Что такое варакторный диод и как он работает. Какие у него основные характеристики. Где применяются варакторные диоды. Каковы преимущества использования варакторных диодов. Как проверить исправность варакторного диода.
Что такое варакторный диод и принцип его работы
Варакторный диод (также известный как варикап) — это полупроводниковый диод, емкость которого зависит от приложенного обратного напряжения. Принцип работы варакторного диода основан на изменении ширины обедненной области p-n-перехода при изменении обратного напряжения.
При увеличении обратного напряжения ширина обедненной области увеличивается, что приводит к уменьшению емкости диода. И наоборот, при уменьшении обратного напряжения емкость диода возрастает. Таким образом, варакторный диод ведет себя как конденсатор переменной емкости, управляемый напряжением.
Основные характеристики варакторных диодов
Ключевыми характеристиками варакторных диодов являются:
- Диапазон изменения емкости (обычно от единиц до сотен пикофарад)
- Коэффициент перекрытия по емкости (отношение максимальной емкости к минимальной)
- Добротность
- Максимальное допустимое обратное напряжение
- Температурный коэффициент емкости
Типичная зависимость емкости варакторного диода от приложенного обратного напряжения имеет вид:
Области применения варакторных диодов
Благодаря своим уникальным свойствам варакторные диоды нашли широкое применение в различных областях электроники и радиотехники:
1. Системы автоматической подстройки частоты
Варакторные диоды используются для автоматической подстройки частоты генераторов и фильтров в различных радиоэлектронных устройствах. Изменяя напряжение на варакторе, можно корректировать частоту генерации или полосу пропускания фильтра.
2. Параметрические усилители
В параметрических усилителях варакторные диоды применяются в качестве нелинейных элементов для усиления сигналов с очень низким уровнем собственных шумов.
3. Умножители частоты
Нелинейные свойства варакторных диодов позволяют использовать их для умножения частоты сигналов в СВЧ диапазоне.4. Системы фазовой автоподстройки частоты
В системах ФАПЧ варакторные диоды служат для управления частотой генератора, управляемого напряжением (ГУН).
5. Перестраиваемые фильтры
Варакторные диоды применяются для создания перестраиваемых полосовых и режекторных фильтров в различных радиотехнических устройствах.
Преимущества использования варакторных диодов
Основными преимуществами применения варакторных диодов являются:
- Возможность электронной перестройки частоты без использования механических элементов
- Высокое быстродействие
- Малые габариты и вес
- Низкий уровень собственных шумов
- Высокая надежность и длительный срок службы
Проверка исправности варакторного диода
Для проверки работоспособности варакторного диода можно использовать следующие методы:
- Измерение вольт-фарадной характеристики с помощью специализированного измерителя емкости
- Проверка изменения емкости при изменении обратного напряжения с помощью простого LC-генератора
- Измерение сопротивления диода в прямом и обратном направлении с помощью омметра
При измерении омметром исправный варакторный диод должен показывать высокое сопротивление в обратном направлении и низкое — в прямом. Отношение обратного сопротивления к прямому обычно составляет 10:1 и более.
Типы варакторных диодов
Существует несколько основных типов варакторных диодов, различающихся по конструкции и характеристикам:
- Абруптные варакторы — с резким p-n переходом
- Гиперабруптные варакторы — с очень резким переходом для получения большего диапазона перестройки
- Варакторы с плавным переходом
- МОП-варакторы — на основе структуры металл-оксид-полупроводник
Выбор конкретного типа варактора зависит от требований к диапазону перестройки, линейности, добротности и других параметров в конкретном применении.
Особенности применения варакторных диодов
При использовании варакторных диодов в электронных схемах следует учитывать ряд важных моментов:
- Необходимость подачи постоянного обратного напряжения смещения
- Ограничение амплитуды переменного сигнала во избежание открывания диода
- Температурную зависимость емкости
- Паразитные индуктивности и емкости корпуса
- Нелинейность вольт-фарадной характеристики
Правильный учет этих факторов позволяет максимально эффективно использовать уникальные свойства варакторных диодов в различных радиоэлектронных устройствах.
Varactor Diode:Working Principle,5 Important Applications —
By Сумали Бхаттачарья
СОДЕРЖАНИЕ
- Что такое варакторный диод?
