр покажет единичку, что нам говорит о том, что диод в полевом транзисторе жив и здоров.

Проверяем сопротивление канала. Мы с вами уже знаем, что в N-канальном транзисторе ток у нас будет бежать от Стока к Истоку, следовательно, встаем красным положительным щупом на Сток, а отрицательным –  на Исток, и меряем сопротивление . Оно должно быть ну о-о-о-очень большое. В моем случае даже на Мегаомах показывает единичку, что говорит о том, что сопротивление даже больше, чем 200 Мегаом. Это очень хорошо.

Так как у нас транзистор N-канальный, следовательно, чтобы его приоткрыть, нам достаточно будет подать напряжение на Затвор, относительно Истока. Чаще всего в режиме прозвонки диодов на щупах мультиметра бывает напряжение в 3-4 Вольта. Все зависит от марки мультиметра. Этого напряжения будет вполне достаточно, чтобы подать его на Затвор и приоткрыть транзистор.

Так и сделаем. Ставим черный щуп на Исток, а красный на Затвор на доли секунды. На показания мультиметра не обращаем внимания, так как мы сейчас используем его в качестве источника питания, чтобы подать потенциал на Затвор. Этим простым действием мы приоткрыли наш транзистор.

Раз мы приоткрыли транзистор, значит, сопротивление Сток-Исток должно уменьшится. Проверяем, так ли это? Ставим мультиметр в режим измерения сопротивления и смотрим, уменьшилось ли сопротивление между Стоком-Истоком? Как видите, мультиметр показал значение в 2,45 КОм.

Это говорит о том, что наш полевой транзистор полностью работоспособен.

Конечно, бывает и такое, что малого напряжения на мультиметре не хватает, чтобы приоткрыть транзистор. Здесь можно прибегнуть к источникам питания, которые выдают более-менее нормальное напряжение, например, блок питания или батарейка Крона в 9 Вольт. Так как рядом не оказалось Кроны, то мы просто выставим напряжение в 10 Вольт. Напряжение на Затвор именно этого транзистора не должно превышать 20 Вольт, иначе произойдет пробой диэлектрика, и транзистор выйдет из строя.

Итак, выставляем 10 Вольт.

Подаем это напряжение на Затвор транзистора на доли секунды.

Теперь по идее сопротивление между Стоком и Истоком должно равняться нулю. Для чистоты эксперимента замеряем сопротивление щупов самого мультиметра. Эх, дешевые китайские щупы. 2,1 Ом).

А теперь и замеряем сопротивление самого перехода. Практически 0 Ом!

Хотя, если верить даташиту, должно быть 17,5 миллиОм. Теперь можно утверждать со 146% вероятностью, что наш транзистор полностью жив и здоров.

Как проверить полевой транзистор с помощью транзисторметра

На рабочем столе каждого электронщика должен быть этот замечательный китайский прибор, благо он стоит недорого. Про него я писал обзор здесь .

Здесь все просто, как дважды два. Вставляем транзистор в кроватку и нажимаем большую зеленую кнопку. В результате прибор сразу же определил, что это полевой МОП транзистор с каналом N-типа, определил расположение выводов транзистора, а также емкость затвора и пороговое напряжение открытия, о котором мы говорили выше в статье. Ну не прибор, а чудо!

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим PN-переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим PN переходом — 250 Вольт. Поэтому, самое важное правило при работе с такими транзисторами — это заземлить себя через антистатический браслет , или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов.

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде бы спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать судьбу транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

Купить его можно на алиэкспрессе. Заходите.

Похожие статьи по теме «полевой транзистор»

Транзистор биполярный

Полевой транзистор с управляющим PN-переходом (JFET-транзистор)

Транзисторметр Mega328

Читаем электрические схемы с транзистором

Мультивибратор на транзисторах

Сторожевое устройство на одном транзисторе

характеристики, фото и отзывы покупателей

65. 12 ₽

Товар сейчас не доступен, посмотрите похожие

Перейти в магазин

Товар больше не продаётся, посмотрите похожие

Ссылка скопирована, поделитесь ею

Или отправьте через соцсети

Данный товар сейчас не доступен, но есть аналогичные и похожие

Цена выросла на 9.97 ₽

Дороже средней, значительно

Продавец надежный – 100%

Можно смело покупать, Lushigher IC Store

• На площадке более 11 лет
• Высокий общий рейтинг (69127)
• Покупатели довольны общением
• Товары соответствуют описанию
• Быстро отправляет товары
• 1.2% покупателей остались недовольны за последние 3 месяца

Отзывы покупателей

Товар пришёл. Всё точно в описании. Видно что транзисторы новые… Заменил сгоревший транзистор на новый. Сразу заработало. Припаивается легко, ножки хорошо залужены. Продавцу благодарность…

22 декабря 2020

Товар пришёл. Всё точно в описании. Видно что транзисторы новые… Заменил сгоревший транзистор на новый. Сразу заработало. Припаивается легко, ножки хорошо залужены. Продавцу благодарность…

06 июля 2020

L

L***r

Доставка: Cainiao Super Economy Global

11 ноября 2021

Цены у других продавцов от 51.17 ₽

73.10 ₽

5 шт., IRFZ44N TO-220 IRFZ44NPBF TO220 IRFZ44

4оценки

0заказов

Надежность – 100%

Продавец HJXRHGAL Store

В магазинПерейти в магазин

121.60 ₽

10 шт. IRFZ44N IRFZ44NPBF TO220 TO-220 IRFZ44 новый оригинальный

2оценки

4заказа

Надежность – 100%

Продавец Supermarket of electronic components

В магазинПерейти в магазин

89. 04 ₽

Новая и оригинальная интегральная схема IRFZ44N TO220 IRFZ44NPBF TO-220 IRFZ44 FZ44N, 5 шт.

