Все своими руками Схема транзистора КТ827
Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013Аналог КТ827А
Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Обсудить эту статью на — форуме «Радиоэлектроника, вопросы и ответы».
Просмотров:84 786
| КТ8270А | MJE13001 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8270А | КТ538А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | BD136 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ6109А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ626А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ626Е | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271А | КТ814Б | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271Б | BD138 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271Б | КТ6104А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271Б | КТ814В | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | BD140 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | КТ6109А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | КТ626Ж | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8271В | КТ814Г | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272А | BD135 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272А | КТ815Б | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272А | КТ961В | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272Б | BD137 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272Б | КТ815В | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272Б | КТ961Б | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272В | BD139 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272В | КТ815Г | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ8272В | КТ961А | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | 2N6059 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | 2N6284 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX63 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX65A | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX67 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | BDX87C | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | MJ3521 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827А | MJ4035 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | 2N6058 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | 2N6283 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX63 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX65 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX67 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX85B | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | BDX87B | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | MJ3001 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827Б | MJ4034 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | 2N6057 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | 2N6282 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX85 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX85A | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX87 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | BDX87A | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | MJ3000 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | MJ3520 | Отечественный и зарубежный аналоги | ||
| КТ827В | MJ4033 | Отечественный и зарубежный аналоги |
ЗАМЕНА ТРАНЗИСТОРА ДАРЛИНГТОНА ПОЛЕВЫМИ ТРАНЗИСТОРАМИ – СДЕЛАЙ САМ
Биполярные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона, т.
е. соединенные с общим коллектором (транзистор Дарлингтона), часто являются составным элементов радиолюбительских конструкций. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по схеме Дарлингтона, состоящие из двух биполярных транзисторов (Рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.
С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Одним из них — самым простым — является наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к увеличению себестоимости конструкции. Можно, конечно, приобрести специальные составные кремниевые транзисторы в одном корпусе, например: КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ972, КТ973 и др.
Этот список включает мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. А можно воспользоваться классической схемой Дарлингтона — с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В — или использовать приборы КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (Рис. 1.24). При этом вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2, вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.23. Схема включения транзисторов по схеме Дарлингтона
Рис. 1.24. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по схеме Дарлингтона
После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, усилитель тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем сопротивление ограничительного резистора в цепи затвора VT1 также увеличивается в несколько раз.
Это приводит к тому, что полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.
Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
Элементы схемы и их назначение
Резистор Rt. Сопротивление резистора зависит от характера на грузки и выбирается таким, чтобы на выводе затвора параллельно соединенных полевых транзисторов присутствовало 0,5 Упит. При этом максимальный ток не должен превышать 0.2 А (в случае применения полевого транзистора из серии КП501).
Полевые транзисторы VT1, VT2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В можно без потери качества работы устройства использовать микросхему 1014КТ1В. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б эта микросхема выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения.
Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на Рис. 1.25.
Так же как и в предыдущем варианте (Рис. 1.24), полевые транзисторы включают параллельно.
Рис. 1.25.
Цоколевка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…В
Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных по схеме Дарлингтона. Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично составным транзисторам, включенным по схеме Дарлингтона. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэкономичность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входного сопротивления они практически не потребляют тока. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она практически такая же, как и стоимость среднемощных транзисторов типа КТ815, КТ817, КТ819 (и аналогичным им), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.
Источник: Кяшкаров А. П., Собери сам: Электронные конструкции за один вечер.
— М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2007. — 224 с.: ил. (Серия «Собери сам»).
Замена биполярного транзистора на полевой
Замена и подбор транзисторов биполярных и полевых
В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам . Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.
Биполярный и полевой транзистор
Биполярные транзисторы.
Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы – частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора. При этом граничная fгр. МГц (эта та на которой его коэффициент усиления равен единице) частота транзистора должна быть больше реальной частоты на которой работает устройство, желательно, во много раз.
После подбора по частоте, производим выбор по допустимой мощности, иными словами ток коллектора транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи. Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное прикладываемое к транзистору напряжение в любой момент времени. Коэффициент усиления: известно, что ток коллектора у биполярного транзистора с током базы связан через параметр h31. Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в h31. Из этого можно сделать вывод, что лучше применять транзисторы значение этого параметра у которых как можно больше. Это позволит повысить КПД за счет снижения затрат на управление транзисторами, да и потом, транзистор с большим значением этого параметра проще ввести в режим насыщения. Далее чтобы меньше мощности потерять на транзисторе (при этом он будет меньше греться), нужно чтобы его напряжение насыщения (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) было как можно меньше, ведь мощность выделяемая на транзисторе, равна произведению тока, протекающего через него, и падению напряжения на нем и еще, максимальная мощность рассеяния коллектора (приводится в справочнике) должна быть не меньше реально выделяемой, иначе транзистор не справится (мгновенно выйдет из строя).
В статье «Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена» я уже описывал приемы замены транзисторов .
Полевые транзисторы.
Преимуществ перед биполярными у них много, а самое главное, цена ниже. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов, на мой взгляд следующие:
- Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
- В полевых транзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
- Повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока.
Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число полевиков без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассиметрирования токов, что очень опасно для биполярных транзисторов.
Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.
Что касается подбора транзисторов для замены, то порядок примерно тот же самый, т е быстродействие затем мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярных, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь это выбрать гораздо проще, т к полевые транзисторы имеют довольно большие допустимые токи стока и их разнообразие очень большое, чего не скажешь про биполярные — биполярные транзисторы с током коллектора больше 20 А, это уже редкость. Полевые транзисторы не имеют напряжения насыщения, у них есть аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до 150 В оно составляет десятки миллиом, у более высоковольтных — омы. Чем меньше значение этого сопротивления, тем ближе параметры транзистора к идеальным и тем меньше потери. Мощность потерь (рассеяния) в открытом состоянии определяется как квадрат тока умноженный на сопротивление открытого канала.
Естественно, чем меньше будет это значение, тем меньше будет транзистор греться. Аналог параметра h31 у полевого транзистора это крутизна характеристики. Этот параметр связывает между собой ток стока и напряжение на затворе, иными словами ток стока определяется как произведение напряжения на затворе и крутизны характеристики транзистора. Как правило ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики. Еще у этого вида транзисторов есть так называемое порговое напряжение на затворе — это минимальное значения управляющего напряжения достаточное для введения транзистора в абсолютно открытый режим (насыщение). При подборе необходимо учитывать, чтобы минимальное напряжение на затворе не было ниже порогового, иначе вся мощность будет выделяться на транзисторе а не на нагрузке, т к он не полностью открыт. Такой режим работы, как правило, транзисторы не выдерживают — после включения выгорают с небольшой (или большой) задержкой. Параметр мощность рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный для полевого — мощность рассеяния стока.
Параметры абсолютно идентичны.
Активней пользуйтесь справочниками и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.
Замена и подбор транзисторов биполярных и полевых
В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам . Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.
Биполярный и полевой транзистор
Биполярные транзисторы.
Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы – частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора. При этом граничная fгр. МГц (эта та на которой его коэффициент усиления равен единице) частота транзистора должна быть больше реальной частоты на которой работает устройство, желательно, во много раз.
После подбора по частоте, производим выбор по допустимой мощности, иными словами ток коллектора транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи. Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное прикладываемое к транзистору напряжение в любой момент времени. Коэффициент усиления: известно, что ток коллектора у биполярного транзистора с током базы связан через параметр h31. Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в h31. Из этого можно сделать вывод, что лучше применять транзисторы значение этого параметра у которых как можно больше. Это позволит повысить КПД за счет снижения затрат на управление транзисторами, да и потом, транзистор с большим значением этого параметра проще ввести в режим насыщения. Далее чтобы меньше мощности потерять на транзисторе (при этом он будет меньше греться), нужно чтобы его напряжение насыщения (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) было как можно меньше, ведь мощность выделяемая на транзисторе, равна произведению тока, протекающего через него, и падению напряжения на нем и еще, максимальная мощность рассеяния коллектора (приводится в справочнике) должна быть не меньше реально выделяемой, иначе транзистор не справится (мгновенно выйдет из строя).
В статье «Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена» я уже описывал приемы замены транзисторов .
Полевые транзисторы.
Преимуществ перед биполярными у них много, а самое главное, цена ниже. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов, на мой взгляд следующие:
- Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
- В полевых транзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
- Повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока.
Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число полевиков без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассиметрирования токов, что очень опасно для биполярных транзисторов.
Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.
Что касается подбора транзисторов для замены, то порядок примерно тот же самый, т е быстродействие затем мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярных, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь это выбрать гораздо проще, т к полевые транзисторы имеют довольно большие допустимые токи стока и их разнообразие очень большое, чего не скажешь про биполярные — биполярные транзисторы с током коллектора больше 20 А, это уже редкость. Полевые транзисторы не имеют напряжения насыщения, у них есть аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до 150 В оно составляет десятки миллиом, у более высоковольтных — омы. Чем меньше значение этого сопротивления, тем ближе параметры транзистора к идеальным и тем меньше потери. Мощность потерь (рассеяния) в открытом состоянии определяется как квадрат тока умноженный на сопротивление открытого канала.
Естественно, чем меньше будет это значение, тем меньше будет транзистор греться. Аналог параметра h31 у полевого транзистора это крутизна характеристики. Этот параметр связывает между собой ток стока и напряжение на затворе, иными словами ток стока определяется как произведение напряжения на затворе и крутизны характеристики транзистора. Как правило ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики. Еще у этого вида транзисторов есть так называемое порговое напряжение на затворе — это минимальное значения управляющего напряжения достаточное для введения транзистора в абсолютно открытый режим (насыщение). При подборе необходимо учитывать, чтобы минимальное напряжение на затворе не было ниже порогового, иначе вся мощность будет выделяться на транзисторе а не на нагрузке, т к он не полностью открыт. Такой режим работы, как правило, транзисторы не выдерживают — после включения выгорают с небольшой (или большой) задержкой. Параметр мощность рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный для полевого — мощность рассеяния стока.
Параметры абсолютно идентичны.
Активней пользуйтесь справочниками и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.
Биполярные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона, т. е. соединенные с общим коллектором (транзистор Дарлингтона), часто являются составным элементов радиолюбительских конструкций. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по схеме Дарлингтона, состоящие из двух биполярных транзисторов (Рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.
С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Одним из них — самым простым — является наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер.
Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к увеличению себестоимости конструкции. Можно, конечно, приобрести специальные составные кремниевые транзисторы в одном корпусе, например: КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ972, КТ973 и др. Этот список включает мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. А можно воспользоваться классической схемой Дарлингтона — с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В — или использовать приборы КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (Рис. 1.24). При этом вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2, вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.23. Схема включения транзисторов по схеме Дарлингтона
Рис. 1.24. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по схеме Дарлингтона
После такой несложной доработки, т.
е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, усилитель тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем сопротивление ограничительного резистора в цепи затвора VT1 также увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.
Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
Элементы схемы и их назначение
Резистор Rt. Сопротивление резистора зависит от характера на грузки и выбирается таким, чтобы на выводе затвора параллельно соединенных полевых транзисторов присутствовало 0,5 Упит. При этом максимальный ток не должен превышать 0.2 А (в случае применения полевого транзистора из серии КП501).
Полевые транзисторы VT1, VT2.
При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В можно без потери качества работы устройства использовать микросхему 1014КТ1В. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б эта микросхема выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения. Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на Рис. 1.25.
Так же как и в предыдущем варианте (Рис. 1.24), полевые транзисторы включают параллельно.
Цоколевка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…В
Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных по схеме Дарлингтона. Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично составным транзисторам, включенным по схеме Дарлингтона. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэкономичность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входного сопротивления они практически не потребляют тока. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она практически такая же, как и стоимость среднемощных транзисторов типа КТ815, КТ817, КТ819 (и аналогичным им), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.
Источник: Кяшкаров А. П., Собери сам: Электронные конструкции за один вечер. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2007. — 224 с.: ил. (Серия «Собери сам»).
Кт827 схемы блоков питания | Домострой
Аналог КТ827А
Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Принципиальная схема очень простого но достаточно мощного источника питания, который выполненный на мощных составных транзисторах, вполне пригоден не только для зарядки автомобильных аккумуляторов, но и для питания различных электронных схем.
Напряжение на выходе устройства регулируется от 0 до 15 В. Выходной ток блока питания может достигать 20 А.
Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора напряжения на 0-15В и ток 5А, 10А, 20А.
Так как катоды диодов и коллекторы транзисторов соединены между собой, то все эти детали размещаются на одном большом радиаторе без изолирующих прокладок.
Если не предъявляются особые требования к стабильности напряжения, то резистор R1 и стабилитрон VD3 из схемы можно исключить. Добавив емкости, показанные на схеме пунктиром, можно использовать устройство в качестве блока питания.
- PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
- Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
- Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!
Всем привет! есть вопрос? FU1 это что за деталька) и T1 сколько витков нужно? или это намотка на резистор или трансформатор.
FU1 — (от слова Fuse) это плавкий предохранитель, в данной схеме его нужно ставить на 1,5-2 Ампера.
Т1 — трансформатор переменного напряжения. На первичную обмотку подают — 220В, а на вторичной (та что идет к диодам) получаем примерно 14-16В переменного напряжения.
Трансформатор можно изготовить самостоятельно, если есть опыт и материалы, а можно купить готовый в магазине, на базаре, в интернете. В данной схеме нужен трансформатор с вторичной обмоткой на 14-16В и ток порядка 20А.
P = U*I = 14*20 = примерно 300 Ватт.
Если вам не нужен такой ток то можно брать менее мощный.
Желательно помнить: трансформатор должен быть с запасом по мощности по отношению к той что вам нужна!
..827 проходной с током 20А..на выход. и потом что за странный выбор Кт947?—высокочастотный npn транзик для передатчиков.. туда 827 а впереди составного любой обратный средней мощн.. хоть кт817..
У транзистора КТ947 выходная мощность в пределах 200-250 Ватт, что явно выше чем у КТ827 (125 Ватт). А то что у КТ947 граничная частота передачи тока 75МГц то это в данной схеме особой роли не сыграет.
а на раскачку зачем 827. явно не оправданно. и потом два в паралель 827 как раз.. а себестоимость гораздо дешевле будет.. ВЧ мощные с позолоченными ногами на дешевые. да и применение получше найдется чем в простой бп ставить..
КТ827 — составной транзистор с высоким коэффициентом усиления, в данном случае он хорошо заменяет два каскада.
КТ947 стоит недешево, в данной схеме он избыточен.
Удешевить схему можно также за счет замены транзистора КТ827 на пару КТ819+КТ815 как на рисунке ниже:
Вместо КТ947 можно подключить в параллель несколько штук КТ819+резистор, как на схеме: Источник питания для автомобильного трансивера 13В 20А.
Если нужна схема с выходом порядка 5-6А то вполне подойдет решение на КТ827+КТ815 — Блок питания 12В 6А (КТ827).
В данной статье расскажем про универсальный блок стабилизированного питания, про их основные требования и сбор схемы описанного блока питания.