- Определение варакторного диода
- Принцип работы варакторного диода
- Символ варакторного диода
- IV характеристика переменного диода
- Структура варакторного диода
- Омические потери в регулируемом диоде
- Преимущества варакторного диода
- Важные применения переменного диода
Символ варакторного диода:Символ варакторного диодаКак работает варакторный диод?Принцип работы варакторного диода:«Термин варактор — это сокращенная форма переменного реактора, который относится к переменной емкости pn-перехода с обратным смещением».
Варакторный диод также известен как диод переменного тока, диод верикапа, настроечный диод, диод переменного реактивного сопротивления или диод переменной емкости.
В этот момент на емкость перехода влияют инициированное напряжение и конструктивный параметр перехода. В качестве емкости можно использовать переход с постоянным обратным смещением. Обычно переменный диод предназначен для использования характеристик емкости перехода, изменяющихся по напряжению. Например, варактор может быть использован на этапе настройки радиоприемника в дополнение к большой переменной пластине. конденсатор. Измерение полученной схемы может быть уменьшено, а ее надежность повышена. Все виды использования варакторного диода включают в себя генерацию гармоник, усиление микроволновой частоты и активный фильтровать приложения. В резком PN-переходе емкость изменяется при обратном смещении. Vrквадратный корень.
В градиентном переходе емкость можно записать как
Cjα Vr-n для условия Vr >> V0
В соединении с линейной категорией показатель n всегда равен одной трети.
Вот почему варакторные диоды изготавливаются «методом эпитаксиального роста» или «методом ионной имплантации». Эпитаксиальный слой может быть разработан для получения переходов, для которых показатель степени n более значим, чем половина. Такие соединения называются гипер крутые переходы.
Выше были объяснены три различных профиля легирования, где переход обесценивается как p + -n, так что ширина W обедненного слоя первоначально расширяется в сторону n.
Мы можем заметить, что показатель n равен 1 / (м + 2) для p + -n перехода.
Гипер крутой переход16 с m = -3/2 особенно интересен для конкретных применений варакторов в этом случае, n = 2, а емкость эквивалентна Vr-2. Если конденсатор подключен к катушке индуктивности L в резонансном контуре, резонансная частота изменяется линейно в зависимости от приложенного напряжения диода.
По причине большой изменчивости Cj против Vr Благодаря выбору профилей легирования, регулируемые диоды можно использовать в различных областях. В одном из этих случаев варакторы могут быть спроектированы для использования емкости накопления заряда прямого смещения для высокочастотных приложений.
Омическая потеря варакторного диода:При выводе уравнения для диода мы предполагали, что напряжение устройства появляется исключительно на переходе. Для большинства этих диодов падение напряжения в нейтральных областях пренебрежимо малы, а потребность в легировании сравнительно выше.
Удельное сопротивление каждой нейтральной области мало, а характерная площадь диода больше по сравнению с длиной.
Иногда омические потери в диоде объясняют включением простого сопротивления последовательно с переходом. Эффекты падения напряжения за пределами области развития важны, потому что падение напряжения зависит от тока, что объясняется напряжением на переходе. Например, если мы выразим последовательное сопротивление ап- и п округов как Rp и Rn, соответственно, напряжение перехода V равно
В = Вa — Я [Rp(И) + Рn(Я)]
где Va напряжение, приложенное к устройству извне. В области сопротивления наблюдается возрастающее падение напряжения. Rp и Rn соответственно, когда ток становится выше, а напряжение перехода V уменьшается. Дополнительное усложнение расчета потерь может возникнуть, если проводимость в нейтральной области была увеличена за счет кумулятивной инжекции носителей.
Однако при высоких уровнях закачки с закачиваемыми избыточными носителями перегиб проводимости может снизить Rp и Rn значительно. В правильно сконструированных устройствах часто удается избежать омических потерь. По этой причине отклонения тока в целом производят впечатление только для очень высоких токов, работающих за пределами обычного диапазона.
Прямые и обратные вольт-амперные характеристики pn-перехода в полулогарифмическом масштабе были объяснены выше. Мы наблюдаем прямую линию на полулогарифмическом графике для идеального диода с прямым смещением, соответствующую экспоненциальной зависимости тока от напряжения. Учитывая свойства второго порядка, мы реализуем разные режимы работы. Повышенный ток генерации-рекомбинации направляется на другой выделенный диод с «фактором идеальности» (n = 2).