0оценок

3заказа

Надежность – 89%

Продавец Shop910333112 Store

В магазинПерейти в магазин

Найдено 40 похожих товаров

52.50 ₽

5 шт./лот irfz44n to220 irfz44npbf to-220 irfz44 fz44n новая и оригинальная интегральная схема

0

0

Надёжность продавца 89%

136.22 ₽

Mosfet irfz44n to220 набор транзисторов irfz44 to-220 высокомощные транзисторы irfz44npbf 49a 55v полевой транзистор

2

4

Надёжность продавца 89%

51.83 ₽

Транзистор irfz44n, 5 шт., irfz44, мощный моп-транзистор 49a 55 в to-220 n-канал, оптовая продажа

0

1

Надёжность продавца 43%

-4

%

104. 33 ₽

10 шт. irfz44n irfz44npbf to220-220 irfz44 новый и оригинальный в наличии

1

1

Надёжность продавца 29%

-4

%

119.61 ₽

10 шт. irfz44n irfz44 power mosfet 49a 55v to-220

0

1

Надёжность продавца 100%

115.62 ₽

10 шт. irfz44n irfz44 power mosfet 49a 55v to-220

1

1

Надёжность продавца 89%

52.50 ₽

5 шт. irfz44n irfz44 irfz44npbf mosfet mosft 55в 41a 17,5 мом 42nc-220 новый оригинальный

0

1

Надёжность продавца 85%

Неполные данные

106.99 – 302.35 ₽

Транзистор irfp064n irfp150n irfp260n irfp3710 irfp450 irfp460 irfz44n irf9530 irf9540 irf9630 to-220, оригинальный моп-транзистор to220, 5 шт.

1

1

Надёжность продавца 0%

116.29 ₽

10 шт. irfz44n irfz44 силовой mosfet 49a 55v to-220 ic

1

5

Надёжность продавца 100%

Неполные данные

110.31 ₽

10 шт. irfz44n irfz44 irfz44npbf mosfet mosft 55 в 41a 17,5 mohm 42nc to-220 новый оригинальный

3

2

Надёжность продавца 0%

97.68 ₽

5 шт. irfz44n to220 irfz44npbf 55 в/49a прямой to-220 nmos fet irfz44 ic новая прямая поставка

2

2

Надёжность продавца 100%

136.89 ₽

5 шт. irfz44n irfz44 n-channel 49a 55 в транзистор mosfet компонентный к-220 мощности лучшая цена

1

1

Надёжность продавца 89%

Неполные данные

110. 31 ₽

10 шт./лот irfz44n irfz44 irfz44npbf mosfet mosft 55v 41a 17,5 mohm 42nc to-220 новый оригинальный

1

1

Надёжность продавца 0%

Неполные данные

115.62 ₽

Новая и оригинальная интегральная схема irfz44n to220 irfz44npbf to-220 irfz44 fz44n, 10 шт.

0

0

Надёжность продавца 0%

978.16 ₽

Новый оригинальный 100 шт./лот irfz44n irfz44 mosfet 49a 55v to-220

0

0

Надёжность продавца 89%

120.94 ₽

10 шт. irfz44n irfz44 irfz44npbf mosfet mosft 55в 41a 17,5 мом 42nc-220 новый оригинальный

2

4

Надёжность продавца 89%

110.31 ₽

10 шт. irfz44n irfz44 irfz44npbf mosfet mosft 55v 41a 17,5 mohm 42nc to-220 новый оригинал

1

5

Надёжность продавца 89%

84. 39 ₽

10 шт./лот irfz44n irfz44 irfz44npbf to-220 в наличии

9

11

Надёжность продавца 100%

-3

%

Неполные данные

1 196 ₽

100 шт./лот irfz44n irfz44 fz44n to-220 лучшее качество.

0

0

Надёжность продавца 0%

-4

%

934.30 ₽

100 шт./лот irfz44n irfz44 fz44n to-220 лучшее качество.

3

5

Надёжность продавца 100%

98.35 ₽

10 шт./лот irfz44n irfz44npbf to220 to-220 полевой эффект транзистор новый оригинальный в наличии

3

1

Надёжность продавца 100%

104.99 ₽

Новые оригинальные 10 шт. irfz44n irfz44 to-220

0

0

Надёжность продавца 66%

531. 61 ₽

Бесплатная доставка 50 шт. irfz44n irfz44 силовой mosfet 49a 55в до-220

2

4

Надёжность продавца 100%

-4

%

Неполные данные

168.12 ₽

Транзисторы полевых эффектов, 10 шт., irfz44n, irfz44npbf, irfz44, 49a, 55 в, to220, mosfet, n-канальный

1

3

Надёжность продавца 0%

223.94 ₽

20 шт., лидер продаж, irfz44n irfz44, mosfet 49a 55 в до-220

1

0

Надёжность продавца 89%

85.72 ₽

10 шт./лот irfz44n irfz44 49a 55v to-220 в наличии

2

1

Надёжность продавца 89%

-12

%

167.46 ₽

20 шт. irfz44n irfz44 irfz44npbf to-220

0

0

Надёжность продавца 89%

-2

%

97.02 ₽

6 pçs/lote irfz44n irfz44 para-220 mosfet транзисторы

0

0

Надёжность продавца 89%

664.51 ₽

Бесплатная доставка 50 шт./партия irfz44n irfz44 fz44n to-220 лучшее качество.

2

4

Надёжность продавца 100%

131.57 ₽

10 шт. irf4905pbf to220 irf4905 to-220 irf4905p мощный моп-транзистор, новый и оригинальный

1

1

Надёжность продавца 100%

-27

%

72.43 ₽

5 шт. irf5210 to-220 irf5210pbf to220 строительный моп-транзистор 100 в 40 а

2

1

Надёжность продавца 89%

964. 87 ₽

Новинка 100 шт. irfz44n irfz44 мощный mosfet 49a 55v to-220

1

3

Надёжность продавца 100%

1 389 ₽

Бесплатная доставка 100 шт. irfz44n irfz44 до-220 лучшее качество

3

3

Надёжность продавца 100%

91.70 ₽

5 шт. irfz44n irfz44 n-channel 49a 55в транзистор mosfet diy электроника

1

1

Надёжность продавца 100%

-3

%

88.38 ₽

10 шт./лот irfz44 новый irfz44n irfz44npbf 55в 40a-220 новый оригинальный в наличии

1

0

Надёжность продавца 89%

Неполные данные

86.39 ₽

Новый оригинальный моп-транзистор irf640npbf irf640n to-220 to220 irf640, 10 шт.