В различных источниках – интернете, книжных изданиях встречаются схемы стабилизированных источников питания. Как правило, чем совершеннее (лучше) схема, тем она сложнее.
Источники питания стабилизированным напряжением имеющие широкие пределы регулирования выходного напряжения, высокую нагрузочную способность, защиту от превышения тока нагрузки и при этом – низкий коэффициент пульсаций классически состоят из следующих основных элементов:
— схема компенсационного стабилизатора напряжения.
— контрольные измерительные приборы;
— схема (элементы) защиты от перегрузки.
Мной были изучены различные варианты лабораторных блоков стабилизированного питания, схемы которых публикуют в различных изданиях.
Основные требования, предъявленные к источникам питания:
1. Пределы регулировки постоянного выходного напряжения – 0…25 вольт;
2. Максимальный ток нагрузки – 10 А;
3. Напряжение пульсаций на нагрузке током 10 А – не более 0,2 вольта;
4. Нестабильность выходного напряжения при нестабильности напряжения в сети 20% — не более 0,3%;
5. Порог срабатывания защиты по току – от 6 А и выше (устанавливается по желанию).
Эти требования довольно высоки и очень мало вариантов получения таких характеристик без значительного усложнения схем.
В результате изучения и переработки схем мощных источников питания была разработана наиболее оптимальная простейшая схема источника стабилизированного напряжения, полностью удовлетворяющая высоким предъявленным требованиям по параметрам.
Для уменьшения количества элементов (упрощения схемы), за основу стабилизатора был взят микросхемный стабилизатор напряжения с плавной регулировкой выходного напряжения – LM317 (его отечественный аналог – КР142ЕН12А). Исполнена микросхема в обычном транзисторном корпусе ТО-220. Возможна замена этой микросхемы на LM350, LM338, LТ1083 (аналог – КР142ЕН22А), LТ1084 (аналог – КР142ЕН22), LТ1085 (аналог – КР142ЕН22Б). Все эти микросхемы обладают хорошей нагрузочной способностью (в зависимости от микросхемы – от 3-х, до 7,5 ампер). Они все имеют собственную защиту от перегрузки по току, но так как предъявлено требование к выходному току в 10 ампер, то эта защита в моей схеме не используется. Кроме того, имеется недостаток – минимальное напряжение, которое микросхема выдаёт – 1,25 вольта, а нам надо – 0 вольт. Для возможности получения выходного напряжения от нуля, радиолюбителями предлагаются схемы с дополнительными источниками отрицательного напряжения смещения, но мы пойдём по другому пути.
Для получения выходного напряжения от 0 вольт и повышения нагрузочной способности до тока более 10 ампер, в представленной мной схеме используются два составных транзистора КТ827А. Суть снижения минимального предела выходного напряжения до нуля состоит в том, что эти самые 1,25 вольта «падают» на базово-эмиттерных переходах транзисторов. О том, что это за падение, я описывал в своей статье Стабилизаторы напряжения, их расчёт. Кроме того, поставив в схему два составных транзистора КТ827А мы «убиваем второго зайца» – значительно увеличиваем нагрузочную способность блока питания, подняв запас по току до 40 ампер, чем повышаем надёжность блока питания. Для выравнивания токов нагрузки между транзисторами в эмиттерных цепях транзисторов используются резисторы R13 и R14. Регулировка выходного напряжения блока питания осуществляется резистором R10.
В основном все «продвинутые» изученные мной схемы в качестве элементов защиты используют либо оптопары, либо электромагнитные реле. Мне это крайне не понятно потому, что оптопары обычно используются для гальванической развязки, а в представленных схемах никакой гальванической развязки и не требовалось. Электромагнитные реле, это довольно медлительный элемент схемы, способный «залипать» и тогда Ваш блок питания всё равно сгорит. Реле – это элемент электрики, а не электроники. Я лично использую электромагнитное реле, в крайнем случае, когда транзисторные и тиристорные схемы не могут заменить реле.
Разработанная мной схема защиты проста и надёжна. Работает она следующим образом:
В качестве элемента, на котором измеряется ток, используется резистор R2 на 0,1 Ом. При токе нагрузки, равном 6 ампер, на нём падает напряжение равное ровно 0,6 вольта (по закону Ома). Если шлиц резистора R4 находится в крайнем правом положении, то это напряжение в 0,6 вольта прикладывается к переходу эмиттер-база транзистора VT1. Транзистор открывается. Ток, протекающий через открытый транзистор VT1, открывает транзистор VT2, а тот в свою очередь откроет транзистор VT3. Открытый транзистор VT3 закорачивает вывод 1 микросхемы (управления выходным напряжением) на корпус и выходное напряжение стабилизатора падает до нуля. Транзисторы VT1 и VT2 совместно представляют собой схему тиристорного управления, они «самоблокируются» в открытом состоянии двумя токами, протекающими по пути: 1) плюс выпрямителя – эмиттер VT1 – база VT1 – коллектор VT2 – эмиттер VT2 – элементы R7, VD3, R8, R9, транзистор VT3 – минус выпрямителя; 2) плюс выпрямителя – эмиттер VT1 – коллектор VT1 – база VT2 – эмиттер VT2 – элементы R7, VD3, R8, R9, транзистор VT3 – минус выпрямителя. Одновременно загорается светодиод VD3 «Перегрузка». Для отключения защиты, необходимо кратковременно нажать кнопку S2, которая разорвёт цепь протекания первого тока и транзисторы закроются. Если причина срабатывания защиты не устранена (например замыкание выходных клемм), то нажатие кнопки не сбросит защиту. Для уменьшения чувствительности схемы защиты по току, необходимо двигать ползунок резистора R4 из крайнего правого положения влево. Настройка производится экспериментально, путём кратковременного создания соответствующей нагрузки. Я сделал просто: в качестве нагрузки использовал внешний 10-ти амперный Амперметр, подключив его напрямую к выходным клеммам. Повышая выходное напряжение резистором R10 от нуля, я добился срабатывания схемы защиты на выбранном мной уровне (9,5А). Дополнительная защита по первичной обмотке – предохранитель FU1.
Важно
Особое внимание следует уделить выбору трансформатора. Он должен быть достаточной мощности. Я использую всё тот же ТПП-320-220-50, который я использовал и в зарядном устройстве, подобрав выходное напряжение на выходе выпрямителя VD1, равным 30 вольтам, путём выбора определённых обмоток. Не смотря на использование мощных транзисторов, при эксплуатации блока питания необходимо помнить, что нагрузочные способности любых блоков питания ограничены суммарной рассеиваемой мощностью выходных транзисторов. В данном случае, это — 250 ватт (по справочнику). Силовые транзисторы будут сильно греться и могут выйти из строя от падения на их переходах отдаваемого трансформатором напряжения. Так, при выходном напряжении 2,5 В и токе нагрузки 9 А, рассеиваемая на транзисторах мощность будет равна (30 – 2,5) * 9 = 247,5 Ватт. Эта работа «на пределе» приведёт к быстрому выходу транзисторов из строя от перегрева. Поэтому транзисторы необходимо установить на радиаторы достаточного размера. Я использовал в качестве радиаторов алюминиевый корпус своего блока, установив транзисторы через слюдяные прокладки.
В качестве выпрямителя VD1, как и в зарядном устройстве, я использовал силовой выпрямительный мост типа КЦ419 (импортный аналог – МВ5010), как результат – не нужна изоляция, компактность и запас по току до 25 ампер (МВ5010 – до 16А). Он также прикручивается непосредственно на корпус.
При сборке конструкции обязательно учтите тот факт, что ушко крепления микросхемы соединено с входным выводом микросхемного стабилизатора. Поскольку её выходные токи не превышают 0,2 А, то можете её даже не прикручивать на радиатор, но лучший вариант, если вы прикрутите её через диэлектрическую прокладку на радиатор, на котором стоят выходные транзисторы. Таким образом, Вы сможете использовать тепловую защиту, встроенную в микросхему. Если установить транзисторы и микросхему на отдельный изолированный теплоотвод, то никаких изолирующих прокладок не потребуется.
Для контроля тока использован миллиамперметр, резистор R3 подбирают таким, чтобы при подаче напряжения в 1 вольт, было отклонение стрелки прибора на максимум шкалы (на значение = 10). Вольтметр использован заводской, на 25 вольт, без дополнительных добавочных резисторов.
Большинство радиоэлементов блока питания размещено на радиоплате(печатной плате) размерами 130 х 75 мм, изготовленной из одностороннего фольгированного текстолита. Размещение элементов приводится на рисунке ниже. Микросхема D1 установлена со стороны печатных проводников, под её ушко просверлено большое отверстие в плате (чтобы можно было прикрутить микросхему к металлическому корпусу винтом).
Правильно собранная конструкция начинает работать сразу. Настройке подлежит только установка уровня срабатывания защиты по току нагрузки. Если не установите, то блок всё равно будет выдавать требуемое Вам напряжение, но без защиты. В крайнем случае – самое правое положение ползунка резистора R4 соответствует защите при токе около 6 Ампер. Обратите внимание, что при включении блока с выставленным на выходе выходным напряжением отличным от нуля, сразу срабатывает защита. Это нормальная работа, связана с тем, что на выходе блока питания стоит конденсатор С5 достаточно большой ёмкости. Для работы блока необходимо нажать кнопку сброса аварии. Впрочем, можете уменьшить номинал конденсатора на целый порядок, но это увеличит чувствительность схемы защиты к резким импульсным изменениям нагрузки, и на больших токах увеличит коэффициент пульсаций.
Тимеркаев Борис — 68-летний доктор физико-математических наук, профессор из России. Он является заведующим кафедрой общей физики в Казанском национальном исследовательском техническом университете имени А. Н. ТУПОЛЕВА — КАИ
Транзисторы — справочник радиолюбителя
Типы корпусов транзисторов отечественного производства
Внешний вид и размеры корпусов транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Основные типы корпусов отечественных транзисторов, применяемых в конструировании и изготовлении различной радиоэлектронной аппаратуры.
2 6045 0
Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены. КТ829 — мощный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N.
7 13338 7
Установка режимов работы транзисторовДля хорошей работы устройства, собранного на транзисторах, необходимо чтобы на их электроды было подано определенной величины и полярности постоянное напряжение. Примерные значения напряжений подаваемых на коллектор, базу и эмиттер для транзисторов …
3 8444 0
Транзисторы — основные параметры и характеристики, маркировка транзисторовВ современном понимании транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя или более р-п переходами и тремя или более выводами, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее широкое применение в радиолюбительских конструкциях находят биполярные и полевые транзисторы. У полевых транзисторов управление выходным током…
12 24424 0
Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Даташит, datasheet. Транзисторы достаточно…
3 15074 1
Основные схемы включения транзисторовТранзистор, как полупроводниковый прибор, имеющий три электрода (эмиттер, базу, коллектор), можно включить тремя основными способами. Как известно, входной сигнал поступает на усилитель по двум проводам; выходной сигнал отводится также по двум проводам …
1 13740 0
Транзистор КТ827 характеристики (datasheet)Характеристики транзисторов КТ827, 2Т827 (А-В), эквивалентная схема замены транзистора КТ827, даташит.
11 16062 1
Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)Характеристики транзисторов КТ825, 2Т825 (А-Е), схема эквивалентной замены транзистора КТ825, даташит.
4 12810 1
Радиодетали, электронные блоки и игрушки из китая:
транзистор — радиоэлектроника, схемы и статьи
Ниже приведены принципиальные схемы и статьи по тематике «транзистор» на сайте по радиоэлектронике и радиохобби RadioStorage.net .
Что такое «транзистор» и где это применяется, принципиальные схемы самодельных устройств которые касаются термина «транзистор».
Характеристики транзисторов КТ825, 2Т825 (А-Е), схема эквивалентной замены транзистора КТ825, даташит. Характеристики транзисторов КТ827, 2Т827 (А-В), эквивалентная схема замены транзистора КТ827, даташит. Мостовая схема является основой измерителя коэффициентов передачи тока биполярных транзисторов. Как только мостовая схема устанавливается в равновесие, светятся оба светодиода. В противном случае… В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов. В современных радиоэлектронных устройствах используется весьма широкий ассортимент самых разнообразных электронных приборов. Порой отсутствие одного или нескольких таких элементов может затормозить или даже прервать выполнение работы по монтажу или макетированию схемы … Транзистор, как полупроводниковый прибор, имеющий три электрода (эмиттер, базу, коллектор), можно включить тремя основными способами. Как известно, входной сигнал поступает на усилитель по двум проводам; выходной сигнал отводится также по двум проводам … В публикации изображена схема приставки для наблюдения на экране осциллографа характеристик транзисторов. Переменный резистор R1 предназначен для регулировки тока базы. К экрану прикладывают лист кальки и обводят характеристику. Типичная характеристика… Ниже приведена принципиальная схема простого испытателя транзисторов. Он представляет собой несимметричный мультивибратор, собранный на двух транзисторах различной проводимости (п-р-п Т1 и р-п-р Т2), причем один из них заведомо исправный, а другой — проверяемый. Работа… Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Даташит, datasheet. Транзисторы достаточно… Для хорошей работы устройства, собранного на транзисторах, необходимо чтобы на их электроды было подано определенной величины и полярности постоянное напряжение. Примерные значения напряжений подаваемых на коллектор, базу и эмиттер для транзисторов … Пробник, схема которого приведенаниже, позволяет ответить на вопрос: исправен или не исправен транзистор. Об исправности транзистора свидетельствует свечение лампочки ELI. Пользуются пробником следующим образом: зная, что транзистор VT1 заведомо исправен, подключив… Пробник для проверки мощных биполярных транзисторов любой структуры можно построить на основе схемы, приведенной ниже. Методика проверки годности транзистора пробником несложна. При подключении транзистора любой структуры к зажимам Х1…ХЗ образуется своеобразный… Простая схема тестера измеряет напряжение пробоя большинства маломощных и мощных транзисторов, небольших силовых диодов и стабилитронов. Питание осуществляется от маломощного источника с напряжением 180 В. Резистор R1 определяет режим верхнего транзистора. Если напряжение подается к диоду или … Схема простого самодельного испытателя транзисторов, позволяет проверить работоспособность биполярных транзисторов n-p-n и p-n-p структуры. Проверяемый транзистор совместно с одним из установленных в приборе (в зависимости от структуры проверяемого транзистора, определяемой положением переключателя S1) … Прибор для проверки исправности транзисторов и диодов позволяет проверить полупроводники без их отпайки при ремонте радиоаппаратуры. Выводы транзисторов подключают с помощью щупов к зажимам Vх (Э, Б, К). Транзистор V1 совместно с проверяемым образуют симметричный мультивибратор, колебания которого… Электронный пробник транзисторов является простым устройством, которое позволяет быстро определить поляризацию каждого транзистора малой или средней мощности, а также проверить его исправность. С его помощью можно также проверить полупроводниковые диоды. Загоранием соответствующих светодиодов… Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены. КТ829 — мощный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Внешний вид и размеры корпусов транзисторов, выпускаемых отечественной промышленностью. Основные типы корпусов отечественных транзисторов, применяемых в конструировании и изготовлении различной радиоэлектронной аппаратуры. Когда источником радиодеталей служит старая неисправная аппаратура нужно иметь прибор, позволяющий быстро и эффективно различать исправные и неисправные полупроводниковые приборы. В частности, обычные биполярные транзисторы. Конечно, во многих мультиметрах есть розетки для проверки параметров … Измерять коэффициент передачи тока базы транзисторов цифровыми мультиметрами популярных моделей практически невозможно, если длина выводов этих транзисторов недостаточна, чтобы вставить их в гнёзда розетки прибора. Но сегодня радиолюбители зачастую используют в своих конструкциях именно такие … СхемаДарлингтона. Принцип работы. Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона. Пара Шиклай и Каско Схема
Дарлингтон), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.
