Как работает генератор Ройера на полевых транзисторах. Какие преимущества имеет данная схема для индукционного нагрева металлов. Какие компоненты используются в генераторе Ройера.
Принцип работы генератора Ройера на полевых транзисторах
Генератор Ройера представляет собой автогенератор с положительной обратной связью, используемый для создания высокочастотных колебаний. В классической схеме применяются биполярные транзисторы, но для повышения эффективности и мощности их можно заменить на полевые (MOSFET).
Основные элементы схемы генератора Ройера на полевых транзисторах:
- Два мощных полевых транзистора
- Трансформатор с тремя обмотками
- Конденсатор в колебательном контуре
- Резисторы для смещения затворов транзисторов
Как работает данная схема?
- При подаче питания один из транзисторов начинает открываться
- Через первичную обмотку трансформатора протекает нарастающий ток
- В обмотке обратной связи наводится напряжение, еще больше открывающее первый транзистор и запирающее второй
- Когда сердечник входит в насыщение, ток перестает расти
- Напряжение в обмотке обратной связи меняет полярность
- Первый транзистор закрывается, второй открывается
- Процесс повторяется с противоположной полярностью
Таким образом возникают устойчивые высокочастотные колебания, которые через вторичную обмотку передаются в нагрузку.
![](/800/600/https/czarsafe.ru/wp-content/uploads/0/a/2/0a2b961c7fb8b0e4fa60022983584b49.jpeg)
Преимущества генератора Ройера для индукционного нагрева
Генератор Ройера на полевых транзисторах имеет ряд важных преимуществ для применения в индукционном нагреве металлов:
- Простота схемы и надежность работы
- Высокий КПД (до 90%) за счет ключевого режима транзисторов
- Возможность получения высокой выходной мощности (десятки кВт)
- Работа на высоких частотах (сотни кГц), оптимальных для нагрева
- Автоподстройка частоты под параметры нагрузки
- Устойчивость к коротким замыканиям в нагрузке
Какие еще преимущества дает использование полевых транзисторов в генераторе Ройера? Они обеспечивают более высокую скорость переключения по сравнению с биполярными, что позволяет повысить рабочую частоту. Кроме того, полевые транзисторы проще в управлении и имеют меньшие потери на переключение.
Основные компоненты генератора Ройера на полевых транзисторах
Рассмотрим более подробно ключевые элементы схемы:
Полевые транзисторы
Для мощных генераторов применяются MOSFET-транзисторы на напряжение 500-1000В и ток 20-100А. Важные параметры:
![](/800/600/https/power-e.ru/wp-content/uploads/ris_1-2.png)
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии
- Малая входная емкость
- Высокая скорость переключения
- Достаточная теплоотдача корпуса
Популярные модели: IRFP460, STW45NM50, IXFH32N50.
Трансформатор
Сердечник трансформатора выполняется из феррита с низкими потерями на высоких частотах. Количество витков обмоток подбирается экспериментально. Типичное соотношение:
- Первичная обмотка: 10-20 витков
- Вторичная обмотка: 2-5 витков
- Обмотка обратной связи: 2-4 витка
Сечение провода выбирается с учетом протекающих токов и скин-эффекта.
Конденсатор колебательного контура
Применяются высокочастотные конденсаторы с малыми потерями:
- Слюдяные
- Керамические высоковольтные
- Пленочные полипропиленовые
Емкость подбирается для получения нужной резонансной частоты с индуктивностью первичной обмотки трансформатора.