1

1

Надёжность продавца 0%

117. 62 ₽

10 шт./лот irfz44v to-220 irfz44vpbf to220 irfz44

2

0

Надёжность продавца 89%

-6

%

102.33 ₽

10 шт./компл. irfz44n to220 комплект транзисторов irfz44 to-220 транзисторы высокой мощности irfz44npbf 49a 55в транзистор с полевым эффектом

2

2

Надёжность продавца 100%

176.09 ₽

10 шт., транзистор irf5210pbf to-220 irf5210 to220, новый оригинальный ic моп полевой транзистор

0

0

Надёжность продавца 89%

118.95 ₽

10 шт. irf640npbf to220 irf640n to-220 irf640 мощный полевой моп-транзистор, новый и оригинальный

2

1

Надёжность продавца 89%

1оценка

1заказ

Фото от покупателей

Характеристики товара

• Nombre de la marca: Lushigher
• Origen: CN(Origen)
• Estado: Nuevo
• Se puede personalizar: Si

Показать все

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, эквиваленты и техническое описание

18 апреля 2019 — 0 комментариев

IRFZ44N Силовой N-канальный МОП-транзистор
IRFZ44N Распиновка

IRFZ44N представляет собой N-канальный MOSFET с высоким током стока 49 А и низким значением Rds 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором MOSFET начинает проводить ток. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если полевой МОП-транзистор должен быть полностью включен.

 

Конфигурация выводов IRFZ44N

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	Ворота	Управляет смещением MOSFET
2	Слив	Ток поступает через сток
3	Источник	Ток течет через источник

 

Характеристики и характеристики

• N-канальный полевой МОП-транзистор с малым сигналом
• Непрерывный ток стока (ID) составляет 49 А при 25°C
• Импульсный ток стока (ID-пик) составляет 160 А
• Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-th) равно 2 В
• Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-th) составляет 4 В
• Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ±20 В (макс. )
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
• Время нарастания и время спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
• Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
• Доступен в пакете То-220

 

Примечание. Полную техническую информацию по можно найти в спецификации IRFZ44N , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативы для IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

0025 IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения . Вдобавок к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных цепей. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4В, но ток стока будет максимальным только при подаче напряжения затвора 10В. Если MOSFET должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте MOSFET версии IRLZ44N с логическим уровнем.

 

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

IRLZ44N и IRFZ44N MOSFET часто путают друг с другом и используют неправильно. IRLZ44N — это полевой МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что полевой МОП-транзистор может быть полностью включен при напряжении всего 5 В на выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

С другой стороны, для IRFZ44N требуется схема драйвера затвора, если MOSFET необходимо полностью включить с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Однако он частично включается при прямом напряжении 5 В на выводе ввода-вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

 

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов MOSFET являются устройствами, управляемыми напряжением. Это означает, что их можно включить или выключить, подав необходимое пороговое напряжение затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный МОП-транзистор, поэтому контакты стока и истока остаются открытыми, когда на контакт затвора не подается напряжение. При подаче напряжения на затвор эти контакты замыкаются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, то простая схема управления с использованием транзистора будет работать для обеспечения необходимого напряжения затвора для запуска MOSFET для полного открытия. Для других коммутационных и усилительных приложений предусмотрен специальный Требуется драйвер MOFET IC .

 

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. д., тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, подаваемого на штифт затвора. На приведенном ниже графике показано, какой ток стока допустим для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только при напряжении на затворе около 10 В. Если оно где-то около 5В, то ток стока ограничен 20А и так далее.

 

Применение

• Переключение устройств большой мощности
• Контроль скорости двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Применения для высокоскоростного переключения
• Преобразователи или схемы инверторов

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

 

Теги

N-канальный полевой МОП-транзистор

Силовой МОП-транзистор

Силовая электроника

Связанный пост

Комментарии

IRFZ44N Спецификация, разводка выводов, характеристики, эквиваленты и приложения

Сегодня я собираюсь предоставить вам подробное описание введения в IRFZ44N. Я уже поделился базовой информацией о различных…

Всем привет! Я надеюсь, что у вас все будет в порядке и вы весело проведете время. Сегодня я собираюсь предоставить вам подробное введение в IRFZ44N. IRFZ44N принадлежит к семейству полевых транзисторов на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET). Это силовой МОП-транзистор. Существует два типа МОП-транзисторов: N-канальные и P-канальные. IRF-Z44N принадлежит к семейству N-канальных. Он использует технологию « Trench » и имеет пластиковую структуру. Он имеет очень низкое сопротивление по состоянию. Он имеет стабилитрон, который обеспечивает защиту от электростатических разрядов до 2 киловольт. Это недорогое устройство, обеспечивающее более высокую эффективность. В наши дни он легко доступен на рынке и в основном известен благодаря своим обширным применениям. IRF-Z44N обладает современными характеристиками, такими как передовая технология обработки, сверхнизкое сопротивление, динамический рейтинг, полная лавинная защита, быстрый процесс переключения и многое другое. Он имеет широкий спектр реальных приложений, включая полный мост, двухтактные приложения, потребительский полный мост и многое другое. Давайте обсудим это подробно:

Знакомство с IRFZ44N

• IRFZ44N принадлежит к семейству N-канальных мощных полевых МОП-транзисторов в пластиковом корпусе и использует технологию «Trench» .
• Подобно другим транзисторам, IRFZ44N с распиновкой имеет три вывода, названные Gate, Drain и Source. Они обозначаются буквами  G, D и S соответственно.
• К его особенностям относятся очень низкое сопротивление в открытом состоянии, высокоскоростная технология обработки, полная лавинная защита и т. д.
• Двухтактные системы и полный мост — это лишь немногие из его реальных применений.
• Вам также следует взглянуть на его кривые характеристик в Proteus ISIS.
• IRF-Z44N указан на рисунке справа.

IRFZ44N Распиновка

• Конфигурация контактов любого устройства может быть понята по его схеме разводки.
Распиновка
• IRFZ44N состоит из трех (3) контактов, имеющих разные функции.
• IRFZ44N Распиновка вместе с их символами показаны следующим образом:

№ контакта	Имя контакта	Символ булавки
1	Ворота	Г
2	Слив	Д
3	Источник	С

IRFZ44N Техническое описание

• Вам следует скачать техническое описание IRFZ44N, если вы хотите подробно изучить этот MOSFET.
• Вот ссылка на техническое описание IRFZ44N:

IRFZ44N Номинальные параметры

• Перед использованием любого электронного устройства необходимо узнать его требования к питанию.
• Эти требования к мощности можно узнать по номиналам.
Характеристики
• IRF-Z44N перечислены в таблице на рисунке ниже.