С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них — самый простой — это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллекторе-эмиттере напряжения. О высокой цене Такие «высоковольтные» транзисторы приводят к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и др. В этот список входят мощные и средние по мощности, устройства разработаны практически для всего спектра радиотехнических устройств.А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B — или использовать устройства KP501A … B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключен вместо базы VT1, а выход истока — вместо эмиттера VT2, выход потока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора
После такой несложной доработки, т.е.е. Замена узлов Б. электрические схемы универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.
Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А … в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014ct1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению — до 200 В постоянного напряжения. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a … 1014K1V показано на рис. 1.25.
Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.
Codolve полевые транзисторы в микросхеме 1014ct1a … в
Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.
При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем те модели, которые предлагают фирмы-производители радиоэлектронных компонентов (или лучше, чем реализовать имеющуюся технологию изготовления транзисторов). Такая ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Обычно нам требуется большее усиление по току. ч. 21, большее значение входного сопротивления ч. 11 или менее выходная проводимость ч. 22.
Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшив при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на транзисторах NPN показан на рисунке 1.
Рисунок 1 Диаграмма Дарлингтона на транзисторах NPN
Схема эквивалентна одиночному транзистору NPN.В этой схеме эмиттерным током транзистора VT1 является ток базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основное преимущество схемы Дарлингтона — высокий средний коэффициент усиления по току ч. 21, что приблизительно можно определить как работу ч. 21 входящий транзистор:
(1)Однако следует учитывать, что коэффициент ч. 21 сильно зависит от коллектора тока.Поэтому при малых значениях токосъемника транзистора VT1 его величина может значительно уменьшиться. Пример наркомании ч. 21 от коллекторного тока для разных транзисторов показано на рисунке 2
Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора
Как видно из этих графиков, коэффициент h. 21Е практически не меняется только на двух транзисторах: отечественном CT361B и зарубежном BC846A. В других транзисторах коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.
В случае, когда базовый ток транзистора VT2 достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого коэффициента усиления по току h. 21. В этом случае увеличиваем коэффициент ч. 21 и соответственно уменьшения тока составного транзистора можно добиться за счет увеличения тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как показано на рисунке 3.
Рисунок 3 составного транзистора Дарлингтона с дополнительным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора
Для примера определим элементы схемы Дарлингтона, собранные на транзисторах BC846A, пусть ток транзистора VT2 составляет 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:
(2)При таком токе коэффициент усиления ч. 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличенный токоприемник VT1 на транзисторе с резистором позволяет существенно выиграть по величине общего коэффициента усиления. ч. 21. Так как напряжение на основе транзистора является постоянным (для кремниевого транзистора u. BE = 0,7 В), то рассчитываем по закону Ома:
(3)В этом случае мы имеем право ожидать увеличения тока до 40000. Таким образом, это много отечественных и зарубежных транзисторов superbett, таких как KT972, CT973 или CT825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах НЧ (), операционных усилителях и даже цифровых, например,.
Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как высокое напряжение U. CE Если в обычных транзисторах U. Ke составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение увеличивается до 0,9 В. Это связано с на необходимость открытия транзистора VT1, а для этого на его базу необходимо подать напряжение 0,7 В (если рассматривать кремниевые транзисторы).
Для устранения указанного недостатка разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах.В русском Интернете Ее назвали схемой Шиклая. Это название произошло из книги Титца и Шанки, хотя ранее эта схема имела другое название. Например, в советской литературе это называлось парадоксальной парой. В книге В. Е. Хелина и В. Холмса составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором. Схема составного PNP транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 4.
Рисунок 4 Составной транзистор PNP на дополнительных транзисторах
Таким же образом формируется транзистор NPN.Схема составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 5.
Рисунок 5 составного NPN-транзистора на комплементарных транзисторах
На первом месте в первую очередь стоит книга 1974 года издания, но есть книги и другие публикации. Есть основы, которые долго не шевелятся, и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Вы должны четко сказать! За все это время профессиональной деятельности я познакомился менее чем с десятью книгами.Я всегда рекомендую изучать разработку аналоговых схем из этой книги.
дата последнего обновления Файл 18.06.2018
Литература:
Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» читать:
http: // Сайт / SXEMOTEH / Shvkltrz / Kaskod /
http: // Сайт / SXEMOTEH / SHVKLTRZ / OE /
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, в них стремительно начали появляться электрические накопительные устройства и, в частности, триоды.В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.
Бегинная, а иногда и опытный радиолюбитель-конструктор, не сразу может найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, намного проще построить «постройку» того или иного устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, встающих перед разработчиком — это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить путем параллельного включения транзисторов (). Изогнутые резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при наборе больших сигналов, но и для уменьшения шума при увеличении слабых. Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельных транзисторам.
Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант улучшения показан на. Благодаря введению герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.
Для защиты от обратного напряжения параллельно выходам эмиттерного коллектора обычно включают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.
При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется переключить его из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда используют принудительную RC-цепочку (). В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе данных, сокращая время простоя.
Увеличение крутизны транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения его изменения на базе (затворе) при постоянном УЗИ UK)) можно использовать по схеме Дарлингтона (). Резистор в базе базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для указания текущего тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (благодаря использованию полевого транзистора) присутствует. Составные транзисторы, представленные на рис.Причем, собранный на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.
Введение дополнительных транзисторов в схему Дарлингтона и шиклаи, как показано на рис. А, увеличивает входное сопротивление второго каскада переменного тока и, соответственно, коэффициент передачи. Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает соответственно схему и, линеаризуя крутизну транзистора.
Представлен широкополосный транзистор с высоким быстродействием.Увеличение скорости достигается за счет уменьшения эффекта Миллера аналогичным образом.
«Алмазный» транзистор по Патенту ФРГ представлен на. Возможные варианты На ней изображены включения. Характерная особенность этого транзистора — отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда и увеличение грузоподъемности схемы вдвое.
Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В изображен на рисунке 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 на составной транзистор ().
Аналогичные аргументы можно привести для транзистора типа p-N-P, а также для полевого транзистора с каналом P-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в коллекторную цепь () или в эмиттерную цепь ().
Как видно из полученных формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальное рассеивание мощности — на простом транзисторе с нагрузкой в коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в коллекторной цепи равнозначно.Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При включении нагрузки в цепи Эмиттера преимущество транзистора Шиклая очевидно.
Литература:
1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Puber. 20-133-83.
3. A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Puber.22-133-88. — 47 с.
1. Увеличьте мощность транзистора.
резисторов в цепях эмиттера необходимы для равномерного распределения нагрузки; Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.
2. Защита от токовой перегрузки.
Недостаток — снижение КПД из-за наличия датчика тока R.
Другой вариант — за счет введения герониевого диода или диода Шоттки можно уменьшить номинал резистора R в несколько раз, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.
3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.
За счет каскадирования транзисторов эффект Миллера значительно снижен.
Другая схема — за счет полного перехода второго транзистора от входа и питания первого транзистора с напряжением, пропорциональным входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие — второй транзистор должен иметь больше отключение высокого напряжения).Входной транзистор можно заменить на биполярный.
4. Защита транзистора от глубокого насыщения.
Предотвращение прямого смещения переходного коллектора с помощью диода Шоттки.
Более сложный вариант — Схема Бейкера. Когда напряжение достигает коллектора транзистора базы данных, ток базы сбрасывается через переход коллектора, предотвращая насыщение.
5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.
С датчиком тока базы данных.
С датчиком тока коллектора.
6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора за счет принудительного включения RC-цепочки.
7. Транзистор композитный.
Схема Дарлингтона.
Схема Шиклая.
Если подключить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов транзисторов.Такой прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных ступеней усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.
Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.
Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.
В транзистоне Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал транзисторный эмиттер по падению напряжения на диоде).Кроме того, транзисторы соединены между собой как один транзистор с достаточно низкой скоростью, так как транзистор не может быстро выключить транзистор. Учитывая это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора в зону проводимости за счет токов утечки транзистора и. Сопротивление резистора выбрано таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в нано-парфюмерах для небольших транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и при этом Время, чтобы ток протек, мало по сравнению с ним Базовый ток транзистора.Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч Ом в небольшом транзисторе Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный П-П-П-транзистор типа Дарлингтона, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) для тока коллектора, равного 10 А.
Рис. 2.62. Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).
Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai).
Подключение транзисторов по схеме Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, что мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор типа П-П с большим коэффициентом. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде.Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Дарлингтона, образованный транзисторами, ведет себя как одиночный транзистор транзистора P-P-типа с большим коэффициентом усиления по току.Транзисторы, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор P-P-R-TIAI с большим коэффициентом усиления.Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы.
Как и раньше, резисторы и имеют малое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В нынешнем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы будут подключены по схеме Дарлингтона.
Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока.
Компонентные транзисторы — транзистор Дарлингтона и не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых этот коэффициент очень велик в ходе технологического процесса изготовления изделия. Примером такого элемента является тип транзистора, для которого гарантирован минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от до этого транзистора, принадлежит к серии элементов, характеризующихся диапазоном Максимальные напряжения От 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то значение следует уменьшить).Промышленность производит согласованные пары транзисторов со значением коэффициента супергравия. Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются типовые схемы, это пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано с делением Милвольта (в наиболее хороших схемах согласование обеспечивается, а коэффициент типовой схемы является согласованным. пара.Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента можно комбинировать по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным только (примерами таких схем являются операционные усилители типа
). Руководство по замене транзистора13001 PDF Загрузить руководство по замене транзистора Télécharger
13001 PDF Загрузить Télécharger | 2021 г.Замена направляющей транзистора
Добавить: zamowuv8 — Дата: 2020-08-13 20:44:26 — Просмотров: 9540 — Кликов: 1886
Как выбрать бесплатную замену для биполярного транзистора.Электронная книга по ЭКГ Руководство Philips. Возможность выбрать замену транзистора 13001 Руководство по замене транзистора может быть очень полезным, если прочитать руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 не так просто. Руководство по замене транзистора 13001 · Эта микросхема руководства по замене транзистора 13001 включает в себя всю схему регулятора SMPSU, а транзистор — нет.
ebook 13001 транзистор Низкая цена электронной книги 13001 руководство по замене транзистора для 13001 руководство по замене транзистора: прочтите бесплатно tip3055 транзисторная логика прочитать mosfet 220 для переключения транзистора скачать j13007 скачать 2sc3422 kt827 kit pdf transistor npn read power read transistor Discount pdf for cheap: 220 v switch j13009 ic switch 8050 13001 руководство по замене транзистора ebook транзистор транзистор arduino 13001 руководство по замене транзистора 13001 транзистор 13007d npn бесплатно j13007 2 epub содержательные обзоры: e13009 field 13001 руководство по замене транзистора ebook транзистор tip3055 транзистор 220 в., LTD 2 из 13001 руководство по замене транзисторов 3 www. pdf (Рекомендуется руководство по замене транзистора It 13001, чтобы проверить конфигурацию контактов 13001. Руководство по замене транзистора транзистора перед заменой в схеме pdf. Какая лучшая замена для чтения транзистора? . 13001 руководство по замене транзистора · простой транзисторный аудиоусилитель 13001 читать схему — ~ — ~~ — ~~~ — ~~ — ~ — Пожалуйста, освободите 13001 руководство по замене транзистора часы: «Как epub в epub сделать двойной транзисторный усилитель 13003, используя замену транзистора 13001 Руководство по замене старого транзистора Cfl 13001. Лампочка »· Спасибо за просмотр моего видео.
13001 руководство по замене транзистора 03 — 13001 руководство по замене транзистора 1 шт., Скачать 13001 руководство по замене транзистора Пулау читать бесплатно Пинанг, Малайзия, оригинал, 13001. Выберите тот же функциональный тип 13001 руководства по замене транзистора: Руководство по замене транзисторов 13001 является обычно указывается их применение в epub в технических описаниях руководства по замене транзисторов ebook 13001. бесплатно Максимальное количество 13001 замена транзистора направляющего тока.
Особенности 13001 руководство по замене транзистора / 13001 руководство по замене транзистора технические характеристики 13001 руководство по замене транзистора :. Пожалуйста, помогите epub Me набрать 100 тысяч подписчиков. Руководство по замене транзистора 13001 · D13007 — это руководство по замене кремниевого биполярного транзистора NPN epub Руководство по замене транзистора 13001 TO-220 без корпуса Чтение Ic Макс .: 8 А Vcbo: 700 В Vceo: 13001 руководство по замене транзистора 400 В как это). epub В поисках доступного 13003 13001 руководство по замене транзисторов Загрузить Транзисторы в электронных компонентах и расходных материалах, транзисторы, интегральные схемы, бытовая электроника? Доставка для загрузки на 98052: Товары бесплатно в результатах поиска в формате pdf.F S11 STransistor Распиновка администратора является бесплатным веб-мастером.
13001-0 Биполярный переходной транзистор: Биполярный переходной транзистор: 13001-A 13001 Руководство по замене транзистора Биполярный переходный транзистор: Lumberg: Anschlussleitungen fur Aktoren Sensoren и 13001 Руководство по замене транзистора epub Verteiler Cordsets: Dialight download Corporation: 13001CB Белые светодиодные продукты для продуктов : Список неклассифицированных инструкций по замене транзисторов 13001 Man. Вы можете 13001 руководство по замене транзистора также выбрать pdf из 13001 руководство по замене транзистора другое, super ebook конденсаторный транзистор 13003 Есть 132 поставщика pdf, которые 13001 руководство по замене транзистора скачать продает электронную книгу транзистора 13003 на Alibaba.Возможно руководство по замене транзистора 13001, руководство по замене транзистора 1250 мВт 13001, руководство по замене 600. Что я хочу выяснить, так это альтернативу руководству по замене транзистора 13001. транзистор 13001 Электронный 13001 Руководство по замене транзисторов балластный транзистор — MJEpackage: TO-92 2) W: 9 3) IC (A): 0. 160 вольт: может быть, часть на 100 вольт подойдет. pdf Для таких транзисторов, как BC106 13001 Руководство по замене транзисторов 13001 Руководство по замене транзисторов или 2N3634, это может быть.