Расчет и настройка генератора Ройера
При проектировании генератора Ройера на полевых транзисторах необходимо провести ряд расчетов:
- Определить требуемую выходную мощность и рабочую частоту
- Рассчитать параметры трансформатора (число витков, сечение провода)
- Подобрать емкость конденсатора колебательного контура
- Выбрать подходящие полевые транзисторы по напряжению и току
- Рассчитать цепи управления затворами транзисторов
Как настроить генератор Ройера после сборки? Основные этапы:
![](http://m-gen.ru/wp-content/plugins/a3-lazy-load/assets/images/lazy_placeholder.gif)
- Проверка работоспособности на пониженном напряжении питания
- Измерение частоты генерации и формы выходного сигнала
- Подстройка емкости колебательного контура для получения нужной частоты
- Оптимизация цепей управления затворами для минимизации коммутационных потерь
- Тестирование на полной мощности с контролем нагрева компонентов
Применение генератора Ройера в индукционном нагреве металлов
Генераторы Ройера на полевых транзисторах широко используются для индукционного нагрева металлов в различных областях:
- Плавка металлов в небольших объемах
- Пайка и сварка металлических деталей
- Термообработка (закалка, отпуск, отжиг)
- Нагрев заготовок перед ковкой или штамповкой
- Зональный нагрев труб для гибки
Какие преимущества дает индукционный нагрев по сравнению с другими методами? Основные достоинства:
- Высокая скорость нагрева
- Локальность воздействия
- Отсутствие открытого пламени
- Экологичность процесса
- Точный контроль температуры
- Высокая энергоэффективность
Модификации и улучшения схемы генератора Ройера
Базовая схема генератора Ройера может быть улучшена для повышения эффективности и расширения функциональности:
![](/800/600/https/i.pinimg.com/originals/df/7a/bf/df7abf1b5207f13a3eb37cb0bab318e4.jpg)
Добавление предварительного усилителя
Установка драйвера затворов позволяет:
- Уменьшить время переключения транзисторов
- Снизить коммутационные потери
- Повысить рабочую частоту генератора
Использование резонансного инвертора
Добавление последовательного резонансного контура обеспечивает:
- Работу транзисторов в режиме переключения при нулевом напряжении
- Снижение динамических потерь
- Повышение КПД схемы
Внедрение системы управления
Микроконтроллерное управление позволяет реализовать:
- Плавный пуск генератора
- Стабилизацию выходной мощности
- Защиту от перегрузок и коротких замыканий
- Программирование режимов нагрева
Сравнение генератора Ройера с другими схемами для индукционного нагрева
Как генератор Ройера соотносится с альтернативными схемами индукционного нагрева?
Параметр | Генератор Ройера | Полумостовой инвертор | Последовательный резонансный инвертор |
---|---|---|---|
Сложность схемы | Низкая | Средняя | Высокая |
КПД | 80-90% | 85-92% | 90-95% |
Максимальная мощность | До 50 кВт | До 100 кВт | Свыше 100 кВт |
Диапазон рабочих частот | 10-500 кГц | 20-100 кГц | 10-1000 кГц |
Стоимость реализации | Низкая | Средняя | Высокая |
Как видно из сравнения, генератор Ройера занимает промежуточное положение, сочетая простоту реализации с достаточно высокими характеристиками.
![](/800/600/https/forum.xumuk.ru/uploads/monthly_12_2010/post-735-0-57715400-1293624164.gif)
что это такое и как оно работает
Вступление
Сегодня мы попытаемся понять, что же такое генератор Ройера на примере CCFL конвертера, соберем его прототип, а так же изучим принцип работы.
Предыстория
Попал ко мне в руки давеча нерабочий сканер, чинить его не было никакого смысла, поэтому он пошел на запчасти. Снял я с него CCFL (cold cathode fluorescent lamp) лампу, конвертер и решил с ними поиграться.
Но конвертер оказался нерабочим, а так как поиграться очень хотелось, я решил его восстановить. Так как при замене сгоревшего транзистора у китайской платы начали отслаиваться дорожки, я решил сделать свою, заодно поподробнее изучить принцип работы и написать статью на Хабр, может быть кому-то будет интересно.