IRFZ44N Характеристики

• Характеристики – это такие параметры, которые могут сделать устройство все более и более популярным.
Основные характеристики
• IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

IRFZ44N Приложения

• Большинство устройств обычно известны благодаря их применению.
Реальные приложения
• IRF-Z44N представлены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Это все из руководства Введение в IRFZ44N. Я предоставил все базовые сведения о IRF-Z44N. Надеюсь, вам понравился урок, и вы оцените мою работу. Если вы считаете, что в этом руководстве чего-то не хватает, сообщите мне об этом как можно раньше, чтобы я мог обновить его, чтобы избежать каких-либо неудобств в будущем. Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными вопросами, вы можете задать их нам в комментариях в любое время. Наша команда 24/7 доступна для вашей поддержки. Я поделюсь различными интересными темами в моих следующих уроках. Так что пока берегите себя и до свидания 🙂

JLBCB — прототип 10 печатных плат за 2 доллара США (любой цвет) Китайское крупное предприятие по производству прототипов печатных плат, более 600 000 клиентов и онлайн-заказ Повседневная Как получить денежный купон PCB от JLPCB: https://bit.ly/2GMCH9w

Теги:

Введение в IRFZ44N, основы IRFZ44N, основы IRFZ44N, начало работы с IRFZ44N, как начать работу с IRFZ44N, как использовать IRFZ44N, IRFZ44N Симулятор Proteus, IRFZ44N протеус, Протей IRFZ44N, протеус имитация IRFZ44N,

-Автор сайта

Сайед Заин Насир

Саидзаиннасир Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP). я программист с 2009 года, до этого я просто искал вещи, делал небольшие проекты, а теперь делюсь своим знания через эту платформу. Я также работаю фрилансером и сделал много проектов, связанных с программирование и электрические схемы. Мой профиль Google+Подписаться Присоединиться

IRFZ44N MOSFET: аналог, распиновка, упаковка, области применения и техническое описание

Напряжение пробоя сток-исток ( В _{BR ( DSS )} ) равно 55 В

Напряжение от затвора к источнику ( В _gs ) is +/- 20 В

Затвор с пороговым напряжением ( В _г(й) ) 2 4В

Ток стока ( I _d ) 49A

Импульсный ток стока ( I _DM ) 160A

Рассеиваемая мощность ( P _D ) 94 Вт

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _{ДС (ВКЛ)} ) 032 Ом

Ток утечки затвора на корпус ( I _GSS ) 100 нА

Общий заряд затвора ( Q _г ) составляет 63 нКл

Время обратного восстановления ( trr ) составляет от 63 до 95 нс

Время нарастания ( tr ) составляет 60 нс

Термическое сопротивление перехода к корпусу (R _th j-c) 5℃/Вт

Температура перехода ( T _J ) находится в диапазоне от от -55 до 175℃

Распиновка полевого МОП-транзистора IRFZ44N Распиновка полевого МОП-транзистора IRFZ44N

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Ворота	Gate запустит устройство MOSFET
2	Слив	В выводе стока протекал ток в МОП-транзистор
3	Источник	В источнике терминальный ток вытекает из МОП-транзистора

 

Корпус IRFZ44N MOSFET

В устройстве IRFZ44N MOSFET корпус TO-220C будет использоваться в качестве полупроводникового устройства.

Корпус TO-220C используется для изготовления эпоксидных и пластиковых материалов, эпоксидный материал обладает хорошей термостойкостью, поэтому они используются в устройствах POWER MOSFET.

Задняя сторона МОП-транзистора выполнена из металла, который используется для передачи тепла, выделяемого компонентом. Для процесса передачи мы используем радиатор, присоединив его к МОП-транзистору.

Транзистор AC128

Описание электрических характеристик МОП-транзистора IRFZ44N

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики и области применения МОП-транзистора IRFZ44N.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на клеммах МОП-транзистора IRFZ44N: напряжение пробоя сток-исток составляет 55 В, напряжение затвор-исток составляет 20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 до 4 В. Характеристики напряжения на клеммах показывают, что это устройство средней мощности с приложений на устройствах электропитания.

Характеристики тока

Характеристики тока IRFZ44N MOSFET: значение тока стока составляет 49 А, импульсный ток стока — 160 А, а ток утечки затвора на корпус — 100 мкА, значение тока стока показывает максимальную нагрузочную способность устройства.

Характеристики рассеяния

Рассеивание мощности полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет 94 Вт, это рассеиваемая мощность или теплоемкость устройства.

Сопротивление сток-исток во включенном состоянии

Значение сопротивления сток-исток во включенном состоянии составляет 0,032 Ом, сопротивление MOSFET во включенном состоянии означает общее сопротивление устройства.

Температура перехода

Температура перехода этого MOSFET 175℃ .

Время обратного восстановления (trr)

Время обратного восстановления полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет от 63 до 95 нс, это время, необходимое для разрядки перед началом проведения.

IRFZ44N MOSFET DATASHEET IRFZ44N MOSFET DATASHEET

If you need the datasheet in pdf please click this link

IRFZ44N MOSFET EQUIVALENT

The MOSFETs such as IRF2807, IRFB3207, IRFB4710, 2SK2376, and IRF1010A are the MOSFET эквивалент IRFZ44N.

Электрические и физические характеристики всех этих МОП-транзисторов одинаковы, поэтому мы можем легко заменить IRFZ44N этими МОП-транзисторами.

IRFZ44N, IRF2807, IRFZ48

Ниже приведено сравнение электрических характеристик IRFZ44N, IRF2807 и IRFZ48.

Характеристики	IRFZ44N	IRF2807	IRFZ48
Напряжение пробоя сток-исток (VBR (DSS))	55В	75В	60В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	20 В	20 В	20 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	от 2 до 4 В	от 4 В	от 2 до 4 В
Ток стока (Id)	49 А	82 А	50 А
Общий заряд затвора (кг)	63nC	—	—
Рассеиваемая мощность (PD)	94 Вт	230 Вт	190 Вт
Температура перехода (ТДж)	175°C	175°C	175°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	0,032 Ом	13 МОм	0,018 Ом
Время нарастания (tr)	60 нс	64 нс	250 нс
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220АБ	ТО-220АБ

Почти все электрические характеристики каждого МОП-транзистора одинаковы, в этих трех МОП-транзисторах IRF2807 имеет более высокий ток и рассеиваемую способность.

Каждый из этих трех полевых МОП-транзисторов в основном используется в источниках питания и высокоскоростных коммутационных устройствах.