· электронная книга Я загружаю хочу EQUIVALENT 13001 руководство по замене транзистора TRANSISTOR для MJE13001.Существует 13001 руководство по замене транзисторов, огромное количество доступных типов транзисторов, бесплатные и спецификации epub многих 13001 руководство по замене транзисторов 13001 руководство по замене транзисторов 13001 руководство по замене транзисторов перекрытие транзисторов, что делает выбор 13001 руководство по замене транзисторов заменой транзистора довольно простое руководство по замене транзистора 13001 во многих случаях. Основное производство — силовые транзисторы серии 13003, которые широко используются в энергосберегающих лампах и электронных балластах, трансформаторах, зарядных устройствах и т. Д.
pdf загрузить Может быть легче найти бесплатно прочитать руководство по замене транзисторов 13001 pdf, подходящую замену таким образом, чем начинать с минимальных значений руководства по замене транзисторов 13001. Этот транзистор используется в зарядном устройстве для электронных книг MP3. ) C1815 13001 руководство по замене транзистора Transistor ebook Explained / Description: C1815 — это epub широко используемый транзистор по замене 13001 транзистора, он используется в коммерческих и образовательных проектах. Соберите запрос снова. 2N2222A — это руководство по замене транзистора NPN 13001 13001 Руководство по замене транзистора Транзистор свободен, следовательно, коллектор и эмиттер будут оставлены открытыми (обратное руководство по замене транзистора 13001 смещено) 13001 руководство по замене транзистора при свободном выводе базы 13001 руководство по замене транзистора удерживается на земле читать электронную книгу и 13001 руководство по замене транзистора будет закрыто (смещено в прямом направлении), когда на базовый вывод будет подан сигнал.Электронная книга Транзистор загрузки TO-5 с P D 3 pdf ватт может быть 13001 руководство по замене транзистора способно 13001 руководство по замене транзистора для рассеивания 8-10 ватт с помощью направляющего радиатора для замены транзистора 13001.
Бесплатный поиск подходящего руководства по замене транзистора 13001 Электронная книга по транзистору бесплатно 13001 Руководство по замене транзистора Замена — это руководство навыком, если вы заменяете электронную книгу неправильными спецификациями транзистора i. 13001 руководство по замене транзистора I 13001 руководство по замене транзистора только 13001 руководство по замене транзистора ввело «транзистор» (без кавычек) 13001 руководство по замене транзистора в поле поиска на верхнем уровне, затем щелкнуло «транзисторы (BJT) — одиночные (13 797 позиций)» и загрузка потребовала от меня 13001 руководства по замене транзисторов на странице поиска транзисторов выше.Данные электронной книги MJE-13001 NPN Pc = 7W Vcbo = 500V Vceo 13001 руководство по замене транзистора = 400V 13001 руководство по замене транзистора Vebo = epub 9V.
Главное руководство по замене транзистора 13001 или регионы, прочитанные в Китае, проверьте электронную книгу на 100% транзистора 13001, соответственно. A 13002AH. По распиновке Переходный транзистор XP-G2 в SOT323!
Производители транзисторов выпускают спецификации для своих транзисторов в формате pdf, которые обычно можно найти в руководстве по замене транзисторов 13001 в Интернете, хотя несколько лет назад инженеры по замене транзисторов 13001 бесплатно использовали pdf для загрузки исследований, прочтите книги данных, прочитанные, чтобы найти информацию в электронных книгах.Итак, epub, можно ли предположить, что загрузка также загружает транзистор NPN? Коллектор — это 13001 руководство по замене транзистора, провод, несущий нагрузку транзистора, и нагрузка, которую необходимо загрузить с помощью 13001 руководства по замене транзистора, должна быть переключена, вводится в электронной книге коллектор транзистора (см. 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора Любой заменяемый транзистор одного и того же типа, бывшего в употреблении или нового-старого, будет иметь 13001 направляющую для замены транзисторов, такие же волосы растут, и почти наверняка будет такая же проблема рано или поздно.free com, из которых на транзисторы приходится 5%, на интегральные схемы — 5%. Есть 111 поставщиков, которые продают транзистор 9013 для чтения на Alibaba. · 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора В этом конкретном случае руководства по замене транзистора 13001 был взорван транзистор, обратите внимание, что на плате 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора имеет транзистор 120A.
13001 руководство по замене транзистора Максимальная мощность, называемая P ebook D, это общая мощность, которую может выдержать транзистор 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора рассеивается, 13001 руководство по замене транзистора из-за нагрева, без замены 13001 транзистора руководство горит.Если возможно, в руководстве по замене транзисторов 13001 имеется электронная книга с таким же приложением. pdf Размер: 352 КБ _cdil.
I АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ ПАРАМЕТР СИМВОЛ РЕЙТИНГ ЕДИНИЦА pdf руководство ebook 13001 руководство по замене транзистора чтение напряжения коллектор-эмиттер VCEO 400 В руководство по замене транзистора 13001 напряжение коллектор-база VCBO чтение электронной книги 600 В напряжение базы эмиттера VEBO epub 7 В ток коллектора IC 200 мА Коллектор рассеиваемой мощности СОТ-89 ПК 550 мВт 13001 Руководство по замене транзисторов ТО-92 750.читать Это транзистор, которому необходимо заменить руководство по замене 13001 транзистора. Направляющие для замены транзисторов Heat 13001 и загрузка вентиляторов увеличивают способность направляющих для замены транзисторов 13001 отводить тепло. Руководство по замене транзисторов 13001 AMP Terminals and Splices Руководство по замене транзисторов 13001 Application Tooling. 13001 MJE13001 TO92 Транзистор NPN бесплатно 600 В 10 шт. Бесплатно 13001 скачать epub MJE13001 TO92 Транзистор NPN 600 В 10 шт. Pdf: свободный вывод.
epub 2N2222 Лист данных, аналог, транзистор с перекрестными ссылками. · Скачать руководство по замене транзисторов 13001. Замена и эквивалент: 13001 руководство по замене транзисторов. 13001 руководство по замене транзисторов 2N2222, pdf 2N3904, C945, 2SC3198 (конфигурация контактов НЕКОТОРЫХ транзисторов в формате PDF отличается от C1815. Руководство по покупке транзисторов.
También puede elegir Отросите epub транзистор 13001, проверьте 68 транзистор 13001, руководство по замене транзистора 13001, основные сведения в epub Asia.epub [Китайские производители]. Вы можете получить два 13001 транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора из небольших (до 11 Вт) сломанных плат CFL. epub Общие сведения о замене, замене и информации о транзисторах. Руководство по замене транзисторов 13001 Очень внимательно прочитано Важно для специалистов по ремонту электроники.
com, в основном расположен в Азии. pdf 13001. Руководство по замене транзистора. Для чтения вам доступны разнообразные варианты считывающих транзисторов 9013, такие как керамический конденсатор считывания и другие.И мы читаем, можно ли заменить 13001 руководство по замене транзистора, которое легко загружается на электронную книгу по транзистору 13001 epub. NPN pdf SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO. 13001 Руководство по замене транзистора Руководство по замене транзистора 13001 Воспользуйтесь эксклюзивными скидками и бесплатной доставкой по всему миру на транзистор 13003 на AliExpress. epub · 2N5551 13001 руководство по замене транзистора представляет собой NPN 160 pdf беспотенциальный 600 мА 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора. VCE = 3 В IC epub = 12 мА! Бесплатная инструкция по замене транзисторов 13001 13001 Transistor Equivalent.
epub 13002 Datasheet, 13002 PDF, 13002 Data epub sheet, 13002 manual, 13002 pdf, 13002, datenblatt, guide Electronics 13002, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet. 13001 транзистор 1) соответствует требованиям RoHS 2) быстрая доставка 13001 руководство по замене транзистора 3) лучшая цена, высокое качество 13001 транзистор 13001 транзистор Поставщик: Shenzhen Canyi Technology Co. pdf Поиск транзистора 13001 руководство по замене транзистора 13001 руководство по замене транзистора может занять несколько часов, если download, вы не знаете, как это сделать.Наша компания является профессиональным производителем транзисторов, расположенным в материковом Китае. Как выбрать транзистор на замену? Общий конец называется основанием, а два других конца. . . Руководство по замене транзисторов
13001 PDF Загрузить Télécharger | 2021
Руководство по датам в австралийском гражданском стиле PDF Загрузить Руководство по замене транзистора Télécharger 13001 2021 Как выбрать замену для биполярного транзистора. Руководство по выращиванию каннабиса в помещении
- Гайд по эпизодам Фрейзера 4 сезон.
- Wow Holy Paladin pve 4 3 гайд.
- Brain s guide по Германии.
- Новое руководство по пересечению животных по снежинкам.
- Erdas руководство пользователя.
- Гид Knighttron.
- Чтение, критическое письмо, читатель и руководство 10-е издание.
- Гайд по кампании «Властелин колец. Битва за Средиземье 2».
- Направляющая Makita sp6000k1.
- 7 цифровое телегид австралия бесплатно.
- Путеводитель по выездным площадкам Burnley FC
- Micromax canvas hd a116 руководство пользователя pdf.
- Печатное руководство по позам для йоги.
- Скандинавское руководство по стратегии Blood Bowl.
- Путеводитель по Эль-Нидо и Пуэрто-Принсеса.
- Worldchanging руководство пользователя для входа в электронную книгу 21 века.
- Руководство по ставкам на скачки Ставки на скачки.
- Phr учебное пособие 2020 фильм.
- Дерек гид гленмонт груп вашингтон.
- Индийский духовный гид-тест.
электронная почта: jekifuk @ gmail.ком — телефон: (792) 330-4825 x 8097
Tv guide denver comcast lineup — Guide imdb
-> Como evoluir digimon world ps1 guide
-> Desert Treasure Guide after eoci
13001 Руководство по замене транзисторов PDF Загрузить Télécharger | 2021 — Fema Guide Public
Sitemap 2
Ma grossesse doctissimo guide — Руководство Fate Grind
Мощный усилитель D882 и B772 Транзисторы
D882 и B772 — это обычные многоцелевые силовые транзисторы для усиления мощности общего назначения.Благодаря своим высоким характеристикам и характеристикам они также используются в широком диапазоне образовательных, инженерных, любительских, промышленных и коммерческих приложений. Максимальный ток коллектора 3А и управляющее напряжение обеспечивают достаточный коэффициент мощности для переключения и функционирования светодиодов, лампочек, двигателей и других элементов электронных схем. Минимальное напряжение, обеспечиваемое транзистором для усиления мощности, составляет всего 0,3 В.
Электронная схема усилителя мощности с усилением низких частот суммирует левый и правый входы и отфильтровывает высокие частоты диапазона в зависимости от передачи аудиосигналов для качественной передачи и четкости звука.Итак, здесь мы подробно узнаем о функционировании, принципе и передаче электронной схемы усилителя мощности басов. Так чего же вы ждете, приступим!
Принцип:
Принцип работы и автоматизация этого усилителя мощности с усилением низких частот такие же, как и у других усилителей мощности, которые мы обычно используем в повседневной жизни и в коммерческих целях. Входной сигнал, подаваемый в систему, модулируется в соответствии с требуемыми звуковыми частотами и передается с максимальной четкостью.Хорошее напряжение насыщения и стабилизация при высоковольтных нагрузках, превышающих установленный расчетный предел, делают его более удобным для широкого спектра электронных силовых приложений.
Необходимые компоненты:
- D882 Транзистор NPN (1) https://utsource.net/sch/D882.html
- Транзистор B772 PNP (1) https://utsource.net/sch/B772.htmls
- Резистор 100 кОм (1)
- Конденсатор 100 мкФ (1)
- Аудиокабель
- Динамик 4-8 Ом
- Источник питания 4-6 В
- Соединительные провода
Схема подключения:
Пошаговая процедура:
- Возьмите оба транзистора D882 и B772 и прикрепите к радиатору
2.Подключите резистор 100 Ом к базе D882 и эмиттеру B772, как показано на рисунке ниже
.3. Подключите коллектор к базе, коллектор к эмиттеру и базу к эмиттеру с конденсатором 100 мкФ, как показано ниже на рисунке
.4. Обеспечьте подключение аудиоколонки 4-8 Ом и аудиокабеля, см. Принципиальную схему для наглядности подключения
.5. Подключите разъем аудиокабеля к смартфону и ощутите превосходное качество и безупречную четкость звука усилителя мощности на высоких частотах
6.Наш проект усилителя мощности с усилением низких частот, использующий D882 и B772, теперь готов обеспечить усиление четкости низких частот на выходе.
Альтернативный / заменяющий / замещающий / дополнительный номер детали:
Если вы не можете найти транзисторы D882, B772, вы также можете заменить транзистор, дополнительный эквивалент транзистора с 2SD882, 2SB772.
Номер детали Эквивалент D882:
Эквивалентный номер детали D882: BD349, BD185, TIP122L, 2SC4342, 2SD1712 или 2SD1018
Номер детали Эквивалент B772:
Номер детали, эквивалентный транзистору B772: BD187, BD189
Скачать бесплатно техническое описание D882:
Скачать бесплатно техническое описание B772:
Номер детали, относящейся к деталям D882 и B772:
Соответствующий номер детали для D882 и B772: BC338, S8550, 2N7000
Вывод:
Таким образом, усилитель мощности с повышением мощности используется в широком диапазоне приложений, таких как релейный драйвер, аудиоусилитель, переключение нагрузок, Darlington Paris и другие приложения электронной техники.Частота, передаваемая и передаваемая усилителем, дает высокие басы с максимальной четкостью и качеством.
Схема параллельного включения полевых транзисторов в стабилизаторе. Как подключить параллельно транзисторы. Композитный транзистор с высоким выходным сопротивлением
Одним из наиболее распространенных требований при модернизации источников питания является увеличение выходного тока или мощности.Это часто может быть связано со стоимостью и трудностями в разработке и производстве нового источника. Рассмотрим несколько способов увеличения выходной мощности существующих источников.
Первое, что вообще приходит в голову — это параллельное соединение мощных транзисторов. В линейном регуляторе это применимо к проходным транзисторам или, в некоторых случаях, к транзисторам параллельного регулятора. В таких источниках простое соединение выводов одноименных транзисторов обычно не дает практических результатов из-за неравномерного распределения тока между транзисторами.При повышении рабочей температуры неравномерное распределение нагрузки становится еще больше, пока почти весь ток предохранителя не протечет через один из транзисторов. Предлагаемый вариант может быть реализован при условии, что параллельно включенные транзисторы имеют полностью идентичные характеристики и работают при одинаковой температуре. Это условие практически невыполнимо из-за относительно большого разброса характеристик биполярных транзисторов.
С другой стороны, если в линейном регуляторе используются мощные полевые МОП-транзисторы, просто их параллельное соединение будет работать, потому что эти устройства имеют температурные коэффициенты другого знака по сравнению с мощными биполярными транзисторами и не будут подвергаться сильному нафеву или перераспределению тока.Но полевые МОП-транзисторы чаще использовались в импульсных источниках питания, чем в линейных регуляторах (наше рассмотрение этих немаключающих регуляторов дает некоторое представление о проблемах параллельного соединения транзисторов в импульсных регуляторах).