Для нейтральных токов мы получаем отличный инжекционный ток низкого уровня и ток, ограниченный диффузией (n = 1). При большем токе мы можем получить более высокий уровень инжекции и n = 2, в то время как при еще больших токах инициируются омические капли и области с нейтральным пространственным зарядом становятся критическими.
При обратном смещении наблюдается постоянный обратный ток насыщения, при этом ток не зависит от изменения напряжения. Однако по сути мы получаем повышенный ток утечки, зависящий от напряжения. В лавина or Стабилитроны эффекты вызвать поломку при достаточно высоком обратном смещении.
Преимущества использования варакторного диода:Поскольку варакторный диод имеет низкий уровень шума по сравнению с диодом с pn переходом, в этом диоде меньше потерь мощности. переменные диоды легкие и легко переносимые благодаря небольшому размеру.
Применение варакторного диода:- переменные диоды используются в резервуаре переменного сопротивления, который обычно представляет собой LC-цепь.
- регулируемый диод может использоваться как частотный модулятор.
- Он используется в качестве фазовращателя RF.
- используются переменные диоды микроволновая печь приемником.
Дополнительные статьи по электронике нажмите здесь.
Варакторный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Cтраница 1
| Монтаж гетеродина приемного тракта и диодного смесителя. [1] |
Варакторный диод
Рассмотрим для примера варакторный диод. Выбор оптимальных значений параметров структуры может быть проведен следующим образом. [3]
Сравнительные данные уровня шумов различных приемников как функция частоты ( из М. И. Школьника. Введение в радиолокационные системы, Мак-Гроу — Хилл Бук Компании, Нью-Йорк, 1962.| Функциональная схема лампы Адлера, на которой.
[4] |
Наиболее часто встречающийся параметрический усилитель использует варакторный диод, на переход которого подается напряжение обратного смещения. Эти диоды можно приближенно сравнить с конденсатором с параллельными пластинами, расстояние между которыми является функцией приложенного напряжения. Варакторный диод может использоваться в ряде различных схем с целью получения параметрического усиления. Простейшей схемой является усилитель с одним входом и циркулятором для разделения входа и выхода. Входное сопротивление этого усилителя отрицательное и, следовательно, основной проблемой является проблема поддержания стабильного усиления. Дополнительная проблема, которая возникает из-за наличия отрицательного сопротивления — узкая полоса пропускания ( несколько процентов), которая может быть при этом достигнута.
Приведены результаты экспериментального исследования избыточных шумов варакторных диодов в поле большого СВЧ сигнала. Показано, что на величину измеряемых шумов большое влияние оказывают параметрические явления. Найдены условия, при которых параметрические явления сводятся к минимуму. Определена величина, характер зависимости от тока и частоты избыточного шума в отсутствие параметрических эффектов. Сравнены экспериментальные характеристики избыточного шума с расчетными. [6]
В работе приведены новые результаты изучения динамических — параметров варакторных диодов разных типов, используемых в параметрических усилителях СВЧ.
| Схема для генерации гребенчатого спектра гармоник частоты i /, в которой фазовые изменения в генераторе гармоник компенсируются включением его в цепь фазовой автоподстройки. Фильтр пропускает две гармоники, которые суммируются на смесительном диоде, давая сигнал с частотой v. [8] |
Такую гребенку можно получить, подавая ее основную частоту на варакторный диод, но напряжение, при котором варактор переходит в проводящее состояние, изменяется в зависимости от температуры. Соответственно изменяется фазовый угол опорного сигнала, при котором на каждом периоде включается варактор. Это приводит к изменению фаз генерируемых гармоник. В схеме на рис. 7.9 эффект этих изменений устраняется. Опорный сигнал основной частоты v не подается непосредственно на генератор гармоник, а используется для захвата фазы управляемого генератора, работающего на той же частоте; он, в свою очередь, питает генератор гармоник.