Кривые характеристик IRFZ44N MOSFET Выходные характеристики IRFZ44N MOSFET

На рисунках показаны выходные характеристики IRFZ44N MOSFET, оба графика показывают, что когда напряжение затвор-исток контролирует ток стока, поскольку каждый раз, когда напряжение затвора увеличивается, сток ток пропорционально.

Характеристики сопротивления МОП-транзистора IRFZ44N в открытом состоянии

На рисунке показаны характеристики сопротивления МОП-транзистора IRFZ44N в открытом состоянии, кривая сопротивления в открытом состоянии построена с зависимостью сопротивления сток-исток в открытом состоянии от температуры перехода.

При постоянных значениях напряжения и тока значение сопротивления во включенном состоянии увеличивается до фиксированного значения.

Применение IRFZ44N MOSFET

• Высокоскоростные коммутационные устройства
• Устройства электропитания
• Преобразователи
• Устройства управления двигателем
• Мостовые схемы

IRFZ44n MOSFET — в Пакистане

-38%

Наведите курсор на изображение, чтобы увеличить его

Нажмите, чтобы открыть расширенный вид

• Рейтинг 5,00 из 5 на основе 2 отзывов покупателей

  02

  ( 2 отзыва )

50,00 ₨ 80,00 ₨ (-38%)

• Полярность транзистора: N-канальный
• Упаковка/кейс: ТО-220
• Тип монтажа: Сквозное отверстие
• Количество каналов: 1 канал
• Vds – Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
• Id — непрерывный ток стока: 49 А
• Rds On — сопротивление сток-исток: 17,5 мОм

Сравнить

Артикул: 00-774 Категории: Компоненты, МОП-транзисторы Теги: ¿Cuáles Son Los Síntomas de Vértigo, Применение IRFZ44N, Cara Kerja Irfz44n, Cara Ukur Irfz44n, DataShiet of Irfz44n, Equivle in virz4n, Irz4n, Irz44n, Irz44n, Irz44n, Irz44n, Equivalendencia, Irfz. irfz44n 5v gate, irfz44n alternative, irfz44n amazon, irfz44n amplifier, irfz44n amplifier circuit, irfz44n application, irfz44n arduino, irfz44n arduino pwm, irfz44n arduino switch, irfz44n as a switch, irfz44n audio amplifier circuit, irfz44n bağlantı şeması, irfz44n bd price, irfz44n berapa ampere, повышающий преобразователь irfz44n, понижающий преобразователь irfz44n, irfz44n купить, irfz44n купить онлайн, характеристики irfz44n, проверка irfz44n, принципиальная схема irfz44n, схемы irfz44n, irfz44n совместимый, irfz44n дополнительный, irfz44n дополнительный ток р-канала, irf4n, irfz444 соединение, irf4n, подключение irfz44n, перекрестная ссылка, irfz44n d2pak, irfz44n техническое описание, irfz44n техническое описание международный выпрямитель, irfz44n техническое описание распиновка, irfz44n dc motor driver, irfz44n description, irfz44n diagram, irfz44n digikey, irfz44n dimmer, irfz44n driver circuit, irfz44n eagle library, irfz44n ebay, irfz44n el component, irfz44n equivalent, irfz44n equivalent p channel, irfz44n es un mosfet, irfz44n esp8266, irfz44n especificaciones, irfz44n example, irfz44n fake, irfz44n fet, irfz44n fiyat, irfz44n flyback, irfz44n flyback driver, irfz44n footprint, irfz44n frequency, irfz44n fritzing, irfz44n function, irfz44n fungsi, irfz44n gate current, irfz44n gate drain source, irfz44n gate driver, irfz44n gate resistor , irfz44n напряжение затвора, irfz44n gds, irfz44n gme, irfz44n h мост, irfz44n harga, irfz44n радиатор, irfz44n вч усилитель, irfz44n hfe, irfz44n высокое напряжение, irfz44n горячий, irfz44n как тестировать, irfz44irn как использовать bd, индукционный нагреватель irfz44n, irfz44n infineon, международный выпрямитель irfz44n, инвертор irfz44n, схема инвертора irfz44n, irfz44n ior, irfz44n irfz44, irfz44n irfz44 техническое описание, irfz44n ir lz44n, irfz44n jak sprawdzić, irfz44n jaki zamiennik, irfz44n joule thief, irfz44n jual, irfz44n kaç amper, irfz44n kaufen, irfz44n kicad, irfz44n kullanımı, irfz44n là gì, irfz44n led, irfz44n led arduino, irfz44n led dimmer, irfz44n led driver, irfz44n led strip, irfz44n led strip arduino, irfz44n lemona, irfz44n logic level, irfz44n ltspice model, irfz44n max current, irfz44n max gate voltage, irfz44n mocniejszy zamiennik, irfz44n mosfet, irfz44n mosfet datasheet, irfz44n mosfet datasheet pdf, irfz44n mosfet equivalent, irfz44n mosfet схема инвертора, irfz44n mosfet jaycar, irfz44n мосфет распиновка, irfz44n мосфет цена, irfz44n мосфет цена в пакистане, irfz44n мосфет проекты, irfz44n мосфет youtube, irfz44n n, irfz44n n-channel mosfet, irfz44n powersheet44n mosfet n-channel mosfet, irfz44n n-mosfet, irfz44n nasıl kullanılır, irfz44n ne işe yarar, irfz44n nedir, irfz44n nodemcu, irfz44n npn, irfz44n npn pnp, irfz44n рабочее напряжение, irfz44n4 канал, irfz44n para que sirve, irfz44n pdf, irfz44n pdf datasheet, irfz44n распиновка, irfz44n power mosfet, irfz44n цена, irfz44n цена в бангладеш, irfz44n цена в индии, irfz44n цена в пакистане, irfzpipi, prasberryn fzque4es44n проекты, irfz4es44n irfz44n reemplazo, irfz44n regulator, irfz44n reichelt, irfz44n relay, irfz44n remplazo, irfz44n replacement, irfz44n rf amplifier, irfz44n schematic, irfz44n similar, irfz44n smd, irfz44n specification, irfz44n specs, irfz44n spice model, irfz44n substitute, irfz44n switch circuit, irfz44n switching частота, символ irfz44n, катушка тесла irfz44n, тестирование irfz44n, пороговое напряжение irfz44n, сенсорный переключатель irfz44n, транзистор irfz44n, таблица данных транзистора irfz44n pdf, эквивалент транзистора irfz44n, транзистор irfz44n n-канал, распиновка транзистора irfz44n, цена транзистора irfz44n, учебник irfz44z4 апгрейд, использование irfz44n, использование irfz44n, irfz44n usos, irfz44n vgs, регулятор напряжения irfz44n, схема регулятора напряжения irfz44n, irfz44n voltage regulator circuit diagram, irfz44n vs irf3205, irfz44n vs irf540n, irfz44n vs irfz44, irfz44n vs irfz44v, irfz44n vs irfz46n, irfz44n vs irlz44n, irfz44n wikipedia, irfz44n with arduino, irfz44n working, irfz44n xv, irfz44n yerine ne kullanılır, irfz44n youtube, irfz44n zamena, irfz44n zamiennik, irfz44n zastosowanie, irfz44n zvs driver, jenis irfz44n, kaki irfz44n, kegunaan irfz44n, mosfet irfz44n ebay, pin kaki irfz44n, price of irfz44n mosfet, transistor irfz44n que es, types of irfz44n, use of irfz44n, what is irfz44n