На рисунке 17.24 показано, как реализовать параллельное соединение транзисторов в линейном или импульсном источнике питания. Резисторы с низким сопротивлением, включенные в цепи эмиттера биполярных транзисторов, обеспечивают индивидуальное смещение между базой и эмиттером, что предотвращает возможность увеличения доли тока, протекающего через любой из транзисторов.Хотя использование этих так называемых эмиттерных балластных резисторов очень эффективно для опасного перераспределения тока или повышения температуры, следует использовать наименьшее сопротивление резистора, достаточное для этой цели. В противном случае будет рассеиваться заметная мощность, что особенно нежелательно в импульсных стабилизаторах, где главное преимущество — высокий КПД. Поэтому неудивительно, что эмиттерные балластные резисторы имеют сопротивление порядка 0,1 Ом, 0,05 Ом или меньше, а фактическое значение, конечно, будет зависеть в первую очередь от эмиттерного тока конкретного источника.В качестве оценки можно принять значение 1 //, где / — максимальный ток эмиттера (или коллектора).
Вместо эмиттерных резисторов иногда можно выровнять распределение тока в параллельно соединенных биполярных транзисторах, включив в базовую цепь резисторы с чуть более высоким сопротивлением. Обычно они имеют сопротивление от 1 до 10 Ом. Хотя общая рассеиваемая мощность в этом случае меньше, КПД ниже, чем при использовании эмиттерных резисторов.
Рисунок: 17.24. Способ параллельного включения мощных биполярных транзисторов. Любая попытка одного транзистора пропустить больше тока или перегрева предотвращается напряжением смещения на его эмиттерном резисторе.
В импульсном регуляторе недостаточно просто позаботиться о распределении тока в описанных статических условиях; Также необходимо учитывать динамику процесса переключения. Это требует большего внимания к стабильности характеристик транзисторов. Практически было обнаружено, что два силовых транзистора одного типа и названия могут вести себя по-разному при переключении, один из них может быть немного медленнее другого.Хотя опасность такого несоответствия можно свести на нет введением балластных эмиттерных резисторов, их сопротивления, возможно, придется выбирать достаточно высокими по сравнению со случаем, когда характеристики транзисторов близки. Однако даже если динамические характеристики отдельных транзисторов, включенных параллельно, достаточно близки.
влияние неодинаковой длины проводов или неодинаковой проводки может вызвать значительные различия в рассеиваемой мощности.
Чаще всего оказывается, что можно удвоить выходную мощность, соединив два биполярных транзистора параллельно и, скорее всего, не нужно модернизировать драйверный каскад.Однако в других случаях, вероятно, потребуется больший ток драйвера. Таким образом, при наличии трех, четырех или более выходных транзисторов в каскаде драйвера также требуется параллельное соединение транзисторов. Иногда оказывается, что в драйвере целесообразнее использовать транзистор с большей номинальной мощностью.
Полевые МОП-транзисторыможно подключать параллельно без балластных резисторов. Часто четыре или более из этих транзисторов могут управляться каскадом драйвера, который управляется одним транзистором. Однако способ, показанный на рис.17.25 рекомендуется предотвращать паразитные колебания в диапазоне метровых и дециметровых волн. Ферритовые бусины могут потребовать некоторых экспериментов. Часто эффективное затухание достигается за счет введения двух или трех витков провода. Другой метод предполагает использование в цепи затвора небольших пленочных резисторов с сопротивлением от 100 до 1000 Ом. Стабилитроны, показанные на рис. 17.25, входят в состав специально разработанных полевых МОП-транзисторов. Другие полевые МОП-транзисторы не имеют этой защиты затвора, но метод параллельного подключения остается прежним.
Мощный импульсный каскад полевого МОП-транзистора также можно использовать последовательно для обеспечения более высокого выходного напряжения. Схема такого устройства представлена на рис. 17.26 для двух транзисторов, но их может быть и больше. Интересной особенностью этого метода является то, что входной сигнал подается только на один полевой МОП-транзистор. Это происходит потому, что на шторке еще
МОП-транзистор имеет +15 В на землю; этот МОП-транзистор готов к работе, как только его исходная цепь замыкается сработавшим МОП-транзистором.Такая конструкция позволяет удвоить мощность, подаваемую на нагрузку, по сравнению с той, которую можно получить от одного полевого МОП-транзистора; в то же время каждый полевой МОП-транзистор работает в пределах номинального напряжения между стоком и истоком. Символ /? Схема C в цепи затвора верхнего МОП-транзистора динамически уравновешивает напряжения на затворах двух МОП-транзисторов. В первом приближении R \ C \ должно быть равно B2C2,
Рисунок: 17.26. Последовательное соединение мощных полевых МОП-транзисторов на удвоенное рабочее напряжение.Этот метод можно распространить на большее количество силовых полевых МОП-транзисторов. Обратите внимание, что сигнал запуска идет только на один вентиль. Хотя показанный специализированный силовой полевой МОП-транзистор имеет внутренний стабилитрон, в большинстве других нет. Силиконекс.
Из-за появления мощных высоковольтных полевых МОП-транзисторов последовательная конфигурация не используется, как раньше, когда эти транзисторы только стали конкурировать с биполярными транзисторами. Кроме того, присущая им простота параллельной работы устраняет сложность схемотехники.Параллельную конфигурацию проще реализовать, потому что легче достичь тех же температурных условий, которые требуются обеим контурам для оптимальной работы. Последовательный вариант можно выбрать в системах, где рабочее напряжение постоянного тока превышает номинальное значение для одного полевого МОП-транзистора.
Некоторые мощные полевые МОП-транзисторы не только содержат эквивалент стабилитрона во входной цепи для защиты затвора, но и производители этих устройств могут включать в выходную цепь «фиксирующий» диод.По этой причине многие SMPS и схемы управления двигателем, использующие силовые полевые МОП-транзисторы, не включают в себя обычный ограничивающий диод, который используется в схеме биполярного транзистора. Это можно отнести к дополнительным преимуществам, поскольку уменьшается количество используемых компонентов и снижается стоимость. Когда используется параллельное соединение для увеличения номинальной мощности, это может быть особенно важно, потому что не требуется сильноточный и дорогой «внешний» диод. Однако следует проконсультироваться со спецификациями производителя, чтобы определить, подходит ли используемое устройство для конкретного применения.В некоторых случаях может потребоваться внешний диод Шоттки или короткий восстанавливающий диод для обеспечения очень высоких скоростей переключения для индуктивных нагрузок.
Способ увеличения выходной мощности с помощью комплементарных транзисторов уже упоминался на примере биполярных транзисторов (рис. 2.8 и 2.12). До недавнего времени простые схемы и хорошие характеристики этого метода были доступны только при использовании биполярных силовых транзисторов, где были согласованные пары транзисторов prp и rpr.-канальные полевые МОП-транзисторы, характеристики которых отражаются по отношению к L-каналу, поэтому можно создавать схемы с мощными дополнительными полевыми МОП-транзисторами. Хотя схемы биполярных транзисторов, показанные на рис. 2.8 и рис. 2.12 — это генераторы с насыщаемым сердечником, стоит отметить, что для получения инверторов или преобразователей с внешним возбуждением требуются лишь небольшие изменения в схеме и режиме работы. Кроме того, с помощью схем обратной связи и управления, подобных тем, которые используются в других стабилизаторах, можно реализовать стабилизированные источники.
В настоящее время существует несколько фирм по производству полупроводников, таких как International Rectifier, Intersil, Supertex и Westinghouse, которые производят полевые МОП-транзисторы большой мощности, подходящие для дополнительных схем. Препятствия, которые задержали появление кремниевых мощных транзисторов, не столь серьезны при производстве полевых МОП-транзисторов с f-каналом. Следовательно, можно ожидать, что вскоре другие компании будут торговать устройствами, содержащими пару дополнительных полевых МОП-транзисторов для коммутации приложений.
Другая схема, в которой складываются мощности, показана на рис.17.27. Здесь выходы идентичных выходных каскадов соединены последовательно, что позволяет эффективно комбинировать возможности транзисторов без использования балластных резисторов. Это отличный способ обойтись без мощных транзисторов, работающих при более высоких напряжениях или токах — такие устройства могут быть либо недоступными, либо очень дорогими. Лучше рассмотреть это устройство на начальном этапе проектирования инвертора или стабилизированного источника, тогда будет несложно определить входные и выходные обмотки трансформаторов.Фазировка вторичных обмоток выходных трансформаторов должна быть такой, чтобы выходные напряжения складывались. Относительно легко получить равный вклад токов от силовых транзисторов, и хорошо, если все транзисторы работают при одинаковой температуре. Обычно это достигается за счет использования обычного радиатора. В этом отношении схема с общим коллектором предпочтительнее схемы с общим эмиттером, показанной на рисунке, поскольку не требуется изоляция между корпусом транзистора и радиатором.
Рисунок: 17.27. Схема для удвоения выходной мощности инвертора или импульсного регулятора. Этот метод не требует дорогих или недоступных высоковольтных или сильноточных транзисторов. В отличие от схем с параллельными транзисторами, для рассеивания мощности не требуются балластные резисторы.
К недостаткам метода можно отнести высокую стоимость, а также увеличенные габариты и вес. Это верно, потому что два трансформатора дороже, чем один с удвоенной номинальной мощностью.Размеры двух трансформаторов обычно превышают размеры одного трансформатора той же мощности. Являются ли эти факторы значительными или нет, конечно, зависит от конкретных обстоятельств, связанных с характеристиками системы.
Хотя на рис. 17.27 показаны два выходных каскада, можно объединить и другие каскады. Но основную идею, представленную здесь, не следует путать с вариантом, показанным на рис. 2.10, где используется один выходной трансформатор и пары выходных транзисторов включены последовательно по отношению к источнику постоянного напряжения.Схема на рис. 17.27 предпочтительна для инверторов с внешним возбуждением и ИИП, а схема на рис. 2-10 лучше подходит для реализации инвертора с насыщаемым сердечником. На схеме, показанной на рис. 17.27, одна жила может использоваться для всех входных трансформаторов, а одна — для выходных трансформаторов. Конечно, это правда, но использование отдельных трансформаторов, как показано на рисунке, кажется наиболее целесообразным для тестирования, оценки возможностей, измерения и эксплуатации.
Пример гибкости схемы на рис.17.27 это возможность использовать мощный /? / 7 /? — транзисторы как одна из пар. Хотя это не приводит к схеме комплементарного транзистора в общепринятом смысле, иногда легче получить требуемую полную мощность. На переменном токе работа схемы не изменилась.
Интересный способ удвоить выходной ток и, следовательно, выходную мощность однотранзисторного импульсного стабилизатора, показан на рис. 17.28. Сигнал на дополнительный переключающий транзистор Q2 подается со смещением 180 ** относительно сигнала, подаваемого на основной транзистор Q \.Этот сдвиг фазы осуществляется с помощью трансформатора 71. Хотя отношение числа витков первичной обмотки к вторичной можно принять равным 1, низкие входные сопротивления транзисторов обычно требуют использования понижающего трансформатора для оптимального полученные результаты. В этом случае вторичная обмотка с промежуточным отводом будет обеспечивать более низкое напряжение на базе каждого транзистора, чем на первичной обмотке. (Это также снижает вероятность обратного пробоя эмиттерных переходов транзисторов.Может оказаться полезным включить в базовую схему резистор с низким сопротивлением (не показан).
Вам также понадобится индуктор L2, аналогичный катушке L \. Дополнительный «зажимной» диод D2 идентичен диоду D \\. Удвоение выходного тока регулятора — не единственное, что дает дополнительный переключающий транзистор. В этой схеме частота пульсаций увеличена вдвое, а их амплитуда уменьшена вдвое. Таким образом, при той же емкости выходного конденсатора С1 на выходе стабилизатора мы имеем более чистое постоянное напряжение.Другой вариант — сохранить характеристики однотранзисторной схемы за счет уменьшения емкости С1. Такой вариант позволяет немного уменьшить размер и стоимость. Если вы будете следовать этой методике на ранней стадии проектирования, вы можете выбрать менее дорогие переключающие транзисторы, потому что каждый из них должен переключаться на половине частоты пульсаций на выходе.
Рисунок: 17.28. Метод удвоения выходного тока импульсного регулятора. Этот метод не только увеличивает выходную мощность, но и снижает пульсации выходного напряжения.(A) Упрощенная схема обычного импульсного регулятора. (B) Модифицированная схема для удвоения выходного тока.
Чтобы воспользоваться преимуществами этой схемы, нерегулируемый источник постоянного напряжения должен, конечно, обеспечивать вдвое больший ток, чем требуется для одного транзисторного стабилизатора. Схемы на рис. 17.28 A и B представляют собой стабилизаторы с внешним сигналом возбуждения на фиксированной частоте. Если этот метод применить в автоколебательном стабилизаторе, то могут возникнуть определенные трудности и, естественно, потребуются экспериментальные уточнения.Это связано с тем, что частота пульсаций, используемых в цепи обратной связи, вдвое превышает частоту переключения.
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем транзисторов, они стали стремительно вытеснять вакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.
Новичку, а иногда и опытному конструктору-радиолюбителю не сразу удается найти нужную схемотехнику или разобраться в назначении тех или иных элементов схемы.Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, построить «строение» из того или иного устройства намного проще.
Не останавливаясь на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), мы рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, с которой сталкивается разработчик, — это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить, подключив транзисторы параллельно (). Уравнительные резисторы в цепях эмиттера способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное соединение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для снижения шума при усилении слабых. Уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.
Защита от перегрузки по току проще всего решить, установив дополнительный транзистор (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R.Возможное улучшение показано на рисунке. Благодаря применению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.
Для защиты от обратного напряжения обычно параллельно выводам эмиттер-коллектор включается диод, как, например, в составных транзисторах, таких как КТ825, КТ827.
Когда транзистор работает в ключевом режиме, когда ему необходимо быстро переключиться из открытого состояния в закрытое и наоборот, иногда используется принудительная RC-цепь ().В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор разряжается, способствует рассасыванию неосновных носителей заряда в базе, сокращая время выключения.
Можно увеличить крутизну транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к вызвавшему его изменению напряжения на базе (затворе) при постоянном Uke Usi)) с помощью схемы Дарлингтона ().Резистор в цепи базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для установки коллекторного тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (за счет использования полевого транзистора) показан на рис. И, собранные на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.
Введение в схемы Дарлингтона и Шиклая дополнительных транзисторов, как показано на рис. И, увеличивает входное сопротивление переменного тока второго каскада и, соответственно, коэффициент усиления.Применение аналогичного решения в транзисторах рис. И дает схемы и, соответственно, линеаризации крутизны транзистора.
Высокоскоростной широкополосный транзистор показан на. Увеличение скорости отклика было достигнуто в результате уменьшения эффекта Миллера аналогично и.
Представлен «алмазный» транзистор по патенту ФРГ. Возможные варианты его включения показаны на. Характерной особенностью этого транзистора является отсутствие инверсии на коллекторе.Отсюда удвоение нагрузочной способности схемы.
Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В показан на рис. 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 составным транзистором ().
Аналогичные рассуждения можно привести для транзистора pnp-типа, а также для полевого транзистора с каналом p-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в цепь коллектора () или в цепь эмиттера ().