Для перехода к более высоким частотам в диапазоне СВЧ применяют умножители частоты на варакторных диодах и диодах с накоплением заряда. Коэффициент преобразования в варакторных умножителях частоты достигает 40 % при выходных частотах миллиметрового диапазона и рассеиваемой мощности в сотни милливатт. [10]
| Структурная схема приемопередающей аппаратуры с раз-деленвыми гетеродинами.| Упрощенная структурна схема гетеродина с ФАПЧ. [11] |
Для получения гетеродинного сигнала используются кварцевый генератор ГКв и цепочка умножителей, работающая на варакторных диодах.
[12]
| График зависимости емкости полупроводникового диода от напряжения смещения ( а и эквивалентная схема полупроводникового диода ( б.| Эквивалентные схемы параметрических усилителей. [13] |
Важной характеристикой диодов, предназначенных для использования в ПУ ( такие диоды часто называют варактора-ми или варакторными диодами), является добротность С. [14]
| Блок-схема эталона частоты. [15] |
Страницы: 1 2
Варактор – Специальные устройства – Твердотельные устройства
СПЕЦИАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА
ВАРАКТОР или варикап, как показано на схеме ниже, представляет собой диод, который ведет себя как переменный конденсатор, а PN-переход работает как диэлектрик и пластины обычного конденсатора. Понимание того, как работает варактор, является важной предпосылкой для понимания полевых транзисторов, которые будут рассмотрены позже.
На рисунке ниже показан PN-переход. Вокруг соединения материалов P и N находится узкая область, в которой отсутствуют как положительно, так и отрицательно заряженные носители тока. Эта область называется областью истощения.
Размер области обеднения варакторного диода напрямую связан со смещением. Прямое смещение уменьшает область за счет отталкивания носителей тока к PN-переходу. Если приложенное напряжение достаточно велико (около 0,5 вольт для кремниевого материала), отрицательные частицы пересекают соединение и соединяются с положительными частицами, как показано на рисунке выше. Это прямое смещение вызывает уменьшение области истощения, создавая низкое сопротивление в PN-переходе и большой ток, протекающий через него. Это условие для диода с прямым смещением. С другой стороны, если к PN-переходу приложено напряжение обратного смещения, размер его обедненной области увеличивается по мере того, как заряженные частицы с обеих сторон удаляются от перехода. Это условие, показанное на рисунке ниже, создает высокое сопротивление между клеммами и пропускает небольшой ток (только в диапазоне микроампер).
Это условие работы варакторного диода, который представляет собой не что иное, как специальный PN-переход.
Как видно из рисунка, изоляционный зазор, образованный обратным смещением варактора, сравним со слоем диэлектрического материала между пластинами обычного конденсатора. Кроме того, формула, используемая для расчета емкости
С = А К / д
Где:
A = площадь пластины
K = постоянное значение
d = расстояние между пластинами
может применяться как к варактору, так и к конденсатору. В этом случае размер изоляционного зазора варактора или области обеднения заменяется расстоянием между пластинами конденсатора. Изменяя напряжение обратного смещения, подаваемое на варактор, можно изменять ширину «зазора». Увеличение обратного смещения увеличивает ширину зазора (d), что уменьшает емкость (C) PN-перехода. Следовательно, емкость варактора обратно пропорциональна приложенному обратному смещению.
Отношение емкости варактора к изменению напряжения обратного смещения может достигать 10:1.
На рисунке ниже показан пример отношения напряжения к емкости. Вид А показывает, что обратное смещение 3 вольта создает емкость варактора 20 пикофарад. Если обратное смещение увеличить до 6 вольт, как показано на рисунке B, область истощения расширится, и емкость упадет до 5 пикофарад. Каждое увеличение напряжения смещения на 1 вольт вызывает уменьшение емкости варактора на 5 пикофарад; таким образом, отношение изменений составляет 5 к 1. Конечно, любое уменьшение приложенного напряжения смещения вызовет пропорциональное увеличение емкости по мере сужения области истощения. Обратите внимание, что значение емкости невелико в диапазоне пикофарад.
Как правило, варакторы используются для замены настройки переменного конденсатора старого типа. Они используются в тюнинге.
цепях более сложной аппаратуры связи и в других цепях, где требуется переменная емкость. Одним из преимуществ варактора является то, что он позволяет использовать постоянное напряжение для настройки схемы для простого дистанционного управления или функций автоматической настройки.
Одним из таких применений варактора является конденсатор с регулируемой настройкой в цепи резервуара приемника или передатчика, как показано на рисунке ниже.