• Описание
• Перевозки
• Технические характеристики
• Отзывы (2)
• Информация о поставщике
• Больше продуктов
• Запрос продукта

546 Просмотров

Усовершенствованный полевой МОП-транзистор IRFZ44n от International Rectifier использует передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях. Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

Спецификация:

Разработанные для низковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений в источниках питания, преобразователях и устройствах управления силовыми двигателями, эти устройства особенно хорошо подходят для мостовых схем, где скорость диода и безопасные рабочие области коммутации имеют решающее значение и обеспечивают дополнительный запас прочности. от неожиданных скачков напряжения.

Сепараторы

• VDSS = 55В
• ID = 49А
• Передовые технологические процессы
• Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии
• Динамический рейтинг dv/dt
• Рабочая температура 175°C
• Быстрое переключение
• Полностью лавинный рейтинг
• Тип: Полевой транзистор
• Фирменное наименование: International Rectifier
• Тип упаковки: сквозное отверстие
• Номер модели: IRFZ44NPBF
• TO-220AB: MOSFET N-канальный, оксид металла
• 55 В 49 А: полевые транзисторы – одинарные
• Тип МОП-транзистора: N-канальный
• Номинальный ток: 49 А
• Rds (вкл. ): 17,5 мОм
• Номинальное напряжение: 55 В

МОП-транзистор высокой мощности для переключения питания

VDSS = 60 В

RDS(on) = 0,024

ID = 50 А

0

Дополнительная информация

Вес	0,25 кг

Средняя оценка

5.00

Оценка 5.00 из 5 на основе 2 оценок клиентов

02

( 2 отзыва )

5 Star

100%

4 Star

0%

3 Star

0%

2 Star

0%

1 Star

0%

Информация о поставщике

0%

.

Продан: Паклак

150,00 ₨ 220,00 ₨

Продан: Паклак

150,00 фунтов стерлингов 220,00 фунтов стерлингов

Запрос продукта

Ваши личные данные будут использоваться для поддержки вашего опыта на этом веб-сайте, для управления доступом к вашей учетной записи и для других целей, описанных в нашей политике конфиденциальности

Чтение кривых MOSFET — Блог — WorkBench Wednesdays

Когда вам нужно выбрать режим расширения N-Channel MOSFET, какие характеристики вы бы рассмотрели?

 

Ключевые параметры MOSFET

При проектировании MOSFET в качестве переключателя люди обычно оценивают два параметра:

1. Vgs-threshold . Падение напряжения от затвора к истоку, которое управляет каналом между стоком и истоком полевого МОП-транзистора.
2. РДС-ОН . Величина сопротивления между стоком и истоком, когда МОП-транзистор активен.

 

Знание порогового значения Vgs имеет решающее значение, поскольку многие мощные МОП-транзисторы имеют напряжение Vgs в диапазоне от 10 до 15 вольт. Такой высокий порог означает, что вам нужна схема драйвера при использовании встроенных контроллеров 3v3 или 5 вольт, таких как Arduino, Raspberry Pi или Beaglebone. Вместо драйвера можно попробовать найти МОП-транзистор с более низким порогом напряжения. Иногда производители называют эти транзисторы полевыми МОП-транзисторами «логического уровня». Примером является IRFZ44N.

 

Рис. 2. Пороговый диапазон Vgs для IRFZ44N

 

На Рис. 2 показан Vgs-th для IRFZ44N. Обратите внимание, как это диапазон от 2,0 до 4,0 вольт. Не совершайте ошибку, которую предварительно лысый инженер совершил много лет назад. Это значение не является рабочим диапазоном для Vgs . Этот диапазон говорит вам, что все, что выше 4,0 вольт, гарантирует, что МОП-транзистор включен, а все, что ниже 2,0, гарантирует, что МОП-транзистор выключен. Промежуточное напряжение может включать или не включать полевой МОП-транзистор. Но. Это еще не все, что можно объяснить пороговым напряжением.

 

Примечание. Многие люди, в том числе опытные инженеры, делают ошибку, глядя на таблицу «Абсолютные максимальные рейтинги». Обычно он идет первым и выглядит аналогично таблице электрических характеристик. Значения в таблице абсолютных максимальных значений указывают условия, которые могут (и вызывают) повреждение компонента. Не работайте при этих значениях и не превышайте их!

 

Другим важным параметром является сопротивление между стоком и истоком, или Rds-ON. Как и любое сопротивление, ток через него генерирует тепло и падение напряжения. Если тепла достаточно, может потребоваться радиатор. Не упускайте из виду падение напряжения на стоке и истоке, Vds, из-за сопротивления.

 

Таким образом, при использовании полевого МОП-транзистора в качестве переключателя его следует моделировать как резистор при включении, а не как короткое замыкание. Но какое сопротивление?

 

Рис. 3. Заголовок спецификации IRFZ44N, показывающий (минимум) Rds-ON

 

На первой странице спецификации IRFZ44N указано, что сопротивление Rds-ON составляет 17,5 мОм. Что ж, это было легко! Или это было? Во-первых, позвольте мне обратиться к крошечной сумме. Кто-то однажды спросил меня: «Разве 17,5 мОм — это практически 0 Ом?» Ну нет. Нет. Не только это, но и сопротивление от стока к истоку зависит от различных условий! В том числе приложенное напряжение от затвора к истоку (Vgs).