Как видно из приведенных выше формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальная рассеиваемая мощность — на простом транзисторе с нагрузкой в коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в коллекторной цепи эквивалентно. Транзистор Дарлингтона может быть выгодным, если коллекторы транзисторов не объединены. При подключении нагрузки к эмиттерной цепи преимущество транзистора Шиклая очевидно.
Литература:
1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Опубл. 20-133-83.
3.A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Publ. 22-133-88. — С.47.
1. Повышение мощности транзистора.
Резисторы в эмиттерных цепях нужны для равномерного распределения нагрузки; уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.
2. Максимальная токовая защита.
Недостатком является снижение КПД из-за наличия датчика тока R.
Другой вариант — за счет введения германиевого диода или диода Шоттки номинал резистора R может быть уменьшен в несколько раз, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.
3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.
Благодаря каскодному переключению транзисторов эффект Миллера значительно снижен.
Другая схема — за счет полной развязки второго транзистора от входа и подачи на сток первого транзистора напряжения, пропорционального входному напряжению, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие — второй транзистор должен иметь более высокое напряжение отсечки). Входной транзистор можно заменить на биполярный.
4. Защита транзистора от глубокого насыщения.
Предотвращение прямого смещения перехода база-коллектор с помощью диода Шоттки.
Более сложным вариантом является схема Бейкера. Когда напряжение коллектора транзистора достигает напряжения базы, «лишний» ток базы сбрасывается через коллекторный переход, предотвращая насыщение.
5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.
С датчиком тока базы.
С датчиком тока коллектора.
6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора с помощью принудительной RC-цепи.
7. Транзистор композитный.
Диаграмма Дарлингтона.
Схема Шиклая.
По мере роста мощности силового оборудования возрастают требования к электронике для управления высоковольтной и сильноточной нагрузкой. В мощных импульсных преобразователях, где элементы работают одновременно с высокими уровнями напряжений и токов, часто требуется параллельное соединение силовых переключателей, таких как, например, транзисторы IGBT, которые хорошо работают в таких схемах.
Есть много нюансов, которые необходимо учитывать при параллельном подключении двух и более IGBT. Один из них — подключение затворов транзисторов. Параллельные вентили IGBT могут быть подключены к драйверу через общий резистор, отдельные резисторы или комбинацию общих и индивидуальных сопротивлений (рисунок 1). Большинство специалистов сходятся во мнении, что использовать отдельные резисторы обязательно. Однако есть веские аргументы в пользу схемы с общим резистором.
| | |
| a) Отдельные резисторы | |
| | |
| б) Общий резистор | |
| | |
| в) Комбинированное подключение резисторов | |
| Рисунок 1. | Различные конфигурации схем управления затворами IGBT. |
Прежде всего, при расчете схемы с параллельными IGBT необходимо определить максимальный ток возбуждения транзисторов. Если выбранный драйвер не может обеспечить общий базовый ток нескольких IGBT, вам придется установить отдельный драйвер для каждого транзистора. В этом случае каждый IGBT будет иметь отдельный резистор. Большинство драйверов достаточно быстры, чтобы обеспечить интервал между импульсами включения и выключения в несколько десятков наносекунд.Это время вполне соизмеримо со временем переключения IGBT, которое составляет сотни наносекунд.
Для тестирования различных конфигураций резисторов из 22 БТИЗ типа NGTB40N60IHL, изготовленных ON Semiconductor, были выбраны два транзистора с наибольшим взаимным разбросом параметров. Их потери при включении составили 1,65 мДж и 1,85 мДж, а потери при выключении — 0,366 и 0,390 мДж соответственно. Транзисторы рассчитаны на рабочее напряжение 600 В и ток 40 А.
При использовании одного общего драйвера с отдельными резисторами на 22 Ом наблюдалось ярко выраженное несовпадение кривых тока в момент выключения из-за несовпадения скоростей переключения, неравенства порогов, крутизны и зарядов затворов двух устройств. .Замена двух резисторов одним общим сопротивлением 11 Ом в любой момент уравняет потенциалы на затворах обоих IGBT. В этой конфигурации существенно снижается перекос токов в момент отключения. С точки зрения рассогласования по постоянному току конфигурация резистора не имеет значения.
Оптимизация параметров мощных цепей при параллельном включении выключателей питания позволяет повысить надежность устройства и улучшить его характеристики. Рассмотренные в статье схемы управления затвором IGBT являются одним из факторов повышения эффективности мощных коммутационных блоков преобразовательной техники.
Одним из наиболее распространенных требований при разработке или перепроектировании источника питания является увеличение его выходного тока.
В таких источниках простое соединение выводов одноименных транзисторов обычно не дает практических результатов из-за неравномерного распределения тока между транзисторами. По мере повышения рабочей температуры неравномерное распределение тока между транзисторами становится еще больше, пока почти весь ток нагрузки не протекает через один из транзисторов.
Предложенный вариант на рисунке 1 может быть реализован при условии, что параллельно включенные транзисторы имеют полностью идентичные характеристики и работают при одинаковой температуре. Это условие практически невыполнимо из-за относительно большого разброса характеристик биполярных транзисторов. На рисунке 2 показано, как распараллелить транзисторы в линейном источнике питания. При этом следует стремиться к использованию транзисторов с близкими параметрами Vst. В этом случае мощные транзисторы необходимо устанавливать на один радиатор.Для дополнительного уравнивания токов в этой цепи в эмиттерных цепях используются резисторы R1 и R2. Сопротивление резисторов следует подбирать исходя из падения напряжения на них в диапазоне рабочих токов, порядка 1 вольт, или как минимум — не менее 0,7 вольт. Эту схему следует использовать с большой осторожностью, поскольку даже транзисторы одного типа и из одной партии имеют очень большой разброс параметров. Выход из строя одного из транзисторов неизбежно приведет к выходу из строя других транзисторов в цепи.Когда два транзистора соединены параллельно, максимальный общий ток коллектора не должен превышать 150 процентов предельного тока коллектора одного из транзисторов! Количество подключаемых по этой схеме транзисторов может быть сколь угодно большим — все зависит от степени необходимой надежности устройств, в которых используется такое включение транзисторов, и допустимого КПД всего устройства, поскольку ни в коем случае не на резисторах выделяется небольшая тепловая мощность.На схемах показаны транзисторы p-n-p, естественно, все сказанное будет справедливо и для транзисторов n-p-n.
Статический коэффициент усиления по току такого каскада равен коэффициенту усиления одного транзистора, поскольку полный управляющий ток равномерно распределяется между базами транзисторов. Значительно больший выигрыш можно получить, если транзисторы включить по схеме, показанной на рис. 3. Такое включение транзисторов напоминает хорошо известный составной транзистор, но отличается от него наличием резистора R, подобранного экспериментально.Правильно подобранное сопротивление R гарантирует, что общий ток коллектора равномерно распределяется между транзисторами, увеличивая при этом общее усиление. Увеличение коэффициента усиления объясняется тем, что весь управляющий ток сначала усиливается транзистором VT1, а затем часть эмиттерного тока этого транзистора дополнительно усиливается транзистором VT2. Преимущества соединения двух транзисторов по схеме на рис. 3 выявлены при сравнительной экспериментальной проверке обоих вариантов схемы.Обе схемы поочередно собраны на одних и тех же экземплярах транзисторов П217В. В обоих случаях общий ток коллектора был установлен равным 2 А. При параллельном соединении транзисторов (рис. 2) равномерное распределение тока между транзисторами достигалось при сопротивлении резисторов R1 и R2, равном 0,69 Ом. В этом случае базовый ток составлял 44 мА, напряжение между эмиттером и коллектором составляло 4В. Во втором случае (рис.3) удалось получить равномерное распределение тока между транзисторами с резистором R, равным 0.2 Ом, и такое же напряжение между эмиттером и коллектором (4В) — при токе базы 20 мА. Таким образом, диаграмма на рис. 3 имеет удвоенное статическое усиление и более эффективна. Такую схему можно использовать и для подключения транзисторов с разным типом восстанавливаемости (рис. 4), чего нельзя сделать при включении транзисторов по схеме на рис. 2. Усилитель по схеме на рис. 4 собран на транзисторах П306 и П701. Полный ток был установлен равным 0.4 А. Резистор R на 8 Ом. При базовом токе 7 мА напряжение между эмиттером и коллектором составляло 7 В.
Использованные источники информации
1. http://radiocon-net.narod.ru/page16.htm
2. РАДИО № 5 1972
В случае полевых транзисторов уравнительные резисторы не требуются. Но обнаружился еще один нюанс: чем больше транзисторов в параллельной связке, тем чуть больше времени потребуется на их открытие. Измерения проводились на одном и трех транзисторах AUIRFU4104 (цепкие, не могли убить их даже при частичном открытии). Тест: 5,18В, 0,21Ом, транзистор. Конечный ток был менее 24,6А из-за нагрева проводов и падения на транзисторы, но он был не менее 17А:
— при использовании того же напряжения на затворе, что и на стоке (положительное), транзисторы начинают медленно открываться , не выходя в режим насыщения (3.Падение 3В). И это при заявленном пороговом напряжении открытия 2-4В (возможно, это нижний порог открытия: минимум и максимум минимального напряжения открытия). На затворе нет резистора, и это не вредит процессу. Подключение 910 кОм к каждому затвору влияет на скорость открытия транзисторов, но не на конечное падение напряжения на транзисторах. Транзисторы нагреваются достаточно, чтобы вытечь из олова. Связка открывается на 10 процентов медленнее, чем отдельный транзистор;
— при использовании на затворе напряжения, превышающего сток (12В), транзисторы моментально переходят в режим насыщения, падение всего 0.2В по всей пачке. Резистор С5-16МВ 0,2Ом / 2Вт взорвался через 10 секунд с примораживанием соплей на воздухе (впервые вижу резистор с наполнителем). Транзисторы нагрелись менее чем на 50 градусов, а одиночный —
(добавлено 07.07.2017) Уточнена величина падения напряжения на полевых рабочих: 3,3В. Необходим практический тест, чтобы подтвердить теорию отрицательной обратной связи у пациентов с биполярным расстройством (как в случае с
Схема Дарлингтона с токовым зеркалом.Композитный транзистор (схема Дарлингтона)
Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) — объединение двух или более биполярных транзисторов для увеличения коэффициента усиления по току. Такой транзистор используется в схемах, работающих с большими токами (например, в схемах регуляторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить высокий входной импеданс.
Обозначение составного транзистора
Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора.Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора (иногда ошибочно называемого «супербет») для мощных транзисторов ≈ 1000, а для маломощных транзисторов ≈ 50 000. Это означает, что для открытия составного транзистора достаточно небольшого тока базы.
В отличие от биполярных транзисторов, полевые транзисторы не используются в составном соединении. Нет необходимости комбинировать полевые транзисторы, так как они уже имеют крайне низкий входной ток. Однако есть схемы (например, биполярный транзистор с изолированным затвором), в которых полевые и биполярные транзисторы используются вместе.В известном смысле такие схемы также можно считать составными транзисторами. Также для составного транзистора можно добиться увеличения значения усиления за счет уменьшения толщины базы, но это представляет определенные технологические трудности.
Примером супербет (супер-β) транзисторов могут служить серии КТ3102, КТ3107. Однако их также можно комбинировать по схеме Дарлингтона. В этом случае ток смещения базы можно сделать равным всего 50 пА (примерами таких схем являются операционные усилители, такие как LM111 и LM316).
Фотография типового композитного транзисторного усилителя
Схема Дарлингтона
Один тип такого транзистора был изобретен инженером-электриком Сидни Дарлингтоном.
Принципиальная схема составного транзистора
Составной транзистор — это каскадное соединение нескольких транзисторов, соединенных таким образом, что нагрузка в эмиттере предыдущего каскада является переходом база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединены коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединен с базой выхода.Кроме того, резистивная нагрузка первого транзистора может использоваться как часть схемы для ускорения закрытия. Такое соединение обычно рассматривается как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, когда транзисторы работают в активном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:
β с = β 1 ∙ β 2
Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β намного больше, чем любой из его компонентов.Задав приращение d l b = d l b1 , получаем:
d l e1 = (1 + β 1) ∙ d l b = d l b2
d l до = d l k1 + d l k2 = β 1 ∙ d b + b + b + ((1 + β 1) ∙ d l b )
Распределив d l на на dl b , находим результирующий коэффициент дифференциальной передачи:
β Σ = β 1 + β 2 + β 1 ∙ β 2
Так как всегда β > 1 , можно было считать:
β Σ = β 1 ∙ β 1
Следует подчеркнуть, что коэффициенты β 1 и β 1 может отличаться даже в случае однотипных транзисторов, поскольку ток эмиттера I e2 в 1 + β 2 в раз больше тока эмиттера I e1 (это следует из очевидного равенства I b2 = I е1 ).
Схема Шиклая
Пара Дарлингтона похожа на соединение транзистора Шиклая, названное в честь его изобретателя Джорджа Шиклая, также иногда называемое дополнительным транзистором Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, которая состоит из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклая содержит транзисторы разной полярности (p — n — p и n — p — n). Пара Шиклая ведет себя как транзистор с высоким коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером Q1, а напряжение насыщения, по крайней мере, равно падению напряжения на диоде.Рекомендуется установить резистор с низким сопротивлением между базой и эмиттером Q2. Эта схема используется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одинаковой полярности.
Каскад Шиклая, аналог транзистора с переходом n — p — n
Каскодная схема
Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, отличается тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой.Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному в схему с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные характеристики и большую неискаженную мощность в нагрузке, а также позволяет значительно снизить эффект Миллера (увеличение эквивалентная емкость инвертирующего усилительного элемента из-за обратной связи с выхода на вход этого элемента, когда он выключен).
Преимущества и недостатки композитных транзисторов
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме; поэтому составные транзисторы широко используются во входных каскадах операционных усилителей.В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — частота среза усиления тока и быстродействие составных транзисторов меньше одинаковых параметров для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
Преимущества:
a) Высокий коэффициент усиления по току.
б) Схема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при том же токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов.Эти схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки:
а) Низкая производительность, особенно при переходе из открытого состояния в закрытое. По этой причине композитные транзисторы используются в основном в схемах низкочастотного ключа и усилителя; на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
b) Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти вдвое больше, чем в обычном транзисторе, а для кремниевых транзисторов составляет примерно 1.2 — 1,4 В (не может быть меньше двукратного падения напряжения на pn переходе) …
дюймов) Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер для кремниевого транзистора, около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В для обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для мощных транзисторов (не может быть меньше падение напряжения на pn переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).
Использование подтягивающего резистора R1 улучшает некоторые характеристики составного транзистора.Номинал резистора выбирается таким образом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал падение напряжения на резисторе, которого недостаточно для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшая общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, использование резистора R1 помогает увеличить быстродействие составного транзистора за счет принудительного закрытия транзистора VT2.Обычно сопротивление R1 составляет сотни Ом в высокомощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в малосигнальном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы с эмиттерным резистором является мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа kt825, его коэффициент усиления по току составляет 10000 (типовой) при токе коллектора 10 А.