Схема и принцип работы
Итак, вернемся к Ройеру. Схема, запатентованная в 1954 году Джорджем Х. Ройером, представляет из себя резонансный автогенератор, собранный по топологии пуш-пулл. Вообще, модификаций этой схемы много, но все они отличаются вариациями обмотки связи, и по принципу работы одинаковы. Есть так же генератор Ройера на полевых транзисторах, но это совсем другая схема. В данной статье мы рассматриваем только модифицированный генератор Ройера на биполярных транзисторах, с обмоткой связи без отвода, наиболее часто использующейся в балластах CCFL. Рассмотрим схему:
При подаче питания ток течет к базе транзистора Q2 через резистор R1. Этот резистор служит только для запуска, и с ним связан один момент, но о нем чуть позже. Транзистор Q2 начинает отпираться и через его переход коллектор-эмиттер и часть первичной обмотки начинает течь ток, а также начинает заряжаться конденсатор C1. В этот момент наводится напряжение в обмотке связи, и ток начинает вытекать из базы Q1, втекая в базу Q2. Транзистор Q1 удерживается запертым, а Q2 открывается еще больше, но, поскольку первичная обмотка с контурным конденсатором C1 составляет колебательный контур, через некоторое время заряженный конденсатор C1 начинает отдавать ток в первичную обмотку в обратном направлении, и в обмотке связи ток начинает течь наоборот. Транзисторы Q1 и Q2 меняют свои состояния на противоположные и процесс генерации стабилизируется на резонансной частоте контура, в результате чего в нем образуются синусоидальные колебания, а во вторичной обмотке наводится напряжение. Дроссель L1 накапливает энергию и отдает ее в момент переключения транзисторов, как бы повышая напряжение питания, а так же с конденсатором C2 составляет LC-фильтр.
Плата и компоненты
Через полчаса работы я развел плату и отправил ее травиться (архив с полезностями, в том числе плата в PDF, доступен по ссылке в конце статьи), а сам успел попить чай.
Я немного изменил схему, в частности, поставил PNP транзисторы, поскольку подходящих NPN под рукой не оказалось, а так же добавил второй резистор.
И добавил я его не просто так, помните, я обещал рассказать о резисторе для запуска? В идеале он должен быть несколько десятков килоом, чтобы не влиять на работу, но суметь запустить процесс, а управление транзисторами должно осуществляться исключительно обмоткой связи. Но хитрым китайцам жалко меди, и поэтому в обмотке связи только два витка, и с резистором положенного сопротивления лампа даже не зажигается. Но они ставят резистор более низкого сопротивления, в результате транзистор с эти резистором в базе работает в более нагруженном режиме, он то и сгорел. Я не стал перематывать трансформатор, а поставил более мощные транзисторы и два резистора. Теперь помимо обмотки связи транзисторы отпираются при помощи этих резисторов, в результате мощность балласта повысилась с 4 до 20 ватт, но это предел как для трансформатора, так и для транзисторов.
Испытания
Теперь мы можем снимать дуги и питать CCFL трубки с этого драйвера. Питание схемы 12 вольт.
Архив с полезностями доступен по ссылке: https://cloud.mail.ru/public/cW1r/BtRwrzVJi
Буду рад, если статья была полезной или интересной!