 

Итак, Vgs и Rds-ON имеют существенную взаимосвязь. (Позже вы увидите, что ток через сток тоже имеет значение.) Плохая новость заключается в том, что, как и в большинстве вещей в технике; это не простые отношения. Нужны графики, чтобы объяснить, что происходит, и увлеченный дизайнер, чтобы правильно их интерпретировать.

 

Хорошей новостью является то, что вам нужно просмотреть только два графика. (И я бы поспорил только с одним из них.)

 

Графики MOSFET: где Rds-On?

В таблице данных найдите график под названием «Характеристики передачи» и график под названием «Характеристики вывода». График выходных характеристик также можно назвать «по области». Ни на одном из этих графиков нет оси для Rds-ON. На самом деле, в большинстве спецификаций MOSFET этого нет. Впрочем, ничего страшного, между выходной и передаточной характеристиками есть информация о сопротивлении.

 

Передаточные характеристики

 

По сравнению с другими данными в техническом описании график передаточных характеристик легко читается. Он содержит ток стока при подаче определенного напряжения на затвор. Обратите внимание, что этот график начинается с 4,0 вольт, что является максимальным значением, указанным в таблице электрических характеристик. 9Рис. 4. Передаточные характеристики Если бы я управлял IRFZ44 от 3,3-вольтового микроконтроллера, а моя нагрузка требовала не менее 10 ампер, я бы использовал драйвер для увеличения напряжения затвора. В то время как 4 вольт достаточно, чтобы включить этот конкретный МОП-транзистор, его сопротивление во включенном состоянии будет (относительно) высоким.

 

Выходные (региональные) характеристики

График выходных характеристик выглядит загруженным. Но в нем содержится масса полезной информации. Он показывает падение напряжения на Vds в зависимости от величины тока, проходящего через сток, который также зависит от напряжения Vgs. Есть дополнительная деталь.

Рис. 5. Выходные характеристики

 

Оранжевая часть графика показывает линейную рабочую область. Показанные условия являются идеальной «областью» для работы MOSFET при использовании в качестве переключателя.

 

R d s O N = V d s I d =400 m V 6 A =66. 67 m O h m

Вы можете использовать закон Ома, чтобы найти сопротивление при известном напряжении и известном токе. Поскольку этот график показывает напряжение сток-исток (Vds) при определенном токе стока (Id), он содержит сопротивление в открытом состоянии (Rds-ON). Синяя линия показывает 4,5 В, Rds-ON для MOSFET будет 66 мОм.

 

Измерение выходных характеристик

Вы могли заметить, что в описании большинства этих измерений используется слово «типичный». Это слово имеет большое значение. Это означает, что отдельные транзисторы работают по-разному. Чтобы получить кривые МОП-транзистора конкретного транзистора, вам необходимо его измерить.

 

Как? Ну, с чем-то, что называется кривая трассировки. Это устройство является испытательным оборудованием, которое показывает рабочие характеристики в различных условиях. Например, они подают напряжение на затвор полевого МОП-транзистора, измеряя ток через его сток. Скольжение по диапазону напряжений создает достаточно точек данных для построения или отслеживания графиков.

 

Оборудование, используемое для рисования диаграмм, содержащихся в технических описаниях компонентов, довольно дорогое. Однако существует недорогой инструмент, который может обеспечить практически те же функции, хотя и с некоторыми ограничениями.

 

 

Недавно сообщество element14 прислало мне DCA Pro от PEAK Electronics. Это полупроводниковый анализатор. (Ранее я писал о ESR70, который измеряет емкость и ESR.) Это небольшое портативное устройство стоит около 150 долларов США. Для широкого спектра полупроводников он может определять распиновку, измерять ключевые характеристики и строить кривые параметров. Он работает с дидо, стабилитронами, светодиодами, BJT, MOSFET, IGBT, JFET, SCR, симисторами и ДАЖЕ регуляторами напряжения. (Правда!)

 

Определение распиновки и тестирование компонентов — это основная причина для приобретения DCA Pro. Есть небольшая проблема с трассировкой кривой. Посмотрите на рис. 6, на котором сравниваются графики выходных характеристик из таблицы данных и DCA pro. Обратите внимание, как сильно отличаются их формы. Оба графика имеют одинаковые названия осей, и оба имеют несколько линий Vgs. Однако это единственное сходство. Но почему?

 

Рис. 6. Сравнение выходных характеристик

 

Причина в ограниченном токе DCA Pro. Он может пропускать через сток только несколько миллиампер, до 10-12 мА. Объединим этот факт с тремя пунктами из этого поста:

1. На этом графике показано падение напряжения от стока к истоку.
2. Напряжение Vgs устанавливает сопротивление между стоком и истоком.
3. МОП-транзисторы подчиняются закону Ома при работе в своей линейной области.

 

Поскольку наш анализатор полупроводников может выдавать ток только 10 мА, измеренное значение Vds значительно ограничено. В случае этого IRFZ44 мы сравниваем ток стока в миллиамперах с амперами. Таким образом, отображаемые данные верны, но кажутся ошибочными. (Кроме того, в техническом описании используется логарифмическая шкала, в то время как программное обеспечение DCA Pro использует линейную шкалу.) Означает ли это сравнение, что DCA Pro бесполезен для измерения силовых полупроводников? Нет, совсем нет. Мне очень нравится DCA Pro, и я думаю, что он стоит своей цены. Только не ожидайте, что он заменит криволинейный анализатор за 10 000 долларов.

Подробнее о DCA Pro

Если вам интересно узнать больше об устройстве, посмотрите мой полный видеообзор. В видео я сравниваю, как он работает с различными полупроводниками. Я был рад видеть, что он может правильно идентифицировать такие компоненты, как N-Channel Depletion Mode MOSFET. Вы также можете увидеть программное обеспечение DCA Pro в действии. В сообщении Workbench в среду у меня есть zip-файл с примерами данных из компонентов, которые я измерил, которые вы можете использовать в программном обеспечении PEAK.

 

 

Заключение

В качестве автономного устройства DCA Pro уже фантастичен. Как индикатор кривой, он лучше подходит для маломощных устройств, таких как диоды. Однако даже для транзисторов с большим током это все же может намекнуть на производительность транзистора. С разверткой на рис. 7 посмотрите, как этот транзистор соответствует минимальным и максимальным пороговым значениям Vgs из таблицы данных. Прямо при 3,00 вольт Vgs достаточно высок, чтобы едва включить MOSFET. При 2,75 и ниже полевой МОП-транзистор полностью выключен. При 3,175В и выше включается. Так же, как написано в техпаспорте. Довольно круто, да?