На рисунке показано постоянное напряжение, ощущаемое на движке потенциометра Rl, которое можно регулировать в диапазоне от +V до -V. Постоянное напряжение, прошедшее через малое сопротивление радиочастотного дросселя L2, воздействует на варикап обратного смещения С3. Емкость C3 включена последовательно с C2, а эквивалентная емкость C2 и C3 подключена параллельно с емкостной цепью L1-C1. Следовательно, любое изменение постоянного напряжения на резисторе Rl изменит как емкость C3, так и резонансную частоту колебательного контура. Радиочастотный дроссель обеспечивает высокое индуктивное сопротивление на частоте бака для предотвращения загрузки бака на R1. C2 блокирует постоянный ток от бака, а также фиксирует диапазон настройки C3.
Омметр можно использовать для проверки варакторного диода в цепи. Высокое сопротивление обратного смещения и низкое сопротивление прямого смещения с соотношением сопротивления обратного смещения к сопротивлению прямого смещения 10:1 считается нормальным.
Поставщики беспроводных радиочастот и ресурсы
Веб-сайт RF Wireless World является домом поставщиков и ресурсов RF и Wireless. На сайте представлены статьи, учебные пособия, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тесты и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.
Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, оптоволокно, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP. Он также имеет академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и дисциплинам MBA.
Статьи о системах на основе IoT
Система обнаружения падений для пожилых людей на основе IoT : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей.
В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падения IoT.
Подробнее➤
См. также другие статьи о системах на основе IoT:
• Система очистки туалетов AirCraft.
• Система измерения удара при столкновении
• Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей
• Система помощи водителю
• Система умной розничной торговли
• Система мониторинга качества воды
• Система интеллектуальной сети
• Умная система освещения на основе Zigbee
• Умная система парковки на базе Zigbee
• Умная система парковки на базе LoRaWAN.
Радиочастотные беспроводные изделия
Этот раздел статей охватывает статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE/3GPP и т. д. , стандарты.
Он также охватывает статьи, связанные с испытаниями и измерениями, посвященные испытаниям на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF/PHY.
СМ. УКАЗАТЕЛЬ СТАТЕЙ >>.
Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH была рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Подробнее➤
Основные сведения о повторителях и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов повторителей, используемых в беспроводных технологиях. Подробнее➤
Основы и типы замираний : В этой статье рассматриваются мелкомасштабные замирания, крупномасштабные замирания, медленные замирания, быстрые замирания и т. д., используемые в беспроводной связи. Подробнее➤
Архитектура сотового телефона 5G : в этой статье рассматривается блок-схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G. Архитектура сотового телефона. Подробнее➤
Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи по соседнему каналу, помехи в одном канале,
Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т.
д.
Подробнее➤
5G NR Раздел
В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (новое радио), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. д.
5G NR Краткий справочный указатель >>
• Мини-слот 5G NR
• Часть полосы пропускания 5G NR
• БАЗОВЫЙ НАБОР 5G NR
• Форматы 5G NR DCI
• 5G NR UCI
• Форматы слотов 5G NR
• IE 5G NR RRC
• 5G NR SSB, SS, PBCH
• 5G NR PRACH
• 5G NR PDCCH
• 5G NR PUCCH
• Опорные сигналы 5G NR
• 5G NR m-Sequence
• Золотая последовательность 5G NR
• 5G NR Zadoff Chu Sequence
• Физический уровень 5G NR
• MAC-уровень 5G NR
• Уровень 5G NR RLC
• Уровень PDCP 5G NR
Руководства по беспроводным технологиям
В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводным сетям. Он охватывает учебные пособия по таким темам, как
сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS,
GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, беспроводная сеть, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т.
д.
См. ИНДЕКС УЧЕБНЫХ ПОСОБИЙ >>
Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы, посвященные технологии 5G:
Учебник по основам 5G
Диапазоны частот
учебник по миллиметровым волнам
Рамка волны 5G мм
Зондирование канала миллиметровых волн 5G
4G против 5G
Испытательное оборудование 5G
Архитектура сети 5G
Сетевые интерфейсы 5G NR
звучание канала
Типы каналов
5G FDD против TDD
Нарезка сети 5G NR
Что такое 5G NR
Режимы развертывания 5G NR
Что такое 5G ТФ
В этом учебном пособии GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения,
Типы пакетов GSM, структура кадров GSM или иерархия кадров, логические каналы, физические каналы,
Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM или настройка вызова или процедура включения питания,
Вызов MO, вызов MT, модуляция VAMOS, AMR, MSK, GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы мобильного телефона,
Планирование RF, нисходящая линия связи PS и восходящая линия связи PS.