| —> Ремонт блоков питания компьютера Ремонт компьютеров различной степени сложности осуществить сложно Как ленточные конвейеры облегчают работу шахты? Ленточные конвейеры — это профессиональные рабочие устройства, которые используются во многих отраслях промышленности и хозяйства. Как самостоятельно сделать угольную маску? В период, когда пандемия коронавируса бушует по всему миру, каждый хочет защититься от опасных вирусов. Особенности зимней стройки Строительство обычно проводится в теплое время года. Однако кто сказал, что строить зимой нельзя? Что собой представляет сварочный инвертор Сегодня сварку активно используют не только для строительных и монтажных процедур, но и при выполнении различных бытовых работ. Игровые автоматы Плей Фортуна Для любителей азартных игр на просторах интернета представлены много игровых площадок, удовлетворяющих требования своих игроков. Что делать если зависает компьютер Постепенное снижение работоспособности и производительности компьютера — одна из наиболее частотных проблем, с которой сталкиваются пользователи любого ПК. Gaminator Slot — игровые автоматы бесплатно Несмотря на большой ассортимент игровых автоматов, наибольшей популярностью пользуются Гаминаторы. Для тех, кто любит и знает мир спорта — полная версия Вулкан ставка на спорт Отличные знания спортивных игр и событий могут значительно улучшить финансовое положение. Для этого существуют букмекерские конторы, где можно воспользоваться опытом прогнозирования в спорте и заработать. Игровые автоматы на деньги в 2020 году Очень много игроков уже давно просиживают вечера в казино-онлайн. |
и примечания по применению
MOSFET%20royer%20oscillator Листы данных Context Search
Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
д 434 мосфет Резюме: T0220AB MOSFET 345 T0-220AB MOSFET MOSFET N BUK854-500IS 200B 100a MOSFET MOSFET 606 | OCR-сканирование | БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л д 434 мосфет T0220AB мосфет 345 Т0-220АБ мосфет МОП-транзистор N БУК854-500ИС 200Б 100а мосфет МОП-транзистор 606 | |
2006 — ан799 Аннотация: MOSFET 500V 15A MOSFET 55 nf 06 an799 микрочип tc1426 TC4431 приложение 348 MOSFET MOSFET 6A «MOSFET» 400V TC4425 | Оригинал | АН799 500В14АН ан799 МОП-транзистор 500В 15А мосфет 55 нф 06 микросхема ан799 тк1426 Приложение TC4431 348 мосфет МОП-транзистор 6А «МОП-транзистор» 400В TC4425 | |
БУК417-500Б Реферат: TOPFETs FETs T0-220AB mosfet BUK454-600 BUK617-500BE BUK551-100A PHILIPS MOSFET igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство Igbts | OCR-сканирование | T0220AB ОТ186 ОТ186 БУК856-400ИЗ БУК417-500Б полевые транзисторы Т0-220АБ мосфет БУК454-600 БУК617-500БЭ БУК551-100А PHILIPS МОП-транзистор igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство по IGBT | |
Т0-220АБ Реферат: PHILIPS MOSFET igbt mosfet переключатель BUK866 4001z | OCR-сканирование | БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt МОП-переключатель БУК866 4001з | |
МОП-транзистор Реферат: AN9506 ISL6572 переключатель zvs драйвер SEM600 Lloyd H. Dixon ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий MOSFET каталог MOSFET | Оригинал | ИСЛ6752ИСЛ6753 АН1262 ISL6752 ISL6753 АН1002 АН1246 ИСЛ6752ИСЛ6753ЗВС АН1002АН1246 МОП-транзистор AN9506 ISL6572 переключить драйвер zvs СЭМ600 Ллойд Х. Диксон ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий мосфет каталог мосфетов | |