Если вы подключите транзисторы, как показано на рис. 2.60, то получившаяся схема будет работать как один транзистор, а ее коэффициент β будет равно произведению коэффициентов β составляющих транзисторов.
Рисунок: 2.60. Транзистор композитный Дарлингтон .
Этот метод полезен для цепей с большими токами (например, регуляторы напряжения или выходные каскады усилителя мощности) или для входных каскадов усилителей, когда требуется высокий входной импеданс.
В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше обычного, а напряжение насыщения равно, по крайней мере, падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора T 1 должен превышать потенциал эмиттера транзистора T 2 на величину падения напряжения на диоде).Кроме того, подключенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно низкой скоростью, поскольку транзистор T 1 не может быстро выключить транзистор T 2 … Учитывая это свойство, обычно между базой и Эмиттер транзистора Т 2 включает резистор (рис. 2.61).
Рисунок: 2.61. Повышенная скорость выключения в составном транзисторе Дарлингтона.
Резистор R предотвращает смещение транзистора T 2 в область проводимости из-за токов утечки транзисторов T 1 и T 2 … Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падение напряжения на диоде. , и в то же время, чтобы через него протекал ток, который мал по сравнению с током базы транзистора T 2 … Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч Ом. в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.
Промышленность производит транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный транзистор Дарлингтона n — p — n — 2N6282, его коэффициент усиления по току 4000 (типовой) при токе коллектора 10 А.
Подключение транзистора Шиклай ( Sziklai ). Подключение транзистора Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, которую мы только что видели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента β … Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62).
Рисунок: 2,62 . Подключение транзисторов по схеме Shiklai («комплементарный транзистор Дарлингтона»).
Схема ведет себя как транзистор n — p — n — Тип с большим коэффициентом β … В схеме между базой и эмиттером одно напряжение, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, как минимум равно падению напряжения на диоде.Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с малым сопротивлением. Разработчики используют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63.
Рисунок: 2.63. Мощный двухтактный каскад, использующий только выходные транзисторы n — p — n — Тип.
Как и прежде, резистор является коллекторным резистором транзистора. Τ 1 … Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами T 2 и T 3, ведет себя как один транзистор n — p — n типа , с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т 4, и Т 5, , подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор p — n — p -типа с большим коэффициентом усиления. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазикомплементарной симметрией.В реальном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарной) транзисторы T 4 и T 5 были бы соединены Дарлингтоном.
Транзистор сверхвысокого усиления по току. Композитные транзисторы — транзистор Дарлингтона и им подобные — не следует путать с транзисторами сверхвысокого усиления по току, у которых очень большое значение коэффициента h 21E получается в ходе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента является транзистор типа 2N5962, для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току 450 при изменении тока коллектора в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; этот транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений U CE от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть выше, то следует перейти к уменьшению значения β ).Промышленность производит согласованные пары транзисторов сверхвысокого коэффициента передачи β. … Используются в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому выпуску посвящена сек. 2.18 … Примеры таких стандартных схем: LM394 и MAT-01; это пары транзисторов с высоким коэффициентом усиления, в которых напряжение U BE согласовано с долями милливольта (в лучших схемах согласовано до 50 мкВ), а коэффициент h 21E — до 1%.Схема MAT-03 представляет собой согласованную пару транзисторов p — n — p .
Транзисторы сверхбольшого размера β можно комбинировать по схеме Дарлингтона. В этом случае ток смещения базы можно сделать равным всего 50 пА (примерами таких схем являются операционные усилители типа LM111 и LM316.
Отслеживание связи
При установке напряжения смещения, например, в эмиттерном повторителе, резисторы делителя в цепи базы выбираются так, чтобы делитель по отношению к базе действовал как жесткий источник напряжения, то есть чтобы сопротивление резисторов подключенные параллельно, значительно меньше входного сопротивления цепи от бокового основания.В связи с этим входное сопротивление всей схемы определяется делителем напряжения — для сигнала, поступающего на его вход, входное сопротивление намного ниже, чем это действительно необходимо. На рис. 2.64 показывает соответствующий пример.
Рисунок: 2.64.
Входное сопротивление цепи составляет приблизительно 9 кОм, а делитель напряжения для входного сигнала — 10 кОм. Желательно, чтобы входной импеданс всегда был высоким, и в любом случае нецелесообразно загружать источник входного сигнала схемы делителем, который в конечном итоге нужен только для обеспечения смещения транзистора.Выйти из затруднения позволяет отслеживающий способ связи (рис. 2.65).
Рисунок: 2.65. Увеличение входного импеданса эмиттерного повторителя на частотах сигнала за счет включения в цепь сервосвязи делителя, который обеспечивает базовое смещение.
Смещение транзистора обеспечивается резисторами R 1, R 2, R 3 … Конденсатор C 2 выбран таким, чтобы его полное сопротивление на частотах сигнала было мало по сравнению с сопротивлением резисторов смещения.Как всегда, смещение будет стабильным, если сопротивление постоянного тока его источника, заданное в базе (в данном случае 9,7 кОм), значительно меньше сопротивления постоянному току на стороне базы (в данном случае ~ 100 кОм). Но здесь входное сопротивление для частот сигнала не равно импедансу постоянного тока.
Рассмотрим путь прохождения сигнала: входной сигнал U в генерирует сигнал на эмиттере ue ~ = u в , поэтому приращение тока, протекающего через резистор смещения, составляет R 3 , будет i = ( u в — ue ) / R 3 ~ = 0, т.е.е. Z дюйм = u дюйм / i дюйм ) ~ =
Мы обнаружили, что входное (шунтирующее) сопротивление цепи смещения очень велико для сигналов с частотами .
Другой подход к анализу схемы заключается в том, что падение напряжения на резисторе R 3 для всех частот сигнала одинаково (поскольку напряжение между его выводами изменяется одинаково), то есть это источник тока. Но сопротивление источника тока бесконечно.Фактически, фактическое значение сопротивления не бесконечно, поскольку коэффициент усиления повторителя немного меньше 1. Последнее вызвано тем фактом, что падение напряжения между базой и эмиттером зависит от тока коллектора, который изменяется, когда уровень сигнала меняется. Тот же результат может быть получен, если мы рассмотрим делитель, образованный выходным сопротивлением на стороне эмиттера [ r E = 25/ I K (мА) Ом] и резистором эмиттера. Если коэффициент усиления по напряжению ретранслятора составляет A ( A ~ = 1), то эффективное значение сопротивления R 3, на частотах сигнала составляет R 3 / (1 — A ).На практике значение эффективного сопротивления R 3, больше его значения примерно в 100 раз, а входное сопротивление транзистора со стороны базы преобладает над входным сопротивлением. В инвертирующем усилителе с общим эмиттером может быть выполнено аналогичное отслеживающее соединение, поскольку сигнал на эмиттере следует за сигналом на базе. Обратите внимание, что схема делителя смещения питается переменным током (на частотах сигнала) от выхода низкоомного эмиттера, поэтому входной сигнал не должен этого делать.
Следящее соединение в коллекторе нагрузки. Принцип сервосвязи может использоваться для увеличения эффективного (действующего) сопротивления подтягивающего резистора коллектора, если каскад нагружен на повторитель. В этом случае усиление напряжения каскада значительно увеличится [напомним, что K U = — г м R K , г м = 1 / ( R 3 + r E )] ·
На рис. На рис. 2.66 показан пример двухтактного выходного каскада с сервоприводом, аналогичного схеме двухтактного повторителя, рассмотренной выше.
Рисунок: 2.66. Отслеживающее соединение в коллекторе нагрузки усилителя мощности, которое является каскадом нагрузки.
Поскольку на выходе повторяется сигнал на базе транзистора T 2 , конденсатор ОТ создает отслеживающее соединение с коллекторной нагрузкой транзистора T 1 и поддерживает постоянное падение напряжения на резисторе R 2 при наличии сигнала (импеданс конденсатора ОТ должен быть небольшим по сравнению с R 1, и R 2 по всей полосе пропускания сигнала).Благодаря этому резистор R 2, становится подобным источнику тока, коэффициент усиления транзистора увеличивается на T 1 по напряжению, а на базе транзистора T 2 поддерживается достаточное напряжение даже при пиковых значениях сигнала. Когда сигнал приближается к напряжению питания U QC , потенциал на стыке резисторов R 1, и R 2 становится больше U QC из-за заряда, накопленного конденсатором ОТ … Причем, если R 1 = R 2 (хороший вариант выбора резисторов), то потенциал в точке их подключения превысит U QC в 1,5 раза в момент, когда выходной сигнал станет равным U QC … Эта схема приобрела большую популярность при разработке низкочастотных потребительских усилителей, хотя простой источник тока имеет преимущества перед схемой слежения, поскольку устраняет необходимость в нежелательном элементе — электролитическом конденсаторе — и обеспечивает лучшее низкочастотные характеристики.
Если открыть любую книгу по электронной технике, можно сразу увидеть, сколько элементов названо в честь их создателей: диод Шоттки, стабилитрон (он же стабилитрон), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.
Инженер-электрик Сидни Дарлингтон экспериментировал с щеточными двигателями постоянного тока и цепями управления. В схемах использованы усилители тока.
Инженер Дарлингтона изобрел и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных транзисторов, выполненный на монокристалле кремния с диффузными переходами n (отрицательный) и p (положительный).Новое полупроводниковое устройство было названо его именем.
В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называется композитным. Итак, давайте узнаем его получше!
Составной транзисторный прибор.
Как уже было сказано, это два и более транзистора, выполненных на одной полупроводниковой микросхеме и упакованных в один общий корпус. Также имеется нагрузочный резистор в цепи эмиттера первого транзистора.
Транзистор Дарлингтона имеет те же выводы, что и знакомый биполярный транзистор: база, эмиттер и коллектор.
Схема Дарлингтона
Как видите, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности он может содержать более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что в высоковольтной электронике также используется биполярный и полевой транзистор. Это транзистор IGBT. Его также можно классифицировать как композитный гибридный полупроводниковый прибор.
Основные характеристики транзистора Дарлингтона.
Основным преимуществом композитного транзистора является высокий коэффициент усиления по току.
Следует помнить об одном из основных параметров биполярного транзистора. Это прирост ( ч 21 ). Также обозначается буквой β. («Бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго — 60, то коэффициент усиления композита уже равен произведению этих значений, то есть 7200, что очень хорошо. В результате для включения транзистора достаточно очень небольшого тока базы.
Инженер Шиклай (Sziklai) немного модифицировал схему Дарлингтона и получил транзистор, который назвали дополнительным транзистором Дарлингтона. Напомним, что дополнительной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимостью. Такой парой в свое время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, композитный транзистор Шиклая собран из биполярных транзисторов разной проводимости: p-n-p и n-p-n … Вот пример составного транзистора Shiklai, который работает как транзистор n-p-n, хотя он состоит из двух разных структур.
шиклай схема
К недостаткам композитных транзисторов можно отнести низкую производительность , поэтому они широко используются только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы отлично зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в цепях управления электродвигателями, в переключателях цепей электронного зажигания автомобилей.
Основные электрические параметры:
Напряжение коллектор-эмиттер 500 В;
Напряжение эмиттера — база 5 В;
Коллекторный ток — 15 А;
Максимальный ток коллектора — 30 А;
Мощность рассеивания при 25 0 С — 135 Вт;
Температура кристалла (перехода) — 175 0 С.
На принципиальных схемах нет специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначен на схеме как обычный транзистор.Однако есть исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как структуру p-n-p, так и структуру n-p-n. В связи с этим производители электронных компонентов выпускают дополнительные пары. К ним относятся серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n , а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p .
Также на принципиальных схемах можно найти это обозначение.
Примеры использования составного транзистора.
Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем с использованием транзистора Дарлингтона.
Когда к базе первого транзистора подается ток порядка 1 мА, через его коллектор будет протекать в 1000 раз больше тока, то есть 1000 мА. Оказывается, простая схема имеет приличный коэффициент усиления. Вместо мотора можно подключить электрическую лампочку или реле, с помощью которого можно переключать мощные нагрузки.
Если вместо сборки Дарлингтона используется сборка Шиклай, то нагрузка подключается к эмиттерной цепи второго транзистора и подключается не к плюсу, а к минусу блока питания.
Если вы объедините транзистор Дарлингтона и сборку Shiklai, вы получите двухтактный усилитель тока. Это называется двухтактным, потому что в определенный момент времени только один из двух транзисторов, верхний или нижний, может быть открыт. Эта схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение возвращается к входному напряжению.
Это не всегда удобно, поэтому на входе двухтактного усилителя тока добавляется еще один инвертор. В этом случае выходной сигнал точно такой же, как входной.
Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.
Широко используются интегральные схемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одним из наиболее распространенных является интегральная сборка L293D. Его часто используют в своих самоделках любители робототехники.Микросхема L293D представляет собой четыре усилителя тока в общем корпусе. Поскольку в двухтактном усилителе, о котором говорилось выше, всегда открыт только один транзистор, выход усилителя поочередно подключается либо к плюсу, либо к минусу источника питания. Это зависит от величины входного напряжения. Фактически у нас есть электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.
Вот «кусочек» схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятый из ее даташита (справочного листа).
Как видите, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклая. Верхняя часть схемы представляет собой составной транзистор Шиклая, а нижняя часть — транзистор Дарлингтона.
Многие помнят времена, когда вместо DVD-плееров использовали видеомагнитофоны. Причем с помощью микросхемы L293 управлялись два электродвигателя видеорегистратора, причем в полнофункциональном режиме. Для каждого мотора можно было управлять не только направлением вращения, но, посылая сигналы с контроллера ШИМ, можно было управлять скоростью вращения в широких пределах.
Специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона также получили широкое распространение. Примером может служить микросхема ULN2003A (аналог К1109КТ22). Эта интегральная схема представляет собой массив из семи транзисторов Дарлингтона. Эти универсальные сборки могут быть легко применены в радиолюбительских схемах, таких как радиоуправляемые реле. Вот о чем я.
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем транзисторов, они стали стремительно вытеснять вакуумные приборы и, в частности, триоды.В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.
Новичку, а иногда и опытному конструктору-радиолюбителю не сразу удается найти нужное схемное решение или понять назначение тех или иных элементов в схеме. Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, построить «строение» из того или иного устройства намного проще.
Не останавливаясь на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), мы рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, с которой сталкивается разработчик, — это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить, подключив транзисторы параллельно (). Уравнительные резисторы в цепях эмиттера способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное соединение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для снижения шума при усилении слабых. Уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.
Защита от перегрузки по току проще всего решить, установив дополнительный транзистор (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможное улучшение показано на рисунке. Благодаря внедрению германиевого диода или диода Шоттки можно уменьшить номинал резистора R в несколько раз, а значит, и мощность, рассеиваемая на нем.
Для защиты от обратного напряжения обычно параллельно выводам эмиттер-коллектор включается диод, как, например, в составных транзисторах, таких как КТ825, КТ827.
Когда транзистор работает в ключевом режиме, когда ему необходимо быстро переключиться из открытого состояния в закрытое и наоборот, иногда используется принудительная RC-цепь (). В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей заряда в базе, сокращая время выключения.