Рис. 7. DCA Pro находит пороговое значение Vgs

 

МОП-транзисторы представляют собой сложное устройство. Используя эту информацию, вы сможете взглянуть на пару графиков и таблиц в MOSFET, чтобы понять, как с ними работать. В случаях, когда этого недостаточно, какие еще части таблицы данных вам нужна помощь в чтении? Позвольте мне знать в комментариях ниже.

Как выбрать транзистор для коммутации больших MOSFET

Задан вопрос 7 лет, 3 месяца назад

Изменено 7 лет, 3 месяца назад

Просмотрено 4k раз

\$\начало группы\$

Продолжая мой последний вопрос: Выбор полевого МОП-транзистора для светодиодной ленты 12 В и логики 3,3 В Я решил использовать IRFZ44N (несмотря на то, что он не идеален для работы), потому что это самый дешевый вариант, и теперь мне нужен второй транзистор, который позволит мне переключать полевой МОП-транзистор. Идея заключается в следующем: Поскольку в проекте уже есть линия на 12 В для светодиодных лент RGB, я хочу использовать еще один транзистор перед MOSFET, чтобы поднять напряжение затвора до 12 В, что позволит использовать IRFZ44N в моем проекте.

Я знаю, что мне нужен небольшой транзистор (ничего мощного), так как все, что он будет делать, это переключать затвор MOSFET на 12 В, который, насколько я понимаю, не потребляет много тока. Я хочу, чтобы он был быстропереключающимся, чтобы он не мешал ШИМ. Просматривая местного поставщика, я обнаружил, что могу получить BS170 за 10 центов. Интересно, подходит ли этот транзистор для переключения IRFZ44N при напряжении коллектора 12 В? Полный план повторяется еще раз:

• подключите BS170 к микроконтроллеру (3,3 В на затворе), блоку питания (12 В на коллекторе) и IRFZ44N (эмиттер BS170 к затвору IRFZ44N)

• провод IRFZ44N (12 В на коллекторе, светодиодная лента на эмиттере)

нужны ли для этого другие компоненты? Транзистор подойдет? Мне кажется, что в основном любой транзистор будет работать, если он определенно проводит ток при 3,3 В и может выдерживать 12 Вольт.

В чем я действительно не уверен, так это в силе тока. Как рассчитать, какой ток будет потреблять МОП-транзистор? BS170 не может выдерживать ток > 0,1 А в соответствии с техническими данными (раздел «Переходные характеристики» для Fairchild BS170.

Спасибо, что прочитали этот — возможно, слишком простой — вопрос.

• транзисторы
• МОП-транзисторы
• переключатели

\$\конечная группа\$

5

\$\начало группы\$

Один транзистор не обеспечит интерфейс с вашим полевым транзистором И сделает это без инверсии. Однако вы можете выполнить эту работу с двумя транзисторами.

^{имитация этой схемы – Схема создана с помощью CircuitLab}

Это обеспечит достойный привод для вашего полевого транзистора с добавлением примерно 1 мкс к времени включения. То есть, если вы подадите импульс длительностью 10 мкс, полевой транзистор будет включен примерно на 11 мкс.

Также обратите внимание, что R5 должен быть резистором мощностью 1 Вт.

РЕДАКТИРОВАТЬ —

Оказывается, я использовал неправильную модель полевого транзистора, и мое значение емкости затвора было слишком низким. Для «настоящего» IRFZ44 добавленная ширина импульса составляет около 3 мкс, а не 1. Проблема в том, что, когда вы собираетесь выключить полевой транзистор, заряд, хранящийся в затворе, может разрядиться только через R5, а постоянная времени равна в диапазоне 3 мкс. Можно, конечно, уменьшить R5, но тогда мощность, рассеиваемая им при включении нагрузки, возрастет. Вы можете получить задержку в 2 мкс, а не в 3, уменьшив R5 до 100 Ом, но тогда вам понадобится резистор на 2 Вт. Если вам нужны очень узкие циклы ШИМ (низкий эффективный ток двигателя), вам, вероятно, лучше использовать более сложный драйвер. Лично я предпочитаю Maxim MAX4426/4427 (менее 4 долларов за штуку, с 2 каналами на микросхему), но это просто привычка.

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

На самом деле я работаю над проектом со светодиодной лентой RGB, для которой требуется 12 В. Я использую 2N2222A (NPN BJT). MOSFET не будет потреблять ток на GATE, но BJT будет потреблять небольшой ток через свою базу. Они супер дешевые и супер простые. Я взял это из Интернета, но это аналогичная установка:

Поскольку светодиоды управляются током, это хороший пример «включения» тока. Если напряжение на базе (которое называется затвором для полевых МОП-транзисторов) высокое, то будет течь ток. Если напряжение на базе низкое, ток не будет течь, биполярный транзистор будет действовать как разомкнутая цепь. Имейте в виду, что у вас все еще может быть 12 В на вашем светодиоде, но поскольку BJT открыт, он НЕ пропускает ток, поэтому светодиод не загорается.

Также имейте в виду, что поскольку вы используете светодиод RGB, вам потребуется 3 BJT для каждой светодиодной ленты. Хорошо, что 2N2222A довольно дешевы!

Надеюсь, это поможет. Пожалуйста, дай мне знать, если возникнут какие-либо вопросы. В данный момент я занимаюсь похожим проектом, поэтому у меня могут быть некоторые ответы или советы относительно того, почему я принял определенные дизайнерские решения. Удачи!

Джош

P. S. Использование переключающего транзистора для переключения переключающего транзистора кажется немного излишним. Настройка должна быть немного сложной, потому что MOSFET не будет управлять током, а только напряжением. Если можете, постарайтесь этого избежать.

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

Это не сработает так, как вы хотите. Начнем с того, что BS170 представляет собой полевой МОП-транзистор с каналом N и не имеет ни коллектора, ни эмиттера. Во-вторых, вы пытаетесь описать, что он подключен как истоковый повторитель — это вообще не усилит напряжение привода затвора. На самом деле, вероятно, вы получите меньшее напряжение управления затвором на IRFZ44.

Вы можете подключить BS170 истоком к 0 В, а стоком к затвору IRFZ44. Вам также понадобится подтягивающий резистор от стока к 12 В. Действие будет инвертировано, т.