ссф7509 Резюме: MC33035 K1 mosfet SIL-PAD400 mosfet 400a 1335W MOSFet MOSFET B TO220 RthJA 400A mosfet | Оригинал | SSF7509 15 кГц MC33035 SSF7509 MC33035 МОП-транзистор K1 SIL-PAD400 мосфет 400а 1335 Вт MOSFet МОП-транзистор B ТО220 РтЯ МОП-транзистор 400А | |
схема контактов MOSFET Реферат: LM3641 MOSFET 2KV mosfet+on+09нг | Оригинал | LM3641 схема выводов MOSFET LM3641 МОП-транзистор 2 кВ мосфет+на+09нг | |
Мощный МОП-транзистор 200 кГц Резюме: транзистор c 558 mosfet 4b npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet mosfet драйвер с npn транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привод pwm ic | Оригинал | Ан-558 AN010063-01-JP 112нс 200нс Мощный мосфет 200 кГц транзистор с 558 мосфет 4b npn-транзистор постоянного тока 558 транзистор постоянного тока 558 npn МОП-транзистор управления двигателем постоянного тока 12 В 10 А драйвер мосфета с транзистором npn ик 558 мосфет 300в 10а привод импульсного трансформатора pwm ic | |
2007 — LM25116 Реферат: Si7850DP TSSOP-20-EP amp mosfet принципиальная схема IC MOSFET QG 6 PIN mosfet | Оригинал | ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП дс300075 DS300156-01-JP ЛМ25116 Si7850DP ЦСОП-20-ЭП схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG 6 PIN мосфет | |
1970 — МОП-транзистор-48В Аннотация: схема powr607 emmc 4700uF mosfet-n EIA96 ISPPAC-POWR607 eMMC DC-DC 5V-3,3V ISPPAC-POWR1014 | Оригинал | ГС-12В MOSFET8сек32сек 12VNMOSFET 12В12В страница-126- 32сек2сек ispPAC-POWR1220AT8 AldecActive-HDLHDL9-10 МОП-транзистор-48В мощность607 схема эммк 4700 мкФ мосфет-н ОВОС96 ИСППАК-POWR607 eMMC DC-DC 5В-3,3В ИСППАК-POWR1014 | |
837 мосфет Реферат: 912 MOSFET T0-220AB PHILIPS MOSFET igbt BUK108-50DL 50SP 200b MOSFET MOSFET 1053 MOSFET справочник | OCR-сканирование | БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л 837 МОП-транзистор 912 МОП-транзистор Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt БУК108-50ДЛ 50СП 200b мосфет МОП-транзистор 1053 руководство по МОП-транзисторам | |
2007 — IC MOSFET QG 6 PIN Резюме: MOSFET amp ic ZF 24060 14 В 10 А MOSFET 100 ампер MOSFET 200 кГц мощность MOSFET MOSFET 12 В 4A BAT54 IC MOSFET QG LM78L05 | Оригинал | LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель IC ЗФ 24060 мосфет 14В 10А МОП-транзистор на 100 ампер Мощный мосфет 200 кГц мосфет 12В 4А БАТ54 IC МОП-транзистор QG LM78L05 | |
1995 — 10063 Резюме: SIEMENS MOSFET 14 MOSFET 10063 AN-558 IRF330 IRF450 SIEMENS MOSFET TI MOSFET RRD-B30M115 10063 | Оригинал | ТЛ/Г/10063 Ан-558 ТЛ/Г/10063 РРД-Б30М115/Печать ЦСП-9-111С2 10063 Сименс МОП-транзистор 14 мосфет 10063 Ан-558 IRF330 IRF450 сименс мосфет TI МОП-транзистор РРД-Б30М115 10063 | |
2001 — IRHNJ597230SCS Аннотация: международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS IRFE130SCX 35CLQ045SCS IRHNJ597130SCS IRHNJ7430SESCS | Оригинал | 4047А ИРХНДЖ597130 ИРХНДЖ593130 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНДЖ597230СКС международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS ИРХНДЖ597034СКС ИРХГ6110СКС ИРХНДЖ57234СЕСКС IRFE130SCX 35CLQ045SCS ИРХНДЖ597130СКС IRHNJ7430SESCS | |
2007 — МОП-транзистор 14В 10А Аннотация: IC MOSFET QG 6-контактный MOSFET AMP IC MOSFET 12V 4A 300 Amp MOSFET RCS 72 BAT54 FDS6898A LM2747 LM78L05 | Оригинал | LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 мосфет 14В 10А IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель IC мосфет 12В 4А МОП-транзистор на 300 ампер ркс 72 БАТ54 ФДС6898А LM2747 LM78L05 | |