Можно увеличить крутизну транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к вызвавшему его изменению напряжения на базе (затворе) при постоянном Uke Usi)) с помощью схемы Дарлингтона (). Резистор в цепи базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для установки коллекторного тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (за счет использования полевого транзистора) показан на рисунке. Составные транзисторы, показанные на рис.и, собранные на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.
Введение в схемы Дарлингтона и Шиклая дополнительных транзисторов, как показано на рис. И, увеличивает входное сопротивление переменного тока второго каскада и, соответственно, коэффициент усиления. Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает схемы и, соответственно, линеаризацию крутизны транзистора.
Представлен высокоскоростной широкополосный транзистор. Увеличение скорости отклика было достигнуто в результате уменьшения эффекта Миллера аналогично и.
Представлен «алмазный» транзистор по патенту ФРГ. Возможные варианты его включения показаны на. Характерной особенностью этого транзистора является отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда удвоение нагрузочной способности схемы.
Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В показан на рис. 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 составным транзистором ().
Аналогичные рассуждения можно привести для транзистора pnp-типа, а также для полевого транзистора с каналом p-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в цепь коллектора () или в цепь эмиттера ().
Как видно из приведенных выше формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальная рассеиваемая мощность приходится на простой транзистор с нагрузкой в коллекторной цепи.Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в коллекторной цепи эквивалентно. Транзистор Дарлингтона может быть выгодным, если коллекторы транзисторов не объединены. При подключении нагрузки к эмиттерной цепи преимущество транзистора Шиклая очевидно.
Литература:
1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Опубл. 20-133-83.
3.A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Publ. 22-133-88. — С.47.
1. Повышение мощности транзистора.
Резисторы в эмиттерных цепях нужны для равномерного распределения нагрузки; уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.
2. Максимальная токовая защита.
Недостатком является снижение КПД из-за наличия датчика тока R.
Другой вариант — за счет введения германиевого диода или диода Шоттки номинал резистора R может быть уменьшен в несколько раз, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.
3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.
Благодаря каскодному переключению транзисторов эффект Миллера значительно снижен.
Другая схема — за счет полной развязки второго транзистора от входа и подачи на сток первого транзистора напряжения, пропорционального входному напряжению, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие — второй транзистор должен иметь более высокое напряжение отсечки).Входной транзистор можно заменить на биполярный.
4. Защита транзистора от глубокого насыщения.
Предотвращение прямого смещения перехода база-коллектор с помощью диода Шоттки.
Более сложным вариантом является схема Бейкера. Когда напряжение коллектора транзистора достигает напряжения базы, «лишний» ток базы сбрасывается через коллекторный переход, предотвращая насыщение.
5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.
С датчиком тока базы.
С датчиком тока коллектора.
6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора с помощью принудительной RC-цепи.
7. Транзистор композитный.
Диаграмма Дарлингтона.
Схема Шиклая.
Обозначение составного транзистора, состоящего из двух отдельных транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона, показано на рисунке 1. Первый из упомянутых транзисторов подключен по схеме эмиттерного повторителя, сигнал с эмиттера первого транзистора поступает на база второго транзистора.Преимущество этой схемы — чрезвычайно высокий коэффициент усиления. Общий коэффициент усиления по току p для этой схемы равен произведению коэффициентов усиления по току отдельных транзисторов: p = pgr2.
Например, если входной транзистор пары Дарлингтона имеет коэффициент усиления 120, а коэффициент усиления второго транзистора равен 50, то общее p равно 6000. В действительности коэффициент усиления будет даже немного выше, поскольку общий коллектор Ток составного транзистора равен сумме коллекторных токов пары включенных в него транзисторов.
Полная схема составного транзистора показана на рисунке № 2. В этой схеме резисторы R 1 и R 2 составляют делитель напряжения, который создает смещение на базе первого транзистора. Резистор Rn, подключенный к эмиттеру составного транзистора, образует выходную цепь. Такое устройство широко используется на практике, особенно в случаях, когда требуется большое усиление по току. Схема имеет высокую чувствительность к входному сигналу и имеет высокий уровень выходного тока коллектора, что позволяет использовать этот ток в качестве управляющего тока (особенно при низком напряжении питания).Использование схемы Дарлингтона помогает уменьшить количество компонентов в схемах.
Схема Дарлингтона используется в усилителях низкой частоты, генераторах и коммутационных устройствах. Выходное сопротивление схемы Дарлингтона во много раз ниже входного. В этом смысле его характеристики аналогичны характеристикам понижающего трансформатора. Однако, в отличие от трансформатора, схема Дарлингтона позволяет получить большой выигрыш в мощности. Входное сопротивление схемы примерно равно $ ²Rn, а ее выходное сопротивление обычно меньше Rn.В коммутационных устройствах используется схема Дарлингтона в диапазоне частот до 25 кГц.
Литература: Мэтью Мандл. 200 ВЫБРАННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ДИАГРАММ. Редакция литературы по информатике и электронике. © 1978 Prentice-Hall, Inc. © Русск. Перевод, Мир, 1985, 1980
Войти с помощью:
Случайные статьи
- 08.10.2014
Стереофоническая регулировка громкости, баланса и тембра на TCA5550 имеет следующие параметры: Низкие гармонические искажения не более 0.1% Напряжение питания 10-16 В (номинальное 12 В) Потребляемый ток 15 … 30 мА Входное напряжение 0,5 В (усиление при напряжении питания 12 В, единица измерения) Диапазон регулировки тона -14 … + 14 дБ Диапазон регулировки баланса 3 дБ Разница между каналами 45 дБ Сигнал -шумовое отношение …
K Справочники технических данных транзисторов d998
K справочники технических данных транзисторов d998Полевой транзистор Toshiba кремниевый n-канальный типа mos. Данные выводятся параллельно на выходе восьмерки. Вам доступен широкий выбор транзисторов D998, например, домашний усилитель.Таблица данных транзисторов, таблица данных транзисторов, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf.
Productrank 2sd1468q 2sd1468r 2sd1468s range 120270 180390 270560 3 база 1 эмиттер коллектор 2 to92 1111 эмиттер 2222 коллектор 3333 база исх. Dtc114eka datasheet pages цифровые транзисторы rohm. Замена транзистора Распайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Общий транзистор, если драйвер используется здесь для обеспечения реального уровня, выбирает норму dk, когда транзистор bc848 подключает контакт 10 к контакту 2, который заземлен.Маркировка радиодеталей, коды smd d9, d9, d9. Даташиты 1ss401, 2sd965, ao6409, bar42film, bar43film, bcv63.
В этом техническом описании описан цифровой транзистор с входным резистором r1, равным 10 кОм, и базой. Mc14099b 8-битные адресные защелки mc14099b — это 8. And9129d понимает техническое описание цифровых транзисторов. Транзистор кд718 микросхемы, транзистор кд718. Описание транзистора K d998, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению. Описание 1 катодный затвор 3, книга таймеров, формирователи импульсов на полстраницы 2 и т.D998 datasheet vcbo 120v, npn транзистор kec, ktd998 datasheet, d998 pdf, распиновка d998, руководство d998, схема d998, d998. Дополняет 2sb688 абсолютный максимальный рейтинг ta25oc характеристический символ номинальный блок коллекторно-базовое напряжение коллекторное напряжение эмиттер-базовое напряжение коллекторный ток постоянный ток рассеяния коллектора. Общий транзистор, если драйвер используется здесь для обеспечения реального уровня, выбирает норму d k, когда транзистор bc848 подключает контакт 10 к контакту 2, который заземлен. Входная емкость коллектор-эмиттер транзистора bc848 отключена в режиме mn, ее значение составляет около 4 пФ.Nec d 809 k техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Транзистор Toshiba кремниевый pnp эпитаксиальный типа 2sa1837.
Тестер транзисторов управляется поворотным импульсным энкодером с переключателем или коротким замыканием с помощью rpews, этот компонент имеет четыре режима работы, короткое время нажмите ручку, нажмите и удерживайте, влево и вправо поверните ручку. Кремниевый транзистор отличается низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления. Это возможно после того, как будут определены характеристики и параметры транзистора.D998 datasheet npn транзистор 2sd998, pdf, распиновка, аналог, замена, схема, инструкция, данные, схема, детали, даташит. Высокая скорость переключения абсолютные максимальные характеристики ta25oc характеристический символ номинальный ток единица коллекторное напряжение коллекторное напряжение эмиттер базовое напряжение коллекторный ток постоянный ток. Авторские права на этот материал принадлежат соответствующему производителю. Знание того, как заменить транзистор другого типа, может ускорить процесс. Транзистор C200, эквивалентный nte123a npn аудиотранзистору. Спецификация продукции Savantic Semiconductor 2 кремниевых силовых npn-транзистора 2sd998 характеристики tj25, если не указано иное символ параметр условия мин. Тип.Транзистор Toshiba кремниевый pnp эпитаксиальный тип 2sa1837 усилитель мощности приложений драйвер каскадный усилитель приложений высокая частота перехода.
На рисунке 1 представлена маркированная схема цифрового транзистора. Прошло некоторое время с тех пор, как я использовал силовой транзистор, поэтому в наши дни я не могу рекомендовать какую-либо часть из всех МОП-транзисторов для такого типа приложений. Больше времени уходит на выяснение того, что заменить, а иногда и чем заменить. Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (pnp или npn), что и исходный.Fairchild не рекомендует превышать их или разрабатывать до абсолютных максимальных оценок. Если на транзистор будет подано напряжение, превышающее максимально допустимое, он может быть необратимо поврежден. Мар 08, 2019 d998 datasheet vcbo 120v, npn transistor kec, ktd998 datasheet, d998 pdf, распиновка d998, руководство d998, схема d998, эквивалент d998, данные d998.
При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя bv, электроны. Npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор 2sd1651 для цветного телевидения с горизонтальным выходом, встроенный демпферный диод.Кремниевый эпитаксиальный строгальный транзистор npn, таблица данных un1211, схема un1211, таблица данных un1211. D998 кремниевые npn силовые транзисторы техническое описание компонентов pdf техническое описание бесплатно из технического описания поиск интегральных схем. 11 декабря, 2017 2n2222a — транзистор npn, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми с обратным смещением, когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты с прямым смещением, когда на базовый вывод будет подан сигнал. Параметр Обозначение номиналы единица напряжение коллектора передатчика v ceo 400 в напряжение коллектора передатчика v be1.Spp20n65c3, spa20n65c3 spi20n65c3 прохладный силовой транзистор mos. Маркировка радиодеталей, коды smd d9, d9, d9, d9, d9, d9. Блокировка тока отсечки коллектора icbo vcb 5 v, т.е. 0 0.
Ktd998 — даташит, аналоги, поиск по ссылкам. Для mc14099b входом является однонаправленный порт только для записи. Применения переключения высокого напряжения полевого транзистора Nchannel mos. Техническое описание компонентов транзистора npn с тройным рассеиванием D998, pdf техническое описание. Ktb778 — параметры, поиск аналогов.21.09.2009 для кт827 нужен силовой транзистор. Транзисторы серии k найти более 59 наименований продукции серии k k24, k2141, k2275 и многих других. Каталог технических данных Semiconductor ktd998 для интегрированных. K, катодный ток ma v ka, катодное напряжение v50 25 0 25 50 75 100 125 0. Типичные характеристики B 12 8 6 4 2 0 2 8 12 Зависимость тока коллектора от характеристик, рекомендуемых для выходного каскада усилителя звуковой частоты 45 50 Вт. Эпитаксиальный планарный npn-транзистор усилитель мощности звуковой частоты низкоскоростной список переключения неклассифицированного человека.
Стандартные, дополнительные необходимые материалы или книги данных. K1423 datasheet, k1423 pdf, k1423 data sheet, k1423 manual, k1423 pdf, k1423, datenblatt, electronics k1423, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. Тройной диффузионный транзисторный усилитель мощности npn, даташит ktd998, схема ktd998, паспорт ktd998. Он предназначен для работы биполярных шаговых двигателей в режимах полной половины четверти и восьмого шага с выходным приводом. Крупнейшей страной-поставщиком является континентальный Китай, который поставляет 100% транзисторных интегральных схем KD718 соответственно.
Без дополнительных подробностей схемы я не могу сказать наверняка, но, вероятно, рассчитан как минимум на 10 ампер и 30 вольт. Дата публикации декабрь 2003 г. cp k описание ne68 2sc4227 — транзистор с низким напряжением питания, разработанный для малошумящего усилителя УКВ, УВЧ. Этот транзистор предназначен для использования в усилителях общего назначения и коммутационных устройствах. K1 smd databook электронные схемы, схемы тв, аудиосистема. Он подходит для сборки с высокой плотностью монтажа на поверхность, поскольку в транзисторе применен 3-контактный суперминиатюрный корпус.Kt805 datasheet, kt805 pdf, распиновка kt805, аналог, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. Тест основан на том факте, что биполярный транзистор можно рассматривать как состоящий из двух встречных диодов, и путем выполнения теста диодов между базой и коллектором и базой и эмиттером транзистора с использованием аналогового мультиметра, большей части основного можно проверить целостность транзистора. D998 datasheet vcbo 120v, npn transistor kec, ktd998 datasheet, d998 pdf, распиновка d998, руководство d998, схема d998, эквивалент d998, данные d998.
18 ноя, 2018 d718 datasheet vcbo120v, 8a, npn транзистор toshiba. Vcer 100 напряжение базы коллектора vcbo напряжение базы эмиттера vebo 5. Напряжение коллектора передатчика 46 10 10 0 14 общий эмиттер tc25. Техническое описание D718, d718 pdf, техническое описание d718, техническое описание, техническое описание, pdf. Мы прилагаем все усилия, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем и не заявляем, что информация не содержит ошибок или упущений. Если вы установите неправильную полярность, бутерброд не подойдет.Данные вводятся в последовательной форме, когда соответствующая защелка адресуется через адресные контакты a0, a1, a2 и блокировка записи находится в низком состоянии. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Техническое описание C3063, c3063 pdf, техническое описание c3063, техническое описание, техническое описание, pdf. Параметры из таблицы данных dtc114ed будут использоваться для пояснений. Panasonic, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.
Оригинальный транзистор может нуждаться в специальном заказе или быть снят с производства и быть недоступным. Описание символ блока bd9 напряжение коллектора передатчика vceo 80 В напряжение коллектора передатчика rbe 1k. B778 datasheet, b778 pdf, b778 data sheet, b778 manual, b778 pdf, b778, datenblatt, electronics b778, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas sheet, databook, free datasheet. Pdf omap5910 sprs197d mpbg179a spbgan289 41735126d d998 транзистор d998 d880 транзистор d914 транзистор d998 транзистор d852 транзистор j 5804 d882 до 92 d880 k.Дата публикации декабрь 2003 г. Описание cpk ne68 2sc4227 — транзистор с низким напряжением питания, разработанный для малошумящего усилителя УКВ, УВЧ. C106d1 тиристор scr 4a 400v to225aa на полупроводниковом техническом паспорте pdf технический паспорт бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.