➤Читать дальше.
LTE Tutorial , описывающий архитектуру системы LTE, включая основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он предоставляет ссылку на обзор системы LTE, радиоинтерфейс LTE, терминологию LTE, категории LTE UE, структуру кадра LTE, физический уровень LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, Voice Over LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE advanced.➤Подробнее.
Радиочастотные технологии Материалы
На этой странице мира беспроводных радиочастот описывается пошаговое проектирование преобразователя частоты на примере повышающего преобразователя частоты 70 МГц в диапазон C.
для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO,
амортизирующие прокладки. ➤Читать дальше.
➤ Проектирование и разработка радиочастотного приемопередатчика
➤Дизайн радиочастотного фильтра
➤Система VSAT
➤Типы и основы микрополосковых
➤Основы волновода
Секция испытаний и измерений
В этом разделе рассматриваются ресурсы по контролю и измерению, контрольно-измерительное оборудование для тестирования тестируемых устройств на основе
Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.
ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для контрольно-измерительных приборов.
➤ Генерация и анализ сигналов
➤ Измерения физического уровня
➤ Тестирование устройства WiMAX на соответствие
➤ Тест на соответствие Zigbee
➤ Тест на соответствие LTE UE
➤ Тест на соответствие TD-SCDMA
Волоконно-оптические технологии
Волоконно-оптический компонент основы, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель,
фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д. Эти компоненты используются в оптоволоконной связи.
ИНДЕКС оптических компонентов >>
➤Руководство по оптоволоконной связи
➤APS в SDH
➤Основы SONET
➤ Структура кадра SDH
➤ SONET против SDH
Поставщики беспроводных радиочастот, производители
Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений,
см. ИНДЕКС поставщиков >>.
Поставщики ВЧ-компонентов, включая ВЧ-изолятор, ВЧ-циркулятор, ВЧ-смеситель, ВЧ-усилитель, ВЧ-адаптер, ВЧ-разъем, ВЧ-модулятор, ВЧ-трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, осциллятор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексер, дуплексер, чип-резистор, чип-конденсатор, чип-индуктор, ответвитель, ЭМС, программное обеспечение RF Design, диэлектрический материал, диод и т. д.
Поставщики радиочастотных компонентов >>
➤Базовая станция LTE
➤ РЧ-циркулятор
➤РЧ-изолятор
➤Кристаллический осциллятор
MATLAB, Labview, Embedded Исходные коды
Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW.
Эти коды полезны для новичков в этих языках.
СМОТРИТЕ ИНДЕКС ИСТОЧНИКОВ КОДА >>
➤ 3–8 код декодера VHDL
➤Скремблер-дескремблер Код MATLAB
➤32-битный код ALU Verilog
➤ T, D, JK, SR коды лаборатории триггеров
*Общая медицинская информация*
Сделайте эти пять простых вещей, чтобы помочь остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: Мойте их часто
2. ЛОКТ: кашляйте в него
3. ЛИЦО: Не прикасайтесь к нему
4. НОГИ: Держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВУЙТЕ: Болен? Оставайтесь дома
Используйте технологию отслеживания контактов >> , следуйте рекомендациям по социальному дистанцированию >> и установить систему наблюдения за данными >> спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таких стран, как США и Китай, чтобы остановить распространение COVID-19так как это заразное заболевание.
Радиочастотные калькуляторы и преобразователи
Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц измерения.
Они охватывают беспроводные технологии, такие как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. д.
СМ. КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR
➤ 5G NR ARFCN и преобразование частоты
➤ Калькулятор скорости передачи данных LoRa
➤ LTE EARFCN для преобразования частоты
➤ Калькулятор антенны Yagi
➤ Калькулятор времени выборки 5G NR
IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии
В разделе, посвященном IoT, рассматриваются беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet,
6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth с низким энергопотреблением (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT+, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.