2001 — ИРХНА57064СКС Резюме: IRHNJ597230SCS IRHNJ9130SCS IRHG6110SCS IRHY7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV IRHNJ57034SCS irfy9230 35CLQ045SCS | Оригинал | 94046Б ИРХНДЖ597230 ИРХНДЖ593230 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНА57064СКС ИРХНДЖ597230СКС IRHNJ9130SCS ИРХГ6110СКС ИРХИ7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV ИРХНДЖ57034СКС irfy9230 35CLQ045SCS | |
2005 — 5 мм Резюме: LDR 5 мм 300 кГц драйвер MOSFET IC ldr 10k LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 LM2655 MTC16 | Оригинал | LM2655 ЦСОП-16 300 кГц DS101284-04-JP LM2655 nat2000 5 мм лдр ЛДР 5мм Микросхема драйвера МОП-транзистора 300 кГц лдр 10к LM2655MTC-ADJ 593D 594Д LM2653 МТС16 | |
Силовой МОП-транзистор Реферат: МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А Диод Шоттки 30В MOSFET | Оригинал | Si4642DY SiE726DF 1-1500 мкФ 47-680 мкФ Мощный МОП-транзистор МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А диод шоттки 30v МОП-транзистор | |
2010 — Схема усилителя MOSFET Реферат: IC MOSFET QG IC MOSFET CFT top 256 en схема LM25116 модулятор RDS Si7850DP MOSFET 2KV | Оригинал | ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП DS300156-03-JP МХА20А схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG IC МОП-транзистор CFT топ 256 ru схема ЛМ25116 модулятор РДС Si7850DP МОП-транзистор 2 кВ | |
2005 — СЛУП169 Реферат: slup206 peter markowski Руководство по проектированию и применению SLUP206 для высокоскоростных MOSFET IC SEM 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT-транзистора Bill Andreycak SLUA341 Синхронный выпрямитель MOSFET | Оригинал | SLUA341 SLUP169 slup206 Питер Марковски СЛУП206 Руководство по проектированию и применению высокоскоростных полевых МОП-транзисторов ИК СЭМ 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT MOSFET Билл Андрейчак SLUA341 синхронный выпрямитель mosfet | |
2007 — AC24V Аннотация: DC24V LM3102 | Оригинал | LM3102 ЭЦСОП-20 DC5VDC12VDC24VAC12VAC24V ДС300213-03-ДжП LM3102 AC24V DC24V | |
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 | Оригинал | Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415 | |
2007 — MOSFET ВЧ усилитель Реферат: Схема усилителя MOSFET IC MOSFET QG LM25116 Si7850DP 13MOSFET 5256A | Оригинал | ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП дс300075 DS300156-01-JP МОП-транзистор ВЧ усилитель схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG ЛМ25116 Si7850DP 13МОП-транзистор 5256А | |
2006 — S 170 МОП-транзистор Аннотация: 8203 двойной MOSFET S 170 MOSFET SOT323 MOSFET P MOSFET ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ IPS09N03LA P-канальный силовой MOSFET SO-8 TDA21102 MOSFET, все MOSFET, эквивалентные книге | Оригинал | Б152-Х8203-Г4-С-7600 S 170 МОП-транзистор 8203 двойной мосфет S 170 МОП-транзистор МОП-транзистор SOT323 P ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ MOSFET IPS09N03LA P-канальный силовой MOSFET SO-8 TDA21102 мосфет все mosfet эквивалент книги | |
2008 — АН1114 Реферат: smd транзистор 2t1 smps* ZVT AN1114A DELTA 2000 smps микросхема 1414 термистор ptc 10d DS01114A AN-1114 90 В переменного тока-230 В переменного тока | Оригинал | АН1114 ДС01114А АН1114 смд транзистор 2t1 смпс* ЗВТ АН1114А ДЕЛЬТА 2000 смс микросхема 1414 термистор ptc 10d Ан-1114 90В переменного тока-230В переменного тока |
Предыдущий
1
2
3
. ..
23
24
25
Next